TWI282541B

TWI282541B - Liquid crystal array and liquid crystal panel

Info

Publication number: TWI282541B
Application number: TW093106451A
Authority: TW
Inventors: Ching-Chuan Chen
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2004-03-11
Filing date: 2004-03-11
Publication date: 2007-06-11
Also published as: TW200530989A; US7015985B2; US20050200766A1

Description

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五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】。。士發明係有關於—種液晶顯示陣列，適用於液晶顯示裔。=液晶顯示陣列中而每一晝素單元之儲存電容之一端 J ί1瞄線之第一部份或是第二部分，進而減少掃瞄線驅動溥膜電晶體之時間延遲。【先前技術】 .薄膜私晶體液晶顯示器（t h i n f im t r a n s ^ s七〇 r liQjid crystal dispiay，以下稱TFT_LCD)之顯示陣列 ^ ^著儲存電谷（storage capacitor，Cs)架構之不 =、，而形成不同之陣列型態。一般常見的儲存電容架構可分為兩種，分別是儲存電容利用前一條掃瞄線（Cs 〇n gate )而形成之架構與儲存電容利用共通電極線〇n common)而形成之架構。兩種架構主要的差別在於儲存電容係介於顯示電極與前一條掃瞄線之間，或介於顯示電極 ^共通電極線之間，即儲存電容之參考電位為前一條掃瞄線之電位，或是共通電極線之電位。、第丨_圖係表不習知cs on common之電容架構所形成之 /夜日日顯不陣列。液晶顯示陣列丨係由縱橫交錯之掃瞄線 ln、Gln—1及Gln —2，以及資料線Dim及Dim-1所構成。每 Γ交錯之掃瞎線與資料線形成一個晝素單元。每一晝素單 =有控制電晶體、液晶電容以及儲存電容，且儲存電容 ==示電極與共通電極線之間。例如，掃目苗線MrW :貝枓線Glm-1形成-個晝素單元_，晝素單元溥膜電晶體（TFT) 10、液晶電容以。〇以及儲存電容有

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五、發明說明（2) ΐϋ。」如第1圖所*，控制電晶體10之閘極搞接之於掃瞒 Vcoi^O之Η且儲户存電-容^1 〇耦接顯示電極1 1與共通電極線於各自之^黃-雷Γ同列上之晝素單元之儲存電容，係耗接、自之”、、員不電極與相同之共通電極線之間。曰第2圖係表示習知Cs on gate之電容架構所形成之液晶顯示陣列。液晶顯示陣列2係由縱橫交錯之掃瞄線G2j、 G2n:l及G2n-2，以及資料線D2m及D2m—丨所構成。每一交錯之掃目田線與負料線形成一個晝素單元。每一晝素單元具有控制電晶體、，液晶電容以及儲存電容，且儲存電容耦接於顯不電極與前一條掃瞄線之間。例如，掃瞄線G2n-1與資料線D2m-1形成一個晝素單元2〇〇，晝素單元2〇〇具有薄膜，晶體（TFT ) 20、液晶電容cic2〇以及儲存電容cs2〇。如 $2圖所示，TFT2〇之閘極耦接於掃瞄線G2n—1，且儲存電容Cs20 _接於顯示電極21與掃瞄線G2n_2之間。位於同一列j晝素單元中，控制電晶體耦接至相同掃瞄線，且儲存電容皆輕接於各自之顯示電極與前一條掃瞄線之間。如上所述’ Cs on common之電容架構係必須增加共通電極線’導致開口率（A p e r七u r e r a t i 〇 )較小。由於開口率的大小係影響液晶面板的亮度與設計的重要因素，故Cs 〇n common之電谷架構較不採用，大多採用cs⑽gate之電容架構。而在Cs on gate之電容架構中，由於每一掃瞄線皆輕接複數的儲存電容，透過掃瞄線與儲存電容所產生的R C電路效應，導致掃瞄線之延遲時間增加。相對的，當控制TFT導通後，TFT根據資料線上之視訊信號以對顯示電

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【發明内容】有鑑於此，為了解決上述問題，提供一種液晶顯示陣列，其具有發明主要目的在於線具有第一部份及第二^^份。利用書線且，每一掃瞄一端耦接掃瞄線之第一部/份咬 —單几之儲存電容之之延遲時間。第二部分，以減少掃猫線為獲致上述之目的丁 vx 出包括複數掃描線、複數資料線以 7種液晶顯示陣列

描線包括第一部分及由第一部分 I數晝素單元。每一數晝素單元對應於掃描線和資二，出之第二部分。且每一晝素單元包括第一儲存電、容^母=交錯處而設置中之第一掃描線之第一儲存Φ六哭 /、中，對應掃描除外之一掃描線之第一部分或=二之端耦接第一掃描為使本發明之上述§的3、二=7 \ 下文特舉一較佳實施例，並人* σ艾點忐更明顯易懂下： J亚配合所附圖式，作詳細說明【實施方式】實施例：一第3圖係表tf本發明實施例之一液晶顯示陣列。液晶顯=陣列3係由縱橫交錯之掃瞄線6以、㈡^丨及㈡^2，以及貝料線D3n^及D3m-1所構成。每一交錯之掃瞄線及資料線形成一畫素單το ’且每一晝素單元具有薄膜電晶體（TF 丁

1282541 五、發明說明（4) )及液晶電容器及产另門—9目士及儲存電谷态。另外，掃瞄線G3n、G3rw 線G3，n、’G3，n^及線心、G3’n—⑽3’11-2，且次掃目苗 G3n-2所延伸。每係分甘別由掃目苗線G3n H1及同的信號。知目田線及其對應之次掃瞄線所載有相 - qnrf圖#所不，知瞄線G3n與資料線D3m—1形成一個書辛單 =〇=r°™30 … 〇之閘極耦接掃瞄線G3n-1，且TFT30之调 ;麵接資料細…咖之汲極、液晶電容Clc3。：：！晶：容cUfA電—容Cs30之一電極皆耦接顯示電極31。液 _ 電極福接至共通電極線Vcom30。儲存電谷Cs30之另一電極耦接次掃瞄線G3，n_2。士，明之此實施例，每一掃瞄線具有一次掃瞄線。任 7二ΐ早=内之儲存電容之一極係耦接於晝素電極，而儲存氧谷之另一端耦接於對應之掃描線除外之任一掃描次掃瞄線。即每一掃瞄線只耦接對應之一列畫素單元之 TFT之閘極，而每一次掃瞄線只耦接任—列晝素單元之儲存電容之另一極。由於驅動TFT之掃瞄線無&接儲存電容，因此掃晦線與儲存電容所產生的“電路效應消失，掃 =線之延遲時間相對減小，TFT對顯示電極端充放電力也提高。一第4圖表示本發明實施例之另一液晶顯示陣列。液晶顯不陣列4係由縱橫交錯之掃瞄線G4n、及—2，曰曰以及資料線D4m&D4m-i所構成。每一交錯之掃目苗線及資料線

1282541 五、發明說明（5) 一 --------- ^成旦素單元，且每一晝素單元具有薄膜電晶體（ :液曰:曰：容器。本實施例之每一畫素單元具有兩個儲存谷。另外，掃晦線G4n具有次掃晦線 η、G4 η-1 及〇4, n —2，且次掃瞄線G4’ n、G4, η-1 及 G4’ η-2係分別由掃瞄線〇411、G4n—丨&G4n —2所延伸。每一掃目苗線及其對應之次掃瞄線所載有相同的信號。如圖所示，掃瞄線G4n與資料線D4m-1形成一個晝素元40 0，晝素單元40 0具有TFT4〇、液晶電容clc4〇#^儲存電容Cs40及Cs41 QTFT40之閘極耦接掃瞄線Qn-丨，且 TFT40之源極耦接資料線])4m—! qTFT4〇之汲極、液晶電容 Clc40之一電極、以及儲存電容Cs4〇&Cs41之一電極皆ς 接顯示電極41。液晶電容Clc40之另一電極耦接至i通電極線Vc〇m40。儲存電容。40之另一電極耦接次掃晦線 G4 η-2，而儲存電容Cs4i之另一電極耦接掃瞄線G4n —工。此液晶顯示陣列4中，儲存電容Cs4〇之另一電極輕接次掃瞄線G4’ η-2。如前所述，此耦接方式可使掃瞄線與儲存％谷所產生的R C電路效應消失，掃目苗線之延遲時間降低，TFT對顯示電極端充放電的能力也提高。另外，當習知液晶顯示陣列2及本實施例之液晶顯示陣列4中所有^ 相同，且液晶顯示陣列2及4在相同之工作電壓下操作，儲存電容Cs40及Cs41之電容值比儲存電容Cs3〇小。因此，餘存電容Cs41之另一電極雖耦接掃瞄線G4n—i，由於電路中之電容值減少，故掃瞄線之延遲時間也相對減小。第5圖係表示習知液晶顯示陣列2及本實施例之液晶顯

1282541 五、發明說明（6) 示陣列4中操作時序圖。如 4中所有m相同，且總電：’假設液晶顯示陣列2及 G4n上信號之位準v(5)上升及電阻值也相同。掃晦線 V⑸上升時間快，相對地線上信號之位準比顯示伽之電= = : = 本發明之實施例，係以一 ^ 、實際操作上，每—晝素單元内之以，儲存電容為例，外，每-晝素單元之儲存電容以此為限。另掃猫線以外之任-掃猫線以及任驅動該晝素單元之本發明雖以較佳實施例揭露如m: 本發明的範圍，任何熟習此項技蓺i ’ ϊ其亚非用以限定精神和範圍内，當可做些許的二，在不脫離本發明之保護範圍當視後附之申請專利範飾本因此本發明之视国所界定者為準。

1282541 圖式簡單說明第1圖表示習知Cs on common之電容架構所形成之液晶顯示陣列。第2圖表示習知Cs on gat之電容架構所形成之液晶顯示陣列。第3圖表示本發明實施例之一液晶顯示陣列。第4圖表示本發明實施例之另一液晶顯示陣列。第5圖係表示習知液晶顯示陣列及本實施例之液晶顯示陣列之操作時序圖。【符號說明】 1〜液晶顯示陣列；

Gin、Gln-l、Gln-2 〜掃目苗線；

Dim、Dlm-1〜資料線； 1 0 0〜晝素單元； 1 0〜薄膜電晶體； 11〜顯示電極；

ClclO〜液晶電容，

Csl 0〜儲存電容；

VcomlO〜共通電極線； 2〜液晶顯示陣列； G2n、G2n- 1、G2n-2 〜掃目苗線； D 2 m、D 2 m -1〜資料線； 2〇〇〜晝素單元； 20〜薄膜電晶體；

0632-10350twF(nl) ； AU0305045 ； Yvonne.ptd 第11頁 1282541 圖式簡單說明 2 1〜顯示電極； C 1 c 2 0〜液晶電容，

Cs20〜儲存電容； 3〜液晶顯示陣列； G3n、G3n-1、G3n-2 〜掃目苗線； D3m、D3m-1〜資料線； G3 n、G3 η-1、G3 n_2〜次掃目苗線； 3 0 0〜晝素單元； 3 0〜控制電晶體； 3 1〜顯示電極； C 1 C 3 0〜液晶電容；

Cs30〜儲存電容； 4〜液晶顯示陣列； G4n、G4n-1、G4n-2 〜掃目苗線； D4m、D4m-1〜資料線； G4’n、G4’n-l、G4’n-2 〜次掃目苗線； 4 0 0〜晝素單元； 40〜控制電晶體； 41〜顯示電極；

Clc40〜液晶電容，

Cs40、Cs41〜儲存電容。

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Claims

1282541 六、申請專利範圍 1 · 一種液晶顯示陣列，包括：複數掃描線，每一該等掃描線包括一第一部分延伸而出之一第二部分；昂一部分及由該複數資料線； ’ 複數畫素單元，對應於該等掃描線一交錯處而設置，每一該等蚩去 Μ寺貧料線之每器；弟一儲存電容其中，對應該等掃描線中之一第一掃存電容器之一端，係耦接該第一掃描線除=、、、之該第一儲之一者之該第一部分或該第二部分。、卜之該等利範圍第1項所述之液晶顯示陣列掃描線其中每一該等晝素單元更包括一控制 —，該控制電晶體之控制極輕接對應‘ ^ g二二液晶電晶體，，該控制電晶體之第一極耦接於對應之該資^，第一部份電容器之一端耦接一共通電極，該第—儲二ι ，該液晶端及該液晶電容器之另一端_接該控制電曰子二=，之另一 3.如申請專利範圍第2項所述之液晶顯曰示弟-立極。中，對應該等第一掃描線之該第一儲存電一二、r 耦接該第一掃描線除外之該等掃描線之—二鈿’糸八。 ^ 該弟口 P 每利Ϊ圍第1項所述之液晶顯示陣列，其中母〜專旦素早7L更包括一第二儲存電容器，且對應該第一掃描線之該第二儲存電容器之一端，係耦接該第一掃描線除外之該等掃描線之—者之該第—部分或該第二部分。

第13頁六、申請專利範圍器；其中，對應該等掃描線中之一第一存電谷器之一端，係耦接該第一掃描線:2線之該第一儲之一者之該第一部分或該第二部分。“外之該等掃描線 =·如申請專利範圍第9項;述之液晶顯 :-该等畫素單元更包括一控制電晶體及:員=板，其中该控制電晶體之控制極耦接對應之該掃目晶體，，，控制電晶體之第一極耦接於對應之該資=弟二部份 !容器之一端耦接一共通電極，f亥第一儲存電容器ϋ:曰知及忒液晶電容器之另一端耦接該控制電晶體之=一 η·如申請專利範圍第10項所述之液晶顯示面一，極。中，對應該等第一掃描線之該第一儲存電容器之一山耦接該第一掃描線除外之該等掃描線之一者之該第鸲邛係中’該第一儲存電容器之分別I馬接兩不同之該等掃描線之 1 2·如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板，並每二該等晝素單元更包括一第二儲存電容器，且對應該二一掃描線之該第二儲存電容器之一端，係耦接該第一掃= 線除外之該等掃描線之一者之該第一部分或該第二部分田 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項所述之液晶顯示面板，其分 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述之液曰曰顯示面板，其中，該第一儲存電容器之一端耦接與該第一掃描線兩相^ 端與該第二儲存電容器之一端該第一部分或該第二部 0632-10350twF(nl) ； AU0305045 ； Yvorme.ptd 第15頁 1282541 六、申請專利範圍之一第二掃描線之該第一部分。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之液晶顯示面板，.其中，該第二儲存電容器之一端耦接與該第一掃描線相鄰之一第三掃瞄線之該第二部分。 1 6 .如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示面板，其中每一該等晝素單元更包括一控制電晶體及一液晶電容器，該控制電晶體之控制極耦接對應之該掃瞄線之該第一部份，該控制電晶體之第一極耦接於對應之該資料線，該液晶電容器之一端耦接一共通電極，該第一儲存電容器之另一端及該液晶電容器之另一端耦接該控制電晶體之第二極°

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