TWI289155B - Adhesive sheet for producing semiconductor devices - Google Patents

Description

1289155 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 本發明有關一種以可剝離之方式黏貼在引線框架 (1 ead f rame )，而在生產QFN (無引線四線組壓板）等之半 導體裝置（半導體封裝）時所用的生產半導體裝置用之接著 片0 [先前技術] 近年來，隨著攜帶型個人電腦、行動電話等之電子設 備之小型化、多功能化，構成電子設備之電子零件需要小 型化，高集積化之外，尚需要電子零件之高密度安裝技 術。在如此背景下，替代以往之q F P ( Q u a d F 1 a t Package，四線組壓板封裝）或 SOP(Small Out Line Package，小框封裝）等之周邊安裝型之半導體裝置，而能 實施高密度安裝的CSP(Chip Scale Package，晶片標度封 裝）等之面安裝型之半導體裝置正受矚目。又，在CSP中特 別是Q F N ( Q u a d F 1 a t Ν ο η - L e a d e d，無引線四線組壓板）， 由於能應用以往之半導體製置之製造技術來進行製造，故 車父為理想’而主要是作為1 0 0插腳（p i n )以下之少端子型之 半導體裝置來使用。 、乂在作為Q F N之製造方法’有下述概略之方法。 f先，在接著片貼附過程中，在引線框架（1 ead 二?貼附接著片’其次，在黏晶（die attach)過 曰ΰ 架上所形成的複數個半導體元件裝載部 叫)等之半導體元件。其次，在引線搭接

1289155 五、發明說明（2) ' '一'一 ' 一 boding)過程中’使用烊線將沿著引線框架之各半導體元 件裝載部之外周所配設的複數條引線與半導體元件加以電 性連接。其次，在樹脂密封過程中，使用密封樹脂以密封 引線框架上所裝載的半導體元件，然後，在接著片剝離過 程中’從引線框架剝離接著片，即可形成排列有複數個 QFN的QFN單元。最後，在切割（dicing)過程中，沿著各 Q F N之外周將此Q f N單元進行切割，即可同時製造複數個 QFN。 在上述概略說明的QFN之製造方法中，作為黏貼在引 線框架的以往之接著片而言，廣泛使用以耐熱性薄膜為基 材’在此基材之一個面上具備有使用矽酮系黏接劑所形成 的接著劑層者。 然而，使用上述構成之接著片時，在引線搭接過程 中’有時會發生焊線與引線之間之連接不良的情形。以 下，將焊線與引線間之連接不良，簡稱為「引線搭接不 良」。又，在樹脂密封過程中，有時會發生接著片之黏接 力下降而使引線框架與接著片部份性剝離，其結果，密封 樹脂會流入引線框架與接著片之間，以致在引線之外部連 接用部份（貼黏有引線之接著片之側之面）將附著密封樹月旨 之所謂「鑄模毛刺（mold flash)」。在此，如發生這種鱗 模毛刺的情形，由於在引線之外部連接用部份附著有密圭于 樹脂之故，當將所製造的半導體裝置安裝在配線基板等上 時，會有發生連接不良之虞。 因此，本發明係鑑於上述情形所開發者，以提供一種

314546.ptd 第9頁 1289155 五、發明說明（3) 用於QFN等之半導體裝置之製造時能同時防止引線搭接不 良、鑄模毛刺，且能防止半導體裝置之不良品化的生產半 導體裝置用接著片為目的。 [發明内容] 為達成上述目的，本發明提供一種生產半導體裝置用 之接著片，其係在耐熱性基材之一個面上層積黏接劑層， 並以可剝離之方式黏貼在引線框架的生產半導體裝置用之 接著片，而其特徵為：前述黏接劑層具有熱固化性樹脂成 份（a)及熱塑性樹脂成份（b )，而前述（a ) / ( b )之重量比為 0 · 3至 3。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，由於黏接劑層 即使曝露在高溫中仍具有適當的彈性特性及高強的接著 力，因此使用本發明之接著片以生產QFN等之半導體裝置 時，即可防止引線搭接不良、鑄模毛刺以及黏接劑殘留， 並防止半導體裝置之不良品化。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述耐熱性基 材為耐熱性薄膜，而該耐熱性薄膜之玻璃轉移溫度最好為 1 5 0°C以上，且熱膨脹係數為5至5 0 p p m /°C。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述耐熱性基 材為金屬羯，而該金屬结之熱膨脹係數為5至50ppm/°C。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述金屬箔係 具有粗糙化面的電解金屬箔，且最好在粗糙化面側設置黏 接劑層。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述熱固化性

314546.ptd 第10頁 1289155 五、發明說明（4) 樹脂成份（a )最好為環氧樹脂及酚樹脂中之至少1種。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述熱塑性樹 脂成份（b )最好為具有醯胺鍵的高分子體。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述熱塑性樹 脂成份（b )最好為含有丁二烯之樹脂。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述熱塑性樹 脂成份（b )之重量平均分子量最好為2，0 0 0至1，0 0 0，0 0 0。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，前述黏接劑層 之固化後的儲存彈性係數在150°C至2 5 0°C下最好為5MPa以 上。 在上述生產半導體裝置用之接著片中，在前述黏接劑 層上最好設置保護薄膜。 [實施方式] 茲就本發明之生產半導體裝置用之接著片加以詳述如 下。 本發明之接著片，係在耐熱性基材之一個面上層積含 有熱固化性樹脂成份（a )及熱塑性樹脂成份（b )的黏接劑層 所構成者。 就前述对熱性基材而言，可舉例对熱性薄膜及金屬箔 等。 當使用本發明之接著片來製造QFN等之半導體裝置 時，接著片雖在黏晶過程、引線搭接過程、樹脂密封過程 中會曝露在1 5 0至2 5 0°C之高溫中，惟作為耐熱性基材而使 用耐熱性薄膜時，由於該耐熱性薄膜之熱膨脹係數在到達

314546.ptd 第11頁 1289155 五、發明說明（5) 玻璃轉移溫度（Tg )以上時會急連增高，而與金屬製之引線 框架間之熱膨脹差會增大之故，回冷至室溫時，耐熱性薄 膜及引線框架上可能會產生翹曲。並且，如在耐熱性薄膜 及引線框架上產生翹曲時，則在樹脂密封過程中不能在模 具之定位銷安裝引線框架，而有發生位置偏移之虞。 因而，如作為耐熱性基材而使用而才熱性薄膜時，最好 為玻璃轉移溫度在1 5 0°C以上之耐熱性薄膜，更佳為1 8 0°C 以上者。又，耐熱性薄膜在1 5 0至2 5 0°C下之熱膨脹係數最 好為在5至50ppm/°C，更佳為10至30 ppm/°C。就具有如此 特性的而ί熱性薄膜而言，可例示：由聚酸亞胺、聚酿胺、 聚醚楓、聚苯硫醚、聚醚酮、聚醚型醚酮、三乙.醯纖維 素、聚鱗型醯亞胺等而成的薄膜。 又，作為对熱性基材而使用金屬结時，基於與前述而才 熱性薄膜同樣之理由，金屬箔在1 5 0至2 5 0°C下的熱膨脹係 數最好為5至50ppm/°C，更佳為1 0至30ppm/°C。就金屬箔 而言，可例示：由金、銀、銅、白金、铭、鎮 鈦、鉻、猛、鐵、錄、錄、鋅、把、鎮、銦 錫、鉛所構成的箔，及以此等金屬為主成份的合金箔， 或此等箔之電鍍箔。 又，當使用本發明之接著片來製造半導體裝置時，為 防止在接著片剝離過程中的黏接劑殘留，耐熱性基材與黏 接劑層間之黏接強度Sa、和密封樹脂及引線框架與黏接劑 層間之黏接強度Sb之比值（黏接強度比）Sa/Sb最好為1. 5以 上。如Sa/Sb未滿1. 5時，則由於在接著片剝離過程中容易

314546.ptd 第12頁 1289155 五、發明說明（6) 產生黏接劑殘留故較不理想。又，為使黏接強度比Sa/Sb 作成1. 5以上，最好在形成黏接劑層之前，在形成耐熱性 薄膜之黏接劑層的側表面，預先施加如電暈處理、電漿處 理、底漆（primer)處理等能提升耐熱性薄膜與黏接劑層間 之黏接強度Sa的處理。又，在金屬箔之情形下，從其製法 之不同而可分類為軋延金屬箔及電解金屬箔，惟為使黏接 強度比Sa/Sb在1 · 5以上，最好使用電解金屬箔之同時，在 經粗糙化的側之面上設置黏接劑層來進行調整。又，特別 是在電解金屬箔中，最好使用電解銅箔。 前述黏接劑層包含有熱固化性樹脂成份（a)及熱塑性 樹脂成份（b )。此時，熱固化性樹脂成份（a )與熱塑性樹脂 成份（b )間之重量比（a ) / ( b )必須為0 · 3至3。（ a ) / ( b )最好 在0 . 7至2 . 3。如未滿0 . 3時，則黏接劑層之儲存彈性率將 顯著降低，以致在引線搭接過程中發生焊線與引線之間之 連接不良。另一方面，如大於3時，則由於可撓性將降低 之故，在樹脂密封過程中，接著片之黏接力下降，以致引 線框架與接著片部份性剝離而發生鑄模毛刺，或產生黏接 劑殘留糊。 在用以製造半導體封裴之樹脂密封過程中，在加熱至 1 50至2 0 0°C的同時施力口 5至1 OGPa之壓力，並藉由密封樹脂 而密封半導體元件，惟由於接著片之黏接劑層曝露在高溫 的結果，黏接劑層之黏接力（黏接劑層與引線框架間之黏 接強度會降低之故，而黏接劑層會因密封樹脂之壓力部份 性從引線框架剝離，而有產生鑄模毛刺的情形，惟在使用

314546.ptd 第13頁 1289155 五、發明說明（7) 含有上述熱固化性樹脂成份（a )及熱塑性樹脂份（b )的黏接 劑層的本發明之接著片，則由於黏接劑層之黏接力不會降 低之故，不會發生上述問題。 前述熱固化性樹脂成份（a)而言，可例示：尿素樹 脂、三聚氰胺樹脂、苯并胍胺樹脂、乙醯胍胺樹脂、酚樹 脂、間苯二酚樹脂、二甲苯樹脂、呋喃樹脂、不飽和聚酯 樹脂、苯二甲酸二烯丙酯樹脂、異氰酸酯樹脂、環氧樹 脂、馬來驢亞胺樹脂、苯齡二胺醯亞胺樹脂等。在此，此 等樹脂可以單獨使用，亦可併用2種以上。此中，特別是 如含有環氧樹脂及苯胺樹脂之至少1種，則在引線搭接過 程中的處理溫度下可具有高彈性係數，而且在樹脂密封過 程中的處理溫度下可獲得與引線框架間之黏接強度高的黏 接劑，因此較為理想。 又，就熱塑性樹脂成份（b )而言，可例舉：丙烯腈-丁 二烯共聚物（NBR)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂（ABS， acrylonitrile-butadiene-styren)^ 苯乙稀-丁二稀—乙 烯樹脂（SEBS)、苯乙稀-丁二稀-苯乙稀（S B S， styrene-butadiene-styrene)聚丙烤腈、聚乙稀縮 丁酸、 聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯亞胺、聚酯、聚胺基甲酸 酯、聚二甲基矽氧烷等、其中特別是本身為具有醯胺鍵的 高分子體之聚醯胺及聚醯胺醯亞胺等由於耐熱性及黏接性 佳因此較為理想。在此，此等樹脂可以單獨使用，亦可併 用2種以上。 再者，上述熱塑性樹脂成份（b )中，特別是以含有丁

314546.ptd 第14頁 1289155 五、發明說明（8) 二烯之樹脂較佳。此種含有丁二烯之樹脂，係作為單體單 元而含有丁二烯並具有彈性的樹脂。如含有丁二烯之樹脂 (b )中之丁二烯之含量在1 0重量％以上，則由於能對黏接劑 層賦予高彈性並提升凝聚力，而在接著片剝離過程中能防 止黏接劑殘留因此較為理想。就含有丁二烯之樹脂（b )而 言，可例舉：丙稀腈-丁二稀共聚物樹脂（N B R樹脂）、笨乙 烯-丁二烯-乙烯共聚物樹脂（SEBS樹脂）、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂（S B S；f封脂）、聚丁二烯等。在此，此等 樹脂可以單獨使用，亦可併用2種。又，為使與前述熱固 化性樹脂（a )反應以提升黏接力，含有丁二烯之樹脂（b )最 好包含有胺基、異氰酸自旨基、縮水甘油基、魏基（包含無 水物）、矽烷醇基、羥基、乙烯基、羥曱基、巯基之中的 至少1種以上。就含有丁二烯之樹脂（b )而言，特別是選自 丙烯腈-丁二烯共聚物樹脂、丙烯腈-丁二烯-曱基丙烯酸 共聚物樹脂、環氧化苯乙稀-丁二稀-苯乙稀共聚物、環氧 化聚丁二烯中的至少1種，因其耐熱性及黏接性佳故較為 理想。 · 又，熱塑性樹脂成份（b )之重量平均分子量在2，0 0 0至 1，0 0 0，0 0 0、較佳為 5，0 0 0至 8 0 0 0，0 0 0、更佳為 1 0，0 0 0至 5 0 0，0 0 0時，由於能提升黏接劑層之凝聚力，並能防止在 接著片剝離過程中的黏接劑殘留，因此較為理想。 又，為調整黏接劑層之熱膨脹係數、熱傳導係數、表 面膠黏性、黏接性等，最好在黏接劑層中添加無機或有機 填充劑。在此，就無機填充劑而言，可例示：由粉碎型氧

314546.ptd 第15頁 1289155 五、發明說明（9) 化矽、熔融型氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鈹、氧化 鎂、碳酸鈣、氮化鈦、氮化矽、氮化硼、硼化鈦、硼化 鎮、竣化碎、碳化鈦、碳化錯、碳化鉬、雲母、氧化鋅、 碳黑、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、三氧化銻等所構 成的填充劑、或於此等表面導入三曱矽氧烷基等者等。 又，有機填充劑可例示如由聚醯亞胺、聚醯胺、聚醚型醚 酮、聚醚型醯亞胺、聚酯型醯亞胺、尼龍、矽酮樹脂等所 構成的填充劑。 在耐熱性基材之一面上形成黏接劑層的方法，以在耐 熱性基材上直接塗佈黏接劑，並使其乾燥的薄膜流延法， 及將黏接劑一旦塗佈在脫模型薄膜上，使其乾燥後轉印在 耐熱性基材上的層壓法等較佳。在此，熱固化性樹脂成份 (a )、熱塑性樹脂成份（b )均可將有機溶劑，例如：甲苯、 二曱笨、氣苯等芳香族系；丙酮、曱基乙基酮、曱基異丁 基酮等酮系；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N -基吡咯烷 酮等非質子系極性溶劑、四氫呋喃等單獨使用或混合2種 以上使用。在此，如使用有機溶劑時，相對於有機溶劑 1 0 0重量％，最好將上述熱固化性樹脂成份（a )與熱塑性樹 脂成份（b)之混合物溶解1重量1 %以上，更佳為溶解5%以上 後作為黏接劑塗佈液使用。 本發明中，可作成為在接著片之黏接劑層上貼接可剝 離的保護薄膜，而在製造半導體裝置之前剝離保護薄膜的 構成。在此情形下，可防止從製造接著片後至開始使用為 止的期間黏接劑層的損傷。保護薄膜只要是具有脫模性，

314546.ptd 第16頁 1289155 五、發明說明αο) 則使用任一種薄膜均可，可列舉：聚酯、聚乙烯、聚丙 烯、聚對苯二曱酸乙二醇酯等薄膜，或利用矽酮樹脂或氟 化合物對此等薄膜表面加以脫模處理的薄膜等。 又，前述黏接劑層在1 5 0至2 5 0°C下的固化後之儲存彈 性率為5MPa以上、較佳為lOMPa以上、更佳為50MPa以上為 宜。另外，在此所稱之固化後，係指在黏晶過程中經加熱 處理的狀態下的黏接劑層。關於儲存彈性率之測定條件 等，將在實施例中加以說明。在用以製造半導體封裝之引 線搭接過程中，在使用焊線以連接半導體元件與引線框 架，同日夺將該焊線兩端力口熱至1 5 0至2 5 0°C ，並以6 0至 1 2 0 Κ Η z之超音波加以融接。此時，位於引線框架正下方之 接著片之黏接劑層，曝露在因上述加熱所產生之高溫而被 低彈性化，以致容易吸收超音波，其結果，引線框架會振 動而容易發生引線搭接不良，惟在具有上述儲存彈性率的 黏接劑層之本發明之接著片之情形下，則不易發生此種問 題。 又，將1 5 0至2 0 (TC下的黏接劑層與引線框架間之黏接 強度作成1 0g/cm，即可防止鑄模毛刺，因此較為理想。 (半導體裝置之製造方法） 其次，根據第1、第2圖，就使用上述的本發明之接著 片以製造半導體裝置之方法之一例簡單加以說明。以下， 將作為半導體裝置而製造QFN的情形為例加以說明。在 此，第1圖係從裝載半導體元件之側觀看引線框架時之概 略俯視圖，第2A至2F圖係表示從第1圖所示的引線框架製

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五、發明說明（11) 造QFN的方法之步驟圖，以及沿著第1圖之A —A，線裁斷引線 框架時之放大概略剖視圖。 首先’準備第1圖所示的概略構成之引線框架2 〇。引 線框架係具備有裝載I C晶片等之半導體元件之島狀的複數 個半導體元件裝載部（晶片座部）2 1，沿著各半導體元件壯 載部2 1外周而配設有多數條引線22者。其次，如第2AH 所示，在接著片之貼著過程中，在引線框架2 〇之一面上， 以黏接劑層（未圖示）側作為引線框架2 0側之方式貼黏本發 明之接著片1 〇。在此’就在引線框架2 〇貼著接著片^ 〇的方 法而言，以層壓法等較佳。其次，如第2 B圖所示，在黏晶 過程中，使用黏晶劑（未圖示），從未貼附有接著片i 〇之側 將I C晶片專半導體元件3 載在引線框架2 〇之半導體元件 I載部2卜 其次，如第2 C圖所示，在引線搭接過程中，藉由金屬 $等焊線31而將半導體元件30與引線框架2〇之引線22予以 兒性連接。接著，如第2D圖所示，在樹脂密封過程中，將 第2C圖所示的製造中之半導體裝置載置在模具内，使用密 封樹脂（成型劑）實施移轉模塑法（transferm〇lding)(模具 成型）’藉由密封樹脂4 0將半導體元件3 〇加以密封。 _其次，如第2 E圖所示，在接著片剝離過程中，藉由從 =封樹脂40及引線框架20剝離接著片1〇,即可形成排列有 =數個QFN50的QFN單元60。最後，如第2F圖所示，在切割 ，程中，藉由沿著各QFN50之外周實施QFN單元6〇之切割， 即可製造複數個QFN50。

1289155 五、發明說明（12) 如此，藉由使用接著片10來製造QFN等之半導體裝 置，即可防止引線搭接不良、鑄模毛刺、黏接劑殘留等， 而可防止半導體裝置之不良品化。 其次，就本發明之實施例及比較例加以說明。 在各實施例、比較例中，調整黏接劑以製作接著片， 並進行所得的黏接劑或接著片之評價。 [實施方式] 實施例1 依下述之組成及調配比混合以製作黏接劑溶液。 其次，作為耐熱性基材，使用聚醯亞胺樹脂薄膜（東 麗•杜邦公司製，商品名：卡布頓100EN、厚度25// m、玻 璃轉移溫度3 0 0°C以上、熱膨脹係數1 6ppm/°C )，在其上面 以乾燥後之厚度為6# m之方式塗佈上述黏接劑溶液後，在 1 0 0°C下乾燥5分鐘，製得具有黏接劑層的本發明之接著 片。在此，熱固化性樹脂成份（a )/熱塑性樹脂成份（b )之 重量比為1.475。 [熱固化性樹脂成份（a )] •環氧樹脂（油化殼環氧公司製，商品名：埃比科德 8 2 8、環氧當量1 9 0 ) 3 0重量份 •酚樹脂（昭和高分子公司製，商品名：CKM- 24 0 0 ) 2 9重量份 [熱塑性樹脂成分（b )] •二聚酸聚醯胺（重量平均分子量1 2，0 0 0 ) 4 0重量份 [其他]

314546.ptd 第19頁 1289155 五、發明說明（13) •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） /重量份 實施例2 依下述之組成及調配比混合以製作黏接劑溶液。 其次，除了將黏接劑溶液變更為上述黏接劑溶液以 外，其餘則以與實施例1同樣之方式製得本發明之接著 片。在此，熱固化性樹脂成份（a )/熱塑性樹脂成份（b )之 重量比為1. 5。 [熱固化性樹脂成份（a)] • S分樹脂 6 0重量份 [熱塑性樹脂成份（b)] •二聚酸聚醯胺（重量平均分子量1 2，0 0 0 ) 4 0重量份 實施例3 依下述之組成及調配比混合以製作黏接劑溶液。 其次，除了將黏接劑溶液變更為上述黏接劑溶液以 外，其餘則以與實施例1同樣之方式製得本發明之接著 片。在此，熱固化性樹脂成份（a )/熱塑性樹脂成份（b )之 重量比為1.425。 [熱固化性樹脂成份（a )] •馬來醯亞胺（肯愛化成公司製，商品名：BM I - 8 0 ) 5 7重量份 [熱塑性樹脂成份（b )] •二聚駿聚醯胺（重量平均分子量1 2，0 0 0 ) 4 0重量份

314546.ptd 第20頁 1289155 五、發明說明（14) [其他] •有機過氧化物（日本油脂公司製，商品名：帕佈吉爾 P) 3重量份 實施例4 依下述之組成及調配比混合以製作黏接劑溶液。 其次，耐熱性基材係使用3 / 4盎斯之銅箔（三井金屬鑛 業公司製，商品名·· 3EC-VLP、厚度25# m)，在其粗糙化 面上以乾燥後之厚度為8// m之方式塗佈上述黏接劑溶液， 在1 0 (TC下乾燥5分鐘，製得具有黏接劑層之本發明之接著 片。在此，熱固化性樹脂成份（a )/熱塑性樹脂成份（b )之 重量比為1. 4 7 5。 [熱固化樹脂成份（a)] •環氧樹脂（油化殼環氧公司製，商品名：YX-4 0 0 OH、 環氧當量1 9 0 ) 3 0重量份 •酚樹脂（昭和高分子公司製，商品名：CKM- 24 0 0 ) 2 9重量份 [熱塑性樹脂成份（b)] •二聚酸聚醯胺（重量平均分子量1 2，0 0 0 ) 4 0重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） 1重量份 比較1 依下述之組成及調配比混合以製作黏接劑溶液。

314546.ptd 第21頁 1289155 五、發明說明（15) 其次，除了將黏接劑溶液變更為上述黏接劑溶液以 外，其餘則以與實施例1同樣之方式製得比較用之接著 片。在此，熱固化性樹脂成份（a )/熱塑性樹脂成份（b )之 重量比為3. 9。 [熱固化性樹脂成份（a )] •環氧樹脂（油化殼環氧公司製，商品名：YX-4 0 0 OH， 環氧當量1 9 0 ) 3 9重量份 •酚樹脂（昭和高分子公司製，商品名：CKM-2 4 0 0 ) 2 9重量份 [熱塑性樹脂成分（b)] •二聚酸聚醯胺（重量平均分子量1 2，0 0 0 ) 2 0重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-曱基咪 唑） 2重量份 比較例2 依下述之組成及調合比混合以製作黏接劑溶液。 其次，除了將黏接劑溶液變更為上述黏接劑溶液以 外，其餘則以與實施例1同樣之方式製得比較用之接著 片。在此，熱固化性樹脂成份（a )/熱塑性樹脂成份（b )之 重量比為0.238。 [熱固化性樹脂成份（a )] •環氧樹脂（油化殼環氧公司製，商品名：Y X - 4 0 0 0 Η， 環氧當量190) 10重量份 •酚樹脂（昭和高分子公司製，商品名：CKM- 2 4 0 0 )

314546.ptd 第 22 頁 1289155 五、發明說明（16) 9重量份 [熱塑性樹脂成分（b)] •二聚酸聚醯胺（重量平均分子量1 2，0 0 0 ) 8 0重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） 1重量份 比較例 3 而于熱性基材係使用聚醯亞胺樹脂薄膜（東麗•杜邦公 司製，商品名：卡布頓1 Ο Ο E N、厚度2 5// m、玻璃轉移溫度 3 0 0°C以上、熱膨脹係數1 6ppm/°C )，在其上面以乾燥後之 厚度為6// m之方式僅塗佈由丙稀腈-丁二稀共聚物而成的 熱塑性樹脂成份（b )後，在1 0 0°C下乾燥5分鐘，製得具有 黏接劑層的比較用之接著片。 比較例 4 將聚烷基芳烷基矽氧烷（GE東芝矽酮公司製，商品 名：TSR-1512、重量平均分子量500, 000、固體份濃度 6 0 % )與聚烷基氫矽氧烷（GE東芝矽酮公司製，商品名： CR-51、重量平均分子量1 3 0 0 )依重量比100 : 1混合以製作 僅由熱塑性樹脂成份（b )所構成的石夕酮系黏接劑溶液。 其次，耐熱性基材係使用聚醯亞胺樹脂薄膜（東麗· 杜邦公司製，商品名：卡布頓1 0 0 E N、厚度2 5# m、玻璃轉 移溫度3 0 0°C以上、熱膨脹係數1 6ppm/°C )，在其上面以乾 燥後之厚度為6// m之方式塗佈上述黏接劑溶液後，在1 6 0 °C下乾燥1 5分鐘，製得具有黏接劑層的比較用之接著片。

314546.ptd 第23頁 1289155 五、發明說明（17) 實施例5 依下述之組成及調配比混合在四氫呋喃中以製作黏接 劑溶液。 其次，耐熱性基材係使用聚醯亞胺樹脂薄膜（東麗· 杜邦公司製，商品名：卡布頓100EN、厚度25// m、玻璃轉 移溫度3 0 0°C以上、熱膨脹係數1 6ppm/°C )，在其上面以乾 燥後之厚度為6 a πι之方式塗佈上述黏接劑溶液後，在1 0 0 t下乾燥5分鐘，製得具有黏接劑層的本發明之接著片。 在此，熱固性樹脂（a )/含有丁二烯之樹脂（b )之重量比為 1. 5〇 [熱固化性樹脂（a)] •環氧樹脂（大日本油墨化學工業公司製、商品名： HP-7200) 40重量份 • S分樹脂（日本化藥公司製、商品名：TPM) 20重量份 [含有丁二烯之樹脂（b)] •丙烯腈-丁二烯-曱基丙烯酸共聚物樹脂（JSR公司製， 商品名：PNR-1H、重量平均分子量3 3 0 0 0 0 ) 4 0重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） 1重量份 實施例6 除了將黏接劑溶液變更為依下述之組成及調配比混合 在四氫呋喃的黏接劑溶液以外，其餘則以與實施例5同樣 之方式製得本發明之接著片。在此，熱固化性樹脂（a)/含

314546.ptd 第24頁 1289155 五、發明說明（18) 有丁二烤之樹脂（b )之重量比為1 · 4 5。 [熱固化性樹脂成份（a)] •馬來醯亞胺（肯愛化成公司製，商品名：BM 1-80) 5 0重量份 [含有丁二烯之樹脂（b )] •環氧化笨乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物樹脂（黛西爾化 學工業公司製，商品名：埃坡浮連A 1 0 2 0、重量平均分子 量 50000) 40重 量 份 [其他] •有機過氧化物 (曰本油脂公 司製，商品名： :帕佈吉 爾 P) 2重量 份 實 施例7 除了將黏接劑 溶液變更為依下述之組成及 調配比3 1合 在 四氫咲喃的黏接 劑溶液以外： ，其餘則以與實 施例5同 樣 之 方式製得本發明 之接著片。在此，熱固化性 樹脂（a ) /含 有 丁二烯之樹脂（b )之重量比為 [熱固化性樹脂（a )] •環氧樹脂（大曰本油墨化學 工業公司製、商品名： HP ，- 7 2 0 0 ) 40重量 份 •盼樹脂（曰本化藥公司製、 商品名：TPM) 20重量 份 [含有丁二烯之樹月! 旨⑴] •環氧化聚丁二 烯（黛西爾化 學工業公司製， ，商品名 ·· 埃 坡利得PB3 6 0 0、 重量平均分子量2 0 0 0 0 ) 40重量 份

314546.ptd 第25頁 1289155 五、發明說明（19) [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） 1重量份 實施例8 除了將黏接劑溶液變更為依下述之組成及調配比混合 在四氫咲喃的黏接劑溶液以外，其餘則以與實施例5同樣 之方式製得本發明之接著片。在此，熱固化性樹脂（a)/含 有丁二烯之樹脂（b )之重量比為1. 5。 [熱固化性樹脂（a)] •酚樹脂（昭和高分子公司製，商品名：CKM- 9 0 8 ) 6 0重量份 [含有丁二烯之樹脂（b )] •丙烯腈-丁二烯共聚物樹脂（曰本澤恩公司製，商品 名：Nipol 1001，重量平均分子量30000) 4 0重量份 實施例9 依下述之組成及調配比混合在四氫呋喃以製作黏接劑 溶液。 其次，耐熱性基材係使用3 / 4盎斯之銅箔（三井金屬鑛 業公司製，商品名·· 3EC-VLP、厚度25// m)，在其粗糙化 面上以乾燥後之厚度為8// in之方式塗佈上述黏接劑溶液， 在1 0 0°C下乾燥5分鐘，製得具有黏接劑層之本發明之接著 片。在此，熱固化性樹脂（a )/含有丁二烯之樹脂（b )之重 量比為1. 5。 [熱固化性樹脂（a )]

314546.ptd 第26頁 1289155 五、發明說明（20) •環氧樹脂（大日本油墨化學工業公司製、商品名： HP-7200) 40重量份 •酚樹脂（日本化藥公司製、商品名：TPM ) 2 0重量份 [含有丁二烯之樹脂（b)] •丙烯腈-丁二烯-曱基丙烯酸共聚物樹脂（JSR公司製， 商品名：PNR-1H，重量平均分子量3 3 0 0 0 0 ) 40重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-曱基咪唑） 1重量份 比較例 5 除了將黏接劑溶液變更為依下述之組成及調配比混合 在四氫咲喃的黏接劑溶液以外，其餘則以與實施例5同樣 之方式製得比較用之接著片。在此，熱固化性樹脂（a )/含 有丁二烯之樹脂（b )之重量比為4。 [熱固化性樹脂（a )] •環氧樹脂（大曰本油墨化學工業公司製、商品名： HP-7200) 55重量份 •酚樹脂（日本化藥公司製、商品名：TPM) 2 5重量份 [含有丁二烯之樹脂（b )] •丙烯腈-丁二烯-曱基丙烯酸共聚物樹脂（J SR公司製， 商品名：PNR-1H，重量平均分子量3 3 0 0 0 0 ) 2 0重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） 1重量份

314546.ptd 第27頁 1289155 五、發明說明（21) 比較例 6 除了將黏接劑溶液變更為依下述之組成及調配比混合 在四氫呋喃的黏接劑溶液以外，其餘則以與實施例5同樣 之方式製得比較用之接著片。在此，熱固化性樹脂（a )/含 有丁二稀之樹脂（b)之重量比為0 . 2 5。 [熱固化性樹脂（a)] •環氧樹脂（大日本油墨化學工業公司製、商品名： HP-7200) 15重量份 •酚樹脂（日本化藥公司製、商品名：TPM) 5重量份 [含有丁二烯之樹脂（b)] •丙銪腈-丁二烯-甲基丙烯酸共聚物樹脂（JSR公司製， 商品名·· PNR-1H，重量平均分子量3 3 0 0 0 0 ) 8 0重量份 [其他] •固化促進劑（四國化成公司製，2-乙基-4-甲基咪唑） 1重量份 比較例 7 將附加型矽酮黏接劑（信越化學工業公司製，商品 名：X4 0 -3 1 0 3、重量平均分子量2 0 0 0 0，固體份濃度60%) 與白金觸媒（信越化學工業公司製，商品名：PL-50T)依固 體重量比1 0 0 : 1混合以製作矽酮系黏接劑。 其次，耐熱性基材係使用聚醯亞胺樹脂薄膜（東麗· 杜邦公司製，商品名：卡布頓1 0 0 EN、厚度2 5// m、玻璃轉 移溫度3 0 0°C以上，熱膨脹係數1 6ppm/°C )，在其上面以乾 燥後之厚度為6// m之方式塗佈上述黏接劑溶液後，在1 0 0

314546.ptd 第28頁 1289155 五、發明說明（22) °C下乾燥5分鐘，製得具有黏接劑層的比較用之接著片。 比較例8 將環氧樹脂（大日本油墨化學工業公司製、商品名： HP- 72 0 0 ) 14重量份、酚樹脂（日本化藥公司製、商品 名：TPM) 7重量份、丙烯酸酯-縮水甘油丙烯酸酯—丙烯腈 共聚物樹脂（帝國化學產業公司製，商品名：SGD-3DR，重 量平均分子量1 0 0 0 0 0 〇 ) 7 9重量份以及固化促進劑（四國化 成公司製’ 2-乙基-4-曱基咪唑）i重量份，混合在四氫呋

喃以製作黏接劑溶液。在此，熱固化性樹脂（a )/熱塑性樹 脂（b)之重量比為〇 . 2 7。

/、-人’耐熱性基材係使用聚醯亞胺樹脂薄脂（東麗· 杜邦公司製，商品名：卡布頓1〇〇EN、厚度25# m、玻璃 度3 0 0°C以上、熱膨脹係數16ppmA：)，在其上面以 木\ ,厚度為6// m之方式塗佈上述黏接劑溶液後在工L :^4里’製得具有黏接劑層的比較用之接著片。 之測定

脫模交例中所得的黏接劑溶液塗佈 少#。潯上後在與製作接著片時同樣的乾燥條株^ L秌，亚且在黏晶過裎之熱處理條件（1 7 5°C下& 進仃熱處理，以製作附有黏接劑層之脫模型薄膜。日: #猫以乾燥後之厚度為〇 · 1 mm之方式進行黏接劑之备牧 =、木。將所得的樣本裁斷為5mmx 30mm。使用彈性^ 、 ，衣置（歐利延科技公司製列歐拜布倫DDV_n )，告之>1 至4及比較例丨至3，在頻率工丨Hz、升溫速度扣/分^砭

1289155 五、發明說明（23) 定溫度範圍1 5 0至3 0 Ot之條件下加以測定。在此，表1之 值係表示上述溫度範圍内之儲存彈性係數之最小值。 另外’由於比較例4不能適用上述裝置進行測定，因 此以乾燥後之厚度為i mm之方式進行黏接劑之塗佈、乾 無。將所得的樣本裁斷為直徑7mm之圓盤狀，使用彈性率 =定裝置（列歐西特列斯、Haake公司製），在頻率lHz、升 服逮度3°C /分鐘、測定溫度範圍1 5 〇至3 〇 〇〇c，負載1 〇 t 條件下，實，黏接劑層之儲存彈性係數之測定。 又’在貫施例5至9及比較例5至8中，使用上述裝置， 頒=11Hz、升溫速度3°c /分鐘、測定溫度範圍15〇至25〇 is ί二2 I加以測疋。同樣地表1之值係表示上述溫度範 圍下的儲存彈性係數之最小值。 下ι表1中表不在只施例及比較例中所得的測定結 果。 搔著片 1 ·引線搭接不良 藉由層壓法將所得的技t , 妾者片貼附在外寸2 Ο Ox 6 0mm之 QFN用引線框架（鍍AU-(全、/ ,r ^ 卞娜U、孟）〜pd(把）-Ni (鎳）之Cn(銅）引線 框架、4x 1 6個（計6 4個）之4e陆 1 Λ 。u 、τ 1 ;之矩陣排列、封裝尺寸1 Οχ 1 ϋ m m、8 4插腳）。其次，栋田 A, . 4tx B 使用每氧系黏晶劑，將蒸鍍有鋁 的虚擬晶片（dummy chiD) f A徐 n π y P八在貫施例1至4及比較例1至4為 ^ in m|_I、厚度〇 4 m in，在會力ά；心 π · &貝化例5至9及比較例5至8則為6 nun □、厚度0. 4mm)裝載在引蜱士「^ ;衣執社引、'泉樞架之半導體元件裝載部後， 使用接合器（F B - 1 3 1，ϋι a 1 、⑽衣公司製），在加熱溫度2 1 0°C、 _邏驪

第30頁 314546.ptd 1289155 五、發明說明（24) 頻率1 0 0 K H z、負載1 5 0 g f、處理時間1 0 m s e c /插腳之條件 下，藉由金屬線將虛擬晶片與引線加以電性連接。檢查所 得的封裝6 4個，並檢測出發生引線側連接不良的封裝數， 以作為引線搭接不良之發生個數，並將其結果顯示在表 1 ° 2. 鑄模毛邊 使用引線搭接不良之評估後之引線框架以進行鑄模毛 邊之評估。使用環氧系模塑劑（聯苯環氧系、填充劑量8 5 重量％)，在加熱溫度1 8 0°C、壓力1 OMPa、處理時間3分鐘 之條件下，藉由移轉模塑法（模具成型）使用密封樹脂將虛 擬晶片加以密封。檢查經樹脂密封後之封裝6 4個，並檢測 出在引線之外部連接用部份（引線之接著片側之面）附著有 密封樹脂的封裝個數，以作為鑄模毛邊之發生個數，並將 其結果顯示在表1。 3. 黏接強度 將各實施例及比較例中所得的接著片裁斷為1 cm寬 幅，並在5 0 m mx 1 0 Ox 0 . 2 5 m mx厚之銅板（三菱美德克斯公 司製，商品名：MF-2 0 2 )以及對此銅板施加鍍金的板上， 藉由滾輪式層壓（r ο 1 1 1 a m i n a t i ο η )進行壓接。其次，將 上述之板加熱至1 5 0°C，並測定將所得的積層體之黏接劑 層朝相對於板為9 0°之方向剝離時之剝離強度。同樣地， 從1 5 0°C至2 0 (TC為止每提升板之加熱溫度5°C時實施此種 剝離強度之測定。並且，將1 5 0至2 0 0°C之各測定溫度下的 剝離強度中之最小值作為接著片之黏接強度，並將其結果

314546.ptd 第31頁 1289155 五、發明說明（25) 顯示在表1中。此時，實用上所需要之對銅板之黏接力， 不管有無鍍金皆為10g/cm以上。 4.黏接劑殘留 ~ 以與鑄模毛刺之評估同樣之方式，在藉由模塑劑將虛 擬晶片加以密封後，在剝離速度5 0 Omm/分鐘之條件下將接 著片從引線框架剝離。檢查接著片之剝離後之封裝6 4個， 並檢測出在引線之外部連接用部份（黏貼）有引線之接著片 之側之面）附著有黏接劑的封裝個數，以作為黏接劑殘留 之發生數，並將其結果顯示在表1。 表1 儲存彈性 率(MPa) 引線搭接 不良(個） 鑄模毛刺 (個） 對銅板之黏接強度 (g/cm) 黏接劑殘 留之發生 數(個） 無鍍金 有鍍金 實施例1 80 0 0 33 20 0 實施例2 100 0 0 39 29 0 實施例3 120 0 0 25 13 0 實施例4 80 0 0 36 23 0 比較例1 110 0 3 19 12 53. 比較例2 3 49 0 48 35 0 比較例3 0.001 60 49 9 6 55 比較例4 0.01 38 4 30 21 0 實施例5 8 0 0 20 15 0 實施例ό 50 0 0 16 32 0 實施例7 10 0 0 25 20 0 實施例8 80 0 0 33 24 0 實施例9 8 0 0 20 15 0 比較例5 15 0 5 8 5 25 比較例6 1 18 0 42 36 0 比較例7 0.05 36 0 22 14 5 比較例8 0.001 25 11 35 21 11

314546.ptd 第32頁 1289155 五、發明說明（26) ' -一" 不良如^所示，本發明之接著片，完全未發生引線搭接 樹月i成今杈毛邊以及黏接劑殘留。相對於此，在熱固化性 比钗例^ U)/熱塑性樹脂成份（b)之比值超過3的接著片之 婁之亦多及5中，則發生鱗模毛邊，且黏接劑殘留之發生個 (b )之又，在熱固化性樹脂成份（a)/熱塑性樹脂成份 有熱巧例6中，則發生多數引線搭接η。又，.二接者 轾不=性樹脂之比較例3及4之接著片中， ☆夜不佳，經確認為實之接著片之 M it η ^ 汽用上有困難。又，力：r人士义 夂雉著=脂成份U)與熱塑性樹脂成份（b)兩者之比二 情形者广經確認為會發生引線搭接不良 %模毛邊以及黏接劑殘留之情形。 引、-泉格接

第33頁 1289155 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖係表示在使用本發明之生產半導體裝置用之接 著片來製造QFN時所適用的引線框架之構造的概略俯視 圖。 第2A至2F圖係表示使用本發明之生產半導體裝置用之 接著片來製造QFN的方法之一例的步驟圖。 10 接著片 20 引線框架 21 半導體元件裝載部 (晶片座部） 22 引線 30 半導體元件 31 焊線 40 密封樹脂 50 QFN 60 QFN單元

314546.ptd 第34頁

Claims (1)

1289155 _案號92107464 泠年7月，么日 修正__ 六、申請專利範圍 1 . 一種生產半導體裝置用之接著片，係在耐熱性基材、之 一個面上層積黏接劑層，並以可剝離之方式黏貼在引 線框架的生產半導體裝置用之接著片，其特徵為：前 述黏接劑層具有熱固化性樹脂成份（a )及熱塑性樹脂成 份（b )，而前述熱固化性樹脂成分（a )之含量比熱塑性 樹脂成分（b )之含量多，並且前述（a )/ ( b )之重量比為 3以下；而前述熱固化性樹脂成分（a)為選自由尿素樹 脂、三聚氰胺樹脂、苯并胍胺樹脂、乙醯胍胺樹脂、 酚樹脂、間苯二酚樹脂、二曱苯樹脂、呋喃樹脂、不 飽和聚酯樹脂、苯二曱酸二烯丙酯樹脂、異氰酸酯樹 脂、環氧樹脂、馬來醯亞胺樹脂、苯酚二胺醯亞胺樹 脂所成群組中1種或2種以上；熱塑性樹脂成分（b )為選 自由含有醯胺結合之高分子物、含丁二烯樹脂、聚丙 烯腈、聚乙烯縮丁醛、聚醯亞胺、聚酯、聚胺酯、聚 二甲基矽氧烷所成群組中1種或2種以上。 2. 如申請專利範圍第1項之生產半導體裝置用之接著片， 其中，前述财熱性基材為耐熱性薄膜，而該财熱性薄 膜之玻璃轉移溫度為1 5 0°C以上，且熱膨脹係數為5至 5 0 p p m /°C ° 3. 如申請專利範圍第1項之生產半導體裝置用之接著片， 其中，前述财熱性基材為金屬箔，而該金屬箔之熱膨 脹係數為5至50ppm/°C。 4. 如申請專利範圍第3項之生產半導體裝置用之接著片， 其中，前述金屬箔係具有粗糙化面的電解金屬箔，且

314546修正版.ptc 第35頁 1289155 、 _案號921Q7464_私年7月/6日 修正_ , 六、申請專利範圍 在粗糙化面側設置有黏接劑層而成者。 5 .如申請專利範圍第1項之生產半導體裝置用之接著片， ’ 其中，前述熱塑性樹脂成份（b )之重量平均分子量為 . 2，ο ο 〇至 1，ο ο ο，ο ο 〇。 - 6 .如申請專利範圍第1項之生產半導體裝置用之接著片， - 其中，前述黏接層之固化後的儲存彈性係數在1 5 0°C至 2 5 0°C下為5MPa以上。 7.如申請專利範圍第1項之生產半導體裝置用之接著片， 其中，在前述黏接劑層上設置有保護薄膜。 .

314546修正版.ptc 第36頁