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TWI292631B - Light emitting diode and method of the same - Google Patents

Light emitting diode and method of the same Download PDF

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TWI292631B
TWI292631B TW094104057A TW94104057A TWI292631B TW I292631 B TWI292631 B TW I292631B TW 094104057 A TW094104057 A TW 094104057A TW 94104057 A TW94104057 A TW 94104057A TW I292631 B TWI292631 B TW I292631B
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light
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Tzong Liang Tsai
Chih Li Chiang
Chih Sung Chang
Way Jze Wen
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Epistar Corp
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Description

1292631 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光二極體（light emitting diode)及其製造方法，特別是，關於一種可提高反射層與 半導體層間的黏著度(adhesion)之發光二極體及其製造 方法。 【先前技術】 習知的發光二極體(Light Emitting Diode)為了提高 發光的免度’通常會加入一層反射層。如圖1所示，在一 透光基板102上，依序的成長n型半導體層1〇4、主動層 106、P型半導體層1〇8。由主動層1〇6所產生的光經由透 光基板102發射出來。為了增加發光效率，朝向p型半導 體層108方向的光必須被反射，以從基板1〇2射出。因此， 在P型半導體108上方成長一層反射層116。一般而言， 反射層116材質多為反射率較高的金屬，如銀(Ag)、金(如) 或鋁(A1)等，如美國專利第679469〇號、第68125〇2號、 及第2004/0182914號等所揭示。 然而，由於金屬層與p型半導體層108間的黏著度不 佳，因此在製程過程的剝離（—〇ff)步驟中，常會造成 反射層116與p型半導體層1〇8之間的脫離。
931102TW 6 1292631 另外，若使用銀當反射層，還需考慮到·銀的遷移 (migration)問題。隨著時間的增加，銀會慢慢的遷移到 P型半導體層108中，而造成漏電現象，影響發光二極體 的效能。 # 電流分布（current spreading)也是影響發光效率及 均勻度的重要因素。因為電流自P型半導體層1〇8流至主 動層106以產生光。所以，要得到高發光效率，p型半導 體層1G8的電流分佈非常重要。因此，必須增進電流分 布，以提高發光效率。 由以上所述可知’有必要提供一種增進金屬反射層與 P型半導體層之間_著度之結構與方法，且可更進一步 改善發光二極_發光亮度及效能之結構與方法。乂 【發明内容】 本發明之主要目的即在提供_種發光二極體⑴啦 ending diQde)及錄造方法。树明讀光二極體中 的反射層中加人氧元素，以提高反射層與半導體層的黏著 度(adhesion) 〇 本發明提供—種縣二_，此縣二鋪主要包含 -發光結構及-金屬反射層。發光結構包含二層半導體層 及一主動層，其中二層半導體層為不同換雜型。發光、轉
931102TW 7 ,1292631 通入-電鱗料。金屬反㈣反射發光結構所發出的 光’且金屬反射層包含氧元素(>1〇15—3，較佳為 _ 102°-KfatGms/on3) ’其中氧的加人可幫助提昇金屬反射 ” 層與半導體層之間的黏著度。 - 4述之金屬反射層可為包含氧元素的一金屬單層結 • 構’亦可為-多層結構，此多層結構至少包含兩層，其中 鲁 層包5氧元素（>1015 atoms/cm3，較佳為 102°-1022atoms/cm3)，另一層不包含氧元素。 别述之發光二極體更包含一導電透光層 (transparent contact layer)，位於發光結構與反射層 間，用以增進電流分布（current spreading)，進而提昇 發光效率，其中，導電透光層的材質可選自金屬（如：鎳 (Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、銘（Pt)、鈀(Pd))，金 • 屬氧化物（如：氧化錮鋅（IZ0)、氧化銦、氧化辞(Zn〇)、 氧化銦錫（IT0)、氧化錫、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化銻、氧化 銻辞(ΑΖ0)、氧化鑛錫(cadmium tin oxide，CT0)、氧化 ， 鎘)及金屬氮化物（氮化鈦(TiN)、氮化鎢(職）、氮化鈦鎢 • (TiWN))等。 本發明另外還提供了發光二極體的製造方法，包含以 下步驟··提供一基板(substrate)，在此基板上形成一發
931102TW 8 1292631 光結構，接i，在發光結構上形成一金屬反射層，並且在 至屬反射層形成過私中力认氧元素(>lGl5atQms/cm3，較佳 為 10 -1022atoms/cm3)。 前述形成金屬反射層之步驟包含形成一包含氧的金 屬單層結構，亦包含形成一具有多層結構的金屬反射層， 其中形成多層結構的方法至少包含以下步驟··形成包含氧 元素(>10 atoms/cm3，較佳為 i〇2°—i〇22atoms/cm3)的金屬 單層結構、形成不包含氧元素的金屬單層結構。 鈾述之發光二極體的製造方法更包含以下步驟：在發 光結構與金屬反射層間形成一導電透光層，其材質可選自 金屬（如··鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、翻（pt)、 飽(Pd))，金屬氧化物（如：氧化銦鋅（IZ〇)、氧化銦、氧 化辞(ZnO)、氧化銦錫（ιτο)、氧化錫、氧化銻錫(AT〇)、 氧化銻、氧化銻鋅(AZ0)、氧化鎘錫（cadmium tin 〇xide， CT〇)、氧化錫)及金屬It化物（氮化鈦(TiN)、氮化鎢(厕）、 氮化鈦鎢(TiWN))等。 【實施方式】 本發明揭露一種發光二極體及其製造方法。為了使 本發明之敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述並配合圖 2至圖5C之圖式。
931102TW 9 1292631 圖2繪示了根據本發明的第一實施例之覆晶型 (flip-chip type)發光二極體200剖面圖。此發光二極體 200包含一透光基板202、一發光結構210及一金屬反射 •層216。透光基板202可為一成長基板或一黏貼形式的基 • 板’其材質可選自藍寶石（sapphire)、玻璃、麟化鎵(GaP) • 或碳化矽(SiC)等透光的透明物質。發光結構210包含半 φ 導體層204、208及主動層206，其中半導體層204、208 為不同摻雜型。在此實施例中，2〇4為N型半導體層，208 為P型半導體層。金屬反射層216可反射主動層206所產 生的光，因而提高發光效率，其中金屬反射層216包含氧 元素，且此金屬反射層之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁 (A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、鈦(Ti)等反射率較高的 金屬。圖3為金屬反騎216中的氧元素含量娜分析， > 在此實施例中’此氧元素的濃度大於1〇15at〇ms/cm3，較 佳為 l〇2G-l〇22atoms/cm3。 發光二極體更包含了 一電極220接觸N型半導體 層綱。電極220與反射層216#由接合物222盘一从 224上的導電區域226、228接合，其接合方式可為習知 的覆晶接合方式。 金屬反射層216中氧元素的加人，解決了以往P型半
931102TW 10 1292631 - 導體層與金屬層之間黏著度較差的問題，且其中氧元素 (>1015atoms/cm3，較佳為 i〇2G—i〇22atoms/cm3)的加入對金 屬反射層216的反射率不會造成太大的影響。舉例來說， 圖4顯示了以銀為例子的反射層，在加入氧元素之前與之 • 後個別的相對反射率，兩者差別在1%以下。 • 金屬反射層216可為一含有氧元素的多層結構，更包 φ 含一含有氧元素的單層結構。在此實施例中，金屬反射層 216包含一第一反射層212，其中第一反射層212包含氧 元素(>1015atoms/cm3，較佳為 l〇2G-l〇22at〇ms/cm3)。反射 層216更包含一第二反射層214,其中第二反射層214不 包含氧元素。第一反射層212與第二反射層214的材質係 分別選自銀(Ag)、金(Au)、紹（A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑 (Pt)、鈦(Ti)等金屬。由於第二反射層214有比第一反射 鲁 層212較低的順向電壓（f〇rwar(j v〇itage)，因此可降低 接觸電阻。 上述的發光二極體200更包含一導電透光層 - (transparent contact layer)218，置於金屬反射層 216 ‘ 與p型半導體層208之間。導電透光層218的加入可改善 p型半導體層的電流分布（curre的sprea(jing)，進而提 昇發光妓率。本發明利用金屬（如··鎳(Ni)、金(Au)、銀
931102TW 11 1292631 • (Ag)、鉻(Cr)、鉑（Pt)、鈀(Pd))，金屬氧化物（如：氧化 銦鋅（IZO)、氧化銦、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫（IT〇)、氧 化錫、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化銻、氧化銻鋅(Αζο)、氧化鎘 - 錫（cadmium tin oxide，CT0)、氧化鎘)及金屬氮化物（氮 • 化鈦(TiN)、氮化鎢(丽）、氮化鈦鎢(Ti·))等作為導電透 • 光層218的材質。如前所述，透光導電層218的加入可幫 φ 助提昇P型半導體層208的電流分布，而提高發光效率。 此外，透光導電層218也可當作一阻障層（barrier layer)’用以防止因銀遷移(migrafe)到p型半導體層208 而造成的漏電現象。 圖5A至5C說明了形成本發明第一實施例的方法。如 圖5A所示，首先在基板5〇2上形成一發光結構51〇，包 含半導體層504、主動層506及半導體層508，其中半導 鲁 體層與508為不同摻雜型。在此實施例中，半導體層 504為N型，半導體層508為p型。接著，形成一導電透 光層518於半導體層508之上，並形成一金屬反射層516 . 於導電透光層518之上。導電透光層518的材質係選自金 • 屬（如：鎳(Nl)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鈀 (Pd)) ’金屬氧化物（如：氧化銦鋅（ιζο)、氧化銦、氧化 鋅(ZnO)、氧化銦錫（IT0)、氧化錫、氧化銻錫(AT〇)、氧
931102TW 12 1292631 化銻·、氧化銻辞(AZO)、氧化鎘 oxide，CT0)、氧化鎘)及金屬氮化物（氮化鈦(TiN)、氮化 鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN))等。金屬反射層516包含氧元 -素（>1〇15 atoms/cm3，較佳為 1(f—1〇22at〇ms/cm3)，且此金 • 屬反射層之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、銘(A1)、鉻(Cr)、 • 铑(Rh)、鉑（Pt)、鈦(Ti)等金屬。在基板502上所形成的 • 各層物質，可以經由熟習此項技藝者所知的各種方法來達 成0 金屬反射層516可為一含有氧元素的多層結構，更包 含一含有氧元素的單層結構。在此實施例中，金屬反射層 516包含一第一反射層512，其中第一反射層512包含氧 元素(>10 atoms/cm3 ’ 較佳為 l〇2°-i〇22at〇ms/cm3)。反射 層516更包含一第二反射層514，其中第二反射層514不 脅 包含氧元素。第一反射層512與第二反射層514的材質係 分別選自銀(Ag)、金(Au)、I呂(A1)、鉻(Cr)、錢(Rh)、鉑 (Pt)、鈦(Ti)等金屬。其形成反射層516的方式可為在蒸 鑛金屬的過程中，加入氧元素，然不限於此方式。舉例來 ’ 說’在蒸鍍金屬以形成反射層516的過程中，若整個蒸鑛 過程皆有氧的加入，則形成一具有氧元素的單層金屬結 構’亦即只形成了第一反射層512。若只在蒸鍍的前半段
931102TW 13 1292631 過程中加人氧，後半段的雜巾只有麵的紐，則可形 成如圖5A中包含一第一反射層512及一第二反射層514 的雙層反射層結構516。 接著，如圖5B所示，除去發光結構51〇、導電透光 層518及金屬反射層516的一部份，以暴露1^型半導體 5〇4的一表面530。在N型半導體5〇4的表面53〇形成電 極520，其中電極520的材質係為有良好導電性的金屬， 如金(Au)或鋁(M)等。圖5C為提供用以與一覆晶型發光 二極體結合的一基座524。將圖5B中的結構5〇〇反轉， 再藉由接合物（如錫錯凸塊(s〇lder bump))與基座524上 的導電區域526、528接合，其接合方式為習知的覆晶接 合方式，即得到圖2中的覆晶型發光二極體2〇〇。 圖6繪示了根據本發明的第二實施例之薄膜型 (thin-f i lm type)發光二極體6〇〇剖面圖。此發光二極體 600包含一導電基板632、一金屬反射層616及一發光結 構610。導電基板632係以一黏著層634(adhesion layer) 與反射層616結合，其中導電基板632的材質可選自具有 良好導電性之習知材料。發光結構61〇包含半導體層 604、608及主動層606，其中半導體層604、608為不同 摻雜型。在此實施例中，604為N型半導體層，608為p
931102TW 14 1292631 型半導體層。金屬反射層616可反射主動層606所產生的 光，因而提高發光效率，其中金屬反射層61β包含氧元素 (>1015atoms/cm3，較佳為 l〇2Q-l〇22atoms/cm3)，且此金屬 反射層之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、|呂（A1)、鉻(Cr)、 • 铑⑽）、鉑（Pt)、鈦(Ti)等反射率較高的金屬。 • 上述發光二極體600更包含了 一電極620接觸N型半 φ 導體層604。 氧元素加入金屬反射層616中，解決了以往p型半導 體層與金屬層之間黏著度較差的問題，且由上述可知，氧 元素的加入對金屬反射層616的反射率不會造成太大的 影響。 金屬反射層616可為一含有氧元素的多層結構，更包 含一含有氧元素的單層結構。在此實施例中，金屬反射層 • 616包含一第一反射層612，其中第一反射層612包含氧 元素（>10 atoms/cm3，較佳為 l〇2G-l〇22atoms/cm3)。反射 層616更包含一第二反射層614，其中第二反射層614不 - 包含氧元素。第一反射層612與第二反射層614之材質係 ， 分別選自銀(Ag)、金(Au)、鋁（A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑 (Pt)、鈦(Ti)等金屬。由於第二反射層614有比第一反射 層612較低的順向電壓（forwarcj v〇itage)，因此可降低
931102TW 15 :1292631 接觸電阻。 - 上述的發光二極體600更包含一導電透光層618，置 於金屬反射層616與P型半導體層608之間，其中導電透 ” 光層618的材質係選自金屬（如：鎳(Ni)、金(Au)、銀 • (Ag)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鈀(Pd))，金屬氧化物(如：氧化 • 銦鋅（IZO)、氧化銦、氧化辞(211〇)、氧化銦鍚（1了〇)、氧 參 化錫、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化銻、氧化銻辞(azo)、氧化编 錫(cadmium tin oxide，CT0)、氧化鎘)及金屬氮化物（氮 化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN))等，。如前 所述’導電透光層618的加入可改善p型半導體層Bog 的電流分布（current spreading)，進而提昇發光效率， 亦可作為一阻障層（barrier layer)，用以防止因銀遷移 (migrate)到P型半導體層608而造成的漏電現象。 # 圖7A至兀說明了形成本發明第二實施例的方法。如 圖7A所示，首先在成長基板7〇2上形成一發光結構71〇， 包含半導體層704、主動層706及半導體層708，其中半 • 導體層704與708為不同摻雜型。在此實施例中，半導體 - 層7〇4為N型，半導體層708為P型。接著，形成一導電 透光層718於半導體層708之上，並形成一金屬反射層 716於導電透光層718之上。導電透光層718的材質係選
931102TW 16 1292631 . 自氧化銦錫或氧化鋅。金屬反射層716包含氧元素(>ι〇15 atoms/cm ’較佳為i〇2°—i〇22at〇mS//cm3)，且此金屬反射層 - 之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、 ’ 1白(Pt)、鈦(Ti)等金屬。在成長基板702上所形成的各層 物質，可以經由熟習此項技藝者所知的各種方法來達成。 • 金屬反射層716可為一含有氧元素的多層結構，更包 馨 含一含有氧元素的單層結構，其形成方式可為在蒸鍍金屬 的過程中，加入氧元素，然不限於此方式。在此實施例中， 金屬反射層716包含一第一反射層712,其中第一反射層 712包含氧元素(>i〇i5at〇ms/cm3，較佳為 10 -10 atoms/cm3)。反射層716更包含一第二反射層 714’其中第二反射層714不包含氧元素。第一反射層712 與第二反射層714之材質係分別選自銀(Ag)、金(Au)、鋁 ► (A1)、鉻(Cr)、錢⑽）、始(pt)、鈦(Ti)等金屬。 接著’如圖7B所示，除去成長基板7〇2。在n型半 &體704的表面730形成電極720，其中電極720的材質 係為有良好導電性的金屬，如金(Au)或銘(A1)等。圖7C 為提供用以與-薄膜型發光二極體結合的一導電基板 732將圖7B中的結構7〇〇，藉由一黏著層734與一導電 基座732接合’即得到圖6中的薄膜型發光二極體6〇〇。
931102TW 17 :1292631 以上所述僅為本發明之健實施_已，並非用以限 定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離本發明所揭示之 精神下所完成之等效改變或料，均應包含在下述 專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1為一習知的發光二極體剖面圖； 圖2為本發明第一實施例之剖面圖； 圖3為本發明第一實施例中金屬反射層的SIMS分析圖。 圖4本發明第-實施例中金屬反射層在加入氧元素前後 的相對反射率。 圖5A至5C為形成本發明第一實施例的方法之不同階段的 流程剖面圖； 圖6為本發明第二實施例之剖面圖；以及 圖7 A至7C為形成本發明第二實施例的方法之不同階段 的流程剖面圖。 【主要元件符號說明】 200,500,600,700發光二極體結構 102,202,502,632,702,732 基板 104，108,204,208,504,508,604,608,704,708 半導體層
931102TW 18 1292631 106,206,506,606,706 主動結構 210,510,610,710 發光結構 212,512,612,712 第一反射層 214,514,614,714 第二反射層 116,216,516,616,716 金屬反射層 218,518,618,718導電透光層 220,520,620,720 電極 222接合物 124,224 基座 226,228,526,528 導電區域 530,730 表面 634,734黏著層
931102TW

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1292631 十、申請專利範圍： 案號：94104057 pti年Ό9为20牙修重=替換貢一: %年？ 7D日修(幾)正本 1· 一種發光二極體(Light Emitting Diode)，包含： 一金屬反射層(reflective layer)，包含微量氧元素；以及 一發光結構’接觸該金屬反射層，該發光結構包含一第一 半導體層、一第二半導體層、以及一主動層(active layer)，其 中該第一半導體層接觸該金屬反射層、該主動層接觸該第一半 導體層、且該第二半導體層接觸該主動層。 2·如請求項1所述之發光二極體，其中該金屬反射層為一包含 氧元素的單層結構，且該單層結構之材質係選自銀(Ag)、金 (Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、鈦(Ti) 〇 3·如請求項1所述之發光二極體，其中該金屬反射層為一多層 結構，該多層結構至少包含： 一第一反射層，接觸該第一半導體層，該第一反射層包 含氧元素，且該第一反射層之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、 鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、鈦(Ti);以及 一第二反射層，不包含氧元素，且該第二反射層之材質 係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、 鈦(Ή) 〇 1292631 案號：94104057 96年09月20日修正-替換頁 4·如請求項1所述之發光二極體，更包含一導電透光層 (transparent contact layer)，該導電透光層位於該第一半導體 層與該金屬反射層之間。 5·如請求項4所述之發光二極體，其中該金屬反射層為包含氧 元素的一單層結構，且該單層結構之材質係選自銀(Ag)、金 (Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、錢(Rh)、鉑(Pt)、鈦(Ti) 〇 6·如請求項4所述之發光二極體，其中該金屬反射層為一多層 結構，該多層結構至少包含： 一第一反射層，接觸該導電透光層，該第一反射層包含 氧元素，且該第一反射層之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁 (A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(pt)、鈦(Ti);以及 一第二反射層，不包含氧元素，且該第二反射層之材質 係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑㈣、 鈦(Ti) 〇 7·如清求項4所述之發光二極體，其中該導電透光層的材質係 選自金屬(如：鎳(Νι)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、銘(Pt)、！巴 (Pd))，金屬氧化物(如：氧化銦鋅(IZ0)、氧化銦、氧化鋅 1292631 _ 案號：94104057 96年09月20日修正·替換頁 (ZnO)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫、氧化錄錫(AT〇)、氧化録、 氧化銻鋅(AZO)、氧化編錫(cadmium tin oxide，CTO)、氧化鑛) 及金屬氮化物(氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)) 8· —種發光二極體，包含： 一金屬反射層，包含微量氧元素； 一導電透光層，接觸該金屬反射層； 一發光結構，接觸該導電透光層，該發光結構包含一第 一半導體層、一第二半導體層、以及一主動層，其中該第一 半導體層接觸該金屬反射層、該主動層接觸該第一半導體 層、且該第二半導體層接觸該主動層。 9·如请求項8所述之發光二極體，其中該導電透光層的材質係 選自金屬(如：錄(Νι)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、翻(Pt)、！巴 (Pd)) ’金屬氧化物(如：氧化銦鋅(IZ〇)、氧化銦、氧化辞 (ZnO)、氧化銦錫(汀〇)、氧化錫、氧化銻錫(AT〇)、氧化銻、 氧化銻辞(AZO)、氧化鎘錫(ca(jmium如〇xideCT〇)、氧化鎘） 及金屬氮化物(氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)) 等。 3 1292631 % ϊ 案號：94104057 96年〇9月20曰修正·替換頁 #明求項8所述之發光二極體，其中該金屬反射層為包含 氧元素的-單層結構，且該單層結構之材㈣選自銀(Ag)、 金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑㈣、鉑(pt)、鈦⑼。 丨1·如π求項8所述之發光二極體，其中該金屬反射層為一多 層結構，該多層結構至少包含·· 第一反射層，接觸該導電透光層，該第一反射層包含 氧元素，且該第一反射層之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、銘 ⑽、鉻(Cr)、铑(Rh)、翻(pt)、欽⑼；以及 一第二反射層，不包含氧元素，且該第二反射層之材質 係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、 鈦(Ti) 〇 12· —種形成發光二極體之方法，包含以下步驟： 提供一基板(substrate); 形成一發光結構於該基板上；以及 形成一金屬反射層於該發光結構上，其中該金屬反射層 包含微量氧元素。 13.如請求項12所述之方法，其中形成該金屬反射層的步驟包 1292631 1 * 案號：94104057 96年09月20日修正-替換頁 含形成一單層結構’該單層結構包含氧元素，且該單層結構 之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(仙）、鉑 (Pt)、鈦(Ti” 14·如請求項12所述之方法，其中形成該金屬反射層的步驟至 少包含： 形成一第一反射層，接觸該第一半導體層，該第一反射 層包含氧元素，且該第一反射層之材質係選自銀(Ag)、金 (Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、鈦(Ti);以及 一第二反射層，不包含氧元素，且該第二反射層之材質 係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(pt)、 鈦(Ti) 〇 15·如請求項12所述之方法，更包含以下步驟： 在該第一半導體層與該金屬反射層之間形成一導電透 光層。 16·如請求項15所述之方法，其中形成該金屬反射層的步驟包 含形成一單層結構，該單層結構包含氧元素，且該單層結構 之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(cr)、錢(Rh)、鉑 1292631 案號：94104057 96年09月20日修正-替換頁 (Pt)、鈦(Ή” 17·如請求項15所述之方法，其中形成該金屬反射層的步驟至 少包含： 形成一第一反射層，接觸該第一半導體層，該第一反射 層包含氧元素，且該第一反射層之材質係選自銀(Ag)、金 (Au)、銘(Ai)、鉻(Cr)、铑(Rh)、何Pt) ' 鈦(Ή);以及 一第二反射層，不包含氧元素，且該第二反射層之材質 係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、 鈦(Ti) 〇 18·如請求項15所述之方法，其中該導電透光層的材質係選自 金屬(如：鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鈀(Pd))， 金屬氧化物(如：氧化銦鋅阳0)、氧化銦、氧化辞(Zn〇)、 氧化銦錫(IT0)、氧化錫、氧化錄錫(ΑΤΟ)、氧化銻、氧化銻 鋅(八20)、氧化鎘錫((^11血111如(^(^，(：：1〇)、氧化鑛)及金 屬氮化物(氮化鈦(TiN)、氮化鎢(醫)、氮化鈦鎢(丁丨篇)）等。 19· 一種形成發光二極體之方法，包含以下步驟： 提供一基板； 6 1292631 § ( 案號：94104057 96年09月20日修正-替換頁 形成一發光結構於該基板上； 形成一導電透光層於該發光結構之上；以及 形成一金屬反射層於該導電透光上，其中該金屬反射層 包含微量氧元素。 20·如請求項19所述之方法，其中該導電透光層的材質係選自 金屬(如··鎳(Ni)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、鈀(Ρφ)， 金屬氧化物(如：氧化銦鋅(IZO)、氧化銦、氧化鋅(Zn〇)、 氧化銦錫(IT0)、氧化錫、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化錄、氧化銻 辞(八20)、氧化鎘錫細(1111丨1111^11(^(16,〇10)、氧化鎘)及金 屬氮化物(氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(氾簡)）等。 21·如請求項19所述之方法，其中形成該金屬反射層的步驟包 含形成一單層結構，該單層結構包含氧元素，且該單層結構 之材質係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑 (Pt)、鈦(Ή) 〇 22·如請求項19所述之方法，其中形成該金屬反射層的步驟至 少包含： 形成一第一反射層，接觸該第一半導體層，該第一反射 7 1292631 ， · 案號：94104057 96年09月20日修正-替換頁 層包含氧元素，且該第一反射層之材質係選自銀(Ag)、金 (Au)、銘(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、鈦(Ti);以及 一第二反射層，不包含氧元素，且該第二反射層之材質 係選自銀(Ag)、金(Au)、鋁(A1)、鉻(Cr)、铑(Rh)、鉑(Pt)、 鈦(Ti) 〇 23·如請求項1所述之發光二極體，其中該微量氧元素之濃度 為 1015 至 l〇22atoms/cm3。 24·如請求項8所述之發光二極體，其中該微量氧元素之濃度 為 1015 至 1022atoms/cm3。 25·如請求項12所述之方法，其中該微量氧元素之濃度為1〇i5 至 1022atoms/cm3。 26·如請求項19所述之方法，其中該微量氧元素之濃度為1〇i5 至 1022atoms/cm3。 1292631 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：圖2。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 200發光二極體結構 202基板
204半導體層 208半導體層 212第一反射層 216金屬反射層 220電極 206主動層 210發光結構 214第二反射層 218導電透光層 224基座
八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式： 無 931102TW 5
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470835B (zh) * 2011-09-29 2015-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 光電半導體晶片及光電半導體晶片之製造方法
TWI548123B (zh) * 2014-12-03 2016-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄから光を導くための独立した光学デバイス
JP2008034822A (ja) * 2006-06-28 2008-02-14 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
KR20090064474A (ko) 2006-10-02 2009-06-18 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ 시스템 및 방법
KR101459764B1 (ko) * 2008-01-21 2014-11-12 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US7875948B2 (en) 2008-10-21 2011-01-25 Jaroslav Hynecek Backside illuminated image sensor
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
KR101072143B1 (ko) * 2009-02-20 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
KR100999747B1 (ko) * 2010-02-10 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2011181774A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Toshiba Corp 発光素子および発光装置
JP5541260B2 (ja) * 2011-03-21 2014-07-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
DE102012104553A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
JP6009041B2 (ja) * 2015-06-05 2016-10-19 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP7360822B2 (ja) * 2019-06-13 2023-10-13 ローム株式会社 半導体発光装置
CN111048642B (zh) * 2019-11-15 2021-07-30 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812502B1 (en) * 1999-11-04 2004-11-02 Uni Light Technology Incorporation Flip-chip light-emitting device
JP2003168823A (ja) * 2001-09-18 2003-06-13 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
TW577178B (en) * 2002-03-04 2004-02-21 United Epitaxy Co Ltd High efficient reflective metal layer of light emitting diode
TW567618B (en) 2002-07-15 2003-12-21 Epistar Corp Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof
US7141828B2 (en) * 2003-03-19 2006-11-28 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode with a thermally stable multiple layer reflective p-type contact
KR100624411B1 (ko) * 2003-08-25 2006-09-18 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI470835B (zh) * 2011-09-29 2015-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 光電半導體晶片及光電半導體晶片之製造方法
TWI548123B (zh) * 2014-12-03 2016-09-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體結構
US10693037B2 (en) 2014-12-03 2020-06-23 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure

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