TWI249712B - Memory card and its manufacturing method - Google Patents

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1249712 A7 ___B7 五、發明説明（1 ) (發明所屬技術領域） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明關於電子裝置及其製造方法，例如卡內組裝 I C (積體電路）之內藏半導體元件（半導體晶片）之記 憶卡之製造適用之有效技術。 (習知技術） 數位相機或音響等之中之記憶媒體係使用s D R A Μ (S D 記憶卡）、Memory.Stick (商標名）、““（：卡（ Multi Media Card :商標名）等之記憶卡.該記憶卡之中， MMC卡之特徵爲厚度約1·4mm之薄卡。 又，日本申請第2000 -22802號揭示習知技 術之Μ M C卡之構造。 特開平8 - 1 5 6 4 7 0號公報揭示具備覆蓋I C模 組之主面上之卡片基板的I C卡。 (發明欲解決之問題） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S D R A Μ或Memory. Stick等記憶卡採用具備包含搭 載有半導體晶片之配線基板全體之殼體的構造，與之比較 MMC卡爲實現非常薄之構造而採具備覆蓋搭載有半導體 晶片之配線基板（C〇B封裝）之主面之杯狀塑膠殼體的 構造。 以下說明圖4 3、4 4所示Μ M C卡（記憶卡）之 C 〇 Β封裝。如圖4 4所示，記憶卡1，具備於一面搭載 多數半導體元件5之配線基板（基板）2，及覆蓋上述半 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -4 - 1249712 A7 B7 五、發明説明（2 ) 導體元件5等之塑膠殻體6〇。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 半導體元件5，係記憶晶片5 a，或控制該記憶晶片 5 a之控制晶片5 b被固定於基板2。基板2之配線僅圖 示一部分，半導體元件5之電極與配線藉由導線6做電連 接。基板2之之一面之半導體元件5或導線6等被以模塑 形成之絕緣性樹脂構成之封裝部3覆蓋。 於塑膠殼體6 0之一面設凹部7 0。該凹部7 0，係 由可收容基板2之淺凹部7 0 a，及可收容上述封裝部3 之深凹部7 0 b構成。於凹部底與基板2之間介由接著劑 71使基板2接著於塑膠殼體60之構造。又，圖4中 4 a係外部電極端子，4 g係測試電極。 但是，習知MMC卡之COB封裝中，如圖43、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 4所示係於主面上具備封裝半導體晶片之封裝部被形成 之鼓起部分，及於其周圍擴大之薄之基板部分的構造，覆 蓋COB封裝之主面的殻體，亦具備上述封裝部進入之深 凹部，及插入於封裝部周圍擴大之基板部分的淺凹部之構 造，成爲殼體與COB封裝之組裝工程中之問題，或完成 之記憶卡中之構造上之問題等產生之主要原因。 本發明目的在於提供便宜之電子裝置及其製造方法。 本發明另一目的在於提供便宜之記憶卡及其製造方法 〇 本發明之目的及特徵可由以下說明理解。 (解決問題之手段） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -5 - 1249712 Α7 Β7 五、發明説明（3 ) 本發明之代表性槪要可簡單說明如下。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (1 )具備第1面及成爲上述第1面之背面的第2面 之記憶卡，其特徵爲具備： 具主面及背面之配線基板； 形成於上述配線基板之背面上的多數外部電極端子； 形成於上述配線基板之主面上的多數配線； 配置於上述配線基板之主面上，介由上述多數配線電 連接上述多數外部電極端子的半導體元件；及 形成於上述配線基板之背面上，覆蓋上述半導體元件 之絕緣性樹脂構成之封裝部； 上述多數外部電極端子及上述配線基板之背面係露出 於上述記憶卡之第1面， 上述封裝部係露出於上述記憶卡之第2面。 此種記憶卡係依具備： (a )準備於主面上具單位基板區域，且於背面上具 多數外部電極端子之配線基板的工程； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (b )於上述單位基板區域配置半導體晶片，令上述 半導體晶片電連接上述多數外部電極端子的工程； (c )於上述單位基板區域、及其周圍之配線基板之 主面上，形成用於封裝上述半導體晶片之封裝體的工程； (d )令上述封裝體及上述配線基板，於上述單位基 板區域與其周圍之間同時切斷，俾形成由上述單位基板區 域之配線基板、單位基板區域上之封裝部、半導體晶片及 多數外部電極端子構成之切片部的工程； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(210>^97公釐） -6- 1249712 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (e )準備具有凹部之殼體的工程；及 (f )於上述凹部之底部，接著上述封裝部，令上述 切片部固定於上述凹部之內部的工程之製造方法製造。 (發明之實施形態） 以下依圖面說明本發明之實施形態。又，實施形態說 明之全圖中，具備冋一機能者附加同一符號並省略其重複 說明。 (實施形態1 ) 本實施形態1之電子裝置，係以構成記憶晶片之1至 多數半導體元件搭載於基板之同時，搭載有控制上述記憶 晶片之控制晶片的記憶卡適用本發明之例做說明。作爲記 憶晶片之半導體元件，係例如搭載快閃記憶體〔Flash Memory EEPROM(Electrically Programable Read On Memory) 〕，構成例如3 2MB或6 4MB之大容量MMC卡。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1至1 0戲本發明實施形態1之記憶卡之圖。圖1 - 4係記憶卡之外觀及其斷面構造圖。圖5 - 1 0係記憶 卡製造之圖。 本實施形態之記憶卡1，其外觀如圖3及4所示，由 四角形之基板2，及黏貼於該基板2之一面（例如第2面 2 b )而形成之封裝部3構成。封裝部3係由傳遞模塑法 形成，於基板2之第2面2 b全區域以均一厚度形成，封 裝部3例如以環氧樹脂形成。 基板2之尺寸，例如爲長32mm、寬24mm、厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1249712 A7 B7 五、發明説明（5 ) 度1 . 4 m m，基板2之厚度爲〇 . 6 m m。因此，封裝 部3之厚度形成爲0 · 8mm。 基板2，係由例如玻璃環氧樹脂配線板構成，於表背 面、及內面均形成配線4。於成爲第2面之背面的第1面 2 a藉由配線4設置電極4 a。該電極4 a，係沿基板2 之一邊並列配置，成爲記憶卡1之外部電極端子4 a。亦 即，例如當記憶卡1插入數位相機之插槽時，上述外部電 極端子4 a與插槽內之電極端子接觸。 該外部電極端子4 a，係介由貫通基板2之貫通孔內 塡充之配線構成之導體4 b電連接第2面之配線4。 於基板2之第1面2 a，固定半導體元件5。該半導 體兀件5介由接著劑（未圖示）固定於基板2。於基板2 之第2面2 b上形成上述配線時，以該配線材料形成元件 搭載電極，於該元件搭載電極上介由接著劑形成半導體元 件5亦可。 半導體元件5，例如記憶晶片5 a，及控制該記憶晶 片5 a之控制晶片5 b被固定於基板2。於半導體元件5 之上面攝影體電極（未圖示）。該電極與延伸於半導體元 件5之周圍的特定配線4係以導線6電連接。導線6，例 如可使用金線。 記憶卡1，係於基板2之第2面2 b搭載半導體元件 5，以封裝部3覆蓋第2面2 b之構造所構成，亦即所謂 C〇B封裝構造。 又，封裝部3係以傳遞模塑法形成，該傳遞模塑法時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ^—-------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 1249712 A7 B7 五、發明説明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，如圖3所示，圓弧斷面之溝7係沿設置外部電極端子 4 a之端之相反側之短邊而設。該溝7，係記憶卡丨插入 插槽後記憶卡1拔出時使用之拔出用溝。亦即，記憶卡1 使用後，使用者以指尖或指爪勾住溝7之緣不即可容易由 插槽拔出記憶卡1。 又，插入插槽之前端之1端於斜面設切口形成方向部 辨識部8。於封裝部3之平坦表面黏貼記載記憶卡1之機 能或製品內容之標籤9。 以下參照圖5 - 1 0說明本實施形態1之記憶卡1之 製造方法。圖5 ( a ) -（ f )係記憶卡之製程狀態之斷 面圖。（a )爲準備矩陣狀基板，（b )爲晶片接合，（ c )爲模塑，（d ) ( e )爲矩陣狀基板分離，（f )爲 方向部辨識部形成之圖。 首先，如圖6及7所示，準備矩陣狀基板2 f。圖6 係矩陣狀基板2 f反過來看之圖，亦即矩陣狀基板2 f之 底面圖，圖7係矩陣狀基板2 f之模式正面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 矩陣狀基板2 f，係由玻璃環氧樹脂配線板形成之同 時，縱橫形成單位基板區域1 5。圖中虛線框所示各部爲 單位基板區域1 5，爲基板2之構造。於矩陣狀基板2 f 之各單位基板區域1 5搭載半導體元件，且進行特定部分 之導線接合，藉由傳遞模塑法形成模塑體覆蓋全部單位基 板區域1 5之後，沿虛線切斷矩陣狀基板2 f及模塑體依 各單位基板區域1 5施以分離而製造多數之記憶卡1。 本實施形態1之中，使用具備3列5行、合計1 5個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 1249712 A7 B7 五、發明説明（7 ) 單位基板區域1 5之矩陣狀基板2 f。各單位基板區域 1 5之構造，爲已經說明之基板2之構造。因此，矩陣狀 基板2 f之厚度爲0 . 8mm，單位基板區域1 5之尺寸 爲長3 2mm '寬2 4mm之長方形。圖6表示第1面 2 a，故表現出各單位基板區域1 5之外部電極端子4 a 〇 又，於單位基板區域15之一隅藉衝孔形成貫通孔 1 1 6。貫通孔1 6爲直角三角形，其斜面部分形成記憶 卡1之方向部辨識部8。 矩陣狀基板2 f，雖未特別限定，可爲多層構造之玻 璃環氧樹脂配線板。單位基板區域1 5爲上述基板2，故 於表背面、以及內部均形成配線，此處，各配線被省略。 針對上述矩陣狀基板2 f，如圖5 ( b )及圖8所示 進行晶片接合以固定半導體元件5。半導體元件5，其記 憶晶片5 a，及控制記憶晶片5 a之控制晶片5 b被固定 。半導體元件5，係介由接著劑（未圖示）固定於矩陣狀 基板2 f。又，於矩陣狀基板2 f之第2面2 b上形成配 線時，以該配線材料形成元件搭載電極，於該元件搭載電 極上介由接著劑形成半導體元件亦可。於搭載之半導體元 件5之表面設電極（未圖示）。半導體元件5之厚度約 0 . 2 8 m m 〇 之後，如圖8所示，令各半導體元件5之電極1 8與 矩陣狀基板2 f表面之配線部分之導線接合電極4 c以導 線6連接。導線6，例如由直徑約2 7 u m之金線構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1----------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1249712 A7 B7 五、發明説明（8 ) 連接半導體兀件5與配線之導線6之高度控制爲較低，可 以次一工程形成之模塑體確實覆蓋。半導體元件5之電極 1 8與配線之連接手段亦可爲其他構成。 之後，如圖5 ( c )所示，藉傳遞模塑法於矩陣狀基 板2 f之第2面2 b形成一定厚度之模塑體3a (封裝部 3 )。模塑體3 a，例如由環氧樹脂形成爲厚度（高度） 0 · 6 u m。圖9係於矩陣狀基板之一面形成模塑體之狀 態之模式斷面圖。圖1 0係模塑時之樹脂之供給狀態由下 面側看時之模式說明圖。 如圖9所示，令導線接合完成之矩陣狀基板2 f合模 於金屬模2 0之下模2 1與上模2 2之間，於下模2 1設 置之澆口 2 3內放入樹脂片劑經由組裝於下模2 1或上模 2 2之加熱器（未圖示）溶融之樹脂2 4，因柱塞2 5之 上拉而被送至設於上模2 2之鉤槽2 6內。如圖1 0所示 由鉤槽2 6延伸流道2 7。該流道2 7介由湯口 2 9連接 下模2 1與上模2 2之合模形成之模穴2 8。模穴2 8形 成包含矩陣狀基板2 f之全單位基板區域1 5之尺寸。 實施形態1之金屬模2 0，設有2個繞口 2 3，由钩 槽2 6分別延伸2個流道2 7，連通於單一之模穴2 8。 又，於模穴2 8設排氣口 3 0俾將被注入模穴2 8內之樹 脂2 4所壓出之空氣導引至模穴2 8外。又，於上模2 2 設突條3 1俾形成記憶卡1之溝7。 因此，如突9所示，藉金屬模2 0之合模保持矩陣狀 基板2 f之後，於澆口 2 3內分別注入預備加熱用之樹脂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） Ί----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1249712 A7 B7 五、發明説明（9 ) 片劑之同時，以柱塞2 5上拉使溶融樹脂2 4注入模穴 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 8內，形成圖5 ( c )所示模塑體3 a (封裝部3 )。 圖5 ( c )係由金屬模2 0取出之矩陣狀基板2 f之斷面 圖。 之後，如圖5 (d) 、 （e)所示，於切片裝置之平 台3 5上使用之後容易除去之接著劑3 3固定，之後以旋 轉之切刀3 6 (例如厚度2 0 0 u m )將矩陣狀基板2 f 縱橫切斷。圖5 ( d ) 、（ e )係矩陣狀基板2 f於橫方 向（記憶卡1之寬度方向）切斷之狀態。橫方向切斷後， 令平台3 5旋轉9 0度之後，進行縱方向（記憶卡1之長 度方向）之切斷。依此則於基板2之第2面2 b覆蓋有封 裝部3之構造之記憶卡1略成形。切斷係使用圖示之χ片 切刀3 6進行之方法，或使用隔開特定間隔之多數片切刀 3 6切斷特定去或全區域之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後，令成爲長方形之1隅，亦即，矩陣狀基板2 f 之狀態設有貫通孔1 6之封裝部部分沿方向部辨識部8切 斷，製造附加有圖5 ( f )所示方向部辨識部（指標）8 之記憶卡1。隅該記憶卡1之基板2之第2面2 b黏貼標 籤9製成可使用之記憶卡1。 模塑體3 a (封裝部3 )之切斷，亦即單位基板區域 1 5之分離，可以切刀以外之切斷方法進行。例如可令端 銑刀之旋轉之剪斷刀，如圖1 1之箭頭3 7所示沿製品之 記憶卡之輪廓線移動以切斷模塑體3 a及矩陣狀基板2 f 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 1249712 A7 B7 五、發明説明（10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，亦可藉端銑刀之切斷形成記憶卡1之方向部辨 識部（指標）8。又，端銑刀之切斷，和畫線切斷之情況 比較，例如方向部辨識部（指標）8之加工等、鄰接之記 憶卡1之圖型與直線未連接之部分亦可於記憶卡1之切片 工程同時切斷。 依實施形態1可得以下效果。 (1 )於矩陣狀基板2 f之一面之各單位基板區域 1 5搭載特定之半導體元件5之後，一齊進行模塑之後， 模塑體3 a與矩陣狀基板2 f可同時進行縱橫切斷製造電 子裝置（記憶卡），和習知此種製品之製程比較可減少工 程數，達成電子裝置（記憶卡）之成本降低。 (2 )於不具殼體之構造之記憶卡1，於基板上可搭 載半導體元件之區域變大，且模塑樹脂之厚度亦變大，因 此，更大尺寸之半導體元件5之搭載爲可能之同時，半導 體元件5之積層容易。因此，記憶卡1之高機能化、大容 量化爲可能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (3 )具配線之基板2可爲構成封裝之一部分，且露 出之基板2之一面上設置之電極4 a可直接作爲電子裝置 (記憶卡）之外部電極端子4 a。 (實施形態2 ) 圖1 2係本發明另一實施形態（實施形態2 )之記憶 卡之模式斷面圖。實施形態2，係於上述實施形態1，如 圖12所示，將基板2之半導體元件5被固定之兀件固定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210、乂297公釐） -13- 1249712 A7 B7 五、發明説明（11) 區域構成凹陷一段之凹部4 0之同時，於固定於該凹部之 底部之半導體元件5之上再固定半導體元件5之構造。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上段之半導體元件5，電極需連接基板2之配線， 故使下段之半導體元件之電極露出般偏移上段之半導體兀 件5而重疊固定之。晶片接合後，各丰導體兀件5之電極 ，藉由導線6連接於基板2之配線4。連接導線6之配線 4 (導顯接合電極），係和圖1 2不同，可配置於固定半 導體元件5之凹部4 0之底部。 實施形態2，係於基板2固定之半導體元件5之上再 重疊1段以上固定半導體元件5者。藉由半導體元件5之 多段搭載可達成記憶卡1 (電子裝置）之高機能化。又， 令半導體元件之記憶晶片以多段搭載可達成記憶體之大容 量化。 (實施形態3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 3 — 1 6係本發明另一實施形態（.實施形態3 ) 之記憶卡。圖1 3係記憶卡之反過來狀態之斜視圖，圖 1 4係記憶卡反過來狀態之模式斷面圖。 實施形態3係於基板表面或背面，亦即第1面和第2 面設置端部至端部之寬幅之溝，於該溝底固定半導體元件 之同時，以導線連接半導體元件之電極與配線，且埋入溝 般以絕緣性樹脂予以塞住。溝係沿基板第1面配列之外部 電極端子之配列方向設置。埋入溝之絕緣性樹脂構成之封 裝部係藉傳送形成，該形成係使由溝之一端流至另一端地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 1249712 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 形成。此和實施形態1之情況相同，將1片矩陣狀縱橫分 割同時製造多數記憶卡。一端連接半導體元件之電極的配 線，不僅第1面或第2面，配置於溝底亦可。又，以下之 圖中，導線接合用之配線有使用省略一部分之圖予以說明 之情況。 實施形態3之記憶卡1，如圖1 3及1 4所示，和實 施形態1之記憶卡1不同，於第2面2 b未設置封裝部， 於設由外部電極端子4 a之第1面2 a側設置封裝部3 c 。封裝部3 c，係以埋入設於第1面2 a之溝4 5而形成 之絕緣性樹脂形成。溝4 5，係沿外部電極端子4 a之配 列方向，且於基板2之全長（全寬）設置。 封裝部3 c，係藉傳遞模塑法形成之同時，如後述與 矩陣狀基板之切斷同時被切斷，封裝部3 c之上面由模塑 用金屬模具之平坦面界定而呈平坦之同時，上述模塑用金 屬模具之平坦面塞住溝4 5之同時，接觸溝4 5之兩側之 第1面2 a，因此封裝部3 c之平坦表面與第1面2 a位 於略同一平面上。又，出現於封裝部3 c之溝4 5之端的 側面，係於矩陣狀基板切斷時以畫線刀片同時切斷形成， 因此基板2之側面與封裝部3 c之側面亦位於同一平面上 〇 於封裝部3 C內，和實施形態1同樣固定作爲半導體 元件5之記憶晶片5 a或控制晶片5 b，且半導體元件5 之電極與基板2之配線介由導線6電連接。 本實施形態1之記憶卡1，其外形和實施形態爲同一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -15- 1249712 A7 B7 五、發明説明（13) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尺寸，但於基板2之第1面2 a設溝4 5，於溝4 5之底 部固定半導體元件5，成爲以封裝部3 c覆蓋之構造，基 板2之厚度和實施形態1之情況比較變厚，但於基板2之 第2面2 b不設封裝部，故全體厚度可構成較薄，基板2 之厚度，例如可爲〇 . 8 m m。溝4 5之深度例如爲 0 _ 6 m m。因此，可達成記憶卡1之薄型化。 實施形態3，亦和實施形態2同樣，適用採用令基板 2之元件固定區域凹陷一段，於其凹部之底部固定半導體 元件之構造，或於半導體元件之上令半導體元件重疊搭載 1段以上之多段搭載構造，和實施形態1同樣可達成高機 能化，大容量化，及薄型化。 本實施形態3之記憶卡1係藉以下製造方法製造。圖 1 5係記憶卡製造使用之矩陣狀基板之底面圖，圖1 6係 記憶卡各製程之狀態斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於實施形態3之記憶卡之製造中，和實施形態1同樣 使用矩陣狀基板，但不同點在於該矩陣狀基板2 g，如圖 1 5及1 6 ( a )所示於第1面2 a設溝4 5。矩陣狀基 板2 g以3行5列設置單位基板區域1 5，溝4 5係沿列 方向，亦即沿並列1列之外部電極端子4 a之配列方向， 橫切單位基板區域1 5般設置3條。因此，於各單位基板 區域1 5，於溝4 5兩側存在第1面2 a。矩陣狀基板 2忌，其厚度爲〇.8 111111，溝4 5之深度爲〇.6 111111 〇 製造記憶卡1時，如圖1 6 ( a )所示，準備具溝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 1249712 A7 B7 五、發明説明（14) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 5之矩陣狀基板2 g之後，如圖1 6 ( b )所示，於各 單位基板區域1 5之溝4 5之底部使用接著劑（銀糊等， 未圖示）固定半導體元件5。半導體元件5，係固定記憶 晶片5 a，及控制記憶晶片5 a之控制晶片5 b。 之後，如圖16 (b)所示，令各半導體元件5之電 極（未圖示）與矩陣狀基板2 f之表面之配線（導線接合 電極，未圖示）以導線6接合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後，如圖1 6 ( c )所示，藉傳遞模塑法使矩陣狀 基板2 g之第1面2 a上設置之溝4 5之部分由絕緣性樹 脂構成之模塑體3 a塞住，藉該模塑體3 a覆蓋半導體元 件5或導線6。於該傳遞模塑法，和實施形態1同樣於傳 遞模塑進行封裝（模塑），但模具之一方，例如上模之分 割面爲平坦之面，使該平坦之面塞住溝4 5般接觸矩陣狀 基板2 f之第1面2 a。因此，由3條各溝4 5之一端側 送入樹脂。樹脂沿該溝4 5，完全塞住5個單位基板區域 1 5之溝4 5之部分。結果，封裝部3 c成爲均一厚度（ 高度）之同時，該平坦表面與第1面2 a位於略同一平面 上。 之後，如圖1 6 ( d )所示，於畫線裝置之平台3 5 上使用接著劑3 3固定矩陣狀基板2 g之後，以旋轉之畫 線刀片3 6縱橫切斷矩陣狀基板2 g。圖1 6 ( d )係矩 陣狀基板2 g於橫方向（記憶卡1之寬度方向）切斷之狀 態，橫方向切斷終了後，令平台3 5做9 0度旋轉之後， 如圖1 6 ( e )所示進行縱方向（記憶卡1之長度方向） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1249712 A7 B7 五、發明説明（16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 c之空間區域5 〇所露出之溝底以面朝下接合方式固定 半導體元件5之構成。例如圖2 0所示，令具備半導體元 件5之電極5 1之面面對溝底，於溝底設置之接合電極 5 2介由焊錫等接合材5 3對各電極5 1進行電氣，及機 械連接，或如2 1所示，於溝底與半導體元件5之間介由 異方性導電接著劑5 5將半導體元件5之電極5 1以電氣 及機械方式固定於溝底之接合電極5 2。 圖2 0所示於接合電極5 2介由接合材5 3固定電極 5 1之構造，係於溝底與半導體元件5之間塡充絕緣性樹 脂（under-fill resin,未塡滿樹脂）形成未塡滿層（underfill ) 54， 俾使水分或異物 不會進入溝底與半導體元件 5 之間。使用圖2 1所示異方性導電接著劑5 5，係令異方 性導電接著劑5 5於半導體元件5之電極5 1與接合電極 5 2之間壓縮使異方性導電接著劑5 5中之導電粒子互相 接觸使電極5 1與接合電極5 2做電連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 7 - 1 9係使用異方性導電接著劑5 5之情況。 又，雖未特別限制，本實施形態中，封裝部3 c覆蓋之半 導體7C件5設爲控制晶片5 b，以面朝下接合方式搭載之 半導體元件5設爲記憶晶片5 a。 又，本實施形態中，露出空間區域5 0外側之半導體 元件5之表面，係構成不由溝4 5之緣部之面，亦即第1 面2 a朝外側突出。例如，半導體元件5之表面位於與基 板2之表面（第1面2 a )同一平面上。此乃爲使記憶卡 1插入插槽時不致被卡住。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1249712 A7 B7 五、發明説明（18) (實施形態5 ) 圖2 2及2 3係本發明另一實施形態（實施形態4 ) 之記憶卡。圖2 2係記憶卡之反過來狀態之斷面圖。圖 2 3係記憶卡之底面圖。 實施形態5之記憶卡1，如圖2 2所示，係於基板2 之表背面，亦即第1面2 a及第2面2 b分別搭載半導體 元件5之同時以封裝部3、3 c覆蓋之構造，又，於第1 面2 a及第2面2b，於半導體元件5上固定尺寸較半導 體元件5小的半導體元件5，均以導線6電連接各電極與 各配線（未圖示）。亦即，實施形態5係將實施形態1與 實施形態3合倂之構成。 實施形態5之記憶卡1之製造中，如實施形態3之圖 1 5所示使用具溝4 5之矩陣狀基板2 g，但於溝底搭載 2段重疊之半導體元件5，故溝4 5之深度變深，矩陣狀 基板2 g之厚度亦變厚。 於上述矩陣狀基板（未圖示），最初於各單位基板區 域之溝底固定特定數之半導體元件5。又，於各單位基板 區域之矩陣狀基板之第2面2 b亦固定特定數之半導體元 件5。此例中，於矩陣狀基板固定半導體元件5之後，於 該半導體元件5上重疊固定尺寸較小之半導體元件5。該 固定時使下段之半導體元件5之電極露出般進行半導體元 件5之固定。 之後，以導線6進行各半導體元件5之電極與配線之 電連接。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 1249712 A7 ___ B7 五、發明説明（19) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，塞住溝4 5般埋入絕緣性樹脂形成覆蓋半導體 元件5及導線6之模塑體之同時，於第2面2 b全區域以 絕緣性樹脂形成模塑體俾覆蓋第2面2 b上之半導體元件 5及導線6。該2模塑體係藉傳遞模塑法使用模具同時形 成。 之後，對矩陣狀基板施以縱橫切斷使矩陣狀基板依每 一單位基板區域分離，而且對一隅施以斜向切斷形成方向 部辨識部8，製造圖2 3及2 2所示多數記憶卡1。 依實施形態5，於基板2之表背面分別搭載半導體元 件，可達成記憶卡1之高機能化，大容量化。又，實施形 態5，係於半導體元件5上固定半導體元件之多段搭載構 造，更能達成高機能化及大容量化。 (實施形態6 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施形態6 -實施形態9之記憶卡，係於實施形態1 及實施形態3 - 5之記憶卡之製造時，令進行矩陣狀基板 之縱橫切斷，形成方向部辨識部之切斷之前之C〇B封裝 ，嵌入接著、固定於塑膠製殼體之構成。構成C ◦ B封裝 之基板之一面上設置之外部電極端子以露出狀態收容於殼 體，上述外部電極端子用作爲記憶卡之外部電極端子。又 ，長方形塑膠製殼體之一隅設有斜向延伸之方向部辨識部 。該方向部辨識部可爲其他形狀（構造）° 圖2 4 - 2 7本發明實施形態6之記憶卡。圖2 4係 記憶卡之反過來狀態之斜視圖。圖2 5係記憶卡之反過來 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2’10Χ297公釐1 ""一" -22- 1249712 A7 _____ B7 五、發明説明（20) 狀態之斷面圖。圖2 6係記憶卡之製程狀態之斷面圖。圖 2 7係記憶卡製造時於殼體安裝C〇B封裝之狀態斜視圖 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 貫施形態6之記憶卡1，如圖2 7所示，於塑膠形成 之塑膠殼體6 0之收容凹部6 2嵌入COB封裝6 1 a， 如圖2 5所示，C ◦ B封裝6 1 a以接著劑6 3接著之構 造。記憶卡1，係在構成C Ο B封裝6 1 a之基板2之一 面設置之外部電極端子4 a露出之狀態，C〇B封裝 6 1 a收容於塑膠殼體6 0之構造，外部電極端子4 a作 爲記憶卡1之外部電極端子使用之構造。 亦即，實施形態6之記憶卡1，係於塑膠製殼體收容 實施形態1形成之C〇B封裝之構造。實施形態1之中， 在模塑後縱橫切斷矩陣狀基板，之後，進行切斷形成方向 部辨識部以製造記憶卡1，但本實施形態中，縱橫切斷矩 陣狀基板製造四角形C 0 B封裝之後，將該C 0 B封裝嵌 入、接著於殼體6 0以製造記憶卡1。又，於殼體6 0之 角設有斜向切斷之方向部辨識部8。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 殼體6 0，係以樹脂（例如P P E : ρ ο 1 y p h e n y 1 e t h e r ) 形成，於一面具備嵌入COB封裝6 1 a之收容凹部6 2 之單純構造。因此，成形成本便宜。 殼體6 0之外形尺寸，例如爲縱（長）3 2 m m。橫 (寬）24mm、厚度1·4mm。因此，C〇B封裝 6 1 a之外形尺寸，需嵌入上述殼體6 0之收容凹部6 2 之故，而爲縱（長）2 8 m m、橫（寬）1 9 m m、厚度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x 297公釐） -23- 1249712 A7 B7 五、發明説明（21) 〇 _ 8 mm。殼體60之凹底之板厚度爲0 · 5 mm。構 封裝6 1 a之基板2之厚度爲0 · 2 1mm。 以下參照圖2 6 ( a ) —（ d )說明C〇B封裝 6 1 a之製造。製程大多數和實施形態1相同故簡單說明 之° ® 2 6 ( a ) -（ d )係C〇B封裝之各製程狀態之 _ ® ®。（ a )爲準備矩陣狀基板，（b )爲晶片接合及 導線接合，（c )爲模塑，（d )爲矩陣狀基板分離。 δ口圖2 6 ( a )所示，實施形態6之記憶卡1製造時 ，和實施形態1同樣使用矩陣狀基板2 f。但是，實施形 態6之矩陣狀基板之單位基板區域1 5之尺寸爲例如長 28mm、寬19mm、厚度〇 . 2 1mm，爲嵌入殼體 6 〇之構造，小於實施形態1之情況。 之後，如圖2 6 ( b )所示，於矩陣狀基板2 f之第 2面2 b進行晶片接合，固定作爲半導體元件5之記憶晶 片5 a及控制晶片5 b。 之後，如圖2 6 ( b )所示，以導線6連接各半導體 元件5之電極與矩陣狀基板2 f之表面配線（導線接合電 極）。 之後，如圖2 6 ( c )所示，以常用之傳遞模塑法於 矩陣狀基板2 f之第2面2 b形成模塑體3 a。 之後，如H2 6 (d)所不，以畫線裝置（未圖示） 縱橫切斷矩陣狀基板2 f，形成包含單位基板區域1 5之 C〇B封裝6 1 a。 之後，如圖2 7所示，於外部電極端子4 a露出狀態 本7氏張尺度適用巾關家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡) — -24- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) k衣- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249712 A7 B7 五、發明説明（22) 下令COB封裝6 1 a嵌入殼體6 0介由接著劑予以固定 ，製造圖2 4及2 5所示記憶卡1。 圖4 3、4 4之習知構造之C〇b封裝，形成封裝部 3時，會因封裝樹脂之硬化時之體積變形，導致塑膠殼體 6 0與C 0 B封裝之間之間隙部分之體積變形。上述殼體 6 0與C 0 B封裝之間之間隙部分之變化，成爲殼體6 〇 與COB封裝之接著不良之原因。又，若爲確保殼體6〇 與COB封裝之間之接著，而將殻體6〇與c〇B封裝之 間之間隙部分構成較大，而供給之接著劑之量預先設爲較 多時，接著劑將溢出。 和其比較，實施形態6之記憶卡1，在封裝樹脂2 4 之硬化反應後，以畫線分割，故配線基板2之平面方向之 尺寸不受封裝樹脂2 4之硬化反應引起之體積變化影響， 尺寸精確度可提升。因此，特別於平面方向可減少殼體 6 0之收容凹部6 2與C〇B封裝6 1 a之間之間隙部分 。又，如上述藉由使C〇B封裝6 1 a之側面，與收容凹 部6 2之側面之間之間隙部分變窄，則即使介由低成本之 糊狀接著劑接著C〇B封裝6 1 a與殻體6 0之情況下， 亦可防止接著劑之溢出。 又，圖4 3、44之習知構造之C〇B封裝，藉由傳 遞模塑法以個別封裝形成封裝部時，於封裝部周圍之基板 上，樹脂注入湯口，或樹脂注入路之流道、或模穴之排氣 口被配置於各裝置區域之配線基板上，於該部分有可能殘 留不要之樹脂鬚。該樹脂鬚成爲殼體與C 0 B封裝之接著 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） — IL------9^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 1249712 A7 B7 五、發明説明（23) 不良，或基板浮起、傾斜之原因。又，若爲防止此種樹脂 鬚引起之不良，確保殻體與C〇B封裝之間之間隙部分之 餘裕度，將該部分供給之接著劑之量預先設爲較多，則接 著劑將溢出。‘ 與之比較，實施形態6之記憶卡1，湯口 2 9、流道 2 7、排氣口 3 0等部分被配置於c〇B封裝6 1 a之部 分之外側，以畫線予以分離，故可堵住樹脂鬚之發生，殼 體6 0之間之間隙部分可設爲較窄。 又，圖4 3、4 4之習知構造之c〇B封裝，形成封 裝部之工程，採用接合法之個別封裝之情況下，接合法引 起之封裝部形狀之變形存在。此種形狀變形成爲殼體與 C〇B封裝之間接著不良之原因。又，若爲確保殼體與 C〇B封裝之間之接著，將該部分供給之接著劑之量預先 設爲較多，則接著劑將溢出。 與之比較，實施形態6之記憶卡1，即使採用模塑體 3 a周緣部之形狀控制困難之接合法，亦可以將多數裝置 區域同時封裝之後，以畫線分割周緣部與C ◦ B封裝 6 1 a，可減少形狀變形，可良好進行殼體6 0與C〇B 封裝6 1 a之接著。 又，圖4 3、44之習知構造之C〇B封裝，擴大至 封裝部周圍之薄基板部分之強度低，記憶卡使用時發生剝 離之可能性高。爲防止此種剝離需進行上述基板部分之接 著，但對具凹凸之殼體之收容凹部之周緣部供給接著劑或 接著捲大乃困難者，或者糊狀接著劑之潤溼、擴張控制困 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 1249712 A7 B7 五、發明説明（24) 難。 與之比較，實施形態6之記憶卡1，於構成C〇B封 裝6 1 a之基板2之第2面2 b之周緣部亦形成封裝部3 ，C〇B封裝6 1 a之周緣部強度變高，可防止記憶卡1 使用時之剝離。 又，實施形態6之記憶卡1，於殼體6 0之收容凹部 6 2不具較大之凹凸，接著劑、接著捲帶之供給容易，糊 狀接著劑之潤溼、擴張控制容易。 又，實施形態6之記憶卡1，使用時之剝離發生芝可 能性減低，可採用僅於C〇B封裝6 1 a之主要之中央部 介由糊狀接著劑/接著捲帶接著殻體6 0，C Ο B封裝 6 1 a之周緣部或側壁部與殼體6 0不接著之構造。特別 是與殼體6 0之接著採用糊狀接著劑之情況下，因不與中 心線6 a之周緣部或側壁部接著，接著劑溢出之可能性更 降低。 (實施形態7 ) 圖2 8 - 3 1本發明實施形態7之記憶卡。圖2 8係 記憶卡之反過來狀態之斜視圖。圖2 9係記憶卡之反過來 狀態之斷面圖。圖3 0係記憶卡之製程狀態之斷面圖。圖 3 1係記憶卡製造時於殼體安裝C ◦ B封裝之狀態斜視圖 〇 實施形態7之記憶卡1，如圖3 1所示，於塑膠形成 之塑膠殻體6 0之收容凹部6 2嵌入COB封裝6 1 b， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----一-------^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 1249712 A7 B7 五、發明説明（25) 如圖2 9所示，C〇B封裝6 1 b以接著劑6 3接著之構 造。記憶卡1，係在構成C〇B封裝6 1 b之基板2之一 面設置之外部電極端子4 a露出之狀態，C〇B封裝 6 1 b被收容於塑膠殼體6 0之構造，外部電極端子4 a 作爲記憶卡1之外部電極端子使用之構造（參照圖2 8 ) 〇 亦即，實施形態7之記憶卡1，係於塑膠製殼體收容 竇施形態3形成之C〇B封裝之構造。實施形態3之中， 在模塑後縱橫切斷矩陣狀基板，之後，進行切斷形成方向 部辨識部以製造記憶卡1，但本實施形態中，縱橫切斷矩 陣狀基板製造四角形C〇B封裝6 1 b之後，將該c〇B 封裝6 1 b嵌入、接著於和實施形態6同樣之殼體6 0以 製造記憶卡1。 因此，實施形態7可獲得和實施形態3之效果之一部 分之同時，和實施形態6同樣C〇B封裝6 1 b之封裝部 3收容於殼體，可得堅固、便宜之記憶卡1。 以下參照圖3 0 ( a ) -（ e )簡單說明C〇B封裝 6 1 b之製造。圖3 0 ( a ) -（ e )係C ◦ B封裝之各 製程狀態之斷面圖。（a )爲準備矩陣狀基板，（b )爲 晶片接合及導線接合，（c )爲模塑，（d ) 、（ e )爲 矩陣狀基板分離。 如圖3 0 ( a )所示，實施形態6之記憶卡1製造時 ，和實施形態3同樣使用具備溝4 5之矩陣狀基板2 g。 但是，實施形態7之矩陣狀基板之單位基板區域1 5之尺 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝_ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 1249712 A7 B7 五、發明説明（26) 寸爲例如長2 8 m m、寬1 9 m m、厚度〇 · 8 m m，爲 嵌入殼體6 0之構造，小於實施形態1之情況。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，如圖3 0 ( b )所示，於矩陣狀基板2 g之第 1面2 a設置之溝4 5之溝底進行晶片接合，固定作爲半 導體元件5之記憶晶片5 a及控制晶片5 b。 之後，如圖3 0 ( b )所示，以導線6連接各半導體 元件5之電極與矩陣狀基板2 g之表面配線（未圖示）。 之後，如圖3 0 ( c )所示，和實施形態3同樣以傳 遞模塑法形成塞住矩陣狀基板2 g之第1面2 a上形成之 溝45之模塑體3a。 之後，如圖3 0 ( d )所示，於畫線裝置（未圖示） 之平台3 5上介由接著劑3 3固定矩陣狀基板2 g，藉由 畫線刀片3 6縱橫切斷矩陣狀基板2 g，形成包含單位基 板區域1 5之C〇B封裝6 1 (參照圖3 0 ( e ))。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後，如圖3 1所示，於外部電極端子4 a露出狀態 下令COB封裝6 1 b嵌入殼體6 0之收容凹部6 2，介 由接著劑6 3 (參照圖2 9 )予以固定，製造圖2 8及 2 9所示記憶卡1。 實施形態7之記憶卡1，不僅具備實施形態3之記憶 卡之效果之一部分，C〇B封裝6 1 b之一面及周緣被殼 體6 0覆蓋、保護，成爲堅固之記憶卡1。 圖3 2係實施形態7之變形例之記憶卡之反過來狀態 之斷面圖。圖3 3係該記憶卡之底面圖。該變形例，於矩 陣狀基板之狀態設有3條溝4 5，製造記憶卡1，該溝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~~ -29- 1249712 A7 B7 五、發明説明（27) 4 5爲延伸至單位基板區域1 5之一方之端之形狀。因此 ，於圖3 2、3 3之狀態下，封裝部3 c之端延伸至殼體 6 0之內周緣。 此變形例，溝4 5之溝寬變大，可搭載更大型之半導 體元件，可達成高機能化及大容量化。 (實施形態8 ) 圖3 4係本發明實施形態8之記憶卡之背面之底面圖 。圖3 5係記憶卡之反過來狀態之斷之面圖。 實施形態8之記憶卡1，係於殼體6 0之收容凹部 6 2嵌入、接著C〇B封裝6 1 c之構造。C〇B封裝 6 1 c，係於實施形態7之C〇B封裝6 1 b，於溝4 5 之一部分形成封裝部3 c，於未形成封裝部3 c之區域令 半導體元件5以面朝下接合方式搭載者，該封裝形態爲實 施形態4之構造。 面朝下接合方式之半導體元件5之搭載形態，係使用 實施形態4之圖2 0之接合材5 3電連接半導體元件5之 電極5 1與基板2之接合電極5 2者，或者使用圖2 1之 異方性導電接著劑5 5電連接半導體元件5之電極5 1與 基板2之接合電極5 2者。圖3 4及3 5所示爲使用異方 性導電接著劑5 5者。 實施形態8之記憶卡1，不僅具備實施形態7及實施 形態4具備之效果之一部分，C〇B封裝6 1 c之一面及 周緣被以殼體6 0覆蓋、保護，成爲堅固之記憶卡1。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1---*-------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 1249712 A7 B7 五、發明説明（28) (實施形態9 ) 圖3 6 - 4 2係本發明實施形態9之記憶卡及其製造 之圖。 實施形態9之記憶卡1，如圖4 2所示，於塑膠形成 之殼體6 0之收容凹部6 2嵌入C〇B封裝6 1 d，如圖 3 6所示，C〇B封裝6 1 d以接著劑6 3接著之構造。 記憶卡1，係在構成C〇B封裝6 1 d之基板2之一面設 置之外部電極端子4 a露出之狀態，C〇B封裝6 1 d被 收容於殼體6 0之構造，外部電極端子4 a作爲記憶卡χ 之外部電極端子使用之構造（參照圖3 7)。. 亦即，實施形態9之記憶卡1，係於塑膠製殼體，和 實施形態5同樣於基板2之表背面搭載半導體元件5，分 別收容以封裝部3、3 c覆蓋之C〇B封裝6 1 d之構造 。又，該C〇B封裝6 1 d，如實施形態7之變形例般封 裝部3 c之端部爲延伸至殼體6 0之內周緣之構造，可搭 載更大型之半導體元件。 實施形態9，藉由在基板2之表背面搭載半導體元件 5之構造，將半導體元件5以多段搭載之構造，將溝4 5 之寬度擴大俾能搭載更大型半導體元件5之構造，可以達 成記憶卡1之高機能化及大容量化。 又，COB封裝6 Id收容於殼體6 0之收容凹部 6 2之構造，COB封裝6 1 d之一面及周緣部被以殼體 6 0保護，成爲更堅固之記憶卡1。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂- k. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -31 - 1249712 A7 B7 五、發明説明（29) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下參照圖3 8 - 4 0及圖4 1簡單說明C〇B封裝 61d之製造。圖38 (a) — (e)係c〇B封裝製造 中由晶片接合至導線接合之之各製程狀態之斷面圖。圖 39 (a) -（d)係C〇B封裝製造中傳遞模塑法之各 階段之狀態之斷面圖。圖4 0 ( a ) —（ c )係C〇B封 裝製造中矩陣狀基板之切斷之各階段之狀態之斷面圖。 實施形態9之記憶卡1之製造係使用如圖4 1及3 8 (a )所示之矩陣狀基板2 h。該矩陣狀基板2 h，係和 實施形態3同樣具備溝4 5之矩陣狀基板2 h。但是，該 矩陣狀基板2 h之溝4 5，到達鄰接之單位基板區域1 5 之端部的寬度，在矩陣狀基板2 h縱橫切斷之狀態下，一 方之溝之端部係成爲切斷界面而消滅，如實施形態7之圖 3 2所示可達成半導體元件5之搭載可能區域之擴大。 之後，如圖3 8 ( b )所示，於矩陣狀基板2 h之第 1面2 a設置之溝4 5之溝底進行晶片接合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後，如圖3 8 ( c )所示，令矩陣狀基板2 h反過 來，於矩陣狀基板2 h之平坦之第2面2 b進行晶片接合 。在對上述矩陣狀基板2 h進行表背面之半導體元件5之 固定時，爲達成記憶卡1之特定機能，而固定多數記憶晶 片及控制其之控制晶片。 之後，如圖3 8 ( d )所示，令矩陣狀基板2 h反過 來，以導線6連接固定於溝底之半導體元件5之電極與矩 陣狀基板2 h之表面配線（未圖示）。 之後，如圖3 8 ( e )所示，令矩陣狀基板2 h反過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 1249712 A7 B7 五、發明説明（30) 來，以導線6連接固定於平坦之第2面2 b之半導體元件 5之電極與矩陣狀基板2 h之表面配線（未圖示）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之後，導線接合終了之矩陣狀基板2 h，如圖3 9 ( a )所示，被鎖模於傳遞模塑裝置之金屬模2 〇之下模 2 1與上模2 2之間，圖3 9係沿溝4 5之延伸方向之斷 面圖。 藉由下模2 1與上模2 2之合模於矩陣狀基板2 h之 表背兩面側形成模穴2 8。於該模穴2 8，和圖9同樣連 接流道2 7。流道2 7與模穴2 8之界面部分成爲湯口 2 9。又，排氣口（未圖示）位於湯口 2 9之相反側之模 穴2 8之端部。 藉由柱塞之注入動作，如圖3 9 ( b )所示，流入流 道2 7內之樹脂2 4通過湯口 2 9流入模穴2 8內。當模 穴2 8內全體塡充樹脂2 4後，進行樹脂2 4之硬化，如 圖3 9 ( c )所示樹脂2 4被硬化形成模塑體3 a。 之後，如圖3 9 ( d )所示由模具取出設有模塑體 3 a之矩陣狀基板2 h。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之後，模塑終了之矩陣狀基板2 h如圖4 0 ( a )所 示，於畫線裝置（未圖示）之平台3 5上以接著劑3 3固 定矩陣狀基板2 h，如圖4 0 ( b ) 、（ c )所示，藉由 畫線刀片3 6縱橫切斷矩陣狀基板2 h，形成包含單位基 板區域1 5之C〇B封裝6 1 d (參照圖4 2 )。 之後，如圖4 2所示，於外部電極端子4 a露出狀態 下令C.OB封裝6 1 d嵌入殼體6 0之收容凹部6 2，介 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33- 1249712 A7 B7 五、發明説明（31) 由接著劑6 3 (參照圖3 6 )予以固定，製造圖3 6及 3 7所示記憶卡1。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施形態9之記憶卡1，不僅具備實施形態5之記憶 卡之效果之一部分，C.〇B封裝6 1 d之一面及周緣被殼 體6 0覆蓋、保護，成爲堅固之記憶卡1。 以上係依實施形態說明本發明，但本發明並不限於上 述實施形態，在不脫離要旨情況下可做各種變更。 又，上述說明係以適用其背景及利用領域之記憶卡之 製造之情況爲例做說明，但並不限於此。 本發明至少適用C Ο B封裝構造之電子裝置。 (發明之效果） 本發明之代表性效果可簡單說明如下。 (1 )可提供具便宜封裝構造之電子裝置。 (2 )可提供高機能化及大容量化，且具便宜封裝構 造之電子裝置。 (3 )可提供高機能化及大容量化，且便宜之記憶卡 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〇 本發明不限於解決本說明書記載之課題之構成，亦包 含僅解決特定之一個或多數課題之構成。 (圖面之簡單說明） 圖1 :本發明實施形態1之記憶卡之模式斷面圖。 圖2 :實施形態1之記憶卡之背面之底面圖。 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -34- 1249712 A7 B7 五、發明説明（32) 圖3 :實施形態1之記憶卡之斜視圖。 圖4 :實施形態1之記憶卡之反過來狀態之斜視圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5 :實施形態1之記憶卡之製程各狀態之斷面圖。 圖6 :實施形態1之記憶卡之製程使用之矩陣狀基板 之底面圖。 圖7 :上述矩陣狀基板之模式正面圖。 圖8 :實施形態1之記憶卡製造時，單位基板區域搭 載之半導體元件之狀態之模式平面圖。 圖9 :實施形態1之記憶卡製造時，於矩陣狀基板之 〜面形成模塑體之狀態之模式斷面圖。 圖1 0 :實施形態1之記憶卡製造中模塑時之樹脂供 給狀態之由下面側看之模式圖。 圖1 1 :實施形態1之記憶卡製造時，其他基板切斷 方法模式圖。 圖1 2 :本發明實施形態2之記憶卡之模式斷面圖。 圖1 3 :本發明實施形態3之記憶卡之反過來狀態之 斜視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 4 :本發明實施形態3之記憶卡之反過來狀態之 丰旲式斷面圖。 圖1 5 :實施形態3之記憶卡之製程使用之矩陣狀基 板之底面圖。 圖1 6 :實施形態3之記憶卡之各製程狀態之底面圖 〇 圖1 7 :本發明實施形態4之記憶卡之反過來狀態之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -35- 1249712 A7 B7 五、發明説明（33) 斷面圖。 圖1 8 :實施形態4之記憶卡之底面圖。 圖1 9 :實施形態4之記憶卡製造中半導體元件安裝 狀態之斜視圖。 圖2 0 :實施形態4之記憶卡製造中半導體元件安裝 狀態之一例之部分斷面圖。 圖2 1 :實施形態4之記憶卡製造中半導體元件安裝 狀態之另一例之部分斷面圖。 圖2 2 :本發明實施形態5之記憶卡之反過來狀態之 斷面圖。 圖2 3 :實施形態4之記憶卡之底面圖。 圖2 4 :本發明實施形態6之記憶卡之反過來狀態之 斜視圖。 圖2 5 :實施形態6之記憶卡之反過來狀態之斷面圖 〇 圖2 6 :實施形態6之記憶卡之各製程狀態之斷面圖 〇 圖2 7 :實施形態6之記憶卡製造中c Ο B封裝安裝 於殻體之狀態之斜視圖。 圖2 8 :本發明實施形態7之記憶卡之反過來狀態之 斜視圖。 圖2 9 :實施形態7之記憶卡之反過來狀態之斷面圖 〇 圖3 0 :實施形態7之記憶卡之各製程狀態之斷面圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - - - I IV--- . — - hi - I ii— I— I flu : ----..... -:- - I I- - \"V s -- -- 1 I . 、v 一口 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 1249712 A7 B7___ 五、發明説明（34) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3 1 :實施形態7之記憶卡製造中c〇B封裝安裝 於殼體之狀態之斜視圖。 圖3 2 :本發明實施形態7之變形例之記憶卡之反過 來狀態之斷面圖。 圖3 3 :實施形態7之變形例之記憶卡之底面圖。 圖3 4 :實施形態8之記憶卡之背面之底面圖。 圖3 5 :實施形態7之記憶卡之反過來狀態之斷面圖 〇 圖3 6 :本發明實施形態9之記憶卡之反過來狀態之 斜視圖。 圖3 7 :實施形態9之記憶卡之底面圖。 圖3 8 :實施形態9之記憶卡之構成元件之C〇B封 裝製造中由晶片接合至導線接合之各製程狀態之斷面圖。 圖3 9 :實施形態9之記憶卡之構成元件之C〇B封 裝製造中傳遞模塑法之各階段狀態之斷面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖4 0 :實施形態9之記憶卡之構成元件之C〇B封 裝製造中矩陣狀基板分斷之各階段狀態之斷面圖。 圖4 1 :實施形態9之記憶卡製造使用之矩陣狀基板 之底面圖° 圖4 2 :實施形態9之記憶卡製造中C Ο B封裝安裝 於殼體之狀態之斜視圖。 圖4 3 :本發明人提案之記憶卡之平面圖。 圖44:圖43之A — A線之斷面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) μ規格（210X297公釐） -37 - 1249712 A7 B7 五、發明説明（35) (符號說明） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 記憶卡、 2 基板、 2 a 第1面 2 b 第2面 2 f、2 g、2 h 矩陣基板 3、3 c 封裝部 3 a 模塑體 4 配線 4 a 外部電極端子（電極） 4 b 導體 4 c 導線接合電極 5 半導體元件 5 a 記憶晶片 5b 控制晶片 6 導線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 溝 8 方向部辨識部 9 標籤 15 單位基板區域 16 貫通孔 18 電極 2 0 金屬模 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -38- 1249712 A7 B7 五、發明説明（36) 2 1 下模 2 2 上模 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 3 澆口 2 4 樹脂 2 5 柱塞 2 6 鉤槽 2 7 流道 2 8 模穴 2 9 湯口 3 0 排氣口 3 1 突條 3 3 接著劑 3 5 平台 36 畫線刀片 3 7 箭頭 4 0 凹部 4 5 溝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 空間區域 5 1 電極 52 接合電極 5 3 接合材 54 未塡滿層 55 異方性導電接著劑 6〇 殼體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -39- 1249712 A7 B7 五、發明説明（37) 61a、61b、61c、61d、C〇B 封裝 6 2 收容凹部 6 3 接著劑 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40-

Claims (1)

1249712 Λ ί 杜丨（邱 έ88 、 .Γ C8 — 、 D8 六、申請專利範圍 1 第90132364號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年11月24日修正 1_一種電子裝置，係具備： 於一面具備收容凹部的殼體；及 插入、接著於上述收容凹部之C〇B封裝； 上述C〇B封裝，係包含： 具於第1面使多數外部電極端子露出之配線的基板； 於成爲上述第1面之背面的第2面或上述第1面，·沿 上述外部電極端子之配列方向，且於上述基板之全長設置 的溝； ’ 堵住上述溝般被埋入之絕緣性樹脂所構成之封裝部； 及 爲上述封裝部覆蓋，固定於上述溝底，電極介由連接· 手段電連接上述配線的1至多數半導體元件； 使上述外部電極端子露出般接著於上述殼體。 2 ·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於上述基板固定構成記憶晶片之1至多數半導體元件 ，及控制上述記憶晶片之控制晶片而構成記憶卡。 3 ·如申請專利範圍第1項之電子裝置，其中 於上述殼體之緣部設方向部辨識部。 4.一種電子裝置，係具備： 於一面具備收容凹部的殼體；及 插入、接著於上述收容凹部之c 0 B封裝； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇〆297公嫠） 1249712 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 上述C〇B封裝，係包含： 於第1面具備使多數外部電極端子露出之配線的基板 於成爲上述第1面之背面的第2面或上述第1面，沿 上述外部電極端子之配列方向，且於上述基板之全長設置 的溝； 堵住上述溝之一部分般被埋入之絕緣性樹脂所構成之 封裝部； 爲上述封裝部覆蓋，固定於上述溝底，電極介由連接 手段電連接上述配線的1至多數半導體元件；及 固定於不被上述封裝覆蓋之溝內，電極介由連接手段' 電連接上述配線的1至多數半導體元件； 使上述外部電極端子露出般接著於上述殻體。 5 ·如申請專利範圍第4項之電子裝置，其中 於上述基板固定構成記憶晶片之1至多數半導體元件 ’及控制上述記憶晶片之控制晶片而構成記憶卡。 6 ·如申請專利範圍第4項之電子裝置，其中 於上述殻體之緣部設方向部辨識部。 7·—種電子裝置，係具備： 於一面具備收容凹部的殼體；及 插入、接著於上述收容凹部之C Ο B封裝； 上述COB封裝，係包含： 於第1面具備使多數外部電極端子露出之配線的基板 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS )八视^ ( 210X297公董） -9 - ---------II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249712 A8 B8 C8 ____________ m 六、申請專利範圍 3 覆蓋成爲上述第1面之背面的第2面全區域般設置的 絕緣性樹脂所構成之封裝部； 於上述第1面，沿上述外部電極端子之配列方向，且 於上述基板之全長設置的溝； 堵住上述溝般被埋入之絕緣性樹脂所構成之封裝部； 及 於上述各封裝部，爲封裝部覆蓋，固定於上述基板， 電極介由連接手段電連接上述配線的1至多數半導體元件 使上述外部電極端子露出般接著於上述殻體。 8 ·如申請專利範圍第7項之電子裝置，其中 於上述基板固定構成記憶晶片之1至多數半導體元件 ，及控制上述記憶晶片之控制晶片而構成記憶卡。 9 ·如申請專利範圍第7項之電子裝置，其中 於上述殻體之緣部設方向部辨識部。 1 0 . —種記憶卡之製造方法，其特徵爲具有以下製 程： 準備配線基板的製程，該配線基板具有：主面；上述 主面相反側的背面；上述主面之多個單位基板區域；形成 於上述主面上的多條配線；及形成於上述背面上的多個外 部電極端子； 準備多個半導體晶片之製程，該多個半導體晶片分別 具有：主面；上述主面相反側的背面；及形成於上述主面 上的多個電極； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 3 - 1249712 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上述多個半導體晶片配置於分別對應之單位基板區 域上，介由上述多條配線電連接上述半導體晶片之電極與 上述多個外部電極端子的製程； 形成由絕緣性樹脂構成之封裝部，藉由上述封裝部覆 蓋上述多個半導體晶片與上述多個單位基板區域的製程； 藉由切刀同時切斷上述封裝部及上述配線基板，依上 述每一單位基板區域分割上述封裝部及上述配線基板的製 程； 準備多個殼體的製程； - 於上述分割製程之後，將包含分割之封裝部及配線基 板的構件之各個，使上述多個外部電極端子呈露出地分別 收納於上述多個殼體之各個的製程。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之記憶卡之製造方法 ，其中 上述多個殻體係分別具有凹部，在收納上述構件之製 程中，係將上述構件之各個嵌入對應之上述殼體之凹部。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 .如申請專利範圍第1 〇項之記憶卡之製造方法 ，其中 於收納上述構件之製程中，係將上述構件之各個以接 著材接著於對應之上述殻體。 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇項之記憶卡之製造方法 ，其中 形成上述封裝部之製程，係藉由傳遞模塑法進行。 1 4 ·如申請專利範圍第1 〇項之記憶卡之製造方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1249712 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 ，其中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 將上述多個半導體晶片配置、電連接之製程，係具有 :將上述多個半導體晶片之各個背面以接著材固定於對應 之單位基板區域上的製程；及藉由導線接合將被固定之上 述多個半導體晶片之電極及上述配線予以電連接的製程。 1 5 ·如申請專利範圍第1 0項之記憶卡之製造方法 ，其中 在準備上述多個半導體晶片之製程中，係準備多個記 憶晶片及多個控制晶片；- 將上述半導體晶片配置、電連接之製程，係具有：於 上述各個單位基板區域配置至少一個記憶晶片及至少一個 控制晶片，將上述記憶晶片及控制晶片電連接於上述配線 之製程。 1 6 .如申請專利範圍第1 0項之記憶卡之製造方法. ，其中 上述多個殼體係由塑膠形成。 1 7 · —種記憶卡之製造方法，其特徵爲具有以下製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 程： 準備配線基板的製程，該配線基板具有：主面；上述 主面相反側的背面；上述主面之第1區域；形成於上述主 面上的多條配線；及形成於上述背面上的多個外部電極端 子； 準備半導體晶片之製程，該半導體晶片具有：主面； 上述主面相反側的背面；及形成於上述主面上的多個電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） ΤβΖ~ ' ' 1249712 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上述半導體晶片配置於上述第1區域上，電連接上 述半導體晶片之電極與上述配線的製程； 形成由絕緣性樹脂構成之封裝部，藉由上述封裝部覆 蓋上述半導體晶片與上述第1區域的製程； 沿著上述第1區域之周圍，藉由切刀切斷上述封裝部 及上述配線基板的製程； 準備殼體的製程； 於上述切斷製程之後，將包含上述半導體晶片及被切 斷之封裝部及被切斷之配線基板的構件，使上述多個外部 電極端子呈露出地收納於上述殼體的製程。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 上述殼體係具有凹部，在收納上述構件之製程中，係. 將上述構件嵌入上述殻體之凹部。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於收納上述構件之製程中，係將上述構件以接著材接 著於上述殼體。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 形成上述封裝部之製程，係藉由傳遞模塑法進行。 2 1 ·如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 1249712 A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上述半導體晶片配置、電連接之製程，係具有：將 上述半導體晶片之背面以接著材固定於上述第1區域上的 製程；及藉由導線接合將被固定之上述半導體晶片之電極 及上述配線予以電連接的製程。 2 2 .如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 在準備上述半導體晶片之製程中，係準備記憶晶片及 控制晶片； 將上述半導體晶片配置、電連接之製程，係具有：於 上述第1區域配置上述記憶晶片及上述控制晶片，將上述 記憶晶片及控制晶片電連接於上述配線之製程。 2 3 ·如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 上述多個殼體係由塑膠形成。 2 4 ·如申請專利範圍第1 7項之記憶卡之製造方法 ，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於上述切斷製程，係藉由切刀同時切斷上述封裝部及 上述配線基板。 2 5 · —種記憶卡之製造方法，其特徵爲具有以下製 程： 準備配線基板的製程，該配線基板具有：具主面及背 面的第1區域；形成於上述第1區域之主面上的多條配線 ;及形成於上述第1區域之背面上，沿上述第1區域之背 面之一邊被配列的多個外部電極端子； 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1249712 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 8 準備半導體晶片之製程，該半導體晶片具有：主面； 上述主面相反側的背面；及形成於上述主面上的多個電極 j 將上述半導體晶片配置於上述第1區域之主面上，電 連接上述半導體晶片之電極與上述配線的製程； 形成由絕緣性樹脂構成之封裝部，藉由上述封裝部覆 蓋上述半導體晶片與上述第1區域之主面的製程； 沿著上述第1區域之一邊，藉由切刀切斷上述封裝部 及上述配線基板的製程； · 準備殼體的製程； 於上述切斷製程‘之後，將包含上述半導體晶片，切斷 之封裝部及切斷之配線基板的構件，使上述多個外部電極 端子及上述第1區域之背面之一邊呈露出地收納於上述殻 體的製程。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 上述殼體係具有凹部，在收納上述構件之製程中，係 將上述構件嵌入上述殼體之凹部。 2 了 ·如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 於收納上述構件之製程中，係將上述售件以接著材接 著於上述殼體。 2 8 .如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 ΐ紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公瘦1 7〇Ζ ' "" — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ;裝· 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1249712 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9 形成上述封裝部之製程，係藉由傳遞模塑法進行。 2 9 _如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上述半導體晶片配置、電連接之製程，係具有：將 上述半導體晶片之背面以接著材固定於上述第1區域之主 面上的製程；及藉由導線接合將被固定之上述半導體晶片 之電極及上述配線予以電連接的製程。 3 0 ·如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 ' 在準備上述半導體晶片之製程中，係準備記憶晶片及 控制晶片； 將上述半導體晶片配置、電接之製程，係具有：於上 述第1區域之主面上配置上述記憶晶片及上述控制晶片， 將上述記憶晶片及控制晶片電連接於上述配線之製程。 3 1 .如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 上述多個殼體係由塑膠形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 2 _如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 於上述切斷製程，係藉由切刀同時切斷上述封裝部及 上述配線基板。 3 3 ·如申請專利範圍第2 5項之記憶卡之製造方法 ，其中 在收納於上述殼體之製程中，係配置上述構件以使上 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公嫠） 1249712 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1〇 述第1區域之背面之一邊相較於上述外部電極端子更位於 記憶卡插入方向之前端側。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 4 · —種記憶卡，其特徵爲具有： 具有主面及背面的配線基板； 多個外部電極端子，係於上述配線基板之背面上沿上 述背面之一邊被配列； 多數配線，係形成於上述配線基板之主面上； 半導體晶片，其被配置於上述配線基板之主面上，介 由上述多條配線電連接上述多個外部電極端子； · 封裝部，其被配置於上述配線基板之主面上，由覆蓋 上述半導體晶片之絕緣性樹脂形成；及 ： 殼體，用於收納包含上述配線基板、半導體晶片及封 裝部的構件； 上述多個外部電極端子及上述配線基板之背面之一邊. 係露出於上述殻體； 上述封裝部亦被形成於與上述背面之一邊呈對向的配 線基板主面之一邊上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 5 .如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 上述殻體係具有凹部，上述構件係被嵌入上述殻體之 凹部。 、 3 6 ·如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 上述構件係介由接著材接著於上述殼體。 3 7 .如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 上述封裝部，係沿著上述配線基板主面周緣部之部分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1249712 ABCD 六、申請專利範圍 11 之全部周圍被形成。 3 8 .如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 上述半導體晶片係以接著材固定於上述配線基板之主 面上，上述半導體晶片係介由多條接合導線電連接於上述 配線。 3 9 .如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 記憶晶片及控制晶片，係被配置於配線基板之主面上 ，電連接於配線基板之配線。 4 0 .如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中‘ 上述殼體係塑膠形成。 4 1 ·如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 沿著上述配線基板主面之一邊的部分之配線基板之側 面及封裝部之側面，係藉由切刀同時切斷所形成之切斷面 〇 4 2 ·如申請專利範圍第3 4項之記憶卡，其中 上述構件，係被收納於殼體以使上述配線基板背面之 一邊相較於上述多個外部電極端子更位於記憶卡插入方向 之前端側。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 -