TWI277099B - Increasing the effectiveness of error correction codes and operating multi-level memory systems by using information about the quality of the stored data - Google Patents

Description

1277099 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於管理資料的方法5更明確地說，關於增加改 錯碼之能力的方法以及利用有關資料品質的指標以操作記 憶體系統的方法。 【先前技術】 於資料儲存密度中之持續增加係藉由降低個別記憶體 單元的尺寸、降低單元間分離、及使用幾項信號位準，以 在每單元儲存更多資料等等而加以完成。降低尺寸使得單 元容易受到干擾，降低單元間分離可能於單元間引入不想 要的干擾，以及多位準資料儲存使得其偏離開較佳範圍，而 造成資料的誤讀。這些增加儲存密度的所有負面效應使得 資料惡化。 傳統重建惡化資料的方法包含應用改錯碼（ECC)。簡 單改錯碼儲存額外之同位位元5當資料被寫入記憶體系統 時，其捕捉了一字元位元總和的同位。若儲存資料惡化，則 位元的總和被改變。由記憶體系統讀取資料時，字元之位 元總和之同位再次藉由ECC被計算出。因爲資料惡化，所 以所計算之同位可能不配合同位位元的內容，及E c C可以 檢測該惡化。 於今日所使用有很多智慧改錯碼。但基本槪念仍保留 著：ECC於將資料寫入記憶體系統時，計算資料總和資訊。 此總和資訊然後被儲存於其他位元中。於讀出時，總和資 1277099 (2) 訊被再次爲ECC所計算，結果係與儲存在其他位元中之結 果相比較。若兩者並不相同，則資料於儲存或記憶體系統 操作時被惡化。 ECC可以具有至少兩功能：錯誤檢測及錯誤校正。後 者功能較難。一先前例爲（7，4)漢明碼，其具有檢測每位元 2錯誤的能力，但其可以檢測只包含單一錯誤的字元。 今曰之更智慧ECC可以校正每字元一個以上之錯誤 。但對於更智慧ECC之超出每字元2或3隨機錯誤，其重 建資料變更加複雜。常見實務爲以部份可接受之小或然率 不正確回復法加以回復資料。然而，隨著錯誤數量的增加， 可靠資料回復的或然率也快速地降低，或者於其他硬體及/ 或效能成本特別高。 因此，於今日之記憶體系統中，想要有增加改錯碼能力 之其他方法。 部份輔助方法已經詳述於由D. Anclair等人所領證之 美國專利第5,65 7,3 32及6,049,899號案中，該等案係倂入 作爲參考。這些專利開發了軟錯誤處理的槪念。 於半導體記憶體裝置中，包含EEPROM系統，資料可以 藉由特定閘極之電壓所代表。典型地，不同數位資料儲存 値係爲良好分離之電壓位準所代表。爲了部份理由，若於 讀取操作時，電壓位準偏移開其較佳範圍一相較於位準分 離之量，則錯誤可以爲ECC所檢測。 很多錯誤可逐漸地開發。記憶體單元電壓可以爲了若 干理由而漂移開較佳範圍。這些包含外部干擾，例如，於操 -6 - 1277099 '(3) 作條件的變化，內部干擾，例如於寫入鄰近記憶體單元時之 干擾。上述發明描述一般之監視記憶體單元陣列之資料的 方法，即使電壓位移造成實際之ECC檢測之錯誤。於監視 操作後發現具有啓始電壓位移開較佳電壓範圍之電壓，可 以執行不同校作動作。一可能校正動作爲，，淸除，，該陣列。 '凊除可以包含錯誤記憶體單元之完整扇區進入一陣列之不 同扇區。 近來，資料儲存密度已經藉由執行多位準儲存設計而 增加，其中，單一記憶體單元不只儲存二進制，，〇，，及”1”，也儲 存好幾個位準。位準之數量經常係選擇爲4、8或1 6。此 等多位準記憶體系統已經描述於由D.Guterman等人所領 證之美國專利第6,222,762號案及6,275,4 1 9號案中，該等 案係倂入作爲參考。於此等多位準系統中，4、8或1 6電壓 位準可以在相同整體電壓範圍內加以區分。相對地，電壓 位準之分離降低或小量增加之電壓位移可能造成錯誤。 因此，想要增加改錯碼以檢測及重建於高密度陣列之 多位準記憶體單元中之惡化資料的方法。 【發明內容】 簡要地說，儲存於記憶體系統中之資料的品質係爲不 同程序所評估，及記憶體系統係依據所評估之品質加以操 作。資料品質可以於讀取操作時加以評估。改錯碼（ECC) 之後續應用可以利用品質指標以檢測及校正具有改良作用 之資料。或者，資料品質之統計可以被建立及資料的數位 -7 - 1277099 (4) 代表可以減少資料惡化。於兩情形下，校正作用可以特別 地執行於品質差資料上，藉由品質指標的協助，並具有改良 效用。這些方法可以特別適用於由多位準單元建構之高密 度記憶體系統中。 依據本發明之一態樣，資料品質評估可以於由一陣列 之記憶體單元，例如一陣列之EEPROM單元中，讀取資料儲 存値時加以發生。讀取可以以較資料末端使用者所需爲高 之精確度加以發生。例如，傾向於儲存於四位元中之資料 儲存値可以以七位元精確度加以讀取。資料儲存値之較高 精確度讀出可以被轉換爲較使用者所需之低精確度數位資 料値加上資料品質的相關指標。若改錯碼檢出一惡化數位 資料値，則其將能較有效利用相關品質指標，重建該惡化數 位値資料。 例如，若ECC找出一惡化數位資料値及相關品質指標 以表示相關資料儲存値係在一較佳範圍上，則可能資料儲 存値由較高數位資料値之鄰近較佳範圍漂移。本發明之實 施例轉送此品質指標給ECC，其然後校正被惡化之數位資 料値，將其導引向此例子中之較高數位資料値。 依據本發明之另一態樣，資料品質評估之統計可以即 使在沒有ECC指示一錯誤下形成。一多少資料儲存位準 漂移開扇區內多少量之分佈可以加以建立。於扇區中，分 佈顯不系統化漂移，數位資料値之指定給資料儲存値可以 位移一對應量，以補償該系統位移。於扇區中，當分佈更廣 時，校正動作可以依據加寬的嚴重性加以反應以計劃或執 -8- 1277099 (5) 行。這些校正動作可以包含以高或低優先權重寫錯誤資料 或整個相關扇區。 依據本發明之另一態樣，由ECC所檢測錯誤可以在諸 扇區內加以計算。取決於每扇區之錯誤的數量，可以以高 或低優先權，執行不同類型之校正動作。 【實施方式】 當資料由一例如一陣列之記憶體單元的記憶體系統讀 取時，爲了各種原因，可能包含錯誤。這些錯誤可以藉由例 如改錯碼（ECC)加以校正。一改錯碼之效率可以藉由產生 有關該資料品質之指標，並藉由應用改錯碼配合上有關資 料品質之指標而加以加強。同時，記億體系統甚至在沒有 指示錯誤出現之ECC下，也可以基於品質指標而加以操作 。本發明可以以任一種記憶體或儲存系統，例如隨機存取 記憶體、非揮發性或快閃記憶體、磁碟或光碟加以執行。 記憶體系統可以代表具有兩或多數位準設計之資料。例如 ，首先，將說明一陣列之記憶體單元，然後，將討論不同之用 以改良改錯碼效率之方法。 第1圖顯示一包含一陣列記億體元件之記憶體系統的 方塊圖。大量之個別可定址記億體單元係被安排於列及行 構成之正矩陣1 1中。個別記憶體單元可以爲位元線所控 制，選擇安排於字元線中之閘極，並操縱閘極。位元線係被 指定以沿著陣列1 1之行延伸，及字元線係被指定沿著陣列 1 1之列延伸。位元線單元1 3可以包含一位元線解碼器、 -9 - 1277099 (6) 儲存元件、驅動電路及感應放大器。位元線單元1 3可以 爲線15所連接至單元陣列11，並爲位元控制線29及讀取 線41所連接至控制器27。字元線單元19可以包含一選 擇閘極解碼器及驅動器電路。字元線單元1 9可以爲線17 所連接至單元陣列1 1並爲字元控制線3 1所連接至控制器 27。操縱線單元2 1可以包含一操縱閘極解碼器及驅動器 電路。操縱單元21可以爲線23所連接至單元陣列1 1，爲 操縱控制線33所連接至控制器27、及爲線22所連接至 位元線單元1 3。位元線單元1 3、字元線單元1 9及操縱單 元21可以連接至匯流排25,其可以隨後連接至控制器27 。控制器27可以爲線35所連接至主機。 當一預選記憶體單元被規劃時，電壓可以對應於所選 擇記憶體單元，以足夠預定單元規劃的預定位準，被施加至 位元線，字元線及操縱閘極。控制器27經由匯流排25送 出預選記憶體記憶體單元的位址分別經由線26a、26b及 2 6 c，給位元線單元13、字元線單元19、及操縱閘極單元 2 1中之個別解碼器。於位元線單元1 3、字元線單元1 9、 操縱閘極單元2 1及控制器2 7間之狀態及控制命令係經由 位元控制線2 9、字元控制線3 1及操縱控制線3 3加以通 訊。 當一預選記憶體單元被讀取時，電壓可以對應於所選 擇記憶體單元，以足夠完成選定記憶體單元的讀取之預定 位準，施加至相關之位元線、字元線及操縱閘極。控制器 27係能經由位元控制線29施加位元線的電壓、經由字元 -10- 1277099 (7) 控制線3 1，施加字元線電壓，並經由操縱控制線33施加操 縱閘極電壓。一電流可以爲這些電壓所經由預選記億體單 元產生。該電流表示是否該預選記憶體單元被規劃否。電 流値可以被放大並與位元線單元1 3中之參考値以感應放 大器比較，其結果可以暫時儲存於栓鎖或暫存器中。所得 由預選記憶體單元讀出之結果可以經由讀取線4 1被送至 控制器27。 第2A-C圖例示本發明之實施例。於記憶體系統的操 作中，資料儲存値1 02可以由一陣列之記憶體單元所讀出 。資料儲存値1 02可以讀出成爲一信號的値。可能信號包 含例如電壓或電流位準。於一些實施例中，資料儲存値1 02 被傳送至控制器27,其中，一改錯碼可以被施加至資料儲存 値。爲了增加資料儲存密度，部份記憶體系統應用多位準 儲存設計，其中個別記憶體單元可以儲存資料，不只是相關 於二進制之”0”及”1”，也可以有幾種狀態。這些狀態的數 量可以加以選擇爲2的乘方，包含4、8或1 6。相關於資料 儲存値1 02之信號的値可以在整體信號儲存値間距1 〇〇之 內。於部份實施例中，整體信號儲存値間距1 00可以被分 成個別之儲存値間距104-i，以數位資料値爲表示，捕捉資 料儲存値1 02的多位準態樣。於此i表示正整數。然後， 資料儲存値102落入儲存値間距l〇4-i之一。儲存値間距 1 04-i可以對應於多位準資料儲存値之諸位準。因此，丨可 以採對應於1及4、8或1 6間之對應値。儲存値間距 l〇4-i可以接近及大小上實質相等。爲了由類比資料儲存 -11 - 1277099 (8) 値轉換爲數位資料値，數位資料値1 06-i可以相關於儲存値 間距l〇4-i。例如，若一多位準記億體信號儲存4位元之資 料，呈24 = 16位準，則整體信號儲存値間距100可以對應地 分成1 6個儲存値間距1 0 4 - i，及該等1 6個數位資料値1 〇 6 -i可以個別地相關於16個儲存値間距l〇4-i，以捕捉16個 可能資料儲存値。因此，i可以採於1及1 6間之一値。數 位資料値106-1至106-16的一可能指定可以爲由〇至15 或1至16之整數。 在儲存値間距1 〇 4 - i內，中央較佳範圍1 〇 8 - i及週邊鄰 近範圍1 12-i可以加以界定。一中央較佳範圍l〇8-i可以 爲包含於一儲存値間距l〇4-i內之信號値的一範圍，例如， 分隔開儲存値間距l〇4-i-i之中間部份。週邊鄰近範圍 112-i可以在儲存値間距104-i內之信號値之範圍，在中央 較佳範圍108-i之一側或兩側上。如前所述，電壓位準可以 由其指定値位移。爲了完成此等位準，一低邊緣114-1及 高邊緣114-2係位在整體信號儲存値間距1〇〇之端部。 如第2 A圖所不，於部份實施例中，中央較佳範圍1 〇 8 - i 及週邊鄰近範圍Π 2d可以以類比信號値加以界定。於此 特定實施例中，讀取資料儲存値102在儲存値間距104-1 之週邊鄰近範圍112-i內，因此，其具有相關之數位資料値 106-1，其係爲 ”1”。 如於第2B圖所示，於其他實施例中，儲存値間距l〇4-i 可以進一步被分成次間距116-i-j，其中j爲一正整數。例 如，一個別儲存値間距1 0 4 - i可以被分成7個次間距1 1 6 - i- -12- 1277099 (9) j，其中相關j可以採於1至7間之値。於此例中，在具有例 如24= 1 6位準之多位準記憶體系統中，整體信號儲存値間 距 1 0 0可以被分成 1 2 8次位準。於此1 2 8次位準外 ,16x7 = 112次間距係被用以收納16個儲存値間距i〇4-i，於 每一儲存値間距1 04-i中有7個次間距，及8加8次間距係 分別被用以收納低及高邊緣1 1 4 -1及1 1 4 - 2。次間距可以 於大小上實質相等。於此特定例中，資料儲存値1 〇2在次 間距116-1-2中，因此，其係在週邊鄰近範圍內，因 此，具有相關數位資料値106-1，其係爲”1”。 於部份實施例中，資料儲存値1 02可以首先依據次間 距被轉換爲具有筒精確度之數位資料，然後，中央較佳範圍 l〇8-i及週邊鄰近範圍U2-i可以以這些高精確度數位資 料加以界定。於上述特定例子中，資料儲存値1 〇 2可以依 據次間距1 1 6 - i - j放在何處，而被轉換爲—7位元數位資料 ，其中j可以假設爲由1至7之値。7位元數位資料値範圍 1 16-i-l至1 16_i-7可以爲四位元數位資料値106_丨所代表 爲” i ”。例如，7位元數位資料値範圍1 1 6 _! _丨至丨i 6 _丨_ 7可 以相關於四位元數位資料値1 〇 6 -1爲，，1 ”，及7位元數位資 料値範圍116-2-1至116-2-7可以相關爲4位元數位資料 値106-i-2爲”2”，以此類推。中央較佳範圍1〇8el可以爲7 位元數位資料値範圍116-1-3至116-1-5,及週邊鄰近範圍 1 12-1 -1及1 12-1-2可以爲7位元數位資料範圍1丨π-ΐ至 116-卜7 及 116-1-7 至 116-1-8。儲存値間距 104-1 及 1〇4· 2可以爲分離點1 2 7 -1所分隔。 -13- 1277099 (10) 若次間距1 1 6 - i -j係以由1至i 2 8之整個數加以指標， 則上述指定可以重新指定如下。下邊緣1 1 4 -1係相關於次 間距1 - 8，數位資料値” 1”係相關於次間距9 -1 5，數位資料値 ” 2 ”係相關於次間距1 6 _ 2 2，以此類推。在次間距9 - 1 5內，中 央較佳軺圍爲次間距11-13,及週邊鄰近範圍爲9-10及14-15,以此類推。 當資料儲存値1 〇 2由記憶體系統讀出時，一個別儲存 値間距1 0 4 - i係被指明於讀取資料儲存値〗〇 2所在之處。 同時，指明的是，是否資料儲存値102係在該中央較佳範圍 108-i內，或於儲存値間距i〇4-i內之週邊鄰近範圍 或 1 1 2 - i - 2 中。 相關於賓料儲存値之儲存値間距1 〇 4 - i之數位資料値 1 0 6 - i可以被選擇爲資料儲存値丨〇 2之數位代表値。此資 料儲存値Γ02之數位代表値將被供給以指標，以有關於資 料儲存値1 02之品質。此品質指標可以反映資料儲存値 1 0 2落在儲存値間距1 〇 4 - i之何處。若資料儲存値1 〇 2落 在中央較佳範圍1 0 8 - i中，則可以產生一，，品質佳”指標。若 資料儲存値102落在中央較佳範圍i〇8-i外，及在週邊鄰近 範圍112-i-l或U2-i-2內，則可以產生一”品質差，，指標。 於部份實施例中，此指標可以相關於數位資料値i〇6-i，代 表資料儲存値1 02。例如，一二進制數字可以附著至數位資 料値1〇6 其中，二進制，，丨，，代表，，品質佳”，及—二進制，，〇，， 代表”品質差，，。於部份實施例中，也可以與慣例相反。 若一資料儲存値資料儲存値1 02具有”品質差，，指標， -14 - 1277099 (11) 則進一步產生一有關其品質之指標，以藉由指明資料儲存 値102所落在之週邊鄰近範圍112-i-j。若資料儲存値1〇2 在週邊鄰近範圍1 1 2 - i內，以一値低於對應中央較佳範圍 l〇8-i之最低値，則產生一”異常低”指標。若資料儲存値 102在週邊鄰近範圍1 12-i內，以一値高於對應之中央較佳 範圍108-i之最高値，則產生一”異常高”指標。於部份實施 例中，此指標可以相關於數位資料値l〇6-i，代表資料儲存 値1 02。例如，另一二進制數字可以附加至數位資料値 l〇6-i，其中，一二進制”1”可以代表”異常高”及二進制”〇”可 以代表”異常低”。於部份實施例中，可以與慣例相反。 第2 C圖例示本發明之一相關實施例，其中一資料儲存 値102具有特定16位準，因此，相關數位資料値106-i具有 四位元。品質指標132-i係藉由附加一第五位元，代表”品 質佳”或”品質差”而相關於此數位資料値，及一異常指標 1 3 4-i係相關一代表”異常高”或”異常低”之第六位元。 數位資料値106-i可以被讀入控制器27中，用以使用 一改錯碼加以處理，而相關品質指標可以暫時儲存於一緩 衝器中。若改錯碼需要其他指標，則品質指標可以隨後讀 取。 品質指標可以相關於已經在記憶體中之數位資料値。 於上述實施例中，資料儲存値被以7位元精確度加以讀取 。然後，四位元數位資料値l〇6-i及品質指標132-i及134-i係相於在記憶體內之資料儲存値1 02,並隨後被位移出至 該控制器。 -15- 1277099 (12) 於其他實施例中，資料儲存値之七位元代表値可以移 出至控制器，及控制器抽出代表之四位元數位資料値及相 關品質指標。於其他實施例中，在上述例子中，產生一 ”查看 ”表，具有2 7 = 1 2 8個輸入値。於查看表中之輸入値之位址 係對應於資料儲存値所在之1 2 8次間距。在位址之輸入値 可以包含六位元，四位元代表數位資料値及其餘兩個代表 品質指標。品質指標可以例如表示”品質佳”或”品質差”及 ”異常高”或”異常低”。此等查看表可以被管理於隨機存取 記憶體中。當資料儲存値被讀取時，次間距係被決定，該次 間距係放置有資料儲存値。再者，相當於預定次間距之查 看表的六位元輸入値係被移出給控制器，作進一步處理。 爲了各種理由，數位資料値106-i可能惡化。部份理由 爲電荷由記憶體單元洩漏，此問題在高密度記憶體系統中， 由於愈來愈小之記憶體單元尺寸而加劇。這些高密度同時 也藉由降低單元間之分隔加以完成。現今記憶體陣列設計 的態樣造成於相當接近之記憶體單元間之干擾的加強變化 。例如，一記憶體單元的電荷可能建立一電場，其一部份會 碰撞並修改了另一記憶體單元的讀出電流。最後，資料可 以取決於由該單元所經歷的歷史，而被惡化。於經常被寫 及讀之記憶體單元中之資料儲存値可能會藉由由較佳中心 範圍移出而發展出錯誤。 因爲惡化的可能性，所以數位資料値應不在沒有部份 之測試及校正形式下，就被傳送至一使用者。於很多記憶 體系統中，這些功能係藉由施加一改錯碼（ECC)至數位資料 -16- 1277099 (13) 値1 〇6m加以執行。典型地，當將資料寫入記憶體及結果儲 存在資料旁的額外位元時，一 Ecc係被應用至該資料。一 例子爲（7，4)漢明碼，其相關每四個位元字元與另外三其他 位兀，以完成於1 6個可能四位元資料的任兩個間之三之最 小漢明距離。當讀取相同資料及其相關ECC位元時，ECC 係被再s十算，E C C之再計算結果可以與算術期待結果加以 比較。若所再計算與期待結果相同，則資料可能不會惡化， 而若再計算與期待結果並不相符，則資料已經惡化。 應注思的是，E C C可以應用至不同大小之資料群中。 再者，於快閃記憶體系統中，當資料基本上被同時讀取時 ，ECC可以被計算用於其相關資料扇區。 一旦資料項惡化數目超出使用中之特定E C C所界定 之臨限時，則適當重建資料或然率快速下降。例如，若於 5 12位元組資料的扇區中，資料的一或兩項被惡化，則適當 ECC可以以1〇〇%確定性重建該惡化資料。然而，若惡化資 料的數量係高於一臨限數，例如，於3及1〇之間，對於部份 約5之E C C，則E C C具有正確重建該資料的較低可能性，並 且，可能有相當高可能之不正確重建該資料的可能性。 很多E C C使用額外之位元作資料回復。有關e C C重 建資料的能力之一般關係係由漢明（H a m m i n g)所決定。若 一記憶體系統使用長度m之二進制字元，能編碼η = 2 m個不 同資料，則t惡化資料可以被可靠地校正，若記憶體系統使 用至少P個額外位元，其中，在P値之下界係爲，，下漢明限 制”所給定： -17- 1277099 (14) ΣΗ /=0 相對地，此關係可以被讀成爲如同一記憶體系統使用P 額外位元，則一 ECC能可靠地重建具有最多t惡化位元的 字元。於很多系統中，P被選擇爲使得一具有一或兩錯誤之 資料扇區之重建可以以高可靠度加以進行。 爲此事項，ECC不只產生似乎重建之資料，其也可以估 計所重建資料的可靠性。於上述例子中，若ECC檢出有一 或兩惡化資料出現，則ECC可以指示該重建資料很可能正 確。於此時，重建資料可以由控制器27傳送給一使用者。 若ECC找出約3至5惡化資料，則ECC可以決定正確重建 惡化資料的或然率下降。取決於資料的後續使用，控制器 27可以決定是否接受或拒絕重建之資料並傳送至一使用 者否。最後，若ECC找出約五個惡化資料，則ECC可以指 出正確重建惡化資料的或然率很低，及其不能用以重建該 資料。實際數値可能與不同ECC實施法中有不同之引用 數値。 其中也可能有假資料重建之機會。因爲ECC係只用 以綜合指示一資料扇區，其也可以偶而發現以”3”來替換惡 化之”8”表面上看來降低了錯誤量，因此，而接受”3”。此假 資料重建可能快速地惡化該資料回復，使得其不可靠。 於這降低可靠度之情形中，控制器27可以使用輔助校 正法，以增加ECC的可靠度。本發明之部份實施例藉由提 供額外之有關資料的指標，而增加了 ECC的可靠度。這可 •18- 1277099 (15) 以藉由控制器27讀取相關於數位資料値l〇6-i之儲存之 品質指標，而加以完成。 ECC重建資料之能力限制的一原因爲ECC不能決定 在資料扇區內之惡化位元的位置，因此，不能校正惡化之資 料。此問題可以藉由本發明之部份實施例加以修補，因爲’’ 品質差”資料係爲被惡化資料的可能者，及因爲，當資料一項 目品質被決定時，其位置也是已知的。因此，”品質差”資料 的位置可以被提供給ECC。因此，ECC在改錯用之時間框 內，可靠地重建資料的能力可以基於其指出之”品質差”，藉 由在改錯程序中，建議可能爲錯誤之位元，而加以增加。 第3圖例示部份實施例之其他優點：其可以提供有關 如何重建一惡化資料項的建議給ECC。例如，若計算ECC， 以指出資料扇區中之惡化資料出現，則四位元之數位資料 値106-i似乎爲惡化資料的可能者，其中，該數位資料値具 有品質指標132-i表示”品質差”。特別是，若四位元數位資 料値106-i具有”異常低”指標，則似乎在惡化前，相關儲存 資料値102係爲數位資料値減一邙口106-(1-1))所代表。例 如，若”品質差”資料儲存値之數位資料値爲具有”異常低” 指標之”8”，則其似乎在惡化前，儲存資料値對應至數位資料 値”7”，並被由該處向上位移。該實施例可以建議ECC試著 校正惡化”8”至”7”。此建議可以增加所重建資料的可靠度 及ECC的效用，因爲若ECC沒有此指標，則必須試所有數 字，以校正惡化之”8”，因而降低在典型短時間框內，正確重 建惡化資料的機會。 -19- 1277099 (16) 有可能於讀取一個以上數位資料値之一扇區時被歸類 爲”品質差”。若”品質差”之數位資料値數量爲n5則有2n-l 可能方式以依據品質指標，而校正惡化資料，因爲η個數位 値資料値的每一個可以個別改變。以一較高可能性，重建 資料可以在這些2η- 1可能校正中找到。因此，藉由建議 ECC首先試這些2η-1組合，來開始資料重建，則數位資料値 可能可以較快重建。應注意的是，並不需要額外花用讀取 時間，所有用於資料重建之指示已經爲ECC及控制器所取 用。 品質指標可以以另一方式利用。當一資料扇區係由一 記憶體系統讀取，則品質指標可以收集產生及追縱該扇區 之資料儲存値之統計分佈及其品質。如此作之優點爲資料 惡化可以在部份扇區內爲系統化。此理由爲在外部環境中 之起源，例如溫度變化、修改該扇區之操作參數。或者，有 關扇區之歷史之理由。例如，因爲基於Fowler-Nordheim 通道效應，抹除操作可以偏壓某些快閃記憶體單元之源基 板接面接近崩潰電壓，經常地抹除操作可能造成記憶體單 元之物理結構的劣化，可能造成電荷損失。同時，也可能於 製程中，一特定扇區之特徵偏移開其較佳値，因爲製造或材 料的不規則之故。此等系統式資料惡化可以藉由使用品質 指標之統計加以作用。 第4A-C圖例示於兩鄰近儲存値間距1〇4_丨及1〇4-(i + 1)中之資料儲存値的可能統計分佈。如第4 A圖所示， 於典型例中，資料儲存値將展現類型122_i及i22_(i+;1)之 -20- 1277099 (17) 分佈於相關之較佳中央較佳範圍108」及l〇8_(i + 1)間。於 此例子中，分佈122-i及122-(i + l)係良好分離，使得多數或 所有儲存値接近對應之中央較佳範圍108_i及1〇Mi+1)， 及很少或者沒有係在分離1 2 7 - i之附近。此事實可.以藉由 引入分離間隙1 2 9 - i於分佈1 2 2 _ i及1 2 2 · (i + 1)的槪念加以 再表現。分離間隙1 2 9 - i表示很少或沒有資料儲存値在一 範圍內，其係位在分離點127_i旁。在分離點127」及127_ (i + l)間之資料儲存値將相關於數位資料値〗06-i，以此類推 〇 第4A圖例示一實施例，其中儲存値間距} 〇4-i及丨〇4-(i+Ι)係分成次間距116-i-j及116-(i+l)-j，其中j可以取1 至7間之値。於此實施例中，分佈可以良好分離，若多數或 所有資料儲存値均在次間距內，以j値在2至6間，其主要 在中央較佳範圍具有j爲3至5間。當此良好分離之分佈 時，資料儲存値資料儲存値1 02可以相關於具有高可靠度 之數位資料値l〇6-i。 第4B圖顯示一可能狀態，當鄰近分佈122-i及122-(i + 1 )係以系統方式惡化。此系統式惡化可以例如藉由溫 度變化造成。於此時，分佈122-i及122-(i + l)係向上移位 ，”異常高”資料的數量大於”異常低”資料的數量。當有系 統式位移時，分佈122-i，122-(i+Ι)及122-(i + 2)仍保持良好 分灕。 第4B圖顯示一實施例，其中儲存値間距104-i係進一 步分割爲次間距1 16-i-j。系統式位移可以由分佈122-i、 • 21 - 1277099 (18) 122-(i+l)、及122-(i + 2)看出，其具有資料儲存値在次間距 j = l之內，基本上沒有資料儲存値在j=2,3,4及次間距中之 資料儲存値之主體j = 5,6及7。於此時，在開始位移時，於 次間距1 1 6 - (i + 1 ) -1中之資料儲存値似乎相對應於儲存値 間距1 0 4 - i及因此，係相關於數位資料値1 〇 6 - i，而不相關於 數位資料値l〇6-(i + l)，其將以未修改程序與之相關。 若一扇區之資料儲存値之統計被看出爲一系統式位移 ，則分佈仍保留分隔開一位移分離間隙1 2 9 - i，於部份實施 例中，控制器2 7可以利用部份校正活動，於有關資料扇區 之足夠統計已經收集後。對於每對鄰近分佈122-i及122-(i + Ι)，控制器27可以指出這些分佈的相關系統式位移，然 後，以指明系統位移來移位分離點1 2 7 - i。於第4 B圖之例 子中，分佈122-i及122-(i + l)及特定分離間隙129-i已經向 上移位兩次間距。因此，控制器2 7可以藉由位移分離點 12 7-i兩次間距至127-i。這表示於後續讀取操作中，屬於 分佈122-i之在間隔116-(i + l)-l之資料儲存値將被指定 爲校正數位資料値106-1，而不是106-(i+l)。 這些位移在整個儲存値間距整體信號儲存値間距1 〇〇 中並不必要均勻，其在於上述系統式位移之外部或內部成 因可能不同地影響在整體儲存値間距整體信號儲存値間距 100內之不同儲存値間距104-i。 第4C圖例示另一可能性，其中，鄰近分佈122-i及 1 2 2“i+l)並未展現系統式位移，而是加寬。此一加寬可能 造成分佈之尾部重疊，如第4C圖所示。當一資料儲存値在 -22- 1277099 (19) 重疊區內時，及以指定數位資料値計算ECC顯示一錯誤，該 數位資料値之指定可以個別修改。類似於第3圖之實施例 ，若資料儲存値在重疊區中，例如，在次間距1 1 6 · i - 7中，則數 位資料値1 〇 6 - i將與之相關，及一 ’，品質差，，指標及一 ”異常 高”指標。因此，若ECC在資料扇區內檢出錯誤的出現，則 基於品質指標，部份實施例將建議ECC以校正此資料儲存 値之指定由數位資料値1 0 6 - i指定爲數位資料値1 0 6 - (i + 1 ) 〇 依據本發明之另一態樣，其他校正動作也可以基於一 扇區之”品質差”資料的統計加以執行。這些校正動作可以 藉由在記憶體系統外之控制器加以執行，或於其他實施例 中，藉由在記憶體系統內之邏輯執行。此後，執行校正動作 之單元將稱爲”控制器，，。”品質差，，之總數可以計數於記憶 體系統中之任一資料扇區中。此計數可以於讀取部份或所 有扇區資料時加以執行，或於特定，，管家，，操作時執行，以決 定該扇區資料的品質。於此實施例中，甚至不必應用ECC 指出資料扇區中出現錯誤。即使ECC指出資料扇區沒有 錯誤，於”品質差，，資料之數量增加可以指示於該扇區中之 資料品質被劣化。藉由此指標，前置校正動作可以以即時 方式執行，而防止實際錯誤的出現。 第5圖例示一有關於，，品質差，，資料計數的操作記憶體 系統的流程圖。 a)若C，一扇區之，，品質差，，資料計數爲零，或小於一第 一預定値N】，即c <N !，則表示此扇區之資料品質未劣化，或 -23- 1277099 (20) 只有一低容許度。因此，不需要校正動作。 b)若C，一扇區之”品質差”資料計數爲第一及第二預定 値間，即N】S C $ N 2，則表示此扇區之資料劣化至一些程度 。因此，此扇區之資料應被更新、再寫、或記錄至另一扇 區。然而，劣化之程度使得實質錯誤發生之機率很低。因 此，上述校正動作並不必立即執行，但可以延遲直到一適當 時間爲止。例如，這些校正動作可以執行於當記憶體系統 已完成讀取命令，並且，不再執行更高優先權工作之時。 〇若C，一扇區之”品質差”資料計數爲第二及第三預定 値間，即N2S N3,則表示此扇區之資料劣化至相當程度 。因此，此扇區之資料應在很短時間之預定延遲內，被更新 、再寫、或記錄至另一扇區。 d)若C5—扇區之”品質差”資料計數係高於第三預定値 間，即N3S C，則表示此扇區之資料劣化至不可忍受之程度 。劣化之成因可能在扇區內，例如，由於過度之讀寫操作造 成之過量磨損，或部份材料或製程不正常。於此時，寫入至 該扇區內之資料的品質將被劣化。可預見劣化可以藉由立 即記錄該資料，由記憶體系統之低品質扇區至較高優先權 之另一扇區而加以防止。低品質扇區可以不要，使得未來 不會有資料寫在其上。 其他實施例利用定位於記憶體系統之正常記憶體單元 間之追縱單元。追縱單元及其操作將例如說明於美國專利 第6,222,762及7,275,4 1 9號案中，該兩案均列入參考。 追縱單元經歷與正常記億體單元相同之外部及內部影 -24 - 1277099 (21) 響，因此，追縱單元的統計可以代表記憶體單元的整個陣列 的統計。因此，一記憶體系統可以依據第5圖中之步驟相 關於追縱單元間之”品質差”資料的計數加以操作。 另一實施例編輯當讀取一扇區之資料時，爲ECC所檢 測之錯誤數量。如第6圖中之流程圖所不，不同類型之校 正動作可以相關於錯誤數量加以執行。 a) 若E，一扇區之錯誤數量爲零，或小於一第一預定値 Μ !，即C<M!，則表示此扇區之資料未劣化，或只有一低容許 度。因此，它們可以以E C C可靠地重建，也可配合上品質指 標。 b) 若E，一扇區之錯誤數量爲第一及第二預定値間，即 Μ! S C S Μ 2，則表示此扇區之資料劣化至一些程度。因此， 首先，此扇區之資料必須爲ECC所重建，可能配合上品質指 標，然後，扇區之資料應被更新、再寫、或記錄至另一扇區 。然而，惡化之程度使得資料可以爲E C C所以高可靠度方 式重建，可能配合上品質指標。再者，這些校正動作並不必 立即執行，但可以延遲直到一適當時間爲止。例如，這些校 正動作可以執行於當記憶體系統已完成讀取命令，並且，不 再執行更高優先權工作之時。 Ο若Ε,—扇區之錯誤數量爲第二及第三預定値間，即 Μ2 $ C S Μ;，則表示此扇區之資料劣化至相當程度。因此， 首先，此扇區之資料必須爲ECC所重建，可配合上品質指標 ，然後，扇區之資料應在很短時間之預定延遲內，被更新、再 寫、或記錄至另一扇區。 -25- 1277099 (22) d)若E，一扇區之錯誤數量係高於第三預定値間，即M3 ^ C，則表示此扇區之資料惡化至不可忍受之程度。惡化之 成因可能在扇區內，例如，由於過度之讀寫操作造成之過量 磨損，或部份材料或製程不正常。於此時，寫入至該扇區內 之資料的品質將被惡化。因此，首先，扇區資料必須爲ECC 所重建，可能配合上品質指標。再者，資料的未來惡化可以 藉由立即記錄該資料，由記憶體系統之低品質扇區至較高 優先權之另一扇區而加以防止。隨後，惡化扇區可以不要， 使得未來不會有資料寫在其上。 如前所述，改錯碼並不能以高或然率，回復超出數目K 之惡化資料。於先前例子中，K採値5。有時，若於一扇區 中，大於K資料被惡化，則其被認爲是ECC被”淹沒”。於上 述流程圖中，M3可以等於或不同於K。特別是，記億體系統 可以被操作5使得即使ECC可以重建高或然率之資料，即 E<K，資料被記錄及扇區被丟棄，即M3〈E<K。 於部份實施例中，錯誤可以爲有限量之計數器計數。 一例子爲每扇區四値之計數器，若ECC可以每扇區四惡化 資料可靠地重建資料，即K = 4。若由ECC所指之錯誤量超 出4,即Ε>4,則錯誤計數器可以提供”溢流”信號。於此時 ，ECC可以再試重建被惡化資料，但現藉由利用品質指標。 若結果滿意，則可以接受下一傳送給使用者。 雖然，本發明之各種態樣已經針對某些實施例加以說 明，但可以了解的是，本發明可以保護隨附申請專利範圍之 全部範圍。 •26- 1277099 (23) 【圖式簡單說明】 第1圖爲包含一陣列記憶體單元之記憶體系統。 第2A及2B圖爲代表資料儲存値之不同實施例。 第2C圖爲相關品質指標至數位資料値之實施例。 第3圖爲使用品質指標以回復資料的例子。 第4A-C圖爲在資料扇區內之資料儲存値的不同分佈 〇 第5圖爲基於資料扇區之品質指標之統計的記憶、胃/系 統的操作流程圖。 第6圖爲基於資料扇區中之錯誤數量之記億體系統的 操作流程圖。 主要元件對照表 11 正矩陣 13 位元線單元 15 線 17 線 19 字元線單元 21 操縱線單元 22 線 23 線 25 匯流排 27 控制器 26a，b，c 線 •27- 1277099 (24) 29 位元 3 1 字元 33 操縱 3 5 線 4 1 讀取 1 00 整體 102 資料 1 04 儲存 1 06 數位 1 08 中央 112 週邊 114-1 低邊 114-2 局邊 116 次間 127 分離 1 32 品質 134 異常 122 分佈 129 分離 122 分佈 控制線 控制陣列 控制線 線 信號儲存値間距 儲存値 値間距 資料値 較佳範圍 鄰近範圍 緣 緣 距 點 指標 指標 間隙

-28-

Claims (1)

1277099 (1) 拾、申請專利範圍 1.一種操作一記憶體系統的方法，包含步驟： 由該記憶體系統，讀取資料儲存値及改錯資料； 以數位資料値及相關品質指標5代表該等個別讀取資 料儲存値；及 施加一改錯碼及品質指標，配合上數位資料値，以代表 由記憶體系統讀出之資料儲存値。 2·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之讀 取資料儲存値的步驟係由多數非揮發記憶體單元所並聯執 行。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之代 表個別讀取資料儲存値的步驟包含： 依據資料儲存値放置在哪些定義非重疊儲存値間距內 ，而產生數位資料値.，其中個別儲存値間距包含一中央較佳 範圍及至少一與之鄰接的週邊範圍。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中上述之以 相關品質指標代表個別讀取資料儲存値之步驟包含： 產生相關品質指標，以指示是否在資料儲存値在儲存 値間距之較佳範圍或鄰近範圍，藉以當資料儲存値在較佳 範圍內時，指示品質佳資料，及當資料儲存値於鄰近範圍內 時，指示品質差資料。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之方法，其中上述之個 別儲存値間距包含中央較佳範圍及一鄰接較佳範圍兩側之 週邊範圍，及，其中產生相關品質指標的步驟包含： •29- 127.7099 (2) 當一品質差指標相關於該資料儲存値時，產生一指標， 以指示資料儲存値在哪一週邊範圍內。 6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中上述之產 生一指標，以指示資料儲存値在哪一週邊範圍內之步驟包 含： 當資料儲存値在由上方鄰近中央較佳範圍之週邊範圍 內時，指示異常高資料；及 當資料儲存値在由下方鄰近中央較佳範圍之週邊範圍 內時，指示異常低資料。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之方法，其中上述之以 數位資料値及相關品質指標代表資料儲存値之步驟包含： 藉由相關數位資料値、藉由相關品質佳或品質差指標 之數位代表値、及藉由相關異常低或異常高指標之數位代 表値，來代表個別資料儲存値。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之方法，其中上述之施 加改錯碼至數位資料値的步驟包含： 當所施加改錯碼能重建至少一惡化數位資料値時，藉 由施加改錯碼，而重建至少一惡化數位資料値，藉以該至少 一惡化數位値爲該改錯碼所檢測；及 當所施加改錯碼並不能重建該至少一惡化數位資料値 時，藉由施加改錯碼配合上相關品質指標，以重建該至少一 惡化數位資料値，藉以該至少一惡化數位資料値已被改錯 碼所檢測。 9.如申請專利範圍第8項所述之方法，其中上述之重 -30- 1277099 (3) 建至少一惡化數位資料値的步驟包含： 使用相關之品質差指標，以修改至少一數位資料値。 10·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中上述之修 改至少一數位資料値的步驟包含： 依據相關資料儲存値在哪一週邊範圍內之相關指標， 而修改該至少一數位資料値，藉以當異常高指示時，該至少 一數位資料値被增加，及當異常低指示時，該至少一數位資 料値被降低。 11 ·如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中上述之 施加改錯碼配合上相關品質指標的步驟包含： 依據相關品質指標，修改該至少一數位資料値；及 重覆該修改該至少一數位資料値的動作，直到改錯碼 能校正數位資料値爲止。 1 2 · —種操作一記憶體系統的方法，包含步驟： 由記憶體系統讀取多數資料儲存値； 由數位資料値及相關品質指標代表個別讀取資料儲存 値； 建立相關於多數資料儲存値之多數品質指標的統計； 及 利用相關品質指標的統計，以操作記憶體系統。 13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其中上述之 讀取資料儲存値係由多數非揮發記憶體單元並聯進行。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述之方法，其中上述之 代表個別讀取資料儲存値的步驟包含： -31 - 1277099 (4) 依據資料儲存値所在哪一定義之非交叉儲存値間距內 ，而產生該等數位資料値，其中個別儲存値間距係爲分離點 所分離；及 依據資料儲存値在儲存値間距內之何處，而產生相關 品質指標。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之方法，其中上述之 利用多數相關品質指標以操作記憶體系統的步驟包含： 依據多數相關品質指標的統計，而修改該等分離點。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之方法，其中上述之 建立多數相關品質指標之統計的步驟包含： 建立在儲存値間距之個別次間距之資料儲存値的數量 ，其中個別儲存値間距包含多數非重疊次間距；及 指出分離間隙係爲一或多數次間距，其中資料儲存値 之數量係小於一預定値。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所述之方法，其中上述之 依據多數相關品質指標的統計，以修改分離點的步驟包含： 修改至少一分離點，以使之在一對應之分離間隙內。 18.—種操作一記憶體系統的方法，包含步驟： 由記憶體系統讀取資料儲存値； 藉由數位資料値及相關品質指標，以代表個別讀取資 半斗儲存値； 分類相關於多數記憶體單元之資料儲存値之累積品質 指檩；及 利用所累積之品質指標的分類，操作該記憶體系統。 -32- (5) 1277099 t 1 9 .如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其中上述之 資料儲存値之讀取係由非揮發記憶體單元並聯進行。 20.如申請專利範圍第18項所述之方法，其中上述之 代表個別讀取資料儲存的步驟包含： 依據資料儲存値放置在哪些定義非重疊儲存値間距內 ，而產生數位資料値，其中個別儲存値間距包含一中央較佳 範圍及至少一與之鄰接的週邊範圍； 產生相關品質指標，以指示是否在資料儲存値在儲存 値間距之較佳範圍或鄰近範圍，藉以當資料儲存値在較佳 範圍內時，指示品質佳資料，及當資料儲存値於鄰近範圍內 時，指示品質差資料。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項所述之方法，其中上述之 分類相關於多數記憶體單元之品質指標之步驟包含·· 在至少一多數記憶體單元內，建立品質差資料的數量 〇 22 ·如申請專利範圍第2 1項所述之方法，其中上述之 利用累積品質指標的分類以操作記憶體單元系統的步驟包 含： 依據多數記憶體單元之品質差資料的數量，管理至少 一多數記憶體單元之資料儲存値的步驟包含： 當品質差資料的數量係低於第一預定値時，使得資料 儲存値不變。 23.如申請專利範圍第22項所述之方法，其中上述之 利用累積品質指標的分類以操作記憶體單元的系統，包含 -33- /〇99 (6) 以卞步驟之一： 重寫資料儲存値入相同多數之記憶體單元；及 當品質差資料的數量係低於第二預定値時，但不小於 第一預定値時，在依據系統之優先權選擇之後，記錄資料儲 存値至不同多數之記憶體單元。 24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中上述之 利用累積品質指標之分類以操作記憶體單元的系統的步，驟 包含以下步驟之一： 重寫資料儲存値入相同多數之記憶體單元；及 當品質差資料的數量係低於第三預定値時，但不小於 第一預疋値時，_LL即或在一預定延遲之後，記錄資料儲存値 至不同多數之記憶體單元。 25. 如申請專利範圔第24項所述之方法，其中上述之 利用累積品質指標之分類以操作記憶體單元的系統的步驟 包含： 記錄至少一多數記憶體單元之資料儲存値至不同多數 之記憶體單元；及 當品質差資料數量不小於一第三預定値時，丟棄該至 少一多數記憶體單元。 26·—種操作一記憶體系統的方法，包含步驟： 由記憶體系統讀取資料儲存値； 以數位資料値及相關品質指標，代表個別讀取資料儲 存値； 施加一改錯碼，以決定代表多數記憶體單元之資料儲 -34- 1277099 (7) 存値之惡化數位資料値的數量； 藉由施加改錯碼配合上品質指標，重建該惡化數位資 料値；及 利用該惡化數位資料値之數量以操作記憶體系統。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項所述之方法，其中上述之 代表個別讀取資料儲存値的步驟包含： 依據資料儲存値放置在哪些定義非重疊儲存値間距內 ，而產生數位資料値，其中個別儲存値間距包含一中央較佳 範圍及至少一與之鄰接的週邊範圍；及 產生相關品質指標，以指不是否在資料儲存値在儲存 値間距之較佳範圍或鄰近範圍內，藉以當資料儲存値在較 佳範圍內時，指示品質佳資料，及當資料儲存値於鄰近範圍 內時，指示品質差資料。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項所述之方法，其中上述之 個別儲存値間距包含中央較佳範圍及一鄰接較佳範圍兩側 之週邊範圍，及，其中產生相關品質指標的步驟包含： 當一品質差指標相關於該資料儲存値時，產生一指標， 以指示資料儲存値在哪一週邊範圍內。 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之方法，其中上述之 產生一指標，以指示資料儲存値在哪一週邊範圍內之步驟 包含： 當資料儲存値在由上方鄰近中央較佳範圍之週邊範圍 內時，指示異常高資料；及 當資料儲存値在由下方鄰近中央較佳範圍之週邊範圍 -35- 1277099 (8) 內時，指示異常低資料。 30.如申請專利範圍第29項所述之方法，其中上述之 以數位資料値及相關品質指標，代表個別讀取資料儲存値 之步驟包含： 藉由相關數位資料値、藉由相關品質佳或品質差指標 之數位代表値、及藉由相關異常低或異常高指標之數位代 表値，來代表個別讀取資料儲存値。 3 1 ·如申請專利範圍第3 〇項所述之方法，其中上述之 利用惡化數位資料値的數量，以操作記憶體系統的步驟包 含： 依據多數記憶體單元之惡化數位資料値的數量，以管 理多數記憶體單元之資料儲存値，包含步驟： 虽一惡化數位資料値之數量少於一第一預定値時，藉 由改錯碼配合上品質指標，而重建資料儲存値。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項所述之方法，其中上述之 利用惡化數位資料値數量，以操作記憶體單元的系統的步 驟包含： 以改錯碼配合上品質指標，以重建資料儲存値；以下之 任一步驟： 重寫資料儲存値入相同多數之記憶體單元；及 當惡化數位資料値的數量係低於第二預定値時，但不 小於第一預定値時，在一選定時間後，記錄資料儲存値進入 不同多數之記憶體單元。 33.如申請專利範圍第32項所述之方法，其中上述之 -36- 1277099 (9) 利用惡化數位資料値之數量，以操作記憶體系統的步驟包 含： 藉由改錯碼配合上品質指標，以重建資料儲存値；及以 下步驟之一： 重寫資料儲存値入相同多數之記憶體單元；及 當惡化數位資料値之數量係低於第三預定値時，但不 小於第二預定値時，立即或在一預定延遲之後，記錄資料儲 存値至不同多數之記憶體單元。 34·如申請專利範圍第33項所述之方法，其中上述之 利用惡化數位資料値之數量，以操作記億體系統的步驟包 含： 藉由改錯碼配合上品質指標，以重建資料儲存値； 將資料儲存値記錄至不同多數記憶體單元；及 當惡化數位資料値的數量不小於一第Η預定値時，丟 棄該至少一多數記憶體單元。 -37-