1280615 , (1) 7 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體裝置及其製造方法。 r· 【先前技術】 近年來，對於安裝在一卡片狀薄型封裝來說，較薄的 半導體晶片是較佳的，且能在多重半導體晶片上提供很小 φ 的安裝面積。然而，當運送或切割個別的半導體晶片時， 會產生晶圓裂縫或在底面產生缺口，這些是在切割一薄晶 圓時可能會產生的問題，其中此薄晶圓係藉由硏磨一裝置 形成的晶圓側之正對側（底面）而製成的。 早已提出一種硏磨前的切割方法（DBG)，做爲盡力防 止變薄的半導體晶片所產生的晶圓裂縫或底面缺口之方法 (參閱日本先行公開專利申請案第2 0 0 2 - 1 1 8 0 8 1號案、日 本先行公開專利申請案第2003 - 1 473 00號案） • 藉由DBG方法所製造的一半導體裝置U0係顯示於 圖1A中，且圖1B中亦顯示一半導體裝置120。圖1A所 " 示的半導體裝置110包含：一佈線基底106、第一與第二 ^ 半導體晶片1 0 1 a，1 0 1 b、一間隔物1 1 3、晶粒接合片（材 質）104，以及連接到第一與第二半導體晶片101a，101b之 佈線1 12a，l 12b。上述第一半導體晶片101a在正對著佈線 基底106的第一主要表面上具有晶粒接合片104，且一半 導體元件係形成在正對著第一主要表面的第二主要表面 ： 上。於是，上述第二半導體晶片1 01 b在正對著佈線基底 -4 - 1280615 . (2) 導體 。具 在第 著佈 1 a係 在佈 使第 ]113 一種 成小 102 對著 至此 合片 晶粒 對著 個別 ，且 106的第三主要表面上具有晶粒接合片104，且一半 元件係形成在正對著第三主要表面的第四主要表面上 有與間隔物1 1 3相同的寬度之晶粒接合片1 04，係夾 一與第二半導體晶片101 a，10 lb之間，且接合到正對 線基底106的第一主要表面上。第一半導體晶片1〇 經由形成在第一主要表面上的晶粒接合片104而安裝 線基底106上。第二半導體晶片101b的黏附方式係 > 三主要表面正對著第一半導體晶片1 0 1 a，且使間隔物 被夾在兩者之間。 以下，將參考圖2A到2G及圖3 A到3F來說明 先前半導體裝置所用的製造技術。 (i)首先，如圖2A所示，將藉由DBG方法分割 方塊形狀的半導體晶片101，安裝至一表面保護片 上，使得此裝置成形面（第一或第二主要表面）能夠正 此表面保護片102。 I (Π)其次，如圖2B所示，將晶粒接合片104安裝 半導體晶片101上，且如圖2 C所示，除去晶粒接 104的突出部104c。 (iii)如圖2D所示，在將晶粒接合片翻轉之後， 接合片104係接合到一片108上，使得此片108會正 晶粒接合片104。之後，藉由剝掉表面保護片102, 半導體晶片1 〇 1的黏附面會被改變至此片1 〇 8的一側 連結至晶粒接合片104。 (iv)如圖2E所示，具有晶粒接合片104的半導體晶 1280615 . 粒接合 片 108 由於係 以剝落 艮顯示） 許具有 一半導 線基底 接合片 3B所 保第一 有一空 接合片 一佈線 經由間 體晶片 一佈線 片1 ο 1係使用一先前技術以紫外光照射。因此，晶 材質1 04b的紫外線照射部位會產生硬化，而與此 整合成一體。同時’晶粒接合片1 〇 4的剩餘部位， _ 位於半導體晶片1 〇 1的後面，所以仍保持黏性而可 下來。 (v) 如圖2F所示，當使用運送夾頭（在圖形中5 在箭頭所示的方向中拾起半導體晶片1 〇 1時，僅允 φ 晶粒接合片1 〇4的一半導體晶片1 ο 1被拾起。 (vi) 如圖3A所示，將一半導體晶片1(H如第 體晶片1 0 1 a —樣經由晶粒接合片1 〇4而安裝在佈 106上；如圖3B所示，將一間隔物1 13a經由晶粒 104而安裝在第一半導體晶片104上。此時，如圖 示，安裝具有預定寬度的間隔物1 1 3 a，以便能確 半導體晶片1 0 1 a與第二半導體晶片1 0 1 b之間具 隙。如此能在佈線接合期間防止佈線1 1 2 a與晶粒 # l〇4a產生接觸，這一點將於稍後說明。 (vii) 如圖3C所示，第一半導體晶片101a係與 • 1 12a接合在一起。 ^ (viii)如圖3D所示，第二半導體晶片101b係 隔物113a與晶粒接合片104而安裝在第一半導 1 0 1 a 上。 (iv)如圖3E所示，第二半導體晶片l〇lb係與 1 1 2 b接合在一起。 (X)之後，如圖3F與1A所示，藉由以一封裝材質 (4) 1280615 111進行封裝’可以製造半導體裝置n〇° 然而，在圖2F所示的拾起每一半導體晶片101之步 驟中，很不容易將晶粒接合片1 〇4的未硬化部分從合倂有 該片1 0 8的晶粒接合片之硬化部分1 〇4b剝落下來。換句 話說，難以選擇性地拾起每個附著於晶粒接合片104的半 導體晶片1 〇 1。 爲了解決上述問題，藉由先前技術’半導體晶片101 II 會從片108的下方藉由一針114等物而向上推擠’如圖 2G所示，藉此放鬆並與允許片108剝落下來，且然後移 除晶粒接合片的硬化部分l〇4b。 而且，根據早期的技術，由於難以控制晶粒接合片 1 04的位置，所以晶粒接合片1 04係附著跨越半導體裝置 101的整個底面。因此，附著於第二半導體晶片l〇lb底 面的晶粒接合片1 04會從間隔物1 1 3 a突出去，如圖3 D所 示。形成一較厚的間隔物1 1 3 a，以便防止佈線1 1 2 a與此 Φ 突出的晶粒接合片l〇4a產生接觸。因此，佈線層的數量 越多時，半導體裝置就越厚。 • 【發明內容】 本發明的一型態之特徵在於一種半導體裝置的製造方 法，此方法包含以下步驟： 將第一半導體晶片安裝於一佈線基底上； 接口 一間隔物，該間隔物具有第一主要表面及正對著 第一主要表面的第二主要表面，使得第一主要表面可以接 1280615 - 觸第~半導體晶片；及 將具有比第一主要表面更大的第三主要表面之第二半 導體晶片，藉由一晶粒接合材質而接合至第二主要表面 上，此晶粒接合材質係選擇性地形成於第三主要表面的一 部分上。 本發明的一型態之特徵在於一種半導體裝置，包含： ~佈線基底； • 第一半導體晶片，係安裝在該佈線基底上； 一間隔物，具有接合到第一半導體晶片上的第一主要 表面，與正對著該第一主要表面的第二主要表面； 一晶粒接合材質，係放置在該第二主要表面上；及 第二半導體晶片，具有比第一半導體晶片更大的第三 主要表面，與正對著該第三主要表面的第四主要表面，且 使該第三主要表面的中心與間隔物接合在一起，使得此晶 粒接合材質僅會與第三主要表面的一部分產生接觸。第三 ® 主要表面的中心會與間隔物接合在一起，使得此晶粒接合 材質僅可與第三主要表面的一部分產生接觸。 為 【實施方式】 以下將根據附圖說明本發明的幾個實施例，然而，本 發明並未侷限於此。要知道的是，在圖形中具有相同或類 似功能的部位會標示相同或類似的參數，至於其相關說明 則予以省略。 根據本發明一實施例的半導體裝置1 〇，如圖4 A所 1280615 - 示’包含：一佈線基底6 ;第一半導體晶片！ a，係藉由一 晶粒接合材質4 a而安裝在該佈線基底6上；一間隔物， 具有第一主要表面，係藉由該晶粒接合材質4 a接合到第 • 一半導體1 a ; —晶粒接合材質4 c，係接合到正對著該第 一主要表面的第二主要表面；及第二半導體晶片，具有比 間隔物13a的第一半導體晶片更大的第三主要表面，與正 對著該第三主要表面的第四主要表面。 鲁 在此’晶粒接合材質4c係接合至第三主要表面的中 心，使得間隔物1 3 a僅會與第二半導體晶片1 b的第三主 要表面之一部分產生接觸。在第一與第二半導體晶片la 與1 b，多數半導體元件係被合倂到正對著佈線基底的第 二與第三主要表面上或內部。 根據本實施例的半導體裝置1 0包括接合到個別第一 與第二半導體晶片la與lb之佈線12a與12b，亦具有經 由間隔物1 3 a而安裝半導體晶片1 a與1 b，以及藉由封裝 • 材質1 1來封裝的佈線l2a與l2b。 用於晶粒接合材質4的材質並未受到限制，具有晶粒 % 接合所需特性的先前技術晶粒接合材質，就可以用作爲晶 ' 粒接合材質4。可以使用熱硬化型或紫外線硬化型材質來 作爲晶粒接合材質4 ;更明確地說，最好所使用的材質’ 其潤濕能力與觸變性等特性可適用於篩網印刷術。晶粒接 合材質4的組成與黏性可以根據熟知此項技術者的知識來 選擇。也可以根據一選定硬化型的晶粒接合材質4，來選 : 擇適當的晶粒接合材質硬化（或半硬化）法。例如’可以使
1280615 (7) 用熱硬化或紫外線硬化等方式來作爲硬化法，要知 任何一種方法均可以使用。 以下將說明本發明一實施例的半導體裝置1 〇 方法’而同時參考圖5的DBG方法及圖3與4的 法。 (1)製備一晶圓 9，係合倂有在一表面（第四主要 上形成的半導體元件。如圖5 A所示，形成多數凹 紋）9a ’這些凹穴係從所製成的晶圓9之第四主要表 伸到一預定深度內。如圖5 B所示，將一表面保護片 定至晶圓9的第四主要表面。因此，晶圓9的第三注 面’就是圖5 B所示的表面保護片2所固定的表面， 表面予以硏磨，以便分割成薄片。因此，如圖 5 C戶/ 薄方塊狀半導體晶片1係藉由DBG方法來製成的， 這些晶片每個由於其厚度之故可能會含有極微小的晶 縫與底面缺口。 (ii)如圖6A所示，將一篩網印刷金屬罩3放置於 體晶片1的第三主要表面上。在此金屬罩3中形成多 窗，致使晶粒接合材質4可以塗至以下的區域，就是 半導體晶片1的第二主要表面之周圍區域。如此可A 黏接處理時，防止晶粒接合材質4免於突出半導體 1。之後，在箭頭所示的方向上移動一刮刀5，且將 接合材質4經由金屬罩3而塗在半導體晶片1上， 6B所示。透過上述步驟，如圖6C所示，便會在半_ 片1的第二主要表面上，能使晶粒接合材質4的形形 的是 製造 造方 表面） t (溝 面延 2固 要表 將此 示的 所以 圓裂 半導 數視 含有 晶粒 晶片 晶粒 如圖 體晶 描繪 -10- 1280615 (8) 得與金屬罩3內視窗的形狀相同。 (iii)之後，使塗到半導體晶片1上的晶粒接合 產生半硬化。 (iv) 在半導體晶片翻轉過來且將其附著於此戶 後，表面保護片2會剝落，且然後半導體晶片1的 會改變至此片8，如圖6D所示。 (v) 之後，如圖6 E所示，使用一運送夾頭（圖 顯示）等物來捕捉附著於晶粒接合材質4的每一半 片1。 (v i)如圖4 A所示，此固持住的半導體晶片1 晶粒接合片4a而安裝在佈線基底6上作爲第一半 片1 a。當安裝半導體晶片1時，晶粒接合片4可 熱等方式而熔化與硬化。 (vii)接著，將具有與間隔物丨3 a相同寬度的晶 材質4b，藉由上述本發明（i)到（vi)的步驟，塗到 • 13a的第一主要表面上。如圖7B所示，所產生的 1 3 a則藉由晶粒接合材質4 b而安裝到第—半導p e * 上。 (viii)之後，如圖7C所示，將半導體晶片i 1 2 a接合在一起。 妾著’將具有與間隔物Ua相同寬度的! 材質藉由上述本發明⑴到（vi)的步驟，塗到: 體晶片lb的第一主要表面上。如圖7d所示，， 半導體晶片lb則藉由間隔物13a與晶粒接合材> 材質4 -8之 附著面 形中未 導體晶 係藉由 導體晶 藉由加 粒接合 間隔物 間隔物 高片la 與佈線 粒接合 二半導 產生的 4 b，4 c 、11 - 1280615 (9) 而安裝到第一半導體晶片1 a上。 (v)如圖7E所示，將佈線12b接合到第二半導體晶片 1 b上。 舞 (vi)之後，如7F與4A所示，藉由以封裝材質1 1 1執 行封裝來製造半導體裝置10。 以下將參考圖8A與8B、圖9A與9B及圖10A與 1 0B，來說明晶粒接合材質4的塗抹位置或金屬罩3中形 • 成的每個視窗之較佳形狀。 圖8 A顯示金屬罩3，其中一視窗係形成在一曲線輪 廓所圍繞的區域內，一正方形半導體晶片1的每個連接相 鄰頂點則以虛線表示。換句話說，形成一捲線筒狀的視窗 3 a，其寬度從半導體晶片1的中心沿著此半導體晶片1形 狀的對角線，朝向四個角落的每個角落逐漸收縮。 圖8B顯示此金屬罩3，具有一四邊形視窗3b，類似 於此半導體晶片1的形狀，除了其周圍區域有所不同之 9 外。圖9 A，9 B與9 C係分別顯示具有晶粒接合材質4的半 導體晶片1之剖面（在晶粒接合之前）、其底面（在晶粒接 " 合之前）及其底面（在晶粒接合之後），係使用圖8A所示的 • 金屬罩3而製成。圖10A，10B與10C係分別顯示具有晶 粒接合材質4的半導體晶片1之剖面（在晶粒接合之前）、 其底面（在晶粒接合之前）及其底面（在晶粒接合之後），係 使用圖8B所示的金屬罩3而製成。 如圖10A與10B所示，使用圖8B所示的金屬罩3， 將晶粒接合材質4塗在半導體晶片1的底面（第一主要表 -12- (10) 1280615 面）上。結果，當晶粒接合到半導體晶片1上時’如圖3C 所示，濕潤的晶粒接合材質4會在半導體晶片1的底面散 開。此晶粒接合材質4亦跑出斷裂線所指示的側邊等部位 .外，這些部位並未包括半導體晶片1的四個角落1 c °其 中沒有塗上晶粒接合材質的這些角落會導致接合可靠度產 生下降。_而且，假如存在有這些跑出半導體晶片的位置的 話，則必須設置一佈線用的間隔物或空隙，以防止當安裝 • 半導體晶片時，材質會污染了佈線。 另一方面，藉由選擇性地將晶粒接合材質4塗在一區 域上，該區域係由連接正方形半導體晶片1的頂點A，B，C 與D的曲線1 ^12,13與14而界定出來的，且如圖9B所 示，晶粒接合材質會進入其內部區域中，因此當晶粒接合 時，不會存在有未塗抹的區域，且可以縮小晶粒接合材質 4的突出。 由於沒有這些區域，所以增進了接合的可靠性。而 ^ 且，由於突起的量減少了，所以欲使甩的晶粒接合材質4 之數量也會減少。而且，便不需要設置一空隙或空間來安 裝半導體晶片或接合佈線。換句話說，相較於先前的半導 * 體裝置技術，可以製造出一很薄且安裝好的半導體裝置。 如上所述，最好用於塗晶粒接合材質4的金屬罩3在 一區域中形成有一視窗，其中該區域係由連接圖8A所示 的多邊形的頂點A，B，C與D的曲線1^12,13與14而界定 出來的。 根據本發明上述的實施例，可以省略移除晶粒接合片 -13- 1280615 . (11) (材質）的突起之步驟。而且，由於可以控制晶粒接合材質 的塗抹位置，所以當安裝晶片時，跑出半導體晶片外的晶 粒接合材質之數量便顯著地變少。而且，可以獲得在佈線 接合步驟中所要求的微小空隙。 而且，根據本發明的實施例，可以設置比先前技術更 薄的半導體裝置。換句話說，在先前技術的方法中，如圖 3D所示，晶粒接合材質104a係附著於第二半導體晶片 I l〇lb的第三主要表面。因此，晶粒接合材質l〇4a會露出 間隔物1 1 3 a外。另一方面，根據本發明的實施例，如圖 7D所示，晶粒接合材質4a與4b僅分別形成在與第二半 導體晶片1 b與間隔物1 3 a接觸的部位上。換句話說，可 以不需要使用一厚間隔物1 3 a就能在半導體晶片之間提供 一空隙。根據本發明上述的實施例，可以形成一薄的間隔 物1 3 a，如此一來便能提供一薄的半導體裝置。 如圖4B所示，可以將額外的半導體晶片1 c與1 d安 t 裝在第一半導體晶片1 a與佈線基底6之間。 將根據上述實施例來說明含有兩半導體晶片的一半導 體裝置。然而，如圖4B所示，也可以使用本實施例上述 的製造方法，藉由間隔物1 3將額外的半導體晶片1安裝 上去，來製造出含有四個半導體晶片的一半導體裝置 2〇。以此方式，藉由增加單元的數目來製造多層結構，每 個均由一半導體晶片與一間隔物製成，如此便形成一薄的 半導體裝置。
以下將參考圖ΠΑ與11B、圖12A到12C、圖13A -14- (12) 1280615 到13C及圖14A與14B，來說明晶粒接合材質4的塗抹 位置或金屬罩3中形成的每個視窗之另一較佳形狀。 圖1 1 A顯示此金屬罩3，其中在半導體晶片1的形狀 之大約對角線上，形成一視窗3 c，其形狀類似於X形。 圖11 B顯示此形成有視窗3 d 1到3 d4之金屬罩3，通過半 導體晶片1的中心及半導體晶片1的一端。換句話說，在 半導體晶片1的角落上形成L形的視窗3dl到3d4。圖 ^ 1 2 A到1 2C係分別顯示具有晶粒接合材質4的半導體晶片 1之剖面（在晶粒接合之前）、其底面（在晶粒接合之前）及 其底面（在晶粒接合之後），係使用圖1 1 A所示的金屬罩3 而製成。圖1 3 A到1 3 C係分別顯示具有晶粒接合材質4 的半導體晶片1之剖面（在晶粒接合之前）、其底面（在晶 粒接合之前）及其底面（在晶粒接合之後），係使用圖1 1 B 所示的金屬罩3而製成。 如圖12A與12B所示，使用圖1 1A所示的金屬罩 • 3，將晶粒接合材質4塗在半導體晶片1的底面（第一主要 表面）上。結果，當晶粒接合到半導體晶片1上時，如圖 1 2C所示，濕潤的晶粒接合材質4會在半導體晶片1的底 * 面散開，就是在半導體晶片1的大約對角線上。當封裝 時，如圖1 4 A所示，封裝材質1 1係封裝於半導體晶片；L a 之間，除了晶粒接合材質4之外’以便設置一半導體裝置 30。 如圖13A與13B所示，使用圖11B所示的金屬罩 3，將晶粒接合材質4塗在半導體晶片1的底面（第一主要 -15- (13) 1280615 表面）上。結果，當晶粒接合到半導體晶片1上時，如圖 1 3 C所示，濕潤的晶粒接合材質4會在半導體晶片1的底 面散開，以便通過半導體晶片1的中心及半導體晶片1的 一端。當封裝時，如圖1 4B所示，封裝材質1 1係封裝於 半導體晶片1 a，1 b之間，以便設置一半導體裝置3 0。 藉由選擇性地將晶粒接合材質4塗在半導體晶片1的 底面上，則相較於將晶粒接合材質4塗在半導體晶片1的 > 底面之整個表面上，晶粒接合材質4的使用量可以顯著地 減少。 要注意的是，已經在上述實施例中說明了金屬罩3內 所形成的視窗之形狀。根據本發明的另一實施例，可以設 置一具有相同形狀的篩網印刷金屬罩，來作爲製造半導體 裝置之用。此金屬罩的厚度與材質可以根據熟知此項技術 者的知識來選擇。 B (範例1) 圖4A所示的半導體裝置10是根據以下符合上述實 施例的條件而製成的。 使用一含有等間隔捲線筒形狀的視窗之金屬罩3，作 爲圖8A所示的金屬罩。假設此金屬罩的厚度爲20/zm且 材質爲不銹鋼。使用一紫外線硬化型晶粒接合材質，作爲 晶粒接合材質4a與4b。假設使用具有85//m厚度的8x8 mm方塊狀半導體晶片，來作爲半導體晶片ia與ib，且 使用厚度70 μ m的6x6 mm間隔物12來作爲間隔物13a。 -16- (14) 1280615 而且，假設欲塗抹至半導體晶片丨a與1 b及間隔物1 的晶粒接合材質4a與4b之厚度大約爲15 “ m。 將具有晶粒接合材質4 a的半導體晶片1 &安裝5 基底6上’此佈線12 a係接合到半導體晶片1 a上 後，第二半導體晶片i b係經由間隔物1 3來安裝。長 間隔物1 3 a相同寬度的晶粒接合材質4 b則是形成右 物1 3 a的兩側上。此半導體晶片1 b是與佈線1 2b g φ 一起，且以一封裝材質11進行封裝，如此形成了-型MC Μ半導體晶片10’其中具有兩個半導體晶片 lb ’如圖4Α所示。要注意的是Τ是2 8 5 # m，其中 示半導體裝置的厚度，或是從佈線基底6的頂端到:i 線層頂端之間的距離，且此値乃使用於第二實施例 例1與2中。 (範例2) 除了將半導體晶片的數目從兩個增加到四個之 疊型MCP半導體裝置20之製造方式是與第一實施 造方式相同，如圖4B所示。半導體裝置的厚度T // m 〇 (比較例1) 圖8A所示的半導體裝置110之製造方式是與 施例的製造方式大致相同，除了晶粒接合材質1 〇4 先前技術而形成於半導體晶片1 〇 1上，並非使用本 3a上 佈線 。之 有與 :間隔 合在 堆疊 la與 T表 後佈 比較 ，堆 的製 655 —實 使用 明的 -17- (15) 1280615 金屬罩將晶粒接合材質塗抹在半導體晶片上。使用厚度 8 5 // m的6 X 6 m m間隔物1 2來作爲間隔物1 1 3，半導體裝 置的厚度T是300//m。 (比較例2) 圖8A所示的半導體裝置12 0之製造方式是與第一實 施例的製造方式大致相同，除了晶粒接合材質1 0 4係使用 • 先前技術而形成於半導體晶片1 〇 1上，並非使用本發明的 金屬罩將晶粒接合材質塗抹在半導體晶片上。使用厚度 8 5 // m的6x6mm間隔物12來作爲間隔物1 1 3，半導體裝 置的厚度T是700 // m。 根據上述第一與第二實施例及比較例1與2所獲得的 結果，可以提供以下的發現。 根據比較例1，需要一厚的間隔物1 1 3 a，以便在半導 體晶片l〇lb上的佈線112a與晶粒接合材質4之間提供足 • 夠的空隙，如圖8A所示。另一方面，由於第一實施例藉 由佈線空隙改善了上述問題，所以可減少間隔物1 3 a的厚 度。因此，根據第一實施例，對應於晶粒接合材質4的厚 ' 度，可省略每單一佈線層大約1 5 // m厚的間隔物。以此 方式，第一實施例增進了佈線空隙，如此允許製造出比比 較例1更薄的半導體裝置，而同時維持相同數目的佈線 層。 根據比較例2與第二實施例中兩者厚度τ的比較，發 現相較於比較例2，第二實施例可以減少厚度大約爲45 -18- (16) 1280615 β m。如此意味著佈線層的數目越多時，半導體裝置的厚 度就越薄。 _ 【圖式簡單說明】 圖1 A及i B是槪略的剖面圖，顯示先前技術的半導 體裝置； 圖2A到2G是槪略的剖面圖，顯示先前技術的半導 # 體裝置製造方法— . V... (圖3 A到3 G焉/槪哆的剖面圖，顯示先前技術的半導 體裝置製造方法Γ 圖4 A及4 B是槪略的剖面圖，顯示本發明一實施例 的半導體裝置； 圖5A到5C是槪略的剖面圖，顯示使用DBG方法的 製造方法； 圖6 A到6 E是槪略的剖面圖，顯示本發明一實施例 ® 的半導體裝置製造方法； 圖7A到7F是槪略的剖面圖，顯示本發明一實施例 的半導體裝置製造方法； ^ 圖8A與8B是一部份金屬罩的放大圖，顯示，此金 屬罩係用於本發明一實施例的半導體裝置製造方法； 圖9A，9B與9C係分別顯示具有一晶粒接合材質的半 導體晶片之剖面（在晶粒接合之前）、底面（在晶粒接合之 前）及底面（在晶粒接合之後）； 圖1 0 A，1 0 B與1 〇 C係分別顯示具有一晶粒接合材質 -19- (17) 1280615 的半導體晶片之剖面（在晶粒接合之前）、底面（在晶粒接 合之前）及底面（在晶粒接合之後）； 圖1 1 A與1 1 B是一部份金屬罩的放大圖，顯示，此 金屬罩係用於本發明一改良實施例的半導體裝置製造方 法； 圖12A，12B與12C係分別顯示具有一晶粒接合材質 的半導體晶片之剖面（在晶粒接合之前）、底面（在晶粒接 合之前）及底面（在晶粒接合之後）； 圖13A，13B與13C係分別顯示具有一晶粒接合材質 的半導體晶片之剖面（在晶粒接合之前）、底面（在晶粒接 合之前）及底面（在晶粒接合之後）； 圖14A及14B是槪略的剖面圖，顯示本發明一改良 實施例的半導體裝置。 【主要元件符號說明】 1 0,20,3 0,1 10,120 半導體裝置 6,106 佈線基底 101,101a，101b 半導體晶片 4a，4c，1 04,1 04b 晶粒接合材質 12a，12b，l 12a，l 12b 佈線 1 13，113a 間隔物 2,102 表面保護片 104c 突出部 8,108 片 -20- (18)1280615 114 3 針 金屬罩
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