[go: up one dir, main page]

TWI289365B - Wafer scale image module - Google Patents

Wafer scale image module Download PDF

Info

Publication number
TWI289365B
TWI289365B TW094134100A TW94134100A TWI289365B TW I289365 B TWI289365 B TW I289365B TW 094134100 A TW094134100 A TW 094134100A TW 94134100 A TW94134100 A TW 94134100A TW I289365 B TWI289365 B TW I289365B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
image module
photoreceptor
lens group
wafer level
level image
Prior art date
Application number
TW094134100A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200713622A (en
Inventor
Peter Zung
Hsiao-Wen Lee
Tzu-Han Lin
Original Assignee
Visera Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Visera Technologies Co Ltd filed Critical Visera Technologies Co Ltd
Priority to TW094134100A priority Critical patent/TWI289365B/zh
Priority to US11/528,461 priority patent/US7592680B2/en
Priority to JP2006267306A priority patent/JP5141859B2/ja
Publication of TW200713622A publication Critical patent/TW200713622A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI289365B publication Critical patent/TWI289365B/zh
Priority to US12/539,309 priority patent/US8524521B2/en
Priority to JP2011169401A priority patent/JP5345186B2/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026Wafer-level processing
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)

Description

1289365 九、發明說明: 、【發明所屬之技術領域】 ° 本發明係與影像模組有關,特別是指一種晶圓級影像 模組的組裝方法、影像模組結構及其組裝設備。 5【先前技術】 如第十二圖所示,係為一般常見的CMOS影像模組 (8〇),其主要係利用一鏡片座(Lens Holder)(81)罩設於一感 > 應晶片(82),鏡片座(81)設有一可旋轉之鏡片筒(Lens
Barrel)(83)’鏡片筒(83)中央設有一透鏡組(84),當透鏡組(84) / 1〇成像於感應晶片(82)時,藉由旋轉鏡片筒(83)可以改變透鏡 -組(84)與晶片(82)之間的距離,進而使光線聚焦於感應晶片 (82)。 如第十三圖所示,亦有另一種如W02004/027880號專 利案所述之影像模組,其包含有一影像擷取件(1〇3)以及一 15透鏡組(111、127),透鏡組(111、127)係呈堆疊狀地與影像 | 擷取件(103)相互貼合,使光線可經由透鏡組(ln、127)成像 於影像擷取件(103),而該專利案之特點在於,影像擷取件 (103)與透鏡組(m、127)皆係利用積體電路製程所製造,因 : 而可縮小影像模組之體積,使影像模組適用於手機、pda 2〇等消費性電子裝置。 然而’在製造上述專利案之影像模組時,透鏡組(m、 127)常會受到製程及溫度的影響而產生變形,進而使得透鏡 組(111、127)實際製作後的成品焦距與設計理論焦距約有 0〜50μιη的誤差,當上述專利案實行時,常常無法正確地將 4 1289365 光線聚焦於影像擷取件(103),造成透鏡組(iu、127)所成像 之影像呈離焦(0ut_0f-f0cus)狀態(如第十三圖中之虛線區域 A或B),而且,當透鏡組(ln、127)設於影像擷取件(1〇3) 上的時候,也會因為二者各自都具有不同的厚度尺寸變 5異,如玻璃晶圓每片約有〇〜2〇μπι的厚度誤差,因而造成堆 疊後更不易控制透鏡組(111、127)與影像擷取件(1〇3)之間的 距離,同樣會產生透鏡組(111、127)無法正確聚焦於影像擷 _ 取件(103)之問題。s ^ ίο 【發明内容】 - 口此,本發明之主要目的乃在於提供一種晶圓級事傻 _ 额,其具有一調整件,該調整件可補償焦點偏移量 隹。 本發明之另一目的在於提供一種晶圓級影像模組之組 15裝設備,其可原地調整與測試影像模組,使影 、 _ n較佳。 观、且之成 赞目的則在於提供—種日日日81級影像模組之 Ixe方法,其可使影像模組之成像品質較佳。 為達成前揭目的,本發明所提供之晶圓級 包含有一感光器、一透鏡組,以及一調整件,該、=^ 用以感應光線而輪出電性訊號,該透鏡組仙㈣:二係 像於該感光H,而該調整件係設於域光器與如心成 =該調整件用以補償該透鏡組與該感光器之d 移篁,使該透鏡組將光線正確聚焦於誠光器/偏 稽此,本 5 1289365 發明即可利用調整件之。結^,達到使該晶圓級影像模 組之 成像品質較佳的目的。 【實施方式】 5 、,以下,茲配合圖式舉若干較佳實施例,用卩對本發明 做詳=說明,其中所用之圖式先簡要說明如下: 第一圖係本發明第一較佳實施例之剖視圖; 弟。一圖係本叙明弟一較佳實施例中所使用之組裝設 的立體圖; 10 第二圖係本發明第一較佳實施例之示意圖,主要顯示 曰曰圓級影像模組預定位於組裝設備之狀態; 第四圖係本發明第一較佳實施例之示意圖,主要顯示 晶圓級影像模組設於測試台之狀態; 第五圖係顯示成像於感光器之影像係呈離焦狀態; 15 第六圖係類同於第四圖,其中調整件係設於第一晶圓 (感光裔)與弟二晶圓(透鏡組)之間; 第七圖係顯示調整件設於晶圓級影像模組之後,感光 器之成像狀態; 第八圖係顯示成像於感光器之影像呈正焦狀態; 20 第九圖係本發明第二較佳實施例之剖視圖; 第十圖係本發明第三較佳實施例之剖視圖,·以及 第十一圖係本發明第四較佳實施例之剖視圖。 請參閱第一圖所示,係為本發明第一較佳實施例所提 供之晶圓級影像模組(10),晶圓級影像模組(1〇)包含有一感 6 1289365 光器(20)、一調整件(25),以及一透鏡組(30),該感光器(20) e 可為互補性氧化金屬半導體(Complementary Metal-Oxide
Semiconductor,CMOS),或是感光麵合元件(Charge Coupled
Device, CCD),感光器(20)可因感應到光線而輸出電性訊 5號,感光器(20)之頂側設有一可透光之間隔片(22),該間隔 片(22)主要係用以保護感光器(2〇)免於受到外界污染及水 氣侵入;該調整件(25)具有玻璃球(Glass Ball Spacer)或是纖 維材料(Fiber Spacer),調整件(25)係以濺鍍、點膠或是網印 之方式塗佈在感光器(20)之間隔片(22)頂面,調整件(25)的 1〇厚度約為1〜50μιη,其厚度係依據焦深要求及焦點偏移量而 決定;另外,調整件(25)亦可利用厚膜光阻製程設於間隔片 (22),或是直接以玻璃板製成;當然亦可製作於透鏡層(3〇) 上。 該透鏡組(30)係可利用透明UV聚合材料模製成形,或 15是以蝕刻(EtchinS)方式製成,透鏡組(30)覆設於調整件(25) 上方’使調整件(25)介於透鏡組(3〇)與感光器(2〇)之間,用 以控制透鏡組(30)與感光器(2〇)之間的距離,外界光線可經 由穿過透鏡組(30)而成像於感光器(2〇),由於透鏡組(3〇)成 像於感光器(20)之焦點偏移量約為〇〜5〇μπι,因此,當調整 2〇件(25)設於透鏡組(30)與感光器(2〇)之間時,藉由調整件 本身所具有的厚度,即可補償透鏡組(3〇)之焦點偏移量,使 透鏡組(30)之聚焦精度控制於焦深要求以内,如對於光圈值 (^Ν〇)等於2·8及感應器像素大小為3·6μιη的影像模組,其 聚焦精度要求約為1〇μιη,藉由調整件(Μ)補償光線可正:霍 7 1289365 地聚焦(in-f〇cus)於感光器(20) 〇 © §要製造上述晶圓級影像模組(10)的時候,主要係利用 一組裝設備(40)進行原地(in-situ)組裝及測試晶圓級影像模 組(10)之製造工作,卩下先針對組裝設備㈣之細部進 5 行說明。 請參閱第二至第四圖所示,組裝設備(4〇)包含有一定位 調整器(42)、一訊號擷取器(43)、一訊號處理器(46),以及 一接合器(t)〇nding)(48);定位調整器(42)包括一基座(5〇)以 及一測試台(51),基座(50)設有一可滑移之托盤(52)與一夾 1〇具單元(54),托盤(52)可相對於基座(5〇)移出或收入,藉以 取放晶圓級影像模組(10),夾具單元(54)係用以定位晶圓級 影像模組(10),並使晶圓級影像模組(1〇)置放於測試台 (51);訊號擷取器(43)包含有一探針卡(44),訊號擷取器(43) 設於定位調整器(42)之基座(5〇)内,訊號處理器(46)則電性 I5連接於訊號擷取器(43),訊號處理器(46)用以判斷晶圓級影 像模組(10)所擷取之影像訊號是否呈聚焦狀,而接合器(48) 用以結合晶圓級影像模組(1〇)之感光器(2〇)、調整件(25)與 透鏡組(30)。 η 以下將說明利用上述組裝設備(4 〇)製造晶圓級影像模 20組(1〇)之製造方法,包含有下列步驟: 步驟一 ·以積體電路製程(Integrated Circuits)製備一第 一晶圓(56),如第二圖所示,第一晶圓(56)具有多數感光器 (20),各感光器(20)具有一第一對準標記(First Alignment Mark)。 8 1289365 步驟一 1以積體光學製程(Integrated Optics)製備一第二 晶圓(58) ’第二晶圓(5幻具有多數透鏡組(30),各透鏡組(30) 具有苐一對準標記(Second Alignment Mark)。 步驟二:先將第一晶圓(56)設於組裝設備(40)之托盤(52) 5内’再使第二晶圓(58)疊合於第一晶圓(56),各透鏡組(30) 之第二對準標記對正於各感光器(2〇)之第一對準標記;接著 如第三圖所示,利用夾具單元(54)預定位(pre-bonding)第一 θ晶圓(5幻及第二晶圓(58),並且使第一晶圓(56)及第二晶圓 (58)置放於測試台(5丨),第一晶圓(56)之各感光器(2〇)對應於 ίο 探針卡(44)。 步驟四:如第四圖所示,測試台(51)帶動晶圓級影像模 組(10)電性連接於探針卡(44),同時,測試台(51)可依測試 需求而平移晶圓級影像模組(10),或使其呈傾斜狀。 步驟五:利用訊號處理器(46)接收訊號擷取器(43)之電 I5性訊號,進而得到各透鏡組(3〇)成像於各感光器(2〇)的焦點 偏移量’用以判斷感光器(20)係呈正焦(in_f〇cus)或離焦 (out-of-focus)狀態(如第五圖所示),以及區分出離焦狀態為 遠焦(far focal)或近焦(near focal)狀態。 步驟六:將托盤(52)移出基座(50),並於第一晶圓(56) 2〇及弟一晶圓(58)之間塗佈調整件(25),使調整件(25)位於各 透鏡組(30)與各感光器(20)之間,如第六圖所示,再使晶圓 級影像模組(10)電性連接於探針卡(44)。 步驟七:如是感光器(20)所產生之影像將如第七圖所示 影像品質改善,若仍呈現稍微離焦狀態時,則再重複步驟 9 1289365 六,直到所使用調整件(25)可補償上述之焦點偏移 里至如弟八圖所示之正焦狀態為止。 步驟八:_夾具單元(54)崎已補償焦闕移量之第 一晶圓(56)與第二晶圓(58),再利用接合器(48)結合第一晶 5圓(56)、調整件(25),與第二晶圓(58)。 步驟九:切割第一晶圓(56)與第二晶圓(58),即可成形 晶圓級影像模組(10)。 '經由上述組裝設備(40)及製法之說明,當各透鏡組(3〇) 疊合於各感光器(20)時,利用訊號處理器(46)判斷出感光器 1〇 (20)所接收到的光線是否呈聚焦狀態,如果感光器(2〇)呈離 焦狀態時,則可進一步改變調整件(25)的厚度,使感光器(2〇) 呈正焦狀態,藉以確保晶圓級影像模組(1〇)之成像品質,同 時’利用控制調整件(25)設於感光器(20)之厚度,即可調整 透鏡組(30)與感光器(2〇)之間的距離,補償透鏡組(3〇)及感 15光裔(2〇)之間的焦點偏移量,使透鏡組(30)較為正確地聚焦 於感光器(20)。 藉此,本發明即可利用調整件之結構,達到使影像模 組之成像品質較佳的目的。 再如第九圖所示,係為本發明第二較佳實施例所提供 2〇之晶圓級影像模組(60),其結構與第一較佳實施例大致相 同,包含有一感光器(61)、一透鏡組(62),以及一介於二者 之間的調整件(63),特點在於:透鏡組(62)包含有呈堆疊狀 之一第一穿透部(64)以及一第二穿透部(65),第一穿透部(64) 及第二穿透部(65)之間利用一第一墊片(66)相互接合,第二 1289365 穿透,(65)之頂面設有一第二藝片(67),第一穿透部(64)係 接合於調整件(幻)’使透益兄組(62)與感光器(61)相互疊合, 第一穿透部(64)及第二穿透部(65)皆呈透明狀,並且可將光 線成像於感光器(61),藉以使影像模組具有更多的影像特 5 性。 而如第十圖所示,係為本發明第三較佳實施例所提供 之晶圓級影像模組(70) ’其組成構件與第二較佳實施例大致 θ相同,特點則在於:感光器(71)之間隔片(72)具有一開口 (73),開口(73)係對應於感光器(71)之感光區域;另如第十 1〇 一圖所示,係為本發明第四較佳實施例所提供之晶圓級影 ‘模組(75),其特點則在於調整件(76)係直接設於感光器(77) 之表面,而透鏡組(78)之第一穿透部(79)則貼合於調整件 (76)’藉此’上述之較佳實施例皆可達到本發明之發明目的。
11 1289365 。【圖式簡單說明】 第一圖係本發明第一較佳實施例之剖視圖; 第二圖係本發明第一較佳實施例中所使用之組裝設備 的立體圖; ,5 第三圖係本發明第一較佳實施例之示意圖,主要顯示 晶圓級影像模組預定位於組裝設備之狀態; θ 第四圖係本發明第一較佳實施例之示意圖,主要顯示 • 晶圓級影像模組設於測試台之狀態; 第五圖係顯示成像於感光器之影像係呈離焦狀態; 10 第六圖係類同於第四圖,其中調整件係設於第一晶圓 - (感光裔)與第二晶圓(透鏡組)之間; 第七圖係顯示調整件設於晶圓級影像模組後之感光器 的成像狀態; 第八圖係顯示成像於感光ϋ之影像呈正焦狀態; 15 ,九圖係本發明第二較佳實施例之剖視圖; • ,十圖係本發明第三較佳實施例之剖視圖; ,十-圖係本發明第四較佳實施例之剖視圖; 第十二圖縣影賴組之示意圖;以及 ' 針三圖係為另H影像模組之示意圖。 12 1289365 【主要元件符號說明】 10晶圓級影像模組 20感光器 22間隔片 25調整件 30透鏡組 40組裝設備 42定位調整器 5 43訊號擷取器 44探針卡 46訊號處理器 48接合器 50基座 51測試台 • 52托盤 58第二晶圓 60晶圓級影像模組 54夾具單元 56第一晶圓 10 61感光器 62透鏡組 63調整件 64第一穿透部 65第二穿透部 66第一墊片 一 67第二墊片 70晶圓級影像模組 71感光器 72間隔片 73開口 15 75晶圓級影像模組 • 76調整件 79第一穿透部 77感光器 78透鏡組 13

Claims (1)

1289365 、申請專利範圍: 種晶圓級影像模組,包含有: —感光器,該感光以感應光線 以及—透鏡組,該魏_㈣將舰錢於 間,^整件》雜件係設於誠光胃與該透鏡組之 调整件用以控制該透鏡組與該感光器離, 使該透鏡_級聚t、(in_f_)於碱光器。 —Λ依據f請專利範圍第1項所述之晶圓級影像模組,其 中该透鏡組包含有呈透明狀之―第—穿透部以及一第二穿 透部’該第-穿透部及該第二穿透部之間利用__第〆整片 相互接合,該第一穿透部係接合於該調整件。 3·依據申請專利範圍第丨項所述之晶圓級影像模組,其 中該第二穿透部之頂面設有一第二墊片。 15 4.依據申請專利範圍第1項所述之晶圓級影像模組,其 中該感光器與該調整件之間具有一呈透明狀之間隔片。 5·依據申請專利範圍第4項所述之晶圓級影像模組,其 中該間隔片具有一開口,該開口係對應於該感光器之感光 區域。 6·依據申請專利範圍第1項所述之晶圓級影像模組,其 20中該調整件具有玻璃球(Glass Ball Spacer)或是纖維材料 (Fiber Spacer)。 7·依據申請專利範圍第1項所述之晶圓級影像模組,其 中該感光器係為互補性氧化金屬半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS) 〇 1289365 處理器用以判斷該影像模組之影像訊號是否呈聚焦狀;以 及 一接合器,係用以結合該感光器、該調整件與該透鏡 組0 5 13.依據申請專利範圍第12項中所述之組裝設備,其中 該定位調整器另包含一夾具單元,該夾具單元係用以將經 該定位調整器定位完成之該感光器、該調整件及該透鏡組 進行鉗緊(clamp),並用以進入該接合器。 14. 依據申請專利範圍第12項中所述之組裝設備,其中 ίο 該定位調整器另包含有一測試台,該測試台係用以承置該 晶圓級影像模組,並且帶動該晶圓級影像模組電性連接於 該訊號擷取器。 15. 依據申請專利範圍第12項中所述之組裝設備,其中 該訊號擷取器具有一探針卡,該探針卡係電性連接於該晶 15圓級影像模組之感光器。
16
TW094134100A 2005-09-29 2005-09-29 Wafer scale image module TWI289365B (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094134100A TWI289365B (en) 2005-09-29 2005-09-29 Wafer scale image module
US11/528,461 US7592680B2 (en) 2005-09-29 2006-09-28 Wafer level image module
JP2006267306A JP5141859B2 (ja) 2005-09-29 2006-09-29 ウエハーレベルの撮像モジュール
US12/539,309 US8524521B2 (en) 2005-09-29 2009-08-11 Method for making wafer level image module
JP2011169401A JP5345186B2 (ja) 2005-09-29 2011-08-02 ウエハーレベルの撮像モジュールの製造方法、及び組み立て設備

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094134100A TWI289365B (en) 2005-09-29 2005-09-29 Wafer scale image module

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200713622A TW200713622A (en) 2007-04-01
TWI289365B true TWI289365B (en) 2007-11-01

Family

ID=37893544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094134100A TWI289365B (en) 2005-09-29 2005-09-29 Wafer scale image module

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7592680B2 (zh)
JP (2) JP5141859B2 (zh)
TW (1) TWI289365B (zh)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8975599B2 (en) * 2007-05-03 2015-03-10 Asml Netherlands B.V. Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus
KR20090084527A (ko) 2008-02-01 2009-08-05 삼성전자주식회사 이미지 센서 모듈, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 카메라모듈 및 카메라 모듈을 포함하는 전자 제품
JP2009194543A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Panasonic Corp 撮像装置およびその製造方法
KR100935311B1 (ko) * 2008-06-02 2010-01-06 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 카메라 모듈
US7710667B2 (en) 2008-06-25 2010-05-04 Aptina Imaging Corp. Imaging module with symmetrical lens system and method of manufacture
US7773317B2 (en) 2008-07-01 2010-08-10 Aptina Imaging Corp. Lens system with symmetrical optics
KR100966338B1 (ko) * 2008-07-28 2010-06-28 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 패키지를 이용한 카메라 모듈
WO2010074743A1 (en) * 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
TWM364865U (en) * 2009-05-07 2009-09-11 E Pin Optical Industry Co Ltd Miniature stacked glass lens module
US20100284089A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 San-Woei Shyu Stacked optical glass lens array, stacked lens module and manufacturing method thereof
TW201109150A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 E Pin Optical Industry Co Ltd Disk-shaped optical lens array and its manufacturing method
TW201109165A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 E Pin Optical Industry Co Ltd Stacked disk-shaped optical lens array, stacked disk-shaped lens module array and the method of manufacturing thereof
TW201109164A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 E Pin Optical Industry Co Ltd Stacked disk-shaped optical lens array, stacked lens module and their method of manufacturing thereof
US8848301B2 (en) 2009-10-20 2014-09-30 Flir Systems Trading Belgium Bvba Focus compensation for optical elements and applications thereof
US8885257B2 (en) * 2009-10-20 2014-11-11 Flir Systems Trading Belgium Bvba Focus compensation for optical elements and applications thereof
JP2011186306A (ja) 2010-03-10 2011-09-22 Fujifilm Corp ウェハレンズユニットおよびウェハレンズユニットの製造方法
CN102782863B (zh) * 2010-04-21 2016-03-30 英派尔科技开发有限公司 堆叠晶片组件的精确间隔
KR101976881B1 (ko) * 2010-08-17 2019-05-09 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 카메라를 위한 복수의 광학 장치를 제조하는 방법
US8593561B2 (en) * 2011-03-01 2013-11-26 Omnivision Technologies, Inc. Camera module and method for fabricating the same
US9035406B2 (en) 2011-05-23 2015-05-19 Omnivision Technologies, Inc. Wafer level optical packaging system, and associated method of aligning optical wafers
TWI465787B (zh) * 2011-07-05 2014-12-21 Himax Tech Ltd 鏡頭模組之製造方法
CN102891155B (zh) * 2012-09-27 2015-08-19 豪威科技(上海)有限公司 用于制作镜头的晶圆级贴合方法
US20170047362A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic module with customizable spacers
CN106961538B (zh) * 2016-01-08 2019-12-13 华天科技(昆山)电子有限公司 阵列摄像模组的调焦方法及调焦装置
US9704907B1 (en) * 2016-04-08 2017-07-11 Raytheon Company Direct read pixel alignment
WO2020121372A1 (ja) 2018-12-10 2020-06-18 オリンパス株式会社 撮像装置の製造方法および撮像装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588261A (en) * 1984-06-07 1986-05-13 Rca Corporation IR-CCD imager and method of making the same
JP2942369B2 (ja) * 1991-01-31 1999-08-30 株式会社クラレ 撮像素子
JPH05164946A (ja) * 1991-12-11 1993-06-29 Nec Eng Ltd 光モジュール用レンズ調整方法
DE69320113T2 (de) * 1992-05-22 1999-03-11 Matsushita Electronics Corp., Kadoma, Osaka Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH0658810A (ja) * 1992-08-04 1994-03-04 Matsushita Electron Corp 位相格子型光学式ローパスフィルタの実装方法
US5500540A (en) * 1994-04-15 1996-03-19 Photonics Research Incorporated Wafer scale optoelectronic package
DE19508222C1 (de) 1995-03-08 1996-06-05 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
JPH09181287A (ja) * 1995-10-24 1997-07-11 Sony Corp 受光装置とその製造方法
JPH10173860A (ja) 1996-12-12 1998-06-26 Fuji Xerox Co Ltd 画像読み取り装置
WO1998039689A1 (en) * 1997-03-07 1998-09-11 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with off-axis alignment unit
JPH1126521A (ja) * 1997-07-08 1999-01-29 Sony Corp 固体撮像素子の評価装置
JP2000134528A (ja) * 1998-10-21 2000-05-12 Konica Corp 固体撮像素子の位置決め方法、デジタルスチルカメラの調整方法及び保持部材
JP3904791B2 (ja) 2000-01-31 2007-04-11 松下電器産業株式会社 撮像素子の取付け方法
US6759687B1 (en) * 2000-10-13 2004-07-06 Agilent Technologies, Inc. Aligning an optical device system with an optical lens system
US6635941B2 (en) 2001-03-21 2003-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Structure of semiconductor device with improved reliability
US7092174B2 (en) 2001-05-18 2006-08-15 Konica Corporation Image pickup lens, image pickup apparatus and method for forming image pickup lens
US6580062B2 (en) * 2001-05-29 2003-06-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Contrast focus figure-of-merit method that is insensitive to scene illumination level
JP3789365B2 (ja) * 2002-01-31 2006-06-21 シャープ株式会社 層内レンズ付き半導体装置およびその製造方法
JP2003303946A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Sony Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
KR20070089889A (ko) * 2002-09-17 2007-09-03 앤터온 비.브이. 카메라 디바이스, 카메라 디바이스 제조 방법, 웨이퍼스케일 패키지 및 광학 어셈블리
US20040094695A1 (en) 2002-11-18 2004-05-20 Chen Wen Ching Digital CMOS sensor
JP2004233482A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュールの製造方法
JP2004361437A (ja) * 2003-05-30 2004-12-24 Seiko Precision Inc 光学モジュール
JP5004412B2 (ja) * 2003-07-24 2012-08-22 パナソニック株式会社 レンズ一体型撮像装置の製造方法及び製造装置
JP4551638B2 (ja) * 2003-08-01 2010-09-29 富士フイルム株式会社 固体撮像装置の製造方法
US20050067681A1 (en) 2003-09-26 2005-03-31 Tessera, Inc. Package having integral lens and wafer-scale fabrication method therefor
DE10344770A1 (de) 2003-09-26 2005-05-04 Siemens Ag Optisches Modul und optisches System
US7329861B2 (en) * 2003-10-14 2008-02-12 Micron Technology, Inc. Integrally packaged imaging module
US7583862B2 (en) 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
TWI229498B (en) 2004-01-09 2005-03-11 Via Tech Inc Low pass filter de-glitch circuit
GB0401462D0 (en) 2004-01-23 2004-02-25 Melexis Nv Digital imaging device
US6900429B1 (en) 2004-03-23 2005-05-31 Stack Devices Corp. Image capture device
JP4476764B2 (ja) 2004-03-26 2010-06-09 富士フイルム株式会社 基板接合装置及び方法
US20050236684A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor packaging structure and method
CN102217102B (zh) * 2008-11-14 2015-07-15 三星电子株式会社 半导体发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
US7592680B2 (en) 2009-09-22
US20070070511A1 (en) 2007-03-29
JP2011254528A (ja) 2011-12-15
US20090294639A1 (en) 2009-12-03
TW200713622A (en) 2007-04-01
JP5345186B2 (ja) 2013-11-20
JP5141859B2 (ja) 2013-02-13
US8524521B2 (en) 2013-09-03
JP2007097192A (ja) 2007-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI289365B (en) Wafer scale image module
TWI336590B (en) Semiconductor package, semiconductor module and production method thereof, and electronic device
TWI307966B (en) Optical device module, optical path fixing device, and method for manufacturing optical device module
TWI258052B (en) Integrated lens and chip assembly for a digital camera
TW201015985A (en) Camera module
US8988584B2 (en) Imaging apparatus
JP5097275B2 (ja) 撮像ユニット
TWI305959B (en) Optical device module, and method of fabricating the optical device module
US8866890B2 (en) Multi-camera
WO2011008443A2 (en) Wafer level camera module with active optical element
TW201347524A (zh) 微型相機模組
JP5343326B2 (ja) 基板接合装置および基板接合方法
CN105516563A (zh) 晶圆级照相模块
TWI471626B (zh) 攝像模組
WO2015015986A1 (ja) 撮像モジュール、及びこれを備えた電子機器、並びに撮像モジュールの製造方法
JPWO2015016116A1 (ja) 撮像モジュール及び電子機器並びに撮像モジュールの製造方法
CN1945857B (zh) 晶圆级影像模块
US9609196B2 (en) Imaging module and electronic device
KR100956381B1 (ko) 웨이퍼 레벨 카메라 모듈의 제조 방법
WO2021111716A1 (ja) 撮像装置および撮像装置の製造方法
JP2001217387A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
TWI283307B (en) Test and adjustment method for optics module
KR101541580B1 (ko) 카메라 모듈 및 카메라 모듈의 제조 방법
JP2007047586A (ja) カメラモジュールの組立調整装置および組立調整方法
CN113691699B (zh) 成像芯片组件、摄像模组及其对焦方法和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent