TWI247331B - Semiconductor integrated circuit and fabrication process therefor - Google Patents

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1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（彳） 〔發明領域〕 本發明關於一半導體積體電路，及其製造方法。更明 確地說’本發明關係於一半導體積體電路，其具有多數具 均一高度之凸塊電極，及關於其製造方法。 〔相關技藝的說明〕 於電子資訊工業中之大哥大手機及行動通訊終端中， 已經想要增加半導體裝置之積集密度。對於一較高積集密 度，有必要於半導體裝置上之細微電極墊及安裝有該半導 體裝置之基板上之內連線間之穩定地建立電氣及物理連接 〇 用以建立連接之例示方法係用以在半導體裝置之電極 墊上形成一金凸塊。電鍍法係經常被用以在半導體裝置上 形成金凸塊。電鍍法係被廣泛地分類爲兩種：一無電電鍍 法及一電解電鍍法。 於無電電鍍法中，一予以電鍍之金屬基體之金屬係被 以含在電鍍液中之金屬所以化學方式替換。因此，無電電 鍍法優點在於不需要例如電鍍電源之設備。然而，金屬基 體及電鍍液之可能組合有限，及電鍍速率很慢。因此，無 電電鍍法並不適用於在半導體裝置上形成凸塊，其係需要 形成具有十幾微米至幾十微米厚度之金屬薄膜者。 另一方面，於電解電鑛法中’電鑛係藉由通過一電流 經一予以電鍍之金屬基體及一電鍍液而以電化學方式完成 。因此，電解電鍍法可以應用至金屬基體及電鍍液之組合 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 -4- I ：--0^--^--ΊΝ--II------0， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ B7 五、發明説明（2 ) ，其係先前無電電鍍法所不能適用者。於電解電鍍法中， 相較於無電電鍍法，電鍍電流增加電鍍速率，並且，可以 容易形成幾大微米厚之金屬膜。因此，電解電鍍法係適用 於在半導體積體電路上形成凸塊。 再者，一使用電解電鍍法之凸塊形成處理將加以簡要 說明。 一金屬基體膜係首先形成在半導體基板（於此稱爲” 晶圓”）上之絕緣膜上。然後，一光阻膜係形成在該金屬 基體膜上，並且，開口係以微影技術形成於光阻膜中，以 將金屬基體膜之預定部份露出，即於凸塊電極形成區域。 隨後，一電鍍電流係施加至金屬基體膜，藉以一金屬係沉 積於該金屬基體膜之外露部份上，用以形成凸塊電極。用 以供給電鍍電流，有三種傳統方法。 於第一傳統方法中，一用以連接一電鍍電極（於此稱 爲”陰極電極”）之開口係形成於該光阻膜中，於該晶圓 之周邊區域中，當該光阻膜係形成於該金屬基體膜上，然 後’陰極電極係經由該開口連接至該金屬基體膜。或者， 該光阻膜係以陰極電極將光阻膜穿孔加以去除，以連接陰 極電極至金屬基體膜。 更明確地說’如於第6圖所示，電極墊2 3係提供於 一晶圓2 1上之絕緣膜2 2上，及晶圓係被覆蓋以一保護 膜2 4，其具有多數開口於凸塊電極形成區域a之電極墊 2 3上。金屬基體膜2 5係被形成於所得晶圓上，及一光 阻膜2 6係形成於該金屬基體膜2 5上。再者，開口係形 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公慶) -'-- -5- I------:--裝--^—-ΊΝ-I訂------ΦΙ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本耳j 1247331 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 成於凸塊電極形成區域A中之光阻膜2 6中。 光阻膜2 6係以穿孔有一陰極電極2 8，用以電氣連 接陰極電極2 8至金屬基體膜2 5 (雖未示出，但一開口 可以形成於光阻膜2 6中，用以連接陰極電極至金屬基體 膜）。 隨後，所得晶圓2 1係被裝設於電鍍裝置1 0 1中， 如於第7圖所示。晶圓2 1係爲陰極電極2 8所支撐，其 中一凸塊電極形成表面係朝向，以相對於一陽極電極1 .(y 〇 於電鍍裝置1 0 1中，一電鍍液9係由裝置之內部下 方噴向該晶圓2 1之凸塊形成表面，並由晶圓之週邊排放 至外側。 於此狀態中，一電壓係施加至陽極電極1 〇及連接至 晶圓2 1上之金屬基體膜2 5之陰極電極2 8之間，藉以 一電鍍電流係供給至金屬基體膜2 5，用以形成凸塊電極 2 7 (見第6圖）。 於一第二傳統方法中，一陰極電極係連接至晶圓側表 面上之金屬基體膜的一部份（例如，見日本特開平1 -110751號案（ 1 989年）），其中金屬基體膜不 只是形成於凸塊電極形成表面上，同時，也形成在晶圓的 側表面上。 更明確地說，如於第8圖所示，一金屬基體膜3 5係 形成在一凸塊電極形成表面上及一晶圓3 1之側表面上， 及一陰極電極3 8係電氣連接至晶圓側表面上之金屬基體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I------：--0^--~ΊΝ--、玎------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -6 - 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 膜之一部份。隨後，所得晶圓係以大致相同於第一方法中 ，在上述電鍍裝置1 0 1 (見第7圖）中，受到電鍍處理 〇 於第三傳統方法中，一電氣連接至金屬基體膜之金屬 膜係形成於一晶圓之背表面上’及一陰極電極係連接至在 晶圓背表面上之金屬膜（見，例如，日本特開平第3 -54829 號（1991))。 更明確地說，一金屬基體膜4 5係形成作爲覆蓋一晶. 圓4 1之凸塊電極形成表面及側表面，及一金屬膜4 6係 形成於晶圓4 1之背表面上，以電氣連接至晶圓之側表面 上之金屬基體膜。一陰極電極4 8係電氣連接至該金屬膜 4 6。隨後，所得晶圓係以如第一方法相同之方式，在上 述電鍍裝置1 0 1中（見第7圖）受到電鍍處理。 於第一傳統方法中，當在電解電鍍裝置中，電鍍處理 時，電鍍液穿透作爲陰極電極連接之開口，使得電鍍電流 係未均勻地供給至凸塊電極形成區域外之區域。因此，一 金屬化層係爲電鍍所無用地形成在一不想要區域上，及所 得凸塊電極之高度不均勻。 當光阻膜以陰極電極穿孔移除時，也很難控制光膜之 移除。若光阻膜移除過量時，則發生上述問題。若光阻膜 去除不足，則一電氣連接並不能在陰極電極及金屬基體膜 間足夠地建立，造成電鍍電流之不均勻供給。因此，所得 凸塊電極之高度係不均勻。 於傳統第二方法中，金屬基體膜係曝露至晶圓的側表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I------：--衣--.----IT------Aw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 面，使得電鍍液體係容易地與晶圓的側表面接觸。因此， 一金屬化層係無用地形成於晶圓的側表面，及所得凸塊電 極的高度爲不均勻。 於傳統第三方法中，陰極電極係連接至形成於晶圓側 表面上之金屬膜，使得電鍍電流係經由晶圓之週邊供給至 凸塊電極形成區域。因爲於晶圓之週邊及形成於該晶圓上 之半導體積體電路中之每一凸塊形成區域間之距離不同， 所以發生於凸塊形成區中之電鍍電位也不同。 再者，由於在半導體積體電路表面上之步驟，金屬基 體膜具有不同之厚度，使得金屬基體膜取決於晶圓位置而 具有不同電阻。由於這些問題，供給至金屬基體膜之電鍍 電流的安培値係取決於晶圓上之位置而加以變化，使得所 得凸塊電極高度不均勻。_ 於第一至第三傳統方法中，一共同方式係經由晶圓之 周邊，而供給一電流電流，使得所供給之電鍍電流之安培 量取決於晶圓上位置而加以變化。因此，第一至第三方法 並不能在晶圓上形成具有統一高度之凸塊電極。 當具有高度約2 0微米之凸塊電極予以形成在一 6吋 晶圓上時，例如，在凸塊電極之最大高度變化，在第一方 法爲約6微米’在桌—方法中爲約5微米，及在第三方法 中爲約4微米。 綜上所陳，本發明有關一半導體積體電路，其具有統 一高度之凸塊電極’及一製造方法，其中，於形成凸塊電 極之電解電流製程中，一電鍍電流係均句地供給至一晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（27^x297公董了 I------：--^裝------訂------ΦΊ. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247331 A7 B7 五、發明説明（6 ) 上。 〔發明槪要〕 依據本發明，其提供有一半導體積體電路，其包含： 一半導體基板（晶圓），具有多數凸塊電極形成區域及一 凸塊電極非形成區域，分別界定於其前表面；一第一電極 墊形成於該凸塊電極非形成區中；一第二電極墊形成於每 一凸塊電極形成區域中；及一凸塊電極形成於每一第二電 極墊上；其中於藉由電解電鍍形成凸塊電極時，該第一電 極墊係用以經由該半導體基板，供給一電鍍電流至第二電 極墊。 〔圖式簡單說明〕 第1圖爲依據本發明之實施例之半導體積體電路之剖 面圖； 第2 (a)至2 (e)圖及第3 (f)及3 (g)圖 爲用以解釋用於形成第1圖所示之半導體積體電路之凸塊 電極形成製程之程序圖； 第4圖爲一圖表，用以比較依據實施例1之製程所形 成之凸塊電極之高度變化及由傳統製程所形成之凸塊電極 之高度變化； 第5圖爲依據本發明之實施例2之凸塊電極形成處理 中之半完成半導體積體電路之剖面圖； 第6圖爲用以解釋傳統凸塊電極形成處理之示意圖； 本紙張尺度適财關家縣（CNS)〜胁（21()>< 297公楚） I------： I- ^裝--I *- ^-I 訂-----J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247331 A7 B7 五、發明説明（7 ) 第7圖爲傳統凸塊電極形成製程之解釋圖，其中具有 一晶圓裝設於該電鍍裝置中； 第8圖爲一圖表，解釋傳統凸塊電極形成製程；及 第9圖爲一圖表，解釋傳統凸塊電極形成製程。 主要元件對照 1 晶圓 2 絕緣膜 3 電極墊 4 保護膜 5 金屬基體膜 6 光阻膜 7 凸塊電極 8 陰極電極 9 電鍍液 1 0 陽極電極 1 1 金屬膜 1 2 電極墊 1 3 積體電路 2 1 晶圓 2 2 絕緣膜 2 3 電極墊 2 4 保護膜 2 5 金屬基體膜 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I ： ^-裝 ---·----訂------J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 1247331 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 2 6 光阻膜 2 7 凸塊電極 2 8 陰極電極 3 1 晶圓 3 5 金屬基體膜 3 8 陰極電極 4 1 晶圓 4 5 金屬基體膜 4 6 金屬膜 4 8 陰極電極 1 〇 1 電鍍裝置 A 凸塊電極形成區域 B 凸塊電極非形成區域 〔本發明之詳細說明〕 依據本發明之一態樣，其中提供有一半導體積體電路 ，其包含一半導體基板（晶圓），具有多數凸塊電極形成 區域及一凸塊電極非形成區域，分別界定於其則表面，一 第一電極塾形成於該凸塊電極非形成區中，一桌一電極墊 形成於每一凸塊電極形成區域中；及一凸塊電極形成於每 一第二電極墊上；其中於藉由電解電鍍形成凸塊電極時， 該第一電極墊係用以經由該半導體基板’供給一電鍍電流 至第二電極墊。 於本發明之半導體積體電路中，該半導體基板之內形 (請先閱讀背面之注意事 1# 項再填. 裝— 寫本頁) 訂 Φ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -11 - 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7五、發明説明（9 ) 成有一積體電路。 形成於每一第二電極墊上之凸塊電極係經由一配線圖 案被電氣連接至積體電路。 凸塊電極係經常地提供於半導體基板之週邊，因爲凸 塊電極用以電氣連接半導體積體電路至一安裝基板之外部 配線圖案，一引線架之外部端子等。 依據本發明，電鍍電流可以由半導體基板之背面經由 半導體基板及第一電極供給至第二電極墊，用以供給電鍍: 電流。 於此時，電鍍電流之一般數量係由半導體基板之背面 經由半導體基板及第一電極墊，而供給至每一第二電極墊 〇 另一方面，一由半導體基板之背面經由半導體基板之 每一第二電極墊，積體電路及配線圖案之路徑的電阻係太 高，使得經由該路徑而供給之電鍍電流量很少。 因此，有需要第一電極墊具有一足夠大小，以降低用 於該電鍍電流之電阻。 結果，較佳地，該凸塊電極非形成區域係被界定於具 有足夠尺寸之區域中，該尺寸係例如該半導體基板之週邊 〇 於本發明之半導體積體電路中，第一電極墊可以形成 於第二電極墊的旁邊。 於本發明之半導體積體電路’凸塊電極非形成區域可 以包含個別形成有一第一電極墊之多數凸塊非形成區域。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 丨12麵 (請先閱讀背面之注意事 4 項再填· 裝--I 寫本頁) 訂 Φ 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 於此時，第一電極墊係較佳地數量上等於該第二電極墊， 使得每一第一電極墊係鄰近於每一第二電極墊。 以此配置，當電鍍電流由陰極電極經由每一提供在每 一凸塊電極形成區域旁之電極墊，而供給至每一第二電極 墊時，電鍍電流係均勻地被供給至每一第二電極墊，使得 所得凸塊電極於高度上很均.勻。 於本發明之半導體積體電路中，半導體基板可以包含 一金屬膜，在該半導體基板之背面。 以此配置，一由陰極電極所供給之電鍍電流之電阻可 以被降低。 依據本發明之另一態樣，其中提供有一製程，用以製 造本發明之半導體積體電路，該製程包含步驟有：在一半 導體基板（晶圓）上，界定多數凸塊電極形成區域及一凸 塊電極非形成區域，諸凸塊電極形成區域係與該半導體基 板隔絕，該凸塊電極非形成區域係導電至該半導體基板； 形成一第一電極墊於該凸塊電極非形成區域中；形成一第 二電極墊於每一凸塊電極形成區域中；形成一導電層，用 以連接該在半導體基板上之第一電極墊及第二電極墊；以 阻抗膜覆蓋該半導體基板之前面，但不含該等第二電極墊 ;由半導體基板之背面供給一電鍍電流經由半導體基板、 第一電極墊及該導電層至第二電極墊；藉由電解電鍍，於 每一第二電極墊上，形成一凸塊電極；及由半導體基板上 去除阻抗膜及導電層。 於本發明之製程中，界定凸塊電極非形成區域之步驟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） — J—----^—、訂----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（11 ) 可以包含在半導體基板之前表面，界定多數凸塊電極非形 成區域，及該形成第一電極墊之步驟可以包含於每一凸塊 電極非形成區域中形成一第一電極墊的步驟。 於本發明之製程中，形成第一電極墊的步驟可以包含 一於第二電極墊的旁邊，形成第一電極墊的步驟。 本發明之製程更包含於半導體基板之背表面形成一金 屬膜的步驟。於此時，電鍍電流可以經由金屬膜加以供給 〇 再者，依據本發明之另一態樣，其中，提供有一半導 體積體電路，其包含：一半導體基板（晶圓），具有一凸 塊電極形成區域及一凸塊電極非形成區域，分別界定於其 一表面；一第一電極墊形成於該凸塊電極非形成區中；一 第二電極墊形成於該凸塊電極形成區域中；及一凸塊電極 形成於該第二電極墊上；其中於藉由電解電鍍形成凸塊電 極時，該第一電極墊係用以經由該半導體基板，供給一電 鍍電流至第二電極墊。 實施例 參考附圖，本發明將以實施例方式加以詳細說明。應 了解的是，本發明並不限定於這些實施例。 實施例1 一依據本發明之實施例之半導體積體電路及其製程將 參考第1至4圖加以說明。第1圖爲依據本發明實施例之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） '""" -14- I-----：--0^--.----IT------Aw (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1247331 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 剖面圖，及第2 (a)至（e)圖及第3 (f)及3 (g )圖爲用以製造示於第1圖之半導體積體電路之程序圖。 第4圖爲一圖表，用以例示依據實施例1之製程所形成之 凸塊電極的高度變化及由傳統製程所形成凸塊電極高度變 化的比較。於以下諸實施例中，類似元件係以類似參考編 號表示。 如於第1圖所示，依據本發明之實施例之半導體積體 電路1 3包含一晶圓（半導體基板）1 ，具有多數凸塊電 極形成區域A及一凸塊電極非形成區域B分別形成於其前 表面上，一第一電極墊1 2形成於該凸塊電極非形成區域 B中，一第二電極墊3形成於每一凸塊電極形成區域A中 ，及一凸塊電極7形成於每一第二電極墊3上。於以電解 電鍍形成凸塊電極7時，第一電極墊1 2係用以供給一電 鍍電流經由晶圓1由晶圓1之背面至第二電極墊3。 更明確地說，一絕緣膜2係提供於晶圓1上，及第二 電極墊3係提供於絕緣膜2上。第二電極墊3係部份地爲 一保護膜4所保護，及一金屬基體膜5係提供於凸塊電極 7及第二電極墊3之間。 晶圓1於其內形成一積體電路（未示出）。一配線圖 案（未示出）由第二電極墊3延伸至積體電路並經由開口 於絕緣膜2之接觸孔（未示出），而電氣連接至積體電路 〇 最後，每一凸塊電極7係經由配線圖案，而電氣連接 至積體電路。 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1#. 項再填- 裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -15- 1247331 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 五、發明説明（13 ) 參考第2及3圖，將解釋形成示於第1圖之實施例1 之半導體積體電路1 3之凸塊電極7之製程。其中凸塊電 極形成製程利用與一般半導體積體電路製程之相同之製程 條件，因此，將不進行其詳細。 如於第2 ( a )圖所示，一具有厚度約1微米的絕緣 膜2係藉由一 C V D法，形成於加入有積體電路之晶圓1 之整個前表面上，然後，一開口係以微影技術，形成於凸 塊電極形成區域A附近之絕緣膜2之中，用以形成凸塊電: 極非形成區域B。 於此實施例中，凸塊電極非形成區域B具有與予以形 成之凸塊電極7相同之尺寸及形狀（見第1圖），例如 4〇微米χ4 0微米正方形，以允許足夠電鍍電流之通過。 然後，一金屬膜係以濺鍍法形成於晶圓1之整個前表 面上，並以一微影技術及一蝕刻技術加以作出圖案，以形 成第二電極墊3及第一電極墊1 2，用以供給電鍍電流， 如於第2 ( b )圖所示。第一電極墊1 2係直接形成於晶 圓1之上，用以電氣連接至晶圓1。 如於第2 ( c )圖所示，一具有厚度約1微米之保護 膜4係形成於所得晶圓上，及開口係形成於該保護膜4之 中，以將第二電極墊3及第一電極墊1 2之部份露出。 隨後，一由單一金屬或多類型金屬構成之金屬基體膜 5係藉由一濺鍍法，形成於所得晶圓上，如於第2 ( d ) 圖所示。 如於第2 ( e )圖所示’一光阻膜6係形成於金屬基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -- -16- (請先閱讀背面之注意事 I# 項再填. 裝-- 寫本頁) 訂 •ΙΦ 1247331 A7 B7 五、發明説明（14 ) 體膜5上，及諸開口係形成於凸塊電極形成區域A中之光 阻膜6之中。 隨後，所得晶圓1係設定於電鍍裝置1 0 1中，如於 第3 ( f )圖所示。晶圓1係被裝設爲其凸塊電極形成表 面朝下，面向陽極電極1 〇，及陰極電極8係連接至與凸 塊電極形成面相反之晶圓1之背面。 於電鍍裝置1 0 1中，電鍍液9係由裝置之內部下方 噴向凸塊形成面，然後，由晶圓1之週邊所排放至電鍍裝\ 置1 0 1之外。 於此狀態中，一電壓被施加於陽極電極1 〇及陰極電 極8之間，藉以一電鍍電流係被供給至金屬基體膜5，經 由鄰近於凸塊電極形成區域A之第一電極墊1 2，如於第 3 ( g )圖所示。因此，因此，形成凸塊電極7。 然後，光阻膜6被去除及金屬基體膜5之一部份係藉 由使用凸塊電極7作爲遮罩而加以去除。因此，製造出示 於第1圖之半導體積體電路.1。 參考第4圖，將解釋以依據實施例1製程所形成之凸 塊電極7之高度變化與依第一至第三傳統方法（見第7至 9圖）所形成之凸塊電極之高度變化。 當多數2 0微米尚之凸塊電極係以依據實施例1之製 程而形成於有積體電路之5吋及6吋之晶圓上時，如於第 4圖所示，在晶圓上之凸塊電極的最大高度變化係被抑制 至2至3微米，如於第4圖之線（a )所表示。 另一方面，當多數2 0微米高之凸塊電極係以第一至 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1------；——0^II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 1247331 A7 B7 五、發明説明（15 ) 第三傳統方法之製程而形成於有積體電路之5吋及6吋之 晶圓上時，如於第4圖所示，在晶圓上之凸塊電極的最大 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 高度變化係爲4至6微米，如於第4圖之線（b )所表示 〇 一般而言，於一半導體積體電路安裝製程中，凸塊電 極之高度變化需要被抑制爲不大於4微米。由依據實施例 1製程所形成之凸塊電極的高度變化滿足了此要求。 實施例2 參考第5圖，將解釋依據本發明實施例2之半導體積 體電路。第5圖爲一依據本發明之實施例2之凸塊電極形 成製程，所形成半成品半導體積體電路（相當於實施例1 之第3 ( g )圖）的剖面圖。 如於第5圖所示，依據本發明之實施例2之半導體積 體電路1 4包含一金屬膜1 1 ，提供於晶圓1的整個背面 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 。金屬膜1 1作用以連接至陰極電極8，並係電氣連接至 金屬基體膜5。半導體積體電路1 4之其他結構係相同於 上述之實施例1者。 具有金屬膜1 1提供在晶圓1的整個背面上，一對由 陰極電極8所供給之電鍍電流以形成凸塊電極7的電阻可 以被降低。 依據本發明，第一電極墊係提供於凸塊電極非形成區 域中，用以供給電鍍電流經由半導體基板至第二電極墊， 於以電解電鍍形成凸塊電極之時。因此，電鍍電流可以均 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） -18- 1247331 A7 B7 五、發明説明（16 ) 勻地被供給至半導體基板（晶圓）上，使得半導體積體電 路之凸塊電極之高度均勻。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：Z97公釐） -19-

Claims (1)

1247331 A8 B8 C8 D8 ::β 申請專利範圍 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第91101395 號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年月17日修正 1 . 一種半導體積體電路，包含： 一半導體基板，具有多數凸塊電極形成區域及一凸塊 電極非形成區域，分別界定於其前表面； 一第一電極墊形成於該凸塊電極非形成區中； 一第二電極墊形成於每一凸塊電極形成區域中；及 一凸塊電極形成於每一第二電極墊上； 其中於藉由電解電鍍形成凸塊電極於每一第二電極墊 上時，該第一電極墊係只用以經由該半導體基板，供給一 電鍍電流至第二電極墊，該第一電極墊係爲其上沒有形成 凸塊電極之電極墊。 2 .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體亀路， 其中該凸塊電極非形成區域包含多數凸塊電極非形成區域 ，分別形成有諸第一電極墊。 3 .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電.路， 其中該第一電極墊係形成於諸第二電極墊之附近。 4 .如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路， 其中該半導體基板包含一金屬膜於該半導體基板之背表面 .5 . —種用以製造如申請專利範圍第1項所述之半導 體積體電路的製程，包含步驟： 在一半導體基板上，界定多數凸塊電極形成區域及一 •裝-- (請先閲请背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 太紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（2】〇Χ297公釐） 1247331 A8 B8 C8 D8 六'申請專利範圍 2 凸塊電極非形成區域，凸塊電極形成區域係與該半導體基 板絕緣，該凸塊電極非形成區域係導電至該半導體基板； 形成一第一電極墊於該凸塊電極非形成區域中； 形成一第二電極墊於每一凸塊電極形成區域中； 形成一導電層，用以連接該在半導體基板上之第一電 極墊及第二電極墊； 以阻抗膜覆蓋該半導體基板之前表面，但不含該等第 二電極墊； 由半導體基板之背表面供給一電鍍電流經由半導體基 板、第一電極墊及該導電層至第二電極墊； 藉由電解電鑛，.於每一第二電極墊上，形成一凸塊電 極；及 由半導體基板上，去除阻抗膜及導電層，其中該第一 電極墊作動爲其上沒有形成凸塊電極之電極墊以及第一電 極墊係只用以供給電鍍電流至第二電極墊。 6 .如申請專利範圍第5項所述之製程，其中該界定 凸塊電極非形成區域之步驟包含在半導體基板之前表.面， 界定多數凸塊電極非形成區域，及該形成第一電極墊之步 驟包含於每一凸塊電極非形成區域中，形成一第一電極墊 的步驟。 7 .如申請專利範圍第5項所述之製程，其中該形成 第一電極墊的步驟包含一於第二電極墊的旁邊，形成第一 電極蟄的步驟。 8 .如申請專利範圍第5項所述之製程，更包含於半 太紙珞哭燎捎用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公董） ^------ii —裝-- (請先閲部背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1247331 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 導體基板之背表面形成一金屬膜的步驟，其中，電鍍電流 可以經由該金屬膜加以供給。 9 · 一種半導體積體電路，包含： 一半導體基板，具有一凸塊電極形成區域及一凸塊電 痺非形成區域，分別界定於其一表面上； 一第一電極墊，形成於該凸塊電極非形成區中； 一第二電極墊，形成於該凸塊電極形成區域中；及 一凸塊電極，形成於該第二電極墊上； 其中於藉由電解電鍍形成凸塊電極於第二電極墊上時 ，該第一電極墊係只用以經由該半導體基板，供給一電鍍 電流至第二電極墊，.以及，該第一電極墊爲其上沒有形成 凸塊電極之電極墊。 --------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製