TWI255669B

TWI255669B - Display device, manufacturing method thereof, organic light emitting device, and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TWI255669B
Application number: TW093128301A
Authority: TW
Inventors: Mitsuhiro Kashiwabara; Jiro Yamada; Seiichi Yokoyama; Kohji Hanawa
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-09-19
Filing date: 2004-09-17
Publication date: 2006-05-21
Also published as: US20070102737A1; KR101079820B1; US7973319B2; EP1672962A1; KR20060079225A; KR20110067139A; EP2509397B1; US10916593B2; US20190326358A1; US9911792B2; EP2975665B1; EP3413369A1; US9123666B2; CN1868240B; EP2975665A1; WO2005039248A1; TW200524474A; US20150295017A1; EP3151302A1; US20110241038A1

Description

1255669 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種顯示裝置及1掣 i汉丹衣造方法、以及有機發光t置及其製造方法，特別i % & j疋關於在基板上排列形成有機 EL元件等發光元件，可選擇性取出所需發光色之面發光型之顯示裝置及其製造方法、以及有機發光裝置及其製造方【先前技術】近年來，取代布朗管（CRT)之顯示裝置，係積極研究、開發重量輕、耗電小之平板顯示裝置。其中使用無機虹元件及有機EL元件等之自♦氺刑 — 一予心目I先型之顯不元件（亦即發光元件）之顯不裝置，受到目屬日沾e j屬目的疋可以低耗電驅動之顯示裝置。將使用此種發光元件之顯千壯 Π，、、、員不I置予以全彩色化之構造，提出有··（1)排列發出藍 ^ 紅九之發先兀件之構造； ⑺在白色發光元件内組合彩色渡光器之構造；及(3)在白色或藍色發光元件内組合色轉換遽光器之構造等。八中在（1)之構造中，進—步提出有藉由藍、綠、&之各發光元件調整光取出、 J <坡^基板上之透明電極厚’來達成自各發光元件取 > 、 “ 出光之干&咼效率化之構诰 (茶照特開2003-142277號公報）。 ° 此外’在（1)之構造中，性材料層夾著包含發光層發光層產生之光在反射電擾，而自半穿透性材料層提出有採用以反射電極與半穿透之功能層之發光元件之構造，使極與半穿透性材料層之間多重干側取出之共振器構造。藉由形成 94646.doc 1255669 此種構造，可提高取出光之色 >兩山~ & 度共振之中心波長附近之取出強度。因而在並聯成社夏風綠、紅各個波長上具有 :::發光元件之顯示裝置中，藉由配合自藍、綠、紅各 =元件取出光波長來設定各發光元件之共振器構造之先予性距離，而達成提高構成取♦、、、貝不衣置時之正面亮度及色、、、屯度。此外，藉由通過彩芦、、廣先益取出發光，進-步以高色，、·屯度達成視野角依賴性小，比降低之高品質之顯干4「板表面反射造成對，、、/衣置（麥照國際公開專利wool- 039554號公報）。另外，關於將使用發u件之顯示裝置予以全彩色化之亦提出有數種相關技術。具體而言，為了提高自發 :件射出之光之射出效率，熟知有在包含發光層之功能 "使其卷光層以外之層之厚度各色不同之技術(參照特開2000-323277號公郝、。外碰丄報）该構造依據發光層以外之層之厚度差異’亦即依據光射出過程中之光成差異，利用^之干擾現象，各色提高光之射出效率。此外，為了將電極層 (透月％極)予以低电阻化，熟知有在其電極層内插入金屬. 薄膜（如50 _下厚度之銀（Ag))之技術（參照特開2隊 3 3 4 7 9 2號公報）。該構造係利用金屬薄膜之導電特性將電極層予以低電阻化。再者，為了有效產生高亮度之白色光’熟知有藉由堆疊產生藍色光之藍色發光層、產生綠色光之彔色毛光層與產生紅色光之紅色發光層而構成發光層之參照特開平1請洲號公報）。該構造係依據藉由堆豐監色發光層、綠色發光層及紅色發光層所構成之發光 94646.doc 1255669 層之結構性特徵，使白色光高亮度化，並且提高其白色光之產生效率。但是，上述⑴項之構造，為了在基板上排列發出藍、綠、紅光之各發光元件’須分別形成各色發光元件之發光層及包合發光層之功能層。如使用有機el元件作為發光元件時’除發光層之外，還須配合發光層來分別設計電子注入層、電子輸运層、電洞注人層及電洞輸送層之功能層。因此’各色發光元件之功能層之設計及形成非f繁雜。此外’製造此種發光元件時，係藉由使用金屬掩模之蒸鍍、塗敷及喷墨來形成包含發光層之功能層圖案。但是，進行使用金屬掩模之蒸鑛及塗敷時，由於金屬掩模之對準精確度之限度’或是進行喷墨時，由於其圖案化精確度之限度’發光元件及發光元件間之微細化及大型化困難，而成為妨礙實現可進一步高度精密顯示之顯示裝置之因素。另外，⑺及（3)項之構造，因各發光元件中只需發出相同波長區域之光即可’因此無需各色分別製作包含發光層之功能層。因而包含各發光元件設計之製造步驟比⑴項之構造簡便。然而，⑺項之構造，由於彩色濾、光器吸收不需要之發光成分，因此發光效率低，對耗電及元件壽命之負荷大。再者’可量產之彩色濾光器之穿透特性，無法將發光元件之白色發光色純度佳地濾光成藍、綠、紅，僅可形成取出光之波長分布廣而色重現性差之顯示裝置。此外， (3)項之構造，色轉換濾光器之轉換效率低，色轉換濾光器衣造困難，及色轉換濾光器之壽命、色轉換後之發光色之 94646.doc 1255669 色純度等有問題，而實用化困難。【發明内容】有鑑於上述問題，本發明之目的在提供一種藉由形成更單純化之發光元件構造，可簡化設計及製造，並且可進行高度精密顯示及色重現性佳之顯示之顯示裝置及其製造方法。為了達成此種目的，本發明第一觀點之顯示裝置之特徵為：在基板上排列數個共振器構造之發光元件，其係在包含光反射材料之反射鏡與光半穿透性之半反射鏡之間至少夹著包含發光層之功能層，並且使該發光層發出之光在該反射鏡與半反射鏡之間共振作為共振部，而自該半反射鏡側取出。而後，特別是各發光元件以相同層構成前述發光層，且設定成反射鏡與半反射鏡間之共振部之光學性距離不同之數個值。此種構造之顯示裝置，自具有以相同層構成之發光層之各發光元件，在藉由共振而增強之狀態下，取出對應於設 &於各杳光元件之反射鏡與半反射鏡間之共振部之光學性距離之波長區域之光。因而，藉由使用相同構造之發光層，並且以希望之發光波長之取出效率極大化之方式，設計各發光元件之反射鏡與半反射鏡間之光學性距離，自各發光元件以充分之強度取出不同發光色之光。因此，藉由排列以藍、綠、紅之發光之取出極大化之方式調整反射鏡與半反射鏡間之光學性距離之各發光元件，而成為全彩色顯示之顯示裝置。 94646.doc I255669 八此外’ϋ由以相同層構成各發光元件之發光層，亦可使 -體包含發光層之功能層形成相同構層無須依發光元件之各發光色來八別制…王體功此尤巳；刀別製作，無須在發光元件間設定分別製作功能層時所需之各功能層間之對準容限’而可縮小像素間之間距。

、另外，以相同層構成包含發光層之全體功能層時，係構 :反射鏡與半反射鏡作為電極’在此等之間夾著功能層與明導電膜’並藉由該透明導電膜調整反射鏡與半反射鏡間之光學性距離。另外，由於透明電極膜係藉由使用藉由喊影處理所形成之光阻圖案作為掩模之㈣而形成圖案，因此，與使用金屬掩模形成圖案及藉由噴墨形成圖案所需之功能層比較，可圖案化精確度佳地形成。

制是藉由使半反射鏡之反射率在01%以上而未達5〇% 之範圍内’適切抑制共振器構造之效應，因此在直視型之顯不裝置中，可適切減輕依據共振器構造之亮度及色度對視野角之依賴性。具體而言，半反射鏡之反射率為5〇;以上時，因共振器構造之共振效應過強，導致自共振部取出之光之光譜之半值寬過窄，因此顯示裝置之視野角依賴性交大，另外，半反射鏡之反射率在0.1%以上而未達50%之範圍時，因適度抑制共振器構造之共振效應，自共振部取出之光之光譜之半值寬適度擴大，因此顯示裝置之視野角依賴性變小。亦即，為了構成不論視野角為何，均可穩定地顯示之顯示裝置，半反射鏡之反射率宜在0.1%以上而未達50%之範圍，而非5〇%以上。此外，將半反射鏡之反射 94646.doc -10- 1255669 率設定在0.1%以上而未達50%之範圍時，藉由在半反射鏡之上方設置穿透以共振部共振而自半反射鏡側取出之波長區域之光之彩色濾光器，直視型之顯示裝置中，進一步藉由彩色濾光器適切減輕亮度及色度對視野角依賴性，因此顯示性能提高。另外，將半反射鏡之反射率設定為0·1%以上而未達5〇% 之範圍，進一步在半反射鏡之上方設置彩色濾光器，構成反射鏡及半反射鏡作為電極，在此等之間夾著功能層及透明導電層，並且在滿足下述式⑴之範圍内構成光學性距離 L，（式（1)中，Φ係發光層產生之光在共振部之兩端反射時產生之相移（弧度），L係共振部之光學性距離，λ係光中右人取出之光之光譜之峰值波長以滿足下述式（2)之方式來設定光學性距離Lt時（式（2)中，u係透明導電層之光學性距離，Lf係包含發光層之功能層之光學性距離），藉由式（1)中之m值，關於發光元件中之發出藍色光之發光元件^出綠色光之發光元件及發出紅色光之發光元件，係分別滿足 m=0, 〇, 〇、m=1，〇, 〇、m=1，l 〇、m=l，l 卜 =2,丨，i、m=2, 2,丨或^，2, 2之任何一個之方式，來設疋式（2)中之光學性距離Lt，Lf，確保共振器構造之發光波長之選擇及極大波長之增大，並且適切減輕亮度及色度對視野角之依賴性。 (2L)/ 久 + φ / (2 冗）：=m(m為整數）· · ·（丄）

Lt-L~Lf · · · (2) b外本發明第一觀點之顯示裝置之製造方法之特徵 94646.doc 1255669 為·係上述構造之顯示裝置之製造方法，且在基板上之各發光元件形成區域上形成反射鏡或半反射鏡後，依序或反順序進行形成光學性距離不同之透明導電膜圖案之步驟及統一形成前述發光層之步驟。此種製造方法，係在各發光元件形成區域之反射鏡或半反射鏡上形成發光元件，其係設有藉由統一形成而成為相同構造之發光層，及具有不同光學性距離之透明導電膜之豐層體。而後，藉由將發光層作為統一形成之相同層，亦

可統一形《包含該發光層之功能層全體n咸少包含功能層設計之製造步驟數。特別是’藉由以反射率在〇·1%以上而未達5()%之範圍之方式形成半反射鏡，如上所述，藉由適切抑制共振器構造之效應，可適切減輕關於直視型之顯示裝置依據共振器構造之亮度及色度對視野角之依賴性。此外，本發明之有機發光裝置之特徵為：具備設於基

上之3個有機發光元件，此等3個有機發光元件均具有自近基體側依序堆疊有：第一電極層、包含發光層之層及二電極層之構造，並且將發光層中產生之光轉換成彼此同之三色光而射出者。而後’特別是第—電極層具有自近基體側依序堆疊有：提高與基體之密合性用之密合層使發光層中產生之光在與第二電極層之間共振用之丄層；及保護該共振層用之障壁層之構造；障壁層之厚度/ 3個有機發光元件間彼此不同。又’ 此種構造之有機發光裝置，由於構成第—電極層之^ 94646.doc 12 1255669 層之尽度在3個有機恭 — 令钱毛先7〇件間彼此不同，因此，如欲. 發光層中產生3個有 u令钱舍先7L件間彼此相等色之光時，利用起因於依據障辟土 d之厚度差異之3個有機發光元件間之共振長差異之先+# <九干k現象，將發光層中產生之光轉換成影像顯示用之三色光（紅色光、綠色光及藍色光）。、此外，本發明之有機發光裝置之製造方法特徵為：係掣造有機發光裝置之方法，該有機發光裝置係具備設於基體上之3個有機發光元件，此等3個有機發光元件均具有自接 I:體側依序堆豐彳：第一電極層、包含發光層之層及第二電極層之構造，並且將發光層中產生之光轉換成彼此不同之三色光而射出者。而後，包含形成第一電極層之步驟忒第一電極層具有自接近基體側依序堆疊有：提高與基體之密合性用之密合層；使發光層中產生之光在與第二電極層之間共振用之共振層；及保護該共振層用之障壁層之構造；障壁層之厚度在3個有機發光元件間彼此不同。此種製造方法，由於係持續性重現性佳地形成具有障壁層之厚度在3個有機發光元件間彼此不同之特徵性構造之第一電極層，因此僅使用現有之薄膜製程，而不使用新型且繁雜之製程。此外，本發明第二觀點之顯示裝置之特徵為··具備有機發光裝置，其具有在基體上設有3個有機發光元件之構造’該有機發光裝置中之3個有機發光元件均具有自接近基體側依序堆豐有：第一電極層、包含發光層之層及第二電極層之構造’並且藉由將發光層中產生之光轉換成彼此 94646.doc -13 - 1255669 不同之三色光而射出，來顯示影像者。而後，特別是第一電極層具有自接近基體側依序堆疊有：提高與基體之密合性用之密合層·，使發光層中產生之光在與第二電極層之間共振用之共振層；及保護該共振層用之障壁層之構造·障壁層之厚度在3個有機發光元件間彼此不同。此種構造之顯示裝置，由於具備上述有機發光裝置，因此在製造顯示裝置上，無須使用金屬掩模來分別塗敷發光層，並且然須以彩色濾光器將發光層中產生之光予以色轉換。藉此，可謀求裝置尺寸之大型化，並且可確保光之利用效率。【實施方式】依據圖式詳細說明本發明之實施形態。 [弟一種實施形態] 首先，參fc、圖1說明本發明第一種實施形態之顯示裝置。圖1係模式顯示本實施形態之顯示裝置一種構造例之剖面圖。該圖所示之顯示裝置丨，係在基板2上排列形成取出藍（B)、綠（G)、紅（幻各色光之各有機el元件3B，3C}， 3R作為發光元件之全彩色之顯示裝置，且係利用有機el 現象來顯示影像者。各有機EL元件3B，3G，3R之構造係自基板2侧依序堆疊：下部電極4、透明導電層$、功能層6 及上。卩弘極7 ’且係屬於自與基板2相反之上部電極7側取出功能層6中產生之發光之光h之所謂頂部發射型。以下，說明各構件之詳細構造。基板2包含：玻璃、矽、塑膠基板，以及形成有薄膜電 94646.doc -14- 1255669 晶體（TFT)之TFT基板等。另外，設於基板2上之下部電極4係使用光反射性佳之導電性材料構成反射鏡。通常下部電極4係用作陽極或陰極，不過本實施形態中，由於在該下部電極4上經由透: 導電層5而設置功能層6，因此透明導電層5成為實質之陽極或陰極。因而本實施形態中之下部電極4只需以反射性佳之材料構成即可。此外，下部電極4依該顯示褒置1之驅動方式予以圖案化成適切之形狀。如驅動方式係單純矩陣型時，該下部電極 4如形成帶狀。此外，驅動方式係每像素a具備TFT之主動 2陣型時’下部電極4對應於數個排列之各像素a而形成圖木’同樣地，對設於各像素 t卜笼TFT々成 I之TFT係在經由形成於覆蓋此寻丁FT之層間絕緣膜狀態下形成。、之接觸孔^略圖式）而分別連接之另外，叹於該下部電極4上帝材料構成，特別日太一透月V笔層5係由透明電極斗寸別疋本貫施形態中，如極或陰極。另外，蚀田策义係用作貝貝之％ Γ, 7 ^ 透明導電層5作為陽極時，係選擇功函數大之透明導雷祕评時，俜-登摆，材料’使用透明導電層5作為陰極 4，係廷擇功函數小栘用、类日日道币透月V电性材料。另外，圖1中以使用透明導電層5作為α 氧化銦錫（ITQ)而成 …代表來顯^有如使用风马％極之透明導將該透明導電層5 曰 3G，3R上具有各：化，而在各有機EL元件3B’ 機EL元件3B，3g 、予性距離U)。另外，設於各有之透明導電層5(5B，5G，5R)只需 94646.doc 1255669 -有刀別β又疋之光學性距離Lt即彳，而無需以相同材料構成。另外，就各透明導電層5B，5G，5R之光學性距離^ 之δ又疋，於以後詳細說明。此外，堆疊於該透明導電層5上之功能層6之特徵為：包含以有機材料構成之數層’ 士口自陽極側(圖1中係透明導電層5侧)依序堆豐.電洞輪送層1〇、發光層"及電子輸送層 U ’亚在各有機EL元件3B ’ 3G，3R間設為相同層。此外邊功能層6亦可各像素_成圖案，亦可形成全面膜狀。此時，為了在本實施形態之顯示裝置獲得全彩色顯示，發光層η中產生之發光之光h，須在藍、綠及紅之波長區域具有發光強度。特別是宜為在欲取出藍、綠、红之全部波長區域具有發光強度之極大，而不需要之波長區域之發光強度小之構造之功能層6。藉由使可，需要之發光區域之光取出效率高，以純度二不衣置。此種功能層6之構造可自熟知之構造等任意地選擇。另外，功能層6之膜厚（光學性距離Lf)須以與透明導電膜 5對準之下部電極4與上部電極7之間成為使之共振部15之方式，並如以後詳細說明地設定。L、振另外’設於此種功能層6上部之上部電極7係構成半反射鏡’於上迷下部電極4(透明導電層5)係陽極時，用作阶極，於下部電極4(透明導電層5)係陰極時，用作陽極。: 用上^弘極7作為陽極時，構成上部電極7之材料，係選擇鎳、銀、金、鉑、鈀、硒、鍺、釕、銥、銖、鎢、鉬、 94646.doc -16- 1255669 鉻、鈕、鈮及此等合金或4

^ 、次虱化錫（Sn〇2)、氧化銦錫（IT 氧化辞、氧化鈦等功函數大之導命弘性材枓來使用。此外，使用該上部電極7作為陰極時（圖、口 ’構成上部電極7之材料如選擇鋰、鎂、鈣等活性金屬々屬舁銀、鋁' 銦等金屬之合金等功函數小之導電性材料來佶十水使用，亦可形成堆疊此等之構造。此外’亦可形成在與功能層6之間，如插入薄之鐘、鎮、躬等活性金屬與氣、演等南素及氧等之化合物層之構造。另外，由於使用上部電極7作為取出功能層6產生之發光側之半反射鏡’因此其光穿透率係、藉由臈厚等調整。特別疋構成半反射鏡之上部+托7 > 規炙上〇卩包極7之反射率宜為0.1%以 ί而未達5G%之範圍。&因，上部電極7之反射率為上述粑圍時，由於適切抑制共振器構造(共振部15)之效應，因此在直視型之顯示裝以中，適切減輕依據共振和之亮度及色度對視野角之依賴性。具體而t，上部電極7之反射率為50%以上時，因共振部15之共振效應過強，導致自其共振部15取出之先之杏碰夕坐姑办尤之九σ曰之+值見過窄，因此顯示裝置 1之視野角依賴性變大，另外，上部電極7之反射#在(Μ% 以上而未達50%之範„ ’因適度抑制共振部此共振效應，自其共振部15取出之光之光譜之半值寬適度擴大，因此顯示裝置i之視野角依賴性變小。亦即，為了構成不論視野角為何，均可穩定地顯示之顯示裳D，上部電極7之反射率宜在(M%以上而未達5〇%之範圍，而非5〇%以上。另外’上部電極7之反射率之下限宜為「〇1%以上」之理 94646.doc -17- 1255669 由，係因反射率未達01%時，功能。上部電極7已經不發揮反射、此外，上部電極7於該顯示裝置4單純矩陣型時，係形成與下部電極4之帶交叉之帶狀，此等交叉而堆疊之部分成為各有機EL元件3B，3G，3R。此外，該顯示裝置i為主動矩陣型時，上部電極7可為以覆蓋基板^之—面之狀態下成膜之全面月莫狀，並用作各像素共用之電極。而後，在該上部電極7與上述下部電極4之間連接有此處省略圖式之電流注入用之驅動電源。其次，說明各有機EL元件3B，3G，3R之下部電極*與上口I5包極7間之共振部丨5之光學性距離L及透明導電層， 5G，5R之光學性距離Lt。亦即，各有機EL元件3B，3G，3R中，下部電極4與上部電極7間之共振部丨5之光學性距離L分別設定成設定於各個有機EL元件3B，3G，3R之希望之波長區域之光在共振部 15之兩端共振之值。因而，如在共振部丨5之兩端，發光層 11產生之發光之光h反射時產生之相移為φ弧度，共振部 15之光學性距離為L，發光層丨丨產生之發光之光^中欲取出之光之光譜之峰值波長為λ時，在滿足下述式（1)之範圍内構成共振部1 5之光學性距離L。 (2L)/ 又 +φ/(2 7Γ )=m(m為整數）· · ·（1) 此時，就有機EL元件3B，欲取出之光之光譜之峰值波長又，係在藍色區域内設定峰值波長；I =460 nm，來算出共振部15之光學性距離L。此外，就有機EL元件3G，欲取 94646.doc -18 - 1255669 出之光之光譜之峰值波長λ，係在綠色區域内設定峰值波長；1 =530 nm，來算出共振部15之光學性距離二。再者，就有機EL兀件3R，欲取出之光之光譜之峰值波長λ，係在紅色區域内设疋峰值波長又=63〇 nm，來算出共振部丨5之光學性距離L。另外’各共振部15之光學性距離l只要係滿足上述式〇) 之值即可，不過其中，特別宜構成光學性距離L成為正之最小值。另外’就「構成各共振部15之光學性距離L成為正之最小值」，於以後詳細說明。另外’各有機EL元件3B，3G，3R，由於以相同層構成包含發光層11之功能層6，因此共振部15之光學性距離L係藉由各透明導電層5B，5G，5R之光學性距離Lt來調整。因此’透明導電層5B，5G，5R之光學性距離為Lt，包含發光層11之功能層6之光學性距離為Lf時，係以滿足下述式（2)之方式，來設定各有機EL元件3B，3G，3R之透明導電層5B，5G，5R之光學性距離Lt(膜厚）。

Lt=L ~ Lf · · · (2) 其中，Lf係比L小之一定值。另外’在此種構造之顯示裝置1内組合設置彩色濾光器時’係將僅穿透欲自各有機EL元件3B，3G，3R取出之光譜之峰值波長λ近旁之光h之彩色濾光器設置於各個有機 EL元件3B，3G，3R之光取出面側，不過省略此時之圖式。此時，上述之所謂「構成各共振部15之光學性距離L在 94646.doc -19- 1255669 2足：述式⑴之範圍成為正之最小值」，係指其式⑴中滿足關於發出藍色波長區域之光hb之有機、m 〇 ’關於發出綠色波長區域之光hg之有機兀〇為，0,關於發出紅色波長區域之光hr之有機EL =為吹方式，設定上述式⑺中之光學性距離认 —^、中式（1)中之m值，除上述之關於有機el元件π為關於有機EL兀件30為111=：〇，關於有機此元件从為 m = 〇之條件外，亦可以滿足關於有機EL元件戰m=1，關於有機ELtl件3G為m=G，關於有機虹元件艰為“之條件，關於有機EL元件3B*m=1，關於有機紅元件犯為、關於有機EL元件3Rgm=〇之條件；關於有機£1^元件 3B為m 1 ’關於有機虹元件扣為卜關於有機虹元件 3R&m=1之條件；關於有機EL元件3B為m=2，關於有機el 元件G為m 1，關於有機EL元件3尺為1^==1之條件；關於有機ELtg件3Bgm=2,關於有機EL元件犯為㈣，關於有機 EL元件3R為m=1之條件；或是關於有機el元件犯為⑽^，關於有機EL元件3G為m=2，關於有機EL元件3]^為111=2之條件之方式，來設定式（2)中之光學性距離“，Lf。此時使用彼此相同之反射鏡及半反射鏡時，由於m值愈大，自共振器構造（共振部15)取出之光之半值寬愈小，因此自其共振 4 15取出之光之色純度提咼，另外，亮度降低，視野角依賴性變大。因此，藉由降低半反射鏡之反射率或是提高穿透率，可將自共振部15取出之光之強度、色純度及視野角依賴性予以適切化。另外，由於關於有機£[元件311為m=1 94646.doc -20- 1255669 之條件，係自其有機EL元件3R亦合併取出相當於m=；2之條件之藍色光，並且關於有機EL元件3R為m=2之條件，係自其有機EL元件3R亦取出相當於m=3之條件之藍色光，因此為了確保良好之顯示性能，而需要彩色濾光器。本實施形態之顯示裝置，具有以相同層所形成之功能層 6之各有機EL元件3B，3G，3R，分別構成使藍、綠、紅之各波長共振之共振器構造。藉此，可使用相同構造之發光層，並且可自各有機EL元件3B，3G，3R，藉由僅多重干 k監、綠或紅之各波長之光hb，hg，hr增強而取出，因而構成進行全彩色顯示之顯示裝置。而後，自各有機EL元件3B，3G，3R取出之光hb，hg， hr以各個有機EL元件3B，3G，伙之共振部15共振而取出，因此以充分強度取出僅對應於藍、綠、紅之希望之波長區域之光。因此可進行重現性佳之全彩色顯示。特別是，由於構成半反射鏡之上部電極7之反射率係在〇·!%以上而未達50%之範圍，因此適切抑制共振部15效應 …果在直視型之顯示裝置1中，適切減輕依據共振部J 5 之π度及色度對視野角之依賴性。因而增加顯示裝置丄正面之取出光之選擇性及光強度，並且可降低亮度及色度對視野角之依賴性。此時，進一步藉由在構成半反射鏡之上部電極7上方，設置穿透以共振部15共振而自半反射鏡側取出之波長區域之光之彩色濾光器，在直視型之顯示裝置 1中’上述亮度及色度對視野角之依賴性進一步藉由彩色渡光器而適切減輕，因此可提高顯示性能。 94646.doc -21 - 1255669 且如上述，各有機EL元件3B，3G，3尺中，由於包含發光層11之功能層6全體係由相同層構成，目此無需各有機 EL兀件3B ’ 2G ’ 3R分別製作將藉由使用金屬掩模之蒸鍍法及喷墨法而形成之功能層6。因而，亦無須在像素a間設疋分別製作功能層6時所需之各功能層6間之對準容限，而可縮小像素a間之間距。另外，由於各有機EL元件3B， 3G，3R之光學性距離L係藉由透明導電層5B，％，从之光學性距離Lt調整，因此需要分別製作透明導電層π， 5G，5R。但是，由於透明導電層5B, %，5R係藉由使用藉由微影處理而形成之光阻圖案作為掩模之㈣而形成圖案’因此’與需要使用金屬掩模形成圖案及藉由噴墨形成圖案之功能層6比較，圖案精密度佳。而後，如以上所述，藉由實現像素&間之微細化，而可進行高度精密之全彩色顯示。此外，由於發光層丨丨包含相同層，因此亦無須特別設定包含膜厚厚之有機材料之功能層6。因此，不致發生僅一部分有機EL元件之驅動電壓提高之現象，可抑制耗電，此外亦無須進行考慮各色之有機虹元件之驅動條件不同之驅動電路設計。另外，各共振部15之光學性距離L構成在滿足上述式（1) 之範圍成為正之最小值時，如國際公開專利w〇〇i_〇39554 號公報所揭示，取出光之光譜在波長λ之光多重干擾之範圍最廣範圍地保持。因而，該顯示元件係取出光之光譜保持某種程度寬，並且峰值強度藉由多重干擾而提高者。因 94646.doc -22- 1255669 此，該顯示元件即使視野角偽差拄，^ 儿r用偏差牯，仍可抑制較小之波長 Λ之移位量’而在廣視野角之範圍謀求色純度提高。具體而言’藉由以式（1)中之喊，關於有機肛元件3β、有機 EL元件3G及有機EL元件3R，分別滿足㈣，〇, 〇〇 °，，1，1，0 2之任何-個之方式，設定式⑺中之光學性距離，可確保共振器構it (共振部15)之發光波長之選擇及極大波長之增大，適切減輕依據共振部15之亮度及色度對視野角^ 依賴性。其次，就本實施形態之顯示裝置之製造$法，說明上述構造之顯示裝置1之製造方法。百先，在基板2上，形成構成下部電極4之電極材料膜，在3电極材料膜上，形成具有設定於形成於各個像素部之口有枝:EL元件之光學性距離^^之各透明導電層5b，5g， 5R圖案。此等各透明導電層5B，5G，5R之圖案形成方法並無特別P艮定’於各透明導電層5B，5G，5R包含相同材料時，如以下述方式進行。百先’以與光學性距離Lt最小之透明導電層5B之膜厚相同之膜厚形成第一透明導電材料膜，在僅覆蓋配置有機EL 兀件3B之像素a之狀態下形成第一光阻圖案。其次，以與第透月&電材料膜之膜厚合併之膜厚成為與光學性距離小之透明導電層5G之膜厚相同膜厚之方式，形成第一透明導電材料膜，在僅覆蓋配置有機EL元件3G之像素a 心下形成第二光阻圖案。再者，以與第一透明導電材 94646.doc -23- 1255669 料膜及第二透明導恭从月¥%材枓膜之膜厚合併之膜性距離Lt最大之透子攻為舁先學处月V弘層5R之膜厚相同膜厚成第三透明導電材料膜，子之方式，形像素之狀態下形成第三光阻圖案。尺之其次’將第三綠圖㈣為掩模來㈣料膜。繼續，在笫-杰加θ5 V弘材冲上先阻圖案露出處，將第二光阻圖宰及 …、掩杈來蝕刻第二透明導電材料臈。繼續在弟先阻圖案露出處，將第一光阻圏安直. 及第三光阻圖案作為掩掇攻口木此，於第一光阻圖幸下方开，出勺人一腺糟、曾+s 下方形成包含弟一透明導電膜之透明導電層5B圖案，在第二氺 ^ 一圖木下方形成包含第一透

電膜及第二透明導電膜之透明導電㈣圖案，並在第J 阻圖案下方形成包含第一透明導電膜、第二透明導電:及第三透明導電膜之透明導電層5R圖案。、一如以上：述地形成透明導電層5B，％，从圖案後，進步使用弟-至第三光阻圖案作為掩模，來姓刻電極材料膜，而形成下部電極4。而後’在覆蓋形成有圖案之透明導電層5B，5G，化及下部電極4狀態下，在基板2上依序堆疊形成電洞輸送層 10、發光層U及電子輸送層12，而在各像素&上統一形成包含相同層之功能層6。此等各層1〇〜12可使用以熟知之方法合成之各有機材料’並應用真空蒸鑛及自旋式塗敷等熟之方法而形成。最後’藉由以反射率在〇·工％以上而未達範圍之方式;t隹豐形成上部電極7，可獲得排列形成 94646.doc •24- 1255669 上述構造之有機EL元件3B，3G，3R所構成之顯示裝置1。本實施形態之顯示裝置之製造方法，於製造上述構造之顯示裝置1時，藉由各有機EL元件3B，3G，3R統一形成包含發光層11之功能層6，可謀求減少包含功能層設計之製造步驟數。因此，藉由功能層6之共同化來實現發光元件之被細化’可進行咼度精密顯示，且藉由以充分之強度取出希望之發光色之光，可更簡便地製造可進行重現性佳地顯示之顯示裝置1。特別是藉由以反射率在Ο·〗％以上而未達5〇%之範圍之方式形成半反射鏡，如上述，適切抑制共振部15之效應結果關於直視型之顯示裝置1，可適切減輕依據共振部15 之壳度及色度對視野角之依賴性，因此可實現重現性更佳且視野角依賴性更小之高品質之顯示裝置1。另外，以上說明之實施形態中，係說明使用圖1自與基板2相反之上部電極7側取出發光之光h之所謂頂部發射型之顯示裝置1之構造及其製造方法。但是，如圖2所示，本毛明亦可適用於自基板2側取出發光之光h之所謂底部發射型之顯示裝置1A。此時，除設於基板2上之下部電極4A係使用光反射性之材料構成半反射鏡，上部電極7歧用光反射性佳之材料構成反射鏡之外，可與上述實施形態相同構造，並可獲得相同效果。但是，顯示裝置之驅動方式採用主動矩陣型時’宜藉由使用^所示之頂部發射型古元件之開口率。阿此外，上述之實施形態之構造係在下部電極*，从上設 94646.doc -25- 1255669 心明導電層5,不過透明導電層5亦可設於功能層6與上 :電極7’ 7A之間。此時，下部電極4, 4A成為實質虽或陰極，透明導電層5取代上部電極7，陰r她。此外，上述實施形態中，透明導電層：形成圖案’不過亦可使用蒸鑛掩模及噴墨等方法來形成圖案。 / +再者，上述實施形態、巾，係說明使用訂部電極與上部

:極作為反射鏡與半反射鏡，並將其間作為共振部之各有機ELtg件之例。但是，本發明之顯示裝置並不限定於此種構造。亦即，亦可為將下部電極或上部電極作為反射鏡，將構成功能層之任何一層作為半反射鏡，在此等反射鏡與半反射鏡之間夾著包含相同層之發光層u，並藉由爽在此等反射鏡與半反射鏡間之發光層11以外之功能層之膜厚，周正/、振邛之光學性距離之構造。此外，亦可為反射鏡及半射鏡自上°卩笔極或下部電極之外側夾著發光層1 1之構

造。即使在此種情況，仍可謀求簡化將發光層丨丨作為相同層之製造步驟。再者，上述實施形態中，係說明發光元件係使用有機EL 70件之顯不裝置之構造。但是，本發明並不限定於使用有機EL凡件之顯示裝置，如可廣泛適用於使用可構成無機 EL兀件之共振構造之發光元件之顯示裝置。 [第二種實施形態] 其-人’參照圖3 ’說明本發明第二種實施形態之顯示裝置。圖3顯示顯示裝置1 〇 1之剖面構造。 94646.doc -26- 1255669 該顯示裝置101係利用有機EL現象顯示影像者，如圖3所示，具有設有有機EL元件130及驅動其有機EL元件130用之驅動元件（TFT ;薄膜電晶體）112之有機發光顯示裝置之相對配置驅動面板11 0與密封面板15〇，以此等驅動面板 110與密封面板150夾著有機EL元件130之方式經由接著層 160貼合之構造。該顯示裝置ι〇1如具有將有機el元件13〇中產生之光e设於上方’亦即自密封面板15 〇射出外部之頂部發射型構造。驅動面板110具有在基板之驅動用基板1丨丨上設有上述有機EL元件130之3個有機EL元件130R，130G，130B之構造。該驅動面板1 10之構造，具體而言如具有在驅動用基板111之一面依序堆疊有：作為TFT112之3個TFT1121， 1122 ’ 1123 ;層間絕緣層113 ;各TFTU21〜1123各設有2 組之配線114 ;作為配置有機EL元件13〇R，i3〇G，13〇3之基底區域之平坦化層115 ;上述之有機EL元件13〇R， 130G，130B、輔助配線14〇及層内絕緣層117 ;與保護層 120 〇驅動用基板111係支撐有機EL元件13〇&tft112用者，如包含玻璃等絕緣性材料。丁1^112(1121 ，1122，1123)係驅動有機 EL 元件 130(130R，n〇G，130B)而使其發光者。該TFT112之構造匕5圖上未顯示之閘極電極、源極電極及汲極電極，其閘極弘極連接於掃描電路（圖上未顯示），源極電極及汲極電極均通過设於層間絕緣層丨丨3之連接孔（圖上未顯示）而連接 94646.doc 1255669 於配線114 °另外，TFTl 12之構造並無特別限定，如亦可為底部閘型，或亦可為頂部閘型。層間絕緣層113係電性分離各TFT1121〜1123間用者，如匕 δ 氧化石夕（Si〇2)及 psG(Ph〇spho-Silicate Glass)等之絕緣性材料。 -己、、泉114係起作用作為信號線者，如包含铭（A〗）或紹銅合金（AlCu)等之導電性材料。平坦化層115係將配置有機EL元件13〇之基底區域予以平坦化，高精密度形成構成其有機E]L元件13〇之一連串層用者士 L 3水&亞胺或P〇lybenzooxazole等之有機絕緣性材料，及氧化矽（Si〇2)等無機絕緣性材料。有機EL元件130(130R，u〇G，13〇B)係射出影像顯示用之光e者’具體而言，係將後述之包含發光層之層118產生之特定色（波長）之光轉換成對應於光之三原色之三色 (R(紅）、G(綠）、B(藍））之光而射出者。有機扯元件^通係射出、工色之光er者，並具有自接近驅動用基板⑴側起依序堆豐有：作為第-電極層之下部電極層U6r，·包含發光層之層it及作為第二電極層之上部電極層]19之構有機EL元件130G係射出綠色之光去心尤eg者亚具有自接近驅動用基板111側起依序堆疊有··作為第一電極層之下部電極層116G ;包含發光層之層118 ; ^ 久丄#弘極層11 9之構造。有機EL元件13叩係射出藍匕心尤eb者，亚具有自接近驅動用基板1 1 1側起依序堆疊有：讣局弟一電極層之下邓電極層116B’·包含發光層之層118 久上哔电極層119之 94646.doc -28 - 1255669 構造。此等有機EL元件130R，130G，130B如分別對應於

各TFT1121〜1123而配置，下部電極層116R，116G，116B 均通過設於平坦化層1 1 5之連接孔（圖上未顯示）而連接於設於各TFT1121〜1123之配線114。另外，關於有機EL元件 130R，130G，130B之詳細構造於後述（參照圖4及圖5)。辅助配線140係藉由緩和圖上未顯示之電源與上部電極層119間之電阻差異而減低有機el元件130之電阻差用者，並與其上部電極層11 9電性連接。該辅助配線丨4〇配置於與有機EL元件130R，130G，130B相同階層，如具有與其有機EL元件130R大致相同之疊層構造。另外，關於輔助配線140之詳細構造於後述（參照圖4)。層内絶緣層117係電性分離有機el元件1 3OR，1 3〇G， 130B及辅助配線140間，並且限定自各有機EL元件u〇r， 130G，130B射出之光e(er，eg，eb)之射出範圍用者，且配置於有機EL元件130R，130G，13〇B及輔助配線14〇之周圍。該層内絕緣層117如包含聚醯亞胺或p〇lybenz〇〇xaz〇ie 等之有機絕緣性材料，及氧切（SlQ2)#無機絕緣性材料’其厚度約600 nm。保護層120係保護有機EL元件13〇用者，如係、包含氧化石夕 (Si02)及氮化邦iN)等光穿透性之介電材料之鈍化膜。密封面板150具有在密封用基板151之一面設有彩色渡光器152之構造。機從对用吞极係支撐彩色濾光器152，並且可穿透自 EL元件 130R，13〇G，130BM 屮夕土 U⑽射出之先er，eg，eb而射出 94646.doc -29- 1255669 部用者，如包含玻璃等之絕緣性材料。彩色濾、光器152係將自有機EL元件130R，130G，130B分別射出之光er，eg，eb導至顯示裝置ι〇1之外部，並且於外光侵入其顯示裝置101内部，而於有機EL元件130及輔助配線140中反射時，藉由吸收其反射光來確保對比用者。該彩色濾光器152由對應於各有機el元件130R，130G，130B 而配置之3個區域’亦即包含紅色區域1 52r、綠色區域 15 2G及藍色區域152B而構成，此等紅色區域i52R、綠色區域152G及藍色區域152B如分別包含混入有紅色、綠色及藍色顏料之樹脂。接著層1 60係貼合驅動面板1 1 〇與密封面板丨5 〇用者，如包含熱硬化型樹脂等之接著性材料。另外’圖3為了簡化圖式而僅顯示3個TFT112 (TFT1121〜1123) 及1組有機EL·元件130(3個有機EL元件130R，130G， 1 30B)，貫際上係在驅動用基板1丨丨上矩陣狀地設有數個 TFT112，並對應於此等之數個TFTU2而配置有數組有機 EL元件130。其次’茶照圖3及圖4，說明有機el元件130R，130G， 1 3 0B及輔助配線140之詳細構造。圖4放大有機EL元件 130R，130G，130B及輔助配線MO之剖面構造而模式顯示。有機EL·元件130R，130G，130B如圖4所示，具有彼此不同總厚之疊層構造。作為第一有機發光元件之有機EL元件u〇B如上述，具 94646.doc -30- !255669 有自接近驅動用基板111側起依序堆疊有··下部電極層 116B、包含發光層之層118及上部電極層n9之構造。該下部電極層1 16B具有自接近驅動用基板1丨丨側起依序堆疊有：驅動用基板111，更具體而言，係提高與設於驅動用基板111之一面之平坦化層115之密合性用之密合層 1161B ;使包含發光層之層118中產生之光在與上部電極層 119之間共振用之共振層1162B ;及保護該共振層1162B用之障壁層1163B之構造。特別是障壁層丨163B具有單層構造（障壁層1163B1)。該有機EL元件13〇B如上述，具有使包含發光層之層118中產生之光在共振層1162B與上部電極層 119之間共振之共振構造（一種窄帶域濾光器），共振層 1162B與上部電極層i 19間之光學性距離L(LB)，如滿足下述式（3B)之關係。特別是有機EL元件13〇B係將包含發光層之層118中產生之光轉換成藍色之光吡者，更具體而言，如頂部發射型之顯示裝置1 〇 i，係將在共振層i丨62B與上部電極層11 9間共振之光吡經由上部電極層i丨9而射出者。 (2LB)/ λ + φ / (2 7Γ )=mB · · · (3B) (式中，LB、久、φ、mB分別係：lB表示共振層 1162B(作為鄰接於共振層ii62B中之障壁層H63B之第一立而面之鈿面PB1)與上部電極層丨19(作為鄰接於上部電極層 119中之包含發光層之層118之第二端面之端面間之光學性距離；λ表示欲射出之光之光譜之峰值波長；φ表示 ’、振層1162Β(ί而面ΡΒ1)及上部電極層η%端面ρΒ2)上產生之反射光之相移，mB表示〇或整數（如。） 94646.doc -31 - 1255669 密合層116^如由包含：鉻（(^)、銦（111)、錫（811)、鋅 (Zn)、鎘（Cd)、鈦（Ti)、鋁（A1)、鎂（Mg)及鉬（M〇)群中之至少一種金屬，其金屬之合金、其金屬氧化物或其金屬氮化物等構成，其厚度約為i nm〜300 nm。此等之「合金」、金屬氧化物」及「金屬氮化物」，如合金為··銦鍚合金 (InSn)、銦鋅合金（ιηζη)、麵鈥合金及紹銅合金石夕化物（AlCuSi);金屬氧化物為：氧化銦錫（IT〇; indiurn Tin Oxide)及氧化銦辞（izo; indiuin Zinc Oxide);金屬氮化物為氮化鈦（TiN)等。特別是，密合層1161]B宜包含密合性及 $電性佳之ITO及IZO。該密合層1161B之厚度，如上所述，包含導電性佳之ITO及IZO時，宜約為1 nm〜300 nm ; 此外，考慮ITO之表面平坦性時，宜約為3 nm〜50 nm ;另外’包含導電性比ITO及IZO差之氧化絡（Cr203)時，為了防止配線114與下部電極層116B間之連接電阻過大，宜約為 1 nm〜20 nm 〇共振層1162B係起作用作為使包含發光層之層n8中產生之光在與上部電極層119之間共振用之反射層者，如由銀 (Ag)或包含銀之合金構成。該包含銀之合金，如為包含銀與包含：鈀（Pd)、鈥（Nd)、釤（Sm)、釔（γ)、鈽（ce)、銪 (Eu)、釓（Gd)、铽（Tb)、鏑（Dy)、铒（Er)、镱（Yb)、銃 (Sc)、釕（Ru)、銅（Cu)及金（Au)之群中至少一種之合金，具體而言，如銀鈀銅合金（AgPdCu)等。該共振層Π62Β之厚度’如為頂部發射型之顯示裝置1〇1時，比上部電極層 119之尽度厚，而約為1〇〇 nm〜300 nm。 94646.doc -32- 1255669 F手壁層1 163B(1 163B1)如包含功函數比共振層丨162B大之材料’其厚度約為1 nm〜nm。具體而言，障壁層丨163B 如由包含：包含銦（In)、錫（Sn)、辞（Zn)、鎘（Cd)、鈦 (Ti)、鉻（Cr)、鎵（Ga)及鋁（A1)之群中至少一種之金屬，其至屬之合金，其金屬氧化物或其金屬氮化物之光穿透性材料而構成。此等之「合金」、「金屬氧化物」及「金屬氮化物」，如合金為··銦錫合金及銦辞合金；金屬氧化物為· ιτο、ιζο、氧化銦（In2〇3)、氧化錫（Sn〇2)、氧化辞 (ZnO)、氧化錦（Cd〇)、氧化鈦（丁叫）及氧化鉻（Cr〇心金屬氮化物為··氮化鈦及氮化鉻（CrN)等。作為第二有機發光元件之有機EL元件130G除障壁層 U63G之構造不同之外，具有與有機EL元件l3〇B大致相同之構造。亦即，有機EL元件i30G如上述，具有自接近驅動用基板ill側起依序堆疊有：下部電極層n6G、包含發光層之層118及上部電極層119之構造；該下部電極層116 G具有自接近驅動用基板丨丨丨側起依序堆疊有：密合層 1161G、共振層1162〇及障壁層U63G之構造。特別是障壁層1163G如具有依序堆疊有：具有與障壁層U63Bi相同厚度之下°卩卩早壁層1163G1與上部障壁層U63G2之兩層構造。此等下部障壁層1163G1及上部障壁層U63G2如亦可為彼此相同之材質，亦可為彼此不同之材質。該有機EL元件130G與有機EL元件13〇B同樣地具有使包含發光層之層 118中產生之光在共振層丨162G與上部電極層丄Η之間共振之共振構造，共振層1162(}與上部電極層119間之光學性距 94646.doc -33- 1255669 離L(LG) ’如滿足下述式（3G)之關係。特別是有機el元件 13 0G係將包含發光層之層n8中產生之光轉換成綠色之光 %者’更具體而言，如頂部發射型之顯示裝置丨〇 1，係將在共振層1162G與上部電極層Π9間共振之光eg經由上部電極層11 9而射出者。 (2LG)/ λ + φ / (2 ;r )=mG · · · (3G) (式中，LG、φ、mG分別係：lg表示共振層1162G(作為鄰接於共振層1162G中之障壁層1163G之第一端面之端面PG1)與上部電極層119(作為鄰接於上部電極層丨19中之包含發光層之層118之第二端面之端面ρ〇2)間之光學性距離；Φ表示共振層1162G(端面PG1)及上部電極層119(端面 PG2)上產生之反射光之相移；mG表示〇或整數（如 mG=0)。）作為第三有機發光元件之有機EL元件13〇11除障壁層 1163R之構造不同之外，具有與有機EL元件13〇B大致相同之構造。亦即，有機EL元件130R如上述，具有自接近驅動用基板111側起依序堆疊有：下部電極層U6R、包含發光層之層11 8及上部電極層丨丨9之構造；該下部電極層n 6 R具有自接近驅動用基板丨丨丨側起依序堆疊有：密合層 1161R、共振層1162尺及障壁層1163尺之3層構成。特別是障壁層1163R如具有依序堆疊有：具有與障壁層n63Bi相同厚度之下部障壁層1163R1、具有與下部障壁層U63G1 相同厚度之中間障壁層U63R2與上部障壁層1163113之3層構造。此等下部障壁層1163R1、中間障壁層U63R2及上 94646.doc -34- 1255669 部障壁層U63R3如亦可以皮此相同之，亦可為彼此不同之材貝。s亥有機EL元件1 3 OR與有機元件丨3 〇B同樣地具有使包含發光層之層118中產生之光在共振層U62r與上部電極層119之間共振之共振構造，共振層116211與上部電極層119間之光學性距離L(LR)，如滿足下述式（3R)之關係。特別是有機EL元件130R係將包含發光層之層118中產生之光轉換成綠色之光er者，更具體而言，如頂部發射型之顯示裝置101，係將在共振層11 62R與上部電極層i丨9間共振之光er經由上部電極層119而射出者。 (2LR)/ λ + Φ / (2 ；Γ )=mR · · · (3R) (式中’ LR、φ、mR分別係：LR表示共振層1 i62R(作為鄰接於共振層1162R中之障壁層1163R之第一端面之端面 PR1)與上部電極層119(作為鄰接於上部電極層U9中之包含發光層之層118之第二端面之端面PR2)間之光學性距離，Φ表示共振層1162R(端面PR1)及上部電極層119(端面 PR2)上產生之反射光之相移；表示〇或整數（如 mR=〇) 〇 ) 另外，構成有機EL元件130G之密合層1161G、共振層 1162G及障壁層1163G(下部障壁層1163G1、上部障壁層 1163G2)，以及構成有機EL元件130R之密合層U61R、共振層1162R及障壁層1163R(下部障壁層1163R1、中間障壁層1163R2、上部障壁層1163R3)之功能及材質等，分別與構成有機EL元件13 0B之密合層1161B、共振層1162B及障壁層 1163B(1163B1)相同。 94646.doc -35- 1255669 用於確認’為了便於觀察有機El元件130R，130G， 130B間構造之差異，圖4係各有機队元件13〇R，i3〇G， 130B分離顯示包含發光層之層n8及上部電極層U9兩者，不過實際上如圖3及圖4所示，包含發光層之層118係以經由有機EL元件130R中之下部電極層U6R(上部障壁層 1163R3)上、有機EL元件130G中之下部電極層H6G(上部 P早壁層1163G2)上及有機el元件130B中之下部電極層 116B(障壁層1163B1)上之全部之方式連續地延伸，並且上部電極層119係以覆蓋包含發光層之層118之方式連續地延伸，亦即，包含發光層之層118及上部電極層119兩者均由各有機EL元件130R，130G，130B共有。另外，關於包含發光層之層11 8之詳細構造於後述（參照圖5)。上部電極層119如由包含銀（Ag)、鋁（A1)、鎂（Mg)、約 (Ca)、鈉（Na)之群中至少一種金屬或包含其金屬之合金等構成。該「包含金屬之合金」如為鎂銀合金（MgAg)等。該上部電極層119之厚度，如頂部發射型之顯示裝置1〇1，係比共振層1162R，1162G，1162B之厚度薄，而約為i随〜1〇 nm。特別是，上部電極層丨19如上所述，依據有機el元件，130G，130B具有共振構造之點，係起作用作為為了使包含發光層之層118中產生之光在與共振層U62r， 1162G，Π62Β之間共振而反射，並且依需要，為了使共振後之光er，eg，eb射出至外部而穿透之半穿透反射層者。如圖4所示，包含發光層之層118之厚度HR，HG，hb，在 3個有機EL元件130R，130G，i3〇b間彼此相等 94646.doc -36- 1255669 (HR=HG=HB)。該包含發光層之層118係產生在3個有機EL 元件130R，130G，130B間彼此相等色（波長）之光者。特別是障壁層1163R，1163G， 1163B之厚度DR， DG， DB，在3個有機EL元件130R， 130G， 130B間彼此不同，具體而言，對應於自3個有機EL元件130R， 130G，130B射出之3色之光er，eg，eb而彼此不同。亦即，厚度DR，DG，DB係以3個有機EL元件130R，130G，130B 可將包含發光層之層118中產生之光分別轉換成紅色之光 er、綠色之光eg及監色之光eb而射出之方式來設定，具體而言，厚度係對應於自3個有機EL元件130R，130G，130B 射出之紅色之光er、綠色之光eg及藍色之光eb而依序減少 (DR>DG>DB)。上述之所謂「將包含發光層之層118中產生之光轉換成紅色之光^、綠色之光eg及藍色之光eb而射出」如圖4所示，係指在將包含發光層之層1 1 8中之點 nr，ng，nb中產生之光在共振層1162R，1162G, 1162B與上部電極層119之間共振後，經由其上部電極層119而射出

之過程中，利用起因於3個有機EL元件13〇R，13〇G，13〇B 間之共振長彼此不同之光干擾現象，於射出在NR，NG，nb 中產生時彼此具有相同波長之光之波長時，使各有機els 件130R 13 0G，130B不同，亦即，藉由在有機EL元件 130R中使對應於紅色之波長，在有機£二元件13〇(}中使對應於綠色之波長’以及在有機EL元件1扇中使對應於藍色之波長分別移位，最後生成紅色之光er、綠色之光邮藍色之光eb。 94646.doc 1255669 /輔助配線140為了儘量降低配線電阻，如圖4所示，除不包含包含發光層之層118之外，具有與有機EL元件130R， 130G，130B中總厚度最大之元件，亦即有機EL元件130R 相同之疊層構造。其次，參照圖3〜圖5 ’說明包含發光層之層118之詳細構造。圖5係放大包含發光層之層11 8之剖面構造而模式顯示。如上所述，包含發光層之層118係由有機EL元件130R， 130G，130B共有，亦即在各有機EL元件130R，130G， 130B間具有共同之構造，並產生白色光作為特定色（波長）之光者。該包含發光層之層118如圖4及圖5所示，具有自接近下部電極層116R，116G，116B之側起依序堆疊有：電洞輸送層1181、發光層11 82及電子輸送層11 83之構造。 5亥發光層11 8 2如具有自接近電洞輸送層11 § 1之側起依序堆疊有：產生紅色光之紅色發光層1182R、產生綠色光之 1182G及產生監色光之HUB之構造；亦即藉由合成分別自紅色發光層1182R、綠色發光層1182G及藍色發光層 11 82B產生之紅色光、綠色光及藍色光，結果產生白色光。私/同輸送層11 8 1係提高對發光層11 82注入電洞之注入效率用者5如亦起作用作為電洞注入層。該電洞輸送層11 8 1 ^ S 4, 4 5 4 -tris(3-methylphenylphenylamino)triphenyl (m MTDATA)或 a -naphthylphenyldiamine(a NPD)等之電洞輸送性材料，其厚度約為4〇nm。 94646.doc 1255669 紅色發光層1182R係藉由使自下部電極層n6R，u6G， n6B經由電洞輸送層1181而注入之電洞之一部分，與自上部電極層U9經由電子輸送層1183而注人之電子之一部分再結合，而產生紅色之光者。該紅色發光層118211如由包 3、.工色心光材料(螢光性或爝光性)、電洞輸送性材料、電子輸运性材料及兩電荷（電洞、電子）輸送性材料之群中之至/種而構成，其厚度約為5 nm。該紅色發光層i 之具體構成材料如為混合約3〇重量％之2，“is[4，_ methoxydiphenylamino]styryl]-l, 5-dicyanonaphthalene(BS N)之4,4 bis(2, 2-diphenyl)biphenyl(DPVBi)等。綠色發光層1182G係藉由使紅色發光層丨丨“尺中未再結合之電洞與電子再結合’而產生綠色之光者。該綠色發光層1182G如由包含綠色發光材料（螢光性或燐光性）、電洞輸k )·生材料、$子輸送性材料及兩電荷輸送性材料之群中之至少-種而構成，其厚度約為1〇。該綠色發光層 U82G之具體構成材料如為混合約5重量％之香豆素6之 DPVBi 等。 ’、，藍色發光層U82B係藉由使紅色發光層H82R及綠色發光層1182G中未再結合之電洞與電子再結合，而產生藍色之光者。该監色發光層1182]8如由包含藍色發光材料（榮光性或鱗純）、電洞輸送性㈣、電子輸送性材料及兩電荷（電洞、電子）輸送性材料之群中之至少一種而構成，盆 =度約為3〇nm。該藍色發光们咖之具體構成材料如為此合約 2·5 重量％之 4,41,-bis[2，{4-(N’ N_diphenyl 94646.doc -39- 1255669 amino)phenyl} vinyl]biphenyl(DPAVBi)之 DPVBi 等。電子輸送層1183係提高對發光層1182注入之電子之注入效率用者，如亦起作用作為電子注入層。該電子輸送層 11 83如包含 8-hydroxyquinolinealuminium(Alq3)，其厚度約為 20 nm 〇其次’參照圖3〜圖5，說明顯示裝置1 〇 1之動作。如圖3所示，該顯示裝置1〇1係利用TFT112(1121〜1123) 驅動3個有機EL元件130R，130G，130B，亦即在下部電極層116R，116G，116B與上部電極層H9之間分別施加電壓時，如圖5所示，在包含發光層之層n8中之發光層1182 中’藉由再結合自電洞輸送層11 8 1供給之電洞與自電子輸送層1183供給之電子而產生白色光。該白色光係合成紅色發光層1 182R中產生之紅色光、綠色發光層1182(}中產生之綠色光與藍色發光層11 82B中產生之藍色光之合成光。如圖4所示，該白色光自有機發光元件u〇R，u〇g， 130B作為影像顯示用之光e而射出至顯示裝置1〇1外部之過程中，係利用起因於各有機此元件13〇R，l3〇G，13〇；8間之共振長彼此不同之光干擾現象進行波長轉換，亦即，在有機EL元件130R，130G，130B中分別轉換成紅色光er、綠色光eg及藍色光eb。藉此，如圖3所示，由於自有機EL 元件130R，130G，130B分別射出紅色光er、綠色光eg及藍色光eb ’因此係依據此等三色光er，eg，eb來顯示影像。另外’自有機EL元件130R，130G，130B射出光er，eg， eb時’如圖4所示，各有機EL元件130R，130G，130B中， 94646.doc -40- 1255669 由於在下部電極層116R，116G，116B中之共振層i162r， 1162G，1162B與上部電極層119之間共振在包含發光層之層Π8中產生之光，因此其光引起多重干擾。藉此，最後自有機EL元件l30R，i30G，130B射出之光以，eg，eb之半值寬減少，色純度提高。

其次，參照圖3〜圖11，說明圖3〜圖5所示之顯示裝置1〇1 之製造方法。圖6〜圖11係說明顯示裝置i 〇丨之主要部分（下部電極層116R，116G，116B)之製造步驟用者，均顯示對應於圖4之剖面構造。另外，圖6〜圖u所示之區域sr， SG，SB分別在後步驟中表示形成有有機EL元件丄， 130G，130B之區域。以下，首先參照圖3〜圖5簡單說明顯示裝置1〇1之全體製造步驟後，再參照圖3〜圖11說明應用本發明之有機發光裝置之製造方法之顯示裝置101之主要部分形成步驟。另& 外，顯示裝置101中之一連串構成要素之材質、厚度及構

造性特徵已經詳述，因此適切省略此等之說明。該顯不裝置101可使用包含濺射等之成膜技術、光蝕刻等之圖案化技術、以及乾式蝕刻及濕式蝕刻等蝕刻技術之現有之薄膜製程來製造。亦即，製造顯示裝置i 0丨時，如圖3所示，首先在驅動用基板U1之一面矩陣狀地形成數個 TFT112(TFT1121 〜1123)圖案，繼續以覆蓋 TFTU2i〜ii23 及其周邊之驅動用基板1 1丨之方式，形成層間絕緣層工U 後，各TFT1 121〜1123形成各2組配線1丨4圖案。繼續，藉由以覆蓋配線114及其周邊之層間絕緣層113之方式形成平 94646.doc •41- 1255669 坦化層1 15，在爾後步驟中，將形成有有機EL元件丨3 〇R， 13 0G ’ 130B之基底區域予以平坦化。繼續，在平坦化層 115上’對應於各TFT1121〜1123之配置位置形成1組之有機EL元件130(130R，130G，130B)圖案。具體而言，藉由依序堆疊··下部電極層11 6R、包含發光層之層u 8及上部電極層119，而形成有機EL元件13 OR ;藉由依序堆疊：下部電極層116G、包含發光層之層118及上部電極層1丨9，而形成有機EL元件30G ;藉由依序堆疊下部電極層i 16β、包含發光層之層118及上部電極層119，而形成有機EL元件 130B。形成此等有機EL元件130R，130G，130B時，如圖 3所示’以經由下部電極層U6R，U6G，ι16Β上而連續延伸’在各有機EL元件130R，130G，130B中共有之方式形成包含發光層之層118及上部電極層Π9，並且如圖3及圖4 所示’將構成下部電極層116R，116G，11 6B中之一部分之密合層1161R，1161G，1161B形成於驅動用基板lu，更具體而吕係形成於以覆蓋驅動用基板1 1 1之方式所設置之平坦化層1 1 5上使其密合。繼續，藉由以覆蓋上部電極層11 9之方式形成保護層丨20，而形成驅動面板i丨〇。繼續，藉由在密封用基板151之一面上，對應於有機el 元件130R，130G，130B而形成包含：紅色區域152r、綠色區域152G及藍色區域152B之彩色濾光器152，而形成密封面板1 5 0。最後，使用接著層160，以在驅動用基板111與密封用笑板151之間夾著有機el元件130R，130G，130B之方式，藉 94646.doc -42- 1255669 由貼合驅動面板110與密封面板15〇 ’而完成顯示裝置· 101。 . 形成該顯示裝置101之主要部分之下部電極層116汉， 116G’ 116B時，首先如圖6所示’如使用錢射法，以覆蓋圖3所示之驅動用基板Ul，更具體而言，以覆蓋設於二用基板111之平坦化層115之方式，依序堆疊：密合層 116!(厚度=約20 nm)、共振層1162(厚度=約1〇〇㈣及^ 第一障壁層部分之障壁層部分11631(厚g=Ti)。此等密合層116卜共振層1162及障壁層部分11631均係藉由最：：· 用蝕刻處理予以圖案化，成為構成下部電極層u6r， 116G，116B之各個一部分之準備層。形成密合層"。及障壁層部分11631時，形成材料使用上述之金屬、金屬氧化物、金屬氮化物或金屬化合物，如使用汀〇。此外，形成共振層U62時，形成材料使用上述之銀及包含銀之= 金，如使用銀鈀銅合金（AgPdCu)。此時，特別如上述參照圖4之說明，在有機EL元件！遍中，為了利用光之干擾現象將白色光轉換成監色光eb，以依據厚度τ丨確保獲得所需之共振長之方式，設定其障壁層部分U631之厚度丁丄。另外，袷合層1161、共振層1162及障壁層部分11631之形成條件如下。亦即，為了形成密合層1161及障壁層部分一表射氣體使用在氬（Ar)中混合〇·3°/0之氧（〇2)之混合；' 為了形成共振層1162，濺射氣體係使用氬氣。此外，濺射條件均為壓力=約0.5 Pa，Dc輸出=約5〇〇 w。 - 繼續，在障壁層部分11631上塗敷光阻而形成光阻膜（圖 94646.doc -43 - 1255669 上未㉙不）後’藉由使用光钱刻處理，將光阻膜予以圖案化’而如圖7所示，於障壁声邱 |早土省4刀11631中，於形成有機el 元件130B之第一區域之μ "a ^ 匕竦之&域SB上，形成如包含光阻膜之作為第一掩模之蝕刻掩模171圖案。繼續’如圖7所*，如使用滅射，以覆蓋姓刻掩模171及其周邊之障壁層部分⑽1之方式，形成作為第二障壁層部分之障壁層部分i 1632(厚度=T2)。該障壁層部分工撕係最後構成下部電極層116R，116G之各個一部分之準備層。形成該障壁層部分1 1632時，如上述參照圖4之說明，在有機EL元件13GG中，為了利用光之干擾現象而將白色光轉換成綠色光eg ’以依據厚度（T1+T2)確保獲得所需之共振長之方式，設定其障壁層部分1 1632之厚度τ2。另外，障壁層部分1 1632之形成材料如使用與障壁層部分 1163 1之形成材料相同者。繼續，如圖8所示，於障壁層部分1 1632中，在形成有機 ELtg件130G之第二區域之區域犯上，形成如包含光阻膜之作為弟二掩模之姓刻掩模172圖案。繼續，如圖8所示，如使用濺射，以覆蓋蝕刻掩模172及其周邊之障壁層部分1 1632之方式，形成作為第三障壁層部分之障壁層部分1 1633(厚度=T3)。該障壁層部分ιΐ633 係最後構成下部電極層116R之一部分之準備層。形成該障壁層部分1 1633時，如上述參照圖4之說明，在有機£乙元件 130R中，為了利用光之干擾現象將白色光轉換成紅色光 er，以依據厚度（T1+T2 + T3)確保獲得所需之共振長之方 94646.doc -44- 1255669 2，設定其障壁層部分1 1633之厚度τ3。另外，障壁層部刀1 1633之形成材料，如使用與障壁層部分1163 1，1丨632 之形成材料相同者。繼續，如圖9所示’於障壁層部分1 1633中，在形成有機一件30R之第二區域之區域上，形成如包含光阻膜之作為第三掩模之蝕刻掩模173圖案。繼縯，藉由使用一連串之蝕刻掩模171〜173，連續地蝕刻在合層1161、共振層1162及障壁層部分11631〜1 1633而予以圖案化，而如圖10所示，在密合層1161、共振層丨丨以及障壁層部分11631〜1 1633中，選擇性除去被蝕刻掩模 171〜173覆盍之部分以外之部分。藉由該蝕刻處理，密合層Η61、共振層1162及障壁層部分11631〜1 1633分離成各區域SR，SG，SB，具體而言，在區域SB中殘留密合層 1161、共振層1162及障壁層部分11631之三層構造；在區域SG中殘留密合層1161、共振層1162及障壁層部分 11631，1 1632之四層構造；在區域SR中殘留密合層1161、共振層1162及障壁層部分11631〜1 1633之五層構造。另外，蝕刻處理時，由於蝕刻掩模171〜173本身亦被蝕刻，因此此等蝕刻掩模171〜173之厚度損耗。最後，藉由除去蝕刻掩模171〜173，如圖1 1所示，藉由上述饴合層1161、共振層1162及障壁層部分11631〜11633 之以留構造’元成圖4所示之下部電極層116R，116G， 116B。具體而言，在形成射出藍色光eb之有機El元件 130B之區域SB，形成具有堆疊有··密合層11 61β、共振層 94646.doc -45- 1255669 1162B及障壁層1163B(1163B1)之疊層構造之下部電極層 116B，该障壁層丨163B形成包含障壁層部分丨1631(障壁層 11 63B1)之單層構造。此外，在形成射出綠色光eg之有機 EL元件130G之區域SG，形成具有堆疊有··密合層 1161G、共振層i162G及障壁層1163G之疊層構造之下部電極層116G，該障壁層1163G係形成包含：障壁層部分 11631(下部卩导壁層1163G1)及11632(上部障壁層n63G2)之兩層構造。再者，在形成射出紅色光er之有機EL元件13〇r 之區域SR’形成具有堆疊有··密合層1161R、共振層 1162R及障壁層1163R之疊層構造之下部電極層【16R，該 P羊壁層1163R形成包含：障壁層部分1163ι(下部障壁層 1163R1)、11632(中間障壁層1163R2)、11633(上部障壁層 1163R3)之三層構造。另外’上述之厚度ΤΙ ’ T2，T3，只要最後可在有機EL 元件130R ’ 130G ’ 130B中分別射出紅色光er、綠色光“及藍色光eb，可自由設定。列舉一例，包含發光層之層丄丄8 之總厚=約 40 nm〜70 nm時，Tl，T2, T3 =約 2 nm〜100 nm。列舉更具體之例子，包含發光層之層i丨8之總厚=約50 nm〜60 nm時，Tl =約 2 nm〜20 nm，（Τΐ+Τ2)=約 20 nm〜50 nm，（Tl+T2 + T3)=約50 nm〜80 nm。用於參考，如圖3所示之輔助配線140，可經由與形成有機el元件130R相同之順序並列地形成。本實施形態之顯示裝置如圖3及圖4所示，有機EL元件 130R，130G，130B 中之下部電極層 116R，U6G，1 i6B具 94646.doc -46* 1255669 有自接近驅動用基板111之側起依序堆疊有：密合層 1161R，1161G，1161B、共振層 1162R，1162G，1162B及障壁層1163R，1163G，1163B之構造，此等障壁層 1163R，1163G，1163B之厚度 DR，DG，DB在各有機 EL元件 130R，130G，130B 間彼此不同（DR> DG> DB)，因此，如「顯示裝置10 1之動作」，如上述，可利用起因於依據厚度DR，DG，DB間之差異之有機el元件130R，130G， 13 OB間之共振長之差異之光干擾現象，將包含發光層之層 Π8中產生之白色光轉換成三色光，亦即轉換成紅色光 α、綠色光eg及監色光eb。因此，本實施形態可利用此等三色光er，eg，eb來顯示影像。特別是’本實施形態依據可構成上述顯示機構之構造性特徵，與上述「先前技術」項中說明之先前顯示裝置不同，而如以下之說明，具有顯示性能面及製造可行性面之兩方面優點。亦即，關於製造可行性面，與為了射出三色（R，G，B)之光，起因於利用分別可產生各色光之三種發光層之構造性因素，蒸鍍此等三種發光層時，需要使用金屬掩模分開塗敷之先前顯示裝置不同，而如圖5所示，為了射出三色光 er，eg，eb，係利用可產生單色光（白色光）之一種發光層 1182,亦即在各有機EL元件130R，i3〇G，130B間，發光 “ 8 2 /、同化，無須使用金屬掩模分開塗敷發光層118 2，可謀求顯示裝置尺寸之大型化。另外，關於顯示性能面，與利用產生白色光之發光層 94646.doc -47- 1255669 後，僅利用色轉換用之高濃度且厚之彩色濾光器，將白色光轉換成三色（R，G，B)之光之先前顯示裝置不同，並非僅，用彩色濾光器來進行色轉換，而係如圖3及圖4所示，除形色遽光器152之外，亦合併使用上述起因於依據厚度DR， G’ DB間之差異之有機此元件130R，130G，130B間之丘振長之差異之光干擾現象，將白色光轉換成三色二心’因此只需要低濃度且薄之彩色濾光器152。如此可防止色轉換時起因於彩色濾光器152之光吸收造成光之利用損失變大，亦即可確保光之利用效率。由於本只她形怨具有顯示性能面及製造可行性面兩方面俊點，因此可兼顧確保顯示性能與確保製造可行丨此種1*月況下’特別是在製造面上，依據不需要分開塗敷使用金屬掩模之發光層1182之點，亦可防止在其分開塗敷作業時，微粒子混入而在發光層1182上產生瑕疵。此外，本實施形態由於有機虹元件13〇R，13〇〇}，13〇b 分別包含共振層U62R，1162G，1162β，並具有在此等共振層1162R，1162G，1162B與上部電極層ιΐ9之間使光共振之共振構造，因此「顯示裝置1〇1之動作」，如上述，光er，eg，eb之色純度提高。因此，各光％ ^之任何一個均確保高峰值強度及窄波長寬之品質佳之光譜，而可顯不色重現性佳之影像。此種情況下，特別是使用高反射性

之銀或包含銀之合金構成共振層n62R，1162G，1162B 時，由於共振之光之利用*率提高，目此可㉟一步提高顯示性能。 94646.doc -48- 1255669 此外’本實施形態之障壁層1163R，1163G，1163b如上所述’在有機EL元件130R，130G，130B間發揮於共振長上α又置差異之功能’且發揮保護共振層，1162G， 1162Β之功能，因此可防止此等共振層U62R，u62G， 1162B與大氣中之氧及硫磺成分反應而氧化或腐蝕，或是與在顯示裝置101之製造步驟中使用之藥劑等反應而腐名虫。此外，本實施形態由於下部電極層116尺，U6G，116B 之構造包含提高與平坦化層115之密合性用之密合層 1161R，1161G，1161B，因此可將此等下部電極層U6R， 116G，116B強固地固定於平坦化層115上。此外，由於本實施形態係使用功函數比共振層U62r， 1162G，1162B大之材料構成障壁層i 163R，1163G， 1163B，因此可增加對發光層1182之電洞注入量。本實施形態之顯示裝置之製造方法，由於形成具有障壁層1163R ’ 1163G ’ 1163B之厚度DR，DG，DB在各有機此元件13〇R’ UOG，130B間彼此不同之特徵性構造之下部電極層H6R，116G’ 116B ’因此僅使用現有之薄膜製程，不使用新型且繁雜之製程。且在僅使用現有之薄膜製程後，即可繼續重現性佳地形成下部電極層丨， 116G ’ 116B。因此本實施形態可輕易且穩定地製造具備下部電極層116R，ll6G，116B之顯示裝置ι〇ι。 [第三種實施形態] 其次，說明本發明之第三種實施形態 94646.doc -49- 1255669 本實施形態之顯示裝置除下部電極層U6R，U6G， 11 6B之形成步驟不同之外，具有與上述第二種實施形態中說明之顯示裝置101之構造（圖3〜圖5)相同之構造，可使用與其顯示裝置101之製造步驟相同之製造步驟來製造。該 …員示衣置知·別疋如為了咼度精密地形成下部電極層116 R， 116G，ii6B中之障壁層n63R，n63G，U63B，障壁層部分11631宜包含氧化錫（Sn〇2)或氧化鉻（Cr〇)，障壁層部分1 1632宜包含ιτο，障壁層部分i 1633宜包含IZ〇。圖12〜圖19係說明顯示裝置中之下部電極層Π 6R， 11 6G，1 16B之製造步驟用者，均係顯示對應於圖4之剖面構造。另外，圖12〜圖19在與上述第二種實施形態中說明之構成要素相同之要素上係註記相同符號。形成下部電極層U6R，116G，ι16Β時，首先如圖12所示，如使用濺射，以覆蓋平坦化層115之方式，依序形成、堆豐·密合層1161(厚度=約20 nm)、共振層1162(厚度 =約100 nm)、作為第一障壁層部分之障壁層部分11631(厚度=τι)、作為第二障壁層部分之障壁層部分丨1632(厚度 -Τ2)及作為第三障壁層部分之障壁層部分1 厚度 =T3)。密合層1161及障壁層部分n631〜1 1633之形成材料均使用上述第二種實施形態中說明之金屬、金屬氧化物、至屬氮化物或金屬化合物，如密合層1161及障壁層部分 1 1632使用1丁0，障壁層部分11631使用氧化錫（811〇2)，障壁層部分1 1633使用IZO。此外，共振層11 62之形成材料使用上述第二種實施形態中說明之銀及包含銀之合金，如使 94646.doc -50- 1255669 用銀纪銅合金（AgPdCu)。形成該障壁層部分n631〜11633 日才，如上述參照圖4之說明，在有機E]L元件13〇R，13〇(}， 130B中，為了分別利用光之干擾現象，將白色光轉換成紅色光er、綠色光eg及藍色光化，以確保獲得所需之共振長之方式，分別設定厚度T1〜T3。▲特別是形成包含IT〇之障壁層部分1 1632時，如在以後步驟中，濕式蝕刻包含12〇之障壁層部分U633時，以可使障壁層部分1 1632起作用作為使蝕刻處理之進行停止之停止層之方式，在高溫下成膜其障壁層部分1 1632，或是在成膜後退火使其結晶化。另外，使用濺射形成、堆疊··密合層1161、共振層1162及障壁層部分11631〜1 1633時，如在相同之真空環境中連續地形成此等一連串之層。另外，密合層1161、共振層1162及障壁層部分 11631〜1 1633之形成條件如以下所述。亦即就濺射氣體，為了形成密合層1161及障壁層部分11632，係使用在氯 (Ar)中混合〇·3%之氧（ο:)之混合氣體；為了形成共振層 1162，係使用氬氣；為了形成障壁層部分ll63i，係使用在氬（Ar)中混合0.5%之氧（〇2)之混合氣體；為了形成障壁層部分1 1633，係使用在氬（Ar)中混合1〇%之氧⑴j之混人氣體。此外，錢射條件在任何情況下均為壓力'約〇 5 ρ DC輸出=約500 W。繼續，如圖13所示，在障壁層部分丨丨63 3中 T 於形成有機EL元件130R之第一區域之區域sr上，形忐 I成如包含光阻膜之作為第一掩模之蝕刻掩模1 8 1圖案。 94646.doc 51 1255669 釦績，精由使用蝕刻掩模181及濕式蝕刻，蝕刻障壁層部分1 1633而予以圖案化，如圖14所示，在障壁層部^ 1 1633中選#性除去被蝕刻掩模181覆蓋之部&以外之部

分，在區域SR上殘留障壁層部分1 1633，並且在其區域SB 之1邊區域使障壁層部分1 1632露出。進行該濕式姓刻處理時，蝕刻劑如使用磷酸（H3PCu)、硝酸（hn〇3)與醋酸 (fH3 COOH)之混酸，或是草酸（C2H2〇4)。該濕式敍刻處理日守，如上述，對蝕刻劑具有耐性之包含結晶化ιτ〇之障壁層4刀1 1632起作用作為停止層，於障壁層部分"⑶钱刻完成時，停止飯刻處理之進行，因此防止其姓刻處理及於障壁層部分1 1632。、、麈績，如圖15所示，在障壁層部分1 1632之露出面中，於形成有機EL元件i3〇G之第二區域之區域犯上，形成如包3光阻膜之作為第二掩模之蝕刻掩模丨82圖案。另外，於形成蝕刻掩模182時，如依需要在形成蝕刻掩模182前，暫時除去使用完之蝕刻掩模181後，與形成其蝕刻掩模a] 之同時，重新形成蝕刻掩模1 8 1。繼續，藉由使用餘刻掩模⑻，182及濕式㈣，钱刻障壁層部分1 1632予以圖案化’如圖16所示，選擇性除去障壁層部分1 1632中被钱刻掩模181，182覆蓋之部分以外之部分，在區域SR，SG中殘留障壁層部分1 1632，並且在此等區域SR ’ SG之周邊區域露出障壁層部分11631。進行該濕式蝕刻處理時，蝕刻劑如使用鹽酸（HC1)、包含鹽酸之酸或氟酸與确酸之混酸。該濕式钱刻處理時，與上述障壁 94646.doc -52 ^ 1255669 層部分1 1 632同樣地，對蝕刻劑具有耐性之包含氧化錫之障壁層部分1163 1起作用作為停止層，於障壁層部分}丨632 名虫刻完成時，停止餘刻處理之進行’來防止其姓刻處理及於障壁層部分11631。繼續，如圖1 7所示，在障壁層部分Π 6 3 1之露出面中，形成有機EL元件130B之作為第三區域之區域把上，形成如包含光阻膜之作為第三掩模之蝕刻掩模1 83圖案。另外’形成餘刻掩模183時，如依需要，於形成餘刻掩模ι83 前’暫時除去使用完之钱刻掩模1 8 1，1 8 2後，在與形成其蝕刻掩模1 83同時，重新形成蝕刻掩模丨8 !，j 82。繼續’藉由使用蝕刻掩模181〜183與乾式蝕刻，連續性蝕刻密合層1161、共振層1162及障壁層部分} 1631予以圖案化’如圖1 8所示，選擇性除去密合層丨丨6丨、共振層丨丨62 及障壁層部分11 63 1中被蝕刻掩模i 8丨〜丨83覆蓋之部分以外之部分。藉由該蝕刻處理，各區域SR，SG，SB分離密合層1161、共振層1162及障壁層部分1163ι，具體而言，係在區域SR中殘留包含密合層1161、共振層1162及障壁層部分11631〜1 1 633之五層構造；在區域SG中殘留包含密合層 1161、共振層1162及障壁層部分丨163ι，1 1632之四層構造；在區域SB中殘留密合層1161、共振層1162及障壁層部分1 1 63 1之二層構造。另外，蝕刻處理時，蝕刻掩模 181〜183本身亦被蝕刻，因此此等蝕刻掩模ι81〜183之厚度損耗。最後，藉由除去蝕刻掩模181〜183，如圖19所示，藉由 94646.doc 03- 1255669 上述之益口層1161、共振層1162及障壁層部分11631〜11633 之玟㈢構w，與上述第二種實施形態中圖11所示時同樣地，完成圖4所示之下部電極層116R，116G，U6B。一本貝^形恶之顯不裝置之製造方法，亦因僅使用現有之㈣製程即可持續性重現性佳地形成下部電極層丄邮， U6G 116B ’因此與上述第二種實施形態同樣地，可輕易且穩定地製造顯示裝置丨〇 1。特別疋，本貫施形態係使用對蝕刻劑具有彼此不同耐性之材料來形成障壁層部分11631〜1 1633，具體而言，係使用對濕式㈣j障壁層部分丨1633用之㈣劑具有财性之材 _成障壁層部分1 1632，並且，同樣地使用對濕式餘刻壁層部分i 1632用之㈣劑具有耐性之材料來形成障壁層部分11631，因此於蝕刻障壁層部分1 1633時，障壁層 ^刀1 1632起作用作為停止蝕刻處理用之停止層，並且，同樣地，於㈣障壁層部分1 1632時，障壁層部分⑴^起作用作為侉止層。因此’可防止蝕刻處理及於不需要之位置因而可南度精密地形成下部電極層}丨6R，u 6G， 116B 〇此外，本實施形態於使用濺射形成、堆疊密合層丨161、共振層U62及障壁層部分11631〜1 1633時，由於係在相同之真二％ i兄中連續地形成此等一連串之層，因此與在數個 f空環境中，亦即經由真空環境與大氣壓環境而形成此等一連串之層時不同，各層間可防止大氣壓環境中之雜質混入’可保持各層間之界面潔淨。 94646.doc -54- 1255669 關於本實施形態之顯示裝置之動作、作用及效果與上述第二種實施形態相同。另外，上述第二及第三種實施形態，如圖5所示，為了在發光層11 82中產生白色光，係將其發光層11 82構成堆疊有：紅色發光層1182R、綠色發光層1182G及藍色發光層 11 82B之三層構造，不過並不限定於此，只要可產生白色光’發光層11 82之構造亦可自由變更。關於該發光層丨丨82 之上述三層構造以外之構造如：（1)使用可產生白色光之白色發光材料之單層構造；（2)使用混合紅色發光材料、綠色發光材料及藍色發光材料之混合材料之單層構造；及（3)堆豐包含混合有紅色發光材料及綠色發光材料之混合材料之混合發光層，與包含混合有綠色發光材料及藍色發光材料之混合材料之其他混合發光層之兩層構造等。此等任何一種構造均可獲得與上述第二及第三種實施形態相同之效果。此外，上述第二及第三種實施形態係在發光層丨丨82中產生白色光，不過並不限定於此，如只要可將利用各有機EL 元件130R，l30G，130B間之共振長之差異，在發光層 1182中產生之光轉換成三色光er，eg，eb，發光層丨丨“中產生之光之色可自由變更。此時亦可獲得與上述第二及第三種實施形態相同之效果。此外，上述第二及第三種實施形態，係說明在構成各有機 EL 元件 130R，130G，130B 之障壁層 U63R，1163G， 1163B之厚度dr，DG，DB之間，dr> DG> 〇6之關係成 94646.doc 1255669 立之情況，不過並不限定於此，只要可獲得與上述第二及第三種實施形態相同之效果，厚度DR，DG，DB間之關係可自由變更。關於這一點詳細說明如下，上述第二及第三種實施形態中說明之DR> DG> DB之關係，係在一連串式 (3B)〜（3R)中之mR，mG，mB之間，mR=mG=mB之關係（如 mR=mG=mB = 0)成立時成立，藉由此等mR，mG，mB之值之設定’可變更厚度DR，DG，DB間之關係。如在mR，mG， mB之間’ mR(=mG)孕mB之關係（如mR=mG=0，mB=l)之關係成立時，在厚度DR，DG，DB之間，DB > DR> DG之關係成立。此時，特別是可使最厚之障壁層1163B之厚度約為100 nm以上。此外，上述第二及第三種實施形態，如圖3及圖4所示，係說明將本發明應用於頂部發射型之顯示裝置之情況，不過並不限疋於此，如圖2 〇及圖21所示，亦可將本發明應用於底部發射型之顯示裝置。圖20顯示底部發射型之顯示裝置102之剖面構造，圖2丨係放大構成圖2〇所示之顯示裝置 102之有機EL元件130R，130G，130B及輔助配線140之剖面構造予以模式顯示。該顯示裝置102主要如圖20所示，除（丨）以不對應於有機EL元件130(130R，130G，130B)之配置位置之方式偏差配置TFT1 12(1 121〜1 123) ; (2)將彩色渡光為152配置於驅動用基板111與TFT 112及層間絕緣層113 之間’並且如圖21所示，（3)共振層！ 162R，丄162G，1162B 之厚度比上部電極層119之厚度薄之外，具有與圖3所示之頂°卩發射型之顯示裝置1 〇 1大致相同之構造。該顯示裝置 94646.doc -56- 1255669 102之有機EL元件130R，13〇G，130B係將在共振層 1162R，1162G，1162B與上部電極層119之間共振之光α eg，eb經由下部電極層11611，n6G，U6B射出。此時之共振層1162R，1162G，1162Β之厚度約為！ nm〜5〇 nm，上部電極層119之厚度約為100 nm〜3〇〇 nm。另外，底部發射型之顯不裝置102除如圖20所示，具備保護層12〇、接著層 160及密封面板15〇(密封用基板151)之外，亦可具備包含脫氧素材之中空構造之密封罩。該底部發射型之顯示裝置 102中，亦可獲得與上述第二及第三種實施形態中說明之頂部發射型之顯示裝置1〇1相同之效果。此外，上述第二及第三種實施形態係說明將本發明之有機發光裝置應用於作為顯示裝置之有機EL顯示裝置之情況，不過並不限定於此，如亦可將本發明之有機發光裝置應用於有機EL顯示裝置以外之其他顯示裝置。當然，本菸明之有機發光裝置亦可適用於如顯示裝置以外之其他裝置。该「顯不裝置以外之其他裝置」如照明裝置等。此等情況下亦可獲得與上述各種實施形態相同之效果。其次，說明本發明之具體實施例及對實施例之比較例之顯示t置之製造步驟，而後說明此等之評估結果。 (實施例1) 貫施例1係如下所述地製作進行使用圖丨說明之全彩色顯示之頂部發射型之顯示裝置1。首先，在包含玻璃板之基板2上形成：包含鉻（膜厚約 100 nm)之下部電極4，作為成為反射鏡之陽極；及包含各 94646.doc -57- 1255669 膜厚之ITO之透明導電層5B，5G，5R圖案。其次，製作將透明導電層5B，5G，5R之表面中央部之2 mmx2 mm之發光區域以外以絕緣膜（省略圖式）掩蓋之有機el元件用之胞。其次，在基板1上接近配置在成為各發光區域之透明導電層5B，5G，5R之露出部上有開口之金屬掩模，藉由在1〇_ Pa以下之真空下之真空蒸鍍法，在透明導電層5b，5g， 5R及絕緣膜之上部形成具有通過藍、綠、紅之發光光譜之有機EL元件之功能層6。而後，成為半反射鏡之陰極，係以12 nm之膜厚形成鎂與銀之共蒸鍍比為1〇 ·· 1之薄膜，進一步以150 nm之膜厚形成IT〇膜，以反射率為〇1%以上而未達50%之範圍形成上部電極7，而獲得實施例顯示裝置1。該作為半反射鏡之陰極之反射率，對波長=55〇 nm2 光為45%。另外，實施例1之顯示裝置中，以自各有機El元件3B， 3G ’ 3R取出藍：波長λ =46〇 nm，綠··波長λ =53〇誰，紅：波長；I =630 nm之光為極大之方式，設定滿足上述式 (1) 之振動邙之光學性距離L中成為最小值之光學性距離 L。亦即，係以式（1)中之m值成為m (藍）=〇，㈤（綠）=()， m(紅）=0之方式，來設定上述式（2)中之光學性距離此種情況下’將功能層6之膜厚設定為73 nm，以滿足式 (2) 之方式’將各透明導電層5B，5G，5R之光學性距離Lt 設定為 Lt(藍户10 nm ’ Lt(綠）=41 _，Lt(紅）= 75 nm。 (實施例2) 除以m值成為m(藍），m(綠）=〇，m(紅）=〇之方式設定光 94646.doc 1255669 學性距離Lt，Lf，亦即將功能層6之膜厚設定為80 nm，將陰極之膜厚設定為9 nm，將光學性距離Lt設定為 Lt(藍）=110 nm，Lt(綠）=10 nm，Lt(紅）=44 nm 之外，與實施例1同樣地製作顯示裝置1。此時之陰極之反射率對波長 = 5 50 nm之光為 30%。 (實施例3) 除以m值成為m(藍）=1，m(綠）=1，m(紅）=0之方式設定光學性距離Lt，Lf，亦即將功能層6之膜厚設定為105 nm，將陰極之膜厚設定為6 nm，將光學性距離Lt設定為Lt(藍）=85 11111，]^1;(綠）=:135 11111，1^1:(紅）=1〇11111之外，與實施例1同樣地製作顯示裝置1。此時之陰極之反射率對波長=5 50 nm之光為15%。 (實施例4) 除以m值成為m(藍）=1，m(綠）=1，m(紅）=1之方式設定光學性距離Lt，Lf，亦即將功能層6之膜厚設定為175 nm，將陰極之厚設定為6 nm’將光學性距離L t設定為Lt(監）=10 nm，Lt(綠）= 65 nm，Lt(紅）=130 nm之夕卜，與實施例1同樣地製作顯示裝置1。此時之陰極之反射率對波長=5 50 nm之光為15%。 (實施例5) 除以m值成為m(監）=2 ’ πι(綠）=1 ’ m(紅）=1之方式設定光學性距離Lt，Lf，亦即將功能層6之膜厚設定為240 nm，將陰極之膜厚設定為6 nm，將光學性距離Lt設定為Lt(藍）=95 nm，Lt(綠）=10 nm，Lt(紅）= 70 nm之外，與實施例1同樣地 94646.doc -59- 1255669 製作顯示裝置1。此時之陰極之反射率對波長=55〇腿之光為 15%。 (比較例1) 比較例1係使用與實施例丨相同之功能層，如以下所述地製作排列未使用光之共振器構造之多重干擾之有機&元件之底部發射型之顯示裝置。首先，在包含玻璃板之基板丨上形成透明導電性材料之 ITO(膜厚約180 nm)圖案，作為成為陽極之下部電極。其 -人，製作將包含ιτο之下部電極之表面中央部之2 mmx2 mm 之發光區域以外以絕緣膜掩蓋之有機EL元件用之胞。其人在基板上接近配置在成為各發光區域之下部電極之露出邛上有開口之金屬掩模，而形成與實施例相同之功能層。而後，成為半反射鏡之陰極，係以2〇〇 nm之膜厚形成鎂與銀之共瘵鍍比為1 〇 : 1之薄膜，形成上部電極，而獲得比較例1之顯示裝置。 (比較例2) 除陰極之膜厚為20 nm之外，與實施例！同樣地製作顯示裝置。此時之陰極之反射率對波長=55〇 nm之光為60%。就以上製作之實施例及比較例之顯示裝置，測定自各有機EL元件取出之光之光譜。圖22係自實施例1之顯示裝置之各有機EL元件3B，3G， 3R取出之光之光譜。從該圖可確認，在藍、綠、紅之波長區域’光譜之發光強度顯著不同，欲自各有機EL元件 3B ’ 3G，3R取出之波長區域之光，藉由多重干擾效應而 94646.doc -60- 1255669 被選擇性取出。另外，圖23顯示在實施例1之顯示裝置之發光面側，對應於各有機EL元件3B，3G，3R設置僅穿透各色波長之各色彩色濾光器時之模擬結果。另外，圖24顯示應用於實施例1之顯示裝置之各色之彩色濾光器之穿透率特性。如圖 2 3所示’可確認藉由組合設置彩色濾光器，實施例1之顯示衣置中’減少光谱之不需要之波長區域成分，自各有機 EL元件3B，3G，3R取出之藍、綠、紅光之色純度提高。另外’圖25係自比較例1之顯示裝置之各有機el元件取出之光之光譜。從該圖可確認設於比較例1之顯示裝置之各有機EL·元件可獲得在藍、綠、紅之全部波長區域具有發光區域之白色光。另外，圖26顯示在比較例1之顯示裝置之發光面側，對應於各有機EL元件，設置僅穿透藍、綠、紅之各色波長之各彩色;慮光裔時之模擬結果。另外，各色之彩色濾光器係顯示與别面之圖24所示相同穿透率特性者。如圖％所示，藉由在比較例1之顯示裝置中設置彩色濾光器，雖可在藍、綠、紅上調整色，不過如圖23所示，與在實施例丄之顯示褒置中設置彩色濾光器時比較，光譜之強度變小，色純度不佳。此外，圖27將（a)實施例1之顯示裝置；（b)在實施例1之顯示裝置中設置圖24之彩色濾光器之顯示裝置；（c)比較例 1之卜員示衣置，及（d)在比較例1之顯示裝置中設置圖％之彩色濾光器之顯示裝置之各個色度值，與（e)NTSC(國家電視 94646.doc -61 - 1255669 系統委員會）之色度值同時顯示。從該色度圖可確認，⑷即使未設置彩色濾光器之實施例 1之顯示裝置，仍顯示良好之色重現性，再者，㈨藉由在實施例1之顯示裝置中設置彩色濾光器，可顯示比3得上 NTSC之色重現性。于之依賴性變大，亦即，對於亮度及色度之變化大，作為半反射鏡之陰極之反射率低時，取出光對視野角之依賴性變圖28顯示在實施例丨之顯示裝置之視野角依賴性（正面， 4—5。)之實測結果中設置彩色濾光器時之模擬結果，圖μ顯不在比較例2之顯示裝置之視野角依賴性（正面，45。）之實測結果中設置彩色濾、光器時之模擬結果。從此等圖可^ 遇’作為半反射鏡之陰極之反射率高時，取出光對視野角賴性來調查時，為了適切減少取出光對視野角之依賴性小’亦即’受度及色度之變化小。另外，依據圖28及圖Μ 所示之結果，可確認改變陰極之反射率，並模擬視野角依陰極之反射率為0_丨％以上而未達5〇%之範圍即可，不過此處並未詳細地顯示資料。取後，表1顯示分別在實施例丨〜5之顯示裝置及比較例2 之顯示裝置中設置彩色濾光器時之亮度及色度對視野角之依賴性（正面，45。）。表1所示之亮度變化比係45。之亮度與正面之亮度間之比率（=45。之亮度/正面之亮度）。從表1可確認，由於實施例丨〜5之顯示裝置與比較例2之顯示裝置比較，亮度變化比較大，因此與其比較例2之顯示裝置比較，視野角之依賴性較小。另外，依據表丨所示 94646.doc -62- 1255669 之結果’可確認以上述式（1)中之m值（m(藍）、m(綠）、 m(紅））變化之方式，設定上述式（2)中之光學性距離Lt， L f ’並同樣地調查焭度及色度對視野角之依賴性時，除相當於實施例1〜5之m(藍）、m(綠）、m(紅卜〇，〇，〇、l 〇，〇、 1，1，〇、1，1，1、2，1，1之條件之顯示裝置外，m(藍）、 m(綠）、m(紅）-2，2，1、2, 2, 2之條件之顯示裝置，與比較例2之顯示裝置比較，視野角依賴性依然較小，不過此處並未詳細顯示資料。從以上—連争結果可確認，本發明之顯示裝置顯示良好之色重頦松、，α θ 巴置現〖生，亚且顯示色對視野角之依賴性小。 94646.doc -63 - 1255669 【表1】正面 45〇亮度變化比亮度色度亮度色度 cd/m2 X y cd/m2 X y 實施例1 藍 260 0.139 0.076 194 0.142 0.067 0.83 綠 1240 0.267 0.649 1000 0.210 0.636 紅 270 0.677 0.321 275 0.664 0.336 實施例2 藍 342 0.133 0.078 175 0.140 0.060 0.77 綠 1381 0.237 0.676 1032 0.151 0.628 紅 473 0.679 0.318 475 0.657 0.341 實施例3 藍 323 0.134 0.075 174 0.144 0.048 0.78 綠 857 0.295 0.659 665 0.157 0.683 紅 452 0.675 0.325 435 0.665 0.335 實施例4 藍 328 0.133 0.079 185 0.143 0.050 0.77 綠 924 0.265 0.652 655 0.163 0.639 紅 288 0.683 0.314 345 0.660 0.339 實施例5 藍 244 0.130 0.078 122 0.150 0.037 0.77 綠 919 0.279 0.647 678 0.174 0.648 紅 337 0.790 0.318 349 0.658 0.341 藍 146 0.146 0.047 92 0.148 0.046 比較例2 綠 1000 0.197 0.694 644 0.147 0.611 0.66 紅 266 0.677 0.323 193 0.648 0.352 【圖式簡單說明】圖1係顯示本發明第一種實施形態之顯示裝置之剖面構造之剖面圖。圖2係顯示本發明第一種實施形態之顯示裝置之其他剖面構造之剖面圖。圖3係顯示本發明第二種實施形態之顯示裝置之剖面構造之剖面圖。圖4係放大圖3所示之有機EL元件及輔助配線之剖面構造 94646.doc -64- !255669 而模式顯示之剖面圖。圖5係放大圖4所示之包含發光層之層之剖面構造而模式顯示之剖面圖。圖6係說明本發明第二種實施形態之顯示裝置製造步驟用之剖面圖。圖7係說明繼績圖6之步驟用之剖面圖。圖8係說明繼續圖7之步驟用之剖面圖。圖9係說明繼續圖8之步驟用之剖面圖。圖10係說明繼續圖9之步驟用之剖面圖。圖11係說明繼續圖10之步驟用之剖面圖。圖12係說明本發明第三種實施形態之顯示裝置製造步驟用之剖面圖。圖13係ό兒明繼續圖12之步驟用之剖面圖。圖14係說明繼績圖13之步驟用之剖面圖。圖15係說明繼續圖14之步驟用之剖面圖。圖16係說明繼績圖15之步驟用之剖面圖。圖17係說明繼續圖16之步驟用之剖面圖。圖18係δ兒明繼績圖17之步驟用之剖面圖。圖19係說明繼績圖18之步驟用之剖面圖。圖20係顯不本發明第二及第三種實施形態之顯示裝置其他剖面構造之剖面圖。圖21係放大圖20所示之有機EL元件及輔助配線之剖面構造而权式顯不之剖面圖。圖22係貫施例1之顯示裝置之各有機EL元件之光譜。 94646.doc -65- 1255669 圖23係在實施例1之顯示裝置中設置彩色濾光器時之各有機EL元件之光譜。圖24係顯示用於圖23之模擬之彩色濾光器之穿透率特性圖。圖25係比較例1之顯示裝置之有機EL元件之光譜。圖26係在實施例1之顯示裝置中設置彩色濾光器時之各有機EL元件之光譜。圖27係顯示各顯示裝置及CRT顯示裝置之色度值之色度圖。圖28係在實施例1之顯示裝置中設置彩色濾光器時各有機EL元件之光譜對視野角之依賴性。圖2 9係在比較例1之顯示裝置中設置彩色濾光器時各有機EL元件之光譜對視野角之依賴性。【主要元件符號說明】 1，1A 顯示裝置 2 基板 3B，3G，3R 有機EL元件 4, 4A 下部電極 5, 5B，5G，5R 透明導電層 6 功能層 7, 7A 上部電極 10 電洞輸送層 11 發光層 12 電子輸送層 94646.doc -66 - 1255669 15 共振部 101， 102 顯示裝置 110 驅動面板 111 基板 112 驅動元件 113 層間絕緣層 114 酉己線 115 平坦化層 116B，116G，116R 下部電極層 117 層内絕緣層 118 層 119 上部電極層 120 保護層 130, 130B，130G，130R 有機EL元件 140 輔助配線 150 密封面板 151 密封用基板 152 彩色濾光器 152G 綠色區域 152B 藍色區域 152R 紅色區域 160 接著層 171， 172, 173 姓刻掩模 181， 182, 183 #刻掩模 94646.doc -67- 1255669 1121， 1122， 1123 11611，161B，1161G，1161R 1162 1162B，1162G，1162R 11631， 11632, 11633 1163B，1163B1，1163G，1163R 1163G1 1163G2 1163R1 1163R2 1163R3 1181 1182

1182B

1182G

1182R 1183 a

e，er，eb，eg h，hb，hg，hr HB，HB，HG DB，DG，DR L，Lf，Lt LB，LG，LR TFT 密合層共振層共振層障壁層部分障壁層下部障壁層上部障壁層下部障壁層中間障壁層上部障壁層電洞輸送層發光層藍色發光層綠色發光層紅色發光層電子輸送層像素光光厚度厚度光學性距離光學性距離

94646.doc -68- 1255669 PB1，PB2 端面 PR1，PR2 端面 PG1，PG2 端面 SB, SG，SR 區域 94646.doc -69^

Claims

1255669 十、申請專利範圍： 1 · 一種顯示裝置，俏太|』在基板上排列數個具有共振器構造之 ―凡件其係在包含光反射材料之反射鏡與光半穿透半反射鏡之間至少夹著包含發光層之功能層，並且使该發光層發出在该反射鏡與半反射鏡之間共振作 ‘、'、二振部’而自該半反射鏡側取出光，其特徵為：边各發光元件以相同層構成前述發光層，並且設定如述反射鏡與前社主 +反射鏡間之共振部之光學性距離為不同之數個值。女明求項1之顯示裝置，苴 ― ，、則述數個發先兀件係以相 ^ 匕5則述發光層之前述功能層。 3·如請求項1之顯壯 ,^ ^ 〜衣置，其中前述發光層發出藍、綠及、、工之波長區域之光，出：::::::二、綠或™域之光之取 4 &、、之方式扠疋珂述光學性距離。用作電極。之.、、貞4置’其f前述反射鏡及半反射鏡係 5·如5月求項1之顯示裝置，苴中/二之間設置透明/ 射鏡與半反射鏡學性靼離。电θ，猎由該透明導電層來調整前述光 6·如請求項！之顯示裝直述共振，、中則述舍先層產生之光在前部之 “ ^反射日守產生之相移為Φ弧度’前述共振值波長為L，前述光中欲取出之光之光譜之峰 …系在滿足下述式⑴之範圍構成前述光學 94646.doc 1255669 性距離L : (2L)/ λ + φ / (2 7Γ )=m(m為整數）· · ·（1)。 7.如請求項7之顯示裝置，其中在前述反射鏡與半反射鏡之間設置透明導電層，月述透明導電層之光學性距離為Lt，包含前述發光層之功能層之光學性距離為Lf時，以滿足下述式（2)之方式’設定前述各發光元件之透明導電層之光學性距離 Lt， Lt==L〜 Lf · · · (2)。 8·如請求項1之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方，没有以前述共振部共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。 9·如明求項2之顯示裝置，其中前述發光層發出藍、綠及紅之波長區域之光，刖述各發光元件係以藍、綠或紅之波長區域之光之取出分別為極大之方式設定前述光學性距離。 10·如請求項9之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方， '、$述共振部共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。 π· 士明求項9之顯示裝置，其中前述反射鏡及半反射鏡係用作電極， > ^ 曰 W 在七述反射鏡與半反射鏡之間設置透明導電層，藉由4透明導電層來調整前述光學性距離。 •士叫求項1 1之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方， 94646.doc 1255669 没有以前述共振部Α .F +,, 、振、而自珂述半反射鏡側取出之波長£域之光可穿透之彩色據光器。 13·如請求項9之顯示裝用作電極， /、中則述反射鏡及半反射鏡係前述發光層產生& 在别述共振部之兩端反射時產生之相移為Φ弧度，前诚Α把加 ., 攻，、振邛之光學性距離為L·，前述光中欲取出之光之光摄之洛姑、士 e 、+. n %之峰值波長為λ時，係在滿足下 1)之範圍構成前述光學性距離乙，叫/λ +(D/(27r)=m(m為整數）· · ·⑴。 14. :請求：13之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方，。、引述，、振。P共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。 15. 如請求項13之顯示裝置，其中在前述反射鏡與半反射鏡之間設置透明導電層，月）述透明V私層之光學性距離為Lt，包含前述發光層、此層之光车性距離為以時，以滿足下述式（2)之方式，設定前述各發光元件之透明導電層之光學性距離 Lt， Lt^L — Lf · · · (2)。 16.如請求項15之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方，設有以前述共振部共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。如請求項丨之顯示裝置，其中前述半反射鏡之反射率為 0.1%以上而未達50%之範圍。 94646.doc 1255669 1 8 ·如請求項1 7之顧+壯嗖有以兄 …、衣置’ *中在前述半反射鏡之上方， a又有以則述共振部長區域之… 自所述半反射鏡側取出之波長域之先可穿透之彩色遽光器。 19·如請求項17之顯示壯里分丄用作電極，衣置’其中前述反射鏡及半反射鏡係二在引述反射鏡與半反射鏡之間設置透明導電層，藉由該透明導電層來調整前述光學性距離。 20·如請求項19之顯+壯班 #丄 ”、、、/、衣置’其中在前述半反射鏡之上方，汉有以則述共振部共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。 21.如明求項Π之顯示裝置，其中前述反射鏡及半反射鏡係用作電極，以岫述發光層發光之光在前述共振部之兩端反射時產生之相移為Φ弧度，前述共振部之光學性距離為L·，前述光中欲取出之光可穿透之光譜之峰值波長為λ時，係在滿足下述式（1)之範圍構成前述光學性距離L， (2L)/ 又 + φ / (2 π 為整數）· · ·（丄）。 22·如請求項21之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方，設有以前述共振部共振、而自前述半反射鏡侧取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。 23·如請求項21之顯示裝置，其中在前述反射鏡與半反射鏡之間設置透明導電層，前述透明導電層之光學性距離為Lt，包含前述發光層之功能層之光學性距離為Lf時，以滿足下述式（2)之方 94646.doc 1255669 式，設定前述各發光元件之透明導電層之光學性距離 Lt， Lt=L— Lf · · · (2)。 24. 如請求項23之顯示農置，其中在前述半反射鏡之上方，设有以刖述共振部共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器。 25. 如請求和之顯示裝置，其中在前述半反射鏡之上方，設有以前述共振部共振、而自前述半反射鏡側取出之波長區域之光可穿透之彩色濾光器，月丨J述反射鏡及半反射鏡係用作電極，在丽述反射鏡與半反射鏡之間設有透明導電層，並且，以前述發光層發光之光在前述共振部之兩端反射❹生之相移為φ弧度，前述共振部之光學性距離為 ^刖述光中欲取出之光可穿透之光譜之峰值波長為入守係在滿足下述式（1)之範圍構成前述光學性距離L，並且，前述透明導電層之光學性距離為u，包含前述發光層之功能層之光學性距離為Lf時，以滿足下述式⑺ 之方式，设定w述各發光元件之透明導電層之光學性距離Lt， (2L)/ 又 + ①/(2 7Γ )=m(m為整數）· · ·（1) Lt=L — Lf · · · (2)。 26·如請求項25之顯示裝置，其中前述式（1)中之m值，以分別滿足關☆前述發光元件中之發出M色光之發光元件為 m 0，關於發出綠色光之發光元件為以=〇，關於發出紅 94646.doc 1255669 色光之發光元件為m=0之方式，設定前述式中之光學性距離Lt，Lf。 27·如請求項25之顯示裝置，其中前述式（1)中之m值，以分別滿足關於前述發光元件中之發出藍色光之發光元件為 m=l，關於發出綠色光之發光元件為m=〇，關於發出紅色光之發光凡件為m=0之方式，設定前述式（2)中之光學性距離Lt，Lf。 28.如請求項25之顯示裝置，其中前述式（1)中之㈤值，以分別滿足關於前述發光元件中之發出藍色光之發光元件為 m=l，關於發出綠色光之發光元件為m=1，關於發出紅色光之發光件為m=〇之方式，設定前述式（幻中之光學性距離Lt，Lf。千 29·如請求項25之顯示裝置，其中前述式⑴中之❿值，以分別滿足關於前述發光元件中之發出藍色光之發光元件： m=l，關於發出綠色光之發光元件為^，目於發“ 色光之發光元件為m=1之方式，設定前述式（2)中之光風性距離Lt，Lf。千 3 0.如請求項25之顯示裝置，豆中俞、1衣1 /、甲剐述式（1)中之m值，以分別滿足關於前述發光元件中之發出藍色光之發光元件： -2’關於發出綠色光之發光元件為，關於發出二色光之發光元件為m=；[之方彳、工 1干马m 1之方式，設定前述式（2)中之性距離Lt，Lf。予 31•如請求項25之顯示裝置，其中前述式⑴中之吨之發出監色光之發光元件為別滿足關於前述發光元件中刀 94646.doc 1255669 m=2’關於發出綠色光之發光元件為，關於發出紅色光之發光元件為㈣之方式，設定前述式⑺中之光學性距離Lt，Lf。千 32. 如請求項25之顯示裝置’其中前述式⑴中之爪值，以分別滿足關於前述發光元件中之發出藍色光之發光元件為 m=2’關於發出綠色光之發光元件為㈣，關於發出紅色光之發光元件為m=2之方式，設定前述式⑺中之光學性距離Lt，Lf。 33. -種顯示裝置之製造方法，其特徵為··顯示裝置係在基板上排列形成數個發光元件’其係、在包含光反射材料之反射鏡與光半穿透性之半反射鏡之間至少夾著包含發光層之功能層’並且使該發光層發出之光在該反射鏡與半反射鏡之間共振之共振器構造之共振部而構成，且在基板上之各發光元件形成區域形成反射射鏡後， “序或相反順序進4亍：形成光學距離不同之透明導電膜圖案之步驟；及統一形成前述發光層之步驟。 3^請求項33之顯示裝置之製造方法，其中係進行在前述土板^之各發光元件形成區域統—形成包含前述發光層之功能層之步驟。 35. ^未項33之顯示裝置之製造方法，其中係以反射率為 X上而未達50%之範圍之方式進行形成前述半反射鏡之步驟。項之顯不裝置之製造方法，其中係進行在前述 94646.doc 1255669 土板上之各發光元件幵多成之功能層。成區域、洗一形成包含前述發光層 37. 一種有機發光裝置，其 .^ 、知试為·具備設於基體上之3個有機發光元件，此耸^〆、有機發光元件均具有自接近前述基體側起依序堆疊有· n 一不挥且有·弟一電極層、包含發光層之層及弟一电極層之構成，並且將月丨』述發光層中產生之光轉換成彼此不同之三色光而射出，且刖述弟-電極層具有自接近前述基體側起依序堆疊 =··提高與前述基體之密合㈣之密合層；使前述發光層中產生之光在與前述第-命 • 述弟一私極層之間共振用之共振層’及保護該共振層用之障壁声· 前述障壁層之厚度一::成發光元件間彼此不同。 3 8·如請求項37之有機發光裝置，農共T則述包含發光層之層之厚度，在前述3個有機發光元件間彼此相等。 39·如請求項37之有機發光裝置，苴 /、T則述包含發光層之層係有機層。 40·如請求項37之有機發光裝置， /、τ則述發光層係產生在前述3個有機發光元件間彼此相等色之光者。 41. 如請求項37之有機發光裝置， ”〒别述發光層具有自接近前述第-電極層側起依序堆疊有：產生紅色光之紅色發光層；產生綠色光之綠色發光層；及產生藍色光之藍色發光層之構造。 42. 如請求項37之有機發光裝置，其中前述障壁層之厚度對 94646.doc 1255669 應於自前述3個有機發光元件射不同。爻引述二色光而彼此 43.如請求項42之有機發光裝置，其中前述障壁層之严产係以前述3個有機發光元件可將前述發光層；產：：光分別轉換成紅色光、綠色光及藍色 I邑先而射出之方式來設定。 44. 45. 如請求項43之有機發光裝置，苴中 y則迹P早壁層之厚度，係對應於自前述3個有機發光元件射出又丁河T 之刖返紅色光、前述綠色光及前述藍色光而依序變薄。如請求項37之有機發光裝置’其中前述障壁層之厚度係在1 nm以上1〇〇 nm以下之範圍内。 46.如請求項37之有機發光裝置，其中前述障壁層係由包含：包含銦（In)、錫（Sn)、鋅（Zn)、鎘（Cd)、鈦（Ti)、= (Cr)、鎵（Ga)及紹（A1)之群中至少一種之金屬，其金屬之合金，其金屬氧化物或其金屬氮化物之光穿透性材料而構成。 47·如請求項37之有機發光裝置，其中前述障壁層係由包含：包含氧化銦錫（ITO; Indium Tin Oxide)、氧化鋼辞 (IZO; Indium Zinc Oxide)、氧化銦（In2〇3)、氧化錫 (Sn02)、氧化鋅（ZnO)、氧化鎘（Cd0)、氧化鈦（Ti〇2)及氧化絡（Cr〇2)之群中至少一種金屬氧化物之光穿透性材料而構成。 48·如請求項37之有機發光裝置，其中前述障壁層係藉由功函數比前述共振層大之材料構成。 94646.doc 1255669 49·如請求項37之有機發光裝置，其中前述密合層係藉由包含··鉻（Cr)、銦（In)、錫（Sn)、鋅（Ζη)、鎘（Cd)、鈦（Ti)、鋁（A1)、鎂（Mg)及鉬（M〇)之群中之至少一種金屬，其金屬之合金、其金屬氧化物或其金屬氮化物而構成。 5〇·如請求項37之有機發光裝置，其中前述共振層係藉由銀 (Ag)或包含銀之合金而構成。 5 1 ·如睛求項37之有機發光裝置，其中前述共振層係藉由包含銀與包含··鈀（Pd)、鈥（Nd)、釤（Sm)、釔（γ)、鈽 (Ce)、銪（Eu)、釓（Gd)、铽（Tb)、鏑（Dy)、铒（Ε〇、鏡 (Yb)、銃（Sc)、釕（ru)、銅（Cu)及金（Au)之群中至少一種之合金構成。 52·如2求項37之有機發光裝置，其中前述基體上設有將配置月il述3個有機發光元件之基底區域予以平坦化用之平坦化層，述後a層係提南與前述平坦化層之密合性用者。 53.如=求項37之有機發光裝置，其中前述共振層與前述第一電極層間之光學性距離L係滿足下述式（3)之關係， (2L)/ A + φ / (2 π )=ln · · · (3) (弋中L λ、φ、m分別係：L表示共振層（鄰接於，、振層中之I：早壁層之第一#面）與第二電極層（鄰接於第一弘極層中之包含發光層之層之第二端面）間之光學性距離；λ表示欲射出之光可穿透之光譜之峰值波長；①表不共振層（第—端面）及第二電極層（第二㉟面）上產生之反射光之相移；m表示〇或整數）。 94646.doc -10- 1255669 认如請求項37之有機發光裝置，其中前述3 件係使前述發光層中產生之光在前述共振層與前㈣二電極層之間共振後，經由前述第一電極層或前：極層之任一者射出前述三色光者。弟一电 55·如請求項54之有機發 ^ ，、述3個有機發光元件係、座由丽述第一電極層射出前述三色光者，前述共，層之厚度係在1—上〜下之範圍 :範=第二電極層之厚度係在1。。_上3。。_下 5 6.如請求項5 4之有機發弁护w ^先衣置’其中雨述3個有機發光元係經由前述第二電極層射出前述三色光者，前述共振層之厚度係在1〇〇請以上3〇〇 nm以下之範圍卢内’前述第二電極層之厚度係在1 _上H)聰以下之範圍内。 57· ^有機發光裝置之製造方法，其特徵為：該有機發光 1置具備設於基體上之3個有機發光元件，此等3個有機 =光7G件均具有自接近前述基體之側起依序堆疊有··第 -：極層、包含發光層之層及第二電極層之構成，並且 :月〗述务光層中產生之光轉換成彼此不同之三色光而射出，且包3形成W述第一電極層之步驟，該第一電極層具 2:接近刖述基體側起依序堆疊有：提高與前述基體之 2合性用之密合層；使前述發光層中產生之光在與前述第二電極層之間共振用之共振層；及保護該共振層用之 94646.doc 1255669 障壁層之構成；前述障壁層之厚度在前述同 > 枯1發光元件間彼此不 58. 如請求項57之有機發光褒置之第-電極層之步驟包含以下步驟:。方法’其中前述形成以覆盍前述基體之方式，依層、前十、丘 > 成並堆疊前述密合壁層部分；阵土層之一部分之第一障該第一障壁層部分中，在形 t ^ Μ - ^ ^ X 成則述3個有機發光元件案； £域上形成第一掩模圖 $述第一障壁層部分之他一部分之第二障壁層以覆蓋該第一掩模及其周邊之方式，形成構成前述障壁層之其部分； ^ 該第二障壁層部分中，在报士、二丄 Φ > - - * ^ ^成則述3個有機發光元件案；弟一區域上形成第二掩模圖以覆蓋該第二掩模及其周邊之俞 Μ _ 、周遠之則述第二障壁層部分之方式，形成構成前述障壁芦早土層之另外-部分之第三障壁層邙分；該第三障壁層部分中，名报士、、， ^ ^ , f在形成珂述3個有機發光元件中之第彡有機發光元件之第三 ^ L Λ上形成第三掩模圖木，及使用前述第一、第二；5坌：Τ故# 弟一掩板’連續蝕刻前述密合 94646.d〇i -12- 1255669 層、前述共振層及前述第一、第二及證一予以圖案化； —障壁層部分而將别述第一電極層中之前述障壁層中’藉由前述第一障壁層部分而形成中，藉由前述第一及第二障壁層部分二區域中，藉由前述第一、第二及第成0 在别述第一區域 ’在前述第二區域而形成；在前述第〜障壁層部分而形 59. π卞喟Μ之有機發光裝置之製造唾一 /ir ’其中在前、弟二及第三有機發光元件中，八色光及紅色光„ 〃別射出藍色光

60. 如請求項57之有機發光裝置之製造方第一電極層之步驟包含以下步驟： "中岫述形成以覆蓋前述基體之方式，依序形層、前述共振層、及構成前述障壁層三障壁層部分；成而堆疊前述密合之第一、第二及第形成前述3個有媸菸伞-中之第一有機發光元件有栈毛先刀案；弟—區域上形成第一掩才;

'吨刮珂述第二陪辟s 、圖案化，而在前述第—區 —羊土層口 μ刀予以分’並且在其第一區域弟二μ層部部分；巧义^域露出前述第二障壁層在前述第二障壁層部分之露出機發光元件中之第二有機於形成則述3個有 "凡件之第二區域上，形成 94646.doc -13- !255669 弟二埯模圖案；障：：:吏用該第二掩模及前述第-掩模，蝕刻前述第二分予以圖案化，藉而在前述第殘留前诚穿扯弟一 £域中域之用息層部分，並且在此等之第-及第二區一二周邊區域露出前述第一障壁層部分；。月’J述第一障壁層部分之露出面中，機發光元件中之第一右-< 乂成則述3個有 -从中有機發光元件之第三區域上开）古、〜 —掩模圖案；及 ’ y成第藉由使用該第三掩模及前述第一刻前述密人厍义、+、u 弟一掩极，連續蝕圖安仆共振層及前述第-障壁層部分予以第-障壁層部分；弟-及弟二區域中殘留前述將=第一電極層中之前述障壁層，在中，猎由前述第一、第二及箓- 乐區域前述第二區域中，藉由前述第：:二:分而形成;在成；在前述第三區域中，藉由前二弟-:壁層部分而形成。引述弟—障壁層部分而形 61 62. 如請求項60之有機發光裝置之制！ -、第二及第三有機發光元去’其中在前述第色光及藍色光。分別射出紅色光、綠如請求項57之有機發光裝置之製造含··包含銦（In)、錫（Sn)、鋅（2n) 。 /、中使用包㈣、鎵㈣及銘⑽之群中至少Ζ 、鈦（Tl)、鉻合金，其金屬氧化物或其金屬氮化=其金屬之 <九牙透性材料形 94646.doc -14- 1255669 成前述障壁層。 63·如請求項57之有機發光裝置之製造方法，其中使用包含·包含氧化銦錫（ITO; Indium Tin Oxide)、氧化銦鋅 (IZO; Indium Zinc Oxide)、氧化銦（Ιη203)、氧化錫 (Sn02)、氧化鋅（zn〇)、氧化鎘（Cd〇)、氧化鈦（丁1〇2)及氧化鉻（Cr〇2)之群中至少一種金屬氧化物之光穿透性材料形成前述障壁層。 64·如請求項57之有機發光裝置之製造方法，其中使用包含·鉻（Cr)、銦（In)、錫（Sn)、辞（Zn)、編（Cd)、鈦（Ti)、紹（A1)、鎂（Mg)及鉬（Mo)之群中之至少一種金屬，其金屬之合金、其金屬氧化物或其金屬氮化物形成前述密合層。 65.如請求項57之有機發光裝置之製造方法’其中使用銀 (Ag)或包含銀之合金形成前述共振層。 66·如請求項57之有機發光裝置之製造方法，其中使用包含銀與包含：鈀（Pd)、鈥（Nd)、釤（Sm)、釔（γ)、鈽（Ce)、銪（Eu)、釓（Gd)、铽（Tb)、鏑（Dy)、铒陴）、鏡⑽）、銃 (Sc)、釕（Ru)、銅（Cu)及金（Au)之群中至少一種之合金形成前述共振層。 67. 如請求項57之有機發光裝置之製造方法，其中進一步包含在前述基體上形成將形成前述3個有機發光元件之基底區域予以平坦化用之平坦化層之步驟，並在該平坦化層上形成前述密合層。 68. 種顯不裝置，其特徵為··具備有機發光裝置，其具有 94646.doc -15 - 1255669 :a ^ π又有3個有機發光兀件之構成，該有機發光裝前述3個有機發光元件均具有自接近前述基體側起依序堆疊有：第-電極層、包含發光層之層及第二電 =之構成，並且藉由將前述發光層中產生之光轉換成彼此：同之三色光而射出，來顯示影像者，右且^第—電極層具有自接近前述基體側起依序堆疊有·提鬲與前述基體之宓 ”產生… 性用之密合層；使前述發光 :中產生之先在與前述第二電極層之層：及，護該共振層用之障壁層之構成；别述障壁層之厚彦太么同。別述3個有機發光元件間彼此不

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