TWI273275B - Sensor arrangement for detecting radiation, computer tomograph having this sensor arrangement, and associated manufacturing method - Google Patents

Description

1273275 五、發明說明α) 〔發明領域〕 本發明係有關於偵測輻射，特， 1 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ Λ * ^ {；/] ;η:;ΐ: = ;ί用；層攝影裝置、或航空 皆η八加：凌置直接照射邊境管制圍欄之 h櫃或王口ρ載重物車輛（HGV )。做為 器，舉例來說，這個成測哭排列传呈為^射上敏之感測 、w拼yH糸具有一個接腳二極體。 〔發明背景〕

^接腳二極體係一個具有層積順序p、i、n之二極 ΐ二ΐΐ ^係表示高濃度之？摻質區域，i係表示本質導 $或本貝區域、或低濃度之n或？摻質區域，且n係表示高 濃度之η摻質區域。由於這個本質導電或本質區域、:、： 濃度中間摻質區域之存在，這個接腳接面與已知ρ :面 並不相同。另外，由於通過這個接腳二極體之反向 這個i區域之產生電荷’因此，這個接腳：極 說’便可以在核能技術中，做為-個接腳光二 極體或做為一個輻射偵測器。在電腦斷層攝影裝置中，X 光輻射會轉換為這種接腳二極體可以偵測之輻射，舉例來 說，X光輻射會利用一個”閃爍層（scintiUat〇r layer )，轉換為可見光，特別是波長範圍5〇〇至7〇〇齐米 之可見光。這個波長範圍之可見光可以利用矽材料^偵 測0 為達成輻射镇測用途

本發明之主要目的係提供一種

1273275 五 發明說明（2) 具備簡單設計之感測器排列，豆 、 法製造’特別是，可 二 利用標準之半導體士 ::jr本發明之另-目的係提；fc方法 造方法。 义種感測器排列之」 為達到上述及其他目 專利範圍第1項所述t β ^種感測器排列係根據φ % 測器排列之各種Λ感測器排列以達成。另外，二申晴 成。 月專利範圍之附屬項以達 根據描述順序（舉例

之感測器排列伟呈右 、面至底面），本| 』你具有下列元件，其包括·· 承發明 一支持基底，其係能夠至少部 二、或在照射轄射時產生可谓測輻 ：透：價測輻 感測裔排列之複數偵測元件； W ，其係支持該 至少一辅助層，其係能夠滲 伸至複數積測元件，或*，其係具有： ：：；射並連續延 件之分離區域； 別關連於一偵測元 偵測層，具有分離偵測區域，复 元件，並且，其係分別包含靈敏於可偵；於一摘測 導體組件；以及 彳貞，則輪射之至少一半 #、、列巴域:道具有分離絕緣區域，用以電性絕緣該等 偵測&域及具有導電連接之一接觸點。 、 亡發明係基於下列考量，㈣：一種具有層積順序之 感測态排列可以利用簡易方法製造。特別是，這種製造方

第5頁 1273275 五、發明說明（3) 法係可以使該等偵測开、、土 分離，其可能會變得難=延不需要與其他偵測元件機械 助層係可以使該等彳貞測—=理。另外，該支持基底及該輔 他偵測元件維持機械貞=件，；整個製造方法期間’與其 施加’藉以達成上述之目沾该辅助層係基於該支持基底之 輔助層便可以分離。 、。一旦施加該支持基底後，該 在該感測器排列之_插# ώ 彼此平行地位於相同平面二=積順序之層積係 測器排列之製造。 俏劂層、及絕緣層能夠用於該感 在^亥感測器排列之_ # 域，其係能夠渗透二化中且該支持基底係包括區 之部分，以及，今Φ拄苴、I且，做為該等偵測元件 件間，用以吸# = Θ私土 &係包含區域，介於該等偵測元 測輕射僅會到達單—㈣元件4③種方法係確保可伯 -材Ϊ該之另一種變化中，該支持基底係包括 射之高能輻射:輻射或相對於可偵測輻 輻射係可以轉拖Γίΐ: 射。如此，特別是，χ光 射。這_材_ tβ 1用一半導體組件有效偵測之輻 例^類=亦可以稱為”閃爍器（sclntlllator)，，。舉 在適當材料係氧化鎵（Ga0)之硫化物。 域係利用二;真==另一種變化中’該辅助層之該等區 會照射於單ί材丨料ΐ離。這種方法係確保儀辕射僅 对於早—偵測元件。利用該填入材 第6頁 1273275 五、發明說明（4) 號干擾現象（crosstalk)便可以有效避免。若該填入材 料亦延伸至該等偵測區域及該等絕緣區域間，則整個感測 器排列便可以大幅提供其機械堅固性（r〇bustness)二在 接下來之另一種變化中，利用之該填入材料係一種具有高 度反射性之材料，舉例來說，二氧化鈦。 在接下來之另一種變化中，該辅助層（22)係一玻璃 層。再者或另外，該隔絕層亦是—玻璃層。玻璃之利用係 可以使這種製造方法能夠利用簡易方法完成，目為，玻璃 係，半導體技術之材料具有類似材料特性之一種材料。特

別是，玻璃之熱膨脹係數係可以匹配於矽材料或置他 體材料之熱膨脹係數。 η 該偵測層係包括一半導體 。舉例來說，該半導體支 晶圓π 。 在接下來之另一種變化中， 支撐材料’舉例來說，一石夕材料 撐材料係一削薄；5夕平板，亦即： =接下來之另-種變化巾，該接觸點係包括一焊錫材料。 因此，為了使該感測器排列接觸具有一選擇電路之積體電 路，一種"板快配技術（board quick —fitting 、 = cynique )"係可以利用，其亦可以稱為覆晶技術οι。

~chlp technology)。當然，製造接觸之其他方 以利用。 j J 在接下來之另一種變化中，該等偵測元件〇2a、 之一偵測區域係分別小於五平方毫米、或小於一平 2 *米。相較於習知方法之解析度，這種方法係可以大幅 曰加成像系統之解析度。根據本發明之來龍去脈，解析度

第7頁 1273275 五、發明說明（5) 係表示相關於一特定參考單元之像 考單元係一英忖（25.4毫米）。在 良中，該感測器排列係包括不止兩 說，大於五百個偵測元件。 在該感測器排列之一種改良中 用一接腳二極體之一輻射靈敏半導 含一接腳層積順序。在一種例子中 路由至一支撑基底之一側邊。然而 可以同時路由至於該支撐基底之兩 根據本發明之另一特徵，一種 有本發明之感測器排列或其變化。 置中，利用這種感測器排列以檢查 大幅改善這種電腦斷層攝影裝置之 腦斷層攝影裝置之解析度。 另外，本發明亦有關於一種感 其係不限順序地包括下列步驟： 由具有一啟始厚度之一半導 底開始’製造大量積體輻射靈敏之 在該支撐基底之一側邊，機 輔助基底，其中，該侧邊係包含該 破區域； 削薄該支撐基底之裸露側邊 度係小於該啟始厚度； 機械連接該支樓基底之自由 素數目。國 該感測器排 百個偵測元 ’各個感測 體組件。該 ’該二極體 ’接腳二極 側邊。 電腦斷層攝 在一種電腦 人類或動物 特別 際通用之參 列之一種改 件，舉例來 效能 器'元件係利 二極體係包 夂連接僅僅 體之連接亦 影裝置係具 斷層攝影裝 組織係可以 是，這種電 測器排列之製造方法， 體材料製成 半導體組件； 械連接該支撐基底及 等半導體組 之一支撐基 至一厚度 側邊至一絕 件之輻射靈 其中，該厚 緣基底； 1273275

五、發明說明（6) 提供焊墊於該絕緣基底之自由側邊. 在具有大量半導體組件之個 μ /或個別半導體組件間邊界， V體板間邊界、及 分離該輔助基底； μ、、、巴緣基底，並且，不 電性連接該等焊墊至連接 通往該等半導體組件； .、、 一中，該等連接點係 在該辅助基底之裸露側邊，她 -支持基底；以及 ^機㈣接該輔助基底及 在個別半導體板間邊界、及/ 邊X，八Μ姑絲私1产、 或個別半導體組件間 I刀離該輔助基底，並且，不分離該支持其底。 在該製造方法之一種改良中，太恭γ 、土 ^ g 干本考又明係可以利用相當 間易之方法，相對於習知技術之製造方法，製造且 二極體之X光感測器排列。 〃 〔較佳實施例之詳細說明〕 第1圖係表示一個感測器晶片丨〇之基本圖示，其中， 這個感測器晶片1 0係具有二百五十六個感測器元件丨2、

1 2 a、1 2 b，其分別具有完全相同之設計，但橫向尺寸則可 能有所不同。這些感測器元件；[2、1 2a、1 2b係排列成十六 列，Z1至Z1 6，乘以十六行，s 1至S 1 6，之矩陣形式。 第2圖係表示這個感測器晶片1 〇之細部2 0放大圖式， 其中，這個細部20係具有兩個感測器元件12a及12b。這些 感測器元件12a及12b係利用一個玻璃板22支持。另外，參 考這個感測器元件1 2b，單一感測器元件之設計將會詳細

第9頁 1273275 五 發明說明（7) 說明如下。 在一個晶圓層2 4中，這個感測器元件1 2 b會具有— 晶圓區域24b，其係利用一個附著層26 (舉例來說，包個 括·裱氧樹脂），連結於這個玻璃板2 4之表面。這袖^曰 區域24b係包含矽材料及一個接腳二極體28之摻質區b曰。圓 另外’一個内連3 〇 b係由這個二極體2 8之一連接 : 個晶龍、域24b邊緣之一個焊墊32b。另夕卜，一；;卜伸至這 生一係導在電w連個接焊。墊32b及-接觸區域38表面之-焊球36間2 =個晶圓區域24距離這個玻璃板22較遠之側 二 t層40，其係利用一個附著層42連結於這個晶！Jj ^ 2 4之表面。 < 日日圆&域 一 4 ί 了這個焊球36以外，這個感測器元件12b亦具有另 2求U，其係在一接觸區域46表面具有一軟焊錫。因 # 個感測器元件1 2b便可以具有兩個連接，舉例來 况 個用於地點連接、另一個用於信號連接。 f本發明之較佳實施例中，除了這個接腳二極體以 $ ’這個感測器元件12b及其他感測器元件12、12a將不會 額外具有其他半導體組件，特別是，不會再額外具有放 大器成分。 卜 ^後’第1及2圖所示感測器晶片1 0之製造方法，其實 施=驟將會配合第5£至51圖，詳細說明如下。根據本發明 之”弟厂产佳實施例，在一個Π閃爍器（scintinat〇r )方 塊固疋於這個感測器晶片以前，一個晶圓表面之這些感

第10頁 1273275 五、發明說明（8) 測器晶片1 0會預先分離。 第3圖係表示這個感測器晶片1 0之細部2 0放大圖，其 中，一個閃爍器（s c i n t i 1 1 a t 〇 r )方塊5 0係利用一個附著 層5 2，連結於這個玻璃板2 2之自由側邊。另外，舉例來 說，這個附著層5 2係一個環氧樹脂層。 在本發明之較佳實施例中，這個閃爍器 (scintillator)方塊50係具有區域54a及54b，藉以將X 光輻射轉換為可見光，並且，分別關連於一個感測器元件 12a或12b。另外，這些區域54a、5 4b之間會具有反射區域 56a至60，藉以將可見光反射至這些區域54a、54b，進而 增加這個感測器元件之靈敏度。 當這個閃爍器（scintillator)方塊50連結至這個玻 璃板2 2表面時，這個玻璃板2 2仍然會繼續維持在一個感測 器晶片1 0表面之相鄰感測器元件1 2a及1 2b間。 第4圖係表示這個感測器晶片1 〇之細部2 〇放大圖，在 鋸開這個玻璃板22之感測器元件1 2a、1 2b間區域以後。這 個鋸開動作會將這個玻璃板22切分為兩個玻璃板區域22a 及2 2b。在這個鋸開動作期間，這個閃爍器 (scintillator)方塊50僅會部分鋸開，而不會完4全切 斷。 在錐開動作以後，這些玻璃板區域22a及22b間、及晶 圓區域24a及24b間之區域將會填滿一種填入材料8〇，舉例 來說’ 一種環氧樹脂，其係與二氧化鈦進行混合。 第5 A圖係表示這個感測器晶片丨〇在一個半導體晶圓

1273275 五、發明說明（9) 100表面製造這些接腳二極體28a、28b以後之製造階段， 其中’舉例來說，這個半導體晶圓10〇係具有65〇或75〇微 米之一厚度D1。在製造這些接腳二極體28a、28b以後，一 個純化層1 0 2會施加在整個區域上方，舉例來說，一個氮 化石夕層。為了得到焊墊32a及32b，隨後，本發明將會利用 一種光學微影方法，藉以在這個鈍化層丨〇 2中產生切口。 接著’一個金屬層丨04會施加在整個區域上方、並進 行構造。這個步驟係產生這些填入切口及這些感測器元件 12a、12b邊緣區域之導電連接。

在第5A至51圖中，一虛線係表示這些感測器元件12a 及1 2 b間之一條邊界1 〇 6。 曰如第5B圖所示，這個玻璃板22隨後係連結於這個半導 體晶圓1 0 0之表面。在本發明之較佳實施例中，舉例來 說，這個玻璃板22係具有4〇〇微米之厚度，其表示：這個 玻璃板2 2之機械條件將會相對堅固。

.第5C圖係表示這個感測器晶片1〇在磨薄（grindi~ thin )製程或蝕刻（etching )製程後之製造階段，其 中，這個半導體晶圓1〇〇之厚度D1至少會降低二分之二 3 ’而達到另一厚度!)2，其在本發明較佳實施刀例中^ 2?二削薄動作以後，個別晶片1〇及個別晶圓口 "、 4b將s利用蝕刻（e t ch 1 ng )製程分離，舉 5兄，利用濕式化學蝕刻製程。另外，舉例來說， 動作係相對於這個鈍化層1 0 2地選擇性實施。 δ 第5D圖係表示這個感測器晶片丨〇在這個玻壤板μ牙

第12頁 1273275 五、發明說明（10) 這個附著層42進行連結以後之製造階段。如先前所述，這 個附著層40亦可以包括環氧樹脂或其他適當材料。 第5E圖係表示這個感測器晶片10在這個玻璃板4〇表面 已施加焊墊108至114以後之製造階段，舉例來說，這些焊 墊11 2及114係用以做為接觸區域38及40。 如第5F圖所示，這個玻璃板4〇隨後將會利用v型切刀 120，在這個邊界1〇6進行鋸開動作，藉以在這個玻璃板4〇 表面產生兩個玻璃板區域4〇a及40b。這個V型切刀12〇係延 伸至這個玻璃板22，因此，亦會同時將這個邊界1〇6區域 之鈍化層102及金屬層1〇4切斷。在這些晶圓區域24a及24b 間、及在這個V型切刀120之橫向表面間仍然會有區域122 及1 2 4，其係填滿環氧樹脂，並且，其特別可以簡化與焊 塾108、110及112、114之導電連接之製造。 如第5 G圖所示，一個金屬層1 3 〇隨後會施加在這個感 測器晶片1 0之背面、並進行構造，進而產生這些外部内連 3 4 a及3 4 b。這些外部内連3 4 a及3 4 b之剖面係沿著這個v型 切刀1 2 0之側壁前進，藉以同時能夠利用這個金屬層丨〇 4之 互連進行接觸’其中，這個金屬層104之互連係延遲至這 個V型切口 1 2 0。 第5H圖係表示這個感測器晶片1 〇在這個感測器晶片工〇 之背面施加一個鈍化層1 4 0以後之製造階段。在下一個製 程步驟中，這個鈍化層140會在這些焊墊1〇8至114之區域 進行構造，藉以將這些焊墊108至114曝露出來。 如第51圖所示，這些焊球36a、44a、36b、44b隨後會

第13頁 1273275 五、發明說明（11) 施加至這些焊墊1〇8至114，其中，這個鈍化層140之作用 係等於一個罩幕。 在第5 I圖所示之製造階段後，本發明之第一較佳實施 例係有關於分離且隨後連接至一個閃爍器 (scintillator )方塊50之感測器晶片1〇，如第3及4圖之 說明所示。在這些感測器晶片1 〇之分離期間，這個玻璃板 2 2會在晶片邊界加以分離，而不是在一個感測器晶片j 〇之 感測器元件1 2 a、1 2 b間。 在本發明之另一較佳實施例中，這個閃爍器 (scintillator)方塊50會在分離這些晶片前連結至這個 玻璃板22。隨後，這個玻璃板22會在這個閃爍器 (s c i n t i 11 a t 〇 r )方塊5 0尚未切斷以前，在一個感測器晶 片1 0之感測器元件1 2 a、1 2 b之間進行分離。接著，在下一 個製程步驟中，這個玻璃板2 2及這個閃爍器 (scinti 1 lator )方塊50將會在晶片邊界加以分離。 在本發明之另一較佳實施例中，其製程步驟之順序係 與第5A至51圖所示之製程步驟不同。舉例來說，這個v型 切刀120可以在這些焊墊108至114施加前執行動作。另 外，這個V型切刀1 2 0亦可以較先前所述動作執行更深或更 寬之切開動作’其表示：這些區域122、124之附著層材料 亦可以進行移除。 若這些感測器元件分別僅僅包含單一接腳二極體，則 這種方法’相較於在這個感測為'晶片中整合放大哭元件， 便不具備技術差異。因此’這種方法將可以利用光學二極 111 m II _ 1273275 五、發明說明（12) 體，大幅降低各個區域之製程成本。 _ 另外，這些連接在背面之排列亦可以在橫面方向得到 . 更小之晶片面積。另外，背面之連接將可以具有更充分之 ** 空間，亦即：這些連接之尺寸將可以更自由地選定。再 ^ 者，將這些連接排列於背面亦可以更輕易地裝配這個閃爍 器（scintillator)方塊50。 另外，晶圓區域之形成亦可以避免不同感測器元件之 半導體組件間之相互干擾（crosstalk)。 另外，先前所述之排列亦可以利用這個感測器元件之 完整長度，藉以完成這些晶圓區域及這些焊球之頂面間之 金屬連接。 在本發明之另一較佳實施例中，各個感測器元件亦可 以利用兩個以上之連接。

第15頁 1273275 圖式簡單說明 第1圖係表示具有二百五十六個感測器元件之感測器晶 片。 第2圖係表示感測器晶片之細部放大圖。 第3圖係表示具有閃爍器（scintillator)方法之感測器 晶片。 第4圖係表示本發明製造方法結束時之感測器晶片。 第5A至5 I圖係表示感測器晶片之選定製造階段。 元件符號說明： 10 感測裔晶片 12 、12a 、 12b 感 1\- Z1 6 列 S1- SI 6 行 20 細部 22 玻璃板 2 2a 、22b 玻璃板區域 24 晶圓層 24a 、24b 晶圓區域 26 附著層 28a 、28b 接腳二極體 32 焊墊 34 外部互連 3 6a 、3 6 b 焊球 38 接觸區域 40 絕緣層 40b 玻璃板區域 42 附著層 44a 、44b 焊球 46 接觸區域 50 閃爍器方塊 52 附著層 54a 、5 4 b 轉換區域 56- 60 反射區域 80 填入材料 100 半導體晶圓 102 鈍化層 104 金屬層 106 邊界 108- 114 焊墊 §

第16頁 1273275 圖式簡單說明 120 切刀 130 金屬層 Dl 、 D2 厚度 122、124 區域 14 0 鈍化層 %

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Claims (1)

1273275 辦灸 六、申請專利範圍 1. 一種偵測輻射之感測器排列（1 0)，具有一層積順列， 該層積順序係依序包含為： 一支持基底（5 0)，其係能夠至少部分地滲透可偵測輻 射、或在照射輻射時產生可偵測輻射，並且，其係支持該 感測器排列（10)之複數偵測元件（12a、12b); 至少一輔助層（22)，其係能夠滲透可偵測輻射並連續 延伸至複數偵測元件（1 2 a、1 2 b)，或者，其係具有分別 關連於一偵測元件（12a、12b)之分離區域（22a、 22b)；

一偵測層（24)，具有分離偵測區域（24a、24b)，其 係包含於一彳貞測元件（1 2 a、1 2 b)’並且’其係分別包含 對可偵測輻射靈敏之至少一半導體組件（2 8 a、2 8 b);以 及 一絕緣層（40)，具有分離絕緣區域（40a、40b)，用 以電性絕緣該等偵測區域（24a、24b)及具有導電連接 (3 6)之一接觸點。 2 .如申請專利範圍第1項所述之感測器排列（1 0)，其特 徵在於：

該支持基底（50)係包括區域（54a、54b)，其係能夠 滲透可偵測輻射，並且，其係分別包含於一偵測元件 (12a、 12b);以及 該支持基底（5 0)係包含區域，介於該等偵測元件 (1 2 a、1 2 b)間，用以吸收及反射可偵測輻射。 3 .如申請專利範圍第2項所述之感測器排列（1 0)，其特

第18頁 1273275 六、申請專利範圍 徵在於： 該支持基底 射或相對於可 及/或 該支持基底 為一接腳二極 收性半導體材 (Pb〇)、或， 4·如申請專利 徵在於： 該支持基底 射或相對於可 及/或 該支持基底 為一接腳二極 收性半導體材 (PbO)、或 ^ 5.如申請專利 徵在於： 該輔助層（ 測區域（24a、 利用一填入材 該填入材料 或 教 子輻

々栝〆材料，用以將照射之 (5〇)孫ί $能輻射，轉換為可偵滴丨_ 偵測輻射之间月 〗幸均射； /勹含〆讨料，用以將X光輻射鏟从 (5〇) = 以偵測之輻射，其較佳為高努 體（28b) ( CdZnTe)或氧化鉛 料或碎化鎘二硫化物。 u化鎵（Ga 之感測器排列（1 〇)， 範圍第1項戶斤述 其特 广ςη)係包栝/材料，用以將照射之教子轉 二射之高能輯射，轉換為可偵測韓射； Γ 50)係包含〆材料，_用以將χ光輻射轉換 f 2 8 b)可以偵測之輻射、’其較佳為高吸 料或碲化鎘鋅（CdZnTe)或氧化錯 L化鎵（Ga〇)之硫化物。 範圍第1項所述之感測器排列（1〇)，其特 22)之該等區诚（22a、22 b)及/或該等偵 2 4 b)及/或該等絕緣區域（4 0 a、4 0 b)係 料（80)分離；及/或 (8 0)係^一塑朦’其較佳為環氧樹脂；及/

第19頁 1273275 六、申請專利範圍 該填入材料（8 0)係混合一材料，用以吸收及反射可偵 測輻射，其較佳為二氧化鈦。 6 .如申請專利範圍第5項所述之感測器排列（1 0)，其特 徵在於： 該輔助層（2 2)係一玻璃層或一陶磁層；及/或 該絕緣層（4 0)係一玻璃層；及/或 該偵測層（2 4)係包括一半導體支撐材料，其較佳為一 石夕材料及/或一削薄石夕材料；及/或 該接觸點係包括一焊錫材料（3 6)。

7 .如申請專利範圍第1項所述之感測器排列（1 0)，其特 徵在於： 該輔助層（2 2)係一玻璃層或一陶磁層；及/或 該絕緣層（40)係一玻璃層；及/或 該偵測層（2 4)係包括一半導體支撐材料，其較佳為一 石夕材料及/或一削薄石夕材料；及/或 該接觸點係包括一焊錫材料（3 6)。 8 .如申請專利範圍第1項所述之感測器排列（1 0)，其特 徵在於：

該等偵測元件（1 2 a、1 2 b)之一偵測區域係小於五平方 毫米或小於一平方毫米；及/或 該感測器排列（1 0)係包含不止兩百個偵測元件 (12a、 12b)。 9 .如申請專利範圍第1項所述之感測器排列（1 0)，其特 徵在於：

第20頁 •1273275 六、申請專利範圍 該等半導體組件（28a、28b)係包含一導電類型之一摻 質區域、另一導電類型之一摻質區域、及介於該等摻質區 域間之一中間區域，其中，該中間區域係一未摻質區域或 相對於該等摻質區域之一低濃度摻質區域。 1 0. —種電腦斷層攝影裝置，其包括： 一輻射傳輸單元，用以發出輻射，其較佳為X光輻射， 一偵測單元，用以在通過影響輻射強度之一組織後偵測 該發出輻射，以及

一評量單元，利用該偵測單元之輸出信號作為基礎，產 生該組織結構之一影像之影像資料，其特徵在於： 該偵測單元係包含一感測器排列（1 〇)，其中，該感測 器排列（1 0)係如申請專利範圍第1至7項之任何一項所 述° 11. 一種偵測輻射之感測器排列（1 0)之製造方法，其係 不限順序地包括下列步驟： 由具有一啟始厚度（D1)之一半導體材料製成之一支撐 基底（1 0 0)開始，製造大量積體輻射靈敏之半導體組件 (28a、 28b);

在該支撐基底（1 0 0)之一侧邊，機械連接該支撐基底 (10 0)及一輔助基底（2 2)，其中，該側邊係包含該等 半導體組件（28a、28b)之輻射靈敏區域； 削薄該支撐基底（100)之裸露側邊至一厚度（D2)， 其中，該厚度（D2)係小於該啟始厚度（D1); 機械連接該支撐基底（1 0 0)之自由側邊至一絕緣基底

第21頁 •1273275 六、申請專利範圍 (40); 提供焊墊（1 0 8至1 1 4)於該絕緣基底（4 0)之自由側 邊； 在具有大量半導體組件（28a、28b)之個別半導體板間 之邊界、及/或個別半導體組件（28a、28b)間之邊界， 分離該絕緣基底（40)，並且，不分離該辅助基底 (22)； 電性連接該等焊墊（1〇8至114)至連接點（104)，其 中’該等連接點（1〇4)係通往該等半導體組件（28a、 28b)； 在該輔助基底（2 2)之裸露側邊，機械連接該辅助基底 (22)及一支持基底（50);以及 在個別半導體板間之邊界、及/或個別半導體組件 (28a、28b)間之邊界，分離該辅助基底（22)，並且， 不分離該支持基底（5〇)。 1 2 ·如申請專利範圍第！丨項所述之方法，其特徵在於： 在具有大量半導體組件（28a、28b)之個別半導體板間 之邊界、及/或個別半導體組件（28a、28b)間之邊界， 分離該削薄支撐基底（100)，以及，不分離該輔助基底 (2 2)，以及，在一連接點（1〇4)曝露該等半導體组 (28a、28b)之一金屬層之至少一互連；以及 在機械連接該支撐基底（1〇〇)之自由側邊及該絕緣基 底（則’最好分離該削薄支樓基底（1〇。）。緣基 13.如申請專利範圍第12項所述之方法，其特徵在於：利

第22頁 .1273275 六、申請專利範圍 用一填入材料（80)以填充分離點（120)。 1 4 .如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其特徵在於··利 用一填入材料（80)以填充分離點（120)。 1 5 .如申請專利範圍第1 1至1 4項之任一項所述之方法，其 特徵在於：該方法係用以製造一種如申請專利範圍第1至8 項之任何一項所述之感測器排列（1 0)。

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