TWI286775B - Method and apparatus for controlling dose uniformity in an ion implantation system - Google Patents

Description

1286775 A7 ------- B7__ 五、發明說明（） 發明之領域 本發明係關於用於半導體晶圓或其它工件之離子植入 的系統及方法，尤其係關於用來最佳化一被掃描的離子束 的均勻性的方法及設備。 置明背景 離子植入係用來導入傳導性警告雜質至半導體晶圓的 一項標準技術。一個所需的雜質物質在一離子源中被離子 化，接著該離子被加速形成一具有指定能量的離子束，然 後g亥離子束被導至晶圓的表面，離子束中具有能量的離子 穿入大部份半導體材料，並被嵌入半導體結晶格中，以形 成一所需傳導性的區域。 離子植入系統通常包含一離子源，用來轉換氣態或固 態物質到充分界定的離子束，該離子束被大量地分析，以 減少不必要的離子種類，然後被加速至一所需的能量並導 至一靶標平面上，該離子束藉由離子束掃描、靶標移動、 或離子束掃描和靶標移動的結合而散佈在靶標區上。一使 用離子束掃描及靶標移動之結合的離子植入器係揭示於 1990年5月1日Berrian等人的美國專利第4,922，106號 中。 在離子束掃描方法中，一離子束藉由一掃描系統而偏 移而產生離子軌道，其係自一點偏移，此點稱爲掃描原點 ，然後被掃描的離子束通過一執行對焦的離子光學元件。 該離子光學元件轉換偏移的離子軌道至平行的離子軌道， 4 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(Yi〇 x 297公爱) · 一 : (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂-------- 1286775 A7 __B7__ 五、發明說明（） 用來傳送到半導體晶圓。對焦能以一角度校正器磁鐵或以 一靜電透鏡來執行。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 掃描系統通常包含一用來使離子束轉向的掃描板，及 一對掃描板施以掃描電壓的掃描產生器。該在掃描板上的 電壓產生電場於使離子束中的離子轉向的掃描平台之間的 區域。一掃描電壓波形通常是一鋸齒、或三角形的波形， 其與晶圓移動結合，在晶圓表面產生離子束的掃描。 在半導體晶圓表面上一致的植入離子是許多應用的重 要需求。理論上，一具固定的電壓斜率或離子束位置的掃 描波形會產生一致的離子束電流，亦即在所有位置都相同 。實際上，這從不會發生，因爲在離子束光學中的偏離、 當離子束偏移時，離子束形狀會有輕微的改變、在電壓與 離子束位置之間的非線性關係等。爲達到在晶圓表面上所 需的均勻性，在習知技術的離子植入系統採用一個均勻性 的最佳化程序。一線性掃描波形開始被施加在掃描板上， 所以掃描板能以固定的速率在一個方向上掃過離子束，被 掃描的離子束的均勻性被量測，然後掃描波形被調整至在 半導體晶圓上的離子束分佈造成變化。掃描板掃過在晶圓 表面上的離子束的速率決定離子植入的劑量。掃描的波形 通常是分段線性的，在開始時，所有的分段線性波形的片 段都有相同的斜率。掃描波形的調整包含調整界定每個掃 描波形的分段線性片段斜率的數値。一般而言，初始的線 性掃描波形可能不會產生在半導體晶圓上所需的均勻性， 而需要一非線性的掃描波形。離子束均勻性的量測和掃描 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1286775 ___B7 _____ 五、發明說明（） 波形的調整會一直重覆到達到所需的均勻性爲止。 典型的離子植入系統的使用者可成需要建AL在不同會§ 量及劑量之不同的離子種類的多個植入。所建立的程序通 常會重覆以用於每一組植入參數，該建立的程序通常是耗 時的且會減少離子植入器的產出量。 在一些例子中，離子植入器的建立程序被自動化，該 自動化的程序可允許均勻性的最佳化程序以一預設的次數 重覆，在其中離子束均勻性被量測、掃描波形被調整，而 離子束的均勻性再次被量測。如果所需的均勻性未在預設 的重覆次數內被達成，則該最佳化程序會被中止。因此， 一已知爲成功率的參數是與自動化的均勻性最佳化程序有 關，該程序如果在預設的重覆次數內達成所需的均勻性.， 則被視爲成功。在實務上，即使是自動化的最佳化程序也 是相當耗時的，而且會減少植入器的產出量。 因此，需要有最佳化一被掃描離子束均勻性的改良方 法和設備。 發明槪要 根據本發明的一個第一方面，提供一種用來控制一離 子植入系統的劑量均勻性之方法，該方法包含調整一初始 掃描波形，以獲得一所需的均勻性而用於一第一植入程序 ;儲存該調整過的掃描波形；取回該儲存的掃描波形，·以 及使用該取回的掃描波形於一第二植入程序。 根據本發明的另一方面，提供一種用來控制在一離子 6 ^___ ____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 •lalr ·!111111 A7 1286775 __B7 五、發明說明（） 植入系統的劑量均勻性的方法，該方法包含辨識所需的離 子束參數；根據該所需的離子束參數，取回一儲存的掃描 波形，用於均勻性調整流程；以及執行該均勻性調整流程。 根據本發明的另一方面，提供用於在離子植入系統中 控制劑量均勻性的設備，該設備包含一離子束圖形器’用 來量測一被掃描的離子束的電流分佈；以及一資料擷取和 分析單元，用於根據一所需的電流分佈與該經量測的電流 分佈，調整初始掃描波形，用在一第一植入流程、儲存該 經調整的掃描波形、取回該儲存的掃描波形、以及使用取 回的掃描波形於一第二植入流程。 圖式簡單說明 爲了更了解本發明，將參考以下圖式： 圖1是一適合用在本發明之離子植入器的示意圖； 圖2是一說明一習知技術的均勻性最佳化流程之流程 圖，； . 圖3是一根據本發明一實施例之均勻性最佳化流程的 流程圖；以及 圖4是以在晶圖平面中之位置爲橫軸的離子束電流函 數圖，並繪出在掃描波形調整之前和之後的被掃描離子束 的圖形。 ίο 離子束產生器 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n I n n —.1 n ϋ^OJ· IV n n n ϋ n n 1286775 a7 _B7 五、發明說明（） 12 能量離子束 16 掃描系統 20 掃描器 24 角度校正器 26 磁力磁極片 28 電源供應器 30 掃描離子束 32 終端站 34 半導體晶圓 36 平台 40 離子束來源 42 來源過濾器 44 加減速柱 50 質量分析器 52 偶極分析磁鐵 54 遮罩 56 分辨孔徑 60 掃描原點 70 平面 80 掃描板 82 掃描產生器 90 離子束圖形器 92 箭頭 94 資料擷取及分析單元 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

--------訂--------· ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐） A7 1286775 __ B7 — I _ ...... — I " ' * "" " " —~ ~ ·ι - 卜_ _______ _ 五、發明說明（） 詳細說明_ 在圖1顯示一個適用於本發明的離子植入器的例子的 簡化的方塊圖。一離子束產生器10產生一所需種類的離子 束、加速在該離子束中的離子到所需的能量、進行離子束 的質量/能量分析以移除能量及質量污染物、以及提供一有 低階層能量及質量污染物的能量離子束12 ; —個掃描系統 16使該離子束12偏移而產生一個有平行或近似平行的離 子軌道之掃描離子束30,該掃描系統包含一個掃描器20 和一個角度校正器24 ; —個終端站32包含一平台36，其 可支撐一半導體晶圓34或是其它在該掃描離子束30路徑 上的工作件，以致於所需種類的離子被植入該半導體晶圓 34中。該離子植入器可以包含那些熟知本技術者所知的額 外元件。舉例而言，該終端站32通常包含自動化的晶圓處 理設備，用來導入晶圓至離子植入器中，並在植入後移除 晶圓，並包含一個劑量量測系統、一個電子流槍等。必須 了解的是，整個被離子束通過的路徑在離子植入時會被清 空。 該離子束產生器10的主要元件包含一個離子束來源 40、一個來源過濾器42、一個加減速柱44 ’以及一個質重 分析器50。該來源過濾器42最好是放置在接近該離子束 來源40的地方；該加減速柱44位在該來源過濾器42及該 質量分析器50之間。該質量分析器50包含一個偶極分析 磁鐵52和一個具有分辨孔徑56的遮罩54。 該掃描器20可以是一靜電式掃描器，會使離子束12 9 _ ........... 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·1111111 A7 1286775 ^____B7___ 五、發明說明（） 偏移以產生一具有離子軌道的被掃描的離子束，其自一掃 描原點60偏移出來。該掃描器20可以包含分隔出來的掃 描板80，連接至一個掃描產生器82。該掃描產生器82施 予一個掃描電壓波形，諸如鋸齒狀或是三角形的波形，依 據該掃描板80之間的電場，來掃描離子束。 掃描的波形可以用數種數學的方式來描述。一個方法 是，波形是由指定電壓爲時間的函數來描述。然而，在一 較佳實施例中，波形是藉由指定離子束的位置(其與電壓完 全相同）及在那個位置離子束的掃掠率。這個公式是方便的 ，因爲當量測被掃描離子束的圖形時，離子束在一特定位 置的掃掠率與在那個位置量測的電流量有關。如果離子束 在特定位置掃得較慢，則在那個位置量測的電流會增加； 相反地，如果離子束在一特定點掃較快，在該位置的量測 電流會減少。 以位置、斜率表示的掃描波形可以被視爲以時間、電 壓表示的波形之導函數。一個從-V到+V伏特以等速率上 升的掃描波形，若以電壓對時間繪出是一傾斜上升的直線 ，但是以斜率對位置繪出則是一條在軸上一定高度的平直 線。在一個實施例中，掃描波形被表示爲一施加在掃描板 之初始的掃描電壓與一系列30數字斜率値上，每一個都代 表在該掃描中特定位置的掃描速度。在一掃描器20的實施 例中，掃描板80被+/-20千伏的高電壓放大器施予能量， 產生兩極的掃描波形。離子束被掃描波形偏移至其中一方 向，偏移角度通常是正負13.5度。 10 _______________________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

n ϋ n n n n I^dJ« n I I I n I I I mm尺度適用 1286775 A7 _ B7 五、發明說明（） 角度校正器24被設計用來偏移在被掃描離子束中的離 子，來產生有平行的離子軌道的被掃描離子束30，因而聚 焦了該被掃描離子束。特別是，角度校正器24可以包含磁 性磁極片26，其被間隔以界定一間隙及一磁性線圈（未顯 示出來），其連結到一電源供應器28上。被掃描的離子束 通過磁極片26的之間的間隙，並依據在間隙中的磁場而偏 移，該磁場可以由改變通過該磁性線圈的電流而調整。離 子束掃描及離子束對焦在一選定的平面上進行，例如一水 平面上。 該離子植入器更進一步包含一 Faraday離子束圖形器 9〇，其位在或是接近晶圓34的一平面70上。離子束圖形 器90在晶圓34的平面70中被轉換，如同箭頭92所指示 的。該被掃描的離子束30的均勻性是由轉換在晶圓平面上 的離子束圖形器90以及監測離子束電流而決定的。在晶圓 平面上離子束電流的分佈是藉由改變掃描波形的形狀而調 整。從離子束圖形器的輸出電流被提供給一資料擺取及分 析單元94。 在一個實施例中，該資料擷取及分析單元94是以一般 用途的電腦來使用，其被程式化來控制離子植入器的建立 及ί采作。特別是，該資料擷取及分析單元94可以被程式化 來執行底下所述之均勻性的調整流程。在其它的實施例中 ’該資料擷取及分析單元94可能是一個特殊用途的控制器 或是現場控制器，其爲部分或是全部用於掃描控制。 該資料擷取及分析單元94可能包含一個記憶體，用來 11 國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-------- A7 1286775 ___B7____ 五、發明說明（） 儲存一個或更多的植入方法，其指定用來摻雜一批晶圓的 參數。舉例而言，植入的方法可以識別一摻質種類、一能 量，以及施加在晶圓的劑量，每一個參數可以指定爲一最 小値、一最大値、一範圍內的値、或一目標値。一個植入 方法有一個名稱，其可允許識別該方法。該資料擷取及分 析單元94可以包含一個操作員介面，其允許根據該方法的 識別名稱，來搜尋及選擇一特定植入方法。更進一步地， 該資料擷取及分析單元94可以根據被選擇的植入方法，存 取一初始掃描波形。 圖2所示爲根據習知技術用來最佳化一被掃描離子波 形之均勻性的流程的流程圖。在步驟100中，一線性的掃 描波形被施加在該掃描板80上；在步驟102中，離子束的 均勻性被量測；在步驟104中，決定了均勻性是否合乎規 定。如果在步驟104中所決定的均勻性合於規定，則在步 驟106中執行植入動作；如果均勻性不合乎規定，則在步 驟108中調整掃描波形以達成所需的均勻性，且在步驟 110中將該掃描波形施加在掃描板80上。特別是，掃描波 形被調整，以致於離子束更快地被掃描，以減少離子束電 流，或是更慢地被掃描，以增加離子束電流。此流程接著 回到步驟102，重覆均勻性的量測。此流程可能需要許多 例行性的重覆，包含均勻性的量測及掃描波形的調整，來 達到所需的均勻性。 在圖2所說明的流程和以上所描述的可能是相當耗時 的’尤其是需要許多重覆以達成所需的均勻性。在典型的 12 |_________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 1286775 ____B7_ 五、發明說明（） 系統中，只要離子束的調校過程是自動化的，在圖2中所 顯示的均勻性最佳化流程其可被執行的重覆次數上便有一 預設的上限。舉例而言，該預設的上限可能重覆高達1〇次 或更多，或是低達1次或零次。當預設的重覆次數已被執 行而且均勻性不合乎規定，則程序終止，且需要操作員的 介入。在這種情況中，離子束調校過程便被延遲了。 在習知技術的系統中，在圖2中顯示的均勻性最佳化 過程重覆用於每一新的離子束參數組，亦即重覆用於每次 方法之改變。因此每一新的離子束參數組會產生均勻性最 佳化時間爲。每當均勻性最佳化流程執行時，線性的掃描 波形便被用作初始波形。 在圖2中所顯示的均勻性最佳化流程常常導致相似的 掃描波形是已經決定的，特別是在離子束參數相似時。這 樣的特性被用在提供一個改良的均勻性最佳化流程。特別 是該最佳化掃描波形在一成功的均勻性最佳化流程後被儲 存，該被儲存的掃描波形被用在後績的離子束設定中，通 常一倂減少了均勻性最佳化的需要。 圖3所顯示的是根據本發明的一個實施例的一個均勻 性最佳化流程的流程圖。必須認知的是，在以下所描述的 均勻性最佳化流程未必導致一個具有理想的或是完全最佳 化特性的掃描波形。反而，掃描波形的最佳化可能包含調 整掃描波形以達到所需的掃描波形或是一符合已建立規定 的掃描波形。在步驟200中，決定了一最佳化的掃描波形 是否被儲存。該系統可以被規劃成儲存最佳化掃描波形’ 13 ____________— 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-------- 1286775 A7 ——_ B7 ____ 五、發明說明（） 以用於每一離子束方法。如果一適當的最佳化掃描波形被 儲存，則在步驟202中，最佳化掃描波形被存取，並且在 步驟204中被施加在掃描板80上。接著在步驟206中，使 用離子束圖形器90來量測均勻性。該離子束圖形器90可 以量測離子束電流，舉例而言，在晶圓平面70上的每一毫 米或是每幾毫米量測，以決定離子束的均勻性。如果在步 驟200中決定了適當的最佳化掃描波形沒被儲存，則在步 驟208中，將一線性的掃描波形施加在掃描板80上，然後 在步驟206中量測離子束均勻性。 在步驟210中，決定了均勻性是否合乎規定。如果均 勻性不合乎規定，則在步驟212中調整掃描波形。根據在 步驟206中離子束電流的量測結果，掃描波形被調整，以 減少或增加在掃描時一個或多個特定點的電流。特別是在 掃描中一點的離子束電流會藉由降低掃描波形的斜率而增 加，因而在那點較慢地掃描離子束，或是離子束電流會藉 由增加掃描波形的斜率而減少，因而在那點較快地掃描離 子束。流程接著回到步驟206，然後重覆離子束均勻性的 量測。如果在步驟210中決定了均勻性合乎規定，則在步 驟214中儲存相對應的最佳化掃描波形，而在步驟216中 執行植入。該儲存的最佳化掃描波形可用一特定的方法在 記憶體中產生關連’用來執行植入。舉例而言，一最佳化 掃描波形可以與一特定的方法名稱相關連，以致於一被儲 存的最佳化掃描波形可以根據一個特定方法的名字被搜尋 及選擇。更進一步地’被儲存的最佳化掃描波形最好被正 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ n 一：OJI ϋ i^i H ϋ n n n I 1286775 A7 _____B7___ 五、發明說明（） 規化，如以下所討論的。在一個實施例中，最佳化的掃描 波形被儲存爲一系列30數値，該等界定了沿著掃描的不同 點，掃描波形的斜率。該儲存的數値一倂界定掃描波形。 由圖3的流程將了解於一第一均勻性最佳化期間使用 一線性的掃描波形作爲初始掃描波形。最佳化掃描波形被 儲存，用作後續的均勻性最佳化流程，或是在沒有均勻性 最佳化的植入流程。如果一最佳化掃描波形已經被儲存， 以用於一特定方法，則先前的波形可以被更近的最佳化掃 描波形所取代。藉由使用一儲存的最佳化掃描波形於後續 的均勻性最佳化流程，需要重覆的均勻性量測及波形調整 例行工作便較少，且離子束調校時間會減少。更進一步來 說，因爲需要較少重覆的均勻性量測及波形調整例行工作 ，較不可能達到重覆次數的預設上限，而成功率因而增加 。必須注意的是，在某些情況中，沒有執行任何重覆，以 致於儲存的最佳化掃描波形，在沒有後續的均勻性最佳化 流程的情況下，被用在一植入程序中。舉例而言，如果用 於一特定方法之已儲存的最佳化掃描波形通常會產生一符 合規定的離子束均勻性，一個操作員可以指定沒有任何重 覆需要執行，因此就不需要調整。 當一離子束第一次被調校，它會在該晶圓平面70上的 每一點以相同的時間均等地被掃描，這與施加一線性的掃 描波形在掃描板上相符。該線性掃描波形包含一組固定的 斜率。離子束圖形器90行經晶圓平面，且每隔幾毫米便量 測離子束電流。根據離子束電流曲線圖的形狀，回饋訊號 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CiMS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1286775 Δ7 Ά/ ____ Β7_____ 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 係送到在該掃描產生器82中的掃描放大器，以減少或增加 在晶圓平面上一個或多個特定位置之電流。這是藉由在這 些位置掃描離子束比預設値快或慢而達成的。掃描波形是 與離子束電流曲線圖形上的每一點相關的一組掃掠率。 在本發明的一個實施例中，使用了一個正規化的例行 程序。在該正規化的例行程序中，用於已調整掃描波形的 掃描斜率資料被初始線性掃描波形的斜率所分割，其爲一 固定値。正規化的例行程序去除了最佳化掃描波形在離子 束能量上的依賴。更高的離子束能量需要一施予掃描板80 更高的電壓，以使離子束偏向一設定的角度。因此，正規 化例行程序正規化了施加在該掃描板80上的電壓，結果正 規化了掃描板80之間電場的強度。 正規化例行程序的一個優點是，非正規化的波形包含 在晶圓平面上掃描離子束要多遠及多快的資訊，而正規化 的波形只保留與相對掃描速率及距離有關的資訊。掃描速 率及距離兩者與離子束量成線性比例關係，因此，如果非 正規化波形被儲存，然後用來建立具有不同能量的離子束 的新方法，則可能無法以正確的距離或正確速率來掃描離 子束。在消除最佳化掃描波形於離子束能量上的依賴中， 正規化例行程序產生了對能量改變一目瞭然的一種方法。 圖4是在晶圓平面中離子束電流的位置函數圖，顯示出 在波形校正之前和之後的被掃描離子束曲線圖；虛線代表晶 圓邊緣，曲線300代表未校正的離子束曲線圖’而曲線302 代表在均勻性最佳化之後的一校正過的離子束曲線圖。 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1286775 A7 _B7__五、發明說明（）在此已詳細說明了本發明之較佳實施例，熟悉本技術 者皆應明瞭，在不背離本發明申請專利範圍所界定之的範 圍前提下，可以進行不同的改變及修正。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格mo X 297公釐）

Claims (1)

1286775 A8B8C8D8 12. 22~~—1 年月B . 正替換頁 六、申請專利範圍 1· 一種在一離子植入系統中控制劑量均勻性的方法， 包含： 調整一初始掃描波形以獲得一所需的均勻性，用於一 第一植入流程； 儲存該經調整的掃描波形爲一系列的斜率値以及正規 化該系列斜率値； 取回該經儲存的掃描波形；以及 使用該取回的掃描波形於一第二植入流程中。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該初始的掃 描波形係時間的線性函數。 3.如申請專利範圍第1項之方法，其中，該初始的掃 描波形係一三角形波形。 4·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該經調整的 掃描波形係時間的非線性函數。 5·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該正規化該 系列斜率値進一步包含以一常數除複數個斜率値。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該儲存經調 整的掃描波形進一步包含儲存該經調整的掃描波形，用於 一組離子束參數。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中，該組離子束 參數指定一個離子種類、一個植入能量，以及一植入劑量 〇 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該調整進一步 包含於一第一均勻性調整流程中調整一初始的掃描波形， 1 中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公變) — ~ ...................................訂................ (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1286775 A8SSD8 2 .·年

六、申請專利範圍 以獲得一第一離子束所需的的均勻性’其與一第一組離子 束參數一致；且其中該取回進一步包含取回用於一第二均 勻性調整流程的經儲存的掃描波形，以獲得一第二離子束 所需的均勻性，其與該第一組離子束參數一致。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該使用經取 回的掃描波形包含於植入工件期間，使用該經取回的掃描 波形。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，使用該經取 回的掃描波形包含調整該經取回的掃描波形來獲得一改良 的掃描波形，以及於植入工件期間使用該改良的掃描波形 〇 11·如申請專利範圍第10項之方法，進一步包含以該 經改良的掃描波形取代該經儲存的掃描波形。 12·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該儲存經調 整的掃描波形包含將該經調整的掃描波形與一組離子束參 數作連結。 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •嘹