TWI282567B - Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

1282567 ^九、發明說明： •【發明所屬之技術領域】 抑〃本發明係有關固體電解電容器及其製造方法，該電容 •二仏具有電容器元件，為由：於具有閥作用之金屬的表面 • 、y成有氧化被膜之陽極、設有具備閥作用的金屬之陰極、 以及設f於前述兩極間之隔件(separat〇r)捲繞形成者，並 -f ’於則述兩極間介設固體電解質，_，於前述陽極固 疋有於表面形成有氧化被膜之陽極用導線接頭（lad hb) 參端子，且於前述陰極固定有陰極用導線接頭端子之結構者。 【先前技術】 利用如钽或鋁等之具有閥作用之金屬之電解電容哭， 因為小型且可獲得到大的電容，故廣泛為一般所使用y尤 其，電解電容器之中，將聚D比，各（polypyrrole)系、聚嚷吩 (^polythiophene)系、聚苯胺（p〇lyaniUne)系等之導 ^ 性 高分子或TCNQ(四氰基對亞甲基苯醌）錯鹽使用於電解質 ⑩之固體電解電容器受到注目。 、 在此’前述固體電解電容器係如以下之方式所製造（彖 考下列專利文獻1)。 、夕 首先，分別將施行過化成處理之陽極用導線接頭端子 固定在進行鞋刻處理、化成處理後之銘落所構成之陽極， 以及將陰極用導線接頭端子固定在陰極之後，隔以隔離 紙，將前述陽極與陰極纏繞成圓筒狀而形成電容器元件， 並進行該電容器元件之切口化成與熱處理。接著，將前述 電容器元件浸潰在含有氧化劑與單體之溶液之後，藉由使 317529 5 1282567 : 其熱聚合，使導電性高分子層（固體電解質層）形成在電容 Γ 器元件之兩極間。接著，將電容器元件收納固定於鋁殼後， 密封銘殼之開口部，並進行時效（ag i ng)處理。最後，於電 容器之捲曲（curl)面插入座板，且將電容器之導線進行沖 壓加工、折曲而製造電極端子，藉此完成固體電解電容器。 —[專利文獻1]日本特開平6-310381號公報 - 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] ❿ 在此，於前述固體電解電容器中，高耐壓品之要求、 需求於市場正逐漸高漲，但固體電解電容器與電解液型之 電解電容器相比較，有漏洩電流（LC)之自行修復功能不足 (較差）之課題。為使上述固體電解電容器高耐壓化，必須 事先將陽極箔之電介質氧化被膜之耐電壓提高（換句話 說，即提高陽極箔之化成（forming)處理電壓）。並且依同 樣的理由，於製造步驟中，必須於陽極箔之切口部分再度 進行化成處理。此外，切口部分之化成係為固體電解電容 ®器特有之處理，並非限定於高耐壓化之情況而進行者。 通常，於製造步驟中所進行之切口化成之化成處理電 壓，係以與陽極箔之化成處理電壓相同之電壓進行，但若 切口化成之化成處理電壓超過200V(尤其為230V)，於使用 一般的陽極用導線接頭端子（化成處理電壓160V左右） 時，切口化成不穩定，陽極用導線接頭端子熔接部會大量 產生腐蝕等。結果，有固體電解電容器之LC特性不穩定之 課題產生。 6 317529 1282567 曰因此，本發明係為解決上述課題而研創者，其目的在 « 種藉由使切口化成穩定，並抑制陽極料線接頭端 子熔接部之腐蝕，而可使Lc特性穩定化之固體電 .及其製造方法。 口口 [用以解決課題之手段] 曰為了達成前述目的，本發明申請專利範圍第i項之發 明，係具有電容器元件，該電容器元件係由：於具有間作 屬的表面形成有氧化被膜之陽極；設有具備閥作用 i二之陰極；以及設置於前述兩極間之隔件捲繞形成 s，亚且，於前述兩極間介設固體電解質，同時，於前、求 μ於表面形成有氧化被膜之陽極用導線接頭= 固述陰極固定諸極科線制料之結構者的 二：=電谷：中，其特徵為：相對於前述陽極之氧化被 的比：二2述陽極用導線接頭端子之氧化被膜之厚度 的比卞係存在有75%以上、未滿100%之部份。 本卷明之發明人等發現，切口化成不穩定，以及陽極 用導線接頭端子炫接部腐飯 ^ , 瓸护工之原因，係在於陽極用導線接 太:：：ί理電屢，相對於切口化成之化成處理電塵 接頭”之心’因使用於固體電解電容器之陽極用導線 么員而子之化成處理電壓係為贿，故當切口 因：：Γ 化成，而使切口化成變為不穩定之同時， 陽極用導、動大電流於陽極用導線接頭端子，以致 用¥、，泉接頭端子之熔接部會腐蝕。 317529 7 1282567 - 因此，為使切口化成穩定化（使固體電解電容器高耐壓 -，）’陽極科線接頭端子係事先以陽減成之化成處理電 堡之75%以上之電壓，進行化成處理，亦#，相對於陽極 •之减被膜的厚度，限制陽極用導線接頭端子之氧化被膜 :Μ以上。藉此方式，切°化成之化成處 ，古％查（设定為與陽極之化成處理電壓同等之電壓）即使再 =子St切口化成穩定化之同時’因在陽極用導線接頭 “部:::電流’故可抑制陽極用導線接頭端子之炫 圍第1=範圍第2項之發明之特徵，係於申請專利範 明中’使用聚噻吩系L系、聚笨胺系 之…生尚分子或竭錯鹽’作為前述固體電解質。 苯胺解質，雖例示了聚噻吩系、料卜各系、聚 些。Η性高分子及_錯鹽，但本發明並不限於這 •圍第範圍第之發明之特徵，係於申請專利範 電解質。、|用聚嗥吩糸之導電性高分子作為前述固體 圍第項之發明之特徵’係於申請專利範 固弟1項至弟3項之發明中，陽極之氧化被膜之厚 X mu’錄前述陽極用導^、· 厚度中’係存在有Ux〜上、未被膜之 分。 木運& 5x 1〇 7m之部 若為上述構成，則可進一步發揮前述作用效果。 317529 8 1282567 .圍第二利5項之發明之特徵’係於申請專利範 ^ 别迷％極用導線接頭端子之氧化被膜之一部 刀$與則述陽極之氧化被膜同等的厚度。 方、、、、二化成處理之陽極用導線接頭端子中，在進行之後 2刀合1匕成日丁 ’因存在有與化成液接觸之部分，故在該部 ::W口化成時再度進行化成處理。因此，於該 二=極之氧化被膜之厚度為同等。但是，如此-來， ==接Γ子之一部分’即使於切口化成時再度進 化成陽極用導綠°上所边’由於切口化成之化成處理電壓與 、'、、接頭端+時之化成處理電壓之差異小 亦不會產生問題。 x 申月專矛J I巳圍第6項之發明之 =至第5項之發明令，額定電壓為聊=專利w 品。纟明係尤其適用於額定電屢在5GV以上之高耐壓 項之成=目的’本發明之申請專利範圍第7 右m 電解電容器之製造方法，係且備 猎由化成處理，於具有閥作 被膜，而製造陽搞夕门士 用之1屬的表面形成氧化 形成氧化被膜之第二:：陽極用導線接頭端子之表面 子固定於前述陽和mi:::述陽極用導線接頭端 呈偌七田 、农♦用^線接頭端子固定於执古 /、備閥作用之金屬的陰極之第2步驟 疋於:有 陰極及於兩極間所設置 、Θ处除極與珂述 之第3步驟；進行1十Λ件加以捲繞而製得電容器元件 進仃則述電容器元件之切口化成之第4步驟; 317529 9 1282567 刖述：谷器元件含有固體電解質之第5步驟，而其 二；.：前述第1步驟中’相對於製造陽極時之化成處 以之4造陽極用導線接頭端子時之化成處 -率’係限制在75%以上。 乳化被膜之厚度與化成處理電壓成比例，係為一般所 因此’若為此種方法，則可容易地製造申請專利範 圍第1項之電解電容器。 造陽:二卜導時之化成處理電壓之製 負而子0守之化成處理電壓之比率為未達 相對於製造陽極時之 端子時之化成處理電壓之比率在刪:上 二;=用：接頭端子之氧化被膜時之化成處理電 V-專斧丨二至陽極箱之氧化被膜的厚度之故。 申印專利乾圍第8項之發明 圍第7項之發明中，於义、+c 钿於甲明專利乾 从 則述弟5步驟，使單體浸滲於電容 熱聚Ϊ侧電解質含於電容心 項之電解電容器。貝1了更4地製造申請專利範圍第1 申明專利觀圍第9項之發明之特徵 圍=項或第8項之發明中，額定電μ在5〇ν2專利乾 品。I明係尤其適用於額定電遷在咖以上之高耐麼 申請專利範圍第1 0項之發明 園第9項之發明中，製造陽極時之化成處理範 10 317529 ^ 1282567

電壓在225V 以上’製造陽極用I線接頭端+時之化成處理 [發明右之方法，則可容易地製造高耐壓之電解電容器° 線接Ϊ據本發明’藉由使切口化成穩定，且抑制陽極用導 ixitt炼接部之賴，而得到可使固體電解電容器之 特性％定化之良好的效果。 【實施方式】 / ▲以下將更詳細說明本發明，但本發明不受以下之 形態任何限定，於不變更苴 土 — 个文更具要曰之靶圍，可適當地變更並 于以實施。 —„第1圖仏使用於本發明之一例之固體電解電容器之電 /疋件立體g ’第2圖係本發明之—例之固體電解電容 裔之剖面圖。 j第2圖所示，於紹殼9内配置有電容器元件【，於 籲#電各元件1上，插入有密封用橡膠襯墊10。此外，鋁 立之開口 °卩係藉由侧擠與捲曲（cur 1)而密封，於此密封 ^上插入有塑膠製之座板丨1。於此座板11上，設置有電 極端子12 ’其係將個別電性連接於前述陰極2與陽極3之 後述的陰極用導線8、陽極用導線7加以沖壓加工、折曲 加工所形成者。 另一方面’如第1圖所示，前述電容器元件1係具有： 於表面為凹凸形狀之铭箱表面形成有氧化被膜之陽極3 ; 由表面為凹凸形狀之鋁箔所構成之陰極2 ;以及設在該等 317529

Cs) 11 1282567 :=2、3間之紙製的隔件4。而該等兩極2、3與隔件4 :係呈滾筒狀捲繞’而構成圓筒狀之電容器元件/，、: :為疋件1之捲繞端部’係貼著有固定用帶5。此外 ‘前述兩極2、3間，形成有聚噻吩系之導電性高分子; 纟此，第i圖中’6係為陽極用導線接頭端子，了曰 -，線’具體的結構如帛3圖所示，係為於由凸起(boss) 邛61與凸緣（rib)部62與扁平部63所構成之銘 用導線接頭端子6,炫接有陽極用導線7之結構^卜 •第3圖中，70係炼接部。此外，第1圖中，14係為㈣用 導線接頭端子，8為陰極 ’…、=極用 用^線具體的結構係與第3圖 =不之％_㈣接頭端子6及陽極科線7為同樣之社 陰極用導線接頭端子7未進行化成處理，而在 延點與％極用導線接頭端子6不同。 以如下之方式製造前述結構之固體電解電容哭。 於由”薄片切出之帶狀的紹箱進㈣刻處 。如上所述進行_處理，係為了將料表面粗面化， 二面積，且使靜電電容加大之故。接著，將紹箱浸 :化成：，且施加250V之電壓(將化成處_設為 此氧化紹而形成氧化銘被膜(化成被膜)。藉此方 極3。此外’以化成液而言’已知有磷酸鹽 I鹽、己二酸鹽等之溶液’但使用其他的酸鹽溶液亦可。 在此，氧化銘被膜之厚度，係每lv(伏特）化 壓(，加電厂堅)為14Xl〇〜係與化成處理電壓成正比， 故形成於前述陽極3之氧化紹被膜之厚度係如以下⑴式 317529 12 1282567 所示。 250χ 14χ 1(Γ丨0m=3· 5x l(T7m ···(〇 只刖返止極衣U步驟並行，以下列所示之條件，— 亦對鋁製之陽極用導線接頭端子6施加電壓（進行化成猎虎由 理），而形成氧化鋁被膜（化成被膜）。但是，此時1 之施加 1 壓設為200V，故形成於陽極用導線接頭端子β 私 膜之厚度係如以下（2)式所示。 虱 被 200x 14x 1 0~10m=2. 8x l〇-7m …⑵ • 但是，在陽極用導線接頭端子6之一部分（存在於第3 圖之二點鏈線之左側之部分）64，因於後述之切口化成時會 與化成液接觸，故以與陽極3之化成處理電壓同樣的 (250V)進行切口化成時，再度被化成。結果，於陽極^ 線2頭T子6之一部分64之氧化鋁被膜之厚度，係與形成 於丽述陽極3之氧化鋁被膜的厚度同樣為3. 5χ 。 接著，將前述陽極用導線接頭端子6藉由總孔加工 鲁（spot facing work)固定在前述陽極3,同時藉由總孔加 工將陰極用導線接頭端子14固定在由鋁箔所構成之陰極 2 〇 然後，將前述陽極3與陰極2,隔著為絕緣體的隔件4, 王滾筒狀捲繞，將捲繞末端以帶5止住，而製造電容器元 件1。在此，陽極3係如前所述，從鋁製薄片切出而製成， 故於陽極3之端面並未形成有氧化鋁被膜（電介質氧化被 膜）因此，將電谷器元件1之切口化成，以施加電壓Μ 〇v (與陽極3之化成處理電壓同樣之電壓）進行，亦於陽極之 13 317529 1282567 : 端面形成氧化鋁被膜。之後，將電容器元件1以280°C作 ， 熱處理，使氧化鋁被膜之特性穩定。 接著，將電容器元件1浸潰在含有作為單體之3, 4-伸 乙基二氧基噻吩（3,4-ethylenedioxythiophene)，與作為 氧化劑溶液之對曱苯績酸（p-toluenesul f onic acid)鐵之 丁醇（Butyl Alcohol)溶液後，進行熱聚合，於兩極2、3 間形成導電性高分子層，而完成電容器元件1。 之後，如第2圖所示，將如前所述所製造之電容器元 _件1收納於鋁殼9内，並且，於電容器元件1上之鋁殼9 内插入密封用橡膠襯墊10並予以固定之後，針對鋁殼9 之開口部，藉由施加側擠與捲曲進行密封。最後，進行時 效處理之後，於電容器之捲曲面插入塑膠製之座板11，並 且，進行電容器之導線7、8之沖壓加工、折曲加工而形成 電極端子12，藉此製成固體電解電容器。 如上所述製造之固體電解電容器之額定電壓為50V， 此外铭殼9之外形尺寸為直徑10· 0mm、高度8. 0mm。 •[實施例] (實施例1) 與用以實施前述發明之最佳形態同樣地製造固體電解 電容器。 以下將如上所述所製造之固體電解電容器稱為本發明 電容器A1。 (實施例2) 將對陽極3 (亦包含陽極之切口，此亦與以下之實施例 14 317529 1282567 3及比較例1至3同樣）與陽極用導線接頭端子6施加化成 ，處理時之施加電壓，個別設為麵、讀之外，與實施例 1同樣地製造固體電解電容器。 α下將如上所述所製造之固體電解電容器稱為本發明 電容器Α2。 其中，形成於陽極3之氧化紹被膜之厚度係如以下（3) 式所示，形成於陽極用導線接頭端子6之氧化铭被膜之厚 度係如以下（4)式所示。 • 400χ 14χ ΙΟ’πιϋ l〇’7m …⑶ 300x 14x 10 m=4. 2x l〇'7m ."(4) (實施例3) 將對陽極3與陽極用導線接頭端子6施加化成處理時 之施加電壓，個別設為45〇v、4〇〇v之外，與實施例工同樣 地製造固體電解電容器。 以下將如上所述所製造之固體電解電容器稱為本發明 $電容器A3。 其中，形成於陽極3之氧化鋁被膜的厚度係如以下（5) 式所示，形成於陽極用導線接頭端子6之氧化鋁被膜之厚 度係如以下（6)式所示。 450x 14x 10'10m=6. 3x l〇_7m …（5) 400x 14x 10_10m=5· 6x l〇-7m …（6) (比較例1) 將對陽極3與陽極用導線接頭端子6施加化成處理時 之施加電壓’個別設為250 V、l6〇V之外，與實施例i同 317529 15 1282567 樣地製造固體電解電容哭。 容器將如上所述所製造之固體電解電容器稱為比較電 其中’形成於陽極3之氧化鋁被膜之厚度係如以下⑺ :不：形成於陽極用導線接頭端子6之氧化鋁被膜之厚 度係如以下（8)式所示。 250x 14x 10'10m=3. 5x l〇 7m …⑺ 160xl4xl(rl°m=2.24xl〇-7m …⑻ # (比較例2) 將對陽極3與陽極用導線接頭端子6施加化成處理時 之施加電壓，個別設為4_、2〇〇V之外，與實施例1同樣 地製造固體電解電容器。 以下將如上所述所製造之固體電解電纟器稱為比 容器X2。 其中，形成於陽極3之氧化紹被膜之厚度係如以下（9)

式所示，形成於陽極用導線接頭料β之氧化銘被膜之厚 度係如以下（10)式所示。 400χ 14χ ΙΟ’π^δ.δχ l〇-7m …（9) (10) 200x 14x 10'l0m=2. 8x l〇'7m (比較例3) 將對陽極3與陽極用導線接頭端子6施加化成處理時

之施加電壓，個別設為45〇v、3〇〇v之外，與實施例i同樣 地製造固體電解電容器。 K 以下將如上所述所製造之固體電解電容器稱為比較電 317529 16 1282567 :容器X3。 " 其中’形成於陽極3之氧化鋁被膜的厚度係如以下（11) 式所不’形成於陽極用導線接頭端子6之氧化鋁被膜的厚 度係如以下（12)式所示。 450x 14x 10 πι=6. 3χ 10 7πι ··· (11) 300χ 14χ 10'10m=4. 2χ l〇'7m ---(12) (實驗1) 於别述本發明電容器A1至A3及比較電容器χ 1至 ⑩中，經調查切口化成步驟之腐蝕發生率，而將其結果表示 於表1。其中，試料數係設為各電容器20個。

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腐蚀發生率 1 (%) 1 ! 〇 〇 O (N m m o 〇〇 ms： iiiL 、°A 5 ^ ^ ..L 、 〇 〇 On 〇 o 卜 〇 in 00 寸 o Ό ^ ^r 〇〇 卜 OO Ό Ό 屮^ ifeyftiT *ζιΠΓ 寶 > 〇 〇 〇 o 〇 〇 〇 VO o o 〇 〇 (N m 寸 r—4 CN m /—N ^ > 'W 〇 〇 o 〇 o 〇 ^Γ) CN O 寸 cn 寸 in CN o 寸 寸 i 5 跻屮 〇 o On 〇 o 卜 ^楚 忘踩 铡雄 〇 〇〇 卜 OO 00 vo o m v〇 W ε ^w/ 卜 卜 卜 卜 卜 &0 野制 雄時 〇 Τ—Η X 〇〇 CM 4.2x10* b »—e X Ό 1.24x10 O t—< X OO CN 4.2x10' 蜥屮 S B r-· 1 ο 卜 ο 卜 1 〇 卜 b 卜 1 o 卜 ο 邀5 1—< X X 1—^ X X ’ ^ X 1·*"Η X in m ^T) VO ΓΛ m m MD m IT) Ό tytx tiT\0 as oVti 〇T\〇 as tiVO OTNO .一 (4 {ίφ 電容 種類 ι£ί〇3 ΤξιΠΓ ^ < ¥ CN 轵< Ί®3 m < A <·>< 馨 4 4 4 -D jj Jj 18 317529 9 1282567 • 纟前述们可知，相舞於於比較電容器Xi至X3產生 •多數的腐钱，於本發明電容器A1至A3中係完全沒產生腐 ^。因此，可知必須將相對於陽極之氧㈣被膜的膜厚之 .陽極用導線接頭端子之氧化紹被膜的膜厚（相對於陽極之 化成處理電屋之陽極用導線接頭端子之化成處理電屢）之 比率，限制在75%以上。 (實驗2) 於前述本發明電容器A1至A3及比較電容器χι至χ3, 鲁經調查初期LC特性，顯示其結果於表2。再者，試料數設 為各電容器20個，又，於表2中顯示有該等之平均值。

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ΙΛ rvi CO r-^1 OJ CD 卜 寸 CO CD CO T—< wmc Ϊ ^ iS £ ί i CD cr> σϊ CD cz> 卜 CD LO oo 寸 o CD 〇〇 卜 oo co LO CO ^ Q ^ ippr 野驗！ 〇 C5 〇> c=> cr> CD 球㈣ 〇 〇 o CO 〇) 〇> Ονϊ CO r1· i oa CO 蜥屮 i£igt) τρ〇Γ /^\ <〇 C> 〇> o cr> cr> 忘 > LO CD in LO o m 'Vw^ CNI 呀 ^vf CM 跻®: A ^ ^ ^ ^ ^ ^ 卸 W + CD CD CI5 o 卜 CD ίΛ oo 却 CZ) CO 〇〇 卜 oo CO LO CD 岭ί萆 絮 卜 t o ，i 卜 1 CD Γ 丨< 卜 〇> r—t r- 1 o τ·__4 卜 1 CD 卜 CD r—H 雄p s X X X X X X 鎗, 屮 oo CN3 CO OJ oo CM t>0 CM 寸 L〇 03 (NJ 寸 /^N r- 1 卜 1 卜 1 r- 1 Γ- 1 卜 1 忘 s CD cr> o o o ◦ ·»—i I1 i > < T—H i—Η X X X X X X LO CO CO CO LO CO CO LO CO CO LO CO ttVtJ dTvd tsVCi ClTvQ 〇S/〇 CiTvO 铋 t)V& DT\0 nyo DT\0 ovo DTNO .Iffiil 妙 鉍 {4 as # tf^ml TJIBr W r-H 啊 CNI ^ c〇 itgn) * W x Λ») ^ ™ X m °° ™ x 滅 jJ 4 4 -4 20 317529 ⑧ 1282567 # / 由前述表2可知，與比較電容If XI至X3相比較，本 表月私谷為A1至A3的初期LC特性特別提高。因此，可知 頁將相對於陽極之氧化！呂被膜的膜厚之陽極用導線接頭 =子之氧化鋁被膜的膜厚（相對於陽極之化成處理電壓之 陽極用‘、、泉接頭鈿子之化成處理電壓)之比率，限制在75% • 以上。 [其他事項] ⑴於前述實施例中，雖於電極之母材使用㈣過㈣，但 當然亦可使用平坦的（未蝕刻）鋁箔。 ⑵雖於㈣電解質使用聚噻吩系導電性高分子，但並不限 定於此，當然亦可使用聚D比洛系、聚苯胺系等之導電性高 分子或TCNQ錯鹽。 (3)陽極用導線接頭端+ 接頭_早夕制Α 、之化成處理’係不論在陽極用導線 子之衣造的前後。亦即’製造陽極用導線接頭端子 雖=由將由料所構成之金屬薄片沖切而形成，作於 =之w騎化成處理，或沖切之後進行化成處理均可。 在料實施财，僅於陽㈣導線接頭端子進行化 成處理’但當_可於陰極用導線接頭端子進行 二㈣因ΪΓ述使用於陰極用導線接頭端子進行二 处里τ ’因可將兩導峻 的提高。 W綠接•而子共通化，故可謀求生產力 (4) 以具有閥作用之全屬 ^ 组、銳等。之係不㈣於前述銘’亦可為 (5) 陽極3與陽極之切 ， 々刀口之化成處理’亚不限定於相同的電 317529 21 1282567 /接部之切口化成穩定’且抑制陽極用導線接頭端子熔 [產章/，最好是以相同的電壓進行兩者之化成處理。 菓上之利用可能性] •電子：Ϊ明譬如可作為於行動電話、筆記型電腦、PDA等 :【圖=::】電路基板之表面安裝… 、器==用於本發明之-例之固體電解電容器之電 •圖。弟2圖係為本發明之一例之固體電解電容器之剖面 弟3圖係為本發明之 導線接頭端子之平面圖。 【主要元件符號說明】 I 電容器元件 3 陽極 5 固定用帶 7 陽極用導線 9 鋁殼 II 座板 14 陰極用導線接頭端 例之固體電解電容器之陽極用 2 4 8 10 12 子 70 陰極 隔件 陽極用導線接頭端j 陰極用導線 橡膠襯墊 電極端子 炼接部 317529 22

Claims (1)

1282567 Λ 第94143522號專利申“:秦 申請專利範圍修正本 修(更)正替換頁| : (95年12月22日） .丨.一種固體電解電容器’係具有電容器元件，該電容器元 件為由：於具有閥作用之金屬的表面形成有氧化被膜之 陽極；設有具備閥作用之金屬之陰極；以及設置於前述 兩極間之隔件捲繞形成者，並且，於前述兩極間介設固 馨體電解質之同時，於前述陽極固定有於表面形成有氧化 被膜之陽極用導線接頭端子，於前述陰極固定有陰極用 導線接頭端子之結構者，其特徵為： 相對於前述陽極之氧化被膜之厚度，以前述陽極用 導線接頭端子之氧化被膜之厚度的比率係存在有75% 以上、未達100%之部分。 2.如申請專利範圍第i項之固體電解電容器，其中，使用 =噻吩系、爾系、聚苯胺系之導電性高分子或四氰 基對亞甲基苯醌（TCNQ)錯鹽，作為前述固體電解質。 .請專利範園第2項之固體電解電容器，其中，使用 汆II蕃吩系之導電性高分子作為前述固體電解質。 以=’别述陽極之氧化被膜之厚度為3. 5x：nr7m 上二前述陽極用導線接頭端子之氧化被膜的厚度 ;如申=直2. 8x10 m以上、未達3. 5xi(r7m之部分。 述第4項之固體電解電容器’其中，於前 用^線接頭端子之氧化被膜之一部分，係為與前 (修正本）317529 1 -1282567

述陽極之氧化被膜同等之厚度。 如申請專利範圍第i項至第^項中任一項之固體電解 電容器，其中，額定電壓為50V以上。 -種固體電解電容器之製造方法，係具有： 藉由化成處理，於具有閥作用之金屬的表面形成氧 化被膜而製造陽極之同時，於陽極用導線接頭端子之表 面形成氧化被膜之第1步驟； 、 分別將前述陽極用導線接頭端子固定於前述陽 極’將陰極料線接頭端子固定於設有具備閥作用 屬的陰極之第2步驟； 將前述陽極、前述陰極、及設置於該等兩極間之隔 件捲繞而製得電容器元件之第3步驟； ^ 進=前述電容器元件之切口化成之第4步驟；以及 使刖述電容器元件含有固體電解質之第5步驟，並 特徵為： 1 於前述第1步驟中，相對於製造陽極時之化成處理 電壓之衣迨陽極用導線接頭端子時之化成處理電壓的 比率，係限制在75%以上。 8·如申請專利範圍第7項之固體電解電容器之製造方 法，其中，於前述第5步驟中，使單體浸滲於電容器元 件之後，藉由熱聚合，使於電容器元件含有固體電解質。 9·=申请專利範圍第7項或第8項之固體電解電容器之製 造方法，其中，額定電壓為50V以上。、 10·如申請專利範圍第9項之固體電解電容器之製造方法，其 (修正本）317529 2 1282567 • 中，製造陽極時之化成處理電壓為300V以上，製造陽 ·- 極用導線接頭端子時之化成處理電壓為225V以上。 3 (修正本）317529