TWI258641B

TWI258641B - Stripper composition for photoresist

Info

Publication number: TWI258641B
Application number: TW91134130A
Authority: TW
Inventors: Hong-Sick Park; Sung-Chul Kang; Hong-Je Cho; An-Na Park
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-09-12
Filing date: 2002-11-22
Publication date: 2006-07-21
Also published as: TW200408916A

Description

1258641 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種光阻之剝除劑組合物，明確言之係關於一種可簡化一 TFT-LCD線路與一半導體1C等之閘線路製程之光阻之剝除劑組合物。【先前技術】 LCD線路與半導體1C具有非常細的結構。這些細結構線路係藉由下列步驟加以製備··均句地塗佈或施加一光阻於一基板上之一絕緣層（如一金屬氧化層）或一傳導層（如一銘合金層）上；曝光與顯影該光阻以形成一圖案；及使用一光罩餘刻金屬層或絕緣層。而後，移除光阻圖案以獲致線路。一雙傳導層而非一單金屬層，一般至少包含由鋁或如鋁鈦之鋁合金材料形成之一上層（第一傳導層），與由鉻、鉬、或其之合金材料所形成之一底層（第二傳導層），其係用於如一 LCD之組件中之閘線路之傳導金屬層。近來，具有比鋁-鈥較佳反射性之銀（Ag)係常作為反射電極此即為，隨著用於攜帶式行動電話與PDA(個人數位助 )中尺寸或小尺寸TFT-LCD的成長，銀係被使用於反射型LCD以改善基板的特性。然而，銀比銘更不易加工，且因銀具不好的化學抗性而易被腐餘。此外，銀的釋出引起化學槽之污染並影響接續製程，而引起層厚的縮減與⑶之損失。此間線路之圖案化製程之實例係包含沉積—雙金屬層於一半導體基板上，施加—光阻，曝光，顯景彡，|«第-傳 1258641

耗費相當多的時間。 strip)，及第二傳導層之與去灰後實施，此製程

銘或銀之金屬層。此外， -利咏劑應在高溫與低溫均具有良應不遺留雜質於基板上或不腐蝕如剝除劑係較佳符合環保需求並對人類不造成傷害。為了滿足這些需求，數種光阻之剝除劑組合物已被建立與使用。用於一般生產線之光阻之剝除劑組合物係含有單異丙醇胺（monoisopropanolamine;MIPA)、N-甲基四氫呲洛烧_ (N-methylPyrr〇lid〇ne;NMP)、及卡必醇（carbitol)。雖然此組合物不遺留反應性雜質’但其無法簡化閘製程。對於銀層，過量腐蝕也造成其無法使用此組合物。用於一般大量生產線之光阻之剝除劑組合物係含有單乙醇胺（monoethanolamine;MEA)、N-曱基四氫口此u各燒鋼 (N-methylpyrrolidone;NMP)、丁四醇（butyldiglycol;BDG)、及二甲基亞颯（dimethyl sulfoxide; DM SO)。然而，此組合物係遺留反應性雜質且無法簡化閘製程。此外，無法移除含於剝除劑之DMSO。用於另一方法之光阻之剝除劑組合物係含有單異丙醇胺（MIPA)、N-曱基四氫呲咯烷酮（NMP)、卡必醇、砜 (sulfones)、及乙二醇（glycols)。雖然此組合物不遺留反應性雜質，但無法簡化閘製程。其價格昂貴且無法於生產線之一 20公升容器中製備。 6 1258641 此外，有一光機溶劑如DMF、及組合物具有良好的【内容】本發明係考肩的係提供光阻之—丨大於50%之剝除時f 傳導層之閘製程之育本發明另一目不腐钱如銀之金屬^ 本發明另一目體裝置。為了實現這些物，其係包含20至量百分比之N，N-二1 炱50重量百分比之子酸（gallic acid)。此外，本發明包含使用含有2〇至量百分比之N，N-二ΐ 醇、及〇· 1至1 〇重量之光阻剝除步驟。此外，本發明阻之剝除劑組合物係含有一有機胺、一有一界面活性劑之數種成分。然而，雖然此剝除能力，但無法實現製程之簡化。 [先前技術之問題而完成，本發明之一目奇效能剝除劑組合物，該組合物藉由降低巧以具有簡化TFT-LCD或半導體Ic之雙色力’以改善產率與降低成本。的係經閘製程簡化以有效地改善產率且 &之一製備半導體裝置的製程。的係提供藉由上述之方法製備之一半導目的’本發明係提供光阻之剝除劑組合重篁百分比之單乙醇胺、15至5〇重尹基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide)、15 卡必醇、及0· 1至1 〇重量百分比之沒食係提供一製備半導體裝置之製程，其係 6〇重量百分比之單乙醇胺、15至50重 P基乙醯胺、15至50重量百分比之卡必百分比之沒食子酸之一種剝除劑組合物係提供光阻之剝除劑組合物，其係包含 7 1258641 π主ου董量百分比之單乙醇一矸妝15至50重量百分比之Ν，Ν- 一 Τ基乙醯胺、及15至5〇重量刀比之卡必醇0 此外，本發明係提供一製傜備+導體裝置的製程，其係 b 3使用含有2〇至6〇重量百 θ 刀此之早乙醇胺、15至50重置百分比之Ν，Ν-二甲基乙醯胺、及、。哎及以至50重量百分比之卡必醇之一種剝除劑組合物之光阻剝除步驟。此外’本發明係提供藉由上述之方法製備之一半導體裝置。【實施方式】本發明現將更詳細地加以闡述。為了解決傳統光阻之剝除劑組合物之問題，本發明人明確指明使用有機胺與有機溶劑及調節它們的含量以改善剝 ’、月b力所產生之光阻之剝除劑組合物係可縮減於閘製程中之剝除時間並簡化TFT_LCD之閘製程線等。本發明用於光阻之剝除劑組合物係包含2〇至6〇重量百为比之單乙醇胺（monoethan〇iamine;MEA)、15至5〇重量百重置百分比之卡必醇（carbitol)、及〇·ΐ至1〇重量百分比之沒食子酸（gallic acid)。單乙醇胺於閘製程中剝除光阻而不遺留雜質顆粒。單乙醇胺較佳之含量係為總剝除劑組合物之2〇至6〇重量百分更佳之含1係為35至45重量百分比。若含量低於2〇重量百分比’剝除能力會不足且留下光阻顆粒，但若含量超 8 1258641 過60重1百分比，對光阻之吸收會降低。 n，n-二曱基乙醯胺（DMAc)係為一強溶劑，而其較佳之含篁係為總剝除劑組合物之1 5至50重量百分比，更佳之含量係為25至35重量百分比。若含量低於15重量百分比，會產生低的光阻溶解度，而若含量超過5〇重量百分比，剝除能力會不足。本發明用於光阻之剝除劑組合物係含有卡必醇，其係為一乙一醇單乙醚（diethylene glycol monoethyl ether)。其作為溶解光阻之溶劑，並進一步改善剝除能力。卡必醇之含量較· 佳為15至50重量百分比，更佳之含量係為25至35重量百分比。若含量低於1 5重量百分比，剝除劑組合物無法被吸收於光阻壁中，而若含量超過5〇重量百分比，剝除能力會不足。本發明用於光阻之剝除劑組合物係也含有沒食子酸。沒食子酸係防止於閘製程間作為反射層之銀（Ag)的釋出，藉此防止銀的腐蝕。沒食子酸較佳之含量係為總剝除劑組合物之 0·1至10重量百分比，更佳之含量係為！ 5至3 5重量百分鲁比。若含量低於0· 1重量百分比，銀的腐蝕問題會上升，但若含量超過1 0重量百分比，剝除能力會不足。本發明之一較佳實施例中，剝除劑組合物係包含3 5至 45重量百分比之單乙醇胺、25至35重量百分比之Ν，Ν_二甲基乙醯胺、25至35重量百分比之卡必醇、及15至重量百分比之沒食子酸。剝除劑組合物更佳係包含4〇重量百分比之單乙醇胺、30重量百分比之Ν，Ν-:甲基乙醯胺、重 9 1258641 置百分比之卡必醇、及2重量百分比 ,^ ，又食子酸。本發明用於光阻之剝除劑組合物係也勺人百分比之單乙醇胺、15至50重量百分比^ 2〇一至60重量胺、及15至50重量百分比之卡必醇。，、一甲基乙醯單乙醇胺（MEA)於閘製程中剝除光阻、粒。早乙醇胺較佳之含量係為總剝除劑組合$留雜質顆量百分比，更佳之含量係為35至45重量百八之2〇至60重於20重量百分比，剝除能力會不足且留下匕右含量低 a 1超過60重量百分比，對光阻之吸收會降低。仁右 n，n-二甲基乙醯胺（DMAc)係為一強溶係為總剝除劑組合物之15至5〇 /、乂佳之含量為25至35重量百八^ 刀比，更佳之含量係董里百分比。若含量低於15番Βτ、 Λ- Ια ΐΜ ι> 置^百为比，舍$ 生低的先阻溶解度，而若含量超過5〇產力會不足。百分比，剝除能本發明用於光阻之剝除劑組合物係溶劑中，JL总或 S有卡必醇於有機乙二醇單乙醚。卡必醇係作為溶解光阻之 :I ’並進一步改善組合物之剝除能力。卡必醇之含量較佳 :15至50重量百分比，更佳為25至35重量百分比。若含 ϊ低於15重量百分比，制除劑組合物無法被吸收於光阻壁中而若含量超過50重量百分比，剝除能力會不足。一半導體裝置，較佳為一 TFT_LCD，係可使用本發明之剝除劑組合物藉由移除光阻圖案而加以製備。為了此目的，本發明藉由旋轉塗佈一常見光阻組合物以形成一薄光阻膜於一半導體（玻璃）基板上，其中一傳導性金 10 1258641 屬層已形成於該基板上。對於具有一傳導金屬層之/玻璃基板’其係可使用一具有一雙傳導層之常見基板、一具有一 ITO 層之基板、與一具有一銀反射層之基板，其中具有一雙傳導層之常見基板係包含由鋁或如鋁-鈥之鋁合金材料形成之第一傳導層（上層），與由鉻、鉬、或其之合金材料所形成之第二傳導層（底層）。在這些中間，基板係較佳具有一銀反射層’但本發明並不侷限於此類基板。而後’於半導體基板上之光阻薄膜係暴露於常規曝光條件。舉例而言，可使用之光源諸如ArF與KrF雷射、電子束 (E-beam)、X-ray、EUV、及 DUV。曝光後之光阻薄膜而後係使用一鹼性溶液加以顯影，而光阻圖案係使用本發明之剝除劑組合物並藉由一常見方法諸如沉浸或喷灑加以移除以製備一半導體裝置。而後，半導體裝置係以-有機溶劑如超純水、丙酮或乙醇清洗以去除雜質並乾燥^關於鹼性溶液，可使用之常見鹼性溶液諸如無機鹼（如氫氧化鈉）或季銨溶液（如氫氧四甲銨）。但不侷限於此類溶液本發明之剝除劑組合物係提供一良好之圖案形成，於曝光之前或之後甚至不需硬烘烤與去灰製程。如上所述，本發明用於光阻之剝除劑組合物係使用適當含量之特定有機胺類與特定有機溶液力、無雜質遺留、且經由縮減剝除時間液。其具有良好剝除能

11 1258641 反射/半反半射型技術、PVA、TV等。之後將經由實例與相較之實例加以詳細描述。然而，下述實例僅用於暸解本發明但並不侷限本發明。實例 [實例1與相較實例1 ] 用於一實例1與相較實例1之光阻之剝除劑組合物係藉由表1所示之組合物與含量製備。 [實驗實例1] 實例1與相較實例1之剝除劑組合物係實施於一般使用之TFT閘製程。具1 300埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗佈於具有銀沉積之兩玻璃基板上而形成，而薄膜係藉由曝光並蝕刻銀顯影以獲得一特定圖案。加熱至6〇〇c之玻璃基板而後藉由分別喷灑實例i與相較實例丨之剝除劑組合物於其上而剝除，並以超純水加以清洗。剝除劑之比例示於表1。 12 1258641 _π -分類實例1 相較實例1 含量 (重量百分比） ------ MIPA1 - 10 MEA2 40 NMP3 - 55 DMAc4 30 _^分類實例1 相較實例1 -------- 卡必醇 30 35 沒食子酸 2 剝除時間（秒）浸泡1/2 = 120"/120〃浸泡1/2 = 240〃/240" (註解） 1. MIPA :單異丙醇胺（monoisopropanolamine)

2. MEA :單乙醇胺（monoethanolamine) 3·ΝΜΡ : N-甲基四氫吼口各烧洞（N-methylpyrrolidone) 4.DMAc ·· N，N-二曱基乙酿胺（N，N-dimethylacetamide) 如表1所示，本發明（實例1)之剝除時間（1 2 0 "/1 2 0 ")係為相較實例1之一半。 [相較實例2與3] 現在用於大量生產線之剝除劑組合物係藉由表2所示之組合物與含量加以製備。 [實驗實例2] 13 1258641 實例1與相較實例1至3之剝除劑組合物係實施於以銀作為反射層之一 TFT閘製程。銀之釋出量（於70°C、沉浸形式，單位=ppb)係藉由ICP分析隨時間之變化，而其結果示於表2中。可被處理之光阻沉積玻璃基板數目係也示於表2。 [表2] 分類實例1 相較實例1 相較實例2 相較實例3 含量 MIPA1 - 10 - 10 (重量百分比） MEA2 40 - 20 NMP3 - 55 40 50 DMAc4 30 - - - 卡必醇 30 35 - 13 BDG5 - - 20 - DMS06 - - 20 - 1，1-二氧化四氫遠吩 - - - 20 TEG7 - - - 7 I 沒食子酸 (重量百分比） 2 - - - 銀釋出量 10分鐘 61 3872 225 177 (ppb) 30分鐘 155 8793 876 352 24小時 174 100% 釋出 12983 1451 14 1258641 可處理基板 1500 500 100 0 數目 (註解） 1. MIPA ··單異丙醇胺（monoisopropanolamine) 2. MEA :單乙醇胺（monoethanolamine) 3. NMP : N-曱基四氫说洛烧酮（N-methylpyrrolidone) 4. DMAc : N，N-二甲基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide)

5. BDG ·· 丁四醇（butyldiglycol) 6. DM SO ：二甲基亞颯（dimethyl sulfoxide) 7. TEG :三甘醇（triethylene glycol) 如表2所示，銀的釋出量隨時間增加。於相較實例1中，銀於24小時後1 〇〇〇/〇釋出，而相較實例2與3係也釋出過量的含量。此外，相較實例中之可處理之玻璃基板數目係僅0 至 500 〇相反地，於實例1中，使用沒食子酸係抑制銀的釋出。因此，相較於相較實例1至3，實例1之剝除組合物係具有較佳的銀抗腐姓性。此外，可處理之玻璃基板數目也遠大於相較實例1至3之數目。 [實驗實例3] 具20,000埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗佈於具有銀 %積之一玻璃基板上而形成，而薄膜係藉由曝光並蝕刻銀顯影以獲得一特定圖案。加熱至60°C之玻璃基板而後藉由喷 ;麗實例1之剝除劑組合物於其上而剝除，而玻璃基板係以超 15 1258641 純水加以清洗並以電子顯微鏡觀察。繁】as & 木圃至第le圖係為玻璃基板之左上、左下、中間、右上與右下’、… 1刀疋冤子顯微鏡照片（X 3 0 0 )，其中玻璃基板上於實例]φ J 1 T製備之剝除劑组合物係實施於純銀反射層。 ' 第la圖至第le圖係顯示無雜質顆粒存在且剝除步騍已成功地完成。偏壓值分別為5.87μιη、5>89μιη、5 91|^ 5·83μιη、及5.87μιη，而於此區域間無顯著的差異產生。 [實驗實例4]

。測量隨實例1與相較實例3之剝除劑組合物係於〇及24小時等時間間隔加以蒸發，並施以剝除測試時間變化之偏壓，而其結果示於表3。 [表3] (單位：μιη) 分類起始 1小時 3小時 6小時 24小時實例1 5.83 5.84 5.88 5.86 4 4 5.89 相較實例3 5.89 5.81 5.86 5.93 7.29 如表3所示，本發明（實例丨）之剝除劑組合物係比相較 $ 實例3具有更佳之時間穩定性。 [實驗實例5 ] 實例1之剝除劑組合物係用於真正的TFT_LCD製作程序中由起使步驟至TFT完成，以獲致一 15〇吋pvA與一才反射型DVC(數位錄影機）。實施EDS(electric die sorting電子晶粒排序）測試於產品上，@其結果示於第2圖第3圖。如第2圖與第3圖所示，使用實例1之剝除劑組 16 1258641 合物製備之15.0吋PVADVC與一 3.5吋反射型Dvc係具有良好的電流-電壓（I-V)特性。 [實例2與相較實例4] 對於使用實例1之剝除劑組合物製備之一銀反射層基板係測量其反射性三次（實例2)。而對於使用傳統剝除劑組合物（相較實例4)製備之銀-鈥反射層係測量其反射性二次。 (LCD 5 000 ; BaS04表面反射性=100%)。結果示於表4 [表4] 分類實例2 相輕眚你丨Λ 樣本編號 #1 #2 #3 #1 #2 反射性（％) 246 234 240 195 —— 159 ^—1 如表4所示，本發明（實例1)之剝除劑組合物所製備之基板比傳統銀-鈥基板係具有較佳反射性（234至246%>。 [實例3與相較實例5]

實例3與相較實例5之光阻之剝除劑組合物係藉由表所示之組合物與含量加以製備。 [實驗實例6] 實例3與相較實例5之剝除劑組合物係實施於一般使用之TFT閘製程。具1 300埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗佈於具有銀沉積之一玻璃基板上而形成’而薄膜係藉由曝光並蝕刻銀顯影以獲得一特定圖案。加熱至6〇°C之玻璃基板而後藉由分別喷灑實例3與相較實例5之剝除劑組合物於其上 17 1除’並以超純水加以清洗。剝除劑之比例示於表5。 5] ___ 分類實例3 相較實例5 含量 (重量百分比） MIPA1 - 10 MEA2 40 - NMP3 - 55 DMAc4 30 - 卡必醇 30 35 沒食子酸 2 - 剝除時間（秒）浸泡1 / 2 = 120"/120" 浸泡1/2 = 240"/240〃

(註解） 1.MIPA :單異丙醇胺（monoisopropanolamine) 2·ΜΕΑ :單乙醇胺（monoethanolamine) 3. NMP : N -甲基四氫口此口各烧酮（N-methylpyrrolidone) 4. DMAc : N，N-二甲基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide)

如表5所示，用於實例3之基板之剝除時間（120"/120") 係為相較實例5之一半。 [相較實例6與7] 現在用於大量生產線之剝除劑組合物係藉由表6所示之組合物與含量加以製備。 [實驗實例7] 18 1258641 實例3與相較實例5至7之剝除劑組合物係實施於以銀作為反射層之一 TFT閘製程。銀之釋出量（於70°C、沉浸形式，單位=ppb)係藉由ICP分析隨時間之變化，而其結果示於表6中。可被處理之光阻沉積玻璃基板數目係也示於表6。 [表6]

分類實例3 相較實例5 相較實例6 相較實例7 含量 MIPA1 - 10 - ( 10 (重量百分比） MEA2 40 - 20 - NMP3 - 55 40 50 DMAc4 30 - - - 卡必醇 30 35 - 13 BDG5 - - 20 - DMS06 - - 20 - 1，1 -二氧化四氫邊吩 - - - 20 TEG7 - - - 7 銀釋出量 10分鐘 61 3872 225 177 (ppb) 30分鐘 155 8793 876 352 24小時 174 100% 1 2983 1451 可處理基板數目 1500 500 100 0 (註解） 19 1258641 1. MIPA ·單異丙醇胺（mon〇is〇pr〇pan〇iarnine) 2. MEA ·早乙醇胺（monoethanolamine) 3·ΝΜΡ - N-甲基四氫说？各烧酿i(N-methylpyrrolidone) 4. DMAc : N，N-二甲基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide) 5. BDG : 丁四醇（butyldiglycol) 6. DMS 0 : 一甲基亞石風（dimethylsulfoxide) 7. TEG:二甘醇（triethylene glycol) 如表6所示，銀的釋出量隨時間增加。於相較實例5中，· 銀於24小時後1 〇〇〇/〇釋出，而相較實例6與7係也釋出過量的含量。此外’相較實例中之可處理之玻璃基板數目係僅〇至 500 〇 [實驗實例8] 具20,000埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗佈於具有銀沉積之一玻璃基板上而形成，而薄膜係藉由曝光並蝕刻銀顯影以獲得一特定圖案。加熱至6〇〇c之玻璃基板而後藉由噴灑實例3之剝除劑組合物於其上而剝除，而玻璃基板係以超純水加以清洗並以電子顯微鏡觀察相同於實驗實例3之區域。無雜質顆粒存在且剝除步驟已成功地完成。偏壓值分別為 5·87μιη、5·89μιη、5.91μιη 、5 83 叫、及 5 87叫，而於此區域間無顯著的差異產生。 [實驗實例9] 20 1258641 Μ實例與相較實例7之剝除劑組合物係於〇、i、3、6及等寺間間隔加以蒸發，並施以剝除測試。測量隨時間變化之偏® ’而其結果示於表7。、 [表7] _(單位： μπι) 類起始 1小時 3小時 6小時 24小時實例3 '—------ 5.83 5.84 5.88 _5^8 6 5.89 實例7 5.89 5.81 5.86 5.93 7.29 1 如表7所示，實例3之剝除劑組合物係比相較實例7具有更佳之時間穩定性。 [實驗實例10] 實例3之剝除劑組合物係用於真正的τ f τ - L C D製作程序中，由起使步驟至TFT完成，以獲致一 15 〇吋pVA與一 3.5对反射型DVC(數位錄影機）。實施EDS(electric die sorting電子晶粒排序）測試於產品上，而其結果顯示ι5 〇吋 PVA D VC與一 3.5吋反射型DVC係具有良好的電流-電壓 (I-V)特性。 [實例4與相較實例8] 對於使用實例3之剝除劑組合物製備之一銀反射層基板係測量其反射性三次（實例4)。而對於使用傳統剝除劑組合物（相較實例8)製備之銀-鈥反射層係測量其反射性二次。 (LCD 5 000 ; BaS04表面反射性=100%)。結果示於表8。 21 1258641 L 今、〇 J 分類 1----- 實例4 樣本編號 #1 #2 丨 ---—--- #3 反射性（％) 246 234 240 -— 1~ ___ ^ y 示，本發明（實例4)之剝除劑組合物所製備之如表8所基板比傳統銀-鈥基板具有較佳反射性（234至246%)。如上所述’本發明用於光阻之剝除劑組合物當實施於 TFT-LCD製作程序時，係有效地縮減剝除時間。其係也因良好剝除能力而無遺留雜質顆粒，且因硬烤與去灰製程的省略而可簡化閘製程線進而降低成本。此外，當其實施於以銀（A g) 作為反射/半反半射層之一製程時，其係提供純銀層之剝除能力與抗腐蝕性。【圖式簡單說明】第1 a圖顯示本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻璃基板之左上部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照片（x300) 〇第lb圖顯示本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻璃基板之左下部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照片（x300) 〇第1 c圖顯示本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻璃基板之中間部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照片（x300) 〇第1 d圖顯示本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻 22 1258641 璃基板之右上部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照片（x300)。第1 e圖顯示本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻璃基板之右下部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照片（x300)。第2圖顯示使用本發明用於光阻之剝除劑組合物之一 1 5.0〃 PVA DVC(數位錄影機）之EDS(I_V)特性。第3圖顯示使用本發明用於光阻之剝除劑組合物之一 3.5 〃反射型DVC(數位錄影機）之EDS(I-V)特性。 23

Claims

1258641 拾、申請專利範圍 1. 一種光阻之剝除劑組合物，該組合物至少包含： (a) 20 至 60 重量百分比之單乙醇胺 (monoethanolamine)； (b) 15至50重量百分比之N，N-二曱基乙醯胺 (N?N-dimethylacetamide)； (c) 15至50重量百分比之卡必醇（carbitol);及

(d) 0·1 至 10重量百分比之沒食子酸（gallic acid) ° 2.如申請專利範圍第1項所述之光阻之剝除劑組合物，該組合物至少包含： (a) 35至45重量百分比之單乙醇胺； (b) 25至35重量百分比之N，N-二甲基乙醯胺； (c) 25至35重量百分比之卡必醇；及 (d) 1·5至2.5重量百分比之沒食子酸。

3. —種製備一半導體裝置之方法，該方法至少包含使用一剝除劑組合物之一光阻剝除步驟，該剝除劑組合物至少包含2 0 至60重量百分比之單乙醇胺、15至50重量百分比之Ν，Ν-二曱基乙醯胺、15至50重量百分比之卡必醇、及0·1至10 重量百分比之沒食子酸。 4.如申請專利範圍第3項所述製備一半導體裝置之方法， 24 1258641 其中上述之半導體裝置係含有—銀反射層所述製備一半導體裝置之方法，其 ArF、KrF、DUV、電子束（E-beam) 5·如申請專利範圍第3項中該方法至少包含使用或X-ray之一曝光步驟。 6·—種光阻之剝除劑組合物，該組合物至少包含·· (a) 20至60重量百分比之單乙醇胺； (b) 15至50重量百分比之ν，Ν-:甲基乙醯胺；· 及 (C) 15至50重量百分比之卡必醇（carbit〇1)。 7.如申請專利範圍第6項所述之光阻之剝除劑組合物該組合物至少包含·· (a) 35至45重量百分比之單乙醇胺； (b) 25至35重量百分比之二甲基乙醢胺；及參 (c) 25至35重量百分比之卡必醇。 8· 一種製備-半導體裝置之方法，該方法至少包含使用一剝除劑組合物之一光阻剝除步驟，該剝除劑組合物至少包含2〇至6〇重量百分比之單乙醇胺、15至50重量百分比之N，N_ 一甲基乙醯胺、及15至50重量百分比之卡必醇。 9.如申請專利範圍第8項所述製備一半導體裝置之方法，其 25 1258641 中 10 中上述之半導體裝置係含有一銀反射層。 .如申請專利範圍第8項所述製備一半導體裝置之方法，其該方法至少包含使用ArF、KrF、DUV、電子束或X-ray之曝光步驟。

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