1258185 九、發明說明： [發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於供給處理液至半導體晶圓、光 罩用玻祝基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用破璃基 ，光碟用基板等各種基板，而對於該基板施行洗淨處理 等處理之基板處理裝置及基板處理方法。 【先前技術】 半導體裝置之製造步驟中，有在半導體晶圓等基板表 2及整個周圍端面（依情況有時會在背面）形成銅薄膜等 孟屬㈣後，進行㈣去除該金屬薄膜之不需要部分之處 =的情形。例如用以形成配線之_膜係在基板表面之裝 置形成區域形成即可，故不需要在基板表面的周緣部 面及周圍端面形成之銅薄膜。不僅如此，周緣部、背面及 =端面的銅或銅離子會污染設於基板處理裝置之基板搬 人之機械手臂，而且會導致該污染經由該機械 >轉私至別的基板之問題。 因為同樣的理由，而有將形成於基板周緣部之 ==(:Γ或氮化膜)施以少量姓刻，進行用二 2其表面之金屬污染物的處理。做為可選擇性姓刻等成 王土板周緣部及周圍端面的薄膜之裝置，例如有： 處理裝置’係具有用以將基板保持於水平二反 頭在該旋轉夾頭上方限制基板上==央 之遮斷板、以及將蝕刻液等處理液供給至 ：工間 嘴（參照專㈣1)⑻❹糊㈣1記== 3]6900 1258185 ^里=’而將供給至基板下表面之處理液藉由離心力由 朝周緣部並向基板下表面傳送，且轉人基板周圍端 而配ΐ 周緣部。此時，遮斷板係接近基板上表面 々蝴^遮斷板與基板之間的空間供給有氮氣等非活性 =後，藉由適當調整該非活性氣體之流量丄: =度及處理液的供給量，可選獅刻處理基板上: 部的預定寬度區域。此外，以㈣去除基板上表面 ϋ㈣不需要物f，之後，以純水在基板上下表 滴之乾無處理（旋轉乾燥處理）。 ^專利文獻丨]日本特開顧.號公報（第 弟8頁，第1圖） 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 然而’在基板下表面供給處理液並使處理液轉入上# 丨面周緣部之處理方式中，鈾幻.广雜w 從昝入上表 較少，且益 d液轉入基板上表面之轉入量 穷度砰1進行轉入量的控制。因此，飯刻寬度精 灼又 冒有基板上表面周緣部之各部分蝕刻寬声不 均一的問題。 j見度不 於是’為使基板上表 量不將處理液由基板下表 基板上表面周緣部供給處 周緣部供給處理液之情形 度。但是，在這種情形中 面周緣部之蝕刻寬度均_，而4 面轉入上表面周緣部，而直接朝 理液。如此，直接在基板上表面 ，可自由且高精度地控制蝕刻寬 ，為了在基板上表面周緣部供給 316900 8 1258185 處，液，由於必須將供給處理液之噴嘴等對向配置於基板 上表面周緣部，因此須使遮斷板比基板的外形小。如此， 將遮斷板外形設成比基板外形小時，基板上表面與遮斷板 之=的空間變小，而產生來自外部之姓刻液的氣體或飛散 之霧狀處理液侵入並腐蝕形成於基板表面中央部之裝置形 成區域（非處理區域）#問題。再者，使純水乾燥時之旋 轉乾無處理中，由於無法充分管理基板上表面周緣部與遮 》斷板之間的氣體，❿導致外部氣體捲人。因此，在基板表 面殘留有水痕等損傷，成為基板乾燥不良之原因。 本發明係鑑於上述問題而研創者，目的在提供一種一 =基板㈣-面供給處理詩絲，而㈣基板施行預 基，處理$置及基板處理方法，卩方止處理液朝基 反、。p附者亚使基板周緣部之處理寬度均一化而進行處 理。 (用以解決問題之手段） 灸本％明之基板處理裝置係—面使基板旋 仏 處理液於絲且施行財處料，為達上述目的，係呈·備： 用^ 呆持基板之基板保持手段；使藉由基板保持手段保持 之旋轉手段；用以供給處理液至旋轉之基板的 上表面周緣部之嘖嘴. < 、高’配故成對向於基板上表 緣部具有貫穿於上 + T囬且在”周 件 向而可插入賀嘴之貫穿孔的遮斷構 二=:Γ.驅動噴嘴而將喷嘴定位於插入貫穿孔而對 基板上表面周緣部之對向位置以及從遮斷構件遠雜之 貝两《力喊構，其中，係從定位於前述對向位 9 3]6900 1258185 1之則述贺嘴供給處理液至前述基板上表面周緣部。 此外，本發明之基板處王里方法❻— 供給處理液至基板而施行預定處理者，為達：:广-面 具備：將在其周緣部具有貫穿於上下方向：的’係 =广'向於前述基板上表面的紙藉由.驅動， 而和㈣由遠離遮斷構件之退避位置定位 = 職基板上表面周緣部之對向位置的步驟；以：= 灰對向位置之噴嘴供給處理液至 部的步驟。 〜之基板的上表面周緣 如上所述構成之發明，遮斷構件係對向 :設，故基板上表面可確實遮斷於基板周圍的外部Ϊ = 體之外。此外，遮斷構件係在其周緣部具有貫穿於: 向而可插入噴嘴之貫穿孔，因此可將噴嘴插入該貫穿孔而 與基板上表面周緣部對向配置。故能夠在使藉由基板 手段所保持之基板旋轉的同時，由喷嘴供給處理二，從而 μ接，給處理液至遍及整個基板上表面周緣部的全周。因 此，藉由遮斷構件覆蓋基板上表面，可防止處理液附著至 基板上表面中央部（非處理區域），同時能夠使基板徑向之 從周圍端面起的處理寬度均一地進行處理。再者，藉由改 變貫穿孔的位置而構成遮斷構件，能夠使基板徑向:從周 圍端面起的處理寬度自由增減，例如相較於從基板下表面 將處理液轉入上表面周緣部的情況，處理寬度能夠增大。 此外’由於噴嘴係插入遮斷構件之貫穿孔，在基板處 理中不會發生處理液飛散而在噴嘴附著大量的處理液。因 3]6900 10 1258185 二：:=:Γ力時由噴嘴滴落處理液附著於基板或基 丨汉周这4毒件所成之不良影變田 提高裝置的處理量。…不需洗淨噴嘴並可 ^ ί此」在將噴嘴定位於退避位置的狀態，更具備由貫 貝：乳體之乳體噴出手段時，由於即使將噴嘴定位於 件:退避位置時，亦藉由氣體喷出手段從貫穿 ;因:％广會有處理液進入貫穿孔而跳回基板的情 板：二抑制因貫穿孔引起之處理液跳回，並防止基 板上表面中央部（非處理區域）受到腐蝕。 在此’在噴嘴定位於退避位置的狀 =同時與遮斷構件旋轉時，係能夠甩開附著 =二同一止伴隨基板和遮斷構件之間姆 之夕鈿乳流，而可進行更佳的基板處理。 言’基板保持手段亦可具備：設置成可自由繞著垂 二:=轉構件;朝上方設置於旋轉構件上，並抵接 I方'基威下表面而使該基板遠離旋轉構件而予以支拷 ==輪；以及從設置在遮斷構件對二嶋 t面之對向面的氣體噴出口將氣體供給至對向面及 士表面之間形成的空間，從而將基板推壓於支 ：5 肢供給部。根據上述構造，基板係藉由抵接於苴下表2 至少三個以上的切構件予以遠離並支樓，且 供給部供仏Θ其杈 错由攸乳月豆 於旋轉構件。然後，旋轉手段將旋轉構 2保持 使被推壓於支撑構件之基板一面藉由支二= ]] 316900 1258185
所產生之磨擦力而支撐於去禮错I 〇 (μ u構件，—面與輯構件同時 况冗。由於如上所述將基板保持於旋轉構件而不需要與基 板外周端部接觸而保持基板之保持構件（例皿土 pm)等），故不會有因基板旋 和叩/〇者基扳表面朝徑向外側 之處理液直接碰到保持構件而跳回基板表㈣問題。此 外，因為沒有擾亂基板外周端部附近之氣流的主要因素， 故可減少霧狀處理液捲入基板表面侧。藉此，可有效=止 處理液朝基板上表面中央部附著。 在此氣妝A出手段係可設為將由氣體供給部供給之 氣體從設置於貫穿孔内壁之氣體導入口導入貫穿孔内，^使 氣體從貫穿孔喷出。根據上述構造，喷嘴一旦由貫穿孔拔 出的同時，也會由貫穿孔喷出氣體，因此可有效進行氣體 的（、結。此外’與氣體噴出手段係由和氣體供給部不同之 氣體供給源等接受氣體供給之情形比較，由於可共同利用 配管系統等，可簡化裝置構成。 、 此外，較宜以在藉由從喷嘴供給至基板之處理液進行 處理之處理區域内侧的非處理區域供給氣體之方式，將氣 體喷出口設置於相對面。根據上述構造，由基板上表面周 緣部之處理區域供給氣體至内側的基板上表面中央部之非 處理區域，因此可有效防止處理液朝基板上表面中央部侵 入 此外’若遮斷構件係構成為具有複數個貫穿孔者，而 各貝F孔之從遮斷構件的周端面起之徑向距離彼此不同 時，藉由選擇性地將噴嘴插入複數個貫穿孔，則可對應於 ]2 3J6900 1258185 處理内容而適當改變基板徑向之從周圍端面起的處理寬 度口此，可防止處理液朝基板上表面中央部附著，並可 依照處理内容之處理寬度均一處理基板周緣部。 此外，若遮斷構件係構成為其平面尺寸為基板尺寸相 等或更大之大小，則可確實地將基板上表面遮斷於基板周 圍之外部環境氣體之外。 (發明的效果） …π門㈣八々’;、蚵问於基板上表面所 之周緣部中所設置的貫穿孔，而由該喷嘴 :a *反上表面周緣部。此外，利用遮斷構件將 2板上表面確實遮斷於基板周圍之外部環境氣體之外。因 至：=處Γ朝基板上表面中央部（非處理區域）附 " 處理基板徑向之周圍端面的處理寬度。 【實施方式】 、見没 第1圖係表示本發明之基板處理裝置的 卢。此外，第2圖係第i圖之基板、、/心之 =處理衣置係在半導體晶圓等基板w 故有機溶劑等藥液及純水或 …口化子“ 而對基板W施行藥液處理、洗夜（以下稱處理液） 置。在該基板處理裝置中，可對基^後進行旋轉乾燥之裝 而在其下表面進行严 土 表面供給處理液， 里液，而在其上表面進行處理 表面“處 表面周緣部供給處理液，而進行二J僅對基板W上 理（斜邊（beVe])處理）。 土 上表面周緣部之處 3J6900 13 1258185 該基板處理裝置係將中六 仏雜h T工的凝轉軸1連結於馬達3的 藉由該馬達3之驅動而可繞著垂直轴^ 方疋轉軸1的上端部係與旋 I Μ 連結。因此，旋轉基座5可心：t1件一體 舳T产絲 , 」軋由馬達3之驅動而繞著垂直 軸J敎轉。此外，在旋_其 A 基庄的周緣部附近係設置有複 數個由紅轉基座5朝上方突出 夂 4 u/ 支知部7，用以抿接於美 板W下表面周緣部並支撐其 、土 部7以…… 然後，藉由複數個支樓 (、旋轉基座5分開預定間隔之狀態 W。如此，在本實施形態中， 牙基板 「旋轉構件」。 庄5即相虽於本發明的 第3圖係由旋轉基座5上 ,,^ L 万喊視之俯視圖。旋轉基座 為與基板以似之圓形，其中心部設有開 轉^ 部附近設有複數個（在本實施形態為12個）支樓部7而 12個支撐部7係以垂直軸j為中 j τ U Μ母30度之算备庠p气 隔配置為放射狀。在此，為了水 、月又間 θI十支撐基板W，支樓部7 >的個數只要至少在3個以上即可，， 仁為了處理支撐 接於基板W下表面之部分，較官福 一 孕乂且構成為支撐部7可自由 離地抵接於基板W下表面，並在處理中至少一>、由脫 撐部Y由基板W下表面分離。因此， 、使支 L 馬了亦處理向合板桩 於基板w下表面之部分的基板w下表 一 上之支樓部7,而設為實施形態之12個二數以 可更穩定、毫無問題地實施。其中， 又子牙。卩7的槿造及勒 作之後會詳細描述。 稱: 此外’該基板處理裝置係如第1 _ M所不，具備：對向 3]6_ ]4 1258185 座5而配置，崎斷基板w上表面側之環境氣 上^线體搞板9以及在該環境氣體遮斷板9和基板 从上表面之間形成的空間供給氮 丨 :β| 21 (相當於本發明的「氣體供給部」)。然後，藉由從 氣體供給部21朝基板w上表面在p i ^ w,,^ 表面在壌境氣體遮斷板9和基板 V上表面之間形成的空間供給非 古挎加9 ^广 开，石注矾體，而將基板W往 支m推壓並能夠將基板w保持於旋轉基座5。 該環境氣體遮斷板9係以能夠—體旋轉之方式 具有中空之筒狀支撐軸 亡目+ 神11的下糕部。於該支撐軸11連接 百具有馬達9m的遮斷驅動播媸，* Η _ t I動械構亚以猎由驅動遮斷驅動機 馬達9m而使支撐軸11與氣體遮斷板9 一同繞著垂直 升由之方式構成之。此外，藉由運作遮斷驅動機構的 升F牛驅動用驅動器（例如氣壓紅（aircyiind…等）使 ^竟氣體遮斷板9能夠靠近旋轉基座5，以及相反地能夠 遇咸旋轉基座5。如此，在本實施形態中，馬達3與遮斷 ►驅動機構的馬達9m即構成本發明的「旋轉手段」。 弟4圖心王衣i兄乳體遮斷板9的仰視圖。該環境氣體遮 斷板9與編上表面對向之面的平面尺寸Di係比基板⑶ 的平面尺彳D2稍大’且其中心部具有開口。此外，在環境 氣體遮斷板9的周绫部:^ Λ、 , ^ ^ P ^成一個貝穿於環境氣體遮斷板9 之上下方冋的貝牙孔9e，而可插入後面敍述的噴嘴6。由 於該貫穿孔9e係形成於與保持於旋轉基座5之基板w之上 表囬周—p TR (第1圖）相對向的位置，因此藉由將噴嘴 6插入貝牙礼9e可將賀嘴6以對向於基板w上表面周緣部 316900 15 1258185 TR之方式而配置。另外，I空 、牙孔9e的孔徑係以可插入嘻 嗔6之必需最小範圍的大小 、 的孔徑設成大於必需以上之防止將貫穿孔 回等問題之故。 會有導致處理液跳 環境氣體遮斷板9係配置於旋轉基座5上方， (^面）&成為與基板W上表面對向之對向面9a。在對 有複數個氣體噴出”b、，。在此，氣體噴 出口 9 b係配列於對雇方a巧署大 Ψ^ 了二方、°又置在紅轉基座5之支撐部7的位 絲& 乱月且貝出口此係在支撐部7的旋 轉執跡Ta(第3圖）上，沿荖 V疋 間隔地配列。此外，氣心口：轴；為中心之圓周等 貝出口 9牝係相對於貫穿孔9e =被减體遮斷板9的n (垂絲υ側包圍貫穿 :::己置。另夕卜’該等氣體喷出口 9b、_並不限定設 開口 :：如亦可將複數個氣體噴出口 9b(或90b) (成為早-的開口。再者，亦可將複數個氣體喷 \。、咖全部繫合在一起而形成遍及全圓周之環狀的 仁疋°又成複數個開口在得到氣體噴出壓的均一性上 利。如此’在本實施形態中，環境氣體遮斷板9相 :二發明的「遮斷構件」，氣體噴出口 9b、_ 本發明的「氣體噴出口」。 、 盥^到第1圖繼續說明。該等氣體噴出口肋、9此分別 =成於環境氣體遮斷9内部之氣體流通^間9c、9(k 广=通為了供給非活性氣體於該氣體流通空間9c、90c， ^流通空間9c、9〇c係經由配管25與氣體供給部21相 316900 16 1258185 •接。在該配管25係中介安裝有由控制整 獨控制開關之開關閥23。因此 ：〜控制 關闊2 3，而從氣體供給部 :,8 〇開啟開 空間9c、90cm…非活丨生軋體至氣體流通 上…出二二:數::體噴一 ^ m表面側以大致垂直之方向噴出非活二成另為朝 二:氣體噴出，係形成為朝基板，上表二二 朝徨向外側噴出非活性 D下 出口 9b、90b夂白然後，糟由從該等氣體噴 等地推二 =:==，基… 7。藉此，將基板W水平保持在旋^方；;設=支撑部 在對應於基板W下声而在此，由於係 表面側直接供給非活性氣；二之部分的基板’上 限度之氣灿供MB "故月匕夠有效率地以必需最小 接Γ ’且確定地將保持於㈣基座5。 产貫穿：9:噴嘴6的構造及動作。該喷嘴6係構成為 中二:形狀相符之圓筒狀，藉由插入於貫穿孔 部TR 6的前端部配置成對向於基板W上表面周緣 部TR。此外，喑喈β ^ 遮斷板下端面係插入至與環境氣體 .^ ^ 上表面周緣部TR。亦即，噴嘴6俜槿 =咖嶋液供給管61和沖洗液供給管63:由冓 ”；“卜63之丽端部（下端部）對於基板W上表面周 :二：；別供給藥液、以及做為沖洗液之純水。在此，藥 /v 〜°s 61 配管Μ與藥液供給源31達接’另—方 ]’ 316900 Ϊ258185 面，沖洗液供給管63則經由配管2 接。此外，在配管丄4？ 7供給源3 3連 g i4 ' 22中分別中介安炎 藉由控制部80控制開關闕16、 ^有開關間… 嘴6之藥液及純水的流量。 而可調整供給於噴 此外，喷嘴6係固定於一技 側。另-方面，在手㈣的基端Si:喷 然後，依照來自控制部δ 〇之 ^枝構6，。
運作，而可升降驅動手臂65並將；；多動機構67 予以搖動驅動。萨此，豹蔣/ 、凡者碇轉軸心P 境气卿、續4。日 句將Μ 6移動於藉由插入於環 兄乳脰遮Wf板9之貫穿孔9e而盥美 於基板W上表面周緣部TR對^" ，°可供給處理液 — 象口P TR的對向位置P1 (第1圖、第？ 0以貫線表示之位置），以及從對向位置 側邊之退避位置？2 (第i圖W升而退避於 罘Z圖以虛線表示之位置、 :。〇此’在本實施形態中，噴嘴移動機構67係相當於 本叙明的「噴嘴移動機構」。 田、 »此外，在環境氣體遮斷板9之貫穿孔&内壁設有氣 體導入Π 9d，氣體導人D 9d係連接於氣體流通空間^。 故由乱供給部21供給非活性氣體時，在從氣體噴出口 9b 90b朝基板w上表面噴出非活性氣體同時，亦導入非 活性氣體於貫穿孔9e的内部空間中。因此，在噴嘴6定位 方、退避位置P2之狀態，亦即在噴嘴β未插人貫穿孔％之 狀心％，彳< 氣體供給部21導入非活性氣體至貫穿孔9e， 而從環境氣體遮斷板9之上下之貫穿孔化的開口噴出非活 性氣體。 / 18 316900 1258185 在環境氣體遮斷板9中心之開口 部中，係IV F1红4 又你罕由ί 1之中空 你以同軸之方式設置有上部洗淨 可從苴下妙邱沾士此 、㈤1 Ζ亚構成為 a r，、 貝嘴口 12a供給藥液、純水等處理液方入说 麵保持於旋轉基座5之基板 液灰被 該上部洗淨料m〜 衣面紅轉中心附近。 ^ , 係與配管13相通連接。該配管13係為 基糕部分峽，在—側的分岐配 31，力叉η ^s 1 μ埂接有樂液供給源 夂分配管Ub則連接有純水供給源33。在 二 此中係中介安裳有開關闕15、"，， 由控制部難制開關閥15、17的開關， 错 實嘴12選擇性切換供給藥液和純水於基板W上表面 此外，支撐轴H中空部的内壁面與上部 之間的間㈣形錢體供給路徑18。該氣體供給路^ΐδ 二由:：：裝有_閥1 9之配管2 7而與氣體供給源3 5 ，通。然省，在錯由上部洗淨噴嘴12進行藥液處理及洗淨 處理後’藉由控制部80控制開關閥19 ，體供給路徑18供給乾淨的空氣或非活性氣體等氣^至基飞 :W上表面與裱境氣體遮斷板9之對向面^之間的空間， 攸而能夠進行基板W的乾燥處理。 …在旋轉轴i的中空部中，係以同轴之方式設置下部洗 η嘴4卜亚構成為可由其上端部之噴嘴口仏供給處理 液至基板w下表面的旋轉中心附近。該下部洗淨喷嘴μ 係與配管43相通連接。該配管43係在基端部分岐，在一 侧的分岐配管43a連接有藥液供給源3 ^ aa v + ♦另一側的分岐 配管43b則連接有純水供給源、33。在各分峡配管43a、43b 316900 ]9 1258185 介安裝有開關閥45、47，藉由控制部8。控制開關閥 4 5、4 7的開關，可從下j + 城 仪下4洗平噴嘴41選擇性地切換供給 禾液和純水於基板w下表面。 門此外/轉轴1的内壁面與下部洗淨噴嘴41之間的 :二：：成圓筒狀的氣體供給路經仏。該氣體 仏經由中介安裝有 48 連嘈诖垃-丄 49之配官51而與氣體供給源35 $ . 4 11； …'。乾序的空氣或非活性氣體等氣俨 至基板W下表面與旋轉基 年孔肢 + 丛b之對向面之間的空間。 接者’說明支撐部7的構沪 撐部7的構造之部八判^構&及動作。弟5圖係表示支 部7均具有相同禮1 、 由於上述祓數個支撐 的mi ^ .冓化，在此僅參照圖式說明一個支禮邻7 構&。如弟5圖所示，旋轉基座5之上卞面心 成有朝上方延伸h 5之上表面周緣部係形 、 7、1甲為凸狀之突出部5a，兮穿φ却^ ^ 為在上方開口之中处 ^ ° a係形成 < γ工a同狀。該支撐 》内部，具備薄膜構件 ” °又、犬出部5a /力乂钓在下方開口之中处 撓性的材質構成外一 宁工®同狀，並由具有可 ^ 成。该湾膜構件71係設於突出邮ς 俾使薄膜構件71的外圍密合 、大出。卩5a内部， 係設於薄膜構# 71 大°丨3 5a内部。可動桿73 輪構件71内部，係才干73 動，亚可脫離於薄膜構件71 方向自由移 係例如由馬達構成，經由省略圖示之^動底連面^區動部乃 動桿，3,使可動捍73上下移 ^桃结於可 限於使用馬達，亦可為氣塵紅等与區動動部75並不 3]6900 20 1258185 的狀有上述構造之支禮部7令，依據來自控制部δ0 73，從動部?b係經由驅動連結部上升驅動可動桿 央的底:：動桿73的前端部抵接於薄膜編上端中 71之上奢面吴構件71上端中央提高。藉此，薄膜構件 端 \/超過而突出於旋轉基座5之突出部以的上 $ ，措由使複數個支撐部7之薄膜構件71全部突出 ^ >二個以上），而能夠使薄膜構 :並使基板W自旋轉基座5之突出心之上= _左右）而予以水平支樓（第5圖）。另—方面 驅動部75下降驅動可動桿73 ， 薄膜構件η之上表面中央的底面Lt 月部會與 、的底面刀雖，潯膜構件71的上 =因=挽性而自然退避至與旋轉基座5之突出勒 上鳊同-千面。因此，在複數 件71十至少殘留三個，而使1 —部八下：：出之㈣ 降下之薄膜構件71與基板/下而能夠使所 P係由具有可撓性並對處理㈣㈣靠㈣ rt如上戶斤述，在本實施形態中，薄膜構件η待相 吾於本發明的「支撐構件」。 =此.5兄明在基板W上表面周緣部從噴嘴6供办處理 液而處理基板W上表面處理區域以(斜邊處理)的情形中， ^M^〇9b>9〇b；v：；：："r9"^fi9a 及膽…位置的的供給位置、以 位1關係。第5圖係圖示來自氣 316900 2] 1258185 體°貧出口 9b之非活性氣體的供給位置及與支樓部7之配設 :二置的：置關係，但來自氣體喷出口 _之非活性氣體的 4位i及與支樓部7之配設位置的位置關亦基本上相 同。亦即，由氣體噴出〇此朝基板W上表面以大致垂直之
2喷出之非活性氣體，以及由氣體噴出MOb朝基板W ，以向下且經向外噴出之非活性氣體係供給至來自噴 A液所處理的上表面處理區域TR内側的非處理區 yTR。m ’支#部7係以抵接支禮於對應供給有 ”處理區域NTR的基板w下表面側之方式設 姓土丄❸周緣部。藉由上述的構造，可將基板W推
t持於旋轉基座5，並可防止處理液朝非處理區域NTR 焱入而使基板w杈向之從周圍端面起的處理寬度均一。 :別是，由插入有噴嘴6之貫穿孔化周圍的氣體噴出口 以向下且徑向向外之方向朝向基板w上表面噴出非、舌 性氣體’因此可確實防止從噴嘴6噴出之處理液進入非處 丨理區域NTR。 & 、接著4照第6圖詳纟㈣述上述構造之基板處理裝置 的運作。$ 6圖係表示第！圖之基板處理裝置的運作之流 程圖。具體而言為說明在基板w下表面侧供給處理液而處 ，基板W下表面，並在基板w±表面側供給處理液而處理 基板W上表面周緣部TR之情形。該基板處理裝置係由省 略圖示之基板麵機器人將未處理之基板㈣運至基板處 理裝置，使裝置形成面朝上而以背面側載 後，控制部80以下述方^ ί迷方式控制爰置各部分以進行藥液處 316900 22 1258185 坆、沖洗處理、及乾燥處理。此外，以基板搬運機器人進 行基板W的搬運時，環境氣體遮斷板9、支撐軸丨丨及上部 洗淨噴嘴1 2係一體遠離退避於旋轉基座5上方。 如上所述將基板W載置於支撐部7後，使環境氣體遮 斷板9、支杈軸11及上部洗淨噴嘴1 2 一體下降而使氣體 遮斷板9接近配置於基板w (步驟S1 )。藉此，基板w上表 面係1曰由氣體遮斷板9之對向面9a在極接近之狀態而被擋 住。然後，開啟開關閥23使來自氣體供給部21之非活性 氣體由設於氣體遮斷板9之對向面^的複數個氣體噴出口 9b、90b喷出，而將基板w推壓於支撐部7而予以保持於 方疋轉基座5 (步驟S2)。在此，由於從複數個氣體喷出口 此、9〇b均等地喷出非活性氣體，基板W係受到均等推壓 而被水平支撐於各支撐部7。 妾者，如第7圖所示，控制部80係藉由使噴嘴移動 機構6 7運作，而將嗜〇略β扭 馈 肘貝用6插入裱境氣體遮斷板9之貫穿孔 而定位於對向位置ρι (步驟幻）。然後，控制部⑽係 %境氣體遮斷板9在停止狀態了，驅動馬達3使旋騎美 座5與基柄w 一卿你絲 , τ 土 〃、丞板W脰紅轉（步驟S4)。被推壓於支撐部 …間產生的摩擦力= 面铃旋轉基座5同時旋轉。再接英 ;:開(：間16而由噴嘴6输 全面，？S5)。错此，以遍及基板W上表面周緣部TR 且攸基板W周圍端面起以預定寬度均 液，而對基板W上表面周緣部TR進行藥液處理。” 316900 23 1258185 /供給樂液至基板w上表面周緣部TR後，控制部8〇會 ^啟開關閥45使來自樂液供給源3}的藥液由下部洗淨喷 _之貝用口 41 a朝基板W下表面中心部供給（步驟S6 )。 f此’供給至基板W下表面中心部之H液係藉由伴隨基板 凝轉產生之離心力擴散至下表面全體，而可進行對基板w 面之藥液處理。在此，在藥液處理中藉由使各支 支攸基板w下表面至少分離—次以上，使藥液也轉入 # 4 7和基板w之抵接部分而可處理該部分。這種情形， 個支撐部7 一個個依序分離，或只要至少有3 氐接於基板之下表面，-次分離2個以上的支 存4 7亦可。此外，為了對抗夹 下部洗淨噴嘴41之噴嘴口4板下表面中心部之 供給路轳 、、、 a的樂液噴射壓，亦可由氣體 工/、給m氣體而將基板w推壓於支樓部7。 上表面周緣部TR之藥液處理中，或 —進行«板w下表面之轉=處序—部份重覆 闕16、45，停止由溢、、夜_ 且控制部80關閉開關 以用μ 市液七、、七源31供給藥液，而將筚液予 以甩開而排液至基板外。 打条/夜于 在此，由於噴嘴6係插入環 知’即使在藥液飛散而跳回d二板9之貫穿孔 面）。故可防止噴嘴移料從嘴6的周圍（側 *或基板周邊構件而造成不良料:;樂液;^附著於基板 曰 口此，不需洗淨喷嘴 3J6900 24 1258185 6 ’而可提升裝置的處理量。 此外，雖然供給至其 之祕1 基板Μ上表面周緣部TR及下表面 之^夜仏飛散至基板W之徑向外侧， 面 沒有保持基板W外周端邻之士铂〜 ，' 场恶由於 舡ui — 卩之夾銷寺之保持構件，因此翱其 板评之徑向外側飛散之藥液不會跳回基板表面 = ^ 有擾亂基板W外周端部附近的氣流之主要因素，可減 二務大處理液朝基板表面側捲人。因此 回基板W上表面之非處 约防止糸液跳 外，斧由防η老 腐姓裝置形成面。此 面。日 ⑯狀處理液的捲入可抑制微粒附著至基板表 門啟=的液體阻斷步驟完成後（步驟S7)，控制部80合 開啟開關閥20，佶H、右γ w , η 丨训曰 至基板W上表面周緣部;R(步:二 上表面周緣部…液。另外，== ^ 或疋舁對基板w上表面周緣部之沖 洗處理的時序—邱 f > 47而料。刀重復之方式，控制部80係開啟開關閥 —士土板W下表面進行沖洗處理（步驟S9)。然後，以 j 订冲洗處理後，控制部80會關閉開關閥2〇、 驟si〇t供給沖洗液’將沖洗液甩開而排液至基板外（步 $者’如第7圖⑴所示，控制部δ。係藉由使喷嘴 ΓΓ構67運作，將噴嘴6由貫穿孔仏拔出並定位於從 浪兄氣體遮斷板9遠離之退避位置P2(步驟Sll)e然後， 3J6900 25 1258185 碏由使馬達3高速旋鞋 乾燥處理（步驟 乂加速基板界旋轉以進行基板W之 ^ 2 )。藉此，以離心力甩間龄一 面的液體成分。此0± 一 ^ 力甩開附者於基板表 之馬達9m，使支严二广，圖示之遮斷驅動機構 直轴j旋轉，可:1與壤境氣體遮斷板9同時繞著垂 基板w與澤培$卿 卜如上述使 衣兄乳爿豆遮斷板9同時旋轉，可防 體遮斷板9 $ ^ 了防止基板W與氣 期間，二旋轉而產生之多餘氣流。該乾燥處理 之預定流量的非、_、旨 虱紅供給源35 快速地置換為非、二Γ 基板W周圍的空間會 會污毕美板ΓΓ ，故殘留於空間内之藥液氣體不 望之氧化膜。 也不曰在基板w上下表面形成不期 另外，將噴嘴6定位於退避位置P2,且由 ，出喷嘴6後，從氣體導入n9d導入貫穿孔^之非活;生 ，乳體會由環境氣體遮斷板9之上下之貫穿孔g ^的開口快速 賀出（第7圖（b ))。故即使在將噴嘴6從貫穿孔“拔出 之狀態，洗淨液也不會進入貫穿孔9e而跳回基板w。因此， 可控制因貫穿孔9e所引起之洗淨液跳回，而不會有腐姓形 成於基板w上表面中央部（非處理區域NTR)之裝置形成 面的問題。 乾燥處理結束之後，控制部80會停止馬達3之驅動 而使基板w停止旋轉，並使遮斷驅動機構之馬達9m停止， 使環境氣體遮斷板9停止旋轉。然後，關閉開關閥23，停 316900 26 1258185 止由氣體供給部供給氣體， 驟S13)。之後言产…“基板W之推壓支撐（步 便衣纟兄虱體遮斷;te q朝μ十 、 板搬運機器人將斤 方私動亚藉由基 成口口人將處理完成之基板w搬出 串的藥液處理及沖洗處理的動作。 、、· 口束—連 如上所述，根據本實施形態， 面尺寸m相對於基板尺寸 板9之平 鋅由蔣兮戸泣γ ν'為相寻或更大之大小，故 碏由將兄氣體遮斷板9 可確實地將基板评上… 上表面而配置， ,L 上表面遮斷於基板周圍的外部氣體之 外。此外，由於在環境氣 、 入喷嘴6之〇0 周緣部形成有可插 、 貝牙孔9e，藉由將噴嘴6插入該貫穿孔9e，可 與基板W上表面周纟表^卩了p 、 σ 基座5之基板^ί=Λ 。因此，使保持於旋轉 處理液至C 給處理液，可直接供給 =液至遍及基板W上表面周緣部TR之全面。因产 立 兄氣體遮斷板9覆芸其衣 基板W上表面中；； = t體，止處理液朝 衣曲甲央邛（非處理區域NTR)附著，並可使其 •板W徑向之自周圍端面起的處理寬度均一而進行處理广 尤其是相較於使供給至基板表面之處理液由基板 ，主/周圍端^面轉入以進行基板w上表面周緣部TR的處理之 f月开厂係谷易控制在基板w徑向之自周圍端面起的處理寬 度而可问精密度地控制處理寬度並可增大處理寬度。此 外，即使在半導體晶圓等之基板w有缺口部分之情形，亦 可使缺口部分之處理寬度的均一性良好。 _此外，根據本實施形態，使喷嘴6定位於遠離環境氣 版‘ _板9之退避位置p2,可使基板w與環境氣體遮斷板 316900 27 1258185 9同時旋轉°因此’可甩開附著於環境氣體遮斷板9的處 [液亚可防止在基板w與環境氣體遮斷板9之間伴隨旋轉 產生之多餘氣流，而可進行更佳的基板處理。 才 此外，根據本實施形態，由於喷嘴6係插入貫穿孔, P使士在基板處理中處理液飛散而朝噴嘴6跳回之情形， :液亦s被環纟兄氣體遮斷板9的對向面9a所遮斷，而不 冒有大夏的處理液附著於喷嘴6之情形。因此，可防止 嘴移動時從噴嘴6滴落藥液而附著於基板w或基板周邊構 件而造成不良影響。結果，不需洗淨喷嘴6，而 置的處理量。 衣 此外，根據本實施形態，將喷嘴6定位於遠離環 體遮斷板9之退避位置p2時，從貫穿孔9e之上下開口會 噴出非活性氣體’故不會有處理液進入貫穿孔9e而跳回： 板w之情形。因此，不會有因貫穿孔_引起之處理液ς 回而腐姓形成於基板w上表面中央部（非處理 鲁t裝置形成面的問題。 — ） 此外，根據本實施形態，將噴嘴6從貫穿孔k拔 的㈣會由貫穿孔96嗔出非活性氣體，故可有效進行非活 性乳體的供給。另外，來自氣體流通空間 係經由氣體導…導入貫穿孔9e，故可將用^ 冋利用用以將基板W推壓保持於旋轉基座5 21及配管25等的裝置構造予以簡化。 版彳一口 4 再者，根據本實施形態，基板w係由抵接於盆下表面 之支撐部7所離間地支撐，並藉由 " 土一上表面之非活 316900 28 1258185 性虱體推壓於支撐部7而保持於旋轉基座5。然後，藉由 基板W與支撐部7之間產生之摩擦力而將基板⑻支撐二支 撑部7並和旋轉基座5同時旋轉。藉由如此保持基板评， 可不需要用以與基板W外周端部接觸以保持基板之夹銷等 保持構件。因Λ，不會有因基板，之旋轉而沿基板表面朝 徑向外側移動之處㈣直接㈣㈣等料構件而跳回基 板表面的情形。此外，由於沒有擾亂基板w外周端部附近 的氣流之主要因素，可減輕霧狀處理液減板表面侧捲入 之情形。藉此，可有效防止處理液附著於基板上表面中央 部（非處理區域NTR )。 、 另外，本發明並不限於上述之實施形態，只要不脫離 其宗旨可進行上述實施形態以外之各種變更。例如上述實 施形態是在環境氣體遮斷板9的周緣部形成—處貫穿孔 9e ’但並不限於此。例如，亦可如第δ圖所示在環境氣體 遮斷板9的周緣部形成複數處貫穿孔^。第8圖録示形 ，成六處貫穿孔9j之情形的環境氣體遮斷板9之仰視 圖。此時，藉由將各貫穿孔從環境氣體遮斷板9的周端面 起之距離設成不同，例如將貫穿孔96至9]從環境氣體遮 斷板9的周端面起之距離LUL6設為u<L2<L3<l4<l5〈 L6,則可變更在基板W徑向之從周端面起的處理寬度。亦 即，藉由將喷嘴6選擇性插入貫穿孔96至9]，可依昭處 理内容適當變更在基板W徑向之從周端面起的處理宽度， 且可均-進行處理。此外’在本實施形態中，#由從貫穿 孔96至9，1嘴出非活性氣體，亦可防止因貫穿孔9e至9) 316900 29 1258185 所引起之處理液跳回。 此外，在上述實施形態中，雖將噴嘴6及 設為圓筒狀，但並不Μ 、 、 e 為辩（心： 此。例如，亦可將噴嘴前端部設 錐㈣狀）並使貫穿孔與該噴嘴形狀形成- (產業上之可利用性） 本發明係可適用於對於包 莫此 ％曰％ - G s千蛉肢日日0、光罩用玻璃 基板、液曰曰頒不用破璃基板、 用基板等各種基板表面絲用玻肖基板、光碟 置。 施仃洗净處理等處理之基板處理裝 【圖式簡單說明】 理裝置的一實施形態 之 第1圖係表示本發明之基板處 圖。 土 2圖係第i圖之基板處理裝置的俯視圖。 弟3圖係第】圖所示之由基板處理裝置的旋轉基座上 丨方觀視之俯視圖。 裝置之氣體遮斷板的 第4圖备、第1圖所示之基板處理 仰視圖。 第5圖係表示第1圖所示之基板處理裝置之支 構造之部分剖視圖。 第6圖係表示第】圖所示之基板處理裝置之運作 撐部的 程圖 的流 置之運作的模式圖。 第7圖（a)及（b)係表 示第1圖所示之基板處理裝 3]6900 30 1258185 第8圖係表示氣體遮斷板變形形態之圖。 [主要元件符號說明】 I 旋轉軸 3、9 m馬達（旋轉手段） 5 旋轉基座（旋轉構件） 5a 突出部 6 噴嘴 7 支撐部 ®9 環境氣體遮斷板（遮斷構件） 9 a 對向面 9b、90b 氣體喷出口 9 c、9 0 c 氣體流通空間 9d 氣體導入口 9e至9：| 貫穿孔 II 支撐轴 φ12 上部洗淨喷嘴 12a、41a 喷嘴口 13、14、22、25、27、43、51 配管 13a、13b、43a、43b 分岐配管 15、16、17、19、20、23、45、47、49 開關閥 18、48 氣體供給路徑 21 氣體供給部 31 藥液供給源 33 純水供給源 3] 3]6900 1258185 35 氣體供給源 41 下部洗淨噴嘴 61 藥液供給管 63 沖洗液供給管 65 手臂 67 噴嘴移動機構（噴嘴驅動機構） 71 薄膜構件（支撐構件） 73 可動桿 ❿75 驅動部 80 控制部 J 垂直軸 NTR 非處理區域 P 旋轉轴心 PI 對向位置 P2 退避位置 φΊΚ 上表面處理區域（上表面周緣部） W 基板 32 316900