TWI294040B - Film for optical applications - Google Patents

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1294040 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光學用薄膜，更詳言之，有關一種製 造成本低的光學用薄膜，除了有效防止電漿顯示器（PDP)、 映像管（CRT )_、液晶顯示器（LCD )等之影像顯示元件表 面的光反射，並且具有極佳的耐擦傷性之外，也具有簡單的 層間構造。 【先前技術】 對於PDP、CRT、LCD等顯示器，由外界傳來的光射入畫 面，由於此光反射而看不清楚顯示影像，尤其近年來隨著平 面顯示器之大型化，解決該問題成爲日益重要之課題。 爲了解決如此之問題，對於時下各種顯示器，採用各式 各樣之抗反射處置或防強光刺眼處置。現行其中之一係將抗 反射膜使用於各種顯示器。 習知之此抗反射膜係藉由蒸鍍或濺鍍等乾式製法，於基 材薄膜上，利用將低折射率的物質（MgF)予以薄膜化的方 法，或是利用交替積層高折射率物質[ITO(錫摻雜氧化銦）、 TiO等]與低折射率物質（MgF、SiO等）的方法而進行製作 。然而，利用如此之乾式製法所製作的抗反射膜，便有無可 避免製造成本偏高的問題。 因此，近年來一直嚐試著利用溼式製法，亦即，塗布而 製作抗反射膜。然而，相較於利用該乾式製法所製作的抗反 射膜，利用此溼式製法所製得的抗反射膜發生表面耐擦傷性 變差的問題。 1294040 本發明爲了解決如此之耐擦傷性變差的問題，本發明人 等不斷重複鑽硏，曾提出一種光學用薄膜的專利申請（例如 ，參照專利文獻1 )，從基材薄膜側起依序設置： 一厚度2〜20//m的硬質塗布層，首先於基材薄膜之至少 一側，含有利用電離放射線所形成的硬化樹脂； 一厚度60〜160nm的高折射率層，包含含有利用電離放射 線所形成的硬化樹脂與摻雜銻之氧化錫（ΑΤΟ)的二種金屬 氧化物，折射率於1.65〜1.80之範圔內；及 一厚度80〜18Onm的低折射率層，含有矽氧烷系聚合物， 折射率於1·37~1·47之範圍內。 期望如此構造之光學用薄膜，高折射率層之光線透過率 高，並且與形成於上層之低折射率層中的矽氧烷系聚合物之 密著性良好。記載於該專利文獻1之光學用薄膜，由於高折 射率層含有ΑΤΟ，雖然與矽氧烷系聚合物之密著性良好，但 因爲該ΑΤΟ爲球狀粒子，爲了保持密著性，若增加高折射率 層之厚度，將發生光線透過率下降之問題，所以常無法完全 滿足密著性與光線透過率之二者。 還有，爲金屬氧化物之一種的五氧化銻也與矽氧烷系聚 合物之密著性良好，由於該五氧化銻之折射率不太高，一旦 使其含量多，雖然提高了密著性’但是將發生高折射率層之 折射率無法達到所需求數値之問題。 另外，對於該構造的光學用薄膜’於含砂氧院系聚合物 之低折射率層中，使降低折射率爲目的’雖然含有多孔性二 氧化矽爲有利的，但是’實用上之此情形必須於該低折射率 1294040 層之上層再設置一防污層。因而，即使不設置防污層，若能 於含有多孔性二氧化矽及矽氧烷系聚合物之低折射率層中 賦予防污性能的話，生產效率將提高，經濟上便爲有利的。 【專利文獻1】 日本公開專利第2002-34 1 103號公報 本發明有鑑於如此之狀況，其目的在於提供一種光學用 薄膜，除了有效防止PDP、CRT、LCD等之影像顯示元件表 面的光反射，並且具有極佳的耐擦傷性及光線透過性之外， 層間密著性良好，而且製造成本低。 【發明內容】 解決問顆之技術手段 本發明人等爲了開發具有該優良特性之光學用薄膜，不 斷鑽硏的結果，發現藉由於基材薄膜上，利用溼式製程依序 積層：一高折射率硬質塗布層，含有具特定形狀之針狀ΑΤΟ 與其他金屬氧化物，並且具特定之折射率與厚度；及一低折 射率層，具既定之折射率與厚度，可以得到具有該優良特性 之光學用薄膜。 另外，發現藉由使該低折射率層中含有多孔性二氧化矽 與矽氧烷系聚合物，更含有矽系嵌段共聚物，容易得到既定 之低折射率，並且對該低折射率層賦予防污性能，即使不設 置額外的防污層也可以。 本發明係根據相關知識而完成的。 亦即，本發明提供一種光學用薄膜， (1)於基材薄膜之至少一側表面，依序積層： 1294040 (A) —高折射率硬質塗布層，其折射率爲1·60〜1·75之 範圍、厚度爲2〜20 // m，包含： (a)長軸平均粒徑爲〇.〇5〜10/zm，且平均縱橫比爲 3~ 100之針狀已摻雜銻的氧化錫； (b )其他至少一種的金屬氧化物； (c )利用電離放射線所形成的硬化物；及 (B) —低折射率層，其折射率爲1.30〜1·45之範圍、厚 度爲40〜200nm 〇 (2) 如第1項記載之光學用薄膜，其中於（A)層之（b) 成分的金屬氧化物係由氧化銷、銻氧鋅及五氧化銻之中選出 的至少一種。 (3) 如第1或2項記載之光學用薄膜，其中（A)層中之全 部金屬氧化物的含量爲50〜80重量％，並且（a)成分與（b )成分的重量比爲4:1至1:3。 (4) 如第1、2或3項記載之光學用薄膜，其中（B)層爲 含有多孔性二氧化矽與砂氧烷系聚合物之層。 (5) 如第4項記載之光學用薄膜，其中（B)層爲更含有矽 系嵌段共聚物之層。 (6) 如第4或5項記載之光學用薄膜，其中（B)層的多孔 性二氧化矽之比重爲1.7〜1.9、折射率爲1.30〜1.36及平均粒 徑爲20〜100nm。 (7) 如第5或6項記載之光學用薄膜，其中（B)層中之矽 系嵌段共聚物的含量爲2〜50重量％。 (8 )如申請第1至7項中任一項記載之光學用薄。膜，其中 1294040 此基材薄膜目的在於使與設置於此表面層的密著性予以提 高’能夠依需求而於基材之單面或雙面，利用氧化法或凹凸 化法等進行表面處理。例如，可列舉：電暈放電處理、鉻酸 處理（溼式）、火焰處理、熱風處理、臭氧與紫外線照射處 理等，作爲該氧化法；另外，例如，可列舉：噴砂法、溶劑 處理法等作爲凹凸法。雖然此等之表面處理法可因應基材薄 膜之種類而進行適當選擇，但是基於效果及操作性等方面， 通常最好採用電暈放電處理法。另外，也可以於單面或雙面 採行底漆處理的方法。 本發明之光學用薄膜，於該基材薄膜之至少一側的表面 ，首先，設置（A) —高折射率硬質塗布層，其包含：（a) 針狀之摻雜銻的氧化錫；（b)其他至少一種的金屬氧化物 ’；（c )利用電離放射線所形成的硬化物。 於本發明，作爲該（a)成分之針狀已摻雜銻的氧化錫（ ΑΤΟ)，採用長軸平均粒徑爲〇·〇5〜ΙΟμιη，且平均縱橫比爲 3〜100範圍內之形，狀。藉由採用如此針狀之ΑΤΟ，即使硬質 塗布層中含量少，由於硬質塗布層表面內具有ΑΤ0的羥基能 有效發揮作用，與設置於上層之低折射率層中的矽氧烷系聚 合物之密著性變得良好，並且歸因於含量少，該硬質塗布層· 之透過率變高。因而’藉由此針狀之ΑΤ0與（b )成分之金 屬氧化物倂用，可以得到一高折射率硬質塗布層’其具有高 透過率、高硬度、高折射率，並且與設置於上層之低折射率 層的密著性良好。 該針狀ΑΤΟ之合適形狀係長軸平均粒徑爲〇·1〜50// m， -11 - 1294040 烯酸進行酯化，或是藉由將烷撐環氧化物加成於多元羧酸所 得到的寡聚物之末端羥基與（甲基）丙烯酸進行酯化而得到 。例如，環氧丙烯酸酯系預聚物可以藉由將較低分子量之雙 酚型環氧樹脂或酚醛型環氧樹脂之環氧乙烷環與（甲基）丙 烯酸進行酯化反應，經酯化而得到。例如，氨酯丙烯酸酯系 預聚物可以藉由將聚醚聚醇或聚酯聚醇與聚異氰酸酯之反 應而得到之氨酯寡聚物，與（甲基）丙烯酸進行酯化而得到 。再者，聚醇丙烯酸酯系預聚物可以藉由將聚醚聚醇之羥基 與（甲基）丙烯酸進行酯化而得到。此等光聚合性預聚物可 以使用一種或也可以組合二種以上而使用。 另一方面，通常使用環氧系樹脂作爲陽離子聚合型光聚 合性預聚物。例如，可列舉：雙酚樹脂或酚醛樹脂等多元酚 類與環氧氯丙烷等經環氧化之化合物、利用過氧化物等氧化 直鏈狀烯烴化合物或環狀烯烴化合物而得到的化合物等。 另外，作爲光聚合性單體，例如，可列舉：1，4-丁二醇二 (甲基）丙烯酸酯、1，6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊 二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、 新戊二醇己二酸酯二（甲基）丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新 戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、二環戊基二（甲基）丙烯酸酯 、己內酯改質二環戊烯二（甲基）丙烯酸酯、環氧乙烷改質 磷酸二（甲基）丙烯酸酯、烯丙基化環己基二（甲基）丙烯 酸酯、三聚異氰酸酯二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三 (甲基）丙烯酸酯、二異戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、丙酸 改質二異戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、異戊四醇三（甲基） -14- 1294040 丙烯酸酯、環丙烷改質三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、 三（丙烯氧乙基）異氰酸酯、丙酸改質二異戊四醇五（甲基 )丙烯酸酯、二異戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、己內酯改質 二異戊四醇六（甲基）丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯。此等光 聚合性單體可以使用一種，也可以組合二種以上使用，另外 ，也可以與該光聚合性預聚物倂用。 另一方面，依需求所用之光聚合起始劑，對於自由基聚 合型之光聚合性預聚物或光聚合性單體，例如，可列舉：二 苯乙醇酮、二苯乙醇酮甲基醚、二苯乙醇酮乙基醚、二苯乙 醇酮異丙基醚、二苯乙醇酮-η _丁基醚、二苯乙醇酮異丁基醚 、乙醯苯酣、二甲氨基乙醯苯酚、2,2-二甲氧基-2-苯基乙醯 苯酚、2,2-二乙氧基-2-苯基乙醯苯酚、2-羥基-2-甲基-1-苯 基丙烷-卜酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基 )苯基]-2-嗎啉-丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基）苯基- 2-(2-羥基-2-丙基）酮、二苯甲酮、p-苯基二苯甲酮、4，4’-二乙氨 基二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2·第三丁基蒽醌、 2-氨基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、 2，4-二甲基噻噸酮、2，4-二乙基噻噸酮、苯甲基二甲基縮酮 、乙醯苯酮二甲基縮酮、P·二甲氨基安息香酸酯等。另外， 對於陽離子聚合型之光聚合性預聚物，例如，可列舉：芳香 族四價硫離子、芳香族羰基四價硫離子、芳香族碘離子等陽 離子，與四氟硼酸酯、六氟膦酯、六氟銻化物、六氟砷化物 等陰離子所形成的化合物。此等光聚合起始劑可以使用一種 ，也可以組合二種以上而使用，另外，對於1 〇〇份重量之該 -15- 1294040 光聚合性預聚物及/或光聚合性單體’通常其混合量選擇爲 0.2〜10份重量之範圍。 本發明所用之此硬質塗布層形成用液’必要時，能夠於 適當之溶劑中分別依既定之比例添加該電離放射線硬化性 化合物、（a)成分及（b)成分、依需要所用之該光聚合起 始劑、進一步添加各種添加劑，例如，抗氧化劑、紫外線吸 收劑、光安定劑、平坦劑、消泡劑等，藉由使之溶解或分散 而進行調製。 此時所用之溶劑，例如，可列舉：己烷、庚烷、環己烷 等脂肪族碳氫化合物；甲苯、二甲苯等芳香族碳氫化合物； 二氯甲院、二氯乙院等鹵化碳氫化合物；甲醇、乙醇、丙醇 、丁醇等醇類；丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、三甲基環己烯 酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；乙基溶纖劑等溶纖 劑系溶劑等。 進行如此方式所製得的塗布液之濃度、黏度，並無特別 之限制，最好爲可塗布之濃度、黏度，可以因應狀況而予以 適當選定。 接著，於基材薄膜之至少一側面，利用習知之方法，例 如，桿式塗布法、刮刀塗布法、滾筒塗布法、刮板塗布法、 連續式模塗布法、照相凹板法等，經塗布而形成塗膜，乾燥 後，藉由對其照射電離放射線而使該塗膜予以硬化，形成高 折射率硬質塗布層。 例如，可列舉：紫外線或電子線等作爲電離放射線。該 紫外線係利用高壓水銀燈、融合Η燈、氙燈等得到的。另一 -16- 1294040 方面’電子線係利用電子線加速器等得到的。於此電離放射 線之中，尤以紫外線最佳。還有，使用電子線之情形，可以 不添加聚合起始劑而得到硬化膜。 本發明中，（A)高折射率層之厚度爲2~20/z m之範圍 。此厚度若不足2/ζιη，將有無法充分發揮所得到的光學用 薄膜的耐擦傷性之虞，另外，若超過20/zm，於硬質塗布層 中將發生裂縫。此硬質塗布層之厚度較佳者爲3〜15//m之範 圍，尤以5〜ΙΟ/zm之範圍爲最好。 本發明之光學用薄膜中，此（A)高折射率硬質塗布層之 折射率爲1.60〜1.75之範圍。若此折射率未達1.60，則無法 得到抗反射性能極佳之光學用薄膜。另外，該折射率若超過 1· 75，則硬質塗布層將難以形成。 本發明之光學用薄膜，於該高折射率硬質塗布層上，形 成（B)低折射率層。 此低折射率層之折射率爲1.30~1.45之範圍，並且厚度爲 40〜2 00nm之範圍。若該折射率或厚度逾越該範圍，則難以 得到抗反射性能極佳的光學用薄膜。 此（B)層最好爲含有多孔性二氧化矽與矽氧烷系聚合物 之層。該多孔性二氧化矽最好使用比重爲I·7〜1.9，折射率 爲1.30〜1.36及平均粒徑爲20〜lOOnm之範圍的多孔性二氧 化矽微粒。該（B )層中之該多孔性二氧化矽微粒的量，但 (B )層之折射率於該範圍內的話爲佳，並無特別之限制， 基於成膜性或耐擦傷性等方面，通常對於矽氧烷系聚合物， 選擇於1〜2倍重量之範圍。 -17- 1294040 另一方面，該（B)層中所含之矽氧烷系聚合物，例如， 可列舉：無機二氧化矽化合物（也包含聚矽酸）、有機矽氧 烷系化合物之聚合物或此等之混合系。該無機二氧化矽化合 物或有機矽氧烷系化合物之聚合物，可以利用習知之方法進 行製造。 例如，最好將一般式[1]所示之烷氧基矽烷化合物，利用 鹽酸或硫酸等無機酸、草酸或醋酸等有機酸，進行部分或完 全水解，使其進行縮聚合反應。 R'nSi ( OR2) 4- η · · · [1] [式中之R1爲非水解性官能基，例如，烷基、取代院基 (取代基：鹵素原子、羥基、硫醇基、環氧基、（甲基）丙 烯醯基羥基等）、鏈烯基、芳基或芳烷基、R2爲低級院基， η爲0或1〜3之整數。R1及OR2分別爲數個之情形，數個Rl 可以相同，也可以不同，另外，數個OR2可以相同，也可以 不同。] 此情形下，將η爲0之化合物，亦即，若將四烷氧基砂 烷進行完全水解，則可以得到無機二氧化矽系化合物；若進 行部分水解，則可以得到有機矽氧烷系化合物之聚合物或無 機二氧化矽系化合物與有機矽氧烷系化合物之聚合物的混 合系。另一方面，η爲1〜3之化合物’因爲具有非水解性官 能基’藉由部分或完全水解，可以得到有機矽氧烷系化合物 之聚合物。此時，爲了進行均勻之水解，也可以使用適當之 有機溶劑。 該一般式[1 ]所示之烷氧基矽烷化合物，例如，可列舉： -18 - 1294040 四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四- η-丙氧基矽烷、四異丙氧 基矽烷、四-η-丁氧基矽烷、四異丁氧基矽烷、四-第二丁氧 基矽烷、四-第三丁氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙 氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基 三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丁 基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、環氧丙氧基丙基三 甲氧基矽烷、r-丙烯醯基羥丙基三甲氧基矽烷、r-甲基丙 烯醯基羥丙基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、甲基苯 基二甲氧基矽院、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽 烷、二乙烯基二甲氧基矽烷、二乙烯基二乙氧基矽烷、三乙 烯基甲氧基矽烷、三乙烯基乙氧基矽烷等。此等烷氧基矽烷 化合物可以單獨使用，也可以組合二種以上使用。 另外，此時必要的話，可以適量添加鋁化合物，例如， 氯化鋁或三烷氧鋁等。 再者，其他之方法，可以利用水解處理的方法，使用矽 酸鈉、火成矽酸鈉或水玻璃（矽酸鈉混合物）加入原料之矽 化合物，與鹽酸、硫酸、硝酸等酸或氯化鎂、硫酸鈣等金屬 化合物作用。藉由此水解處理，生成游離的矽酸，但是此矽 酸容易進行聚合，依原料之種類而有所不同，爲鏈狀、環狀 、網狀之混合物。由水玻璃所得到的聚矽酸係以一般式[2] (式中之m表示聚合度，R爲氫原子、矽、鎂或鋁等金屬） 所示之鏈狀構造物爲主體。

OR

I R-CKS i—O^-R · · · [2]

I

OR -19- 1294040 經如此方式，可以得到完全之無機二氧化矽系化合物。 還有，也可以使用二氧化矽凝膠（SiOx· nH2〇)作爲無機二 氧化矽系化合物。 於該（Β)層中，可以使之同時含有該多孔性二氧化矽與 矽氧烷系聚合物，必要時含有矽系嵌段共聚物。藉由使其含 有此矽系嵌段共聚物，因爲能賦予該（Β )層防污性能，本 發明之光學用薄膜成爲具有極佳的防污性。使其不含該矽系 嵌段共聚物之情形，但要求光學用薄膜具有防污性能之情形 ，通常於該（Β)層之上，採取設置額外之防污層的處置。 例如，可列舉一種由嵌段Α與嵌段Β所形成的A-Β型嵌 段共聚物作爲該矽系嵌段共聚物，其中嵌段A係於有機矽氧 烷系聚合物之至少一側末端，由鍵結自由基聚合性官能基而 形成之單體所得到的聚合物或共聚物；而嵌段B係由（甲基 )丙烯酸酯等自由基聚合性單體所得到的聚合物或共聚物。 然後，藉由適當選擇形成自由基聚合性官能基及嵌段B的自 由基聚合性單體，其中該自由基聚合性官能基係鍵結於形成 該嵌段A之有機矽氧烷聚合物的至少一側末端，能夠賦予所 得到的A-Β型嵌段共聚物，對有機溶劑之溶解性或對水性介 質的分散性等性質。 使（B )層中含有如此矽系嵌段共聚物之情形，於（B ) 層中該矽系嵌段共聚物的含量，通常選定2〜50重量％之範圍 。若此含量不足2重量％ ’將有無法充分發揮防污性能之賦 予效果之虞，另一方面’若超過50重量％，往往無法得到具 有所需求之折射率。該矽系嵌段共聚物的含量較佳者爲5〜40 -20- 1294040 重量％，尤以10〜30重量％爲最好。 於本發明’（B )層之低折射率層能夠藉由利用習知之方 法’例如’桿式塗布法、刮刀塗布法、滾筒塗布法、刮板塗 布法、模縫塗布法、照相凹板法等，將含有該多孔性二氧化 砂與砂氧烷系聚合物或其先驅物，必要時也含有矽系嵌段共 聚物的塗布液，塗布於（A)高折射率硬質塗布層上，使其 形成塗膜，進行80〜15 0°C左右之溫度的加熱處理而形成。 經如此方式，於含有所形成的多孔性二氧化矽與矽氧烷 系聚合物，必要時也含有矽系嵌段共聚物的低折射率層中， i 於該矽氧烷系聚合物具有矽醇基或其他親水性官能基的情 形’最好賦予抗靜電性，塵埃等便難以附著於所得到的光學 用薄膜。 本發明之光學用薄膜，於該（B)層中不含矽系嵌段共聚 物之情形，可以依需求於該（B )層上設置（C )層防污塗層 。此防污塗層能夠藉由利用習知之方法，例如，桿式塗布法 、刮刀塗布法、滾筒塗布法、刮板塗布法、模縫塗布法、照 相凹板法等，將一般含有氟系樹脂之塗布用液，塗布於 (B)低折射率層上，使其形成塗膜，進行乾燥處理而形成 〇 此防污塗層之厚度，通常爲1~10nm，最好爲3〜8nm之範 圍。藉由設置該防污塗層，所得到的光學用薄膜，表面之平 滑性變佳，同時不易弄髒。 本發明之光學用薄膜，於基材薄膜之一側面’設置高折 射率硬質塗布層之情形，相反於該硬質塗布層之側面，能夠 -21- 1294040 形成爲了黏貼於液晶顯示器表面物等被黏物的黏著劑層。構 成此黏著劑層之黏著劑，最好使用光學用途用之黏著劑，例 如’丙烯系黏著劑、氨酯系黏著劑、矽系黏著劑。此黏著劑 之厚度’通常爲5〜100//m’最好爲10〜60// m之範圍。 再者，能夠於此黏著劑層上設置剝離膜。例如，可列舉 :玻璃紙、銅板紙、層壓紙等紙及各種塑膠膜上塗布矽樹脂 等之剝離劑等，作爲此剝離膜。雖然針對此剝離膜之厚度並 無特別之限制，通常約爲20~ 1 50 // m。另外，本發明光學用 薄膜之全部光線透過率較佳者爲85 %以上，尤以90%以上爲 最好。 實施例 接著，藉由實施例，進一步詳細說明本發明，本發明完 全不受此等實施例之任何限定。 還有，各實施例所得到的光學用薄膜之物性，均遵循以 下所示之方法進行測定。 (1 )於波長550nm之反射率 ， 利用分光光度計[日本島津製作所股份公司製之「

I UV-3101PC」]，測定於波長550nm之反射率。 (2 )全部光線透過率 使用日本電色工業股份公司製之濁度計（Hazemeter ) 「 N D Η · 2 0 0 0」進行測定。 (3 )耐擦傷性 使用鋼絨# 0000，以荷重9.8xl0_3N/mm2返復磨擦低折 射率層表面5次之後，進行目視之觀察，依照下列判定基準 -22- 1294040 份公司製、商品名「Desohite KZ7252C」、固體成分濃度46 重量％、全部固體成分中之氧化鉻含量686重量％]; 46份 重量之含有光聚合起始劑的丙烯基系硬質塗布劑（電離放射 線硬化性化合物）[日本荒川化學股份公司製、商品名「Beam Set 575CB」、固體成分濃度1〇〇重量％];及31〇份重量之 針狀ΑΤΟ之甲苯分散物[日本石原Techno股份公司製、商品 名「FS.S-10T」、固體成分濃度3重量％、ΑΤΟ形狀：長軸 平均粒徑〇 · 2 3 // m、短軸平均粒徑〇 · 〇 1 5 // m、平均縱橫比約 15];利用一 Meyer桿Νο·12進行塗布，完全硬化後成爲厚 度約5 // m，於80°C乾燥3分鐘之後，對其進行曝光量爲 500mJ/cm2之紫外線照射而使其硬化，形成折射率ι·66之高 折射率硬質塗布層。所得到的高折射率硬質塗布層中之全部 金屬氧化物（氧化鉻與ΑΤΟ)的含量約爲67重量％，ΑΤΟ 與氧化锆的重量比爲3: 1。 (2)混合100份重量之矽氧烷系聚合物（抗帶電劑） [Colcoat股份公司製、商品名.「Colcoat Ρ」、固體成分濃度 2重量％]; 30份重量之多孔性二氧化矽（比重1.8〜1.9折射 率1.34〜1.36、平均粒徑約50nm).的溶劑分散液[日本觸媒化 成股份公司製、商品名「ELCOM P-特殊品3」、固體成分濃 度10重量％]; 15份重量之矽系嵌段共聚物[日本油脂股份公 司製、商品名「Modiper FS720」、固體成分濃度15重量％] ;進一步利用異丁醇，將整體固體成分濃度稀釋成2重量％ i ，製得塗布劑。 接著，於該（1 )之步驟所形成的硬質塗布層上，利用一 -24- 1294040

Meyer桿No ·4進行塗布，加熱處理後之厚度成爲100nm，於 130°C進行2分鐘之加熱處理，形成含有多孔性二氧化矽系 、矽系嵌段共聚物與矽氧烷系聚合物之折射率1.40的低折 射率層。 實施例2 於實施例1之高折射率硬質塗布層的形成時，除了將硬 質塗布層形成用塗布用液之含有光起始劑的丙烯基系硬質 塗布劑（電離放射線硬化性化合物）「Beam Set 575CB」之 量設爲23份重量；及針狀ΑΤΟ之甲苯分散物「FSS-10T」 (前文已揭示）之量設爲200份重量之外，進行相同於實施 例1的方式，得到光學用薄膜。此光學用薄膜之高折射率層 中全部金屬氧化物的含量約爲70重量％，ΑΤΟ與氧化鉻的 重量比約爲2 : 1 〇 將所得到的此光學用薄膜之物性顯示於表1。 實施例3 於實施例1之高折射率硬質塗布層的形成，除了混合、 調製1〇〇份重量之硬質塗布層形成用塗布用液之含有光起始 劑的丙烯基系硬質塗布劑（電離放射線硬化性化合物）[曰 本大日精化X業股份公司製、商品名「Seika Beam EXF-01L (NS )」、固體成分濃度100重量％]; 100份重量之銻氧鋅 分散液[日本曰產化學工業股份公司製、商品名「Celnax CX-Z610M-FA」、固體成分濃度60重量％]及500份重量之 針狀ΑΤΟ之甲苯分散物「FSS-10T」（前文已揭示）之外， 進行相同於實施例1的方式，製作光學用薄膜。此光學用薄 -25- 1294040 膜之高折射率層中全部金屬氧化物的含量約爲68重量％， ΑΤΟ與銻氧鋅的重量比約爲2.5 : 1。 將所得到的此光學用薄膜之物性顯示於表1。 實施例4 於實施例1之高折射率硬質塗布層的形成，除了添加25 份重量之硬質塗布層形成用塗布用液之更含有光起始劑與 二氧化矽凝膠的丙烯基系硬質塗布劑（電離放射線硬化性化 合物）[日本大日精化工業股份公司製、商品名「Seika Beam EXF-OIL(BS)」、固體成分濃度100重量％、10重量％之 二氧化矽凝膠含量、二氧化矽凝之平均粒徑約1.5/zm]之外 ，進行相同於實施例1的方式，製作光學用薄膜。此光學用 薄膜之高折射率層中全部金屬氧化物的含量約爲60重量％ ，ΑΤΟ與其他金屬氧化物（氧化鉻與二氧化矽凝膠）的重量 比約爲2.75 : 1。 將所得到的此光學用薄膜之物性顯示於表1。 比較例1 將於實施例1之針狀ΑΤΟ之甲苯分散物「FSS-10T」（ 前文已揭示）變更爲球狀ΑΤΟ (平均粒徑100 nm)之甲基乙 基酮分散液[日本石原Techno股份公司製、商品名「SN-100P (MEK)」、固體成分濃度30重量％]之外，進行相同於實 施例1的方式，得到光學用薄膜。 將所得到的此光學用薄膜之物性顯示於表1。 -26-

Claims (1)

1. 修(更)正本 第93 1 08599號「光學用薄膜」專利案 (2007年9月12日修正） 拾、申請專利範圍： 1 · 一種光學用薄膜，其特徵係於基材薄膜之至少一側表 面’依序積層： (A) —高折射率硬質塗布層，其折射率爲1.60〜1.75 之範圍、厚度爲2〜20//m，其包含： (a )長軸平均粒徑爲〇·〇5〜1 0 # m，且平均縱橫比爲 3〜100之針狀已摻雜銻的氧化錫； (b )其他至少一種的金屬氧化物； (c )利用電離放射線所形成的硬化物；及 (B ) —低折射率層，其折射率爲1 .30〜1.45之範圍、 厚度爲40〜200nm。 2 ·如申請專利範圍第1項之光學用薄膜，其中於（a )層之 (b)成分的金屬氧化物係由氧化鉻、銻氧鋅及五氧化銻 之中選出的至少一種。 3 .如申請專利範圍第1項之光學用薄膜，其中（a )層中之 全部金屬氧化物的含量爲50〜80重量％，並且（a)成分 與（b)成分的重量比爲4: 1至1: 3。 4·如申請專利範圍第1項之光學用薄膜，其中（B)層爲含 有多孔性二氧化矽與矽氧烷系聚合物之層。 5. 如申請專利範圍第4項之光學用薄膜，其中（b )層爲更 含有矽系嵌段共聚物之層。 6. 如申請專利範圍第4項之光學用薄膜，其中（b )層的多 孔性二氧化矽之比重爲U〜〗·9、折射率爲1.30〜1.36及平 1294040 均粒徑爲20〜100nm。 7.如申請專利範圍第5項之光學用薄膜，其中（B)層中之 矽系嵌段共聚物的含量爲2〜50重量％。 8 .如申請專利範圍第1至7項中任一項之光學用薄膜，其 中（A)層之硬質塗布層爲抗眩光性硬質塗布層。 9.如申請專利範圍第1至7項中任一項之光學用薄膜，其 中（B )層之低折射率層具有抗靜電性。