TWI272725B - Method of fabricating TFT array substrate and metal layer thereof - Google Patents

Description

1272725 15743twf.doc/g 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種薄膜電晶體陣列（Thill Transistor Array，TFT Array)基板及其金屬層的製作方法， 且特別是有關於一種利用電鍍法(Plating)製作薄膜電晶體 陣列基板及其金屬層的方法。 【先前技術】

一陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)因具有優異的顯 示品質與其經濟性，一直獨佔近年來的顯示器市場。然而，' 對於個人在I上操作乡數終職/顯抑裝置的環境，或是 以環保以及節省能_難切人，陰極射絲對於空間的 利用性以及能源的消耗仍存在許多問題。因此，具蚩 質、空間利用效率佳、低絲功率、絲射等優越= 薄膜電晶體液晶麻器(Thin Film T職ist0r d c 2

Display，TFT LCD)已逐漸成為市場之主流。 習知之薄膜電晶體液晶顯示器多以鋁 體陣列基板的金屬線路材料1而，在現今薄曰曰 晶减不器大尺寸化的市場趨勢下，勢必需要〉^液 體液晶顯示器内部的金屬線 電晶 是t屬線路的阻抗增加，使得薄膜電晶二:=内: ;::ί:進而引起_電晶體液晶顯示器』::不的 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的3 的就疋在提供—種利用電錢法 1272725 15743twf.doc/g 製作薄膜電晶斜列基板的方法，以改善大尺寸薄膜電晶 體液晶顯示器中訊號延遲的現象。 ^本龟明的再一目的是提供一種利用電鍍法以形成薄 膜電晶體陣列基板内之金屬層的方法，使薄膜電晶體陣列 基板内之金屬層的材質具有多樣選擇性。 基於上述或其他目的，本發明提出一種薄膜電晶體陣 列基板的製作方法，其步驟如下：首先提供一基板，並以 電鑛方式於基板上形成圖案化之第一金屬層；之後於基板 上形成一閘絕緣層，且閘絕緣層會將第一金屬層覆蓋住； j後於第金屬層上方的閘絕緣層上形成一半導體層；且 於半導體層上形成圖案化之第二金屬層。其中，第— 層、第二金屬層與半導體層於基板上構成多個薄膜電晶 以及祕至薄膜電晶體的多條掃描配線與多條資料配線。 第ίίΓ之—較佳實施例中，於基板上形成圖案化之 弟一金屬層的方法例如包括下列之步驟：首先，於 如物理氣相沈積法或化學氣相沈積法以形成：亡 ^材料層’並且對第—導電材料層進行—圖宰 : 知，以形成圖案化之一第一電鑛種子層。而此 ^ 材料層進行ffil案化的步驟例如是對第斜 ^電 影製程與蝕刻製程。銬後，再 、电材枓a進行微 電鑛形成第-金屬層 鑛種子層為電極， 且電二外=基ίί形成圖案化之第-電鑛種子層之後 且電鍍形成弟一金屬層之前，可利 谈， 先於基板上全面性地形成一絕緣材1 乳相洗積法 何抖層。然後，對絕緣材 6 1272725 15743twf.d〇c/g

料層進行圖安A ^系化。此圖案化的步驟例如是先於絕緣材料層 .光阻層’然後再以第一電鑛種子層為罩幕，由基 ^ ^ 、，侧對光阻層進行背向曝光。之後 ，對光阻層進行 亚以光阻層為罩幕，對絕緣材料層進行餘刻之後， *光阻層’使絕緣材料層暴露出第一電鍍種子層。 ，本發明之—較佳實施例中，於基板上形成圖案化之 、丨^，種子層的方法例如包括下列步驟··首先利用例如 目/尤積法於基板上形成一絕緣材料層；然後於絕緣 :€上喊®案化的光阻層；再以光阻層為罩幕，經過 ‘ίϊϊϊΓ步驟之後，再蝕刻絕緣材料層，以使絕緣材 美之基板；織利用例如物理氣相沈積法於 f且剝離法(Lift 除絲層與位於轨層上之Γ一導 黾材料層，以形成第一電錢種子層。 、 在本發明之-較佳實施例中，於基板上形成第一 層的方法紐下列之步驟：首先，彻例如物理氣相沈 法或化學氣相沈^於基板上全面性地形成—第一二』 子層。然後’以第-電難子層為電極，電H 金屬材料層。之後J於第一金屬材料層上利二如二 相沈積法形成一罩幕層，並且對罩幕岸一 予乳 刻製程，以圖案化罩幕層。最後，藉。虫 材料層與第一電鍍種子層進行蝕刻，以形成二、=一金屬 此外，罩幕層的材質例如是氮化發或氧化石夕 孟屬層。 在本發明之一較佳實施例中，形i半i體層㈣賴 7 1272725 15743twf.doc/g 如是先於閑縣層上軸通道層，錢於 姆接觸層。此外’第-金屬層之材質例如是銅 在本發明之一較佳實施例中，A 、 圖案化之第二金屬層之方法包括.^ ; v _層上形成 ^ . 括·先利用例如物理氣相 …矛 貝法或化子乳相沈積法於半導體層上形成一厣 材料層，然後對第二導電材料層進 9 一寺迅 曰進仃破衫製程與蝕刻製程 私弟一¥ a材㈣随化，以形絲二電 以第二電鍍種子層為電極，電铲形& g之後 施例中，第二金屬層的材質;二金屬層。在-實 屬声另H獅成薄膜電晶體陣列基板内之金 屬層的方法，其包括下列步驟：首一 基板上形成-電麵子層； 種it然後於 鐵形成金屬層。 4種子料電極，電 t發攸-難實施例巾，於基板上形成電鑛種子 “材料:如板上形成導電材料層；然後圖案化 ===鍍種子層。而在基板上形成電鑛種 物理氣相沈積法或化學氣相沈積二 暴露出電_子層。 緣材料層，以使絕緣材料層 首，圖、案化絕緣材料層的方法例如包括下列步驟： 罩幕；ΓΪΓ料ΐ上形成—光阻層；然後以電難子層為 it _&料行背向曝光；之後對ί 層進仃U後以光阻層為罩幕，對絕緣材料層進行 1272725 15743twf.doc/g 蝕刻，並移除光阻層。 層之之Γ較佳f施例中’於基板上形成電鍵種子 ^一 '匕.首先利用例如化學氣相沈積法於基板上形 層了：層；然後於絕緣材料層上形成圖案化之光阻 。暴露出=層騎幕，_絕緣材料層，以使絕緣材 基i上全面二二f:用例如物理氣相沈積法於 層與位於光阻層上之第-心= 形成弟一電鍍種子層。 在本I月之—較佳實施例中，於基板上全面性地形成 2:1::广電鍍形成金屬層之後，更包括對金屬層 及电鑛種子層進行微影製程與侧製程。 種子=純例如是㈣氣她躲祕學氣她^ 七明之一較佳實施例中，金屬層之材質例如是 銅0 美招本發明是將電麟躺於薄膜電晶體陣列 鑛法以製作薄膜電晶體_=支，不_疋’使用電 其八;陣列基板冒加了溥膜電晶體陣列 5其板ί 4、登料選擇性。因此’於製作薄膜電晶體陣 體陣列基板上的薄膜電晶體、掃=線及 白1= 進而改善大尺寸液晶顯示^内訊號延遲 的現象^亚城升液晶顯示器的影像品質。 :、、' ^本t月之上述和其他㈣、特徵和優點能更明顯

1272725 15743twf.doc/g 易懂，下文特舉較佳實施例，並 明如下。 〇所附圖式，作詳細說 【實施方式】 圖1繪示為本發明之較佳實 基板的流程圖。請參考圖丨，本彳形成薄膜電晶體陣列 基板的方法主要包括下狀步驟，日電晶體陣列 驟S100，此基板例如是一透明基杯I先提供一基板，如步 要於欲鍍物上形成電極，才可由於使用電鍍法需 物理氣相沈積法(如濺鍍法)或化n ’因此需要利用 積一層金如軸魏料層，:==;料基板上沈 電鍍種子層為電極，並且使用電之後，再以 屬層，如步驟⑽。㈣於基板上形成第-金 带成淨芸楚一八Pa、、在基板上利用化學氣相沈積法 ί 一間絕緣層，如步驟S130。之後，於 =Λ 之閘絕緣層上形成-半導體層，如步驟 SMO。敢後，於半導體層上形成第二金屬層，如步驟⑽。 —為了更坪細說明本發明之特徵，以下將就多個不同之 貫，例對本發明之製作_電晶體_基板的方法加以詳 細說明。 第一實施例 圖2Α〜2G依序緣示本發明第一實施例之一種製作薄 膜電晶體陣列基板的示意圖。首先如圖2Α所示，提供一 基板100，此基板100例如是—透明基板。接下來如圖2β 所示，在基板上形成一電鍍種子層114。然後，如圖所 示，對電難子層114進行微影製程餘㈣程以將電鑛 10 1272725 15743twf.doc/g 種子層114圖案化。之後，如圖2D所示，利用圖案化的 電鍍種子層114為電極，以電鍍的方式在基板1〇〇上形成 一圖案化之金屬層110。其中，金屬層11()之材質例如是 銅。再者，如圖2E所示，利用例如化學氣相沈積法於基 ， 板10〇上形成一閘絕緣層120，此閘絕緣層12〇之材質例 • 如是氮化矽(silicon nitride)或氧化矽㈣icon 〇xide)，且閘絕 緣層120會將金屬層11〇覆蓋住。然後，如圖2F所示， • 在圖案化金屬層110上方的閘絕緣層120上先形成一通道 層132 ’然後在通道層132上形成一歐姆接觸層134，其中 通道層132與歐姆接觸層134構成一半導體層130。此外， 通道層之材質例如是非晶石夕(amorphous silicon)，而歐 姆接觸層134之材質例如是n+摻雜非晶矽。而在本發明另 一較佳實施例中，通道層132之材質亦可以例如是多晶 矽。然後，如圖2G所示，在半導體層130上先形成一圖 案化的電鍍種子層142。然後如圖2H所示，於電鍍種子層 M2上利用電鍍法形成金屬層14〇。 q • Ί由上述之製作步驟後’在基板剛上所形成的金屬 ^ 1HM40與半導體層130可於基板1〇〇上構成多個薄犋 電晶體、多條掃瞄配線與多條資料配線，以形成一薄膜♦ 晶體陣列基板。 '$ 弟二貫施例 ★圖3A〜3G依序繪示為本發明第二實施例之_種製作 溥膜電晶體陣列基板的示意圖。首先如圖3A所示，利用 例如物理沈積法或化學沈積法於基板100上全面性地形戍 1272725 15743twf.d〇c/g 一 V電材料層112。然後如圖：3B所示，先對導電 進行微影製程與蝕刻製程，使導電材料層112 ^曰 且圖案化之後的導電材料層112即為電鍍種子層1" 4、匕 後利用例如化學氣相沈積法在基板100上沈」。之 料層m，此絕緣層材料例如是氧化石夕或氮化石夕 土塗佈—層光阻層118，然後以電鑛種子 。然後如圖3C所示’對光阻層i ，丁： 以H屮4罩幕姻緣材料層116進行飿刻製程， 118=且之後如圖3D所示，移除光阻層 金屬層110子層114上利用電鐘法沈積金屬以形成 緣材料層叫實施例先於基板湖上形成絕 之後，對絕緣材料巴 =材料層116會覆蓋電錢種子層m。 鑛種子層114晨^ 116進订微影製程與錢刻製程，使電 而在第—實施;法以形成金屬層⑽。 ⑴做為電錢種子二^疋直接利用圖案化之導電材料層 上形成金屬層UG，k ^使用麵法在電_子層U4 接下來，二^基板⑽上沈積絕緣材料層Μ。 基板10〇上形成I S ’ ^用^化學氣相沈積法於 例如是氮化矽或4 、彖g ，此閘絕緣層120之材質 以及絕緣材料#石夕’且間系巴、緣層120會將金屬層11〇 16覆蓋住。然後，如圖3〇斤示，在圖 12 1272725 15743twf.doc/g 案化金屬層110上方的閘絕緣層12〇上先形成一通道層 132 ’然後在通道層132上形成一歐姆接觸層134，其中通 運層132與歐姆接觸層134構成一半導體層130。此外， 通道層132之材質例如是非晶矽，而歐姆接觸層134之村 質例如是n+摻雜非晶矽。而在本發明另一較佳實施例中， 通道層132之材質亦可以例如是多晶石夕。之後，如圖 =示，在半導體層13〇的上方先形成一層圖案化的電鍍種 • 子層142，然後藉由電鍍種子層142以電鍍法形成圖案化 的金屬層140。 經由上述之製作步驟後，在基板100上所形成的金屬 層110、140與半導體層130可於基板1〇〇上構成多個薄膜 電晶體、多條掃瞄配線與多條資料配線，以形成一薄膜+ 晶體陣列基板。 、％ 第三實施例 ^圖4A〜4G依序繪示為本發明第三實施例之一種製作 薄膜電晶體陣列基板的示意圖。首先如圖4八所示，先於 基板100上利用例如化學氣相沈積法形成絕緣材料層 116，然後於絕緣材料層116上先塗佈一光阻層ιΐ8，並利 用微影製程與蝕刻製程以將光阻層118圖案化。繂後如圖 4B所示，以光阻層118為罩幕，對絕緣材料層ιΐ6'進行蝕 刻製程，並使絕緣材料層116暴露出部分的基板1〇〇。之 後如圖4C所示，利用例如物理氣相沈積法在基板丨⑻上 全面性地形成導電材料層112，並且利用例如光阻剝離法 以將光阻層118以及位於光阻層118上方的導電材料層 13 1272725 15743twf.doc/g 112移除 ，❿未被移除的導電材料層u :=°圖4D所示，於電鑛種子層心：;:層 沈積金屬層110。 工〜用電鍍法

接下來’如圖4E所示，利用例如化 基板⑽上形成一間絕緣層120，此問絕· = j於 例如是氮切或氧切，且_緣層12G會^全屬 =及μ緣材枓層116覆蓋住。然後，如圖4F所示0 案化金屬層no上方的_緣層i2G = =，然後在通道層132上形 =魏姆?觸層134構成一半導體層i3〇。此;卜通 " 之材备例如是非晶矽，而歐姆接觸層134之材 貝例如是n+摻雜非晶石夕。而在本發明另一較佳實施例中 通迢層132之材質亦可以例如是多晶石夕。之後，如圖4G ^ ’在帛導體I 130的上方先形成一層圖案化的電鍍種 每142，然後藉由電鍍種子層142以電鍍法形成圖案 的金屬層140。 、 經由上述之製作步驟後，在基板100上所形成的金屬 ^ :10、140與半導體層130可於基板100上構成多個薄膜 電晶體、多條掃瞄配線與多條資料配線，以形成一薄膜電 晶體陣列基板。 、 實施例 — 圖5A〜5G分別繪示為本發明第四實施例之一種製作 薄膜電晶體陣列基板的示意圖。首先如圖5A所示，利用 Η物理氣相沈積法或化學氣相沈積法全面性地形成電鍍 14 1272725 15743twf.d〇c/〇 層114於基板100上，並且以電鑛種子層114為電極， 廷鍍形成金屬材料層212。然後，如圖5Β所示，利用化學 =積法於金屬材料層2!2上形成—罩幕層U9，此罩幕層 例如是氮化料氧化發，並且對罩幕層119進 Γ圖t絲與侧製程，以將罩幕層119圖案化。之後， =二所不，猎由罩幕層119對金屬材料層212以及電 H層114進⑽刻製程，並且移除罩幕層119。最後， 二斤不，所遺留下來的金屬材料層212以及電鍍種 子層1M即構成金屬層11〇。 屯又禋 來，/°圖$所示，利用例如化學氣相沈積法於 :J i形成H緣層120 ’此閘絕緣層120之材質 ::虱或氧化矽，且開絕緣層120會將金屬層11〇 覆然後’如圖5F所示，在圖案化金屬層ιι〇上= 的~=、#層120上先形成—通道層132，然後在通道層 接觸層134，其中通道層132與歐姆接觸展 非曰i 2導體，130。此外，通道層132之材質例如i 而：本於明接觸層134之材質例如是n+摻雜非晶矽。 s月另一較佳實施例中，通道層132之材質 例如是多晶石夕。之後，如圖5G所示’在半導體層 m丰；的上方先形成-層圖案化的電鑛種子 金屬層刚。錢種子層142以電鍛法形成圖案化的 經由上述之製作步驟後，在基板100上所形成的 層110、140與半導體| 13〇可於基板1〇〇上構成多個薄二 15 1272725 15743twf.doc/g 二本發明是將電鑛法應用於製作薄膜電晶體 =屬層的製程中。電鑛法除了具有沈積金屬 问沾=乂、且成本較為低廉的優點之外，與習知技術不 =疋’使用電鑛法製作_電晶轉列基板，增加了薄 ^晶體陣列基板内金屬層的材料選擇性。因此，於 晶體陣列基板時，可以選用例如銅或其他阻抗=低 邮i屬材料，以提升薄膜電晶_縣板_薄膜電晶 脰^帚猫配線及資料配線的電性’進而改善大尺寸液晶顯 不為内訊號延遲的現象，並且提升其影像品質。 .、 ==發明已以較佳實施例揭露如上’然其並非用以 限疋本舍明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 =範圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之^ 粑圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 …又 【圖式簡單說明】 晶體陣列 圖1繪不為本發明之較佳實施例形成薄臈電 基板的流程圖。 圖2A〜2H依序繞示本發明第—實施例之 膜電晶體陣列基板的示意圖。 衣作潯 —圖3A〜3G依序繪示為本發明第二實施例之一 薄膜電晶體陣列基板的示意圖。 衣 和圖4A〜4G依序繪示為本發明第三實施例之一種制作 薄膜電晶體陣列基板的示意圖。 衣 16 1272725 15743twf.doc/g 圖5A〜5G分別繪示為本發明第四實施例之一種製作 薄膜電晶體陣列基板的示意圖。 【主要元件符號說明】 S100 ··提供一基板 、 S110 :於基板上形成電鍍種子層 • S120 :以電鍍方式於基板上形成第一金屬層 S130 :於基板上形成覆蓋第一金屬層之閘絕緣層 S140 :於第一金屬層上方之閘絕緣層上形成半導體層 S150 :於半導體層上形成第二金屬層 100 :基板 110、140 :金屬層 112 :導電材料層 114、142 :電鍍種子層 116 :絕緣材料層 118 :光阻層 119 :罩幕層 • 120:閘絕緣層 130 :半導體層 132 :通道層 134 :歐姆接觸層 212 :金屬材料層 17

Claims (1)

1272725 15743twf.doc/g 層； 申請專利範圍： L一種薄膜電晶體陣列基板的製作方法， 提供一基板； .以電鑛方式，於該基板上形成圖案化之一 包括 第一金屬 緣層覆蓋該第 ，該基板上形成—_緣層，且該 金屬層； 層’· 金屬層上方之該閘絕緣層上形成一半導體 第化之=第二金屬層，其中該 成多數個4膜=〔金屬層與該半導體層係於該基板上構 掃描配線與多數條資料配線。-日體之多數條 的製作方法:::二丄:所述之薄膜電晶體陣列基板 的方法包括：〜'"板上喊圖案化之該第—金屬層 板t形成圖案化之—第-電_子層；以及 層。種子層為電極，電娜成該第—金屬 的製;二:請ί?:圍第2項所述之薄膜電晶體陣列基板 子層的方法包括 基板上軸_化之該第—電鑛種 同二基板上形成一第一導電材料層；以及 θ案化該第-導電材料層’以形成該第-電鍍種子 18

以忒第一電鍍種子層為罩幕，由該基板之一 以及 8.如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體陣 的製作妓’其中於該基板上祕_化之該第—電難 子層的方法包括： 又 1272725 15743twf.doc/g 層。 .4.如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體陣列基板 的製作方法，其中於該基板上形成該第一導電材料層之方 法包括物理氣相沈積法或化學氣相沈積法。 曰 ，5·如申請專利範圍第2項所述之薄膜電晶體陣列基板 的製作方法，其中在該基板上形成圖案化之一第一電鍍種 子層之後，並且在電鍍形成該第一金屬層之前，更包括·· 於該基板上全面性地形成一絕緣材料層；以及 圖案化該絕緣材料層，以使該絕緣材料層暴露該第一 電鍍種子層。 " 、制6·如中請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體陣列基板 勺i作方去，其中圖案化該絕緣材料層的方法包括·· 於該絕緣材料層上形成一光阻層； 光阻層進行背向曝光 對该光阻層進行顯影； 乂。亥光阻層為罩幕，對該絕緣材料層進行飯刻 淨夕除該光阻層。 的制請專利範圍第5項所述之薄膜電晶體陣列基板 衣 ’’其中於該基板上全面性地形成該絕緣材料® 之方法包括化學氣相沈積法。 材制 19 1272725 15743twf.doc/g 於該基板上形成一絕緣材料層； 於該絕緣材料層上形成圖案化之一光阻層； 以该光阻層為罩幕，蝕刻該絕緣材料 材料層暴露出部分之該基板； 1史A、、巴、、彖 於該基板上全面性地形成—第—導電材料層；以及 移除該光阻層與位於絲阻層上 層’以形成該第-電㈣子層。 的制睛ί利範圍第8項所述之薄膜電晶體陣列基板 、衣，，/、中於該基板上形成該絕緣材料層 括化學氣相沈積法。 < 了十層之万法包 板的請帛8销狀體陣列基 板的衣作方法，其中於該基板上全 材料層之方法包括物理氣相沈積法。一導電 板的製作方法，其中移除該光 ^基 弟材枓層之方法包括光阻剝離法。 如申請專利範圍第1項所 板的製作方法，並中料其士G /寻联电曰曰體陣列基 包括： /、巾㈣基板上形成該第—金屬層的方法 於該，板上全面性地形成—第—電鑛種子層； 、人务黾鍍種子層為電極，電鑛形成一^入尸 料層； 风弟一金屬材 於該第-金屬材料層上形成圖案化之 藉由該罩幕芦針兮筮入ρ从 罩幕層，以及 層對5玄弟一金屬材料層與該第-電鑛種 20 1272725 15743twf.doc/g 子層進行蝕刻，以形成該第一金屬層。 13.如申請專鄕_ 12項所述 其中於該基板上形成該第- 方匕括物理氣相沈積法或化學氣相沈積法。 曰 、亥第一金屬材料層上开$成 該罩幕層之方法包括·· ㈣㈣从成圖案化之 於該金屬材料層上形成該罩幕層；以及 幕層對鮮幕騎行微影_錢㈣程，㈣案化該罩 15. 如申請專利範圍第14項 板，方法，其中於該金 成== 法包括化學氣相沈積法。 /风4卓棊層之方 16. 如申請專鄕_ 12項 板的製作方法，其中寻胺电日日體陣列基 η如申請專二巧之二包之括氮化辦切。 及 中於該半導體層上形成圖案化之該第： 於該半導體層上形成圖案化之-第二電鍵種子層；以 以該第二電鍍種子層為命 層 于曰為兒極，電鍍形成該第二金屬 18.如申睛專利範圍第17 板的製作方法’其中於該半導體電晶體陣列基 干蛉肢層上形成圖案化之該第二 1272725 15743twf.doc/g 電鍍種子層的方法包括： 於该半導體層上形成一第二導電材料層；以及 圖案化該第二導電材料層，以形成該第二電鍍種子 層。 19.如申請專概_ 18項所述之薄 .J的製作方法’其中於該半導體層上形成該第二： b之方法包括物理氣相沈積法或化學氣相沈積法。 鲁板的^方申ΓΓί圍第17項所述之薄膜電晶體陣列基 的衣作方法’其中該第二金屬層之材質包括銅。 21.如申請糊範_丨項所述 板的製作方法，其中形成該半導體層的方法=版陣列基 形成一通道層；以及 於忒通道層上形成_歐姆接觸層。 _ γ〔、亥弟一金屬層之材質包括銅。 #法，包括種形成溥膜電晶體陣列基板内之金屬層的方 提供一基板； 於該基板上形成—電鍍種子層；以及 為電極’電鑛形成金屬層。 列美板內專鄕圍第2 3 叙軸_電晶俨陣 列基板内之金屬層的方^曰體陣 子層之方法包括： r錄板上形柄電鑛種 於邊基板上形成—導電材料層；以及 22 1272725 15743twf.doc/g 圖案化該導電材料層，以形成該電鑛種子層。 25. 如申請專利範圍第24項所述之形成薄 列基板内之金屬層的方法，其中在該基板上形成該^ = 子層之後，並且在電鍍形成該金屬層之前，更包括.&種 於該基板上全面性地形成—絕緣材料層；以及 圖案化該絕緣材料層，以使該絕緣材料層暴露該 種子層。 ^电錢 26. 如申請翻第25酬叙戦_電晶 内之金屬層的方法’其中圖案化該絕緣材料層“ 於该絕緣材料層上形成一光阻層； 以該電鍍種子層為罩幕，由該基板 層進行背向曝光； 側對该光阻 對該光阻層進行顯影； 以該光阻層為罩幕，對該絕緣材料層進行 移除該光阻層。 d ’以及 2 7.如中請專利翻第2 4項所述之形成薄 内之金屬層的方法’其中於該基 料層之方法包括物理氣減躲或化學氣相㈣法^材 列其ί 8.如申請專利範圍第2 3項所述之形成薄模電晶體陳 金屬層的方法’於該基板上形成該電“ 於該基板上形成一絕緣材料層； 於該絕緣材料層上形成圖案化之一光阻層； 23