TWI282875B - Reflective type liquid crystal display device - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 224
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000005441 aurora Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
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- Optical Filters (AREA)
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Description
1282875 A7 B7 五、發明説明() 1 發明背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種有益於液晶投影機的液晶顯示裝置 ,其以來自光源的光照亮液晶顯示元件,且投射液晶顯示 元件上的影像在螢幕上。 近來,液晶顯示裝置已廣泛使用於小型顯示裝置、辦 公室自動化設備用之顯示終端及類似物。基本上,液晶顯 示裝置包括液晶顯示面板(亦稱爲液晶顯示元件或液晶胞 ),其包含一對其中至少一個是以透明板、透明塑膠板或 類似物製成的絕緣基板,及一層夾在絕緣基板之間的液晶 合成物(液晶層)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 液晶顯示裝置是大略分成單陣列型及主動陣列型。在 單陣列型液晶顯示裝置中,圖像元件(以下稱爲像素)是 藉由選擇性地施加電壓至形成在液晶顯示面板的兩個絕緣 基板的兩者上的像素形成條電極而形成,且藉此改變符合 此像素的液晶合成物的部份液晶分子的取向。另一方面, 於主動陣列型液晶顯示裝置中,液晶顯示面板是配置有信 號線、像素電極、反射電壓電極及主動元件,各主動元件 與形成在基板中的一個上的像素選擇用的像素電極中的一 個結合,且像素是藉由選擇與此像素結合的主動元件而形 成的,且因此改變存於連接至主動元件的像素電極及與像 素電極結合的反射電壓電極之間的液晶分子的取向。 通常,主動陣列型液晶顯示裝置中使用所謂的垂直電 場型,其中用於改變液晶分子的取向的電場是施加在配置 在一對相反基板中的一個上的電極,與配置在一對相反基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) "" ~ -4- 1282875 A7 B7 五、發明説明(j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板中的另一個上的另一電極之間。而且所謂的水平電場型 (亦稱爲IP S (平面上切換)型)液晶顯示裝置被實際利 用,其中用於改變液晶分子的取向的電場是施加在大約與 相反基板的主要表面平行的方向。 在利用液晶顯示裝置的顯示裝置中,液晶投影機已被 實際使用。液晶投影機以來自光源的光照亮液晶顯示元件 ,且投射液晶顯示元件上的影像至螢幕上。兩種類型的液 晶顯示元件亦即反射型與傳輸型是可使用於液晶投影機。 反射型液晶顯示元件能夠架構以使大約整個像素區域域成 爲有用的反射區域,因此其具有小尺寸、高清晰度顯示及 高亮度的優點超越傳輸型液晶顯示元件之上。 因此,小型高清晰度顯示液晶投影機可利用反射型液 晶顯示元件而實現,不會降低其亮度。 反射型液晶顯示元件是揭示於例如1 999年1 1月2日 公告上的USP 5978056中。USP 5 97 8056揭示多層遮光膜 ,然而並未揭示兩個遮光膜相互隔開於其厚度方向的配置 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明槪述 液晶投影機具有迷你化及解晰度與亮度的增大之問題 。爲解決此問題,使用於液晶投影機的液晶顯示元件尺寸 需要再減小,且再增大解晰度與亮度。傳輸型液晶顯示元 減小尺寸及增大解晰度與亮度時,其不可避免地,光傳輸 區域對一個像素中的拯個區域的比(以下稱爲隙孔比)被 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) '~ -5- 1282875 Α7 Β7 五、發明説明(^ 相對地減小。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的目在於提供一種能夠增加其亮度的反射型液 晶顯示裝置,本發明的另一目在於提供具有高顯示品質的 特色的反射型液晶顯示元件,以及另一目的提供具有防止 無用光進入其中的高影像品質及藉較高隙孔比而獲得的高 度使用效率特色的液晶顯示元件,且在於提供利用液晶顯 示元件之液晶投影機。 依據本發明的實施例中,提供一種液晶顯示裝置,包 含:第一基板;第二基板;液晶層,夾在第一基板及第二 基板之間;數個反射電極,配置在其液晶層側上的第一基 板的表面上,各數個反射電極在適於供應有視頻信號;及 數個遮光膜,配置在數個反射電極,具有絕緣層插入在數 個遮光膜及數個反射電極之間,各數個遮光膜在電連接至 數個反射電極的對應一個,各數個遮光膜是配置以覆蓋在 數個反射電極的對應一個及鄰接至數個反射電極的對應一 個之數個反射電極的幾個之間的間隔的至少一部份。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明的另一實施例中,一種液晶顯示裝置包含 :驅動電路基板;透明基板;液晶層,夾在驅動電路基板 及透明基板之間;數個反射電極,配置在其液晶層側上的 驅動電路基板的表面上;數個半導體開關元件,配置在數 個反射電極下方,各數個半導體切控元件是架構以供應信 號至數個反射電極的對應一個;第一遮光膜,用以覆蓋數 個半導體開關元件;及數個第二遮光膜,各配置以覆蓋在 數個反射電極的鄰接反射電極之間的間隔的至少一部份。 本ί氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) " -6 - 1282875 A7 _B7_ 五、發明説明(j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明的另一實施例中,一種液晶顯示裝置,包 含:第一基板;第二基板;以樹脂製成的間隔物,用於確 立在第一基板及第二基板之間的間隔;周圍框,以樹脂製 成且插入於第一基板及第二基板之間;液晶組件,塡充於 由第一基板、第二基板及周圍框包圍的空間;數個反射電 極,配置在其液晶層側上的第一基板的表面上;數個虛擬 電極,配置在數個反射電極與周圍框之間,各數個虛擬電 極是供應有虛擬電極信號;數個半導體開關元件,配置在 數個反射電極下方,各數個半導體切控元件是架構以供應 信號至數個反射電極的對應一個;第一遮光膜,用以覆蓋 數個半導體開關元件;及數個第二遮光膜,各配置以覆蓋 在數個反射電極的鄰接反射電極之間的間隔的至少一部份 圖式簡單說明 在附圖中,其中類似的參考號碼表示類似組件在所有 圖式中且其中: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 之液晶顯示元件的橫截面圖; 圖2A及2B是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置 的實施例之電控制雙折射模式的液晶顯示元件的解說圖; 圖3是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 之液晶顯示元件的平面圖; 圖4是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -7- 1282875 A7 B7 五、發明説明(g) 之液晶顯示元件的平面圖; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 A-5C是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的 實施例之液晶顯示元件的操作時序; 圖6A及6B是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置 的實施例之液晶顯示元件的操作之槪要等效電路,及圖 6C顯示液晶顯示元件的電極間之電壓的關係; 圖7是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 之液晶顯示元件的橫截面圖; 圖8是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 之液晶顯示元件的橫截面圖; 圖9是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 之液晶顯示元件的橫截面圖; 圖1 〇是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施 例之液晶顯示元件的平面圖; 圖1 1是用於說明依據本發明之液晶顯不裝置的實施 例之液晶顯示元件的平面圖; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2 A是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實 施例之液晶顯不兀件的終端部份的平面圖,及圖1 2 B是 延著圖12A的線XIIB-XIIB取得的液晶顯示元件的橫截 面圖; 圖1 3是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施 例之組裝液晶顯示元件的透視圖; 圖1 4是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施 例之液晶顯示元件的平面圖; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) '" --- -8- 1282875 A7 B7
五、發明説明(P 圖1 5是依據本發明之液晶顯示裝置的實施例的分解 透視圖; 圖1 6是依據本發明之液晶顯示裝置的實施例之平面 圖;及 圖1 7是圖1 6的液晶顯示裝置的橫截面圖。 ί要元件對照表 SOG 玻璃上旋轉技術 TEOS 四乙基矽酸鹽 CMP 化學機械拋光技術 SPTN 單極化器扭絞的向列模式 L 1 入射光L 1 L2 線性極光L2 L3 射出線性極化光L3 L4 射出光L4 L5 射出光L5 SE 視頻信號 SF 視頻信號 SD 黑色顯示信號
Vcom 電壓 5E 像素 1 驅動電路基板 2 透明基板 3 液晶合成物 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tx 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 間 隔 物 5 反 射 電 極 5 A 內 部 像 素 5B 最 外 像 素 5F 像 素 6 對 電 極 7 定 向 膜 8 定 向 膜 9 極 化 光 束 分 裂 器 10 虛 擬 像 素 10D 虛 擬 像 素 11 周 圍框 12 密 封 構 件 13 終 端 機 14 虛 擬 圖 案 20 里 / \\\ 色 陣 列 21 濾 色 器 30 主 動 元 件 34 源 極 區 35 吸 極 區 36 閘 極 3 8 絕 緣 膜 39 場 氧 化 物 膜 4 1 第 — 層 間 絕 緣 膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -10- 1282875 A7 B7 五、發明説明(g) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42 第 —* 傳 導 膜 42CH 接 觸 孔 43 第 二 層 間 絕 緣 膜 44 第 一 遮 光 膜 44B 金 屬 膜 45 第 二 層 間 絕 緣 膜 46 第 二 遮 光 膜 47 第 四 層 間 絕 緣 膜 48 第 二 傳 導 膜 49 開 □ 5 1 視 頻 信 號 線 52 掃 瞄 信 號 線 53 第 — 電 容 器 54 第 二 電 容 器 61 緩 衝 構 件 62 熱 輻 射 板 63 模 製 殼 65 遮 光 板 66 遮 光 框 80 撓 性 印 刷 電 路 板 8 1 對 電 極 終 端 機 82 連 接 部 份 100 液 晶 顯 示 元 件 101 驅 動 電 路 基 板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 1282875 A7 B7 五、發明説明(g) 10 2 液晶合成物 103 透明基板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200 液晶顯示裝置 較佳實施例詳細說明 依據本發明的實施例,現將藉由參考圖式而詳細說明 〇 圖1是用於說明依據本發明之液晶顯示裝置的實施例 之液晶顯示元件的橫截面圖。 於圖1中,參考號碼1 00代表液晶顯示元件,1是驅 動電路基板,2是透明基板,3是液晶合成物,4是間隔 物。間隔物4建立固定的晶胞間隙d在驅動電路基板1與 透明基板2之間,其夾住液晶合成物3。參考號碼5代表 反射電極,形成在驅動電路基板1上,6是對電極,用於 與反射電極5配合施加電壓跨過液晶合成物3,7及8是 定向膜,用於定向液晶合成物3的液晶分子於指定方向中 ’及3 0是主動元件,用於施加電壓至反射電極5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考號碼3 4代表源極區,3 5是吸極區,3 6是閘極, 3 8是絕緣膜,3 9是場氧化物膜,用於電晶體的相互電絕 緣’ 4 1是第一層間絕緣膜,42是作爲吸極信號線的第一 傳導膜,43是第二層間絕緣膜,44是第一遮光膜,45是 第三層間絕緣膜,46是第二遮光膜,47是第四層間絕緣 膜’及4 8是形成反射電極5的第二傳導膜。 傳導膜42是以鋁製成。第二層間絕緣膜43使第一傳 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 1282875 A7 B7____ 五、發明説明() 10 導膜42與第一遮光膜44絕緣。第二層間絕緣膜43是包 含平面化膜用於在驅動電路基板1上之結構所產生之扁平 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 化步驟,且覆蓋平面化膜的絕緣膜,平面化膜是利用
S Ο G (玻璃上旋轉)技術而塗覆,且絕緣膜是利用TEO S (四乙基矽酸鹽)的反應氣體以CVD技術所形成之Si02 製成。第二層間絕緣膜43是藉由利用CMP (化學機械拋 光)技術拋光而平面化,在第二層間絕緣膜4 3澱積之後 〇 第一遮光膜44是形成在平面化的第二層間絕緣膜43 上,且它們是以鋁製成如同第一傳導膜42。 第三層間絕緣膜4 5及第四層間絕緣膜47是如同第二 層間絕緣膜43的相同材料製成,且它們分別是藉由利用 CMP技術在第三及第四層間絕緣膜45、47的澱積之後拋 光而平面化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第二遮光膜46及反射電極5如同第一傳導膜42是以 銘製成。第三層間絕緣膜4 5是利用用於獲得靜電電容之 電介質膜如於後說明,且它們厚度較佳地於150nm至450 nm的範圍內,更佳地是約3 00nm,考慮到它們耐電壓及 增加它們的靜電電容,當減少它們的厚度時。 首先,將說明反射型液晶顯示元件,且主動元件3 0 及第一及第二遮光膜44、46將於後說明。 於此實施例之液晶顯示元件是反射型。投射至液晶顯 示元件1 00之光自透明基板2 (於圖1的頂端)進入,然 後通過液晶合成物然後藉由反射電極5反射回去,然 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公釐)' ~ -13- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 11 後再次通過液晶合成物3,然後通過透明基板2且離開液 晶顯示元件1 〇 〇。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在反射型的液晶顯示元件中,當反射電極5是配置在 驅動電路基板1的表面上時,在其液晶合成物3側上,諸 如矽基板之不透明基板可使用作爲驅動電路基板1。此結 構具有主動元件3 0及線路可配置在反射電極5的之方的 優點,藉此反射電極5的區域可被增加,且因此,較高鏡 孔比可被實現。而且此結構具有藉由投射至液晶顯示元件 1〇〇之光自驅動電路基板1的背表面而產生的輻射熱的優 點。 次者,利用電控制雙折射模式之液晶顯示元件的操作 將被說明。藉由極化器的線性極化之光進入液晶顯示元件 1 00。當電壓是施加至反射電極5及對電極6之間時,液 晶合成物3的液晶分子的定向是由於它們電介値各向異性 而改變,且結果液晶合成物3的層的雙折射被改變。此電 控制雙折射模式藉由轉換雙折射的改變成爲光傳輸的改變 而產生影像。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 次者,信號極化器扭絞的向列(SPTN )模式,其是 一種類型的電控制雙折射模式,將藉由參考圖2A及2B 而說明。 參考號碼9代表極化光束分裂器,其自光源(未顯示 )將入射光L1分成兩個極化光,及兩個極化光中的線性 極光L2。 於圖2A及2B中,已通過極化光束分裂器9的光, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 12 其爲p極化光,是進入液晶顯示元件1 0 0中,然而替代地 ’由極化光束分裂器9反射的光,其爲s極話光,可進入 液晶顯示元件1〇〇中。 液晶合成物1 〇 3是具有正電介値各向異性的向列的液 晶材料。液晶分子的縱軸是大約定向平行於驅動電路基板 1及透明基板2(見圖1)的主要表面中,且液晶分子是 藉由定向膜7、8 (見圖1 )而扭絞跨過液晶層。進入液晶 顯示元件100的光線性極光L2是藉由液晶合成物3的雙 折射而轉換成橢圓形極化光,然後變成大約圓形極化光在 反射電極5上。光再次藉由反射電極5反射通過液晶合成 物3,藉此再次變成橢圓形極化光,且然後當其離開液晶 顯示元件1 〇〇時,線性極化光再次返回。射出線性極化光 L3是s極化光,其具有相對於入射光線性極光L2角度旋 轉90度角的極化方向,再次進入極化光束分裂器9,且 然後是藉由極化光束分裂器9的內介面反射以變成射出光 L4,其依序投射至螢幕或類似物上以產生顯示。此架構 是所謂的正常白色(正常開啓)型,此型發光,當電壓並 未作用穿過液晶合成物3的層時。 圖2B解說電壓是作用穿過液晶合成物3的層的例子 。當電場是作用穿過液晶合成物1 〇3的層時,液晶分子對 準電場的方向,因此,液晶分子的雙折射並未出現。結果 ,進入液晶顯示元件1 〇〇的線性極光L2是由反射電極5 而反射無需經歷改變,然後射出自液晶顯示元件1 00的光 L5具有如線性極光L2之相同極化方向。射出光L5通過 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 1282875 A7 A7 B7 五、發明説明() 13 極化光束分裂器9,且回到光源中,使得無光投射至螢幕 上,且提供後顯示在螢幕上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於單極化器扭絞的向列模式中,液晶分子的取向方向 是與基板的主要表面而平行,取向此液晶分子的普通方法 可被利用,且其製造過程是高度穩定。此正常白色模式操 作是預防缺陷顯示的發生在低電壓位準中。理由爲,在正 常白色模式中,當高電壓是作用穿過液晶層時暗位準(黑 顯示)被提供,且於此狀態下,幾乎所有的液晶分子導向 於電場方向,其是垂直至基板的主要表面,且因此,暗位 準的顯示並未非常依具有作用至其上的低電場的液晶分子 之最初取向條件而定。 人的眼睛依亮度的比率感知亮度的非均勻性而定,是 對暗位準的變化敏感。 因爲以上理由,正常白色模式具有相關於防止由液晶 分子的最初取向條件造成之亮度的非均勻性之優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電控制雙折射模式需要高度精確晶胞間隙於液晶顯示 元件的基板之間。電控制雙折射模式利用於正常射線與異 常射線之間的向差,當它們通過液晶層時造成此相差,且 因此穿過液晶層的光傳輸強度依在正常與異常射線之間的 延遲Δη. d而定,其中Δη是雙折射而d是由在透明基板 與驅動電路基板1之間的間隔物4所建立之晶胞間隙(見 圖1 )。 於反射型液晶顯示元件中,進入液晶層的光是由反射 電極所反射,然後再次通過液晶層,因此,如果反射型液 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(210x297公釐) -16- 1282875 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明説明() 14 晶顯示元件使用具有如使用於傳輸型液晶顯示元件的液晶 合成物的相同雙折射之液晶合成物,反射型液晶顯示元件 的晶胞間隙需要是傳輸型液晶顯示元件的一半。通常,傳 輸型液晶顯示元件的晶胞間隙是於約5微米至約6微米的 範圍,且此實施例中的晶胞間隙是選擇約爲2微米。 在此實施例中,爲確定高準確性的晶胞間隙及小於習 知液晶顯示元件的晶胞間隙,柱狀間隔物是架構在驅動電 路基板1上以代替使用珠形分配方法。 圖3是用於說明配置在驅動電路基板丨上的反射電極 5及間隔物4之液晶顯示元件的簡單平面圖。大量的間隔 物4是以陣列的方式配置在驅動電路基板1的整個區域上 ,用於建立在透明基板2及驅動電路基板1之均勻間隔。 各反射電極5界定作爲由液晶顯示元件所形成的最小圖像 兀件之像素。爲了簡化起見’圖3解說五行乘四列的像素 的陣列,最外的行與列中之像素是以參考數字5 B表示, 最外的行與列內的像素以參考數字5 A表示。 於圖3中’五行乘四列的像素的陣列形成顯示區域, 其中顯不器是以液晶顯不兀件形成。虛擬像素1 〇是配置 的顯示區域附近’以如間隔物4的相同材料製成之周圍框 1 1是配置的虛擬像素1 0附近’且密封構件1 2是塗覆在 驅動電路基板1上的周圍框1 1附近。參考號碼1 3代表外 接用之終端機’其是用來供應外來信號至液晶顯示元件 1 00 中。 間隔物4及周圍框11是以樹脂材料形成。液晶合成 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 15 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 物3是放置在驅動電路基板1及透明基板2之間,然後被 限制於由周圍框1 1包圍的區域內在組裝液晶顯示元件 1〇〇之後(見圖1 )。密封構件12是塗覆在驅動電路基板 1 0 1上之周圍框1 1附近以密封液晶合成物3於液晶顯示 元件1 0 0中。間隔物4及周圍框1 1可以諸如由J S R公司 (曰本東京案)的工廠的化學放大負光致抗蝕劑”BPR-1 1 3 ”(商品名稱)之樹脂材料製成。此光致抗蝕劑材料是 以旋轉塗覆方法而塗覆在具有反射電極5形成於其上之驅 動電路基板1上,然後是經由具有形成間隔物4的圖案之 遮罩及周圍框1 1而曝露,且然後是藉由去膜劑顯影以形 成間隔物4及周圍框1 1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 密封構件1 2用來一起固定驅動電路基板1及透明基 板2,且亦用來防止對準液晶合成物3有害的材料免於滲 透於其中。當流體密封構件1 2被應用時,周圍框1 1作爲 對密封構件1 2讀止動件。周圍框1 1作爲對準密封構件 1 2的止動件的配置使其可能準確於液晶合成物3的區域 邊緣,及密封構件1 2的區域邊緣,且藉此,最小化諸如 虛擬像素之需要的惰性區及無助於顯示的產生之密封區域 ,且減小液晶顯示元件的尺寸。此結構提供設計上的寬緯 線,且因此,使在液晶顯示元件1 〇〇的顯示區域及周圍側 之間的區域減小成爲可能,亦即,顯示區域附近的周圍邊 緣的減小。 虛擬像素是配置在周圍框1 1及顯示區域之間,用以 使由最外像素5B產生的顯示的品質等於由配置於最外像 本紙張尺度適用¥國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 16 素5B內側的像素5 a所產生的顯示的品質。無助於顯示 的產生的虛擬像素,然而在結構上是類似於顯示區域中的 像素是配置在環繞顯示區域的周圍區域的虛擬像素,以防 止由結構不連續性造成在顯示區域及環繞顯示區域的周圍 區域之間的邊緣之缺陷區域。 虛擬像素亦意圖防止缺陷區域的發生於所謂的點反轉 驅動,其中鄰接像素已相互施加相反極性的驅動電壓,且 極性是周期性地反轉。 配置於最外像素5B外側的像素5A以下將稱爲內部 像素5 A。藉由參考圖4,將說明虛擬像素的目的。內部 像素5 A具有相互鄰接的像素,且因此當利用行反轉、線 反轉或點反轉驅動方法時,無用電場是產生在鄰接的內部 像素5 A之間。另一方面,劣化顯示品質並未產生在最外 像素5 B及內部像素5 A相反的側上的區域之間,當虛擬 像素1 〇並未提供,且因此,最外像素5B提供品質上佳 於由內部像素5 A提供的顯示之顯示。在某些像素的顯示 品質之間的差別產生於顯示中非均勻性。因此,虛擬像素 1 〇是利用點反轉驅動方法配置在液晶顯示元件中,且供 應以如同像素5A、5B的信號,使得由內部像素5 A提供 的顯示品質被作成等於由內部像素5A所提供的顯示品質 〇 在本實施例中,行反轉、線反轉或點反轉驅動方法並 未利用,因此顯示中的非均勻性問題並未出現,其發生於 行反轉、線反轉或點反轉驅動中。當本實施例的液晶顯示 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 17 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件是驅動在正常白色模式時問題出現,其中虛擬像素 1 〇顯現且降低顯不品質’如果無電壓是施加跨過液晶合 成物3的層時。可想而知,利用遮光邊緣保護虛擬像素 1 〇免於光的照射,而準確地定位遮光邊緣在顯示區域的 邊緣是困難的。有鑑於此,虛擬像素1 0是供應有此種電 壓以使其產生黑色顯示,使得其看起來如環繞顯示區域的 黑色邊緣。配置在周圍框1 1內側之虛擬像素1 0的寬度是 選擇均等於二或更多條線的正常像素。 圖4解說於周圍框的形式架構的虛擬像素1 0D,及虛 擬像素1 0D是供應有此種電壓以使其產生黑色顯示。當 虛擬像素1 0是成形如圖4所示之周圍框的形式之單電極 時’周圍框的形式之黑色顯示是比較上容易實現於顯示區 域附近。 然而,發現到,圖4所示之虛擬像素1 0產生缺陷顯 示在虛擬像素1 0及顯示區域之間的邊緣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當電場是跨過液晶合成物3的層於固定方向經一段長 時間時’液晶合成物3被劣化,且有鑑於此現象,所謂的 AC驅動方法是已知的,其反轉周期性地跨過液晶合成物 3的層之電場的極性。在此實施例中,利用框反轉驅動方 法’其在每一框時間反轉極性的信號於所有像素一次,亦 即,以兩倍的框時間。 於框反轉驅動方法中,相同極性的信號是寫入於一框 時間用像素的各別像素中。於圖4中,信號寫於顯示區域 中的有效像素是實施於自頂列至底列的掃瞄順序,將信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) a4規格(210X297公釐) -20- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 18 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 寫於虛擬像素10D是實施一次,因爲虛擬像素10E)是於 單電極的形式中。結果,某些有效像素壹施加相反於部份 周期中施加至虛擬像素1 0D的信號之極性的信號至其上 ’依其被掃瞄的周期時間而定,且因此,在虛擬像素1 0D 及與其鄰接的有效像素之間的有效橫向電場變成非均勻的 ’依有效像素的位置而定。現在將利用產生黑色顯示在整 個顯示區域上的例子說明此現象的典型實例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於圖4中,黑色顯示信號(高電壓,如果於正常白色 模式的例子中)是於一個框時間內連續地寫入於各別有效 像素於顯示區域中自上左角至下右角的位置。如果黑色顯 示信號是寫於虛擬像素1 0D同時黑色顯示信號是寫於位 於上左角的有效像素中,以兩者黑色顯示信號作用至具有 相同極性的虛擬像素1 0D及有效像素,橫向電場是產生 在位於顯示區域的下右角及大約整個框時間內的虛擬像素 1 0D之間,以及橫向電場是產生於最外有效像素及虛擬像 素1 0D之間,用於將信號寫於最外有效像素及虛擬像素 1 0D的時間之間的時間差別長度。在正常白色模式中,由 黑色顯示信號所產生的無用橫向電場產生局部白色部份於 黑色背景中,亦即,如果黑色顯示是意圖在整個顯示區域 之上,白色周圍框顯現在顯示區域及虛擬像素之間,且周 圍框的亮度變化於每一個位置。 圖5 A-5C解說框反轉驅動中的視頻信號的時序表, 以及寫入時間的差別將參考圖5A-5C之說明。於圖5B中 之信號SE代表寫入並儲存於圖4中第一列的像素5E之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -21 - 1282875 A7 B7 五、發明説明() 19 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 是視頻信號,於圖5 C中的信號SF代表供應至第四條線 的像素5F之視頻信號,信號SD代表虛擬像素10D中之 黑色顯示信號,以及於圖5 A - 5 C中之V c 〇 m代表作用至對 電極6的電壓(見圖1 )。爲助於瞭解,圖5A-5C解說黑 色顯示信號是作用至所有像素(全黑顯示)的例子。連續 地將視頻信號寫於像素中的順序是自圖4中所示實施例的 顯示區域的上佐角至下右角,且因此,首先黑色顯示信號 是連續地寫於.第一力中之像素,且然後黑色顯示視頻信號 是以如第一列的相同方式連續地寫於第二列至第四列的像 素。另一方面,將黑色顯示信號寫於虛擬像素1 0D是與 將信號寫於第一列中的像素5E同時實施。於第一框中的 視頻信號的極性相對於電壓Vcom是正極,而於第二框 中的視頻信號的極性相對於電壓Vcom是負極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •圖5 A-5C中,視頻信號SE是寫於像素5E當箭頭 AE1顯示時,然後是固定於像素5E直到箭頭AE2顯示時 。視頻信號是自頂列至底列一線接著一線寫於像素,因此 視頻信號SF是寫入於第四列中的像素5F當箭頭AE1顯 示時。寫入於像素5F的視頻信號SF的相位落後寫入於 虛擬像素1 0D的黑色顯示信號SD的相位大約一個框時間 。結果’黑色顯示信號SD及視頻信號SF是於極性上相 互相反大約一個框時間,因此無用電場是產生在像素5F 及虛擬像素1 0D之。無用電場改變液晶合成物3的分子 方向’使得局部有些白色部份以正常白色模式顯現於黑色 顯示,導致非均勻性顯示。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(21〇χ297公羞) -22 - 1282875 A7 B7 五、發明説明() 20 以上說明已完成藉由參考於第四列的像素5F ,然而 第二與第三列的像素是以相對於作用至虛擬像素1 0D的 電壓的相反極性的電壓而突顯,因此,類似的顯示非均勻 性是由第二與第三列的像素產生,然而非均勻性的程度變 化依用於各別像素是以相對於作用至虛擬像素10D的電 壓的相反極性電壓而突顯之時間的長度而定。 再次回到圖3中,本發明的實施例將更進一步說明。 爲防止由參考圖4所述的虛擬像素1 0D的結構造成之非 均勻性發生,本實施例利用設有數個虛擬像素的結構,使 得鄰接列的虛擬像素是相互分開如圖3所示。黑色顯示信 號是寫於各虛擬像素1 〇中,同時將信號寫於對應列中的 有效像素。也就是說,用於各列的有效像素之各虛擬像素 1 〇接收如寫入對應列的像素的信號之相同極性的信號, 且因此,無用電場的發生可被防止,且顯示的非均勻性可 被降低。 再者,圖3所示之虛擬像素1 0相較於有效像素5 A 及5B是橫向拉長。液晶顯示元件100是配置有遮光框, 用於阻檔來自除了顯示區域之外的照明部份之無用光如下 所述。虛擬像素1 〇的橫向拉長提供對於液晶顯示元件 1 00中的遮光框的定位準確度之較大容許度。 以下說明用於改變相對於對電極6的反射電極5的電 壓,其利用形成在圖1所示結構之第一與第二遮光膜44 、46之間的電容器施加電壓至第一遮光膜44,參考圖 6A-6C。圖6A及6B是解說單像素用之等效電路,其中爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 21 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 清潔起見主動元件3 0是以開關表示。參考號碼52代表用 於供應使主動元件3 0開或關的信號之掃瞄信號線,而5 1 是用於供應將寫入像素的視頻信號之視頻信號線。如圖 6A及6B所示,反射電極5及對電極6形成第一電容器 53,而第一遮光膜44及第二遮光膜46形成第二電容器 54。爲簡化起見,其它寄生電容被忽略,而第一電容器 53及第二電容器54的電容是分別地以CL及CC表示。 如圖6A及6C所示,作爲第二電容器54的一個電極 之第一遮光膜44是供應有來自某些外接電源的電壓VI。 當主動元件3 0是由掃瞄信號開啓時,視頻信號V2是供 應至反射電極5及第二遮光膜46中。 然後,如圖6B及6C所示,當主動元件30是關閉時 ,作用至第一遮光膜44的電壓是自電壓VI改變成電壓 V3。結果,反射電極5及第二遮光膜46的電壓變成乂2-CC/ ( CL + CC ) X ( V1-V3 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用變化反射電極5的電壓的上述方法,負極性的電 壓是由作用至第一遮光膜44的電壓所產生,同時反射電 極5在供應例如正電極的電壓之後,用於產生負極性的電 壓的此種方法消除供應負極性的電壓的需要,且已習知供 應正與負極性兩者的信號的周邊電路可架構以供應僅正與 負極性中的一個的信號,使低電壓周邊電路成爲可能,且 因此使利用低電壓定額組件形成周邊電路成爲可能。 次者,第一及第二遮光膜44、46將參考圖7_10說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -24- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 22 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如圖7所示,反射電極5是以特定間隙於其間相互隔 開以界定各別像素。光通過這些間隙,然後進入主動元件 30的半導體層,且藉由光電轉換產生電荷(光載體)。 部份的光載體流入源區,改變已寫入並儲存於反射電極5 的視頻信號,這是所謂的光漏問題。 當來自光源的光的強度是小時,大部份的光是由具有 反射光及遮蔽在反射電極5下面的電路免於光照射的功會g 之反射電極5而反射,且因此,通過此間隙的光不會造成 問題。 然而,在液晶投影機中,來自光源的強光照亮液晶顯 示元件1 〇〇以增加液晶投影機的亮度。亦有一種傾向就是 ,液晶顯示元件的顯示區域隨著液晶顯示元件的尺寸減小 而減小,當液晶投影機的尺寸減小時,結果,液晶顯示元 件的顯示區域上的照明強度更進一步降低。結果,光漏不 可能藉由反射電極5 (48)而防止,且因此需要利用遮光 膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當濾色器2 1是配置在透明基板2上時如圖7所示, 以遮光膜製成的黑色陣列20可被形成在濾色器2 1之間。 黑色陣列20是形成以包圍各像素,且這意指黑色陣列2〇 是成形以阻檔光免於照射在反射電極5 ( 48 )的間隙之間 。因此,黑色陣列20足夠用於習知液晶顯示元件中的遮 光。然而透明基板2是隔開驅動電路基板1,且因此,由 斜角進入的光所造成的光漏不可能被疏忽,當入射光的強 度增大時。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 23 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在液晶投影機中,有一種顏色分裂與重組是實施於液 晶顯示元件的外側的類型,且此類型的液晶顯示元件不會 結合濾色器於其上,因爲這是不經濟的,考慮到僅爲了遮 光的目的而架構黑色陣列20在透明基板2上之製造步驟 。再者,於反射液晶顯示元件中的黑色陣列20的利用造 成減小隙孔比的問題。 作爲上述問題的解決方法,於本發明的此實施例中, 遮光膜是由使用類似於液晶顯示元件中其它金屬層的架構 步驟之處理步驟而形成在驅動電路基板1上。圖8解說第 一遮光膜44是架構在驅動電路基板1上的結構。第一遮 光膜44可緊密地配置在半導體層,且阻檔斜角入射光。 各44可覆蓋對應像素的進入區域,將製作於第一遮光膜 44的開口是電連接至反射電極5的唯一接觸孔42CH,且 入射在半導體層的光量是降低至非常小。 如上所述,液晶投影機在增加其亮度上已進步很多, 有甚至用於在室內照明條件下的液晶投影機之需求,且因 此,來自光源照明液晶顯示元件之光量已被增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明發現閃爍發生於顯示中,由於圖8的結構中之 增加光量造成的光漏。可想而知,藉由減小第一遮光膜 44中的開口尺寸以防止光漏的問題,藉此降低入射在半 導體層的光量,然而於此實施例中,第二遮光膜是配置在 反射電極5中的開口下方作爲其它選擇。 第一及第二遮光膜44、46是配置於圖1及9所示之 實施例中。於圖9中,在第二遮光膜4 6及第一傳導膜4 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 24 之間具有一種結構,其中形成第二遮光膜46及以如第一 遮光膜44的相同材料的金屬膜44B製成相互疊置,然而 第二遮光膜46可直接連接至第一傳導膜42。 圖1〇是反射電極5及第二遮光膜46的配置的簡單平 ® ® ’觀察自爲清楚而省略取向膜之液晶層側。如圖1 〇 所示’第二遮光膜46是配置在觀察自液晶層側的反射電 ® 5下方,光僅通過由都不是反射電極5及第二遮光膜 46遮蓋之曝露部份49,因此,經由反射電極5中的開口 入射在半導體層上之光量大量地減少。各別地第二遮光膜 46的尺寸是以大約等於各別地反射電極5的尺寸製成, 因此第二遮光膜46能夠遮蓋於反射電極5P中的開口 5P 的大部份區域。作爲單獨的反射電極5的尺寸實施,一個 反射電極5是約8微米高且約8微米寬,及鄰接反射電極 5之間的間隙是0.5微米。 各反射電極5是供應有與像素中對應的一個結合的視 頻信號,其獨立於與其它像素結合其它反射電極5,且因 此鄰接反射電極5是藉由電絕緣用的開口 5 P相互分開。 各第二遮光膜46亦是供應有與像素中對應的一個結合的 視頻信號,其獨立於其它的第二遮光膜46中,如同反射 電極5,且因此鄰接第二遮光膜46是藉由開口 46P而相 互分開。 光可通過用於電絕緣的開口 5P及46P。於反射電極 5中的開口 5P是被第二遮光膜46堵塞,使得光不會直接 進入半導體層,且於第二遮光膜46中之開口 46P是藉由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 25 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 反射電極5而堵塞,使得光不會直接進入開口 46。以此 方式,反射電極5及第二遮光膜46中的一個的開口是被 反射電極5及第二遮光膜46的另一個堵塞,以加強遮光 效應。 然而,開口 5P不會被第二遮光膜46與開口 5P的直 接接觸堵塞。層間絕緣膜47是配置在反射電極5及第二 遮光膜46之間以使其相互絕緣,因此,光可傳播於第四 層間絕緣膜47中。有鑑於此,第一遮光膜44是提供以更 進一步防止光進入半導體層。光可僅經由開口 49進入半 導體層,且因此入射在半導體層上之光量受限,然而配置 第一遮光膜44可更確實防止光進入半導體層。將形成於 各第一遮光膜44的開口是用於各像素的接觸孔42CH。第 一遮光膜44另阻塞造成光漏的開口 49,此光漏甚至藉由 第二遮光膜46的配置亦不能被消除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖1 1所示,造成光漏的開口 49可藉由絕緣材料直 接地阻塞。例如,遮光膜可利用如間隔物4的相同樹脂材 料形成在光漏開口 49上。於圖1 1中,間隔物4是配置在 開口 49上。再者,於反射電極5中的開口 5P可藉由遮 光樹脂膜而阻塞。 如上所述,電容器可形成在第一及第二遮光膜44、 46之間。第二遮光膜46是供應有如寫於反射電極5的相 同視頻信號,且因此電容器可使用作爲儲存電容當固定電 壓是作用至第一遮光膜44時。供應有視頻信號的第二遮 光膜46亦作用如第二反射電極。如圖1 0所示,第二遮光 本紙張尺度適用+國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) -28- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 26 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜46是曝露於鄰接反射電極5之間的開口 5P中,因此 第二遮光膜46可經由第四層間絕緣膜47及定向膜7 (見 圖1 )施加電場至液晶合成物3。第二遮光膜46是以如反 射電極5的相同方式AC驅動,因此於開口 5P附近的液 晶合成物3可藉由第二遮光膜4 6突顯出其極性周期性反 轉的電壓,因此施加固定方向的電場亦即DC電場至開口 5P附近的液晶合成物3被防止。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 次者,將藉由參考圖1 2A及1 2B說明形成用於使晶 片內的圖案密度均勻之虛擬圖案。圖12A及12B解說形 成於外部終端機1 3附近的虛擬圖案1 4。除了外部終端機 1 3配置在驅動電路基板1上的鄰接外部終端機之間之外 沒有其它結構,爲了防止連接外部終端機1 3至外部電路 ,且因此,配置有外部終端機1 3的區域的圖案密度通常 是低於驅動電路基板1的剩餘區域的圖案密度。於化學機 械拋光中,拋光量依將拋光表面的不平結構(圖案密度)的 密度而定,且拋光表面的平面度是由於不平度而下降。藉 由配置虛擬圖案1 4於低圖案密度的外部終端機1 3附近區 域,外部終端機附近區域的圖案密度是製作均勻,因此, 其後的化學機械拋光使具有均勻平坦表面的薄膜成爲可能 〇 圖1 2B是驅動電路基板1延著圖1 2A的直線XIIB-XIIB取得的橫截面圖。外部終端機包含第一傳導膜42、 第一遮光膜44,第二遮光膜46及反射電極5的重疊層。 爲增大連接部份的傳導膜的厚度,連接部份的傳導膜包含 本紙張尺度適财國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董) '— -29 - 1282875 A7 B7 五、發明説明() 27 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一遮光膜44第二遮光膜46及反射電極5的三個重疊層 。配置於驅動電路內之信號線製成第一傳導膜4 2,且因 此,第一遮光膜44及第一傳導膜42是經由使層間絕緣膜 的接觸孔連接一起。 圖1 3是與透明基板2重疊的驅動電路基板1的透視 圖。周圍框1 1是形成在驅動電路基板1的周圍,且液晶 合成物1 03是受限於由周圍框1 1、驅動電路基板1及透. 明基板2圍繞的空間。密封構件12是塗覆於重疊的驅動 電路基板1及透明基板2之間的周圍框1 1外側附近。驅 動電路基板1及透明基板2是藉由密封構件1 2固定一起 以形成液晶顯示元件(液晶顯示面板)1 00。 次者,如圖1 4所示,撓性印刷電路板80是連接至外 部終端機用於供應外部信號給液晶顯示元件1 00。在撓性 印刷電路板8 0的一端上之兩者最外終端是比剩餘終端更 長,以形成連接至形成在透明基板2上的對電極6的對電 極終端機8 1。以此方式,撓性印刷電路板8 0是連接至驅 動電路基板1及透明基板2兩者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,撓性印刷電路板是連接至配置在驅動電路基板 1上之外部終端機,因此自撓性印刷電路板至對電極6的 電路是經由驅動電路基板1製作。 於本發明的實施例中的透明基板2是配置有連接至撓 性印刷電路板8 0的連接部份8 2,使得撓性印刷電路板8 0 是直接連接至對電極6。液晶顯示元件1 〇〇是藉由重疊透 明基板1 02在驅動電路基板1 〇 1上而形成。透明基板2是 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A#!# ( 210X297公釐) 一 -30- 1282875 A7 B7 五、發明説明() 28 重疊在驅動電路基板1上,使得透明基板2的周圍部份延 伸超過驅動電路基板1的外側邊緣,且提供其中撓性印刷 電路板80是連接至對電極6之連接部份82。 圖15、16及17解說液晶顯示裝置200的架構。圖 15是液晶顯示裝置200的主要元件的透視分解圖,圖16 是液晶顯示裝置200的平面圖,以及圖17是圖16的液晶 顯示裝置的橫截面圖。於圖1 7中,各別組件的厚度是爲 清楚起見而加大。 如圖1 5所示,具有撓性印刷電路板80連接至其上之 液晶顯示面板1 〇〇是配置在具有緩衝構件6 1插入其間的 熱輻射板62上。緩衝構件6 1是高度導熱性,且塡充在熱 輻射板62及液晶顯示面板1 00之間的間隙中,爲使熱容 易自液晶顯示面板100傳導至熱輻射板62中。參考號碼 63代表模製殼,其是以黏著劑固定至熱輻射板62。 如圖1 7所示,撓性印刷電路板80是通過在模製殼 63及熱輻射板62之間,然後自模製殻63取出。參考號 碼65代表遮光板,其防止來自光源的光進入液晶顯示裝 置200的不需用部份,且66是遮光框,其是以玻璃板製 成且界定液晶顯示裝置200的顯示區域。 如上所述,本發明能夠實現有助於液晶投影機減小尺 寸之反射液晶顯示裝置,且增加其解析度與亮度。再者, 本發明實現高顯示品質的反射液晶顯示裝置,且本發明實 現高顯示品質的液晶顯示裝置及利用其防止無入射光發生 於液晶顯示元件的液晶投影機。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 -
Claims (1)
1282875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1. 一種液晶顯示裝置,包含: 第一基板; (請先閱·«背面之注意事項再填寫本頁) 第—^基板; 液晶層,夾在該第一基板及該第二基板之間; 數個反射電極,配置在其液晶層側上的該第一基板的 表面上, 對電極,配置在其液晶層側上的該第二基板的表面上 , 各該數個反射電極適於供應有視頻信號;及 數個第二遮光膜,配置在該數個反射電極,具有絕緣 層插入在該數個第二遮光膜及該數個反射電極之間, 第一遮光膜,配置在該數個第二遮光膜底下且被形成 以覆蓋介於該數個第二遮光膜之間的間隔; 各該數個第二遮光膜電連接至該數個反射電極中的對 應一個, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 各該數個第二遮光膜是配置以覆蓋在該數個反射電極 中的該對應一個及鄰接至該數個反射電極中的該對應一個 之該數個反射電極的幾個之間的間隔的至少一部份, 其中各該數個第二遮光膜與該第一遮光膜形成一電容 ,且供應至各該數個第二遮光膜之該視頻信號的極性係於 特定時間間隔上相對於一供應至該對電極上之電壓而被反 轉。 2. —種液晶顯示裝置,包含: 驅動電路基板; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -32- 1282875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 透明基板; (請先閱·#背面之注意事項再填寫本頁) 液晶層,夾在該驅動電路基板及該透明基板之間; 數個反射電極,配置在其液晶層側上的該驅動電路基 板的表面上; 對電極,配置在其液晶層側上的該透明基板的表面上 j 數個半導體開關元件,配置在該數個反射電極下方, 各該數個半導體開關元件是架構以供應視頻信號至該數個 反射電極中的對應一個; 第一遮光膜,用以覆蓋該數個半導體開關元件;及 數個第二遮光膜,各配置以覆蓋在該數個反射電極的 鄰接反射電極之間的間隔的至少一部份, 各該數個第二遮光膜電連接至該數個反射電極中的對 應一個, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中各該數個第二遮光膜與該第一遮光膜形成一電容 ,且供應至各該數個個別電極之該視頻信號的極性係藉由 改變一供應至該第一遮光膜之電壓而相對於一供應至該對 電極上之電壓被反轉。 3 . —^種液晶顯不裝置’包含· 第一基板; 第二基板; 以樹脂製成的間隔物,用於建立在該第一基板及該第 二基板之間的間隔; 周圍框,以該樹脂製成且插入於該第一基板及該第二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -33 - 1282875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 基板之間; (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 液晶組件,塡充於由該第一基板、該第二基板及該周 圍框包圍的空間; 數個反射電極,配置在其液晶層側上的該第一基板的 表面上; 數個虛擬電極,配置在該數個反射電極與該周圍框之 間,各該數個虛擬電極是供應有虛擬電極信號; 數個半導體開關元件,配置在該數個反射電極下方, 各該數個半導體切控元件是架構以供應信號至該數個反射 電極中的對應一個; 第一遮光膜,用以覆蓋該數個半導體開關元件;及 數個第二遮光膜,各配置以覆蓋在該數個反射電極的 鄰接反射電極之間的間隔的至少一部份。 4.如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置,其中該 虛擬電極信號使得該虛擬電極提供黑色顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置,其中施 加至該數個虛擬電極中的一個之虛擬電極信號的極性是與 施加至鄰接該數個虛擬電極的該一個之該數個反射電極中 的一個的信號同步反轉。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -34-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000226182A JP3823016B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI282875B true TWI282875B (en) | 2007-06-21 |
Family
ID=18719841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090116284A TWI282875B (en) | 2000-07-21 | 2001-07-03 | Reflective type liquid crystal display device |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6784956B2 (zh) |
| EP (1) | EP1174757B1 (zh) |
| JP (1) | JP3823016B2 (zh) |
| KR (1) | KR100424601B1 (zh) |
| CN (1) | CN1154009C (zh) |
| DE (1) | DE60140337D1 (zh) |
| TW (1) | TWI282875B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TWI633654B (zh) * | 2012-05-15 | 2018-08-21 | 日商精工愛普生股份有限公司 | 光電裝置及附光電裝置之電子機器 |
| US10274803B2 (en) | 2010-07-01 | 2019-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric field driving display device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4544809B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2010-09-15 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2003207794A (ja) | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Sanyo Electric Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置 |
| JP4197233B2 (ja) | 2002-03-20 | 2008-12-17 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| CN2563599Y (zh) * | 2002-05-14 | 2003-07-30 | 邵剑心 | 一种新型硅基液晶彩色微显示器件 |
| TWI314656B (zh) * | 2002-05-23 | 2009-09-11 | Hannstar Display Corp | |
| JP4047078B2 (ja) * | 2002-06-17 | 2008-02-13 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100925455B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2009-11-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
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| US6784956B2 (en) | 2004-08-31 |
| JP3823016B2 (ja) | 2006-09-20 |
| JP2002040482A (ja) | 2002-02-06 |
| KR100424601B1 (ko) | 2004-04-03 |
| US20020008800A1 (en) | 2002-01-24 |
| EP1174757A3 (en) | 2004-03-31 |
| CN1334477A (zh) | 2002-02-06 |
| EP1174757A2 (en) | 2002-01-23 |
| DE60140337D1 (de) | 2009-12-17 |
| KR20020008770A (ko) | 2002-01-31 |
| EP1174757B1 (en) | 2009-11-04 |
| CN1154009C (zh) | 2004-06-16 |
| US6952246B2 (en) | 2005-10-04 |
| US20040263711A1 (en) | 2004-12-30 |
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