TWI254741B - Polishing composition - Google Patents

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1254741 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 使用該研磨液組合物之記 方法，及使用上述研磨液 本發明係關於研磨液組合物， 憶硬碟用基板之微小起伏之降低 組合物之記憶硬碟用基板之製造方法 【先前技術】 近年之記憶硬碟機，為提升容量.小㈣之記錄密度， -則使磁頭之浮起量降低，再則儘力將單位記錄面積縮 小。隨著此種情況’即使記憶硬碟用基板之製造步驟中研 磨後要求之表面品質逐年趨於嚴格，對應於磁頭之低浮 起’或對應於表面粗度、平均起伏、衰減⑽“均或突起 之降低’或單位面積之減少’可容許之刮痕與凹洞之大小 與深度，變得越來越小。 對於此種要求，已知有鋁碟基板之研磨用組合物，其包 括一種可得到平均起伏小，表面缺陷少之鋁碟基板之研磨 材料，該研磨材料含有具不同單模態數粒徑分布之複數個 膠體態矽石粒子群（專利文獻丨）。 然而，該研磨液組合物縱使平均起伏降低，但對最近磁 頭之浮起量降低而言愈來愈被重視之粗度與為平均起伏中 間波長之彳政小起伏（短波長（50_500 gm)及長波長（5〇〇 )mm))卻不能充分地降低，需尋求進一步之改善。 [專利文獻丨]特開2002-30274號公報 【發明内容】 亦即’本發明之要旨係關於： 90523.doc 1254741 ]種研磨液組合物，其係在水系媒體中含有 所構屮々w j 月’七植于 ” 之1、圮憶硬碟用基板使用之研磨液組合物，上述矽 石：子’個數基準之標準偏差⑷與藉由透過型電子顯：鏡 M)觀察所測得之該矽石粒子之個數基準之平均粒 之關係滿足下式（1): 工[) 〇 ^ u.jxr (式中’ Γ表示個數基準之平均粒徑㈣，σ表示個數基準 之^準偏差（nm)) ’且在該矽石粒子之粒徑6(M20nm範圍内之累積體積頻 率（V)與粒徑（R)之關係滿足下式（2)及（3): 0.5XR (2) V ^ 〇.25xR+ 75 (3) (式中jR表示矽石粒子之粒徑（nm)，V表示矽石粒子從小 粒徑側算起之累積體積頻率（％)); [2]-種記憶硬碟用基板之微小起伏之降低方法，其包括 使用上述⑴記載之研磨液組合物研磨記憶硬碟用基板之步 驟；及 [3]-種記憶硬碟用基板之製造方法，其包括使用上述⑴ 記載之研磨液組合物研磨經Nl — p電鍍之記憶硬碟用基板之 步驟。 [實施方式】 本發明係關於—種使供記憶硬碟用基板表面之微小起伏 在無損於生產性下降低至足以實用之研磨液組合物，及使 用該研磨用組合物降低記憶硬碟用基板之微小起伏之方 00523.doc 1254741 法’以及記憶硬碟用基板之製造方法。 本發明之研磨液組合物，係含有水系媒體及做為研磨材 料…粒子之供記憶硬碟用基板(以下稱為碟片用基板） 使用之研磨液組合物。 本發明所使用之石夕石粒子’具有「個數基準之標準偏 與個數基準之平均粒徑⑴之關係滿足上述 粒子之粒徑6〇韻麵範圍之累積體積頻率（v)與粒 關係滿足上述式⑺及（3)」之特定粒徑分布。本發明之研磨 2組合物’其—大特徵為含有料石粒子做為研磨材料， 由於具有，構成成分，可使碟片用基板之表面微小起伏降 低至足以實用之程度。因此，藉由本發明之人 研磨之碟片用基板之表面具有優良平滑性。* 口物 :說明書中’「微小起伏」為具有粗度及起伏中間波長之 =凸’可分類為短波長起伏(波長5。，。之起伏)及 長波長起伏（波長5〇〇 μηι_5 mm之起伏）。 亦即，微小起伏係在對象物表面之 響磁頭浮起量。因此，微小起伏之 ^ ^ 平、、尽拇勒仇之值越小，對象物之表面 卞生越優良’可使磁頭之浮起化減低。 一般^ ’對象物表面之微小起伏， 隨機抽取之各部分平均而求得。對象 “I勿表面 之微小起伏並不一樣，並碥. π面’各個位置 , 曰遍王現相當大之偏差。因t卜. 值(取對象物表面之微小起伏時，為有效地推算其_平均 值（population mean)，必 …。千均 數據…… 定位置及其個數。因此， U賴性⑽條輪置磁^擇，而在 g〇523.doc 1254741 本發明中係藉由高作Λ 。賴性之測&方法求取微小起伏。 關於本發明之微 (伏之測定方法之詳細情形，如下述 實施例中所記載。 本發明中使用之矽 校丁，可為例如膠體態矽石粒子、 煙燻矽石粒子或表而> # 文貝石夕石粒子等。從得到碟片基板之 表面更高度平滑性 ^ 規點而& ，以膠體態矽石粒子為較 佳。该石夕石粒子亦可立 、 句f售口口，例如，藉由從矽酸水溶液 生成之公知製造方沐π 传到者。矽石粒子之使用形態以漿液 狀為較佳。 述夕石粒子之粒徑分布可藉由以下之方法求得。亦 I7將石夕石粒子用日本電子製透過型電子顯微鏡（丁腿)（商 品名「聰萬倍）觀察之照片，在個 人兒月自用掃描為抓取畫像數據，使用解析軟體「界论r〇〇f」 (三谷商事公司販賣），針對1000個以上之矽石粒子數據，求 取個個矽石粒子之投影面積當量直徑（projected area diameter)做為其直徑，藉由表計算軟體「excel」（微軟公 司製），得到個數基準之平均粒徑⑴及標準偏差值（σ)。 在本發明中，個數基準之標準偏差值（σ)矽石粒子與個數 基準之平均粒徑⑴之關係雖滿足式（丨），然而從使研磨速度 促回之觀點而言，以滿足式（4)為較佳，而以滿足式（5)為更 佳： …、 σ^ 0.34xr (4) σ^ 0.375xr (5) 又’從降低表面粗度之觀點而言，以滿足式（6)為較佳 90523.doc -9- 1254741 而以滿足式（7)為更佳： ~〇.2xr+ 25^ σ (6) -〇.25xr + 25^ ο (了） 又，错由上述表計算軟體「EXcEJL 粒子體積 Γ 彳生換异為 子中竿種，偏之…子粒徑分布數據，將所有粒 中某種粒徑粒子之比例（以體積 算起之罗菸相々士 〇)以攸小粒徑側 千表示，得到累積體積頻率(%)。如以上方 將^康得到之仏粒子粒徑及累積體積頻率數據，藉由 本孓明中，矽石粒子，於上述累積體積頻率對粒徑夕 圖形中，雖目士·「 一 〜 隹”有於粒徑6(M20 nm範圍内之累積體積頻率 ^與粒#(R)之關係滿足上式⑺及（3)」之粒徑分布，然而 2碟片用基板表面微小起伏降低使得該基板表面平滑性提 觀”、έ而s ’以具有「粒徑在1 〇5 nm以上範圍之累積體 積v員率為90。/。以上」之粒徑分布為較佳。 J- t 〃 從刮痕降低及表面粗度降低更為優良之觀點而 " 於粒梭60-120 nm之範圍内之上述矽石粒子之粒徑分 布，以滿足式（8)為較佳， V > 〇.60xRo (8) 而以滿足式（9)為更佳， V> 0.70xR-10 (9) 以滿足式（10)為特佳。 (10) v> 0.80xR-14 l)〇523.doc -ίο - 1254741 又’從微小凹洞降低更為優良之觀點而言，於粒經6〇_丨2〇 nm祀圍内之上述矽石粒子之粒徑分布，以滿足式（1丨）為較 佳， ’、、 01) (12) 粒子粒徑分布廣度之指 VS 0.35xR+65 而以滿足式（12)為更佳。 0.45xR+55 示石夕石 本發明中上述式（1)係表 標，具有該範圍内粒徑分布之石夕石粒子，意㈣粒徑分布 為具有某種程度以上之廣度者。 t =本發明中上述式（2)及（3)為表示碎石粒子存在比例之 指標’於教徑6〇_12〇 nm之範圍中滿足上述式⑺及⑺之石夕 石粒子’意指以某種程度以上之比例含有所設定之粒徑者。 由於滿足此等式子’可在無損於生產性下，使微小起伏 降低至足以實用之程度。 又’從在承載體鳴聲之降低上優良之觀點而言，以於粒 徑5-60 η叫圍内之粒徑分布滿^式⑴）為較佳， (2/3)xR+50 (13) 從在微小凹洞之降低上優良之 #问如 規”、，£ s之，以於粒徑30-60 譲祀圍内之粒徑分布滿足式（14)為更佳。 V=R-30 (14) 本發明所使用之矽石粒子， 即可，可為包含一種具有特定二述粒徑分布者 為將包含二種以上且有不同位一：刀布…粒子’亦可 再“用％ 分布切石粒子混合者。 再者，使用〜種以上矽石粒子時， ^石粒子之粒徑分布，意 90523.doc 1254741 心混合之矽石粒子之粒徑分布。 關於調整石夕石粒子之粒徑分布之方法，並無特別限定， 广夕石粒子為膠齡夕石粒子時，可為藉由在其製造階 段之粒子成長過程中加入為新核之粒子， ：: 有該教徑分布之方法，或將具有不同粒徑分布之2個二夕 石粒子混合之方法等。 又，研磨漏除上切石粒子之外m般使用於 研f用之研磨材料。該研磨材料可為金屬，金屬或半金屬 =化物、氮化物、氧化物或硼化物，或者鑽石等。金屬 或半金屬凡素，可為從週期表（長週期型）2α、2Β、3Α、π、 仆、5A、6A、7A或8族而來者。研磨材料之具體例， y為虱化鋁、碳化矽、鑽石、氧化鎂、氧化鋅、氧化鈦、 乳化鈽或氧化錯等，從使研磨速度提高之觀點而言，其等 二使用1種以上為較佳。其中，氧化鋁、氧化鈽、氧化錯及 乳化鈦等適合用於磁氣記錄媒體用基板等精 :研磨。關於氧修已知有^及7等各種結晶^ = 照用途適宜地選擇使用。 矽石粒子以外之研磨材料之一次粒子之平均粒徑，為 200 _以下’從使研磨速度提高之觀點而言’以^請以上 為較佳，而則〇 _以上為更[以20 _以上為特佳，從 降低表面粗度（Ra ’ Rmax)及起伏（Wa)之觀點而言，為 以下’而以150 nm以下為較佳，以12〇麵以下為更佳，以 __以下為特佳。該一次粒子之平均粒徑，以i-綱疆 為較佳’而以H50随為更佳，以1〇_12〇 _為更佳，以 005 2 3. doc -12 - 1254741 nm為特佳。再者，一次粒子凝集形成二次粒子時， 同木κ地彳欠彳疋南研磨速度之觀點及降低被研磨物之表面粗度 之觀點而言，其二次粒子之平均粒徑，以5〇_3〇〇〇 nm為較 佳’而以100-1 500 nm為更佳，以200-1200 nm為特佳。 石夕石粒子以外之研磨材料之一次粒子之平均粒徑，可使 用掃描型電子顯微鏡觀察（以300(M〇〇〇〇〇倍為較佳）並進行 圖像解析，藉由測定從一次粒徑之小粒徑側算起之累積粒 從分布（個數基準）為50%之粒徑（D50)而求得。其中，一個 一次粒子之粒徑，係使用2軸平均（長徑與短徑之平均）做為 粒徑。又’二次粒子之平均粒徑可使用雷射光繞射法測定 體積平均粒徑。 ^從組合物中石夕石粒子之含量，從使研磨速度提高之 觀點而言，以0.5重量％以上為較佳，而以丄重量^上為更 佳’以3重量％以上為特佳，以5重量％以上為最佳n 提高表面品質之觀點及經濟性之觀點而言，以2〇重量二 下為較佳’而以15重量％以下為更佳，以13重量％以增 佳，以10重量％以下為最佳。 ”、、寸 物中以〇.”0重量糊〜 研磨液組合 曰 』重里/〇為車乂佳，而以M5重量％為更佳， 重置％為特佳，以5_丨〇重量％為最佳。 」 又’本發明之研磨液組合物’另含有從 氧化物之群中馔出之至少〗話 ，、豐及 至夕1種，可使效果更為優良。 本發明之研磨液組合物，從使研磨速度更為接… 而言，以含有氧化劑為較佳。氧化劑可為例如過：：規點 過錳酸或其鹽、鉻酸或其鹽、 虱匕物、 過乳酸或其鹽、含氧酸或其 ^-)523.doc -13 > 1254741 鹽、金屬鹽類或硫酸類等。 上述過氧化物，如過氧化氫、過氧化鈉或過氧化鋇等； 過猛酸或其鹽，如過錳酸鉀等；鉻酸或其鹽，如鉻酸金屬 鹽或重鉻酸金屬鹽等；過氧酸或其鹽，如過氧二硫酸、過 氧一硫酸銨、過氧二硫酸金屬鹽、過氧磷:酸、過氧硫酸、 過氧蝴酸鈉、過蟻酸、過醋酸、過安息香酸或過g太酸等； 含氧酸或其鹽，如次氯酸鹽、次溴酸鹽、次碘酸鹽、氣酸、 邊酸、硬酸、次氣酸鈉或次氯酸鉀等；金屬鹽類，如氣化 鐵（III)、硝酸鐵（ΠΙ)、硫酸鐵（111)、檸檬酸鐵（111)或硫酸銨 鐵（III)等。較佳之氧化劑，如過氧化氫、硝酸鐵（ΙΠ)、過醋 酸、過氧二硫酸銨、硫酸鐵（ΙΠ)及硫酸銨鐵（111)等。再者， 從在基板表面未附著金屬離子，且可廣泛地使用而廉價之 觀點而言，以過氧化氫為較佳。此等氧化劑可單獨使用， 亦可將2種以上混合使用。 從使研磨速度提高之觀點而言，研磨液組合物中氧化劑 之含量，以〇.002重量％以上為較佳，而以〇.〇〇5重量％以上 為更佳，以〇. 〇 0 7重里％以上為特佳，以〇 · 〇 1重量。/。以上為最 佳，又，從減少表面粗度、微小起伏及減少凹洞或刮痕等 表面缺陷，提南取面品質之觀點及經濟性之觀點而言，以 20重量％以下為較佳，而以15重量％以下為更佳，以1〇重| %以下為特佳，以5重量％以下為最佳。亦即，該含量在研 磨液組合物中以〇.〇〇2-20重量％為較佳，而以〇〇〇5_丨5重量 /〇為更佳，以〇 〇〇7-10重里％為特佳，以〇 〇ι_5重量。/。為最佳。 又’本發明之研磨液組合物，從使研磨速度再提高之觀 、)()523.dOC -14 - 1254741 點而言，以含有酸及/或其鹽為較佳。酸及/或其鹽，其酸之 pK 1為2以下之化合物為較佳，從降低微小刮痕之觀點而 言，以ΡΚ1為1·5以下之化合物為更佳，以1以下為特佳，又 以王現p Κ1然法表示之程度之強酸性化合物為最佳。其之實 例，如硝酸、硫酸、亞硫酸、過硫酸、氯酸、過氯酸、磷 酸、膦酸、次膦酸、焦磷酸、三聚磷酸、醯胺硫酸等無機 酸及其鹽，2-胺基乙基膦酸、1-羥基亞乙基-二膦酸、 胺基三（亞甲基膦酸）、伸乙基二胺四（亞甲基膦酸）、二伸乙 基一胺五（亞甲基鱗酸）、乙燒-1，1-二鱗酸、乙烧_1，丨2_三膦 酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷_丨_羥基-丨，〗，^三膦酸、 乙烷_1，2-二羧基_1，2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2_膦酸基丁 烷-1,2-二羧酸、卜膦酸基丁烷_2,3,4_三羧酸或…曱基膦酸基 琥珀酸等有機膦酸及其鹽；榖胺酸、吡啶甲酸或天冬胺酸 等胺基羧酸及其鹽；草酸、硝基醋酸、馬來酸或草醯基醋 酸等竣酸及其鹽等。其中，從降低微小刮痕之觀點而言， 以無機酸或有機膦酸及其鹽為較佳。又，無機酸及其鹽中， 以硝酸、硫酸、鹽酸、過氯酸及其鹽為更佳。有機膦酸及 其鹽中，以1 -羥基亞乙基-丨，1 —二膦酸、胺基三（亞曱基膦 酸）、伸乙基二胺肆（亞曱基膦酸）、二伸乙基三胺五（亞曱基 膦酸）及其等之鹽為更佳。此等酸及其鹽可單獨使用或2種 以上混合使用。其中，pK1意指：有機化合物或無機化合物 之酸解離常數（25°C )之倒數之對數值通常用pKa表示，其中 第一酸解離常數之倒數之對數值稱為pKl。各化合物之pK1 例如改訂第4版化學便覽（基礎篇）π，pp3i 6-325(曰本化學會 90523.doc -15 - 1254741 編）中所記載。*去 士 ^ 有本發明中從微小起伏之降低及研磨速 度}疋南兩方面之勸毀而士 …叨3 ’以使用其酸之pK 1為2以下之酸 及/或其鹽為更佳。 此等酸之鹽，並I转 — …、和另！限疋，具體而言’如金屬、銨、 烷基銨或有機胺等之_。 ^ ^ 孟屬之具體例，如週期表（長週期 型12八、26、3八、38、4八、6八、7八或8族所屬之 金屬。其中’從微小刮痕降低之觀點而言，以以族所屬之 金屬或錢之鹽為較佳。

上述酸及其鹽在組合物中人θ /,Λ ^ ^ ^ V 口切甲之含I，從發揮充分之研磨速 度及提南表面品質 規』而吕，以0.0001-5重量％為較佳， 而以0.0003-4重量％為承/土 、 里。马更诖，以0.001-3重量％為特佳，以 0.0025-2.5重量％為最佳。 本發明之研磨液組合物中之水系媒體，可使用例如蒸餾 水綠子又換水或超純水等。其含量從將被研磨物有效地 研磨之觀點而言，以5 5重量％以卜焱舻处 ^ 里/。以上為較佳，而以67重量％以 上為更佳，以7 5重量％以卜或4主7土 0 以上為特佳，以84重量〇/〇以上為最 佳’又’以9 9 · 4 9 7 9重量％以下么& ^土 、 里。以下為較佳，而以98.9947重量％ 以下為更佳，以96.992重量％以下為特佳，以％ 9875重量％ 以下為最佳。亦即’該含量以55·99 4979重量％為較佳，而 以67·98.9947重量％為更佳以75.96 992重量％為特佳以 84-94.9875重量％為最佳。 再者’上述研磨液組合物之濃度，可為該組合物製造時 之濃度及使用時之濃度任何一種。诵堂，夕 但 4吊多為將研磨液組 合物製造為濃縮液，再在使用時加以稀釋之情況。 90523.doc 16 1254741 又’本發明之研磨液組合物中可依照需要添加其他成 分。其他成分如增黏劑、分散劑、防鏽劑、鹼性物質或界 面活性劑等。 本發明之研磨液組合物，可藉由將上述研磨材料及水系 媒體，再依照需要添加氧化劑、酸及/或其鹽或其他成分 等，以公知之方法混合而調製。 本發明之研磨液組合物之pH值，以依照被加工物之種類 及要求性冑b適宜地決定為較佳。研磨液組合物之值，無 法根據被研磨物之材質而一概地加以限定，在一般金屬材 料中，從使研磨速度提高之觀點而言，pH為酸性，而以不 到7為較佳，以6以下為更佳，以5以下為特佳，以4以下為 最佳。又，從對人體之影響及機器之腐餘性之觀點而言， ΡΗ^以上為較佳，以u以上為更佳，以12以上為特佳， 以1.3以上為最佳。再者，在鎳-磷（Νι_ρ)電鍍鋁合金基板等 金屬為主钱象之精密零件用基板中，從使研磨速度提高 之觀點而言，pH以酸性為較佳，以4.5以下為更佳，以“ 下為特佳，以3.5以下為極佳’以3以下為最佳。因此，口 要配合所重視之目標設定pH值即可，再者，在ip電㈣ 合金基板等金屬為對象之精密零件用基板中，综合上述觀 點，PH以…為較佳，以u_4為更佳，以“Μ為特佳， 二為最佳。邮藉由適宜地添加所需要量之德或硫 ^等無機酸，或箪酸笨右嫵缺 飞早鲅寺有機酸，或銨鹽、氨水、氫氧化钾、 氫氧化鈉或㈣驗性物質而進行調整。 甲 本發明之碟片用基板之微小起伏之降低方法，如將以記 ι)〇523.ϋο〇 -17 - 1254741 憶碟片用基板為代表之祐 被研磨基板研磨時，使用本發明之 研磨液組合物之方，'4· μ、，、、丄 方π上迷破研磨基板之研磨方法，具有 使用本發明之研磨液組合 合物之各成分混合ρ成之=成本發明之研磨液組 成之研磨液組合物，研磨被研磨物 之步驟，其適於製浩纪愔 ▽ … 、茱片用基板等精密零件用基板。 ，本^明之研磨液組合物， 、， ^ 了頌者地降低碟片用基板之 试小起伙，亚發揮高研磨逮度。 為本發明研磨液組合物 丄„ 初之對象之被研磨物之材質，例

如，矽、鋁、鎳、镇、細 λ J 、5 、旦或鈦等金屬或半金屬及豆八 金，·玻璃、玻璃狀碳或盡定形功莖+ & 氧 一 ^ 人飞…、疋形石反專玻璃狀物質；礬土、二 虱化夕、氮化矽、氮化鉅或 胺樹脂等樹脂等。苴中，以 、S :材料’或聚醯亞 等金屬為主成分之：全為、皮呂、广鶴或銅等金屬及以此 又刀疋D金為破研磨物為較 心電鍍之紹合金基板為更佳。 而以例如經 在本發明之碟片用基板之微伏 碟片用基板之研磨之_ # %低方法中，進行 之步1"’舉例而言，可適宜地使用公知 之研磨機而實施。❹ 也使用么知 研磨布等（以聚胺基甲酸 阿刀子不 ,. 丁、研磨布為較佳）之研磨盤將碑 片用基板夹住，將讲府、产/ 丨你i种未 片用某… 合物以平均每片直徑％ _之碟 -母刀4里l-J〇社之流量以3 土、 供應至研磨對象$ # 刀知為較佳） ’㈣象之表面，通常施 kPa為較佳）之—定壓力做 -士、·7 Wa(以4.9-10.8 與碑片用美板在^ 仃，同日守以上定盤或下定盤 ，、票片用基板在疋盤中央部分之相對速度為 0.3-1 m/秒為較佳）之方 ηι/移（以 方式，使研磨盤與碟片用基板互動而 ()〇523.doc 18 1254741 進行研磨。 若使用該降低碑> 其〜—片用基板之微小起伏之方法，則碟片用 土、 衣面彳政小起伏可在益損於AΤ女 者，由於亦可使1丨、」 有效地降低，再 凹/同寺表面缺陷減少，可得到實用上 表面有充分平滑性之碟片用基板。 方、、1勺月之另形恶，為提供一種碟片用基板之製造 :，其包括藉由本發明之研磨液組合物研磨被研磨基板 ’再者’提供-種碟片用基板之製造方法，其包括 用本發明之研磨液组合物研磨經Νι_ρ電鍍之碟片 之步驟。 ，本龟明之經Nl_p電鍍之碟片用基板之製造方法(以下稱 為碟片用基板之製造方法）’雖包括用本發明之研磨液組合 物研磨忒基板之步驟 '然而該步驟在複數個步驟中以第2 :步驟以後進行為較佳’而以在最後研磨步驟中進行為更 佳。、例如，藉由使用含有礬土研磨粒等公知之研磨材料所 構成之研磨漿液之第】研磨步驟或第2研磨步驟，使上述碟 片用基板（例如’賴_pf鐘之#合金基板）之微小起伏成為 短波長蜂伏為0 4_0 6 nm，長波長起伏為〇 5腿後再 ^使用本兔明之研磨液翅·合物之研磨步驟進行研磨。使 用本發明之研磨液組合物之研磨步驟，只要與上述碟片用 基板之微小起伏之降低方法中之研磨步驟相同地實施即 可 〇 本I月之碟片用基板之製造方法中，藉由只包含2步驟之 研磨方法，製造微小起伏之短波長起伏為〇12nm以下，長 90523.doc -19 - 1254741 波長起伏為〇 · 2 5 n m以下之碟片用 「^ 士 π ^用基板所期望之情況中， 1用本龟明之研磨液組合物 歸驟較適合。 以片用基板之步驟」做為 若藉由本發明之碟片用基板之製造方法，可有效 微小起伏降低，具有優良表 又 ⑴# L 十/月性之經Νι-Ρ電鍍之碟片 用基板。 實施例 (被研磨物） 使用以含有礬土研磨粒之研磨㈣預先粗研磨而有微小 起伏_，長波長起伏Q45疆）之厚度 ⑶_ ’直㈣_之經Νι_ρ電鍍之銘合金基板做為被研 磨物’ 下實施例及比較例所得到之研磨液組合物對 該基板進行研磨評價。 實施例1 -6及比較例1 _3 7藉由添加表}記載之膠體態矽石（矽石a_h)、過氧化氫 阳2〇2)、HEDP(1-羥基亞乙基_丨，丨_二膦酸）及餘量之水（離子 交換水）並混合，調製具有表丨記載之組成之研磨液組合 物。混合之順序為將HEDP在水中稀釋之水溶液與35重量％ 過氧化氫水溶液混合，繼而與其餘成分混合，最後將膠體 態矽石漿液以不凝膠化之方式，一邊攪拌一邊添加，調製 成研磨液組合物。 ()0523.doc -20- 1254741 研磨液組合物之組成（重|〇/〇) pH _ 矽石計 石夕石A 石夕石B 石夕石c 矽石D 矽石E 矽石F 石夕石G 石夕石Η Η2〇2 HEDP 實 1 7.00 - - - - - [Too - - 0.6 2.0 ΪΤ^ 施 2 7.00 1.75 - - 4.20 1.05 j • - - 0.6 2.0 Γττ^ 洌 3 f τΤόό 1.40 1.40 1.40 1.40 h 1.40 - - - 0.6 2.0 .兩 號 4 7.00 - - - - - 3.50 3.50 - 0.6 2.0 ΓΤ?~' 5 7.00 - - - - - 2.31 4.69 - 0.6 2.0 1.5 6 7.00 - - - - - 3.50 - 3.50 0.6 2.0 1·厂 比 1 7.00 0.27 - 1.35 - Γ 5.38 1 — 一 - 0.6 2.0 1.5— 丁人 7 7.00 - - 1.40 - 5.60 - - 0.6 2.0 1.5 編 u號 3 7.00 - - 5.60 - 1,40 - - - 0.6 2.0 1.5 再者，表中： 矽石A表示「CataloidSI-30」（觸媒化成工業公司製）， 石夕石B表示「CataloidSI-40」（觸媒化成工業公司製）， 矽石C表示「CataloidSI-50」（觸媒化成工業公司製）， 矽石D表示「CataloidSI-45P」（觸媒化成工業公司製）， 矽石E表示「CataloidSI-80P」（觸媒化成工業公司製）， 石夕石F表示「Syton 5 20」（杜邦公司製）， 石夕石G表示「Syton 5 24」（杜邦公司製）， 石夕石Η表不「SytonHS40」（杜邦公司紫）， HEDP表示1-羥基亞乙基-1山二膦酸（「Dequest 2〇1〇」， 8〇11^2.以0&11公司製），以及 H2〇2表示35重量％過氧化氫水溶液（旭電化公司製）。 關於上述研磨液組合物中矽石粒子之粒徑分布，依照以 下[矽石粒子之粒徑分布之測定]記載之方法，測定矽石粒子 =教徑，求取個數基準之平均粒徑、標準偏差值及粒徑之 累積體積頻率’作成累積體積頻率對粒徑之圖开[各實施 例中使用之矽石粒子之累積體積頻率對粒徑之圖形如圖丨 各比幸乂例中使用之矽石粒子之累積體積頻率對粒徑 ()0523.doc -21 - 1254741 之圖形如圖2所示。 [矽石粒子之粒徑分布之測定] 使用漿液狀之石夕石粒子做為試料，藉由日本電子透過型 電子顯微鏡（TEM)(商 σ口名「JEM-2000FX」，8〇 kv，1-5 萬 倍）觀察試料’進行TEM像之照相攝影。將該照片用掃描器 形成畫像數據’放入個人電腦，使用解析軟體r Wm R〇〇F」 (二谷商事公司販）’求取一個個石夕石粒子之投影面積當量 直徑（projected areadmmetei·)，做為其直徑’將丨〇〇〇個以上 之石夕石粒子解析後，將其共同藉由表計算軟體「excel」（微 軟公司製）’得到矽石粒子之個數基準之平均粒徑及標準偏 差值。其結果如表2所示。 表2 平均粒子徑(γ) 標準偏差(δ) 0.3x平均粒子徑(nm) 宭 測定值(nm) 測定值(nrr〇 Ά 施 例 β烏 號 比 1 22.6 15.8 6.8 / 16.4 9.1 4.9 J 17.9 8.1 5.4 4 21.6 8.5 6.5 5 6 1 21.4 ’ 14.3 23.1 7.1 5.5 17 7 ' 6.4 -4.3 毕父 例 編 號| 2 3 39.4 32.3 1/./ 22.1 6.9 __ 6.9 11.8 9.7 八 似佩 之粒徑分布數據1表計算軟體「excel」 ，" 某些粒徑之粒子之比例（俨 、另砬亍 1夕丑積基準％)以從小粒 累積頻率表示，得至I丨罗#触 起 ^ 1侍到累積體積頻率（％)。 根據以上方式所得到 〈^石粒子之粒徑及罗拉遍 數據，藉由累積體積頻率 ’丁、貝to積頻 對粒徑圖。 不積體積頻 90523.doc -22 - 1254741 又 使用貫施例丨-6及比較例1 3 γ 研磨液組合物，在以 下所不之研磨條件下研磨被研磨⑽ △、，—^ 。、箱而，根據以下之方 法測疋被研磨物之表面之微小起 , t伏及細微凹洞，並進行評 價。對各實施例及比較例之丨〇片 々锻研磨物進行評價，微小 起伏為使用各被研磨物所得到之夂 谷個數據之平均值。得到 之結不·如表3所示。 (研磨條件） 研磨試驗機：創技（Speedfam)公引制「二 h J製「兩面9B研磨機」 研磨塾片：鐘紡公司製「BellatnxN㈧58」 研磨荷重：7.8 kPa 漿液供給量：100 mL/分鐘 下定盤迴轉數：30 r/min 研磨時間：4分鐘 投入之基板之片數：1 0片 [微小起伏之測定] 使用Zygo製「New View200」，將被測定基板之成18〇。之2 點（合計4點），在以下條件下測定短波長起伏及長波長起 伏’异出該4點之平均值，做為1片基板之短波長起伏及長 波長起伏。 對物鏡片：2·5倍Michelson鏡片 變焦距比：0.5倍 過濾器：Band Pass 過濾器類型：F F T F i x e d 測定波長： 90523.doc -23 - 1254741 •短波長起伏：Fl丨ter High Wavelength 〇.〇5 mm

Filter Low Wavelength 0.50 mm •長波長起伏：Filter High Wavelength 〇.5〇 mm

Filter Low Wavelength 5.〇〇 mm [細微凹洞之測定方法] 藉由微分干涉式顯微鏡觀察[金屬顯微鏡「βχ6〇Μ」 (〇lympus工業公司製），倍率5〇倍（接目鏡10倍，接物鏡5 倍）]，針對5片基板，表面及背面同時如圖3所示之方式，， 對線AB、CD、EF及GH進行掃描，同時計算細微凹洞之^ 將其結果，依照以下之評價基準示於表3中。 評價基準 ◎」·不足0.3個/面 〇」：0 · 3個/面以上，不足丨個/面 △」·· 1個/面以上，不足5個/面 X」：5個/面以上 表3 微小起伏 細微凹同 ~~¥~ 短波長(nm) 長波長(nrr〇 1 0.106 0^227^ ◎ 例 2 0.110 0.248 δ - O.lli ~~〇M7 編 J ◎ 號 A 0.108 ~ A ^ ^ r\ ' ---— H 0.230 ◎ ' .- 0.108 —------— D 0.235 ◎ ~ 6 0.110 ~~^229----'~ ◎ k 1 0.142 0.336 — X" I 2 A 1 /1 O '—~~~— J 狼 U. 14V 0.343 S' Λ Π i ςη ~7TT^-—_ 5虎 J V. I j/ 0.311 X — ^ 3之、、、σ果可知若藉由實施例之研磨液組合 較例1 ^05 2 3. doc -3相較，被研磨物表面之微小起 心试〗哎伙，甚至細微 凹 -24- 1254741 更為减少。 發明之效果 藉由本發明之研磨液組合物’可有 起伏，i r。I 仵到表面之微/J， 甚主細微凹洞等表面缺陷降低，罝有者田 滑性之碟片用基板。 -有“上充分平 【圖式簡單說明】 圖1為各實施例中使用之矽石粒 徑之圖形。 ’丁'貝、體積頻率對粒 圖2為各比較例中使用之妨 /石粒子之累藉邮 徑之圖形。 積積頻率對粒 顯微鏡掃 圖3為細微凹洞測定時，表示藉由微分干擾工、 之基板上部位之概略圖。 &式 00523.doc ' 25、

Claims (1)

1254741 拾、申請專利範圍： 1. 一種研磨液組合物，其特徵在於：其為在水系媒體中含 有夕石粒丁所構成之供έ己憶硬碟用基板使用之研磨液会且 合物，上述矽石粒子，個數基準之標準偏差（(7)與藉由透 過型電子顯微鏡（ΤΕΜ)觀察測定所得到之該矽石粒子之 個數基準之平均粒徑（r)之關係滿足下式（1): ^ 0.3 xr (1) (式中，r表示個數基準之平均粒徑（nm)，σ表示個數基 準之標準偏差（nm)); 且該矽石粒子之粒徑60-丨2〇 nm範圍之累積體積頻率 與教梭（R)之關係滿足下式（2)及（3): 0.5xR (2) V ^ 0.25xR+ 75 (3) (式中，R表不矽石粒子之粒徑（nm)，V表示矽石粒子從 ?]粒杈側算起之累積體積頻率（％))。 、申明專利範圍第1項之研磨液組合物，其中該矽石粒子 為膠體態矽石粒子。 3 戈 2申請專利範圍第丨項之研磨液組合物，其中另含有從 4 其鹽及氧化劑組成之群中選出之至少1種。 =申請專利範圍第2項之研磨液組合物，其中另含有從 5 其鹽及氧化劑組成之群中選出之至少1種。 如申請專利範圍第1項之研磨液組合物，其中pH值為 ，申π專利範圍第2項之研磨液組合物，其中pH值為 4. 1254741 為 Γ二請專利範圍第3項之研磨液組合物，其中pH值 如申請專利範圍第4項之研磨液組合 4.5 物，其中pH值 為 9.-種降低記憶硬碟用基板之微 於分杠杜m 仇之方法，其特徵在 記憶硬碟用基板之步驟。 員之研磨液組合物研磨 丨〇·-種降低記憶硬碟用基板之微小起伏之 於包括使用如申請專利範圍第2項之、……徵在 記憶硬碟用基板之步驟。 、k液組合物研磨 u•-種降低記憶硬碟用基板之微小起伏之方法，其 於包括使用如申請專利範圍第3 ’ 記憶硬碟用基板之步驟。 、之研磨液組合物研磨 12· -種降低記憶硬碟用基板之微小起 於包括使用如申請專利範圍第4 /、.徵在 記憶硬碟用基板之步驟。 、之研磨液組合物研磨 -種降低記憶硬碟用基板之微小起 於包括使用如申請專利範圍第5項之研磨:二：1: 記憶硬碟用基板之步驟。 、n β Μ磨 丨4. -種降低記憶硬碟用基板之 古入勺权7- m ^ &伙〜方法，其#徵在 =括使用如^專利範圍第6項之研磨液組合物研磨 έ己憶硬碟用基板之步驟。 i 15·種以思硬碟用基板之製造方法，其特徵在於包括使用 90523.doc 1254741 如申請專利範圍第i項之研磨液組 記憶硬碟用基板之步驟。 所HP电鍍之 16 ’種5己憶硬碟用基板之萝i生方、土 如”在於包括使用 π專利乾圍弟2項之研磨液組合 々卜立 刃研磨經NbP電鋁夕 兄^硬碟用基板之步驟。 又之 Π 一種記憶硬碟用基板之製造方法其特徵在於包括使用 如申請專利範圍第3項之磨 口物研磨經N卜P電鍍之 σ己丨思硬碟用基板之步驟。 18. 一種記憶硬碟用基板之製造方 1 符徵在於包括使用 申印專利範圍第4項之研磨液組合物研磨經Νι_ρ電鑛之 記憶硬碟用基板之步驟。 19. -種記憶硬碟用基板之製造方法，其特徵在於包括使用 如申請專利範圍第5項之研磨液組合物研磨經Νι_ρ電鑛之 記憶硬碟用基板之步驟。 20. -種記憶硬碟用基板之製造方法，其特徵在於包括使用 如申請專利範圍第6項之研磨液組合物研磨經Νι_ρ電鑛之 記憶硬碟用基板之步驟。 90523.doc