TWI247341B - Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithographic application - Google Patents

Description

1247341 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於-種用於微影系統的透鏡，特 於液體浸潤式微影製程的接物透鏡。心用 【先前技術】 半導體積集電路產業歷經了快速的成長。由於積 在材料與設計上的進步，已經創造出了許多不同世代的積 電路’而且每-個世代都比先前世代具有更複雜的電路1 而這些進步也增加了積集電路製造與製程的複雜性，同^ 地，積集電路的製造與製程需要有相同程度的發展以實現以 上所述的進步。 半導體積集電路產業的成長由摩爾定律所驅動，内容提 到「最小元件的複雜度每年以大約2的比率增加」。在此一 積集電路的演進過程中，功能密度（例如，每單位晶片面 積中内連線元件的數量）逐漸增加，而特徵尺寸（例如， 使用建構製程所能創造出的最小元件與線路）逐漸降低。此 縮小化的製程一般會提供生產效率增加與成本降低的好處。 微影製程的進步以及其更小尺寸的印刷能力是促使特 徵尺寸持續不斷縮小化的因素之一。在光微影系統之中微小 化特徵尺寸某個程度決定於與光繞射有關之波長以及光所 穿過的介質。因此降低特徵尺寸與增加解析度的方法之一就 疋使用短波長的光。另一個方法是在基材與透鏡之間使用其 他介質而非空氣。由於介質的折射率（以η表示）大於1， 1247341 在w質之中光的波長就會以η的比率變短。由此可改進解析 效果。 使用非空氣介質以増進解析效果的方法被稱為浸潤式 微影。依據置入的介質種類，浸潤式微影可以區分為固體浸 潤式微影與液體浸潤式微影。然而，在液體浸潤式微影中， 微影製程所使用的光學透鏡與所使用的浸潤液體之間會有 化學作用產生。此化學作用可能會損害光學系統並且降低系 統的解析度。 【發明内容與貪施方式】 本發明揭露有關於使用在微影系統中的光學透鏡，特別 是用於液體浸潤式微影製程的接物透鏡。然而值得注意的 是’為了展現本發明不同的樣貌，以下所揭露的内容將提供 許多不同的實施例與範例。而組織與安排的特定案例是為了 簡單地揭露本發明的内容。這些都只作為範例並不用來限制 本發明。除此之外，本發明的内容之中會在不同的案例之中 會重覆相同的參照號碼或字母。重覆參照這些號碼與字母是 為了簡單清楚地敘述起見，並不用來限定文中所討論之不同 實施例與構造之間的關係。 請參照第1圖，在本發明的一個實施例中，液體浸潤式 微影系統10 0包括光源110，照射系統12 0 (例如聚光) 光罩130以及接物透鏡140。可以在浸潤式微影系統1 〇〇中 使用浸潤液體150以協助形成半導體基材160上圖案。 光源110可以是任何一種合適的光源，例如光源11〇 1247341 可以是具有波長436nm或365nm的水銀燈；波長248nm的 氟化氪準分子雷射；波長193nm的氟化氬準分子雷射· 波長157nm的氟準分子雷射；或者是其他具有波長小於 大約lOOnm的光源。 在波長小於1 5 7nm的微影系統之中，不同的系統零 件顯現出高度的吸光性，這些問題可以運用反射光學技 術加以解決。然而這些光學技術又會引發其他的挑戰。 在微影製程中，當解決了有關波長小於157nrn的一些問 題之後，便可以使用浸潤式微影來縮小特徵尺寸。必須 注意的是，以上所述的光源都個別具有特定的波長分布 與線寬而非切確的單一波長。例如，水銀燈(例如， 365nm)的波長並非確實為365nm，而是波長在大於或小 於356nm的範圍之内，而波長範圍的中心位置為 365nm。此範圍可以用來決定微影製程中可能的最小線 寬，較小變異的指定波長365nm會形成較小的線寬。 照射系統120 (例如聚光器）包括單一透鏡或包括具有 夕個透鏡或其他透鏡零件的透鏡系統。例如，照射系統包括 微小透鏡陣列（Microlens Array )，陰蔽遮罩（Shad〇w

Mask),或其他設計用來將光線由光源11〇導入光罩之 上的辅助結構。 光罩130包括透明基材和吸收層。透明基材用相對無瑕 疫的熔融二氧切’例如高㈣酸鹽玻璃與碳酸妈玻璃。 吸收層則㈣個不㈣質經由不同的製程所形成，例如 沉積氧化鉻與氧化鐵金屬g，或者沉積矽化鉬、矽酸鍅、 1247341 氮化矽與/或氮化鈦等無機層。將吸收層圖案化使其具有 一個或多個開口，光線可以穿過此開口而不被吸收層所 吸收。 接物透鏡140包括單一透鏡或多個透鏡元件繪示如 170、172、174。每一個透鏡元件包括透明基材，以及在 每一個透鏡元件上至少有一個表面具有反反射層。此透 明基材可以是傳統的接物透鏡材質，也可以是由熔融的 二氧化矽、氟化鈣、氟化鋰或氟法鋇所組成。每一個透鏡元 件的材質的選擇都是以微影製程中所使用之光線的波長作 為選擇基準以減少透鏡元件對光的吸收與散射。 至少會有一個透鏡元件同時具有抗腐蝕層，以降低或防 止接物透鏡140在浸潤液體15〇之中遭到腐蝕。假如浸潤液 體150具有腐蝕性，透鏡元件17〇則需具有非對稱的抗腐蝕 層。例如，透鏡元件170在一表面上具有反反射層並在鄰接 或接觸浸潤液體150的表面具有抗腐蝕層。在這一個實施例 之中，接物透鏡140的透鏡元件17〇可以直接與浸潤液體 150接觸。依照光學品質以及與半導體基材16〇的相容性來 選擇/¾潤液體150。例如選擇可以將化學作用、光學散射與 光吸收最小化，且在微影製冑中相肖低氣泡以及熱穩定的浸 潤液體150。如同及其他液體，純水可以是選項之一。 半導體基材160可以是包括基本半導體、混合半導體以 及：金半導體或其他如上述材質之混合物的晶圓，其中基 本半導體包括例如結晶矽、多晶矽、非晶矽、鍺以及鑽石； 混合半導體包括，例如碳切、料鎵；以及合金半導體包 1247341 ' 括，例如矽鍺、磷砷化鎵、砷化鋁鎵、砷化銦鋁以及砷化 銦鎵。 請參照第2圖，第2圖係根據第1圖中透鏡元件170 的實施例所繪示之透明基材210以及抗腐蝕層220。透明基 材210可以是傳統的接物透鏡材質，也可以是包括熔融 的二氧化矽、氟化鈣、氟化鋰、氟法鋇或其他材質。在一些 實施例中材質的選擇是以微影製程中所用之光線的波長作 為考量基準。 抗腐蝕層220可以直接形成於透明基材21〇之上或只與 基材210鄰接（假如有中介層存在）。選擇可以完全貼附於 透明基材210之上，且可以讓微影製程中所使用之光線穿 過，並在浸潤液體150之中具有穩定之化學性質者作為形成 抗腐蝕層220的材質。值得注意的是，此材質可以依照個別 微影製程所使用的浸潤液體之種類加以改變。在此案例之 中，所謂化學穩定度係指抗腐蝕層22〇與浸潤液體15〇之間 的反應速率小於每小時1()·、所謂的化學反應速率之定義 為抗腐蝕層每小時的厚度減少量。抗腐蝕層220在浸调液體 150之中的化學穩定度可使抗腐㈣保護接物透鏡_的透 鏡元件m免於浸潤液體的損害。因此當延長接物透鏡14〇 的壽命可以保持微影製程的解析度。 m施例之中，當透明基材由氟㈣、氣化鐘或敦 肩所、！成時，可以使用二氧切t作抗腐钮層⑽。而二 氧化矽適合以水當作的浸潤液體 …材料包括氧化•聚…::::= 1247341 感樹脂。 在本實施例之中，抗腐蝕層220的厚度小於 m，而且抗腐蝕層220的表面平坦度必須控制在表面變異 程度低於微影製程中所使用之光線之波長的一半。在一 些實施例中，抗腐蝕層220的厚度範圍可以增加到接近 lmm，使抗腐姓層220同時具有反反射與抗腐蝕的雙重 功能。抗腐蝕層220的沉積可以使用旋塗法、化學氣相 沉積法、原子層沉積法、物理氣相沉積法，例如濺鑛與 蒸鐘或蟲晶生長來加以完成。 請參照第3圖，第3圖係根據透鏡元件丨7〇的另一 個實施例繪示透明基材2 1 0、抗腐蝕層220以及反反射 層3 10。在本實施例中，反反射層31〇鄰接於透明基材 210之上，且位於抗腐蝕層220反面的位置。反反射層31〇 具有夕層結構或漸層結構，其折射係數會逐漸改變以符合相 鄰物質的折射係數。反反射層310可以使用有機物、複合物 以及金屬材質或上述材質的混合物加以塗裝，其中有機物 至少包含一個氩、碳與氧；複合物包括，氟化鎂、氧化矽、 氧化鉻、氧化銦錫、二氧化矽、氮化矽、氧化鈕、氧化 鋁、氮化鈦與氧化锆；金屬材質包括，例如鋁、銀、銅 與銦。 請參照第4圖，第4圖係根據透鏡元件丨7〇的再一實 施例繪示透明基材210、抗腐蝕層22〇以及反反射層 410。在本實施例中，反反射層41〇位於透明基材21〇與 抗腐蝕層220之間。反反射層41〇具有多層結構或漸層結 10

I 1247341 構，其折射係數會逐漸改變以符合相鄰物質的折射係數。反 反射層410可以使用有機物、複合物以及金屬材質或上述 材質的混合物加以塗裝，其中有機物至少包含一個氫、碳 與氧；複合物包括，氟化鎂、氧化矽、氧化鉻、氧化銦錫、 二氧化矽、氮化矽、氧化鈕、氧化鋁、氮化鈦與氧化鍅； 金屬材質包括，例如鋁、銀、銅與銦。 請參照第5圖，第5圖係根據透鏡元件〗7〇的又一實 施例繪示透明基材210、抗腐蝕層22〇以及兩個反反射 層310、410。在本實施例中，反反射層31〇鄰接於透明 基材210之上’且位於抗腐蝕層220的反面位置，而反反 射層410位於透明基材210與抗腐蝕層220之間。反反 射層310、410兩者或兩者其中之一具有多層結構或漸層 結構，其折射係數會逐漸改變以符合相鄰物質的折射係數。 且反反射層310、410兩者或兩者其中之一可以使用有機 物複合物以及金屬材質或上述材質的混合物加以塗裝， 其中有機物至少包含一個氳、碳與氧；複合物包括，氟化 鎂、氧化矽、氧化鉻、氧化銦錫、二氧化矽、氮化矽、氧 化鈕、氧化鋁、氮化鈦與氧化锆；金屬材質包括，例如 銘、銀、銅與銦。 請參照第6圖，在另一個實施例中，使用方法6〇〇以建 構第1圖所繪示的接物透鏡140或透鏡元件，例如第2圖至 第5圖所繪示的透鏡元件170。在本實施例之中，方法6〇〇 係繪不第3圖相關的透鏡元件17〇。步驟610製備透鏡元件 170的一表面。製備過程包括一系列的研磨、清潔程序並且 11 1247341 ! 可能使用機械、化學與/或其他表面處理的方法。 在步驟620之中，抗腐餘層（例如，第3圖的抗腐餘層 220)材質的選擇，是以浸潤透鏡元件17〇之浸潤液體以及 透鏡元件170的材料兩者或兩者之一為選擇基準。例如，假 如透鏡元件170包括氟化鈣、氟化鋰或氟化溴，且用水來當 作浸潤液體’可以選擇二氧化矽當作抗腐蝕層。其他可以用 於抗腐蝕層的材料包括氧化銦錫、聚合物以及光阻劑的非 光敏感樹脂。 在步驟630之中，抗腐蝕層形成於透鏡元件n〇之 上，抗腐蝕層可以直接形成於透明基材之上或只與透明基 材鄰接（假如有中介層存在）。選擇可以完全貼附於透明基 材之上，且可以讓微影製程中所使用之光線穿過，並在浸潤 液體150之中具有穩定之化學性質者作為形成抗腐蝕層的 材質。值知注意的是，此材質會依照個別微影製程所使用的 浸潤液體不同而有所改變。在此實施例之中，所謂化學性質 穩定表示抗腐蝕層與浸潤液體之間的反應速率小於每小時 10 ,而所謂的化學反應速率之定義為每小時反反射層厚度 所減少的量。 在本實施例之中，抗腐蝕層22〇的厚度小於1，〇〇〇# m，而且抗腐蝕層220的表面平坦度必須控制在表面變異 程度低於微影製程所使用之光線波長的一半。在一些實 施例中，抗腐蝕層22〇的厚度範圍可以增加到接近i mm， 二腐餘層220具有反反射與抗腐钱的雙重功能。採用 例如研磨製程平面化所形成的抗腐蝕層。 12 1247341 在步驟640中，反反射層（如第3圖所繪示之反反 射層310)形成於接物透鏡的透鏡元件17〇之上，與抗 腐餘層位置相反的表面。反反射層具有多層結構或漸層結 構’其折射係數會逐漸改變以符合相鄰物質的折射係數。反 反射層包括有機物、複合物以及金屬材質或上述材質的混 合物，其中有機物至少包含一個氫、碳與氧；複合物包括， 例如氟化鎂、氧化矽、氧化鉻、氧化銦錫、二氧化矽、氮 化矽、氧化鈕、氧化鋁、氮化鈦與氧化锆；金屬材質包 括，例如鋁、銀、銅與銦。值得注意的是，反反射層可以 不使用於透鏡元件170之上或者可能在形成抗腐蝕層之前 就先形成於相同的表面上（如第4圖所繪示）。 在步驟650中，組合具有抗腐蝕層與反反射層之透 鏡元件170以及其他透鏡元件以形成接物透鏡。值得注意 的是，此組合步驟並不一定為必要。例如，透鏡元件可以單 獨使用，或在抗腐蝕層與反反射層兩者或其之之一在形成之 時已經是接物透鏡的一部分。另外與透鏡元件17〇 一起使用 之其他透鏡元件可以也可不用具備反反射層或抗腐蝕層。 請參照第7圖，方法700係繪示第1圖至第5圖所繪示 之接物透鏡170在浸潤式微影製程中的使用範例。在步驟 710之中，至少某一程度以浸潤式微影製程中所使用之液體 作為考量基準，以選擇具有合適抗腐蝕層的接物透鏡。由於 抗腐蝕層能保護或減少透鏡受到浸潤液體腐蝕，因此形成抗 腐蝕層的材質也成為一個選擇接物透鏡的考量因素。在一個 實施例中，浸潤液體具有大於丨的折射係數，在給定的波 13 1247341 長’例如193私m範圍中具有相對較低的光吸收能力並且能 與運用在半導體基材的光阻相容。加上此浸潤液體化學性質 相對穩定、均一、無污染、不起泡以及熱穩定。例如，純水 可以用來當作浸潤液體。更由於溫度會影響浸潤液體的折射 係數的飄移，因此需控制浸潤液體的溫度。 在步驟720中，在要圖案化的基材與接物透鏡之間注入 浸潤液體，將具有抗腐蝕層之接物透鏡接近或接觸浸潤液 體。在一些實施例中，接物透鏡至少有一部份會被浸潤液體 的表面張力所支撐而固定不動。 在步驟730中，描述在基材上以接物透鏡執行微影製 程。照射光線來自於波長436nm( G-line)或365nm( I_line) 的水銀燈，波長248nm的氟化氪準分子雷射；波長193nm 的氟化氬準分子雷射；波長157nm的氟準分子雷射。例 如，波長193nm的氟化氬準分子雷射可以用於液體浸潤 式微影製程以增加圖案的解析度。 雖然本發明已以-較佳實施例揭露如上，然其並 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發 =神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本 月之保護_當視後附之中請專利範圍所界定者為準 【圖式簡單說明】 由以上詳細的細節描沭 人 .^ π 即彻述配合相關的圖例可以清楚理 Γ規=的：容。必須強調的是，根據此-產業的標 常規’所有圖示都未依照比例繪示。事實上，為了清楚標 14 1247341 起見，不同圖示都有可能被任意放大或縮小。 第1圖係緣示使用具有抗腐蝕表層之接物透鏡之液體 浸潤式徵影系統的範例結構示意圖； 第2圖係根據第1圖之具有抗腐蝕表層之接物透鏡之實 施例所繪示的結構示意圖； 第3圖係根據第1圖之另一實施例所繪示的結構示意 圖，其中接物透鏡具有抗腐蝕層位於一表面並且具有一反反 射層位於抗腐蝕表層的反面； 第4圖係根據第1圖之又一實施例所繪示的結構示意 圖’其中接物透鏡具有抗腐蝕層與反反射層位於同一表面； 第5圖係根據第1圖之再一個實施例所繪示的結構示意 圖’其中接物透鏡具有抗腐蝕層與第一反反射層位於同一表 面並且具有第二反反射層位於抗腐蝕層與第一反反射層的 反面； 第6圖係緣示一製造具有抗腐餘層之透鏡元件的方法 流程圖；以及 第7圖係繪示一使用具有抗腐钮層之透鏡的方法流程 圖。 【主要元件符號說明】 100 :液體浸潤式微影系統 110 :光源 120 :照射系統 130 :光罩 140 :接物透鏡 150 :浸潤液體 160 :半導體基材 170、172、174 :透鏡元件 15 1247341 210 : 310， 610、 透明基材 220 ··抗腐蝕層 410 ··反反射層 600、700 :方法 620、630、640、650、710、720、730 :步驟

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Claims (1)

1247341 十、申請專利範圍 1 · 一種適用於液體浸潤式微影製程中接受一給定波長 之光線照射的透鏡’此《透鏡至少包括· 一透明基材；以及 一抗腐餘層，形成並鄰接於該透明基材，其中該抗腐蝕 層位於該液體浸潤式微影製程所使用的液體與該透明基材 之間，以保護透明基材免受浸潤液體的腐蝕。 2. 如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該透明基 材為敦化舞^ 3. 如申請專利範圍第1項所述適用於液體浸潤式微影 製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該透明基材 為二氧化石夕。 4. 如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該透明基 材為氣化鐘。 5·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡’其中該透明基 17 1247341 材為氟化鋇。 6·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸 影製程中接夸— a、 給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐叙 層為二氧化發。 7·如申请專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式料 影製程中技典 μ 做 钱又一給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐 層為氧化銦锡。 8·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐餘 層為一聚合物。 9·如申請專利範圍第8項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該聚合物 為一光阻的非光敏感樹脂。 10·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該給定光 線的波長以248nni為中心。 11 ·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該給定光 18 1247341 線的波長以193nm為中心。 12·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該給定光 線的波長小於l〇〇nm。 13·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐蝕 層的厚度小於1000/zm。 14·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 w製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐蝕 層表面平坦度的變化小於該給定光線之波長的一半。 15·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 景> 製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐蝕 層與該液體之間具有一化學反應，該反應速率每小時小於 1〇-5 〇 16·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該抗腐蚀 層具有被選擇用來抗腐蝕與反反射的一厚度。 17·如申請專利範圍第1項所述之適用於液體浸潤式微 19 1247341 影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，更包含一反反 射層。 18·如申請專利範圍第ι7項所述之適用於液體浸潤式 微影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該反反 射層具有一多層結構。 19·如申請專利範圍第17項所述之適用於液體浸潤式 微影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該反反 射層具有一漸層結構。 20·如申請專利範圍第17項所述之適用於液體浸潤式 微影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該反反 射層為一有機材質。 ^ 21·如申請專利範圍第17項所述之適用於液體浸潤式 微影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該反反 射層為一複合材料，選自於一群由氟化鎂、氧化矽、氧化鉻、 氧化銦錫、二氧化矽、氮化矽、氧化钽、氮化鈦與氧化 錯以及上述材質的任意組合所組合而成的材料。 ^ 22·如申請專利範圍第17項所述之適用於液體浸潤式 微衫製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該反反 射層鄰接該透明基材，相對於該抗腐蝕層之反面的表層。 20 1247341 23·如申請專利範圍第17項所述之適用於液體浸潤式 微影製程中接受一給定波長之光線照射的透鏡，其中該反反 射層位於透明基材與抗腐蝕層之間。 24· —種建構適用於液體浸潤微影製程中具有抗腐蝕 層之接物透鏡的方法，該方法至少包括： 製備第一透鏡元件的一表面； 以用於液體浸潤式微影製程所使用的液體為考量基 準，選擇一材質以適用於抗腐蝕層，其中該抗腐蝕層與該液 體的化學反應速率每小時小於1 在該第一透鏡元件之該第一表面形成該抗腐餘層；以及 組裝該第一透鏡元件與其他透鏡元件形成該接物透鏡。 25·如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微 影製程中具有抗腐餘層之接物透鏡的方法，更包括在該第一 透鏡元件之第二表面形成一反反射層。 26如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微影 製程之具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，更包括在該接物透 鏡之另一個透鏡元件上形成一反反射層。 27·如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微 影製程中具有抗腐餘層之接物透鏡的方法，其中該抗腐钱層 21 1247341 的形成包括沉積一預定厚度的該抗腐蝕層材質，使其具有抗 腐餘及反射之功能。 28·如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微 影製程中具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，其中形成該抗腐 蝕層的方式包括旋塗製程。 29·如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微 影製程中具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，其中形成該抗腐 餘層的方式包括濺鍍製程。 30如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微影 製程中具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，其中形成該抗腐蝕 層的方式包括化學氣相沉積製程。 3 1如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微影 製程中具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，其中形成該抗腐蝕 層的方式包括原子層沉積製程。 32·如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微 影製程中具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，其中形成該抗腐 餘層的方式包括蒸鍍製程。 33·如申請專利範圍第24項所述之適用於液體浸潤微 22 1247341 影製程中具有抗腐蝕層之接物透鏡的方法，其中形成該抗腐 蝕層的方式包括磊晶製程。 34·—種在液體浸潤式微影製程中使用具有抗腐蝕層之 接物透鏡圖案化半導體基材的方法，該方法至少包括： 以用於液體浸潤式微影製程中所使用的液體作為選擇 基準，選擇具有特殊抗腐蝕層的一接物透鏡； 在該接物透鏡與該下方基材中間注入該選定的該液 體，其中安裝該接物透鏡以使抗腐蝕層剛好與該液體接觸； 以及 照射該接物透鏡，用以在該下方基材上執行微影製程。 23