TWI247301B - Recording media with super-resolution near-field structure, reproducing method and reproducing device therefor - Google Patents

Description

Λ·I 棄號一 五、發明說明（1) 【發明所屬 本發明 且特別是有 取之記錄有 置。 【先前技術 使用例 Disk ， DVD) 度資訊記錄 腦程式的唯 用之可簡便 記錄於 預先形成在 雷射光束至 射光束之強 變弱；如果 因此， 用再生裝置 (凹坑）的尺 資訊的密度 再生裝 定，當然因 Limit ^ RL) (RL)可以利 RL = λ

修正 之技術領域 是有關於 關於一種 資訊的唯 如是數位 等光碟片 媒體正曰 讀型記錄 的散佈大 唯讀型記 基板上。 光碟中， 弱，舉例 沒有標示 在唯讀型 夠讀取的 寸可以縮 ，在一牧 置能夠讀 再生裝置 所造成的 用邏輯的 /(4 X ΝΑ)

種記錄有資訊的唯讀型記錄媒體， f用超解析近接場構造而能夠光學讀 β賣裂§己錄媒體、讀取方法及再生裝 夕功能光碟（Digital versatile 作為記錄影像資訊或電腦資料的高密 漸普及。特別是預先記錄有電影或電 媒體（例如DVD-ROM)係作為日常所使 容量資訊的手段。 錄媒體中的資訊是作為標示（凹坑）而 在讀取該資訊時，利用再生裝置照射 並以光檢測器捕捉由標示列造成之反 來說，如果有標示的話，反射光束會 的話，反射光束會變強。 記錄媒體中可以記錄的資訊量是由利 標示（凹坑）的尺寸來決定。如果標示 小的話，就可以提高光碟中能夠記錄 光碟中就可以p錄更多的資訊。 取之標示的尺寸是由各種因素所決 的光學系統之鑑別限度（R e s ο 1 u t i ο η 限制影響較大。光學系統之鑑別限度 數學式（1)計算之。 數學式（1) 1247301

其中 入為雷射光束的波長 ’ Ν Α為對物透鏡的開口 數0 一般而言，在使用紅色雷射光之情況 635riin、NA =〇· 6，由數學式（1)推導 = 在使用青色雷射光之情況…=40二 數學式（1)推導出RL =156nm。亦即，使用紅♦ 、声 碟再生裝置’對於長度2 65nm以下的標田取是的光 困難的。而且，使用波長短之青色雷射光的光)碑-再取生疋裝有 置，對於長度156nm以τ的標示（凹坑）讀取是有困難的裝。 所繪示為在基板上只具有由銀所構成之反射層的 ¥知唯讀型記錄媒體，其標示長度與載波雜訊比 (carrier-t0-Noise Rati0，CNR)的關係圖。使用5〇四、 70nm、10〇nm作為標示深度而分別測定之。測定所使用的 再生裝置之鑑別限度為ΚΙ^265ηπι。 如圖1所示，如果標示的長度為29〇11111以上的話，載波 雜訊比（CNR)為40dB以上，作為記錄資訊的標示（凹坑）之 讀取是良好的。但是，當標示長度小於此值，發現載波雜 訊比（CNR)會急速的惡化。標示的長度為2651111](亦即，再 生裝置之鑑別限度），載波雜訊比（CNR)為16(13 ;標示的長# 度為25 0nm以下，載波雜訊比（CNR)幾乎為〇。

X 作為使由上述數學式（1)決定的再生裝置的鑑別限度 更進一步提升的習知技術，超解析近接場構造（31^6!-Resolution Near—field Structure，Super-RENS)受到注 目’而應用在相變化記錄方式之光碟中。（例如·· n A ρ p 1 i e d

Physics Letters, Vol. 73， No. 15， Oct. 1998”及

13440pifl.ptc 第8頁 I製Ο❹1 修正 案號 93109024 五、發明說明（3)

Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 39,

Part I， No· 2B， 2000， pp. 980—981")。 超解析近接場構造係為在光碟中形成特殊的罩幕層， 在再生資訊時，利用由罩幕層產生的表面離體子 (PlaSmon)的構造。超解析近接場構造包括銻（Sb)透過型 及銀氧化物（AgOx)分解型等。銻（Sb)透過型，由銻（Sb)形 成的罩幕層因雷射光束引起相變化而會變成透明。另一方 面，銀氧化物（AgOx)分解型，形成罩幕層的銀氧化物 (AgOx)會因雷射光束而分解銀與氧，在分解的銀表面產生 離體子。 _ 圖2所繪示為利用習知超解析近接場構造之記錄型光 碟的紀錄原理示意圖。 如圖2所示’記錄媒體是在透明的聚碳酸酯層1 1 1上依 序堆疊以ZnS-Si02或SiN等之介電材料形成之第一介電層 11 2 — 1、以録（Sb )或銀氧化物（Ag〇x)形成的罩幕層丨丨3、以 ZnS-Si Ο?或SiN等之介電材料形成之作為保護層之用的保護 層114、以GeSbTe等形成的記錄層115、以ZnS_Si〇2 *SiN等 之介電材料形成之第二介電層11 2-2而構成。 ^ 在此’在罩幕層11 3為銻（Sb )的情況下，保護層11 4及 第一介電層112-1為SiN ;在罩幕層μ3為銀氧化物（AgOx) f情况下’保護層1 14及第一介電層112-1為ZnS-Si 02。保 f層為防止罩幕層1 1 3與記錄層1 15之反應，且在再生 胃^時成為近接場的作用場所。在罩幕層11 3為銻（Sb)的 障/兄下’藉由雷射光束，銻（Sb)產生相變化而變透明；在 一罩幕層113為銀氧化物（AgOx)的情況下，藉由雷射光束，

第9頁 13440pifl.ptc 1247301 _案號93109024 %年7月# 修正___ 五、發明說明（4) 銀氧化物（Ag Ox)會分解銀與氧，分解的銀會產生局部離體 子0 從具有約1 0〜1 5 m W程度之輸出功率的雷射1 1 7照射雷 射光束，以聚焦透鏡11 8聚焦後，照射至記錄媒體。記錄 層11 5之受到雷射光束照射的區域，加熱至約6 0 0 °C以上之 溫度而相變化成非晶質，且吸收係數會變小。此時，記錄 層1 1 5之受到雷射光束照射的區域中，錄（s b)的結晶產生 變化’或者準可逆反應性的銀氧化物（Ag〇x)會分解。在罩 幕層的此區域，由於對記錄層具有探針的功用，而能夠進 行鑑別限度以下的微小標示的再生。 [非專利文獻 1] Applied Physics Letters, Vol. 73, No. 15, Oct. 1998 [非專利文獻2] Japanese Journal of Applied

Physics, Vol. 39， Part I， No· 2B, 2000， pp· 980- 981 但疋，在唯讀型記錄媒體的情況下，預先在基板上形 成標示/其與記錄型記錄媒體的層的結構並不相同。而 且，必須要只以2mW〜3mW程度的弱雷射光束之照射及能夠 5 ^ Ϊ近ί %!造的效果*現。於是’對於唯讀型記錄 ^ σ ，貫現咼載波雜訊比（C NR ?之材料的選定及堆聶 、、，口構之決定會是個問題。 ‘ 且 【發明内容】 接：Ϊ造以實現高載波雜訊比的唯讀型記錄媒 ——-^明的再一目的是提供一種從此唯讀型記錄

13440pifl.ptc 第10頁 有鑑於上述問題，本發明的目的就是在提供一 1247301 m 93109024 ^生?月滚日

五、發明說明（5) 媒體讀取資訊的方法及再生裝置。 申請專利範圍第1項所記載的發明，係二 的唯讀型記錄媒體，豆是由丰而々4年右μ “、、σ己錄有貝訊 η、十U :， 有上述資訊的基板、 的上述表面上由相變化物質形成的反射層板於 述反射層上形成的第一介電層、於上述第一介電芦由 金屬氧化物形成的罩幕層所構成。 θ 田 對於申請專利範圍第1項的發明而言，由於設置有由 相4化物貝形成的反射層、於反射層上形成的第一介電 層、由金屬氧化物形成的罩幕層，因此可以產生超解析近 接場構造的作用，且能夠以高載波雜訊比（CNR)讀取再生 裝置的光學鑑別限度以下的標示。 申請專利範圍第2項所記載的發明，其中在上述基板 與上述反射層之間更設置有第二介電層，即使設置有第二 介電層，也可以使超解析近接場構造作用。 申請專利範圍第3項所記載的發明，上述罩幕層含有 金屬的奈米粒子（nanoparticle)。 對於申睛專利範圍第3項的發明而言，上述罩幕層内 的奈米粒子產生超解析近接場構造的作用，而能夠以高載 波雜訊比（C N R )讀取再生裝置的光學鑑別限度以下的標示 (凹坑）。 申請專利範圍第4項及第5項所記載的發明，形成上述 罩幕層之金屬氧化物係為貴金屬氧化物。此貴金屬氧化物 係為白金氧化物（P 10 X )、金氧化物（a u 〇 x )、銀氧化物 (AgOx)、鈀氧化物（PdOx)之任一種。 對於上述的發明而言，藉由適當的選擇形成罩幕層的

13440pifl.ptc 第11頁

金屬氧化物，可以栋扣& k、< , ^ ^ i Λ便超解析近接場構造作用。 申响專利範圍第6項及第7項所記載的發明，形成上述 罩幕層^金屬氧化物係為高融點氧化物，而且形成上述罩 幕層的高融點氧化物係為鎢氧化物（w〇x )。 對於上述的發明而言，藉由適當的選擇形成罩幕層的 金屬氧化物，可以使超解析近接場構造作用。 申明專利範圍第8項所記載的發明，形成上述反射層 之相變化物質為銀•銦•銻•碲化合物（AglnSbTe， AIST)、碳（C)、鍺•銻•碲化合物（GeSbTe)、鍺（Ge)、鎢 (W)、鈦（Ti)、石夕（Si)、鎮（Mg)、紹⑷）、祕⑻）、鎳 (Νι)、鈀（Pd)、碲（Te)任一種。 對於申請專利範圍第8項的發明而言，藉由適當的選 擇形成反射層的相變化物質，可以使超解析近接場構造作 的發明，上述資訊係為形 申請專利範圍第9項所記载 成於基板表面上之標示。 申請專利範圍第1〇項所記栽的發明，上述罩幕層之厚 度為1.5nm以上、lO.Onm以下；篦一八广

μ βΛ 、，τ … 弟介電層之厚度為lOnm 以上、60mn以下，上述反射層之厚度為1〇錢以上、8〇 下0 言，藉由適當的選 ，可以產生超解析 對於申請專利範圍第1 〇項的發明而 擇罩幕層、第一介電層及反射層的厚度 近接場構造的作用。 申請專利範圍第11項所記载的發明 上’更設置有第二介電層。 在上述罩幕層

13440pifl.ptc 第12頁 1247301 曰 羞正 1 號 93109024 五、發明說明（7) 申請專利範圍第1 2項所記載的發明， 申請專利範圍第丨項記载的記 ，一光學的讀取 法，其中照射上述記錄媒體的=體丄中所記錄的資訊的方 4· 5mW。 由町尤米之強度為1· 5mW至 對於申請專利範圍第丨2 山 射上述記錄媒體的雷射 、、毛月而言，適當的選擇照 (CNR)讀取再生裝置的 強度，能夠以高载波雜訊比 申請專Λ Λ的切鑑別限度以下的標示。 射来！ ： ^ 弟3項及第14項所記載的發明，上、f . 射光束從上述記錄媒辦 私旧知Θ，上述雷 射，都能夠以高截、^ M、土板側照射，還是從資訊側照 別限度以二波雜訊比咖讀取再生裝置的光學鑑 申清專利範園笛1 e 申請專利範圍W所記載的發明’係為光學的讀取 生裝置，其中昭载的記錄媒體中所記錄的資訊的再 對於申請專H々二為^㈣至4.5"^的雷射光束。 錄媒體所具有的超二圍第15項的發明而言’適當的利用記 (CNR)讀取再生步析近接場結構，能夠以高載波雜訊比 為讓本發明〜之卜的光學鑑別限度以下的標示。 易懂，下文特舉—i述和其他目的、特徵和優點能更明顯 說明如下。、 乂佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 【實施方式】 ▲ 接者’請配人务 圖3所繚示為。本，圖式，說明本發明之實施例° 結構剖面圖。圖，3戶t明之一實施例—RMS R〇M的

分1 ^冰 口0所不的Super-RENS ROM 1是在基板10上 m斤堆豐桌二介带 -- 1¾ ^ 2〇、反射層30、第一介電層40、罩幕

第13頁 1247301 _案號⑽1Π9024_g十年3 月义曰一----- 五、發明說明（8) 層50、第三介電層60而構成。 基板1 0例如是由透明的聚奴酸醋形成。在基板1 〇的表 面形成標示（凹坑）（未圖示）°Super-RENS ROM中記錄的 資訊係藉由標示的有無而表現成數位信號。例如是基板表 面上形成的凹部作為標示而記錄。基於標示的長度及深 度，來自標示的反射光的強度會改變。 在形成有標示的表面上，依序形成第二介電層20等。 第二介電層20、第一介電層40、第三介電層60是以ZnS-Si02等介電材料形成的。在本實施例中，各介電層之厚度 分別為Onm 〜60nm、10nm 〜60nm、Onm 〜200nm 〇 反射層3 0是以融點4 0 0 °C〜9 0 0 °C的相變化物質形成 的，其是由例如融點為6 0 0 °C之銀•銦•銻•碲化合物 (AglnSbTe，AIST)形成的。而且，反射層30也可以是由碳 (C)、鍺•銻•碲化合物（GeSbTe)、鍺（Ge)、鎢（W)、鈦 (Ti)、矽（Si)、鎂（Mg)、鋁（A1)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、鈀 (Pd)、碲（Te)等高融點物質形成的。反射層30的厚度為 1Onm〜8 Onm 〇 另一方面，罩幕層50是由金氧化物（AuOx)、白金氧化 物（PtOx)、銀氧化物（AgOx)、把氧化物（PdOx)等之貴金屬 氧化物或鎢氧化物（WOx )等高融點金屬氧化物形成的。 罩幕層5 0例如是利用反應性濺鍍法形成的。例如在形 成材質為白金氧化物（Pt Ox)的罩幕層50之情況下，在真空 容器中注入氬氣（Ar)及氧氣（〇2)，以白金作為靶材而進行 濺鍍的話，可以形成材質為白金氧化物（Pt0x)的罩幕層 50。罩幕層50的厚度為1.5 nm〜10.0 nm。

13440pifl.ptc 第14頁 I 1247301

在罩幕層巾’也可以形成貴金屬、高融點金屬的奈米 粒=，而可以利用超解析近接場構造的作用。奈米粒子例 如是在上述以反應性濺鍍法形成罩幕層之後，例如利用反 應性離子银刻法還原罩幕層而形成之。藉由還原形成罩幕 層之白金氧化物（Pt Ox)中的氧，可以形成白金（pt)的奈米 粒子。 而且，在下述的測定中（除了圖7的情況以外），如圖3 所示，從Super-RENS ROM的基板1〇側朝向第3介電層6〇之 方向，照射與基板1 0垂直的雷射光束（從基板側照射）。但 是，在圖7所示的測定中，係為與圖3所示的方向相反的方· 向’亦即從Super-RENS ROM的第3介電層60朝向基板10之 方向，照射與基板1 0垂直的雷射光束（從資訊側照射）。 圖4所繪示作為本發明實施例之圖1所示之Super_RENS ROM的標示長度對載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio， CNR)的關係圖。在標示深度為50nm、70nm、1 OOnm三種情 況下測定得到的結果。

光學系統之鑑別限度（RL)為2 65 nm。在凹坑深度為 5 0nm及70nm的情況下，即使標示長度為150nm，CNR也為 4OdB以上，表示出良好的特性。即使在凹坑深度為1〇〇 nm 的情況下，標示長度為150nm，CNR為36dB。

X 為了作比較，而將只具有由銀开^成的反射層、且不具 有罩幕層的試樣的測試數據也表示出來。在此情況下，標 示長度、RL在2 5 0nm以下，CNR變成近似於0，判斷無法讀 取標示。 圖5為繪示本發明之實施例的Super-RENS ROM讀取雷

13440pifl.ptc 第15頁 1247301 -----篆號 9310Qf)24 年彳月 日_ 五、發明說明（10) 射強度（Pr)對載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio， CNR)的關係圖。標示長度（凹坑長度）為15〇ηιη，標示深度 (凹坑深度）為5〇nm，線速度為2m/sec。 證明Pr為lmw以下，讀取信號之載波雜訊比（〇81'1^61'-to-Noi se Rat io，CNR)約為 OdB，Pr 為超過lmW，讀取信號 之載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio，CNR)快速的改 善。Pr在1· 9mW〜2. 5mW的範圍内，CNR為40dB以上，表示 可以良好的讀取Super-RENS ROM中記錄的資訊。 圖6為繪示本發明之實施例的sUper-RENS ROM線速度 對載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio，CNR)的關係 圖。測定使用的Super-RENS ROM標示長度（凹坑長度）為 l5〇nm ’標示深度（凹坑深度）為7〇nm。對於2m/sec〜6m/sec 的各個的各線速度，在尋執伺服的狀態下，測定反射光之 CNR。使用的雷射光束強度在線速度為2m/sec的情況時為 2mW ;在其他的情況時為3mW。結果，CNR在全部的線速度 都固定在約4 OdB。在線速度最慢之2m/sec的情況下，即使 雷射光束的強度降低，CNR也是約38dB，表示可以良好的 讀取Super-RENS ROM中記錄的資訊。

圖7(a)及圖7(b)為表示從Super-RENS ROM讀取的信號 分別在頻率區域及時間區域的測定<結果照片圖。此測定是 在凹坑深度50nm、線速度2m/sec、雷射光束強度2mw、雷 射光束波長6 3 5 n m、對物透鏡開口數〇 · 6 0等條件下進行。 而且在圖7(a)的標示（凹坑）長度為150nm、並從中心 3 7 · 1 nm之部分進行測定。結果，由頻率區域的測定結果來 看，CNR為41.47dB。圖7(a)的標示（凹坑）長度為150nm、

l344〇pifl.ptc 第16頁 1247301 修正 _案號 93109024 五、發明說明（11) 並從中心3 7 · 1 nm之部分進行測定。結果，由頻率區域的測 定結果來看，CNR為41.47dB。圖7(b)的標示（凹坑）長度為 40 0nm、並從中心5 1 · 2nm之部分進行測定。結果，CNR為 5 2 · 8 5 d B。證明即使標示長度為1 5 0 n m那樣短，也可以得到 足夠局的CNR。 圖8(a)及圖8(b)為表示從Super-RENS ROM與習知的光 碟ROM讀取的信號分別在頻率區域及時間區域的測定結果 照片圖。此測定是在凹坑長度4 0 0nm、凹坑深度1 〇 〇 nm、線 速度2m/sec、雷射光束強度2mW、雷射光束波長635nm、對_ 物透鏡開口數0· 60等條件下進行。圖8(a)為測定Super_ β RENS ROM。結果，由頻率區域的測定結果來看，CNR為 58· 5dB。圖8(b)為測定習知的光碟ROM。結果，CNR為 54.5dB °Super-RENS ROM 的 CNR較習知的光碟 ROM 的 CNR 約 高4dB，表示Super-RENS ROM的優越性。 圖9(a)及圖9(b)與圖8(a)及圖8(b)相同，其為表示從 Super-RENS ROM與習知的光碟ROM讀取的信號分別在頻率 區域及時間區域的測定結果照片圖。此測定是在凹坑長度 40 0nm、凹坑深度50nm、線速度2m/sec、雷射光束強度

2mW、雷射光束波長635nm、對物透鏡開口數0.60等條件下 進行，其不同點在於凹坑深度由10j)nm變成5Onm。圖9(a) 為測定Super-RENS ROM。結果，由頻率區域的測定結果來 看，CNR為52· 85 dB。圖9(b)為測定習知的光碟ROM。結 果，CNR 為51 · 05dB。Super-RENS ROM 的CNR 較習知的光碟 ROM[的CNR約高1.8dB，表示Super-RENS ROM的優越性。

13440pifl.ptc 第17頁 iimmi ： i " … 索號1iD9024 VaaMiiini 气屮年0[月yT a_修正 五、發明說明（12) 反射層中也觀察不到擴散反應。 圖10所繪示為本發明之一實施例之Super-RENS ROM 1 在利用雷射光束照射以讀取出資訊的情況下，標示長度與 C N R的關係圖。在此測定中，如上述一樣，以與圖3所示的 相反方向，亦即以從Super-RENS ROM 1的第3介電層朝向 基板的方向，照射與基板1 0垂直的雷射光束（從資訊側照 射）。 對於標示深度為5 0 n m與1 0 0 n m的兩種情況進行測定。 光學系統的鑑別限度（RL)為265nm。在標示深度為 50nm與100nm的情況下，即使標示長度為150nm，CNR為 I 3 5 d B以上，並不像圖4所示從基板側照射的情況那樣，也 顯示出足夠良好的特性。 為了作比較，而將只具有由銀形成的反射層、且不具 有罩幕層的試樣的測試數據也表示出來。在此情況下，標 示長度、RL在25 0nm以下，CNR變成近似於〇，判斷無法讀 取標不。 如此，在Super-RENS ROM中記錄的資訊可以從基板側 及資訊側之任一側進行讀取。利用此種特性，重複堆疊圖 3的堆疊結構而形成的super-RENS ROM中記錄的資訊可以 從基板側及資訊側兩者進行讀取、而可以在一牧“…卜 RENS ROM中記錄更高密度的資訊。 本發明係為記錄有資訊的讀取專用紀錄媒體，其是由 表面記錄有上述資訊的基板、於上述基板上由相變化物質 形成的反射層、於上述反射層上形成的第一介電層、於上 述第一介電層上由金屬氧化物形成的罩幕層所構成。由於

13440pifl.ptc 第18頁 1247301 _案號931⑽024_年飞月曰 修正_ 五、發明說明（13) 設置有由相變化物質形成的反射層、於反射層上形成的第 一介電層、由金屬氧化物形成的罩幕層，因此可以產生超 解析近接場構造的作用，且能夠以高載波雜訊比（CNR)讀 取再生裝置的光學鑑別限度以下的標示（凹坑）。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

13440pifl.ptc 第19頁 1247301 案號9310卯?4 年 月 >r

B 修正 圖式簡單說明 圖1所繪示為習知唯讀型記錄媒體的標示長度與載波 雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio，CNR)的關係圖。 圖2所繪示為利用超解析近接場構造之記錄型光碟的 紀錄原理示意圖。 圖3所綠示為本發明實施例之Super — RENS R〇M的結構 别面圖。 圖4所纷示作為本發明實施例之唯讀型記錄媒體的標 示長度對載波雜訊比（Carrier — t〇 — N〇iSe Ratio，CNR)的 關係圖。 ® 5為繪示本發明實施例之唯讀型記錄媒體的讀取雷 射 $ ^(Pr)對載波雜訊比（Carrier-to-Noise Ratio， CNR)的關係圖。 圖6為綠示本發明實施例之唯讀型記錄媒體的線速度 對載波雜却μμ γ p . 比（Carrier-to-Noise Ratio ， CNR)的關係 圖。 rj ( a = U)及圖7(b)為表示從Super-RENS ROM讀取的信號 刀。頻率區域及時間區域的測定結果照片圖。 8(a)及圖8(b)為表示從Super - RENS ROM與習知的光 K U Μ 'su $取的信號分別在頻率區域及時間區域的測定結果 照片圖。 0^,圖9(&)及圖9(b)為表示從Super-RENS ROM與習知的光 碟ROM讀取^ ^t n %的#唬分別在頻率區域及時間區域的測定結果 照片圖。 81 10所纷示為本發明實施例之Super —RENS R〇M 1在利

1247301 案號 93109024 圖式簡單說明 用雷射光束照射以讀取出資訊的情況下，標示長度與CNR 的關係圖。 【圖式標示說明】 1 :唯讀型記錄媒體 10 :基板 20、1 12-2 :第二介電層 3 0 :反射層 40、1 12-1 :第一介電層 50、1 13 :罩幕層 60 :第三介電層 111 114 115 117 118 聚碳酸酯 保護層 記錄層 雷射光源 聚焦透鏡

13440pifl.ptc 第21頁

Claims (1)

1247301 一 93109024 六、申請專利範圍 1 · 一種超解析近 資訊的唯讀型記錄媒

一基板， 一反射層 相變化物質形 一第一介 一罩幕層 屬氧化物形成 2. 如申請 記錄媒體，其 該反射層之間 3. 如申請 記錄媒體，其 4. 如申請 記錄媒體，其 化物。 5·如申請 記錄媒體，其 化物（P tOx)、 物（PdOx)之任 6 ·如申請 記錄媒體，其 化物。 7.如申請 在一表 ，設置 成的； 電層， ，設置 的。 專利範 中更包 〇 專利範 中該罩 專利範 中形成 接場構造之記錄媒體，係為記錄 體，包括： ’、有一 面上記錄有該資訊； 於該基板的該表面上，該反射層是由 設置於該反射層上； 於該第一介電層上，該罩幕層是由金 圍第1項所述之超解析近接場構造之 括一第二介電層，設置於在該基板與1 圍第1項所述之超解析近接場構造之 幕層含有金屬的奈米粒子。 圍第1項所述之超解析近接場構造之 該罩幕層之金屬氧化物包括貴金屬氧 專利範圍第4項所述之超解析近接場構造之 中形成該罩幕層之貴金屬氧化物包括白金氧 金氧化物（AuOx)、銀氧化物（AgOx)、把氧化 •—種 〇 專利範 中形成 I 圍第1項所述之超解析近接場構造之 該罩幕層之金屬氧化物包括高融點氧 專利範圍第6項所述之超解析近接場構造之

13440pi fl.ptc 第22頁 Ϊ247301 Π 二 案錶9Slj〇9024 年巧月if π 修正___ 六、申請專利範圍 ^- 記錄媒體，其中形成該罩幕層之高融點氧化物包括鎢氧化 物（WOx) 〇 8 ·如申請專利範圍第1項所述之超解析近接場構造之 記錄媒體，其中形成該反射層之相變化物質包括銀•鋼· 銻•碲化合物（AglnSbTe，AIST)、碳（c)、鍺•銻•碲化 合物（GeSbTe)、鍺（Ge)、鶴（W)、鈦（Ti)、石夕（Si)、鎮 (Mg)、鋁（A1)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、鈀（pd)、碲（Te)任一 種0

9 ·如申請專利範圍第1項至第7項其中任一項所述之 解析近接場構造之記錄媒體，其中該資訊由形成於該基 表面上之標示所記錄。 1 0 ·如申請專利範圍第1項至第7項其中任一項所述之 超解析近接場構造之記錄媒體，其中該罩幕層之厚度為 1.5nm以上、lO.Onm以下；該第一介電層之厚度為10nm以 上、60nm以下；該反射層之厚度為l〇nm以上、80nm以下。 1 1 ·如申請專利範圍第1項至第7項其中任一項所述之 超解析近接場構造之記錄媒體，其中更包括一第三介電 層，設置於該罩幕層上。 1 2 · —種再生方法，係為光學的讀取申請專利範圍第1 項記載的唯讀型記錄媒體中所記錢的資訊的再生方法，其 中照射該記錄媒體的一雷射光束之強度為I 5mW至4. 5mW。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之再生方法，其中從 該記錄媒體的基板側照射該雷射光束° 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述之再生方法，其中從

13440pifl.ptc 第23頁 1247301 修正 __案號 93109024 六、申請專利範圍 該記錄媒體的資訊側照射該雷射光束。 1 5 · —種再生裝置，係為光學的讀取申請專利範圍第1 項記載的唯讀型記錄媒體中所記錄的資訊的再生裝置，照 射強度為1. 5mW至4. 5mW的雷射光束。

13440pifl.ptc 第24頁 1247301 0,4 Q 9g " 案號93109024 年9月1曰 修正 六、指定代表圖 (一） 、本案代表圖為：第__3„圖 (二） 、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：

10 基板 20 第二介電層 30 反射層 40 第一介電層 50 罩幕層 60 第三介電層 13440pifl.ptc 第5頁