TWI248642B - Method and apparatus for fabricating semiconductor device - Google Patents

Description

1248642 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於製造半導體裝置的方法和設 備，且尤其是本發明係關於一種於半導體製造過程中防止 半導體基板反面產生顆粒的技術。 【先前技術】 傳統上，用來作為蝕刻阻絕膜（stop film)的siN膜或類 似者，是使用二氯矽烷（SiH/l2)、單矽烷（SiHd或是二矽烷 (ShH6)與氨氣（NH3)作為原料氣體，並在約為75〇〇c的製程 中藉由低壓CVD方法形成（LP-SiN膜）。然而，裝置要能滿 足日益增高的設計與規格需求，以回應裝置之高密度化與 微細化已經是必要的。特別地，因為摻雜物必須為淺接合， 以回應高速的電路操作，因此需要降低熱預算。 前述趨勢導致使用三丁基胺基矽烷（BTBAS)作為原 料的SlN膜（BTBAS_S】N薄膜）的應用，其可在等於或低於 6〇(TC的溫度下形成於LLD側壁膜上，或是形成於接點窗蝕 刻阻絕膜上（未審查日本專利申請案第2〇〇1_23〇248號之公

開公報）。 A 傳統的晶圓反面結構可參照圖1 6來說明，其中參考符 號1 60表示作為半導體基板的石夕基板，參考符號1 61表示 上禮封氧化膜（back seai oxide film) 161，而參考符號夺 示 BTBAS-SiN 薄膜。 、 在石夕基板1 60的反面上形成SlN薄膜〗62作為後表面 > (rear-surface)阻障層，以防止矽基板16〇的反面被配線步驟 1248642 中用以形成配線的Cu污染。 傳統MOS電晶體的製造流程可參照圖工7說明。$ $ 驟S101中’於矽基板上形成元件隔離部。在步驟請乂 形成電晶體。在步驟S103中，形成内層隔離膜。在步驟S104 中’進行第-配線的微影。在步驟S1G5中，進行配線 步驟S 1 06中，清潔石夕基板的反面。在步驟S 1 〇7中" 第二配線的微影。第三配線及其後的仃 行。 相冋方式進 與LP-SlN膜相比，BTBAS_SiN膜162是相當弱的 此’當以靜電夾盤或真空夾盤固定晶圓時，吼 的夾盤可能會使在晶圓反面上的BTBAS_S1N膜丨 面 =龜裂可能會到達為，基板16〇之基底的上密封氧： 結果，龜裂引起的 之後的微影步驟（步驟 落在置於接近晶圓匣盒 產生不利於晶圓的顆粒 BTBAS-SiN膜162之碎片可能會在 S1〇4)中從晶圓反面剝落，並且掉 下方中的晶圓_L，而此碎片可能會 此外’當使用以氫說酸為主的試劑的清潔步驟（步 :1〇6)被包含在配線步驟（步驟sl〇5)與微影步驟（二 ▲ 7 )之間日守，基底的氧化膜會被經由反面產生的龜列 參透進入的化學物品姓刻掉。ΒΤΒΜ膜162二 離開。所移除的碎片會掉落在置於接 粒。方中的晶圓上，且可能會產生不利於晶圓的 1248642 【發明内容】 依據本發明，一種用於製造半導體铲 用於在半導體基板上形成閘極之多 驟； 置的方法，包括： 晶石夕膜之第一步 用於在形成該多晶石夕膜之你 夕曰曰7膜之後，移除形成於該半導體基 板反面之多晶石夕膜之第二步驟； 用於在該半導體基板上形成偏移隔離層之氧化膜之第 三步驟； 用於在5亥半導體基板上形成為側壁與襯裡中至少一個 之BTBAS-SiN膜之第四步驟； 用於移除所有形成於該半導體基板反面上之 BTBAS-SiN薄膜與氧化膜並暴露該半導體基板之反面之第 五步驟；以及 用方、在暴滅反面之後，藉由晶圓處理機處理製程中之 半導體基板或傳送該半導體基板之第六步驟。 依據一較佳具體實例，於第二步驟中，於形成閘極之 多晶矽膜的同時，移除形成於半導體基板反面上之多晶矽 薄膜。 依據一較佳具體實例，於第五步驟中，於形成 BTBAS SiN膜與作為偏移隔離層之氧化膜之同時，移除形 成於半導體基板反面上的所有BTBAS-SiN膜與氧化膜，藉 此暴露半導體基板之反面。 依據一較佳具體實例，於第六步驟中，該晶圓處理機 為靜電夾盤或真空夾盤。 7 1248642 依據本發明，腺；^ ^ 將+導體基板反面上的BTBAS-SiN膜與 氣化族完全移险，、；4 '、 藉此暴露出半導體基板的反面，如此 复=避免在後續步驟中從半導體基板之反面上生成顆粒， 好屯失盤或真空失盤是用來處理或傳送晶圓。如此- ，可製造出穩定的電晶體。 【貫施方式】 本發明較佳具體實例之詳細說明 第一具體實例 本务明較佳具體實例之細節將參考圖示說明如下。 第一具體實例 依據本發明第一較佳具體實例之用於製造半導體裝置 的方法將參考圖1、2Α及2Β來說明。 依據第具體貫例，其將低溫βτβα^ν膜施用到製 私中’如目1所示’形成低溫BTBAS_siN膜作為概裡，以 減少熱預#，然後，將作為半導體基板之晶圓反面上之低 溫^ BTBAS-SiN膜完全移除。 移除之結果為在形成内層隔離層或類似物的例子中， 可防止在後續使用靜電夹盤或真空夾盤傳送晶圓的步驟 中，從晶圓反面產生顆粒，其使得可製造出穩定的電晶體。 參照前述圖示，在步驟S1中，將2〇〇 nm的多晶矽， 以低壓CVD方法、經由閘極氧化膜4沈積在為半導體基板 之例子的石夕基板（晶圓）2上，藉此形成閘極之多晶石夕膜$。 膜形成之溫度設定於620。(：至650°C之間。 在步驟S2中，將形成閘極的多晶矽膜5之同時形成於 1248642 石夕基板2反面上之多晶矽膜移除。 在步驟S3中，沈積由HT〇(高溫氧化膜）與Μ叫四 乙基正石夕酸鹽）製成之氧化膜作為金屬光罩(had —，以 形成具有低密度摻雜汲極（LDD)結構之偏移隔離層7。 在步驟S4中’藉由光學微影技術與乾㈣技術細微地 處理閘極。 在步驟S 5中，形成偏移隔離層7。 ^沈積偏移隔離層7之氧化臈之前，矽基板2的反面 上可能形成上密封氧化膜與TE〇s氧化膜。 在步驟S6，沈積50_60疆的ΒΤβ格_膜，以作為側 壁8 m微影與乾㈣，卩如同前述相时式形成閉 極BTBAS-SiN膜之沈積溫度設定在58(rc至6〇〇。〇之間。 在步驟S7，於矽化鈷步驟中選擇性地形成矽化鈷6， 並沈積30-4〇nm的BTBAS-SlN薄膜作為襯裡9。 在歹驟S8，BTBAS-SiN膜的沈積溫度設定在58(rc至 600QC之間。 圖2A顯示以前述步驟所得之晶圓1。 參照圖2A中的參考符號，2表示矽基板，3表示可電 ^離各別兀件之元件隔離部，4表示MOS電晶體之閘極氧 化膜’ 5表示由多晶矽膜形成之閘極，6表示矽化鈷，7表 不偏私離層’ 8表示側壁，9表示襯裡，以及24表示形 成源極/沒極之擴散層。 表不從上密封氧化膜、TEOS氧化膜、以及偏移隔離 層氧化膜形成的反面氧化膜，而丨丨表示當形成側壁8和襯 1248642 '的同蚪，形成於矽基板2反面上的BTBAS-SiN膜。 在步‘ S9，對矽基板2反面進行使用磷酸沸液（熱磷 1 60 C )或氫氟酸（49% )之儲存溶液或的溼蝕刻製 ^藉以移除BTBAS-SlNm u與反面氧化膜1G兩者，並 出矽基板2的反面，暴露的狀態如圖2B所示。 ψ由於實施前述步驟，即使是在後續形成内層隔離層之 >類的例子中使用靜電夾盤或真空夹盤處理或傳送晶圓的步 。制，也可防止從矽基板2的反面產生顆粒。於前述狀態 可製造穩定的Μ 0 S電晶體。 弟一具體貫例 以下說明依據本發明第二較佳具體實例之製造半導體 裝置的方法。 於第一具體實例敘述的步驟S1_S8亦於第二具體實例 勺方法中貝轭，然而，在之後的步驟，假使只有 膜Π被移除的第-具體實例中叫吏Cu從石夕基板2的反面 擴散，藉此對MOS電晶體的效能產生不利影響。 不像第一具體實例的製造方法，第二具體實例的特徵 是在於藉由使用磷酸沸液（熱磷酸）（16〇°C )或氫氟酸（49%) 之儲存溶液的溼蝕刻製程，只有BTBAS_siN膜1丨從矽基 板2反面移除，而保留反面氧化膜1〇作為在架線步驟中防 止Cii從石夕基板2反面擴散的阻障層。由於實施前述步驟， 即使在後續形成内層隔離膜之類的例子中使用靜電夹盤或 真空夾盤進行處理或傳送晶圓的步驟中，可防止從石夕晶圓2 反面產生顆粒，亦可防止Cu從矽晶圓2反面擴散，以製造 10 1248642 出知定的]ViOS電晶體。 第三具體實例 依據本發明第三具體實例之^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 參照圖3,4及16說明。 置的方㈣ 在步驟S11，沈積閘極多晶矽膜5。 在步驟S12-S17，不移除矽基板 U，並後—&、， 伋2反面上的多晶矽膜 I進订與丽述步驟S3-S8相同的步驟。 U。在步驟S18中，移除"基板2反面上的― 表干f/Α中的參考符號，1Ga表示上密封氧化膜，12 ::…夕膜’而10b表示反面氧化膜（由τ 偏移隔離層氧化膜所形成）。 虱化膜一 在步驟S 1 9中，甜石々| 4c 〇 (熱磷酸）（16〇^Λ 反面進行使用鱗酸彿液 刻f程（16二 酸（49%)之儲存溶液的㈣ 4 ’以移除反面氧化膜⑽，並暴露出如圖 β中所不的多晶矽膜12。 在依據第三具體實例移除BTBAS_SiNm η中， btbas_SiN^ u與反面氧㈣⑽被選㈣ ^ ”氣有較尚的蝕刻阻力，因而可保留多晶 矽朕12和上密封氧化膜1〇a。 第四具體實例 …本發明第四具體實例將參照圖5,6及16說明。圖6a 為形成閘極之後晶圓的剖視圖。圖6B為移除矽基板反面上 的BTBAS-S】膜及類似物之後的晶圓剖視圖。 1248642 在第四具體實例中，使用非結晶Sl形成閘極5。在依 據第二具體實例的製造方法中，使用氫氟酸移除矽基板2 反面上的BTBAS-SiN膜1丨時，氫氟酸會滲透過暴露的多 晶矽膜10b，而上密封氧化膜i〇a便因此被蝕刻並破裂成碎 片’結果，移除的碎片會不利地產生顆粒。 因此，依據第四具體實例，將矽基板2反面上的 BTBAS-S:iN膜12移除，使得矽基板2反面上的非結晶Si 膜13被暴露出。因此，可防止氫氟酸滲透，藉此防止顆粒 的產生。 在圖5所示的步驟S21中，沈積閘極非結晶以6。其後 的步驟S22-S28與步驟S3-S9相同。 第五具體實例 依據本發明第五具體實例之製造半導體裝置的方法將 參照圖7至9及圖1 7說明。 圖7和8為流程圖。圖9A為形成元件隔離部與閘極之 後的晶圓剖視圖。圖9B為移除基板反面上的BTBAs_siN 膜及類似物之後的晶圓剖視圖。 在v驟S 3 1中’使用熱氧化於石夕基板上形成保護氧化 在步驟S32中，使用LP-CVD方法於保護氧化膜上形 成非結晶矽膜。 、在步驟S33中，使用Lp-CVD方法於非結晶矽膜上形 成作為兀件隔離部之Lp_SiN膜。Lp_siN膜在溫度7⑻。C ⑻ C下形成，而非結晶矽膜因而被多晶矽化。 12 1248642 a = v驟S34中’纟Lp-SlN膜上形成用於形成元件隔離 曰光阻掩膜之後，使用乾飯刻依序#刻掉膜、多 晶矽膜、保護氧化膜、以及矽基板，藉以於矽基板2上形 成溝渠。 在步驟S 3 5中，蒋哈本U日、危$ N/ ^ 移除九阻遮罩，亚使用CVD方法形成 CVD氧化膜，以填充溝渠。 …在步驟S36巾’使肖⑽使CVD氧化膜平坦化，藉 以形成填充溝渠的元件隔離膜。 在步驟S3?矛口 S3"，使用渥式姓刻將石夕基板表面上 的LP-SiN膜和多晶矽膜移除。 〜之後，將石夕基板上的保護氧化膜移除，再使用熱氧化 於石夕基板上形成閘極氧化膜。 在步驟S39中，於閘極氧化膜上形成閉極多晶石夕膜。 在步驟S40中’使用溼式蝕刻將形成於矽基板反面上 的多晶矽膜移除。 “在步驟S41中，使用CVD於多晶石夕膜上形成則§薄 膜’以形成生成閘極之金屬光罩。 在步驟S42巾，藉由光阻掩膜對τ咖料行乾姓刻。 然後’於移除光阻掩膜之後，對TE〇s膜進行乾餘刻。之後， 移除光阻㈣之後，將TEGS卿為金屬光罩，藉 多晶矽膜並形成閘極。 V 乂 在步驟S43中，使用CVD在石夕基板上形成㈣氧化 膜，以形成咖偏移隔離層，然後，使用非等向性 刻法蝕刻CVD氧化膜，以於閘極側面形成偏移隔離：。 13 1248642 在步驟S44中，利用閘極和偏移隔離層7作為掩模以 離子植入雜質原子，藉以於源極/汲極區域形成低密度Ldd 層。然後，使用CVD於矽基板上形成BTBAS-SiN膜，以形 成BTBAS-SiN側壁8。之後，使用非等向性乾式蝕刻法蝕 刻BTBAS-SiN膜，以於閘極側面的偏移隔離層7上形成側 壁8 〇 在步驟S45中’將閘極和側壁當作掩模以離子植入雜 貝原子，藉以形成尚岔度源極/汲極層。之後，使用濺鍍於 半導體基板上形成鈷膜，以形成矽化鈷，再用RTA退火， 其結果使多晶矽膜和鈷膜反應，而於閘極上形成矽化鈷層。 在步驟S46巾，使用座式钱刻使只有未反應的銘膜移 除之後使用CVD於矽基板上形成作為襯裡的低溫 BTBAS-SlN薄膜，其狀態如圖9A所示。 參照圖9 A中的參考符赛，？本- ^ 了付琥，2表不矽基板，3表示元件 隔離部，4表示閘極氧化膜，$本— ^ 5衣不閘極，7表示偏移隔離 層，8表示側壁，9表示檷栩，! π Φ 一 飛裡10a表不上密封氧化膜，10b 表示氧化膜（TE0S氧化膜 胰和LDD偏移隔離層氧化膜）， 1 1 表示 BTBAS_SiN 膜，12 # - e ， “ 联12表不虱化膜，14表示LP_SiN薄 膜’以及24表示擴散層。 在步驟S 4 7中，對石夕美& ? ^ ^ ,。 '"板2反面進行使用磷酸沸液（熱 石拜1) ( 160C )或氫氟酸（49%) 铲丨、，必人t J之儲存溶液的溼蝕刻製 耘，以移除與TEOS氧化蹬如τ η。

、ldd偏移隔離層氧一 形成的btBAS-s_ u和 ^化胺I 2, ^ ΑΑ τΏ M 1Gb，使得形餘梦基板 2反面的14暴露出。1 ，、暴路狀怨如圖9B所示。 14 1248642

第五具體實例之特徵在於只有移除元件隔離部之 LP-SW膜表面及圖7中所示之多81膜。在移除btbas_SiN

濤fe 1 1時，形成於矽基板2反面上的元件隔離部之LP_SiN 膜14是作為保護膜，其可解決第一與第四具體實例中的問 題。 與第一具體實例相比，本發明方法之優點在於可防止 Cu從石夕基板2反面擴散。 與第二具體實例相比，LP-SiN膜對氫氟酸之蝕刻速率 為BTBAS-SiN膜的兩倍或以上。因此，可大體上選擇性地 進行蝕刻。 與第二具體實例相比，化學物不可能會滲透基板，因 為SiN膜不像多Si膜且不是由晶粒大小所形成。 與第四具體實例相比，當閘極形成之後，使用熱處理 使非結晶Si結晶化成多si膜的晶粒大小，以活化源極/汲 極時’在架線步驟中清潔背面（氮化氟）的結果使得化學 物從晶粒邊界滲透。然後，就有可能會發生與第三具體實 例相同的問題。然而，將LP-SiN膜保留在矽基板2反面上 的方法即可減少其可能性。 如圖7所示的Lp-SiN膜中，SiN膜是使用SiH4、Si2H6 或Sil^Ch、以及Nh3作為原料氣體，在7〇0。(：至80(TC之 間的沉積溫度下形成的。 第六具體實例 依據本發明第六具體實例之製造半導體裝置的方法將 參照圖1 0及1 1說明。 15 1248642 依據傳、、土 . —y 、、 法，如圖10所示，當沈積BTBAS-SiN薄 後使用静電夾盤或真空夾盤來固定或傳送在製程中 反面上暴露有BTBAS_SiN膜！丨的晶圓i時，btbas__ 膜U會產生龜裂，而龜裂所剝落的BTBAS-SiN膜11之碎 ^ 16會掉洛在其下方的另-個晶圓上，變成顆粒。參考符 唬1 〇表示反面氧化膜。 依^士第六具體實例，如圖i】所示，當膜 11暴路日守’在使用靜電夾盤或真空夾盤的步驟中’將晶圓 1曰和作為試驗基板的仿真晶圓17交替置於E盒中，以使從 ^反面上的BTBAS_SiN膜11剝落的碎片16所形成的 顆粒會被置於盆· 置下方的仿真晶圓17接收。因此，可避免顆 粒掉落在更下方的另一個晶圓丄。 完成前述步驟之後，使用洗務器清潔反面，以移除 BTBAS_SiN膜，其容易由於龜裂的產生構成掉落的顆粒， 並接著進行後續步驟。 第七具體實例 ▲依據本發明第七具體實例之製造半導體裝置的方法將 參照圖12及13說明。 在傳統方法中，如圖12A和12B所示，當半導體基板 不真空夾盤18夾持住時，處理是在靠近晶圓i反面的中心 〜°在此例中’真空夾盤18和反面的膜彼 :吼鄰，因而使BTBAS刪產生龜裂。之後，當晶圓丨 :真空夾盤18分離時，從晶圓i反面上的btbas_SiN膜 相的碎片就不方便地掉落在另—個晶圓丨上，產生顆粒。 16 I248642

又豕第七具體實例，如圖1 3 A 穴 π N 又口圑i π 1 J ϋ所不，使用支 "" (。例如，被在晶圓平面方向之類往内吸所支撐夾住） 牙曰日圓1的四個角落，其為晶圓1邊緣上彼此遠離的四 個位置a、b、c、知d 门 办 々d。因此，可利用正常壓力（不使用真 工吸附）來傳送支撐架19，以傳送晶圓i，而不會對晶圓^ 反面（尤其是靠近中心處）上的BTBAS-SiN膜造成傷害。 此可防止在傳送過程中從反面產生顆粒。

支標位置 a、K 、、c、和d相對於與平面看為圓形的晶圓 1外緣相接的矩形尖山 〜大、。如圖13B所示，在晶圓i反面與支 撐架19之間有一個处 1口工間，而晶圓1僅被支撐於其四個角 落。在所述方式中，曰圓1 c w 曰曰0 1反面可暴露出最小接觸，藉以 防止顆粒的產生。 第八具體實例 依據本發明镇Λ & 弟乂具體貫例之製造半導體裝置的方法將 參照圖1 4及1 5說明。 在傳統方法中，士 m 如圖14A至MD所示，在反應室為單 片程序類型的例子φ — + T 在處理過程中使用靜電夹盤20或真 空夾盤21直接固定住曰 , 疋任曰日0 1。苓考數字25和26分別表tf 真空吸附部份，而獻玄一 要〜子27表示晶圓提升針突出的位置。 依據弟八具體音彳丨 ^ 月、例，®進行程序，像是擴散步驟時， 暴露在反面上以 Α。α , BTBAS-SiN膜為例之膜，其中該 BTBAS-SiN膜稂交且、上y 、 谷易被靜電夾盤或真空夾盤傷害，使用正 常壓力的晶圓基座牙曰m老 丄和曰曰®處理機來取代反應室側邊的晶圓 基座和裝料機側的播士於 勺構成静電夾盤或真空夾盤的晶圓處理 17 1248642 機，如圖15所示。 圓導= 大致㈣形狀的凹處部分U的晶 示）上。將1晶圓基座（未顯示）和晶圓處理機（未顯 露。因此，:输 了被棱升而不會對BTBAS_SiN膜 使用維持在曰圓道d声π & 王％ D ° 卜並使用曰□其 的正常昼力來傳送晶圓 用曰曰囫基座配備的晶圓提升針（未顯示）送交曰曰圓 基座與晶圓處理機。 日曰、 僅為已詳細描述及說明，吾人應當清楚瞭解到此 “：，而非用以限制本發明，本發明之精神與範 了1為下迷申請專利範圍所限制。 【圖式簡單說明】 本發明係以範例說明，而非限制於隨附圖示之圖中， 其中類似的符號指稱類似的元件，其中： 圖1為閘極形成步驟之流程圖，用以說明本發明之 一具體實例。 圖2A為閘極形成之後晶圓之剖視圖，用以說明第一且 體實例。 〃 /圖2B為將基板反面之BTBas_SiN膜與氧化膜移除之 後，晶圓之剖視圖。 圖3為閘極形成步驟之流程圖，用以說明本發明之第 三具體實例。 圖4A為閘極形成之後晶圓之剖視圖，用以說明第三具 體實例。 18 1248642 圖4B為將基板反面上之BTBAS-SiN膜及其類似物矛夕 除之後，晶圓之剖視圖。 明之第 圖5為閘極形成步驟之流程圖，用以說明本發 四具體實例。 圖6 A為閘極形成之後晶圓之剖視圖，用以說明第四且 體實例。 圖6B為將基板反面之BTBAS_SlN膜及其類似物移除 之後’晶圓之剖視圖。 圖7為隔離元件形成步驟之流程圖，用以說明本發明

之第五具體實例。 X 例 圖8為閘極形成步驟之流程圖，用以說明第五具體實 圖9A為隔離元件與閘極形成之後晶圓之剖視圖，用以 說明第五具體實例。 膜及其類似物移除 圖9B為將基板反面之BTBAS-SiN 之後’晶圓之剖視圖。 之 圖1 0為况明依據傳統方法顆粒掉落在鄰近匣盒下方 晶圓上之情況之剖視圖。 圖1 1為説明第六具體實例之剖視圖，其表示於 之情形。 亩二12:為說明從晶圓反面觀察依據傳統之方法，藉由 真二央盤處理晶圓之平面圖。 圖咖為沿圖1Μ中線Α_Α^_。 " 4 ^ ®反面觀察依據本發明之第七具體 19 1248642 實例，要立即藉Μ撐架處理之晶圓之平 圖13Β為沿圖13Α中線α_α之剖視圖 撐晶圓的四個角落來傳送晶圓之方法。 面圖 ，其 圖14 Α為從晶圓背面側 由靜電夾盤固定被處理的晶 觀察，依據傳統方 圓之平面圖。 說明藉由支 法，如何藉 圖14B為沿圖14A中線A-A之剖視圖 圖14C為從晶圓反面 真空夾盤固定被處理的晶 觀祭，依據傳統技術 圓之平面圖。 如何藉由

圖14D為沿圖14C中線a_a之剖視圖。 圖15A為說明依據本發明之第八具體實例，當晶圓被 置於晶圓導弓|環上之狀態平面圖。 圖15B為沿圖15A中線A-A之剖視圖。 圖16為說明在擴散製程中，典型以基板背面之剖視 結構示意圖。

圖17為傳統MOS電晶體之製造流程圖。 【主要元件符號說明】 1 晶圓 2 矽基板 3 元件隔離部 4 閘極氧化膜 5 閘極 6 矽化鈷 偏移隔離層 側壁 20 1248642 9 襯裡 10 反面氧化膜 10a 上密封氧化膜 10b 反面氧化膜 11 BTBAS-SiN 膜 12 多晶矽膜 13 非結晶Si膜 14 LP-SiN 膜 16 碎片 17 仿真晶圓 18 真空夾盤 19 支撐架 20 靜電夾盤 21 真空夾盤 22 凹處部分 23 晶圓導引環 24 擴散層 25 真空吸附部份 26 真空吸附部份 27 提升針突出的位 置

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Claims (1)

1248642 十、申請專利範圍： 1·一種用於製造半導體裝置的方法，包括： 用方；在半導體基板上形成閘極之多晶石夕膜之第一步 驟； 用於移除依據該多晶石夕膜之生成而形成於半導體基板 反面上之多晶矽膜之第二步驟； 用於在半導體基板上形成偏移隔離層之氧化膜之第三 步驟； 用方；在半導體基板上形成用於側壁與襯裡其中至少一 個的BTBAS-SiN膜之第四步驟； 用於移除形成於半導體基板反面上之BTBAS_SiN膜與 氧化膜，並藉此暴露該半導體基板之反面之第五步驟；以 及 用於在暴露反面之後，藉由晶圓處理機處理於製程中 之半導體基板或傳送半導體基板之第六步驟。 、2.如申請專利範圍第1項之用於製造半導體裝置的方 法其中於第二步驟中，移除當形成閘極之多晶矽薄膜之 同τ呤形成於半導體基板反面上之多晶石夕薄膜。 、3·如申睛專利範圍帛i項之用於製造半導體裝置的方 ^ ’其中於第五步驟中’移除於形成Btbas_SiN膜與氧化 '同才日守形成於半導體基板反面上的膜與氧 化肤’並藉此暴露半導體基板之反面。 、’士申明專利範圍第1項之用於製造半導體裝置的方 法’其中在第六步驟中，晶圓處理機為靜電吸盤。 22 1248642 5.如申請專利範圍第1項之用於製造半導體裝置的方 法’其中在第六步驟中，晶圓處理機為真空吸盤。 6· —種用於製造半導體裝置的方法，包括： 用於在半導體基板上形成閘極之多晶矽薄膜之第一步 驟； 用於移除回應多晶矽膜之生成而形成於半導體基板反 面上之多晶石夕薄膜之第二步驟； 用於在半導體基板上形成偏移隔離層之氧化膜之第三 步驟； 用於在半導體基板上形成用於側壁與襯裡其中至少一 個之BTBAS-SiN膜之第四步驟； 用於在生成BTBAS-SiN膜的同時移除生成於半導體基 板反面上之BTBAS_SlN膜、藉此暴露生成在半導體基板反 面上之氧化膜的第五步驟；以及 用於在暴露氧化膜之後，藉由晶圓處理機處理於製程 中之半導體基板或傳送半導體基板之第六步驟。 7·如中請專利範圍第6項之用於製造半導體裳置的方 =其中當膜生成之同時時只有移除形成於半 V月豆基板反面上之BTBAS-SiN Φ ^ 错此暴露於第五步驟 d成偏移隔離層之氧化膜之同時形成於 反面上之氧化膜。 千V體基板 8·如申請專利範圍第 其中在第六步驟中， 9.如申請專利範圍第 法 項之用於製造丰' 導體裝置的方 晶圓處理機為靜電夾盤。 6項之用於製造半導體裝置的方 23 1248642 法，其中在第六步驟中，晶圓處理機為真空夾盤。 1〇·-種用於製造半導體裝置的方法，包括： 用方、在半‘體基板上形成閘極之多晶矽膜之第一步 驟； 用方、在半$體基板上形成偏移隔離層之氧化膜之第二 步驟； 用於在_ $體基板上形成用於側壁與概裡其中至少一 個之BTBAS-SiN膜之第三步驟； "用#除形成於半導體基板反面上之BTBAs_siN膜與 =化膜，藉此暴露形成於半導體基板反面上之多晶石夕膜之 第四步驟；以及 在暴露該多晶矽膜之後，藉由晶圓處理機處理於製程 中之半導體基板或傳送半導體基板之第五步驟。 1 ·如申明專利範圍第1 〇項之用於製造半導體裝置的 方法5其中當BTBAS-SiN膜與偏移隔離層之氧化膜形成之 同％私除形成於半導體基板反面上之BTBAS_siN膜與氧化 膜，藉此暴露於該第四步驟中，於形成閘極之多晶矽膜之 同時生成於半導體基板反面上之多晶石夕膜。 12.如申巧專利範圍弟1〇項之用於製造半導體裝置的 方去，其中在第五步驟中，晶圓處理機為靜電夾盤。 1 3 ·如申凊專利範圍第1 〇項之用於製造半導體裝置的 方法，其中在第五步驟中，晶圓處理機為真空夾盤。 1 4.一種用於製造半導體裝置的方法，包括： 用方；在半導體基板上形成閘極之非晶石夕膜之第一步 24 1248642 用於在半導體基板上形成偏移隔離層之氧化膜之第二 步驟； ' 一 用於在半導體基板上形成用於側壁與襯裡其中至少一 個之BTBAS-SiN膜之第三步驟； "用於移除形成於半導體基板反面上之btbas_Sin膜與 氧化膜、藉此暴露形成於半導體基板反面上之非晶矽膜的 第四步驟；以及 、 在暴露非晶矽薄膜之後，藉由晶圓處理機處理於製程 中之半導體基板或傳送半導體基板之第五步驟。 15·—種用於製造半導體裝置的方法，包括·· 用方、在半導體基板上形成元件隔離部之膜之第 一步驟； 用於在半導體基板上形成閘極之多晶矽膜之第二 驟； 用方；移除形成在半導體基板反面上之多晶矽薄膜之第 三步驟； 用於在半導體基板上形成偏移隔離層之氧化膜之第四 步驟； 用於在半導體基板上形成用於側壁與襯裡其中至少一 個之BTBAS-SiN膜之第五步驟； 用灰移除形成在半導體基板反面上之BTBAS_SiN膜與 氧化胺，並藉此於形成元件隔離部之Lp_SiN膜之同時暴露 形成於半導體基板反面上之Lp_SiN薄膜的第六步驟；以及 25 1248642 *路LP SlN膜之後’藉由晶圓處理機處理於製 ^中之半導體基板或傳送半導體基板之第七步驟。 ★丨:·:：請專利範圍第1項之用於製造半導體裝置的方 肖由濕式钱刻進行移除形成於半導體基板反面上 TBASAN膜與氧化膜之步驟的移除程序。 17·如巾請專利範圍第16項之用於製造半導體裝置的 針特徵在於：濕式_是藉由磷㈣液或氫氟酸之 儲存溶液來進行。 —a Μ專利I 第7項之用於製造半導體裝置的方 中藉由濕式則進行用於移除形成於半導體基板反 面上之BTBAS-SiN膜之步驟中的移除程序。 19·如申請專利範圍帛18項之用於製造半導體裝置的 > :、4寸徵在於· 5亥濕式蝕刻是藉由磷酸沸液或氫氟酸 之儲存溶液來進行。 2〇·—種用於製造半導體裝置的方法，包括： 用方、半‘體基板上形成側壁或襯裡之BTBAs_siN膜並 冋時在半導體基板反面上形成BTBAS_sm膜之第一步驟； 用於藉晶圓處理機之靜電夾盤或真空夹盤處理於製程 之半導體基板或傳送半導體基板之第二步驟； 用於對半導體基板反面進行洗條器清潔之第三步驟； 其中於藉由靜電夾盤或該真空夾盤處理半導體基板之 / ^中’半導體基板與仿真基板以一固定方向、彼此預定 1隔又#地放置在可裝置複數個半導體基板之匣盒中。 21·—種用於製造半導體裝置的設備，包括：用於處理 26 1248642 或傳送半導體基板之晶圓處理機，該半導體基板具 、 ^市成 於半導體基板上而為側壁與襯裡其中至少一個的 BTBAS-SiN膜’與形成於半導體基板反面上之BTBAS_SiN 膜； 其中晶圓處理機支撐半導體基板的四個角落 常壓傳送半導體基板。 22.—種用於製造半導體裝置的設備，包括：晶圓承受 σσ及用方、處理或傳送半導體基板之晶圓處理機，該半導體 基板具有形成於半導體基板上而為側壁與襯裡其中至少一 個的 BTBAS-SiN日莖，也f丄、 版，與形成於半導體基板反面上之 BTBAS-SiN 膜；其中 包括實質上與晶圓相同形狀 j办狀之凹處部份的晶圓導引環 則被置於晶圓承受器及晶圓處理機中。 十一、圖式： 如次頁。 27