TWI265625B - Multi-domain liquid crystal display and a thin film transistor substrate of the same - Google Patents

Description

1265625 玫、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示器，特別是垂直對齊式液晶 顯示器其具有一包括了多個供寬視角用的領域之像素區域。 |[先前技術】 一典型的液晶顯示器（LCD)包括一上面板其具有—共同 電極及一陣列的彩色濾光片，一下面板其具有多個薄膜電晶 體（TFT)及多個像素電極，及一液晶層其被置於上、下面板 之間。像素電極及共同電極被施加電壓且它們之間的電壓差 會造成電場。電場的變化會改變在液晶層中之液晶分予的方 向以及通過該液晶層之透光性β其結果為，LCD顯示器可藉 由調整在像素電極與共同電極之間的電壓差來顯示所需要的 影像。 LCD的.主要的缺點為其視角較窄，且已有數種技術被 開發來加寬LCD的視角。在這些技術中有一種最具有潛力 的是在像素電極與共同電極上提供多個切面或多的突起彼此 相對’再加上液晶分子相對於上及下面板之垂直對齊來達 成。 在共同電極與像素電極上的切面藉由產生散射場來調整 硬晶方子的傾斜方向以達到加寬視角的功效。 在共同電極與像素電極上提供突起（pr〇jecti〇ns)會扭曲 電場藉以調整液晶分子的傾斜方向。 亦可藉由在下面板上的像素電極上提供切面，及在上面 4 1265625 板上的共同電極上提供突起的方式，來調整液晶分子的傾斜 方向以形成多個領域（domain)之散射場。 在這些加寬視角的技術中，提供切面有以下的問題··其 需要一額外的光罩來將共同電極形成圖案，需要一過度塗侔 來防止彩色濾光片的顏料對液晶物質的影響，及在靠近被形 成圖案的電極的邊緣會產生嚴重的傾斜問題。提供突起亦有 一個問題，即製·造方法相當複雜，因為其需要一額外的步驟 來形成突起或一變化的處理步驟。再者，深寬比會因為突起 及切面變小。 【内容】 種以簡單的製程所製造且可確 本發明的目的在於提供一種以簡 保穩定的多領域的液晶顯示器。 一像素薄膜電晶體給一像

這些及其它的目的可藉由提供一 的訊號。

，其包括··一絕緣基板； 晚線；多條形成在該絕緣 1265625 基板上的第二訊號線’其與該等第一訊號線絕緣且與第—訊 號線交會；在每一個由第一訊號線與第二訊號線的交會點所 界定的像素區上提供多個像素電極，每一像素電極都具有— 切面（cutout);在每一個由第一訊號線與第二訊號線的交會 點所界定的像素區上提供多個方向控制電極；一 " , 罘一缚膜電 晶體，其係連接至一相關第一訊號線、一相關第二訊號線及 一相關像素電極；一第二薄膜電晶體，其係連接至一前一 (previous one)第一訊號線、'前一第二訊號線及一相關方向 控制電極；及一第三薄膜電晶體，其係連接至該前一第一訊 號線、該相關的第二訊號線及該相關的像素電極。 該薄膜電晶體陣列面板可更包含一第三訊號線，其與該 等第二訊號線絕緣且與第二訊號線交會，該第三訊號線包括 一與該像素電極切面相重疊的部分。 提供一種薄膜電晶體陣列面板，其包括：一絕緣基板； 一閑極接線（wire)，其被形成在該絕緣基板上且包括第—至 弟一閘極電極與多條閘極線；一閘極絕緣層，其形成在該閘 極接線上；一半導體層，其形成在該閘極絕緣層上；一資料 接線’其形成在該半導體層上且包括多條與該等閘極線交會 的資料線，第一至第三源極電極其連接至該等資料線，及第 至第二沒極電極其相關於該第一至第三閘極電極與第一至 第一源極電極相對；一方向控制電極其連接至該第二汲極電 ’ 一保護層其形成在該資料接線及該方向控制電極上且具 有多個接觸孔；及一像素電極其形成在該保護層上，其具有 多個切面且經由接觸孔而電氣地連接至該第一及第三汲極電 1265625 極0 六木二汲極電極被連接至一相關的资料 線，該第二汲極電極途拄5 ^ ’ 电極連接至-則一資料線，帛一與第二閘極 電極連接至H極線，及該第三閘極電極連接至-相關 的閘極線。像素電極的切面最好是包括_橫向切面其將該像 素電極對分為上半部及下半部’及多個斜的切面它們係相對 於孩橫向切面成倒轉對稱°最好是，該方向控制電極與像素 電極的至少-切面重#且相對於該像素電極的—橫向成 倒轉對稱。 該-薄膜電晶體陣列面板可進_步包括_貯存電極接線 其包括與閘極接線大致仙的層且具有_部分與該像素電極 的至少-部分疊。該万向控制電極可包括與資料接線大致相 同的層及材質。 接觸孔最好是具有矩形的形狀其具有一邊與斜的切面平 行或垂直。資料接線及方向控制電極可包括一半導體層及一 金屬層所構成之雙層。該半導體層可包括一非晶矽膜及一歐 姆接觸層所構成的雙膜層。 一種液晶顯示器被提供，其包括：一第一絕緣基板，·多 條第一訊號線其形成在該第一絕緣基板上，·多條第二訊號線 其形成在該第一絕緣基板上且與該等第一訊號線絕緣且與第 一訊號線相交會；多個像素電極其被提供在每一個由第一訊 號線與第二訊號線的交會點所界定的像素區上，每一像素電 極都具有一切面（cutout);多個方向控制電極其被提供在每 一個由第一訊號線與第二訊號線的交會點所界定的像素區 1265625 上；一第一薄膜電晶體其連接至一相關的第一訊號線，一相 關的弟'一訊號線及一相關的像素電極；一弟·一薄膜電晶體其 連接至一前一（previous one)第一訊號線，一前一第二訊號線 及一相關的方向控制電極；一第三薄膜電晶體其連接至該前 一第一訊號線，該相關的第二訊號線及該相關的像素電極； 一第二絕緣基板其與該第一絕緣基板相對；一共同電極其形 成在該第二絕緣基板上；及一液晶層其被置於該第一與第二 絕緣基板之間。 該液晶層最好是具有負的非等方甸介電性且在液晶層中 的液晶分子的主軸係相對於第一及第二基板被垂直地對齊。 【實施方式】 本發明現將參照附圖在下文中加以完整的說明，這些附 圖顯示出本發明的較佳實施例。然而，本發明可以許多不同 的形式來加以體現，並不侷限於本文中所述的實施例。 在圖式中，層及區域的厚度為了清楚起見都被誇大。各 圖中相同的標號代表相同的元件。應被暸解的是，當一元件， 如一層，區域或基板被提到是在另一元件，，之上，，時，其可以 是直接位在該另一元件之上，或在它們之間也可以有中間元 件存在。相對的，當一元件被提到是，，直接在另一元件之上，， 時，則在它們之間即無中間元件存在9 依據本發明的實施例的LCD現將參照附圖來加以詳細 的說明。 第1圖為依據本發明的一實施例的一 LCD的等效電路 1265625 圖 一依據本發明的實施例之LCD包括一 TFT陣列面板， 一衫色滤光片陣列面板與該TFT陣列面板相對，及一液晶層 其被設置在前述二者之間。該TFT陣列面板被提供有多條閘 極線及多條資料線，閘極線與資料線相交會用以界定多個像 素區’及多條貯存電極線其與閘極線相平行地延伸^閘極線 傳送掃描訊號及資料線傳送影像訊號。一共同電壓Vc〇m被 施加至貯存電極線上。每一像素區都被提供一供像素電極用 的像素TFT及一供方向控制電極（“1)(：^，，）用的方向控制電極 TFT(DCE TFT)。該像素TFT包括一閘極電極其連接至一閘 極線，一源極電極其連接至一資料線，及一汲極電極其連接 至該等像素電極中的一個上，而DCE TFT則包括一閘極電 極其連接至一前一閘極線，一源極電極其接至一貯存電極 線，及一汲極電極其連接至該等方向控制電極中的一個上。 該DCE及像素電極被電容地搞合，介於它們之間的電 容器或其電容值係用CDP來表示。該像素電極及被提供在該 彩色滤光片陣列面板上的一共同電極一起形成一液晶電容 器’該液晶電容器或其電容值係以Clc來表示。該像素電極 及連接至貯存電極線上的一貯存電極一起形成一貯存電容 器，該貯存電容器或其電容值係以CST來表示。 雖然在該電路圖中並沒有表示出來，但依據本發明的第 一實施例的像素電極具有一與該DCE重疊的孔使得導因於 DCE的電場經由該孔流出。經由該孔流出的電場讓液晶分子 具有預先倾斜的角度。被預傾斜的液晶分子在施加導因於像 1265625 素電極的電場時，會沿著預定的方向被快速地對齊而不會散 開。 為了要使用由DCE所產生之電場來獲得預傾斜的液晶 分子，該DCE的電位相對於該共同電極的電位（在下文中被 成為’’DCE電壓”）比像素電極的電位相對於該共同電極的電 位（在下文中被成為，，像素電壓”）大了一預定的數值。依據本 發明的實施的LCD可藉由在施加該被施加至貯存電極線上 的電位至該DCE之後隔離該DCE來輕易地滿足此要件。此 理由將於下文中說明。 現考慮一具有負電位的已知像素電極被一正電位所更新 的情況。施加一閘極on的訊號至該前一閘極線可將該DCe TFT開啟用以讓該DCE具有一高於該像素電極的電位。這 將會改變與該DCE電容地耦合的像素電極的電位。在此情 形中’介於該DCE與該像素電極之間的電容器cDp及介於該 像素電極與該共同電極之間的電容器Clc係被串聯地連接。 因為像素電極具有負的電位，所以其電位低於該DCE的電 位，即在對串聯地連接的電容器Cdp及Clc充電時Vdce>Vp。 當該DCE TFT於充電之後被關閉時，DCE即浮動（fl〇at)。 因此，播論像素電極的電位改變為何，DCE的電位永遠都大 於像素電極的電位。例如，當像素電極的電位在像素TFT被 開啟時被升高至一正的數值時，DCE的電位會隨著像素電極 的電位升高而升高用以保持在該DCE與像素電極之間的電 位差。 這是以電子電路來插述。 10 1265625 橫跨在一電子電路上的一電容器的電壓是由以下式⑴ 來表示 匕=匕+去和(〇 (1) ^ ⑴ 一浮動電極相當於—|袭垃+ > 、 運接至一具有播限大的電阻（R=〇o) 、暫存态的電極。因此，i=0及Vc=v。，即橫跨該電容器的 初始電壓被維持。換言之一浮動電極的電位升高或降低與 另一電極相耦合的電位。 相對地，當以一負的電位來更新時，該DCL·的電位會 永遠比該像素電極的電位低一預定的數值。 依據本發明的一實施例，該DCE TFT被連接至該貯存 包極線使得該共同電極被施加至該DCE。因此’無論施加至 在下一禎幅（frame)中的像素電極的電位極性為何，該二電極 的電位會升高或降低用以具有大致相同的電位。其結果為， 本發明可應用至任何的倒轉種類上，如線倒轉及點倒轉。 對於相同的灰色而言，無論在前一福幅與在下一賴幅中 的灰色為何，在DCE與像素電極之間並沒有電位差，因而 可確保影像品質的穩定。 該DCE TFT與資料線的脫離可防止資料相的負荷的增 加0 現將參照第2A至2C圖來詳細說明本發明的一實施例。 第2A圖為一依據本發明的貫施例之LCD的佈局（iay out) 圖，及第2B及2C圖為第2A圖中的LCD分別沿著iIb-IIb 11 1265625 及IIc-IIc所取的剖面圖。 一依據本發明的第一實施例的LCD包括一下面板，— 上面板其面向該下面板’及一垂直地對齊的液晶層其被設置 在上面板與下面板之間。 現將詳細來說明該下面板。 多條閘極線121被形成在一絕緣基板110上且多條資料 線171被形成於其上。閘極線121及資料線m彼此絕緣且 彼此相交會用以界定多個像素區域。

每一像素區域都被提供一像素TFT，一 DCE TFT, — DCE 及一像素電極。該像素TFT具有三個端子，一第一閘極電極 123a，一第一源極電極173a，及一第一汲極電極i75a，而 該DCE TFT亦具有三個端子，一第二閘極電極123b，一第 二源極電極173b，及一第二汲極電極175b。該閘極電極123a 被提供來切換傳送至該像素電極190的訊號，而DCE TFT 則是被提供來切換進入到該DCE 178的訊號。像素TFT的閘 極電極1 2 3 a，源極電極17 3 a，及汲極電極1 7 5 a係分別連接 至相應的一閘極線121，一資料線171及該像素電極190。DCE TFT的閘極電極123b，源極電極173b，及汲極電極175b係 分別連接至前一閘極線121，相應的貯存電極線131及 DCE178。該DCE178被施加一方向控制電壓用來控制液晶 分子的預傾斜用以在該DCE178與共同電極270之間產生一 方向控制電場。該DCE178是在形成資料線171的步騾中形 成的。 現將詳細說明下面板之層疊的結構。 12 1265625 多條延伸在大致橫向的方向上之閘極線121被形成在一 絕緣的基板110上，及多個第一及第二閘極電極123&及123b 被連接至閘極線121。多條貯存電極線131及多組第一至第 四貯存電極133a-133d亦被形成在該絕緣基板11〇上。該等 貯存電極線131延伸在大致橫向的方向上，且第一及第二貯 存電極133a及133b從貯存電極線131延伸於一縱向的方向 上。第三及第四貯存電極133c及133d係延伸在大致橫向的 方向上並將第一貯存電極133a與第二貯存電極133b相連接 其來。 閘極接線121，123a及123b與貯存電極接線ι31及 133a-133d最好是由铭、銅或它們的合金，鉬或鉬合金所製 成。如果需要的話，閘極接線121，123a及123b與_存電 極接線131及133a-133d可包括一第一層其最好是由具有絕 佳的物理及化學特性的鉻或鉬合金製成，及一第二層其最好 是由具有低電阻的鋁或銀合金製成。 一閘極絕緣層1 4 0被形成在閘極線1 2 1，12 3 a及1 2 3 b 與貯存電極接線131及133 a-133d上。 一最好是由非晶矽製成的半導體層151，154a，154b及 155被形成在該閘極絕緣層140上。半導體層151，154a，154b 及155包括多個第一及第二通遒半導體154a及15 4b形成TFT 的通遒，多個資料線半導體155其位在靠近DCE178與貯存 電極133c及133d的交會點用以確保它們之間的絕緣。 一歐姆接觸層 161，163a，163b，165a及165b其最好 是由矽烷或大量地摻雜了 η型雜質之氫化n+非晶矽所製成 1265625 且被形成在半導體層151，154a，154b及155上。 一資料接線171，173a ’ 173b，175a及175b被形成在 歐姆接觸層161，163a，163b，165a及165b及閘極絕緣層14〇 上。資料接線171，173a，173b，175a及175b包括多條延 伸於縱向方向上且與閘極線m交會的資料線m用以形成 多個像素，多個第一源極電極173a其由資料線171分支出 來並延伸至歐姆接觸層的163 a部分上，多個第一汲極電極 175a其被設置在歐姆接觸層的i65a部分上與第一源極電極 173a相關於閘極電極i23a相對且與第一源極電極ι73&相隔 離開’多個第二源極電極173b及多個第二汲極電極ι751)其 被設置在163b及165b部分上且相關於第二閘極電極123b 彼此相對，及多個資料墊（未示出）其連接至資料線m的一 端用以接收來自於一外部裝置的影像。 多個DCE178被形成在由閘極線121與資料線171的交 會點所界定的像素區上。每一 DCE178都包括多個X形的金 屬件其彼此相連接且連接至第二汲極電極1 75B。資料接線 171 ’ 173a，173b，175a 及 175b 與 DCE178 最好是由鋁，銅 或L們的合金，鉬或鉬合金所製成。如果需要的話，資料接 線 171，173 a, 173b，175a 及 175 b 與 DCE178 可包括一第 一層其最好是由具有絕佳的物理及化學特性的鉻或鉬合金製 成’及一第二層其最好是由具有低電阻的鋁或銀合金製成。 一最好是由氮化矽或有機絕緣體所製成的被動層18〇被 形成在資料接線171，173a，173b，175a及175b上。 被動層180被提供多個將第一汲極電極175a曝露出來 14 1265625 <接觸孔181，多個延伸至閘極絕緣層14〇且將貯存電極線 131曝露出來之接觸孔182,多個將第二源極電極i73b曝露 出來的接觸孔183,多個將資料墊曝露出來的接觸孔（未示 出），及多個延伸至閘極絕緣層140並將閘極墊曝露出來的 接觸孔。將墊曝露出來的接觸孔可具有不同的形狀，如多邊 形或圓形。接觸孔的面積最好是等於或大於〇5inm><15em 但不大於2mm X 60 /z m。 多個像素電極190被形成在該被動層18〇上。每一像素 電極190都經由接觸孔181而被連接至第一汲極電極η。 且具有多個X形的切面191與多個直線切面ι92〇χ形切面 191與DCE178的X形部分重疊，而直線切面192則與第三 及第四貯存電極133c及133d重疊。該DCE178廣泛地與切 面191的周邊以及切面191本身重疊用以與該像素電極ι9〇 一起形成一貯存電容。 多個經由接觸孔182及183將貯存電極線m與第二源 極電極173B連接起來的橋92亦被形成在該被動層18〇上。 又’多個輔助閘極墊（未示出）及多個輔助資料墊（未示出）亦 被形成在該被動層180上。輔助閘極墊及辅助資料塾係經由 接觸孔而被連接至閘極墊與資料墊。像素電極丨9〇，橋92， 輔助閘極墊及輔助資料塾最好是由銦鋅氧化物（“IZQ”）製 成。或者，像素電極190’橋92，辅助墊最好是由銦錫氧化 物（“ITO”）製成。 總之，每一像素電極190都具有多個切面191及！ 92用 來將一像素區分隔成多個區域，且第一切面191與DCE178 15 1265625 重宜’而第二切面192則與貯存電極線i33c及i33d重疊。 第切面191與DCE178被對齊使得DCE178經由第一切面 1 9 1被曝露出而可在前視圖中被看到。貯存電極線} 3丨與 DCE178係藉由dcE TFT來連接，而資料線171與像素電極 BO則疋藉由像素TFT來連接，且像素電極I”與dcE178 被對齊用以形成一貯存電容。 依據本發明的另一實施例，DCE178包括與閘極接線 121 123&及123b大致相同的層。被動層180在DCE178上 的部分可被去除掉用以形成多個開口。 現將詳細地來說明上基板2丨〇。 一用來防止漏光的黑色矩陣220，多個紅色，綠色及藍 色濾光片230，及一最好是由透明導體如IT〇或IZ〇所製成 的共同電極270被形成一上基材21〇上，該上基材最好是由 一透絕緣材質，如玻璃，所製成。 多個包含在液晶層3中的液晶分子被對齊使得它們的方 向在沒有電場時是與下基板110與上基板21〇垂直。液晶層 3具有負的非等方向介電性。 下基板110與上基板210被對齊使得像素電極19〇與彩 色滤光片230精確地匹配及重疊。以此方式，一像素區即被 切面191及i 92分隔成多個區域。液晶層3在每一區域中的 對齊係藉由DCE178來加以穩定。 、 此實施例顯示液晶層3具有負的非等方向介電性且相對 於基板110及210之homeirtropic對齊。然而，液晶層3 α 具有正的非等方向介電性及相對於基板11〇及2ι〇之 1 Θ 16 1265625 對齊。 一種用來製造具有上逑結構之LCD的一 TFT卩車列面板 將被說明。 第3A至3D圖為用於一 LCD上的爪陣列面板的剖面 圖，其依序顯示依據本發明的第一實施例的製造方法。 首先，如第3A圖所示的，一最好是由金屬所製成的導 電層藉由濺鍍而被沉積及藉由使甩一罩幕的第一光蝕刻步驟 而被乾蝕刻或濕蝕刻用以形成一閘極接線與一貯存電極接線 於一基板11〇上。該閘極接線包括多條閘極線121，多個閘 極塾（未示出）及多個閘極電極123,且貯存接線包括多條貯 存電極線131及多個貯存電極133 a-133d。 如第3B獨所示的，一具有15〇〇_5〇〇人厚度的閘極絕緣 層140，一具有500-2000A厚度的氫化非晶矽層，及一具有 300-600A厚度之經過摻雜的非晶矽層利用化學氣相沉積 (CVD)而被依序地沉積。該經過摻雜的非晶矽層及該非晶矽 層係在一使用光餘刻的步驟中被形成圖案用以形成一歐姆接 觸層160a，160b及161及一非晶矽層151，i54a及154b。 之後，如第3C圖所示的，一具有15〇〇-5000人厚度且最 好是由金屬製成的導電層在一使用光蝕刻的步驟中被濺鍍及 形成圖案用以形成一資料接線及多個DCE1 78。該資料接線 包括多條資料線171，多個源極電極1 7 3 a及1 7 3 b，多個沒 極電極175a及175 b及多個資料墊（未示出）。 然後，歐姆接觸層160a，160b之沒有被源極電極173a 及173b與汲極電極175a及175b所覆蓋的部分被去除掉使 17 1265625 知包括了多個分開的部分之一歐姆接觸層l6〇a，i6〇b，165a 及165b會被形成且半導體層151介於源極電極173a及173b 與汲極電極175a及175b之間的部分會被曝露出來。 如第3D圖所示的，一被動層18〇係藉由將一具有低介 電常數及良好的平坦性的有機絕緣物質塗佈或以低介電值的 絕緣物質，如具有一等於或小4.0的介電常數的SiOF或 si〇C ’的CVD來形成。被動層180與閘極絕緣層140 —起 在一使用罩幕的光蝕刻步驟中被形成圖案用以形成多個接觸 孔 181 ， 182 及 183 。 最後，如第2A圖所示的，一具有1500-5000A厚度之IT0 層或一 IZ0層被沉積及使用一罩幕加以光蚀刻用以形成多個 像素電極190,多個連接橋92，多個輔助閘極墊（未示出）及 多個辅助資料墊（未示出）。 此技術被應用至一使用五個罩幕的製造方法上。然而， 該技術亦可被適當地應用在使用四個罩幕的TFT陣列面板的 製造方法上。這將參照附圖來加以說明。 第4圖為用於依據本發明的第二實施例的LCD上之一

TFT陣列面板的佈局（layout)圖，及第5圖為第4圖中的TFT 陣列面板沿著V-V’及V-V’所取的剖面圖。 依據本發明的第二實施例之一 LCD的TFT陣列係利用 四個罩幕來製造且具有一特徵結構其與使用五個罩幕所製造 的TFT陣列面板的比較將於下文中說明。 一形成在多個DCE178底下的歐姆接觸層i61，i63a, 163b，165a及165b及一包括了多個資料線171 ,多個緣源 18 1265625 極電極173a及173b，多個汲極電極175a及i75b及多個資 料墊179的資料接線具有與資料接線m, 173a，17汕，175&， 175b及179與DCE178大致相同的形狀。一非晶碎層m， 154a，154b及158具有與資料接線大致相同的形狀，除了介 於源極電極173a及173b與汲極電極175&及175b之間的通 道部分是被連接其來的。其餘的結構與使用五個罩幕製程所 製造的一 TFT陣列面板是相同的。 第4圖顯示一閘極電125, 一貯存墊135及一資料墊179 以及一輔助閘極墊95, 一辅助貯存墊99及一輔助資料塾97。 製造一 TFT陣列面板的方法將於下文中說明。 第6A至11B圖為一 LCD的TFT陣列面板的佈局圖及 剖面圖，其依序顯示該TFT陣列面板的製造方法。 首先，如第6A及6B圖所示的，鋁，銀及它們的合金 被沉積及光蝕刻用以形成一閘極接線，其包括多條閘極線 121，多個閘極墊125及多個閘極電極i23，及一野存電極 接線131與133a-133d(第一罩幕）。 如第7圖所示，一具有1500,〇A厚度的氮化矽絕緣層 M0，一具有500-200A厚度的非晶矽層15〇，及一具有3〇〇· 600A厚度的接觸層160依序地利用CVD處理被沉積。一最 好是由鋁，銀及它們的合金所製成的導電層17〇藉由濺鍍而 被沉積，及一具有1-2微米厚的光阻膜pR被塗佈於其上。 之後，該光阻膜PR經由一罩幕而被曝露於光線下且被 顯影用以形成一如第8A及8B圖所示的光阻圖案pR。位在 一設置在一源極電極172a或173b與一汲極電極17。或17汕 19 1265625 之間的TFT的通道區C上的光阻圖案PR比位在一將會形成 一奢料接線的資料區A上的每一光阻圖案pR部分都來得 厚。在其餘部分B上的所有光阻圖案pR都將被去除掉。在 通遒區C上的光阻圖案PR的厚度對在資料區a上的光阻圖 案PR的厚度的比例會隨著下文所述之後續蝕刻步驟的處理 條件被調整，且最好是前者的厚度等於或小於後者的厚度的 一半’例如，等於或小於4000A。（第二罩幕） 該光阻圖案之隨著位置而不同的厚度係利用數種技術來 獲得。一細縫圖案，一格子圖案或半透明膜被提供在該罩幕 上用來調整在區域C上的透光度。 當使用一細縫圖案時，最好是該細缝寬度與介於細缝之 間的間隙小於用在微影成像術中的一曝光機的解析度。在使 用一半透明膜的情況中，具有不同透光性或不同厚度的薄膜 可被用來調整在該罩幕上的透光度。 當一光阻膜經由此一罩幕而被曝露在光線下時，直接曝 露在該光線下的部分上的聚合物幾乎完全被分解，那些經由 細縫圖案或半透明膜而被曝露在光線下的部分上的聚合物則 沒有完全被分解，因為光線照射量小的關係。被罩幕上的阻 光膜所擋到的光阻膜部分上的聚合物則幾乎沒有被分解。在 光阻膜被顯影之後，含有聚合物的部分（即沒有被分解的部 分）會留下來。在此時，曝光量少的部分的厚度比完全沒由 曝光部分來得薄。因為太長的曝光時間會將所有分子分解， 所以必需調整曝光時間。 光阻膜的小厚度可使用再缓流（reflow)來獲得。亦即， 20 1265625 光阻膜是用一可再緩流的材質製成且經由一具有不透明的及 透明的部刀之一般罩幕而被曝露在光線下。該光阻膜然後被 顯影並接爻再緩流使得一部分的光阻膜向下流到沒有光阻的 區域上’進而形成薄的部分。 接下來，光阻圖案PR及包括了導電層170,接觸層16〇 及半導體層150在内的底層都被蝕刻，使得資料接線與底層 都被留在資料區A上，只由半導體層被留在通道區c上， 及層170，160及150都被去除掉用以露出在其餘區域b上 的閘極絕緣層140〇 首先，如第9圖所示的，在區域B上之被曝露的導電層 170部分被去除掉用以露出底下的接觸層16〇部分。在此步 驟中乾蝕刻及濕蝕刻被選擇性地使用且最好是在導電層1 7 〇 會被輕易地蚀刻及光阻圖案PR會很難被蝕刻的條件下實 施。然而’因為對於乾蝕刻而言很難界定上述的條件，所以 乾蝕刻可在光阻圖案PR及導電層17〇會被同步蝕刻的條件 下貫施。在此情況中，在乾蝕刻中進行時在通遒區c上的光 阻圖案PR部分最好是被作得比在濕蝕刻下進行時來得厚， 用以防止在通遒區C上的光阻圖案pR部分被去除掉，進而 將底下的導電層170部分曝露出來。 其結果為，如第9圖所示的，只有在通遒區c及資料區 A上的導電層17〇的171，17〇玨及部分被留下來，而 在其餘區域B上的導電層170部分則被去除掉。資料接線導 體 171，170a 及 17Ob 具有與資料接線 171，173a, 173b，175a， 175b及179大致相同的平面形狀，除了源極電極p3a及173b 21 1265625 及汲極電極175a及175b不是彼此相分開而是彼此相連接 的。當使用乾餘刻時光阻膜的厚度被減小至一程度。 接下來，如第9圖所示，接觸層丨6〇被露出來的部分及 在區域B上i底下的非晶矽層15〇部分以及在通道區匚上 义光阻圖案PR部分係利用乾蝕刻來去除掉。該蝕刻是在光 阻圖案PR，接觸層16〇與半導體層15〇會輕易地被蝕刻及 閘極絕緣層1 40會很難被蝕刻的條件下實施。（應被注意的 是介於該中間層與半導體層之間的蝕刻選擇性是幾近於零。） 詳θ之’最好是光阻圖案pR與半導體層丨5〇的蝕刻率幾為 相同。例如’光阻圖案pR與半導體層丨5〇之被蝕刻的厚度 可藉由使用一 SF0及HC1的氣體混合物，或SF6與02的氣 體混合物’而讓它們幾乎相同。當光阻圖案Pr與半導體層 150的蚀刻率是相同時，在通道區c上的光阻圖案Pr部分 的厚度等於或小於半導體層丨50的厚度與接觸層16〇的厚度 的總合。 因此，如第10圖所示的，在通遒區c上的光阻圖案PR 部分被去除掉用以露出底下的源極/汲極（“S/D”）導體170a及 170b部分，及在B部分上的接觸層160與半導體層150部 分被去除掉用以露出閘極絕緣層140的部分。在此同時，在 區域A上的光阻圖案pr部分亦被蝕刻而變得更薄。再者， 半導體圖案151，154a，154b及158於此步騾中被完成。多 個歐姆接觸161，160a，160b及168被形成在半導體圖案151 ’ 154a ， 154b 及 158 上 。 然後，留在通道區C上的S/D導體170a及170b的表 22 1265625 面上光阻殘留物利用去灰（ashing)處理來去除掉。 接下來，如第11A及11B圖所示的，在通遒區c上的S/D 導體170a及l70b部分及底下的S/D歐姆接觸i6〇a及16肋 部分藉由蝕刻而被去除掉。蝕刻S/D導體17〇a及17〇b及s/d 歐姆接觸160a及160b可只使用乾蝕刻來完成。或者，S/D 導體170a及l70b可用濕蝕刻來蝕刻，而S/D歐姆接觸i6〇a 及160b可用乾蝕刻來蝕刻。在前者的例子中，該蝕刻最好 是在介於S/D導體170a及I7 Ob及S/D歐姆接觸i6〇a及160b 之間的姓刻選擇性很高的條件下進行的❶因為低的姓刻選擇 性會讓蝕刻終止點的決定很困難，因而造成很難調整留在通 道S C上的半導體圖案15 4a及154b部分的厚度。在後者之 交替地施用濕蝕刻及乾蝕刻的例子中产一級階式的橫向侧壁 會被形成因為濕蝕刻會蝕刻掉S/D導體170a及170b的侧 邊’而乾蚀刻則很難蝕刻掉S/D歐姆接觸160a及160b的侧 邊。使用在蝕刻S/D歐姆接觸160a及160b中的蝕刻氣體的 例子為CF4與HC1的氣體混合物及CF4與02的氣體混合物。 使用CF4與〇2的氣體混合物可以獲得半導體圖案ι54&及 15 4b之被蚀刻的部分之均勻的厚度。為此，半導體圖案154a 及1 54b之被露出來的部分被蝕刻用以具有一變小的厚度， 及在資料接線區A上的光阻圖案PR部分亦被蚀刻用以具有 —變小的厚度。此蝕刻是在閘極絕緣層沒有被蝕刻的條件下 實施的，且最好是光阻圖案PR的厚度厚到足以防止在資料 接線區A上的光阻圖案PR部分不會被完全被去除掉而露出 底下的資料接線 171，173a，173b，175a，175b 及 179。 23 1265625 因此，源極電極173a，173b及汲極電極175a，175b彼 此被分隔開.，且它們底下的資料接線171，173a，173b，175a， 175b 及 179 與歐姆接觸圖案 161，163a，163b，165 a 及 165b 同時被完成。 最後，留在資料區A上的光阻圖案PR被去除掉。或者， 留在資料區A上的光阻圖案PR部分是在留在通道區C上的 S/D導體170a及170b的部分被去除掉之後且在底下的s/D 歐姆接觸160a及160b部分被去除掉之前被去除掉。 如上所述的，濕蝕刻及乾蝕刻可被交替地實施，而非只 有乾蝕刻可被使用。與前者比較起來後者係相對簡單，但很 難找到一適當的蝕刻條件。相反地，對於後者而言找到一適 當的蝕刻條件相對簡單，但前者比後者來得複雜。 之後，如第4及5圖所示的，一被動層180利用CVD 生長a-Si:C:0或一 a-Si:C:F，或利用沉積氮化矽，或利用塗 佈一有機絕緣物質，如丙烯基物質，而被形成。當形成一 a-

ShC:0 層時 SiH(CH3)，Si02(CH3)，（SiH)404(CH3)4, Si(C2H5〇)4 或類此者被用做為基本來源，氧化物，如N20或02及Ar或 He於氣體狀態下被混合。對於s_ si:c:F層而言，沉積是在 流動一包括Sil，SiF4或類此者及一額外的〇2氣體的氣體 混合物下實施的^ CF4可被添加作為氟的一辅助來源。 如第4及5圖中所示的，被動層丨8〇與閘極絕緣層14〇 一起被光蝕刻用以形成多個接觸孔181，182，183，184，ι85 及186，其將第一汲極電極i75a，第二源極電極i73b，野存 電極線131，閘極墊125，貯存墊135及資料墊179曝露出 24 1265625 來最好疋’露出塾125，179及135的接觸孔184，185及 186的面積等於或大於〇5mmX15"m但不大於2mmx6〇" m。（第三罩幕） 最後’一厚度為1500-500 A的ITO層或ιζο層被沉積 及被光蚀刻用以形成多個像素電極19〇,其被連接至資料塾 179，多個連接第二源極電極i73b及貯存電極線13ι的連接 橋92。（第四罩幕） 因為Cr蝕刻物可被用作為IZO層的一蝕刻物，所以用 作資料接線及閘極接線的金屬從接觸孔露出來的部分並沒有 在用來從該IZO層形成像素電極190，輔助閘極墊95，輔助 資料墊97及橋92的光蝕刻步驟中被腐壞掉。Cr蝕刻物的 一個例子為（11^[〇3/：^114)2〇6(>1〇306/112〇)。該12〇層是在一從 室溫到2 0 0 C的溫度範圍内被沉積用以將在接觸點觸的接觸 電阻最小化。該ιζο層的標乾的一較階例子包括ιη2〇3及 ZnOZnO的含量最好是在15原子％至20原子。/❶的範圍之内。 同時，氮氣被使用在IT0層或IZ0層的沉積之前的預 熱處理中。這是為了要防止金屬氧化物形成在經由接觸孔 181，182，183’ 184，185及186而被露出來的金屬層上。 第12圖為為用於示於第2A及4圖中之本發明的第一及 的LCD上的TFT陣列面板的示意圖。 一被連接至資料線171之TFT T1切換傳送至一像素電 極1 90的訊號而一連接至一貯存電極線的TFF T2則切換進 入一 DCE178的訊號。像素電極190及DCE178係電容地輕 合在一起。對於相同的灰色而言，像素電極190及DCE178 25 1265625 之間疋沒有電位差的。因此，無論是何種倒轉種類，如線倒 轉’點倒轉或類此者，影像品質的穩定都可被確保。 —依據本發明的第一及第二實施例的DCE TFT的源極 %極被連接至一脖存電極線。然而，該源極電極可被連接至 一前一資料線，而這有一些問題。 首先，施加閘極ON電壓至一前一閘極線（在第1圖中 以Gate N-1來表示）造成一位在與相關的像素的對角處的像 素電極被施加一灰色電廢及該相關的像素的一 DCE被施加 一初始電壓。該DCE的初始電壓等於該位在對角處上的像 素電極的灰色電壓。因此，介於DCE與相關像素的像素電 極之間的電位差VDP是由位在對角處的像素電極的灰色電壓 來決定的。例如，一低的灰色電壓如一黑色電壓被施加至該 位在對角處的像素電極上會造成低的DCE初始電壓，而獲 得一低的VDP的結果。一低的VDP代表著介於DCE與像素電 極之間的電位差很小，即導因於DCE的橫向電場及很弱。 因此，液晶分子的排列會不穩定’因而造成織地（texture)。 接下來，該VDP被一橫跨一電容器CDP的電壓所界定， 該電容器cDP被串聯地連接至一等效電容器cLC及Cst。因 此，Vdp的值隨著電容Cdp的降低而升高。為了要降低電容 CDP，介於像素電極與DCE之間的重疊面積被最小化。然而， 這會造成影像品質會對於製造期間的罩幕誤對準及靠近DCE 的光漏有很敏感的變化。對於前者的情況而言，罩幕誤對準 會改變介於像素電極與DCE之間的重疊面積，而這會直接 影響到影像的品質。後者的情況是在DCE的初始電壓很高（亦 26 1265625 P施加至位在對角位置處的像素電極的灰色電壓很高）及 一黑色電壓被施加至該相關的像素時發生的。該高的dce 電壓強迫液晶分子移動而造成光漏，其無法被該有的DCE 所擋住。該光漏會降低對比。 用來解決這些問題的第三實施例將於下文中說明。 第13圖為一依據本發明的第三實施例之[CD的一等效 μ 電路圖。 一依據本發明的實施例的LCD包括一 TFT陣列面板， . -彩色濾光片陣列面板與該TFT陣列面板相對，及一液晶層 · 其被設置在前述二者之間。胃TFT陣列面板被提供有多條間 極線及多條資料線，閘極線與資料線相交會用以界定多個像 素區，及多條貯存電極線其與閘極線相平行地延伸。閘極線 傳送掃描訊號及資料線傳送影像訊I。一纟同電壓v_被施 加至貯存電極線上。每一像素區都被提供一供像素電極用的 像素TFT及供一 DCE用的第一及第二dCETFT,即DCETFT1 及DCETFT2。該像素TFT包括一閘極電極其連接至一相關 的閘極線，一源極電極其連接至一相關的資料線，及一汲極 $ 电極其連接至一相關的像素電極上。該第一 DCE TFT包括 一閘極電極其連接至一前一閘極線，一源極電極其接至一前 一資料線’及一汲極電極其連接至一相關的Dce，而該第二 ， DCE TFT包括一閘極電極其連接至該前一閘極線，一源極電 極其接至該相關的資料線，及一汲極電極其連接至該相關的 像素電極。 該DCE被電容地與該像素電極耦合在一起，且它們之 27 1265625 間的電容器或其電容值係以Cdp來代表。該像素電極及一被 ::在孩彩色濾光片陣列面板上的共同電極一起形成一液晶 電谷器’且該液晶電容器或其電容值係以Clc來代表。該像 素電極及-連接至-貯存電極線的貯存電極—起形成一脖存 電容器，且該貯存電容器或其電容值係以CST來代表。 雖然在該電路圖中並沒有表示出來，但依據本發明的實 施例的像素電極具有一與該DCE重疊的.孔使得導因於DCE 的電場經由該孔流出。經由該孔流出的電場讓液晶分子具有 預先傾斜的角度。被預傾斜的液晶分子在施加導因於像素電 極的電場時，會沿著預定的方向被快速地對齊而不會散開。 該LCD被假設會受到點倒轉。施加一閘極ON訊號至 該前一閘極線會讓Gate N-1將DCE TFT中的DCETFT1及 DCETFT2開啟，使得DCE具有（+)灰色電壓並讓像素電極具 有（-)灰色電壓。DCE的初始電壓為分別來自於資料線的資 料A與資料B之正灰色電壓與負灰色電壓之間的電位差， 其為沒有第二DCE TFT的DCETFT2時DCE的初始電壓的 兩倍或更大。當施加閘極ON訊號至該相關的閘極線Gate N 上使得像素TFT被開啟及DCE TFT的DCETFT1及DCETFT2 被關閉時，該DCE即為浮動且該DCE的電位亦會隨著保持 來自於該像素電極的電位之電位差VDP而升高。因此，依據 本發明的第三實施例的結構可確保較高的來強化液晶分子配 置的穩定性，藉以穩定織地。 又，因為該VDP是由兩個相鄭的前一像素的灰色電壓所 界定且很難受到電容CDP的影響，所以電容CDP不必被降低 28 1265625 來讓DCE具有足夠的寬度來與像素電極重疊。因此，靠近 該DCE的光漏彳被擒住且罩幕誤對準不會嚴重地影響到影 像品質。 此外，高的V〇p可改善反應時間及殘影。 示於第 ^ 圖的結構適合點倒轉及線倒轉，而具有修改 的一 TFT的連接之其它結構則適合其它種類的倒轉。 現將參照第14至17圖來詳細說明一依據本發明的第三 實施例之LCD的舉例性tft陣列面板1 第14圖為依據本發明的第三實施例之[CD的佈局圖， 第15圖為π於第14圖中的LCD沿著χν_χν，所取的剖面圖， 第16圖為不於第14圖中的LCD沿著χνι·χνι，所取的剖面 圖’及第17圖為示於第14圖中的LCD沿著χνπ_χνπ，所 取的剖面圖。 一依據本發明的第三實施例之LCD包括一下面板，一 上面板其面向該下面板，及一垂直地對齊的液晶層其被設置 在上面板與下面板之間。 # 現將詳細來說明該下面板。 多條閘極線121被形成在一絕緣基板i丨〇上且多條資料 線171被形成於其上。閘極線121及資料線171彼此絕緣且 彼此相交會用以界定多個像素區域。 每一像素區域都被提供一像素TFT，一第一 DCE TFT， 一第二DCE TFT，一 DCE及一像素電極。該像素tft具有 三個端子，一第一閘極電極12 3 a，一第一源極電極17 3 ab， 及一第一汲極電極175a。該第二DCE TFT具有三個端子， 29 1265625 一第二閘極電極123b，一第二源極電極173ab，及一第二汲 極電極175b，而該第三DCE TFT具有三個端子，一第三閘 極電極123c，一第三源極電極173c，及一第三汲極電極 175c。該第一源極電極175ab被使用在該像素TFT及第一 DCE TFT上。像素TFT及第一 DCE TFT被提供來切換傳送至該 像素電極190的訊號，而第二DCE TFT則被提供來切換進 入DCE178的訊號。像素TFT的閘極電極123a，源極電極 1 7 3 a，及汲極電極1 7 5 a係分別連接至相關的一閘極線12 1， 一相關的資料線171及該像素電極190。該第一 DCE TFT的 閘極電極123b ’源極電極173b，及汲極電極175b係分別連 接至前一閘極線121，前一資料線171及該像素電極19 0。 該第二DCE TFT的閘極電極123C，源極電極173C，及汲極 電極175C係分別連接至前一閘極線121，前一資料線171 及該DCE178。該DCE178被施加一方向控制電壓用來控制 液晶分子的預傾斜用以在該DCE178與共同電極270之間產 生一方向控制電場。該DCE178是在形成資料線171的步驟 中形成的。 現將詳細說明下面板之層疊的結構。 多條延伸在大致橫向的方向上之閘極線i 2丨被形成在一 絕緣的基板110上，及多個第一至第三閘極電極123 a-123c 被連接至閘極線121。多個閘極墊125被連接至閘極線121 的一端。多條第一及第二辟存電極線131a及131b及多組第 一至第四貯存電極133a-133d亦被形成在該絕緣基板u〇 上。3等弟一及第二貯存電極線13ia及i31b延伸在大致橫 30 1265625 向的方向上。第一及第二貯存電極133&及i33b從第一及第 二貯存電極線131&及131b延伸於一縱向的方向上且被彎曲 用以延伸一斜的方向上，而第三及第四貯存電極134a及134b =延伸於縱向方向上。包括了第一貯存電極線131a及第一 $第三電極133a及134a的第一貯存接線及包括了第二貯存 包極線131b與第二及第散電極133b及134b的第二貯存接 線具有倒轉對稱性。 閘極接線121，123a-123c及125與貯存電極接線131 及l33b，13牦及134b最好是由鋁，銅或它們的合金， 细或銷合金所製成。如果需要的話，閘極接線121，123a及 1231)與貯存電極接線131及133a-133d可包括一第一層其最 好是由具有絕佳的物理及化學特性的鉻或鉬合金製成，及一 第二層其最好是由具有低電阻的鋁或銀合金製成。 一閘極絕緣層140被形成在閘極線121，123a-123c及125 與貯存電極接線133a，133b，134a及134b上。 一最好是由非晶矽製成的半導體層151，154ab及154c 被形成在該閘極絕緣層140上。半導體層151，154a，154ab 及154c包括多個第一及第二通道半導體i54ab及154c形成 TFT的通道，多個資料線半導體151其位在資料線171的底 下。 一歐姆接觸層161，163ab，163c及165a-165c其最好 是由梦燒或大量地摻雜了 η型雜質之氫化非晶梦所製成 且被形成在半導體層151，154ab及l54c上。 一資料接線 171，173ab，173c，175a-175c 及 179 被形 31 1265625 成在歐姆接觸層161，163ab，163c及165a-165c及閘極絶緣 層 140 上。資料接線 m，i73ab，173c，ι75&-175〇 及 ^9

包括多條延伸於縱向方向上且與閘極線121交會的資料線 1 7 1用以形成多個像素，多個第一源極電極1 73ab其由資料 線171分支出來並延伸至歐姆接觸層的l63ab部分上，多個 第一及第二沒極電極175a及l75b其被設置在歐姆接觸層的 165a及165b部分上與第一源極電極i73ab相對且與第—源 極電極173ab相隔離開，多個第二源極電極i73c及多個第 二沒極電極175c其被設置在163b及165b部分上且相關於 第三閘電極123c彼此相對，及多個資料墊179其連接至資 料線1 7 1的一端用以接收來自於一外部裝置的影像。

多個DCE178及178a-178c被形成在由閘極線121與資 料線171的交會點所界定的像素區上。每一 DCE178及 178a-178c都包括一 V形柄178及一山形分支I78a-178c且 被連接至該第三汲極電極175c。資料接線171，173a，173ab， 173c，175a-175c 及 179 與 DCE178 及 178a-178c 最好是由銘， 銅或它們的合金，鉬或鉬合金所製成。如果需要的話，資料 接線 171，173a，173 ab，173c，175 a-175c 及 179 與 DCE178 及178a-178c可包括一第一層其最好是由具有絕佳的物理及 化學特性的絡或銦合金製成’及一第二層其最好是由具有低 電阻的鋁或銀合金製成。 一最好是由氮化梦或有機絕緣體所製成的被動層1 8 0被 形成在資料接線 171，173 ab，173c，175 a-175c 及 179 上。 被動層180被提供多個將第一及第二汲極電極175a及 32 1265625 175b曝露出來之接觸孔181及182，多個延伸至閘極絕緣層 140且將閘極墊125曝露出來之第三接觸孔I”，多個將第 二源極電極173b曝露出來的接觸孔183,及多個將資料塾179 曝露出來的接觸孔184。將整125及179曝露出來的接觸孔 可具有不同的形狀，如多邊形或圓形。接觸孔的面積最好是 等於或大於0.5mmX 15 " m但不大於2mmX6〇e m。 多個像素電極190被形成在該被動層上。每一像素 電極190都分別經由第一及第二接觸孔181及182而被連接 至弟一及第二沒極電極175a及175b。像素電極190具有橫 向切面191與多個切斜的切面192a，192b，193a，193b，194a， 194b ’ 195a及195b。該橫向切面191將該像素電極對分成 上半部及下半部，及切斜的切面192a，192b，193a，193b， 194a，194b，195a及195b相對於該橫向切面i91具有倒轉 對稱性。某些切面 191，192a，192b，194a，194b，195a 及 195b中的與DCE178及78a-178c重疊，而其它的切面193a 及193b則與貯存電極133a及133b重叠。 又’多個輔助閘極整95及多個辅助資料墊97亦被形成 在該被動層180上。辅助閘極墊95及輔助資料墊97係經由 接觸孔183及184而被連接至閘極墊125與資料墊179。像 素電極190，辅助閘極墊95及辅助資料墊97最好是由IZO 製成。或者，像素電極190，及輔助墊95及97最好是由ITO 製成。 總之，每一像素電極190都具有多個切面191，192a， 192b，193a，193b，194a，194b，195a 及 195b 用來將一像 33 1265625 素區分隔成多個區域，且切面19卜192a，192b，194a，194b， 195a 及 195b 與 DCE178 及 178a-c 重疊。切面 191，192a，192b， 194a，194b，195a 及 195b 與 DCE178 及 178a-c 與 DCE178 及178a-c被對齊使得DCE178及178a-c經由切面191，192a， 192b，194a，194b，195a及195b被曝露出而可在前視圖中 被看到。DCE178及178a-c被連接至第二DCE TFT，且像素 電極190與DCE178被對齊用以形成一貯存電容。 依據本發明的另一實施例，DCE178及178a-c包括與閘 極接線121，123a-123c及125大致相同的層。被動層180 在DCE178及178a-c上的部分可被去除掉用以形成多個開 口。 現將詳細地來說明上基板210。 一用來防止漏光的黑色矩陣220，多個紅色，綠色及藍 色濾光片230，及一最好是由透明導體如ITO或IZO所製成 的共同電極270被形成一上基材210上，該上基材最好是由 一透絕緣材質，如玻璃，所製成。 多個包含在液晶層3中的液晶分子被對齊使得它們的方 向在沒有電場時是與下基板110與上基板210垂直。液晶層 3具有負的非等方向介電性。 下基板110與上基板210被對齊使得像素電極190與彩 色濾光片230精確地匹配及重疊。以此方式，一像素區即被 切面 191 ， 192a ， 192b ， 193a ， 193b ， 194a ， 194b ， 195a 及 19 5b分隔成多個區域。液晶層3在每一區域中的對齊係藉 由DCE178及178a-178c來加以穩定。 34 1265625 此實施例顯示液晶層3具有負的非等方向介電性且相對 於基板110及210等方向對齊。然而，液晶層3可具有正 的非等方向介電性並相對於基板11〇及210均勻對齊。 一依據本發明的第三實施例之TFT陣列面板可使用四 步光蚀刻步驟來製造。在此例子中，一資料接線及DCE具 有一三層的結構其包括一非晶矽層，一歐姆接觸層及一金屬 層，且這三層具有大致相同的平面形狀，這是因為使用一光 阻膜來將該非晶矽層，歐姆接觸層及金屬層形成圖案。因為 此一製造方法已在上文中的本發明的第二實施例的製造中已 詳述，所以在此處不再贅述。 雖然本發明的較佳實施例已在上文中詳細說明，但應被瞭解 的是’對於熟悉此技藝者而言是很明顯之本文中所教導之基 本的發明性概念的許多變化及/或修正，仍將是落在由以下 的申請專利範圍所界定之本發明的精神與範圍内^ 【圖式簡單說明】 第1圖為依據本發明的一實施例的一 LCD的等效電路圖； 第2A圖為用於依據本發明的第一 t施例的LCD上之一 TFT 陣列面板的怖局（layout)圖； 第2B及2C圖為第2A圖中的TFT陣列面板分別沿著nb-Iib， 及lie-lie’所取的剖面圖； 第3A至3D圖為用於一 LCD上的TFT陣列面板的剖面圖， 其依序顯示依據本發明的第一實施例的製造方法；

第4圖為用於依據本發明的第二實施例的LCD上之一 TFT 35 1265625 陣列面板的佈局（layout)圖； 第5圖為第4圖中的TFT陣列面板沿著V-V’及v-ν，所取的 剖面圖； 第6A至11B圖為用於一 LCD上的TFT陣列面板的佈局圖 及剖面圖，其依序顯示依據本發明的第二實施例的製 造方法； 第12圖為用於一 LCD上之依據本發明的第一及第二實施例 的TFT陣列面板的示意圖； 第13圖為依據本發明的一第三實施例的一 LCD的等效電路 圖； 第14圖為依據本發明的第三實施例之LCD的佈局圖； 第15圖為示於第14圖中的LCD沿著XV-XV’所取的剖面圖； 第16圖為示於第14圖中的LCD沿著XVI-XVI，所取的剖面 圖；及 第17圖為示於第14圖中的LCD沿著XVII-XVir所取的剖 面圖。 【元件代表符號簡單說明】 121 閘極線 171 資料線 123a 第一閘極電極 173a 第一源極電極 175a 第一沒極電極 123b 第二閘極電極 173b 第二源極電極 175b 第二沒極電極 190 像素電極 178 DCE 270 共同電極 110 絕緣基板 36 1265625 131 貯存電極線 133a-13 3d 貯存電極 151，154a-b，155 半導體層 161，163a-b，16 5a-b 歐姆接觸層 171，173a-b，175a-b 資料接線 180 被動層 181， 182 接觸孔 140 閘極絕緣層 183 接觸孔 191 X形切面 192 直線切面 92 橋 210 上基板 220 黑色矩陣 230 彩色濾光片 3 液晶層 125 閘極螯 135 貯存墊 179 資料墊 95 輔助閘極塾 97 辅助資料墊* 99 輔助貯存墊 170 導電層 160 接觸層 150 半導體層 170a-b S/D 導體 160a-b S/D 歐奶 184-186 接觸孔

Claims (1)

1265625 拾、申讀專利範圍 1 種薄膜電晶體陣列面板，其至少包含·· 一絕緣基板； 多條第一訊號線，其被形成在該絕緣基板上的； 夕條第一訊號線，其被形成在該絕緣基板上且與該等第 一訊號線絕緣且與第一訊號線交會； 多個像素電極，其被提供在每一個由第一訊號線與第二 訊號線的交會點所界定的像素區上，每_像素電極都具有一 切面（cutout); 多個方向控制電極，其被提供在每一個由第一訊號線與 第二訊號線的交會點所界定的像素區上； 一第一薄膜電晶體，其連接至一相關的第一訊號線，一 相關的第二訊號線及一相關的像素電極； 一第二薄膜電晶體，其連接至一前一（previous one)第一 訊號線，一則一第二訊號線及一相關的方向控制電極；及 一第三薄膜電晶體，其連接至該前一第一訊號線，該相 關的第二訊號線及該相關的像素電極。 2.如申請專利範圍第i項所述之薄膜電晶體陣列面 板，其更包含一第二訊號線，其與該等第二訊號線絕緣且與 第二訊號線又會，該第三訊號線包括一與該像素電極切面相 重疊之部分。 3 · 一種薄膜電晶體陣列面板，其至少包含： 38 1265625 一絕緣基板； —〃間極接線（wire)，其被形成在該絕緣基板上且包括第 至第二閘極電極與多條閘極線； 一閘極絕緣層，其形成在該閘極接線上； 半導體層’其形成在該閘極絕緣層上； 資料接線’其形成在該半導體層上且包括多條與該等 ’極線乂會的資料線，第一至第三源極電極其連接至該等資 料線，及笛,—芬您—、 ^ 主乐二汲極電極其相關於該第一至第三閘極電 極與第一至第三源極電極相對； 一方向控制電極，其連接至該第二汲極電極； 一保護層’其形成在該資料接線及該方向控制電極上且 具有多個接觸孔；及 一形成在孩保護層上的像素電極，其具有多個切面且經 由接觸孔而電氣地連接至該第一及第三汲極電極。 4·如申凊專利範圍第3項所述之薄膜電晶體陣列面 板，其中該第一與第三源極電極被連接至一相關的資料線， 該第二源極電極連接至一前一資料線，第一與第二閘極電極 連接至一前一閘極線，及該第三閘極電極連接至一相關的間 極線。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體睡 把1竿列面 板其中該像素電極的切面包括一橫向切面其將謗傻畚 $家電極 對分為上半部及下半部，及多個斜的切面它們係相 1玲該橫 39 1265625 向切面成倒轉對稱（inversion symmetry)。 6.如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中該方向控制電極與像素電極的至少一切面重疊且相 對於該像素電極的一橫向切面成倒轉對稱。 7·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其更包括一貯存電極接線，其包括與閘極接線大致相同 的層且具有一與至少一部分該像素電極重疊的部分。 8 ·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中該方向控制電極可包括與資料接線大致相同的層及 材質。 9·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中接觸孔具有矩形的形狀其具有一邊與斜的切面平行 或垂直。 10.如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面 板，其中資料接線及方向控制電極可包括一半導體層及一金 屬層所構成之雙層。 11 ·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體陣列面 板’其中該半導體層可包括一非晶矽膜及一歐姆接觸層所構 40 1265625 成的雙膜層。 1 2 · —種液晶顯示器，其至少包含： 一第一絕緣基板； 多條第一訊號線，其形成在該第一絕緣基板上； 多條第二訊號線，其形成在該第一絕緣基板上且與該等 第一訊號線絕緣且與第一訊號線相交會； 多個像素電極，其被提供在每一個由第一訊號線與第二 訊號線的交會點所界定的像素區上.，每一像素電極都具有一 切面（cutout); 多個方向控制電極，其被提供在每一個由第一訊號線與 第二訊號線的交會點所界定的像素區上； 一第一薄膜電晶體，其連接至一相關的第一訊號線，一 相關的第二訊號線及一相關的像素電極； 一第二薄膜電晶體，其連接至一前一（previous one)第一 訊號線，一前一第二訊號線及一相關的方向控制電極； 一第三薄膜電晶體，其連接至該前一第一訊號線，該相 關的第二訊號線及該相關的像素電極； 一第二絕緣基板，其與該第一絕緣基板相對； 一共同電極，其形成在該第二絕緣基板上；及 一液晶層，其被置於該第一與第二絕緣基板之間。 13.如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示器，其中該 液晶層具有負的非等方向介電性且在液晶層中的液晶分子的 41 1265625 主軸係相對於第 及第二基板被垂直地對齊。 42