TWI294068B - Lithographic apparatus - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 本發明關於一光刻投影裝置，包含·· 一、幸田射系統，用以供應一輻射投影光束； - j = f置，用以根據一期望圖案成型一投影光束； 一二，板台面，用以固定一基板；以及 _ 2投影系統，用以成像圖案光束至—基板之視坐標部 面2二入成知型益裝置"宜廣義解釋為可用以賦予一 * 一圖案剖 部位：之i!光t之裝置對等—可生成於基板視坐標 t,之圖木，術語光閥"亦可用於此一内容。一般而 功能；圖：Γ對等一生成於視坐標部位之-裝置内之特殊 型;積體電路或其他裝置(如下所示)。此種成 用：固定一光罩之光罩台面。光罩概念已廣知於光刻 相仿2 =含之光罩型式諸如雙體，交錯相位移動及衰減 ^位移動，以及各種混合光罩型式。根據光罩上之圖 :::该-光罩置於輻射光束上，可造成衝擊至光罩上 射ΐϊ ί選Ϊ性傳送（在傳送光罩狀況時）及反射（在反 2罩狀況時）。光罩台面確保光罩可被固定於輸入輻 叙”束内-期望位置’同時確保其可視需要相對光束移 助〇 、二程式化鏡面排列。該I置之—範例為—具有—黏塑控 ^層及一反射表面之矩陣式位址表自。藏於該一裝置幂 1之基本原理為（諸如）反射表面之位址區或，反射入射 先為繞射光，而非位址區域反射入射光為非繞射光。藉 1294068

由使用一適當遽 ^ 很嗯尤马反射光走 而只留下4〇射光；如此，光束根據矩陣式位址表面 址圖案而變得只有造型。需求之矩陣式位址可以適冬1 電子裝置執行。該種鏡面排列之更多資料，可自: 國第5, 296, 8 9 1及5, 523, 1 93號專利中窺知，兑均二木 文參考。 、+ —程式化LCD(液晶顯不）排列❶該一結構範例發表於 國第5,229, 872號專利，其納入本文參考。為了簡化之 故，本文剩餘部分在某些位置中可特別地將其本0身引導 至涉及-光罩台面及光罩之範例中；然而在該案例中討 論之一般原理，可見諸上面提及之成型裝置之廣義内容 為了簡化之故，投影系統此後可視之為"透鏡"，鈇而， 此一術語宜廣義地解釋為涵蓋各種型式之投影系統了包 諸如折射光學鏡片、反射光學鏡片、以及次折射光學系 統。輻射系統亦可包含根據任一這些設計型別操作之元 件，用以引導、成形或是控制輻射投影光束，而該元件亦 可集合地或單個地在下文中論之為"透鏡"。此外，光刻裝 置可為具有兩個或多個底板台面（及/或兩個或多個光罩= 面）之型式。在該種’’多層次"裝置中，外加之台面可並排 使用，或是預備步驟可在一個或多個台面上執行’而一個 或多個其他台面被用於曝光使用。美國第5,969,44 1號專 利以及1 998年2月27日建檔之美國第〇9/18〇, 〇11號專利申 請案（國際W0 98/4079 1號專利申請案）中說明雙層式光刻

1294068 五、發明說明（3) 裝置，其均納入本文參考。 光刻投影裝置可被用於諸如製作積體電路（丨Cs )。在該 一情況下，成型裝置可生成一對應於丨c個別層之電路圖 案，而此一圖案可成像於一底板（矽晶片）上之視坐標部位 j包含一個或多個小片），該基板已被塗抹一層感光材料 、抗材料）。一般而吕，單一晶圓將内含一整個網路之鄰 罪視坐標部位，其一次一個地連續經由投影系統發光。在 ^前裝置中，藉由一位於光罩台面上之光罩使用定樣，可 旦J種不同型式之機器中形成差異。在一種型式之光刻投 =、置中每一視坐標部位藉由一次曝光整個光罩圖案於 ^坐軚邛位上而發光；該一裝置一般論之為一晶圓步程。 部位Ϊ : f置中"'一般論之為一階段掃描裝置-每-視坐標 已知參考方向("掃描"方向）之投影光束下之 罩圖案且同時地平行或反平行此方向掃描基板 Μ(一 ^光。由於一般而言，投影系統將具有一放大因子 ，因此基板台面被掃描之速率V，將為因子Μ I以遠基板台面被掃描之♦、变 .. . . 1 ®椴俾細之速率V。關於此處所述之光刻裝 f i夕貝料，將可自諸如美國第6, 046, 792號專利中窺 見，其納入本文參考。 心甲規 校準為定位光罩上一特定點 定點之過稆。装士 u 心〜像至待曝光日日0上一特 社，配署i > 或多個諸如一小圖案之校準桿 加工步驟連續暖而 裝置叮由许夕破以中間 以劫—^堆曝先而堆積之面層組成。在每次曝光前，可 订父準以減少新曝光與過去曝光間之任何定位誤差°，

第6頁 1294068 五、發明說明（4) 此誤差稱之為上壓誤差。 可是’某些中間加工步驟 速熱退火、厚層沉澱及深槽 之校準標誌。此可造成上壓 在某些技藝中，諸如料糸 統（MEMS)，裝置可自—基板 曝光存有一難題，使得其可 曝光之物像。基本上需要〇 度。 · 本發明一目標為漸輕至少 此一及其他目標可根據本 j裝置中成就，其特徵表現 範圍第1項中之特徵部位。 最好，校準標誌影像配置 讓一共同校準系統用以在基 最好可以在基板前及背側上 側上相對於另一側上物像之 級度。 根據本發明另一方面，提 步驟： 〜提供一至少部分被一層輻 〜使用該輻射系統提供一輻 〜使用該成型裝置賦予投影 〜投影成型之輻射光束至輻 諸如化學機械研磨（CMP)、 蝕刻，可以損壞或扭曲基板上 誤差。 土假工 統技術（MST)及微電子機械系 兩側製作。在基板一側上執行 精確對正以前在基板另一側上 5微米或更佳級度之校準精 部分之上述難題。 發明在一開頭章節中表示之光 於當終結時待插入之申請專利 於基板第一側之平面上，此可 板兩側上校準標誌。校準系統 之物像間執行校準，使得在一 曝光精度’為〇 · 5微米或更佳 供一裝置製作方法，包含如下 射感應材料覆蓋之基板； 射投影光束； 光束一圖案於其剖面上； 射感應材料層之視坐標區域；

五、發明說明（5) 時待插入之申請專利範圍内之各個 其特徵表現於當終結 方法之特徵部位。 在-根據本發明使用光刻投影裝置之製作過程中，一圖 *(诸如在一光罩内）成像於一至少部分被一 料（阻抗）覆蓋之基板上。纟此成像 ^曰：里感應材 η丁底j、、阻抗塗層以及中溫烘烤之各種步驟。曝光 後基板可此遭叉諸如曝光後烘烤（ρΕβ)、沖洗、高、、口

Peter van Zant 經由 McGraw Hill 出版公 微晶片製造：半導體加工實作導引”一書 ISBN 0-07-067250-4，其納入本文表考。 烤以及成像物件之測量/檢驗之其他步驟。此一序列：步 :被基本上用於成型一諸如IC裝置之個別層。f亥一圖案層 接耆可能經歷諸如蝕刻、離子灌輸（滲雜）、金屬喷敷、 化作用 ' 化學-機械式擦光之各種步驟’其均希望抛光一 個別層。當需要數個層面時，則整個步驟，或是盆中變 數，將必須針對每-新層重覆。最後，一序列圖案將呈現 於基板（晶圓）上。這些圖案接著藉由一諸如切片或鋸割技 術相互分離，因而個別圖案可安裝於一載具，連接插銷 等。關於此種過程之進一步資料，可諸如自丨977年由 司發行之第三版 中獲得，編號為 雖然在本文之製作I c中可特別參考使用根據本發明之裝 置，但宜明確了解此-裝置可具有許多其他可能之應用。 譬如’其可用於製作整體式光學系統、導引及偵測型樣而 用於磁區記憶、液晶顯示板、薄膜磁頭等。技術工人將認 知在該種變通應用内容中’任何在本文中使用之術語，，光 1294068 五、發明說明（6) 網、"晶圓”或’’小片”，宜考量為分別被更通用術語”光 罩Π、”基板，，及”視坐標區域”取代。 在本文件中，照明輻射及照明光束術語被用以涵蓋所有 型式之電磁輻射’包含紫外線輻射（諸如具有36 5、248、 193、157或126 nm之波長）及EUV(超紫外線），以及諸如離 子束或電子束之微粒光束。 本發明實例現在將參考隨附概圖而僅藉由範例說明， 中： 〃 圖1描述一根據本發明一實例之光刻投影裝置； 圖2為一根據本發明一實例之概示晶圓台面之剖視概 圖其内置兩分支之光學系統，用於雙重側面之校準； 圖3為一根據本發明一實例之晶圓平面圖，顯示 面校準鏡片之位置及方法； 側 圖4為一根據本發明之平面圖 之變通位置及方法； 仅+鏡片 圖5為部分晶圓a π 之整體式光學構件〇面之剖面圖，具有根據本發明一實例 圖6為一晶圓台而 由之概示剖面圖，顯示根據本發明另一 貝例之用於雙重側$ p ^ _ 列面扠準之光學系統；以及 片圖7及8概不μ兩個光罩標諸、校準兩個曰曰曰圓標該之校準鏡 圖式中@等參考符號表示同等零件。 實例1 圖1概述一根據： 像本發明一特定實例之光刻投影裝置。此

第9頁 1294068 五、發明說明（7) 裝置包含： .一輻射系統LA、Ex、IL，用以供應一輕射（諸如紫外線 輻射）之投影光束Ρβ ; • 一配置一光罩固定器之第一物件台面（光罩台面）ΜΤ， 用以固定一光罩ΜΑ(諸如一光網），同時連接第一定位裝 置，用以相對物件PL精確定位光罩； 配置基板固定器之第二物件台面（基板台面）WT， 用以固定一基板W(諸如一阻抗塗層矽晶圓），同時連接定 位裝置，用以精確地相對物件PL定位基板； • 一投影系統（”透鏡”）PL(諸如一石英透鏡系統），用以 成像一光罩MA之發光部位於一基板w之視坐標 含一個或多個小片）。 、匕 如此處所述’纟置是一傳輸型式（亦即具有一傳輸光罩）。 然而一般而言，其亦可為諸如一反射型式（具 罩）。變通地，此裝置可使用另一種類之成型裝置，= 上面論及型式之程式化鏡面排列。 輻射系統包含一源頭LA(諸如一紫外線雷射光），i 生一輻射光束。此一光束直接地或是被通過諸如走、二 器Ex後輸入-照明系統(照明器)⑽。照明器汽== 裝置AM，用以設定光束内強度分佈外 3 範圍（一船分別％之敫 又刀伸之汗側及/或内側徑向 靶圍（般刀別娜之為σ -外側及σ -内側）。此 略包含各種其他構件，肖如一積分器ΙΝ ⑶將： 此，衝擊光罩ΜΑ上之光_，在其剖面上：二〇二口 一性及強度分佈。 期差之均

第10頁 1294068 五、發明說明（8) ”1宜了解光源以可置於光刻投影農置之框體内（通 為諸如—水銀m兄時），但其亦可遠離 ^二:;2，其生成之輻射光束被導入裝置内(諸如藉 + =導鏡面）；此後—現象通f為當光福為一激光 田射之狀況。本發明及申請專利範圍同時包含這些現象。 =束PB接著截斷固定於光罩台面MT上光罩固定器内之光 。，橫過光罩MA後，光束PB通過透鏡pL，其將光納 = “、、於基板W之視坐標部位C上。藉由定位裝置（以及干择 f測量裝置IF)之助，基板台面WT可被精確移動而諸心 ，束PB路徑内，定位不同之視坐標部位c。同樣地，第一 ^，裝置可在諸如光罩MA自一光罩群中機械式地取出後， 或是在一掃描過程中，相對光束PB路徑而用以精確定位光 =MA。一般而言，物件台面MT、WT之移動，將藉切一長 %組件（粗定位）及一短衝程組件（細定位），其均未在圖1 中明示。可是，在一晶圓階段器案例中（相反於階段掃描 裝置），光罩台面^可正好連接一短衝程致動器， 二 被固定。 /疋可 上述裝置可使用於兩種不同模式：

h 在階段模式中，光罩台面MT基本上保持靜止，而整 個光罩影像在一次過程中（諸如單一次”閃光”）投影至一、 坐標部位C。接著，基板台面WT在X及/或y方向移動，使= 不同之視坐標部位C可被光束PB照亮）； 得 2·在掃描模式中，基本上採用同一據本，不同點為— 已知視坐標部位C未在一單次”閃光”中曝光。相反地， 光

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罩台面MT以-速.在—已知方向（所謂諸如χ方向之"掃描 方向"）移冑’使得投影光束PB被用以掃越—光罩影像；在 Ϊ I!時么基Ϊ台面WT以一速率V = MV同時地在-相同或相反 方向移動，其中Μ為透鏡PL之倍率（基本上M = 1/4或1/5)。 如此，可以曝光一較大之視坐標部位c而不必須犧牲解 度0

圖2顯不一位於一晶圓台面WT上之晶圓w。晶圓標誌 及WM4配置於晶圓W之頂表面上，同時光線可自這些由WM3 及WM4上方前頭所示之標誌中反射，同時搭配一將於稍後 說明之對準系統（未圖示）用以校準位於光罩上之標誌。另 外之晶圓標誌WM1及WM2配置於晶圓W背側。一光學系統内 植於晶圓台面WT中，用以提供光學進入位於晶圓w背側上 之晶圓標誌WM1、WM2。光學系統包含一對支臂1 〇A、1 〇B。 母一支臂包含兩片鏡面12、14以及兩片透鏡16、18。每一 支臂内之鏡面1 2、1 4呈傾斜狀，使得其與水平夾角總和為 90度。如此，垂直衝擊鏡面之一之結束，在當自另一鏡面 反射時將仍呈垂直。

使用時，光線自晶圓台面MT上方導至鏡面12，穿過透鏡 1 6及1 8，導至鏡面，同時接著導至個別之晶圓標誌WM1、 WM2上。光線被反射離開部分晶圓標誌，同時沿著光學系 統支臂經由鏡面14、透鏡16及18、以及鏡面12回返。鏡面 1 2、1 4及透鏡1 6、1 8經排列而使得一晶圓標諸WM 1、WM2影 像2〇A、20B，成形於晶圓w前（頂）表面之平面上，其對應 任何配置於晶圓W前側上之晶圓標誌WM3、WM4之垂直位

1294068 五、發明說明（10) 置。 一晶圓標誌WM1、WM2之影像20A、20B，作用好似一虛晶 圓標誌，其可以實際上相同於配置於晶圓W前（頂）側之真 實晶圓標誌之方式而藉由預存校準系統（未圖示)' 用以校、 準。 如圖2所示，光學系統l〇A、10B之支臂，產生被移位至 晶圓W侧面之影像20 A、20B，使其可在晶圓w上方被一校準 系統看見。圖3及4顯示光學系統i〇A、10B支臂之兩種=佳 方位，其為置於XY平面内之晶圓之平面圖。晶 了簡明之故自圖3及4中省略。在圖3中，光學系統1〇A、〆 10B之支臂，沿著X軸對正。在圖4中，光學系統1〇Α、1〇β 之支臂，平行γ軸。在兩種案例下，晶圓標誌WM1、WM2坐 落於X軸上。晶圓標誌WM1、WM2置於晶圓W底侧，其自晶圓 W頂侧觀點視之呈倒置。然而，光學系統支臂上鏡片之排 置，意謂晶圓標誌WM1、WM2之影像再次恢復至正確方式而 非倒置，使得影像2 0 A、2 0 B好似確實相同於其被置於晶圓 w之頂側。光學系統亦經排列而使得晶圓標誌麗工、WM2與 其影像之體積比為1 : 1，亦即沒有放大或縮小。因此， 影像20A、20B可確實用做為好似其為晶圓w前側上之真實 晶圓標誌。一配置於光罩上之一般校準型樣或鏈件，可用 以同k執行與真實及虛假之晶圓標諸之校準。 在目則耗例中，晶圓標誌如圖2所示同時配置於晶圓w前 及背侧上之對應位置。在圖3及4中，為了簡明之故而僅顯 示晶圓W背側上之晶圓標誌。根據此一組合，當晶圓丨？藉由 1294068

3 %任χ或γ車由旋轉而翻轉時，位於晶圓W頂側之晶圓標 違將位於底側上，其位置適可使其藉由光學系統l〇A、10B 之一支臂成像。 且了解由於鏡面排置之故，晶圓在一平行光學系統支臂 1〇W〇B之方向之位移，將在相反方向之晶圓底側上移位 一晶圓標誌WM1、龍2之對應影像20Α、20Β。譬如在圖3 中’如果晶圓W移位至右邊，則影像2〇Α、2〇Β必將移位至 左邊。控制％c準系統之軟件考量何時決定晶圓標誌·i、 WM2之位置，以及當執行校準時，何時調整晶圓界與一光罩 之$對位置。如果光學系統1 〇A、1 0B之兩支臂對稱時，則 當晶圓移位時，影像20A及2〇B間之分隔，事實上將保持不 每—晶圓W側邊配置至少兩個晶圓標誌。單一標誌可提 供!!於光罩上一特定點上影像與晶圓上一特定點之相對定u 位資料。可是，為了確保正確之方位校準及放大，至少使 用兩個標誌。

圖5顯示部分晶圓台面WT之剖面圖。根據本發明此一實 例，用以在一晶圓背側成像晶圓標誌之光學系統丨〇A、 1 0B，内植於晶圓台面内。如圖5所示，光學系統支臂之鏡 面1 2、1 4，未配置為一分開構件，其與晶圓台面WT 一體成 型。適當之正面被加工至晶圓台面WT内，其接著可配置一 塗層，用以改良反射能力及形成鏡面丨2、丨4。光學系統由 相同於晶圓台面之諸如zer〇dUre之材料製作，直旦有極低 之熱膨脹係數，因而可確保保持較高之校準精度。

1294068 五、發明說明（12) 範例2 圖6為一對應圖2之圖式，但其使用個別之光纖3 〇 (或是 相互黏附之光纖束）以及透鏡32、34實體化光學系統之支 臂1 0 A、1 〇 B，俾連接光線進出光纖3 0。光纖及透鏡被用以 在晶圓W背側提供一晶圓標誌WM1、WM2之影像20A、20B。 影像2 0 A、2 0 B如同晶圓標誠W Μ 3、W Μ 4般置於晶圓W前側之 同一平面。 圖7及8概示校準糸統之另一方面。在圖7中，諸如鐾如 一HeNe雷射光之雷射光4〇之輻射光源，引導一校準光束至 一第一光束分割器B S1，因而部分光線被向下導入晶圓台 | 面Η内之光學系統之支臂1 〇 a，同時反射離開晶圓w背侧之 一第一晶圓標誌WM1，俾形成一校準標誌之影像2〇A。來自 此一影像20A之光線，向後通過第一光束分割器BS1、通過 一透鏡系統PL，接著通過一配置於一光罩上之第一光罩· 標誌MM1而至第一偵測器^。由偵測器D1生成之信號，可 用以決定第一光罩標誌MM1及影像2 〇A間之正確校準。影像~ 20A與晶圓標誌WM1間之關係，可自光學件1〇A得之，因"此 可以決定第一光罩標誌MM1與第一晶圓標誌WM1間之校準。 晶圓W及/或光罩MA可相對移動以完成校準。 此一靶例之校準系統為一穿過透鏡（TTL)組合，使 9 罩MA及晶圓W間之透鏡系統PL，實際上即為用於曝光輕射 之投影透鏡。然而，校準系統為偏軸式（〇A)。 ， 在圖8中，一第二晶圓標諸WM2使用一第二哭 BS2及其他光學系統支臂1〇β與—第二光罩標細 '

Ϊ294068 五、發明說明（13) 此一過程可被重複校準，譬如第一光罩標誌MM1與第二晶 1標tt、WM2等。校準亦可以配置於晶圓前（頂）侧上之晶圓 •才示諸與同一或其他光罩標誌執行。 侧上之物像相對那些第一晶圓標誌之位置 、下面為一雙重側面校準方法之範例。第一晶圓標誌配置 於一晶圓之第一側。一次或多次曝光使用第一晶圓標誌在 ，側執行，俾以通常方式校準。因此，完整建立圓 翻 第一 /日丨Ϊ Α Λ/ 从 · τβ "厂上π 阳四你於< j旦罝。晶圓您洲 ，而使得第一側面部朝下，同時使得曝光可在第二側上執 =使用晶圓台面之光學f、統，第—晶圓標諸被成像，同 :、光罩上之標鍵、，使得位於晶圓第-側上（目前為底 曰之物像相對光罩之位置及方位得以建立。接著，第二 曰曰，標誌可在晶圓（目前在頂側）之第二側上曝光（第 被提供）°第二晶圓標總相對於第一晶

黑：Γ:=Γ位，可藉由光罩標魏及校準系統決 2者，物像曝光可使用第二晶圓標誌 改正措施而在晶圓之第二伽μ — #你★,牡Π必而I 位於晶圓第一側上之。士：= ,?其精確地對正 上日日圓標誌間之相對關係，曝 弟一 物像側執订，同時確保確精對正晶圓對立側上之 如果裝置物像僅 裝置，但僅在晶圓 用於所有曝光之光 不需知道背側上之 1成形於晶圓之一側 背側上使用晶圓標誌 罩’可使用背側晶圓 晶圓標誌與在前側曝 時，可以使用同一 ^权準用。在前側 才示遠之影像校準。 光之物像間之絕對

1294068 五、發明說明（14) 關係，只要所有在前側上用於曝光之光罩，藉由使用背側 晶圓標諸之影像而一致性地對正。由於加工在晶圓之前側 完成，因此背側上之晶圓標誌將不會退化。 雖然上面已經說明本發明之特別實例，但宜認知本發明 可以不同前述者實習。上述說明未意欲限制本發明。

第17頁 1294068 圖式簡單說明

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Claims (1)

1294068 96. 11.23 第90103127號專利申請案96.11

中文申請專利範圍替換本(96年11月） 1·一種光刻投影裝置，包含： —輻射系統，用以提供一輻射投影光— -定型裝置，用以根據一期望圖案定型投影光束； -一基板台面，用以固定一基板； -一投影系統，用⑺成像定型絲至一位於基板第一側上之視坐標部 其特徵另外包含： 一校準系統，用來以一配置於基板上之校準標誌，對準一定型裝置 之圖案；以及 一光學系統，用以提供該校準標誌之影像而供校準系統使用，其中 校準標總減該第-側置於基板之對立側，以及其中戰準系統使用一 配置於基板第-側上之校準標紗及使用由該光㈣統提供之該校準 標誌影像以執行校準。 2·根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該光學系統可經排置而在基板 第一側之平面上，提供該校準標誌之一影像。 3·根據申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該光學系統包含提供多數 個影像之裝置，其均對應個別之多數個校準標諸。 4·根據帽專概圍幻或2項之裝置，其巾該光㈣統包含至少兩個 鏡面及透鏡。 5·根據中請專利範u第1或2項之裝置，其巾該絲系統包含至少一光 6·根據申請專概圍第阳項之裝置，其中該光學系統與絲板台面 一體成型。 69255-961123 畫[[線.doc/llm 1294068 祀據申明專利範圍第1或2項之裝置，其中光學系統 、’、、提仏此或每一校準標誌，其沿著裝置之主軸之一移離對應之校 準標諸，啊移出、待祕板占有之區域周緣之外。 」·根據申請專利範圍第邮項之裝置，其中由該光學系統提供之校準 像係與&供於基板第_側上之校準標辦目同大小。 9·根據申明專利範圍第阳項之裝置，其中包含_反轉器，用以倒置 基板，使得該第一側與該對立側互換。 10·根據申請專利範圍第！或2項之裝置，另外包含同時在基板兩側之校 準標遠、間導出一關係之裝置。 11·根據申料利範圍第！或2項之裝置，其中定型裝置包含一用以固定 一光罩之光罩台面。 12·根據申請專利範圍第11項之裝置，其中供校準使用之該定型裝置之 圖案，為一配置於該光罩上之校準標誌。 13·—種半導體裝置製作方法，包含如下步驟： -提供一至少部分被一層輻射感應材料覆蓋之基板； -使用一輻射系統提供一輻射投影光束； -使用定型裝置賦予投影光束一剖面狀型樣； -投影輻射之定型光束至位於該基板第一側上之輻射感應材料層之視 坐標區域， 其特徵如下面步驟： 提供一校準系統，用來以一配置於基板上之校準標誌校準定型裝置 之圖案； 提供一光學系統，用以形成該校準標誌之一影像而供校準系統使 69255-961123 劃線.doc/llm -2- !294〇68 用’其中％c準標目對該第_側置祕板之對立側； 以该疋型裝置之該圖案，校準該校準標誌之該影像 :以及 以"亥疋型衣置之圖案，校準一置於基板第一側上之校 準標誌，其 中兩校準步驟均係使用該校準㈣而執行。 4·根據中π專利範圍第13項之方法，另外包含之步驟為： 在該基板第-側之平面上，成形校準標諸之影像。 I5·根據中請專轉項之方法，其t倾光學純形成之校 準標諸影像係與提供於基側上之鱗相同大小。 16·根射請糊範_13或_之方法，料包含之步驟為： 倒置基板，使得該第一側與該對立側互換；以及 重覆校準。 Π·根據h專利關第丨3朗項之方法，另外包含之步驟為： 同時在to兩側上之校準標諸間，導出一關係。 69255-961123 劃線.d〇c/llm