TWI247281B - Method of determining defect detection mode for optical storage device - Google Patents

Description

1247281 狄、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本务明係關於一種光學儲在駐里1 予燔存羞置決定缺陷偵測模式之方 法，特別是關於光學儲存裝置將 万 貝枓冩入光學儲存媒體時 決疋缺陷偵測模式之方法。 【先前技術】 當光學儲存媒體（如光磾片）沾甘# • 疋米月）的某部分存在缺陷時，例 如：表面刮痕、污染或固有έ士椹 、,、 戈、、口構缺陷等，都會造成預定資 料無法正確儲存在該部分之央昼 刀心尤予儲存媒體内。亦即後續要 讀取儲存資料時會發現該筆資料受損而無法讀取。為避免 光學儲存媒體上有缺陷而使得儲存資料無法讀取，因此相 關儲存媒體產業發展出一種 裡具有缺陷管理（defect management)之光學儲存媒艚，也丨丄Ayr 甘鄉篮例如Mount Rainier格式之 可重複燒錄（re_writable )光雄ΰ ^ ^尤碟片，其中包括常使用的 CD-MRW 及 DVD+ MRW。 為確保欲儲存資料之儲存完整性，有必要產生缺陷偵測 技術以便識別出光學儲存媒體之缺陷部分。該缺陷摘測技 術主要包括寫人侧（wdtedefeetiGn)及寫人驗證（write verify)兩種模式，其中寫人_模式是利用資料寫入光學 儲存媒體時產生之伺服缺陷偵測訊號，再與一預設之門檻 值相比較，如圖1中步驟u、步驟12及步驟13所示。若 該伺服缺陷偵測訊號大於該門檻值，則轉換該伺服缺陷偵 測訊號為一缺陷 EFM (Eight to Fourteen M〇dulation ; 8-14 轉換調變）訊號，如步驟14所示。之後，經過步驟15之 H:\Hu\lgc\ 聯發科技\ 台灣專利\89963(1^1^1-03-丨75下)\89963.€1£^ 1247281 編譯而將該缺陷EFM訊號轉換為缺陷區塊（defeet block)。亦即將物理上缺陷位址改為邏輯上缺陷位址。去 該伺服缺陷债測訊號小於該門檻值時，則由步驟13跳到步 驟16而繼續流程。若資料仍未完全寫入該光學儲存媒體， 則由步驟16回到步驟12,直到所有資料儲存完畢後才由步 驟16進入步驟17，並結束整個流程。 圖2係習知缺陷偵測技術之寫入驗證模式之流程圖。如 步驟21所示，資料開始寫入光學儲存媒體，並依照步驟22 將其中某部分資料寫入一資料區塊内。該部分資料寫入 後，再確認是否能自該資料區塊讀取所寫入之資料，如步 驟23所示。若無法讀取所寫入資料則進行步驟24，標明該 資料區塊為缺陷區塊。相反地，若能讀取所寫入資料，則 直接進入步驟25。於步驟25確認該資料區塊是否已全部讀 取，若未能讀完則回到步驟23再重複上述步驟。反之，則 進行步驟26以確認資料是否已全部寫人光學儲存媒體。當 所有資料儲存完畢後才能結束整個流程，如步驟^所示，· 否則就再回到步驟22以重新寫入其他部分之資料。 寫入偵測模式係直接利用資料寫人時產生之伺服缺陷偵 測訊號與一門檻值相鲂，点丨丄/+ 碎車又例如使用射頻訊號（RF signal) 或側光束附加訊號（n 現 C SUb-Beam Add Signal ; SBAD)，因而 能快速地判斷出缺陷是 Φ ^生在该區塊。但由於伺服缺陷 偵測訊號通常為擷取光飨 ^ 九線反射之訊號，故很難定出一適用 於各種缺陷之最佳門插佶， 仇―、w作土 值例如不同長度之缺陷、指紋污 木或刮傷都將造成不同的反射條件。 ㈣聯發科揪台灣專卿996_丁副3丨乃丁卿地如 1247281 寫入驗證模式係藉由讀取所寫入資料之步驟以重複驗證 缺陷是否存在，因此相較於步驟單純之資料寫入偵測模 式，寫入驗證模式確能有效分辨缺陷，但相對地也因步驟 較多而需要花費更多時間。 綜上所述，習知之缺陷偵測技術僅能單獨選擇寫入偵測 或寫入驗證模式以執行偵錯，因此無法兼顧速度及可靠度 兩種優點，亦無法針對光學儲存媒體之實際缺陷分佈情形 而彈性調整偵測模式。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種光學儲存裝置決定缺陷偵測模 式之方法，係根據光學儲存媒體實際缺陷分佈密度而選擇 缺陷偵測模式，因此能兼顧速度及可靠度兩種優點。 為達上述目的，本發明揭示一種光學儲存裝置決定缺陷 偵測模式之方法，其係先分配光學儲存媒體上至少一個偵 測區以作為儲存資料處，並判斷先前缺陷記錄所載之缺陷 數量多募，而將該偵測區設定為寫入偵測或寫入驗證之： 陷偵測模式。當該偵測區執行該寫入偵測而發現缺陷累積 數量大於—預設之門摄值，則將㈣測區改蚊為“驗 證之缺陷偵測模式。 / 卜，當該光學儲存媒體係為未格式 體’則並無相關缺陷記錄存在，因此直接將該债測區設 為寫入㈣之缺陷偵測模式。於該㈣區執行該寫 而發現缺陷累積數量大 、 — 於預设之門板值，則將該偵測 為寫人驗證之缺陷債測模式。 Η琴聯發科職專獅63(MTK咖 1247281 【實施方式】 圖3⑷〜3⑷係將本發明之資料儲存區域劃分為複數個 偵測區之示意圖。光學儲存媒體31之結構由内到外主要包 含導入區（Lead-In; LI)、資料儲存區（pr〇gram㈣^及 導出區（Lead-Out ; L0)，其中資料儲存區又分割 資料區段（Data Area; DA)，如圖3⑷所示。在圖3⑷中， 將每-個資料區段DA1〜DAn分別視為不同之偵測區i到 偵測區η。然而，亦可視整個資料儲存區為單一偵測區，如 圖3⑻所示。另外，在每一資料區段内包含複數個數據封 包（packet)，而每個數據封包或數個數據封包也可當成一 個偵測區，如圖3(c)所示。本發明可應用於M〇unt 格式之可重複燒錄光學儲存媒H，該·光學儲存媒體在相 鄰資料區段間置入一備用區段（Spare Area ; SA)，可用來 取代具有缺陷之資料區段以儲存資料。 圖4(a)〜4(c)係本發明決定缺陷偵測模式之第一較佳實 施例之說明示意圖。本實施例可應用於一已格式化 (formatted)之光學儲存媒體，該光學儲存媒體上有四個 預定儲存資料之偵測區，如圖4(a)所示。由於格式化時就 已將資料儲存區内缺陷數量及位置記錄於一缺陷表（ table)内，因此偵測區偵測區4之缺陷數量可分別得 知，其中偵測區1及偵測區4之缺陷數量少於一門檻值， 因此先設定為寫入偵測模式D，如圖4(b)所示。又偵測區2 及偵測區3之缺陷數量多於-門檻值，因此設定為寫入驗 證模式V。依照® 4(b)之設定型式來執行資料寫入及缺陷 HAHuMgcW發科技\台灣專利\89963(1^丁尺1-03-丨75丁)\89963.£^ - 9 - 1247281 作後，在貫際缺陷㈣時可能會另外發現未列於 原缺fe表内之缺陷，原因处9 、 — 、T犯疋後續使用不當所造成新的 、曰。右原先設定為寫人㈣模式D之賴區4所累古十新 =陷數超過該門檻值時’則決定將其寫入债測模式二改 為寫入驗證模S V，如圖4(C)所示。 圖5係本發明決定缺陷偵測模式之第—較佳實施 程圖。於資料寫入開始後，在光學健存媒體上分配預定； 入之複數個偵測區，如步驟50及51所示。接著依昭步驟 52指不’用寫人_模式來格式化該光學儲存媒體上所預 定之寫入㈣區’並將缺陷數量及位置記錄於_缺陷表 内，並將該偵測區内原先儲存之資料清除。在步驟53，利 用缺陷分佈情形來決定每4測區到底要使料人债測模 式或是寫人驗證模式。亦即利用缺陷表内所載缺陷訊息來 判斷每-谓測區之缺陷數量是否大於一門檻值。若缺陷數 量大於該門檻值，則將該债測區設定為寫入驗證模式，否 則設定為寫入偵測模式。 當谓測區設定為寫人_模式時，在實際缺陷_時要 檢查新的缺陷累積量是否大於該門檻值。若大於該門檻值 則將該偵測區之缺_測模式改為寫人驗證模式，如步驟 54、55及56所不。若缺陷累積量仍小於該門播值，則不需 要改變缺陷偵測模式。若彳貞測區係開始就設定為寫入驗證 模式’就不需要執行步驟55及56之動作，直接跳至步驟 57將資料寫入該偵測區内。當所有預定寫入之資料都寫至 該複數個偵測區内後，所有流程之動作即告結束，否則仍 H:\Hu\lgcW發科技\台灣專利\89963(1^丁1〇-03-丨75T)\89963 doc •10- 1247281 需要回到步驟54再逐一執行相關步驟，如步驟58及59所 示0 圖6(a)〜6(b)係本發明決定缺陷偵測模式之第二較佳實 施例之說明示意圖。本實施例可應用於一未格式化 (unformatted )或缺陷分佈資訊不明之光學儲存媒體。假 設該光學儲存媒體上有人個預定儲存資料之彳貞測區，如圖 6(a)所不。由於光學儲存媒體尚未格式化，故偵測區1〜偵 測區8之缺陷數量無法得知。為方便起見，可全部先設定 為寫入偵測模式D。當偵測區2、偵測區3及偵測區7在執 行資料寫人及缺陷制之動作時，分別發現缺陷累積量大 於門檻值，則決定將其寫入伯測模式D改為寫入驗證模 式V，如圖6(b)所示。 口圖7係本發明決定缺陷_模式之第二較佳實施例之流 私，。於貝料寫入開始後，本發明在光學儲存媒體上分配 預定寫入之複數個偵測區，如步驟7〇及71所示。接著依 照步驟72指示，用寫入_模式來將資料寫入該些偵測區 内。 當谓測區設定為寫入偵測模式 ’识巧棵式在實際缺陷偵測時要杨 一缺陷累積量是否大於一門檻。 ^ 右大於该門檻值則將言| 偵測區之缺陷偵測模式改為寫 一 且犋式，如步驟73、 及75所示。當缺陷累積量若仍小於該門檀值，則不需改變 缺陷偵測模式。若偵測區已改為寫 ^ ^ Ώ 勺八鳅也槟式，則不需勃 仃步驟74及75之動作，直接 、目,ι π巾上 乂驟76將資料寫入該搞 測區内。當所有預定寫杳 寫之貝枓都寫至該複數個制區内 HAHu\l_發科脱料雜96取ΤΚΙ孤丨75τ)\8觸如 1247281 後’所有流程之動作即告結束，否則仍需要回到步驟73再 逐一執行相關步驟，如步驟77及78所示。 本發明之技術内容及技術特點巳揭示如上，然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不 背離本發明精神之替換及修飾。因此，本發明之保護範圍 應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本發明之 替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡要說明】 圖1係習知以寫入偵測模式寫入資料之流程圖； 圖2係習知以寫入驗證模式寫入資料之流程圖； 圖3⑷〜3⑷係本發明之資料儲存區域劃分為複數㈣ 測區之示意圖； 測模式之第一較佳實 圖4(a)〜4(c)係本發明決定缺陷價 施例之說明示意圖； 實施例之流 圖5係本發明決定缺陷偵測模式之第一較佳 程圖； 陷偵測模式之第二較佳實 圖6(a)〜6(b)係本發明決定缺 施例之說明示意圖；及 車交佳實施例之流 圖7係本發明決定缺陷偵測模式之第 程圖 【元件符號說明】 L0 導出區 31 光學儲存媒體 LI 導入區 DA 資料區段 H:\Hu\lgc\聯發科技\台灣專利\89963(1^1〇-03·丨75T)\89963 doc -12-

Claims (1)

1247281 拾、申請專利範圍： 1 · 種光學儲存裝置決定缺陷偵測模式之方 驟： 、八之方法，包含下列步 =配—光學儲存媒體之至少叫貞測區以作為資料儲存 設定該偵測區為一i入制之缺陷偵測模式，並以該 寫入偵測之缺陷偵測模式將資料寫入 = 内；以及 夕偵測區 若俄測出任一該债測區之缺陷累積數量大於—預設之 門檻值，則將該缺陷偵測之缺_測模式改ml 之缺陷偵測模式。 也 2. 如申請專利範圍第1項之光學儲存裝置決定缺陷偵測模式 之方法，其另包含下列步驟·· 、 記錄該光學儲存媒體内之該偵測區之缺陷數量；及 右任一該偵測區之缺陷數量大於該門檻值，則設^ 寫入偵測之缺陷偵測模式。 又疋’、、、 3. 如申請專利範圍第i項之光學儲存裝置決定缺陷侦測 之方法，其中該谓測區係依照該光學儲存媒體之複: 料區段來劃分。 貝 4. 如申請專利範圍第i項光學儲存裝置決定缺陷侦測模 方法，其中該偵測區係依照該光學儲存媒體之複固數 封包來劃分。 默據 5·如申請專利範圍第！項光學儲存裝置決定缺陷谓測 方法，其中㈣測區之數量只有—個，其包含該光學儲^ R\Hu\lgc\ 聯發科技\ 台潸專利\89963(\11^1-03-丨 75T)\89963.doc -1» 1247281 媒體之所有資料儲存區域。 6· —種光學儲存裝置決定缺陷偵測模式之方法，包含下列步 驟： 分配一光學儲存媒體之至少一偵測區以作為資料儲存 區域； 記錄該至少一偵測區内之缺陷數量及位置於一缺陷表 内； 若該缺陷表顯示該偵測區内之缺陷數量小於一預設之 門桎L值，則δ又疋該偵測區為一寫入偵測之缺陷偵測模式， 並以该寫入偵測模式將資料寫入該偵測區内； 右該缺陷表顯示該偵測區内之缺陷數量大於一預設之 門檻值，則設定該偵測區為一寫入驗證之缺陷偵測模1， 並以該寫入驗證之缺陷偵測模式將資料寫入該偵測區 内；以及 '时 若在資料寫入過程發現缺陷累積數量大於該門檻值 時，則將該寫入谓測之缺陷债測模式變更為寫入驗證 陷偵測模式。 峨 ^如中請專利_第6項之光學儲存裝置決定缺_測模式 ,方法’其另包含以該寫人制模式來格式化該資料針 Lntr ϋ ^ ffBk •如申請專利範圍第6項之光學儲存裝置決定缺陷债測才 之方法’其中該偵測區係依照該光學儲存 ^ 料區段來劃分。 篮之復數4 9 ·如申睛專利範圍第6項之光學儲在 π π予緒存裝置決定缺陷偵剛才 Η:観㈣馳料物89963(_⑽ -175T)\89963.doc -2 - 1247281 之方法，其中該偵測區係依照該光學儲存媒體之複數個數 據封包來劃分。 10.如申請專利範圍第6項之光學儲存裝置決定缺陷偵測模式 之方法，其中該偵測區之數量只有一個，其包含該光學儲 存媒體之所有資料儲存區域。 H:\Hu\lgc，發科技\ 台灣專利\89963(\111<_1-03-丨 75T)\89%3 .doc