TWI260031B - Field electron emission materials and devices - Google Patents

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1260031 A7 B7 五、發明説明（) 本發明有關場致電子發射材料及使用此等材料之裝 置。 在古典場致電子發射中，在某種材料表面上例如 s 3 X 1 〇 9 V m _ 1之高電場，可以將表面電位障壁的厚度 縮減至藉由量子機械隧道效應即可使電子離開該材料的程 度。使用原子尖頭集中該巨觀電場可以達成此等必要條 件。使用功函數低之表面可以進一步提高該場致電子發射 電流。由習知之Fowler-Nordheim等式可以說明場致電子發 射的度量。 重要的先前技藝係有關使用自尖頭（尖端）發射場致 電子的電子發射器與發射陣列。本技藝的技術人員之主要 目的係在遠離每個單一發射尖端處設置一個小於1 μ m的孔 (該閘），如此可以使用1 0 0 V或以下之施加電位達成 所需要的高電場，此等發射器稱爲聞控陣列。此裝置的最 早實際成品是由任職於加州Standard Research Institute的 C A Spindt 所完成（J. Appl. Phys. 39,7，pp 3504-3505, ( 1 968))。之後，已提出許多有關此等發射器陣列的改良， 包括以正電性元素摻雜此等尖端整體或表面 (US 5 7 7 2 488)。 所有尖端爲基礎之發射系統的主要問題是，其容易因 離子撞擊、在大電流下的電阻加熱、於該裝置中因爲絕緣 破壞所造成的嚴重損傷而受損，以及製造大面積裝置既困 難且成本高昂。 在大約1 9 8 5年時’發現可以生長金剛石的薄膜， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一 4- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 B7 五、發明説明（\ 以提供名義上平坦的場致發射器——即，不需要特意設計尖 端的場致發射器。Wang等人的報告指出（Electron. Lett.，27, pp 1 459- 146 1 ( 1 99 1 ))，可由電場低至3 MV m·1的大面積金剛 石膜獲得場致電子發射電流。某些技術人員認爲這種性能 係結合金剛石小平面的電子親和力低以及局部偶然石墨介 入物所致（X u，L a t h a m a η d T z e n g: E1 e c t r ◦ η. L e 11., 2 9, p p 1 5 96- 1 59 ( 1 993))，不過已有其他解釋提出。自此一發現開 始，其他硏究者已報告提出主要由石墨形成的成功場致電 子發射器以及對應顯示裝置，諸如Tcherepanov等人（〗.Vac. Sci. Technol. B 13，2· ρρ· 482-486( 1 995))。此外，已有報 告提出其他薄膜可於低閥限場之下發射場電子，包括非晶 相碳與非晶相矽材料（Silva等人，J. Vac. Sci. Technol. Β，17, 2， ρρ·596-600(1999)) 〇 與此相關但是係由硏究伴隨著真空中之電極間的電擊 穿之機制產生的著作（例如Latham and Xu，Vacuum，42,18, PP 1173-1 18 1(1991))，已知電子會離開作用位置的較平坦表 面’此等作用位置係金屬一絕緣體一真空（Μ I V )結 構°此等結構係包埋介電粒子或是位於絕緣體補片上的導 電、薄片所製得，此等補片係諸如該金屬的表面氧化物。在 兩種情況下’該電流係由一種熱原子法產生，其加速該電 子’造成該表面電位障壁上的準熱離子發射。其詳細描述 方< 科學文獻當中，例如L a t h a m，H i g h V ο 11 a g e V a c u u m

Insulation，Academic Press ( 1 995)。只有最近來修正此等教 示並應用於創造場致電子發射器，其可當作有用的真空 ^^—------ 本紙張尺度適用中酬家標準（CNS ) A4a格（2似297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明説明（A 密封裝置般操作（T u c k，T a y 1 o r a n d L a t h a m (G B 2 3 0 4 9 8 9))。 該教示指出此種發射作用是包含導電粒子或是半導電 粒子之無機絕緣體層的一般性質。就某種程度來說，這是 真確的，但是後來的教不（Tuck等人’ W〇〇 1 〇 3 1 5 4 )表示，有許多粒子與絕緣體材料的組合，其中需要電 場以獲得發射作用，用於電子裝置時，如此獲得之發射位 置密度與整體均勻度通常可被接受。此外，強調在此等複 合物內的石墨粒子只是範例。 本發明較佳具體實施例的目的係提供經進一步改良的 含石墨場致電子發射器。 本發明較佳具體實施例的目的係提供經改良場致電子 發射材料與裝置，此等裝置可用於包括（尤其是）：場致 電子發射顯示面板；高功率脈衝裝置，諸如電子 M A S E R S與磁旋管；交叉場微波管，諸如c F A ;線 性光束管，諸如調速管；閃光X射線管；觸發放電間隙與 相關裝置；消母用之廣域χ射線來源；真空計；太空航行 器的離子推進器；粒子加速器；燈；自氧產生器；以及電 漿反應器。 根據本發明一實施樣態；提出一種場致電子發射材 料’其係由包括多層原十層之材料製得，其中內層間隔已 擴大。 較佳情況係’此等層呈結晶狀。 此等層可爲湍層狀。 此等層可高度有序層。 I ___________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Α4規格（210x297公釐）一'— --- -6- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1260031 A7 B7 五、發明説明（\ 車父佳情況係，此等層狀材料包括石墨。 該層狀材料可能包括至少一種碳奈米管、碳纖維、破 巴克球簇（Bucky011i〇n )與碳黑。 g亥層狀材料可能包括Μ 〇 S 2、鈦鈣礦、雲母與六方开^ 氮化硼中至少一者。 較佳情況係，該擴大層狀材料呈微粒狀。 聿父{±1丨胃況係’以擴大方向來看，該擴大之層狀材料白勺 粒子大小在〇· 1至1 Ο Ο Ο μιη範圍內。 較佳情況係，以與擴大方向正交之方向來看，該丨廣& 之層狀材料的粒子大小在〇 · 1至4 〇 〇 μιτι範圍內。 較佳情況係，該擴大之層狀材料配置在一平坦基板 上’而且其各層係以與該基板平面大於〇度的角度定向， 此等層大體上與該基板平面垂直定向。 該擴大之層狀材料係一種導電性材料，其至少部分塗 覆~種絕緣材料，以形成Μ I V結構。 較it丨θ況係s亥擴大之層狀材料是—*種導電性材料，其 至少塗覆一種絕緣材料，以形成Μ I Μ I V結構。 較佳情況係，該擴大之層狀材料呈微粒子狀，而且 DBP値在2 0至5 〇〇範圍內。 較佳情況係，該層狀材料係由一種嵌入物擴大，該嵌 入物可導入該材料各層間。 該嵌入物可能不繼續留在該材料中。 該嵌入物中至少一部分留在該材料中。 可於擴大該材料之後，將一種嵌入物導入該材料中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） f請先閑讀背面之注意事項再填寫本頁j 妓· -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7 - 1260031 A7 ____________ B7 五、發明説明（^ ~ 較佳情況係，該材料係藉由印刷法定位。 較佳情況係，該層狀材料係於該材料的固化循環期間 擴大。 該固化作用可在該材料定位於基板之後進行。 本發明擴及製造場致發射材料之方法，包括使層狀材 料的各層擴大之步驟。此種材料可爲根據本發明之實施樣 態中任何一者。 本發明擴及一種場致電子發射器，其係由根據本發明 之貫施樣態中任何一種場致發射材料所形成，而且經排列 以作爲場致電子發射裝置的陰極。 可以排列此種場致電子發射器，以在不施加熱的情況 下發射電子。 本發明擴及場致電子發射裝置，其包括根據本發明實 施樣態之場致電子發射器，以及用以對該場致發射材料施 加電場的工具，因此使該材料發射電子。 此種裝置中，該場致發射材料的固化作用係於該裝置 組裝期間進行爲佳。 ' 上述之場致電子發射裝置可包括一基板’其具有該場 致電子發射器補片的陣列，以及具有孔之對準陣列的控制 電極，該電極經由絕緣層支撐在該發射器補片上方。 較佳情況係，此等孔呈開槽形式。 ’ 上述之場致電子發射裝置可包括一電漿反應器、電暈 放電裝置、無聲放電裝置、臭氧產生器、電子源、電子 槍、電子裝置、X射線管、真空計、氣體塡充裝置或離子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .装· 訂 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 -8- 126〇〇31 Α7 Β7 五、 發明説明（ 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 if進器。 該場致電子發射器可供應操作該裝置用的全部電流。 該場致電子發射器可供應該裝置用之起動、觸發或點 火電流。 上述場致電子發射裝置可包括一*種顯示裝置。 上述場致電子發射裝置可包括一種燈。 該燈基本上是平坦狀。 該發射器可經由鎭流電阻器與一電驅動工具連接，U 限制電流。 該鎭流m阻器可作爲在每個發射補片下的電阻墊。 可在一或多個一維導電軌道陣列上塗覆該發射器材半斗 及/或一種磷，其中該導電軌道陣列係經排列，以藉由電 子驅動工具定址，以產生掃描受照線。 上述場致電子發射裝置可包括該電子驅動工具。 較佳情況係，該場致發射器配置在氣態、液態、固態 或真空環境下。 上述場致電子發射裝置可包括一陰極，其半透光，而 且與陽極的排列關係是自陰極發射的電子撞擊在陽極上， 在該陽極處當成電激發光，經由該半透光陰極，可以看到 該電激發光。 「層離」一辭有時用於本技藝中，係指層狀材料的擴 大，而就本發明目的來說，「擴大」與「層離」二辭及其 衍生字是同義字。 本說明書是參考Μ I V (金屬一絕緣體-真空）與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0:< 297公釐） f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁；> •袭 -訂 -9- 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 B7 _五、發明説明（、 Μ I Μ I V (金屬一絕緣體一金屬一絕緣體一真空）兩種 結構。如同技藝人士所暸解，本文中「金屬」一辭可包括 適用導電材料，而「真空」一辭可包括該材料所配置的任 何環境。本說明書的內容當中，「絕緣體」一辭包括有機 與無機絕緣體二者。 下文將會明白電學用辭「導電」與「絕緣」是相對 的，視其測量基準而定。半導體具有有效的導電性質，而 且確實可用於本發明作爲導電粒子。本說明書內容當中， 倂用導電與絕緣材料時，很明顯地看出導電材料的導電性 是絕緣材料的至少1 0 2倍（至少1 0 3或1 0 4倍爲 佳）。 爲了更暸解本發明以及顯示本發明之具體實施例如何 發揮效用，茲將以實例方式參考附圖，其中： 圖1 a顯示四層原子平面的層狀結晶形成部分； 圖1 b顯示圖1 a中已之層狀結晶部分； 圖1c顯示四個單壁奈米管束之形成部分； 圖1 d顯示一個單壁奈米管束，其中的間隔已變大； 圖le顯示多壁奈米管； 圖1 f顯示經擴大之多壁奈米管； 圖2顯不一*個金屬-絕緣體-金屬-絕緣體-真空 (Μ I Μ I V )場致發射結構實例； 圖3 a顯示一 Μ I Μ I V構造中，位於基板上之所需 要傾斜位置中的完全擴大粒子； 圖3 b顯示一 Μ I Μ I V構造中，位於基板上之所需 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 娘· 、^1 -10- 1260031 A7 五、發明説明（$ ^傾斜位置中的部分擴大粒子； 圖3 c係與圖2 a與2 b類似之圖，但是顯示更具代 _性的未經處理粒子； 圖4顯示在絕緣基質當中的一連串粒子，其未被完全 塗覆； 圖5顯示在絕緣基質中，具有高結構的擴大粒子； 圖6 a至6 d顯示有嵌入物殘留之擴大粒子的個別實 ^ ;以及 圖7 a至7 c表示使用廣域場致電子發射器實例的裝 置實例。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

表 照 對 件 元 ο 要 ο 主 1 3 ο ΊΧ

8 ο IX 2 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 7 8 ο

r-H 2 ΊΧ 層 奈米管 奈米管 粒子 絕緣基質 基板 導電表面 導電粒子 絕緣基質 後觸 基板 擴大粒子 本纸狀度賴f _家縣（CNS ) A規格（別χ 297公翁） -11 - 1260031 A7 B7 五、發明説明 4 8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 17 2 2 2 3 2 4 2 0 2 1 2 7 5 0 0 5 0 1 5 0 2 5 0 3 5 0 4 5 0 5 5 0 6 5 0 7 9 4 絕緣基質 後觸 基板 絕緣層 微粒子間絕緣層 絕緣基質 基板 後觸 嵌入粒子 表層 絕緣體 基板 軌道 發射器層 聚焦柵極層 閘極絕緣體 閘極軌道 發射器單元 電子 可定址結構 玻璃熔塊密封件 陽極板 憐營幕 空間 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -12- 1260031五、發明説明（ 5 2 0 5 2 1 5 2 2 5 2 3 5 2 4 5 2 5 5 2 6 5 2 7 A7 B7 陰極板 導電層 發射層 陽極板 導電層 磷層 玻璃熔塊 間隙 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖1中之材 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 如石墨。此等層 在所顯示之名義 層上的測量點位 當該間隔大於1 書內容中「擴大 入的區別是，表 入某種元素（或 元素。 圖1 c當中 1 0 4表示。不 直間隔係視於何 間的間隔不是「 外’而且更適切 料說明本說明書內容的擴大原理。圖i a 顯示一種包括排列在不連續層1 0 0中之原子的材料，例 之間的垂直距離稱爲「d間隔」i i。 上爲平坦且平行之板的情況下，不論在該 於何處，該d -間隔相同。圖1 b顯示， 0 2時，該材料係經擴大。此即爲本說明 」、其同義詞及衍生詞的意思。與表面嵌 面嵌入當中可以僅在一種材料的表面區導 是其他構份），使該材料表面處得到該種 ，一組奈米管1 0 3的中心至中心間隔以 過，很淸楚地看出，此等圓形層之間的垂 處測量而持續變化。換句話說，該奈米管 d -間隔」，實際上是在該結晶的晶域 地描述爲一個孔。因此，放大此距離（如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 1260031 A7 --_______ B7

五、發明説明（I 圖1 d所示的1 0 5 )並非本說明書內容之「擴大」、其 丨司義詞及衍生詞所意指的意思。 圖1 e顯示一個多壁奈米管1 〇 8，其實際上是圖 1 a與1 c的結合。因此，此材料的確具有前後一致的 厂d -間隔」1 〇 7，其中不論在所選定的測量層何處測 量’該間隔是相同的。如圖1 f所示，也可以擴大到 1 0 8，惟此種情況下，各個封密的圓筒中一定產生一個 裂□ 1 0 9 ，以適應直徑的必然擴大。此種結構就是本說 明書內容之「擴大」、其同義詞及衍生詞的意思。 圖2所示之場致發射材料包括在無機電絕緣基質2中 的導電或半導粒子1 ，其呈Μ I Μ I V結構（此情況下， 厚度5與6均大於零）或是Μ I V結構（此情況下，厚度 5或6是零）。該材料配置在具有導電表面4的基板3 上，通常稱爲「後觸」。 粒子1當中某些或全部係平面間空間擴大的層狀粒 子，將於下文中更詳細說明。更明確地說，此等粒子當中 某些或全部可包括經擴大石墨（EG)，其可包括石墨嵌 入化合物（G I C ) 。G I C又習知爲石墨插入化合物， 在本說明書內容中，「嵌入」與「插入」及其衍生詞是是 同義詞。 圖3 a顯示完全擴大粒子1之情況，圖3 b顯示在 Μ I Μ I V或Μ I V構造之基板3中，以所需要傾斜位置 站立的部分擴大粒子1之情況。此種傾斜是加強場致電子 發射所需要的，而且使用以此種方式處理的粒子比使用習 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 说衣 ^ 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14- 1260031 A7 B7 -- ---—*— 一 1 · 1 " 1 . , 五、發明説明（]2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 用未經處理的粒子1 (如圖3 C )更容易發生場致電子發 射。在各情況中’箭頭表示與基礎平面平行的方向，因此 表示露出最接近真空界面之稜形面那一端。更明確地說， 各個粒子1可能爲石墨，其未經處理形式通常呈薄片狀 (圖3 c )，當其係經擴大石墨或是部分擴大石墨（分別 如圖3 a與3 b )時，其更接近立方形。 圖4顯示位於絕緣基質8內的一連串導電粒子7，其 未被完全塗覆。雖然我們無法預期未經塗覆粒子表面是特 別良好的電場發射器，但這並不表示某些或全部粒子是具 有擴大平面間空間之層狀粒子的情況也如此。更明確地 說，某些或全部粒子7可爲擴大石墨（EG)，其可包括 一種石墨嵌入化合物（G 1C)。厚度9爲零以上，分隔 個別粒子7與底下的後觸1 0與基板1 1。 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 圖5說明在一般後觸1 4與基板1 5上之絕緣基質 1 3中，使用具有高結構之擴大粒子1 2的優點。此情況 中，某些具有絕緣層1 6與1 8之MI V與MIMI V結 構具有微粒子間絕緣層1 7。該絕緣體的先質可以深深吸 附在該擴大或層離結晶結構、該孔結構與包藏體積1 9內 的事實，意指可以順利地改良此等複合微粒子結構的電子 表面輸送性質。可以訂製此等構造以提供位置密度與電流 均勻方面的良好場致電子發射性質，同時使瑯上面保持可 接受之光滑表面，以建構例如三極體裝置。 圖6 a至6 d顯示後觸2 4上之絕緣基質2 2中的嵌 入粒子2 0數種狀態的實例，該後觸2 4本身位於基板 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇:<297公釐） -15- 經濟部智慧財產局a (工消費合作社印製 1260031 B7 五、發明説明（入3 2 3上。圖5 a與5 b中，因微粒子狀鹽或其他絕緣材料 之故，該粒子粒子連續表層2 1 ，而且本身呈Μ I V (厚 度25與26之一爲零）或MIMIV (厚度25與26 均大於零）結構。圖5 b中，僅藉由沉澱鹽或絕緣材料供 應發射用之上層絕緣體，而基質2 2則僅在後觸處提供黏 著力與作爲絕緣層之可能性。圖6 c與5 d當中，沉澱層 呈非連續狀，而且提供絕緣體2 7之隔絕點，其完全或部 分包埋於基質2 2當中。 石墨是一種各向異性結晶材料，其係得自規律堆疊的 個別「石墨（graphene )」層（圖la，項目1〇〇)。此 等係由排列成規律六方形網狀的s p 2雜化碳原子所組成， 形成平坦片狀，理論上其可以無限延伸。此等層的堆疊通 常呈低能量排列，如此A層中有5 0 %的原子位於B層的 孔上方。此種A B A B…規律堆疊係由凡德瓦耳斯力弱鍵 結，並習知爲三週期石墨結構，該A B層間隔爲 ◦ · 3 3 5奈米。以結晶術語來說，此種間隔習知爲「d 一間隔」。圖1 a顯不d -間隔1 〇 1 。例外實例係大型 單晶石墨之高度有序熱解石墨（HOP G)，這是因爲石 墨經常顯示各種微結構瑕疵程度之故。首先，其可能會接 受A B A B…堆疊順序中的錯誤，造成A B C A B…，其 亦爲一種合理的低能量排列，而且是石墨的菱面體。亦可 能存在其他堆疊錯誤，惟例如A B A A B A是能量上不適 當者。 若此等層彼此隨機輪轉，則可能沒有層間對應。如此 本纸張尺度適用巾関家辟（CNS ) 44祕（2!GX297公^ ~~^ ~ ~ -16- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智^財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 B7五、發明説明（ 提供湍層或雙週期結晶，其最小層間間隔爲〇 . 3 4 4奈 米。這是一種非結晶石墨形式，惟嚴格來說，其應爲非晶 相，因爲個別層平面仍然保持完整。 不過，可以暸解若該完整層面積很大，不良的層間重 合在能量方面更不適當。因此，在湍層石墨當中，該個別 層平面通常破裂而且較小（例如，直徑1 - 5奈米），而 且深度僅有數（例如4或5 )層中間堆疊層深。其可秩爲 基本結構單位（B S U )。相鄰的單位可能相互去定向， 形成由許多微晶所組成的固態含碳材料。碳黑很接近此種 形式，但是在層與層之間以及相鄰微晶之間容易顯示出某 些連續性。因此，本說明書中的「石墨」一辭係指已發現 某些碳係呈s p 2雜化構造的任何含碳材料。 擴大或層離石墨（E G )將此種經強化層間間隔發揮 到極致（圖1 b顯示介於石墨（graphene )層1 〇 〇之間的 經擴大d -間隔1 0 2 )，而且在其他領域中已習知多年 (見下文）。其係將材料嵌入該等平面之間，然後以進行 反應強迫此等平面擴大的方式處理該複合物所製得。實例 之一係嵌入一種酸，然後對該酸進行氣體形成反應，當氣 體逸出該結晶時，會迫使石墨層分離（B0ιn·elle等人，Mol. Cryst· Liq. 310，pp32 1 - 326( 1 998 ))。結果可能是大幅擴大 的材料’有時稱爲「蟲形」（若大部分或全部結晶均發生 擴大），或者若僅有粒子邊緣進行此作用，該效果則爲外 寬式或綻開邊緣。此等情況當中，在處理期間，該嵌入物 通常會自該結晶處流失，留下呈經改良狀態的主要純石 本紙^良尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2]0X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,装·

、1T -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 B7五、發明説明（)j5 墨。不過，某些或全部嵌入物可能會留在該層間間隔當 中’形成石墨嵌入化合物（G I C )，下文將更詳細說 明。 E G的訴求與用途習慣是用於防火材料，其中經嵌入 石墨形成聚合物複合物的一部分，當該材料受熱時，會發 生最終擴大反應。結果是該材料體積迅速擴大，並因該泡 沬狀材料的作用以及可能同時釋放滅火劑，而將火熄滅 (Dietzen 等人，DE 19856759)。經擴大石 墨亦用於形成低密度傳導聚合物複合物（Chung， U S 4 7 〇4 2 3 1 ).，以及藉由加壓並將該擴大材料熔成片狀 物，形成撓性石墨箔（Mercurin， US598545 2 )。此等片物可作爲例如墊料（Atkinson等人 GB2128270)。 本發明具體實施例之一係在於改良由石墨粒子組成的 MI V或MIM I V裝置，其係以EG或EG先質取代此 等石墨粒子進行改良。此具體實施例顯示於圖3 a與 3 b。主要改良之處在於，經擴大石墨薄片具有更像立方 體的形態。如此使其具有可以站立之更廣大基底，因此稜 形平面優先與基板垂直定向，故朝向真空界面傾斜。習用 之石墨薄片與針狀物（最常見的石墨粒子形式）的稜形平 面露出面積可能較窄，因此與基板角度通常較平坦。此實 •例示於圖3 c。 製造小粒子E G可能不容易，但是並非不可能（]u n g & Lorenz EP0085 1 2 1)，因爲該嵌入物可能在其有 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規袼（210X 297公釐） -18- 經濟部智惡財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 B7 ___ 五、發明説明（)6 機會於結晶上受到壓力之前就會漏出。因此，可藉由將此 等較大形擴大前粒子碾磨成更適於Μ I V或Μ I Μ I V裝 置的較小薄片，製備適用的E G。不過，這不排除在該材 料中直接使用較大粒子，其通常爲蟲形。已使用各種嵌入 物製備E G ，諸如硝酸，然後加熱至例如6 0 0 °C (Girkant W 0 9946437 )。此等材料已與有機複合 物結合，有時於該材料的固化過程期間進行擴大處理 (Chung, US4946892)。本發明具體實施例之一 容許在場致電子發射複合物之絕緣基質固化期間進行擴大 作用。其可於製造場致發射裝置一部分期間進行。 雖然不希望受到特定模型或理論限制，但是一般認 爲，使用EG作爲MI V或MIMI V裝置中之經改良粒 子，會產生石墨結晶的經改良結構。該經擴大間隔容許絕 緣體穿透到粒子表面，並促進粒子與絕緣體之間的電子傳 送。此種經改良傳送包括電子自石墨發射到表面絕緣體 (MI V或MIMI V)表現更佳，及/或電子自後觸 (Μ I V )或下面的絕緣層（Μ I Μ I V )射到石墨內的 表現有所改良。 在E G結構形成與真空的直接界面之情況下（圖 4 )，由於延伸到真空的石墨結晶之外寬式與露出稜形平 面’電子發射作用得以加強。藉由正確地調整該擴大比， 表面波形函數係以與延伸至自由空間之開放式奈米管（其 亦被視爲良好的場致發射材料）相當類似方式振盪 (Rinzler 等人，Science，269，ρρ]550-1552，1995 )。使用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-19- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 1260031 A7 ____ B7五、發明説明（ 奈米管的缺點係，製造極均勻批次的其成本高昂，而且很 難調整到適於結合到三極體結構內的長度與直徑。反之， 可以藉由調整粒子大小、嵌入程度與所使用之嵌入物種 類，控制該擴大石墨粒子。因此，可以控制該石墨平面擴 大的程度，並使其最適於場致電子發射。 雖然發射器係由導電粒子與絕緣材料接觸的組合製得 爲佳，但是本發明具體實施例亦包括無伴隨絕緣體，但是 直接發射入真空的發射材料（例如，經擴大石墨）。 在本說明書內容中，可以其他粒子或材料取代石墨， 此等其他粒子或材料係形成層狀結構，因而可以將外來材 料容納在其微結構當中，使得可以進行擴大過程。此等物 質包括但不局限於Μ 〇 S 2、鈦鈣礦、雲母與六方形氮化 硼。雖然此等受體粒子可爲初生形式之絕緣體，但是隨後 處理可提供其導電或半導電性質。其亦包括此等材料的結 晶變體，其結晶當中保有某種程度的層狀結構。此等物質 包括纖維（例如碳纖維）、多壁奈米管（例如，碳奈米 管）、球簇（碳巴克球簇（Buckyonions ))與湍層材料 (例如碳黑）。圖1 c顯示一組單壁奈米管（1 0 3，其 中心至中心間隔1 0 4。不過，如前文解釋，即使材料可 進入該孔內，並發揮擴大該材料整體尺寸之作用，如圖 1 d之中心至中心間隔1 〇 5變大，此並非「d —間 隔」。在本發明內容中，奈米管實例中的真正嵌入作用及 其擴大作用與圖1 e之1 〇 6處所示的多壁奈米管有關， 其層至層（d —間隔）係以1 0 7表示。圖1 ί的1 0 8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -20- 1260031 A7 _ B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 處顯不出司以擴大該材料，增加層至層（d -間隔）。不 過，必須注意的是，爲了達到此需求，該同心石墨 C graphene )層必須破裂。此於高度結晶奈米管中比相似排 列但是有序度較低的碳纖維中更難。 經濟部智慧財產局a(工消費合作社印製 本發明較佳具體實施例提供一種使用「高結構」E G 改良場致電子發射器的方法。微粒子材料的技藝人士將會 暸解「高結構」一辭係指具有高表面積及/或複合形態的 粒子。本文內容中，擴大前的粒子最好具有高結構。通常 使用一種標準製程（AST M D 2414 — 91)， 藉由測量磷酸正二丁酯（D B P )之吸收性定量此等材 料，並形成高D B P値。例如，特定品牌的石墨粉末、含 奈米管材料、含碳煙灰與碳黑具有此等性質，惟其同樣適 用於其他適當的粒子爲基底系統。其亦可應用於經適當處 理的含奈米管材料（但不局限於碳），其中該單壁與多壁 管通常封密的空隙已被打開，並且可以塡充。在此情況 中，結合該絕緣層與該材料內的空隙、縫隙、孔或空間， 以及該經擴大層。各情況當中，該方法極能產生內部與周 圍Μ I V或Μ I Μ I V結構（圖4 )。 如上述，用以擴大層狀粒子的嵌入物可留在該粒子 內’形成一種嵌入化合物。其可應用於所有上述與說明之 本發明實例。 已習知石墨嵌入化合物（G I C )數年。此等化合物 係由肷入或結合在石墨（g r a p h e η e )層之間的材料組成，其 可在嵌入物與石墨的電子結構之間形成電子交換。第一段 本紙張尺度適用中國國家標準（CNi ) A4規格（210X297公釐） ' -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 B7 --—————-~~——------- "" " —-~~- ____ 五、發明説明（）9 G I C具有石墨與嵌入物的交替層（例如 A I B I A I…），第二段G I C的各層嵌入物均具有兩 層石墨，而第三段G I C具有三層石墨等等。 其訴求習慣上是作爲輕質導體，如同某些G I C顯示 比標準石墨還強之導電性（〇blas and Su，U S 4 6 0 4 2 7 6 )。最近，已考慮將其用於鋰電池（Ν· TSUy0Shi等 人，US 5017444)與燃料電池，包括嵌入石墨 粒子（Wakayama 等人，US 5888430)。不過， G I C的安定性一直是個問題，技藝人士明暸將G I C導 入真空或加熱彼，或是進行此二作用時，通常存在使該嵌 入物流失的驅動力。

Kennel 等人（Tri-service/ NASA Cathode Workshop， Presentation 8.2，1 994 )報告指出，將特定G I C加熱至超 過2 5 0 °C之溫度，然後操作時，嵌入鉋之石墨化合物會 提供反常的高電流電子發射。不過，該揭示並未教示供擴 大的任何需求。根據此揭不之嵌入目的僅在於石墨表面處 或是接近石墨表面提供正鉋離子，其會降低局部電子親和 力。這點本身並不是令人意外的結果（Lang，Phys Rey. B，4, pp 4234-4244 (1971)) °' 還有將絶沈積在單壁奈米管束之其他類似參考文獻 (Wadhawan 等人，Applied Physics Letters, 78, pp. 108-1 1 0(2001 ))。此等硏究係以可降低自材料發射場致電子之有 效閥限的被吸附物用辭討論鉋，並參考Suzuki等人（Applied Physics Letters 76，ρρ· 4007-4009(2000))。雖然該金屬吸附 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-22- 1260031 A7 B7 經濟部智慧財產局B(工消費合作社印製 五、發明説明（& 至個別奈米管間之孔內的方法被描述爲嵌入作用，但是其 還是未教示與擴大有關的方面，並且完全依賴鉋會殘留下 來，提供該複合物較低之有效功函數。此狀態係由圖1 c 與1 d圖示，如前文討論，其並未提供本說明書內容當中 的擴大作用。 可以以包括G I C之E G取代石墨粒子，改良由石墨 粒子組成的Μ I V或Μ I Μ I V裝置。其可爲例如圖2所 示者。技藝人士將會認可兩個關鍵點： 許多未受保護G I C在場致電子發射必需之真空環境 下不安定，因此該Μ I V與Μ I Μ I V結構提供將G I C 包在絕緣體中的重要方式，如此當於某一裝置中操作時， 可以確保其安定性。 G I C的形成效率大部分是視該先質石墨表面積對體 積比與其結晶性而定。結晶性良好、小型而且表面積大之 粒子與薄片通常較容易而且較迅速完入嵌入。亦已發現此 等石墨受體是習用MI V與ΜΙΜΙ V場致電子發射器的 範例構份。因此，G I C變體可以非常有效地應用於現有 配方中。以金屬鹵化物嵌入小型石墨薄片，以獲得高度導 電性應用（Oblas and Su， US 4 6 0 4 2 7 6 )。 由在包括至少一部分欲嵌入之所需元素的蒸氣當中預 處理該石墨，達到該嵌入物作用最佳。其他方法包括但不 局限於，將該石墨浸在一種可溶性鹽之溶液當中，該溶液 包括至少一部分所需元素，或者將該石墨浸入熔融材料 內’該熔融材料包括至少一部分所需元素。通常可藉由加 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •專 、?! 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X 297公釐） -23- 1260031 Α7 Β7

五、發明説明（L 熱與攪動該混合物，進一步促進該嵌入方法。 僅有某些元素與化合物可以真正地嵌入石墨中°不 過，由Μ I V或MIMI V透視圖來看，此等嵌入物可爲 導體以促速電子傳送過該石墨；正電性元素以加強電子自 石墨射入該絕緣體（Μ I V與Μ I Μ I V );負電性元素 以加強電子自後觸射入該石墨（Μ I V )，或是降低絕緣 層（Μ I Μ I V );或是可加強發射特徵的其他元素，或 是與所存在的其他元素結合，形成具有此種性質的化合 物。在石墨結構與該絕緣體形成直接界面之情況中，由於 嵌入元素降低延伸至絕緣體內之石墨結晶之接觸稜形平面 的功函數，加強了電子發射作用。此可能是該嵌入合金的 物理功函數，或依靠石墨平面、嵌入物與該絕緣體之間電 子帶偏移的明顯功函數。 在石墨結構與真空形成直接界面，而且對應G I C在 此種環境下很安定之情況下（例如，圖3 )，由於該嵌入 元素降低延伸至真空內之石墨結晶的露出稜形平面的功函 數，故加強電子發射。其可能是該嵌入合金的物理功函數 或是介於石墨平面、與該真空之間之電子帶偏移所造成的 明顯功函數。 在本說明書內容內，除了層擴大所獲得的強化之外， 還有此種電子發射的強化。 由於殘留的嵌入物會促進電子輸送通過粒子表面或是 其周圍，故可以加強場致發射性質，加強自該粒子發射電 子至絕緣體內、加強自後觸將電子發射至該粒子內（ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 束-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 -24 - 1260031 A7 B7 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（ Μ I V )，或是降低絕緣體區（Μ I Μ I V )，或是加強 該發射特徵，或與其他存在的元素結合，形成具有此種作 用的化合物。亦可藉由作爲電絕緣本質的表面鹽或是沉澱 物強化電子發射，並且形成部分或是產生Μ I V或 MIMIV結構。其並不需要連續層（圖5 c與5d)。 本發明較佳具體實施例的重要特性之一係，可於調配 成墨水之前廉價地預處理石墨粒子的能力。例如，嵌入物 可爲相當便宜而且呈液態，如此容易與導電粒子混合。不 過，也可以使用較昂貴的技術，諸如離子植入、電子光束 照射、電漿浸漬與其他電漿處理各粒子，以進行嵌入作 用，然後進行擴大作用。 用以層狀材料的嵌入物在擴大期間大致上完全被驅 出，或是於擴大之後部分或大致上完全保留下來。在所有 情況下，可以在擴大之後，於層間導入額外嵌入物，進一 步加強該材料的電子發射性質。 在本發明各具體實施例中，擴大層狀材料時，可以達 到擴大整體材料，或是可以達到僅擴大部分材料——特別是 該材料邊緣，以提供綻開邊緣效果。 如上述，本發明各具體實施例可提供至少部分與絕緣 體接觸之層狀材料，該絕緣體包括有機與無機絕緣體二 者。 本發明較佳具體實施例目#的在於提供成本效益之廣域 場致發射材料與裝置，此等裝置可用於包括（尤其是）： 場致電子發射顯示面板；高功率脈衝裝置，諸如電子 、-s-T» (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -25 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1260031 A7 _ B7 五、發明説明（& M A S E R S與磁旋管；交叉場微波管，諸如c F A ;線 性光束管’諸如調速管；閃光X射線管；觸發放電間隙與 相關裝置，消毒用之廣域X射線來源；真空計；太空航行 器的離子推進器；粒子加速器；燈；自氧產生器；以及電 漿反應器。 此等裝置其中某些實例係圖示於7 a、7 b與7 c。 圖7 a顯示可定址閘控陰極，其可用於場致發射顯示 器。該結構係由一絕緣基板5 0 0、陰極軌道5 0 1、發 射器層502、與陰極軌道電連接之聚焦柵極層503、 閘極絕緣體5 0 4與閘極軌道5 0 5組成。所選定之陰極 軌道上的負偏壓以及閘極軌道上之伴隨正偏壓會使得電子 5 0 7射向陽極（未圖示）。該建議讀者參考本發明人的GB 2 3 3 0 6 8 7 B，以獲得構成場效裝置之額外細節。 各層當中的電極軌道可以合倂，形成可控制但是非可 定址電子源，發現其可應用於很多裝置中。 圖7 b顯示上述可定址結構5 1 〇如何與玻璃熔塊密 封件5 1 3接合成透明陽極板5 1 1 ，其上具有一磷螢幕 5 1 2。抽空介於板之間的空間，形成一顯示器。 雖然未求容易說明與解釋起見，已描述單色顯示器， 但是技藝人士很容易明白，具有三部分像素的對應排列可 用以產生彩色顯示器。 圖7 c顯示使用上述材料之一的平坦燈。此種燈可用 以提供液晶顯示器的後照光，不過不排除其他用途，諸如 張尺度適用f國國家標準（CMS ) A4規格（：η〇 Χ297公釐) "~~' ^ ' -26- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局g(工消費合作钍印製 1260031 A7 B7____五、發明説明（ 室內照明。 該燈包括一個陰極板5 2 0，其上沈積一層導電層 5 2 1與發射層5 2 2。上述（以及描述於本文所提及之 本發明人其他專利申請案）之鎭流層可用以改善發射均勻 度。透明陽極板5 2 3上具有一層導電層5 2 4與一層磷 層5 2 5。玻璃熔塊5 2 6環密封並隔開這這塊板。抽空 間隙5 2 7。 熟悉本技藝的技藝人士很容易明白此等裝置的操作與 構造，其僅爲本發明具體實施例諸多應用的實例。本發明 較佳具體實施例的重要特性之一係，當該場致電子發射材 料形成墨水時可以印刷成電極圖案的能力，因此可以適當 成本創造出諸如顯示器所需之複雜多發射器圖案。此外， 可印刷能力使得可以使用諸如玻璃等低成本基板材料；然 而微設計結構通常建構在高成本單晶基板上。本說明書內 容中，印刷意指以已界定之圖案放置或是形成發射材料之 方法。適用之方法實例係（尤其是）：網版印刷；靜電複 印術、照相平版印刷術、靜電沈積、噴塗、噴墨印刷與膠 版平版印刷術。 應用場致發射材料作爲墨水之後，於隨後墨水的固化 期間發生層狀材料的擴大作用。例如，於個別裝置的組裝 方法之熱處理步驟期間，進行此一作用爲佳。 本發明的具體裝置可製成各種尺寸，大小皆可。其尤 其適用於顯示器，自單像素裝置至多像素裝置，由微型顯 示器至大尺寸顯示器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 專 訂 -罐- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公f ) -27- 1260031 A7 B7 經濟部智慈財產局g(工消費合作社印製 五、發明説明（^ 本發明之較佳具體實施例係冷陰極裝置--即，該場致 發射材料爲該裝置陰極的一部分，而且排列成毋須在高溫 下即可發射電子，因此不需要加熱。 本說明書內容中的冷陰極材料是一種在或是接近室溫 下’電子場致發射至真空內（或是其他環境）的材料。這 裡的室溫意指2 5 °C，而接近室溫意指在〇 °c至1 〇 〇 °C °不過，本發明人不排除冷卻或加熱該材料，使其於其 他溫度下或是其他環境中操作。 本說明書當中，動詞「包括」一辭的一般字典意義係 表示非排他性的包含。即，使用「包括」一字（或其任何 衍生字）係包括一或多種特性，不排除亦包括其他特性的 可能性。 除了此等特性及/或步驟中至少某些會互相排他的組 合以外，本說明書中所揭示的所有特性（包括附錄申請專 利範圍、摘要與圖式中任何一者）及/或所揭示之任何方 法或處理的所有步驟，可以組合成任何組合。 除非另有說明，否則本說明書中所揭示的各種特性 (包括附錄申請專利範圍、摘要與圖式中任何一者）均可 被可替代特性取代，用於相同、同等或類似目的。因此， 除非另有說明，否則，所揭示之各種特性均僅爲相等或類 似特性總稱的實例之一。 本發明並並限制前術具體實施例的細節。本發明擴及 本說明書中揭示的特性中任何新穎者或是任何新穎組合 (包括附錄申請專利範圍、摘要與圖式中任何一者），或 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，考

、1T 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -28- 1260031 A7 B7 五、發明説明（“ 穎 新 何 任 或 者 穎 新 何 任 的 驟 步 之 ΓΠ 二 理 處 或 法 方 何 任 示 揭。 所合 是組 -----------嚷-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -29-

Claims (1)

1260031 煩諳委員明示，本案修正後是否變更原實質内容

、申請專利範圍 iw f牛 3a: 第911〇472〇號專利申請案 中文申請專利範圍無劃線替換本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 民國92年1〇月15日修正 1·-種場致電子發射材料’其係由—種層間間隔已 經被擴大之包括原子層的導電材料所形成，其中該導電材. 料至少部份被塗覆以絕緣材料以形成MIV或MIMIV結構。 2 ·如申請專利範圍第i項之場致電子發射材料 中此等層呈結晶狀。 3 ·如申静專利範圍第2項之場致電子發射材料 中此等層呈揣層狀。 4 ·如申請專利，範圍第2項之場致電子發射材料 中此等層係高.度有序層。 5 .如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料 中該層狀材料包括石墨。 6 .如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料，其 中該層狀材料包括碳奈米管、碳纖維、碳巴克球簇與碳黑 中至少一者。 ’ 7 .如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料，其 中該層狀材料包括Μ 〇 S 2、鈦鈣礦、雲母與六方形氮化硼 中至少一者。 8 ·如申請專利範圍第1或2項之場致電子發射材 料，其中該經擴大層狀材料呈微粒子狀。 9 ·如申請專利範圍第3項之場致電子發射材料，其 中以擴大方向來看，該經擴大層狀材料的粒子大小在 其 其 其 其 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，絮· " I 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 〇 · 1至1〇〇〇μηι範圍內。 1 0 ·如申請專利範圍第3項之場致電子發射材料， 其中以與擴大方向正交之方向來看，該擴大之層狀材料的 粒子大小在〇 . 1至4 Ο Ο μηι範圍內。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料， 其中該經擴大層狀材料係位於平坦基板上，其各層係定向 於與該基板平面呈大於0度之角度。 1 2 ·如申請專利範圍第5項之場致電子發射材料， 其中此等層係定向成實質上垂直於該基板平面。 . 1 3 ·如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料， 其中該經擴大層狀材料呈微粒子狀，而且D Β Ρ値在2: 0 至5 0 0範圍.內。 1 4 ·如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料， 其中該層狀材料係經·由將嵌入物導入該材料的各層間而進 行擴大作用。 1 5 ·如申請專利範圍第1 〇項之場致電子發射材 料，其中該嵌入物不會留在該材料內。· 1 6 ·如申請專利範圍第1 〇項之場致電子發射材 料.，其中至少某些嵌入物留在該材料內。 1 7 ·如申請專利範圍第i項之場致電子發射材料， 其中於擴大該材料之後’將嵌入物導入該材料各層之間。 .1 8 .如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料， 其中藉由印刷法將該材料定位在基板上。 1 9 ·如申請專利範圍第1項之場致電子發射材料， 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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申請專利範圍 其中該層狀材料係於該材料的固化循環期間擴大。 2 0 ·如申請專利範圍第1 9項之場致電子發射材 料，其中該固化發生於該材料定位在基板之後。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 1 · —種場致電子發射器，其係由申請專利範圍第 1項之場致電子發射材料所形成，並且排列作爲場致電子 發射裝置中的陰極。 2 2 .如申請專利範圍第2 1項之場致電子發射器， 其經排列以在毋須加熱之下發射電子。 2 3 · —種場致電子發射裝置，其包括一種如申請專 利範圍第2 1或2 2項之場致電子發射器，以及用以對該 場致發射材料施加電場的工具，因此使該材料發射電子。： 2 4 ·如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝 置，其中該場致發射材料係如申請專利範圍第1 9項，而 該固化作用係於該裝置組裝期間進行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 5 ·如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝 置，其包括一基板，其具有該場致電子發射器補片的陣 列，以及具有孔之對準陣列的控制電極，其中該電極經由 絕緣層支撐在該發射器補片上方。 2 6 _如申請專利範圍第2 5項之場致電子發射裝 置，其中該孔呈開槽形式。 2 7 ·如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝 置，其包括電漿反應器、電暈放電裝置、無聲放電裝置、 臭氧產生器、電子源、電子槍、電子裝置、X射線管、真 空計、氣體塡充裝置或離子推進器。 -3 - 本紙張尺渡適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） ^60031

、申請專利範圍 2 8 ·如申請專利範圍第 項之場致電子發射裝 置， 流。 其中該場致電子發射器供應操作該裝置用的全部電 置 * 2 9 _如申請專利範圍第2 3 其中該場致電子發射器供應起動 3 0 ·如申請專利範圍第2 3 其包括一顯示裝置。 項之場致電子發射裝 、觸發或點火電流。 項之場致電子發射裝 .如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝 置’其包括一種燈。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1 置’其中該燈大致上呈平坦狀。 3 3 ·如申請專利範圍第2 3 S ’其中該發射器係經由一鎭流電 接’以限制電流。 3 4 ·如申請專利範圍第3 3 # ’其中該鎭流電阻器係作爲在每 墊〇 項之場致電子發射裝 項之場致電子發射裝 阻器與電驅動工具連 項之場致電子發射裝 個發射補片下的電阻 -- (請先閱讀背面之注意事項存填寫本X) 、11· 鎚濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 5 ·如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝 置，其中可在一或多個一維導電軌道陣列上塗覆該發射器 材料及/或一種磷，其中該導電軌道陣列係經排列，以藉 由電子驅動工具定址，以產生掃描受照線。 3 6 .如申請專利範圍第3 5項之場致電子發射裝 置，其包括該電子驅動工具。 3 7 ·如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - A8 B8 C8 D8 12/0031 Hi ,〇 丨9 ‘、申請專利範圍 置’其中該場致發射器係配置於氣態、液態、固態或真空 的環境下。 3 8 .如申請專利範圍第2 3項之場致電子發射裝置 ’其包括一陰極，該陰極係半透光，而且與陽極的排列關 係是自陰極發射的電子撞擊在陽極上，在該陽極處當成電 激發光，經由該半透光陰極，可以看到該電激發光。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）