TWI270315B - Image display device and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

1270315 • (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 此發明係有關畫像顯示裝置及其製造方法，更詳細的 是’關於在真空容器內，具備了電子源、和藉由從該電子 源發射的電子束的照射而顯示畫像的螢光面的畫像顯示裝 置和其製造方法。 • 【先前技術】 照射電子束於螢光體而使螢光體發光，其結果，作爲 顯示畫像的畫像顯示裝置，被廣泛利用於陰極射線管 (CRT )。 近年來，將電子發射元件（電子源）多數配列至平面 狀，對以特定間隔相對的平面狀的螢光面，選擇性的照射 電子束而使螢光輸出（使畫像顯示）的畫像顯示裝置被開 發。而且，此（平面型）畫像顯示裝置係稱爲電場發射顯 # 示器（以下稱爲FED )。另外，FED之中，作爲電子源而 使用了表面傳導型發射器的顯示裝置’亦有被區分爲表面 傳導型電子發射顯示器（以下，稱爲SED)，而在本案， 作爲亦包含S E D的總稱而使用稱爲F E D的用語。 F E D係已知將上述的電子源側的基板與螢光面側的基 板的間隙設定爲數mm以下時，與一般周知的CRT比較可 薄型化，與如LCD裝置的平面顯示裝置比較亦可更輕量 化。另外，關於顯示畫像的畫質，亦有因爲與CRT或電 漿顯示器爲相同的自已發光型’所以可得商売度的特徵。 1270315 • (2) 但是，於fed，爲了將從螢光體輸出的畫像光反射至 顯示面（由觀測者所見之目視面）亦即面板側而提高畫像 的亮度，所以於螢光體層（螢光體面）上’設置金屬背層 亦即爲了由電子源發射的電子而在從螢光體輸出的光之 中，將向電子源側前進的光，向面板側反射的金屬層。而 且金屬背層係作爲電子源亦即對於發射器作爲陽極 (anode )而發揮機能。 • 另外，FED係，已知：如上述的，電子源側的基板與 螢光面側的基板爲以數mm以下的間隔相對，真空度爲因 爲維持在l〇_4P a範圍的真空度，若由在內部產生的氣體而 上昇內壓，則由電子源的電子發射量下降而畫像的亮度下 降。因此，提案：於螢光面或畫像顯示領域以外的所期望 的位置，設置吸附在內部產生的氣體的吸附材料。 而且，於FED，已知：由該構造上的特徵，面板與具 有電子發射元件的背板（電子源側）之間的間隙爲數mm Φ 以下，於2片平板之間施加1 OkV前後的高電壓，金屬背 層（陽極）與電子源（發射器）之間，容易產生亦達到 100A的大的放電電流的產生放電（真空電弧放電）。 因此，例如於日本特開平1 0 - 3 2 6 5 8 3號公報，提案： 藉由複數的分割金屬背層，在使阻抗材料存在的狀態與共 通電極（陽極電源）連接，而確保陽極的高電壓的方法。 另外，例如於日本特開2 0 0 0 - 3 1 1 6 4 2號公報，開示： 於金屬背層形成鋸齒狀（zigzag )等的圖形的切口，提高 螢光面的實效的阻抗（impedance )的技術。 ,(3) 1270315 而且，例如於日本特開2003-68237號公報，報告： 複數的分割金屬背層，於被分割的各個的金屬背襯 (m e t a 1 b a c k )之間配置吸附材料的例子。 按照亦有記載於上述的各個的文獻，理解：藉由將作 爲陽極而發揮機能的金屬背層（及吸附材料）分割爲任意 數，可抑制異常的放電的產生，但若將面板上的各個畫素 的大小，例如：若假設爲〇 · 6 m m間距，則在帶狀的配列可 # 輸出對應於光的3原色的光的R、G、B的3色的螢光體 時的各個螢光體相互間的間隔，在最大亦成爲數十# m。 另外，關於螢光體的長度方向（延伸於帶狀的方向），其 間隔係亦爲1 〇 〇 # πι範圍。 因此，作爲於吸附材料（亦有與金屬背層一體的情 況）施加特定形狀（分割）的方法，即使使用了由先前利 用的真空蒸鍍法、C V D法或濺鍍法等，亦起因於遮罩材料 的精確度、或遮罩材料與螢光體的位置配合的精確度等， ® 而不能得到適合的形狀（精確度），有不能避免異常放電 的問題。 另外，假設即使可能於吸附材料或金屬背層與吸附材 料能施加適合的形狀，代表將3種類的螢光體配置於面板 的製程、將爲了分割各個螢光體的框材的遮光層形成於面 板的製程、於螢光體上將吸附材料形成至特定厚度的製 程、或者將吸附材料（或一體的金屬背層）圖形化至特定 形狀的製程等的多數的製程爲必要，有生產性低的問題。 (4) 1270315 【發明內容】 本發明的目的係在電子源側與螢光面側之間即使產生 放電，亦可抑制放電電流的最大値，而且生產性高的畫像 顯示裝置及其製造方法。 此發明係一種畫像顯示裝置，其特徵爲：具備保持電 子束源的第1基板（背板）、和保持以由前述電子束源輸 出的電子束照射而輸出特定的色的光的螢光體層，於前述 • 第1基板以特定間隔相對的第2基板（面板）、和將前述 第1基板及前述第2基板作爲密閉構造的側壁；前述螢光 體層係具有：設置於前述第2基板，每前述螢光體輸出的 色而分割前述螢光體、同時阻止由任意的螢光體而輸出的 光到達鄰接的分割部之遮光層、和於藉由此遮光層而包圍 的分割部內，可輸出配置於前述遮光層的高度的範圍內的 特定色的光的複數的螢光體範圍、和以藉由前述遮光層而 區分，如被覆前述各個的螢光體範圍的，形成前述螢光體 Φ 範圍的金屬層（metal back )、和於此金屬層上形成特定 厚度的氣體吸附材料層（吸附材料）。 另外，本發明係一種畫像顯示裝置的製造方法，其特 徵爲：於面板的平面，於圖形化終了後亦不與面板相接的 側，藉由包含可定義凹凸的形狀的粒子的材質，形成遮光 層至矩陣狀，每個由遮光層而被分割的範圍，將於照射電 子束的情況能輸出特定的色的光的螢光體層，以與遮光層 建立關連的特定厚度及配列而形成，於包含藉由遮光層而 形成於被分割的範圍的螢光體層的遮光層本身的全域，如 -8- • (5) 1270315 包含螢光體層的厚度的全體的厚度爲與遮光層的厚度相 等、或只變低特定高度的高度，也就是厚度，形成向金屬 背層的金屬層，於包含藉由遮光層而形成被分割的範圍的 螢光體層和遮光層和金屬背層本身之全域，包含螢光體層 的厚度與金屬背層的厚度的全體的厚度爲於面板的一主面 的至少一部分的範圍，如與遮光層的厚度相等、或變低特 定高度的，將向吸附層的金屬層，形成特定厚度；具備： • 於面板內面，形成層疊螢光體層和被覆螢光體層的金屬背 層及吸附層的螢光面的製程、和於與面板相對配置的背 板，配置對應於螢光體層的電子源的製程。 【實施方式】 以下，參照圖面，詳細的說明關於本發明的實施形 態。 於第1圖及第2圖，表示適用本發明的實施形態的 • FED (電場發射顯示器）的構造。 FED 1係具有：電子發射元件（電子源）爲複數個配 列至平面狀的電子源側基板（第1基板’以下稱爲背板） 2、和於背板2以特定間隔相對’複數分割形成以照射電 子束而輸出螢光的複數的螢光體的螢光面側基板（第2基 板，以下稱爲面板）3， 背板2及面板3係各別，包含施加特定面積的矩形的 背面（電子源測）玻璃基材20與前面（螢光面側）玻璃 基材3 0，於各別的基材20及3 0的主要的部分，亦即顯示 -9 - (6) 1270315 範圍相當部，使用第2圖而於以下說明的電子源（電子發 射元件）與螢光體（發光元件）爲被設置特定數。 兩基板2、3亦即2片玻璃基材20、30係以1〜2mm 的間隔（gap )相對，藉由設置於兩基板2、3的周緣部的 側壁4 (參照第2圖），相互的接合。亦即，FED 1係藉由 兩片基板2、3 (基材20、3 0 )與側壁4而成爲密閉構造 的外圍器5。而且，外圍器5的內部係維持在例如1 〇 ·4 p a Φ 範圍的真空度。 使用於面板3的玻璃基材30的一方之面，亦即在作 爲外圍器5而組裝時面向內側的面，形成螢光面3 1。螢光 面31係藉由第3圖及第4圖而後述，而包含：紅（R)、 綠（G)、藍（B)發光的3種類的螢光體爲以特定的面積 及配列而形成的螢光體層32(R) 、33(G) 、34(B)、 與分割各別的螢光體層、同時配列至矩陣狀的遮光層3 5。 各螢光體層32(R) 、33(G) 、34(B)係形成至延伸於 # 一方向的條紋狀或點狀。而且，遮光層3 5亦被稱爲黑色 遮罩（black mask)。 遮光層3 5係將面板3 (玻璃基材3 0 )的長邊方向作 爲第1方向（X方向）、與X方向（長邊方向）直交的寬 方向作爲第2方向（Y方向）的情況，螢光體層32 (R) '33(G) 、3 4 ( B )係於第1方向X，以特定的間 隔（gap )，例如800線（line)，被配列。另外，於第2 方向係同一色的螢光體層以特定的間隔（gap ) ，例如 600線（line )，被配列。而且，於各別的方向，間隔的 -10- (7) 1270315 大小爲在製造誤差的範圍內或設計的微調整的 任意設定，未必有爲一定値的必要。 爲螢光面31上，如藉由第5圖及第6圖 明的，於藉由遮光層35而分割的各個範圍（ 成作爲陽極電極而發揮機能的金屬背層36。而 動作時，於金屬背層3 6，經由無圖示的電源 路）而施加特定的陽極電壓。而且，在本發明 # 金屬背層的用語，而此層係如能作爲陽極而發 不限定於金屬（metal )，可使用各種的材料。 使用於背板2的玻璃基材20的一方之面 爲外圍器5而安裝時面向內側之面，爲了激發 3的螢光面31的各個螢光體層32、33、34, 的發射電子束的複數的電子發射元件（發射器 的（電子發射元件）2 1係對應形成於面板3 素，例如配列至80 0列x3及600行。電子發射 •經由與無圖示的掃描線驅動電路及訊號線驅動 矩陣配線、或阻抗値設定至最適的遮光層3 5而 於背板2及面板3的玻璃基材相互間，爲 爲外圍器5而安裝的狀態而各別作用的大氣壓 板狀或柱狀的多數的間隔物6。 於上述顯示裝置1，於金屬背層36被施加 狀態，由電子發射元件21放射電子束（電子 束衝撞對應的螢光體層而輸出特定的光（畫像 藉由無圖示的掃描線驅動電路及訊號線驅動電 範圍內，可 而詳細的說 3 1 )係，形 且，於顯示 部（驅動電 係使用稱爲 揮機能，則 ，亦即於作 形成於面板 設置選擇性 )21。各別 的各別的畫 卜元件2 1係 電路連接的 驅動。 了抵抗在作 ，配置形成 陽極電壓的 線），電子 )。亦即， 路而由位置 -11 - (8) 1270315 被特定的Xn ( R、G、B ) — Ym (各別表示η爲列、m爲 行、（R、G、B )爲顏色）位置的電子發射元件（發射 器）21的電子束，藉由陽極電壓而加速，衝撞對應的晝素 的螢光體層32、33、34任一。由此，從對應的螢光體層 輸出目的色的光。因而，依照一般周知的顯示規則（晝像 訊號），在任意位置，特定的色光在特定時間產生，於面 板3的玻璃基材3 0的外側亦即目視側，顯示彩色畫像。 隱接著，使用第5圖及第6圖，詳細的說明遮光層的特 徵。而且，第5圖及第6圖係，表示將如第4圖所示的於 X方向及Y方向施加規則性而配列的各個螢光體層（3 2、 33、34 )，沿著X方向及Y方向而切斷的狀態。 遮光層35係由第3圖及第4圖容易理解，而於X方 向（列方向）和Y方向（行方向）的各個，配列8 0 0列X 3 及6 00行。詳細而言，遮光層35係分割於螢光面31的各 個螢光體層32(R) 、33(G) 、34(B)的矩陣範圍，被 Θ分割爲在螢光體層間（同一色間）延伸至X方向的複數的 橫線部 35H、和在螢光體層相互間（R ( 32 )與 G (33) 、G(33)與 B(34) 、B(34)與 R(32)的各 個）延伸於Y方向的複數的縱線部3 5 V。 例如，若將1畫素的大小作爲四邊〇 · 6 mm，關於各個 螢光體層延伸至帶狀的Y方向，對應於該幅（X方向）的 縱線部3 5 V的粗細，比較於橫線部3 5 Η的粗細，爲窄。 若表示一例，則縱線部3 5 V的幅係在由R、G、Β所構成 的一畫素間，亦即在Β(34)與R(32)之間在20〜1〇〇 -12- (9) 1270315 //m，較理想爲在40〜50//m，剩下的部分亦即r(32)與 G(33)或G(33)與B(34)之間爲20〜100/zm，較理 想爲20〜30 μ m。對此，橫線部35H的幅爲150〜450 // m， 較理想爲300// m。 遮光層3 5亦即橫線部3 5 Η及縱線部3 5 V，任一都如 無於鄰接的畫素從螢光體層輸出的光爲不希望洩漏（透 過）的’例如：於特定量混入碳等而著色至黑色的樹脂材 • 料’混入表示出特定的黏性（黏度）的結合劑材料、和可 提供如表示於第5圖及第6圖的非平面狀的剖面（先端部 形狀）的阻抗控制劑粒子亦即金屬氧化物粒子的材料所構 成。而且’作爲被利用於遮光層3 5的材料係如包含金屬 氧化物，耐封接製程等的高溫加熱，則可不特別限定種類 而使用。 作爲被混入的金屬氧化物，例如：Si02、Ti02、 Al2〇3、Fe203、Zn◦等爲理想。另外，可組合2種以上的 ®金屬氧化物而使用。而且金屬氧化物的形狀（外形）係例 如：粉碎氧化物而得到的特定的大小的粒子，產生向不特 定的方向突出的突起部的狀態的多面體等爲理想。另外， 於作爲大致球形的金屬氧化物，亦可使用使任意數的突起 或針狀部（尖銳部）成長者。 包含金屬氧化物的突起部（針狀部或尖銳部）的外形 (最大値）係被規定於例如：數// m〜1 0 // m。 包含具有突起部或針狀部或者先銳部的金屬氧化物的 遮光層3 5，藉由爲一般周知的技術的光蝕刻技術而形成。 •13- (10) 1270315 亦即，遮光層35係於玻璃基材30的一方之面上，塗佈至 特定厚度，在爲圖形曝光及顯像製程終了時亦不與玻璃基 材3 0相接的自由端之表面側’維持留下凹凸的狀態爲理 想。而且，遮光層35的厚度亦即由玻璃基材30所見的高 度係，例如爲1 〇 μ m，於顯像製程除去的部分’在後段的 製程，作成螢光體層R(32) 、G(33) 、B(34)的螢光 體材料，如形成至與遮光層35的厚度相等或只變低 •(薄）特定高度的高度（厚度）° 於各個螢光體層32、33、34上，雖無圖示，但形成 例如矽酸鈉等的無機物、或薄的樹脂（漆1acquer )層， 作爲平滑化構件而形成至特定的厚度。此時，於遮光層3 5 的縱線部3 5 V及橫線部3 5H ’提供無實質的平滑化作用發 揮機能的條件。若換言之，則遮光層35的縱線部35V及 橫線部3 5 Η係藉由施加與螢光體層3 2 ( R ) '33(G)、 33(B)的厚度相同、或只變低（薄）特定高度的高度 •(厚度），從遮光層3 5可分割在後製程形成的螢光體層 32、33、34、同時可切斷被形成於螢光體層32、33、34 上的金屬背層3 6及吸附層3 7，更詳細而言，遮光層3 5 (縱線部3 5 V及橫線部3 5 Η )的高度爲即使與各個螢光體 層32、33、34的高度實質的同等，如亦可切斷金屬背層 3 6及吸附層3 7爲佳，例如即使僅於表面形成凹凸亦佳 (遮光層35的高度=螢光體層的高度）。另外，即使遮光 層3 5的高度比起螢光體層的高度低，如亦可切斷螢光體 層3 2、3 3、3 4、金屬背層3 6及吸附層3 7，則其高度可任 -14- (11) 1270315 意的設定。而且，在此’由切斷的表現’意味著無電氣的 導通，但一般而言即使是絕緣體’阻抗値亦非無限大，在 嚴密的意味上不會有稱電氣的被切斷。因此’在本案，在 成爲不連續膜，將比連續膜的狀態顯著阻抗變高之情事， 表現爲電氣的切斷。 但是，於表面有凹凸的遮光層35’雖然爲了切斷金屬 背層36及吸附層37而合適，但其自體爲矩陣狀，因爲被 • 一體化，於基板間產生放電時，有能限制由該放電而產生 的放電電流的大小的特定的阻抗値爲必要。因此，遮光層 3 5的阻抗値係藉由最適化作爲遮光層3 5而被利用的金屬 氧化物固有的導電性（阻抗値）或與結合劑材料的混合 比，例如設定爲1 〇3 Ω /匚]以上爲理想。反之，若阻抗値過 高，則因爲顯示畫像的明亮亦即亮度的下降變爲顯著，作 爲上限，例如作爲108Ω /□範圍爲理想。 接著，簡單的說明製造上述的螢光面的製程的一例。 ® 首先，在被使用於面板3的玻璃基板3 0的一方之 面，將無圖示的基材處理劑等形成至特定厚度後，將由黑 色顏料（碳）所構成的特定的圖形的遮光層3 5，藉由光蝕 刻法而形成。而且，於遮光層35係例如被施加縱線部 3 5 V和橫線部3 5Η爲被配列至矩陣狀的圖形。 接者，將ZnS系、Υ2〇3系、Ys〇2S系等的螢光體溶液 耢由漿體法，塗佈於由縱線部3 5 v及橫線部3 5 H而分割 的各個的顯示範圍（發光空間），乾燥後，使用光蝕刻法 等而圖形化，形成紅（R)、綠（G)、藍（B)的3色的 -15- (12) 1270315 螢光體層32、33、34。而且各色的螢光體層亦可藉由噴霧 法或網版印刷法形成。另外，於噴霧法或網版印刷法，按 照必要而倂用由光触刻法的圖形化亦佳，自不待言。 接著，於螢光面31亦即各個螢光體層32、33、34 上，例如藉由噴霧法而形成由矽酸鈉等的無機材料所構成 的無圖示的平滑化層，將鋁（A1 )等的金屬膜藉由真空蒸 鍍法或CVD法或者濺鍍等而形成金屬背層36。而且金屬 # 背層3 6係依照之前說明的原理，藉由遮光層3 5的縱線部 35V及橫線部35H，切斷每各個螢光體層32、33、34的 分割區（顯示範圍）。 以下，將形成了螢光面3 1的面板3和事先以特定個 數配列電子源（電子發射元件）21的背板2，導入真空裝 置內，將面板3和背板2，於特定減壓下（真空中），進 行密閉。一般而言，吸附層3 7係因爲若被曝露於大氣中 則失去其作用，所以在真空的保持面板3與背板2之間的 #空間的狀態形成。 接著，雖不詳述，但連接無圖示的陽極用電源裝置、 掃描線驅動電路及訊號線驅動電路等，形成FED 1。 如藉由如上述的被構成的FED，作爲導電性薄膜的金 屬背層36係藉由遮光層35，被分割（切斷）爲電氣的不 連續。因而，即使在面板3與背板2之間產生了放電的情 況，可充分抑制此時的放電電流的最大値，成爲能避免由 放電的損害。 而且，於上述的發明的實施形態，遮光層3 5的凹凸 -16- (13) 1270315 係說明關於設置矩陣的全部的列及行的例子，但例如縱線 部3 5 V係僅於將R、G、B 3個集合作爲1畫素的情況的B 與R之間（間隔廣的部分）設置亦佳，自不待言。 另外，於包含表面形成至凹凸形狀的遮光層3 5的螢 光面31，藉由真空成膜程序而形成金屬背層36及吸附層 3 7，將包含電氣的不連續的範圍的金屬背層3 6及吸附層 3 7，於螢光面3 1的大致全面，可由一次的程序而總括形 φ 成。由此，成爲可以低成本製造不產生由放電的損害的畫 像顯示裝置。 如藉由如以上說明的本發明，將螢光面的金屬背層及 吸附材料，不增大製程，可確實的電氣的切斷。另外，可 抑制產生了放電的情況的放電電流的最大値，可防止電子 發射元件或螢光面的破壞、損傷或劣化。 而且，本發明係不限定於前述各實施的形態，在該實 施的階段係在不逸脫該要旨的範圍，可各種的變形或變 # 更。另外，各實施形態係可能的限度適宜組合而實施爲 佳，該情況，可得由組合的效果。 〔產業上的可利用性〕 如藉由本發明，於面板，配列爲特定順序的R、G、B 的螢光體係各個，藉由在配置螢光體之前形成於基板的遮 光層而分割，配置於基板上的特定範圍。另外，遮光層係 被施加特定的阻抗、同時可防止在後段的製程形成於螢光 體上的金屬層及吸附材料爲沿著螢光體面而成爲表現電氣 -17- (14) 1270315 的導通的連續的面。 因而，藉由無在內部產生放電而畫質劣化之情事的_ 示裝置成爲以高效率，能製造。由此，降低顯示裝置的成 本。 【圖式簡單說明】 〔第1圖〕第1圖係表示關於此發明的實施的形態的 Φ F E D的斜視圖 〔第2圖〕第2圖係沿著第1圖線A-A的的上述FED 的剖面圖。 〔第3圖〕第3圖係表示在顯示於第2圖的FED的螢 光面及金屬背層的平面圖。 〔第4圖〕第4圖係放大表示於第2圖的FED的螢光 面及遮光層的平面圖。 〔第5圖〕第5圖係沿著第4圖線B-B的螢光面等的 ϋ剖面圖。 〔第6圖〕第6圖係沿著第4圖線C-C的螢光面等的 剖面圖。 【主要元件符號說明】

1 ： FED 2 :背板 3 :面板 4 :側壁 -18- (15) (15)1270315 5 :外圍器 6 :間隔物 20 :玻璃基材 2 1 :電子發射元件 3 〇 :玻璃基材 31 :螢光面 32 :螢光體層 3 3 :螢光體層 34 :螢光體層 35 :遮光層 3 5 Η :橫線部 3 5 V :縱線部 36 :金屬背層 3 7 :吸附層

Claims (1)

1. (1) 1270315 , ' 十、申請專利範圍 1·一種畫像顯示裝置’其特徵爲：具備保持電子束源 的第1基板（背板）、和保持以由前述電子束源輸出的電 子束照射而輸出特定的色的光的螢光體層，於前述第1基 板以特定間隔相對的第2基板（面板）、和將前述第1基 板及前述第2基板作爲密閉構造的側壁， 前述螢光體層係具有： § 設置於前述第2基板，每前述螢光體輸出的色而分割 前述螢光體、同時阻止由任意的螢光體而輸出的光到達鄰 接的分割部之遮光層、和 於藉由此遮光層而包圍的分割部內，可輸出配置於前 述遮光層的高度的範圍內的特定色的光的複數的螢光體範 圔、和 以藉由前述遮光層而區分，如被覆前述各個的螢光體 範圍的，形成前述螢光體範圍的金屬層（metal back)、 _和 於此金屬層上形成特定厚度的氣體吸附材料層（吸附 材料）。 2.如申請專利範圍第1項所記載的畫像顯示裝置，其 中，前述遮光層係於不與前述第2基板側相接的位於與前 述第2基板相反之側的端部，形成凹凸。 3 .如申請專利範圍第1項所記載的畫像顯示裝置，其 中，前述遮光層的前述凹凸，藉由規定包含於被使用於前 述遮光層的材料中的金屬氧化物的粒子的外形之突起部而 -20- (2) 1270315 產生。 4 .如申請專利範圍第1項所記載的畫像顯示裝置，其 中，由前述遮光層的前述第2基板的高度係於前述第2基 板的面方向的至少一部分的範圍，與前述螢光體範圍的厚 度和前述金屬層的厚度和前述氣體吸附材料層的厚度之合 計的厚度相等、或對於前述第2基板的高度而規定於特定 的高度。 § 5 ·如申請專利範圍第2項至第4項任一項所記載的畫 像顯示裝置，其中，前述遮光層係包含，由Si02、Ti02、 Al2〇3、Fe203、ZnO選擇至少1種的金屬氧化物的微粒 子。 6.如申請專利範圍第2項至第4項任一項所記載的畫 像顯示裝置，其中，前述遮光層係具有特定的阻抗率。 7·如申請專利範圍第1項所記載的畫像顯示裝置，其 中，前述電子源係於前述第1基板上，複數的電子發射元 件被設置爲矩陣狀。 8·—種畫像顯示裝置的製造方法，其特徵爲： 於面板的平面，於圖形化終了後亦不與面板相接的 側，藉由包含可定義凹凸的形狀的粒子的材質，形成遮光 層至矩陣狀， 每個由遮光層而被分割的範圍，將於照射電子束的情 況能輸出特定的色的光的螢光體層，以與遮光層建立關連 的特定厚度及配列而形成， 於包含藉由遮光層而形成於被分割的範圍的螢光體層 -21 - (3) 1270315 的遮光層本身的全域，如包含螢光體層的厚度的 度爲與遮光層的厚度相等、或只變低特定高度的 就是厚度，形成向金屬背層的金屬層， 於包含藉由遮光層而形成被分割的範圍的螢 遮光層和金屬背層本身之全域，包含螢光體層的 屬背層的厚度的全體的厚度爲於面板的一主面的 分的範圍，如與遮光層的厚度相等、或變低特定 • 將向吸附層的金屬層，形成特定厚度， 具備：於面板內面，形成層疊螢光體層和被 層的金屬背層及吸附層的螢光面的製程、和於與 配置的背板，配置對應於螢光體層的電子源的製: 9·如申請專利範圍第8項所記載的畫像顯示 造方法，其中，遮光層係於其厚度方向的開放端 定的凹凸，該凹凸係藉由規定包含於被使用於遮 料中的金屬氧化物的粒子的外形之突起部而產生 ® 10·如申請專利範圍第8項所記載的畫像顯 製造方法，其中，遮光層係對於向金屬背層的金 吸附層的金屬層，提供如至少電抗變爲比特定的 非連續範圍。 1 1.如申請專利範圍第8項所記載的畫像顯 製造方法，其中，遮光層係包含，由 Si02 Al2〇3、Fe203、ZnO選擇至少 1種的金屬氧化 子。 1 2·如申請專利範圍第8項所記載的畫像顯 全體的厚 高度，也 光體層和 厚度與金 至少一部 高度的， 覆螢光體 面板相對 呈。 裝置的製 側具有規 光層的材 〇 示裝置的 屬層及向 大小大的 示裝置的 、Ti〇2 、 物的微粒 示裝置的 -22- (4)1270315 製造方法，其中，遮光層係具有特定的阻抗率。

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