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TWI274921B - Polymeric liquid metal optical switch - Google Patents

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TWI274921B
TWI274921B TW092129951A TW92129951A TWI274921B TW I274921 B TWI274921 B TW I274921B TW 092129951 A TW092129951 A TW 092129951A TW 92129951 A TW92129951 A TW 92129951A TW I274921 B TWI274921 B TW I274921B
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TW
Taiwan
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converter
liquid metal
channel
polymer layer
conversion
Prior art date
Application number
TW092129951A
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English (en)
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TW200420927A (en
Inventor
Marvin Glenn Wong
Leslie A Field
Original Assignee
Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd filed Critical Avago Tech Ecbu Ip Sg Pte Ltd
Publication of TW200420927A publication Critical patent/TW200420927A/zh
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Publication of TWI274921B publication Critical patent/TWI274921B/zh

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Description

1274921 玖、發明說明: 此申請案與下列共審查中之美國專利申請_有關’於下面列舉並以字 母數目順序羅列,這些申請案與本申請案具相同所有權,且其與本案具有相 當程度的關係,在此併入本案以為參考。 申請案10010448-1,標題為“壓電驅動液體金屬轉換器,,,於2〇〇2年5 月2日申請,編列流水號為10/137,691 ; 申請案10010529-1,“彎曲模態閉鎖繼電器,,,與本申請案具有相同申 請曰; 申請案10010531-1,“高頻彎曲模態閉鎖繼電器”,與本申請案具有相 同申請曰; 申請案100105701,標題為“壓電驅動液體金屬轉換器,,,於2〇〇2年5 月2日申請,編列流水號為10/142,076 ; 申請案10010571-1,“具面接觸之高頻液體金屬的閉鎖繼電器”,與本 申清案具有相同申請曰, 申請案10010572-1,“具面接觸之液體金屬閉鎖繼電器”,與本申請案 具有相同申請曰; 申請案10010573-1 ’ “嵌入式液體金屬閉鎖繼電器,,,與本申請案具有 相同申請日; 申請案10010617-1,“高頻、液體金屬之閉鎖繼電器陣列,,,與本申& 案具有相同申請曰; 申請案10010618-1,“嵌入式液體金屬閉鎖繼電器陣列,,,與本申往 具有相同申請日; μ 申請案10010634-1,“液體金屬光學繼電器,,,與本申請案具有相同申 請曰; 申請案10010640-1,標題為“縱向壓電光學閉鎖繼電器,,,於2〇〇1年 10月31日申請,編列流水號為09/999,590 ; 申請案10010643-1,“剪切模態液體金屬轉換器”,與本申請案具有相 同申請曰; ' 申請案10010644-1,“彎曲模態液體金屬轉換器”,與本申請案具有相 1274921 同申請曰; 申請案10010656-1,標題為“縱向模態的光學閉鎖繼電器,,,與本申請 案具有相同申請曰; 申請案讓06634,標題為“用於推進模態的壓電驅動液體金屬轉換器 之方法與結構,,,與本申請案具有相同申請曰; 申請案疆_4_1,“用於推賴態的壓電驅練體金屬光轉換器之 方法與結構,,,與本申請案具有相同申請曰; 申請案10010790-1,標題為“轉換器與其之生產方法,,,於2〇〇2年12 月12日申請,編列流水號為i〇/317,597 ; 申請案10011055-1,“具彎曲轉換條的高頻閉鎖繼電器”,與本申請案 具相同申請曰; 申請案10011056-1,“具轉換條的閉鎖繼電器,,,與本申請案具相同申 請曰; ’、 申请案10011064-1,“高頻推進模態之閉鎖繼電器,,,與本申請案具相 同申請曰; 申請案10011065-1, “推進模態之閉鎖繼電器,,,與本申請案具相同申 請曰; 申請案10011121-1,“封閉迴路壓電泵,,,與本申請案具相同申請曰; 申請案10011329-1 ,標題為“固體芯塊縱向壓電閉鎖繼電器,,,於2〇〇2 年5月2日申請,編列流水號為i〇/137,692 ; 申請案10011344-1,“用於芯塊推進模態的壓電驅動液體金屬轉換器之 方法與結構”,與本申請案具相同申請曰; 申請案10011345-1,“用於芯塊協助縱向壓電驅動液體金屬光學轉換器 之方法與結構”,與本申請案具相同申請曰; 申請案10011397-1,“用於芯塊協助推進模態壓電驅動液體金屬光學轉 換器之方法與結構’,,與本申請案具相同申請曰; 申請案10011398-1,“聚合液體金屬轉換器,,,與本申請案具相同申請 曰; 申請案 10011436-1 縱向電磁閉鎖光學繼電器”,與本申請案具相同 1274921 申請曰; 申請案10011437-1,“縱向電磁閉鎖繼電器,,,與本申請案具相同申請 曰; 申請案10011458-1,“阻尼縱向模態光學閉鎖繼電器,,,與本申請案具 相同申請曰; 申請案10011459-1,“阻尼縱向模態閉鎖繼電器”,與本申請案具相同 申請曰; 申請案10020013-1,標題為“轉換器及其製造方法,,,於2〇〇2年12月 12曰申請,編列流水號為10/317,963 ; 申請案10020027-1,標題為“壓電光學繼電器,,,於2〇〇2年3月%曰 申請,編列流水號為10/109,309 ; 申請案10020071-1 ’標題為“用於積體遮蔽微電路的電絕緣液體金屬微 轉換器”,於2002年10月8日申請,編列流水號為i〇/266,872 ; 申請案10020073-1,標題為“壓電光學的多工解訊轉換器,,,於2〇〇2 年4月10日申請,編列流水號為1〇/119,503 ; 申請案10020162-1 ’標題為“體積調節儀器與使用方法,,,於年 12月12日申請,編列流水號為10/317,293 ; 申請案10020241-1,“維持液體金屬轉換器於預備轉換狀態之方法與裝 置”,與本申請案具相同申請日; 申請案10020242-1 ’標題為“縱向模態固體芯塊光學閉鎖繼電器,,,與 本申請案具相同申請曰; ^ 申请案10020242-1’標題為“反射模光學多工器/多工解訊器,,,與本申 請案具相同申請曰; 申請案10020540-1,‘‘用於固體芯塊履帶壓電繼電器之方法與結構”, 與本申請案具相同申請曰; 申請案10020541-1,標題為“用於固體芯塊履帶壓電光學繼電器之方法 與結構”,與本申請案具相同申請曰; 申請案10030438-1,“嵌入式手指液體金屬繼電器,,,與本申請案具相 同申請曰; ' 1274921 申請案10030440-1,“濕式手指液體金屬閉鎖繼電器”,與本申請案具 相同申請曰; 申請案10030521-1,“壓力驅動光學閉鎖繼電器”,與本申請案具相同 申請曰; 申請案10030522-1,“壓力驅動固體芯塊光學閉鎖繼電器,,,與本申請 案具相同申請日;與 申請案10030546-1,“芯塊履帶壓電反射的光學繼電器之方法與結 構”,與本申請案具相同申請曰。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於用於光學轉換之微機電系統(MEMS)的領域,尤其是有 關於一種聚合液體光學轉換器。 【先前技術】 液體金屬轉換器被設計,其係利用氣體的加熱所造成的壓力改變,而藉 在陷於通道中之液體金屬液滴中產生間隙來驅動轉換器(以除去光學路徑的 障礙),且在接點間移動液滴以濕潤(以阻礙光學路徑)。一目前使用來製造通 道結構之方法係具有解析度與準確性的限制,此乃因為其使用喷沙法以形成 通道的原因。另外,加熱式電阻器目前裝置於陶瓷基材上之方式係造成熱散 失入陶究基材的能量無效率。 【發明内容】 本發明係有關—魏合辟轉換^,其巾,—轉換通道伽彡成於一聚合 物層中。此通道可舰加讀術,諸如雷概賊賴像法,而形成。液體 金屬轉換雜包含於轉換通勒。該㈣金屬轉換麟期液體金屬體積, 而經由觀通道阻礙或雜礙光料麵操作。位轉魏勒之接點襯墊 係可稭《金屬而濕化,錢該賴器提供__制。聚合物層可配置於 一透明轉換器基材之間。 1274921 【實施方式】 雖然此發明可具有許多不同形式之具體實施例,但於圖式中說明一或多 個特殊具體實施例,於此並加崎述之,但需了解狀,本揭露内容係視為 本發明原理之例示’並無意圖_本發·其所敘述·之特殊具體實施例 中。於以下之敘述中,諸如參考數字,係用以敘述數個圖示中相同、相似或 相關聯之部分。 本發明-方面使驗加工技術,如:聚輕胺或其他聚合薄膜或層之雷 射燒餘,以於光學液體金屬轉換!I中製造通道結構。此法較噴沙法可達較佳 之耐受性麟減。在—具體實_巾,—通道層係使用卡普頓(細⑽,聚 酿亞胺薄膜)或其他適當聚合薄膜而構成,其絲雷射齡必要通道特徵於其 中而達成。然後,該通道層藉由適當接著齊卜諸如Cyt〇p或幻(具黏著性質 之熱塑性《)而骑_換錄材。卡㈣對水魏為可渗透 ^。若水統需被排除於最終總成之外,總成可被氣密魏,或可藉將其層 疊至-不可渗透性之支承平台而自行封裝並使用焊料而與轉換器基材密封。 此支承平台可由金屬、玻璃、郷或陶竟等所製造。上與下支承平台可以使 用透明材料製成,如賴或石英,以允許光學訊號透過他們。 於又-具體實關巾,此聚合通道層储以_適#賴聚合物(如旋裝聚 St亞胺)塗覆支承平台、固化、錢以雷射祕產生所需之通道結構而製成' 另-方面’若此材料為光可顯像性,此通道結構可於材料固化前,藉曝光與 顯影其必要特徵而製成。此最終通道層可具有—沈積於其上之黏著層,盆係 藉例如旋魅佈或儒塗佈歸層,之後再以絲像法或雷射齡而達成,。、 Cytop可藉前者製程而加工;0則係藉後者製程而加工。 二其亦希望儘可能減少熱量由電阻散失至基材。此可藉由在電阻器放置之 ,,於轉換H表面巾製造孔穴,且以如聚醯亞職之減料聚合物填充孔 八而達成。轉送至電阻ϋ之驅動訊號可被諸如經由透過轉換器基材或轉換 器基材上之執跡或貫穿轉換器基材所傳導。 、 於再一具體實施例中,由電阻器散失至基材的熱可藉由使用對轉換器基 材而言具有低熱傳導係數與耐高溫性之魏亞胺類的聚合物來降低。如^ 望電阻為可直接置於聚醯亞胺或中間層之上。薄化力口熱器區域下方與附近 1274921 區域之聚醯碰可降低加熱轉_之熱料與熱電容量。然而,若要求氣 密性,此法有需分別封裝之缺點。 第1圖顯示本發明-具體實施例之自行封裝之聚合液體金屬光學轉換器 的戴面圖。於第i圖中,在最雜裝之前,轉換器係以兩部份來表示。上部 份包括-透明通道支承平台舰,其覆蓋一聚合物層綱。在其他具體實施 中,:使用含波導管的不透明基材。透明通道支承平台脱可能以例如玻璃 或石英製成。聚合物可能為例如聚酿亞胺類的耐高溫惰性塑膠。轉換通道撕 係形成於聚合物層中。光纖娜以光學連接器⑽而偶合至透明通道支承平 口 102。黏著層112係覆蓋聚合物層1〇4之底面。此黏著劑可能為諸如c卿 或KJ m蹄著射被_至下部份之透明轉換材12G之上表 面、。於較佳的具體實施例中,黏著層約為7微米厚。上焊圈114係附接於透 明通逼支承平台102底部之周圍與聚合物層綱的邊緣。上焊圈可藉溶融焊 料而濕化。 第1圖中之轉換器的下部份係包括一透明轉換器基材12〇。基材可由例 ^玻璃或石英所製成。光纖122係以一光學連接器124而偶合至該透明轉換 器基材120。下焊圈126係附接於該透明轉換器基材12〇之内表面的周圍。 上焊圈可藉溶融焊料128而所濕化。可濕化接點襯塾(如圖所示之13〇)亦形成 於透明轉換基材⑽之内表面上,且當上下兩部份組合時,其將與轉換器 ,上部份中之通道106對齊。可濕化接點襯塾⑽係藉一為例如水銀之用以 提供轉換關賴_液體金屬所顧。於較佳的具體實蘭巾,接點約為 麵埃厚。連接器電連接器3〇6與33〇提供驅動訊號至加熱器,其將參照第 3圖而說明如下。 第2圖顯不經組合之轉換器的截面圖。黏著層112將聚合物層ι〇4黏結 至透明轉換器基材12〇,且於轉換器内產生一空腔廳。接點槪塾13〇係置於 二脸106的一邊。焊料128藉著表面張力而拉伸,而填滿上焊圈114與下焊 圈126之間隙。此&供了轉換器内部可靠的氣密封接。充份焊料與可潤濕的 焊圈的提供,保障完全的密封。 第3圖顯示本發明又_聚合轉換器的截面圖。在上部份白勺聚合物層撕 内含一加熱器空腔302。一加熱器3〇4,如電阻,係置於透明轉換器基材12〇 1274921 之内表面上且與加熱器空腔302對齊。當上下兩部份組裝後,加熱器將在加 熱器空腔内。電導體306與308提供電連接至該加熱器。在操作時,電壓被 提供通過加熱器,且加熱位於加熱器空腔内之氣體,造成氣麵力與體積的 增加。任擇地,一第二光纖310可經由光學連接器312而偶合至該透明通道 支承平台102。一對應的光纖314係經由光學連接器316而偶合至該透明轉 換器基材120,以使得光纖310與314係光學上對齊。絕緣層318與32〇係 提供電導體306與308及焊圈126間的電絕緣。此層可能為例如旋裝玻璃或 諸如SiNx或Si〇2之薄膜鈍化層。此層較佳係夠薄以使其不致阻礙焊圈間之 焊點的形成。聚合物層322 (諸如聚醯亞胺層)將加熱器3〇4與透明轉換器基 · 材120分離。 、。土 .- 第4圖為透明通道支承平台102下方之圖式。上焊圈U4係附著於透明馨 通道支承平台102内表面的周圍。通道402係包含於聚合物層1〇4内。黏著 層112於此圖示並未顯示。通道内為加熱器空腔逝與404以及轉換通道 106。於轉換通道1〇6内有三個接點襯墊406、116與4〇8。接點襯墊之表面 可藉液體金屬而濕化。截面1-1為第1圖所示之之上部份。截面3_3係旋轉 90度後之第3圖之上部份。截面5-5係為旋轉90度後之第五圖之上部份。 · 第5圖為貫穿第4圖截面5-5之組合的聚合光學轉換器的截面圖。此圖 已旋轉90度。此圖顯示通過轉換通道106之縱截面。於轉換通道1〇6内為上 接點襯墊406、116與408與下接點襯塾502、130與504。此上下接點可被 偶合以形成接點環。於轉換通道内亦含液體金屬之體積,顯示如5〇6與5〇8 ^ 液體金屬體。液體金屬體以其表面張力固定而與接點襯墊接觸。可濕化接點 襯墊與液體金屬之表面張力提供轉換器一閉鎖機制。如第5圖所示,隨著液 體金屬的散佈,光纖108與122間之光學路徑為液體金屬所阻礙,然而,光 . 纖310與314間之光學路徑卻是開啟的。當電壓提供給加熱器(第3圖中之 304)時,於加熱器空腔(第3圖中之3〇2)的壓力係增加。加熱器空腔與轉換空 - 腔相偶合,因此,於第5圖中之轉換空腔的右邊壓力亦增加。增加的壓力係 克服表面張力且破壞接點襯墊408與504及接點襯墊116與13〇間液體金屬 之結合力。部分液體金屬延著轉換通道移動並與液體金屬體5〇8相結合。如 此一來,於光纖108與112間之光學路徑便開啟,然而,液體金屬卻阻絕光 11 1274921 纖310與314間之路徑。最終之轉換狀態係如第6圖所示。當電壓提供給於 加熱器空腔404(如第4圖)内相對應的加熱器時,轉換狀態則逆行。 第7圖為轉換器下部份之内表面圖式,換言之,即透明轉換器基材120 之上表面。下焊圈126係覆蓋透明轉換器基材120之周圍。焊料本身並未顯 示於該圖式中。加熱器304係置於基材上以便於當轉換器組合時,可與加熱 器空腔302對齊(如第3圖與第4圖所示)。加熱器702係置放於基材上以便 於當轉換器組合時,可與加熱器空腔404對齊(如第4圖所示)。電導體306 與308由加熱器304延伸至基材的邊緣,因此電壓可施加至加熱器322。電 導體306與308由加熱器304延伸至基材的邊緣,因此電壓可施加至加熱器 304。另一方面,電導體可通過轉換器基材内之通道。絕緣層318與32〇將電 導體與焊圈126隔絕。聚合物層322將加熱器304與透明轉換器基材12〇隔 離。相對應的連接器與絕緣層係用以連接第二加熱器7〇2至基材的邊緣。接 點襯墊502、130與504於轉換腔中含以液體金屬潤濕之平面。截面1β1為第 1圖之下部份。截面3_3(旋轉9〇度)係第3圖之下部份。截面5_5(旋轉9〇度) 係第5圖之下部份。 第8圖為透明通道支承平台1〇2之外表面圖式。附著於平台者為將光纖 310與108偶合至平台之光學連接器312與11〇。 雖然本發明係已連同特殊具體實施例來解譯,但是很明顯地,熟於此技 者將依據前述說明,而清楚了解許多替代例、改良、變換配置、與變化。因 此,本發明意欲包含屬於附加專利申請範圍之範圍内的所有替代例、改良及 變化。 【圖式簡單說明】 此發明的特徵被認為是新穎的,其特徵係陳述於附加的專利申請範圍中。然而 § ’、,本身就其結構與操作方法兩者,連同其目標與優點而言,可參照隨後之發 明洋細内讀’之圖式而達到最佳的了解,此發明内容係描述特定些典型的發明 具體實施例,其中: 第1圖為根據本發明特定具體實施例之一自行封裝之聚合液體金屬光學轉換器的截 12 1274921 第2圖為根據本發明特定具體實施例之經組合的轉換器的截面圖。 第3圖為根據本發明特定具體實施例之聚合液體金屬轉換器的又一截面圖 第4圖為根據本發明特定具體實施例之通道支承平台之内表面圖式。回 第5圖為組合的聚合光學轉換器於第一轉換狀態之截面圖。 第6圖為組合的聚合光學轉換器於第二轉換狀態之截面圖。 第7圖為根據本發明特定具體實施例之轉換器基材之内表面圖式。 第8圖為根據本發明特定具體實施例之通道支承平台之外表面圖式。 元件標號對照 102 透明通道支承平台 310 光纖 104 聚合物層 312 光學連接器 106 轉換通道 314 光纖 108 光纖 316 光學連接器 110 光學連接器 318 絕緣層 112 黏附層 320 絕緣層 114 上焊圈 322 聚合物層 116 上接點襯墊 330 電導體 120 透明轉換器基材 332 電導體 122 光纖 402 通道 124 光學連接器 404 加熱器空腔 126 下焊圈 406 上接點襯墊 128 熔融焊料 408 上接點襯墊 130 下接點襯墊 502 下接點襯墊 302 加熱器空腔 504 下接點襯墊 304 加熱器 506 液體金屬體 306 電導體 508 液體金屬體 308 電導體 702 加熱器 13

Claims (1)

  1. Ι2749ί192ΐ’ι號專利申請案t請專利範圍修正本95〇8〇9
    拾、申請專利範圍: L 一種聚合光學轉換器,其係包含: 一聚合物層; ,. 一轉換通道,其係形成於該聚合物層中; 轉換材,其具有-内表面與—外表面,_表面伽著於該聚合 本 物層; 案 H 、 i> —紐金屬轉換11,其形成於轉換器紐之喊©上,且包含於該轉 後 、 是 換通道内;與 否 | 一第一光學路徑,其通過該轉換通道。 原 | 2·如巾請專利範圍第i項之聚合光學轉換器,於該轉換器基材與該聚合物 db 嚷 層之間又包含一黏附層。 3.如申請專利範圍第1項之聚合光學轉換器,更包含一含有一内表面與一 外表面的通道支承平台,該通道支承平台之内表面_著於該聚合物 層,以使得該聚合物層介於該通道支承平台與該轉換器基材之間。 如申明專利範圍第3項之聚合光學轉換器,其中該通道支承平台與該轉 換器基材是透明的。 5·如申請專利範圍第4項之聚合光學轉換器,其中該通道支承平台與該轉 換器基材之至少其中一者是玻璃。 6·如申請專利範圍第4項之聚合光學轉換器,其中該通道支承平台與該轉 換器基材之至少其中一者是石英。 7.如申請專利範圍第4項之聚合光學轉換器,其又包含: 14 1274921 第光學連接裔,其係偶合至該通道支承平台之外表面·以及 一第二光學連接器,其係偶合至該轉換器基材之外表面,該第二光學連 接器係光學解_第—光學連接器,而频__該轉換通道之第— 光學路徑。 8. 如申請專機圍第3項之聚合光學轉換器,其又包含介於麵道支承平 台與該轉換器基材間之—氣密封接,該氣密封接、該通道支承平台與該 轉換器基材係密封該聚合物層。 9. 其中該氣密封接係包含: 申請專利範圍第8項之聚合光學轉換器 一第其係_於親道支承平㈣表面之賴且環繞該聚合物 層; 一第二焊圈,其係黏附於該轉換器基材内表面之周圍;以及 一焊點,其連接該第一與第二焊圈。 10. 如申請專利範圍第9項之聚合光學轉換器,其中該第—與第二焊圈可為 溶融焊料所潤濕。 11. 如申请專利範圍第1項之聚合光學轉換器 其中該液體金屬轉換器係包 一第-外接點機,其餘於該轉換通道中且具有—可為液體金屬所潤 濕之表面; 一第二外接點触’其係位於該轉換通道中且具有—可為液體金屬所潤 濕之表面; 第二外接點襯墊之間的該轉換 一中間接點襯墊,其係位在介於該第一與 15 1274921 通逼中且具有一可為液體金屬所潤濕之表面; 第液體金屬體,其包含於轉換空腔内且與該第一外接點襯蟄濕接觸; —第二液體金屬體,其包含於轉換空腔内且與該第二外接點襯塾濕接 觸;以及 1三液體金屬體,其包含於轉換空腔内且_中間接點襯麵接觸; 其中知二液體金屬體係適於與該第—液體金屬體錢第三液體金屬體 之其中一者相結合。 12. 如申請專利範圍第u項之聚合光學轉換器,其中該第一光學路徑係介 於該第-與第三液體金屬體之間,且當該第—與第三液體金屬體相結合 時,該路徑將被阻絕。 13 如申請專利範圍第U項之聚合光學轉換器,其中液體金屬轉換器更包 含: 一第-加熱器空腔’其形成於該聚合物層中且與該轉換通道相偶合; 一第二加熱器空腔,其形成於該聚合物層中且與該轉換通道相偶合; -第-加熱器,其係置於該第-加熱器空腔中且用以加熱在該第一空腔 内之流體;與 一第二加熱器,其係置於該第二加熱器空腔中且用以加熱在該第二空腔 内之流體; 其中該第一加熱器之操作係造成該第三液體金屬體與該第一液體金屬體 相結合,且該第二加熱器之操作係造該成第三液體金屬體與該第二液體 金屬體相結合。 16 1274921 14. 如申請專利範圍第13項之聚合光學轉換器,其又包含: 一第-電連接器,其係形成於該轉換器基材之内表面上,且電氣連接至 該第一加熱器;以及 -第二電連接H,其係形成於該轉麵基材之喊社,且電氣連接至 該弟二加熱器。 15. 如申請專利範圍第13項之聚合光學轉換器,其中該第一加熱器與該第 二加熱器之至少其中-者係以—具有低熱傳導係數之襯墊與該轉換器 基材隔離。 16. 如申鱗概圍第13項之聚合絲轉鮮,其巾該具有健傳導係數 之襯墊係以一聚合物材料所製成。 Π.如申請專利範圍第u項之聚合光學轉換器,其又包含一第二光學路徑, 其通過介於該第二與第三液體金屬體間之轉換通道,當該第二與第三液 體金屬體相結合時,該第二光學路徑係被阻絕。 18·如申請專利範圍第U項之聚合光學轉換器,其中該第一與第二外接點 襯墊與該中間接點襯墊係固定至該轉換器基材之内表面。 19·如申請專利範圍第U項之聚合光學轉換器、,其又包含一具有一内表面 與一外表面之通道支承平台。 2〇.如申請專利範圍第β項之聚合光學轉換器,其中該第_與第二外接點 襯墊與該中間接點襯墊係固定至該通道支承平台之内表面。 21·如申請專利範圍第19項之聚合光學轉換器,其中該第一外接點襯墊、 該第二外接點襯塾與中間接點襯墊之至少其中一者係包括一對接點襯 17 1274921 塾,該對接點襯墊之其中—者伽定至該通道支承平台之内表面且另一 者係固定至該轉換器基材之内表面。 泣如申請專利範圍第㊇項之聚合光學轉換器,其中該第一外接點襯塾、 該第二外接賴墊射嶋點键之至少其巾—者係包含—附著於該 轉換通道之壁的接點圈。 汉如申請專利範圍第!項之聚合光學轉換器,其中該聚合物層係由聚酿亞 胺所組成。 24·如申請專利範圍第i項之聚合光學轉換器,其中該聚合物層係由卡普頓 (Kapton)所組成。 π如申請專利範圍第i項之聚合光學轉換器,其中該轉換器基材係由一聚 合物所組成。 26.如申請專利範圍第丄項之聚合光學轉換器,由—微加工技術製作而成。 27· —種製造聚合光學轉換器的方法,該方法包含: 於一轉換器基材上形成多個接點襯墊; 於该轉換器基材上形成一加熱器; 於-聚合物層中形成-通道結構,該通道結構具有一轉換通道與一與該 轉換通道相偶合之加熱器空腔; 於多個接點襯塾之至少其中-者上放置_液體金屬體;與 將捕換為基材黏附至該聚合物層,以使得該加熱器係置於該加熱器空 腔中且該多個接點襯墊係置於該轉換空腔内。 28·如申请專利範圍帛Z7項之方法,其中於該聚合物層中之該通道結構係 18 1274921 以微加工技術製作而成。 29·如申請專利範圍第28項之方法,其中於該聚合物層中之該通道結構係 以雷射燒蝕聚合物層而形成。 30·如申請專利範圍第27項之方法,其中該聚合物層係形成於一通道支承 平台上。 31·如申請專利範圍第30項之方法,其又包含: 黏附一第一焊圈至該通道支承平台之内表面的周圍,該第一焊圈可為熔 融焊料所潤濕; 黏附一第二焊圈至該轉換器基材之内表面的周圍,該第二焊圈可為熔融 焊料所潤濕;以及 將該第一焊圈與該第二焊圈相焊接以形成一圍繞該該聚合物封接。 32. 如申請專利範圍第30項之方法,其中該聚合物層中形成該通道結構之 步驟包含: 以一液態聚合物塗佈該通道支承平台; 固化該液態聚合物; 以雷射燒蚀該聚合物以形成該通道結構。 33. 如申請專利範圍第27項之方法,其中於該聚合物層中形成該通道結構 之步驟包含: 以一聚合物塗佈該通道支承平台之一平面;與 以光顯像法形成該通道結構。 34. 如申请專利範圍弟27項之方法,其中該轉換器基材黏附於該聚合物層 19 1274921 之步驟包含: 施用一黏附層至該聚合物層與該轉換器基材之至少其中一者;以及 使該聚合物層與該轉換器基材相接觸。 20 1274921 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(5)圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 102 透明通道支承平台 130 下接點襯墊 104 聚合物層 310 光纖 108 光纖 312 光學連接器 110 光學連接器 314 光纖 112 黏附層 316 光學連接器 114 上焊圈 406 上接點襯墊 116 上接點襯墊 408 上接點襯墊 120 透明轉換器基材 502 下接點襯墊 122 光纖 504 下接點襯墊 124 光學連接器 506 液體金屬體 126 下焊圈 508 液體金屬體 128 熔融焊料
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