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TWI290625B - Probe card and testing device of micro structure - Google Patents

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Publication number
TWI290625B
TWI290625B TW095111699A TW95111699A TWI290625B TW I290625 B TWI290625 B TW I290625B TW 095111699 A TW095111699 A TW 095111699A TW 95111699 A TW95111699 A TW 95111699A TW I290625 B TWI290625 B TW I290625B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sound wave
probe
aforementioned
probe card
inspection
Prior art date
Application number
TW095111699A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200704931A (en
Inventor
Masami Yakabe
Naoki Ikeuchi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200704931A publication Critical patent/TW200704931A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI290625B publication Critical patent/TWI290625B/zh

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0035Testing
    • B81C99/005Test apparatus
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01HMEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H1/00Measuring characteristics of vibrations in solids by using direct conduction to the detector
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P21/00Testing or calibrating of apparatus or devices covered by the preceding groups

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  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

1290625 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種檢查微小構造體、例如MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)之探針卡及檢查裝置。 【先前技術】 近年來’使用半導體微細加工技術等集積化機械、電 子、光、化學等多功能之裝置MEMS,尤其得到矚目。 &今作為貫用化之MEMS技術,例如作為汽車、醫療用 之各種感測器’ MEMS裝置搭載於微感測器之加速度感 測器及壓力感測器、氣流感測器等。另外,藉由在喷墨 印表機喷頭上採用該MEMS技術,可增加喷出墨水之嘴 嘴數與喷出正確的墨水,可謀求提高畫質與印刷速度之 南速化。再者,已知反射型投影機中所使用之微鏡陣列 等亦作為一般之MEMS裝置。 另外,今後期待藉由開發利用MEMS技術之各種感測 器及促動器,展開向光通信及移動機器之應用、向計算 機之周邊機器之應用、甚至向生物分析及攜帶用電源之 應用。於技術調查報告第3號(經濟產業省產業技術環境 局技術調查室 製造產業局產業機械課 發行 平成15 年3月2 8日)中,以「關於MEMS技術之現狀與課題」之議 題,介紹有各種MEMS技術。 另一方面,伴隨著MEMS裝置之發展,由於其為微細 之構造等,故對其合適地檢查之方式亦變得重要起來。 於先前,使用於封裝後使裝置旋轉或振動等方法實行評 110115.doc 1290625 "ί貝其特性’但藉由在微細加工技術後之晶圓狀態等初期 階段實行合適之檢查,以檢測出不良,可使良率提古, 進一步降低製造成本。 於曰本特開平5-34371號公報中,作為一例,提出有藉 由對形成於晶圓上之加速度感測器吹空氣,檢出藉此而 改變之加速度感測器之電阻值,以判別加速度感測器特 性之檢查方式。 專利文獻1:日本特開平5-34371號公報 非專利文獻1 :技術調查報告第3號(經濟產業省產業技 術環境局技術調查室製造產業局產業機械課發行平 成15年3月28曰) [發明欲解決之問題] 一般而言,加速度感測器等具有微小可動部之構造 體,係即使對於微小之動作其應答特性亦產生變化之裝 置。因此,為評價其特性,需要進行高精度之檢查。如 上述公報中所示之藉由吹空氣對裝置施加變化之情形, 亦必須施行微調整來評價加速度感測器之特性,但要控 制氣體流量,同時均勻地向裝置吹氣體,以實行高精度 之檢查係極為困難,即使實行亦必須設置複雜且高價之 檢查裝置。 再者,吹空氣時’要使空氣具有指向性,且向特定位 置吹空氣而實行高精度之檢查是困難的。 【發明内容】 本發明係為解決上述問題而完成者,使η ^ , 又有,其目的在於提供 110115.doc 1290625 一種以簡易方式高精度地檢杳
又%子双笪具有微小可動部之微 造體之探針卡及微小構造體之檢查裝置。 [解決問題之方法] .....”視燜傅邳運接,兮
評價機構係評價至少1個具有形成於基板上之可動部之;; 小:造體之:性者;且包含有:探針,係檢查時與形成 於土板上之微小構造體之檢查用電極電性連接,以柃 根據形成於基板上之可動部之動作而產生之電氣= 出測試音波。 肖於向…、構造體之可動部輪 之 抓針卡’最好進-步包含檢測從音 測試音波之麥克風。根據用麥克 、籌所輸出 整從音波產生機構所輸出之測試音波之特欢性果’調 音波產生機構,最好藉由機械的振動動 動動作輸出測試音波。 卜之無振 尤其係音波產生機構,包含根據藉 的膨脹壓縮,而輸出測試音波之熱聲引擎。生之空氣 探針卡最好包含固定探針之固定構件,° 有從音波產生機構向微小構造體之固定構件具 之開口區域。 輪出測試音波 尤其係音波產生機構’藉由機械 音波;探針卡,則相對於固定構件進一 +動作輸出測試 音波產生機構之支持構件;支持構件::包含用於載置 機構之振動之防振材。 抑制音波產生 110115.doc 1290625 、八係支持構件,包含以複數點支持音波產生機構之 複數之點支持部。 、八系探針卡,進一步包含在固定構件與音波產生機 冓門化開口區域設置之防音材料,以便防止在固定構 件與音波產生機構之間漏汽測試音波。 尤〃係支持材料,包含設於音波產生機構與固定構件 1=至夕1個之第1及第2支持構件單元。第1及第2支持 φ 構件單疋中之一者由防振材所形成,另一者支持構件單 元則由較前一者支持構件單元硬度高之材質所形成。 尤其係探針,突出於開口區域。 才木針之W端,最好以對微小構造體之檢查電極垂直接 觸之方式形成。 尤”係曰波產生機構,H由機械的振動動作輸出測試 音波;探針卡,包含··用於固定探針之固定構件、及用 於支持音波產生機構之± 4士址Μ 機稱之支持構件。固定構件,具有從音 • 波產生機構向微小構造體之可動部輸出測試音波之開口 區域。支持構件,以相對於固定構件之開口區域懸掛之 方式支持。 尤其係探針卡,進—步包含在固定構件與音波產生機 構之間沿開口區域設置之防音材料,以便防止在固定構 件與音波產生機構之間漏洩測試音波。 取好進-步包含罩體’該罩體與前述固定構件相接 合’用於在前述開口區域以外之區域覆蓋前述音波產生 110115.doc 1290625 一尤其係形成於前述基板上之前述微小構造體,配置於 前述開口區域之中心軸所通過之位置上。 進一步包含複數個前述音波產生機構;前述固定構 件’分別對應w述複數個音波產生機構設置,且具有從 各前述音波產生機構向前述微小構造體之可動部輸出前 述:試音波之複數個開口區域;形成於前述基板上之前 述微!、構&體’配置於藉由前述複數個開口區域之各開 區域之中〜軸所圍成之區域面之中心軸所通過之位置 ―料探針卡,進—步&含在前述基板與前述探 、’二之間沿前述開口區域之周圍設置之集音構件,以便 使财述測試音波在前述基板與前述探針卡之間不產生漏 成而集中於前述可動部。 述集9構件’最好係gj定前述探針之固一 部分。 〜僻1卞< :好進—步具有導通機構,該導通機構利用熔結 ri lr^g)現象使探針與檢查用電極導通。 導通機構’包含:溶結用電源’係用於在檢查 路,:::電極施加電虔以引起炼結現象;及切換電 …、在引起檢查前之熔、结玉見象時與炼結用冑源 接,在檢查時與外部之檢查裝置相連接。 ’、 機構相連^第2規點之#小構造體之檢查裝置’係與評價 上之可動,評價機構係評價至少1個具有形成於基板 上之可動部之微小構造體之特性者;且包含:上述探: 110115.doc !29〇625 卡上及與k針卡連接’用於評價上述微小構造體之特性 ,。平仞機構。評價機構,經由探針檢測應答由音波產生 機構所輸出之測試音波之微小構造體之可動部之動作, 並基於檢測結果評價微小構造體之特性。 [發明之效果] 本發明之探針卡及微小構造體之檢查裝置,包含用於 向微小構造體之可動部輪出測試音波之音波產生機構, • 平價機構經由探針檢測應答由音波產生機構所輸出之 /貝J減曰波之微小構造體之 j動°卩之動作’並根據檢測結 果評價微小構造體之特性。 亦即’因為探針卡中包含音波產生機構,所以藉由探 針卡之探針之對準調整,音波產生機構亦被定位,因此 不需要單獨對音波產生機構進行對準調整,且不需要為 此設置機構’可以提高效率且以簡易方式進行檢查/ 【貫施方式】 # 下面,一面參照圖面對本發明之實施形態進行詳細說 明。並且,㈣中相同或相當部分賦予相同符號,不: 重複其說明。 (實施形態1) 圖1係依照本發明之實施形態丨之微小構造體之 統1之概略構成圖。 $ 一系 參照圖1,依照本發明之實施形態1之檢杳 你直系統1,包 含:檢查裝置5,·及基板1〇,其形成有複數個| I W Θ赋小可 勤部之微小構造體之晶片TP。 n01I5.doc !29〇625 於本例中,# i 為4双查之微小構造體之一例,舉多軸之3 軸加速度感測器進行說明。 、、双一裝置5,具有··揚聲器2,其係輸出疏密波之音 波’輸入輸出介面15,其係用於在外部與檢查裝置内部 之間實行輸入輸出資料之授受;控制部20,其係控制整 個核查裝置5 ’探針4,其係用於與檢查對象物之接觸; 挪疋部25 ’其係用於經由探針4檢測成為檢查對象物之特 _ 性#價之測定值;揚聲器控制部30,其係應答來自控制 部=之指令,控制揚聲器2 ;麥克風3,其係檢測外部之 聲音;及信號調整部35,其係用於將由麥克風3所檢測之 音波轉換為電壓信號,並進一步放大後輸出至控制部 20。並且,麥克風3,可以配置於檢查對象物附近。此 外,雖容後述,但揚聲器2、探針4及麥克風3係設置於一 個探針卡上。 對依照本實施形態之檢查方法進行說明前,首先對檢 _ 查對象物之微小構造體之3軸加速度感測器進行說明。 圖2係3軸加速度感測器之由裝置上面俯視之圖。 如圖2所示,形成於基板1〇上之晶片TP,在其周邊配置 有複數之電極墊PD。並且,為了向電極墊傳達或從電極 墊傳達電氣信號,設有金屬配線。並且,於中央部,配 置有形成三葉草型之4個重錐體AR。 圖3係3轴加速度感測器之概略圖。 參照圖3,該3轴加速度感測器係壓電電阻型,作為檢 測元件之壓電電阻元件作為擴散電阻設置。該壓電電阻 110115.doc -11 - 1290625 1之加速度感測器’由於可以利用廉價之製程,且即 使形成較小的作為檢測元件之電阻元件,靈敏度亦不會 下降,因此有利於小型化、低成本化。 作為具體之構成’採用中央之重錐體AR由4根樑BM所 支持之構造。樑BM於X、丫之2軸方向上以相互正交之方 式形成,且每個軸上具有4個壓電電阻元件。2軸方向檢 /貝J用4個壓電電阻元件,配置於又軸方向檢測用壓電電阻 疋件之旁邊。重錐體AR之上面形狀形成三葉草型,在中 央部與樑ΒΜ連結。藉由採用該三葉草型構造,由於擴大 重錐體AR時,同時亦可以延長樑長度,因此即使小型, 亦可實現高靈敏度之加速度感測器。 上述壓電電阻型3軸加速度感測器之動作原理,係重錐 體受到加速度(慣性力)時,樑ΒΜ會變形,藉由形成於該 樑表面上之壓電電阻元件之電阻值之變化,而檢測出加 速度之機構。並且,該感測器之輸出,設定為從3軸各自 獨立組裝之後述之惠斯同(Wheatstone)電橋之輸出中取出 之構成。 圖4係說明文到各軸向加速度時之重錐體與樑之變形之 概念圖。 如圖4所示,壓電電阻元件,具有電阻值隨所施加之變 形而變化之性質(壓電電阻效果),拉伸變形時電阻值^ 加,壓縮變形時電阻值減少。在本例中,作為一例係^ 示X軸方向檢測用壓電電阻元件Rxl〜Rx4、Y軸方向檢測 用壓電電限元件Ryl〜Ry4及z軸方向檢測用壓電電阻元件 110115.doc -12-
回6係况明3轴加速度感測器之相對於 1290625
Rzl〜Rz4 〇 圖5係對各軸所設置之惠斯同電橋之電路構成圖。 圖5(a)係Χ(γ)軸之惠斯同電橋之電路構成圖。作為X軸 及Υ軸之輸出電壓分別設為VX0Ut及Vyout。 圖5(b)係Z軸之惠斯同電橋之電路構成圖。作為z軸之 輸出電壓設為Vzout。 々上所述’藉由施加之變形,各軸之4個磨電電阻元件 · 之電阻值會變化;基於該變化,各壓電電阻元件例如在X 軸Y軸’於惠斯同電橋所形成之電路之輸出各轴之加速度 成分作為獨立分離之輸出電壓而被檢測。並且,以構成 上述電路之方式連結如於圖2所示之上述金屬配線等,以 便構成檢測從特定之電極塾對各軸輸出之電壓。 另卜忒3軸加速度感測器,由於亦可檢測加速度之 DC成分,因此亦可作為檢測重力加速度之傾斜角感測器 答之圖 如圖6所示,伯片 表測定Χ、Υ、^ X、Y、Z軸旋轉,用數位電壓 源,使用低電壓電:各自之電橋輸出。作為感測器之電 描緣算術地減去各轴5V J^於圖6所不之各測定點, 圖7係說明重力輪出之零點補償之值。 圖。 加遑度(輸入)與感測器輸出之關係之 如圖7所示 之輪入輪出關係 從圖6之傾斜角之餘弦計 110115.doc -13· 1290625 异分別關於X、γ、z軸之重力加速度成分,求出重力加 速度(輸入)與感測器輸出之關係,以評價該輸 線形性。亦即,加速度與輸出電壓之關係幾乎為線形。 圖8係況明3軸加速度感測器之頻率特性之圖。 如圖8所不’ X、γ、2轴各自之感測器輸出之頻率特 性,作為一例,3軸皆至2〇〇1^附近顯示平坦之頻率特 性,X軸在602Hz、γ軸在600Hz、z軸在8831^時共振。 再次參照圖1,本發明之實施形態之微小構造體之檢查 方法,係#由對微小構造體之3軸加速度感測器輸出疏= 波之音波,檢測基於該音波的微小構造體之可動部之動 作’以評價其特性之方式。 使用圖9之流程圖’對依照本發明之實施形態」之微小 構造體之檢查方法進行說明。 參照圖9,首先開始微小構造體之檢查(步驟S0)。然 後,使探針4接觸檢測晶片τρ之電極,pD(步驟si卜具體 而言,為了檢測於圖5中所說明之惠斯同電橋電路之輸出 電壓,使探針4接觸特定之電極墊pD。並且,在圖丨之構 成中’顯示使用―組探針4之構成’但亦可採用使用複數 組探針之構成。藉由使用複數組之探針,可以並排地檢 測輸出信號。 其次,設定從揚聲器2所輸出之測試音波(步驟S2a)。 具體而言,控制部20經由輸入輸出介面15接收來自外部 之輸入資料之輸入。然後,控制部2〇控制揚聲器控制部 3〇,並根據輸入資料對揚聲器控制部3〇做出指令,使得 110115.doc 14 1290625 從揚聲It 2輸出所希望之頻率及所希望之聲壓之測試音 波。然後,從揚聲器2向檢測晶片τρ輸出測試音 S2b) 〇 、、使用麥克風3檢測從揚聲器2給予檢測晶片TP之 s波(步驟S3)。用麥克風3所檢測之測試音波,在信 〜周正35轉換.放大為電壓信號,輸出至控制部。 ,2次,控制部20解析、判定從信號調整部”輸入之電
β U 定所希望之測試音波是否到達(步驟S4)。 在步驟S4,若控制部2〇判定是所希望之測試音波時, 進入下-步驟S5’測定檢測晶片之特性值。具體而言, 根據經由探針4所傳遞之電氣信號,以測定部乃測定特性 值(步驟S5)。 具體而言,藉由從揚聲器2所輸出之疏密波之測試音沒 之到達亦即空氣振動,㈣晶片之微小構造體之可動旬 =作°根據該動作而改變之微小構造體之3轴加速度感須 &之電阻值之變化’可根據經由探針4所給予之輸出電愚 進行測定。 另-方面,在步驟S4’若判定為並非所希望之測試音 波時,再次返回步驟S2a ’重新設定檢查音波。此時,控 制部20對揚聲器控制部3〇進行指彳,以便對揚聲器控制 部30進行測試音波之修正。揚聲器控制部3〇, 控制部觀指令’微調頻率及/或聲壓使成為所希;之到 试音波’而從揚聲器2輸出所希望之測試音波地進行控 制。亚且,在本例中’對檢測測試音波、修正成 110115.doc 1290625
望之測試音波之方式進行說明,但所希望之測試音波預 先到達檢測晶片之微小構造體之情形,亦可採用 設置測試音波之修正機構及修正測試音波之方::別 成。具體而言’在檢查開始前預先實行步驟❿〜以:: 理’在揚聲器控制部30記憶用於輸出所希望之測試音: 之已修,之控制值。然後,在實際之微小構造體之:查 時,揚聲器控制部30用言亥記憶之控制值控制向揚聲器」之 輸入,藉此亦可省略上述檢查時之步驟“及以之處理。 其次,控制部20判定所測定之特性值、亦即測定資料 是否為容許範圍(步驟S6)。在步驟S6,判定為是容許範 圍時定為合格(步驟S7),實行資料之輸出及保存(步驟& S8)。然後,進入步驟S9。例如,在控制部2〇,作為判定 容許範圍之一例,藉由判定是否應答從揚聲器2所輸出之 測試音波之聲壓而得到所希望之輸出電壓,或更具體而 言,應答從揚聲器2所輸出之測試音波之聲壓變化,3軸 加速度感測器之電阻值是否呈線形變化,亦即是否得到 圖7中所說明之線形關係,可以判定該晶片是否具有合適 之特性。此外,關於資料之保存,雖未圖示但根據來自 控制部20之指令,記憶於設在檢查裝置5内部之記憶體等 記憶部中。 在步驟S9,若沒有下一個要檢查之晶片時,則結束微 小構造體之檢查(步驟S 1 0)。 另一方面,在步驟S9,若尚有下一個應該檢查之晶片 時,則返回最初之步驟S 1,再次實行上述之檢查。 H0115.doc -16- ^0625 此處,在步驟86,控制部2〇若 即測定㈣為不在料範料 之特性值亦 行再檢查(步驟S12)。具體而今:合袼(步驟S11),進 判定為容許範圍外之晶片,'再檢查,可以去除 外之晶片,亦可分乌 < p使判定為容許範圍 J刀馬複數種。亦即切 件下不能達到標準之晶片, ::在嚴格之檢查條 際上出廠也沒有問題之晶片也存寺實 精由再檢查專實行上述分類πΎ 結果出廠。 J Μ片,並根據選別 二乍:作為一個例子,對應答3軸加速度感測 μ電Γ二ΠΓ電壓檢測設於3軸加速度感測器上之 明阻70件之f阻值之變化’進行判定之構成進行說 月,但並不特別限於電阻元 ^ Φ^ 木用檢測電容元件 ri 4之阻抗值之變化或根據阻抗值變化之電 二電流•頻率、相位差、延遲時間及位置等之變化: 4亍妾]疋之構成。 圖10係說明應答於從揚聲器2所輸出之測試音波 加速度感測器之頻率應答之圖。且在此處顯示封褒後之 共振頻率特性。圖8亦相同。 圖1〇係顯示給予聲壓為i Pa(帕斯卡)之測試音波,使其 頻率4化時從3軸加速度感測器所輸出之輸出電壓。縱軸 表示3軸加速度感丨則器之冑出電壓(mV),#軸表示測試音 波之頻率(Hz)。 曰 此處’特別顯示對X軸方向所得到之輸出電壓。 110115.doc -17- 1290625 如圖10所示’顯示有2個區域Α、Ββ具體而言,顯示 有共振頻率區域A、與非共振頻率區域Β。 參照圖!。,輸出電屋最大之頻率,亦即能得到藉由共 振而變化之最大輸出電麼之頻率相當於共振頻率。於圖 10中,對應該輸出之頻率約為600Hz。亦即,與上述3軸 加速度感測器之x軸之頻率特性幾乎一致。 因此,:如,可以從藉由使㈣一定而改變測試音波 之頻率所知到之輸出電壓特性,特定#玄 特定之共振頻率是否為所希望之頻率,比較該 之/、振頻率,可判定其是 否為所希望之共振頻率。本例中雖僅圖示了X轴,伸同樣 Y軸及Z軸亦可得到同樣之頻率特性,因此可以評價在3 軸各自之加速度感測器之特性。 例如,共振頻率之共振點在6嶋以外之頻率共 H於在㈣不料到合適且料望之頻率,因此也 〇 為不良亦即由於係微小構造體,外觀檢查尤其 困難Τ以猎由使測試音波接觸内部之構造破壞 Γ小'造體之可動部之裂縫等進行檢查。此外在 处對由取大之輸出電壓特定共振頻率之情形 明,心聽可動部達到最大之變位量。因此,得到最 大之k位里之頻率相當於共振頻率。藉此,可以由最 =變位量特定共振頻率,與上述同樣地比較是 望之共振頻率,進行不良判P 厅希 另外,亦可使用例如區域B之頻率 率區域),使測試音波之聲壓變化,從輸出結果 110115.doc 1290625 加速度感測器之靈敏度、偏移等之檢測檢查。 再者,本例中對經由探針4對1個晶片τρ進行檢查之方 式進行了說明,但由於測試音波是均勻地擴展,故可以 對複數之晶片並排地實行同樣之檢查。另外,由於測試 音波之頻率及聲壓之控制較為容易,與進行空氣流量控 制等之構成相比較,可以使裝置之構成作為簡易且容易 之構成。
如上所述,藉由依照本實施形態丨之檢查方法及檢查裝 置之構成,可以用控制疏密波之音波之簡易方式從微小 構造體之可動部之動作高精度地檢查微小構造體之特 性。 此處’上述係對輸出測試音波,以檢查微小構造體< 可動部之特性之方式進行說明’以下則對實行上述檢^ 時,實行微小構造體與檢查裝置之電性連接之探針卡3 構造進行說明。 < 圖11係說明在檢I時與微小構造體《電極塾電性結^ 之依照本發明之實施形態之探針卡6之圖。 構:發:之探針卡,並不限定於如圖11所示之卡片^ 籌件。如下所述’亦可為包含揚聲器2及其罩 V本發明中具有用於電性連接於微小構造體之電㈣ 叩之探針4,將探針續進行對準控制以定位 ^ 構造體稱作探針卡。 塾D_< 參照圖U,依照本發明之實施形態之探針卡6 _ 固定且電性結合複數之探針4之電路基板咖、接 110115.doc -19- 1290625 路基板之麥克風3及揚聲器2。此處,作為一例,在電路 基板之中央部設有開口區域。並且,以從電路基板 100之上面部經由開口區域向晶圓之微小構造體之晶片 TP之可動部輸出測試音波之方式配置揚聲器2。麥克曰 設於電路基板之下面部。 通常’與探針電性結合之檢查用電極之電極塾,如圖2 所示形成於晶片TP夕R、真 ° 、 曰月ΓΡ之周邊區域。因此,藉由在由探針所 圍成之區域内設詈Ρ ^ 〇 ^ , , u 罝開 £域,並在其上配置揚聲器2,可 以從微小構造體之可動部之正上方輸出測試音波。並 且,作為-例探針突出於開口區域地配置。藉由
成’即使微小構造體 A 、體之松查用電極之正上方為開口區域 時亦可使用突出之探針與檢查用電極正確地接觸。 另外’㈣之至少前端’以垂直接觸微小構造體之檢 一用電極之方式形成。藉此,只於垂直方向(圖3之Z軸方 向)把加針壓,可以抑制對水平方向(圖3之X軸方向或, 方向)施加針壓,抑制下述源於針壓之干擾。 另^ ’於日日日圓10之下部’設有真空吸附且可以搬送晶 °之σ 60。另外,雖未圖示但設有將探針卡6 晶圓之特定位置上之對準調整機構。 藉由上述構成’探針卡6之探針4之對準調整時,同時 亦進行揚聲器2及麥克風3之對準調整,因 ::地進行對準調整,作業效率提高。另外, 查壯=整上述元件時,需要分別設置調整機構,因此檢 -衣置之成本增加’且由於必須分別控制,故需要複雜 H0115.doc -20· 1290625 之控制。 藉由使用本申諸亲M々 高,案構成之探針卡,可以使作業效率据 同亚削減調整機構之成本賓放羊、 可以使檢查裝置之成 〗亦間易地進行’因此 i心成本整體降低。 其次,對探針卡6之構造進行說明。 圖係說明在加速度感 檢查用電極時之丘振頻^針之别端屢接於 廿 了 搌頻率之變化之圖。 j轴表示壓接探針之前端的探針卡6之變 不微小構造體之共振頻率 縱軸表 ㈣^田 頌丰之測里值。隨著屋接探針之前 鈿的邊位置增大,針壓值亦增大。 參照圖12 ’針壓越增加,共振頻率越降低。這表示因 針壓之影響,裝置之頻率特性產生變化。 ,尤,如MEMS裝置般具有可動部之微小構造體之产 形’藉由接觸探針4,可動部之動作產生變化,亦即心 裝置之應答特性產生變化之可能性。藉由接觸㈣ 生之影響中有/個要因。第卜係振動經由探針4傳遞給微 h構逅體,藉此測試音波以外之振動之影響被疊加。第· 2,係藉由探針4之針壓對微小構造體施加多餘之應力, 被小構造體之可動部之動作產生變化。 因此,高精度之測量、亦即測量裝置原本之應答特性 上,為了去除前者之影響,宜使不從探針4傳遞振動,且 為了去除後者之影響,宜儘可能地減小針壓,或限定針 壓之方向使微小構造體不變形。 為了排除前者之影響,如後所述,可以採用在電路美 110115.doc -21 - 1290625 :1〇〇上用由防振材所形成之支持構件支持揚聲器2之構 成:另:’作為載置於本實施形態之構成之電路基板上 m揚聲器2 ’可以使用無機械振動地輪出测試音波之揚聲 /如作為揚聲器2可以使用藉由加熱使空氣膨服壓 縮:以輸出聲音之熱聲引擎。藉由該構成不會從揚聲器2
向探針4傳遞機械振動。因此可以抑制干擾之影響,實行 高精度之檢查。 若為了減小接觸探針4之應力對微小構造體之影響,減 小針壓時,則探針4與電極墊PD之間之接觸電阻就會增 加。針壓之應力與接觸電阻為二律背反之關係。因此, 依照本發明之實施形態之檢查方式,藉由利用熔結現象 來抑制針壓之影響。另外,所謂熔結現象係指若對形成 於金屬(本發明中為電極墊)表面上之氧化膜所施加之電 位梯度達到1〇5〜106 v/cm,則藉由氧化膜之厚度及金屬組 成之不均勻性,電流會流動,破壞氧化膜之現象。 圖13係對依照本發明之實施形態之檢查部25與檢查用 電極PD之連接進行說明之圖。 參照圖13 ’依照本發明之實施形態之測定部25,包含 溶結用電源50與測定單元4〇。另外,在探針卡6之電路 基板100上’具有分別接觸於晶片之複數電極墊PD的— 對探針4與分別連接於各探針4之繼電器45 ;經由繼電器 45在測定單元4〇與熔結用電源5〇之間切換連接一對探針 4 〇 110115.doc -22- 1290625 」疋單元40 ’具有驅動器4丨與比較器42,且構造成從 驅動裔4 1輸出檢查用信號,藉由比較器42可以比較判定 …果並且,此處,顯示在一對探針上連接2個驅動器 及2個比較器之構成,但亦可採用連接1個驅動器及1個比 較器之構成。 本只施形恶之測定部2 5,藉由從熔結用電源5 〇向j對探 針4之間供給電壓,使探針4與電極墊PD之間產生熔結現 象,減小採針4與電極墊1>£)之間之接觸電阻。藉由利用 熔結現象減小接觸電阻,可以降低探針4之針壓。 採針4之柔度特性(可撓性)宜高。探針4之前端距基板 1〇之高度精確而言並非一定,存在每個探針4都略有差別 之情形。探針4之前端高度之均一精度與探針卡6之製造 成本具有折衷選擇(trade_off)關係。吸收探針4前端之高 度差異,使所有探針4接觸電極墊時,若探針4之柔度特 性同,則每個探針4之針壓之差別就小。藉由提高柔度特 性,即使探針4之前端之高度有差異,亦可使其針壓幾乎 一定。 另外’構造成檢知探針4之前端接觸電極墊pE),並從 該點開始使探針4向電極墊PD壓下僅預定長度(稱作過驅 動量)。尤其在如MEMS般於基板10上形成立體構造之加 工中,要將基板10之表面保持於完全的平面有其困難, 每個晶片TP高度都略有差別。藉由檢知探針4之前端接觸 電極墊PD,以預定之過驅動量壓下探針4,即使每個晶 片TP咼度不同,亦可使每個晶片τρ所測定之針壓一定。 110115.doc -23- 1290625 於檢知探針4之前端接觸於電極墊1>〇上,例如有··萨 由田射/則ΐ儀〉則定探針卡與電極塾pD之距離之方法、藉 由從探針4之前端與電極墊PD之影像中得到形狀,以二 =接觸狀態之方法、或藉由用於熔結之成對的探針4間之 包阻义化,進行檢知之方法等。藉由成對的探針*間之電 阻變化進行檢知時,可以由電阻從極大之開放狀態,因 成對探針4接觸於丨個電極墊pD而變小之現象來檢知。 如此,可以吸收基板10上之每個晶片TP之高度差與探 針^端之南度差’在針壓_定之條件下進行微小構造體 之檢查。 進行微小構造體之檢查時,首先,使一對探針4分別接 觸各電極墊PD後,經由繼電器45連接一對探針4與熔結 用電源50。並且,使探針4之至少前端,最好從垂直方向 接觸裝置(即各電極墊PD)。因為使探針從斜向接觸時, 存在針壓之影響顯現於X軸及Y軸之可能。 如别所述’檢知探針4之前端接觸電極墊PD後,從該 ”、、占開始,使探針4僅向電極墊pd方向移動預定之過驅動 里^使針壓保持一定之較小值。預先將過驅動量訂定為 適當的值,以縮小探針4與電極墊PD之接觸電阻,且將 因採針4之針壓所引起之應力抑制到可以無視之程度。對 於基板10之所有晶片τρ,藉由使探針4接觸後僅變位預先 所訂定之過驅動量,使給予晶片ΤΡ之影響為最小,每個 晶片ΤΡ都可以相同之條件進行檢查。 其次’從炫結用電源50向一對探針4中之1探針4施加電 110115.doc -24- 1290625 :、:然後,緩慢升壓’則藉由根據施加於—對探針之電 c差所產生之熔結現象,破壞一對探針4之間之氧化膜, 而在一對探針4間流通電流,探針4與電極塾?1)間電性導 通。然後,經由繼電器45,使一對探針4從炼結用電源5〇 切換到測定單元4〇侧’而與測定單元4()電性結合。本例 中,對使用繼電器45實現熔結用電源5〇與測定單元利之 間:切換之構成進行說明,但並不限於此,亦可代替繼 電器45,使用半導體開關實行切換。 然後,經由探針4從測定單元4〇向電極塾?]3施加檢查 用信號,實行晶圓之特定檢查。此種利用熔結現象之情 形,可以將探針4與電極墊PD間之針壓設定於極低,無 損傷電極㈣之虞,可以進行可#性高之檢查。 (實施形態2) ±上述實施形態中’對可使用無振動型熱聲引擎作為揚 聲器2此點進行了說明,但並不限於此,例如亦可使用一 般之機械振動型揚聲器。 圖14係說明依照本發明之實施形態2之探針卡之構造之 圖。 參照圖,此處,在電路基板1〇〇上載置有揚聲器 2。此處揚茸為、2,藉由支持構件被支持於電路基板100 上,且可以用防振材料(防振材)70形成支持構件。藉 此可以防止來自揚聲器2之振動傳遞給電路基板,而實 行尚精度之檢查。作為防振材料70,可以使用矽橡膠或 樹脂等。 ^ 110115.doc -25- 1290625 圖14(b)係說明沿電路基板1〇〇之開口區域設有用防振 材料所形成之支持構件之情形之圖。 乂 圖14(c)係對於支持構件藉由削減電路基板ι〇〇與揚聲 ^ 2之接觸面積而進—步防止振動傳遞之構成。此處,續 示用4點之防振材7〇a支持揚聲器2之情形。 ’'、、 (實施形態2之變形例!) 圖1 5係說明依照本發明之實施形態2之變形例丨之探 卡之構造之圖。 參照圖15(a),此處,在電路基板1〇〇上用由防振材料 斤^成之支持構件支持揚聲器2,且如圖丨5(b)所示沿開 口區域在電路基板100與揚聲器2之間設置有防音構件(防 音材)80。藉此,可以防止測試音波漏洩到開口區域以外 之。卩分,亚去除外部所產生之聲音(噪音)之影響,輸出 指向性強之測試音波。 (實施形態2之變形例2) 圖16係說明依照本發明之實施形態2之變形例2之探針 卡之構造之圖。 參照圖16(a),此處在電路基板1〇〇上載置有揚聲器2。 此處揚聲器2用支持構件75支持於電路基板1〇〇上,且可 以用防振材料形成支持構件。此處作為支持構件,可使 用如圖16(b)所示以複數點支持揚聲器2之點支持構件 75a。此處以4點支持。藉此,揚聲器2與電路基板1〇〇之 接觸面積由於變得更小,因此可以進一步防止來自揚聲 裔2之振動傳遞給電路基板,實行高精度之檢查。 110115.doc -26 - 1290625 (實施形態2之變形例3) 圖17係况明依照本發明之實施形態2之變形例3之探針 卡之構造之圖。 ^多…、圖17(a) ’此處在電路基板1〇〇上用由防振材料所 ^成之支持構件支持揚聲器2,且如圖17(b)所示沿開口 品域在電路基板丨00與揚聲器2之間設置有防音構件。藉 此可以防止測試音波漏洩到開口區域以外之部分,輸 出指向性強之測試音波。 則 •(實施形態2之變形例4) 圖18係沉明依照本發明之實施形態2之變形例*之探針 卡之構造之圖。 參照圖18,依照本發明之實施形態2之變形例4之探針 在囷14中所就明之探針卡之構成上,進一步設置將 2揚耳裔2所輸出之測試音波集音後輸出之集音部。集 曰。"5 ’在基板與探針卡之間沿探針卡之開口區域之周 • 圍叹置,以便使測試音波在基板與探針卡之間不產生漏 洩而集中於微小構造體之可動部。集音部85,例如與逆 向安裝味卜八之構成相同,可以輸出指向性強之測試音 波。 另卜集曰邛85兼作探針4之支柱(固定台座)。探針4 P使由木度同(可撓性)之材料所構成,支柱部亦不易變 ^ 口為彳木針4之懸臂構造之支點接近基板,所以探針4 ^ 4端之%:位方向幾乎垂直於基板1 〇。因此,如果相對 探針卡沿與基板面相垂直方㈣動基板i 〇以便使探針4與 110115.doc -27- 1290625 基板10接觸,即使使探針4之前端接觸基板10,甚至使其 變位前述之過驅動量,亦只對基板1 0之表面產生垂直方 向之應力。其結果,可以在對微小構造體不施加基板方 向之應力之狀態下,進行微小構造體之檢查。
此外’亦可採用在探針卡上設置複數組之揚聲器2、開 口區域、集音部85、探針4之組,可同時進行基板i 〇〇之 複數個晶片TP之檢查之構成。此種情形時,因為由各自 之集音部85遮蔽進行檢查之晶片τρ間之測試音波,所以 複數個晶片TP可互不干涉地同時進行檢查。 (實施形態2之變形例5) 圖1 9係说明依照本發明之實施形態2之變形例$之探針 卡之構造之圖。 參照圖19(a) ’此處’揚聲器2藉由支持構件懸掛於電 路基板100上地被固定。具體而言,在電路基板1〇〇上設 置有覆蓋揚聲器2且與電路基板1〇〇相接合之構件90(罩 體)’且從構件90之上方藉由電纜[懸掛揚聲器2。 藉由該構成,揚聲器2由電纜^斤支持’因此接觸面積 小,振動難以傳遞。由此可以進-步防止來自揚聲器2之 振動傳遞給電路基板,實行高精度之檢查。 圖19〇?)係調整電纜L之長度使揚聲器2靠近開口區域 近之情形之圖。藉由採用上述構成…抑制測試音 之漏戌,從開口區域輪出指向性高之測試音波。 再者,如圖19(c)所示,葬由、、, 電路基板之間設置防心: 域在揚聲器2 罝防曰構件70,亦可抑制測試音波之 110115.doc 28 1290625 洩,輸出指向性高之測試音波。 (實施形態3) 圖20係說明依照本發明之實施形態3之探針卡之構造之 圖。 參照圖20,依照本發明之實施形態3之探針卡,與圖14 中所說明之探針卡之構成相比較,其不同點在於:在電 路基板10上設置構件90以覆罩揚聲器2、及在防振材70與 揚聲器2之間進一步設置不同於防振材之其他構件7丨。此 處’其他構件7 1亦可使用較防振材70硬度高之材料、例 如陶瓷材料或木材等。並且,該構件7 1並不僅限於上述 陶瓷材料等,可以使用各種材質,但最好使用絕熱性或 熱傳導係數低之材質。 藉由該構成,可以將揚聲器2載置於硬度較高之材料 上,因此可以穩定地固定揚聲器2。 並且’此處,對在電路基板1〇〇與揚聲器2之間,按防 振材70及構件71之順序設置之構成進行了說明,但亦可 顛倒防振材70及構件7 1之設置順序。 另外,此處,對設置1組防振材7 〇及構件7丨之構成進行 了說明,但並不僅限於此,當然亦可例如疊合複數組之 防振材及構件。 亚且’本例中’以覆罩揚聲||2之方式設有與電路基板 100接。之構件9〇(罩體),因此可以防止伴隨揚聲器2之 振動,輸出到揚聲器2後方側之聲音的繞回。藉此,可以 抑制後方側之測試音波之繞回’提高測試音波之控制 110115.doc • 29- 1290625 性。 (實施形態3之變形例) 於上述依照實施形態3之構成中,單純地對以覆蓋揚聲 器2之方式在電路基板1〇〇上設置構件9〇(罩體)之構成進 行說明,但亦可採用使構件(罩體)與揚聲器2作為一體設 於電路基板100上之構成。 圖21係說明依照本發明之實施形態3之變形例之探針卡 之構造之圖。 參照圖2 1,依照本發明之實施形態3之變形例之探針 卡,與圖20中所說明之探針卡之構成相比較,其不同點 在於將構件(罩體)90置換成構件(罩體)9〇#。構件9〇#, 作為一例,設置成具有與電路基板1〇〇之開口區域相同之 開口區域之箱型形狀。然後,防振材7〇及構件71,在形 成為箱型形狀之構件90 #之内部接合。並且,構件7丨之 上面載置有揚聲器2。亦即採用揚聲器2收納於箱型形狀 之構件(罩體)90之内部之構造。 藉由上述構造,可以防止伴隨揚聲器2之振動輸出到揚 聲器2之後方侧之聲音的繞回。藉此,可以抑制後方侧之 測試音波之繞回,提高測試音波之控制性。並且,本構 成中,箱型形狀之構件(罩體)90設置成可以安裝於電路 基板100上或從電路基板100上拆卸。 藉此,可獨立地成型收納於構件9〇内部之揚聲器側、 與設置於電路基板100上之探針側,因此亦可以高速或有 效率地量產。 110115.doc •30· 1290625 (實施形態4) 本實施形態4,對將測試音波有效率地施加給作為測定 對象之裝置群之方式進行說明。亦即,對電路基板1〇〇之 開口區域之位置與作為測定對象之裝置之對準進行說 明。 圖22係說明依照本發明之實施形態4之測定對象裝置與 開口區域間之位置關係圖。 參照圖22⑷’此處,顯示探針卡及敎裝置群11之侧 視圖。在依照本實施形態4之構成中,測定裝置u,配置 成垂直於探針卡之開口區域PCWD之開口面之中心軸通 過測定裝置11之中心。 圖22(b)顯示探針卡及測定裝置群丨丨之俯視圖。具體而 言’揚聲器2載置於防振材7〇上。另外,防振材川,沿揚 聲器2之形狀設為圓形,防振材7〇之開口區域vwd呈圓 形形狀。另外,電路基板1〇〇之開口區域’設置成四方形 狀之開口區域PCWD。並且,此處,作為—例,顯示正 方形狀之開口區域。 並且,本例中,將測定裝置群11配置於開口區域之中 u軸所通過之位置上。具體而言,如圖22所示,測定裝 置群11集合了 3X3之複數個晶片之情形,”心軸通過其 中心之晶片之方式設置。並且,此處,對由複數之晶片、 所構成之測定裝置群i i進行了說明,但並不僅限於此, 在單一晶片之情形下亦可同樣適用。具體而言,對於單 一晶片,以開口區域之中心軸通過單一晶片之方式配 110115.doc -31- 1290625 置。 藉此,可以將從揚聲器2所輸出之測試音波有致率地施 加給測定裝置群11。 下面對使用複數個揚聲器2之情形下之對準進行說明。 圖23係說明依照本發明之實施形態4之變形例之測定對 象裝置與開口區域之位置關係圖。此處,作為一例,對 使用4個揚聲器2,且將揚聲器及開口區域設置為正方形 之情形進行說明。 , 參照圖23(a),此處,顯示探針卡及測定裝置群丨丨之側 視圖。 圖23(b)顯示探針卡及測定裝置群η之俯視圖。此處, 顯示有4個揚聲器2a〜2d。 將對應各揚聲器2a〜2d之電路基板之開口區域之中心軸 定為Sa〜Sd。並且,本實施形態中,在由各中心軸Sa〜Sd 所圍成之區域面之中心軸所通過之位置上配置測定裝置 群11。 藉此,從電路基板之各開口區域到測定裝置群丨i之距 離設定為相同。亦即,因為從各揚聲器2a〜2d均等地對測 定裝置群11施加測試音波,所以可以有效地將測試音波 施加給測定裝置群丨i。並且,此處,對由複數之晶片所 構成之測定裝置群11進行了說明,但並不僅限於此,單 一晶片之情形亦可同樣適用。具體而言,對於單一晶 片’將單一晶片配置於由各中心軸Sa〜Sd所圍成之區域面 之中心軸所通過之位置上。 110115.doc -32- 1290625 並且,本例中,主要對3軸加速度感測器進行了說明, 但並不僅限於此,即使其他]VJEMS裝置,藉由對微小構 造體之可動部施加依照本實施形態1及2之測試音波,亦 可得到與3軸加速度感測器同樣之效果。 本次所揭示之實施形態應認為在所有點上僅為例示, 而非限制。本發明之範圍並非上述之說明,而是由申請 專利範圍所揭示,意圖包含與申請專利範圍均等之含義 及範圍内之所有變更。 【圖式簡單說明】 圖1係依照本發明之實施形態丨之微小構造體之檢查系 統1之概略構成圖。 圖2係3軸加速度感測器之俯視圖。 圖3係3軸加速度感測器之概略圖。 之重錐體與樑 圖4係說明受到各軸向的加速度之情形下 之變形之概念圖。 • ^ 5(a)、⑻係對各軸所設置的惠斯同電橋之電路構成
輸出應答之圖。 之相對於傾斜角之
加速度(輸入)與感測器輸出之關係
方法進行說明之流程 加速度感測器之頻率特性圖。 之實施形態1之微小構造體之檢查 110115.doc -33- 1290625 之 _係說明對從揚聲器2所輸出之測試音波進行應欠 3軸加速度感測器之頻率應答圖。 圖"係說明在檢查時與微小構造體之 之依照本發明之實施形態之探針卡6之圖。以生、、、“ 圖12係說明在加速度感測器 肝保針之則端壓接於 ^查用電極之情形下之共振頻率之變化圖。 圖13係說明依照本發明實 只%形恕之檢查部25與檢查 用電極PD之連接之圖。 圖η⑷〜⑷係說明依照|發明之實施形態2之探 構造之圖。 圖15⑷、(b)係說明依照本發明之實施形態2之變形例玉 之探針卡之構造之圖。 圖16(a)、(b)係說明依照本發明之實施形態2之變形例二 之探針卡之構造之圖。 圖1 7(a) (b)係說明依照本發明之實施形態2之變形例3 之探針卡之構造之圖。 圖18係說明依照本發明之實施形態2之變形例4之探針 卡之構造之圖。 圖1 9(a)〜(c)係說明依照本發明之實施形態2之變形例5 之探針卡之構造之圖。 圖20係說明依照本發明之實施形態3之探針卡之構造之 圖。 圖21係說明依照本發明之實施形態3之變形例之探針卡 之構造之圖。 110115.doc -34 - 1290625 圖22(a)、(b)係說明依照本發明之實施形態4之測定對 象裝置與開口區域之位置關係圖。 圖23(a)、(b)係說明依照本發明之實施形態4之變形例 之測定對象裝置與開口區域之位置關係圖。 【主要元件符號說明】 2 、 2a〜2d 3 4 5 6 10 11 15 20 25 30 35 40 45 50 60 70 > 70a
75 、 75a 檢查系統 揚聲器 麥克風 探針 檢查裝置 探針卡 基板 測定裝置群 輸入輸出介面 控制部 測定部 揚聲器控制部 信號調整部 測定單元 繼電器 溶結用電源 台 防振材(防振材料) 點支持構件 110115.doc -35- 801290625 100 防音材 電路基板
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Claims (1)

1290625 十、申請專利範圍: 1.種仏針卡’其特徵在於:其係與評價機構相連 該評價機構係評價具有形成於基板上之可動部之至少^ 個微小構造體之特性者;包含: 於測试時為了檢測根據形成於基板上之可動部之 而產生之電氣變仆旦 y丄 勒作 構造體之檢杳用電二;、形成於前述基板上之前述微小 一用電極電性連接之探針;及 用於向料微小構造社可動部輸丨測試音波 1個曰波產生機構。 2 ·如請求項1之糯私 產生機構所輪出U進一步包含檢知從前述音波 〗出之别述測試音波之麥克風丨且 生:構所檢知之結果’調整從前述音波產 之别述測試音波之特性。 動^^卜針卡’其中前述音波產生機構,藉由機 4. 如請求項3之振動動作輸出前述測試音波。 引擎,該敎声,其中前述音波產生機構包含熱聲 而輪出前述根據由熱所產生之空氣之膨服壓縮 5. 如請求項1之探針+ _ 之固定構件;且則述探針卡係包含固定前述探針 前述固定播 造體之可氣β 4包括從珂述音波產生機構對前述微小構 6·如請求項?探輪:前述測試音波之開口區域。 械振動動作^1針卡’其中前述音波產生機構,藉由機 軔作輪出前述測試音波;且 11〇115.doc ^90625 w _ ά針卡’相對於前述固定構件進-步包含用於載 置2述音波產生機構之支持構件; 振=支持構件包括抑制前述音波產生機構的振動之防 ΓΙ::6之探針卡’其中前述支持構件,包含於複數 、月〗述曰波產生機構之複數之點支持部。 項6或7之探針卡,前述探針卡係進—步包含防音 9 、皮產i ^ ^ ^ 口 ^域設置於前述固定構件與前述音 件=構之間,俾使前述測試Μ不會於前述固定構 件^述音波產生機構之間漏茂。 之探針卡’其中前述支持構件,包含設置於 二 前,件之間之至_ 一多、早7^,則述第1及第2支持構件單元中之 則由較^單^防振材料所形成,另—支持構件單元 區域而以 中前述探針,相對於前述開口. 微小構造m針卡’其中前述探針之前端’以對前述 12.如㈠ 電極垂直地接觸之方式形成。 °月,項1之探針卡,其中前述音 械振動動作輸出前述測試音波;i生拽構,猎由機 前述探針卡,包含·· 口定$述探針之固定構件;及 用;j主、,、、 寻則述音波產生機構之支持構件; 110115.doc 1290625 =述固定構件,包括從前述音波產生機構對前述微小 k體之可動部輸出前述測試音波之開口區域; 則述支持構件,將前述音波產生機構懸掛於前述固— 、構件之前述開口區域上地支持。 疋 3长項12之探針卡,其係進一步包含防音材, 枯於、+、7 9 柃σ 1 a開口區域設置於前述固定構件與前述音波產生 K冓之間,俾使前述測試音波不會於前述固定構件盘 述音波產生機構之間漏洩。 /、IJ 14·2求項5之探針卡,其係、進—步包含用以在前述開口 件外之區域覆蓋前述音波產生機構且與前述固定構 卞将δ之罩體。 15· 了=項5之探針卡’其中形成於前述基板上之前述微 小構㈣,配置於前述開口區域之中心軸通過之位 上。 1 16 ·如睛求項$ 構; 木叶卡,其係包含複數個前述音波產生機 :述固疋構件’分別對應於前述複數個音波產生 :二且包括從各前述音波產生機構對前述微小構造體 >、°卩輪出前述測試音波之複數個開口區域; ::於前述基板上之前述微小構造體 稷數個開口區 ^ φ 戈之各開口區域之中心軸所圍之區域面之 中〜軸通過之位置上。 1 7 ·如請求項5 $ γ &上 、, 件,該隼立木、’ ,W述探針卡進一步包含集音構 構件沿前述開口區域之周圍設置於前述基板 110115.doc
1290625 與前述探針卡之間,以便使前 前述探針卡之間不產生漏茂而集中於大前曰述基板與 18·如請求項17之探針卡,苴中前……動部。 針之固定構件之一部分。 疋則江抓 19.如請求項1之探針卡,其係進— 银条二处义 少匕s利用溶結(fritting) 現象而使㈣探針與前述檢查 20 ^ s ^ %征守逋之導通機構。 .°月求項之探針卡,其中前述導通機構,包含. =結用電源u於在檢查前向前述檢㈣電極施加 笔堅’以引起前述溶結現象者;及 乂切換電路’係在引起前述檢查前之前述溶結現象時與 引述溶結用電源連接,且在前述檢查時與外部之檢查裝 置連接者。 —~ 21· 微小構造體之檢查裝置,係與評價機構相連接,該 評價機構係評價具有形成於基板上之可動部之至少i個 微小構造體之特性者;包含: 晴求項1至2〇中任一項之探針卡;及 與W述探針卡連接,用於評價前述微小構造體之特性 之評價機構; 刖述坪價機構,經由前述探針檢測應答由前述音波產 生杜;構所輪出之前述測試音波的前述微小構造體之可動 部之動作’並根據檢測結果評價前述微小構造體之特 性。 110115.doc
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