TWI289022B - A variable gain amplifier - Google Patents

Description

.1289022^^ doc/006 96-7-19 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種信號處理的裝置，結構或設計方 法，且特別是有關於一種可改變增益的信號處理裝置，結 構或設計方法。 【先前技術】

在衫像#號處理系統中’系統所接收到的信號大小在傳 輸的過程中常發生大範圍的變化。因此，為了使系統所接收的 枱號大小能自動調整為滿足系統中影像輸入信號的輸入規 格通#會使用一些具有自動增益控制(Aut〇 Gain Control， AGC)的電路。而在自動增益控制系統(AGC)中，具有可變增 益的裝置，或稱為可變增益的放大器(Variable Gain AmpUfier， VGA)為不可缺少之元件。

為了使接收到的信號能符合各種系統中影像輸入信號的 規格要求，在讀巾有許彡種可變增益放(VGA)的架構被 廣泛的使用及討論。另外，為了使祕有較佳的影像輸出品 質’則可變增益放大器(VGA)需具有低失真I、高頻寬的特 性°同時’為了克服系統所接收到的信號大小具有大範圍變化 ί特性，則可變增益放大器(VGA)需具有廣泛增益調整範圍及 ，度線，。因此’如何制作一具有低失真度、高頻寬及寬廣增 盈調整範目之可變增益放A||(VGA)為影雜 先^ 不可缺少關鍵元件。 圖1繪示為—種習知之可變增益放大器的電路圖昭 圖1 ’習知之可變增益放大器是由六個電晶體10卜102、ii3、、 5 .1289022 17807twfl .doc/006 96-7-19 104、105、106、一衰減電阻網路113、第一個輸出電阻l〇7、 第二個輸出電阻108、第一個電流源109、第二個電流源11〇、 第三個電流源111以及第四個電流源112所構成。其中，電晶 體101及電晶體102構成一輸入差動對，而衰減電阻網路113 包含二組衰減電阻RA1至RAn及RB1至RBn與2(n+l)切換 開關SA1至SA(n+l)及SB1至SB(n+l)，其中n為一正整數。 電晶體101、103和衰減電阻網路113内之部份衰減電阻 RA1至RAx，以及電晶體102、104和衰減電阻網路113内之 部份哀減電阻RB1至RBy，分別形成一個轉導之迴授電路， 而以上的X和y都是小於η之正整數。另外，電晶體1〇3、1〇5, 以及電晶體104、106分別形成一電流增益放大級(CurrentGain Stages)。而由於電晶體1〇1及102分被強制導通第一電流源 109之電流值，以及第二電流源11〇之電流值。因此，輸入端 的電晶體101、102理想上可視為一直流準位的偏移(dc level shifter)。因此’從電晶體101、102的閘極(gate)的輸入電壓會 線性的轉移至電晶體101、102的源極(source)。而電晶體1〇3 及電晶體104所導通的電流皆可分為一直流電流加上一交流 電流。其中’電晶體103所導通的直流電流值為第三電流源 111扣除第一電流源109的電流值，而交流電流值大約為輸入 信號除以衰減電阻網路113内之部份衰減電阻。此部份衰減電 阻為不含於上述轉導迴授電路之電阻。若要改變放大器的增益 值時，則藉由切換相對應的切換開關SA1，SA2, ...，SACn+1) 及SB1，SB2，...86(11+1)(每次只有一對相對應的切換開關會 導通，其餘的切換開關皆呈現開路），交流電流值就會隨每一 6 1289022 I7807twfl .doc/006 96-7-19 對切換開關 SA1，SA2, ···，SA(n+l)及 SB1，SB2, ··· SB(n+l)所 對應的衰減電阻而改變，此效應分別透過電流增益放大級電晶 體103、105及電晶體104、106將交流電流的變化分別對應到 第一個輸出電阻107及第二個輸出電阻1〇8，而得到我們所需 要的增益值。 在習知的電路中，是衰減電阻及切換開關導通時切換開關 的内阻值共同決定所產生的增益值·但是，切換開關導通時切

換開關 SA1，SA2,…，SA(n+l)，SB1，SB2,…SB(n+l)的内阻值 會隨著輸入信號的振幅大小改變而隨之增減，同時每一個切換 開關導通時的内阻值也會不同，因此造成輸出的線性度不足。 另外當可變增盈放大器的規格需要具有寬廣的增益範圍且要 求最小單位增益值較小時，所需要的衰減電阻與切換開關會太 多且複雜，造成生產成本的增加。其中所謂的最小單位增益值 ，指二相鄰之切換開關所對應的增益值之差值，由於此可g增 盈放大器為-線性放大H，故每二捕之城關所對應的 益差之差值差異不大。 【發明内容】 放大器） 士，發明的目地是提供一具有高度線性、寬廣增益範圍同 牯可=合各種系統所需的最小單位增益值之可變增益裝置(或 之I個目地是提供—丨直流準位 之可、又牦证放大器，藉由可調整輸出直流 克服在半導體製程中，因萝程夾數 工早兀，可以 衣％，數，娜的铸所產生的元件值 块差和讀邮配現像所產生的錢準傾移，因此藉由可調 7 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 整輸出直m位控制單元，可變增益 的符合下—級單元所需的輸入信號範圍。#"b夠谷易 本，明提供了—種具有寬廣增益範圍及可謂法 =線二可變增益放大器，可變增益放大器包含有轉導； :輸=1:、增益控制單元、輸出直流準位控 電流至卿、放導早几會將一輸入，輪出為一輸出 :瓜主〜现放大早几。一增益控制單元，該增益控 流的增益控制信號，來調整增益放大單元i電 單元她_單元讀-流信號及 二㈣早凡決疋的增益大小，再透過其内部的電流辦 電路而得_-增錄A小可整 曰^ 輸出直流準位控制單元會調整的电4號而 流準位。輸出單元接收由二放大輸出信號之直 产車妙W 由曰皿放大早70產生的電流信號並由直 :I制早7L決定輸iij信號之直流雜 大器之輸出信號。 I幻W日皿敌 易懂為上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 明如下。#牛車父佳實施例’並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 2、9示為依妝本發明之一較佳實施例的一種可變增益 轉導ί!之電路方塊圖。請參關2，可變增益放大H 200包括 泣I 5=τ〇1 ’其用來將一輸入電壓聊仍轉換成一輸出電 抓_ TPUT ’ -增益控制單元2〇3，係根據可變增益放大器 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 生增_賊撕；__增益 早το 2〇2 ’用來接收轉導單元遍 I—output及增益控制信號2G7; i中⑽覃出:^ :電路依據增益控制信號_決;；整範== =1=1的輪出電流信號L〇UT_^^ 妙，如_，—_υτ;-輸出直流準 卫早70 〃產生—直流位準信號dc_level，以調

=變f益放Μ 輪略號OUTPUT之直流準位；以及 輸出早兀205’係接收增魏大單元2()2的輸出〗,—〇而切 及輸出直流準位控制單元2()4的輸出DC LEV£l，-出信號OUTPUT。 — 铷 圖3繪示為依知本發明之一較佳實施例的一種可變增益 放之電路圖。睛參關3，在本實施例巾，除了包含一轉 ^單元300、增益放大單元310、增益控制單元320外，另外 還有包含一輸出電阻350的輸出單元34〇、直流電壓源36〇， 電源接地端370及由第一直流匕準侧空制電路33〇及第二直流準

位控制電路380兩部份電路制組成的輸出直流準位控制單 元。 本實施例為一單端輸入、單端輸出之可變增益放大器，同 時在本實施例中皆以M0S電晶體來構成。其中轉導單元3〇〇 是由第一電流源301、第二電流源3〇2、第三電流源308、第 四電流源309、PM0S電晶體303、304、一電阻性元件305、 NM0S電晶體306、307所組成。 增益放大單元310包含nm〇s電晶體311、312、313、 9 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 314。增盈控制單元320是由電壓切換開關321、322、323、 324、 325、326 及反相器 327、328、329 所構成。 輸出直準位控制單元中的第一直流準位控制電路 包含第五電流源33卜第六電流源332、第七電流源333及導 通開關334、335。而第二直流準位控制電路38〇是由第八電 流源 381、PMOS 電晶體 382、NMOS 電晶體 383、384、385、 386及第九電流源387所組成。 一在本實施例中，增益放大單元31〇為一具有3bit的增益調 整範圍，其中3bit的增益控制方式是採用二位元(Binary)數位 控制信號B0、B1、B2來調整增益範圍。第一直流準位控制電 路330為一具有2bit的輸出直流準位調整範圍。在第一直流準 位控制電路330中亦採用二位元(Binary)數位控制信號和 ci來調整輸出信號之直流準位。其中，增益放大單元31〇係 透過增盃控制單元320來調整增益放大單元31〇之電流增益 值，並透過電流增分值的改變，在輸出單元即可得到一可 調整振幅之輸出信號。 f 在本實施例的架構中，若要將可變增益放大器擴充為一具 有N位元(N為一正整數)的增益控制範圍，則需在增益放大單 元310中，增加nm〇s電晶體的數量。同時，在增益控制單 元320中，也增加相對應的電壓切換開關321、322、323、324、 325、 326及反相器327、328、329以及在第二直流準位控制 電路380中增加相對應的_08電晶體數量即可。 另外，為克服輪出直流準位因半導體製程中，製程參數的 飄移而產生元件的阻值改變或元件不匹配程度之影響，而導致 1289022 17807twfl.d〇c/006 96-7-19 了輸出直流準位的飄移，輸出直流準位控制單元中的第一直流 準位控制電路330亦可以更改為具有Mbit的數位控制方式， 其中Μ也為一正整數，根據需要M可與N相等，也可以不相 等。其可變增益放大器之詳細内容的說明將分述如下。 可變增益放大器之輸入端是由PMOS電晶體差動對303 和304所構成，其中PMOS電晶體304和303之源極二端以 一電阻元件305相連接，且第一電流源301和第二電流源3〇2 分別連接於直流電壓源360，以及PMOS電晶體303和304 之源極端。由於PMOS電晶體303和304分別被強制導通第 三電流源308及第四電流源309所產生的電流，因此pM〇s 電晶體303和304理想上可視為一直流準位的偏移。藉此，從 PMOS電晶體303和304之閘極端輸入的電壓會線性的轉移至 PMOS電晶體303和304的源極端。 NMOS電晶體306和307的導通電流可分為一直流電流 值及一交流電流值之總合。詳細地說，電晶體3〇6和 307之直流電流值分別為第一電流源3〇1之電流值扣除第三電 | 流源308之電流值’以及第二電流源302之電流值扣除第四電 流源309之電流值。另外，交流電流值大約為pM〇s電晶體 303和304閘極端的輸入電壓差除以衰減電阻3〇5。在本實施 例中，由於可變增益放大器為單端輸入和單端輸出，因此 PMOS電晶體304之閘極電壓會固定為一直流偏壓值，而此直 流偏壓值的選擇需視輸入信號1]^171振幅範圍而定。 在增益放大單元310中，nm〇s電晶體314與轉導單元 300中的NMOS電晶體3〇6形成一電流鏡(Curfent Mirr〇r)結 11 1289022 17807twfl.doc/006 構’因此NMOS電晶體306所導通的直流電流值與交流電流 會被複製到NMOS電晶體314上，但導通的電流比值則需視 電流鏡的電流放大比值來決定，亦即由NMOS電晶體306與 NMOS電晶體314的通道寬度(Channel Width)及通道長度 (Channel Length)之比值決定。在本實施例所提供的架構中， 一但決定了此電流放大比值，則可變增益放大器的輸出增益值 就與此電流碑大比值成一關係式。 在本實施例中，假設電流放大比值為1，亦即NMOS電 晶體314和306具有相同的通道長度Ln和通道寬度Wn。另 外，為能調整增益放大單元310之電流增益值，因此在本實施 例中，採用一具有3bit增益調整範圍的增益放大單元。其增益 放大單元310包含NMOS電晶體311、312及NMOS電晶體 313。其中，為使可變增益放大器之輸出具有良好的線性度， 因此NMOS電晶體311、312和313之通道長度會與NM〇s 電晶體314相同（或同時與NMOS電晶體306相同），但NMOS 電晶體311、312和313的通道寬度則需視增益範圍而調整。 • 為了達到輸出增益具有高度線性度，因此在本實施例中， NMOS電晶體313的通道寬度為Wna，NMOS電晶體312的 通道寬度為2Wna。另外，NMOS電晶體311的通道寬度為 4Wna。因此，可變增益放大器的增益範圍可藉由電晶 體311、312和313的導通或截止來調整。 此外，增益控制單元320是由電壓切換開關321、322、 323、324、325、326以及反相器327、328、329所構成。而 電壓切換開關321、322、323、324、325和326，如圖4所示， 12 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 是由NMOS電晶體401和403、PM0S電晶體4〇2，反相器 4〇4、以及電源接地端4〇5所構成。其中電壓切換開關功： 322、323、324、325、326為-三端元件，此三端元件分別為 控制端0、信號輸入端1及信號輸出端2。其中，電壓切換 關32卜322、323、324、325和326之電路架構如圖4所示。 當電壓切換開關321、322、323、324、325和326控制端 〇之電壓為一高準位巧，則相對應連到電晶體3ιι、 312 313、383、3叫及385閘極的信號輸出端2所輸出之 #號就為信號輸入端1所提供之直流偏壓準位。反之，當控制 端〇之電壓為一低準位時，則信號輸出端2之輸出準位就是一 接地端準位。因此，透過增益控制單元32G之控制信號B2、 B1和B0，即可控制電壓切換開關32卜奶、323、似、奶 和326之輸出端2之電壓狀態。而增益放大單元31〇則依據電 壓切，開關32卜322、323、324、325和326之輸出端2之電 壓狀悲，來控制增益放大單元31〇之^〇8電晶體311、312 和313，以及第二直流準位控制電路38〇之nmos電晶體 383、384和385之導通狀態，而達到增益放大調整之功能。 在本實施例中，當B2=’〇’，bi=，〇,，B〇=，〇,時，可變增益放大 态有最小的增益值，反之當Β2=，1，，Β1=，1，，Β0=Τ時，可變 增益放大器有最大的增益值。其中，〇，及，丨，為邏輯信號之高、 低準位。 由於本實施例為一單端輸入以及單端輸出之可變增益放 大斋，當增益放大單元31〇中的nm〇s電晶體311、312和 313導通或關閉時’則輪出單元34〇會因NM〇s電晶體3U、 13 1289022 96-7-19 17807twfl.doc/006 312和313為導通或關閉狀態而影響輸出信號之直流準位。為 克服此問題，則需增加一第二直流準位控制電路380。此第二 直流準位控制電路380包含第八電流源381、PMOS電晶體 382、NMOS電晶體383、384、385和386，以及第九電流源 387 〇 其中，NMOS電晶體385與增益放大單元之_〇8電晶 體313 ; NMOS電晶體384與NMOS電晶體312 ;以及

電晶體383與NM〇S電晶體311，都會分別具有相同的通道 長度及通道寬度。由於第二直流準位控制電路38〇的幫助，當 改變增益控制單元32〇的控制信號B2、m、β〇之狀態時，則 增益控制單元320《電壓切換開關321及其所對應之電壓切換 開關324,電壓切換開關322及其所對應之電壓切換開關325; 以及電壓切換開關323及其所對應之電壓切換開關似之輸出 =2山的輸出狀態會相反。也就是說，當電壓切換開關奶之輸 私壓為一直流偏壓時’則其所對應之電壓切換開 關324之輸出端2之輸出電壓為一接地電壓。 3i3 ⑽之刪0S電晶體311、312和 k或關卩撕’其對輸_所增加 過NMOS電晶體383、384和 ⑴瓜电/爪曰透 哨。齡^山〇 和之導通或_而相互的取 ;:出直流準位就不會因控制信號、B1和B0之 狀恶改變而有所影響。 < 在半導體製程中，因製程參數 ， 產生r的改變，因而對輪出=== 〜抓 > 立產生衫響。而此直流準位的改變極可能會影響下 14 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 一級兀件的工作特性，而造成下一級元件輸出產生錯誤的結 果。因此，必需透過直流準位控制單元中的第一直流準位控制 電路330來改變輪出信號的直流準位。在本實施例中，直流準 位控制單元中的第一直流準位控制電路330可以由第五電流 源331、第六電流源332、第七電流源333以及導通開關334 和335所構成。其中，電流源331是提供可變增益放大器直流 準位之基準值，而電流源332、333及切換開關334、335則用 來微調輸出直流準位。因此，藉由直流準位控制信號⑶、C1 即可改變輸出信號的直流準位，以符合下一級元件的工作特 性。 上述之實施例為本發明的實施例之一，因此本發明不受限 於以PMOS電晶體為輸入差動對，而用nm〇s電晶體構成增 益放大電路。也就是說，熟習此技藝者亦可採用電晶 體為輸入差動對，而以PMOS電晶體構成增益放大電路。同 時，本發明亦可採用PNP電晶體及NPN電晶體來構成，只要 使用PNP電晶體取代pm〇S電晶體，採用npn電晶體取代 | NMOS電晶體即可。 而透過增盈值大小的設定，在實際應用中，除了可以把輸 入信號放大之外，也可以在輸入信號過大時，把輸入信號縮小。 本發明的主要優點，在於增益放大電路是透過改變電晶體 的電流比值來達成增益值範圍的調整。由於本發明是透過電流 比值來改變增益範圍，因此輸出信號增益值的變化是非常線性 的。利用此改變增益範圍的控制方法，可以容易的設計一具有 寬廣增益範圍及輸出具有高度線性的可變增益放大器。而本發 15 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 IS，直流準位控制單元之設計，是透過直流準 轉在铸财針因參數_移所產生 的决差w成輪出信號直流準位的飄移。 生 KP然本發邮以較佳實施觸露如上，然其並非用以 限疋本發明，任你古力羽^ > ^仃热自此技藝者，在不脫離本發明之精神 二把圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視_之巾料利範騎界定者為準。

【圖式簡單說明】 圖1繪示為一種習知之可變增益放大器的電路圖。

圖2繪示為依照本發明之一較佳實施例的一種可變增益 放大器之電路方塊圖。 I 圖3繪示為依照本發明之一較佳實施例的一種可變增益 放大器之電路圖。 1 圖4繪示為依照本發明之一較佳實施例的一種電壓切換 開關之電路圖。 ' 【主要元件符號說明】

101、102、103、104、105、106 :電晶體 113 :衰減電阻網路 107、108、RA1 〜RAn、RB1 〜RBn :電阻 109、110、in、112:電流源 200 :可變增益放大器 201 :轉導單元 202 :增益放大單元 203 :控制單元 16 1289022 17807twfl .doc/006 96-7-19 204 :輸出直流準位控制單元 300 :轉導單元 301 :第一電流源 302 :第二電流源 303、304、382、4(U、402 : PMOS 電晶體 305 :電阻性元件 306、307、3U、312、313、314、383、384、385、386、 401、403 : NMOS 電晶體 308 :第三電流源 309 :第四電流源 310 :增益放大單元 320 :增益控制單元 321、322、323、324、325、326 :電壓切換開關 327、328、329、404 :反相器 330 :第一直流準位控制電路 331 :第五電流源 332 :第六電流源 333 :第七電流源 334、335、SA1 〜SA(n+l)、SB1 〜SB(n+l):切換開關 340 :輸出單元 350:輸出電阻 360 :直流電源電壓 370 ··電源接地端 380 :第二直流準位控制電路 17 96-7-19 1289022 17807twfl .doc/006 381 ··第八電流源 387 :第九電流源 404 :反向器

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Claims (1)

1289022 17807twfl .doc/006 96-7 -19 十、申請專利範圍·· 1·一種可變增益放大器，包括： 轉導單元，根據一輸入訊號而產生一電流訊號； 0 —增证放大單元，具有多數個第一組電晶體元件，與該轉 、導單兀形成-電流鏡電路，且每—該些第_組電晶體元件的通 這(Channel)長寬比不相同，以將該轉導單元所產生的電流訊號 依據對應之笔曰曰體元件的通道長寬比以對應的比例進行複 製；以及 _ —增遽解元，依據該可變增益放大ϋ所被設之增益大 小產生一控制信號來決定該增益放大單元内之該些第一組電 晶體的狀態。 2.如申請專利範圍第1項所述之可變增益放大器，更包含 -直^壓電路，該直流偏壓電路具有多數個第二組電晶體元 件’且母-該些第二組電晶體元件與該些第—組電晶體元件對 應之一電晶體元件具有相同之通道長寬比。 斤3·如申請專利範圍第2項所述之可變增益放大n，其中該 • 些第一組電晶體元件之一電晶體元件導通時，該些第二組電晶 體元件中對應之電晶體元件之則為關閉。 4·如申請專利範圍第3項所述之可變增姐大器，其中該 增ϋ控制單元包括多數個反向器，用以分別接收多數個控制信 號’控制該些第二組電晶體树的導通/關閉狀態，使其與該 些第-組電晶體it件中對應之電晶體耕之狀態相反。 5·如申請專利範圍第2項所述之可變增益放大器，其中 直流偏壓電路更包含兩電流源，該兩電流源之電流值差與該轉 19 1289022 17807twfl .doc/〇〇6 96-7-19 導單7L之電流訊號之直流成分約略相等。 -幹6出專利範圍第1項所述之可變增益放大11，更包括 源。刖A，該輸出單元透過—輪出電阻而連接至—直流電壓 -專利細第1項所述之可變增益放大11，更包括 準位控制單71，該輸出直流準位控制單s連接至該 少：導、二=具有多數個電流源及至少一個導通開關，該至 放大^=_些電麵中對應之電流源關整該增益 敌大早70的輸出直流電壓準位。 —8·如中請專利範圍第7項所述之可變增益放大器，更包含 :直,壓電路，該直流偏壓電路具有多數個第二組電晶體元 且每-雜第二組電晶體元件與該些第―組電晶體元件對 Μ之一電晶體元件具有相同之通道長寬比。 9·一種可變增益放大器，包含·· 一轉導單元，根據一輸入訊號而產生一電流訊號； 、曾w Γ增益放大單元，具有多數個第一組電晶體元件，與該轉 導單兀形成-電流鏡電路，骑—該些第—組電晶體元件依據 該電流訊號而產生對應之一電流； 一增盤控制單元，依據該可變增益放大器被設之增益大小 產生一增益大小控制信號來切換該增益放大單元内之該些第 一組電晶體的狀態；以及 一 一輸出直流準位控制單元，依據該增益大小控制訊號來調 整輪出直流準位。 10·如申请專利範圍第9項所述之可變增益放大器，其中 20 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 該些第一組電晶體元件係為MOS電晶體。 11. 如申請專利範圍第9項所述:可紗 含二直流偏壓電路’該直流偏壓電路具有多二第電曰以 το件’且每-該些第二組電晶體树 = 對應之-電晶體元件具有相同之通道長寬比弟組電日曰體讀 12. 如申請專利範圍第u項所述之 中該此第一龟雷曰驹^此 _ R ^ 又曰I放大其 電曰t杜ίΓ: 電晶體元件導通時，該些第二紕 私曰曰體讀中對應之電晶體元件之則為關閉。 1=申請專概_ u項所述之可 括多數個反向器⑽分別接收多數健: 哕：工：s二些第-組電晶體兀件的導通/關閉狀態，使其與 I弟-_晶體元件中對應之電晶體元件之狀態相反。 评Γΐ申請專纖圍第11項·之可變增益放大器，其中 忒輸出直流準位控制單元還包括： 多數個電流源；以及 將料ΐ)—切換開關，分別依據至少—控制峨，而決定是否 ==錢源所產生__合至該增益放大單元及該直 / 爪偏壓電路。 山5·如申明專利範圍第9項所述之可變增益放大器，其中 〜输出單摘更透過-輸出電Μ連接至-直流電壓源。 16·—種可變增益放大器，包含： 二，導單元’用以產生-電流訊號； -增显放大單元，具有多數個第一組電晶體元件，與該轉 早疋形成-電流鏡電路，且每一該些第一組電晶體元件的通 21 1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 道(Channel)長寬比都不相同，以將該轉導單元所產生的電流訊 號依據對應之第一組電晶體元件的通道長寬比以對應的比例 進行複製； -增益控制單元，依據該可變增益放大器被預設之增益大 小產生增益控制信號來切換該增益放大單元内之該些第一組 電晶體的狀態；以及 一輸出直流準位控制單元，依據一直流控制訊號來調整輸 出直流準位。 • 17.如申請專利範圍第16項所述之可變增益放大器，更包 含一直流偏壓電路’該直流偏壓電路具有多數個第二組電晶體 兀件’且每-該些第二組電晶體元件與該些第—組電晶體元件 對應之一電晶體元件具有相同之通道長寬比。 18·如申請專利範圍第17項所述之可變增益放大器，其中 览控制單元包括多數個反向器，用以分別接收多數個控制 信號以設定該可變增益放大器的增益大小，且每一該些反向器 =輸出都分難繼些第二組電晶體元件的導通/關閉狀 險恶’使之與該些第―組電晶體元件中對應之電晶體耕之狀離 相反。 〜 D·如申請專利範圍第16項所述之可變增益放大器，更包 括輸出單元，用以作為該可變增益放大器之輸出端。 二20·如申請專利範圍第18項所述之可變增益放大器，其中 “輸出單元該更透過一輸出電阻而連接至一直流電壓源。 一 21·如申請專利範圍第16項所述之可變增益放大器，其中 該輪出直流準位控制單元包括： 、 22 1289022 178〇7twfl .doc/006 96-7-19 多數個電流源；以及 多數個切換開關，分別依據該些直流位準控制訊號，而決 定對應之電流源的電流導通狀況。 、 22·—種可變增益放大器，包括： 一轉導單元，根據一輸入訊號而產生一電流訊號； 一增益放大單元’具有多數個第一組電晶體元件υ，與該轉 導單元形成-電流鏡，且每一該些第一組電晶體以牛依據 丨 該電流訊號而產生對應之一電流； 一直流偏壓電路，該直流偏壓電路具有多數個第二組電晶 體元件及兩電流源，且每一該些第二組電晶體元件與該些第一 組電a曰體元件中對應之一電晶體元件具有相同之通道長寬比 及該些第二組電晶體元件之電流值係根據該兩電流源之電流 值差而決定；以及 一增盈控制單元，依據該可變增益放大器之增益控制信號 來切換該增益放大單元内之該些第一組電晶體及該些第二組 電晶體的狀態。 k 23·如申請專利範圍第22項所述之可變增益放大器，其中 5亥些第一組電晶體元件之一電晶體元件導通時，該些第二組電 晶體元件中對應之電晶體元件之則為關閉。 24·如申請專利範圍第23項所述之可變增益放大器，其中 。亥私贫控制單元包括多數個反向器，用以分別接收多數個控制 #唬’控制該些第二組電晶體元件的導通/關閉狀態，使其與 該些第一組電晶體元件中對應之電晶體元件之狀態相反。 23 ,1289022 17807twfl.doc/006 96-7-19 七、 指定代表圈： (一) 本案指定代表圖為：圖（2 )。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 200可變增益放大器 201轉導單元 202增益放大單元 203增益控制單元 204輸出直流準位控制單元 205輸出單元 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 無 4