TWI266341B

TWI266341B - Electronic part, layered ceramic capacitor, and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TWI266341B
Application number: TW094117540A
Authority: TW
Inventors: Kazutaka Suzuki; Shigeki Sato
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 2004-05-31
Filing date: 2005-05-27
Publication date: 2006-11-11
Also published as: CN1993785A; US20090122462A1; JPWO2005117041A1; TW200614293A; WO2005117041A1; KR20070015445A

Description

1^66341 • ψ 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於電子零件、積層陶瓷電容器及其製造方法，特別是關於對應薄層化、小型化之電子零件以及積層陶瓷電容器。、曰【先前技術】作為電子零件之一例之積層陶瓷電容器，係由介電體層與内部電極層交互複數配置之積層構造之元件本體，與在該元件本體之兩端部所形成之一對外部端子電極所構成。此積層陶究電容器，首先使必要層數之燒成前介電體層與燒成前内部電極層交互複數積層來製造燒成前元件本體’接著’將此燒成，之後，在燒成後之元件本體兩端部形成一對外部電極來製造。燒成前之介電體層，使用薄片法或延伸法等製造瓷生胚薄片等。薄片法係將包含介電體粉末、黏結劑、可塑劑以及有積溶劑等之介電體塗料，㈣刮刀成形法塗布在PET等之載片上，將其加熱乾燥來製造之方^ 係指將介電料末與減劑混合於溶劑之介電體懸浮液押出成形後所得到之薄膜狀成形體兩軸延伸來製造之方法。燒成前内部電極層之形成’係在上述陶竟生胚。上，將包含金屬粉末與黏結劑之内部電極膏依照既定形印刷之印刷法、電鍍或蒸鑛、或是濺鍍等，纟生^ 上將導電體薄膜形成固定圖形之薄膜成形法來進行。特 2030-7144-PF 5 ^266341 是’若藉由形成利用成內14 ，專膜形成法所得到之導電體薄膜來形风内部電極層，可容，、邛電極溥層化，而得到積層陶瓷電 -斋之小型薄層化以及大容量化。如此，在製造積層介電體層與電η時’會同時燒成燒成前電皙展=〜月1J °Ρ電質層。因此’包含在燒成前内部芦之^電材’被要求：具有高於包含在燒成前介電體 = 末之燒結溫度、不與介電體粉末反應、燒成後不擴散到介電體層。電子機Ζ近年來’由於各種電子機11之小型化，裝置在、盗内部之積層陶竟電容器之小型化以及大容量化逐進_仃。為了使此積層陶究電容器之小型化以及大容量化订’介電體層當然被内部雷m 層之薄層化。作為將 + β由燒成别㈣電極層藉利二所传到之導電體薄膜來形成之方法(例如:專 1·日本專利3491639號公報）。所开 =此Γ文獻1中，開示特徵為：在藉由薄膜形成法粒‘之：1金屬層上’藉由複合電鍍法來形成含有陶究金屬層之積層陶£電容器之製造方法。此文獻二：:，：據此文獻記載之製造方法，藉由在燒成後成為之第2 ^之第1金屬層之外，另外形成作為接著層功能 =2金屬層，而可防止燒成後内部電極層與介電體層之肌層〇，而，在此文獻中，前述第2金屬層係為了防止脫層之接者層’係藉由電鍍法來形成。因此，此第2金屬層， 2030-7144-PF 6 ¢66341 有必要使介電體粒子之含有量較多，又，其厚度也不得不厚° 又’作為包含於燒成前内部電極層之導電材，由於比較價廉之理由等，賤金屬之鎳常被使用。然而，此鎳由於相較於包含在燒成前介電體層之介電體粉末，其溶點低，斤以在燒成如介電體層與燒成前内部電極層同時燒成之情况時’會產生兩者之燒結溫度差。如此燒結溫度有很大的差異之情況時，若在高溫進行燒結，則包含於導電材之鎳粒子，會由於粒成長而球狀化，在任意的地方產生空孔。其結果，連續地形成燒成後内部電極層變的困難。如此燒成後之内部電極層沒有連續之情況，積層陶瓷電容器之靜電谷I有低下之傾向。從以往，在内部電極層用之導電性膏中，與鎳粒子一起’添加作為共材之介電體粒子之方法，來抑制錄粒子之粒成長之目的。如此在導電性膏中，；=

有鎳粒子與介電體粒子之情況，為抑制鎳粒子之粒成長， :電體粒子之添加量，相對於鎳粒子，為5重量%以上，或疋在1. 33m〇l%以上，必須添加較多量。，而’-般而言，使介電體粒子以及鎳粒子均一地分 :是很困難的，介電體粒子或是錄粒子有凝集之傾向。然 P如此凝集之介電體粒子，會由於燒結而粒成長至數^ ^度=引起内部電極層之中斷。因&，無論如何，都有靜電谷量低下之問題。【發明内容】 2030-7144-PF 7 Γ266341 【發明所欲解決之課題】本發明，係有鑒於如此之實狀，以提供··特別是即使在内部電極層之厚度薄層化之情況，也可以在燒成階段抑制導電體粒子之粒成長，有效防止内部電極層之球狀化以及電極中斷，有效抑制靜電容量之積層陶瓷電容器等之電子零件以及其製造方法為目的。。【用於解決課題之手段】本‘明者們發現，在具有内部電極層與介電體声之積層陶竟電容器等之電子零件之製造方法中，形成：含有導電體與介電體成分，前述介電體成分之含有量，大於

OmoU ’而在〇8m〇1%以下燒成前内部電極薄膜，而在3wt% 疋大於掉出义免a 下之粍成别内部電極薄膜，藉由燒成此 k成則内部電極薄膜盥一生胚，專片之積層體，可達到上述目的，而完成本發明。咬』上返目亦即，與本發明之法，係具有内部電❹及關之電子零件之製造方法，其特徵在於包括/开^入層之電子零件之製造方 ^ ^ ^成含有導電體成分以及介電體& 刀之燒成前内部電極薄电餸成之生胚薄片與前述内 |电骽層薄片盥-Γ、+、& 極溥膜積層之製程及將前述生胚潯片與別述燒成前内部電疋生胚述燒成刖内部電極薄衣狂，則於-Γ、+、上、則迷介電體成分之含有量，相料於則述燒切内部電極⑼㈣ 2相對 mol%以下。孕乂 U mol%大而在〇· 8 與本發明之第一乂心有關之積層陶瓷電容器之製造方 2030-7144-pp ¢266341 法，係具有内部電極層及介電體層交互積層之元件本體之積層陶究電容器之製造Μ，其特徵在於包括.带成人導電體成分以及介電體成分之燒成前内部電極薄膜：程、使燒成後成為介電體層之生胚薄片與前述内部電極薄膜交互積層之製程及將前述生胚薄片與前述燒成前極薄膜之積層體燒成之製程；前述燒成前内部電極薄膜中前述介電體成分之含有量，相對於前述燒成前内部電極薄膜全體’較0 mol%大而在〇·8 m〇1%以下。又，在本發明之第1形態中，前述燒成前内部電極薄膜中之介電體成分並沒有特別限定，可舉出如β 4 Y2〇3、Hf〇2等。 &了舉出如咖〇3、 =發明有關之第2製造方法，係具有介電體層之電子零件之製造方法，其特徵在於包括：= 含有導電體成分以及介電體成分 7成製程、使燒成後成為介電體層之生:^部電極薄膜之薄膜積層之製程及將前述生胚薄片與前述燒：二部電極薄膜之積層體燒成之製程；前 70〜4電極述介電體成分之含有量，相對於=内部電極薄膜中前全體，較0 wt%大而在3 wt%以下以U前内部電極薄膜 it發明之第2形態有關之積層_容_

’ 1、有内部電極層及介電體 p I 體之積層陶瓷電容器之製 "積層之兀件本含有導電妒点八 ’ ’其特徵在於包括：形成 3有導電體成分以及介電體成分 #形成製程、使燒成後成為介電體層之生：=内：電極薄膜之 /專片與别述内部電極

2030-7144-PP 1266341 -薄膜交互積層之製程，前述生胚薄片與極薄膜之積層體燒成之製程；前述燒70成則内部電 a ,人 70成則内部電極薄膜φ 刚述丨丨電體成分之含有量，相對於前述燒、+ 膜全體，較Owt%大而在3 wt%以下。疋刖邛電極薄又，在本發明之第2形態中，前膜中之介電體成分並沒有特別限定， 4 λι η 。· a 『舉出 BaTi〇3、Mg〇、 AUS.CaO'no” V2〇3、Mn〇、 g〇 I:?、一

Yb2〇3、Lu2〇3、CaTi〇3 以及 SrTi〇3 等。 •^二發明之中：作為在燒成後構成内部電極層之燒成 I電體成：:二广與導電體成分同0夺，形成含有共材之電極声^ 部電極薄膜。因此，在燒成後内部 ' ° 9化之情況時，可抑制特別有問題之由於八“ 材料血導雷辦分柯^ α 由於>Μ電體 I導電體材枓之燒結溫度差所造成之内部電極層 ’以及防止電極中斷，有效地抑制靜電容量之低下。導電要燒成前内部電極薄膜所含有之、乃七Α /、要由具有導電性之材料所構成即可，而开二有特別限定，例如，可舉出金屬當體之成分並沒有特則ΒΡ〜做為介電物。 ’ ”艮疋，可使用介電體材料等各種無機前述燒成前内部電極薄膜中以及介雷騁#八 d qI导東體成分前述介電體成：之，：燒成後形成内部電極層，但關於此刀部伤，在燒成後也可形成介電體芦。月J述燒成則内部電極薄膜之中，也可含有前述導電

2030-7144-PF 10 1266341 體成分以及介電體成分以外之成分。又在本毛明中，燒成前内部電極薄膜中之介電體成分之含有量，相對於燒成前内部電極薄膜全體，藉由使盆較Om〇1%多，而在0.8m〇1%以下，可有效防止電極之中斷。或是，燒成前内部電極薄膜中之介電體成分之含有量，相對於燒成前内部電極蔆^ t 电位溥膜全體，藉由使其較Owt%大，而在 3wt%以下，可有效防止電極之中斷。前述燒成前内部雷；1¾t /專膜’可猎由在燒成後由介電體層等形成之生胚薄片上直接成膜之方法，或是在含有介電體材料之剝離層丨成膜之方法等來形成。 I月之製k方法中，在前述剝離層上，形成前述燒成前㈣電㈣臈，接著，㈣在此燒成前㈣電極薄膜上形成接著層，透過接著層，使燒成前内部電極薄膜與生胚薄片接著之轉寫法為佳。在本發0月中，前述燒成前内部電極薄膜之厚度以二1广m為佳’而以0,1〜0.5”更佳。藉由使前述燒成刖内部電極薄膜之厘# 尽度在如此之範圍内，而可得到燒成後内部電極層之薄層化。 :本發”，前述燒成前内部電極薄膜係以薄膜形成 =由:;定的圖樣來形成為佳。薄膜形成法可舉出例如電、又:鍍去、濺鍍法等，特別是使S滅鍍法為佳。由月J述導電體成分以及介電體成部電極薄臈，藓由以植瞪π上凡风月J η "4膜形成法，特別是以濺鍍法來形成，前内部電極薄財，介電體成分均-地分 2030-7144-ΡΡ T266341 布特別Κ纟本發明中，較佳的是，可使介電體成分均 Γ布到奈米層級之等級。因此，燒成前内部電極薄膜甲 ”電體成分之含有量’即是在如上述之比較少量之情況，也可以充分發揮介電體成分之添加效果，而可有效防止由於金屬材料等導電體材料之球狀化所造成之電極中斷。在本發明中，較祛 Μ ί的疋’精由將構成前述導電體成分以及：述介電體成分之金屬材料以及無機物同時濺鑛，來形成如述燒成前内部電極薄膜。二在本發明中’ ”同時錢鍍”係指藉由賤鑛法來使形成成前内部電極薄膜中之導電體成分以及介電體成 :刀布之方法，意味著進行濺鍍。，，同時濺鍍，，之方法’可舉出如將含有今麗材料蓉m 有金屬材科之導電體靶，與含有介電體 Γ: 導電體乾，依照既定時間之間隔(例如，秒左右）交互濺鍍之方法。或是，也可使用含導電體成分及前述介電體成分 ' 心"电涖成刀之禝合靶來濺鍍之方法。又’别述無機物並沒有特別限定，可舉出各種介電體材料或各種無機氧化物等。作為無機氧化物，例如，可夹出 BaTi〇3、Mg〇、ai2〇3、si〇2、CaO、Ti〇2、V 0 u 牛 Y^、^mBaQ、_、U2() H、Mn〇、Sr0、

La2〇3、Gd2〇3、Tb4〇7、Dy2〇3、 Η—、Er2〇3、Tm2〇3、憾、U2〇3、“η〇3 以及抓，這些也可以使其作為副添加成分包含前述燒成前内部電極薄膜或前述生胚薄片中。電極為導ttri中’進行前述料時’已使用非活性氣體作為導礼體為佳。非活性氣體，並沒有特別限^，但以使 2030-7144-PF 12 Γ266341 為佳。 …活性氣體之導入麼力以在本”巾，前職成前電體成分，與前述生m^相中所包含之介之介電體為佳。_由如Γ 別含有實質上為相同組成生胚薄片之密著性更 15電極薄膜與果。又，在本發明中，w；l可提高本發明之作用效月ϋ迹燒成前内部雷士胚薄片中所含右夕a 》專膜與前述生 ^ 3有之則述介電體並不-定要*〜生、/、要實質上有相同之組成即可。又：同之組 =薄膜以及/或前述生胚薄片，也可根據二二部不同之副成分。文刀別添加本I月中，則述燒成前内部電極薄膜&人體成分之平均粒徑，以Η〇η“佳。介有之介電徑，舉例而+，^ "電體成分之平均粒牛U而5，可將燒成前内部電極薄膜切斷，

觀察此切斷面來測量。 g 1 EM 以及述燒成前内部電極薄臈所含有之介電體成分，酸約、'❹Γ 所含有之前述介電體，可舉出使用鈦酉夂銷、欽酸鎖等。其中，使用鈦酸鎖較佳。在本么明中’較佳的是’前述燒成前内部電極含有之導電體成分，以鎳以及/或鎳合金為主成分。作為鎳合金，係從釕（Ru)、鍺（Rh)、銖挥” 種乂上之兀素以及鎳之合金為佳，合金中之鎳 87m〇U以上為佳。在在本發明巾，較佳的是，將前述積層體在具有 2030-7144-PF 13 Γ266341 〜l(T2Pa之氧氣分堡之氣氛中，在1〇〇〇卜13〇代之w 度所燒成。根據本發明，在金屬材料之燒結溫度以上燒: 、夺由於可有效防止特別有問題之内部電極層之球狀化，以及電極之申斷，所以在上述溫度之燒成為可能。〃較佳的是，燒成前述積層體之後，在具有1〇'1〇心之氧氣分麼之氣氛_，在12GGt之溫度退火。藉由在上述燒成後’以特定之退火條件使其退火，可得到介電體層之再氧化，阻止介電體層之半導體化，而可取得高絕緣電阻。與本發明有關之電子零件，係藉由上述之任一方製造的。 —作為電子零件’並沒有特別限定，例如有積層陶竟電 I @ C電7C件 '晶片電感、晶片可變電阻、晶片熱敏電阻、晶片電阻、以及其他表面實裝（SMD)晶片型電阻。【發明效果】根據本發明’可抑制在燒成階段之導電體粒子之粒成長’有效防止燒成後之内部電極層之球狀化以及電極中斷，抑制靜電容量之低下。【實施方式】以下’基於圖面所示之實施方式來說明本發明。首先作為藉由與本發明有關之方法來製造之電子零件之f⑯方式，對於積層陶i電容器之全體構成來說明。如圖1所不’與本實施方式有關之積層陶瓷電容器2，係具有電容器本體4、第1端子電極6、第2端子電極8。電谷益本體4’係具有介電體層1〇，與内部電極層η，在

2030-7144-PF 14 Γ266341 介電體層ίο之中，層之一方 σ二内部電極層12交互積層。交互蕷万之内部電極声〗9 1端部4a夕卜侧之第—端子電=於形成於元件本體4之第又，交互積層之另一電之内側電氣上是連接的。件本體4之笛^彳之内部電極層12 ’係對於形成於元上是連接的 Μ側之第二端子電極8之内侧電氣明的在態：’内部電極層12,係如之後會詳細說 2所不糟由燒成之燒成前内部電極薄膜12aJ:電體成刀與介電體成分 _、層二之材質，並沒有特別限定，可由例如鈦酸宜使用㈣的介電體材料來構成，其中，可適且使用鈦酸顧。X，*人^ τ』週加各種副成八'。久八“體層10上，可以根據必要來添 -般而▲為："電體層10之厚度，並沒有特別限定，化到5 數百特収在本實施μ中，薄声到5…下為佳，薄層化到3…下更佳。端子電極6以及8之材質並用銅或銅合金，鋁或鋁合金# W限疋，通常可使人全算。媸丰士杌β 專，也可以使用銀或銀與鉑之 :…左:及8之厚度也沒有特別限定，通常積層陶究電容器2的形來適當決定即可。當積層陶究電容器2為：=用途況時，通常，為長(0.6〜5.6咖，而：體形狀之情寬(〇·3〜5·-，而以U〜^為佳)、厚二佳）Χ 而以0· 3〜1 · 6mni為佳）左右。 · · 9mm ’ 2030-7144-PF 15 Γ266341 接著，說明關於本發明之實施方式之積層冑究電容器 2之製造方法之一例。 ° 首先為了製^燒成後構成如圖1所示之介電體層1〇之陶瓷生胚薄片，準備介電體膏。介電體膏，通常由將介電體原料與有機載劑混煉所得到之有機溶劑系膏，或是水系膏來構成。作為介電體原料，可從複合氧化物或藉由燒成氧化物所構成之各種化合物，例如碳酸鹽、硝酸鹽、水氧化物、有機金屬化合物等來適當選擇，混合使用。介電體原料，通常使用平均粒子獲為fl 1 · 、/ 卞佐為〇·1〜右程度之粉末。又，為了形成極薄之生肢蘯η，# m ϋ , — 玍胚溥片，使用較生胚薄片之厚度還細的粉末為佳。有機載劑，係將黏結劑溶解於有機溶劑中之物。用於有機載劑之減龍沒有特別㈣，可使心基素、' 聚乙烯純縮了越、㈣基樹脂等通常之黏結劑’而以使用聚乙烯純縮丁醛等縮丁醛系為佳。 ί ’用於有機载劑之有機溶劑也並沒有特別限定，可使用萜品醇、丁基卡必醇、丙 —丨/山丄甲本#之有機溶劑。又，在水糸貧中之載劑，係使水溶性黏結劑溶解於水溶性黏結劑並沒有特別限定，可使用聚乙 =經乙基纖維素、水溶性丙婦基樹脂、乳膠等；、: 月中之各成分含有量並沒有特別限定，通常之旦，為例如黏結劑1〜5質詈％:产士 S有里’ 貝里％左右，溶劑（或是水）

%左右即可。 ~ 〜50質I

2030-7144-PF 16 Γ266341 在介電體膏中，依據需I，7 可塑劑、介電體、玻璃碎粉::含有選自各種糊^ 是，這些的總含有量，以在10:體等含有之添加物。但與昨从从在 0貝Ϊ %以下為佳。以縮丁松樹脂作為黏結劑樹脂來使劑樹脂100質量分，以π 月…可塑劑’相對於黏結貝里刀以25〜100質|八塑劑太少，則生胚舊Η 士、里刀之3有ΐ為佳。若可、J生胚4片有變脆的傾滲出，操作變的困難。夕、丨可塑劑接著，使用上述介電客，示，在作為第2支持薄片之；片、：刀：等，如圖7A所 "，更佳的是㈣左右之厚〜〇·5〜3〇生胚薄片l〇a係在形成於載片 _ /片10a。乾燥溫度以50〜10旳為 ' :胚溥片10a之乾坧扦間以1〜5分為佳。者，除了上述載片3〇之片20來作為第彳如圖6A所示，準備載水忭為弟1支持薄片，在農著，在剝離層22之矣而μ八形成剝離層22。接 ’將燒成後會構成内部電極声 12之燒成前内部電極丨冤極層作為载片以及30,例如_；^_㈣成° 善刻離性，可使用有覆以使用PET薄膜，為改之厚度，並沒有特^ 佳。這些載片2〇以及30 2Π v « 〇以5〜1〇0㈣為佳。這歧载片 2°以及3〇之厚度，可以相同也可以不同。载片剝離層2 2，較佳的η人士胚舊，1η八的疋含有同於構成如圖7Α所示之生了 =介電體與介電體粒子。又，此剝離層22，除成二以外’可含有黏結劑、可塑劑、與作為任竟 "電體粒子之粒徑，可同於包含在生胚薄

2030-7144-PF 17 Γ266341 片之介電體粒子之粒徑，但以較小為佳。剝離層 =法並/又有特別限定，為了必須極薄的形成棒鑛膜機^是晶片鍍膜機來塗布之方法為佳。使用線燒成前内部電極薄臈12a係如圖2所示層22上，含有導電體成分以及介電體成分。 " 作為包含於内部雷搞^ 1罨極溥膜12a之導電體成分，口由；有導電體成分之材料來構成即可，並沒有特職定疋可舉例金屬材料等。例如，在使用具有耐還原性2 =作為介電體層10之構成材料的情況時，可使用賤金屬來作為如此之金屬材料。作為士 μ 馬 +料如此之賤金屬，以料主成分之金屬，或者疋錄與其他金屬之合金為佳。錄合金以㈣（Ru)、錢⑽、銖(Re)以及白金⑽選擇一種以上之元素以及錄之合金為佳，合金中之鎳含有量以在87m〇i%以上為佳。又，鎳或鎳合金中’含有〇1重量％成分也可。里。左右之s c、P等各種微量作為包含於内部電極層薄膜12a之介電體成分，可使用介電體材料等各種無機物，沒有特別限定，但以含剝離層22或生胚薄片1〇a中所含有之介電體材料實質上相同組成之介電體材料為佳。藉由如此，可得到在内部電極薄膜12a與剝離層22或生胚薄片…之間所形成之接觸面之密著性之更增加。内部電極薄臈12a中之介電體成分之含有量，對於内部電極薄膜全體而言’大於GnK)1% ’而在G. 8_%以下。又，内部電極薄膜12a中之介電體成分之含有量，對於内部電 2030-7144-PF 18 Γ266341 T薄膜全體而言，大於°wt%’而在3wt%以下。在本實施方 ^ 後面3詳述，由於以濺鍍法等薄膜形成法來形成内乂 1 :薄膜1 23 ’在内部電極薄膜1 2a中’使介電體成分程度來均一地分布為可能。因此，介電體成分之含有里’即使如上數之士於/丨、b 數之比m也可以充分發揮介 " 之&、、加效果，可有效防止由於金屬材料等之導電體材料之球狀化所引起之電極之中斷。燒成前内部電極薄膜12a之厚度，以。H.— 為而以〇. 1〜5# m更佳。藉由使内部電極薄膜i2a之厚度在此範圍内’可得到燒成後之内部電極層之薄層化。 ? 、3有導電體成分與介電體成分之燒成前内部電極 :、12a之方法’可舉出電鑛法、蒸鑛法、減鍍法等之薄纽，在本實施方式中U濺鍍法㈣成。藉由滅鑛法來形成燒成前内部電極薄膜⑼之情況，例如，如以下方式來進行。，首先，如圖3A所示，在載片2〇上之剥離層22表面上，形成具有既定圖樣之今屬疮@ 银屬遮罩44來作為遮罩。接著，如圖所示’在剝離層22上形成内部電極薄膜心。在本實施方式中’内部電極薄膜…之形成，係如圖二圖4b所示，使用含有導電體成分之導電體耙40,以 ^有介電體成分之介電體乾42，藉由兩無交互賤鑛來形。亦即’在本實施方式中，如圖4A、圖4β所示，在導 = =40以及介電體乾42上，使形成了制離層μ以及金屬遮罩44(圖示省略）之载片2〇回轉，在剥離層。上，依 19

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Γ266341 照既定間隔（例如，卜3(] 介電體成八士 y工右）父互形成導電體成分以及電體成为。如此藉由將導電體成分秒間隔來交互形成，在内部電極薄膜12a中成刀數成分以太半笙紐电位，寻膘12a中，可使介電體 (…級之程度均-分布為可能之同時，還可有效防止介電體成分之凝集。有效所丄ί本實施方式中，燒成前内部電極薄臈12a中 =:Γ體成分之平均粒徑，以一為佳，可使其句地刀放。又，介電體成分之平均粒徑，例如，可評 =内部電極薄膜12a切斷’藉由以ΤΕΜ觀察此切斷心剛疋。上述回轉速度，例如，為0.5〜15rpm，以130秒隔，來進行導電㈣40與介電體乾42之濺鍍為佳。作為形成内部電極薄膜12a中之導電體成分之挺40 ’可使用導電材料，例如’可使用以鎳為主成分之金屬，或是鎳與其他金屬之合金。〃又，作為形成内部電極薄膜12a t之彳電體成分之介電體乾42,可使用介電體材料等各種無機物，例如，可: 出複合氧化物或是藉由燒成而成為氧化物之各種化合物。+ 在濺鍍時，作為導入氣體，以使用惰性氣體，=別是 Ar氣體為佳，又，該氣體之導入壓力以〇12pa為佳。= 為其他之濺鍍條件，到達真空度以在丨〇 — 2Pa以下為佳，在 l〇-3Pa以下更佳，濺鍍溫度以在2〇〜15(rc為佳， 20〜120°C更佳。又，在本實施方式中，在内部電極薄膜12a中之導電

2030-7144-PF Γ266341 體成分以及介電體成分之雷麯2 j Λ、有比率’例如，可藉由調整導電體革巴40以及介電體| 輪出以50〜侧為佳之輸出來控制。導電體把40之之_屮1Π μ ，而以100〜300W更佳，介電體靶42 <輸出以10〜l〇〇W^> 導雷… 10〜50W更佳。又，較佳的是，導電體成分之成膜速度為$ 途声炎· 為5 2〇nm/min，介電體成分之成膜迷度為lnm/min以下。、又，内部電極薄膜4 Γ* 、十、之厚度之控制，可藉由調整上 ❿ 述各濺鍍條件以及成膜時間來進行。接著，藉由將遮罩44 μ ^ ^ ^ 如圖3C所不，可在剝離二:之表面上，形成具有既定圖樣，含有導電體成分以及 ”電體成分之内部電極薄膜1 2a。接著，除了上述截進供“ 及30之外，如圖6Α所示，旱備在弟3支持薄片之勒Η 9β ± 載片26表面上形成接著層28之接者層轉寫用薄片。載片26，係由巾田Η於載片20以及30之薄片來構成。接著層28之組成，昤7 τ人士必， ^ 取除了不含有離型劑之外，與剝離層22相同。亦即，接著；？人士 μ力丄^ 、牧有禮28，含有黏結劑、可塑劑、與離型劑。在接著層28中，可 J便其含有同於構成生胚薄片 …之介電體之介電體粒子，但在形成厚度較介電體粒子之粒控還薄之接著層之情況時，不含有介電體粒子為佳。 “接著’如圖6A所示，在内部電極薄臈心之表面上，藉由轉寫法而形成接著層。亦即，如冑6β所示，將載片 26之接著層28，押到内部電極薄膜⑵的表面上，加埶加廢，之後藉由將載片26剝除，可如圖化所示，將接著層 28轉寫到内部電極薄膜1 2a之表面。 2030-7144 ~pp Γ266341 此時之加熱溫度，以40〜10(rc為佳，又，加壓力以〇· 2〜15MPa為佳。加壓，可藉由壓輥來加壓，也可藉由壓光輥來加壓，但以一對之輥輪來進行加壓為佳。之後，將内部電極薄膜12a，與形成在圖7A所示之載片30之表面的生胚薄片1〇a表面接著。為此，係如圖所示，將載片20之内部電極薄膜12a，透過接著層28，與載片20/、同押付於生胚薄片之表面，加熱加壓，如圖 π所示，將内部電極薄膜12a，轉寫到生胚薄片之表面。但是，由於是薄片側之載片30被剝除，從生胚薄片 l〇a側來看，生胚薄片1〇a係透過接著層28來轉寫於内部電極薄膜12a。在此轉寫時之加熱以及加壓，可藉由壓輥之加壓加熱，也可藉由壓光輥之加壓加熱，但藉由一對之輥輪來進行為佳。此加熱溫度以及加壓力’係與轉寫接著層28時相同。藉由如此圖6A〜圖7C所示之製程，在單一之生胚薄片 l〇a上’形成具有既定圖樣，含有導電體成分與介電體成分之燒成前内部電極薄M 12a。使用此，將内部電極薄膜 12a以及生胚薄片10a交互多數積層而得到積層體。、之後’將此積層體最終加壓後，將載片2〇剥除。最玖加壓時之壓力以心2()咖為佳。又，加熱溫度以㈣⑽ °c為佳。之後，將積層體切斷成既定心又尺寸，形成生胚晶片。然後，將生胚晶片脫黏結劑處理以及燒成。脫黏結劑處理，係如本發明，在佶用從用賤金屬之鎳來作 2030-7144-PF 22 Γ266341 為内部電極薄臈之導電體成分時，脫黏結劑氣氛以在空氣中或n2中為佳。又，在此以外之脫黏結劑條以5省C/小時為佳，而以㈣心小時更佳，保持= 以200〜400 C為佳，而以25〇〜35(rc更佳，溫度保持時間以 0 β 5〜2 0小時為佳，而以1〜1 〇小時更佳。

生胚晶片之燒成，係在氧氣分壓10-1°〜10-2Pa進行為佳在10〜10 5Pa之氣氛進行。燒成時之分壓若太低，則内邛電極層之導電材引起異常燒結，會有中斷的現象，相反的若氧氣分壓太高，則内部電極層有氧化之傾向。生胚晶片之燒成，在130(rc以下，以在1 000 1 30(rc 2 4特別疋在11 5 0〜1 2 5 0 之低溫進行更佳。燒成溫度右太低，則生胚晶片無法緻密化，相反的若燒成溫度太高，則内部電極層之電極中斷發生，介電體產生還原之故。在此以外之燒成條件，升溫速度以50〜50(TC/小時為佳，而以200〜3〇(TC/小時更佳，溫度保持時間以〇·5〜8小時為佳，而以i〜3小時更佳，冷卻速度以5〇〜5〇〇它/小時為佳，200〜3〇(TC/小時更佳。又，燒成氣氛以還原性氣氛為佳’氣氛氣體，例如，將N2與H2之混合氣體加濕狀態來使用為佳。接著，對於燒成後之電容器晶片體施以退火。退火係為了將介電體層再氧化之處理，#由此，可以使絕緣電阻 (IR)之加速哥命顯著地變長，提高信賴性。燒成後之電容器晶片體之退火，以在高於燒成時之還原氣氛之氧氣分壓下進行為佳，具體而言，氧氣分壓以

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Γ266341 10/MOPa為佳，在ur2〜10Pa之氣氛下進行更佳。退火時之氧氣分壓若太低，則介電體層10之再氧化變的困難，相反的，若太高，則内部電極層丨2有氧化之傾向。在本發明之實施方式中，退火時之保持溫度以及最高溫度，以在120(TC以下為佳，以900〜U5(rc/小時更佳，而以1咖〜11()()口小時最佳。又，在本發明中，這些1 之保持時間以0·5〜4小時為佳，而以卜3小時更佳。退： :之保持溫度或最高溫度’若在未滿前述範圍則介電體材 ,之乳化不充分而有使絕緣電阻壽命變短之傾肖，若超過前述範圍’則内部電極層之録氧化，不僅電容量低下會與介電體基材反應，使壽命有變短之傾向。X，退火可溫過程以及降温過程來構成即可。亦即，溫度保 …可為零。在此情況’保持溫度係與最高溫度同義。 :為這些以外之退火條件，冷卻速…〇，。口小守為佳，而以l〇〇~30(TC/小時更佳。又，供Α 氣靜，… 才更隹Χ，做為退火之氣氛札體，例如，使用加濕之Ν2氣體為佳。又’為了加濕Ν2氣體…使用例如加漏器等。在此 Γ月况，水溫以〇〜75°C左右為佳。、脫黏結劑處理，燒成以及退火，可以連以獨立進行。將它們連續進行之 ° 後，不；^ A 产〆兄係在脫黏結劑處裡不冷部而變更氣氛，接著升S ^ # A A 進行捧成从—，、考幵，皿到燒成時之保持溫度來 70成，接著冷卻，到達退進行退火為佳。度時變更氣氛來燒成栌，i技、、，將它們獨立進行之情況時，在守，在N2氣體或加濕之N t g 乳體亂汛下升溫到脫黏結劑 2〇3〇-7144 ~pp Γ266341 處理之保持溫度，變更氣氛而持續進行升溫為佳，冷卻到 =時之保持溫度後’再度變更為…氣體或加濕之N2氣體持績冷卻為佳。又，在退火日车 5一㈣火時，彳以在…氣體氣氛下升溫 !:持溫度後來變更氣氛，退火的全程為加濕之…氣體氣沉也可。在如此所得到之燒結體（元件本體4)中，例如藉由滾 ‘或喷砂等來施以端面研磨，燒附端子電極用膏來形成端子電極6、8。端子電極用膏之燒成條件，例如以在加渴之 2與1混合氣體中在㈣〜8G(rc下進行1()分鐘〜！小時卢右 ^圭。然後’根據必要，藉由在端子電極6、8上進行電鑛來形成電極層。又，端子電極用膏，可同於上述電極膏來調製即可。如此所製造之本發明之積層陶£電容器，係藉由谭接而實裝在印刷電路基板上等，使用於各種電子機器。在本實施方式中，作為燒成後構成内部電極層12之婷成前内部電極薄膜12a，形成含有導電體成份以及介電= 成分’介電體成分之含有量較〇11]〇1%多，而在。“以下之内部電極薄《 12a。或是，作為燒成後構成内部電極層之蚝成則内σ卩電極薄膜j 2a，形成含有導電體成份以及介電體成分’介電體成分之含有量較Gwt%多，而在3wt% 以下之内部電極薄冑12a。為此，在將燒成後之内部電極層12薄層化之情況時，可以有效防止特別有問題之介電體材料與導電體材料之燒結溫度差所造成之内部電極層12 之球狀化，以及電極中斷，而可有效地抑制靜電容量之低

2030-7144-PF 25 Γ266341 下。 v八牡不霄施方式令，含有導電體成分以及介電體成 :之内部電極薄臈12a之成膜，由於係藉由濺鍍法來進仃，可使内部電極薄膜i2a中之介電體成分内部電極薄臈仏以奈米等級均一地分布。因此，内部電極薄膜^甲之介電體成分之含有量，即使如上述為比較少量之情況， =以充分發揮介電體成分之添加效果，有效防止：屬材科等之導電體材料之球狀化所造成的電極中斷。以上’說明了關於本發明之實施方式，但本發明完全不限定於上述之實施方式，告紗飞田：、、、、可在不脫離本發明旨之範圍内做各種改變。知乃之曰趣裳件例^在上述實施方式中，作為與本發明有關之電子 =’:出積層陶竟電容器為例’但與本發明有關之電子件。文，可適用於其他電子零又在上述實施方式中，將掉占义& * μ , ^ ^ + 肝&成則内部電極薄膜1 2a 精由濺鍍法來形成時，使用如釦μ命人+ 口 4A、圖4B所示之導電體靶40與介電體靶42作為 ^ , ^ 祀但也可以使用混合導電體成伤與介電體成分，藉由燒姓如此^ 疋、、口而侍到之複合靶。在使用女此之複合靶之情況中，藉由與介電體成分混合比，而可二合把中之導電號成份含有之導電雜成份與介電雜成電極薄*i2a中所或者，如圖5所示，可將六體把，放在導電體把上而形成之：：胚體狀之複數個介電之乾作為濺鍍靶來使用。在 2030-7144-pp 1266341 ，，况中，放在導電體靶上之胚體狀之介電體靶的大小，或疋藉由调整數量’而可控制内部電極薄冑⑼中所含有之導電體成份與介電體成分之比率。 ^又在燒成別内部電極薄膜1 2a之表面形成接著層28 製私則，在沒有形成内部電極薄膜1 2a之剝離層22之表面上’也可形成具有實質上與内部電極薄冑⑼相同之厚又由實貝上與生胚薄片1〇相同之材質所形成之空白圖樣層0 ，又，在本發明中，也可使用濺鍍法以外之薄膜形成法。作為其他之薄膜形成法，有蒸鍍法或分散電鑛法。【實施例] 、以下，基於更詳細之實施例來說明本纟日月，但本發明並不限於這些實施例。

百先’將BaTi〇3粉末(BT—〇2/堺化學工業股份有限公司）與_3、Mnm)si〇3以及從希土類_3、 y2〇3 Ho·、Er2〇3、Tm2〇3、Yb2〇3、Lu2〇3、γ2〇3)選擇之粉末，藉由球磨濕式混合16小時，藉由使其乾燥而得到而成為介電體材料。這些原料粉末之平均粒徑為〇.M ^(Ba〇.eCa〇.〇Si〇3 BaCOs > CaCOs ^ ^ Si〇2 球磨16」、時，澄式混合，乾燥後在115『。之空氣中燒成之物，藉由球磨，濕式粉碎i 〇〇小時來製作。為使所得到之介電體材料膏狀化，將有機载劑添加於

2030-7144-PF Γ266341 介電體材料，以球磨混合，得到介電體生胚薄片用膏。有機載劑，係對於介電體材料1〇〇質量分，作為黏結劑之聚乙烯純縮丁醛·· 6質量分，作為可塑劑之鄰苯二酸雙乙基 ^基）（DOP) :3質量分，乙酸乙醋· 55質量分，甲苯：1〇重置分，作為剝離劑之石蠟·· 〇 · 5質量分之配合比。接著，將刖述介電體生胚薄片用膏，藉由乙醇/甲苯 (55/1〇:稀釋成以重量比來看2倍之物來作為剝離層用膏。乂接著除了不加入介電體粒子以及剝離劑之外，將同於前述之介電體生胚、董Η 生胚溥片用f ，猎由甲苯稀釋成以重量比來看為4倍之物。生胚溥肖1 〇 a之形< 首先’將上述介電體生間片料，塗布於m薄膜(第2支持薄片)上，接：機形成厚度為1.0“之生胚薄片。胃由乾知而電-Mjj膜1 2 a夕形戍將上述之剝離層用膏，使用線棒之PET薄膜（第丨支持主布於另外又符屬片）上，接著，藉由厚度為0. 3 // m之剝離層。 L、’、，而形成接著，在剝離層之表面上，使用 12“具有既定圖樣之金屬遮軍44，藉由：：電極薄膜所示，形成含有導電體成分以及介電體成分：法，如圖2 膜心。内部電極薄膜心的厚度為〇内部電極薄膜心中所含有之導電體成分以及介^内部電極薄率，分別示於表丨。又，導電體赤八、^體成分之含有比又導電體成分Μ及介電體成分之含

2030-7144-PF 28 Γ266341 有比率’係使 T/JV U4 巧 "曰街雙化介電體靶之輸出來進行調整。八在本實施例中’濺鍍，係首先準備為了形成刀之導電體靶’以及為了形成介電體成分之介- 圖4A、圖4B所示方式進行。分別使用^ 乾，以

BaTi〇3作為介電體靶，使 …電體靶，忧用切出成直徑約4时，之形狀而得到之賤鍍乾來作為Ni以及BaTi〇3^度為3咖其他之濺鍍條件為，到達真空度：〗〇_ 導入堡力―溫度··室溫(20。〇。又，賤二：，：氣體 U00W，BaTi〇3 無:1(M雨。 ♦之輸出，又’在本實施例中，在各試料上形成内部電玻璃基板上也同時藉由_形成膜，接著，將带： =膜之玻璃基板打破，藉由SEM觀察此破斷面，= 糟由濺鍍所形成之内部電極薄膜12a之厚度。，、疋接著層又

使用線棒鍍臈機，將上述之接著薄膜（第3支持薄片）上，接著，藉=布於另—PET 度為〇_2“之接著層。 ‘ 而形成厚支持薄片、第2支持“ 例中’ m薄膜(第1 持溥片以及第3支持薄片）面上施以石夕系樹脂之剝離處理之m薄膜。用在表首先’在内部電極薄臈12a之方法轉寫接著層28。轉寫時，係使：二斤示之力為IMPa，溫度為8〇t。之滾輪，其加慶

2030-7144-PF 29 1266341 接者，以圖7所示之方法，透過接著層&，在生胚薄片W之表面上接著（轉寫）㈣電極薄膜係使用m其㈣力為咖，溫度為8=“ 气者’持續地積層内部電極薄膜12a以及生胚薄月 =’取二，得到積層了 21層内部電極薄膜123之最終積層體。積層條件為’加壓力為50MPa，溫度為12代。燒結體之事』作接著，將最終積層體切斷成既定尺寸，進行脫黏結劑處理’燒成以及退火（熱處理），製作晶片形狀之燒結體。脫黏結劑係在升溫速度"5〜5(TC /小時，保持溫度.4〇〇 c、，保持時間：2小時，冷卻速度：期。c/小時，氣氛氣體：加濕之N2氣體來進行。 :2 0 0〜3 0 0 °C /小時，保持溫度·丨2 〇〇冷卻速度：300Χ：/小時，氣氛氣體：燒成係在升溫速度 C ’保持時間：2小時，加濕之Ν2與Η2之混合氣體，S氣分壓：1 (T7Pa來進行。

退火（再氧化）係在升溫速度：2 〇〇〜3 〇〇 t /小時，保持溫

度]〇5〇°C ’保持時間：2小時，冷卻速度：3〇(rc/小時，Z 氛氣體：加濕之N2氣體，氧氣分壓：1〇_lpa來進行。又，脫 U k成以及退火時之氣氛氣體之加濕，係使用加濕器’在水溫〇〜7 5 °C進行。接著’將晶片形狀之燒結體端片藉由喷沙研磨後，將外口P電極用貧轉寫於端面上，在加濕《Μ I氣氛中，在

80 0 C k成1 G分鐘來形成外部電極，而得到如圖^所示之積層陶瓷電容器之試料。 2030-7144-PF

30 1266341 如此所得到之各試料之尺寸，為3.2_ χ i 6_〆〇.6mm，内部電極層中所夾的介電體層數為21，厚度為j em，内部電極之厚度為〇 5/zm。在各試料中，進行電氣特性（靜電容量C、介電損失tan5 )之特性評價。結果示於表1。電氣特性（靜電容量C、介電損失tan5)，係如下述來評價。靜電谷里c(單位為#F)，係對於試料在基準溫度25 C以數位LCR電表（YHP公司製4274A)，在頻率ikHz，輸入k號等級（測定電壓）丨Vrms之條件下測定。靜電容量c，以在0 · 9 // F以上為佳。介電損失tan5，係在25°C以數位LCR電表（YHP公司製4274A)，在頻率lkHz，輸入信號等級（測定電壓）1Vrms 之條件下測定。介電損失tan5，以未滿〇1為佳。又’這些的特性值，係測定試料數n=l 0個之值的平均值來求得。在表1中，評價基準攔之〇，係表示上述之全

部的特性皆顯示良好之結果，χ表示只要其中有一個沒有得到良好之結果者。 [表1 ]

2030-7144-PF 31 1266341 12a之1中’表示形成於各試料之燒成前内部電極薄膜損失tal:以及Μ1。3之含有比率、靜電容量、介電太tand、以及各試料之評價。成分：：1所示，燒成前内部電極薄膜12a，含有導電體、、以及介電體成分之BaTi〇3，BaTi〇3之含有比率分 :比·18、〇·35、HI%之實施例之試料2〜4，其靜電里白在〇.9“以上，又介電損失加好的結果。 · 1 <民

_另方面，作為内部電極薄膜1 2a，使其不含有介電體成刀之BaTi〇3之試料j，内部t極層之球狀化發生，發生電極中冑，得到靜電容量低至〇·83//F之結果。又，使内4電極薄膜12a中之BaTiQ3之含有比率為！· 33πι〇ΐ%之比 f例之試料’内部電極層之電極中斷發生，而得到靜電容量低至0.72//F之結果。作為燒成前内部電極薄膜，含有導電體成分以及介電體成分’藉由使内部電極薄膜中之介電體成分含有量，相對於内部電極薄膜全體，大於〇m〇1%，而在〇8m〇1%以下，即使在將燒成後之内部電極層薄層化之情況，也可確認到可以有效防止内部電極層之球狀化以及電極中斷，抑制靜電容量之低下。實施例2 將在實施例1所製作之介電體生胚薄片用膏，使用線棒鍍膜機，塗布於PET薄片（載片）上，接著將此乾燥，作為生胚薄片1 〇a，在此生胚薄片1 〇a之上，以同於實施例1 2030-7144-PF 32 Ϊ266341 之方法’形成燒成前内邱Φ 4 鬥邻電極薄膜l2a，製之積層體。接著，將PET壤將％ ^ 圖8所不溥Μ從此積層體剝離，製作由生胚薄片1 Oa以及内部電極碴表邗甶生电枝溥膜12a所構成之燒成對於此燒成前試料，以同％烕引忒枓漸W、Η制例之方法，進行脫黏結

劑、燒成、退火，製作公Φ遍兑，A "電體層10以及内部電極層12所形成之燒成後之表面觀察用試料。接著，對於所得到之表面觀察用式料，從垂直於內電極層12所形成之面，進許#点直於内4 進觀察，進行燒成後之内部電極層之觀察以及評價。阱π r丨

一所侍到之SEM照片如圖9A、圖9B 所示。在此，圖9A相當於眘# Αϊ， ^ 田於實施例1之試料3，圖9Β相於實施例1之試料1。亦卽，同Ω Λ m P圖9A、圖9β分別為以同於實施例1之各電容器試料之铬杜、丁十 < 條件來形成内部電極薄膜之之SEM照片。 Ύ 圖9A係含有作為導電體成份之錄與作為介電體成分之BaTi〇3之燒成前内部電極薄膜12a，BaTi〇3之含有比率為0.35m〇1%之試料之照片，由圖可清楚知道，沒有觀測到在内部電極層日g y + >人々照片中之白色部分）之中斷，為良好之結果。另方面，由圖9B，發現作為内部電極12a，沒有含有介電體成分_3之試料，會引起鎳之球狀化，電極中斷麦的❻著之結果。特別是，藉由比較圖9A與圖犯，可以確認到在内部電極薄《…中，在本發明之範圍内，藉由含有介電體成分，抑制鎳之球狀化，有效防止内部電極之中斷變的可能。

2030-7144-PP 33 1266341 :: 例 3 在燒成前内部電極薄膜12a之形成中，除了使用取代 YhO3取代BaTi〇3作為介電體靶以外，其餘皆與實施例i相同而得到試料。對於各試料，進行電氣特性（靜電容量介電損失tanS)之特性評價。結果示於表2。電氣特性（靜電容量C、介電損失ta“），係同於實施例（來進行。 [表2 ] 試料號碼燒片免前内部電極薄膜12a 靜電容量 [^F] tan δ 評價厚度 [//m] 鎳含有比率 [wt%] Yb2〇3含有比率 [wt°/〇] 6 比較例 0.4 100 0.0 0.83 0.01 χ 7 實施例 0.4 99.30 0. 70 0.97 0.02 〇 8 實施例 0.4 98.10 1.90 0. 95 0.02 〇 9 實施例 0.4 97.00 3. 00 0.92 0.02 〇 10 比較例 0.4 94. 86 5.14 0.74 0.02 X 在表2中表示形成於各試料之燒成前内部電極薄膜 12a之厚度、鎳以及Yb2〇3之含有比率、靜電容量、介電損失tan5、以及各試料之評價。如表2所示，燒成前内部電極薄膜12a，含有作為導電體成分之鎳以及作為介電體成分之Yb2〇3，Yb2〇3之含有比率分0.7、1.9、3wt%之實施例試料2〜4，其電容量皆為〇 9 "F以上，又介電損失tan<5為未滿〇1之良好的結果。另-方面’作為内部電極薄膜⑶，不含有介電體成分Yb2〇3之比軚例之試料1，會發生内部電極層之球狀化，發生電極情’得到靜電容量低至〇.83"F之結果。又， 34

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1266341 ‘内部電極薄膜12a中之Yb2〇3之含有比率為5 i4wt%之試；曰毛生内σ卩電極層之電極中斷，得到靜電容量低至0. 7 4 # F之結果。 ^作為燒成前内部電極薄膜，係含有導電體成分以及介，體成刀’藉由使内部電極薄膜中之介電體成分之含有里相對於内邛電極薄膜全體，大於，而在以下， :P使在薄層化燒成後内部電極薄膜之情況，也可以確認到 γ有效防止内部電極層之球狀化以及電極中斷，可以抑制靜電谷里之低下。又，YhO3之情況，確認到大於，在 3Wt%以下為佳，但從下述實施例4之結果來看，在Mg〇、

Al2〇3、Si〇2、CaO、Ti〇2、V2O3、MnO、SrO、Y2〇3、Zr〇2、Nb2〇5、

BaO、Hf 〇2、La2〇3、Gd2〇3、Tb4〇?、Dy2〇3、H〇2〇3、Er2〇3、Tm2〇3、

Lu2〇3、CaTi〇3以及SrTi〇3之情況也認為會得到同樣之結果。實施你丨4· 在燒成前内部電極薄膜12a中，使用MgO、Ah〇3、Si〇2、 _ CaO、Ti〇2、v2〇3、Mn〇、SrO、Y2O3、Zr〇2、Nb2〇5、BaO、HfO2、 La2〇3、Gd2〇3、Tb4〇7、Dy2〇3、H〇2〇3、Er2〇3、Tm2〇3、Yb2〇3、

Lu2〇3、CaTi〇3以及SrTi〇3取代BaTiOs作為介電體靶以外，其餘皆與實施例1相同而得到試料。對於各試料，進行電氣特性（靜電容量C、介電損失tan 5 )之評價。結果於表3。電氣特性行為（靜電容量C、介電損失tan δ )，係同於實例 1來進行。

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[表3 ] 試料號碼燒成前内部電極薄膜12a 靜電容量 [//F] tan 5 評價厚度 [//m] 鎳含有比率 [wt%] 添加之氧化物含有比率 [wt%] 11 實施例 0.4 99.5 MgO 0.5 0. 95 0.02 〇 12 實施例 0.4 99.5 AI2O3 0.5 0.97 0.02 〇 13 實施例 0.4 99.4 S1O2 0.6 0.95 0.04 〇 14 實施例 0.4 99.4 CaO 0.6 0. 95 0.03 〇 15 實施例 0.4 99.4 T1O2 0.6 0. 97 0.02 〇 16 實施例 0.4 99.3 V2O3 0.7 0.95 0. 04 〇 17 實施例 0.4 99.4 MnO 0.6 0.96 0.02 〇 18 實施例 0.4 99.4 SrO 0.6 0.95 0.04 〇 19 實施例 0.4 99.2 Y2O3 0.8 0. 97 0. 03 〇 20 實施例 0.4 99.4 Zr〇2 0.6 0.95 0.02 〇 21 實施例 0.4 99.4 Nb2〇5 0.6 0.94 0.04 〇 22 實施例 0.4 99.3 BaO 0.7 0.94 0.04 〇 23 實施例 0.4 99.3 Hf〇2 0.7 0.95 0. 05 〇 24 實施例 0.4 99.4 La2〇3 0.6 0.96 0.03 〇 25 實施例 0.4 99.4 Gd2〇3 0.6 0.96 0.03 〇 26 實施例 0.4 99.4 Tb4〇7 0.6 0.96 0.03 〇 27 實施例 0.4 99.4 Dy2〇a 0.6 0. 96 0.03 〇 28 實施例 0.4 99.4 H〇2〇3 0.6 0.96 0.03 〇 29 實施例 0.4 99.4 Er2〇3 0.6 0.96 0. 03 〇 30 實施例 0.4 99.4 Tm2〇s 0.6 0.96 0.03 〇 31 實施例 0.4 99.4 Yb2〇3 0.6 0.96 0. 03 〇 32 實施例 0.4 99.4 LU2O3 0.6 0.96 0.03 〇 33 實施例 0.4 99.3 CaTiOs 0.7 0.97 0.02 〇 34 實施例 0.4 99.3 SrTi〇3 0.7 0.97 0.02 〇 2030-7144-PF 36 J266341 之尸^ 3中’表不形成於各試料之燒成前内部電極薄膜12a 前述添加之各氧化物之含有比率、靜電容丨電知失ta…以及各試料之評價。如表3所示，燒成前 &八 σ電極薄膜1 2a，含有作為導電體成刀之鎳以及作為介電成刀之則述各氧化物，前述各氧料A:㈣分別為表3所示之wt%之實施例之各試 :二靜電容量皆在u"F以上，且介電損失滿ο. οι之良好的結果。可確認到：作為燒成前内部電極薄膜，係含有導電體 =介電體成份，#由使内部電極薄膜令之介電體成 “ s，相對於内部電極薄膜全體，大於〇wt%而在以下’即使在將燒成後之内部電極層薄層化之情況，也可有效防止内部電極層之球狀化以及電極中電容量之低下。』彳卩制幹【圖式簡單說明】圖1係與本發明之一實施方式有關之積層陶竞電容器之概略剖面圖。 *圖2係與本發明之製造方法有關之燒成前内部電極薄膜之重要部分剖面圖。圖3A係表示形成本發明之燒成前内部電極薄膜之形成方法之重要部分剖面圖。圖3B係表示形成本發明之燒成前内部電極薄膜之形成方法之重要部分剖面圖。 ^ 圖3C係表示形成本發明之燒成前内部電極薄膜之形 2030-7144-PF 37 J266341

成方法之重要部分剖面圖。圖4A係表示關於本發概略側面圖。圖4B係表示關於本發概略上面圖。圖5係關於本發明之_ 别面圖。圖6A係表示燒成前内部分剖面圖。明之一實施方式之濺鍍方法之明之一實施方式之錢鍵方法之實施方式之濺錢乾之重要部分部電極薄膜之轉寫方法之重要圖6B係表示燒成前内部電極薄膜之轉寫方法之重要部分剖面圖。圖6C係表示燒成前内部電極薄膜之轉寫方法之重要部分剖面圖。圖7A係表不燒成前内部電極薄膜之轉寫方法之重要部分剖面圖。

圖7B係表示燒成前内部電極薄膜之轉寫方法之重要部分剖面圖。圉C係表示燒成則内部電極薄膜之轉寫方法之重部分剖面圖。圖8係關於本發明之實施例之積層體試料之重要部分剖面圖。圖9A係關於本發明之實施例燒成後之内部電極層之 SEM照片。圖9B係關於本發明之比較例燒成後之内部電極層之

2030-7144-PF 38 Ϊ266341 SEM照片。【主要元件符號說明】 2 積層陶瓷電容器 4 電容器元件本體 4a 第1端部 4b 第2端部 6 第1端子電極 8 第2端子電極

10 介電體層 10a 生胚薄片 12 内部電極層 12a 内部電極薄膜 20 載片 22 剝離層 26 載片 28 接著層 30 載片 40 導電體靶 42 介電體把 44 金屬遮罩 2030-7144-PF 39

Claims

1266341 十、申請專利範圍： 1 · 一種電子零件之體層， /，具有内部電極層及介電其特徵在於包括：形成合有導電體成分以及介電體極薄膜之製程；成之k成前内部電使燒成後成為介電體層膜積層之製程；及 /寻片/、則述内部電極薄

與則述燒成前内部電極薄將前述生胚薄片膜之積層體燒成之製程；旦前述燒成前内部電極薄膜中前述介電體成分里’相對於前述燒成前肉立有在以下…電極薄膜全體，較一而中’前述燒成前内部電極镇 a ^……_ 电位溥膜中之前述介電體成分至少包 3. —種電子零件之製表乂方法，具有内部電極層及介電如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法，其膜中之前述介電體点么含BaTi〇3、γ2〇3以及Hf〇2中之至少一種體層其特徵在於包括形成含有導電體成分以及介雷 Λ及，丨冤體成分之燒成前内部雷極薄膜之製程；使燒成後成為介電體層之生胚薄片與前述内部電極膜積層之製程；及 / 將前述生胚薄片與前述換# 乂 71，、⑴砑麂成則内部電極薄膜之積層體 2030-7144-PF 40 Ϊ266341 ' I 燒成之製裎；曰則述燒成前内部電極薄膜中前述介電體成分之含有里，相對於前述燒成前内部電極薄膜全體，較0 wt%大而在3 w t %以下。 4.如申請專利範圍第3項之電子零件之製造方法，其 2，前述燒成前内部電極薄膜中之前述介電體成分至少包含 BaTi〇3、Mg0、Ah〇3、Si〇2、Ca〇、Ti〇2、[I、如〇、呂⑼、鲁 Μ、ΖΓ〇2、Nb2〇5、Ba〇、Hf 〇2、La2〇3、Gd2〇3、Tb4〇7、、 H〇2〇3、Er2〇3、Tm2〇3、Yb2〇3、Lu2〇3、咖〇3 以及抓夕丨 5.如申請專利範圍製造方法，其中，前〇. 1 〜1 · 0 // m 〇第1至4項中任一項之電子零件之述燒成前内部電極薄膜之厚度為 •如申凊專利範圍第1至4項中任_ i 製造方法，其中m /任項之電子零件$ 極薄膜。形成法來形成前述燒成前内部雙 •女申明專利範圍第6項之電子零中，前述薄膜形成午之氣仏方法，其 8.如申請專利範圍第7項之電子跫件：刀/電鍍法。中，藉由將構成前诚道于件之製造方法，其屬材料以及無機d:成：以及前述介電體成分之金薄膜。、、鍍’來形成前述燒成前内部電極中 9·如申請專利範進行前述濺鍍時圍第8項之電子零件之製造方法，复 ’使用惰性氣體作為導入氣體，前述 2030-7144-PF 41 Ϊ266341 ^性氣體之氣體導入壓力為〇. 〇1〜2pa。製/•如中請專利範圍第項中任—項之電子零件之體：方法，其中，包含於前述燒成前内部電極薄膜之介電體成分與前述生胚薄片，實質上分別含有相同組成之介電製造1方1法如申Λ專㈣圍第」、至4項中任—項之電子零件之，、中，包含於則述燒成前内部電極薄膜之介雷 -成分之平均粒徑為1〜10nm。製生12·如中請專利範圍第！至4項中任_項之電子零件之造方法，其中，包含於前述燒成前内部電極薄膜之導電一成分，係以鎳以及/或鎳合金為主成分。 ^ 13·如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子零件之製造方法，其中，前述積層體係在具有10-1°〜10_2Pa之氧氣分壓之氣氛中，在looor〜130(TC之溫度所燒成。 ” ^ 14·如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子零件之製迨方法，其中，燒成前述積層體之後，在具有1(Γ2〜100Pa 之氧氣分壓之氣氛中，在12〇(rc之溫度退火。 15·如申請專利範圍第丨至4項中任一項之電子零件之製造方法所製造之電子零件。 16. —種積層陶瓷電容器之製造方法，具有内部電極層及介電體層交互積層之元件本體， θ 其特徵在於包括0 形成含有導電體成分以及介電體成分之燒成前内部電極薄膜之製程； ' 2030-7144-PF 42 1266341 使燒成後成為介電冑膜交互積層之製程；及將前述生胚薄片與前燒成之製程；層之生胚溥片與前述内部電述繞成前内部電極薄極薄膜之積層體日前述燒成前内部電極薄膜“ 量，相對於前述燒成前内 ^ ^μ電體成分之含有在0.8 mol%以下。！極，專膜全體，較〇 mol%大而

Π.-種積層陶竟電容器之及介電體層交互積層之决’具有内部電極層、曰、兀件本體，其特徵在於包括：形成含有導電體成分以及介、極薄膜之製程； "“體成分之燒成前内部電使燒成後成為介電體層之亡膘交互積層之製程；及θ 胚薄片與前述内部電極薄將前述生胚薄片盥燒成之製程；、a成前内部電極薄膜之積層體述介電體成分之含有全體’較〇wt%大而在 , H〉寻膜量，相對於前述焯出^ ^ Λ 疋成刖内部電未 3 wt%以下。明々啤瓷電容器， 17項之電子焚枝 °申只 < 电丁 +件之製表w方法所製造者 2030-7144-PF 43