TWI252871B

TWI252871B - Laminate and process for preparing same

Info

Publication number: TWI252871B
Application number: TW091114991A
Authority: TW
Inventors: Masaru Nishinaka; Takashi Itoh; Kanji Shimoohsako; Mutsuaki Murakami
Original assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2001-07-06
Filing date: 2002-07-05
Publication date: 2006-04-11
Also published as: CN101024315A; CN1297398C; CN1464837A; US20040231141A1

Description

1252871 A7 __ B7 五、發明説明（1 ) 技術領域本發明係有關在廣泛使用於電性、電子機器等具有平滑平面之高分子膜上形成銅金屬層的積層體及其製造方法，尤其係有關最適於製造電路基板之積層體及其製造方法。進一步詳、細而言’係有關藉由半添加法所製造之高密度印刷佈線板及其製造方法。此外’本發明係有關使用以半添加法獲得之組合多層印刷佈線板用積層體，使用該積層體，應用該製法所製造之組合多層印刷佈線板及其製造方法。進一步詳細而言，係有關在形成有電路圖案之電路板（内層電路板）的金屬層上 ’依序積層絕緣樹脂層與形成有電路圖案之金屬層的多層印刷稀線板用層間黏合膜，使用該薄膜所獲得之組合多層印刷佈線板及其製造方法。背景技術在絕緣基板表面形成電路之印刷佈線板廣泛使用於安裝 %子組件及半導體元件等。隨近年來要求電子機器小型化及回功旎化’印刷佈線板迫切需要電路的高密度化及薄型化。尤其是獲得線/空間之間隔在25 # m/25 “ m以下之微細包路形成方法，是印刷佈線板領域的重要課題。 …有關製造此種高密度之印刷佈線板的方法，檢討稱之為半添加法的方法，並以如下的步驟所製造之印刷佈線板為代表。將絕緣基板表面予以粗糙化，於賦予鈀化合物等鍍觸媒時，以该鍍觸媒為核心進行無電解銅鍍，在整個高分子膜 -4- 本紙張尺度關轉準(cns) A视格(⑽公㈤ -------- 1252871 A7 _______B7 五、發明説明（2 ) 的表面形成厚度薄的金屬皮膜。 "其次，在無電解銅鍍皮膜的表面塗敷或層壓光阻膜，以光刻等方法除去預定形成電路之部分的光阻覆膜。其中將露出無電解銅鍍皮膜部分作為饋電電極，進行銅電鍍，在形成電路的部分形成第二金屬皮膜。而後，除去光阻覆膜時，蝕刻除去露出之不需要的無電解銅鍍皮膜。另外，此時銅電鍍皮膜之表面亦被少許蝕刻，以減少電路圖案的厚度及寬度。再者，依需要在所形成之電路圖案的表面進行鎳鍍、金鍍以製造印刷佈線板。由於此種半添加法係蝕刻厚度薄之無電解銅鍍皮膜（第一金屬皮膜）來製造，因此，與蝕刻厚度厚之金屬强以形成電路之稱之為減少法的方法比較，可精度良好地形成微細電路。但是，已知半添加法存在如下的問題。第一個問題係所形成之電路圖案與基板間之黏合性的問題。如前所述，基板與電路圖案之間形成無電解銅鍍層。由於無電解銅鍍層係將觸媒作為活性點自此形成，因此在本質上須視為與基板無黏合性。基板表面之凹凸大的情況下，其間之黏合雖可藉由銜接（Aneh〇r)效應良好地保持，但隨基板表面趨於平滑，自然其黏合性變差。因而，半添加法需要實施將絕緣基板表面予以粗糙化的步騾，通常係以10點平均粗度（Rz)形成約3〜5#m的凹凸。此種基板表面的凹凸於所形成之電路之線/空間值在30#瓜/30 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 1252871 A7

_以上的情況下，實用上並無問題，但是形成3〇/m/3〇⑽以下，尤其是25/zm/25/zm以下線寬的電路時，即將形成重大問題。此因此種高密度電路線寬受到基板表面之凹凸的影響。 < 因此，欲形成線/空間值在2 5 # m / 2 5私m以下的電路時，需要講求在表面平滑之絕緣基板上形成電路的技術，其平面性以Rz值換算，須在以下’更宜在〇 5#m以下。當然在此種情況下，銜接效應的黏合力差，因此須開發其黏合方法。半添加法的第二個問題在於其蝕刻步驟。由於用作電鍍饋電層之無電解銅鍍層為電路上不需要的層，因此於形成電鏡層後，須藉由蝕刻除去。但是，蝕刻除去無電解銅鍍層（第一金屬皮膜）時，電鍍層（第二金屬皮膜）亦被蝕刻，電路：案的寬度與厚度均減少，因而不易重現性良好地製造精密的電路圖#。尤其是絕緣基板表面之凹凸大時，由於凹凸的凹部殘留無電解銅鍍等金屬，因此欲予以徹底除去，需要充分的I虫刻相，以致過度姓刻形成不應被独刻之私路的金屬（第二金屬皮膜），因而造成電路圖案寬度減少及私路剖面形狀變形，甚至發生電路圖案的斷線。此外，第二個問題是，由於高分子膜的表面容易殘留鍍觸紅，谷易導致所形成之印刷佈線板的絕緣性降低，再者以取後步驟在電路上進行鎳鍍及金鍍時，由於此等殘留之鐘觸媒的作用，高分子膜的表面亦可能鍍有鎳、金，而無法形成電路。 6 - 本紙張尺錢財關家標準(CNS) 挪公爱)--- 1252871

五、發明説明（4 因：，係藉由使用蝕刻能力強之蝕刻液蝕刻屬皮艇，並同時除去高分予膜表面的鍍觸媒。、但是，使用該蝕刻能力強之蝕刻液蝕層時，仍會過度蝕列兩玫 ft 方…、兒解銅艘度蝕5“路，而發生與前述相同的問題。卜，先W熟知之多層印刷佈線板的製層壓形成有電路圖案之數片電路板(内層電路板)，：:：環氧樹脂，形成B載物台化之數片預浸層二緣、加壓成形時，藉由形成通孔，使電路板間導通的万法。但是，由於該方法係進行加熱、加壓成形’，此’不但製造費時且需要大規模的設備，以致製造成本间。此外，由於預浸層上使用介電常數較高之玻璃布 ’因此具有該預浸層之薄型化有限及絕緣性不穩定等的問題0 因此，近年來受到矚目之解決前述問題的方法為，在内層電路板之金屬層上依序積層I機絕緣層與形成有電路圖案之金屬層之組合方式之多層印刷佈線板的製造方法。如特開平7-202418號公報及特開平7_2〇2426號公報中揭不有·將附黏合劑之銅箔貼合（層壓）在内層電路板上，使黏合劑硬化的方法。此外，特開平6_1〇8〇16號公報中揭示有·於添加法中使用摻入鍍觸媒之黏合膜的方法，特開平 7-304933號公報中揭示有：於内層電路板上形成之黏合劑層上，藉由無電解鍍或電解銅鍍以形成金屬層的方法。再者，於特開平9-296156號公報中揭示有：使用在具有熱流動性之黏合膜層上，藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7

噴鍍法，形成厚度為g.G5〜板用層間黏合膜之多声印ά屬寿夕層印刷佈線但是，前述之弁ί Μ線板的製造方法。一 8號公報及二=二述的問題。亦即，特開平，由於係㈣二 ’並且在通孔内實施電鍍的情況下η: 案）之多層印刷佈線板等的問題。此外，（υ:路圖公報及特開平7-304933號公報中所揭于开_ 8〇16號有實用上強度之密合性佳的法’欲形成具表面予以粗糙化的步驟作為:ί=’需要將黏合劑層之 :難。此外’金屬層與黏合劑層之界面不平滑，又因黏人 ::含有機或無機粗輪化成分’因此存在不易滿足：及笔性等絕緣黏合層上所要求之各種物性等的問題。… 再者，特開平9-296156號公報所揭示之方法，由於係使用具有熱流動性之單層黏合膜作為絕緣層，因此存在不易將孩層厚度控制在較薄且均一的問題。亦即’前述之先前方法，因金屬層之薄膜化有限、金屬層 < 密合性有問題、及絕緣層之薄膜化及均—化有問題等 ’不易製造形成有精細圖案’尤其是以半添加法形成有電路圖案的多層印刷佈線板。發明之揭示、本發明即在改善前述問題，其目的在提供一種半添加法之印刷佈線板的製造方法，其係在表面平滑性佳之高分子 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 1252871

膜上开y成強固地黏合的微細金屬電路層。且可在將蝕刻步二導^ ^路形狀之惡化抑制在最小限度下形成此種微細的至屬私路，且藉由可以蝕刻步驟除去饋電電極層，可確保層間的絕緣特性。、生此外本發明之其他目的在提供一種可簡單且廉價地製造形成有精細圖案，尤其是以半添加法形成有電路圖案之多層：刷佈線板的方法，及藉由該方法所獲得之如組合方式的夕層印刷佈線板，與適切地使用於該多層印刷佈線板之絕緣層與金屬層之密合性佳的多層印刷伟線板用層間黏合膜。 1、=即，本發明之第一種積層體，係有關在高分子膜之至 ^個面上具有厚度在1000 nm以下之金屬層A的積層體。本發明之第二種積層體，係有關在高分子膜的一面上具有厚度在1〇〇〇11111以下之金屬層A，在另一面上具有黏合層的積層體。、=發明之第三種積層體，係有關藉由乾式電鍍法於第一或第二種積層體上形成有金屬層A的積層體。 :發明之第四種積層冑，係有關藉由離子噴鍍法於第一或第二種積層冑上形&有金屬層A之銅或銅合金的積層體。、本發明之第五種積層體，係有關第一或第二種積層體中 ’金屬層A具有與高分子膜接觸之金屬層Αι與形成於該金屬層A1上之金屬層A2的積層體。本發明《弟π種積層骨豊，係t關第五種積層體之金屬層 9 -

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A1的厚度為2〜200 nm的積層體。關第五種積層體之金屬層關第五種積層體包含藉由層A1及A2之銅或銅合金本發明之第七種積層體，係有 A2的厚度為10〜300 nm的積層體。本發明之第八種積層體，係有兩種不同之物理方式形成有金屬的積層體。本發明（第九種積層體’料關第人種積層體之與高分子膜接觸之金屬層A1係藉由離子噴鍍法所形成之銅或銅合金的積層體。 f發明第十種積層體，係有關第八種積層體之金屬層A2 係藉由噴射法所形成之銅或銅合金的積層體。本發月之第十種知層體，係有關第五種積層體之金屬層A1及A2包含兩種不同金屬的積層體。本發明之第十二種積層體，係有關第十一種積層體之金屬層A1包含鎳或其合金，金屬層八2包含銅或其合金的積層體。本發明之第十三種積層體，係有關第十一種積層體之金屬層A藉由噴射法所形成者的積層體。本發明之第十四種積層體，係有關第十一種積層體之金屬層A1與金屬層A2的界面上不存在氧化物層的積層體。本發明之第十五種積層體’係有關第一或第二種積層體 ^高分子膜表面的10點平均粗度在3 以下的積層體。本發明之第十六種積層體，係有關第一或第二種積層體之南分子膜表面的介電常數在3·5以下，介質損耗角正切在 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 五、發明説明 0.02以下的積層體。之2二第=積層體’係有關第—或第二種積層體塑性聚醯亞胺樹脂成分的積層體。本發明之罘十八種積層體，係有關第二種 _、層由包含熱可塑性聚醯亞胺樹脂之黏合劑構成的積从體。本發明之第十九種積層體，係有關第二種積〜：黏人層包含聚醯亞胺樹脂及熱硬化性樹脂的積層體。a 本發明之第二十種積層體，係有關第—或第二種積層體在金屬層A上具有保護膜的積層體。本發明之第二十一種積層體，係有關第一或第二種積層體之金屬層A的剥離強度在5N/CIn以上的積層體。本發明之第一種印刷佈線板之製造方法，係有關在高分子膜上，藉由半添加法形成以第一金屬皮膜及第二金屬皮膜形成圖案的印刷佈線板，其特徵為：使用對第一金屬皮膜之蝕刻速度為對第二金屬皮膜之蝕刻速度在1〇倍以上的蝕刻劑。本發明之第二種印刷佈線板之製造方法，係有關於第一種印刷佈線板之製造方法中，第一金屬皮膜為自包含鎳、路、鈇、銘及錫群中選出之至少一種或其合金，第二金屬皮膜係銅或其合金之印刷佈'線板的製造方法。本發明之第一種印刷佈線板之製造方法，係有關使用第一或第二種積層體以形成電路之印刷佈線板的製造方法。本發明之第二種印刷佈線板之製造方法，係有關在第一種積層體上形成貫穿孔後，進行無電解鍍之印刷佈線板的 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（9 製造方法。本發明之第三種印刷佈線板之製造方法，办上 & _ 戈係有關於申請寻利乾圍第2項之積層體的黏合層上貼合導触μ ★ β >自後，形成貫牙孔’進行無電解鍍之印刷佈線板的製造方法本發明之第四種多層印刷佈線板之製造二種積層體之黏合層與形成電路圖案之面相對，藉由同時加熱及/或加壓方法，路板積層的多層印刷佈線板的製造方法第路電方法，係有關使内層電路板的電將積層體與内層 μ本發明之第五種多層印刷佈線板之製造方法’係有關於第四種多層印刷佈線板之製造方法中，進—政 « Λ % 步包含·自積層姐之金屬層Α表面至内層電路板之電極的開孔步驟；及以無電解鍍實施面板鍍步驟之多層印刷体線板的製造法。本發明之第六種多層印刷佈線板之製造方法，係有關於第一、第三或第五種多層印刷佈線板之製造方法中，進一步於形成貫穿孔後，包含反拖尾處理步驟之多層印刷佈線板的製造方法。本發明之第七種多層印刷佈線板之製造方法，係有關第六種多層印刷佈線板之製造方法的反拖尾處理係乾式反拖尾處理的製造方法。本發明之第八種多層印刷佈線板之製造方法，係有關第五種多層印刷佈線板之製造方法中，進一步具有：以感光 f生鍍光阻形成光阻圖案之步驟；以電鍰形成電路圖案之步 ^ ’光阻圖案剝離步驟；及藉由蚀刻除去藉由光阻圖案剥 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 離而露出之無電解鍍層及金屬層A之步驟之多層印刷佈線板的製造方法。本發明之第九種多層印刷佈線板之製造方法，係有關第八種多層印刷佈線板之製造方法中的光阻圖案形成步驟，係使用乾式膜光阻實施之多層印刷佈線板的製造方法。本發明之第十種多層印刷佈線板之製造方法，係有關第四種多層印刷佈線板之製造方法係在10 kPa以下的減壓下積層積層體與内層電路板之多層印刷佈線板的製造方法。本發明之第十一種多層印刷佈線板之製造方法，係有關第五種多層印刷佈線板之製造方法中之開孔加工步驟，係藉由雷射鑽孔裝置實施之多層印刷佈線板的製造方法。本發明之第十二種多層印刷佈線板之製造方法，係有關第八種多層印刷佈線板之製造方法’係使用藉由電路形成用之電錄，除去藉由光阻圖案制離而露出之無電解鍛層虫金屬層A時，各所需時間之電鍍層之蚀刻厚度比無電解鍛及金屬層A之厚度和薄之蚀刻液之多層印刷佈線板的製造方法。圖式的簡單說明圖la〜g係說明使用本發明之積層法。曰缸又电路基板的製造方圖2a〜f係說明本發明之組合多法。層印刷線板的製造方圖3a〜d係說明本發明之組合多芦法。 3卩刷佈線板的製造方 -13 - I紙張尺度適财s _辟_)城格(^^297公董 1252871 A7 B7 五、發明説明（11 ) 實施發明之最佳形態本發明之積層體在咼分子膜之至少一面上具有厚度在 1000 nm以下的金屬層A。此外，本發明之積層體亦可在高分子膜的一面上具有藉由乾式鍍所形成的金屬層A，在另一面上具有黏合層。此種構造之積層體藉由在形成電路之内層基板上使黏合劑層相對積層，適於製造多層印刷佈線板。以下’詳細說明構成本發明之積層體之高分子膜、金屬層A及黏合層。 <高分子膜> 本發明使用之高分子膜之表面1 〇點平均粗度（以下稱 Rz) Jl在3^zm以下’更宜在以下’尤宜在以下。當然Rz值在3//m以下之高分子膜亦可有效應用於本發明，不過在半添加步驟之蝕刻步驟中，會發生饋電電極除去困難的問題。亦即，欲完全除去饋電電極，亦須除去黏合於表面凹凸之内部的饋電電極，長時間進行蝕刻時，以電鍍形成之電路圖案層亦被蝕刻而發生新的問題。因此，若電路寬及厚度小於設計值，甚至導致電路消失。表面平滑適於形成線/空間25 #m/25 //m以下的高密度電路，亦適於在蝕刻步驟中避免於樹脂表面的、凹凸内殘留蝕刻。rz定義成jIS B0601等表面形狀的相關規格，測量時可使用了18 b〇651觸針式表面粗度計及B0652的光波千擾式表面粗度計。本發明係使用光波干擾式表面粗度計ZYGO公司製的 NewView5 030系統測量高分子膜的10點平均粗度。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 12 A7 B7 五、發明説明（、问分子膜之介電常數宜為3·5以下，更宜為3·2以下，尤宜為3·0以Τ，介質損耗角正切宜為G.02以下，更宜為〇.015以下，尤苴為0·01以下。此基於傳送信號之高頻化、高速化、、傳达損_減少等的觀點。介電特性與頻率相關，本發明視廳2帶至·帶之高頻帶之介電常數及介質損耗角正切為問題。雖有各種方式的測量方法，不過從測量的穩定性及重現性的觀點而言，以空洞共振器法較佳。本發明係使用空洞共振係方式之MOA2012(KS系統公司製），並以測量頻率12.5GHz測量。高分子膜之厚度宜為5〜125#m，更宜，尤宜為10〜25 /zm。厚度若比該範圍薄，則積層體之剛性不足，處理性差，並發生層間之電性絕緣性差等的問題。另外，若膜過厚，除與印刷佈線板之薄型化趨勢背道而馳外，於控制電路之特性阻抗時，絕緣層厚度若變厚，則需要增加電路寬度’此不符印刷佈線板之小型化與高密度化的要求。本發明使用之高分子膜係使用絕緣性板、片或膜。可使用如環氧樹脂系、苯紛樹脂系、聚酸胺樹脂系、聚酿亞胺樹脂系、不飽和聚酯樹脂系、聚苯乙醚樹脂系、聚苯亞硫酸等熱硬化性樹脂。此外，亦可有效地使用聚§旨樹脂系^ 氰酸酯樹脂系、苯并環丁烯系、液晶聚合物等。此外，亦可有效地使用在樹脂上配合無機填充材料等之板，及將玻璃等無機質纖維及聚酯、聚醯胺、木棉等有機質纖維布、紙等底材以前述樹脂黏合之板、片、膜等。此等原料中，從耐熱性、耐藥物性、柔軟性、η斗盒

1252871 A7 B7 五、發明説明（13 ) 私丨生加工性、及彳貝格等觀點而言，宜使用聚醯亞胺樹脂系及環氧樹脂系或混合此等者，m用聚驢亞胺膜。該高分子膜之内部亦可具有導體電路及通孔等。此外，為求提高與金屬層A之剥離強度，亦可在高分子膜的表面實施粗糙化處理、電暈放電處理、電漿處理、火焰處理、加熱處理、底漿處理、離子轟擊處理等熟知的各種表面處理。通常，在此等處理中，由於高分子膜與空氣等接觸而變質的表面鈍化，處理效果大幅降低，因此宜在真空中進行此等處理，並宜直接於真空中連續設置金屬層A。此外，構成尚分子膜之樹脂上添加熟知之黏合性賦予劑或進行表面處理亦有效。以下’特別詳細說明使用聚醯亞胺作為高分子膜。聚醯亞胺膜並無特別限定，可使用藉由熟知之各種方法所製造的聚醯亞胺膜。如聚醯亞胺膜自聚醯胺酸聚合物溶液’形成具有自我支撐性程度之部分亞胺化或部分乾燥之聚醯胺酸膜（以下稱凝膠膜）後，將該凝膠膜予以加熱，藉由完全亞胺化可獲得聚醯胺酸。前述聚醯胺酸聚合物溶液係使用實質上等摩爾之包含至少一種四幾酸2酐的四幾酸2 酐成分、與包含至少一種聯氨的聯氨成分，並在有機極性溶媒中聚合而成。所獲得之聚醯亞胺膜不具熱流動性。獲得聚醯亞胺膜製造用之聚醯胺酸聚合物的適切四竣酸 2酐，具體而言，如均苯四甲酸2酐、3,3，，4,4，-二苯甲酮四羧酸2酐、3,3’，4,4、二苯颯四羧酸2酐、l，4,5,8-莕四羧酸2 纤、2,3,6,7-莕四幾酸2酐、4,4’-#呈基聯苯二甲酸酐、3,3，，4,4，- -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871

AT

、3,3’，4,4’-四苯基矽烷四羧酸四羧酸2

二甲基二苯矽烷四羧酸2酐、肝、2,3,4,5-啥喃四幾酸2奸、4 丙燒2肝、4,4，-六氟異而7撇，又仔永醯亞胺膜製造用之聚醯胺，酸聚合物時，適切之聯氨，具體而言，如4,4，·二氨基二苯基醚、3,4，_二氨基二苯基醚2,2-雙（4-氨基苯氧基苯基）丙燒、ι，4-雙（4·氨基苯氧基）冬、1，3-雙（4-氨基苯氧基）苯、I%雙（3_氨基苯氧基）苯又{4-(4-氨基苯氧基）苯基丨磺、雙{4_(3_氨基苯氧基）苯基 }%、4,4^雙（4-氨基苯氧基）聯苯、2,2-雙{4-(4-氨基苯氧基）苯基}六氟丙烷、4,4，·二氨基二苯颯、3,3，_二氨基二苯砜、9,9-雙（4-氨基苯）芴、雙鄰氨基苯酮、4,4，_{1，心苯撐雙（1_ 甲基乙叉）}雙苯胺、454，-{1，3_苯撐雙（1-甲基乙叉）}雙苯胺、m-對本二胺、P-對本二胺、4,4!·二胺苯甲醯胺苯、3,3f-甲基-4,4’-二胺聯苯、3,3，-二甲氧基_4,4’-二胺聯苯、3,3’-二甲基聯苯胺、3,3f-二羥聯苯胺等芳香族聯氨，或脂肪族聯氨等’不過並無特別限定。此等聯氨亦可僅使用一種或亦可併用兩種以上。前述列舉之聯氨中，更宜以任意比率併用p-對本二胺、4,4、二胺苯甲醯胺苯、4,4，-二氨基二苯本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 五發明説明（ A7

…m此寺聯氨作為聯氨成分。併用兩種以上四羧酸2奸時乏^ 成刀町呼 < 具體組成及其配合比、兩種以上聯氨時之具體組成及兑 ^ 户丄\ 风及其配合比、與四羧酸2酐盥聯氨成分的具體組成並無特別限金、β ， /'邮 τ Ν卩良疋。亦即，前述列舉的一種範例，亦可因應所需之取而又水醯亞胺膜的特性等適切選擇此等組成及配合比。選醯胺酸聚合物，適切之有亞石風、一乙基亞ί風、等亞 Ν,Ν - 一乙基甲酿胺、等甲、Ν，Ν-二乙替乙醯胺等乙、Ν-乙婦基-2-ρ比嘻燒酮等、m-甲酚、ρ_甲酚、二甲酉分系溶媒；六甲基磷醯亞此等有機極性溶媒亦可單以上使用。再者，在不影二甲苯等芳香族碳化氫與欲獲得聚醯亞胺膜製造用之聚機極性溶媒，具體而言，如二甲砜系溶媒；Ν，Ν-二甲基甲醯胺、醯胺系溶媒；Ν，Ν-二甲替乙醯胺酿胺系溶媒；Ν -甲基-2 - ρ比ρ各境酮吡咯烷酮系溶媒；苯酚、〇_甲酚苯齡、自化苯酴、鄰苯二酚等苯胺、r -丁内酯、二氧雜戊環等。獨使用，此外亦可適切混合兩種響聚合的範圍内，亦可將甲苯、有機極性溶媒混合使用。將四裊酸2酐成分及聯氨成分添加於有機極性溶媒時之添加方法(順序)及聚合方法並無特別限定，可採用熟知的各種方法。如亦可藉由在溶解聯氨成分之有機極性溶媒内逐漸添加四羧酸2酐成分使其聚合，以獲得聚醯胺酸聚合物溶液，亦可藉由同時將四羧酸2酐成分及聯氨成分添加於有機極性溶媒内使其聚合，以獲得聚醯胺酸聚合物溶液，亦可將四羧酸2酐成分及聯氨成分交互添加於有機極性溶媒 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇χ297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（16 ) 内使其聚合，以獲得聚醯胺酸聚合物溶液。聚合條件並無特別限定。此外，併用兩種以上四羧酸2酐及/或聯氨時，亦即使三種以上的單體共聚的情況下，藉由適切變更各單體的添加順序，可控制所獲得之聚醯胺酸聚合物的分子構造（單體的排列順序）。使三種以上單體共聚時之聚合法，如無規則共聚、嵌段聚合、局部嵌段聚合、時序聚合等。此外，獲得聚醯胺酸聚合物溶液時，亦可在聚合前、聚合中、聚合後的任意階段，亦即，在進行凝膠膜之形成步驟前的任意時間，進行除去溶液中之雜質及高分子量物等的過濾等操作。再者，為求縮短聚合步驟所需時間，亦可將聚合步驟區分成：聚合度低亦即獲得預聚體之第一聚合步驟；及獲得聚合度更高之高分子量之聚醯胺酸聚合物之第二聚合步騾。尤其是欲使聚合效率及過濾效率提高時，更宜於藉由第一聚合步驟獲得預聚體之階段，於進行過濾等操作後，進行第二聚合步騾。此外，在進行凝膠膜之形成步驟前的任意時間，亦可藉由在聚S&胺酸聚合物溶液内添加各種有機添加劑、無機填充類、或各種強化材料，來製造經複合化之聚醯亞胺膜。聚醯胺酸聚合物佔溶液的比率（濃度）並無特別限定，不過就處理面而言，宜在5〜40重量％的範圍内，尤宜在10〜3 0 重量％的範圍内。聚醯胺酸聚合物之平均分子量宜在10000〜1000000的範圍内。平均分子量未達10000時，所獲得之聚醯亞胺膜可能脆弱。另外，平均分子量超過1，000000時，聚酸胺酸聚合 19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871 A7 _____ _ B7 五、發明説明（17 ) 物溶液的黏度過高，可能處理困難。自㈤述方法所獲得之聚醯胺酸聚合物溶液形成凝膠膜的方法’及自凝膠膜製造聚醯亞胺膜的方法並無特別限定。口此可藉由熟知之各種方法來製造聚醯亞胺膜。具體而口’如將聚醯胺酸聚合物溶液流塑、塗敷於玻璃板及不銹鋼帶等支撐體上，形成凝膠膜後，藉由將該凝膠膜予以加熱可獲得聚醯亞胺膜。將前述凝膠膜予以加熱時，可自支揮體剥離凝膠膜後，使用針及夾等固定其端部。亞胺化聚醯胺酸聚合物之方法，如所謂之化學固化法及熱固化法等，不過考慮聚醯亞胺膜之生產性及聚醯亞胺膜上所需之物性等，宜使用化學固化法或併用化學固化法及熱固化法。採用化學固化法的情況下，於進行凝膠膜之形成步驟前的任意時間’在聚醯胺酸聚合物溶液内添加促進亞胺化反應之脫水劑及觸媒與混合有機極性溶媒等之溶媒的硬化劑（以下稱化學固化劑），並予以混合、攪拌。為使凝膠膜處於半乾燥階段，宜含有機極性溶媒等溶媒。凝膠膜之揮發成分含量（溶媒含量）由以下公式（丨）算出：揮發成分含量（重量％) = {(A — B)/B} X 1〇〇 (1) (公式（1)中的A表示凝膠膜的重量，b表示將凝膠膜在450 °C下加熱20分鐘後的重量。）揮發成分含量宜在5〜300重量％的範圍内，更宜在5〜1〇〇重量％的範圍内，尤宜在5〜50重量％的範圍内。此外，凝膠膜處於自聚醯胺酸聚合物向聚醯亞胺進行亞胺化反應中的階段，顯示其反應進行程度的亞胺化率係依 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（18 ) 據使用紅外線吸光分析法的測量結果，自下列公式（2)算出：亞胺化率（％)= {(C/D)/(E/F)} X 100 (2) (公式（2)中的C表示凝膠膜之1370 cnT1的吸收峰值高度，D表示凝膠膜之1500 cm·1的吸收峰值高度，E表示聚醯亞胺膜之1 370 cm·1的吸收峰值高度，F表示聚醯亞胺膜之1 500 cm_1的吸收峰值高度。）亞胺化率宜在50%以上，更宜在70%以上，尤宜在80%以上，最好宜在85%以上。採用前述方法可將聚醯亞胺膜的厚度控制在較薄且均一。前述方法所獲得之聚醯亞胺膜依需要亦可實施熟知之表面處理及後處理等各種處理。具體而言，該處理如壓紋處理、噴砂處理、電暈放電處理、電漿放電處理、電子線照射處理、UV處理、加熱處理、火焰處理、溶劑洗淨處理、底層處理、化學蝕刻處理等。此等處理依需要亦可組合數種實施。此外，亦可對凝膠膜組合一種或數種實施前述處理後，自該凝膠膜製造聚醯亞胺膜。尤其是，為求進一步提高聚醯亞胺膜與金屬層及黏合層的黏合性，宜將凝膠膜浸潰在包含自鋁、矽、鈦、錳、鐵、鉛、銅、鋅、錫、銘、J必、免組成群選出之至少一種元素（以下稱元素群）的化合物溶液内，或是，在凝膠膜上塗敷該溶液後，使該凝膠膜完全乾燥且實施將聚醯胺酸聚合物予以亞胺化處理。前述元素群中，矽及鈦較為適宜。包含前述元素群之化合物，如無機化合物及有機化合物。無機化合物如氯化物及溴化物等之自化物、氧化物、 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871 A7 ___B7 五、發明説明（19 ) 氳氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、亞硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽、矽酸鹽、硼酸鹽、縮合磷酸鹽等。有機化合物如烷氧基金屬、醯化物、螯合物、聯氨、聯膦等中性分子；具有乙醯丙酮配位基離子、羧酸離子、二硫氨基甲酸離子等離子性分子；卟啉等環狀配位基；金屬錯鹽等。前述列舉之化合物中，以烷氧基金屬、醯化物、螯合物、金屬錯鹽較適宜，更宜為含矽及鈦的此等化合物。含矽之化合物（矽化合物）具體而言，如氨乙基）_7一氨丙基二甲氧基矽烷、N- /5 (氨乙基）_ 7 _氨丙基甲氧基矽烷、N-苯基'7-氨丙基三甲氧基矽烷、氨丙基三乙氧基矽 k等氨基石夕fe系化合物；/3 -(3，4·環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、7_環氧丙氧基丙基曱氧基矽烷等環氧矽烷系化合物等，不過並無特別限定。含鈥化合物（鈥化合物）宜為以下列公式（j): (Rl〇)m - Ti -（0X)4- m (I) (公式中之m表示0以上，4以下的整數，R1單獨表示氫原子或碳數為3〜18的碳氫殘基，X單獨表示或表示碳數為3〜18之羧酸或含其氨鹽的殘基，R2表示碳數為3〜18之碳化氫殘基，R3表示碳數為3〜18之碳化氫殘基 ’ R表示碳數為3〜1 8之碳化氫殘基，R5、R6單獨表示碳數為3〜18之碳化氫殘基，R7表示碳數為3〜18之碳化氫殘基， -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（20 或表示 R8表示碳數為2〜1 8之碳化氫殘基）所表示的化合物，不過並無特別限定。公式⑴所表示之化合物’具體而言’如3 -η- 丁氧基鈇單硬脂酸酯、二異丙氧基1/2欽（二乙醇胺g旨）、雙欽酸丁酿體、4_η•欽酸丁酿、 4(2-甲基己基）鈥酸鹽、辛婦鈦乙二醇酸酯、二羥基雙（乳酸銨）鈦、二羥基雙乳酸鈦酯等。前述列舉之化合物中，以3_[ 丁氧基鈦單硬脂酸酯、二羥基雙乳酸鈦酯尤為適宜。調製前述化合物之溶液的適切溶媒，具體而言，如水、甲苯、二甲苯、四氫呋喃、異丙醇、丁醇、乙酸乙酯、Ν，Ν_ 二甲基甲醯胺、乙醯丙酮等，不過並無特別限定，只要為可溶解前述化合物之溶媒即可。此等溶媒亦可僅使用一種 ’亦可適切混合兩種以上。使用前述列舉之溶媒中，以水、異丙醇、丁醇、Ν，Ν-二甲基甲醯胺尤為適宜，前述化合物之溶液内亦可進一步添加化學固化劑。溶液中之前述元素群的濃度宜在！〜；!〇〇〇()() ppnU々範圍内，更宜在10〜50000 ppm的範圍内，因此，溶液中之含前述兀素群之化合物的濃度亦依該化合物的種類（分子量）而定，不過大致上宜為〇·〇〇1〜100重量％，更宜為〇〇1〜1〇重量％，尤宜為0.1〜5重量％。 -23-

1252871 A7 B7 五、發明説明（21 ) 藉由將凝膠膜浸潰於前述化合物溶液内，或是在凝膠膜上塗敷琢落液後，除去附著於該凝膠膜表面的多餘液滴，可進一步提高黏合性，且可獲得表面無斑點，外觀佳的聚醯亞胺膜。液滴之除去Μ，如使用展平輕及氣刀、刮刀等的熟知方法。其中，從液態切割性及作業性，或所獲得之聚醯亞胺膜的外觀等觀點，以使用展平輥的方法為宜。本發明之聚醯亞胺膜的厚度並無特別限定，宜在5〜i25# m的範圍内’尤其是作為多層印刷佈線板用圖時，宜在 10〜75/zm的範圍内，尤宜在…〜“^^的範圍内。此外，聚醯亞胺膜之伸張彈性率宜在4 Gpa以上，更宜在6 ，尤宜在10 GPa以上。聚酿亞胺膜之線膨脹係數宜在 =下，更宜在12_以下，尤宜在…，以下。聚醯亞胺月吴必吸水率罝在2%以下，更宜在丨5%以下，尤宜在ι%以下。 <金屬層A > 而後說明本發明的金屬層A。金屬層A係形成於高分子膜之至少-個表面上’藉由面板鍍步驟形成有無電解鍍的情況下，具有與無電解鍍層強固地黏合的功能。此時，言八子膜與金屬層A當然需要強固地黏合。门刀，形成金屬層A之方法宜採乾式鏡法。採用乾式錄法形成金屬層A ’不需要在高分子膜上供給鍍觸媒，高分子膜上不殘留鍍觸媒，因此較為適宜。即使進行無電解艘時，由於在金屬層A上存在無電解鍍觸媒，在爾後的驟中，觸媒與金屬層A同時被沖洗，因此與二，材料上直接供給無電解鍍觸媒， ^ a 树脂、仃兴電解鍍時比較， 24- “張尺度適财_家標準(CNS) Μ規格(21〇 X 297公釐） 1252871 A7 ____B7_____ 五、發明説明（22 ) 可獲得優異的電絕緣性。此外，採用濕式無電解鍍時，欲提南密合性，不需要進行表面粗糙化處理（反拖尾處理），金屬皮膜與絕緣基板的界面平滑，有助於狹窄間隔的電路形成及發揮良好電性特性。以乾式鍍法形成金屬層A的形成方法’可應用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子噴鍍法、及CVD 法等。其中’欲獲得良好的黏合性，宜為以物理性蒸鍍法形成的金屬層。此處所謂之物理性蒸鍍法，係指真空蒸鍍法之如電阻加熱蒸鍍、EB蒸鍍、叢集離子束蒸鍍、離子喷鍍蒸鐘等’此外’濺鍍法之如RF濺鍍、DC濺鍍、磁控管濺鍍、離子束丨賤鍍等’此外，亦包含組合此等的方法，上述各法均可適用於本發明。再者’其中從南分子膜與金屬層A之密合強度的觀點，設備簡便性、生產性及成本等觀點，宜採用濺鍍法，其中尤罝私用DC濺鍍法。此外，離子噴鍍蒸鍍的製膜速度快，具有工業性優點，且具有良好的密合性，因此適宜使用。以下就使用錢鍍法特別詳細說明。濺鍍法可應用熟知的方法。亦即，係指Dc磁控管濺鍍及RF濺鍍或將此等方法加以各種改善者，不過可因應各種要求適切應用。如為求有效濺鍍鎳及銅等導體，宜採、用Dc磁控管濺鍍。另外，為求防止薄膜中之濺鍍氣體混入，以高真空濺鍍的情況下，可應用RF賤鏡。以下，就DC磁控管濺鍍詳細說明，首先，將高分子膜作為基板設置於真空處理室内，並將其抽成真空。其係以一 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) M規格(21QX297公爱) 1252871 A7 B7 五、發明説明名又万疋轉录抽成大致真空，再組合擴散泵或低溫泵或渦輪泵 ’抽成通常在6xi〇-4Pa以下的真空。繼續導入濺鍍氣體，在處理室内形成0·1〜10 Pa的壓力，更宜為形成0.1〜1 Pa的壓力’在金屬標的上施加DC電壓，引起電漿放電。此時，藉由在標的上形成磁場，將生成之電漿封閉在磁場内，以才疋回電漿粒子濺鍍至標的的效率。在高分子膜上除去金屬標的的表面氧化層，以避免電漿及濺鍍的影響，並在電漿生成的狀態下保持數分鐘至數小時（稱之為預濺鍍）。預濺鍍結=後’打開快門等’在高分子膜上進行㈣。賤鏡時 =放電能宜在1〇〇〜1〇〇〇瓦特的範圍内。此外，依濺鍍之樣口口形狀，而應用批次方式濺鍍及滾動濺鍍。導入濺鍍氣體通常係使用氬等惰性氣體，不過亦可使用含少量氧的混合氣體及其他氣體。至屬層A上使用之金屬種類，宜為在高分子膜及爾後之配線，製造步㉟中與形成於金屬層A上之電路圖案的密合強度高’ JL在本發明之印刷佈線板之製造方法中的蚀刻步驟中，可徹底除去的金屬種類。如可使二鎳路合金m、錫、銦及”金屬二二J 至，亦可以此等之單層或兩層以上構成金屬層A。本發明之金屬層八的一種實施形態之構成金屬層A的金屬材枓可應用銅，不過可使用自包含錄、m献及矽之群選出之至少—種金屬與銅。#即，金屬層八⑴亦可由銅構成，⑼亦可由包含自前述群選出之至少—種與銅的合金（複合體）構成，（iii)亦可形成由自前述群選出之 -26-

1252871 A7 B7 五、發明説明（24 ) 至少一種金屬構成之層與由銅構成之層的兩層構造。金屬層A之厚度可依需要設定，宜在1〇〇〇iim以下，更宜在2〜1000 nm，尤宜在2〜500 nm的範圍内。金屬層A之厚度設定成未達2 nm時，可能無法獲得穩定之剝離強度。將金屬層之厚度設定在比1000 nm更厚時，與先前技藝之附黏合劑之銅羯同樣地，不適於製造形成有精細圖案的多層印刷佈線板。尤其是’製造以半添加法形成有電路圖案之多層印刷佈線板的情況下，最宜將金屬層之厚度設定在1〇〇〇 nm 以下。本發明之金屬層A之其他實施形態，係將金屬層a形成包含兩種金屬層的兩層構造，並分別將其厚度控制在適切厚度。此時將直接形成於高分子膜上之金屬層，稱之為金屬層A1，將其上所形成之金屬層，稱之為金屬層A2。藉由以兩種金屬層構成，可提高蝕刻特性、與高分子膜之黏合性、與無電解鍍皮膜及電鍍皮膜的剝離強度等。亦即，在直接形成於高分子膜上之金屬層八丨上，選擇良好保持與高分子膜之密合性的金屬。另外，其上所形成之金屬層A2上，可選擇可與直接形成於A2上之電鍍層或藉由面板鏡步騾所开J成之無電解鍍層強固黏合的金屬。金屬層A1上使用之金屬宜為銅、鎳、鉻、錫、鈦、鋁等 ’尤S為鎳。該金屬層A1之厚度宜在2〜2〇〇 nm，更宜在 3〜100 nm’尤宜在3〜3 0 nm的範圍内。未達2 nm之厚度無法獲得足夠之黏合強度，因此不適宜。且不易在高分子上均一地形成膜。另外，厚度若超過2〇〇 nm，於製造印刷佈線 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) χ撕公董) 1252871 A7 B7 25 五、發明説明板時’在姓刻步驟中需要進行過度蝕刻，致使電路厚度較電路設計值為薄、電路寬度較設計值狹窄，發生切割不足等’且電路形狀惡化等，因此不適宜。此外，在與金屬層 A2之間，發生因模中之應力及溫度造成尺寸變化不同致使膜剝離或捲曲等問題。此外，金屬層A2上使用之金屬須依印刷佈線板之製造步驟中直接开> 成於A2之電鍍或無電解鏡的種類來決定，不過浚後:L1考慮揉電解鏡宜為無電解銅錢、無電解錄鐘，尤宜為無電解銅鍍時，金屬層八2上使用之金屬宜為銅、錄，尤宜為銅。金屬層八2含藉由印刷佈線板製造上使用之益電解鍍所=成的金屬層主成分，係在促進黏合強度。該金屬層A2义取佳厚度宜4l〇〜3〇〇nm，更宜為2o〜2⑻nm，尤宜為5〇 >150 nm。未達1〇 _時，不易保持與下一步驟中所形成之無電解鍍層的足夠黏合性。另外，不但不需要形成2〇〇 _上的厚度，且考慮爾後的姓刻步驟，而宜在2 下0 合併金屬層A1與金屬層八2之金屬層八的厚度宜為2〇〜彻二更Γ為50〜200 nm。此外，從提高剝離強度的觀點，；高Γ膜之金屬層A1宜小於A2。形成該範圍的錢制半添加法時㈣㈣性與藉由成之金屬層的剝離強度。亦即，金屬層過涛時’以供電解鍵及電鍍形成之金屬層的劍離形成圖案剝離的原因。另彳，金屬層過厚:斗，中需要進行過度蝕刻，在空間部分蝕刻一：、亥'’驟守’ 路亦被過度 -28-

1252871 A7 __ B7 五、發明説明（26'^ - 蚀刻，造成電路厚度較電路設計值薄，電路寬度較設計值狹亨’發生切割不足等，或是本來須為長方形之電路剖面的㈣被破壞等，對設計之電路寬度無法獲得足夠的剖面積等，致使電路形狀惡化，因此不適宜。電路形狀之惡化 ’進-步使電路傳導性低於設計值，形成電路錯誤工作的原因。如在高分子膜上使用聚醯亞胺，在無電解鍍上使用無電解銅鍍時，使用金屬層A1之厚度為1〇〜1〇〇 nm之鎳、鉻、鈦等金屬或以此等為主成分的合金，使用金屬層a2之厚度為20〜200 nm之銅或銅合金，形成兩層合併之金屬層總厚^ 為30〜200 nm的情況下，均可形成在6 N/cm以上的強固^ 膜。積層形成兩種以上之金屬成時，亦在各個膜表面形成氧化層時，各金屬間之密合性降低，因此宜在真空中連續進行乾式鍍。此時之乾式鍍宜採蒸鍍、濺鍍，其中更宜採錢鍍，尤宜採DC濺鍍。本發明之金屬層A的另外實施形態，其金屬層a係包含藉由離子喷鍍法所形成之銅或銅合金之層。藉由該方法，於高分子膜及爾後之配線板的製造步驟中，亦可使與形成在金屬層A上之電路圖案的密合強度提高。發現藉由離子噴鍍法所製造之銅薄膜與基板之黏合性佳，即使對表面平滑性佳之高分子膜仍可實現強固的黏合性。另外，此處所謂之銅合金，係指以銅為主要成分並添加其他金屬的合金’所添加之金屬如鎳、路、鈇等金屬。 -29-

裝· 訂

^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐） 1252871

尤其是可知，即使對先前之不易進行濺鍍法取 ^氷驗亞胺，仍可形成6N/cm以上的強固銅薄膜。本發明之金屬層A的另外實施形態，其金屬層八具有包今以兩種以上不同物理方式所形成之銅或銅合金層^兩=二造。此處之銅合金係指以銅為主成分的合金，二印 ^ W添加之金屬如鎳、鉻、鈦等。如前所述，藉由離子噴鍍法所製造之銅薄膜與基板之黏合性佳，即使對表面平滑性佳之高分子膜仍可實現強=的黏合性。但是，僅以離子噴鍍法所製造之銅及銅合金的薄膜層，不耐化學性處理製程，欲在離子噴鍍膜上使用無電解二之製程而形成銅薄膜時，會自高分子膜剥離。因此，本發明人嘗試在以離子噴鍍法形成之銅薄膜（金屬層A1)上進一步以濺鍍法形成銅薄膜。濺鍍法並無特別限定，可有效利用DC磁控管濺鍍、高頻磁控管濺鍍、離子束濺鍍等方法。以離子噴鍍法形成之銅薄膜在與高分子膜間實現強固黏合，而該黏合性即使以濺鍍法在其上形成銅膜仍不改變。再者，由於濺鍍膜耐化學性製程，因此可輕易地在其上以供電解鍍法形成鍍膜。亦即，濺鍍膜於無電解鍍製程中發揮保護離子噴鍍膜之功能及與無電解鍍層之接合的功能。 <黏合層> 黏合層的種類並無特別限定，可使用可應用於黏合劑的熟知樹脂。大致而言可區分成（A)使用熱可塑性樹脂的熱熔 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

裝町

線 1252871 A7 B7 五、發明説明（28 著黏口月〗及（B)利用熱硬化樹脂之硬化反應的硬化型黏合劑。就此等說明如下： ()在黏„ 上賦予熱溶著性之熱可塑性樹脂，如聚酿亞胺樹脂、聚酿胺亞胺樹脂、聚乙婦基亞胺樹脂、聚酿胺樹月《水g日树知、聚故酸醋樹脂、聚酬系樹脂、聚规系樹脂、聚苯乙酸樹脂、聚埽樹脂、聚苯硫樹脂、氟樹脂、聚丙婦酸樹脂、液晶聚合物樹脂等。此等一種或適切組合兩種乂上可用作本發明積層體的黏合層。其中從優異耐熱性及電性可靠性等的觀點，宜使用熱可塑性聚酿亞胺樹脂。以下’說明熱可塑性聚醯亞胺樹脂妁製造方法。聚醯亞胺樹脂可自其前軀體之聚醯胺酸聚合物溶液中獲得，而該聚醯胺酸聚合物溶液溶液可以前述熟知的方法製造。亦即 ’實質等摩爾使用四羧酸2Sf成分及聯氨成分，並在有機極性溶媒中聚合獲得。該熱可塑性聚醯亞胺樹脂上使用之酸2肝，只要為酸冰即可，並無特別限定。酸2奸成分宜為如丁烷四羧酸2奸、 1/，3,4-環丁烷四羧酸2酐、丨，3_二甲基環丁烷四羧酸、1，2,3,4-環戊燒四|酸2奸、2,3,5_三幾基環戊基醋酸2 酐、/，5,6-三幾基二環庚燒_2_醋酸2肝、2,3,4,5_四氫咬喃四竣酸2奸、5-(2, 5-二氧代四氫咬喃）.3_甲基_3_環己缔.a 二竣酸2肝、二環[2,2,2]_。仙_7___2,3,5,6•四幾酸2奸等脂肪族或脂環式四羧酸2酐；均苯四甲酸2奸、3,3，，4,4，_二苯甲酮四羧酸2酐、3,3，，4,4，-二苯颯四羧酸2酐、’1，4’，5’，8_^四羧酸2奸、2,3,6,7-萘四幾酸2酐、4,4匕幾基聯苯二甲酸酐、

1252871 A7 B7 五、發明説明（29 ) " 3,3’，4,4’-二甲基二苯矽烷四羧酸2酐、3,3，，4,4，-四苯基矽烷四羧酸2酐、i，2,3,扣呋喃四羧酸2酐、4,4，-雙（3,4-二羧酸苯氧）二苯基丙烷2酐、4,4，-六氟異丙又聯苯二甲酸酐、聯苯四羧酸2酐、2,3,3，，4，_聯苯四羧酸2酐、雙（苯二酸）苯膦氧化物2酐、p_苯撐_雙（三苯間苯二甲酸）2酐、苯撐·雙（三苯間苯二甲酸）2酐、雙（三苯間苯二甲酸）_4,4,_ 二苯醚2酐、雙（三苯間苯二甲酸）_4,4，_二苯基甲烷2酐等芳香族四羧酸2酐；2,2-雙（4_羥基苯基）丙烷二苯甲酸酉旨 -3,3’，4,4’-四羧酸2酐、尸苯撐雙（偏苯三酸單酯酐）、七4，-苯撐雙（偏苯三酸單酯酐）、M•莕雙（偏苯三酸單酯酐）、^ 乙烯雙（偏苯三酸單酯酐）、13-環丙烷雙（偏苯三酸單酯酐）、1，4-環丁烷雙（偏苯三酸單酯酐）、匕^亞戊基雙（偏苯二酸單酯酐）、1，6-亞己基雙（偏苯三酸單酯酐）、4,4，-(4,4，一異丙叉二苯氧基）雙（鄰苯二甲酸酐）等，可使用此等之一’種或組合兩種以上作為酸2酐成分的一部分或全部。為求發現優異的熱熔著性，宜使用2,2_雙（4_羥基苯基）丙烷二苯甲酸酯_3,3’，4,4’-四羧酸2酐、1，2-乙婦雙（偏苯三酸單酯酐）、4,4，-六氟異丙叉聯苯二甲酸酐、2,3,3，，4，_聯苯四羧酸2酐、4,4’-羥基聯苯二甲酸酐、3,3，，4,4，_二苯甲酮四羧酸2酐、4,4’·（4,4’-異丙叉二苯氧基）雙（鄰苯二甲酸酐）。此外’聯氨成分如4,4，_二氨基二苯基醚、3,4，_二氨基二苯基醚、2,2-雙[4-(4-氨基苯氧基）苯基]丙烷、2,2_雙[3-(3- 氨基苯氧基）苯基]丙烷、丨，雙（4-氨基苯氧基）苯、L3 — 雙（4-氨基苯氧基）苯、丨，3_雙（3-氨基苯氧基）苯、雙（4_(4_ -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) " -- 1252871 A7 _____ Β7 五、發明説明（30 ) 氨基苯氧基）苯基）磺、雙（4_(3_氨基苯氧基）苯基）磺、4,4，_ 雙（4-氨基苯氧基）聯苯、2,2-雙（4-氨基苯氧基苯基）六氟丙烷、4,4’-二氨基二苯砜、3,3l二氨基二苯砜、9,9,雙（4_氨基苯）苗、雙鄰氨基苯酮、4,4f-(l，4-苯撐雙（1-甲基乙又））雙苯胺、4,4·-(1，3-苯撐雙（1-甲基乙叉））雙苯胺、3,3，_二甲基聯苯胺、3,3’-二羥基聯苯胺等，此等聯氨可單獨使用或組合兩種以上使用。本發明之積層體上使用之熱可塑性聚醯亞胺樹脂原料，宜單獨或以任意比率混合使用丨，3_雙（3_氨基苯氧基）苯、 3,3’-二羥基聯苯胺、雙（4_(3_氨基苯氧基）苯基）磺。獲得聚酸胺酸聚合物溶液之反應的主要程序為如，使一種以上之聯氨成分溶解或擴散於有機極性溶劑内，添加其中一種以上的酸2酐成分，以獲得聚醯胺酸溶液的方法。各單體之添加順序並無特別限定，亦可先將酸2酐成分添加於有機極性溶媒内後，再添加聯氨成分，以構成聚醯胺酸聚合物溶液，亦可先在有機極性溶媒中適量添加聯氨成分，而後添加過剩的酸2酐成分，添加相當於過剩量之聯氨成分，以構成聚醯胺酸聚合物溶液。除此之外，亦有該業者所熟知的各種添加方法。另外，此處所謂之「溶解」，除溶媒完全落解落質之外，亦包含與使溶質在溶媒中均一地分散或擴散而實質上溶解的相同狀態。刀聚醯胺酸溶液生成反應上使用的有機極性溶媒，如二甲亞颯、二乙基亞颯、等亞砜系溶媒；ν，ν-二甲基甲醯胺、 Ν，Ν-二乙基甲醯胺、等甲醯胺系溶媒；Ν，Ν二甲替乙醯胺 -33 -

1252871 A7 广—_____ B7 五、發明説明（31 ) 、N，N-二乙替乙醯胺等乙醯胺系溶媒；N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙晞基-2-峨咯烷酮等吡咯烷酮系溶媒；苯酚、〇_、m-或P-甲齡、二甲苯酚、_化苯酚、鄰苯二酚等苯酚系溶媒 ’或是六甲基磷酸三胺r- 丁内酯等。依需要亦可組合此等有機極性溶媒與二甲苯、甲苯等芳香族碳化氫使用。而後’說明將聚醯胺酸予以亞胺化的方法。聚醯胺酸之亞胺化反應係聚醯胺酸的脫水閉環反應，藉由反應生成水。該生成水便於將聚醯胺酸加水分解以引起分子量降低。除去茲水並予以亞胺化之方法，通常有：”藉由添加甲苯、二甲苯等共沸溶媒予以共沸除去的方法；2)添加乙酸酐等脂肪族酸2之無水物和三乙基胺、吡啶、三甲基吡啶、異峻琳等之三級胺的化學性亞胺化法；3)在減壓下加熱丁以亞胺化的方法。本發明 < 熱可塑性聚醯亞胺樹脂之亞胺化的方法，宜採在減壓下加熱予以亞胺化的方法。藉由採用該亞胺化的方法，由於可藉由亞胺化有效地將生成水排除系統外，因此可抑制聚醯胺酸的加水分解，可獲得高分子量的聚醯亞月文。此外，採用該方法，由於原料之酸2酐中存在雜質的一側或兩側開環物再度閉環，因此可發揮進一步提高分子量的效果。減壓下加熱予以亞胺化之方法的加熱條件宜在8〇〜4〇〇。〇不過為求有效進行亞胺化且有效除去水分，更宜在1 t以 ^ ”尤且在120°C以上。最高溫度宜在標的之聚醯亞胺的熱刀解溫度以下，通常使用亞胺化的完成溫度，亦即約 -34- 1252871 A7 ___B7 五、發明説明（32 ) 250〜3501。減壓之壓力條件宜較小，具體而言係在_心以下，並宜在800 hPa以下，更宜在7〇〇 hpa以下。此外，獲得熱可塑性聚醯亞胺樹脂的其他方法還包括，於前期之熱性或化學性脫水閉環方法中，進行溶媒蒸發的方法。具體而言，係將藉由進行熱性亞胺化處理或藉由脫水劑之化學性亞胺化處理所獲得之聚醯亞胺樹脂溶液放入貧溶媒中，使聚醯亞胺樹脂析出，除去未反應之單體，加以精製，使其乾燥，以獲得固態之聚醯亞胺樹脂的方法。貧溶媒選擇具有與溶媒良好地混合，但是聚醯亞胺不易溶解之性質者。如丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇、苯、甲氧基乙醇、甲基乙基甲酮等，不過並不限定於此。藉由此等方法可獲得熱可塑性聚醯亞胺樹脂，可使用於本發明之積層體的黏合層。而後’說明（B)利用熱硬化樹脂之硬化反應的硬化型黏合劑。熱硬化型樹脂如雙馬來酸酐縮亞胺樹脂、雙丙埽二亞胺樹脂、苯酚樹脂、氰酸根樹脂、環氧樹脂、丙婦基樹脂、曱基丙埽樹脂、三氮雜苯樹脂、氫化矽硬化樹脂、埽丙基硬化樹脂、不飽和聚酯樹脂等，可單獨或適切組合此等使用。此外，除前述熱硬化性樹脂之外，亦可使用在高分子鎖之側鎖或終端具有環氧基、烯丙基、乙烯基、烷氧石夕基、氫化矽基、氫氧基等反應性基之側鎖反應性基型熱硬化性高分子作為熱硬化成分。以下，說明側鎖反應性基型熱硬化性聚醯亞胺樹脂。具體之製法如：（1)參照前述之熱可塑性聚醯亞胺樹脂之方法 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1252871 A7 ______Β7 五、發明説明（33 ) 來製造’此時’係使用具有環氧基、乙晞基、埽丙基、甲基丙烯基、丙婦基、烷氧矽基、氫化矽基、羧基、氫氧基、氰基等官能基的聯氨成分，或酸2酐成分作為單體成分，以獲得熱硬化型聚醯亞胺的方法，或是，（2)亦可參照前述熱可塑性聚酿亞胺樹脂之製法製造具有氫氧基、羧基、芳香族 < 鹵基等之溶媒可溶性聚醯亞胺後，藉由化學反應賦予環氧基、乙烯基、丙烯基、甲基丙烯基、晞丙基、烷氧矽基、氫化矽基、羧基、氫氧基、氰基等官能基的方法等 ’獲得熱硬化性聚醯亞胺樹脂。為求對熱硬化性樹脂進一步提高有機過氧化物等之自由基反應開始劑、反應促進劑、氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸二丙烯酯等橋接促進劑、耐熱性、及黏合性等，依需要亦可適切添加酸2酐系、胺系、咪唑系等一般使用之環氧硬化劑、各種摘合劑等。為求抑制加熱黏合時之黏合劑的流動性，亦可在前述熱可塑性樹脂内混合熱硬化性樹脂。因而，宜對熱可塑性樹脂100重量部添加iMOOOO重量部，更宜為添加5〜2〇〇〇重量部的熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂過多時，黏合層可能變脆’反之，過少時，又會產生黏合劑擠出，導致黏合性降本發明之積層體上使用的黏合劑，從黏合性、加工性、耐熱性、柔軟性、尺寸穩定性、介電常數、價格等觀點而言’尤宜為熱可塑性聚醯亞胺樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂系、環氧樹脂系、cyanatoester樹脂系或混合此等者，尤 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（34 ) 五為熱可塑性聚醯亞胺樹脂與環氧樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂與cyanatoester樹脂、側鎖反應性基型熱硬化性聚醯亞胺樹脂與環氧樹脂、側鎖反應性基型熱硬化性聚醯亞胺樹脂與cyanatoester樹脂等的混合。其中混合熱可塑性聚醯亞胺樹脂與環氧樹脂者，在黏合性、加工性、耐熱性等的均衡性特佳。如藉由使用桿式塗敷機、自旋式塗敷機、凹版塗敷機等 ’在聚醯亞胺膜上塗敷使用熱可塑性樹脂之黏合劑或使用熱硬化性樹脂之黏合劑，可形成黏合層。黏合層之厚度並無特別限定，不過宜在5〜125"m以下，更罝為5〜50 //m，尤宜為5〜35 。黏合劑層為求埋入積層時之内層電路圖案，需要足夠的量及厚度。其雖係依内層電路的圖案率而定，不過通常需要約内層電路厚度之ι/2〜ι 倍的厚度。亦即，假設實用上有效之最小電路厚度約為9 “ m，並假定圖案率為5〇%時，黏合層之厚度最小約需要 m。另外，黏合層若過厚，與高分子膜同樣地，不但與印刷佈線板之薄型化、小型化的要求背道而驰，且發生在積層步驟中，黏合劑自基板流出而污染基板製品及加工設備 U成心媒等揮發成分殘留於黏合劑中而發泡及其他原因等的問題。製k具有包含金屬層A/高分子膜/黏合層構造之積層體時，在高分子膜的-面上以前述方法形成金屬層A後，在形成黏合層2，或是顛倒程序，亦不損及本發明的效果。黏合層的形成方法可採用前述之將構成黏合層之樹脂材料形 37- 1252871

發明説明液狀加以塗敷乾燥的方法、及溶融塗敷樹脂材料的方法等。、本發明 <積層體除前述高分子膜、金屬層A、及黏合層之外，依需要亦可在金屬層A上具有保護膜等的保護二: 以下說明保護膜。〜 <保護膜> 、設置保護膜之目的，係使以離子噴鍍法所製造之銅薄膜於底用在私路形成製程前，其物性不改變。離子噴鍍膜長期置於空氣中，其與無電解銅鍍層的黏合性可能降低。可旎形成銅表面進行氧化及附著塵埃等妁原因。此外，於多層印刷佈線板製造中，於積層體上塗敷黏合劑並予以乾燥時的熱度不減。再者，將積層體積層於内層基板上時通常耶須加熱及加壓。此時金屬層受到熱的影響而氧化惡化。另外，於内層基板上積層積層電路基板後，為求在基板表面形成新的電路，該保護膜須為容易剝離者。此外，塗敷黏合劑並予以乾燥之積層體可能因黏合劑收縮而明顯捲曲。即使如此，仍可藉由貼合保護膜以提高整個積層體的剛性而減少捲曲。保護膜的材料種類並無特別限制，只要為具有與金屬層之弱黏合力者即可。該保護膜之形成方法並無特別限定。如可為在金屬層上實施使用咪唑系化合物之有機覆膜形成處理、或鉻酸鹽處理及鋅酸鹽處理等熟知的防鏽處理。藉此可賦予長期保存穩定性。而後，就明使用本發明之積層體之電路基板的製造方法。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（36 ) <電路基板的製造方法> 圖1顯示使用本發明之積層體之電路基板的製造方法。首先藉由乾式鍍法在高分子膜1的表面形成金屬層A(圖 1(a))。而後，在金屬層A之表面供給鈀化合物等鍍觸媒後，將該鍍觸媒作為核心進行無電解銅鍍，在銅膜的表面形成無電解銅鍍層4(b)。除無電解銅鍍之外，亦可進行無電解鎳鍍、無電解金鍍、無電解銀鍍、及無電解錫鍍等，上述均可使用於本發明，不過從工業上觀點及耐移動性觀點等電性觀點而言，宜採用無電解銅鍍及無電解鎳鍍，尤宜採無電解銅鍍。無電解鍍步驟可應用熟知的無電解鍍處理。通常係經過基板表面之粗糙化、基板表面之洗淨、預浸、鍍觸媒供給、鍍觸媒活化、無電解鍍膜之形成步驟。通常可形成200〜300 nm，依條件可形成800〜1000 nm的鍍皮膜。此外，無電解鍍層須在藉由雷射鑽孔等方法所形成之通路的内面及/或貫穿孔的内面形成鍍皮膜，以形成饋電電極。因此，其厚度宜為100〜1000 nm，更宜為100〜500 nm ，尤宜為200〜800 nm。比100 nm薄而形成饋電電極時，面内之電鍍厚度不均一，反之，超過1000 nm時，需要以蚀刻步驟進行過度蝕刻，因而造成電路厚度比電路設計值薄，電路寬度比設計值狹窄。並發生切割不足等，發生電路形狀惡化等問題。此外，無電解鍍之處理時間過長時，與金屬層A之黏合強度可能降低，因而無電解銅鍍層的厚度宜 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871 A7 B7 五、發明説明（π ) 在800 nm以下。而後，在如此形成之無電解銅鍍層的表面形成光阻覆膜 5 (C)，除去預定形成電路之部分的光阻覆膜（d)。本發明使用之光阻覆膜只要為可耐形成第二金屬皮膜之鍍液，進行該鍍時’不易在其表面形成第二金屬皮膜即可 ’並無特別限定。如在以筛網印刷法除去預定形成電路之邵分的部分上塗敷液狀樹脂後，f以固化而形成者，及在第-金屬皮膜的整個表面形成液狀或片狀的感光性樹脂後 +光成％路形狀，繼續除去預定形成電路之部分的感光性樹脂而形成者等。為求對應於窜間距化，宜使用具^ _以下解像度之感光性鍍光阻。當然亦可混合具有以下足間距的電路及具有其以上間距的電路。形成綠覆膜後，使用無電解鍍膜露出之部分作為馈電 ::進仃％解銅鍍’在其表面形成電解銅鍍層6(第二金屬 fe)上e):除電解銅鍍之外，亦可應用電解焊料鍍、電解錫二、电解㈣、電解金鍍等熟知的電解銅鍍等電鍵，不過 4之工業上觀點及耐移動生答雨祕# 力、夕動改寺私性硯點而言，宜採用電解銅鍍及電解鎳鍍，尤宜採電解銅鍍。 2可應用熟知的方法/具體而言，已知的有硫酸銅鏡二銅趣、焦磷酸銅鍵等’不過從錄液之處理性、生產性、皮膜之特性菩而士；y 、2、、口’且知用硫酸銅鍍。有關硫酸銅鍍 <鍍液組成與鍍條件，列舉如下： <硫酸銅鍍條件> (鍍液組成） -40- 1252871

硫酸銅硫酸氯離子添加劑 (鍍條件） • 70 g/L 200 g/L 50 mg/L 適量液溫 ••室溫空氣攪拌 :有陰極基板之搖動 ••有陰極電流密度 ·· 2 A/dm 另外此時形成之第二金屬皮膜的厚度亦可比光阻覆膜的厚度厚，亦可比其薄。此外，&電解度之外，亦可藉由無電解鍍形成第二金屬皮膜。 " 電解銅鍍後，繼續除去光阻覆膜⑴。光卩且麟液係依使用之光阻覆膜來適切決定者。而後，蝕刻除去包含金屬層A及無電解銅鍍層之饋電層 ’以形成電路（g)。另外此時係使用幾乎不浸蝕第二金屬皮膜，而僅選擇性蝕刻第一金屬皮膜的蝕刻劑。亦即，於藉由蝕刻除去光阻圖案剝離而露出之無電解銅鍍層與金屬層八的步驟中，使用除去播電解銅鍍層及金屬層A所需各時間之銅電鍍層的蝕刻厚度為T1，無電解銅鍍層及金屬層a之厚度的和為 T2時，為T1/T2 < 1的蝕刻劑。τι/Τ2宜儘可能小，71/丁2宜為〇.1〜，更宜為0.1〜0·5。滿足此種條件之蝕刻劑，採用以硝酸與硫酸為主要成分之蝕刻劑特別有效，再者，採用添 -41 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1252871

加過氧化氫、奢仆& » 、氣化麵寺之蝕刻劑則更有效。此時所謂之主要成刀係扎對構成蝕刻劑之除水以外之成分的主要成分。、更使用對第-金屬皮膜之㈣速度為對第二金屬皮膜 (蚀刻速度在1G倍以上的㈣劑。藉此，第二金屬皮膜大呆持未被#刻而形成時的狀態。因&，電路形狀可大致保持矩开y，可獲得形狀佳的電路。—種蚀刻劑，如在第一至屬皮膜上使用鎳，在第二金屬皮膜上使用銅的情況下，適切使用特開平2001 _14〇〇84公報所揭示的蝕刻劑。此時I虫刻速度，由於將4〇 mm χ 4〇 mm X 〇 3 mm(厚度）之金屬板浸潰在蝕刻劑中3分鐘後予以靜置時的重量減少，因此以下列公式算出：蚀刻速度〇m/分鐘）=(重量減少1〇〇〇〇 /(表面積X金屬板密度χ浸潰時間）公式（3) 此時至屬板舍度，如為鎳是8.845 g/cm3，如為銅是8 92 g/cm。表面積為 4 cmx4 cmx2 + 4 cmX0.03 cmX4 = 32_48 cm2，浸潰時間為3分鐘。具體之蝕刻劑如MEKU(股份有限）製之蝕刻劑（商品名稱，MEKUHIMUBER NH— 1862)，不過只要具有前述特徵者亦可適用於本發明。該蝕刻劑對各種金屬之蝕刻速度，如對電解銅鍍層之速度為1時，對無電解銅鍍層之速度為5〜1〇，對濺鍍銅層之速度為5〜10,對濺鍍鎳層之速度為1〇〜2()。如以鎳層與銅層之兩層構造構成金屬層A，合計厚度為2〇〇 nm，並進行200 nm之無電解銅鍍時，藉由蝕刻完全除去金屬層A與播電解銅鍍層之合計厚度4〇〇 nm所需的時間約為 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（40 ) 4分鐘，其中被蝕刻之電解銅鍍層的厚度為80 nm。依據前述之印刷佈線板的製造方法，製造線/空間為10 # m/1 〇 # m 之電路圖案時，所獲得之電路寬度，於蝕刻前雖為1〇·〇 ’而於蚀刻後則成9 · 8 // m，具有大致如設計的形狀。另外，蝕刻速度係藉由觀察將各種金屬浸潰於蝕刻劑時之蝕刻厚度的變化而求出。因而’測量標準之銅敍刻劑的蚀刻速度時，其姓刻速度依銅層之形成方法而有顯著不同。以離子噴鍍法所形成之銅薄膜，於半添加法之蝕刻步驟中可非常輕易地進行蝕刻。藉由離子噴鍍法、濺鍍法、無電解鍍法、電鍍法所形成 <銅層中，蝕刻速度最快者為藉由離子噴鍍法所製造的銅層。其次容易被蝕刻者為藉由濺鍍法的銅層與無電解銅鍍層。最不易蝕刻者為以電解法所形成的銅層。以離子噴鍍法蝕刻銅層之速度約為以濺鍍法蝕刻銅層或以無電解法^ 刻銅層的3倍。此外，以賤鍍法蚀刻銅層或以無電解法姓刻銅層的速度約為以電解法蝕刻銅層的5〜1〇倍。亦即，以離子噴鍍法所形成的銅層具有以電解法蝕刻鋼層之3〜倍的速度。 ^ 因用作藉由離子噴鍵法、濺鍍法、無電解錄法所形 :::叙用饋電層的銅層，於半添加法之银刻吊輕易地|虫刻除去。 J非 :外道基於提高生產性之目的’為求縮短姓 Μ外邯導通同時實施蝕刻。且取後，依需要進行無電解鎳鍍及無電解金鍍等的加工， -43-

1252871 A7 B7 五、發明説明（41 ) 以製造印刷佈線板。另外’形成線/空間為2 5 # m/2 5 // m以下的高密度電路時，金屬層與絕緣基板強固地黏合極為重要。尤其是除半添加法之外，於兩面印刷佈線板及多層印刷佈線板之製造步驟中’為求使貫穿通孔及IVH(空隙通路孔）内具備傳導性，必眉只施典電解鐘及電鍍。但是，由於此等步驟使用各種強酸、強驗等對絕緣樹脂造成相當損傷之性質的藥劑處理，因此’在實用上重視確保此等電路圖案之剝離強度。藉由前述電路基板之製造方法，如藉由無電解鍍法及電鍍法开）成之金屬層的剥離強度可以在5 N/cm以上。先前，尤其於表面之Rz在l//m以下的高分子膜，並不瞭解無電解銅鍍顯示此種高剝離強度。金屬層之剥離強度藉由於金屬層上實施無電解鍍後，未形成光阻圖案而實施硫酸銅鍍，在2 A/dm2的條件下全面實施40分鐘的電鍍，以形成厚度為 20//m的銅鍍層，參照JIS C6471(剝離強度：B法），在測量圖案之寬度為3 mm，十字轉盤速度為50 mm/分鐘，剥離角度為1 80度的條件下，測量高分子膜與金屬層的剝離強度來求出。而後’說明本發明之多層印刷佈線板的製造方法。〈多層印刷佈線板的製造方法> 圖2及圖3顯示本發明之組合多層印刷佈線板的製造方法。此處係使用在高分子膜1的一面上具有黏合層3的積層體。首先’藉由乾式鍍法在高分子膜的表面形成金屬層A(圖 2(a))。 -44 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 _____B7 五、發明説明（42 ) 而後，將積層體之黏合層面與絕緣基板7上形成内層電路 8之印刷佈線板9的電路面貼合，使黏合層熱熔著或硬化（圖 2(b))。構成層間黏合膜之高分子膜形成構成多層印刷佈線板的樹脂絕緣層。貼合藉由隨伴加熱及/或加壓的方法實施。具體而言，可使用具備加熱器之真空壓力機及具備加熱器及壓著輥的壓著裝置貪施加熱、加壓。壓力加工除油壓機、單板壓力機之外，亦可應用真空壓力機及真空層壓機。貼合時泡的拉延，從内層電路埋入性之觀點，或抑制因金屬層A之加熱造成金屬氧化的觀點而言，宜使用真空壓力機及真空層壓機。貼合時泡的咬入，從内層電路之埋入性的觀點，宜採用真空壓力機。貼合時之溫度、壓力條件只須設定成，形成因應層間黏合膜之組成及内層電路板之金屬層A之厚度等的最佳條件即可’不過貼合溫度宜在300C以下，更宜在250。〇以下，更宜在220°C以下，尤宜在20CTC以丁。此外，宜在i〇〇t：以上，160°C以上，180°C以上。貼合時間約為！分鐘〜3小時 ’尤宜在1分鐘〜2小時。壓力宜在MPa。使用真芝壓力機及真空層壓機時，處理室内壓力宜在1〇 kPa以下 ’更宜在1 kPa以下。黏合後，亦可放進熱風爐等硬化爐内。藉此，可在硬化爐中促進黏合層的熱硬化反應。尤其是縮短貼合時間時，如在20分鐘以下的情況下，貼合後在硬化爐中的處理有助於提高生產性。 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7

另外於進行前述貼合步驟前，宜於内層電路上塗敷具 :與黏合層同樣組成的黏合層清漆後，藉由乾燥將該内層電路板之表面預先予以平坦化。亡發明之多層印刷佈線板之製造方法，由於係使用高分子膜因此與内層配線板貼合時，内層電路被埋入黏合層 2在内層私路接近咼分子膜的狀態下，内層電路埋入黏合層。因而，層間之絕緣層厚度形成與高分子膜厚度大致相同的厚| ’具有均一地保持面内之絕緣層厚度的效果。此外，本發明之高分子膜亦具有提高層間絕緣性的效果。進行貼合步驟後，於進行鍍層形成步驟前，依需要在層間黏合膜之特^位置進行使用鐵孔器及雷射光之開孔操; :以形成通孔及通路孔10等（圖2(e))。加工方法可使用熟知 I Dolmaline、乾電漿裝置、碳酸氣雷射、uv雷射、準分子雷射等。通路孔開孔時，以雷射鑽孔可有效形成小孔控通路的封閉通路，為求在各第_金屬皮賴孔，宜採用^一 YAG雷射。依需要，宜藉由以熟知方法實施之反拖尾處王里，進行通路孔的清理。反拖尾處理宜藉由一般廣泛實施之使用過錳酸鹽的濕式製程或使用電漿等的乾式反拖尾來進行。尤其 =乾式反拖尾可有效降低對本發明之積層體之金屬層八的才貝知，並徐去通路底邵的污點，因此宜使用乾式反拖尾。反拖尾條件宜藉由通路孔開孔條件適切修正。金屬層上積層有保護膜的情況下，於進行上述開孔操作前，自金声剥離保護膜。 -46-

1252871 A7 B7 五、發明説明（44 ) 藉由無電解銅鍍等，經由該通孔部及通路孔部等，執行使内層電路板之金屬層A與層間黏合膜之金屬層導通的步驟。具體而言，係在銅膜表面及通路孔内部供給鈀化合物等鍍觸媒11(圖2(d))，將該鍍觸媒作為核心進行無電解銅鍍，在銅表面及通路孔内部形成無電解銅鍍層4(圖2《幻）。 >再者，在如此形成之無電解銅鍍層表面塗敷或層壓光阻膜5(112(0)。依需要亦可為膜狀者及液狀者。從處理性及爾後之鍍形成電路時之光阻厚度的均一性而言，宜採用層壓膜光阻的方法。 *藉由光刻除去預定形成電路部分的光阻覆膜(圖3⑷)。高密度電路形成時’宜採用對感光材料之光阻以平行光源曝光、顯像的方法。此外，與底材密合之方法在實現高解像度時宜採用掩模。另外，宓人认& & 力外在合於底材時，可能發生在掩模上造成損傷及污點的問題，因此於使用時須適切選擇。之後，使用無電解銅鍍層露出之部分作為饋電電極進行電解銅鍍’在其表面及通路孔内形成電解銅鍍層^(圖 3(b))。此時’通路孔形成以電解銅鍍皮膜填充。鍍法可應用H添加劑之調整及施加脈衝狀電流等方法。藉由组人此等方法可供給因應用途之鍍皮膜。、口而後1除去光阻覆膜（圖3(e))。通常係藉由驗性溶液剝離由叙餘刻f除去包含金屬IA及無電解鋼鍍層之饋以形成電路（圖3(d)) 曰經過以上步驟充分產生本發明之積層體的特徵，可製 -47-

1252871 A7 B7 五、發明説明（45 造多層印刷佈線板。尤其是，為求泽通迴峪孔叩^ ,,、、、，^ ^ 電解鐘的觸媒，不過由於通路孔部以外，在第一金屬皮膜上供給有觸媒’因此藉由蝕刻第一金屬皮膜可輕易地除去不需要的觸媒。另外’前述之說明係以藉由在内層電路板上貼合一片層間黏合膜來製造多層印刷佈線板的方法為例，不過，亦可藉由在内層電路板之兩面貼合兩片層間黏合膜來製造多層印刷佈線板，亦可在内層電路板上貼合之層間黏合膜上，藉由C步貼合其他層間黏合膜來製造。亦即，亦可藉由重複執行哥述各步驟圖2(b)〜圖3(d)，製造在内層電路板之一面或兩面上積層有數片層間黏合膜的多層印刷佈線板。由於本發明之積層體係在樹脂絕緣層之高分子膜上，藉由乾式鍍法，更具體而言係藉由真空蒸鐘法、賤鐘法、^ 子噴鍍法等成膜法直接所形成之金屬薄膜作為底層來形成金屬層，因此金屬層與樹脂絕緣層之密合性佳。亦即使不執行將高分子膜之表面予以粗链化的步帮屬層，合：該高分子膜上，可使電性提高。以，與先吏：比車乂’可間化層間黏合膜及多層印刷怖線板的製造步驟，不但可降低製造成本，亦可使製品良率提高。、 j外’不論是前述之電路基板形成製程或組合多層形·製私，均可非常有效地執行蝕刻製程。土再者，使用本發明之積層體之印刷佈線板的 :於其金屬層A及無電解鍍層形成於表子’

上’因此比先前技藝之在粗糖化之樹脂表面所二IS -48 - 本紙張尺度適用Tia家鮮(CNS) μ規格(·χ挪公羞)- 1252871

解鍍層可更迅速地進杆 ^.^ M 也^订钱刻。此不僅在工業上有利，且不 =钱刻至«化表面的深處，有祕獲得按照好電路形狀。 •此外’、所獲得《電路圖案間的姓刻殘渣非常少，可消除 :=元成日^離子移動等的問題。由於先前技藝之半添加谷易在、{緣基板表面殘留無電解銅鐘皮膜及無電解銅鐘田媒因此谷易降低所獲得之印刷佈線板的絕緣性，且於取後步驟中，由於係進行㈣及金鍍，因此會發生因此等，田之鑛觸媒的觸媒作用而使絕緣基板表面被鎳、金鐘，無法形成電路的問冑。但是，本發明之無電解鍍層形成用勺觸&處理’由於係在藉由乾式鍍法等所形成的金屬層a 上進行，因此觸媒可藉由蝕刻處理完全除去。因此，依據本發明可形成與基板密合性佳且絕緣性亦佳的高密度電以下，依據實施例顯示使用本發明之積層體之電路基板的製造方法。 <電路基板之製造> 實施例1 在厚度為25 //m之聚醯亞胺膜（鍾淵化學工業（股份有限）製APIKARU HP)的一個面上，Dc濺鍍鎳3〇〇 nm，形成第一金屬皮膜。而後’於熱層壓感光性乾膜光阻（旭化成工業（股份有限）製SUNPHOTO)後，曝光成電路形狀。另外，電路形狀係曝光成設置15 之絕緣間隔所形成之電路寬為^“❿的 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（47 ) 梳型電極形狀。而後，除去預定形成電路之部分的感光性樹脂，在第一金屬皮膜表面中之除預定形成電路部分之外的部分上形成光阻覆膜後，進行銅電鍍，在第一金屬皮膜露出之部分的表面形成厚度為10 之銅的第二金屬皮膜。而後’使用鹼性剥離液除去光阻覆膜後，將表1所示組成的姓刻液噴塗在基板上，蝕刻鎳的第一金屬皮膜，製造電路寬度為15 ，絕緣間隔為15 之圖案。而後，加工步驟係進行無電解鎳鍍，在第二金屬皮膜表面形成厚度為2 β m之鎳的金屬皮膜後，進行無電解金艘，在鎳的金屬皮膜表面形成厚度為“瓜之金的金屬皮膜，以形成印刷佈線板。另外，使用之蝕刻劑的蝕刻速度分別為對鎳之蝕刻速度為5.38/zm/分鐘，對銅之蚀刻速度為〇〇4/m/分鐘。表1

氯化鈉〇·01重量％離子交換水 38.99重量％評估所獲得之印刷料板的電路形狀及絕緣性。狀係以顯微鏡觀察形成梳型電極形狀的電路中，曝2 = 路寬度15 ’之部分的電路寬，電路形狀為矩形者表亍：，矩形之頂點破損者表示不合格。絕緣性係求形成“I; -50-

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電極形狀的電路中，具有1 5 "m之絕緣間隔而未導通之電路間的絕緣電阻。結果電路形狀合格，並具有1Χ1〇11ω以上的絕緣電阻。因而確認實施例丨可簡易地製造電路形狀及絕緣特性佳的印刷佈線板。實施例2 藉由離子噴鍍法在厚度為12.5//m之聚醯亞胺膜（鐘淵化子工業（版伤有限）製APIKARU HP)的一個面上形成銅薄膜。實驗上使用之聚醯亞胺膜之表面平滑度以“值換算為i 。此外，代表性之離子化條件為4〇 v，轟擊條件為氬氣壓為26 Pa，基板加熱溫度415〇〇c。以該方法在5〜1〇〇〇 nm 的範圍内製成各種厚度的膜。而後’以無電解鍍法，在包含聚醯亞胺膜/離子噴鍍銅層的積層體上形成銅鍍層。無電解鍍層之形成方法如下。首先’以驗性洗淨液洗淨積層體，而後，進行酸的短時間預 β。繼續在驗性溶液中，進行附加鉑與鹼還原。而後，進行驗中的化學銅鍍。銅鍍溫度為室溫，銅鍍時間為丨〇分鐘 ’以該方法形成厚度為300 nm的無電解銅鍍層。以剥離強度之值評估如此形成之銅薄膜層的黏合強度。 p平估黏合性時’剥離面始終為聚醯亞胺膜與離子噴鍍銅層的界面’離子嘴鍍之條件不太影響剥離強度，而厚度則影響強度。亦即’離子噴鍍層在20 nm以下的情況下，黏合強度為1〜4 N/cm，依情況強度的差異性大。此因在2〇 nm以下的厚度存在聚酿亞胺膜部分露出的部分。而離子噴鍍層的厚度在10〜400 nm間為6〜8 N/cm，可獲得穩定的黏合強度。

1252871 A7 _ B7 五、發明説明（49 ) 另外，厚度在400 nm以上時黏合強度降低，為6〜4 N/cm& 值。在藉由前述方法所製造之包含聚醯亞胺膜（12·5 “爪)/離子噴鍍銅層（50 nm)/無電解銅鍍層（300 nm)的積層體上形成電解銅鍍層。電解銅鍍係在丨〇%硫酸中預備洗淨前述積層體30秒，而後在室溫下進行40分鐘銅鍍。電流密度為2 A/dm2 ’ 膜厚為 1 〇 #m。測量該積層體的剥離強度。無電解鍍層與電解鍍層、離子噴鏡銅層/無電解鍍層之間的黏合強度良好，而在聚醯亞胺與離子噴鍍銅層之間產生剝離。但是，其強度為6〜7 N/cm ，顯示電解銅層之形成對各層間的黏合性不致造成不良影響。在藉由前述方法所製造之包含聚醯亞胺膜（12 ：5 vm)/離子噴鍍銅層（50 nm)/無電解銅鍍層（3〇〇 nm)的積層體表面，自旋式塗敷厚度為10 Am的光阻液（JSR(股份有限）製 THB320P)。而後使用高壓水銀燈進行掩模曝光、光阻膜剝離’形成線/空間為1 〇 # m/10 #m的圖案。而後，使用包含離子噴鍍銅層（5〇 nm)/無電解銅鍍層㈠〇〇 nm)的銅層作為饋電體，在光阻膜被剝離的部分進行電解銅鐘。電解銅鐘的厚度為l〇#m。而後，使用鹼性剝離液進行光阻膜的剥離，繼續進行閃急蝕刻，除去饋電體層。閃急蝕刻係在硫酸/過氧化氫/水系中實施。藉此形成線寬為10//m，線間隔為⑺以㈤的圖案。而後，使用電子顯微鏡觀察製成的電路剖面。可知離子 '52' 本紙張尺度適财S S家鮮(CNS) A4規格(210X297公釐) ----- 1252871

喷鍍銅層之厚户予反在4υ〇 nm以下的情況下，藉由適切控制閃急蚀刻的時間，·^r六啦& 了在电路幾乎無蝕刻不足的狀態下完全除去饋電體層。作旱，祐^+ 1一疋離子噴鍍銅層比400 nm厚的情況下，欲完全除去饋電體層，會產生電路線的蝕刻不足。而後"、彳里製成之電路圖案的絕緣特性。測量絕緣特性係使用二間距離為丨〇 #㈤的梳型電極，以熟知的方 ^(IPC.TM-650-2. 5.l7)it^t 5 t 1 〇16 Ω cm 間電阻。進一步藉由饋電層剝離部分的奥格分析測量有無殘留金屬’並未發現存在殘留金屬。實施例3 採用與貫施例2相同的方法，在聚醯亞胺膜的一個面上，藉由離子噴鍍法形成銅薄膜。而後，以DC濺鍍法在如此形成之銅薄膜上進行銅薄膜的形成。代表性之濺鍍條件為DC功率：200瓦特，氬氣壓：〇·35 Pa。在5〜1〇〇〇 nm的範圍内製成各種厚度的膜。以剥離強度之值評估如此形成之銅薄膜層的黏合強度。砰估黏合性時，剝離面始終為聚醯亞胺與離子噴鍍銅層的界面，離子噴鍍之條件不太影響剝離強度，而厚度則影響強度。亦即，離子噴鍍層在丨〇 nm以下的情況下，黏合強度為1〜4 N/cm，依情況強度的差異性大。此因在1〇 ηπι以下的厚度存在聚醯亞胺膜部分露出的部分。而離子喷鍍層的厚度在10〜200 nm間為6〜8 N/cm，可獲得穩定的黏合強度。另外’厚度在200 nm以上時黏合強度降低，為6〜4 N/cm的值。 -53- 本、紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871

五、發明説明（51 在藉由前述方法所製造之包含聚醯亞胺膜/離層/賤鍍銅声的ί主触I· 嗜、厪銅又詷層的和層體上，採用與實施例2相同的由，電解鍍法形成銅鍍層。並將離子噴鍍銅層固定在層種：度之賤鑛鋼層的試料進行實驗。無賤鐘銅二：L 賀鍍銅層在無電解銅鍍中自聚醯亞胺基板剝離。此外，賤鍍銅層的厚度在1〇nm以下時同樣地產生剥離。、Λ鍍銅層在1 〇 nm以上時，發揮無電解鍍製程中之離子噴鍍銅層之保護膜的功能，而不產生剝離”匕外，濺鍍銅與無電解銅鑛層的黏合強度良好，其間無剝離。剥離強度試驗時的剝離係在離子噴鍍銅層與聚醯亞胺膜之間產生，此 t之剥離強度亦顯示在6 N/cm&上的良好特性。濺鍍銅之厚度只須在10 nm以上即可，不過無須達到200 nm&上的厚度，j2〇onma上的厚度其剥離強度反而有降低的趨勢。在藉由㈤述方法所製造之包含聚醯亞胺膜（12·5 離子噴鍍銅層（50 nm)/濺鍍銅層（1〇〇 nm)/無電解銅鍍層（3〇〇 nm)的積層體上，採用與實施例2相同的方法形成電解銅鍍層。測量該積層體的剝離強度。無電解鍍層與電解鍍層之間的黏合強度良好，剝離係在聚醯亞胺與離子喷鍍銅層之間產生。但是其強度為6〜7 N/cm，可知電解銅層之形成對各層間的黏合性不致造成不良影響。在藉由前述方法所製造之包含聚醯亞胺膜（12.5 #m)/離子噴鍍銅層（50 nm)/濺鍍銅層（1〇〇 nm)/無電解銅鍍層（300 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871

nm)的積層體表面，採用與實施例2相同的方法形成光阻圖案’而後’在光阻被剝離的部分進行電解銅鍍，繼續進行光阻膜的剥離、閃急蝕刻，形成線寬為1 0 //m，線間隔為i〇的圖案。而後’使用電子顯微鏡觀察製成的電路剖面知濺鍍銅層之厚度在200 nm以下的情況下，藉由適切控制閃急蝕刻的時間，可在電路幾乎無蝕刻不足的狀態下完全除去饋電體層。但是，濺鍍銅層比2〇〇 nm厚的情況下，欲完全除去饋電體層，會產生電路線的蝕刻不足。而後，採用與實施例2相同的方法測量製程之電路圖案的系巴緣特性，顯示具有1 〇 1 6 Q cm的良好線間電阻。進一步藉由饋電層剥離部分的奥格分析測量有無殘留金屬，並未發現存在殘留金屬。實施例4 藉由濺鍍法，在厚度為12·5 之聚酿亞胺膜（鐘淵化學工業（股份有限）製APIKARU HP)的一個面上直接形成銅薄膜。DC濺鍍的條件與實施例3相同。在5〜1〇〇〇範圍内製造各種厚度的膜，並測量其黏合強度，顯示各種膜厚的剝離強度均在1 N/cm以下。比較例1 在全面蝕刻裱氧樹脂兩面貼銅之積層板表面之銅箔之板的表面，以幕塗機法塗敷環氧樹脂後，在15〇t下加熱時，獲得表面樹脂層為半硬化狀態的絕緣基板。而後，將前述絕緣基板浸潰在過錳酸鉀溶液内，將樹脂 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公釐) 1252871 五、發明説明（53 ) 層表面予以粗面化’進行使無電解鍍之密合性提高的處理。、而後，在其樹脂層表面供給免—錫膠質型的鏡觸媒後 ’進行無電解銅鍍’在絕緣基板表面形成厚度為0.5轉之銅的第一金屬皮膜。而後，在第一金屬皮膜表面，採用與實施例〗相同的方法 ’在除去預備形成電路之部分的部分形成光阻覆膜，在第一金屬皮膜露出的部分表面上形成厚度為1〇//111的銅製第二金屬皮膜。、而後，進彳丁烊鍍，在第：金屬皮膜表面形成厚度為3㈣之圖案的金屬皮膜（第三金屬皮膜）。而後’使㈣性剝離液除去光阻覆膜後，在絕緣基板表面噴塗驗性触刻液，蚀刻第-金屬皮膜，而後，使用烊劑剝離液，除去形成於第二金屬皮膜表面之焊劑的第三金屬皮膜’使第二金屬皮膜露出。而後，將絕緣基板浸潰在過起酸钾溶液内，除去絕緣基板表面之半硬化狀態的樹脂層，並除去殘留於絕緣基板表面的鐘觸媒後，在⑽下加熱2小時’使半硬化狀態的樹脂層完全硬化。 +採用與實施例i相同的方法評估所獲得之印刷佈線板的电路形狀及絕緣性。結果電路形狀合格，並且有以上的絕緣電阻。因而確認比較例！的絕緣特性較實施⑴ 為再者’比較例i與實施们比較，需要在第二金屬皮 =面^步形成及除去金屬皮膜，並需要除去鍍觸媒，因此斫存在步驟複雜的問題。 -56 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1252871 A7 _____ _B7 五、發^明（54一) ' ' 比較例2 除在第二金屬皮膜表面不形成焊劑的金屬皮膜（第三金屬皮膜），而除去光阻覆膜及第一金屬皮膜之外，與比較例 1同樣地獲得印刷佈線板。採用與實施例1相同的方法評估所獲得之印刷佈線板的電路形狀及絕緣性。結果電路形狀不合格，且具有丨χ ι〇9 Ω以上的絕緣電阻。因而確認比較例2的電路形狀及絕緣特性較實施例1為差。再者，比較例2與實施例i比較，需要除去鍍觸媒，因此亦存在步驟稍嫌複雜的問題。而後，依據實施例顯示使用本發明之積層體之組合多層印刷佈線板的製造方法。另外，以下所示之實施例及比較例，係在黏合劑層上使用藉由以下方法調整的黏合劑溶液。於放進容量為2000 ml之玻璃製燒瓶的n，N-二甲替甲酿胺内，在氮氣環境下，溶解1當量之雙{4_(3-氨基苯氧基）苯基}颯。以冰水將該溶液予以冷卻並攪拌，在該溶液内溶解 1當量之4,4’-(4,4’-異丙叉苯氧基）雙鄰苯二甲酸酐，並使其聚合。藉此’獲得固態成分濃度為3 0重量％之聚醯胺酸聚合物溶液。將該聚醯胺酸聚合物溶液在200。(：（常壓）下加熱 3小時後，繼續在200 °C，66 5 Pa下減壓加熱3小時。藉此獲得固態之熱可塑性聚醯亞胺樹脂。將該熱可塑性聚醯亞胺樹脂、作為熱硬化性樹脂之可落酚醛樹脂型的環氧樹脂（商品名稱，環氧樹脂1032H60，油化殼體環氧（股份有限）製）、與作為硬化劑之4,4f-二氨基二苯颯，混合成重量比為70/30/9，並且藉由將該混合物在二 -57· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1252871 A7 __ B7 五、發明説明（55 ) 氧戊環（有機極性溶媒）内溶解成固態成分濃度為重量％ ’以獲得黏合劑溶液。 <組合多層印刷佈線板之製造> 實施例5 藉由使用DC磁控管濺鍍的濺鍍法，在厚度為12 5 之聚酿亞胺膜（商品名稱，APIKARU NPI，鐘淵化學工業（股^ 有限）製）的一個面上形成厚度為300 nm的銅薄膜（金屬層）。此外，在該聚醯亞胺膜的另一面上，以乾燥後之厚度為9 之方式，使用凹輥塗敷機塗敷前述黏合劑溶液，藉由在170 C下乾燥2分鐘，以形成黏合層。藉此製造層間黏合膜。另外，自貼合有厚度為9 之銅箔的玻璃環氧貼銅積層板製造内層電路板。繼續在該内層電路板之銅箔（金屬層 A)上貼合前述層間黏合膜後，藉由使用真空壓力機在2⑻ C下加熱、加壓2小時，使黏合層之熱可塑性聚醯亞胺樹脂熱溶奢於銅荡上。而後，使用雷射光在層間黏合膜上執行開孔操作後，藉由典電解銅鍍形成厚度為3 的銅薄膜，並且使内層電路板之銅搭與層間黏合膜之銅薄膜導通。而後，在層間黏合膜的銅薄膜上’藉由感光性乾膜光阻（商品名稱， SUNPHOTO AQ-2536，旭化成工業（股份有限）製），形成鍍光阻圖案後’在該銅薄膜上之須形成電路圖案的部位，藉由電解銅鍍積層厚度為20 的銅膜（鍍層）。之後，剝離鍍光阻，藉由軟蝕刻除去銅薄膜。藉此，獲得形成有線/空間 -58- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公复) 1252871 A7 B7 五、發明説明（56 為30 vm/30 //m之微細電路圖案的多層印刷佈線板。實施例6 除藉由離子噴鍍法以取代採用濺鍍法，在聚醯亞胺膜的一個面上形成厚度為300 nm的銅薄膜（金屬層）之外，執行與實施例5相同的步驟，以形成多層印刷佈線板。在該多層印刷佈線板上可形成線/空間為30 #m/30 //m之微細電路圖案。實施例7 除藉由真空蒸鍍法以取代採用濺鍍法，在聚醯亞胺膜的一個面上形成厚度為300 nm的銅薄膜(金屬層）之外，執行與實施例5相同的步驟，以形成多層印刷佈線板。在該多層印刷佈線板上可形成線/空間為30 #m/30/zm之微細電路圖案。實施例8 除採用濺鍍法在聚醯亞胺膜的一個面上形成厚度為3〇 nm的鎳薄膜後，藉由在該鎳薄膜上積層厚度為300 nm的銅薄艇，以形成兩層構造的金屬層之外，執行與實施例5相同的步驟，以形成多層印刷佈線板。在該多層印刷佈線板上可开》成線/空間為3〇 #m/3〇 //m之微細電路圖案。貫施例9 與實施例1同樣地，在形成第一金屬皮膜之積層體的酸亞胺膜的另―面丨，以乾燥後之厚度為9_之方式塗敷黏合劑溶液，在l7(rc下乾燥2分鐘，形成黏合層，以製造組合多層印刷佈線板用積層體。另外，自銅络9vm之破璃 -59-

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環氧貼銅積層板製造内層電路板，心，藉由真空壓力機在〇 C 2小時條件下，將組合多層印刷佈線板用積層體積層於印刷佈線板表面，並予以硬化。、藉由UV — YAG雷射實施通路孔的開孔，在整個基板上供給無電解鍍的觸媒後，採用與實施例丨相同的方法，在除預定形成電路及通路孔之部分外的部分形成光阻覆膜。之後 :以拱電解銅鍍導通雷射孔，繼續進行銅電鍍，在第一金屬皮Μ露出 <邵分的表面形成厚度為1〇#m之銅製第二金屬皮膜而後，採用與實施例1相同的方法，剥離鍍光阻，蝕刻第一金屬皮膜，以獲得電路寬為15//m，絕緣間隔為Η # m之微細電路的多層印刷佈線板。採用與實施m相同的方法評估所獲得之印刷佈線板的電路形狀及絕緣性，可獲得與實施例i相同的結果。實施例10 以乾燥後之厚度為9//m之方式，在聚醯亞胺膜（鐘淵化學工業（股份有限）製，APIKARU，12 5/m)的一面±塗敷黏合劑溶液，在170°C下乾燥2兩分鐘，以形成黏合層。而後，採用與實施例2相同之方法，在聚醯亞胺的另一面上形成離子噴鍍銅層（5〇 nm)，製造組合多層印刷佈線板用積層體。另外自銅箔為9 之玻璃環氧貼銅積層板製造内層電路板，而後，藉由真空壓力機，在2⑼。c，2小時條件下，將上述組合多層印刷佈線板用積層體積層於玻璃環氧基層板表面，並使其硬化。 -60 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公复) 1252871 五、發明説明

而後，採用與實施例2相同的方法，使用光阻在離子喷鏡銅層的表面形成電路圖案。#li7UV〜YAG雷射進行通路孔的開孔，在整個基板及通路孔内部供給觸媒後，進行無電解鍍。以無電解銅鍍導通雷射孔，繼續進行銅電鍍，形成厚度為10 _的銅鍍層。而後，採用與實施例2相同的方法，剝離鍍光阻，敍刻饋電體層，獲得電路宽為1〇_，絕緣間隔為10 之微細電路的組合多層印刷佈線板。評估所獲得之印刷佈線板的電路形狀及絕緣性。電路形狀係以顯微鏡觀察形成梳型電極形狀的電路中，曝光成電路寬度l〇//m之部分的電路寬，電路形狀為矩形者表示合格，矩形 < 頂點破損者表示不合格。絕緣性係求形成之梳型電極形狀的電路中，具有1〇之絕緣間隔而未導通之電路間的絕緣電阻。結果，實施例1〇與比較例2比較，確認可簡易地製造電路形狀及絕緣特性佳的印刷佈線板。實施例11 以乾燥後之厚度為9 //m之方式，在聚醯亞胺膜（鐘淵化學工業（版伤有限）製’ APIKARU，12.5 //m)的一面上塗敷黏合劑溶液’在170°C下乾燥2兩分鐘，以形成黏合層。而後’採用實施例3之方法，在聚醯亞胺的另一面上形成離子噴鍍銅層（20 nm)/濺鍍銅層（1〇〇 ηιη)，製造組合多層印刷佈線板用積層體。另外自銅箔為9 //m之玻璃環氧貼銅積層板製造内層電路板’而後，藉由真空壓力機，在2〇〇X：，2小時條件下，將前述組合多層印刷佈線板用積層體積層於玻璃環氧基層板 -61 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（59 ) 表面，並使其硬化。而後’採用與實施例3相同的方法’使用光阻在丨賤鐘銅層的表面形成電路圖案。藉由UV— YAG雷射進行通路孔的開孔，在整個基板及通路孔内部供給觸媒後，進行無電解鍍。以無電解銅鍍將通路孔内部予以導電化，繼續進行銅電鍍，形成厚度為10 # m的銅鍍層，同時以銅填充通路孔内部。而後，採用與實施例3相同的方法，剝離鍍光阻，蝕刻饋電體層，獲得電路寬為l〇//m，絕緣間隔為10#m之微細電路的組合多層印刷佈線板。採用與實施例10相同之方法評估所獲得之印刷佈線板的電路形狀及絕緣性。結果，實施例11與比較例2比較，確認可簡易地製造電路形狀及絕緣特性佳的印刷佈線板。實施例12 首先，藉由以下的方法合成聚醯亞胺膜。在可分離燒瓶中，將對苯二胺（以下稱PDA)與4,4f-二氨基二苯基醚（以下稱ODA)各1當量溶解於N，N-二甲基甲醯胺（以下稱DMF)中。之後，添加1當量的p-苯撐雙（偏苯三酸單酯酐）（以下稱TMHQ)，攪拌30分鐘。之後，添加0.9當量的苯均四酸2酐（以下稱PMDA)，攪拌30分鐘。而後，注意黏度上昇，同時添加PMDA的DMF溶液（濃度7%)，調整成在23 °C下的黏度為2000〜3 000泊（Poise)，獲得聚醯胺酸聚合物的DMF溶液。另外，DMF的使用量為聯氨成分及四羧酸2 酐成分之單體放入濃度形成18重量％。並在4(TC下進行聚合。 -62- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871 A7 B7 五、發明説明（60 對前述之聚酸胺酸溶液1 〇〇 g添加乙酸纤i 〇 g與異4淋J 〇 g，均一地攪拌後，進行脫泡，在玻璃板上流延塗敷，在約 1 1 0 C下約乾燥5分鐘後，自玻璃板剝離聚醯胺酸塗膜，獲得具自我支持性的凝膠膜。將該凝膠膜浸潰在調整成鈦濃度為100 ppm之TBSTA的1-丁醇溶液中1分鐘，除去膜表面的液滴後，固定於框架上，之後，在2〇〇t下加熱約i分鐘 ’在約300 C下加熱約1分鐘，在約4〇〇下加熱約1分鐘，在約500°C下加熱約1分鐘，並予以脫水閉環乾燥，獲得厚度約為2 5 // m的聚醯亞胺膜。該聚醯亞胺膜之伸張彈性率為 6 GPa，伸張拉伸率為50%，吸水率為12%，介電常數為3 4 ’介質損耗角正切為0.01，10點平均粗度尺2為0.2 。而後，使用昭和真空社製濺鍍裝置NSP-6，藉由以下的方法，在藉由前述方法所製造之聚醯亞胺膜上形成金屬層。將咼分子膜設置在夾具内，關閉真空處理室。使基板（高分子膜）自行公轉，並以燈加熱器加熱，同時抽成6 X丨〇·4 pa 以下的真芝。之後’導入氬氣，形成〇·35 pa，藉由DC濺鍍來濺鍍厚度為20 nm的鎳，繼續濺鍍厚度為1〇 nm的銅。进鍍時之DC功率均為200瓦特。成膜速度分別係鎳為7 nm/分鐘，銅為11 nm/分鐘，調整成膜時間以控制成膜厚度。而後，使用Comma塗敷機，在與形成高分子膜之金屬層之面的相反面上塗敷黏合劑溶液，形成乾燥後的厚度為9 // m ’在1 7 0 °C下乾燥2分鐘，以形成黏合劑層，製成組合多層印刷佈線板用積層體。使用所獲得之層間黏合膜，藉由下述方法製成多層印刷 -63- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 _ B7 五、發明説明（61 ) 佈線板。首先，於内層電路（厚度為9 /zm之FR4基板）上，在溫度為 200 °C，壓力為3 MPa，真空度為10 Pa的條件下加壓1小時，以積層前述層間黏合膜。在必要的位置上，以UV — YAG 雷射開設直徑為30/zm的通路孔，依據ATOTEKU(股份有限）製無電解銅鍍之製程，在洗淨劑調節器（商品名稱 CLEANERSECULIGANT902)5分鐘，預浸（商品名稱 PREDIPNEOAGANTB)l分鐘、促進劑（商品名稱 ACTIVATORNEOAGANT834CONC)5 分鐘，還原（商品名稱 REDUSERNEOGANT)2 分鐘，無電解銅鍍（NOBIGANT MSK 一 DK) 1 5分鐘的條件下實施銅鐘。以丙酮洗淨無電解銅鍍皮膜後，以自旋式塗敷法，在1〇〇〇 RPM下，塗敷JSR(股份有限）製之液狀熱光阻（商品名稱THB —320P)10秒鐘，在ll〇°C下乾燥10分鐘，形成l〇#m厚度的光阻層。而後，在光阻層上密合線/空間為10/10 μιη的玻璃掩模，以超高壓水銀燈之紫外線曝光機曝光1分鐘後，浸潰於 JSR(股份有限）製之顯像液（PD523AD)内3分鐘，除去感光部分，形成線/空間為10/10 //m的圖案。藉由硫酸銅鍍液，在電流密度為2 A/dm2下，對所獲得之積層基板實施20分鐘電鍍，在除去光阻之部分形成厚度為 10 /zm的圖案。以丙酮洗淨所獲得之電路基板，剥離殘留於基板上的光阻層。繼續在MEC(股份有限）製蝕刻液（商品名稱，MECLIMBER NH — 1862)内浸潰5分鐘。該蝕刻亦對鎳之蚀刻速度大於對銅的蝕刻速度，於除去電路以外部分之 -64 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871 A7 _ B7 五、發明説明（62~"一"— Ακ時，可取小限度地抑制銅的損傷。以知描型電子線顯微鏡觀察所獲得之多層印刷佈線板的電路，確認如設計地形成線/空間=1〇/1〇#m的電路。此外，空間邵分平滑，並未觀察出鎳或銅的蝕刻殘渣。且本來須形成長方形之銅導體電路的剖面形狀並未發現蝕刻步驟時電路變細，維持如設計的長方形形狀。此外，金屬層之厚度為2〇 “rn時之與高分子膜的剝離強度為6_8 N/cm ’顯示具有形成高密度電路上足夠的剥離強度。實施例13 除鎳之濺鍍層形成1〇 nm，銅濺鍍層形成5〇 nm之外，採用與貫施例12相同的方法製造、評估印刷佈線板。結果確忍良好地製成線/空間為1 〇/1 〇 #m的電路。此外，金屬層與高分子膜之剥離強度為8.2 N/cm，顯示具有形成高密度電路上足夠的剥離強度。實施例14 除鎳滅鍍層形成10 nm，銅賤鐘層形成100 nm之外，採用與實施例12相同的方法製造、評估印刷佈線板。結果確認良好地製成線/空間為10/10 //m的電路。此外，金屬層與高分子膜之剝離強度為9.6 N/cm，顯示具有形成高密度電路上足夠的剥離強度。實施例1 5 除鎳/鉻合金之濺鍍層形成10 nm，銅濺鍍層形成100 nm 之外，採用與實施例12相同的方法製造、評估印刷佈線板。結果確認良好地製成線/空間為10/10 的電路。此外，金 -65- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871

^人南刀子膜之剝離強度為1 〇 · 6 N/Cin，顯示具有形成高密度電路上足夠的剥離強度。實施例1 6 除鎳濺鍍層形成10 nm，銅濺鍍層形成2〇〇 nm之外，採用 Μ只她例12相同的方法製造、評估印刷佈線板。以目視觀祭電路結果，空間部分的蝕刻不足。為求充分地蝕刻空間邵分需要進行30分鐘的蝕刻。所獲得之電路板的電路寬度因蝕刻而減少，尤其是電路上部呈圓形變細。實施例1 7 藉由磁控管DC濺鍍法，在厚度為12·5 之聚醯亞胺膜（叙淵化學工業（股份有限）製APIKaru HP)的一個面上形成20nm的鎳，繼續形成1〇nn^々銅薄膜，以獲得積層體。而後，以乾燥後之厚度為9//m的方式，在前述積層體之聚醯亞胺膜面上塗敷黏合劑溶液，在17(rc下乾燥2分鐘，形成黏合層，以獲得層間黏合膜。自銅箔為9 /zm之玻璃環氧貼銅積層板製造内層電路板，而後，藉由真空壓力機，在溫度為2〇(rc，熱板壓力為3 Mb ，加壓時間為2小時，真空條件為i尺以的條件下，在内層電路板上積層前述層間黏合膜，並予以硬化。藉由UV — YAG雷射在内層板之電極正上方開射達該電極之内徑為30#m的通路孔。繼續，在整個基板上進行無電解銅鍍。無電解鍍層的形成方法與實施例2相同。塗敷液狀感光性鍍光阻（JSR(股份有限）製，丁HB32〇p),在11〇。[下乾燥10分鐘，形成厚度為1〇 “❾的光阻層。光阻層上密合線/ -66-

1252871 A7 B7 五、發明説明（64 ) 空間為10/10 //m的玻璃掩模，以超高壓水銀燈之紫外線曝光機曝光1分鐘後，在顯像液（JSR(股份有限）製， PD523AD)内浸漬3分鐘，除去感光部分，形成線/空間為 10/10 //m的鍍光阻圖案。繼續，藉由硫酸銅鍍液在無電解銅鍍皮膜露出部分的表面形成厚度為1 0 // m的銅圖案。電解銅鍍係在1 0 %硫酸中預備洗淨30秒，而後在室溫下進行20分鐘銅鍍。電流密度為2 A/dm2，膜厚為 1 0 〇而後，使用丙酮剝離鍍光阻。繼續浸潰在MEC(股份有限）製蝕刻液（MECLIMBER NH — 1862)内浸潰5分鐘，除去電路以外部分之無電解銅鍍層/銅薄膜/鎳薄膜，以獲得印刷佈線板。所獲得之印刷佈線板具有大致如設計的線/空間，且無側方蝕刻。此外，在饋電層剥離部分藉由奥格分析測量有無殘留金屬，並未發現存在殘留金屬。且電路圖案強固地黏合。再者，於本實施例之蝕刻步驟中，實施與外部導通及蝕刻。此種情況下，在饋電層剝離部分藉由奥格分析測量有無殘留金屬，經浸潰在蝕刻液中約2分鐘，並未發現存在殘留金屬。實施例1 8 除藉由磁控管D C錢鍍法，形成10 nm的鎳，繼續形成5 0 nm 的銅薄膜之外，與實施例17同樣地，獲得印刷佈線板。所獲得之印刷佈線板具有大致如設計值的線/空間，且無側方 -67- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1252871

蝕刻。此外，在饋電層剝離部分藉由奥格分析測量有無殘留金屬，並未發現存在殘留金屬。且電路圖案強固地黏合。實施例1 9 除藉由磁控官DC濺鍍法，形成10 nm的鎳，繼續形成l〇〇的銅薄膜之外，與實施例17同樣地，獲得印刷佈線板。所獲知之印刷佈線板具有大致如設計值的線/空間，且無侧方蝕刻。此外，在饋電層剝離部分藉由奥格分析測量有無殘田金屬，並未發現存在殘留金屬。且電路圖案強固地黏合。實施例20 除藉由磁控管DC濺鍍法，形成1〇 nm的鎳一鉻合金，繼續形成10 nm的銅薄膜之外，與實施例17同樣地，獲得印刷佈線板。所獲得之印刷佈線板具有大致如設計值的線/空間，且無側方蝕刻。此外，在饋電層剝離部分藉由奥格分析測量有無殘留金屬’並未發現存在殘留金屬。且電路圖案強固地黏合。實施例2 1 除藉由磁控管DC濺鍍法，形成1〇 nm的鎳一鉻合金，繼續形成50 nm的銅薄膜之外，與實施例17同樣地，獲得印刷佈線板。所獲得之印刷佈線板具有大致如設計值的線/空間，且無側方蝕刻。此外，在饋電層剝離部分藉由奥格分析測量有無殘留金屬，並未發現存在殘留金屬。且電路圖案強固地黏合。比較例3 經由環氧系黏合劑，在厚度為12.5 之聚醯亞胺膜（商 -68 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 A7 B7

品名稱，APIKARUNPI，鍾淵化學工業（股份有限）製）的一個面上貼合厚度為18Vm的電解銅羯。並在該聚醯亞胺膜的另一面上，以乾燥後之厚度為9 之方式，使用凹版塗敷機k敷包含熱可塑性聚醯亞胺樹脂之黏合劑溶液，藉由乾燥以形成黏合層。藉此製成層間黏合膜。另外，自貼合有厚度為9 之銅箔的玻璃環氧貼銅積層板製成内層電路板。繼續，在該内層電路板之銅箔上貼: 前述層間黏合膜後，使用真空壓力機，藉由在]^^下加^ 、加壓2小時，使黏合層之熱可塑性聚醯亞胺樹脂熱熔著於銅箔上。而後，使用雷射光在層間黏合膜上進行開孔操作後，藉由無電解銅鍍及電解銅鍍形成厚度為33 的電解銅箔，並且使内層電路板之銅箔與層間黏合膜之電解銅箔導通。而後，藉由感光性乾膜光阻（商品名稱，SUNPtI0T0 AQ — 2536 ’、旭化成工業（股份有限）製）在層間黏合膜之電解銅箔上形成鍍光阻圖案後，在該電解銅箔上須形成電路圖案之部位，藉由電解銅鍍積層厚度為20/zm的銅膜（鍍層）。之後，剝離鍍光阻，藉由軟蝕刻除去電解鋼箔。但是，因側方蝕刻的影響造成電路圖案之寬度（線）不均一，並且發生多處短路處及斷線處。因此，無法獲得線/空間為3〇#m/3〇#m之微細電路圖案的多層印刷佈線板。比較例4 除藉由無電解銅鍍以取代採用濺鍍法，在聚醯亞胺膜的一個面上形成厚度為2 // m的銅薄膜之外，進行與實施例5 -69- 本紙張尺度適财Η Η家標準(CNS) A4規格(2lQ><297公釐) 1252871 A7 B7 五、發明説明（67 ) 相同的步驟，以形成多層印刷怖線板。但是，由於銅薄膜與聚醯亞胺膜的密合性差，該銅薄膜自聚醯亞胺膜剝離，無法形成電路圖案。比較例5 在90 °C溫度下，將環氧樹脂製之層間絕緣材料（味之素 FINETECHNO(股份有限）製ABF — SH— 9K)層壓在電路厚度為9/zm的FR4基板上，並在17〇°C下硬化30分鐘。以過錳酸法，藉由反拖尾處理將所獲得之積層體予以表面粗糙化後，經過實施例12之無電解鍍製程以後的步驟，製造、評估多層印刷佈線板。表面粗糙化後之樹脂表面的1 〇點平均粗度為3 · 〇 v m。所獲得之多層印刷佈線板因樹脂表面凹凸大以致電路寬度不穩定。此外，SEM觀察空間部分時，發現凹凸内存在鎳的 I虫刻殘渣。樹脂層與金屬層之密合強度為7.4 N/Cln。產業上利用可行性本發明即使藉由以乾式鍍法在高分子膜上形成金屬層A ，在表面平滑性佳的高分子表面仍可形成強固地黏合的配線電路。此外，由於密合性佳，因此可提高電性。再者，可使構成絕緣層之高分子膜的厚度較薄且均一。因此，使用該積層體製造印刷佈線板時，可製造黏合強度及形狀均佳的配、、泉％路，且可獲得絕緣電阻性亦佳的印刷佈線板。尤其適於形成線/空間在25 # m以下的高密度電路。此外，本發明藉由在前述積層體之高分子膜的另一方具有黏合層’可提供適於形成微細圖案之多層印刷佈線板用 -70- 1252871 五、發明説明（68 A7 B7

層間黏合膜。使用該積層體製造多層印刷佈線板時，與先前比較，由於可簡化製造步驟，因此可降低製造成本，並且使製品良率提高。藉此’可簡單且廉價地製造如形成有微細圖案，尤其是以半添加法形成有電路圖案的多層印刷佈線板。再者，本發明於除去第一金屬皮膜時，藉由使用選擇性蝕刻第一金屬皮膜的蝕刻劑，可獲得第二金屬皮膜之電路形狀佳的印刷佈線板。 -71 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims

8 8 8 8 A BCD

其中金屬層A係藉其中金屬層A具有及形成於該金屬層A1 其中金屬層A1之厚度其中金屬層A2之厚度其中金屬層A1及A2包其中金屬層A2係藉由其中金屬層A1及金 1252871 申請專利範圍 ι· 一種積層體，其係在高分子膜之至少一個面上具有厚度在1000 nm以下的金屬層A，該金屬層A係藉由錢鍍法、離子噴鍍法或CVD法所形成者。 2. —種積層體，其係在高分子膜之一個面上具有厚度在 1 000 nm以下的金屬層A ’在另一面上具有黏合層。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之積層體，其中金屬層a係藉由乾式鍍法形成。 4·如申請專利範圍第1或2項之積層體由離子1鐘法所形成之銅或銅合金 5.如申請專利範圍第1或2項之積層體 :接觸於高分子膜之金屬層A1 上的金屬層A2。 6 ·如申請專利範圍第5項之積層體為 2〜200 nm 〇 7·如申請專利範圍第5項之積層體為 10〜300 nm。 8.如申請專利範圍第5項之積層體含藉由兩種不同物理性方式所形士从μ上> a 刀八W市成的銅或銅合金。 9·如申請專利範圍第8項之積層髀領厲’其中金屬層A1係藉由離子喷鍍法所形成之銅或銅合金。 1 0 ·如申請專利範圍第8項之積層體 >賤鐘法所形成之銅或銅合金。 1 1.如申請專利範圍第5項之積層體層A2包含兩種不同金屬。本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2Ϊ0Χ297公gy

1252871 A A8 B8 C8 m. —_ _ 1)8 六、申請專利範i " — 12.如申叫專利範圍第n項之積層體，其中金屬層μ包含鎳或其合金，金屬層A2包含鋼或其合金。 1 3 ·如申叩專利範圍第丨丨項之積層體，其中金屬層a 1及金屬層A2係藉由濺鍍法所形成者。 14. 如申請專利範圍第n項之積層體，其中在金屬層幻與金屬層A2之界面不存在氧化物層。 15. 如申請專利範圍第丨或2項之積層體，其中高分子膜表面的10點平均粗度在3 # m以下。 16·如申請專利範圍第丨或2項之積層體，其中高分子膜表面 4介電常數在3.5以下，介質正切在〇〇2以下。 17·如申請專利範圍第丨或2項之積層體，其中高分子膜含非熱可塑性聚醯亞胺樹脂成分。 18·如申請專利範圍第2項之積層體，其中黏合層包含含熱可塑性聚醯亞胺樹脂的黏合劑。 19. 如申請專利範圍第2項之積層體，其中黏合層包含聚醯亞胺樹脂及熱硬化性樹脂。 20. 如申請專利範圍第丨或2項之積層體，其中在金屬層a上具有保護膜。 2 1.如申請專利範圍第丨或2項之積層體，其中金屬層a之剝離強度在5 N/cm以上。 22· —種印刷佈線板之製造方法，其特徵為：在高分子膜上，藉由半添加法形成以第一金屬皮膜與第二金屬皮膜形成圖業的印刷佈線板，且使用對第一金屬皮膜之蝕刻速度為對第二金屬皮膜之蝕刻速度丨〇倍以上的蝕刻劑。 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252871 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ' _ 23·如申請專利範圍第22項之印刷佈線板之製造方法，其中第一金屬皮膜係自包含鎳、鉻、鈦、鋁及錫群選出之至少一種或此等合金，第二金屬皮膜係銅或其合金。 24. —種印刷佈線板之製造方法，其係包含藉由賤鍍法、離子噴鍍法或CVD法在高分子膜之至少一個面上形成具有厚度在1000 nm以下之金屬層A，以形成具有金屬層A 之積層體之步驟；及使用該積層體以形成電路之步騾。 25. —種印刷佈線板之製造方法，其係包含在高分子膜之一個面上形成具有厚度在1000 nm以下的金屬層a,在另一面上形成有黏合層，以形成積層體之步驟；及使用該積層體以形成電路之步驟。 26·—種印刷佈線板之製造方法，其係包含藉由濺鍍法、離子噴鍍法或CVD法在高分子膜之至少一個面上形成具有厚度在1000 nm以下之金屬層A，以形成具有該金屬層 A之和層體之步驟；及在該積層體内形成貫穿孔後，進行無電解鍍之步驟。 27·—種印刷佈線板之製造方法，其係包含在高分子膜之一個面上形成具有厚度在1000 nm以下的金屬層A，在另一面上形成有黏合層，以形成積層體之步騾；及在申該積層體的黏合層上貼合導體强後，形成貫穿孔，並進行無電解鍍之步驟。 28· —種多層印刷佈線板之製造方法，其係包含在高分子膜、固面上元成具有厚度在1000 nm以下的金屬層A，在另面上形成有黏合層，以形成積層體之步驟；及使該 -3 - 令紙跟人紐鮮關冢辟(CNS) 撕公爱)_-- !252871 、申請專利範圍 Α8 Β8 C8 D8 %層體的黏合層與形成電路圖案之内層佈線板的電路相對’精由隨同加熱及/或加壓_之方法’將積層體與内層稀線板積層之步騾。 2 9 j,

裝 u申凊專利範圍第2 8項之多層印刷佈線板之製造方法 ’其中進一步包含··開孔步驟，其係自積層體之金屬層 A表面開孔至内層佈線板的電極；及面板鍍步驟，其係藉由無電解鍍實施。 3〇·如申請專利範圍第26項之印刷佈線板之製造方法，其中於形成貫穿孔後，進一步包含除膠渣處理步驟。 1 ·如申請專利範圍第27項之印刷佈線板之製造方法，其中於形成貫穿孔後，進一步包含除膠渣處理步驟。 η 32.如申請專利範圍第29項之多層印刷佈線板之製造方法其中於开）成貫穿孔後，進一步包含除膠渣處理步驟。 3 3.如申請專利範圍第3〇項之印刷佈線板之製造方法，其中除膠渣處理係乾式除膠渣處理。

34·如申請專利範圍第3 1項之印刷佈線板之製造方法，其中除膠渣處理係乾式除膠渣處理。 3 5 ·如申凊專利範圍第32項之多層印刷佈線板之製造方法 ’其中除膠渣處理係乾式除膠渣處理。 3 6 ·如申州專利範圍第2 9項之多層印刷佈線板之製造方法 ’其中進一步包含：光阻圖案形成步驟，其係藉由感光性鍍光阻形成，·電路圖案形成步驟，其係藉由電鍍形成丄光阻圖案剥離步驟；及除去步驟，其係藉由蝕刻除去藉由光阻圖案剝離而露出之無電解鍍層及金屬層A。 -4 1252871 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 37·如申請專利範圍第36項之多層印刷佈線板之製造方法，其中光阻圖案形成步驟係使用乾膜光阻實施。 3 8 ·如申請專利範圍第28項之多層印刷佈線板之製造方法 ’其中在10 kPa以下的減壓下積層積層體與内層佈線板。 39·如申請專利範圍第29項之多層印刷佈線板之製造方法 ’其中開孔加工步驟係藉由雷射鑽孔裝置實施。 A 之厚度和薄。 40·如申請專利範圍第36項之多層印刷佈線板之製造方、、，其中使用之姓刻液為··藉由電路形成用之電妒^，藉由光阻圖案剝離而露出之無電解鍍層與金屬展A除去各所需時間之電鍍層之蝕刻厚度比無電解鍍及:屬^，本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)