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TWI295911B - Manufacturing method of circuit board - Google Patents

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TWI295911B
TWI295911B TW095120433A TW95120433A TWI295911B TW I295911 B TWI295911 B TW I295911B TW 095120433 A TW095120433 A TW 095120433A TW 95120433 A TW95120433 A TW 95120433A TW I295911 B TWI295911 B TW I295911B
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layer
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Chi Chao Tseng
Ming Loung Lu
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Advanced Semiconductor Eng
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Description

129 缴 4 :TW2561PA 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電路板之製造方法,且特別是有 關於一種以兩次電鍍方式形成一具有線路圖案之電路板 之製造方法。 【先前技術】 在半導體元件的製作過程中,分為前段工程與後後段 _ 工程。二者係以係晶圓(Wafer)切割為晶片(Chip)為 界’在此之前為前段工程,在此之後為後段工程。後段工 私將日日片封裝後形成一封裝結構(package structure ) 〇 封裝結構係利用晶片固著技術及微細連接技術,將晶片及 其他構成要素在一電路板上佈置、固定及連接,引出接 腳’並利用可塑性絕緣材料予以封裝固定,裝配成完整的 糸統。 在封裝結構中,電路板用以搭載、固定電子元件,利 • 用其表面或内部形成的線路園形,進行電路連接,同時兼 具導熱、隔離及保護元件的作用。以下係附圖並詳細說明 • 傳統之電路板的製造過程。 請參照第1A—1G圖’其繪示傳統之電路板的製造流 程圖。首先,如第1A圖所示,提供一基板19〇。基板190 包括銅層191及絕緣層192。 接著,如第1B圖所示,表面觸媒處理並無電電鍍一 第一金屬層110。第一金屬層110係作為後續電鍍之電極 5
Ι295®Η :TW2561PA 端。 :、後如第1C圖所不,以第一金屬層ii〇為一電極 =2電鍛一第二金屬層120於第一金屬層110上。在 此步驟中,第二合屬^19η 的厚复。電路板所需要之線路圖案 金屬層接1:上在第1D圖中 光阻ΓΙ’。如第1E圖所示’依據所需之線路圖形圖案化 150 ^ 及表面之㈣1Q1 ) 屬層120、第—金屬層110 及表面之銅層191,以形成1案化線路層 成=r1G圖所示,移除光阻層·至此即形 成一具有線路圖案之電路板100。 其中,在第1F圖之蝕刻劁铲 項參數:飯刻之材質、侧速率、均需要考慮幾 率=侧厚度蝴日㈣。並且;為:細速 ^ ^ 银刻選擇性係指不同材 緣声192 /般日而▲及轉191,以及我們不想移除的絕 緣f 192般~ ’糊製程可分為等向性闕 sotropic etching) (Anisotropic ^ —般具有較高之_選擇性,例如 疋祕刻(Wet etching)。反之,非等向性_具有較低 6 I29S 參Μ :TW2561PA —^刻選擇性’例如是乾侧(dry etching)。 在形成圖案化線路層140的步驟中,係以等向性姓刻 之方式進行钱刻。 • 請參昭箓〇 Λ 、 、弟2Α〜2C圖,其繪示第IF圖之蝕刻過程示意 圖。如第2AISI& ^ ^ /斤示,等向性银刻並不僅朝下钮刻,亦有 $犯朝光阻層15〇之下方之金屬層橫向蝕刻。在蝕刻過程 光阻層15〇下方的部分第二金屬層ι2〇、第一金屬 u〇及基板]qn心 ^ 之表面銅層191亦受到橫向餘刻,而形成 •魯二大之線路間隙Dl4Q,如第2C圖及第1G圖所示。更可能 使得寬产Hi ^ • 、又仪」、之部分線路層140可能經由橫向蝕刻後消 因此,傳统之 間隙擴大之問題。 由横向蝕刻後消失 制。 電路板的製造方法,無法有效控制線路 並且由於寬度較小之部分線路層可能經 ’使得電路板之精密度受到極大之限 • 【發明内容】 有鑑於此,士找0 , 造方法,复「本發明的目的就是在提供一種電路板之製 板之製造/方利甩兩次電鍍製程,以形成線路層。使得電路 ^去獲得較佳之精密度。 、,根據本發明之一目的,提出一種電路板之製造方法。 百先,提供一基板。基板具有數個貫穿孔。接著,無電電 ,—第一金屬層於基板表面及貫穿孔表面。然後,電鍍一 第一金屬層於第一金屬層上。接著,圖案化第二金屬層及 7
129^14 : TW2561PA 弟一金屬層,以形成一圖案化線路層。然後,電鍍一第(三 金屬層於圖案化線路層上。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能吏明顯易 懂,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下: 【實施方式】 請同時參照第3圖及第4A〜4H圖,第3圖繪示依照 _ 本發明較佳實施例之電路板之製造流程圖。第4A〜4H圖 繪示第3圖之各步驟示意圖。在本實施例中,電路板係用 以作為承載一晶片(Chip)之封裝基板(package substrate)。然其他用途之電路板亦可應用本發明之製造 方法,電路板之用途並非用以限制本發明之技術範圍。 首先’在第3圖之步驟S1中,如第4A圖所示。提供 一基板290,基板290具有數個貫穿孔293。在本實施例 中’基板290包括銅層291、絕緣層292及貫穿孔293。 φ 基板290係為一雙層板或多層板,並具有至少一内層線路 層。貫穿孔293並貫穿基板290上下表面之銅層291。 其中,在此步驟中,形成基板290之步驟包括:形成 銅層291基板表面290a;以及形成貫穿孔293貫穿基板 290及銅層291。形成貫穿孔293之方法可以是雷射鑽孔 或機械鑽孔。據此,在此步驟之貫穿孔293的孔壁尚未有 任何導電薄膜’且銅層291不具有任何線路圖案。 接著,在第3圖之步驟S2中,如第4B圖所示。無電
129 鍋 d :TW2561PA • 電鍍一第一金屬層210於基板表面290a及貫穿孔表面 293a。第一金屬層210係用以作為後續電鍍之電極端。第 一金屬層210之材質係為一導電金屬,例如是銅(Cu)或 鎳金(Ni/Au)合金。 由於第一金屬層210僅用以作為後續電鍍用之電極 端,且無電電鍍第一金屬層210之方式相當地緩慢。因此, 在此步驟中,僅形成薄薄地一層第一金屬層210以作為後 續電鍍用之電極端即可。 _ 然後,在第3圖之步驟S3中,如第4C圖所示。電鍍 一第二金屬層220於第一金屬層210上。在此步驟中,係 以第一金屬層210作為一電極端,電鍍第二金屬層220於 第一金屬層210上。 接著,在第3圖之步驟S4中,如第4D〜4G圖所示。 圖案化第二金屬層220及第一金屬層210,以形成一圖案 化線路層240。其中,形成圖案化線路層240之步驟更包 括以下數個子步驟: B 請參照第5圖,其繪示圖案化線路層之子步驟流程 圖。在第5圖之步驟S41中,如第4D圖所示。形成一光 阻層250於第二金屬層220上。 接著,在第5圖之步驟S42中,圖案化光阻層250。 然後,在第5圖之步驟S43中,以圖案化之光阻層 250為遮罩,蝕刻(Etching)第一金屬層210、第二金屬 層220及表面之銅層291,以形成圖案化線路層240。 在本實施例中,第一金屬層210、第二金屬層220基
: TW2561PA 板290表面之姻層291之材質係為鋼(Cu)或錄金㈤/Au) s金’且絕緣層292之材質係為有機材料。在步驟中, 採用對於金眉與有機材料選擇性較佳之等向性個方式 進行姓刻,<避免絕緣層⑽。在等向性钱刻過程中,一 般均伴隨著橫向蝕刻的發生。 4中,橫向侧的程度係熟刻時間成正比。感刻 時間係等於蝕刻速率乘上欲蝕刻之厚度。 22〇 之厚度越薄,則所需之餘刻時間越短,可有效減^向触 φ 刻之程度。 接著,在第3圖之步驟S5 +,如帛4Η圖所示。電鑛 一第三金屬層230於圖案化線路層24〇上。在此步驟中, 係以圖案化線路層240為一電極端,電鍍第三金屬層23〇 覆蓋於圖案化金屬層240上。至此,便形成本實施例之電 路板200。其中,第三金屬層23〇材質係為銅(cu)或錄 金(Ni/Au)合金。 如上述之步驟S3及步驟S5所述,在本發明之電路板 φ 製造方法中,係將線路層兩次電鍍第二金屬層220及第三 金屬層230。其中’在形成圖案化線路層24〇之步驟S4中, ★僅蝕刻第二金屬層220、第一金屬層21〇及銅層291。第 二金屬層220厚度較薄,因此所需的蝕刻時間較少,使得 橫向飯刻之程度亦較輕微。 再者’在步驟S5中,更電鍍一第三金屬層230於蝕 刻後之圖案化線路層240上。不僅可獲得電路板所需之線 路圖案的厚度’並可填補部分橫向蝕刻之圖案化線路層 10
TW2561PA 240。使得電路板200之製造過程中,避免在圖案化線路 層240發生線路間隙D240擴大之現象,並且避免部分線 路圖案消失。 刀、 另外,在第3圖之步驟S3及步騍S5中,電铲第二金 屬層220及電鍍第三金屬層230之厚度係可依“況 =整、。以使第二金屬層220與第三金屬層23〇之厚度的 合’達到電.路板200所需的線路圖案的厚度。 根據以上實施例,雖然本發明之電路板係以承载晶片 用之封裝基板為例作說明,然本發明之電路板亦町以是印 路板或各種電路板。只要是利用兩次電鍍,以連到避 =横向飯刻造成線路間隙擴大現象或線路消失之目的,皆 脫離本發明之技術範圍。 &本务明上述貫施例所揭露之電路板製造方法,其利用 刻:人電鍍第二金屬層及第三金屬層之方式'以減'缓横向蝕 x之現象,更避免產生線路間隙擴大現象或線路消束。 缺复f上所述,雖然本發明已以-較佳科·露如上, C用以限^本發明。本發明所屬技術領域中具有通 °,’在*_本發明之精神和範圍内,當 <作各種 專利μ與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請 寻矛〗較圍所界定者為準。
129 辨 f :TW2561PA 【圖式簡單說明】 第1A〜1G圖繪示傳統之電路板的製造流程圖; 第2A〜2C圖繪示第1F圖之蝕刻過程示意圖; 第3圖繪示繪示依照本發明較佳實施例之電路板之 製造流程圖; 第4A〜4H圖繪示第3圖之各步驟示意圖;以及 第5圖繪示圖案化線路層之子步驟流程蘭。 【主要元件符號說明】 100 :電路板 110 ··第一金屬層 120 :第二金屬層 140 :圖案化線路層 150 :光阻層 190 :基板 191 :銅層 192 :絕緣層 D140 :線路間隙 200 :電路板 210 :第一金屬層 220 :第二金屬層 230 :第三金屬層 240 :圖案化金屬層 250 :光阻層 12
•129 辦 ΐ :TW2561PA 290 :基板 290a :基板表面 291 :銅層 292 :絕緣層 293 :貫穿孔 293a :貫穿孔表面 D240 :線路間隙
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Claims (1)

129 錄ii :TW2561PA 十、申請專利範圍: 1. 一種電路板之製造方法,包括: 提供一基板,具有複數個貫f孔丨; 無電電鍍一第一金屬層於該表教表面及該些貫穿孔 表面; 電鍍一第二金屬層於該第一金屬層上; 圖案化該第二金屬層及該第一金屬層,以形成一圖案 化線路層;以及 電鍍一第三金屬層於該圖案化線路層上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中該電路板係用以承載一晶片。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中更包括: 形成一銅層於該基板表面;以及 形成該些貫穿孔貫穿於該基板及該銅層; 4. 如申請專利範圍第3項所述之電路板之製造方 法,其中形成該些貫穿孔之方法可以是機械鑽孔。 5. 如申請專利範圍第3項所述之電路板之製造方 法,其中形成該些貫穿孔之方法可以是雷射鑽孔。 6. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中該基板更具有至少一内層線路層。 7. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中該第一金屬層之材質係為銅。 8. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 129^khl TW2561PA , 法,其中該電鍍該第二金屬層之方法包括: 以該第一金屬層作為一電極端,電鍍該第二金屬層於 該第一金屬層上。 9. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中該電鍍該第三金屬層之方法包括·· 以該圖案化線路層為一電極端,電鍍該第三金屬層於 該圖案化金屬層上。 10. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 Λ 法,其中該形成該圖案化線路層之方法包括: 、 形成一光阻層於該第二金屬層上; 圖案化該光阻層;以及 以圖案化之該光阻層為遮罩,蝕刻該第一金屬層及該 第二金屬層,以形成該圖案化線路層。 11. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中該圖案化線路層及該第三金屬層係為銅(Cu)。 12. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 φ 法,其中該圖案化線路層及該第三金屬層係為鎳金 (Ni/Au)合金。 13. 如申請專利範圍第1項所述之電路板之製造方 法,其中該基板係為雙層板或多層板。 15
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