TWI284762B - A liquid crystal display panel - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000010979 ruby Substances 0.000 claims description 9
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136268—Switch defects
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Description
1284762 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器面板及其修補方法,尤 指一種適用於主動式液晶顯示器之面板及其修補方法。 5 【先前技術】 在液晶顯示器面板的製程當中,良率的提昇為一要 | 項,需要在各個製程間做檢測,以篩選不良品及 製程的浪費。然而,在製程中不論是機台内還是機台外都 10會有塵粒,使的塵粒的產生,成為製程上時常發生的缺陷 之一。如圖1所示,當塵粒90掉落在液晶顯示器的下基板i 的開關元件21表面時,和塵粒90接觸到的資料線(data line)35和汲極導線36就會產生短路,造成 leakage,使的顯示器在顯像時出現亮點或暗點 15 defect)。 .對於這些有缺陷的面板,若是直接報廢丟棄,勢必大 幅增加製造成本。因此,現在多在製程上做改善,例如環 境定期清潔、加強廠内環境乾淨度監測和回風系統、機台 内部定期清潔保養極方法標準化、或定期清潔保養週期最 20佳化…等等。然而,對於這些缺陷,光只依賴製程技術的 改善,要達到完全無缺陷也是非常困難的。因此,若將這 些缺陷面板修補成為良好面板,就可以大幅增加良率,並 降低製造成本。 5 1284762 參閱圖1。習知之修補技術,以normally black的液晶 顯示器為例。當塵粒90掉落在開關元件(薄膜電晶體)21表 面’造成丁?丁缺陷,如80111*(^(11^11^]<:吨6或丁1^^&]<:,對 液晶顯示器施加電壓就會顯示出輝點。習知的修補方式, 5 疋利用雷射溶接(laser welding),將電容導線47以及上電容 導線471連接在一起,此上電容導線471和晝素電極52則是 藉由接觸孔45連接,並將汲極導線(drainline)36切斷,打叉 _ 處為切斷位置5〇〇。此畫素(pixei)原本為輝點,將變成永久 性黑點。然而,雖然人眼對暗點的敏感度比輝點低,所以 10市售液晶顯示器的暗點容許量較輝點為多,其依然為不正 常之晝素。 此外,由於生產技術的提昇,使的製程中其他各種缺 陷的出現機率下降,相形之下,s〇urce-drain leakage所造成 的免點或暗點(p〇int defect)成為目前液晶顯示器的一種主 15要缺陷而且,隨著大尺寸面板的出現,液晶顯示器對輝 點和暗點的要求也愈來愈嚴袼。因此,目前亟需要一種有 ^ 效改善薄膜電晶體的source-drain leakage之方法,以提昇產 液晶顯示器之的品質和良率。 20 【發明内容】 本發明為一種液晶顯示器面板,其包括有複數個晝 素。該液晶顯示器面板之每一畫素主要包括有:一開關元 件、二汲極導線、一畫素電極以及一浮動導線,其中此開 關兀件具有一閘極、一源極及二汲極,每一汲極導線與一 6 1284762 汲極電性連接,畫素電極經由該汲極導線與該開關元件電 連接浮動導線與二沒極導線交錯但不電性連接。本發 、 明之液晶顯示器之一較佳實施例中,每一開關元件都和兩 . 條汲極導線連接。因此,當汲極導線產生source-drain 5 leakage,但不知道是哪一條汲/源極導線發生短路時,就可 以藉由切斷汲極導線以及選擇性的熔接汲極導線和浮動導 線,將開關元件修復正常。舉例來說,當一塵粒掉落在一 • 及極導線和源極導線之間,可能造成源極/汲極導線之間電 性短路,而形成TFT source-drain leakage。在這種情形下, 10 藉由本發明之雙汲極導線(dual drain)以及浮動導線設計, 就可以以下列步驟修補成為正常畫素,其步驟如下:(A)提 供一包括有複數個畫素的液晶顯示器面板,其每一畫素包 括有:一具有一閘極、一源極及二汲極之開關元件、二汲 極導線、一畫素電極以及一浮動導線,其中每一汲極導線 15 與一;及極電性連接’此晝素電極經由汲極導線與開關元件 電性連接’浮動導線與二汲極導線交錯但不電性連接;(B) φ 切斷此畫素之二條汲極導線中的其中一條,且汲極導線之 切斷位置不介於汲極導線與浮動導線之交錯處以及汲極導 線與汲極連接處之間;以及(C)通電檢驗晝素。 20 若此畫素通電檢查顯示正常,即完成修復。反之,則 表示塵粒掉落在未切斷的汲極導線上。在這種情形下,進 行下列步驟繼績修補··(D)切斷此畫素中未被切斷之没極導 • 線,且此汲極導線之切斷位置必須介於此汲極導線與浮動 導線之父錯處以及此汲極導線與沒極連接處之間;然後(E) 7 1284762 熔接二條汲極導線與浮動導線,使二條汲極導線與浮動導 線電性連接,而形成一條新的汲極導線。 因此,若液晶顯示器的畫素(pixel)缺陷為TFT 5 source_drain leakage或TFT weak,就可藉由本發明之雙汲極 導線(dual drain)和浮動導線之設計以及使用雷射熔接,將 輝點修補成正常顯示。 另外,本發明之晝素亦可具有雙源極導線,提供一種 具有複數個畫素的液晶顯示器面板,其每一晝素包括有: 10 一開關元件、一汲極導線、二源極導線、一晝素電極以及 一浮動導線,其中,此開關元件具有一閘極、二源極及一 汲極,此汲極導線與該汲極電性連接;每一源極導線與一 源極電性連接,此畫素電極經由汲極導線與開關元件電性 連接’此浮動導線與該二源極導線交錯但不電性連接。 15 同樣的,若液晶顯示器的晝素(pixel)缺陷為tft somxe-drain leakage或TFT weak,就可藉由本發明之雙源極 ® 導線(duai drain)和浮動導線之設計以及使用雷射熔接,將 輝點修補成正常顯示,其步驟如下:提供一如上所述之 畫素;(B)切斷此畫素的兩條源極導線的其中一條,且該源 20 極導線之切斷位置不介於該源極導線與該浮動導線之交錯 處以及該源極導線與該源極連接處之間;然後(c)通電檢驗 β 該晝素。 • 若此晝素通電檢查顯示正常,即完成修復。反之,則 表示塵粒掉落在未切斷的源極導線上。在這種情形下,進 25行下列步驟知續修補:(D)切斷此畫素未被切斷之源極導 8 Ϊ284762 線,且此源極導線之切斷位置介於此源極導線與浮動導線 之父錯處以及該源極導線與該源極連接處之間;然後(£)熔 、 接二該源極導線與該浮動導線,使此二條源極導線與浮動 . 導線電性連接,而形成一條新的源極導線。 5 本發明之畫素修補方法,其中源極(或汲極)導線可以 任何方法切斷,較佳係以雷射切斷。此雷射光可為任何可 用之雷射光,較佳為YAG雷射光、ruby雷射光或C〇2雷射 φ 光。本發明之方法,其中二條源極(或汲極)導線與浮動導線 可以任何雷射熔接,較佳為YAG雷射光、ruby雷射光或匸… 10 雷射光。 2 本發明之液晶顯不器面板,其每一晝素更包括有一閘 極導線,且此閘極導線與閘極電性連接。本發明之液晶顯 示器面板,其每一晝素可選擇性的包括一電容導線,此電 容導線與汲極導線電性連接,使沒極導線藉由電容導線和 15畫素電極電性連接。此電容導線可為任何型式,較佳含有 一上電容導線和一下電容導線,兩者重 •並且此電容導線之上電容導線包括有至少一接觸二 素電極可以藉由接觸孔與上電容導線接觸。本發明之液晶 顯示器面板,其中畫素電極可為任何透明電極,較佳為= 20化銦錫或氧化銦鋅。本發明之液晶顯示器面板,其中浮動 導線可為任何導電材料,較佳為㈣極導線使用相同材料。 【實施方式】 9 1284762 圖2和圖3為本發明二個較佳實施例之液晶顯示器面板 之俯視圖,並且藉由此液晶顯示器面板結構,可以將開關 . 元件有source_drain kakage之液晶顯示器面板修復為正常 之液晶顯不|§面板。 5 實施例一 凊參閱圖2 ’為本貫施例之液晶顯示器面板的俯視圖。 本實施例之下基板1上包括有複數個畫素,其中每一畫素均 包括有一畫素電極52、一閘極導線38、一電容導線47、一 資料線(data line)35、二汲極導線36,361、一浮動導線33以 10 及一開關元件21。 本發明之開關元件可為薄膜電晶體。在本實施例中, 開關元件21為一場發射電晶體(fet),包括有一個閘極、一 個源極以及二個汲極,用以提供液晶顯示器更大的充電 率’尤其是大尺寸的液晶顯示器。 15 本實施例係以不加電壓時,整個晝面都是黑色稱為 normally black的液晶顯示器。如圖2所示,本實施例之開關 • 元件21和一條源極導線350以及兩條汲極導線36,361相連 接,其中源極導線350是資料線35之分枝。複數個資料線35 和複數個閘極導線3 8互相垂直交錯,形成一陣列。而且資 20料線35和閘極導線38之間有一介電層(圖未示)使兩者不會 _ 互相電性連接。電容導線47的位置介於兩個閘極導線之 間,較佳為平行閘極導線38,以避免和閘極導線38接觸而 電性連接。並且,電容導線47會和資料線35互相交錯,同 .1284762 樣的電容導線47和資料線35之間有一介電層(圖未示)使兩 者不電性連接。 資料線35以及閘極導線38之一端和電源連接,其另一 端分別與源極導線3 5 0以及開關元件21的閘極連接,用以提 5 供開關元件21所需的閘極電壓和源極電壓,以驅動開關元 件。另外’;及極導線36,361則是和開關元件21的汲極以及電 容導線47連接,用以將開關元件21產生之電能傳送給電容 ,導線47以及畫素電極52。因此,畫素電極可藉由汲極導線 36,361和對應之開關元件21的汲極連接,使晝素電極52得到 10 電壓。而電容導線47是由一上電容導線471以及一下電容導 線472所構成之儲存電容,可藉由汲極導線36,361電性連接 而儲存開關元件之電能。並且,上、下電容導線471,472之 間夾有介電層,不會電性連接。在本實施例中,汲極導線 36,361連接至上電容導線471或下電容導線472均可,較佳為 15 連接至上電容導線471。在本實施例中,電容導線47開設有 二接觸孔45,以接觸晝素電極52。 > 如圖2所示,由於一塵粒9〇掉落在源極導線35〇和汲極 導線36之間,使得源極導線35〇和汲極導線36藉由塵粒9〇電 ^生連接而成為電性短路,也就是s〇urce_drain leakage。因 20此’造成此開關元件21對應之畫素電極52充電異常而在顯 示畫面上形成亮點。 接著’請同時參閱圖2和圖4。如圖2所示,本實施例之 開關元件21具有二條汲極導線36,361,並且浮動導線33與二 條〉及極導線36,361互相交錯,且不電性連接。再參閱圖4, 1284762 為圖2中AA’切線的剖面圖。由圖4可見,下基板1(玻璃基板) 上有一浮動導線33、二汲極導線36,361以及一介電層54介於 浮動導線33和汲極導線36,361之間,使浮動導線33和汲極導 線36,361不會互相電性連接。另外,下基板1上還包括有一 5 平坦層93覆蓋於源極導線36,361上,以及一晝素電極52覆蓋 於平坦層93上。此下基板1和上基板2以及液晶層3構成整個 液晶顯示器面板。 g 由於上下基板組立成液晶顯示面板後,無法觀察到塵 粒掉落的位置。因此,本發明之液晶顯示器發生s〇urce_drain 10 kakage時,可藉由下列步驟修復:(1)先以雷射切斷二條沒 極導線36,361中的其中一條,其切斷位置不能介於,,汲極導 線36,361與浮動導線33交錯處,,之間,以及,,汲極導線36,361 與沒極連接處”之間。在本實施例中,係先切斷汲極導線 361,其切斷位置為打叉處1〇〇。(2)通電檢查是否正常,若 15 冗點恢復正常則完成修復,反之,則表示塵粒90掉落在未 切斷的汲極導線36上。在本實施例中,液晶顯示器通電仍 • 顯示焭點。(3)以雷射將未切斷之沒極導線36切斷,其切斷 位置必須介於”汲極導線與浮動導線之交錯處,,以及,,汲極 導線與汲極連接處”之間。本實施例係切斷汲極導線36,其 20切斷位置為打叉處200。(4)以雷射將浮動導線33和兩條汲極 導線36,361熔接,使三者電性連接。在本實施例中,係以雷 射熔接打圈處300,400,用以將電性斷路之汲極導線36,361 藉由洋動導線33連接成一條完好的新汲極導線,並且,此 新汲極導線與塵粒90電性隔絕。藉此,畫素電極U可以經 12 1284762 由新的汲極導線和開關元件21連接,而被修復為正常顯示 之畫素。 實施例二 圖3為本發明另一實施例之俯視圖。在本實施例中,開 5關元件21包括有一個閘極、一個汲極以及二個源極。因此, 本實施例之開關元件21和兩條源極導線351,352相連接。在 本實施例中源極導線351,352是資料線35之分枝,以減少源 _ 極導線佔據的面積。而浮動導線33則是和兩個源極導線 351,352交錯且不電性連接。除了上述之部分,本實施例之 10 液晶顯示器的其他部分均與實施例一相同。 同樣的,本實施例之液晶顯示器也是藉由切斷源極導 線以及雷射私接來修補source-(jrain leakage。如圖3所示, 先假設源極導線351為短路之源極導線,在打又處6〇〇切斷 源極導線35 1,使源極導線35 1電性斷路。通電測試液晶顯 15 示器,若此晝素仍然顯示為亮點,表示源極導線352才是短 路之源極導線。因此,再以雷射切斷打叉處7〇〇,用以將源 ® 極導線352電性斷路。最後,再以雷射熔接浮動導線33以及 兩條源極導線351,352,使電性斷路之源極導線351,352藉由 浮動導線33電性連接,形成一條完好的新源極導線。因此, 20 畫素電極52可以經由新的源極導線和開關元件2丨連接,而 被修復為正常顯示之畫素。 本實施例所適用之雷射光可為任何可知之雷射光,較 •佳為YAG雷射光、ruby雷射光、或C02雷射光。其波長以及 功率可視需要調整,以適用於切斷導線或熔接導線而定。 13 1284762 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所 主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限 於上述實施例。 5 【圖式簡單說明】 圖1係習知液晶顯示器面板之俯視圖。 圖2係本發明一較佳實施例之液晶顯示器面板之俯視圖。 • 圖3係本發明另一較佳實施例之液晶顯示器面板之俯視圖。 圖4係圖2中AA·線之剖面圖。 10 【主要元件符號說明】 上基板2 開關元件21 資料線35 汲極導線36,361 接觸孔45 上電容導線471 畫素電極52 塵粒90 下基板1 液晶層3 浮動導線33 源極導線350,351,352 閘極導線38 電容導線47 下電容導線472 介電層54 平坦層93 切斷位置 100,200,500,600,700 熔接位置300,400 1284762
眷 1284762 第94134483號,95年5月修正頁 七、指定代表圖·· (一) 本案指定代表圖為:圖(2 )。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 下基板1 浮動導線33 源極導線350 閘極導線38 電容導線47 下電容電線472 塵粒90 切斷位置100,200 開關元件21 資料線35 汲極導線36,361 接觸孔45 上電容導線471 晝素電極5 2 熔接位置300,400 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
Claims (1)
1284762 > 十、申請專利範圍: .1. -種液晶顯示器面板’包括有複數個晝素,其中每 •一晝素包含: 、 —開關兀件,具有一閘極、一源極及二汲極; 5 二汲極導線,每一汲極導線與一汲極電性連接; —畫素電極,經由該汲極導線與該開關元件電性連 接;以及 一浮動導線,係與該二汲極導線交錯,但不電性連接。 ► 2·如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示器面板,其 10更包括有一源極導線,且該源極導線與該源極電性連接。 3·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器面板,其 更包括有一閘極導線,且該閘極導線與該閘極電性連接。 4·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器面板,其 更包括一電容導線,且該電容導線與該汲極導線電性連 15 接,使該汲極導線藉由該電容導線和該晝素電極電性連接。 5·如申請專利範圍第4項所述之液晶顯示器面板,其 ,中該電容導線含有一上電容導線和一下電容導線,兩者重 疊但不電性連接。 6·如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示器面板,其 20 中该電谷導線之上電容導線上包括有至少一接觸孔,使該 畫素電極藉由該接觸孔與該上電容導線接觸。 • 7·如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示器面板,其 中該畫素電極為氧化銦錫或氧化銦鋅。 15 1284762 a.如申請專利範圍第3 中該浮動導線之材料和該閘極導線相^日心^板,其 步驟9: -種液晶顯示器面板之晝素的修補方法,包括下列 每一(畫L括有包n „液晶顯示器面板,其中 元件、二汲極導線、:::;源極及二汲極之開關 _ - ^ .、 旦素電極以及一浮動導線,其中每
10 15
20 二二::、—汲極電性連接,該畫素電極經由該沒極導 錯但不電性連接接心動導線與該二㈣導線交 ⑻切斷4晝素之二該汲極導線之其中之―,且該汲極 U切斷位置不介於該汲極導線與該浮動導線之交錯處 以及該沒極導線與該沒極連接處之間;以及 (C)通電檢驗該畫素。 10.如申請气利範圍第9項所述之方法,其更包括下列 步驟: /D)切斷該晝素未被切斷之純導線,且祕極導線之 切斷位置介於㈣極導線錢浮料線之交錯處以及該没 極導線與該汲極連接處之間;以及 (E)熔接二該汲極導線與該浮動導線,使二該汲極導線 與該浮動導線電性連接。 η·如申請專利範圍第9項所述之方法,其中該汲極導 線係以雷射切斷。 16 1284762 ,12.如中請專利範圍第9項所述之方法,其中該雷射光 為YAG雷射光、ruby雷射光或C〇2雷射光。 /3·如巾請專利㈣項所述之方法,其中該沒極導 線係以雷射切斷。 14.如中請專利範圍第i G項所述之方法,其中該雷射光 為YAG雷射光、ruby雷射光或c〇2雷射光。 、曾K如申請專利範圍第10項所述之方法,其中該二錄 ‘線與该浮動導線係以雷射熔接。 為專利範圍第15項所述之方法,其中該雷射光 為YAG^射光、ruby雷射光或C〇2雷射光。 17.一種液晶顯示器面板’包括有複數個畫素,其中每 一晝素包括有: 一開關元件’具有-閉極、二源極及—沒極; 一汲極導線,係與該汲極電性連接丨 15 20 ^源極導線’每-源極導線與—源極電性連接. 接 :f素電極,經由該汲極導線與該開關元件電性連 動導線,係與該二源極導線交錯,但不電性連接。 更_==㈣17項所述之『—板,其 ,有閘極v線’且該閘極導線與該閘極電性連接。 .如申凊專利範圍第17項所述之液晶顯示器盆 更包括一電容導線,且嗲恭六 ^ 接,使今兔搞塞始—。亥私合V線與該汲極導線電性連 v線错由該電容導線和該畫素電極電性連接。 17 1284762 專利範圍第19項所述之液晶顯示^板,其 一線含有-上電容導線和_下電 者重 豐但不電性連接。 中二1·如申5月專利範圍第20項所述之液晶顯示器面板,其 容導線之上電容導線上包括有至少—接觸孔,使該 旦素電極藉由該接觸孔與該上電容導線接觸。 士中專利範圍第17項所述之液晶顯示器面板,其 肀“旦素電極為氧化錮錫或氧化銦鋅。
…3·如申δ月專利範圍第18項所述之液晶顯示器面板,其 中該浮動導線之材料和該閘極導線相同。 认-種液晶顯示器面板之晝素的修财法,包括下列 —一(Α)提供一包括有複數個晝素的液晶顯示器面板,其中 母一晝素包括有:一具有一閘極、二源極及-汲極之開關 卞件及極導線、二源極導線、一晝素電極以及一浮動 ‘泉中3,及極導線與該汲極電性連接,每一源極導線 7源極電〖生連接,该畫素電極經由該汲極導線與該開關 元件包1±連接,該浮動導線與該二源極導線交錯但不電性 連接; 2〇 ,,⑻切斷$畫素之三該源極導線之其中之-,且該源極 導線之切斷位置不介於該源極導線與該浮動導線之交錯處 以及該源極導線與該源極連接處之間;以及 (C)通電檢驗該畫素。 18 1284762 . 25·如申請專利範圍第24項所述之方法,其更包括下列 步驟: * (D)切斷該晝素未被切斷之源極導線,且該源極導線之 切斷位置〃於$源極導線與該浮動導線之交錯處以及該源 • 5 極導線與該源極連接處之間;以及 (E)熔接二該源極導線與該浮動導線,使上該源極導線 與該浮動導線電性連接。 26·如申請專利範圍第24項所述之方法,其中該源極導 > 線係以雷射切斷。 10、27·如中請專利範圍第24項所述之方法,其中該雷射光 為YAG雷射光、ruby雷射光或〇〇2雷射光。 28·如申凊專利範圍第25項所述之方法,其中該源極導 線係以雷射切斷。 ' 29.如申請專利範圍第25項所述之方法,其中該雷射光 15 為YAG雷射光、ruby雷射光或(^〇2雷射光。 ,3G·如巾料懸圍第25項所述之方法,其中二該源極 . 導線與該浮動導線係以雷射熔接。 3K ”請專利範圍第30項所述之方法,其中該雷射 光為YAG雷射光、ruby雷射光或0〇2雷射光。 19
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW094134483A TWI284762B (en) | 2005-10-03 | 2005-10-03 | A liquid crystal display panel |
| US11/541,695 US7916109B2 (en) | 2005-10-03 | 2006-10-03 | Panel for liquid crystal display device |
| US12/961,105 US20110074662A1 (en) | 2005-10-03 | 2010-12-06 | Panel for liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW094134483A TWI284762B (en) | 2005-10-03 | 2005-10-03 | A liquid crystal display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200714957A TW200714957A (en) | 2007-04-16 |
| TWI284762B true TWI284762B (en) | 2007-08-01 |
Family
ID=37901415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW094134483A TWI284762B (en) | 2005-10-03 | 2005-10-03 | A liquid crystal display panel |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7916109B2 (zh) |
| TW (1) | TWI284762B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8592262B2 (en) * | 2006-11-16 | 2013-11-26 | Au Optronics Corporation | Residue isolation process in TFT LCD fabrication |
| KR101041618B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
| BRPI1016259A2 (pt) * | 2009-06-30 | 2016-05-03 | Sharp Kk | dispositivo de exibição de cristal líquido |
| US8986062B2 (en) * | 2013-01-18 | 2015-03-24 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Method for repairing white defect of liquid crystal display panel |
| CN104730790B (zh) * | 2015-03-25 | 2018-05-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法 |
| CN108415203B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-04-30 | 惠科股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置和阵列基板的修复方法 |
| CN110032017B (zh) * | 2019-05-22 | 2021-12-07 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 阵列基板的修复方法、阵列基板、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050184324A1 (en) * | 2001-11-01 | 2005-08-25 | Yuan-Liang Wu | Storage capacitor structure and liquid crystal display device having the same |
| JP3943919B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-07-11 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置及びその検査方法 |
| KR101252087B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-10-03 TW TW094134483A patent/TWI284762B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-10-03 US US11/541,695 patent/US7916109B2/en active Active
-
2010
- 2010-12-06 US US12/961,105 patent/US20110074662A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7916109B2 (en) | 2011-03-29 |
| US20070075961A1 (en) | 2007-04-05 |
| US20110074662A1 (en) | 2011-03-31 |
| TW200714957A (en) | 2007-04-16 |
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