TWI287161B - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1287161 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有彩色影像顯示機能之液晶顯示裝置 ，亦即，和主動型液晶顯示裝置相關。 【先前技術】 因爲近年來之微細加工技術、液晶材料技術、以及高 密度安裝技術等之進歩，採用5〜50cm對角之液晶顯示 裝置之電視影像及各種影像顯示機器大量提供於商業用途 。又，構成液晶面板之2片玻璃基板之一方形成RGB之 著色層，而使彩色顯示更容易實現。尤其是，各圖素內建 開關切換元件之所謂主動型液晶面板更保証可提供串音較 少、回應速度較快、以及高對比比之影像。 一般而言，此種液晶顯示裝置（液晶面板）係掃描線 200〜1 200條程度，信號線3 00〜1 600條程度之矩陣編制 ，然而，最近因爲對應顯示容量之增大而不斷追求大畫面 化及高精細化。 第54圖係安裝於液晶面板之安裝狀態，構成液晶面 板1之一方之透明性絕緣基板，例如，利用：以導電性黏 結劑連結對形成於玻璃基板2上之掃描線之電極端子群5 供應驅動信號之半導體積體電路晶片3之COG(Chip-On-Glass)方式；及例如以聚醯亞胺系樹脂薄膜基底，以含有 導電性媒體之適當黏結劑將具有鍍金或鍍焊錫之銅箔端子 之TCP膜 4壓接固定於信號線之電極端子群 6之 -5- 1287161 (2) TCP(Tape-Carrier-Package)方式等：安裝手段’對影像顯 示部供應電性信號。此處，爲了方便而同時圖示兩種安裝 方式，然而，實際上應適度選擇其中之一方式。 7、8係用以連結位於液晶面板1之大致中央部之影 像顯示部內之圖素、以及掃描線及信號線之電極端子5、 6之間之配線路，其構成上，不必和電極端子群5、6爲 相同之導電材料。9係相對面上具有全部液晶單元（cell) 共用之透明導電性對向電極之另1片透明性絕緣基板之相 對玻璃基板或彩色濾光片。 第5 5圖係將絕緣閘極型電晶體1 0當做開關切換元件 配置於各圖素之主動型液晶顯示裝置之等效電路圖，11( 第54圖中爲7)係掃描線，12(第54圖中爲8)係信號線， 1 3係液晶單元，液晶單元1 3被視爲電容元件。以實線描 繪之元件類係形成於構成液晶面板之一方之玻璃基板2上 ，以虛線描繪之全部液晶單元1 3共用之對向電極1 4係形 成於和另一方之玻璃基板9相對之主面上。絕緣閘極型電 晶體10之OFF電阻或液晶單元13之電阻較低時、或重 視顯示影像之灰階標度性時，可以增大視爲負荷之液晶單 元1 3之時間常數，而將補助蓄積電容1 5並聯於液晶單元 13等，採取電路上之對策措施。又，16係蓄積電容15之 共用母線。 第56圖係液晶顯示裝置之影像顯示部之重要部位剖 面圖，構成液晶面板1之2片玻璃基板2、9係利用樹脂 性之纖維、珠、或形成於彩色濾光片9上之柱狀間隔件等 -6 - 1287161 (3) 之間隔件材（圖上未標示）以相隔數V m程度之特定距離來 形成，該間隙係在玻璃基板9之邊緣部利用由有機性樹脂 構成之密封材料及封口材料（圖上皆未標示）進行密封而成 爲密閉空間，該密閉空間充塡著液晶i 7。 爲了實現彩色顯示，玻璃基板9之密閉空間側會覆蓋 被稱爲著色層18之染料或顔料之一或雙方之厚度爲1〜2 // m程度之有機薄膜來賦與顯色機能，此時，亦將玻璃基 板9稱爲彩色濾光片（Color Filter，簡稱爲CF)。其次， 可依據液晶材料1 7之性質，在玻璃基板9之上面或玻璃 基板2之下面之一或兩面上貼附偏光板丨9，使液晶面板1 具有電性光學元件之機能。現在，市販之大部份液晶面板 係採用TN (扭轉向列）系之物做爲液晶材料，通常需要2 片偏光板19。圖上雖然未標示，然而，透射型液晶面板 會配置背光源當做光源，而從下方照射白色光。 配向，配向膜已爲業界習用，不需光澤 接觸液晶17並形成於2片玻璃基板2、9上之例如厚 度爲0.1 # m程度之聚醯亞胺系樹脂薄膜20，係用以使液 晶分子配向於特定方向之配向膜。2 1係用以連結絕緣閘 極型電晶體10之汲極、及透明導電性圖素電極22之汲極 (配線），通常係和信號線（源極線）1 2同時形成。半導體層 23係位於信號線12及汲極21之間，後面有詳細說明。 形成於彩色濾光片9上之著色層18之各色相鄰邊界之厚 度爲0.1/zm程度之Cr薄膜層24係用以防止外部光射入 1287161 (4) 半導體層23、掃描線11、及信號線12之光遮蔽構件，爲 所謂黑色矩陣（Black Matrix，簡稱爲BM)之習用技術。 此處，針對當做開關切換元件之絕緣閘極型電晶體之 構造及製造方法進行說明。現在，經常採用之絕緣閘極型 電晶體有2種，其中之一被稱爲蝕刻終止型，做爲傳統例 來進行介紹。第57圖係構成傳統液晶面板之主動基板（顯 示裝置用半導體裝置）之單位圖素之平面圖，第58圖係第 57圖（e)之A-A’、B-B’、及C-C’線之剖面圖，其製造步驟 簡單說明如下。 首先，如第57圖（a)及第58圖（a)所示，在具有高耐 熱性、耐藥性、及透明性之絕緣性基板之厚度爲0.5〜 1.1mm程度之玻璃基板 2 之一主面上，例如，在 CORNING公司製之商品名稱1 73 7之一主面上，以SPT( 濺鍍）等之真空製膜裝置覆蓋膜厚爲0.1〜0.3/zm程度之 第1金屬層，並利用微細加工技術選擇性地形成兼用爲閘 極11A之掃描線11、及蓄積電容線16。掃描線之材質係 綜合考量耐熱性、耐藥性、耐氟酸性、及導電性來進行選 擇，一般而言，係使用 Cr、Ta、MoW合金等高耐熱性之 金屬或合金。 爲了對應液晶面板之大畫面化及高精細化而降低掃描 線之電阻値，掃描線之材料採用A1(鋁）係合理之做法，然 而，因爲A1之單體的耐熱性較差，故對其實施上述耐熱 金屬之Cr、Ta、Mo、或其矽化物之積層化，或者，對A1 之表面實施陽極氧化來對其附加氧化層（ai2o3)，現在已 8- 1287161 (5) 經是一般技術。亦即，掃描線1 1係由1層以上之金屬層 所構成。 其次’利用PCVD(電漿化學氣相沉積）裝置在玻璃基 板2之全面，分別以例如〇·3μιη，0.05μπι，程度之 膜厚依序覆蓋：當做閘極絕緣層之第1 SiNx(氮化矽）層 30、幾乎不含雜質之當做絕緣閘極型電晶體之通道之第1 非晶矽（a-Si)層31、以及當做用以保護通道之絕緣層之第 2 SiNx層32等3種薄膜層，並如第57圖（b)及第58圖 (b)所示，利用微細加工技術，可選擇性地使寬度小於閘 極1 1A之閘極1 1 A上之第2 SiNx層殘留下來而得到32D ，而使第1非晶矽層3 1露出。 接著，在同樣利用PCVD裝置在全面以例如0.05 // m 程度之膜厚覆蓋含有雜質例如磷之第2非晶矽層33後， 如第57圖（c)及第58圖（〇所示，利用SPT等真空製膜裝 置依序覆蓋膜厚爲〇.l"m程度之耐熱金屬層之例如Ti、 Cr、Mo等之薄膜層34、低電阻配線層之膜厚爲0.3"m 程度之A1薄膜層35、以及膜厚爲0.1 // m程度之中間導 電層之例如Ti薄膜層36，並利用微細加工技術，選擇性 地形成由源極•汲極配線材料之3種薄膜層34A、35 A、 及36A之積層所構成之絕緣閘極型電晶體之汲極21、及 兼用爲源極之信號線1 2。此選擇性之圖案形成上，係將 用以形成源極•汲極配線之感光性樹脂圖案當做遮罩，依 序實施Ti薄膜層36、A1薄膜層35、Ti薄膜層34之蝕刻 後，除去源極•汲極12、21間之第2非晶矽層3 3而使第 -9- 1287161 (6) 2 SiNx層3 2D露出，同時，亦除去其他區域之第1非晶 矽層31而使閘極絕緣層30露出。如此，因爲通道保護層 之第2 SiNx層3 2D之存在而使第2非晶矽層33之蝕刻自 動結束，故將此製法稱爲蝕刻終止。 爲了不使絕緣閘極型電晶體成爲偏置構造，源極•汲 極1 2、2 1之形成上，係和部份蝕刻終止層3 2D在平面上 形成部份（數// ni)重疊。因爲此重疊部份具有寄生電容之 電性作用，故愈小愈好，然而，因爲係由曝光機之校準精 度、光遮罩之精度、玻璃基板之膨脹係數、以及曝光時之 玻璃基板溫度所決定，故實用數値頂多爲2 v m程度。 此外，除去上述感光性樹脂圖案後，和當做透明性絕 緣層之閘極絕緣層相同，以PC V D裝置在玻璃基板2之 全面覆蓋0.3 //m程度之膜厚之SiNx層當做鈍化絕緣層 37，並如第57圖（d)及第58圖（d)所示，以微細加工技術 選擇性地除去鈍化絕緣層37，在汲極2 1上形成開口部62 、在影像顯示部外之區域之形成掃描線1 1之電極端子5 之位置上形成開口部63、以及在形成信號線1 2之電極端 子之位置上形成開口部64，使部份汲極2 1、掃描線1 1、 及信號線12露出。蓄積電容線16(互相平行之電極圖案） 上則形成開口部65而使部份蓄積電容線1 6露出。 最後，利用 SPT等真空製膜裝置覆蓋例如ITO( Indium-Tin-Oxide)或 IZO(Indium-Zinc-Oxide)之膜厚爲 0.1〜0.2/zm程度之透明導電層，並如第57圖（e)及第58 圖（e)所示，利用微細加工技術在含有開口部62之鈍化絕 1287161 (7) 緣層37上選擇性地形成圖素電極22，而完成主動基板2 。可將開口部63內露出之部份掃描線1 1當做電極端子5 且將開口部64內露出之部份信號線1 2當做電極端子6， 亦可如圖所示，在含有開口部63、64之鈍化絕緣層37上 選擇性地形成由ITO所構成之電極端子5A、6A，然而， 通常會同時形成用以連結電極端子5A、6A間之透明導電 性短路線4 0。其理由雖然未標示於圖上，然而，利用使 電極端子5A、6A及短路線40間形成細長條狀而獲得高 電阻化，故可當做靜電對策用之高電阻。以同樣方法形成 含有開口部65之通往蓄積電容線16之電極端子。 爲了不使信號線1 2之配線電阻造成問題，並非一定 需要由A1所構成之低電阻配線層35，此時，只要選擇Cr 、Ta、Mo等耐熱金屬材料實施源極•汲極配線12、21之 單層化即可獲得簡化。如此，利用耐熱金屬層來確保源極 •汲極配線及第2非晶矽層之電性連結十分重要，又，前 述實施之日本特開平7-74368號公報中對絕緣閘極型電晶 體之耐熱性有詳細記載。又，第5 7圖（c)中，蓄積電容線 16及汲極21隔著閘極絕緣層30形成平面重疊之區域50( 右下斜線部）會形成蓄積電容1 5，此處省略其詳細說明。 以上所述之5道遮罩•處理，省略其詳細經緯，然而 ’其係半導體層之島化步驟之合理化、及減少1次形成接 觸步驟之結果，當初需要7〜8道程度之光罩因爲乾蝕刻 技術之導入而在現時點減少成5道，對處理成本之節省可 寄以厚望。爲了降低液晶顯示裝置之生產成本，降低主動 11 - 1287161 (8) 基板製作步驟之處理成本、及降低面板組裝步驟及模組安 裝步驟之構件成本係有效的方法，亦是眾所皆知之開發目 標。降低處理成本上，可以利用縮短處理之步驟刪減、開 發便宜之處理、以及變更處理，然而，此處係以利用4道 光罩得到主動基板之4道光罩處理做爲步驟刪減之實例來 進行說明。4片遮罩•處理因爲導入半色調曝光技術而可 刪除光刻步驟，第59圖係對應4道光罩處理之主動基板 之單位圖素之平面圖，第60圖係第59圖（e)之A-A’、B-B’、及C-C’線之剖面圖。如前面說明所述，現在通常採 用之絕緣閘極型電晶體有2種，此處係採用通道蝕刻型之 絕緣閘極型電晶體。 首先，和5道光罩處理相同，在玻璃基板2之一主面 上利用SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚爲0.1〜〇.3/zm程度 之第1金屬層，如第59圖（a)及第60圖（a)所示，利用微 細加工技術選擇性地形成兼用爲閘極1 1 A之掃描線1 1及 蓄積電容線1 6。 其次，利用PC VD裝置在玻璃基板2之全面依序分別 覆蓋例如〇.3μηι，〇.2μιη，〇.〇5/zm程度之膜厚之當做聞極 絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣閘 極型電晶體之通道之第1非晶矽層31、以及含有雜質之 當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非晶矽層3 3 之3種薄膜層。接著，利用SPT等真空製膜裝置依序覆 蓋膜厚爲O.l/zm程度之當做耐熱金屬層之例如Ti薄膜層 34、膜厚爲0.3 // m程度之當做低電阻配線層之A1薄膜層 -12- 1287161 (9) 3 5、以及膜厚爲Ο · 1 // m程度之當做中間導電層之例如Ti 薄膜層3 6，亦即，依序覆蓋源極•汲極配線材，並利用 微細加工技術選擇性地形成絕緣閘極型電晶體之汲極2 1 、及兼用爲源極之信號線1 2，此選擇性之圖案形成上， 如第59圖（b)及第60圖（b)所示，利用半色調曝光技術使 源極•汲極間之通道形成區域80B(斜線部）之膜厚成爲例 如1 · 5 // m而形成厚度小於膜厚爲3 // m之源極•汲極配 線形成區域 80A(12)、80A(21)之感光性樹脂圖案80A、 80B係其最大特徵。 此種感光性樹脂圖案80A、80B，在液晶顯示裝置用 基板之製作上通常會採用正型感光性樹脂，故只要採用以 下之光罩即可，亦即，使源極•汲極配線形成區域80A 成爲黑色，亦即，形成Cr薄膜，使通道區域80B成爲灰 色，例如形成寬度爲0.5〜1 β m程度之線/間距之Cr圖案 ，使其他區域成爲白色，亦即，除去Cr薄膜。灰色區域 因爲曝光機之解析力不足而不會解析出線/間距，而來自 燈光源之光遮罩照射光大約有一半程度會透射，故可得到 對應正型感光性樹脂之殘膜特性之具有如第60圖（b)所示 之剖面形狀之感光性樹脂圖案80A、80B。

將上述感光性樹脂圖案80A、80B當做遮罩，依序實 施如第60圖（b)所示之Ti薄膜層36、A1薄膜層35、Ti薄 膜層34、第2非晶矽層33、及第1非晶矽層3 1之蝕刻而 使閘極絕緣層30露出後，如第59圖（〇及第60圖（〇所示 ，利用氧電漿等之灰化手段使感光性樹脂圖案80A、80B 1287161 (10) 之膜厚減少1.5# m以上而使感光性樹脂圖案80B消失並 露出通道區域，同時，只有源極•汲極配線形成區域上會 殘留80C(12)、8 0C(21)。其次，將膜厚已減少之感光性樹 脂圖案80C(12)、80C(21)當做遮罩，再度依序實施源極· 汲極配線間（通道形成區域）之Ti薄膜層、A1薄膜層、Ti 薄膜層、第2非晶矽層33 A、及第1 _晶矽層3 1A之蝕刻 ，直到第1非晶矽層31A成爲0.05〜0.1//m程度爲止。 因爲源極•汲極配線之形成上，係在實施金屬層之鈾刻後 ，對第1非晶矽層31A進行蝕刻使其成爲0.05〜0.1/zm 程度爲止，故將以此種製法得到之絕緣閘極型電晶體稱爲 通道•蝕刻。又，上述氧電漿處理中，爲了抑制圖案尺寸 之變化，故應具有較強之異向性，其理由在後面會進行說 明。 進一步除去上述感光性樹脂圖案80C(12)、80C(21)後 ，和5道光罩處理相同而如第59圖（d)及第60圖（d)所示 ，在玻璃基板2之全面以透明性絕緣層方式覆蓋0.3 "m程度膜厚之第2 SiNx層當做鈍化絕緣層37，在形成 汲極2 1、掃描線1 1、及信號線1 2之電極端子之區域分別 形成開口部62、63、64，並除去開口部63內之鈍化絕緣 層37及閘極絕緣層30而使開口部63內露出部份掃描線 ，同時，除去開口部62、64內之鈍化絕緣層3 7而使部份 汲極2 1及部份信號線露出。 最後，利用SPT等真空製膜裝置以膜厚爲0.1〜0.2// m程度之透明導電層之方式覆蓋例如IT Ο或IZO，並如第 1287161 (11) 5 9圖（e)及第6 0圖（e)所示，利用微細加工技術在鈍化絕 緣層3 7上選擇性地形成含有開口部62之透明導電性圖素 電極22，而完成主動基板2。此處之電極端子，係在含有 開口部63、64之鈍化絕緣層37上選擇性地形成由ITO所 構成之透明導電性電極端子5A、6A。 【發明內容】 如此，5道光罩處理及4道光罩處理中，針對汲極21 及掃描線1 1之接觸形成步驟係同時實施，對應其之開口 部62、63內之絕緣層厚度及種類皆不同。鈍化絕緣層37 相對於閘極絕緣層3 0，其製膜溫度較低，膜質亦較差， 利用氟酸系蝕刻液進行蝕刻時，蝕刻速度亦分別爲數 1 000A/分、數100A/分而有10倍之差異，因此，因爲汲 極21上之開口部62之剖面形狀之上部會發生過蝕刻而無 法控制孔徑之理由，而採用氟系氣體之乾式蝕刻（乾蝕刻） 〇 即使採用乾蝕刻，汲極2 1上之開口部62因爲只有鈍 化絕緣層37，和掃描線1 1上之開口部63相比，無法避 免過蝕刻，故中間導電層36A會因爲蝕刻氣體而出現對 應材質之膜厚減少。又，蝕刻結束後除去感光性樹脂圖案 時，首先，爲了除去氟化表面之聚合物而會以氧電漿灰化 使感光性樹脂圖案之表面減少〇 · 1〜〇 · 3 // m程度，其後， 一般會利用例如東京應化製剝離液1 〇6等有機剝離液實施 藥液處理，然而，若中間導電層36A之膜厚減少而處於 1287161 (12) 使基底之鋁層35A露出之狀態，則氧電漿灰化處理會使 鋁層35A之表面形成絕緣體之Al2〇3，而無法得到和圖素 電極22間之歐姆接觸。因此，將中間導電層36A之膜厚 設定成較厚之〇.2/zm，即使發生膜厚減少亦可避免前述 問題。或者，亦可採取下述對策，亦即，在形成開口部 62〜65時，在除去鋁層35A而使基底之耐熱金屬層之Ti 薄膜層34A露出後，再形成圖素電極22，此時，具有從 一開始即無需中間導電層3 6 A之優點。 然而，前者之對策若薄膜之膜厚無法有良好之面內均 一性時，則該措施並不一定有效，又，蝕刻速度無法有良 好之面內均一性時，則不會有任何改善。後者之對策雖然 無需中間導電層36A，然而，增加用以除去鋁層35A之步 驟，又，若無法充分實施開口部62之剖面控制，則圖素 電極22可能出現斷線。 此外，通道蝕刻型之絕緣閘極型電晶體若覆蓋於通道 區域之不含雜質之第1非晶矽層3 1無法達到一定厚度（通 常爲0 · 2 // m以上），則對玻璃基板之面內均一性會產生很 大影響，而往往導致電晶體特性不齊一，尤其是OFF電 流之不齊一。其對PC VD之運轉率及粒子產生狀況會造成 很大影響，從生產成本之觀點而言，亦是極爲重要之事項 〇 又，應用於4道光罩處理之通道形成步驟因係選擇性 地除去源極•汲極配線1 2、2 1間之源極·汲極配線材料 及含有雜質之半導體層，故係決定會大幅左右絕緣閘極型 -16- 1287161 (13) 電晶體之ON特性之通道長度（現在之量產品爲4〜6//m) 之步驟。此通道長度之長度變動因爲會使絕緣閘極型電晶 體之ON電流値產生很大變化，故通常會要求較爲嚴格之 製造管理，通道長度，亦即，半色調曝光區域之圖案尺寸 會受到曝光量（光源強度及光遮罩之圖案精度，尤其是， 線/間距尺寸）、感光性樹脂之塗布厚度、感光性樹脂之顯 影處理、以及該蝕刻步驟之感光性樹脂之膜厚減少量等眾 多參數之左右，此外，尙有前述諸量之面內均一性等問題 ’故並非都能實現高良品率之安定生產，而需要實施比傳 統製造管理更爲嚴格之製造管理，以現狀而言，絕非已達 到高度水準。尤其是，通道長度爲6//m以下時，顯著呈 現會隨著抗蝕層圖案之膜厚減少而對圖案尺寸產生較大影 響之傾向。 有鑑於上述現狀，本發明之目的就是不但可避免傳統 5道光罩處理及4道光罩處理共同之接觸形成時之問題， 尙採用製造容限較大之半色調曝光技術而實現製造步驟之 刪減。又，爲了實現液晶面板之低價格化並對應需要之增 大，亦明白必須進一步刪減製造步驟數，並利用可實現其 他主要製造步驟之簡化或低成本化之技術來進一步提高本 發明之價値。 本發明中，首先在將半色調曝光技術應用於圖素電極 之形成步驟及信號線之步驟而達到刪減製造步驟之目的。 其次，爲了實現只針對源極·汲極配線之有效鈍化，融合 傳統技術之日本特開平2-216129號公報所示之利用鋁在 -17- 1287161 (14) 源極•汲極配線之表面形成絕緣層之陽極氧化技術，而實 現處理之合理化及低溫化。或者，利用半色調曝光技術而 只在信號線上選擇性地殘留感光性有機絕緣層，而實現無 需形成鈍化絕緣層之合理化。又，爲了進一步刪減步驟， 亦組入利用半色調曝光技術以同一光遮罩實施接觸之形成 步驟及半導體層或蝕刻終止層之形成步驟、掃描線之形成 步驟及半導體層或蝕刻終止層之形成步驟、或掃描線之形 成步驟及接觸形成步驟之處理之技術。 申請專利範圍第1項記載之液晶顯示裝置，係在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼 用爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極 配線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位 圖素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣 基板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液 晶之液晶顯示裝置，其特徵爲： 由透明導電層及低電阻金屬層之積層所構成之絕緣閘 極型電晶體之源極配線係經由含有雜質之第2半導體層及 耐熱金屬層連結於當做通道之不含雜質之第1半導體層’ 透明導電性之圖素電極係經由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層連結於前述第1半導體層。 利用此構成，信號線係由透明導電層及低電阻金屬之 積層所構成，很容易即可降低信號線之電阻値。此係本發 明之液晶顯示裝置之共同構造特徵。如前面說明所述’絕 緣閘極型電晶體有蝕刻終止型及通道蝕刻型之2種’因爲 -18- 1287161 (15) 可對應其型式來構成各種液晶顯示裝置之實施形態，故在 申請專利範圍第2項至申請專利範圍第2 1項中進行具體 說明。 申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上形成由 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一 對源極•汲極， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之積層所構 成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導電性圖 素電極、以及含有前述開口部之透明導電性掃描線之電極 端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 -19- 1287161 (16) 利用此構成，透明導電性圖素電極因和信號線同時形 成而可形成於閘極絕緣層上，然而，源極•汲極間之通道 上因爲形成用以保護通道之保護絕緣層且信號線之表面形 成感光性有機絕緣層而提供最低限之鈍化機能，故無需在 玻璃基板之全面覆蓋鈍化絕緣層，而解決絕緣閘極型電晶 體之耐熱性問題。其次，可得到具有透明導電性電極端子 之TN型液晶顯示裝置，此係本發明之液晶顯示裝置之共 用特徵。 申請專利範圍第3項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上之圖素 電極及信號線之重疊區域以外形成由其側面具有氧化矽層 之含有雜質之第2半導體層及同樣具有陽極氧化層之可陽 極氧化之耐熱金屬層之積層所構成之一對源極·汲極’ 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之積 -20- 1287161 (17) 層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導 電性圖素電極、以及含有前述開口部之透明導電性掃描線 之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，透明導電性圖素電極因和信號線同時形 成而可形成於閘極絕緣層上，然而，源極•汲極間之通道 上因爲形成用以保護通道之保護絕緣層且信號線之表面形 成例如氧化鋁（Al2〇3)之絕緣性陽極氧化層而提供鈍化機 能，而可得到和申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置 相同之效果，除了信號線上之絕緣層之構成以外，和申請 專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置十分酷似。 申請專利範圍第4項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上形成由 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一 1287161 (18) 對源極•汲極， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之積層所構 成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導電性圖 素電極、以及由以含有前述開口部及開口部週邊之第1半 導體層之方式形成之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所 構成之中間電極上之透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 利用此構成，透明導電性圖素電極因和信號線同時形 成而可形成於閘極絕緣層上，然而，源極•汲極間之通道 上因爲形成用以保護通道之保護絕緣層且信號線之表面形 成感光性有機絕緣層而提供最低限之鈍化機能，而可得到 和申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置相同之效果， 除了掃描線之電極端子部之構成以外，和申請專利範圍第 2項記載之液晶顯示裝置十分酷似。 申請專利範圍第5項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 爲· 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 1287161 (19) 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上之圖素 電極及信號線之重疊區域以外形成由其側面具有氧化矽層 之含有雜質之第2半導體層及同樣具有陽極氧化層之可陽 極氧化之耐熱金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之積 層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導 電性圖素電極、以及以含有前述開口部及開口部週邊之第 1半導體層之方式形成之第2半導體層及耐熱金屬層之積 層所構成之中間電極上之透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，透明導電性圖素電極因和信號線同時形 成而可形成於閘極絕緣層上，然而，源極•汲極間之通道 上因爲形成用以保護通道之保護絕緣層且信號線之表面形 成例如氧化鋁（A1203)之絕緣性陽極氧化層而提供鈍化機 能，除了掃描線之電極端子部之構成以外，和申請專利範 圍第3項記載之液晶顯示裝置十分酷似。 申請專利範圍第6項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 -23- 1287161 (20) 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上形成由含有雜質之第2半導體層及耐熱 金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及由以含有前述開口部、開 口部週邊之保護絕緣層、及第1半導體層之方式形成之第 2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之中間電極上之透 明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 利用此構成，接觸係以和掃描線爲自我整合之方式形 成且閘極絕緣層係以和掃描線相同之圖案寬度之方式形成 ，對掃描線之側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層’而使 24- 1287161 (21) 掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電極因爲 和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其次，源極 •汲極間之通道上會形成用以保護通道之保護絕緣層且在 信號線之表面形成感光性有機絕緣層而提供最低限之鈍化 機能，而得到和申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置 相同之效果。 申請專利範圍第7項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 爲· 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上之圖素電極及信號線之重疊區域以外形 成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導體層及同 樣具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金屬層之積層所構 成之一對源極•汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 -25- 1287161 (22) 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及由以含有前述開口 部、開口部週邊之保護絕緣層、及第1半導體層之方式形 成之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之中間電極 上之透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，接觸係以和掃描線爲自我整合之方式形 成且閘極絕緣層係以和掃描線相同之圖案寬度之方式形成 ，對掃描線之側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層，而使 掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電極係和 信號線同時形成而形成於玻璃基板上。其次，源極•汲極 間之通道上會形成用以保護通道之保護絕緣層且在信號線 之表面形成例如氧化鋁（Al2〇3)之絕緣性陽極氧化層而提 供鈍化機能，而得到和申請專利範圍第3項記載之液晶顯 示裝置相同之效果。 申請專利範圍第8項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 爲· 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 -26- 1287161 (23) 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上形成由含有雜質之第2半導體層及耐熱 金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之透明導 電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 利用此構成，通道之保護絕緣層係以和掃描線爲自我 整合之方式形成且閘極絕緣層係以和掃描線相同之圖案寬 度之方式形成，對掃描線之側面附與和閘極絕緣層不同之 絕緣層，而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性 圖素電極因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上 。其次，源極•汲極間之通道上會形成用以保護通道之保 護絕緣層且在信號線之表面形成感光性有機絕緣層而提供 最低限之鈍化機能，而得到和申請專利範圍第2項記載之 液晶顯示裝置相同之效果。 申請專利範圍第9項記載之液晶顯示裝置之特徵同樣 1287161 (24) 爲· 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上及第1 之透明性絕緣基板上之圖素電極及信號線之重疊區域以外 形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導體層及 同樣具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金屬層之積層所 構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之 透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，通道之保護絕緣層係以和掃描線爲自我 整合之方式形成且閘極絕緣層係以和掃描線相同之圖案寬 -28- 1287161 (25) 度形成，對掃描線之側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層 ，而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電 極因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其次 ，源極•汲極間之通道上因爲形成用以保護通道之保護絕 緣層且信號線之表面形成例如氧化鋁（Al2〇3)之絕緣性陽 極氧化層而提供鈍化機能，而得到和申請專利範圍第3項 記載之液晶顯示裝置相同之效果。 申請專利範圍第1 0項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上形成由 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一 對源極•汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 -29- 1287161 (26) 上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部、開口部 週邊之耐熱金屬層、第2半導體層、及第1半導體層之透 明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 利用此構成，源極•汲極係形成於閘極上且閘極絕緣 層係以和掃描線相同之圖案寬度之方式形成，對掃描線之 側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層，而使掃描線及信號 線形成交叉。又，透明導電性圖素電極因爲和信號線同時 形成，故會形成於玻璃基板上。其次，源極•汲極間之通 道上會形成用以保護通道之保護絕緣層且在信號線之表面 形成感光性有機絕緣層而提供最低限之鈍化機能，而得到 和申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置相同之效果。 申請專利範圍第1 1項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1半 導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 -30- 1287161 (27) 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上之圖素 電極及信號線之重疊區域以外形成由其側面具有氧化矽層 之含有雜質之第2半導體層及同樣具有陽極氧化層之可陽 極氧化之耐熱金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及由以含前述開口部 、開口部週邊之（其側面分別具有陽極氧化層及氧化矽層 之）耐熱金屬層、第2半導體層、及第1半導體層之透明 導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，源極•汲極係形成於閘極上且閘極絕緣 層係以和掃描線相同之圖案寬度之方式形成，對掃描線之 側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層，而使掃描線及信號 線形成交叉。又，透明導電性圖素電極因爲和信號線同時 形成’故會形成於玻璃基板上。其次，源極•汲極間之通 道上會形成用以保護通道之保護絕緣層且在信號線之表面 形成例如鋁（A1203)之絕緣性陽極氧化層而提供鈍化機能 ’而得到和申請專利範圍第3項記載之液晶顯示裝置相同 之效果。 甲請專利範圍第1 2項記載之液晶顯示裝置之特徵同 -31 - 1287161 (28) 樣爲= 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及低 電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕 緣層上之透明導電性圖素電極、含有前述開口部之由透明 導電層或透明導電層及低電阻金屬層之積層所構成之掃描 線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之部份信號線 所構成之由透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層之積 層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 利用此構成，透明導電性圖素電極因和信號線同時形 成而可形成於閘極絕緣層上，然而，主動基板上形成傳統 之鈍化絕緣層而可以保護絕緣閘極型電晶體之通道及源極 •汲極配線。又，掃描線及信號線之電極端子可以選擇透 明導電層及低電阻金屬層之其中之一。 -32- 1287161 (29) 申請專利範圍第1 3項記載之液晶顯币裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 ，在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成開 口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之積 層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導 電性圖素電極、以及含有前述開口部之透明導電性掃描線 之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，透明導電性圖素電極因和信號線同時形 成而可形成於閘極絕緣層上，然而，源極•汲極間之通道 上形成氧化矽層而可保護絕緣閘極型電晶體之通道且信號 線及汲極配線之表面形成例如氧化鋁（Al2〇3)之絕緣性陽 1287161 (30) 極氧化層而提供鈍化機能，故可得到和申請專利範圍第3 項記載之TN型液晶顯示裝置相同之效果。 申請專利範圍第1 4項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電信及低電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上 及第1透明性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、由含有 前述開口部、開口部週邊之耐熱金屬層、第2半導體層、 及第1半導體層之透明導電層或透明導電層及低電阻金屬 層之積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部 外之區域之部份信號線所構成之透明導電層或透明導電層 及低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 -34- 1287161 (31) 利用此構成，接觸係以和掃描線爲自我整合之方式形 成且閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度之方式形成， 對閘極（掃描線）之側面提供和閘極絕緣層不同之絕緣層， 而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電極 因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其次， 透明導電性主動基板上形成傳統之鈍化絕緣層而可以保護 絕緣閘極型電晶體之通道及源極•汲極配線。又，掃描線 及信號線之電極端子可以選擇透明導電層及低電阻金屬層 之其中之一。 申請專利範圍第1 5項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層，在閘極 上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 -35- 1287161 (32) 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及由含有前述開口部 、開口部週邊之耐熱金屬層、第2半導體層、及第1半導 體層之透明導電層所構成之掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，接觸係以和掃描線爲自我整合之方式形 成且閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寛度之方式形成， 對閘極（掃描線）之側面提供和閘極絕緣層不同之絕緣層， 而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電極 因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其次， 源極•汲極間之通道上形成氧化矽層而可保護絕緣閘極型 電晶體之通道且信號線及汲極配線之表面形成例如氧化鋁 (ai2o3)之絕緣性陽極氧化層而附與鈍化機能，故可得到 和申請專利範圍第3項記載之TN型液晶顯示裝置相同之 效果。 申請專利範圍第1 6項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線’ 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， -36- 1287161 (33) 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極’ 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上 及第1透明性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、由含有 前述開口部之透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層之 積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之 區域之部份信號線所構成之透明薄電層或透明導電層及低 電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 利用此構成，半導體層係以和掃描線爲自我整合之方 式形成且閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度之方式形 成，對閘極（掃描線）之側面提供和閘極絕緣層不同之絕緣 層，而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素 電極因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其 次，主動基板上形成傳統之鈍化絕緣層而可以保護絕緣閘 極型電晶體之通道及源極•汲極配線。又，掃描線及信號 線之電極端子可以選擇透明導電層及低電阻金屬層之其中 之一。 申請專利範圍第1 7項記載之液晶顯示裝置之特徵同 -37- 1287161 (34) 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之 透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，半導體層係以和掃描線爲自我整合之方 式形成且閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度形成，對 閘極（掃描線）之側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層，而 •38- 1287161 (35) 使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電極因 爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其次，源 極•汲極間之通道上形成氧化矽層而可保護絕緣閘極型電 晶體之通道且信號線及汲極配線之表面形成例如氧化鋁 (Al2〇3)之絕緣性陽極氧化層而提供鈍化機能，故可得到 和申請專利範圍第3項記載之TN型液晶顯示裝置相同之 效果。 申請專利範圍第1 8項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成稍爲小於前述閘極絕緣 層之不含雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上 及第1透明性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、含有前 述開口部之由透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層之 積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之 區域之部份信號線所構成之由透明導電層或透明導電層及 -39- 1287161 (36) 低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 利用此構成，半導體層係以寬度稍小於閘極之方式形 成於閘極上，閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度之方 式形成，對閘極（掃描線）之側面提供和閘極絕緣層不同之 絕緣層，而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性 圖素電極因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上 。其次，主動基板上形成傳統之鈍化絕緣層而可以保護絕 緣閘極型電晶體之通道及源極•汲極配線。又，掃描線及 信號線之電極端子可以選擇透明導電層及低電阻金屬層之 其中之一。 申請專利範圍第1 9項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成稍爲小於前述閘極絕緣 層之不含雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， -40- 1287161 (37) 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之 由透明導電層所構成之掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，半導體層係以寬度稍小於閘極之方式形 成於閘極上，閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度之方 式形成，對閘極（掃描線）之側面附與和閘極絕緣層不同之 絕緣層，而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性 圖素電極因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上 。其次，源極•汲極間之通道上形成氧化矽層而可保護絕 緣閘極型電晶體之通道且信號線及汲極配線之表面形成例 如氧化鋁（Al2〇3)之絕緣性陽極氧化層而提供鈍化機能， 故可得到和申請專利範圍第3項記載之TN型液晶顯示裝 置相同之效果。 申請專利範圍第20項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 -41 - 1287161 (38) 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在閘極上及掃描線及信號線之交叉點附近上形成閘極 絕緣層及不含雜質之第1半導體層’ 在閘極上之第1半導體層上形成由含有雜質之第2半 導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在掃描線及信號線之交叉點上之第1半導體層上形成 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之掃描線 及信號線之交叉點上之耐熱金屬層上之透明導電層及低電 阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明 性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、由影像顯示部外之 區域之部份掃描線上之透明導電層或透明導電層及低電阻 金屬層之積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯 示部外之區域之部份信號線所構成之透明導電層或透明導 電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 利用此構成，半導體層係以和掃描線爲自我整合之方 式形成且閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度只形成於 閘極上及掃描線及信號線之交叉點附近上，對閘極（掃描 線）之側面附與和閘極絕緣層不同之絕緣層，而使掃描線 及信號線形成交叉。又，透明導電性圖素電極因爲和信號 線同時形成，故會形成於玻璃基板上。其次，主動基板上 -42- 1287161 (39) 形成傳統之鈍化絕緣層而可以保護絕緣閘極型電晶體之通 道及源極•汲極配線。又，掃描線及信號線之電極端子可 以選擇透明導電層及低電阻金屬層之其中之一。 申請專利範圍第2 1項記載之液晶顯示裝置之特徵同 樣爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之可陽極氧化之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層 之掃描線， 在閘極上、及掃描線及信號線之交叉點附近上形成1 層以上之閘極絕緣層及不含雜質之第1半導體層， 在閘極上之第1半導體層上之圖素電極及信號線及重 疊區域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2 半導體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐 熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在掃描線及信號線之交叉點以外之掃描線及信號線之 交叉點附近之第1半導體層上形成氧化矽層， 在掃描線及信號線之交叉點上之第1半導體層上形成 其側面具有氧化矽層之第2半導體層、及其側面具有陽極 氧化層之耐熱金屬層， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 形成由前述源極、第1透明性絕緣基板、以及前述掃 描線及信號線之交叉點上之耐熱金屬層上之透明導電層及 其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之 -43- 1287161 (40) 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及影像顯示部外之區域之部 份掃描線上之由透明導電層所構成之掃描線之電極端子， 在前述掃描線之電極端子以外之掃描線上形成陽極氧 化層， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 利用此構成，半導體層係以和掃描線爲自我整合之方 式形成且閘極絕緣層係以和閘極相同之圖案寬度只形成於 閘極上及掃描線及信號線之交叉點附近上，而在掃描線及 信號線之交叉區域附近以外之掃描線上形成掃描線之陽極 氧化層，對閘極（掃描線）之側面提供和閘極絕緣層不同之 絕緣層，而使掃描線及信號線形成交叉。又，透明導電性 圖素電極因爲和信號線同時形成，故會形成於玻璃基板上 。其次，源極•汲極間之通道上形成氧化矽層而可保護絕 緣閘極型電晶體之通道且信號線及汲極配線之表面形成例 如氧化鋁（Ai2o3)之絕緣性陽極氧化層而提供鈍化機能’ 故可得到和申請專利範圍第3項記載之TN型液晶顯示裝 置相同之效果。 申請專利範圍第22項記載之液晶影像顯示裝置係如 申請專利範圍第6項、申請專利範圍第7項、申請專利範 圍第8項、申請專利範圍第9項、申請專利範圍第1 〇項 、申請專利範圍第1 1項、申請專利範圍第1 4項、申請專 利範圍第1 5項、申請專利範圍第1 6項、申請專利範圍第 -44- 1287161 (41) 1 7項、申請專利範圍第丨8項、申請專利範圍第1 9項、 申請專利範圍第20項及申請專利範圍第2 1項記載之液晶 顯示裝置，其特徵爲，形成於掃描線之側面之絕緣層係有 機絕緣層。利用此構成，可以不受掃描線之材質及構成之 影響’而在掃描線之側面利用電附著法形成有機絕緣層， 並以半色調曝光技術利用1道光罩連續實施掃描線之形成 步驟、接觸之形成步驟、掃描線之形成步驟、蝕刻終止層 '或半導體層之形成步驟之處理。 申請專利範圍第23項記載之液晶影像顯示裝置係如 申請專利範圍第6項、申請專利範圍第7項、申請專利範 圍第8項、申請專利範圍第9項、申請專利範圍第1 〇項 、申請專利範圍第1 1項、申請專利範圍第1 4項、申請專 利範圍第1 5項、申請專利範圍第1 6項、申請專利範圍第 1 7項、申請專利範圍第1 8項、申請專利範圍第1 9項、 申請專利範圍第20項及申請專利範圍第2 1項記載之液晶 顯示裝置，其特徵爲，第1金屬層係由可陽極氧化之金屬 層所構成，形成於掃描線之側面之絕緣層係陽極氧化層。 利用此構成，可在掃描線之側面利用陽極氧化形成陽極氧 化層，並以半色調曝光技術利用1道光罩連續實施掃描線 之形成步驟、接觸之形成步驟、掃描線之形成步驟、鈾刻 終止層、或半導體層之形成步驟之處理。 申請專利範圍第24項係如申請專利範圍第2項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、用以形成蝕刻終止層之步驟、用以形成半 -45- 1287161 (42) 導體層之步驟、用以形成接觸之步驟、以半色調曝光技術 利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、以及用以選 擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層，而實 現無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，結果，可利用 5道光罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第2 5項係如申請專利範圍第3項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有··用以形成 掃描線之步驟、用以形成蝕刻終止層之步驟、用以形成半 導體層之步驟、用以形成接觸之步驟、以半色調曝光技術 利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、以及針對陽 極氧化而用以保護信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地在信號線上形成陽極氧化層，而實現無需形 成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，結果，可利用5道光罩 製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第26項係如申請專利範圍第2項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、用以形成鈾刻終止層之步驟、以半色調曝 光技術利用1道光罩形成接觸及半導體層之步驟、以半色 調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、 以及用以選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層之 步驟。 -46- 1287161 (43) 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層，實現無 需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩形 成接觸及半導體層實現製造步驟之刪減，而可以4道光罩 製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第27項係如申請專利範圍第3項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、用以形成蝕刻終止層之步驟、以半色調曝 光技術利用1道光罩形成接觸及半導體層之步驟、以半色 調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、 以及針對陽極氧化而用以保護信號線以外之元件之步驟。 利用此構成’以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地只在信號線上形成陽極氧化層，實現無需形 成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成接 觸及半導體層實現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製造 TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第2 8項係如申請專利範圍第4項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成蝕刻 終止層及接觸之步驟、用以形成半導體層之步驟、以半色 調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、 以及用以選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層之 步驟。 利用此構成’以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 47- 1287161 (44) 可選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層，實現無 需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時實現以1道光 罩形成蝕刻終止層及接觸之製造步驟之刪減，而可以4道 光罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第2 9項係如申請專利範圍第5項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成蝕刻 終止層及接觸之步驟、用以形成半導體層之步驟、以半色 調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、 以及針對陽極氧化而用以保護信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地只在信號線上形成陽極氧化層，實現無需形 成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時實現以1道光罩形 成蝕刻終止層及接觸之製造步驟之刪減，而可以4道光罩 製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第30項係如申請專利範圍第6項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及接觸之步驟、用以形 成蝕刻終止層之步驟、用以形成半導體層之步驟、以半色 調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、 以及用以選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層之 步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時’ 可選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層，實現無 -48- 1287161 (45) 需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩形 成掃描線及接觸實現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製 造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 1項係如申請專利範圍第7項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及接觸之步驟、用以形 成蝕刻終止層之步驟、用以形成半導體層之步驟、以半色 調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號線之步驟、 以及針對陽極氧化而用以保護信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地只在信號線上形成陽極氧化層，實現無需形 成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成掃 描線及接觸實現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製造 TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 2項係如申請專利範圍第8項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及蝕刻終止層之步驟、 以半色調曝光技術利用1道光罩形成接觸及半導體層之步 驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號 線之步驟、以及用以選擇性地只在信號線上殘留感光性有 機絕緣層之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層，實現無 需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減、實現以1道光罩形 -49 - 1287161 (46) 成掃描線及蝕刻終止層之製造步驟之刪減、及以1道光罩 形成接觸及半導體層實現製造步驟之刪減，而可以3道光 罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 3項係如申請專利範圍第9項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及蝕刻終止層之步驟、 以半色調曝光技術利用1道光罩形成接觸及半導體層之步 驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及信號 線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護信號線以外之元 件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地只在信號線上形成陽極氧化層，實現無需形 成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減、實現以1道光罩形成掃 描線及蝕刻終止層之製造步驟之刪減、及以1道光罩形成 接觸及半導體層實現製造步驟之刪減，而可以3道光罩製 造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 4項係如申請專利範圍第1 〇項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 蝕刻終止層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 掃描線及接觸之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形 成圖素電極及信號線之步驟、以及用以選擇性地只在信號 線上殘留感光性有機絕緣層之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可選擇性地只在信號線上殘留感光性有機絕緣層，實現無 -50- 1287161 (47) 需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩形 成掃描線及接觸實現製造步驟之刪減，而可以3道光罩製 造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 5項係如申請專利範圍第1 1項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 蝕刻終止層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 掃描線及接觸之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形 成圖素電極及信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保 護信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地只在信號線上形成陽極氧化層，實現無需形 成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成掃 描線及接觸實現製造步驟之刪減，而可以3道光罩製造 TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 6項係如申請專利範圍第1 2項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、用以形成半導體層之步驟、用以形成接觸 之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及 信號線之步驟、以及用以形成鈍化絕緣層之步驟。 利用此構成，可以1道光罩形成圖素電極及信號線而 實現製造步驟之刪減，結果，可利用5道光罩製造TN型 液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 7項係如申請專利範圍第1 3項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 -51 - 1287161 (48) 掃描線之步驟、用以形成半導體層之步驟、用以形成接觸 之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成圖素電極及 信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護通道及信號 線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地在通道上及信號線上形成陽極氧化層，實現 無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，而可以4道光罩 製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第3 8項係如申請專利範圍第1 2項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成接觸 及半導體層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及用以形成鈍化絕緣層之步 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線而實 現製造步驟之刪減、同時以1道光罩形成接觸及半導體層 而實現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製造TN型液晶 顯示裝置。 申請專利範圍第3 9項係如申請專利範圍第1 3項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 掃描線之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成接觸 及半導體層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護 通道及信號線以外之元件之步驟。 -52- 1287161 (49) 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時’ 可以選擇性地在通道上及信號線上形成陽極氧化層’實現 無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩 形成接觸及半導體層實現製造步驟之刪減，而可以3道光 罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第40項係如申請專利範圍第1 4項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及接觸之步驟、用以形 成半導體層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及用以形成鈍化絕緣層之步 驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線而實 現製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成掃描線及接觸實 現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製造TN型液晶顯示 裝置。 申請專利範圍第4 1項係申請專利範圍第1 5項記載之 液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調曝 光技術利用1道光罩形成掃描線及接觸之步驟、用以形成 半導體層之步驟、以半色§周曝光技術利用1道光罩形成圖 素電極及信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護通 道及信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地在通道上及信號線上形成陽極氧化層，實現 無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩 -53- 1287161 (50) 形成掃描線及接觸實現製造步驟之刪減，而可以3道光罩 製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第42項係如申請專利範圍第1 6項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及半導體層之步驟、用 以形成接觸之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及用以形成鈍化絕緣層之步 驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線而實 現製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成掃描線及半導體 層實現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製造TN型液晶 顯示裝置。 申請專利範圍第43項係如申請專利範圍第1 7項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及半導體層之步驟、用 以形成接觸之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護 通道及信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地在通道上及信號線上形成陽極氧化層，實現 無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩 形成掃描線及半導體層實現製造步驟之刪減，而可以3道 光罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第44項係如申請專利範圍第1 8項記載 -54- 1287161 (51) 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 半導體層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成掃 描線及接觸之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及用以形成鈍化絕緣層之步 驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線而實 現製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成掃描線及接觸實 現製造步驟之刪減，而可以4道光罩製造TN型液晶顯示 裝置。 鲁 申請專利範圍第45項係如申請專利範圍第1 9項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：用以形成 半導體層之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成掃 描線及接觸之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩形成 圖素電極及信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護 通道及信號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地在通道上及信號線上形成陽極氧化層，實現 ® 無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩 形成掃描線及接觸實現製造步驟之刪減，而可利用3道光 罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第46項係如申請專利範圍第20項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有·_以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及半導體層之步驟、用 以使掃描線露出之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩 -55- 1287161 (52) 形成圖素電極及信號線之步驟、以及用以形成鈍化絕緣層 之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線而實 現製造步驟之刪減，同時以1道光罩形成掃描線及半導體 層並使掃描線露出而實現無需形成接觸之製造步驟之刪減 ，而可以3道光罩製造TN型液晶顯示裝置。 申請專利範圍第47項係如申請專利範圍第2 1項記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲，具有：以半色調 曝光技術利用1道光罩形成掃描線及半導體層之步驟、用 以使掃描線露出之步驟、以半色調曝光技術利用1道光罩 形成圖素電極及信號線之步驟、以1道光罩形成圖素電極 及信號線之步驟、以及針對陽極氧化而用以保護通道及信 號線以外之元件之步驟。 利用此構成，以1道光罩形成圖素電極及信號線時， 可以選擇性地在通道上及信號線上形成陽極氧化層，實現 無需形成鈍化絕緣層之製造步驟之刪減，同時以1道光罩 形成掃描線及半導體層並使掃描線露出而實現無需形成接 觸之製造步驟之刪減，而可以2道光罩製造TN型液晶顯 示裝置。 本發明之效果如下所示。 本發明記載之部份液晶顯示裝置，因爲絕緣閘極型電 晶體在通道上具有保護絕緣層，而可以只在由影像顯示部 內之透明導電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線上 選擇性地形成感光性有機絕緣層、或對由透明導電層及可 -56- 1287161 (53) 陽極氧化之低電阻金屬層之積層所構成之信號線實施陽極 氧化而使其表面形成絕緣層，來對主動基板附與鈍化機能 。同樣的，本發明記載之其他部份液晶顯示裝置，因爲在 通道上利用陽極氧化形成氧化矽層，故可以針對由透明導 電層及可陽極氧化之低電阻金屬層之積層所構成之信號線 ，和通道同時實施陽極氧化，在其表面形成絕緣層，而對 主動基板提供鈍化機能。因此，製造構成前述液晶顯示裝 置之主動基板時，不但不需要用以形成鈍化絕緣層之步驟 ，亦因爲無需特別加熱步驟，故以非晶矽層當做半導體層 之絕緣閘極型電晶體無需過高之耐熱性。換言，可進一步 具有不會因爲形成鈍化而導致電性性能變差之效果。又， 只在信號線上形成感光性有機絕緣層或陽極氧化層時，因 爲導入半色調曝光技術而可選擇性地保護掃描線或信號線 之電極端子，而在防止光蝕刻步驟數之增加上特別具有效 果。 利用半色調曝光技術之導入，可在形成由透明導電層 及低電阻金屬層之積層所構成之源極•汲極配線後，選擇 性地除去汲極配線上之低電阻金屬層而形成圖素電極，利 用此方式刪減步驟係本發明之著眼點，因而產生掃描線及 信號線之電極端子由透明導電層所構成之構造特徵。 此外，利用以1道光罩形成接觸及蝕刻終止層或半導 體層之合理化技術、以1道光罩形成掃描線及接觸之合理 化技術、以及以1道光罩形成掃描線及蝕刻終止層或半導 體層之合理化技術之組合，而可以光蝕刻步驟數少於傳統 57- 1287161 (54) 之5道，且利用4道或3道光罩即可製造液晶顯示裝置， 從液晶顯示裝置之降低成本觀點而言，具有極大之工業價 値。而且，這些步驟對圖案精度的要求並不高，故對不良 率及品質不會造成太大影響亦使生產管理更爲容易。 又，本發明之要件由上述之說明可知，係在製造主動 基板時，係對信號線及圖素電極之形成步驟導入半色調曝 光技術，故可在形成由透明導電層及低電阻金屬層之積層 所構成之源極•汲極配線後，選擇性地除去汲極配線上之 低電阻金屬層而形成圖素電極點，其他之構成方面，掃描 線及閘極絕緣層等之材質或膜厚等不同之顯示裝置用半導 體裝置、或其製造方法之差異亦當然屬於本發明之範疇， 對於利用垂直定向之液晶顯示裝置及反射型液晶顯示裝置 ，本發明仍具有其有效性，又，絕緣閘極型電晶體之半導 體層當然亦未限定爲非晶矽。 【實施方式】 參照第1圖〜第5 3圖，針對本發明實施例進行說明 。第1圖係本發明實施例1之顯示裝置用半導體裝置（主 動基板）之平面圖，第2圖係第1圖之A-A’線、B-B，線、 及C-C’線之製造步驟之剖面圖。同樣的第3圖及第4圖 係實施例2、第5圖及第6圖係實施例3、第7圖及第8 圖係實施例4、第9圖及第1〇圖係實施例5、第11圖及 第12圖係實施例6、第13圖及第14圖係實施例7、第 15圖及第16圖係實施例8、第17圖及第18圖係實施例 -58- 1287161 (55) 9、第19圖及第20圖係實施例10、第21圖及第22圖係 實施例11、第23圖及第24圖係實施例12、第25圖及第 26圖係實施例13、第27圖及第28圖係實施例14、第29 圖及第30圖係實施例15、第31圖及第32圖係實施例16 、第33圖及第34圖係實施例17、第35圖及第36圖係 實施例18、第37圖及第38圖係實施例19、第39圖及第 40圖係實施例20、第41圖及第42圖係實施例21、第43 圖及第44圖係實施例22、第45圖及第46圖係實施例23 、第47圖及第48圖係實施例24之主動基板之平面圖及 製造步驟之剖面圖。又，和傳統例相同之部位賦與相同符 號並省略詳細說明。 [實施例1] 實施例1係和傳統例相同，先在玻璃基板2之一主面 上以SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚爲0.1〜0.3//m程度之 例如Cr、Ta、Mo等、及其合金及政化物之第1金屬層。 爲了實現低電阻化，必要時，當然亦可以爲A1或A1合金 、及高耐熱性之前述金屬之積層。其次，如第1圖（a)及 第2圖（a)所示，利用微細加工技術選擇性地形成兼用爲 閘極1 1 A之掃描線1 1及蓄積電容線1 6。 其次，利用PC VD裝置在玻璃基板2之全面依序覆蓋 分別爲〇.3μιη，〇·〇5μπΐ，0.1 // m程度之膜厚之當做閘極絕 緣層之第1 SiNx(氮化矽）層30、幾乎未含有雜質之當做 絕緣閘極型電晶體之通道之第1非晶矽（a-Si)層31、以及 -59- 1287161 (56) 當做用以保護通道之絕緣層之第2 SiNx層32之3種薄膜 層，如第1圖（b)及第2圖（b)所示，利用微細加工技術以 寬度小於閘極1 1 A之方式選擇性地殘留閘極1 1 A上之第2 SiNx層並將其當做通道保護層（或鈾刻終止層或保護絕緣 層）3 2D，而使第1非晶矽層31露出。 接著，同樣利用PC VD裝置在全面覆蓋例如0.05 // m 程度之膜厚之含有例如磷之雜質之第2非晶矽層33，並 在利用SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚爲0.1 /zm程度之例 如Ti、Cr、Mo等薄膜層34之耐熱金屬層後，如第1圖 (c)及第2圖（〇所示，利用微細加工技術在閘極1 1A上形 成由寬度大於閘極1 1A之耐熱金屬層34A、第2非晶矽層 33A、及第1非晶矽層31A之積層所構成之半導體層區域 ，而使閘極絕緣層3 0露出。 接著，如第1圖（d)及第2圖（d)所示，利用微細加工 技術選擇性地在影像顯示部外之區域之掃描線上1 1及蓄 積電容線16上形成開口部63A、65A，對前述開口部63A 、65A內之閘極絕緣層30實施蝕刻而分別使掃描線1 1之 一部份73及蓄積電容線16之一部份75露出。 其次，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面覆蓋膜厚爲〇·1〜〇.2//m程度之例如IZO或ITO之透明 導電層91，並在依序覆蓋膜厚爲0.3#m程度之A1或 Al(Nd)合金薄膜層35之低電阻金屬層後，以微細加工技 術利用感光性樹脂圖案86A、86B除去A1薄膜層35、透 明導電層91、耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33 A、及第 1287161 (57) 1非晶矽層31 A，如第1圖（e)及第2圖（e)所示，選擇性地 形成由和通道保護層32D形成重疊之含有部份半導體層 區域34A之透明導電層91A及低電阻金屬層35A之積層 所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及由透明導電層 91B及低電阻金屬層35B之積層所構成之兼用爲圖素電極 22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，亦同時形成由含有因 爲源極•汲極配線12、21之形成而露出之掃描線之一部 份73之掃描線之電極端子5、及由信號線之一部份所構 成之電極端子6。如此，耐熱金屬層34A在此步驟被分割 成一對電極34A1、34A2(圖上皆未標示），因爲信號線12 係以含有一方之電極3 4A1之方式形成，又，圖素電極22 係以含有另一方之電極34A2之方式形成，故分別具有絕 緣閘極型電晶體之源極、汲極之機能。省略其後之說明， 然而，同樣會形成含有蓄積電容線16之一部份75之未附 與號碼之蓄積電容線1 6之電極端子。 此時，利用半色調曝光技術形成膜厚大於兼用爲汲極 之圖素電極22上及電極端子5、6上之區域8 6B(中間調 整區域）之膜厚1.5// m之信號線12上之區域86A(黑區域） 之例如膜厚爲之感光性樹脂圖案86A、86B係第1 實施例之重要特徵。對應電極端子5、6之86B之最小尺 寸爲較大之數1〇//πι，不論光遮罩之製作或是其完成尺寸 之管理皆極爲容易，然而，因爲對應信號線12之區域 86 A之最小尺寸爲尺寸精度相對較高之4〜之黑區域 則需要較細微之圖案。然而，和如合理化之傳統例中之說 -61 - 1287161 (58) 明所示之以1次曝光處理及2次蝕刻處理形成之源極•汲 極配線12、2 1相比，因爲本發明之源極•汲極配線12、 21係以1次曝光處理及1.5次蝕刻處理（如後面所述，第 2次蝕刻係只針對低電阻金屬層35A、35B)形成，不但圖 案寬度之變動要因較少，源極•汲極配線12、21之尺寸 管理、及源極•汲極配線12、21間-亦即通道長度之尺寸 管理上，圖案精度之管理皆較傳統半色調曝光技術更爲容 易。又，相對於通道鈾刻型之絕緣閘極電晶體，決定蝕刻 終止型絕緣閘極型電晶體之ON電流者，係通道保護絕緣 層3 2D之尺寸而非源極•汲極配線12、21間之尺寸，故 處理管理更爲容易係可以理解的事。 形成源極•汲極配線1 2、22後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案8 6 A、8 6 B減少1 · 5 /z m以上 之膜厚，不但會使感光性樹脂圖案86B消失且使圖素電極 (汲極）22及電極端子5、6上之低電阻金屬層35 A〜35C 露出，尙會使只在信號線1 2上減少膜厚之感光性樹脂圖 案8 6C殘留下來，然而，上述氧電漿處理若使感光性樹脂 圖案86C呈等向膜厚減少而使感光性樹脂圖案86C之圖 案寬度變窄，而使信號線1 2之上面露出，則會降低液晶 顯示裝置之信賴性，故氧電漿處理應採用 RIE(Reactive Ion Etching)方式、具有高密度電漿源之ICP(Inductive Coupled Plasama)方式、及 TCP(Transfer Coupled P las am a)方式之氧電漿處理來強化異向性而抑制圖案尺寸 之變化。其次，將膜厚減少之感光性樹脂圖案86C當做遮 -62- 1287161 (59) 罩’除去低電阻金屬層35A〜35C，則如第1圖⑴及第2 圖⑴所示，使透明導電性電極9 1 A〜9 1 C，而分別得到電 極端子6A、圖素電極22、及電極端子5A。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，即可得到本發明實施例1。實施例1 中’因爲感光性樹脂圖案86C接觸液晶，故感光性樹脂圖 案8 6C不採用以酚醛清漆系樹脂爲主要成分之通常之感光 性樹脂，而採用純度較高之主要成分爲丙烯酸樹脂或聚醯 亞胺樹脂之高耐熱性之感光性有機絕緣層係極爲重要之一 點，其構成上，亦可依據感光性有機絕緣層之材質實施加 熱使其流動化，並將其覆蓋於信號線1 2之側面，此時， 可進一步提高液晶面板之信賴性。蓄積電容1 5之構成上 ，如第1圖（f)所示，係以圖素電極22及蓄積電容線16 隔著閘極絕緣層3 0形成平面重疊之區域5 1 (右下斜線部） 構成蓄積電容15時爲例，然而，蓄積電容15之構成並未 受限於此，其構成上，前段之掃描線1 1及圖素電極22間 亦可隔著含有閘極絕緣層3 Ο A之絕緣層。靜電對策如第1 圖（Ό所示，亦可在主動基板2之外周配置靜電對策用透 明導電層圖案40並將透明導電層圖案40連結至透明導電 性電極端子5 A、6 A之構成之傳統例之靜電對策，然而， 因爲增加針對閘極絕緣層3 0之開口部形成步驟’故其他 靜電對策亦很容易。 實施例1係只在信號線1 2上形成有機絕緣層而使圖 素電極22在保持導電性下露出’然而’此方式仍可獲得 -63- 1287161 (60) 充分信賴性之理由，係因爲基本上對液晶單元施加之驅動 信號爲交流，形成於彩色濾光片之相對面上之相對電極 14及圖素電極22間，爲了減少直流電壓成分而在影像檢 査時會調整相對電極1 4之電壓（閃爍減少調整），因此， 只要在信號線1 2上形成直流成分不會流過之絕緣層即可 〇 如此，實施例1係利用感光性有機絕緣層形成源極· 汲極配線，且只在信號線1 2上直接保留感光性有機絕緣 層，相對於傳統製造方法，可朝無需以形成源極·汲極配 線爲目的之用以除去感光性樹脂圖案之步驟、用以形成鈍 化絕緣層之步驟、以及用以對鈍化絕緣層形成開口部之步 驟之製造步驟之刪減發展。然而，因爲有機絕緣層之厚度 通常爲1 // m以上，在高精細面板之圖素較小時，利用摩 擦布實施定向膜之定向處理時，其段差可能會成爲非定向 狀態、或妨礙液晶單元之間隙精度之確保。因此，實施例 2追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機絕緣層之鈍 化技術。 [實施例2] 實施例2如第3圖（d)及第4圖（d)所示，至對掃描線 11及蓄積電容線16形成接觸63A、65A之步驟爲止，係 和實施例1相同之製造步驟。然而，耐熱金屬層3 4必須 爲可陽極氧化之金屬，因爲 Cr、Mo、W等不適用，故至 少應選擇Ti、最好選擇Ta或高熔點金屬之矽化物。 -64 - 1287161 (61) 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之 面，覆蓋膜厚爲0.1〜〇.2//m程度之例如IZO或ITO之 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲0.3 // m程度之 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層 ，以微細加工技術利用感光性樹脂圖案87A、87B除去 或 Al(Nd)合金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬 34A、第2非晶矽層33A、及第1非晶矽層31A，如第 圖（e)及第4圖（e)所示，以和通道保護層32D形成重疊 方式選擇性地形成由含有部份半導體層區域34A之透 導電層91A及低電阻金屬層3 5A之積層所構成之兼用 源極配線之信號線1 2、及由透明導電層9 1 B及低電阻 屬層35B之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣閘 型電晶體之汲極2 1，並同時形成含有在形成源極•汲 配線12、21時因而露出之掃描線之一部份73之由掃描 之電極端子5及信號線之一部份所構成之電極端子6。 時，利用半色調曝光技術使兼用爲汲極之圖素電極22 及電極端子5、6上之區域87A(黑區域）之膜厚成爲例如 而形成厚度大於膜厚爲1.5/zm之信號線12上之區 87B(中間調整區域）之感光性樹脂圖案87A、87B係實 例2之重要特徵。 形成源極•汲極配線1 2、22後，利用氧電漿等灰 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、8 7B實施1.5# m 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極 全 透 A1 後 A1 層 3 之 明 爲 金 極 極 線 此 上 3 域 施 化 以 線 端 1287161 (62) 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。即使上 述氧電漿處理使感光性樹脂圖案8 7C之圖案寬度變窄，在 具有較大圖案尺寸之圖素電極22及電極端子5、6之周圍 形成陽極氧化層，而幾乎不會對電性特性、不良率、及品 質造成影響，此係値得特別一提之特徵。其次，將感光性 樹脂圖案87C當做遮罩，如第3圖（f)及第4圖⑴所示， 對信號線1 2實施陽極氧化而在其表面形成氧化層。信號 線12之上面露出低電阻金屬層之A1或A1合金薄膜層 35A，又，通道側之一方側面露出A1或A1合金薄膜層 35A、透明導電層91A、及耐熱金屬層之Ti薄膜層3 4A1( 圖上未標示）以及第2非晶矽層33 A之積層，其次，通道 之相反側之另一方側面則露出A1或A1合金薄膜層35A 及透明導電層91A之積層，因爲陽極氧化，A1或 A1合金薄膜層35A變質成絕緣層之氧化鋁 (Al2〇3 ) 69 ( 12 )，圖上未標示之Ti薄膜層3 4A1變質成 半導體之氧化鈦（Ti02)68(1 2)，其次，同樣爲圖上未標示 之第 2非晶矽層 33A則變質成含有雜質之氧化矽層 (Si02)66。圖素電極22之上面覆蓋著感光性樹脂圖案87C ，又，通道側之一方側面露出A1或A1合金薄膜層35B、 透明導電層91B、及耐熱金屬層之Ti薄膜層3 4A2(圖上未 標示）及第2非晶矽層33A之積層，通道之相反側之另一 方側面則露出A1或A1合金薄膜層35B及透明導電層91B 之積層，同樣的形成這些薄膜之陽極氧化層。氧化鈦層 68雖然不是絕緣層，然而，膜厚極薄且露出面積亦較小 -66- 1287161 (63) ’故鈍化上不會有問題，然而，耐熱金屬薄膜層3 4A最 好應選擇Ta。然而，必須注意到Ta不同於Ti之特性， 亦即’欠缺吸收基底之表面氧化層而容易形成歐姆接觸之 機能之特性。即使對由IZO或ITO所構成之透明導電層 9 1 A實施陽極氧化亦不會形成絕緣性氧化層。 信號線12之陽極氧化時，圖素電極91B上之低電阻 金屬層3 5 B之側面會形成絕緣層之氧化鋁6 9 (3 5 B )，若採 取以導電性媒體連結掃描線及信號線之電極端子5、6間 之靜電對策，化成電流會從信號線1 2經由導電性媒體流 過，由低電阻金屬層3 5 C所構成之電極端子5之側面亦同 樣會形成69(3 5C)。然而，一般而言，因爲導電性媒體之 電阻値較高，故69(3 5C)之膜厚通常會比69(35B)之膜厚 更薄。 利用陽極氧化形成之氧化鋁69、氧化鈦68、氧化矽 層66之各氧化層之膜厚，以配線之鈍化而言，0.1〜0.2 // m之程度即已足夠，利用乙二醇等之反應液以同樣爲 100V以上之施加電壓即可實現。因爲陽極氧化層69(12) 之膜厚爲0.1〜0.2 # m程度即可得到充分鈍化性能，配向 處理不會導致任何問題。圖上雖然未標示，源極•汲極配 線1 2、2 1之陽極氧化時應注意之事項係全部信號線1 2應 以電性並聯或串聯方式形成，然而，若未在後續之某製造 步驟中解除此並串聯，則不但在主動基板2之電性檢査時 會出現故障，亦會妨礙液晶顯示裝置之實際動作。此點在 後面之實施例中亦相同，解除手段爲利用雷射光照射之蒸 -67- 1287161 (64) 散、或利用劃線器之機械切除等簡易方式’省略其詳細說 明。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第3 圖（g)及第4圖（g)所示，使由其側面形成陽極氧化層之低 電阻金屬層35B所構成之汲極（圖素電極）、及由低電阻金 屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 此外，將信號線12上之陽極氧化層69(1 2)當做遮罩 ，除去低電阻金屬層35 A〜35C，如第3圖（h)及第4圖（h) 所示，使透明導電層9 1 A〜9 1 C露出，而分別具有信號線 之電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A 之機能。又，圖素電極22(3 5B)之側面及掃描線之電極端 子5之側面之陽極氧化層69(3 5B)及69(3 5C)因爲存在母 體（3 5B、3 5C)消失而消失。針對以此方式得到之主動基板 2及彩色濾光片進行貼合實施液晶面板化，完成本發明實 施例2。蓄積電容1 5之構成和實施例1相同。 實施例2係只在信號線1 2上形成陽極氧化層而使圖 素電極22在保持導電性下露出，然而，此方式仍可獲得 充分信賴性之理由，係因爲基本上對液晶單元施加之驅動 信號爲交流，形成於彩色濾光片之相對面上之相對電極 1 4及圖素電極22間，爲了減少直流電壓成分而在影像檢 査時會調整相對電極1 4之電壓（閃爍減少調整），因此， 只要在信號線1 2上形成直流成分不會流過之絕緣層即可 。嚴格而言，信號線12之下側面會露出透明導電層91A ’其露出量頂多爲很小之〇 · 1 // m之寬度，例如，信號線 -68- 1287161 (65) 12之圖案寬度若爲4//m，則只有大約1/40，若在信號線 1 2之上面形成絕緣層，則來自露出之透明導電層9 1 A之 直流成分所導致之液晶劣化係可忽視之程度。 實施例1及實施例2可同時形成圖素電極及信號線且 無需鈍化絕緣層而實現步驟刪減，然而，主動基板之製作 上，仍然需要5道光罩。本發明之主題在實現其他主要步 驟之合理化並進一步實現低成本化，以下之實施例係針對 維持同時形成圖素電極及信號線且無需鈍化絕緣層而實現 之步驟刪減下，實現其他主要步驟之合理化並實現4道光 罩處理、甚至3道光罩處理之創意•發明進行說明。 [實施例3] 實施例3如第5圖（b)及第6圖（b)所示，至利用微細 加工技術以寬度小於閘極1 1 A之方式選擇性地殘留閘極 1 1 A上之第2 SiNx層並將其當做32D (蝕刻終止層、通道 保護層、保護絕緣層）而使第1非晶矽層3 1露出爲止，係 和實施例1相同之製造步驟。 接著，同樣利用PC VD裝置在全面覆蓋例如〇.〇5 // m 程度之膜厚之含有例如磷之雜質之第2非晶矽層33’並 在利用SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚爲〇·1 //m程度之例 如Ti、Cr、Mo等薄膜層34之耐熱金屬層後，除了影像 顯示部外之區域之掃描線1 1及蓄積電容線1 6之接觸形成 區域上具有開口部63 A、65A以外，尙會利用半色調曝光 技術形成絕緣閘極型電晶體之半導體層形成區域之膜厚爲 -69- 1287161 (66) 例如2 // m之大於膜厚爲1 // m之其他區域8 1 B之感光性 樹脂圖案81A、81B，亦即，形成閘極11A上之區域81A 之膜厚爲例如之大於膜厚爲1/zm之其他區域81B .之感光性樹脂圖案81A、81B。其次’如第5圖（〇及第6 圖（c)所示，將感光性樹脂圖案81 A、81B當做遮罩，依序 蝕刻開口部63A、65A內露出之耐熱金屬層34、第2非晶 矽層33、及第1非晶矽層31，使開口部63A、65A內露 出閘極絕緣層3 0。因爲掃描線1 1之電極端子最大爲驅動 用LSI之電極間距之一半程度而通常爲20 " m以上之大 小，故以形成開口部63A、65A(白區域）爲目的之光罩製 作及其完成尺寸之精度管理都極爲容易。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 81A、81B減少l//m以上之膜厚，如第5圖（d)及第6圖 (d)所示，感光性樹脂圖案81B會消失而使耐熱金屬層34 露出且保留只有閘極1 1 A上實施膜厚減少之感光性樹脂 圖案81C。圖案寬度會依蝕刻終止層32D、閘極1 1 A、島 狀半導體層形成區域（8 1 C)之順序而分別增加遮罩校準精 度（通常爲2〜3//m)份，因爲源極•汲極配線12、21之 遮罩校準係以蝕刻終止層32D爲基準來實施遮罩校準， 即使半導體層形成區域稍小，因爲絕緣閘極型電晶體偏置 而無法動作、或不會出現使絕緣閘極型電晶體之電性特性 產生較大變化之影響，故無需特別在意半導體層形成區域 ，亦即，81C之尺寸變化。 接著，如第5圖（e)及第6圖（e)所示，將膜厚已減少 -70- 1287161 (67) 之感光性樹脂圖案8 1 C當做遮罩，在閘極1 1 A上以寬度 大於閘極11A之方式選擇性地保留耐熱金屬層34、第2 非晶矽層3 3、及第1非晶矽層3 1並將其分別當做島狀 34A、33A、31 A而使閘極絕緣層30露出。感光性樹脂圖 案8 1C(黑區域）之大小，亦即，半導體層形成區域34A之 大小方面，即使最小尺寸亦爲1 6 // m之大小，不但以白 區域及黑區域以外之區域做爲半色調曝光區域之光遮罩之 製作較爲容易以外，即使半導體層形成區域34A之尺寸 精度出現變動，亦幾乎不會導致絕緣閘極型電晶體之電性 特性之變動，故處理管理十分容易係可理解之事。 此時，開口部63A、65A之蝕刻狀況如下所示，最後 ，開口部63 A、65A內分別露出掃描線1 1之一部份73及 蓄積電容線16之一部份75。耐熱金屬層34之蝕刻係採 用一般之氯系氣體之乾蝕刻（乾式蝕刻），此時，因爲由 SiNx所構成之閘極絕緣層30具有耐蝕性而幾乎不會發生 膜厚減少，故先除去耐熱金屬層34而使玻璃基板2之全 面露出第2非晶矽層33。其次，第2非晶矽層33及第1 非晶矽層3 1之蝕刻係採用氟系氣體之乾蝕刻，此時，適 度選擇處理條件而使對由SiNx所構成之閘極絕緣層30之 蝕刻速度快於（3倍程度）非晶矽層3 3、3 1，在完成第2非 晶矽層33(膜厚爲0.05/zm)及第1非晶矽層31(膜厚爲 0.05 β m)之蝕刻，即停止開口部63A、65A內之由 SiNx 所構成之閘極絕緣層30(膜厚爲0.3 // m)之蝕刻，而使開 口部63 A、65A內分別露出掃描線11之一部份73及蓄積 1287161 (68) 電容線16之一部份75。 以快於此適當蝕刻速度之速度結束第2非晶矽層33 及第1非晶矽層3 1之蝕刻時，必須以過飩刻除去開口部 63A、65A內之閘極絕緣層30，然而，此時之玻璃基板2 之全面已經露出閘極絕緣層3 0，整體而言，閘極絕緣層 3〇之膜厚會減少，很容易發生後續之製造步驟所形成之 源極•汲極配線1 2、2 1及掃描線1 1之層間短路、及圖素 電極22及蓄積電容線16之層間短路而導致不良率惡化， 其對策則可在信號線1 2及掃描線1 1之交點附近、及蓄積 電容線16上保留圖上未標示之和半導體層形成區域同樣 由耐熱金屬層3 4、第2非晶矽層3 3、及第1非晶矽層3 1 所構成之積層，來防止閘極絕緣層3 0之膜厚減少。亦即 ，可利用圖案設計來確保良率。 半導體層形成區域之蝕刻時，若耐熱金屬層34之蝕 刻氣體或餽刻液對露出之掃描線1 1之一部份73及蓄積電 容線1 6之一部份7 5之蝕刻速度極慢，例如，耐熱金屬層 34爲Cr*、Mo (Cr之蝕刻液採用過氯酸及硝酸姉之混合液 ，Mo之蝕刻液採用在過氧化氫水添加微量氨之蝕刻液）、 掃描線11爲A1合金時，如第5圖（c)及第6圖（c)所示， 亦會連續蝕刻閘極絕緣層3 0而使開口部6 3 A、6 5 A內分 別露出掃描線11及蓄積電容線16之一部份73及75，其 後，實施氧電漿處理，將膜厚已減少之感光性樹脂圖案 8 1 C當做遮罩，利用上述蝕刻液除去耐熱金屬層3 4 ( C r、 Mo)，其次，利用乾蝕刻實施第2非晶矽層3 3及第1非 1287161 (69) 晶矽層3 1之蝕刻而使閘極絕緣層3 Ο，然而，一般而言， 因爲乾蝕刻無法得到蝕刻液之選擇比，此時，應採用前面 記載之蝕刻方法。 除去前述感光性樹脂圖案8 1 C後，和實施例1相同， 利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋膜厚 爲0.1〜0.2/zm程度之例如1ΖΟ或ΙΤΟ之透明導電層91 ，並在依序覆蓋膜厚爲〇.3/zm程度之A1或Al(Nd)合金 薄膜層3 5之低電阻金屬層後，利用半色調曝光技術形成 信號線12上之86A之膜厚爲例如3//m之大於兼用爲汲 極21之圖素電極22上及電極端子5、6上之膜厚爲1.5// m之86B之感光性樹脂圖案86A、86B，利用感光性樹脂 圖案86A、86B除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透明導 電層91、耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、及第1非 晶矽層31A，如第5圖（f)及第6圖（f)所示，選擇性地形 成和通道保護層32D形成重疊之含有部份半導體層區域 34A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極配線之 信號線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素 電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，亦同時形成由含 有因爲源極•汲極配線1 2、2 1之形成而露出之掃描線之 一部份73之掃描線之電極端子5、及由信號線之一部份 所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線12、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案86A、86B減少1.5// m以上 之膜厚，感光性樹脂圖案86B會消失而使兼用爲汲極之圖 -73- 1287161 (70) 素電極22上及電極端子5、6上之低電阻金屬層35A〜 3 5 C露出且只有信號線1 2上保留膜厚已減少之感光性樹 脂圖案86C，將膜厚減少之感光性樹脂圖案86C當做遮罩 ，除去低電阻金屬層35A〜35C，如第5圖（g)及第ό圖（g) 所示，形成透明導電性圖素電極22及透明導電性電極端 子 5A、6A。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例3。實施例3中， 感光性樹脂圖案86C亦接觸液晶，故感光性樹脂圖案86C 不採用以酚醛清漆系樹脂爲主要成分之通常之感光性樹脂 ，而採用純度較高之主要成分爲丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹 脂之高耐熱性之感光性有機絕緣層係極爲重要之一點。蓄 積電容15之構成如第5圖（g)所示，和實施例丨相同，係 以圖素電極2 2及蓄積電谷線161¾¾者闊極絕緣層30形成 平面重疊之區域51(右下斜線部）構成蓄積電容15時爲 例，如前面說明所述，除了閘極絕緣層3 〇以外，亦很容 易追加耐熱金屬層34、第2非晶矽層33、及第丨非晶石夕 層3 1之積層。 [實施例4] 和實施例1及實施例2之關係相同，實施例4針對實 施例3追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機絕緣層 之鈍化技術。實施例4如第7圖（e)及第8圖（e)所示，至 在閫極11A上之由耐熱金屬層34A、第2非晶砂層33A、 -74- 1287161 (71) 及第1非晶矽層3 1 A之積層所構成之半導體層區域及影 像顯示外之區域之掃描線1 1上及蓄積電容線1 6上形成接 觸63 A、65A爲止，係和實施例3相同之製造步驟。然而 ，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極氧化之金屬故無法採 用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti、最好選擇Ta或高 熔點金屬之矽化物。又，因爲版面之關係，而省略第7圖 (d)及第8圖（d)之記載。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜0.2# m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，進一步覆蓋膜厚爲0.3//m程度之A1或 Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後， 利用半色調曝光技術形成汲極2 1上及電極端子5、6上之 87A之膜厚爲例如3//m之厚度大於信號線12上之87B 之膜厚1.5 // m之感光性樹脂圖案87A、87B，利用感光性 樹脂圖案87A、87B除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透 明導電層91、耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、及第 1非晶矽層31A，如第7圖（f)及第8圖（f)所示，選擇性地 形成和通道保護層32D部份重疊之含有部份半導體區域 34A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極配線之 信號線12、及由91B及3 5B之積層所構成之兼用爲圖素 電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，亦同時形成由含 有因爲源極•汲極配線12、21之形成而露出之掃描線之 一部份73之掃描線之電極端子5、及由信號線之一部份 所構成之電極端子6。 -75- 1287161 (72) 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案87A、87B減少1.5/zm以上 之膜厚，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線12(3 5 A) 露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端子5、6 上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次，將膜厚已 減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第7圖（g)及第 8圖（g)所示，對信號線12實施陽極氧化而在其表面形成 氧化層69(12)。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第7 圖（h)及第 8圖（h)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(35B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35A〜35C，如第7圖⑴及第8圖（i)所示， 使透明導電層91A〜91C露出，使其分別具有信號線之電 極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之機 能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例4。蓄積電容1 5 之構成和實施例3相同。 如此，實施例3及實施例4係利用半色調曝光技術以 同一光遮罩處理半導體層之形成步驟及接觸之形成步驟， 達到製造步驟之刪減，以4道光罩得到液晶顯示裝置，然 而，將半色調曝光技術應用於其他主要步驟亦可實現不同 內容之4道光罩處理，以下針對其進行說明。 -76- 1287161 (73) [實施例5] 實施例5係先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2 之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜0.3/zm程度之例如Cr、Ta 、Mo等、或其合金或矽化物之第1金屬層。其次，如第 9圖（a)及第10圖（a)所示，利用微細加工技術選擇性地形 成兼用爲閘極11A之掃描線11及蓄積電容線16。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，以例如 0.3-0.05-0.1 /zm程度之膜厚依序覆蓋：當做閘極絕緣層 之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣閘極型電 晶體之通道之第1非晶矽層3 1、及當做用以保護通道之 絕緣層之第2 SiNx層32之3種薄膜層，其次，如第9圖 (b)及第10圖（b)所示，除了影像顯示部外之區域之掃描線 11及蓄積電容線16之接觸形成區域上具有開口部63 A、 65A以外，尙利用半色調曝光技術形成保護絕緣層形成區 域之膜厚大於其他區域85B之膜厚1 # m之感光性樹脂圖 案85A、85B，亦即，形成閘極11A上之區域85A之膜厚 爲例如2 // m之大於其他區域8 5 B之膜厚1 // m之感光性 樹脂圖案85A、85B，將感光性樹脂圖案85A、85B當做 遮罩，選擇性地除去開口部63A、以及開口部65A內之第 2 SiNx層32、第1非晶矽層31、及閘極絕緣層之第1 SiNx層30，而使掃描線11之一部份73及蓄積電容線16 之一部份75露出。亦即，在掃描線11及蓄積電容線16 上形成接觸。因爲掃描線11之電極端子最大爲驅動用 -77- 1287161 (74) LSI之電極間距之一半程度而通常爲20// m以上之大小， 故以形成開口部63 A、65B(白區域）爲目的之光罩製作及 其完成尺寸之精度管理都極爲容易。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 85A、85B減少1 // m以上之膜厚，使感光性樹脂圖案85B 消失，可使第2 SiNx層32露出且只有保護絕緣層形成區 域上保留膜厚已減少之感光性樹脂圖案8 5 C。感光性樹脂 圖案85C之寬度，亦即，蝕刻終止層之圖案寬度，因爲係 在源極•汲極配線間之尺寸加算遮罩校準精度，若源極· 汲極配線間爲4〜6//m、校準精度爲±3//m，故爲10〜12 而係不太嚴格之尺寸精度。然而，從抗蝕層圖案85 A 轉換成85C時，抗蝕層圖案會呈現等向之l//m之膜厚減 少，不但尺寸只縮小2 // m，源極·汲極配線形成時之遮 罩校準精度亦會縮小1/zm而成爲±2/zm，後者對處理之 影響會大於前者。因此，上述氧電漿處理時，爲了抑制圖 案尺寸之變化，應強化異向性。具體而言，應爲RIE方式 、進一步具有高密度電漿源之IC P方式、及TCP方式之 氧電漿處理。或者，預估抗蝕層圖案之尺寸變化量而預先 放大設計上之抗蝕層圖案85 A之圖案尺寸來採取處理上 之對應處置，正如前面所述。 接著，如第9圖（〇及第10圖（〇所示，將感光性樹脂 圖案85C當做遮罩，選擇性地以寬度小於閘極11A之方 式實施第2 SiNx層32之蝕刻並將其當做蝕刻終止層32D ，且使第1非晶矽層31露出。保護絕緣層形成區域，亦 -78- 1287161 (75) 即感光性樹脂圖案85C(黑區域）之大小方面，即使最小尺 寸亦具有1 0 // m之大小，不但將白區域及黑區域以外之 區域當做半色調曝光區域之光罩之製作十分容易，相對於 通道蝕刻型絕緣閘極型電晶體，決定絕緣閘極型電晶體之 Ο N電流者係通道保護絕緣層3 2 D之尺寸，因爲並非源極 •汲極配線12、21間之尺寸故處理管理更爲容易是可以 理解的事。具體而言，例如通道蝕刻型時源極•汲極配線 間之尺寸爲5± 1 // m，蝕刻終止型時保護絕緣層之尺寸爲 10土1 μ m，同一顯像條件下，ON電流之變動量大致減半 〇 除去前述感光性樹脂圖案85C，利用PCVD裝置在玻 璃基板2之全面上覆蓋例如0.05/zm程度之膜厚之含有雜 質例如磷之第2非晶矽層3 3後，並在利用S P T等真空製 膜裝置覆蓋膜厚爲0.1 // m程度之例如Ti、Cr、Mo等薄 膜層34之耐熱金屬層後，如第9圖（d)及第10圖（d)所示 ，利用微細加工技術在閘極1 1 A上形成由寬度大於閘極 1 1 A之耐熱金屬層3 4 A、第2非晶矽層3 3 A、及第1非晶 矽層3 1 A之積層所構成之半導體層區域，而使閘極絕緣 層30露出。此時，一般亦會形成由含有開口部63A內露 出之掃描線之一部份73之耐熱金屬層34C及第2非晶矽 層3 3 C之積層所構成之中間電極。結果，中間電極下之開 口部63A之周圍會形成部份第1非晶矽層31C並殘留下 來。 若爲形成第2非晶矽層33C及第1非晶矽層31C時 -79- 1287161 (76) 掃描線之一部份73上不會產生會提高接觸電阻之反應性 生成物之掃描線材料或蝕刻方式，亦可不形成上述中間電 極而直接露出掃描線之一部份73，此時之主動基板2之 構成係和實施例1及實施例2相同，而沒有構成上之差異 源極·汲極配線及圖素電極之形成步驟和實施例1相 同，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋 膜厚爲0.1〜〇.2//m程度之例如IZO或ITO之透明導電層 91，並在依序覆蓋膜厚爲0.3//m程度之A1或Al(Nd)合 金薄膜層3 5之低電阻金屬層後，以微細加工技術利用感 光性樹脂圖案86A、86B除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35 、透明導電層91、耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、 及第1非晶矽層31A，如第9圖（e)及第10圖（e)所示，選 擇性地形成由和通道保護層32D部份重疊之含有部份半 導體區域34A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源 極配線之信號線1 2、以及由9 1 B及3 5 B之積層所構成之 兼用爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，亦會 形成含有因爲形成源極•汲極配線1 2、2 1而露出之中間 電極之掃描線之電極端子5、及由部份信號線所構成之電 極端子6。 此時，利用半色調曝光技術形成信號線12上之86A 之膜厚爲例如3/zm之大於兼用爲汲極21之圖素電極22 上及電極端子5、6上之膜厚爲1.5//1!1之8 68之感光性 樹脂圖案86A、86B係實施例5之重要特徵。 -80- 1287161 (77) 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案86A、86B減少1.5/zm以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案86B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上及電極端子5、6上之低電阻金屬層35A〜 35C露出且只有信號線12上殘留膜厚已減少之感光性樹 脂圖案86C。因此，將膜厚減少之感光性樹脂圖案86C當 做遮罩，除去低電阻金屬層35A〜35C，如第9圖⑴及第 10圖（f)所示，可得到透明導電性圖素電極22及透明導電 性電極端子5A、6A。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例5。實施例5中， 感光性樹脂圖案86C亦接觸液晶，故感光性樹脂圖案86C 不採用以酚醛清漆系樹脂爲主要成分之通常之感光性樹脂 ，而採用純度較高之主要成分爲丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹 脂之高耐熱性之感光性有機絕緣層係極爲重要之一點。蓄 積電容15之構成如第9圖（f)所示，係以圖素電極22及 蓄積電容線16隔著閘極絕緣層30形成平面重疊之區域 5 1(右下斜線部）構成蓄積電容15時爲例，和實施例1相 同。 [實施例6 ] 和實施例1及實施例2之關係相同，實施例6針對實 施例5追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機絕緣層 之鈍化技術。實施例6如第11圖（d)及第ι2圖（(1)所示， -81 - 1287161 (78) 至以微細加工技術在閘極1 1 A上形成由寬度大於閘極1 1 A 之可陽極氧化之耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、及 第i非晶矽層31A之積層所構成之半導體層區域、含有 開口部63A、65A之耐熱金屬層34C、以及第2非晶矽層 3 3 C之積層所構成之中間電極而使閘極絕緣層3 0露出爲 止，係和實施例5相同之製造步驟。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜0.2// m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，並依序覆蓋膜厚爲〇.3//m程度之A1或 Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後， 利用半色調曝光技術形成汲極2 1上及電極端子5、6上之 87A之膜厚爲例如3 // m之膜厚大於信號線12上之87B 之1.5 // m膜厚之感光性樹脂圖案87A、87B，利用感光性 樹脂圖案87A、87B除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透 明導電層91、耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、及第 1非晶矽層31A，如第11圖（e)及第12圖（e)所示，選擇性 地形成由和通道保護層32D部份重疊之含有部份半導體 區域34A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極配 線之信號線1 2、以及由9 1 B及3 5 B之積層所構成之兼用 爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，亦會形成 含有因爲形成源極•汲極配線12、21而露出之中間電極 之掃描線之電極端子5、及由部份信號線所構成之電極端 子6 〇 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 1287161 (79) 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5// m以 上之膜厚減少，感光性樹脂圖案87B會消失而使信號線 12(35A)露出且兼用爲汲極21之圖素電極22上及電極端 子5、6上會殘留膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其 次，將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第 11圖（f)及第12圖（f)所示，對信號線12實施陽極氧化而 在其表面形成氧化層69(12)。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案8 7C，如第1 1 圖（g)及第12圖（g)所示’使由其側面形成陽極氧化層 69(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35 A〜35C，如第1 1圖（h)及第12圖（h)所示 ，使透明導電層9 1 A〜9 1 C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例6。蓄積電容1 5 之構成和實施例5相同。 如此，實施例5及實施例6利用半色調曝光技術以同 一光罩處理蝕刻終止層之形成步驟及接觸之形成步驟，而 達成製造步驟之刪減，並以4道光罩得到液晶顯示裝置， 此外，因爲尙可實現不同內容之4道光罩處理，故以下針 對其進行說明。 [實施例7] -83- (80) 1287161 實施例7係先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2 之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜〇.3/zm程度之例如Cr、Ta 、Mo等、或其合金或矽化物之第1金屬層。由以後之說 明中可以更明確了解，實施例7中，形成於掃描線之側面 之絕緣層若選擇有機絕緣層時，掃描線材料幾乎沒有任何 限制，然而，形成於掃描線之側面之絕緣層若選擇陽極氧 化層時，則必須使該陽極氧化層具有絕緣性，此時，若考 慮Ta單體之高電阻、及A1單體之低耐熱性，爲了獲得掃 描線之低電阻化，掃描線之構成應選擇高耐熱性之 Al(Zr、Ta、Nd)合金等之單層構成、或Al/Ta、Ta/

Al/Ta、及Al/Al(Ta、Zr、Nd)合金等之積層構成。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別以 例如0.3 μιη，0.05 μιη，0.1# m程度之膜厚依序覆蓋：當做 閘極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕 緣閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層31、及當做用以 保護通道之絕緣層之第2 SiNx層32之3種薄膜層，其次 ，如第13圖（a)及第14圖（a)所示，利用半色調曝光技術 形成對應開口部63A、65A之接觸形成區域82B之膜厚爲 例如1 // m而爲膜厚小於對應掃描線1 1及蓄積電容線1 6 之區域82 A之膜厚2/zm之感光性樹脂圖案82A、82B， 將感光性樹脂圖案82A、82B當做遮罩，選擇性地除去第 2 SiNx層32、第1非晶矽層31、閘極絕緣層30、及第1 金屬層，使玻璃基板2露出。因爲接觸之大小係和電極端 子相當之通常爲10# m以上之大小，以形成82B(中間調 1287161 (81) 整區域）爲目的之光罩之製作及其完成尺寸之精度管理皆 較爲容易。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 82A、82B減少1/zm以上之膜厚，如第13圖（b)及第14 圖（b)所示，感光性樹脂圖案82B會消失而使開口部63A 、65A內之第2 SiNx層3 2A、3 2B露出且直接保留掃描線 11上及蓄積電容線16上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案 82C。感光性樹脂圖案82C(黑區域），亦即閘極1 1 A之圖 案寬度係在保護絕緣層之尺寸加算遮罩校準精度，若通道 之保護絕緣層爲1 〇〜1 2 // m、校準精度爲±3 // m，則最小 亦爲16〜18//m，故爲不太嚴格之尺寸精度。又，掃描線 11及蓄積電容線16之圖案寬度亦因爲電阻値之關係而通 常設定成l〇//m以上。然而，從抗蝕層圖案82A轉換成 82C時，抗蝕層圖案會呈現等向之l//m之膜厚減少，不 但尺寸只縮小2 // m，後續之保護絕緣層形成時之遮罩校 準精度亦會縮小1/zm而成爲±2//m，後者對處理之影響 會大於前者。因此，上述氧電漿處理時，爲了抑制圖案尺 寸之變化，應強化異向性。具體而言，應爲RIE方式、進 一步具有高密度電漿源之ICP方式、及TCP方式之氧電 漿處理。或者，預估抗蝕層圖案之尺寸變化量而預先放大 設計上之抗蝕層圖案82A之圖案尺寸來採取處理上之對 應處置。 接著，如第14圖（b)所示，在閘極11A(掃描線11)之 側面形成絕緣層76。因此，如第49圖所示，需要並聯著 85- 1287161 (82) 掃描線11(蓄積電容線16亦相同，此處省略圖示）之配線 77、及在玻璃基板2之外周部實施電附著或陽極氧化時對 掃描線1 1提供電位之連結圖案78，此外，必須將利用電 漿CVD之非晶矽層31及氮化矽層30、32之製膜區域79 以適當遮罩手段限制於連結圖案78之內側，且至少使連 結圖案78露出。針對連結圖案78以具有銳利刃尖之鳄口 鉗等連結手段刺破連結圖案78上之感光性樹脂圖案 82C(78)提供+(正）電位並將玻璃基板2浸漬於以乙二醇爲 主要成分之化成液中實施陽極氧化，若掃描線1 1爲A1系 合金，則例如反應電壓200V會形成具有0.3 // m膜厚之 氧化銘（Al2〇3)。電鍍（electroplating )時，如文獻月 刊「高分子加工」2002年1 1月號所示，利用含有偶羧基 之聚醯亞胺電鍍液以電鍍電壓數V形成具有0.3/zm膜厚 之聚醯亞胺樹脂層。對露出之掃描線11及蓄積電容線16 之側面形成絕緣層時應注意之事項，係在後續之某製造步 驟至少應解除掃描線1 1之並聯，否則，不但主動基板2 之電性檢査時會出現故障，亦會妨礙液晶顯示裝置之實際 動作。解除手段爲利用雷射光照射之蒸散、或利用劃線器 之機械切除等簡易方式，省略其詳細說明。 [非專利文獻1]月刊「高分子加工」2002年1 1月號 形成絕緣層76後，如第13圖（c)及第14圖（c)所示， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案8 2 C當做遮罩，選擇性地 對開口部63A、65A內之第2 SiNx層32A、32B、第1非 1287161 (83) 晶矽層3 1 A、3 1 B、及閘極絕緣層3 0 A、3 OB進行蝕刻， 分別使掃描線1 1之一部份73及蓄積電容線1 6之一部份 75露出。 除去前述感光性樹脂圖案82C後，如第13圖（d)及第 1 4圖（d)所示，利用微細加工技術以寬度小於閘極1 1 A之 方式選擇性對閘極1 1A上之第2 SiNx層32A實施蝕刻並 將其當做蝕刻終止層（或通道保護層、或保護絕緣層）32D 且使掃描線Π上之第1非晶矽層3 1A、及蓄積電容線1 6 上之第1非晶矽層31B露出。此時，圖上雖然未標示，然 而，必要時，若以感光性樹脂覆蓋露出之掃描線1 1之一 部份73及蓄積電容線16之一部份75，很容易即可避免 掃描線11之一部份73及蓄積電容線16之一部份75在蝕 刻第2 SiNx層32A時發生膜厚減少、或變質等問題。亦 即，開口部63A、65A之周圍會殘留第2 SiNx層32C，但 對掃描線1 1之接觸性不會產生任何影響。 其後，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋例如 0.05//m程度之膜厚之含有雜質例如磷之第2非晶矽層33 ，此外，利用SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚0.1 // m程度 之例如Ti、Cr、Mo等薄膜層34之耐熱金屬層後，如第 13圖（e)及第14圖（e)所示，以微細加工技術選擇性地形 成含有閘極11A之寬度大於閘極11A之由耐熱金屬層 34A及第2非晶矽層33A之積層所構成之半導體層區域， 使玻璃基板2露出且利用過蝕刻除去掃描線1 1上及蓄積 電容線1 6上之第1非晶矽層3 1A、3 1 B，使閘極絕緣層 -87- 1287161 (84) 30 A、30B分別露出。此時，亦會形成含有開口部63 A、 65A之由耐熱金屬層34C及第2非晶矽層33C之積層所 構成之中間電極。 源極·汲極配線及圖素電極之形成步驟和實施例1相 同，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋 膜厚爲0.1〜0.2/zm程度之例如IZO或ITO之透明導電層 91，並在依序覆蓋膜厚爲0.3//m程度之A1或Al(Nd)合 金薄膜層3 5之低電阻金屬層後，以微細加工技術利用感 光性樹脂圖案86A、86B除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35 、透明導電層91、耐熱金屬層3 4A、第2非晶矽層33A、 及第1非晶矽層31A，如第13圖（f)及第14圖（f)所示， 選擇性地形成和通道保護層32D形成重疊之含有部份半 導體層區域34A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲 源極配線之信號線1 2、及由9 1 B及3 5 B之積層所構成之 兼用爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，亦會 形成含有因爲形成源極•汲極配線1 2、2 1而露出之中間 電極之掃描線之電極端子5、及由部份信號線所構成之電 極端子6。 此時，利用半色調曝光技術形成膜厚大於兼用爲汲極 之圖素電極22上及電極端子5、6上之86B之膜厚1.5 # m之信號線1 2上之86A之膜厚爲例如3 // m之感光性 樹脂圖案86A、86B係實施例7之重要特徵。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案86A、86B減少1.5 β m以上 1287161 (85) 之膜厚，則感光性樹脂圖案86B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上及電極端子5、6上之低電阻金屬層35A〜 3 5 C露出且只有信號線1 2上殘留膜厚已減少之感光性樹 脂圖案86C。將膜厚減少之感光性樹脂圖案86C當做遮罩 ，除去低電阻金屬層35A〜35C，如第13圖（g)及第14圖 (g)所示，得到透明導電性圖素電極22及透明導電性電極 端子5A、6A。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例7。實施例7中， 感光性樹脂圖案86C亦接觸液晶，故感光性樹脂圖案86C 不採用以酚醛清漆系樹脂爲主要成分之通常之感光性樹脂 ，而採用純度較高之主要成分爲丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹 脂之高耐熱性之感光性有機絕緣層係極爲重要之一點。蓄 積電容15之構成如第13圖（g)所示，係以圖素電極22及 蓄積電容線16隔著閘極絕緣層30B形成平面重疊之區域 51(右下斜線部）構成蓄積電容15時爲例，然而，蓄積電 容1 5之構成並未受限於此，其構成上，前段之掃描線1 1 及圖素電極22間亦可隔著含有閘極絕緣層30A之絕緣層 [實施例8] 和實施例1及實施例2之關係相同，實施例8針對實 施例7追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機絕緣層 之鈍化技術。實施例8如第15圖（e)及第16圖（e)所示， -89- 1287161 (86) 至以微細加工技術形成由含有閘極1 1 A之寬度大於閘極 11A之可陽極氧化之耐熱金屬層34A及第2非晶矽層33 A 之積層所構成之半導體區域、含有開口部63 A、65A之耐 熱金屬層34C、以及第2非晶矽層33C之積層所構成之中 間電極而使玻璃基板2露出爲止，係和實施例5相同之製 造步驟。又，因爲版面之關係，而省略第15圖（〇及第16 圖（c )之記載。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜0.2// m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲0.3//m程度之A1 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後 ，以半色調曝光技術形成電極端子5、6上87A之膜厚爲 例如3 // m之大於源極•汲極配線12、21上之87B之膜 厚1.5 // m之感光性樹脂圖案87A、87B，利用感光性樹脂 圖案87A、87B除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透明導 電層91、耐熱金屬層3 4A、第2非晶矽層33A、及第1非 晶矽層31A，如第15圖（f)及第16圖（f)所示，選擇性地 形成和通道保護層3 2D形成部份重疊之含有部份半導體 層區域3 4A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極 配線之信號線12、·及由91B及35B之積層所構成之兼用 爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極21，亦會形成 含有因爲形成源極•汲極配線1 2、2 1而露出之中間電極 之掃描線之電極端子5、及由部份信號線所構成之電極端 子6 〇 -90- 1287161 (87) 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5// m以 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第1 5 圖（g)及第16圖（g)所示，對信號線12實施陽極氧化而在 其表面形成氧化層69(12)。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第1 5 圖（h)及第16圖（h)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(35B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35 A〜35C，如第15圖⑴及第16圖⑴所示 ，使透明導電層91A〜91C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例8。蓄積電容1 5 之構成和實施例7相同。 如此，實施例7及實施例8係利用半色調曝光技術以 同一光遮罩處理掃描線之形成步驟及接觸之形成步驟’達 到製造步驟之刪減，以4道光罩得到液晶顯示裝置’然而 ，本發明者發現更合理化之組合之存在，而可利用其實現 3道光罩•處理，以下針對其進行說明。 -91 - 1287161 (88) [實施例9] 實施例9係和實施例7相同，首先，利用SPT等真 空製膜裝置在玻璃基板2之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜0.3 // m程度之例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或矽化物之第 1金屬層。形成於掃描線之側面之絕緣層選擇陽極氧化層 時，其陽極氧化層必須具有絕緣性，此時，若考慮Ta單 體之高電阻、及A1單體之低耐熱性，如前面說明所述， 爲了獲得掃描線之低電阻化，掃描線之構成應選擇高耐熱 性之 Al(Zr、Ta、Nd)合金等之單層構成、或 Al/Ta、 Ta/Al/Ta、及Al/Al(Ta、Zr、Nd)合金等之積層構成。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別以 例如0·3μπι，0·05μιη，0.1/zm程度之膜厚依序覆蓋：當做 閘極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕 緣閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、及當做用以 保護通道之絕緣層之第2 SiNx層32之3種薄膜層，其次 ，如第17圖（a)及第18圖（a)所示，利用半色調曝光技術 形成保護絕緣層形成區域，亦即閘極1 1A上之區域83 A 之膜厚爲例如2//m之大於對應掃描線11及蓄積電容線 16之區域83B上之膜厚l//m之感光性樹脂圖案83A、 8 3B，將感光性樹脂圖案83A、83B當做遮罩，選擇性地 除去第2 SiNx層32、第1非晶砂層31、閘極絕緣層30、 及第1金屬層使玻璃基板2露出。掃描線1 1之線寬因爲 電阻値之關係，故最小時通常亦具有1 〇 # m以上之大小 -92- 1287161 (89) ，以形成83B(中間調整區域）爲目的之光遮罩之製作及其 完成尺寸之精度管理皆較爲容易。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 83A、83B減少1 // m以上之膜厚，如第18圖（b)所示，感 光性樹脂圖案83B會消失而使第2 SiNx層32A、32B(圖 上未標示）露出且只有保護絕緣層形成區域上會形成膜厚 已減少之感光性樹脂圖案83C。上述氧電漿處理時，爲了 抑制圖案尺寸之變化，應強化異向性。具體而言，應爲 RIE方式、進一步具有高密度電漿源之ICP方式、及TCP 方式之氧電漿處理。或者，預估抗鈾層圖案之尺寸變化量 而預先放大設計上之抗蝕層圖案83 A之圖案尺寸、或以 放大抗蝕層圖案83A之圖案尺寸之曝光·顯像條件來採 取處理上之對應處置，如前面說明所述。 接著，如第17圖（b)及第18圖（b)所示，將膜厚已減 少之感光性樹脂圖案83C當做遮罩，對第2 SiNx層32A 以寬度小於閘極1 1 A之方式實施選擇性蝕刻並當做蝕刻 終止層（或通道保護層或保護絕緣層）32D且分別使掃描線 11上及蓄積電容線16上之第1非晶矽層31A、31B露出 〇 除去前述感光性樹脂圖案83C後，如第17圖（〇及第 18圖（c)所示，在閘極1 1 A之側面形成絕緣層76。因此， 如第5 0圖所示，需要並聯著掃描線1 1 (蓄積電容線丨6亦 相同，此處省略圖示）之配線7 7、及在玻璃基板2之外周 部實施電鍍或陽極氧化時用以提供電位之連結圖案78， -93- 1287161 (90) 此外，必須將利用電漿CVD之非晶矽層3 1及氮化矽層 3〇、32之製膜區域79以適當遮罩手段限制於連結圖案78 之內側，且至少使連結圖案78露出。針對連結圖案78以 具有銳利刃尖之鳄口鉗等連結手段對掃描線1 1提供+(正） 電位，將玻璃基板2浸漬於以乙二醇爲主要成分之化成液 中實施陽極氧化，若掃描線1 1爲A1系合金，則例如化成 電壓200V會形成具有0.3//m膜厚之氧化鋁（Al2〇3)。電 附著時，利用前面所述之含有偶羧基之聚醯亞胺電鍍液以 電鍍電壓數V形成具有0.3/zm膜厚之聚醯亞胺樹脂層。 又，實施例9係利用形成絕緣層76而以絕緣層之氧化鋁 或聚醯亞胺樹脂來塡埋形成於掃描線1 1上之閘極絕緣層 3 0 A之針孔，可抑制掃描線1 1及後述源極•汲極配線1 2 、2 1間之層間短路，此外，尙具有改善良率之副效果。 其後，因和實施例3相同之製造步驟，故只簡單進行 說明，利用PC VD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋例如0.05 /zm程度之膜厚之含有雜質例如磷之第2非晶矽層33, 並在利用SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚爲0.1/zm程度之 例如Ti、Cr、Mo等薄膜層34之耐熱金屬層後，影像顯 示部外之區域之掃描線1 1及蓄積電容線1 6之接觸形成區 域具有開口部63 A、65A，且利用半色調曝光技術形成絕 緣閘極型電晶體之半導體層形成區域亦即閘極1 1 A上之 區域81 A之膜厚爲例如2//m之大於其他區域81B之膜厚 1 // m之感光性樹脂圖案8 1 A、8 1 B。其次，如第1 7圖（d) 及第18圖（d)所示，將感光性樹脂圖案81 A、81B當做遮 1287161 (91) 罩’依序蝕刻開口部63 A、65 A內露出之耐熱金屬層34、 第2非晶矽層3 3、及第1非晶矽層3 1A、3 1B，使開口部 63A、65A內分別露出閘極絕緣層30A、30B。 接著’利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 81A、81B減少1//m以上之膜厚，如第17圖（〇及第18 圖（e)所示’感光性樹脂圖案81B會消失而使耐熱金屬層 34露出且只有閘極11A上之半導體層形成區域上殘留膜 厚已減少之感光性樹脂圖案8 1 C。 接著，如第17圖（f)及第18圖（f)所示，將感光性樹 脂圖案81C當做遮罩，以寬度大於閘極11A之方式選擇 性保留耐熱金屬層3 4及第2非晶矽層3 3而形成島狀3 4 A 、33A，使玻璃基板2露出。圖案寬度會依蝕刻終止層 32D、閘極11A、島狀半導體層形成區域（8lC)之順序而分 別增加遮罩校準精度（通常爲2〜3 // m)份，源極•汲極配 線12、21之遮罩校準係以蝕刻終止層32D爲基準來實施 遮罩校準，即使半導體層區域稍小，因爲絕緣閘極型電晶 體偏置而無法動作、或不會出現使絕緣閘極型電晶體之電 性特性產生較大變化之影響，故無需特別在意半導體層形 成區域之尺寸變化。 開口部63 A、65A之蝕刻狀況如實施例3之記載所示 ，最後，形成於掃描線1 1及蓄積電容線1 6上之閘極絕緣 層30A、30B之開口部63A、65A內，會分別露出掃描線 11及蓄積電容線16之一部份73及75。 除去前述感光性樹脂圖案81C後，和實施例3相同， -95- 1287161 (92) 利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋膜厚 爲0.1〜0.2//m程度之例如IZO或ITO之透明導電層91 ，並在依序覆蓋膜厚爲程度之A1或Al(Nd)合金 薄膜層3 5之低電阻金屬層後，利用半色調曝光技術形成 信號線12上之86A之膜厚爲例如3 // m之大於汲極21上 及電極端子5、6上之86B之膜厚1.5// m之感光性樹脂 圖案86A、86B，利用感光性樹脂圖案86A、86B除去A1 或Al(Nd)合金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬層 34A、第2非晶矽層33A、及第1非晶矽層31A，如第17 圖（g)及第18圖（g)所示，選擇性地形成和通道保護層32D 形成部份重疊之含有部份半導體層區域34A之由91A及 35A之積層所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及由 91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣閘 極型電晶體之汲極21，在形成源極•汲極配線12、21之 同時，亦會形成含有開口部63A內露出之掃描線之一部 份73之掃描線之電極端子5及由部份信號線所構成之電 極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案86A、86B減少1.5 // m以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案8 6B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上及電極端子5、6上之低電阻金屬層35A〜 35C露出且只有信號線12上保留膜厚已減少之感光性樹 脂圖案86C，將膜厚減少之感光性樹脂圖案86C當做遮罩 ，除去低電阻金屬層35A〜35C，如第17圖（h)及第18圖 1287161 (93) (h)所示，形成透明導電性圖素電極22及透明導電性電極 端子5 A、6 A。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例9。實施例9中， 感光性樹脂圖案86C亦接觸液晶，故感光性樹脂圖案86C 不採用以酚醛清漆系樹脂爲主要成分之通常之感光性樹脂 ，而採用純度較高之主要成分爲丙烯酸樹脂或聚醯亞胺樹 脂之高耐熱性之感光性有機絕緣層係極爲重要之一點。蓄 積電容15之構成如第17圖（h)所示，係以圖素電極22及 蓄積電容線16隔著閘極絕緣層30B形成平面重疊之區域 51 (右下斜線部）構成蓄積電容15時爲例，和實施例7相 同。 [實施例10] 和實施例1及實施例2之關係相同，實施例1 〇針對 實施例9追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機絕緣 層之鈍化技術。實施例10如第19圖（f)及第20圖（f)所示 ，至由利用微細加工技術以含有閘極1 1 A之寬度大於閘 極11之可陽極氧化之耐熱金屬層34 A及第2非晶矽層 33A之積層所構成之半導體層區域、及影像顯示部外之區 域之掃描線11上及蓄積電容線16上之閘極絕緣層30A、 3 0B分別形成接觸（開口部）63A、65A爲止，係和實施例9 相同之製造步驟。然而，因爲版面之關係，省略第19圖 (b)、第19圖（e)、第20圖（b)、及第20圖（e)之記載。 - 97- 1287161 (94) 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜〇.2//m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲0.3 // m程度之A1 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後 ，利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上 及電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3/zm之大於信 號線12上之87B之膜厚15// m之感光性樹脂圖案87A、 87B，利用感光性樹脂圖案87A、87B除去A1或Al(Nd)合 金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬層34A、第2非 晶矽層33A、及第1非晶矽層31A，如第19圖（g)及第20 圖（g)所示，選擇性地形成和通道保護層32D形成部份重 疊之含有部份半導體層區域34A之由91A及35A之積層 所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及由91B及35B 之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體 之汲極21，在形成源極•汲極配線12、21之同時，亦會 形成含有露出之接觸（開口部）63A、65A之掃描線之電極 端子5及由部份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案87A、87B減少1.5 e m以上 之膜厚，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線12(3 5A) 露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端子5、6 上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次，將膜厚已 減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第19圖（h)及第 20圖（h)所示，對信號線12實施陽極氧化而在其表面形成 1287161 (95) 氧化層69(12)。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第1 9 圖（i)及第 20圖（i)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35 A〜35C，如第19圖⑴及第20圖⑴所示 ，使透明導電層9 1 A〜9 1 C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 0。蓄積電容 1 5之構成和實施例9相同。 如此，實施例9及實施例1 〇中，掃描線之形成步驟 、蝕刻終止層之形成步驟、接觸之形成步驟、半導體層之 形成步驟、源極•汲極配線之形成步驟、以及圖素電極之 形成步驟之全部光蝕刻步驟皆以半色調曝光技術來處理， 故可利用3道光罩得到液晶顯示裝置，又，因爲從非傳統 之觀點來更換光蝕刻步驟之順序可進一步刪減製造步驟數 ，利用實施例1 1及實施例1 2針對其進行說明。 [實施例1 1] 實施例1 1亦和實施例7相同，首先，利用SPT等真 空製膜裝置在玻璃基板2之一主面上覆蓋膜厚爲〇.1〜〇.3 // m程度之例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或矽化物之第 -99- 1287161 (96) 1金屬層92。形成於掃描線之側面之絕緣層選擇陽極氧化 層時，其陽極氧化層必須具有絕緣性，此時，若考慮Ta 單體之高電阻、及A1單體之低耐熱性，如前面說明所述 ，爲了獲得掃描線之低電阻化，掃描線之構成應選擇高耐 熱性之 Al(Zr、Ta、Nd)合金等之單層構成、或 Al/Ta、 Ta/Al/Ta、及Al/Al(Ta、Zr、Nd)合金等之積層構成。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別以 例如0.3μιη，0.05μπι，0.1/zm程度之膜厚依序覆蓋：當做 閘極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕 緣閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、及當做用以 保護通道之絕緣層之第2 SiNx層32之3種薄膜層，其次 ，以微細加工技術選擇性地蝕刻最上層之第2 SiNx層32 ，除了將其當做絕緣閘極型電晶體之保護絕緣層（或蝕刻 終止層或通道保護層）之第2 SiNx層3 2D以外，尙會使第 1非晶矽層31露出。其後，如第21圖（a)及第22圖（a)所 示，利用PC VD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋例如0.05 // m程度之膜厚之含有雜質例如磷之第2非晶矽層3 3，此 外，利用SPT等真空製膜裝置覆蓋膜厚0.1 // m程度之例 如Ti、Cr、Mo等薄膜層34之耐熱金屬層。 接著，如第21圖（b)及第22圖（b)所示，利用半色調 曝光技術形成接觸形成區域82B之開口部63A、65A之膜 厚爲例如1 V m之小於對應掃描線1 1及蓄積電容線1 6之 區域82A上之膜厚2 // m之感光性樹脂圖案82A、82B， 將感光性樹脂圖案82A、82B當做遮罩，選擇性地除去耐 100· 1287161 (97) 熱金屬層34、第2非晶矽層層33、第1非晶矽層31、閘 極絕緣層30、及第1金屬層92，使玻璃基板2露出。因 爲接觸之大小係和電極端子相當之通常爲l〇//m以上之 大小，以形成82B(中間調整區域）爲目的之光遮罩之製作 及其完成尺寸之精度管理皆較爲容易。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 82A、82B減少l//m以上之膜厚，如第21圖（c)及第22 圖（c)所示，感光性樹脂圖案82B會消失而使開口部63 A 、65A內之耐熱金屬層3 4A、3 4B露出且直接保留掃描線 11上及蓄積電容線16上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案 82C。感光性樹脂圖案82C(黑區域），亦即閘極1 1 A之圖 案寬度係在保護絕緣層之尺寸加算遮罩校準精度，若保護 絕緣層爲1〇〜12/zm、校準精度爲±3/zm，則最小亦爲16 〜18/zm，故爲不太嚴格之尺寸精度。又，掃描線11及 蓄積電容線16之圖案寬度亦因爲電阻値之關係而通常設 定成10//m以上。然而，實施例11並無半導體層之形成 步驟，且半導體層係以和閘極1 1 A相同之尺寸形成於閘 極11A上，故從抗蝕層圖案8 2A轉換成82C時，抗蝕層 圖案會呈現等向之1/zm之膜厚減少，不但尺寸只縮小2 μιη，後續之源極•汲極配線形成時之遮罩校準精度亦會 縮小1 // m而成爲±2 β m，後者對處理之影響會大於前者 。因此，上述氧電漿處理時，爲了抑制圖案尺寸之變化， 應強化異向性。具體而言，應爲RIE方式、進一步具有高 密度電漿源之ICP方式、及TCP方式之氧電漿處理。或 1287161 (98) 者，預估抗蝕層圖案之尺寸變化量而預先放大設計上之 蝕層圖案82 A之圖案尺寸來採取處理上之對應處置。 其後，如第22圖（c)所示，在閘極1 1 A之側面形成 緣層76。因此，如第49圖所示，需要並聯著掃描線: 蓄積電容線16亦相同，此處省略圖示）之配線77、及 玻璃基板2之外周部實施電附著或陽極氧化時用以提供 位之連結圖案78，此外，必須將利用電漿CVD之非晶 層31、33及氮化矽層30、32、以及利用SPT之耐熱金 層34之製膜區域79以適當遮罩手段限制於連結圖案 之內側，且至少使連結圖案78露出。針對連結圖案78 具有銳利刃尖之鳄口鉗等連結手段刺破連結圖案78上 感光性樹脂圖案82C(78)，對掃描線11提供+(正）電位 將玻璃基板2浸漬於以乙二醇爲主要成分之反應液中實 陽極氧化，若掃描線11爲A1系合金，則例如反應電 200V會形成具有0.3 // m膜厚之氧化鋁（Al2〇3)。電鍍時 利用含有偶羧基之聚醯亞胺電鍍液以電鍍電壓數V形 具有〇.3/zm膜厚之聚醯亞胺樹脂層。 形成絕緣層76後，如第21圖（d)及第22圖（d)所示 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案82C當做遮罩，選擇性 蝕刻開口部63A、65A內之耐熱金屬層3 4A、34B、第 非晶矽層3 3 A、3 3 B、第1非晶矽層3 1 A、3 1 B、以及閘 絕緣層30A、30B，而分別使掃描線11之一部份73及 積電容線16之一部份75露出。 除去前述感光性樹脂圖案82C後和實施例1相同， 抗 絕 1( 在 電 矽 屬 78 以 之 施 壓 成 地 2 極 蓄 利 102- 1287161 (99) . 用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋膜厚爲 0.1〜0.2/z m程度之例如IZO或ITO之透明導電層91，並 在依序覆蓋膜厚爲〇.3/zm程度之A1或Al(Nd)合金薄膜 層3 5之低電阻金屬層後，利用半色調曝光技術形成信號 線12上之86A之膜厚爲例如3/zm之大於汲極21上及電 極端子5、6上之86B之膜厚1.5// m之感光性樹脂圖案 86A、86B，並利用感光性樹脂圖案86A、86B除去 A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬層 34A、34B、第2非晶矽層33A、33B、以及第1非晶矽層 31A、31B，如第21圖（e)及第22圖（e)所示，選擇性地形 成由和通道保護層32D形成部份重疊之含有部份半導體 層區域3 4A之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極 配線之信號線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用 爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，在形成源 極•汲極配線12、21之同時，亦同時形成開口部63A之 周圍之耐熱金屬層34C、第2非晶矽層33C、第1非晶矽 層31C、含有露出之掃描線之一部份73之掃描線之電極 端子5、以及由部份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案86A、86B減少1.5 // m以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案8 6B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上及電極端子5、6上之低電阻金屬層35A〜 35C露出且只有信號線12上保留膜厚已減少之感光性樹 脂圖案86C，將膜厚減少之感光性樹脂圖案86C當做遮罩 -103- 1287161 (100) ，除去低電阻金屬層35A〜35C，如第21圖（f)及第22圖 (f)所示，形成透明導電性圖素電極22及透明導電性電極 端子5 A、6 A。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 1。實施例1 1中 ，感光性樹脂圖案86C亦接觸液晶，故感光性樹脂圖案 86C不採用以酚醛清漆系樹脂爲主要成分之通常之感光性 樹脂’而採用純度較高之主要成分爲丙烯酸樹脂或聚醯亞 胺樹脂之高耐熱性之感光性有機絕緣層係極爲重要之一點 。蓄積電容15之構成如第21圖（f)所示，係以圖素電極 22及蓄積電容線16隔著耐熱金屬層3 4B、第2非晶矽層 3 3B、第1非晶矽層31B、以及閘極絕緣層30B形成平面 重疊之區域51(右下斜線部）構成蓄積電容15時爲例。 [實施例12] 和實施例1及實施例2之關係相同，實施例丨2針對 實施例1 1追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機絕 緣層之鈍化技術。實施例12如第23圖（d)及第24圖（d)所 示，至在閘極11A上之由耐熱金屬層34A、第2非晶矽層 33A、及第1非晶砂層31A之積層所構成之半導體層區域 及影像顯示外之區域之掃描線1 1上及蓄積電容線1 6上形 成接觸63A、65A爲止，係和實施例11相同之製造步驟 。然而，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極氧化之金屬而 無法採用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti、最好選擇h -104- 1287161 (101) 或高熔點金屬之矽化物。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲〇. 1〜0.2// m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲〇.3/zm程度之A1 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後 ，利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極21之圖素電極22 上及電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3/zm之大於 信號線12之87B之膜厚1.5/zm之感光性樹脂圖案87A、 8 7B，並利用感光性樹脂圖案87A、87B除去A1或 Al(Nd)合金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬層34A 、34B、第2非晶矽層33A、33B、以及第1非晶矽層31A 、3 1B，如第23圖（e)及第24圖（e)所示，選擇性地形成和 通道保護層32D形成重疊之含有部份半導體層區域34A 之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極配線之信號 線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素電極 22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，在形成源極·汲極配 線12、21之同時，亦形成開口部63A之周圍之耐熱金屬 層34C、第2非晶矽層33C、第1非晶矽層31C、含有露 出之掃描線之一部份73之掃描線之電極端子5、以及由 部份信號線構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5 μ m以 上之膜厚減少，感光性樹脂圖案87B會消失而使信號線 12(35A)露出且兼用爲汲極21之圖素電極22上及電極端 -105- 1287161 (102) 子5、6上會殘留膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。將 膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第23圖 (f)及第24圖（f)所示，對信號線12實施陽極氧化而在其 表面形成氧化層69(12)。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第23 圖（g)及第 24圖（g)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 此外，當信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩 ，除去低電阻金屬層35A〜35C，如第23圖（h)及第24圖 (h)所示，使透明導電層91A〜91C露出，使其分別具有信 號線之電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子 5A之機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光 片進行貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 2。蓄 積電容15之構成和實施例11相同。 以上所述之液晶顯示裝置，絕緣閘極型電晶體係採用 蝕刻終止型，然而，採用通道鈾刻型之絕緣閘極型電晶體 亦可實現本發明主題之信號線及圖素電極之同時形成，以 下實施例針對其進行說明。 [實施例13] 實施例13中，首先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃 基板2之一主面上覆蓋膜厚爲〇·1〜〇.3//m程度之例如Cr 、Ta、Mo等、或其合金或矽化物之第1金屬層。其次， -106- 1287161 (103) 如第25圖（a)及第26圖（a)所示，利用微細加工技術選擇 性地形成兼用爲閘極1 1 A之掃描線1 1及蓄積電容線1 6。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別依 序覆蓋例如〇·3μτη，0·2μηι，0.05 // m程度之膜厚之當做閘 極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣 閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、以及含有例如 磷之雜質之當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非 晶矽層33之3種薄膜層，並在利用SPT等真空製膜裝置 覆蓋膜厚爲程度之例如Ti、Cr、M〇等薄膜層34 之耐熱金屬層後，如第25圖（b)及第26圖（b)所示，以微 細加工技術在閘極1 1上選擇性地形成寬度大於閘極1 1 A 之由耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、及第1非晶矽 層3 1 A之積層所構成之半導體層區域而使閘極絕緣層3 0 露出。 接著，如第25圖（〇及第26圖（〇所示，以微細加工 技術選擇性地在影像顯示部外之區域之掃描線1 1上及蓄 積電容線16上形成開口部63A、65A，對前述開口部63A 、65 A內之閘極絕緣層30實施蝕刻而分別使掃描線1 1之 一部份73及蓄積電容線16之一部份75露出。 其次，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面覆蓋膜厚爲0.1〜0.2 // m程度之例如IZO或ITO之透明 導電層91，並在依序覆蓋膜厚爲0.3"m程度之 A1或 Al(Nd)合金薄膜層35之低電阻金屬層後，以微細加工技 術利用感光性樹脂圖案88A、88B飩刻除去A1或Al(Nd) -107- 1287161 (104) 合金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬層34A、以及 第2非晶矽層33A，並以使第1非晶矽層31A殘留0.05 〜0·1 // m之程度進行蝕刻，如第25圖（d)及第26圖（d)所 示，選擇性地形成由和閘極1 1 A形成部份重疊之含有部 份半導體層區域34A之低電阻金屬層35A及透明導電層 9 1 A之積層所構成之兼用爲源極配線之信號線1 2、及由 低電阻金屬層3 5B及透明導電層91B之積層所構成之兼 用爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，在形成 源極•汲極配線1 2、2 1之同時，亦會形成含有開口部 63A內露出之掃描線之一部份73之掃描線之電極端子5 及由部份信號線所構成之電極端子6。如此，耐熱金屬層 34A在此步驟被分割成一對電極34A1、34A2(圖上皆未標 示），因爲信號線12係以含有一方之電極34A1之方式形 成，又，圖素電極22係以含有另一方之電極3 4A 2之方 式形成，故分別具有絕緣閘極型電晶體之源極，汲極之機 會g 。 此時，利用半色調曝光技術形成信號線1 2上及電極 端子5、6上之區域88 A(黑區域）之膜厚爲例如3 // m之大 於兼用爲汲極之圖素電極22上之區域88B(中間調整區域 )之膜厚1.5//m之感光性樹脂圖案88A、88B係實施例13 之重要特徵。對應電極端子5、6之88B之最小尺寸爲較 大之數10//m，不論光罩之製作或是其完成尺寸之管理皆 極爲容易，然而，因爲對應信號線12之區域88A之最小 尺寸爲尺寸精度相對較高之4〜8^m之黑區域則需要較 108· 1287161 (105) 細微之圖案。然而，和如合理化之傳統例中之說明所 以1次曝光處理及2次蝕刻處理形成之源極•汲極 12、21相比，因爲本發明之源極•汲極配線1 2、21 1次曝光處理及1.5次鈾刻處理形成，不但圖案寬度 動要因較少，源極•汲極配線12、21之尺寸管理、 極•汲極配線1 2、2 1間-亦即通道長之尺寸管理上， 精度之管理皆較傳統半色調曝光技術更爲容易。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等 手段使上述感光性樹脂圖案88A、88B減少1.5 // m 之膜厚，則感光性樹脂圖案8 8B會消失而使兼用爲汲 圖素電極22上之低電阻金屬層35B露出且直接保留 線1 2上及電極端子5、6上之膜厚已減少之感光性樹 案88C，然而，上述氧電漿處理若使感光性樹脂圖案 呈等向膜厚減少而使感光性樹脂圖案88C之圖案寬度 ，則後續之低電阻金屬層3 5B之除去步驟會使信 12(35A)之線寬變窄，故氧電漿處理應採用RIE方式 有高密度電漿源之ICP方式、及TCP方式之氧電漿 來強化異向性而抑制圖案尺寸之變化。或者，預估抗 圖案之尺寸變化量而預先放大設計上之抗蝕層圖案 之圖案尺寸來採取處理上之對應處置。其次，將膜厚 少之感光性樹脂圖案8 8 C當做遮罩，除去低電阻金 3 5B，如第25圖（e)及第26圖（e)所示，得到透明導電 圖素電極22。除去低電阻金屬層35B時，露出之絕 極型電晶體之通道層之第1非晶矽31A之膜厚會減 示之 配線 係以 之變 及源 圖案 灰化 以上 極之 信號 脂圖 88C 變窄 號線 、具 處理 蝕層 88A 已減 屬層 性之 緣閘 少、 -109· 1287161 (106) 或受損，故使絕緣閘極型電晶體之電性特性不會劣化之低 電阻金屬層35A〜35C之材質及鈾刻方法係本發明之重點 ，從此觀點而言，採用 Al、Cr、Mo、W等蝕刻選擇比較 大之低電阻金屬層，蝕刻液則以分別以磷酸、硝酸鈽、及 過氯酸爲主要成分之Cr蝕刻液、以及添加微量氨之過氧 化氫水爲佳。 除去膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C後，利用 PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3 // m程度之膜厚 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，如第 25圖（f)及第26圖（f)所示，在圖素電極22上及電極端子 5、6上分別形成開口部3 8、63、64，選擇性地除去各開 口部內之鈍化絕緣層，而使圖素電極22及電極端子5、6 之大部份露出。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 3。蓄積電容1 5 之構成如第25圖（f)所示，係以圖素電極22及蓄積電容 線16隔著閘極絕緣層30形成平面重疊之區域51(右下斜 線部）構成蓄積電容15時爲例，然而，蓄積電容15之構 成並未受限於此，其構成上，前段之掃描線11及圖素電 極22間亦可隔著含有閘極絕緣層3 0之絕緣層。靜電對策 和實施例1相同，亦可在主動基板2之外周配置靜電對策 用透明導電層圖案40並將透明導電層圖案40連結至透明 導電性電極端子5A、6A之構成之傳統例之靜電對策，然 而，因爲增加針對閘極絕緣層3 0之開口部形成步驟，故 -110- 1287161 (107) 其他靜電對策亦很容易。 實施例13中，因係以低電阻金屬層35C、35B分別 構成電極端子5、6，故具有TCP安裝或COG安裝時可降 低連結電阻之優點。另一方面，若低電阻金屬層採用 A1或Al(Nd)合金，則因水份浸入而容易腐蝕，故有液晶 面板安裝上需要高度密封技術之問題。在此補充一點，亦 即，和A1合金相比，ITO或IZO對水份浸入之耐腐蝕性 較高，故可實施例1〜實施例12相同，可當做透明導電 性電極端子5A、6 A，因此，用以形成源極•汲極配線12 、21之感光性樹脂圖案88A、8 8B亦可以和實施例1相同 ，將其變更成信號線12上之膜厚大於兼用爲汲極之圖素 電極22上、及電極端子5、6上之膜厚之感光性樹脂圖案 88A、88B。此點亦可應用於後面說明之實施例15、實施 例17、實施例19、實施例21、以及實施例23之設計上 。第25圖（g)及第26圖（g)係其最後之平面圖及剖面圖。 或者，在形成源極•汲極配線12、2 1時，以不利用 半色調曝光之方式來形成源極•汲極配線12、21，而在 鈍化絕緣層37形成開口部38、63、64時，除了除去鈍化 絕緣層37以外，尙除去低電阻金屬層35A〜35C，亦可得 到透明導電性圖素電極22及透明導電性電極端子5A、6A 。此時，因爲構成信號線1 2之低電阻金屬層3 5 A係以一 次蝕刻形成，故可提高圖案精度，而具有可避免因爲信號 線1 2變窄而使電阻値變大之優點、及第2次除去低電阻 金屬層35A〜35C時可以利用鈍化絕緣層37保護通道部 111 - 1287161 (108) 而避免通道部受損之優點。此點亦可應用於後面說明之實 施例1 5、實施例1 7、實施例丨9、實施例2丨、以及實施例 23之裝置及處理之新構想上。第25圖（h)及第26圖（}1)係 最後之平面圖及剖面圖。 以如實施例1 2所示之採用可陽極氧化之金屬薄膜當做 源極•汲極配線材料，來取代實施例13之利用siNx之鈍 化形成’亦可在形成源極•汲極配線時利用陽極氧化而形 成絕緣性陽極氧化層’而實現源極•汲極配線之鈍化形成 ’通道餓刻型絕緣閘極型電晶體亦可在通道表面形成氧化 砂層時，同時實施通道之鈍化形成，因此，可進一步刪減 光蝕刻步驟數，以實施例1 4針對其進行說明。 [實施例14] 實施例14如第27圖（c)及第28圖（c)所示，至以微細 加工技術選擇性地形成圖像顯示部外之區域之掃描線1 1 上及蓄積電容線16上之開口部63A、65A，對前述開口部 63A、65A內之閘極絕緣層30實施蝕刻而分別使掃描線 1 1之一部份73及蓄積電容線16之一部份75露出爲止， 係和實施例1 3相同之製造步驟。然而，第1非晶矽層31 之膜厚亦可爲較薄之〇.l//m。又，因爲耐熱金屬層34必 須爲可陽極氧化之金屬而無法採用Cr、Mo、W等，故至 少應選擇Ti、最好選擇Ta或高熔點金屬之矽化物。

源極•汲極配線之形成步驟中，會利用SPT等真空 製膜裝置覆蓋膜厚爲0.1〜〇.2#m程度之例如IZO或ITO -112- 1287161 (109) 之透明導電層91，尙會依序覆蓋膜厚爲0.3/zm程度之 A1或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層 。其次，以微細加工技術利用感光性樹脂圖案87A、87B 依序對A1或Al(Nd)合金薄膜層35及透明導電層91進行 蝕刻，如第27圖（d)及第28圖（d)所示，選擇性地形成和 閘極11A形成部份重疊之含有部份半導體層區域34A之 由透明導電層91A及低電阻金屬層35A之積層所構成之 兼用爲源極配線之信號線12、及由透明導電層91B及低 電阻金屬層35B之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕 緣閘極型電晶體之汲極21。而無施實施含有雜質之第2 非晶矽層33A及不含雜質之第1非晶矽層31A之蝕刻。 在形成源極•汲極配線1 2、2 1之同時，亦會形成含有開 口部63 A內露出之掃描線之一部份73之掃描線之電極端 子5、及由部份信號線所構成之電極端子，此時，利用半 色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚爲例如3//m之大於信號線12上之膜厚 1.5 " m之感光性樹脂圖案87A、87B係實施例14之重要 特徵。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5 // m以 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。即使上 述氧電漿處理使感光性樹脂圖案8 7C之圖案寬度變窄’因 -113- 1287161 (110) 爲具有較大圖案尺寸之兼用爲汲極之圖素電極22及電極 端子5、6之周圍會形成陽極氧化層，故對電性特性、不 良率、及品質都沒有影響，係値得特別一提之特徵。其次 ，如第27圖（e)及第28圖（e)所示，將膜厚已減少之感光 性樹脂圖案87C當做遮罩，和實施例2相同，照射光實施 信號線12之陽極氧化來形成氧化層69(12)，同時實施和 從源極•汲極配線12、21間露出之第2非晶矽層33 A在 厚度方向相鄰接之部份第1非晶矽層3 1 A之陽極氧化而 形成絕緣層之含有雜質之氧化矽層66及不含雜質之氧化 矽層（圖上未標示）。 信號線12之上面會露出低電阻金屬層之A1或A1合 金薄膜層35A，又，通道側之一方側面則會露出A1或A1 合金薄膜層35A、透明導電層91A、及耐熱金屬層之Ti 薄膜層34A之積層，此外，通道之相反側之另一方側面 則會露出A1或A1合金薄膜層35A及透明導電層91A之 積層，利用陽極氧化，可使A1或A1合金薄膜層35 A變 質成絕緣層之氧化鋁（Al2〇3) 69 (12)，而且，圖上未標示 之Ti薄膜層34A亦會變質成半導體之氧化鈦（Ti02)68( 1 2) 。圖素電極（汲極）22之上面覆蓋著感光性樹脂圖案87C， 又，通道側之一方側面露出A1或A1合金薄膜層35B、透 明導電層91B、及耐熱金屬層之Ti薄膜層34A之積層， 而通道之相反側之另一方側面則露出 A1或A1合金薄膜層35B及透明導電層91B之積層，同樣 在這些薄膜上形成陽極氧化層。氧化鈦層68雖然不是絕 -114- 1287161 (111) 緣層，然而，因爲膜厚極薄且露出面積較小，鈍化上應不 會有問題，然而，耐熱金屬薄膜層34A仍以選擇Ta爲佳 。然而，必須注意到Ta不同於Ti之特性，亦即，欠缺吸 收基底之表面氧化層而容易形成歐姆接觸之機能之特性。 即使對由IZO或ITO所構成之透明導電層91A實施陽極 氧化亦不會形成絕緣性氧化層。 實施信號線12之陽極氧化時，圖素電極91B上之低 電阻金屬層35B之側面會形成絕緣層之氧化鋁69(3 5B)， 若採用靜電對策而以導電性媒體連結掃描線及信號線之電 極端子5、6間，則會從信號線1 2經由導電性媒體流過反 應電流，故由低電阻金屬層35C所構成之電極端子5之側 面亦同樣會形成69(3 5 C)。然而，一般而言，導電性媒體 之電阻値較高，故69(3 5C)之膜厚會小於通常之69(35B) 之膜厚。 通道間之含有雜質之第2非晶矽層33A若厚度方向 完全未實施絕緣層化，則會導致絕緣閘極型電晶體之漏電 電流之增大。在前面實例中已說明照射光實施陽極氧化係 陽極氧化步驟之重點。具體而言，照射1萬勒克斯程度之 強光而使絕緣閘極型電晶體之漏電電流超過// A，則依據 源極•汲極配線1 2、2 1間之通道部及汲極2 1之面積來進 行計算，可實現lOmA/cm2程度之陽極氧化，而得到用以 獲得良好膜質之電流密度。 又，利用將反應電壓設定成比足以使含有雜質之第2 非晶矽層3 3 A進行陽極氧化而變質成絕緣層之氧化矽層 -115- 1287161 (112) 66之高於100V之反應電壓高出1 〇V程度，而使和形成之 含有雜質之氧化矽層66相接之不含雜質之第1非晶矽層 31Α之一部份（100Α程度）也變質成不含雜質之氧化矽層（ 未圖示），可提高通道之電性純度而使源極•汲極配線1 2 、2 1間之電性分離更爲完全。亦即，絕緣閘極型電晶體 之OFF電流會充分減少而得到高ΟΝ/OFF比。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第27 圖（f)及第28圖（f)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35A〜35C，如第27圖（g)及第28圖（g)所示 ，使透明導電層9 1 A〜9 1 C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。又，圖素電極22(35B)之側面及掃描線電極端子5 之側面之陽極氧化層 69(3 5B)及69(3 5C)因爲存在母體 (35B、35C)消失而消失。針對以此方式得到之主動基板2 及彩色濾光片進行貼合實施液晶面板化，完成本發明實施 例1 4。蓄積電容1 5之構成和實施例1 3相同。 實施例14係只在信號線12上形成陽極氧化層69(12) ，而使圖素電極22保有導電性並露出，此方式仍可獲得 充分信賴性之理由如實施例2所述，係因爲基本上對液晶 單元施加之驅動信號爲交流，形成於彩色濾光片之相對面 上之相對電極14及圖素電極22間，爲了減少直流電壓成 -116- 1287161 (113) 分而在影像檢査時會調整相對電極1 4之電壓（閃爍減少調 整），因此，只要在信號線1 2上形成直流成分不會流過之 絕緣層即可。 實施例13及實施例14可同時形成圖素電極及信號線 且無需鈍化絕緣層而實現步驟刪減，然而，其必要之遮罩 數分別爲5道及4道。實現其他主要步驟之合理化、進一 步實現低成本化係本發明之主題，以下之實施例係針對維 持同時形成圖素電極及信號線且無需鈍化絕緣層而實現之 步驟刪減下，實現其他主要步驟之合理化並實現4道光罩 處理、甚至3道光罩處理之創意•發明進行說明。 [實施例15] 實施例15中，首先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃 基板2之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜0.3/zm程度之例如Cr 、Ta、Mo等、或其合金或矽化物之第1金屬層。其次， 如第29圖（a)及第30圖（a)所示，利用微細加工技術選擇 性地形成兼用爲閘極1 1 A之掃描線1 1及蓄積電容線1 6。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別依 序覆蓋例如〇·3μιη，0·2μιη，0.05 // m程度之膜厚之當做閘 極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣 閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、以及含有例如 磷之雜質之當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非 晶矽層33之3種薄膜層，並在利用SPT等真空製膜裝置 覆蓋膜厚爲〇·1 A m程度之例如Ti·、Cr、Mo等薄膜層34 -117- 1287161 (114) 之耐熱金屬層後，影像顯示部外之區域之掃描線11及蓄 積電容線16之接觸成區域上具有開口部63 A、65A，且利 用半色調曝光技術形成絕緣閘極型電晶體之半導體層形成 區域亦即閘極1 1 A上之區域8 1 A之膜厚爲例如2 // m之大 於其他區域8 1 B之膜厚1 // m之感光性樹脂圖案8 1 A、 81B。其次，如第29圖（b)及第30圖（b)所示，將感光性 樹脂圖案81A、81B當做遮罩，依序蝕刻開口部63A、 65A內露出之耐熱金屬層34、第2非晶矽層33、及第1 非晶矽層31，使開口部63 A、65A內露出閘極絕緣層30 〇 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 81A、81B減少1 // m以上之膜厚，如第29圖（c)及第30 圖（c)所示，感光性樹脂圖案81B會消失而使耐熱金屬層 34露出且保留只有閘極1 1 A上實施膜厚減少之感光性樹 脂圖案8 1 C。感光性樹脂圖案8 1 C之寬度，亦即，島狀半 導體層之圖案寬度，因爲係在閘極11A之尺寸加算遮罩 校準精度，若閘極11A爲10〜12vm、校準精度爲±3//m ，故爲16〜18//m不係不太嚴格之尺寸精度。然而，從 抗蝕層圖案81A轉換成81C時，抗蝕層圖案會呈現等向 之1 // m之膜厚減少，不但尺寸只縮小2 // m，後續之源 極·汲極配線形成時之遮罩校準精度亦會縮小l"m而成 爲±2//m，後者對處理之影響會大於前者。因此，上述氧 電漿處理時，爲了抑制圖案尺寸之變化，應強化異向性。 如前面所述，具體而言，應爲RIE方式、進一步具有高密 118- 1287161 (115) 度電漿源之ICP方式、及TCP方式之氧電漿處理。或者 ，預估抗蝕層圖案之尺寸變化量而預先放大設計上之抗蝕 層圖案81A之圖案尺寸來採取處理上之對應處置，正如 前面說明所述。 接著，如第29圖（d)及第30圖（d)所示，將膜厚已減 少之感光性樹脂圖案8 1 C當做遮罩，選擇性地以寬度大於 閘極11A之方式保留耐熱金屬層34、第2非晶矽層33、 及第1非晶矽層31而形成島狀34A、33A、31A，而使閘 極絕緣層3 0露出。 此時，開口部63A、65A之鈾刻狀況和實施例3十分 酷似，最後，開口部63 A、65A內分別露出掃描線1 1及 蓄積電容線16之一部份73及75。耐熱金屬層34之蝕刻 係採用一般之氯系氣體之乾蝕刻（乾式蝕刻），此時，因爲 由SiNx所構成之閘極絕緣層30具有耐蝕性而幾乎不會發 生膜厚減少，故先除去耐熱金屬層34而使玻璃基板2之 全面露出第2非晶矽層33。其次，第2非晶矽層33及第 1非晶矽層3 1之蝕刻係採用氟系氣體之乾蝕刻（乾式蝕刻） ，此時，適度選擇處理條件使對由SiNx所構成之閘極絕 緣層3 0之蝕刻速度大致和非晶矽層3 1、3 3相同，在完成 第2非晶矽層33(膜厚爲0.05 // m)及第1非晶矽層31(膜 厚爲0.2#m)之蝕刻，即停止開口部63A、65A內之由 SiNx所構成之閘極絕緣層30(膜厚爲0.3 # m)之蝕刻，而 使開口部63A、65A內分別露出掃描線1 1及蓄積電容線 16之一部份73及75。 -119- 1287161 (116) 以快於此適當蝕刻速度之速度結束第2非晶矽層33 及第1非晶矽層31之鈾刻時，必須以過蝕刻除去開口部 63 A、65A內之閘極絕緣層30，然而，此時之玻璃基板2 之全面已經露出閘極絕緣層30，整體而言，閘極絕緣層 3〇之膜厚會減少，很容易發生後續之製造步驟所形成之 信號線1 2及掃描線1 1之層間短路、及圖素電極22及蓄 積電容線1 6之層間短路而導致良率惡化，其對策則可在 信號線1 2及掃描線1 1之交點附近、及蓄積電容線1 6上 保留圖上未標示之和半導體層形成區域同樣由耐熱金屬層 34、第2非晶矽層33、及第1非晶矽層3 1所構成之積層 ，來防止閘極絕緣層3 0之膜厚減少。亦即，可利用圖案 設計來確保良率，而如實施例3所述。 除去前述感光性樹脂圖案8 1 C後，和實施例1 3相同 ，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋膜 厚爲0.1〜0.2"m程度之例如IZO或ITO之透明導電層 91，並在依序覆蓋膜厚爲〇.3/zm程度之A1或Al(Nd)合 金薄膜層3 5之低電阻金屬層後’利用半色調曝光技術形 成信號線12上及電極端子5、6上之88A之膜厚爲例如3 /zm之大於兼用爲汲極之圖素電極22上之88B之膜厚 1.5 // m之感光性樹脂圖案88A、88B，利用感光性樹脂圖 案88A、88B餓刻除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透明 導電層91、耐熱金屬層34A、及第2非晶矽層33A，並以 使第1非晶矽層31 A殘留0.05〜0.1以m之程度進行蝕刻 ，如第29圖（e)及第30圖（〇所示，選擇性地形成和閘極 -120- 1287161 (117) 11A形成部份重疊之含有半導體層區域34A之由91A及 35A之積層所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及由 91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣閘 極型電晶體之汲極21，亦同時形成由含有因爲源極•汲 極配線12、21之形成而露出之掃描線之一部份73之掃描 線之電極端子5、及由信號線之一部份所構成之電極端子 6 〇 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案88A、88B減少1.5 // m以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案88B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上之低電阻金屬層35B露出且信號線12上及 電極端子5、6上保留膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C ，將膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C當做遮罩，除去低 電阻金屬層35B，如第29圖（f)及第30圖（f)所示，使透 明導電性圖素電極22露出。實施例1 3亦如前面所述，在 除去低電阻金屬層3 5B時，應充份注意當做通道而露出之 第1非晶矽層3 1 A之膜厚減少及損傷。 除去膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C後，利用 PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3//m程度之膜厚 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，如第 29圖（g)及第30圖（g)所示，在圖素電極22上及電極端子 5、6上分別形成開口部38、63、64，選擇性地除去各開 口部內之鈍化絕緣層而使圖素電極22及電極端子5、6之 大部份露出。 121 - 1287161 (118) 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 5。蓄積電容1 5 之構成如第29圖（g)所示，係以圖素電極22及蓄積電容 線1 6隔著閘極絕緣層3 0形成平面重疊之區域5 1 (右下斜 線部）構成蓄積電容1 5時爲例，如前面說明所述，除了閘 極絕緣層30以外，亦很容易追加耐熱金屬層34、第2非 晶矽層33、及第1非晶矽層3 1之積層。 [實施例16] 和實施例1 3及實施例1 4之關係相同，實施例1 6針 對實施例1 5追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機 絕緣層之鈍化技術。實施例16如第31圖（d)及第32圖（d) 所示，至在閘極11A上之由耐熱金屬層34A、第2非晶矽 層33A、及第1非晶矽層31A之積層所構成之半導體層區 域及影像顯示外之區域之掃描線11上及蓄積電容線16上 形成接觸63A、65A爲止，係和實施例15相同之製造步 驟。然而，第1非晶矽層31之膜厚可以爲較薄之0.1/zm 。又，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極氧化之金屬而無 法採用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti、最好選擇Ta 或高熔點金屬之矽化物。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜0.2从m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲〇.3/zm程度之A1 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後 -122· 1287161 (119) ，利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上 及電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3#m之大於信 號線12上之87B之膜厚1.5 β m之感光性樹脂圖案87A、 8 7B，並利用感光性樹脂圖案87A、87B除去A1或 Al(Nd)合金薄膜層35及透明導電層91及耐熱金屬層34A ，如第31圖（e)及第32圖（e)所示，選擇性地形成和閘極 11A形成部份重疊之含有部份半導體層區域34A之由91 A 及35A之積層所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及 由91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣 閘極型電晶體之汲極21。無需實施含有雜質之第2非晶 矽層33A、及不含雜質之第1非晶矽層31 A之蝕刻。形成 源極•汲極配線12、21之同時，亦形成含有露出之掃描 線之一部份73之掃描線之電極端子5、及由部份信號線 所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5 // m以 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第3 1 圖（f)及第32圖（f)所示，對信號線12實施陽極氧化而在 其表面形成氧化層69(12)，並對和源極•汲極配線 12、 2 1間露出之第2非晶矽層3 3 A相鄰接之部份第1非晶矽 層31A實施陽極氧化，形成絕緣層之含有雜質之氧化矽 -123- 1287161 (120) 層66、及不含雜質之氧化矽層（圖上未標示）。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案8 7 C，如第3 1 圖（g)及第32圖（g)所示，使由其側面形成陽極氧化層 6 9(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35 A〜35C，如第31圖（h)及第32圖（h)所示 ，使透明導電層91A〜91C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 6。蓄積電容 1 5之構成和實施例1 5相同。 如此，實施例1 5及實施例1 6係利用半色調曝光技術 以同一光遮罩處理半導體層之形成步驟及接觸之形成步驟 ，達到製造步驟之刪減，分別以4道及3道光罩得到液晶 顯示裝置，然而，將半色調曝光技術應用於其他主要步驟 亦可實現不同內容之4道光罩處理及3道光罩處理，以下 針對其進行說明。 [實施例17] 實施例17係先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板 2之一主面上，覆蓋膜厚爲0.1〜0.3/zm程度之例如Cr、 Ta、Mo等、或其合金或矽化物之第1金屬層。形成於掃 描線之側面之絕緣層選擇陽極氧化層時，其陽極氧化層必 -124- 1287161 (121) 須具有絕緣性，此時，若考慮Ta單體之高電阻、及A1單 體之低耐熱性，如前面說明所述，爲了獲得掃描線之低電 阻化，掃描線之構成應選擇高耐熱性之 Al(Zr、Ta、Nd) 合金等之單層構成、或 Al/Ta、Ta/Al/Ta、及 Al/Al(Ta、 Zr、Nd)合金等之積層構成。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別依 序覆蓋例如〇·3μιη，0·2μιη，〇_〇5/zm程度之膜厚之當做閘 極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣 閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、以及含有例如 磷之雜質之當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非 晶矽層33之3種薄膜層，並在利用SPT等真空製膜裝置 覆蓋膜厚爲程度之例如Ti、Cr、Mo等薄膜層34 之耐熱金屬層後，如第33圖（a)及第34圖（a)所示’利用 半色調曝光技術形成對應開口部63 A、65A之接觸形成區 域82B之膜厚爲例如1 β m之小於對應掃描線1 1及蓄積 電容線16之區域82 A之膜厚2//m之感光性樹脂圖案 82A、82B，感光性樹脂圖案82A、82B當做遮罩，選擇性 地除去耐熱金屬層34、第2非晶矽層33、第1非晶矽層 31、閘極絕緣層30、及第1金屬層而使玻璃基板2露出 〇 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 82A、82B減少1 V m以上之膜厚，如第33圖（b)及第34 圖（b)所示，感光性樹脂圖案82B會消失而使開口部63A 、65A內露出耐熱金屬層3 4A、34B且直接保留掃描線11 -125- 1287161 (122) 上及蓄積電容線16上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案 8 2 C。感光性樹脂圖案8 2 C (黑區域），亦即，閘極1 1 A之 圖案寬度，因爲係在源極•汲極配線間之尺寸加算遮罩校 準精度，若源極·汲極配線間爲4〜12//m、校準精度爲土 3//m，故最小亦爲10〜12//m而係不太嚴格之尺寸精度 。又，掃描線11及蓄積電容線16之圖案寬度亦因爲電阻 値之關係而通常設定成l〇//m以上。然而，實施例17中 ，因爲無法以寬度大於閘極11A之方式形成半導體層， 從抗餽層圖案82A轉換成82C時，抗蝕層圖案會呈現等 向之l//m之膜厚減少，不但尺寸只縮小2#m，後續之 源極·汲極配線形成時之遮罩校準精度亦會縮小1 // m而 成爲±2/zm，後者對處理之影響會大於前者。因此，上述 氧電漿處理時，爲了抑制圖案尺寸之變化，應強化異向性 。具體而言，應爲RIE方式、進一步具有高密度電漿源之 ICP方式、及TCP方式之氧電漿處理。或者，預估抗蝕層 圖案之尺寸變化量而預先放大設計上之抗蝕層圖案82A 之圖案尺寸來採取處理上之對應處置。 接著，如第34圖（b)所示，在閘極1 1 A之側面形成絕 緣層76。因此，如第49圖所示，需要並聯著掃描線11( 蓄積電容線16亦相同，此處省略圖示）之配線77、及在 玻璃基板2之外周部實施電附著或陽極氧化時用以提供電 位之連結圖案78，此外，必須將利用電漿CVD之非晶矽 層31、33及氮化矽層30、及利用SPT等真空製膜裝置之 耐熱金屬層34之製膜區域79以適當遮罩手段限制於連結 -126- 1287161 (123) 圖案78之內側，且至少使連結圖案78露出。針對連結圖 案78以具有銳利刃尖之鳄口鉗等連結手段刺破連結圖案 78上之感光性樹脂圖案82C(78)，對掃描線1 1提供+(正） 電位，將玻璃基板2浸漬於以乙二醇爲主要成分之反應液 中實施陽極氧化，若掃描線1 1爲A1系合金，則例如反應 電壓200V會形成具有0.3 // m膜厚之氧化鋁（Al2〇3)。電 鍍時，亦如實施例5所述，利用含有偶羧基之聚醯亞胺電 鍍液以電鍍電壓數V形成具有0.3/zm膜厚之聚醯亞胺樹 脂層。 形成絕緣層76後，如第33圖（c)及第34圖（c)所示， 將感光性樹脂圖案82C當做遮罩，選擇性地對開口部63 A 、65A內之耐熱金屬層34A、34B、第2非晶矽層33A、 33B、第1非晶矽層3 1A、3 1B、及閘極絕緣層30A、30B 進行蝕刻，而分別使掃描線1 1之一部份73及蓄積電容線 16之一部份75露出。 除去前述感光性樹脂圖案82C後，如第33圖（d)及第 34圖（d)所示，以微細加工技術在閘極11A上選擇性地保 留由耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、及第1非晶矽 層31A之積層所構成之島狀半導體層區域，使掃描線11 上之閘極絕緣層30A及蓄積電容線16上之閘極絕緣層 3 0B露出。此時，若以感光性樹脂覆蓋開口部63 A、65 A 內露出之掃描線11之一部份73及蓄積電容線16之一部 份75，則很容易即可避免掃描線1 1之一部份73及蓄積 電容線1 6之一部份75在形成半導體層區域時出現膜厚減 -127- 1287161 (124) 少、或變質等問題。亦即，開口部63A、65A之周圍亦會 殘留部份耐熱金屬層34C、第2非晶矽層33C、及第1非 晶矽層3 1 C，但對掃描線1 1之接觸性不會產生任何影響 〇 其後，和實施例1 3相同，利用SPT等真空製膜裝置 在玻璃基板2之全面覆蓋膜厚爲0.1〜〇.2//m程度之例如 IZO或ITO之透明導電層91，並在依序覆蓋膜厚爲0.3 // m程度之A1或Al(Nd)合金薄膜層35之低電阻金屬層後 ，利用半色調曝光技術形成信號線1 2上及電極端子5、6 上之88A之膜厚爲例如3//m之大於兼用爲汲極之圖素電 極22上之88B之膜厚1.5//m之感光性樹脂圖案88A、 8 8B，利用感光性樹脂圖案88A、88B蝕刻除去 A1或 Al(Nd)合金薄膜層35、透明導電層91、耐熱金屬層34A 、及第2非晶矽層33A，並以使第1非晶矽層31A殘留 0.05〜0.1/zni之程度進行蝕刻，如第33圖（〇及第34圖 (Ο所示，選擇性地形成和半導體層區域3 4 A形成部份重 疊之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極配線之信 號線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素電 極2 2之絕緣閘極型電晶體之汲極21，在形成源極•汲極 配線12、21之同時，亦會形成開口部63A、65A周圍之 耐熱金屬層34C、第2非晶矽層33C、第1非晶矽層31C 、含有露出之掃描線之一部份73之掃描線之電極端子5 、及由部份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 -128- 1287161 (125) 手段使上述感光性樹脂圖案88A、88B減少1.5/zm以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案8 8B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上之低電阻金屬層35B露出且信號線12上及 電極端子5、6上保留膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C ，將膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C當做遮罩，除去低 電阻金屬層35B，如第33圖（f)及第34圖（f)所示，使透 明導電性圖素電極22露出。如實施例1 3中所述，應充份 注意當做通道而露出之第1非晶矽層3 1 A之膜厚減少及 損傷。 除去膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C後，利用 PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3 // m程度之膜厚 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，如第 33圖（g)及第34圖（g)所示，圖素電極22上及電極端子5 、6上會分別形成開口部38、63、64，選擇性地除去各開 口部內之鈍化絕緣層而使圖素電極22及電極端子5、6之 大部份露出。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 7。蓄積電容1 5 之構成如第33圖（g)所示，係以圖素電極22及蓄積電容 線16隔著閘極絕緣層30B形成平面重疊之區域51(右下 斜線部）構成蓄積電容1 5時爲例。省略靜電對策之記載， 然而，因爲具有接觸形成步驟，故可以採用各種構成之靜 電對策。 -129- 1287161 (126) [實施例18] 和實施例1 3及實施例1 4之關係相同，實施例1 8針 對實施例1 7追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機 絕緣層之鈍化技術。實施例18如第35圖（d)及第36圖（d) 所示，至在閘極11A上之由耐熱金屬層34A、第2非晶矽 層33A、及第1非晶矽層31A之積層所構成之半導體層區 域及影像顯示外之區域之掃描線11上及蓄積電容線16上 形成接觸63 A、65A爲止，係和實施例17相同之製造步 驟。然而，第1非晶矽層31之膜厚亦可爲較薄之O.lem 。又，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極氧化之金屬而無 法採用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti、最好選擇Ta 或高熔點金屬之矽化物。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜0.2// m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲0.3 β m程度之A1 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後 ，利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上 及電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3 // m之大於信 號線21上之87B之膜厚1.5 // m之感光性樹脂圖案87A、 87B，並利用感光性樹脂圖案87A、87B選擇性地除去A1 或Al(Nd)合金薄膜層35及透明導電層91，如第35圖（e) 及第36圖（e)所示，選擇性地形成和半導體層區域34A形 成部份重疊之由91A及3 5A之積層所構成之兼用爲源極 配線之信號線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用 130- 1287161 (127) 爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極21。無需實施 含有雜質之第2非晶矽層33 A及不含雜質之第1非晶矽 層3 1A之蝕刻。在形成源極•汲極配線12、21之同時， 亦會形成由開口部63 A、65 A周圍之耐熱金屬層3 4C、第 2非晶矽層3 3 C、第1非晶矽層3 1 C、含有露出之掃描線 之一部份73之掃描線之電極端子5、及由部份信號線所 構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5 // m以 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第35 圖（0及第36圖（f)所示，對信號線12實施陽極氧化而在 其表面形成氧化層69(12)，並對和源極•汲極配線12、 21間露出之第2非晶矽層33A相鄰接之部份第1非晶矽 層31A實施陽極氧化，形成絕緣層之含有雜質之氧化矽 層66及不含雜質之氧化矽層（圖上未標示）。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第35 圖（g)及第36圖（g)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(35B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35A〜35C’如第35圖（h)及第36圖（h)所示 -131 - 1287161 (128) ，使透明導電層91A〜91C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例1 8。蓄積電容 1 5之構成和實施例1 7相同。 如此，實施例1 7及實施例1 8係利用半色調曝光技術 以同一光罩處理掃描線之形成步驟及接觸之形成步驟，達 到製造步驟之刪減，分別以4道及3道光罩得到液晶顯示 裝置，然而，本發明者發現更合理化之組合之存在，而可 利用其實現不同內容之4道光罩處理及3道光罩處理，以 下針對其進行說明。 [實施例19] 實施例19係先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板 2之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜0.3em程度之例如Cr、Ta 、Mo等、或其合金或矽化物之第1金屬層。形成於掃描 線之側面之絕緣層選擇陽極氧化層時，其陽極氧化層必須 具有絕緣性，此時，若考慮Ta單體之高電阻、及A1單體 之低耐熱性，如前面說明所述，爲了獲得掃描線之低電阻 化，掃描線之構成應選擇高耐熱性之Al(Zr、Ta、Nd)合 金等之單層構成、或Al/Ta、Ta/Al/Ta、及Al/

Al(Ta、Zr、Nd)合金等之積層構成。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別依 序覆蓋例如〇.3μιη，〇.2μπι，0.05 /z m程度之膜厚之當做閘 -132- 1287161 (129) 極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣 閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、以及含有例如 磷之雜質之當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非 晶矽層33之3種薄膜層，並在利用SPT等真空製膜裝置 覆蓋膜厚爲程度之例如Ti、Cr、Mo等薄膜層34 之耐熱金屬層後，如第37圖（a)及第38圖（a)所示，利用 半色調曝光技術形成半導體層形成區域，亦即，閘極1 1 A 上之區域84A之膜厚爲例如2// m之大於對應掃描線1 1 及蓄積電容線16之區域84B上之膜厚Ι/zm之感光性樹 脂圖案84A、84B，將感光性樹脂圖案84A、84B當做遮 罩，選擇性地除去耐熱金屬層34、第2非晶矽層33、第 1非晶矽層3 1、閘極絕緣層3 0、及第1金屬層，使玻璃 基板2露出。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 84A、84B減少1 // m以上之膜厚，如第37圖（b)及第38 圖（b)所示，感光性樹脂圖案84B會消失而使耐熱金屬層 34A、34B露出且只有半導體層形成區域上會殘留膜厚已 減少之感光性樹脂圖案84C。感光性樹脂圖案84C(黑區域 )，亦即閘極UA(半導體層）之圖案寬度，係在源極•汲極 配線間之尺寸加算遮罩校準精度，若源極·汲極配線間爲 4〜6//m、校準精度爲±3/zm，則最小亦爲10〜12em， 故爲不太嚴格之尺寸精度。然而，從抗蝕層圖案84A轉 換成84C時，抗蝕層圖案會呈現等向之l//m之膜厚減少 ，不但尺寸只縮小2 // m，後續之源極•汲極配線形成時 -133- 1287161 (130) 之遮罩校準精度亦會縮小lem而成爲±2 em，後者對處 理之影響會大於前者。因此，上述氧電漿處理時，爲了抑 制圖案尺寸之變化，應強化異向性。具體而言，應爲RIE 方式、進一步具有高密度電漿源之ICP方式、及TCP方 式之氧電漿處理。或者，預估抗蝕層圖案之尺寸變化量而 預先放大設計上之抗蝕層圖案84A之圖案尺寸、或以放 大抗蝕層圖案84 A之圖案尺寸之曝光•顯像條件來採取 處理上之對應處置。 接著，如第37圖（c)及第38圖（〇所示，將膜厚已減 少之感光性樹脂圖案84C當做遮罩，選擇性地對耐熱金屬 層34A、34B、第2非晶矽層33A、33B、及第1非晶矽層 31A、31B實施蝕刻，在閘極11A上形成由耐熱金屬層 34A、第2非晶矽層33A、及第1非晶矽層31A之積層所 構成之半導體層區域，而分別露出掃描線11上及蓄積電 容線16上之閘極絕緣層30A、30B。 除去前述感光性樹脂圖案84C後，在閘極1 1 A之側 面形成圖上未標示之絕緣層7 6。因此，如第5 2圖所示， 需要並聯著掃描線1 1(蓄積電容線16亦相同，此處省略 圖示）之配線77、及在玻璃基板2之外周部實施電鍍或陽 極氧化時用以提供電位之連結圖案78，此外，必須將利 用電漿CVD之非晶矽層31、33及氮化矽層30之製膜區 域79以適當遮罩手段限制於連結圖案78之內側’且至少 使連結圖案78露出。針對連結圖案78以具有銳利刃尖之 鳄口鉗等連結手段對掃描線1 1提供+(正）電位，將玻璃基 -134- 1287161 (131) 化 形 面 形 係 脂 故 之 工 16 去 使 出 置 如 後 6 電 或 層 板2浸漬於以乙二醇爲主要成分之反應液中實施陽極氧 ，若掃描線11爲A1系合金，則例如反應電壓200V會 成具有0.3 // m膜厚之氧化鋁（Al2〇3)。電鍍時，利用前 所述之含有偶羧基之聚醯亞胺電鍍液以電鍍電壓數V 成具有〇·3βπι膜厚之聚醯亞胺樹脂層。又，實施例19 利用形成絕緣層76而以絕緣層之氧化鋁或聚醯亞胺樹 來塡埋形成於掃描線11上之閘極絕緣層30Α之針孔， 具有可抑制掃描線1 1及後述源極•汲極配線1 2、2 1間 層間短路之副效果。 此外，如第37圖（d)及第38圖（d)所示，以微細加 技術在影像顯示部外之區域之掃描線11及蓄積電容線 之接觸形成區域形成開口部63 A、65A，並選擇性地除 開口部63A、65A內之閘極絕緣層30A、30B，而分別 掃描線1 1之一部份73及蓄積電容線16之一部份75露 〇 其後，和實施例13相同，利用SPT等真空製膜裝 在玻璃基板2之全面覆蓋膜厚爲〇.1〜〇.2/zm程度之例 IZO或ITO之透明導電層91，並在依序覆蓋膜厚爲0.3 // m程度之A1或Al(Nd)合金薄膜層35之低電阻金屬層 ，利用半色調曝光技術形成信號線1 2上及電極端子5、 上之88 A之膜厚爲例如3//m之大於兼用爲汲極之圖素 極22上之88B之膜厚1.5/zm之感光性樹脂圖案8 8A 88B，利用感光性樹脂圖案 88A、88B蝕刻除去 A1 Al(Nd)合金薄膜層35、透明導電層91、及第2非晶矽 1287161 (132) 33A，並以使第1非晶矽層31A殘留0.05〜0·1 // m之程 度進行蝕刻，如第37圖（e)及第38圖（e)所示，選擇性地 形成和半導體層區域34A形成部份重疊之由91A及35A 之積層所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及由91B 及3 5B之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣閘極型 電晶體之汲極21，在形成源極•汲極配線12、21之同時 ，亦會形成含有開口部63A內露出之掃描線之一部份73 之掃描線之電極端子5及由部份信號線所構成之電極端子 6 〇 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案88A、88B減少1.5 /z m以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案88B會消失而使兼用爲汲極 21之圖素電極22上之低電阻金屬層35B露出且信號線12 上及電極端子5、6上保留膜厚已減少之感光性樹脂圖案 8 8C，將膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C當做遮罩，除 去低電阻金屬層35B，如第37圖（f)及第38圖（f)所示， 使透明導電性圖素電極22露出。如實施例1 3之說明所示 ，應充份注意當做通道而露出之第1非晶矽層3 1 A之膜 厚減少及損傷。 除去膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C後，利用 PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0·3//γπ程度之膜厚 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，如第 37圖（g)及第38圖（g)所示，圖素電極22上及電極端子5 、6上會分別形成開口部38、63、64，選擇性地除去各開 -136- 1287161 (133) 口部內之鈍化絕緣層而使圖素電極22及電極端子5、6之 大部份露出。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例19。蓄積電容15 之構成如第37圖（g)所示，係以圖素電極22及蓄積電容 線16隔著閘極絕緣層30B形成平面重疊之區域51(右下 斜線部）構成蓄積電容1 5時爲例。 [實施例20] 和實施例1及實施例2之關係相同，實施例20係針 對實施例1 9追加最小限度之步驟數而具有用以取代有機 絕緣層之鈍化技術。實施例20如第39圖（d)及第40圖 (d)所示，至以微細加工技術在影像顯示部外之區域之掃 描線11上及蓄積電容線16上之閘極絕緣層30A、30B分 別形成接觸（開口部）63A、65A，而使掃描線11之一部份 73及蓄積電容線16之一部份75露出爲止，係和實施例 1 9相同之製造步驟。然而，第1非晶矽層3 1之膜厚可以 爲較薄之0.1/zm。又，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極 氧化之金屬而無法採用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti 、最好選擇Ta或高熔點金屬之矽化物。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲〇·1〜〇.2/zm程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲〇.3//m程度之A1 或Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後 1287161 (134) ，利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上 及電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3//m之大於信 號線12上之87B之膜厚1.5 // m之感光性樹脂圖案87A、 87B，並利用感光性樹脂圖案87A、87B除去A1或 Al(Nd)合金薄膜層35及透明導電層91，如第39圖（e)及 第40圖（e)所示，選擇性地形成和半導體層區域34A形成 部份重疊之由91A及3 5A之積層所構成之兼用爲源極配 線之信號線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用爲 圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1。無需實施含 有雜質之第2非晶矽層33A及不含雜質之第1非晶矽層 31A之蝕刻。在形成源極•汲極配線12、21之同時，亦 會形成含有露出之接觸（開口部）63A之掃描線之電極端子 5、及由部份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5 /z m以 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第39 圖（f)及第40圖（f)所示，對信號線12實施陽極氧化而在 其表面形成氧化層69(12)，並對和源極•汲極配線12、 21間露出之第2非晶矽層33A相鄰接之部份第1非晶矽 層3 1 A實施陽極氧化，形成絕緣層之含有雜質之氧化矽 層66及不含雜質之氧化矽層（圖上未標示）。 -138- 1287161 (135) 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案8 7C，如第3 9 圖（g)及第40圖（g)所示，使由其側面形成陽極氧化層 6 9(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35A〜35C，如第39圖（h)及第40圖（h)所示 ，使透明導電層91A〜91C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化，完成本發明實施例20。蓄積電容 1 5之構成和實施例1 9相同。 如此，實施例1 9及實施例20係利用半色調曝光技術 處理掃描線之形成步驟、半導體之形成步驟、源極•汲極 配線之形成步驟、及圖素電極之形成步驟，而可分別以4 道及3道光罩得到液晶顯示裝置，又，因爲從非傳統之觀 點來更換光蝕刻步驟之順序可進一步刪減製造步驟數，利 用實施例2 1及實施例22針對其進行說明。 [實施例21] 實施例21亦和實施例13相同，首先，利用SPT等 真空製膜裝置在玻璃基板2之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜 0.3 // m程度之例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或矽化物之 第1金屬層92。形成於掃描線之側面之絕緣層選擇陽極 氧化層時，其陽極氧化層必須具有絕緣性，此時，若考慮 -139- 1287161 (136)

Ta單體之高電阻、及A1單體之低耐熱性，如前面之說明 所述，爲了獲得掃描線之低電阻化，掃描線之構成應選擇 高耐熱性之Al(Zr、Ta、Nd)合金等之單層構成、或Al/Ta 、Ta/Al/Ta、及Al/Al(Ta、Zr、Nd)合金等之積層構成。 其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別依 序覆蓋例如〇.3μπι，〇.2μηι，0.05/z m程度之膜厚之當做閘 極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣 閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、以及含有例如 磷之雜質之當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非 晶矽層33之3種薄膜層，此外，利用SPT等真空製膜裝 置覆蓋膜厚爲0.1 # m程度之例如Ti、Cr、Mo等薄膜層 34之耐熱金屬層後，如第41圖（a)及第42圖（a)所示，以 微細加工技術選擇性地形成由耐熱金屬層3 4 A、第2非晶 矽層33A、及第1非晶矽層31A之積層所構成之半導體層 區域，而使閘極絕緣層3 0露出。 接著，如第41圖（b)及第42圖（b)所示，利用半色調 曝光技術形成接觸形成區域82B之開口部63A、65A之膜 厚爲例如1 // m之小於對應掃描線1 1及蓄積電容線1 6之 區域82A上之膜厚2 # m之感光性樹脂圖案82A、82B， 將感光性樹脂圖案82A、82B當做遮罩，選擇性地除去閘 極絕緣層30及第1金屬層92，使玻璃基板2露出。雖然 將感光性樹脂圖案82A之圖案寬度設定成稍大於由耐熱 金屬層34A、第2非晶矽層33A、及第1非晶矽層3 1A之 積層所構成之半導體層區域之圖案寬度係合理的事，然而 -140- 1287161 (137) ，會有絕緣閘極型電晶體之尺寸變大之問題。相反的，若 以圖案寬度稍小於由上述積層所構成之半導體層區域之方 式來設定感光性樹脂圖案（8 1)82 A之圖案寬度，則在實施 閘極絕緣層3 0及第1金屬層92之蝕刻時，由上述積層所 構成之半導體層會成爲遮罩而使半導體層亦受到蝕刻，而 使其剖面形狀被加工成錐狀，結果，不論那一種情形，由 上述積層所構成之半導體層之圖案寬度皆會小於閘極絕緣 層30A及閘極1 1 A。 接著，利用氧電漿等灰化手段使上述感光性樹脂圖案 82A、82B減少lvm以上之膜厚，如第41圖（c)及第42 圖（c)所示，感光性樹脂圖案82B會消失而使開口部63A 、65A內之閘極絕緣層30A、30B露出且直接保留掃描線 1 1上及蓄積電容線1 6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案 82C。上述氧電漿處理時，爲了抑制圖案尺寸之變化，應 強化異向性。或者，預估抗蝕層圖案之尺寸變化量而預先 放大設計上之抗蝕層圖案82 A之圖案尺寸來採取處理上 之對應處置，正如前面說明所述。 其後，如第42圖（c)所示，在閘極11A之側面形成絕 緣層76。因此，如第49圖所示，需要並聯著掃描線1 1( 蓄積電容線16亦相同，此處省略圖示）之配線77、及在 玻璃基板2之外周部實施電附著或陽極氧化時用以提供電 位之連結圖案7 8，此外，必須將利用電漿CVD之非晶矽 層31、33及氮化矽層30、32、及利用SPT之耐熱金屬層 34之製膜區域79以適當遮罩手段限制於連結圖案78之 -141 - 1287161 (138) 內側，且至少使連結圖案78露出。針對連結圖案78以具 有銳利刃尖之鰐口鉗等連結手段刺破連結圖案78上之感 光性樹脂圖案82C(78)，對掃描線11提供+(正）電位，將 玻璃基板2浸漬於以乙二醇爲主要成分之反應液中實施陽 極氧化，若掃描線1 1爲 A1系合金，則例如反應電壓 200V會形成具有0.3//m膜厚之氧化鋁（Al2〇3)。電鍍時， 利用含有偶羧基之聚醯亞胺電鍍液以電鍍電壓數V形成 具有0.3/zm膜厚之聚醯亞胺樹脂層。 形成絕緣層76後，如第41圖（d)及第42圖（d)所示， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案82C當做遮罩，選擇性地 對開口部63A、65A內之閘極絕緣層30A、30B進行蝕刻 ，而分別使掃描線1 1之一部份73及蓄積電容線1 6之一 部份75露出。 其後，和實施例1 3相同，除去前述感光性樹脂圖案 82C，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面覆蓋 膜厚爲0.1〜0·2μιη程度之例如IZO或ITO之透明導電層 91，並在依序覆蓋膜厚爲〇.3//m程度之Α1或Al(Nd)合 金薄膜層35之低電阻金屬層後，利用半色調曝光技術形 成信號線12上及電極端子5、6上之88A之膜厚爲例如3 /zm之大於兼用爲汲極之圖素電極22上之88B之膜厚 1.5 // m之感光性樹脂圖案88A、88B，利用感光性樹脂圖 案88A、88B蝕刻除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35、透明 導電層91、及第2非晶矽層3 3 A，並以使第1非晶矽層 31A殘留〇·〇5〜O.lAm之程度進行蝕刻，如第41圖（〇及 -142- 1287161 (139) 第42圖（e)所示，選擇性地形成和半導體區域34A形成部 份重疊之由91 A及35A之積層所構成之兼用爲源極配線 之信號線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用爲圖 素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極2 1，在形成源極· 汲極配線12、21之同時，亦會形成含有開口部63A內露 出之掃描線之一部份73之掃描線之電極端子5及由部份 號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段使上述感光性樹脂圖案88Α、88Β減少1.5/zm以上 之膜厚，則感光性樹脂圖案8 8B會消失而使兼用爲汲極之 圖素電極22上之低電阻金屬層35B露出且信號線12上及 電極端子5、6上保留膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C ，將膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C當做遮罩，除去低 電阻金屬層35B，如第41圖（f)及第42圖（f)所示，得到 透明導電性之圖素電極22。如實施例1 3所述，應充份注 意當做通道而露出之第1非晶矽層3 1 A之膜厚減少及損 除去膜厚已減少之感光性樹脂圖案 8 8 C後，利用 PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3 // m程度之膜厚 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，如第 41圖（g)及第42圖（g)所示，圖素電極22上及電極端子5 、6上會分別形成開口部38、63、64，選擇性地除去各開 口部內之鈍化絕緣層，而使圖素電極22及電極端子5、6 之大部份露出。 -143- 1287161 (140) 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例2 1。蓄積電容1 5 之構成如第41圖（g)所示，係以圖素電極22及蓄積電容 線16隔著閘極絕緣層30B形成平面重疊之區域51(右下 斜線部）構成蓄積電容1 5時爲例。 [實施例22] 和實施例1 3及實施例1 4之關係相同，實施例22係 針對實施例21追加最小限度之步驟數而具有用以取代有 機絕緣層之鈍化技術。實施例20如第43圖（d)及第44圖 (d)所示，至影像顯示外之區域之掃描線11上及蓄積電容 線16上形成接觸63A、65A爲止，係和實施例21相同之 製造步驟。然而，第1非晶矽層31之膜厚可以爲較薄之 0.1/zm。又，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極氧化之金 屬而無法採用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti、最好選 擇Ta或高熔點金屬之矽化物。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面覆蓋膜厚爲〇·1〜〇·2// m程度之例如IZO或ITO之透明 導電層91，此外，依序覆蓋膜厚爲程度之A1或 A l(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後， 利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上及 電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3/zm之大於信號 線12上之87B之膜厚1.5#m之感光性樹脂圖案87A、 87B，並利用感光性樹脂圖案87A、87B除去A1或Al(Nd) -144- 1287161 (141) 合金薄膜層35及透明導電層91，如第43圖（e)及第44 (e)所示，選擇性地形成和半導體區域34A形成部份重 之由91A及35A之積層所構成之兼用爲源極配線之信 線12、及由91B及35B之積層所構成之兼用爲圖素電 22之絕緣閘極型電晶體之汲極21。無需實施含有雜質 第2非晶矽層33A及不含雜質之第1非晶矽層31A之 刻。在形成源極•汲極配線1 2、2 1之同時，亦會形成 有露出之接觸（開口部）63 A之掃描線之電極端子5、及 部份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5em 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第 圖（f)及第44圖（f)所示，對信號線12實施陽極氧化而 其表面形成氧化層6 9 (1 2 )，並對和源極•汲極配線1 2 2 1間露出之第2非晶矽層33 A相鄰接之部份第1非晶 層31A實施陽極氧化，形成絕緣層之含有雜質之氧化 層66及不含雜質之氧化矽層（圖上未標示）。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案8 7C，如第 圖（g)及第44圖（g)所示，使由其側面形成陽極氧化 69(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 圖 疊 號 極 之 鈾 含 由 化 以 線 端 ， 4 3 在 矽 矽 4 3 層 低 -145- 1287161 (142) 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩’除去 低電阻金屬層35A〜35C，如第43圖（h)及第44圖（h)所示 ，使透明導電層9 1 A〜9 1 C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化’完成本發明實施例22。蓄積電容 1 9之構成係和實施例2 1相同。 爲了避免因掃描線1 1及相對電極1 4間流過直流電流 而導致液晶劣化，而附與露出適當絕緣層之掃描線’則在 形成半導體層區域時亦會除去閜極絕緣而使掃描線露出， 亦可刪減接觸形成步驟。實施例23之絕緣層係採用傳統 之鈍化絕緣層，又，實施例24之掃描線係採用可陽極氧 化之金屬層，利用對掃描線實施陽極氧化，可利用當做絕 緣層之陽極氧化層得到掃描線實現絕緣化之液晶顯示裝置 [實施例23] 實施例23係先利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板 2之一主面上覆蓋膜厚爲0.1〜0.3//m程度之第1金屬層 92。其次，利用PCVD裝置在玻璃基板2之全面，分別依 序覆蓋例如0 · 3 μηι，0 · 2 μηι，0 · 0 5 # m程度之膜厚之當做閘 極絕緣層之第1 SiNx層30、幾乎未含有雜質之當做絕緣 閘極型電晶體之通道之第1非晶矽層3 1、以及含有雜質 之當做絕緣閘極型電晶體之源極•汲極之第2非晶矽層 -146- 1287161 (143) 33之3種薄膜層，此外，利用SPT等真空製膜裝置覆蓋 膜厚爲0.1/zm程度之例如Ti、Cr、Mo等之薄膜層34之 耐熱金屬層後，如第45圖（a)及第46圖（a)所示，利用半 色調曝光技術形成半導體層形成區域亦即閘極1 1 A上之 區域84A1、掃描線11及信號線12之交叉附近區域上之 區域84 A2、蓄積電容線16及信號線12之交叉附近區域 上之區域84A3、以及蓄積電容形成區域亦即蓄積電容線 16之一部份上之區域84 A4之膜厚爲例如2 // m之大於對 應兼用爲閘極1 1 A之掃描線及蓄積電容線1 6之感光性樹 脂圖案84B之膜厚1 // m之感光性樹脂圖案84A1〜84A4 及84B，將感光性樹脂圖案84A1〜84A4及84B當做遮罩 ，選擇性地除去耐熱金屬層34、第2非晶矽層33、第1 非晶矽層31、閘極絕緣層層30、以及第1金屬層92，使 玻璃基板2露出。 如此，得到對應兼用爲閘極1 1 A之掃描線1 1及蓄積 電容線16之多層膜圖案後，接著，利用氧電漿等灰化手 段使上述感光性樹脂圖案84A1〜84A4及84B減少1 e m 以上之膜厚，感光性樹脂圖案84B會消失而如第45圖（b) 及第46圖（b)所示，可使耐熱金屬層34A、34B露出，且 只有閘極11A上、掃描線11及信號線12之交叉附近區 域上、蓄積電容線1 6及信號線1 2之交叉附近區域上、以 及部份蓄積電容線1 6上會殘留膜厚已減少之感光性樹脂 圖案84C1〜84 C4。上述氧電漿處理爲了避免後續之源極 •汲極配線形成步驟之遮罩校準精度降低，應強化異向性 -147- 1287161 (144) 來抑制圖案尺寸之變化，正如前面說明所述。 其後，如第46圖（b)所示，在閘極11A之側面形成絕 緣層76。因此，如第53圖所示，需要並聯著掃描線11( 蓄積電容線16亦相同，此處省略圖示）之配線77、及在 玻璃基板2之外周部實施電鍍或陽極氧化時用以提供電位 之連結圖案78，此外，必須將利用電漿CVD之非晶矽層 31、33及氮化矽層30、32、及利用SPT之耐熱金屬層34 之製膜區域79以適當遮罩手段限制於連結圖案78之內側 ，且至少使連結圖案78露出。針對連結圖案78以具有銳 利刃尖之鳄口鉗等連結手段刺破連結圖案78上之感光性 樹脂圖案84C 5 (78)而對掃描線1 1提供+(正）電位，並將玻 璃基板2浸漬於以乙二醇爲主要成分之反應夜中實施陽極 氧化，若掃描線11爲A1系合金，則例如反應電壓200V 會形成具有0.3 β m膜厚之氧化鋁（Al2〇3)。電鑛時，利用 含有偶羧基之聚醯亞胺電鍍液以電鍍電壓數V形成具有 0.3 // m膜厚之聚醯亞胺樹脂層。 接著，如第45圖（c)及第46圖（〇所示，將感光性樹 脂圖案84C1〜84C4當做遮罩，在閘極11A上、及掃描線 1 1及信號線1 2之交叉附近區域上選擇性地殘留耐熱金屬 層34A、第2非晶矽33A、第1非晶矽31A、及閘極絕緣 層30A之積層，在蓄積電容線16及信號線12之交叉附 近區域上、及部份蓄積電容線1 6上選擇性地殘留耐熱金 屬層34B、第2非晶矽33B、第1非晶矽31B、及閘極絕 緣層3 0B之積層，對掃描線11上之耐熱金屬層3 4A、第 -148- 1287161 (145) 2非晶砂層33A、第1非晶砂層31A、及閘極絕緣層30A 實施蝕刻，使掃描線1 1露出，同時’對蓄積電容線1 6上 之耐熱金屬層34B、第2非晶矽層33B、第1非晶矽層 3 1B、及閘極絕緣層30B實施蝕刻，使蓄積電容線16露 出。 除去前述感光性樹脂圖案84〇〜84C4後’和實施例 17相同，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全面 覆蓋膜厚爲0.1〜0.2/z m程度之例如IZO或ITO之透明導 電層91，並在依序覆蓋膜厚爲 〇·3 /zm程度之 A1或 Al(Nd)合金薄膜層35之低電阻金屬層後，利用半色調曝 光技術形成信號線12上及電極端子5、6上之8 8A之膜 厚爲例如3/zm之大於兼用爲汲極之圖素電極22上之88B 之膜厚1.5 // m之感光性樹脂圖案88A、88B，利用感光性 樹脂圖案88A、88B蝕刻除去A1或Al(Nd)合金薄膜層35 、透明導電層91、及第2非晶矽層33A，並以使第1非 晶矽層31A殘留0.05〜0.1/zm之程度進行蝕刻，如第45 圖（d)及第46圖（d)所示，選擇性地形成和閘極11A上之 半導體層區域34A形成部份重疊之由91A及35A之積層 所構成之兼用爲源極配線之信號線12、及由91B及35B 之積層所構成之兼用爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體 之汲極21，在形成源極•汲極配線12、21之同時，亦會 形成含有露出之部份掃描線之掃描線之電極端子5及由部 份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 -149- 1287161 (146) 手段使上述感光性樹脂圖案88A、88B減少1.5 之膜厚，感光性樹脂圖案88B會消失而使兼用爲 素電極22上之低電阻金屬層35B露出且信號線 極端子5、6上保留膜厚已減少之感光性樹脂圖 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C當做遮罩， 阻金屬層35B，如第45圖（e)及第46圖（e)所示 導電性圖素電極22露出。如實施例1 3之說明所 份注意當做通道而露出之第1非晶矽層31A之 及損傷。又，必須選擇除去低電阻金屬層35B時 描線11不會消失之掃描線材質，低電阻金屬層 用A1合金，掃描線11以Ta、Cr、Mo等耐熱金 ，低電阻金屬層35B若採用Cr、Mo等耐熱金屬 線1 1以A1合金爲最佳。亦即，掃描線1 1及低 層35B不可採用相同種類。 除去膜厚已減少之感光性樹脂圖案88C \ PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3 # m程 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層 45圖（f)及第46圖（f)所示，在圖素電極22上及 5、6上分別形成開口部3 8、63、64，選擇性地 口部內之鈍化絕緣層而使圖素電極22及電極端子 大部份露出。 掃描線1 1及低電阻金屬層35B若採用相同 需要半色調曝光，在形成源極•汲極配線1 2、2 用PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3μιη /z m 以上 汲極之圖 12上及電 案 88C， 除去低電 ，使透明 示，應充 膜厚減少 露出之掃 35B若採 屬爲最佳 ，則掃描 電阻金屬 後，利用 度之膜厚 3 7，如第 電極端子 除去各開 :5、6 之 種類，不 1後，利 程度之膜 -150- 1287161 (147) 厚之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，如 第45圖（g)及第46圖（g)所示，圖素電極22上及電極端子 5、6上會分別形成開口部38、63、64，選擇性地除去各 開口部內之鈍化絕緣層及低電阻金屬層35B、35 C、35 A ，得到透明導電性圖素電極22及透明導電性電極端子5A 、6A亦可。 實施例23除外，除去低電阻金屬層35B時因爲掃描 線11上至少會存在閘極絕緣層30或閘極絕緣層3 0A，掃 描線1 1及低電阻金屬層3 5B之材質無任何限制，在不利 用半色調曝光而在形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用 PCVD裝置在玻璃基板2之全面覆蓋0.3//m程度之膜厚 之第2 SiNx層之透明性絕緣層當做鈍化絕緣層37，在圖 素電極22上及電極端子5、6上分別形成開口部38、63 、64，選擇性地除去各開口部內之鈍化絕緣層及低電阻金 屬層35B、35C，35A而得到透明導電性圖素電極22及透 明導電性電極端子5A、6A，應可直接應用於實施例13、 實施例1 5、實施例1 7、實施例1 9、以及實施例2 1。 針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行貼 合實施液晶面板化，完成本發明實施例23。蓄積電容15 之構成如第45圖（f)所示，係以圖素電極22及蓄積電容 線16隔著耐熱金屬層34B、第2非晶矽33B、第1非晶 矽3 1B、及閘極絕緣層30B形成平面重疊之區域51(右下 斜線部）構成蓄積電容1 5時爲例。 -151 - 1287161 (148) [實施例24] 和實施例1 3及實施例1 4之關係相同，實施例24係 針對實施例23追加最小限度之步驟數而具有用以取代有 機絕緣層之鈍化技術。實施例24如第47圖（c)及第48圖 (c)所示，在閘極11A上、及掃描線11及信號線12之交 叉附近區域上選擇性地殘留耐熱金屬層34A、第2非晶矽 33A、第1非晶矽31A、及閘極絕緣層30A之積層，在蓄 積電容線16及信號線12之交叉附近區域上、及部份蓄積 電容線16上選擇性地殘留耐熱金屬層34B、第2非晶矽 3 3B、第1非晶矽31B、及閘極絕緣層30B之積層，對掃 描線11上之耐熱金屬層34A、第2非晶矽層33A、第1 非晶矽層31 A、及閘極絕緣層30A實施蝕刻，使掃描線 11露出，同時，對蓄積電容16上之耐熱金屬層3 4B、第 2非晶矽層3 3 B、第1非晶矽層3 1 B、及閘極絕緣層3 0B 實施蝕刻，使蓄積電容線1 6露出，至此爲止係和實施例 23相同之製造步驟。然而，第1非晶矽層3 1之膜厚亦可 爲較薄之0.1/zm。又，因爲耐熱金屬層34必須爲可陽極 氧化之金屬而無法採用Cr、Mo、W等，故至少應選擇Ti 、最好選擇Ta或高熔點金屬之矽化物。 其後，利用SPT等真空製膜裝置在玻璃基板2之全 面，覆蓋膜厚爲0.1〜0.2// m程度之例如IZO或ITO之透 明導電層91，並依序覆蓋膜厚爲〇.3/zm程度之A1或 Al(Nd)合金薄膜層35之可陽極氧化之低電阻金屬層後， 利用半色調曝光技術形成兼用爲汲極之圖素電極22上及 -152- 1287161 (149) 電極端子5、6上之87A之膜厚爲例如3 /z m之大於信號 線12上之87B之膜厚1.5"m之感光性樹脂圖案87A、 87B，並利用感光性樹脂圖案87A、87B除去A1或Al(Nd) 合金薄膜層35及透明導電層91，如第47圖（d)及第48圖 (d)所示，選擇性地形成閘極1 1 A上之和半導體層區域 34A形成部份重疊之由91A及35A之積層所構成之兼用 爲源極配線之信號線12、及由91B及35B之積層所構成 之兼用爲圖素電極22之絕緣閘極型電晶體之汲極21。無 需實施含有雜質之第2非晶矽層33A及不含雜質之第1 非晶矽層3 1 A之蝕刻。在形成源極•汲極配線1 2、2 1之 同時，亦會形成含有露出之部份掃描線之掃描線之電極端 子5及由部份信號線所構成之電極端子6。 形成源極•汲極配線1 2、2 1後，利用氧電漿等灰化 手段針對上述感光性樹脂圖案87A、87B實施1.5// m以 上之膜厚減少，使感光性樹脂圖案87B消失並使信號線 12(35A)露出且保留兼用爲汲極之圖素電極22上及電極端 子5、6上之膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C。其次， 將膜厚已減少之感光性樹脂圖案87C當做遮罩，如第47 圖（e)及第48圖（e)所示，對信號線12實施陽極氧化而在 其表面形成氧化層69(12)，並對和源極•汲極配線12、 21間露出之第2非晶矽層33A相鄰接之部份第1非晶矽 層3 1 A實施陽極氧化，形成絕緣層之含有雜質之氧化矽 層66及不含雜質之氧化矽層（圖上未標示）。此時，露出 之掃描線11及蓄積電容線16亦會同時實施陽極氧化，而 -153- 1287161 (150) 在其表面形成氧化層72。亦如第53圖所示，因爲形成並 聯著掃描線1 1之配線77、及連結圖案78，實施源極•汲 極配線12、21之陽極氧化之同時，亦很容易實施掃描線 11及蓄積電容線16之陽極氧化。因爲陽極氧化而在掃描 線11及信號線12之交叉附近區域上、蓄積電容線16及 信號線12之交叉附近區域上、及蓄積電容線16上露出之 第2非晶矽層33 A、33B亦會被陽極氧化而變質成含有雜 質之氧化矽層66及不含雜質之氧化矽層（圖上未標示）。 又，掃描線11及蓄積電容線16之上面亦會因陽極氧化而 形成絕緣層72，掃描線1 1可選擇Ta單層、Al(Zr、Ta)合 金等之單層構成、或Al/Ta、Ta/Al/Ta、及A1/

Al(Ta、Zr)合金等之積層構成當做可陽極氧化之金屬，正 如前面說明所述。 陽極氧化結束後，除去感光性樹脂圖案87C，如第47 圖（f)及第48圖（f)所示，使由其側面形成陽極氧化層 69(3 5B)之低電阻金屬層35B所構成之圖素電極、及由低 電阻金屬層35A、35C所構成之電極端子6、5露出。 將信號線12上之陽極氧化層69(12)當做遮罩，除去 低電阻金屬層35A〜35C，如第47圖（g)及第48圖（g)所示 ，使透明導電層9 1 A〜9 1 C露出，使其分別具有信號線之 電極端子6A、圖素電極22、及掃描線之電極端子5A之 機能。針對以此方式得到之主動基板2及彩色濾光片進行 貼合實施液晶面板化’完成本發明實施例24。蓄積電容 15之構成和實施例23相同。 -154- 1287161 (151) 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施例1之顯示裝置用半導體裝置之 平面圖 第2圖係本發明實施例1之顯示裝置用半導體裝置之 製造步驟剖面圖 第3圖係本發明實施例2之顯示裝置用半導體裝置之 平面圖 第4圖係本發明實施例2之顯示裝置用半導體裝置之 製造步驟剖面圖 第5圖係本發明實施例3之顯示裝置用半導體裝置之 平面圖 第6圖係本發明實施例3之顯示裝置用半導體裝置之 製造步驟剖面圖 第7圖係本發明實施例4之顯示裝置用半導體裝置之 平面圖 第8圖係本發明實施例4之顯示裝置用半導體裝置之 製造步驟剖面圖 第9圖係本發明實施例5之顯示裝置用半導體裝置之 平面圖 第10圖係本發明實施例5之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第11圖係本發明實施例6之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 -155- 1287161 (152) 第12圖係本發明實施例6之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第13圖係本發明實施例7之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第14圖係本發明實施例7之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第15圖係本發明實施例8之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第16圖係本發明實施例8之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第17圖係本發明實施例9之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第18圖係本發明實施例9之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第19圖係本發明實施例10之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第20圖係本發明實施例10之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第21圖係本發明實施例11之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第22圖係本發明實施例11之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第23圖係本發明實施例12之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 -156- 1287161 (153) 第24圖係本發明實施例12之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第25圖係本發明實施例13之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第26圖係本發明實施例13之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第27圖係本發明實施例14之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第28圖係本發明實施例14之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第29圖係本發明實施例15之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第30圖係本發明實施例15之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第31圖係本發明實施例16之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第32圖係本發明實施例16之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第33圖係本發明實施例17之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 第34圖係本發明實施例17之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第35圖係本發明實施例18之顯示裝置用半導體裝置 之平面圖 -157- 1287161 (154) 第36圖係本發明實施例 之製造步驟剖面圖 第3 7圖係本發明實施例 之平面圖 第3 8圖係本發明實施例 之製造步驟剖面圖 第39圖係本發明實施例 之平面圖 第40圖係本發明實施例 之製造步驟剖面圖 第4 1圖係本發明實施例 之平面圖 第42圖係本發明實施例 之製造步驟剖面圖 第43圖係本發明實施例 之平面圖 第44圖係本發明實施例 之製造步驟剖面圖 第45圖係本發明實施例 之平面圖 第46圖係本發明實施例 之製造步驟剖面圖 第47圖係本發明實施例 之平面圖 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 之顯示裝置用半導體裝置 158- 1287161 (155) 第48圖係本發明實施例24之顯示裝置用半導體裝置 之製造步驟剖面圖 第49圖係實施例7、實施例8、實施例1 1、實施例 12、實施例17、實施例18、實施例21、以及實施例22 之以形成絕緣層爲目的之連結圖案之配置圖 第5 0圖係實施例9及實施例1 0之以形成絕緣層爲目 的之連結圖案之配置圖 第51圖本發明之實施例之接繞圖案之參考配置圖。 第5 2圖係實施例1 9及實施例1 0之以形成絕緣層爲 目的之連結圖案之配置圖 第53圖例實施例23及實施例24之以形成絕緣層爲 目的之連結圖案之配置圖 第54圖係液晶面板之安裝狀態之斜視圖 第5 5圖係液晶面板之等效電路圖 第5 6圖係液晶面板之剖面圖 第57圖係傳統例之主動基板之平面圖 第5 8圖係傳統輒之主動基板之製造步驟剖面圖 第59圖係合理化之主動基板之平面圖 第60圖係合理化之主動基板之製造步驟剖面圖 [元件符號之說明] 1 液晶面板 2 主動基板（玻璃基板） 3 半導體積體電路晶片 -159- 1287161 (156) 4 TCP薄膜 5 掃描線之電極端子、掃描線之一部份 6 信號線之電極端子、信號線之一部份 9 彩色濾光片（相對玻璃基板） 1〇 絕緣閘極型電晶體 11 掃描線 1 1A (閘極配線、閘極） 12 信號線（源極配線、源極） 16 蓄積電容線 17 液晶 19 偏光板 20 定向膜 21 汲極 22 (透明導電性）圖素電極 30、 30A、30B、30C 蘭極絕緣層（第1 SiNx層） 31、 31 A、31B、31C (不含雜質之）第1非晶矽層 32、 32A、32B、32C 第 2 SiNx 層 32D 通道保護層（蝕刻終止層、保護絕緣層） 33、 33A、33B、33C (含有雜質之）第2非晶砂層 34、 34A (可陽極氧化之）耐熱金屬層 35、 35A (可陽極氧化之）低電阻金屬層（A1) 36、 36A (可陽極氧化之）中間導電層 37 鈍化絕緣層 38 (圖素電極上之）開口部 -160- 1287161 (157) 50、51 蓄積電容形成區域 62 (汲極上之）開口部 63、 63A (掃描線上之）開口部 64、 64A (信號線上之）開口部 65、 65 A (相對電極上之）開口部 66 含有雜質之氧化矽層 68 陽極氧化層（氧化鈦、Ti02) 69 陽極氧化層（氧化鋁、Al2〇3)

70 陽極氧化層（五氧化鉅、Ta205) 72 掃描線上之陽極氧化層 73 掃描線之一部份 75 蓄積電容線之一部份 76 形成於掃描線之側面之絕緣層

81A 、 81B 、 82A 、 82B 、 83A 、 83B 、 84A 、 84B 、 85A 、 85B、87A、87B、88A、88B

(利用半色調曝光形成之）感光性樹脂圖案 86A、86B (利用半色調曝光形成之）感光性有機絕緣層 91、 91A、91B、91C 透明導電層 92、 92A、92B、92C 第 1 金屬層 -161 -

Claims (1)

1287161 (1) 拾、申請專利範圍 1· 一種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 由透明導電層及低電阻金屬層之積層所構成之絕緣閘 φ 極型電晶體之源極配線係經由含有雜質之第2半導體層及 耐熱金屬層連結於當做通道之不含雜質之第1半導體層， 透明導電性之圖素電極則係經由含有雜質之第2半導 體層及耐熱金屬層連結於前述第1半導體層。 2.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 鲁 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 162· 1287161 (2) 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線’ 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上形成由 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一 對源極•汲極， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之積層所構 成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導電性圖 φ 素電極、以及含有前述開口部之透明導電性掃描線之電極 端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 3.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 鲁 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲= 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 -163- 1287161 (3) 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上之圖素 電極及信號線之重疊區域以外形成由：其側面具有氧化矽 層之含有雜質之第2半導體層、及同樣具有陽極氧化層之 可陽極氧化之耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之積 層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導 電性圖素電極、以及含有前述開口部之透明導電性掃描線 之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 4.一種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 · 著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型電 晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連結 於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕緣 基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明性 絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 -164- 1287161 (4) 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線’ 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上形成由 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一 對源極•汲極， φ 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之積層所構 成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導電性圖 素電極、以及以含有前述開口部及開口部週邊之第1半導 體層之方式形成之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構 成之中間電極上之透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 · 露出。 5.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 165 - 1287161 (5) 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上之圖素 φ 電極及信號線之重疊區域以外形成由：其側面具有氧化矽 層之含有雜質之第2半導體層、及同樣具有陽極氧化層之 可陽極氧化之耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之積 層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導 電性圖素電極、以及以含有前述開口部及開口部週邊之第 鲁 1半導體層之方式形成之第2半導體層及耐熱金屬層之積 層所構成之中間電極上之透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 6.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 -166- 1287161 (6) 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 φ 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上形成由含有雜質之第2半導體層及耐熱 金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之 · 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及由以含有前述開口部、開 口部週邊之保護絕緣層、及第1半導體層之方式形成之第 2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之中間電極上之透 明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 -167- 1287161 (7) 7. —種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上之圖素電極及信號線之重疊區域以外形 成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導體層及同 樣具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金屬層之積層所構 成之一對源極•汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及由以含有前述開口 -168- 1287161 (8) 部、開口部週邊之保護絕緣層、及第1半導體層之方式形 成之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之中間電極 上之透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 8. —種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型電 晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連結 於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕緣 基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明性 絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘頓絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上形成由含有雜質之第2半導體層及耐熱 金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 -169- 1287161 (9) 電層及其表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之透明導 電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 9.一種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配列 著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份、第1半導體層、及第1 透明性絕緣基板上之圖素電極及信號線i重疊區域以外形 -170- 1287161 (10) 成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導體層及同 樣具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金屬層之積層所構 成之一對源極•汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之 透明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之陽極氧化 層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 10.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 -171 - (11) 1287161 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上形成由 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一 對源極•汲極， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有感光性有機絕緣層之低電阻金屬層之 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部、開口部 週邊之耐熱金屬層、第2半導體層、及第1半導體層之透 明導電性掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之前述信號線上之感光性有 機絕緣層及低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子 露出。 11. 一種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有：絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極 型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及 連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性 絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透 明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， -172 (12) 1287161 在前述第1半導體層上形成寬度小於閘極之保護絕緣 層， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線’ 在前述保護絕緣層之一部份及第1半導體層上之圖素 電極及信號線之重疊區域以外形成由其側面具有氧化4 5夕層 之含有雜質之第2半導體層及同樣具有陽極氧化層之可陽 極氧化之耐熱金屬層之積層所構成之一對源極·汲極’ 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部、 開口部週邊之（其側面分別含有陽極氧化層及氧化矽層）耐 熱金屬層、第2半導體層、及第1半導體層之透明導電性 掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 12.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 173· (13) 1287161 上之第1金屬層所構成之掃描線’ 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極’ 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及低 電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及閜極絕 緣層上之透明導電性圖素電極、含有前述開口部之由透明 導電層或透明導電層及低電阻金屬層之積層所構成之掃描 線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之部份信號線 所構成之由透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層之積 層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 13.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 (14) 1287161 上之第1金屬層所構成之掃描線， 在閘極上隔著1層以上之閘極絕緣層形成島狀之不含 雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及閘極絕緣層上之透明導電層及其 表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之積 層所構成之信號線、前述汲極上及閘極絕緣層上之透明導 電性圖素電極、以及含有前述開口部之透明導電性掃描線 之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 14. 一種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： -175- (15) 1287161 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 φ 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上 及第1透明性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、含有前 述開口部、開口部週邊之耐熱金屬層、第2半導體層、及 第1半導體層之透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層 之積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外 之區域之部份信號線所構成之由透明導電層或透明導電層 φ 及低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 15.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 -176- 1287161 (16) 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 鬧口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部、 開口部週邊之耐熱金屬層、第2半導體層、及第1半導體 層之透明導電層所構成之掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 16.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 -177- (17) 1287161 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上 及第1透明性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、含有前 述開口部之由透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層之 積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之 區域之部份信號線所構成之由透明導電層或透明導電層及 低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 -178- 1287161 (18) 17.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之不含雜質之第1 半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之 透明導電性掃描線之電極端子， -179- (19) 1287161 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 18.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之稍爲小於前述閘 極絕緣層之不含雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上形成由含有雜質之第2半導體 層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上 及第1透明性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、含有前 述開口部之由透明導電層或透明導電層及低電阻金屬層之 積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之 區域之部份信號線所構成之由透明導電層或透明導電層及 低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子， -180- 1287161 (20) 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 19. 一種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在前述掃描線上形成1層以上之閘極絕緣層， 在閘極上之閘極絕緣層上形成島狀之稍爲小於前述閘 極絕緣層之不含雜質之第1半導體層， 在前述第1半導體層上之圖素電極及信號線之重疊區 域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2半導 體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐熱金 屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化矽層 在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層形成 開口部而使開口部內露出部份掃描線， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之透明導 電層及其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金 -181 - 1287161 (21) 屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕 緣基板上之透明導電性圖素電極、以及含有前述開口部之 由透明導電層所構成之掃描線之電極端子， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 20.—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層之掃描線， 在閘極上、及掃描線及信號線之交叉點附近上形成島 狀之閘極絕緣層、及不含雜質之第1半導體層， 在閘極上之第1半導體層上形成由含有雜質之第2半 導體層及耐熱金屬層之積層所構成之一對源極·汲極， 在掃描線及信號線之交叉點上之第1半導體層上形成 含有雜質之第2半導體層及耐熱金屬層， 形成由前述源極上及第1透明性絕緣基板上之掃描線 及信號線之交叉點上之耐熱金屬層上之透明導電層及低電 阻金屬層之積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明 性絕緣基板上之透明導電性圖素電極、影像顯示部外之區 域之部份掃描線上之由透明導電層或透明導電層及低電阻 -182- 1287161 (22) 金屬層之積層所構成之掃描線之電極端子、以及由影像顯 示部外之區域之部份信號線所構成之由透明導電層或透明 導電層及低電阻金屬層之積層所構成之信號線之電極端子 在前述第1透明性絕緣基板上形成前述圖素電極上、 及前述掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕 緣層。 21·—種液晶顯示裝置，係在一主面以二次元矩陣配 列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用爲前述絕緣閘極型 電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配線之信號線、及連 結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖素之第1透明性絕 緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基板相對之第2透明 性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1層以 上之可陽極氧化之第1金屬層所構成之其側面具有絕緣層 之掃描線， 在閘極上、及掃描線及信號線之交叉點附近上形成島 狀之閘極絕緣層、及不含雜質之第1半導體層， 在閘極上之第1半導體層上之圖素電極及信號線及重 疊區域以外形成由其側面具有氧化矽層之含有雜質之第2 半導體層及同樣其側面具有陽極氧化層之可陽極氧化之耐 熱金屬層之積層所構成之一對源極•汲極， 在掃描線及信號線之交叉點以外之掃描線及信號線之 交叉點附近之第1半導體層上形成氧化矽層’ -183- 1287161 (23) 在掃描線及信號線之交叉點上之第1半導體層上形成 其側面具有氧化砂層之第2半導體層及其側面具有陽極氧 化層之耐熱金屬層， 在前述源極•汲極間之第1半導體層上形成氧化砍層 形成由前述源極、第1透明性絕緣基板、以及前述掃 描線及信號線之交叉點上之耐熱金屬層上之透明導電層及 其表面上具有陽極氧化層之可陽極氧化之低電阻金屬層之 積層所構成之信號線、前述汲極上及第1透明性絕緣基板 上之透明導電性圖素電極、以及影像顯示部外之區域之部 份掃描線上之由透明導電層所構成之掃描線之電極端子， 在前述掃描線之電極端子以外之掃描線上形成陽極氧 化層， 除去影像顯示部外之區域之信號線上之陽極氧化層及 低電阻金屬層使透明導電性信號線之電極端子露出。 22·如申請專利範圍第 6、7、8、9、10、11、14、15 、16、17、18、19、20、或21項之液晶顯示裝置，其中 形成於掃描線之側面之絕緣層係有機絕緣層。 2 3 ·如申請專利範圍第 6、7、8、9、1 0、1 1、1 4、1 5 、16、17、18、19、20、或21項之液晶顯示裝置，其中 第1金屬層係由可陽極氧化之金屬層所構成，形成於 掃描線之側面之絕緣層係陽極氧化層。 24. —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 -184- 1287161 (24) 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以在閘極上形成寬度小於閘極之保護絕緣層而使前 述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層及耐熱金屬層之步 驟； 用以在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層 、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出之 步驟； 用以在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層 上形成開口部而使部份掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和前述 保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前 述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 含有前述開口部之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部 外之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形成 信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層 -185- 1287161 (25) 圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性除去 低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層 、以及第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃 描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性有機絕緣層圖案之膜厚而使圖素 電極上、以及掃描線及信號線之電極端子上之低電阻金屬 層露出之步驟；以及 φ 將前述膜厚已減少之感光性有機絕緣層圖案當做遮罩 ，除去露出之低電阻金屬層，用以形成透明導電性圖素電 極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子之步驟。 25. —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 · 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以在閘極上形成寬度小於閘極之保護絕緣層而使前 述第1非晶矽層露出之步驟； -186- 1287161 (26) 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層 、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出之 步驟； 用以在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層 上形成開口部而使部份掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和前述保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號 線）、同樣和前述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電 極之汲極配線、含有前述開口部之掃描線之電極端子、以 及由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號線之 電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感 光性有機絕緣層圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性除去低電阻 金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層、以及 第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及 信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線露出 之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在露出之信號線上形成陽極氧化層之步驟；以及 在除去前述膜厚已減少之感光性有樹脂圖案後，將前 述陽極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明 -187- 1287161 (27) 導電性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極 端子之步驟。 26. —^種液晶顯不裝置之製造方法5係使用於在一*主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以在閘極上形成寬度小於閘極之保護絕緣層而使前 述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層及耐熱金屬層之步 驟； 用以形成影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區 域上具有開口部，且閘極上之半導體層形成區域之膜厚大 於其他區域之厚度之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩’用以除去前述開口 部內之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使 閘極絕緣層露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 188- 1287161 (28) 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第2非 晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出，且用以除 去前述開口部內之閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟 9 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和前述 保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前 述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 含有前述開口部之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部 外之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形成 信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層 圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性除去 低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層 、以及第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃 描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性有機絕緣層圖案之膜厚而使圖素 電極上、以及掃描線及信號線之電極端子上之低電阻金屬 層露出之步驟；以及 將前述膜厚已減少之感光性有機絕緣層圖案當做遮罩 ，除去露出之低電阻金屬層，用以形成透明導電性圖素電 極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子之步驟。 27·—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 -189 - (29) 1287161 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以在閘極上形成寬度小於閘極之保護絕緣層而使前 述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以形成影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區 域上具有開口部，且閘極上之半導體層形成區域之膜厚大 於其他區域之厚度之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以除去前述開口 部內之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使 閘極絕緣層露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第2非 -190- 1287161 (30) 晶砍層、及第1非晶砂層而使閘極絕緣層露出’且用以除 去前述開口部內之閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟 9 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和前述保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號 線）、同樣和前述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電 極之汲極配線、含有前述開口部之掃描線之電極端子、以 及由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號線之 φ 電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感 光性有機絕緣層圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性除去低電阻 金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層、以及 第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及 信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線露出 之步驟； 籲 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在露出之信號線上形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 28· —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 -191 - 1287161 (31) 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 φ 1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以形成掃描線之接觸形成區域上具有開口部且閘極 上之保護絕緣層形成區域之膜厚大於其他區域之厚度之感 光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以除去前述開口 部內之保護絕緣層、第1非晶矽層、及閘極絕緣層而使部 份掃描線露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述保護絕 · 緣層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上殘留寛度小於閘極之保護絕緣層而使第1非晶矽 層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層及耐熱金屬層之步 驟； 用以在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層 、第2非晶砂層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出’ -192- 1287161 (32) 且用以形成含有前述接觸區域之由耐熱金屬層及第2非晶 矽層之積層所構成之中間電極之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和前述 保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前 述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 含有前述中間電極之掃描線之電極端子、以及由影像顯示 部外之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形 成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣 層圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性除去 低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層 、以及第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃 描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性有機絕緣層圖案之膜厚而使圖素 電極上、以及掃描線及信號線之電極端子上之低電阻金屬 層露出之步驟；以及 將前述膜厚已減少之感光性有機絕緣層圖案當做遮罩 ，除去露出之低電阻金屬層，用以形成透明導電性圖素電 極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子之步驟。 29.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲'源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 -193- (33) 1287161 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以形成掃描線之接觸形成區域上具有開口部且閘極 上之保護絕緣層形成區域之膜厚大於其他區域之厚度之感 光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以除去前述開口 部內之保護絕緣層、第1非晶矽層、及閘極絕緣層而使部 份掃描線露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述保護絕 緣層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上殘留寛度小於閘極之保護絕緣層而使第1非晶矽 層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層 、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出， 且用以形成含有前述接觸區域之由耐熱金屬層及第2非晶 矽層之積層所構成之中間電極之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 -194- 1287161 (34) 以對應和前述保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號 線）、同樣和前述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電 極之汲極配線、含有前述中間電極之掃描線之電極端子、 以及由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號線 之電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之 感光性有機絕緣層圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性除去低電阻 金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層、以及 φ 第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及 信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線露出 之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在露出之信號線上形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性有機樹脂圖案後，將前 述陽極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明 · 導電性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極 端子之步驟。 30. —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 -195- (35) 1287161 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 保護絕緣層、第1非晶矽層、閘極絕緣層、及第1金屬層 之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形成區 域上之保護絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 鈾刻前述接觸區域之保護絕緣層、第1非晶矽層、及閘極 絕緣層而使部份掃描線露出之步驟； 用以在閘極上選擇性地形成寬度小於閘極之保護絕緣 層而使前述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層及耐熱金屬層之步 驟〆 用以在閘極上寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第 2非晶矽層、及第1非晶矽層（閘極絕緣層）而使第1透明 性絕緣基板露出，且用以形成含有前述接觸區域之由耐熱 金屬層及第2非晶矽層之積層所構成之中間電極之步驟； -196- 1287161 (36) 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和前述 保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前 述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 含有前述中間電極之掃描線之電極端子、以及由影像顯示 部外之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形 成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣 層圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性除去 低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層 、以及第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃 描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性有機絕緣層圖案之膜厚而使圖素 電極上、以及掃描線及信號線之電極端子上之低電阻金屬 層露出之步驟；以及 將前述膜厚已減少之感光性有機絕緣層圖案當做遮罩 ，除去露出之低電阻金屬層，用以形成透明導電性圖素電 極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子之步驟。 31· —種液晶顯示裝覃之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： -197- (37) 1287161 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、不含雜質之第1非晶矽層、以及 保護絕緣層之步驟； 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 保護絕緣層、第1非晶矽層、閘極絕緣層、及第1金屬層 φ 之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形成區 域上之保護絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 蝕刻前述接觸區域之保護絕緣層、第1非晶矽層、及閘極 絕緣層而使部份掃描線露出之步驟； 用以在閘極上選擇性地形成寬度小於閘極之保護絕緣 · 層而使前述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以在閘極上寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第 2非晶矽層、及第1非晶矽層（閘極絕緣層）而使第1透明 性絕緣基板露出，且用以形成含有前述接觸區域之由耐熱 金屬層及第2非晶矽層之積層所構成之中間電極之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 -198- (38) 1287161 以對應和前述保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號 線）、同樣和前述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電 極之汲極配線、含有前述中間電極之掃描線之電極端子、 以及由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號線 之電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之 感光性有機絕緣層圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性除去低電阻 金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層、以及 φ 第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及 信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線露出 之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在露出之信號線上形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性有機樹脂圖案後，將前 述陽極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明 修 導電性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極 端子之步驟。 3 2.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 -199- 1287161 (39) 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、不含雜質之第1非晶矽層、以及 保護絕緣層之步驟； 用以對應掃描線形成閘極上之保護絕緣層形成區域之 膜厚大於其他區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 保護絕緣層、第1非晶矽層、閘極絕緣層、及第1金屬層 之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述保護絕 緣層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 在閘極上殘留寬度小於閘極之保護絕緣層而使前述第1非 晶砂層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層及耐熱金屬層之步 驟； 用以形成影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區 域上具有開口部，且閘極上之半導體層形成區域之膜厚大 於其他區域之厚度之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以除去前述開口 部內之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使 閘極絕緣層露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 (40) 1287161 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第2非晶矽 層、及第1非晶矽層（閘極絕緣層）而使第1透明性絕緣基 板露出，且用以除去前述開口部內之閘極絕緣層並使部份 掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和前述 保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前 述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 含有前述開口部之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部 外之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形成 信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層 圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性除去 低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層 、以及第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃 描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性有機絕緣層圖案之膜厚而使圖素 電極上、以及掃描線及信號線之電極端子上之低電阻金屬 層露出之步驟；以及 將前述膜厚已減少之感光性有機絕緣層圖案當做遮罩 ，除去露出之低電阻金屬層，用以形成透明導電性圖素電 極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子之步驟。 3 3.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 -201 - (41) 1287161 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、不含雜質之第1非晶矽層、以及 φ 保護絕緣層之步驟； 用以對應掃描線形成閘極上之保護絕緣層形成區域之 膜厚大於其他區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 保護絕緣層、第1非晶砂層、聞極絕緣層、及第1金屬層 之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述保護絕 緣層露出之步驟； Φ 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上殘留寬度小於閘極之保護絕緣層而使前述第1非 晶矽層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以形成影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區 域上具有開口部，且閘極上之半導體層形成區域之膜厚大 -202- (42) 1287161 於其他區域之厚度之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩’用以除去前述開口 ~ 部內之耐熱金屬層、第2非晶砂層、及第1非晶砂層而使 閘極絕緣層露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第2非 φ 晶矽層、及第1非晶矽層（閘極絕緣層）而使第1透明性絕 緣基板露出，且用以除去前述開口部內之閘極絕緣層並使 部份掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和前述保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號 線）、同樣和前述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電 極之汲極配線、含有前述開口部之掃描線之電極端子、以 及由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號線之 · 電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感 光性有機絕緣層圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性除去低電阻 金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層、以及 第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及 信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線露出 之步驟； -203- 1287161 (43) 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在露出之信號線上形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 34. —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 φ 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、以及保護絕緣層之步驟； · 用以選擇性地形成當做絕緣閘極型電晶體之通道保護 層之保護絕緣層而使前述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層及耐熱金屬層之步 驟； 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 -204- (44) 1287161 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形成區 域上之耐熱金屬層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 蝕刻前述接觸區域之耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非 晶矽層、及閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟； φ 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和前述 保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前 述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 含有部份前述掃描線之掃描線之電極端子、以及由影像顯 示部外之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子， 形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕 緣層圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性除去 # 低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層 、以及第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃 描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性有機絕緣層圖案之膜厚而使圖素 電極上、以及掃描線及信號線之電極端子上之低電阻金屬 層露出之步驟；以及 將前述膜厚已減少之感光性有機絕緣層圖案當做遮罩 ，除去露出之低電阻金屬層，用以形成透明導電性圖素電 -205- 1287161 (45) 極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子之步驟。 3 5 · —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 、 φ 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、不含雜質之第1非晶矽層、以及 保護絕緣層之步驟； 用以選擇性地形成當做絕緣閘極型電晶體之通道保護 層之保護絕緣層而使前述第1非晶矽層露出之步驟； 用以覆蓋含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 · 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩’用以依序蝕刻前述 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形成區 域上之耐熱金屬層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； -206- 1287161 (46) 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 蝕刻前述接觸區域之耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非 晶矽層、及閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後’用 以對應和前述保護絕緣層形成部份重疊之源極配線（信號 線）、同樣和前述保護絕緣層形成部份重疊之當做圖素電 極之汲極配線、含有部份前述掃描線之掃描線之電極端子 、以及由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號 線之電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區域之厚度 之感光性有機絕緣層圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性除去低電阻 金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、第2非晶矽層、以及 第1非晶矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及 信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線露出 之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在露出之信號線上形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性有機樹脂圖案後，將前 述陽極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明 導電性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極 端子之步驟。 36. —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 -207- (47) 1287161 爲前^絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之第1金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及耐熱金屬層之 步驟； 用以在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之前述耐熱金 屬層、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露 出之步驟， 用以在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層 上形成開口部而使部份掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後’用以對應和聞極 形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和閛極形成部份 重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述開口部之掃描 線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之部份信號線 所構成之信號線之電極端子，形成至少圖素電極上之膜厚 小於信號線區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、及第2非晶政層’ 用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端 -208- (48) 1287161 子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而至少使圖素電 極上之低電阻金屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，除去 露出之低電阻金屬層，用以至少形成透明導電性圖素電極 之步驟；以及 用以在前述第1透明性絕緣基板上形成圖素電極上及 掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕緣層之 步驟。 3 7.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素.電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之第1金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極氧化之 耐熱金屬層之步驟； 用以在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之前述耐熱金 屬層、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露 出之步驟； · -209- (49) 1287161 用以在影像顯示部外之區域之掃描線上之閘極絕緣層 上形成開口部而使部份掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和閘極形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和 閘極形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述 開口部之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域 之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形成信號線上 之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層圖案之步 驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、及耐熱金屬層，用以形成源極· 汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線上之 低電阻金屬層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 實施露出之信號線及前述源極•汲極配線間之非晶矽層之 陽極氧化而形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 3 8 . —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 -210- (50) 1287161 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 層以上之第1金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第 1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及耐熱金屬層之 步驟； 用以形成影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區 域上具有開口部，且閘極上之半導體層形成區域之膜厚大 於其他區域之厚度之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以除去前述開口 部內之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1非晶矽層而使 閘極絕緣層露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層、第2非 晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出，且用以除 去前述開口部內之閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟 9 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後’用以對應和閘極 形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和閘極形成部份 -211- (51) 1287161 重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述開口部之掃描 線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之部份信號線 所構成之信號線之電極端子，形成至少圖素電極上之膜厚 小於信號線區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、及第2非晶矽層’ 用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端 子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而至少使圖素電 極上之低電阻金屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，除去 露出之低電阻金屬層，用以至少形成透明導電性圖素電極 之步驟；以及 用以在前述第1透明性絕緣基板上形成圖素電極上及 掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕緣層之 步驟。 3 9.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上形成由1 -212- (52) 1287161 層以上之第1金屬層所構成之掃描線之步驟； 用以依序覆蓋1層以上之閘極絕緣層、不含 1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及可陽 耐熱金屬層之步驟； 用以形成影像顯示部外之區域之掃描線之接 域上具有開口部，且閘極上之半導體層形成區域 於其他區域之厚度之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以除去 部內之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1非晶 閘極絕緣層露出之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮 在閘極上形成寬度大於閘極之島狀之耐熱金屬層 晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出， 去前述開口部內之閘極絕緣層而使部份掃描線露 9 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬 以對應和閘極形成部份重疊之源極配線（信號線） 閘極形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、 開口部之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部 之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形成 之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層 驟； 雜質之第 極氧化之 觸形成區 之膜厚大 前述開口 矽層而使 述耐熱金 罩，用以 、第2非 且用以除 出之步驟 層後，用 、同樣和 含有前述 外之區域 信號線上 圖案之步 213- (53) 1287161 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、及耐熱金屬層，用以形成源極· 汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線上之 低電阻金屬層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 實施露出之信號線及前述源極•汲極配線間之非晶矽層之 陽極氧化而形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 40.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及耐熱金 屬層之步驟； 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 -214- (54) 1287161 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形 域上之耐熱金屬層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’ 蝕刻前述接觸區域之耐熱金屬層、第2非晶矽層、第 晶矽層、及閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟； 用以在閘極上形成島狀之耐熱金屬層、第2非晶 、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出，且以保護前 觸區域爲目的而使耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第 晶矽層殘留於前述接觸區域之周圍之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和 形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前述閘極 部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述接觸 之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之 信號線所構成之信號線之電極端子，形成至少圖素電 之膜厚小於信號線區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去 阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、及第2非晶_砂 用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及信號線之電 案之 前述 緣層 成區 用以 1非 石夕層 述接 1非 閘極 形成 區域 部份 極上 低電 層， 極端 -215- (55) 1287161 子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而至少使圖素電 極上之低電阻金屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，除去 露出之低電阻金屬層，用以至少形成透明導電性圖素電極 之步驟；以及 用以在前述第1透明性絕緣基板上形成圖素電極上及 掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕緣層之 步驟。 41.一種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極 氧化之耐熱金屬層之步驟； 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 (56) 1287161 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸 域上之耐熱金屬層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩 蝕刻前述接觸區域之耐熱金屬層、第2非晶矽層、 晶矽層、及閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步驟 用以在閘極上形成島狀之耐熱金屬層、第2非 、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出，且以保護 觸區域爲目的而使耐熱金屬層、第2非晶矽層、及 晶矽層殘留於前述接觸區域之周圍之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層 以對應和閘極形成部份重疊之源極配線（信號線）、 前述聞極形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線 前述接觸區域之掃描線之電極端子、以及由影像顯 之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子， 號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕 案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除 阻金屬層、透明導電層、及耐熱金屬層’用以形成 汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端子之步驟 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號 低電阻金屬層之步驟； 絕緣層 形成區 ，用以 第1非 9 晶矽層 前述接 第1非 後，用 同樣和 、含有 示部外 形成信 緣層圖 去低電 源極· 9 線上之 -217- (57) 1287161 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 實施露出之信號線及前述源極•汲極配線間之非晶矽層之 陽極氧化而形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 42.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及耐熱金 屬層之步驟； 用以對應掃描線形成閘極上之半導體層形成區域上之 膜厚大於其他區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用,以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 -218- (58) 1287161 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 在閘極上形成島狀之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1 非晶矽層而使閘極絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 用以在影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區域 上形成開口部而使前述開口部內露出部份掃描線之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和閘極 形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前述閘極形成 部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述開口部之 掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之部份信 號線所構成之信號線之電極端子，形成至少圖素電極上之 膜厚小於信號線區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、及第2非晶矽層， 用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端 子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而至少使圖素電 極上之低電阻金屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，除去 露出之低電阻金屬層，用以至少形成透明導電性圖素電極 之步驟；以及 用以在前述第1透明性絕緣基板上形成圖素電極上及 掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕緣層之 -219- 1287161 (59) 步驟。 43· —種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極 氧化之耐熱金屬層之步驟； 用以對應掃描線形成閘極上之半導體層形成區域上之 膜厚大於其他區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使前述耐熱金 屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 在閘極上形成島狀之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1 非晶矽層而使閘極絕緣層露出之步驟； 用以在影像顯示部外之區域之掃描線之接觸形成區域 上形成開口部而使前述開口部內露出部份掃描線之步驟； -220- (60) 1287161 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和閘極形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和 閘極形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述 開口部之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域 之部份信號線所構成之信號線之電極端子，形成信號線上 之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層圖案之步 驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、及耐熱金屬層，用以形成源極· 汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線上之 低電阻金屬層之步驟及將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖 案當做遮罩，用以實施露出之信號線及前述源極·汲極配 線間之非晶矽層之陽極氧化而形成陽極氧化層之步驟；以 及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 44.一種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 221 - 1287161 (61) 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 <之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及耐熱金 屬層之步驟； 用以在半導體層形成區域形成島狀之耐熱金屬層、第 2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出之步驟 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形成區 域上之閘極絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 蝕刻前述接觸區域之閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步 驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和閘極 形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前述閘極形成 部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、含有前述接觸區域 -222- (62) 1287161 之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外之區域之部份 信號線所構成之信號線之電極端子，形成至少圖素電極上 之膜厚小於信號線區域之感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、及第2非晶矽層， 用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端 子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而至少使圖素電 極上之低電阻金屬層露出之步驟； 將前述膜厚減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’除去露 出之低電阻金屬層，用以至少形成透明導電性圖素電極之 步驟；以及 用以在前述第1透明性絕緣基板上形成圖素電極上及 掃描線及信號線之電極端子上具有開口部之鈍化絕緣層之 步驟。 4 5.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： . 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 -223- 1287161 (63) 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及可陽極 氧化之耐熱金屬層之步驟； 用以在半導體層形成區域形成島狀之耐熱金屬層、第 2非晶矽層、及第1非晶矽層而使閘極絕緣層露出之步驟 9 用以對應掃描線在影像顯示部外之區域形成掃描線之 接觸形成區域上之膜厚小於其他區域之感光性樹脂圖案之 步驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，用以依序蝕刻前述 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使接觸形成區 域上之閘極絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 蝕刻前述接觸區域之閘極絕緣層而使部份掃描線露出之步 驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和閘極形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和 前述閘極形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線 '含有 前述接觸區域之掃描線之電極端子、以及由影像顯示部外 之區域之部份信號線所構成之信號線之電極端子’形成信 號線上之膜厚大於其他區域之厚度之感光性有機絕緣層圖 案之步驟； -224· (64) 1287161 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩’選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、及耐熱金屬層，用以形成源極· 汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線上之 低電阻金屬層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 實施露出之信號線及前述源極•汲極配線間之非晶矽層之 陽極氧化而形成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。 46.—種液晶顯示裝置之製造方法，係使用於在一主 面以二次元矩陣配列著至少具有絕緣閘極型電晶體、兼用 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之掃描線及兼用爲源極配 線之信號線、及連結於汲極配線之圖素電極等等之單位圖 素之第1透明性絕緣基板、以及和前述第1透明性絕緣基 板相對之第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基板之一主面上依序覆蓋 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶矽層、含有雜質之第2非晶矽層、及耐熱金 屬層之步驟； 用以形成對應掃描線且閘極上、以及掃描線及信號線 -225- (65) 1287161 之交叉點附近之膜厚大於其他區域之感光性樹脂圖案之步 驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩’用以依序蝕刻前述 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1非晶矽層、閘極絕緣層 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而選擇性地使掃 描線上之耐熱金屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩’用以 依序蝕刻掃描線上之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1 非晶矽層而使閘極絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 蝕刻掃描線上之閘極絕緣層而使掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及低電阻金屬層後，用以對應和閘極 形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和前述閘極形成 部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、影像顯示部外之區 域之含有前述露出之掃描線之掃描線之電極端子、以及同 樣由影像顯示部外之區域之部份信號線所構成之信號線之 電極端子，形成至少圖素電極上之膜厚小於信號線區域之 感光性樹脂圖案之步驟； 將前述感光性有機絕緣層圖案當做遮罩，選擇性地除 去低電阻金屬層、透明導電層、耐熱金屬層、及第2非晶 矽層，用以形成源極•汲極配線、以及掃描線及信號線之 電極端子之步驟； -226- (66) 1287161 用以減少前述感光性有機絕緣 圖素電極上之低電阻金屬層露出之 將前述膜厚減少之感光性有機 除去露出之低電阻金屬層，用以至 電極之步驟；以及 用以在前述第1透明性絕緣基 掃描線及信號線之電極端子上具有 步驟。 47.—種液晶顯示裝置之製造 面以二次元矩陣配列著至少具有絕 爲前述絕緣閘極型電晶體之閘極之 線之信號線、及連結於汲極配線之 素之第1透明性絕緣基板、以及和 板相對之第2透明性絕緣基板或彩 之液晶顯示裝置，其特徵爲具有： 用以至少在第1透明性絕緣基 1層以上之第1金屬層、1層以上 質之第1非晶矽層、含有雜質之第 氧化之耐熱金屬層之步驟； 用以形成對應掃描線且閘極上 之交叉點附近之膜厚大於其他區域 驟； 將前述感光性樹脂圖案當做遮 耐熱金屬層、第2非晶矽層、第1 層圖案之膜厚而使至少 步驟； 絕緣層圖案當做遮罩， 少形成透明導電性圖素 板上形成圖素電極上及 開口部之鈍化絕緣層之 方法，係使用於在一主 緣閘極型電晶體、兼用 掃描線及兼用爲源極配 圖素電極等等之單位圖 前述第1透明性絕緣基 色濾光片之間充塡液晶 板之一主面上依序覆蓋 之閘極絕緣層、不含雜 2非晶矽層、及可陽極 、以及掃描線及信號線 之感光性樹脂圖案之步 罩，用以依序蝕刻前述 非晶矽層、閘極絕緣層 -227- (67) 1287161 、及第1金屬層之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而選擇性地使掃 描線上之耐熱金屬層露出之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 依序蝕刻掃描線上之耐熱金屬層、第2非晶矽層、及第1 非晶矽層而使閘極絕緣層露出之步驟； 用以在掃描線之側面形成絕緣層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 φ 蝕刻掃描線上之閘極絕緣層而使掃描線露出之步驟； 覆蓋透明導電層及可陽極氧化之低電阻金屬層後，用 以對應和閘極形成部份重疊之源極配線（信號線）、同樣和 前述閘極形成部份重疊之當做圖素電極之汲極配線、影像 顯示部外之區域之含有前述露出之掃描線之掃描線之電極 端子、以及同樣由影像顯示部外之區域之部份信號線所構 成之信號線之電極端子，形成信號線上之膜厚大於其他區 域之厚度之感光性有機絕緣層圖案之步驟； · 將前述感光性樹脂圖案當做遮罩，選擇性地除去低電 阻金屬層、透明導電層、及耐熱金屬層，用以形成源極· 汲極配線、以及掃描線及信號線之電極端子之步驟； 用以減少前述感光性樹脂圖案之膜厚而使信號線上之 低電阻金屬層之步驟； 將前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案當做遮罩，用以 實施露出之信號線及前述源極•汲極配線間之非晶矽層之 陽極氧化而形成陽極氧化層，且用以在露出之掃描線上形 -228- (68) 1287161 成陽極氧化層之步驟；以及 除去前述膜厚已減少之感光性樹脂圖案後，將前述陽 極氧化層當做遮罩除去低電阻金屬層，用以形成透明導電 性圖素電極、以及透明導電性掃描線及信號線之電極端子 之步驟。

-229- 1287161 柒、（一）、本案指定代表圖為：第2圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 11:掃描線，11A:(閘極配線、閘極）， 2:主動基板（玻璃基板），22:圖素電極’ 30:閘極絕緣層（第1 SiNx層），31:第1非晶 矽層，31A:第1非晶矽層，32D:通道保護層 (蝕刻終止層、保護絕緣層），33 A:第2非晶 石夕層，34A:耐熱金屬層，35A:低電阻金屬層 ，35B:低電阻金屬層，35C··低電阻金屬層， 5A:電極端子，6A:電極端子，83B(22):感光 性樹脂圖案，86A(12):感光性樹脂圖案， 86B(5A):感光性有機絕緣層，86C(12):感光 性樹脂圖案，91 A:透明導電層，91B:透明導 電層，91C:透明導電層。 扬 ！、本^若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：