TWI261615B - Hydrophobic structure on the surface of substrate and its manufacturing method - Google Patents

Description

1261615 ' 九、發明說明： ^【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種疏水結構及其製法，尤指-種形成 於基材表面之疏水結構及其製法。 【先前技術】 近年來，由於人們對於日常生活用品薄型化與微小化 促，多數產業邁入奈米科技的時代。除了生活週 ,^豕毛用°°外’自清潔(seif_cieaning)產品的功能及應用 也由於對-般民生產品降低維護成本及提高產品品質上 々而大幅地提升其市場需求’並使自清潔塗層材料 的爾市場上備受嗎目。自清潔塗層材料的用途，例如 幕玻璃、廚房衛浴等之塗層可降低維護成本； 應用在场能電池、衛星天線表面、汽車前擔玻 、、主 漂疏水塗層可提高產品品質 ^ 外殼上可降低因阻力造成的心與飛行器 ._塗層材料之研=的=;=產生的廢氣污染。 :=蓮花效應(L~)，再加上低表面:二 表面特性，可使塗層材料之水滴接觸角大於1〇〇 降低水滴及油滴之沾附。 口而 現有技術在自清潔塗層材料之結構設計上， 結構以達到疏水自清潔功能。其多層結構分別具備 =性、粗縫表面結構、超低表面能等不同特性，但目前 此超疏水結構多面㉟#、 久性不足之問題。， -不足、透明性差及耐 1830]p〇] 5 1261615 … 例如»vm,865 號 1 5,674,625 號及帛 M23,863 Ί關專利揭示利用溶I凝膠⑽训的方式製作無機物 、二液’經塗佈形成_結構表面。上述方法中除了溶膠-，勝需製作兩種以上溶液的繁瑣製程外，其餘製程，如凝 .膠的形成與乾燥的過程，需費力地將條件控制好以防止相 分離(phase S啊ation)的發生，且其製品的疏水角不足。 冷||塗液系統本質上為鬆散結構，於 劑去除過程中，若栌制不木^ 3 φ , ^ 右才工制不^，溥艇極易因表面張力不平衡 而破裂’或是析出金屬氧化物發生聚集現象⑽以， 而無法獲得奈米級結構薄膜。 羽士 ^ ΜΑ322號及第6,623,863號美國專利揭示使用溶 膠·'凝膠法及將矽氧烷化合物與氟矽化合物混合後塗佈形 成，水表面，但是此製法有接著性不佳的問題。而美國專 J第5、,296,282號係利用添加絲狀物（出犯加加）以增加粗链 度，然而此製法會造成粗糙結構的不連續，進而造成疏 魯性不足。 爪 • ^第5,693,236號美國專利揭示將針狀結構材料的外層 ：堡佈一層疏水物質並與黏著劑混合，再將其塗佈於基材上 ，以達到超疏水效果。但是其製造成本較高，因針狀結構 材料較為昂貴，而且針狀結構的粒徑較大，易造成不透明 或低透明度之表面。 第6,306,506號美國專利揭示利用氬（Ar)電漿之方式 製作粗糙表面。該製程較為複雜不易控制，且其所需費用 18301P0] 1261615 、”不上所边’現有疏水性奈米粗糙表 、！於:由於多層結構中各層之界面多為不同性術瓶頸 高分子、無機氧化物、低表面能分子），^材制t斤接 1、粗糖表面結構、超低表面能等不同特性之^具矣備 ，斗寸別是含有低表面能特 粗I表面 ·;另外，目前使用於自: 通吊黏著性也相對欠佳 ..燒偶合劑或高分子在^ 之氣系樹脂或疏水性石夕氧 釗次阿刀子在無粗糙結構之搭配下， 水性能約僅能水滴 早—材料之疏 _^法相水滴接觸角 米級結構粗趟表面，在未=用，凝膠法所製作之微 夠硬度，因此長期使溫燒結之過程無法具備足 可見光波長約為： 技術所製成之粗Μ表面容 級粉體或溶膠-凝膠 結果，因而如何在不影無法穿透或散射之 之連續相粗韃表面結構二 提下，製作奈米等級 料除具有低表面能特性外 Α挑我;低表面能材 麵等缺點，使得現今技術無法：::::=及『 好的接著特性或長期的產品耐用性“的透先度、良 料之存:上述問題，為了因應自清潔塗層材 前述習知技術之各 【發明内容】 、‘'、、别亟欲解決的課題。 本毛明之-目的係提供—種基材表面之疏水結構及 18301P01 7 1261615 其製：，以提供梳水結構之高硬度特性。 發明之次一目的係提供一 及其製法，以提供梳水結之、古：基材表面之疏水結構 構之咼透明特性。 么月之另一目的係提伊— 及其製法，以提供梳水結之、，基材表面之疏水結構 。偁之耐磨耗特性。 本舍明之再一目的係接 一 及其製法，以接 士、〃—種基材表面之疏水結構 =叫供疏水結構之優異疏水性。 為達上述其其他目的， 水結構，係包括：一奈米，从供一種基材表面之疏 Φ ^ Λ- ” \ ^，形成於該基材表面，传 由〜之奈未無機物與有機物 係 水塗層，形成於該奈米粗糙層表面。-而成，以及—疏 W述該奈米無機物係為金 氧化物係選自例如二氧化矽之功〃'勿季“土地，该金屬 鈦乳化物：及例如二氧化鍅之鍅氧化物之其中一：之 忒奈米無機物之顆粒間係為連續 物例如矽氧鍵之化學鍵鍵处。、π 稭由有機 之界面，你一山士 6亥示米粗糙層與該基材表面 粗糙層與該疏水法爲夕w /建之化子鍵鍵結。該奈米 化學鍵鍵結1 土 θ "面’係藉由有機物例如發氧鍵之 。該奈米粗糙層之平均粗糙度係介 。而该奈米粗縫層之厚产介 介於〗5 1ΠΛ 又；丨於丨丨加至〗50nm之間，較佳係 ’丨方；1 nm至1 〇〇nrn之間。兮太伞> 。亥不未热機物之粒徑係介於1〇nm 1〇〇nm之間，較佳係介於1〇_至50腿之間。 該疏水塗層係由低表面能材料所構成。較佳係選自含 18301P01 8 1261615 、 氟及矽之其中一種高分子，例如含烷基之氯矽烷化合物 、 （alkyl group- containing chi or 〇 silanes)、含氟：)：完基之三氣石夕 院化合物（fluoroalkyl group-containing trichlorosilanes)、含 氟烧基之三院氧石夕烧化合物（fluoroalkyl group-containing trialkoxysilanes)、含氟烧基之三醯氧石夕烧化合物 (fluoroalkyl group-containing triacyloxysilanes)、含氟烧基 之三異氰酸S旨石夕:)：完化合物（fluoroalkyl group- containing triisocyanatesilanes)、含烧基之烧氧石夕烧化合物（alkyl • group- containing alkoxy silanes)、含烧基之醯氧石夕炫化合 物（alkyl group-containing acyloxysilanes)及含：)：完基之異氰 酉曼酉旨石夕烧 4匕合物（alkyl group- containing isocyanatesilanes) 之其中一者。 本發明復提供一種基材表面之疏水結構製法，係包括 :提供基材、有機-無機按混材料及低表面能材料，塗佈有 機-無機摻混材料於該基材表面，並經高溫燒結而於該基材 φ表面形成一奈米粗糙層；以及塗佈低表面能材料，以於該 -: 奈米粗链層表面形成疏水塗層。 ·； 前述該有機-無機摻混材料係混合奈米無機物與有機 聚合物。較佳地該奈米無機物係可為金屬氧化物與無機化 合物之其中一者。金屬氧化物係可選自例如二氧化石夕之石夕 氧化物、例如二氧化鈦之鈦氧化物、及例如二氧化錯之錄 氧化物之其中一者。無機化合物係為選自三曱基乙氧基石夕 烷（TMOS)、四乙氧基矽烷（TEOS)及三乙氧基鈦（TEOTi)之 其中一者。該奈米無機物之粒徑係介於1 Onm至1 OOnm之 9 18301P01 1261615 間，較佳係係介於1 Onm至50nm之間。 該有機聚合物係為具有烯基之高分子化合物，且其分 子量範圍為500至100000者，較佳係為5000至75000者 ，最佳係為10000至55000。該高分子化合物係為選自聚 乙稀基吼略:)：完酮及聚乙烯醇之其中一者。而該有機-無機摻 混材料含有1至50重量％之有機聚合物。該有機-無機摻 混材料塗佈於基材表面之濕膜厚度介於1 〇〇 nm至1 OOOnm 之間，較佳係介於100 nm至500nm之間。 該奈米無機物係經由酸驗度控制其氧化物粒徑，經產 生溶膠凝膠反應而與有機聚合物形成微相分離結構。該酸 鹼度控制係可介於pH 3至13之間，較佳係介於PH 7至 13之間。 該高溫燒結之溫度係介於300°C至800°C之間。較佳地 ，係於300°C至600°C之間的溫度烘烤達成。 該低表面能材料係為選自含氟及矽之其中一種高分子 。較佳地，該高分子係為選自含烧基之氯石夕烧化合物（alkyl group- containing chlorosilanes)、含氟烧基之三氯石夕：!：完化 合物（fluoroalkyl group-containing trichlor〇silanes)、含氟烧 基之三烧氧石夕烧化合物（fluoroalkyl group-containing trialkoxysilanes)、含敦;)：完基之三驢氧石夕烧化合物 (fluoroalkyl group-containing triacyloxysilanes) ^ 含氟烧基 之三異氰酸酯石夕烧化合物（fluoroalkyl group- containing triisocyanatesilanes)、含烧基之烧氧石夕烧化合物（alkyl group- containing alkoxysilanes)、含院基之醯氧石夕烧化合 10 18301P01 1261615 ° (alkyl gl〇UP' C〇ntaining isocyanatesilanes) 中-m為選自破璃基材、料基材及金屬基材之其 種。而於㈣燒結之前，復可包括 溫熟化步驟。 』吋之至 根據本發明之方法所製成之疏水結構，其無機化合物 :面為化學鍵鍵結，且該化學鍵切氧鍵者。而該奈米無 機物間為連續相結構，因此，本笋 ’、 疏水性、耐磨耗、高透日月、# 4、、、口構具有優異 且其製法可將製程簡單化、成本經濟化及加工有it優 點，進而提升產業的整體競爭力。另一方之 =構係利用奈米複合材料的複合特性所製成，是以提= 了…、機材料的剛性卻也能同時提高有機材料的韌性。 【實施方式】 以下兹藉由具體實施例，進—步詳述本發明之特點及 功效。惟該等實施細節僅係用以說明本發明之特點，而非 用以限制本發明之範疇： j施例-~ 奈米粗糙層之製造方法與其塗佈方法： 於室溫中，依莫耳數比Mm?在雙頸圓底瓶中 依序置入125克之乙醇、〗5克之四乙氧矽烷 (tetraethoxysU·)及4.15克（36_%)之氫氧化敍，並將盆 授拌均勻3〇分鐘使成透明溶液。接著，在啊的條件下 18301P0] 11 1261615 ’進打，流反應8小時。當該反應完成後，將之置於室溫 下’ & _攪拌2G小時，以製得無機粉體分散液。 另外，將ίο克之聚乙烯基D比略朗（⑽yvinyi 咖_刪；分子量55〇〇〇)與19〇克之乙醇於室溫下㈣ 0分鐘使其完全溶解，以製得有機溶液。 接者，依7 :3的體積比將無機溶液與有機溶液於室溫 下均勾攪拌60分鐘，使生成塗佈所需之有機-無機 液。 利用旋轉塗佈機以轉速u〇〇rpm，方走轉時間15咖 ’每次吸取1.5毫升之有機無機混合溶液的條件下，於破 璃試片上進行旋轉塗佈！次。接著，將該試片置於室溫下 20小時以進行室溫熟化。 接著，將熟化後之玻璃試片置於高溫烘箱内，並從25 c至加熱1G(rc ’在1G(rc下維持1小時；接著再從10(rc 加熱至6崎，再將其自然冷卻至室溫以形成具奈米粗链 層之玻璃片。上述之加熱步驟是以每分鐘上 溫方式所達成。 .C之升 疏水塗層之製造方法與低表面能材料塗佈方法： 於室溫下，在雙頸圓底瓶中依序置入23·7克之異丙醇 (isopropyl alcohol)、1克之正十七氟十烷基三曱氧基矽烧予 (heptadecafluorodecyltrimeth〇xysiiane)& 〇 3 克之純 κ 75毫克之硝酸（0.1 N)，並將其攪拌均勻2小時，進^水解 反應。 反應完成後加人5克之4A分子筛，進行脫水、縮合 ]8301P〇i 12 1261615 :=並將其置於―室溫下18小時。反應完成後以濾、紙 心 φ，形成氟烷矽化合物溶液（FAS溶液）。 利用旋轉塗佈機以轉速11〇〇 ，每次吸取μ - 1 、iUUlPm ，旋轉時間15sec 璃片上，〜·、、$升之FAS溶液以滴於具奈米粗链層之玻 5分鐘的條件T，於玻璃試片上進 仃旋轉塗佈3次。 、力工疋 將塗佈元成之玻璃片置於供箱中以14〇t：供烤！小時 。取出之試片，即為一且有 、/、有Ί、口構之基材。所形成包含 二二、:“-疏水塗層之疏水結構掃描式電子顯微鏡圖 τ於第10，其原子力顯微圖（AFM)示於第2圖。而 弟1圖及第2圖可知’根據本發明之方法 =形㈣等級之疏水結構，且該疏水結構之奈綱 層為連續相。 實施例二 重稷貫施例一之步驟，將聚乙烯基吡咯烷酮 # (f〇IyvinyIpyrrolidone)置換為分子量1〇〇〇〇，其餘步驟同 實施例一。其SEM結果示於第3圖。 實施例三 於室溫下，在雙頸圓底瓶中依序置入50克之乙醇、」 克之四乙氧矽烷（tetraethoxySilane)及 3·〇27 克（36 wt%)之 濃鹽酸，並將其以磁石攪拌均勻19小時，製得無機溶液 另外’將10克之聚乙烯基吡咯烷酮（p〇Iyvinyl pyrrolidone;分子量55000)與19〇克之乙醇於室溫下攪拌 18301P0] 13 ^261615 30分鐘使其完全溶解，以製得有機溶液。 接著，依7 :3的體積比將無機溶液與有機溶液於室溫 :均勻攪拌60分鐘，使生成塗佈所需之有機_無機混合溶 利用旋轉塗佈機以轉速1100rpm ，旋轉時間Msec :每次吸取丨.5毫升之有機·無機混合溶液的條件下，於玻 璃試片上進行旋轉塗佈1次。接著，將該試片置於室溫下 2〇小時以進行室溫熟化。 、μ 接著，將熟化後之玻璃試片置於高溫烘箱内，並彳“ Μ =加熱UKTcuocrc下維持丄小時；接著再從 加Λ、、至000C：,再將其自然冷卻至室溫以形成且太 層之玻璃片。上述之加熱步驟是以每分鐘上升;:=二 溫方式所達成。 低表面能材料之製造方法與其塗佈方法： 於室溫下，在雙頸圓底瓶中依序置入23 7克之異丙醇 # (isopropyulc0h0l)、！克之正十七氟十烷基三甲氧基矽烷 (heptadecafiuorodecyitrimeth〇xysilane)& 〇 3 克之純水及 75毫克之硝酸（0.1 N)’並將其攪拌均勻2小時，進^水解 反應。 反應完成後加入5克之4A分子筛，進行脫水、縮和 聚合反應，並將其置於室溫下18小時。反應完成後以濾紙 過濾分子篩，形成氟烷矽化合物溶液（FAS溶液）。 —利用旋轉塗佈機以轉速1100卬111 ，旋轉時間 ’每次吸取1.5毫升之FAS溶液以滴於具奈米粗键層之玻 18301P01 14 x厶〇1615 續片上，每次塗佈間隔 λ 行旋轉塗佈3次。 刀釦的條件下，於玻璃試片上進 將塗佈完成之破鴣 。取出之試片，即為 置於艇箱…4(TC供烤！小時 示於第4圖。 ，、有疏水結構之基材。其SEM結果 疏水結構之特性分析 將實施例1、2、3 # 4 y、… 度及鉛筆硬度之測n "以下述方法作接觸角、透明 4“ 度之/貝“式，測試結果如表一。 保持水平(試片需為平坦，無扭曲， 近表面），水、m2 )從微量針筒滴出（盡量靠 ^ / 時，針的尖端仍於水滴内部(水滴 正央）’ t哭移離針筒（針筒不可收縮、劇烈移動， 而造成水滴體積/位置變化）。量測水滴之左右兩側之接觸 角:各兩次’共四個數據。於同一基材表面上’另找四個 不同之位置，重複上述步驟，進行量測，總共2〇個數據， 求其平均值。 透明度測試-A S TM D ] 7 4 7 - 9 7 使用6式片尺寸為50nim* 100mm，試片先以有積分球之 色差計’測得可見光透光率（％)。於溫度45± 下之，將 試片置於裝置内，使試片（A)與Blank(B)距離光源230mm ，以CNS 10986之UV照射裝置，照射looo小時。再量 測邛見光透光率（％)。計算測試前後之可見光透光率（❻/。）之 差值（絕對值）。 15 18301P01 1261615 3363-92^ 於環境溫度23土 2°C，相對濕度50土 5〇/〇下，將試片放 :超：16小時。將錯筆以削錯筆機削成尖頭，平滑：圓形 =紙，於垂直方向磨鉛筆頭，使呈平坦無破損、 貝/、熙砰裂之筆頭（5〜6mm)。從最硬之鉛 力：下的二:)’再往後— r至〗一。測試至㈣無法晝穿塗層 :’可以放大鏡辅助；鉛筆頭於過程 晝出痕跡之最微筆，二 此f層之硬度。至少重複測試—次至結果相同。p為

T 面 /、透明度及硬度也較其他習知的產品更為優I。、）’ 上述貫施例僅例示性說明本及 非用於限制本發明。任何熟h s /理及其功效，而 背本發明之精神及範疇下， 之人士均可在不違 變 範 。因此，本發明之權力保護範、广例進行修傅與改 圍所列。 h圍，應如後述之申請專利 I83〇lp〇] 16 1261615 【圖式簡單說明】 第1圖為實施例1所製得之疏水結構之電子 (SEM) 〇 顯微鏡圖 第2圖為實施例1所製得之疏水結構之原子力 圖（AFM)。 顯微鏡 第3圖為實施例2所製得之疏水結構之掃描 微鏡圖（SEM)。 田式t子顯 第4圖為實施例3所製得之疏水結構之掃插式 微鏡圖（SEM) 電子顯 l83〇lp〇l 17

Claims (1)

1261615 、申請專利範圍·· 種基材表面之疏水結構，係包括： 一奈米粗糙層，形成於該基材表面，係由混合之奈 米热機物與有機物經高溫燒結而成；以及 ^ 一疏水塗層，形成於該奈米粗糙層表面。 •如申請專利範圍第1項之疏水結構，其中，該奈米無機 物係為金屬氧化物。 3 鲁·如申請專利範圍第2項之疏水結構，其中，該金屬氧化 物係選自矽氧化物、鈦氧化物及鍅氧化物之其中一者 4· 請專利範圍第3項之疏水結構，其中，該矽氧化物 係為二氧化碎。 5· 2請專利範圍第3項之疏水結構，其中，該 係為二氧化鈦。 孔儿视 其中’该錯氧化物 6·如申請專利範圍第3項之疏水結構 係為二氧化鍅。 如申鮰專利範圍第】項之萨 士 物之顆乜門焱& 、爪夂、、、口構，共T，琢奈米無機 物之顆粒間係為連續相結 έ士。 傅立猎由热機物之化學鍵鋇 8.如申請專利範圍第】項之疏水結構，㈠ 層與該基材表面之界面，係藉由無機物之化卡祕 9·如申請專利範圍第】項之疏水結構， ^建結（ 層與該疏水塗声夕哭 八 垓奈米粗糙 Η)如申"，係藉由有機物之化學键鍵社。 二 =圍第7、8或9項之疏水結構，”;: 學鍵係為石夕氧鍵。 僻 中，该化 18301Ρ01 18 1261615 1 1 ·如申凊專利範圍第1項之疏水結構，其中，該奈米粗糙 層之平均粗糙度係介於lnm至lOOnm之間。 12·如申睛專利範圍第1項之疏水結構，其中，該奈米粗糙 層之厚度介於lnm至15〇nm之間。 13·如申請專利範圍第12項之疏水結構，其中，該厚度係介 於lnm至l〇〇nm之間。 14·如申請專利範圍第1項之疏水結構，其中，該奈米無機 物之粒徑係介於l〇nm至lOOnm之間。 1 5.如申睛專利範圍第14項之疏水結構，其中，該粒徑係介 於lOnm至50nm之間。 16·如申請專利範圍第1項之疏水結構，其中，該疏水塗層 係由低表面能材料所構成。 17·如申請專利範圍第16項之疏水結構，其中，該低表面能 材料係為選自含氟及矽之其中一種高分子。 18·如申請專利範圍第17項之疏水結構，其中，該高分子係 為运自含烧基之氣石夕烧化合物（alkyl group- containing chloiosilanes)、含氟烧基之三氣石夕烧化合物（fiu〇r〇aikyi gioup_containing trichlorosilanes)、含氟烧基之三烧氧 石夕少元化合物（fluoroalkyl group-containing tdalkoxysilanes)、含氟烷基之三醯氧矽烷化合物 (fluoroalkyl group_containing triacyloxysilanes)、含氟烧 基之二異孰酸醋石夕烧化合物（fluoroalkyl group- containing triisocyanatesilanes)、含烷基之烷氧矽烷化 合物（alkyl group- containing alkoxysilanes)、含:)：完基之 19 18301P01 1261615 (alkyl group-containing acyloxysilanes) 及含烷基之異氰酸酯矽烷化合物（alkyl gr〇up_ containing iS0cyanatesilanes)之其中一者。 1=申請專利範圍第】項之疏水結構，其中，該基材係為 選自玻璃基材、陶莞基材及金屬基材之其中一種。 2〇.一種基材表面之疏水結構製法，係包括： 提供基材、有機-無機摻混材料及低表面能材料； 塗佈有機-無機摻混材料於該基材表面，並經高溫声 結而於該基材表面形成一奈米粗糙層；以及 兀 水塗T。低表面能材料，以於該奈米粗糙層表面形成疏 利範圍第2〇項之製法’其中’該有機-無機摻 此材枓仏竓合奈米無機物與有機聚合物。 22. :申請專利範圍第21項之製法，其中，該奈米 為金屬氧化物與無機化合物之其中一者。’，、、句係 23. 如申請專利範圍第如之製法，其中 選自石夕氧化物、鈦氧化物及錄氧化物之其中蜀―:化物係 二氧二 第23項之製法，其中，該咬氧化物係為 /、中，泫鈦氧化物係 /、中，忒結氧化物係 25·如申清專利範圍第23項之製法 一氧化欽。 26.如申請專利範圍第23項之製法 一氧化錯·。 其中，該無機化合啦 18301PQ] 27·^申4專利範圍第22項之製法 20 1261615 為選自三曱基乙氧基矽烷（TMOS)、四乙氧基矽烷（te〇s) 及三乙氧基鈦（TEOTi)之其中一者。 认如申請專利範圍第21項之製法，其中，該奈米無機物之 粒徑係介於l〇nniS100nm之間。 其中，該粒徑係介於 29·如申請專利範圍第28項之製法 l〇nm至50nm之間。 其中 ，該有機聚合物係 3 0 ·如申請專利範圍第21項之製法 為具有烯基之高分子化合物，且其分 ^刀t里乾圍為5〇〇 100000者。 q w玍 其中，该分子量範圍為 其中，該分子量範圍為 其中，該高分子化合物 31·如申請專利範圍第3〇項之製法 5000至 75000者。 32·如申請專利範圍第31項之製法 10000至55000 〇 33·如申請專利範圍第3〇項之製法 係為選自聚乙烯吡咯烷酮及聚乙烯醇之其中一= 34·如申請專利範圍第21項之製法，1 。 、、曰姑料人古1 去曰 ^ 。亥有機-無機摻 此材枓含有1至50重量％之有機聚合物。 35. 如申請專利範圍第21項之製 、、曰材料涂佑於苴从主 /、中’該有機-無機摻 -材κ布於基材表面之濕膜厚度介於 lOOOnm之間。 主 36. 如申請專利範圍第35項之製法，复 誰至500麵之間。 -中’该厚度介於H)0 3 7·如申請專利範圍第21項之製法，盆 二 經由酸驗度控制其氧化物粒# f奈米無機物係 、、二產生〉谷膠凝膠反應而 18301P0] 21 1261615 & 與有機聚合物形成微相分離結構。 士申明專利範圍第3 7項之製法，其中，該酸驗度控制係 介於pH 3至13之間。 3 9·如申請專利範圍第38項之製法，其中，該酸鹼度控制係 介於pH 7至13之間。 4〇·如申請專利範圍第38項之製法，其中，該高溫燒結之溫 度係介於300。〇至800°C之間。 41·如申請專利範圍第38項之製法，其中，該溫度係介於3〇〇 • °<3至 600°(：之間。 42.如申請專利範圍第2〇項之製法，其中，該奈米粗糙層之 平均粗糙度係介於lnm至i〇〇nm之間。 43·如申請專利範圍第2〇項之製法，其中，該奈米粗糙層之 厚度介於lnm至150nm之間。 44·如申請專利範圍第43項之製法，其中，該厚度係介於 lnm至100nm之間。 鲁45·如申請專利範圍第20項之製法，其中，該低表面能材料 係為選自含氟及矽之其中一種高分子。 46.如申請專利範圍第45項之製法，其中，該高分子係為選 自含烧基之氯石夕烧化合物（alkyl group- containing chlorosilanes)、含氟烷基之三氯矽烷化合物（fluoroaikyl group-containing trichloro si lanes)、含氟烧基之三 $完氧 石夕烧化合物（fluoroaikyl group-containing trialkoxysilanes)、含氟烧基之三醯氧碎坑化合物 (fluoroaikyl group-containing triacyl oxy silane s)、含氟烧 22 18301P0] 1261615 、 基之三異氰酸酯石夕;)：完化合物（fluoroalkyl group- containing triisocyanatesilanes)、含;)：完基之烧氧石夕;)：完化 合物（alkyl group- containing alkoxysilanes)、含烧基之 酿氧石夕烧化合物（alkyl group-containing acyloxysilanes) 及含院基之異氰酸酯石夕院化合物（alkyl group-containing isocyanatesilanes)之其中一者。 47.如申請專利範圍第20項之製法，其中，該基材係為選自 玻璃基材、陶竟基材及金屬基材之其中一種。 _ 48.如申請專利範圍第43項之製法，其中，於高溫燒結之 前，復包括進行室溫熟化之步驟。 49. 如申請專利範圍第48項之製法，其中，該室溫熟化係進 行20小時。 50. 如申請專利範圍第48項之製法，其中，該高溫燒結之步 驟係以介於300°C至600°C之間的溫度烘烤達成。 23 18301P01