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TWI272037B - Organic electroluminescent display panel - Google Patents

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TWI272037B
TWI272037B TW094110255A TW94110255A TWI272037B TW I272037 B TWI272037 B TW I272037B TW 094110255 A TW094110255 A TW 094110255A TW 94110255 A TW94110255 A TW 94110255A TW I272037 B TWI272037 B TW I272037B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
organic
material layer
reflective
disposed
Prior art date
Application number
TW094110255A
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English (en)
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TW200635431A (en
Inventor
Chung-Chun Lee
Shi-Hao Lee
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
Priority to TW094110255A priority Critical patent/TWI272037B/zh
Priority to US11/256,432 priority patent/US20060220540A1/en
Publication of TW200635431A publication Critical patent/TW200635431A/zh
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Description

1272037 日期:95年2月24日 且特別有關於一種有機電激 、 第94110255 t審利説明書修正本 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種顯示結構 發光顯示結構。 【先前技術】
隨著科技的日新月異,有機材料也逐漸廣泛地運用在各式電 路元件中,例如一種利用有機材料製作的有機電激發光顯示 二organic electroluminescent 虹叩㈣,〇副)面板便以 簡單的架構和極佳的工作溫度、對比、視角以及具備有發光二極 體(Light-emitting diode, LED)整流及發光特性等優勢, 而逐漸在顯示器市場中受到矚目。 一般的OLED面板光大多都是經由下基板發光,也就是所謂 的向下發光(bottom emission),而相對於前述之向下發光, 所謂的向上發光就是光不是經由下方之基板而是從另一邊發光, 所以向上發光元件又被稱為表面發光有電激發光顯示 (surf ace — emitting 〇LED)面板0 主動式有機電激發光元件必須靠薄膜電晶體(TFT)來控制, 因此如果光是以向下發光的形式放光,光經過基板時勢必會被建 立在基板上的薄膜電晶體和金屬線電路所擋住,所以實際發光的 面積就會被限制而變小,也就是開口率(aperture ratio)就 會比較小,若TFT的數量增加,開口率會更小。但假若我們使用 向上發光元件結構的話,光不是經過基板而是從上方發光,因此 不會受到TFT和金屬線的遮擋,所以TFT的數量都不是問題,因 5 〇632-A50368-TWf 1272037 曰期· 9b平2月24日 第94110255 1春利說明棄fi£| 而容易製成高解/度、高亮度、長壽命的面板 然雨習知的向上發光 OLED面板亦有一些缺點,舉例來說, 由於電極均為帛反射或全反射電極 ,且光學路徑又短,因此會有 極為嚴重的光學干涉現象,使得在改變視角時會有嚴重亮度衰 退,以及色度變化、光色及效率對元件厚度極為敏感等問題。 為克服這些問題,在先前技藝中,亦有許多研究團隊致力於 降低電極之反射率,而提高其穿透率,但大都仍受限於 OLED 的
製程限制,所達成之效果仍然相當有限。另外,也有團體不往降 低光學干涉程度的方向開發,而是利用光學干涉現象來增加其效 率,再利用濾光片來克服視角變換時之色度偏差,但因為光學干 涉現象仍然存在於元件中,所以仍然會有視角變換時之嚴重亮度 衰退,以及光色、效率對元件厚度極為敏感等問題。 因此’我們迫切需要一種新的有機電激發光顯示面板結構, 以解決習知技術中光學干涉現象的問題。 【發明内容】 本發明的目的之一就是提供一種可改善光學干涉現象的向上 發光有機電激發光顯示面板,以克服習知技術中的問題。 為達上述與其他目的,本發明之有機電激發光顯示面板主要 係包含有一反射層,一有機材料層,設置於反射層上,以及至少 一厚度大於或等於500奈米之透明材料層設置於反射層上,且鄰 接有機材料層。其中,該透明材料層之厚度可視有機電激發光顯 示面板實際上整體結構之設計而有所變更。透明材料層之厚度一 般係大於或等於5〇〇奈米,但是例如於具有較薄之有機材料層 時,或是為了易於控制製程條件,或是由於其、他,爵素之時,該透 0632-A50368-TWf 6 -1272037 • 苐94Π0255 1妻利説明書修正本 明材料層之厚度則可相對增加;例如可增 日期:_95年2月24日 米甚或600奈米、650奈米等之厚度/妙口至520奈米、550奈 施例中,若是反射層,相對於有機材料:而’:如於下述之-實 ’ 4^ , Θ ^設置位置,存母詈於 下基板之另一側時,則由於該下基板之…; ‘因此,該透明材料層之厚度即可相對的心度亦可增加光學路徑, — 根據本發明之一實施例,一向上發杂 -包含有-下基板以及-有機材料層設於機電激發麵示面板 •含有-下電極、-有機發光層以及一上:反士有機材料層包 古堂托品L ^ 电極’其中下電極係包含 有-反射《,而-上電減於财機發光層上, -透明電極’且上電極之厚度係大於或等於5。。太二電極係為 光層所產生的光線-部分直接向上發光,—’而有機發 經由下電極向上反射,以進行影像顯示。彳向下發光’並 根據本發明之另一實施例,一向上 板包含有-下基板以及-有機材料層狀H =光顯示面 層:含有-下電極設於下基板上,下電極包^ -第二下電極设於第-下電極上,其中第—下電極係為—反射電 極’而^二下電極則為—透明電極,且該第二下電極之厚度係 大於或等於5GG不米。各有機材料層更包含有—有機發光層設於 該下電極Ji用以產生-光線,以及_上電極設於該有機發光層 上’且上電極係為-透明電極,其中有機發光層所產生的光線一 部分直接向上發光部分會向下穿過該第二下電極,並藉由該 第-下電極向上反射,以進行影像顯示。 根據本發明之一實施例,一種向上發光的有機電激發光顯示 面板係包含有一反射膜、一厚度大於或等於5〇〇奈米之厚光學穿 透膜設於反射膜上’以及一有機材料層設於該厚光學穿透膜上, 用以產生一光線。其中該有機材料層包含有一下電極、一有機發 0632-A50368-TWf 7 1272037 π 第94110255 1審利説明書修正木 日期:95年2月24日 光層以及一上電極,其中下電極係包含一透明電極,而一上電極 設於該有機發光層上,該上電極亦為一透明電極,而有機材料層 所產生的光線一部分直接向上發光,一部分會向下穿過該厚光學 穿透膜,並藉由該反射膜向上反射,以進行影像顯示。 • 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂, 下文特舉出較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下: 【實施方式】
在本發明之有機電激發光顯示架構中,主要係包含有一反射 層、一有機材料層設置於反射層上,以及至少一厚度大於或等於 5 0 0奈米之透明材料層設置於反射層上,且鄰接有機材料層,其 中有機材料層可用以產生光線,並分別朝上、下兩方向輸出,向 上輸出的光線將直接穿過透明材料層,而向下的光線則會再藉由 位於下方之反射層向上反射後,再通過透明材料層,與向上輸出 的光線一同進行影像顯示。 其中,厚透明材料層僅須位於反射層上即可,除了其設置的 位置可依產品之需求而予以調整之外,並具有許多選擇性設計, 更可進一步與其他適當的顯示元件結合。舉例來說,厚透明材料 層可為上電極或下電極,亦或是顯示面板中有機發光元件之外的 任一層。因此,由於此厚透明材料層所帶來之厚度增加不會對元 件操作電壓造成任何影響,但可藉由厚透明材料層來增加光學行 進路徑,來大幅減少有機電激發光顯示面板中的干涉現象。為進 一步說明本發明中之内容,以下特列舉數實施例來說明本發明之 各種選擇性變化。又,下列圖式中,各層元件結構之厚度僅為一 種示意,並未依實際比例繪示。 0632-A50368-TWf 8 1272037 第94110255 1妻利説0月書修正末 日期:95年2月24日 請參考第1圖,第1圖為本發明第一實施例中一有機電激發 光顯示面板10 ◦之剖面示意圖,為方便說明起見,在下列圖式中 均僅顯示了與本發明直接相關之各元件,由於其他部分之元件與 本發明並未有直接的關係,並與習知之有機電激發光顯示面板相 似,而應為熟習該項技藝者所熟知,故在此不予贅述。
如第1圖所示,有機電激發光顯示面板100包含一下基板 110、一反射層120設於下基板110上、一有機材料層130設置 於反射層120上,以及至少一厚度大於或等於500奈米之透明材 料層140設置於反射層120上,且鄰接有機材料層130,其中有 機材料層130可用以產生光線,並分別朝上、下兩方向輸出,向 上輸出的光線將直接穿過透明材料層140,而向下的光線則會再 藉由反射層120向上反射後,再通過透明材料層140,與向上輸 出的光線一同進行影像顯示。 在本發明之一實施例中,反射層12 0係為一反射電極,例如 其可包含有链、妈、銀、鎳、鉻、鈦、饍銀合金、鎮、上述材料 之組合或上述材料與氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅 (ZnO)、氮化銦(InN)、氧化錫(Sn02)之組合而成之單層或多層 結構,用來作為一下電極。有機材料層130則包含有電子傳輸層、 有機發光層以及電洞傳輸層’或是可再額外包含有一電子注入層 設於電子傳輸層與陰極之間,或是一電洞注入層設於電洞傳輸層 與陽極之間,用以朝上、下兩方向同時產生光線輸出。透明材料 層14 0係位於有機材料層13 0之上,且係為一透明電極,例如其 可包含有氧化銦錫(工TO)、氧化銦鋅(工Z0)、氧化鋅(ZnO)、氮化 銦(InN)、氧化錫(Sn02)、上述材料之組合或上述材料與少量金 屬摻雜物,如鎳、銀或銅之組合而形成之單層或多層結構。 此外,在本發明之一實施例中,有機電激發光顯示面板1〇〇 0632-A50368-TWf 9 1272037 日期:95年2月24日 不)’ ό又於有機材料層13 〇與反 第94110255 1審利説明書修正本 更可額外包含有一透明電極(未顯 射層120中,以進一步增加本發明有機電激發光顯示面板丄◦◦中 各元件之總厚度。 請參考第2圖,帛2圖為本發明第二實施例中一有機電激發 光頌示面板200之剖面示意圖,如前所述,在第2圖中同樣僅針 對本發明巾之主要$件進行說明,與本發明無直接關係的元件則 予以痛略。 如第2圖所示,有機電激發光顯示面板2〇〇包含一下基板 210下電極220設於下基板110上、-有機材料層230設置 於下電極220上,以及一上電極24〇設於有機材料層上。值 得注意的是下電極220係包含有—第—下電極2心與一第二下 電極220b設於第-下電極22〇a上,其中第一下電極2心係為 一反射,極’而第二下電極22〇b係為—透明電極,其厚度至少 大於或等於500奈米,而上電極24〇係為一透明電極,因此,有 機材料層230所產生的光線’除了可向上直接穿過上電極24〇 外’亦可向下穿過透明之第二下電極22Qb後,再被第—下電極 ]2〇a向上反射’再穿過第二下電極以⑽、有機材料層㈣與上 電極240,而與向上輸出的光線__同進行影像顯示。 在本實施例中,第一下電極22〇a係為—反射電極,例如豆 可包含有紹、㉝、銀、錄、鉻、鈦、鎂銀合金、鎂、上述材料之 組合或上述材料與氧化銦錫(工τ〇)、氧化銦鋅⑴〇)、氧化鋅 :):氮化鋼(工_、氧化錫(Sn〇2)之組合而成之單層或多層 、.-口冓产弟—下電極2鳩與上電極24。均為透明電極,例如可包 含有氧化姻錫UT0)、氧化銦辞(工z〇)、氧化鋅(蝴、氮化銦 ΓΓ物、Γ化錫(Sn〇2)、上述材料之組合或上述材料與少量金屬 “物,如錄、銀或銅之組合而形成之單層或多層結構。而有機 0632-A50368-TWf 10 Ί272037
.帛 94110255 5!審利 g㈣書修正;^ 0^ : 95 ^ 2 ^ 24 B 材料層230則與前述之有機材料層13〇相同,可包含有電子傳輸 層、有機發光層以及電洞傳輸層,或是可再額外包含有一電子注 • 入層°又於陰極與電子傳輸層之間,或是一電洞注入層設於電洞傳 輸層與陽極之間,用以朝上、下兩方向同時產生光線輸出。 ^明茶考第3圖,第3圖為本發明第三實施例中一有機電激發 光』示面板300之剖面示意圖,如前所述,在第3圖中同樣僅針 •對本發明中之主要元件進行說明,與本發明無直接關係的各元件 , 則予以省略。 如第3圖所示,有機電激發光顯示面板3〇〇包含一反射層 32〇、-厚度大於或等於⑽奈米之透明材料層35q設於反射層 320上,-下電極3㈤設於透明材料層35〇上、—有機材料層 330設於下電極36Q上以及—上電極㈣設於有機材料層3/〇 上。其中上電極34〇與下電極3 6〇皆為透明電極,因此有機材料 層33二所產生的光線,除了可向上直接穿過上電極⑽外,亦可 向下穿過下電極360與透明材料層35〇後,被反射層32〇向上反 射,再穿過透明材料層35Q、下電極36Q、有機材料層33〇與上 電極340,而與向上輸出的光線一同進行影像顯示。 在本“例t,有機材料層別係與前述之有 同之構造,可包含有電子傳輸層、有機發光層以及 有電子傳輸片之子注入層設於陰極與包含 η Β ’或d雜人層設於電洞傳輸層與陽極之 間。而上f極340與下電極36Q均為透 與前述之透明電極相同。 厅使用之材枓亦 顯示)上之-伴^ 材科層350可為設於下基板(未 )之保韻或一隔離層,而包含有氧化石夕(叫)声 ΓΓΓ射)/、有機材料或上述材料之組合而成之單層«輕 構而反射層咖可設於下基板(未顯示)之上方,例如可為 〇632-A50368-TWf 11 •1272037 第94110255 1窶利説明書修正末 日期:95年2月24日 板表面之驅動電路。此外,反射層32 0亦可設於下基板(未顯示) 之下方,而直接利用一透明之下基板,例如一玻璃基板,來作為 透明材料層35 0。
在此進一步說明本發明中有機電激發光顯示架構之運作原 理,如同熟習該項技藝者所熟知的,根據干涉理論,我們可以知 道當光束在薄膜中行進時,會受到光學路徑長短、薄膜光學性質 之影響而有不同表現。向上發光之有機電激發光顯示面板因為發 光點向四面八方發光,部分光束會行進到反射率較高之物質而反 射,進而使光學干涉現象更為明顯。請參考第4圖,第4圖係為 一向上發光有機電激發光顯示面板中,顯示元件總厚度與色度變 化之關係示意圖。如第4圖所示,我們可以發現當顯示元件之總 厚度增加至一定程度以上後(如600至700奈米),會因為光學行 進路徑的大幅提升,而使得色度值的震盪幅度大幅減少,本發明 即係利用此一原理,藉由加入一厚的透明材料層來增加顯示元件 之總厚度,以達到減輕光學干涉效應之目的。如以上述諸多實施 例而言,自該反射層或該反射電極層之反射表面,至該顯示元件 出光表面之距離,即可被視為本發明所謂之總厚度。 相較於習知技術,本發明主要係藉由加入一厚的透明材料層 來光學路徑,而達到抑制光學干涉效應之目的,這不但可大幅改 善顯示品質,更因不會受到光學干涉效應的限制,在選擇電極材 料時可進一步選用一些反射率較高之材料來增加元件外部的量子 效率,進而提升顯示面板之亮度。 雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上,然其並非用以限 定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神和範圍内, 當可作任意之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申 請專利範圍所界定者為準。 0632-A50368-TWf 12 -1272037 _ 苐94110255 1春利説明書修正本 日期:95年2月24日 【圖式簡單說明】 第1圖為一本發明第一實施例中有機電激發光顯示面板之剖 ^ 面示意圖。 - 第2圖為一本發明第二實施例中有機電激發光顯示面板之剖 . 面示意圖。 第3圖為一本發明第三實施例中有機電激發光顯示面板之剖 面示意圖。 ‘ 第4圖係為一向上發光有機電激發光顯示面板中,顯示元件 'φ 之總厚度與色度變化之關係示意圖。 【主要元件符號說明】 100、200、300〜有機電激發光顯示面板; 110〜下基板; 120〜反射層; 130〜有機材料層; 140〜透明材料層; 210〜下基板;
220〜下電極; 220a〜第一下電極; 220b〜第二下電極; 230〜有機材料層; 2 4 0〜上電極; 320〜反射層; 330〜有機材料層; 340〜上電極; 350〜透明材料層; 3 6 0〜下電極。 0632-A50368-TWf 13

Claims (1)

  1. ,1 1272037^ 、 、 44110255 Μ 利 MMIE 本十、申睛專利範圍: 1 · 一種有機電激發光顯示結構 一反射層; 包含: 日期:95年9月12日 [月以修(更I]:.替 一有機材料層,設置於該反射層上;以及 至)一厚度大於或等於5Q◦奈米之透明材料層設置於該反 射層上,且鄰接該有機材料層, 其中當該有機材料層設置於該透明材料層上時,更包括一電 極設置於該有機材料層上。
    2 ·如申凊專利範圍第i項所述之有機電激發光顯示結構, 其中該反射層為一電極。 3 ·如申請專利範圍 其中該透明材料層係設 4 ·如申請專利範圍 其中該透明材料層係為 第2項所述之有機電激發光顯示結構, 置於該有機材料層上。 第3項所述之有機電激發光顯示結構, 一電極。 5 ·如申請專利範圍第 其中該有機材料層包含電 層0 2項所述之有機電激發光顯示結構, 子傳輸層、有機發光層以及電洞傳輸
    发中專利範㈣2項所敎有機電《絲示結構, 電洞材料層包含電子注人層、電子傳輸層、有機發光層、 电洞傳輪層以及電洞注入層。 =严利麵2項所述之有機電激發光 ΓΓ由射層以及該有機材料層之間設置有一透明電極。 其中該透明材料層似置於該有機電激發錢示結構, 9.如申請專利範圍第8項所述 1 及該有機材料層之間。 其中該透明材料層係為-電極、。之有機電激發光顯示結構, °632-A5〇368.TWf 14 1272脇 G255 刪繼腸 01^95^9^120 1〇.如巾請專利第!項所述之有機電激發光顯示結構, /、中該透明材料層係設置於該反射層以及該有機材料層之間。 二如申請專利範圍第10項所述之有機電激發光顯示結 構、、中於該透明材料層以及該有機材料層之間更設置有一透明 電極° 12•如中料利第丄項所述之有機電激發細示結構, ,、更包括一透明基板介於該反射層與該透明材料層之門。 R如中請專利範圍第!項所述之有機電激發結構, /、中该透明材料層之厚度係大於550奈米。 14· 一種有機電激發光顯示結構,包含·· 一反射電極層,具有一反射表面; 一有機材料層,設置於該反射表面之上方;以及 -透明電極層,設置於該有機材料層上,該透明電極層呈有 一出光面位於遠離該有機材料層之一側; 奈米其中’自該反射表面至該出光面之距離係大於或等於6〇〇 其中=1:專利範圍第14所述之有機電激發光顯示結構, 〆、^射表面至该出光面之距離係大於65〇奈米。 ”1自利範圍第14所述之有機電激發光顯示結構, /、中自歧射表面至該出光面之距離係大於7QQ奈米。 17. 一種有機電激發光顯示結構,包含: 反射層,該反射層具有一反射表面; 一第一透明電極層,設置於該反射表面之上方; 二機材料層’設置於該第—透明電極層之上方;以及 極層:::=!:亟層,設置於該有機材料層上,該第二透明電 -有-出先面位於遠離該有機材料層之一侧; 〇632-A50368-TWf 15 ^720371 —5刪繼隱 μ··95年9月12日 其中,自該反射表面至該出光面之距離係大於或等於6〇〇奈米。 18.如申請專利範圍第17所述之有機電激發光顯示結構, ”中自該反射表面至該出絲之距離係大於65g夺米。 复中請專利範圍第17所述之有機電激發光顯示結構, ,、中自以反射表面至该出光面之距離係大於7⑽太米 更請專利範圍第17所述之有機電激發:顯示結構, 更包含一基板,而該反射層係設置於該基板之上方。 2 1 ·如申請專利範圍第1 更包含-基板設置於該反射機^激發麵示結構, 22.如申請專利範圍第21:= 透:電阶 其中自該反射表面至該出光面之距離係大 2 3 ·如申請專利範圍第2丄 、 不” 其中自該反射表面至該出光面之;^有機電激發光顯示結構, 祀離係大於7〇〇奈米。 0632-A50368-TWf 16 Ί272037 “ 第94110255 1春利説明書修正本 日期:95年2月24日 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第1圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 100〜有機電激發光顯示面板; • 110〜下基板; • 120〜反射層; . 130〜有機材料層; 140〜透明材料層。
    八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 無0 0632-A50368-TWf 4
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8729554B2 (en) 2011-04-27 2014-05-20 Chimei Innolux Corporation Top-emission organic light-emitting diode structure

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006098188A1 (ja) * 2005-03-17 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007287354A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
US8957442B2 (en) * 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW463528B (en) * 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US6680570B2 (en) * 2001-03-21 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Polymer organic light emitting device with improved color control
US7936338B2 (en) * 2002-10-01 2011-05-03 Sony Corporation Display unit and its manufacturing method
TW579610B (en) * 2003-01-30 2004-03-11 Epistar Corp Nitride light-emitting device having adhered reflective layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8729554B2 (en) 2011-04-27 2014-05-20 Chimei Innolux Corporation Top-emission organic light-emitting diode structure

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