TWI245285B - Rewritable optical recording medium and optical recording method - Google Patents
Rewritable optical recording medium and optical recording method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI245285B TWI245285B TW092103003A TW92103003A TWI245285B TW I245285 B TWI245285 B TW I245285B TW 092103003 A TW092103003 A TW 092103003A TW 92103003 A TW92103003 A TW 92103003A TW I245285 B TWI245285 B TW I245285B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- recording
- integer
- speed
- interval
- time
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 1093
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 263
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 81
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 81
- 206010044565 Tremor Diseases 0.000 claims description 64
- 238000012217 deletion Methods 0.000 claims description 47
- 230000037430 deletion Effects 0.000 claims description 47
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 40
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 40
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 39
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 31
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 23
- 238000002372 labelling Methods 0.000 claims description 17
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 9
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 9
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 102100031830 Afadin- and alpha-actinin-binding protein Human genes 0.000 claims description 3
- 101710182459 Afadin- and alpha-actinin-binding protein Proteins 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 claims 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 claims 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 claims 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 claims 1
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 322
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 94
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 51
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 51
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 51
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 51
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 48
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 44
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 44
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 44
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 43
- 241000725585 Chicken anemia virus Species 0.000 description 41
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 26
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 24
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 20
- 238000012552 review Methods 0.000 description 20
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 19
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 18
- 238000013461 design Methods 0.000 description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 17
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 13
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 11
- 229910005872 GeSb Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 101100518501 Mus musculus Spp1 gene Proteins 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 7
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- CGFFKDRVHZIQHL-UHFFFAOYSA-N 1-but-3-en-2-yl-3-(methylcarbamothioylamino)thiourea Chemical compound CNC(=S)NNC(=S)NC(C)C=C CGFFKDRVHZIQHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 6
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 5
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 5
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 ZnS Chemical class 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011423 initialization method Methods 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- KOAWAWHSMVKCON-UHFFFAOYSA-N 6-[difluoro-(6-pyridin-4-yl-[1,2,4]triazolo[4,3-b]pyridazin-3-yl)methyl]quinoline Chemical compound C=1C=C2N=CC=CC2=CC=1C(F)(F)C(N1N=2)=NN=C1C=CC=2C1=CC=NC=C1 KOAWAWHSMVKCON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220583862 AMP deaminase 1_I14L_mutation Human genes 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100008046 Caenorhabditis elegans cut-2 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFKQCNGMSSWDS-UHFFFAOYSA-N MCPA-thioethyl Chemical compound CCSC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1C AZFKQCNGMSSWDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000353097 Molva molva Species 0.000 description 1
- 101100332377 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) dus-3 gene Proteins 0.000 description 1
- RSPISYXLHRIGJD-UHFFFAOYSA-N OOOO Chemical compound OOOO RSPISYXLHRIGJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004886 head movement Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 235000003642 hunger Nutrition 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/259—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
1245285 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於和以傳統CD-ROM或DVD(-ROM)之規 格而規定之再生專用媒體及具有再生互換性之可覆寫光記 錄媒體（本發明中’有時會將可覆寫光記錄媒體稱爲光記 錄媒體、媒體、光碟、或碟片時。）及其記錄方法。尤其 是’提供以20m/s以上高倍速之線速度進行1光束重寫之 可覆寫型光記錄媒體。同時，可提供以廣大範圍之記錄線 速度進行良好記錄之記錄方法。 【先前技術】 一般而言’光碟（CD)或多樣化數位光碟（DVD)係利用 來自凹坑底部及鏡面部之反射光的干涉所造成之反射率變 化，執行2階信號之記錄及追蹤信號之檢測。 近年來，和CD或DVD具有互換性之光記錄媒體， 會採用相變化型之覆寫型光碟（CD-RW 、 CD-RewRltabU)、或相變化型之覆寫型 DVD(商品名稱： DVD-RW、DVD + RW，本說明書中有時會將覆寫型DVD稱 爲 RW-DVD)。 相變化型之CD-RW或RW-DVD，係利用非晶及晶體 狀態之折射率差所造成之反射率差及位相差變化，執行記 錄資訊信號之檢測。一般之相變化型 CD-RW或 RW-DVD，係基板上具有下部保護層、相變化型記錄層、上部 保護層、及反射層之構造，利用這些層之多重干渉來控制 1245285 (2) 反射率差及位相差，而使其具有和CD或DVD之互換 性。又，CD-RW或RW-DVD之記錄，係指同時執行記錄 及刪除之重寫記錄。
結果，雖然難以實現含反射率70%以上之高反射率的 互換性，然而，反射率若降至CD-RW爲15〜25%、RW-DVD爲18〜30%之範圍內則可確保記錄信號及溝信號之 互換性，只要在再生系統上附加以涵蓋低反射率之放大系 統，則可以現有之再生專用CD驅動器或DVD驅動器執 行再生。 然而，利用 CD-RW、RW-DVD時之問題之一，就是 i己錄速度及傳送率太慢。
CD之記錄再生時的基準速度（以下亦稱爲1倍速）爲 線速度（本說明書中，有時會將「線速度」簡稱爲「線 速」。）1.2〜1.4 m/s，然而，CD-ROM已實現最大40倍 速程度之高速再生，利用1倍速之低速者，只有音樂或影 像之再生。一般而言，至16倍速再生爲止，爲CD原有 之恆定線性速度（CLV、Constant Linear Velocity)模式， 24〜40倍速再生會採用常數角速率（CAV、Constant Angular Velocity)模式，而使外圍部資料之傳送率、存 取、及尋覓時間大幅高速化。 CD-RW雖然亦朝記錄高速化發展，然而，Clv模式 只能達到1 2倍速程度。通常，以丨倍速對c D - RW之全面 執行記錄需要74分鐘（或63分鐘）之時間，12倍速亦需要 6分鐘程度。然而，若爲20倍速，則在5分鐘以內即可 -8 - 1245285 (3) 完成記錄，大幅擴大C D · R W在音樂•圖像等大量資料記 錄上之用途。 又，現在被當做電腦之外部儲存裝置使用的CD-R ’ 記錄時已達到2 4倍速，對於C D - RW ’亦希望能提高記錄 時之傳送率。
另一方面，DVD之再生時的基準速度（以下亦稱爲1 倍速）爲線速度3.49m/s，然而，DVD_ROM已實現最大16 倍速程度之高速再生，利用1倍速之低速者，只有音樂及 影像之再生。 RW-DVD亦追求記錄之高速化，然而，CLV模式最高 只能達到2.4倍速程度。通常，以1倍速對RW-DVD之全 面執行記錄需要約60分鐘之時間，即使2.4倍速亦需要 2 5分鐘程度。然而，若爲6倍速，則在1 〇分鐘以內即可 完成記錄，大幅擴大RW-DVD在音樂•圖像等大量資料 記錄上之用途。
因此，要求可以更高速執行記錄之相變化媒體及記錄 方法。 然而，可以CD之20倍速以上、RW-DVD之6倍速 以上之高線速執行記錄的覆寫型相變化媒體尙未出現。此 代表可以大於線速度20m/s之高線速度執行重寫之覆寫型 CD、DVD媒體尙未實現。 無法實現此種覆寫型相變化媒體之第1理由，就是無 法兼顧以高速晶化在短時間內刪除非晶標示、以及非晶標 示之時效安定性。 -9- 1245285 (4) 例如，被使用於可以1〜4倍速執行重寫記錄之CD-RW、及可以2.4倍速程度執行重寫記錄之rw-DVD的記 錄層材料一以SbTe合金爲主要成份之記錄材料，可以增 力口 Sb之相對含有量實現高速晶化，而可以線速度20in/s 以上來執行重寫記錄。然而，依據本發明者之檢討，增加 S b量會明顯損害非晶標示之時效安定性，室溫下約1〜2 年內、記錄裝置內部之50〜80 °C的高溫環境下約數日， 非晶標不即會因爲再晶化而消失，而無法再生。或者，會 有以lmW以下之雷射光束實施數百次〜數千次之再生而 導致非晶標不開始消失的嚴重問題，而無法維持記錄媒體 之信頼性。 除了必須解決此問題以外，CD-RW或RW-DVD也受 到必須具有和廣泛普之再生專用CD-ROM驅動器或DVD-ROM驅動器之再生互換性的限制。 例如，爲了追求再生互換，以CD-RW爲例，必須滿 足調變度55〜70%之高調變度、反射率15〜25%、以及其 他伺服信號特性。另一方面，以RW-DVD爲例，爲了追 求再生互換，必須滿足調變度55〜70%之高調變度、反射 率1 8〜3 0%、以及其他伺服信號特性。 又，未能實現24m/s以上之高線速的可重寫CD-RW、RW-DVD之第2理由，就是因爲CD-RW規格或RW-DVD規格有很嚴格之記錄脈衝策略（脈衝分割方法）° 亦即，CD-RW規格橘皮書•第3部中，就有第1圖 所示之記錄脈衝策略之規定。因此，現在已實用化之記錄 -10 - 1245285 (5) 裝置中，採用上述記錄脈衝策略產生用1C電路係無法否 認之事實。因此，現在已經實用化之記錄裝置中，必須以 上述記錄脈衝策略、或實施若干變動之記錄脈衝策略，執 行1倍速至8〜1 0倍速之廣泛範圍的線速度來執行記 錄。
即使爲覆寫型DVD規格之DVD-RW或DVD + RW，亦 同樣有記錄策略之規定。這些記錄策略之特徴，係將nT 標示長度之非晶標示分割成η -1個記錄脈衝及冷卻脈衝 (截止脈衝）來執行記錄。因此，這些記錄策略會重複1對 記錄脈衝及冷卻脈衝，而平均週期則約爲1 Τ。
第1圖（a)係具有經過EFM調變之3Τ〜11Τ時間長度 的資料信號，第1圖（b)係依據該資料信號所產生之實際 記錄光的雷射功率。P w係以熔融記錄層並以急冷形成非 晶標示之記錄功率，Pe係利用非晶標示之晶化來執行刪 除之刪除功率，通常，偏功率Pb會和再生光之再生功率 P r大致相同。將記錄功率P w照射區間稱爲記錄脈衝，而 將偏功率照射區間稱爲截止脈衝。 EFM +調變時，會在上述具有3〜11T時間長度之資料 信號上附加具有1 4T時間長度之資料信號。 此時，基本上，上述記錄策略中，記錄脈衝及截止脈 衝之重複週期爲基準時鐘週期T並固定。高線速記錄時， 會以和線速度成比率之方式對基準時鐘週期T實施高頻 化。 CD之1倍速基準速度爲T = 231nsec、24倍速爲 •11 - 1245285 (6) T = 9.6nsec、32倍速爲 T = 7.2nsec。因此，24倍速以上之 高線速度記錄下使用第1圖所示記錄脈衝策略時，如第1 圖所示之分割後的記錄脈衝及截止脈衝之時間寬度，會因 爲上述高速記錄之高頻化而爲5nsec以下。
另一方面，DVD之1倍速基準速度爲T = 38.2nsec、6 倍速爲T = 6.4nsec、8倍速爲T = 4.8nsec。因此，6倍速以 上之高線速度記錄時，如第1圖所示之分割後的記錄脈衝 及截止脈衝之時間寬度，會因爲此種高速記錄之高頻化而 爲3nsec以下。
然而，一般之記錄功率的雷射光照射的產生及消失需 要l-3nSec。因此，此種高頻時，無法忽視上述產生及消 失時間，實質之記錄脈衝區間的長度及截止脈衝區間的長 度會更短，而大幅小於5nsec(CD-RW時）、或3nsec(RW-DVD時）。此時，記錄脈衝之加熱會不足，必要之記錄功 率會急速增大。另一方面，截止脈衝區間之冷卻亦會不 足，故無法得到非晶化之必要冷卻速度。又，因係高線速 言己錄，CD-RW或 RW-DVD之記錄層一般會採用刪除速 度一亦即晶化速度較快之材料。因此，上述截止脈衝區間 之冷卻速度的不足，會造成已熔融之區域的再晶化。 因此，如第1圖所示之記錄脈衝策略時，CD-RW要 實施24倍速以上之高速記錄、或RW-DVD要實施6倍速 以上之高速記錄將會非常困難。 本發明者當中之一部份成員，爲了解決此種問題，利 用使記錄脈衝及截止脈衝之重覆週期成爲二倍時間基礎之 -12- 1245285 (7) 分割方法，實現C D之1 6倍速、D V D之5倍速的重寫記 錄（日本特開2 00 1 -3 3 1 93 6號公報）。然而，即使使用此種 二倍時間基礎之分割方法，在C D之2 4倍速以上或D V D 之6倍速以上時，如上述所示，必須使用具有以高線速記 錄爲目的之高晶化速度的材料，然而，使用此種材料時， 因冷卻速度不足而出現再晶化之現象會更爲顯著。 本發明之目的係提供使用於大約20m/s以上之高速記 錄上的覆寫型光記錄媒體及其記錄方法。 本發明之具體目的則係提供使用於24倍速以上之高 線速記錄上的CD-RW及其記錄方法。更具體而言，係提 供一種覆寫型媒體及其記錄方法，CD-RW之記錄層會將 非晶狀態當做記錄標示，並利用EFM調變（亦即，利用相 對於資料之基準時鐘週期T而爲3T至11T之時間長度的 標示長度、及標示間長度之組合）執行標示長度記錄，而 針對記錄信號格式具有和CD之再生互換性。 本發明之具體目的係提供使用於6倍速以上之高線速 記錄的覆寫型DVD記錄媒體及其記錄方法。更具體而 言，係提供一種覆寫型媒體及其記錄方法，記錄層會將非 晶狀態當做記錄標示’並利用EFM +調變一亦即，相對於 資料之基準時鐘週期T而以3T至14T之時間長度的標示 長度及標示間長度之組合來執行標示長度記錄，而針對記 錄信號格式具有和DVD之再生互換性。 【發明內容】 -13· 1245285 (9) 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲
a iT、 /3 iT、 α 2丁、 /3 2丁、 ···、 α mT、冷 mT 而由m個a i T、石，T所構成之區間，且，各區間係依 αι = 〇·7〜1.4、ai = 0.7〜1.2(i 爲 2〜m-1 之整數，α· i爲不 受i影響而爲0.7〜1.2間之定値α c)、々1+ α 2 1 · 7〜 2.3、 爲 3〜m-l 之整數）、冷 m.1+a
2.3、 am = 〇.7〜1·2、/3/0〜2 的順序而爲 、 1 户 n_j 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之貫數）分割成爲 a ，T、/3 Γ T、α 2，T、 β 2Ί ，τ、 β πιΊ 而由m個α i ’ Τ、/3 , ’ Τ所構成之區間，且，各區間係依
α ι’=α 1 、 /5 ι’=/3 ι+Δ ι(Δ ι=〇·3 〜0·6) 、 a i’=a c(i = 2 〜 m-1之整數）、y3i-】’+<2i’=2(i爲3〜m-l之整數）、万 ， M m « 1 = /3πι·1+Δπι-1(Δηι·1 = 0 〜0.6)、a m，==^ m+Δ m(0<A 0.6) △ 〜0.6、/3m’=/3m 的順序而爲 Si(ai，4 ySi’）= n- k方式之分割， 在aiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw胃 20 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， -15- 1245285 (10) 在冷iT及ySi’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，αι(=αι，）、ac、/3m(=ySm’）、 βι、Δι、厶^、am、Z\m 不受 m 影響而爲一 定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、α〆、α2、α2，、 冷2、冷2’分別等於ηι爲3時之αι、αΓ、α3、α3’、 石3、石3’，同時，使石】等於m爲3時之之其中 之一，且使；3Γ等於⑺爲3時之，或沒2’之其中之一。 m= l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α "T及 偏功率照射區間Θ !，Τ所構成之記錄光的照射。 記錄方式C D 1 - 2 ; 經由數値孔徑ΝΑ爲0.5之光學系照射波長爲7 8 0nm 之光。 此時’若1個非晶標示之時間長度、nT(n爲3至1 1 之整數）時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲
α 1 T、冷 1T、 a 2 T、 /3 2 T、…、a m T、 /3 m T 而由m個a iT、/5 iT所構成之區間，且，各區間係依 -16- 1245285 (11) 〇:1 = 0.7〜1.4、〇:丨=0.7〜1.2(丨爲2〜111-1之整數，〇;爲不 受i影響而爲〇.7〜1.2間之定値ac)、0ι+α2 = ι·7〜 2.3、 冷 i.i+ai = 2(i 爲 3 〜m-1 之整數）、冷 m-i+am=i.7 〜 2.3、 am = 0.7 〜1.2、ySm = 0 〜2 的順序而爲 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
a!’T、^!’T、a2，T、/32，丁、…、am，T、/3m，T 而由m個a i ’ T、石，’ T所構成之區間，且，各區間係依 ^ ι，= ^ 1 ' Hr 〜m-1 之整數）、，+ ai’=2(i 爲 3〜m-1 之整數）、+ 〜0.6)、am=am+Am(〇<Ams〇.6)、 〜1.2、的順序而爲丨，+ /3i，）= n- k之方式分 割， 在α,Τ及ai’T之時間（i爲i〜m之整數）內，照射足 夠使sS錄層溶rai之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 〇.2 〜0.6)， 在卢及/Si’T之時間（i爲i〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m爲 3以上時，αι(=αι，）、0〆=^〆）、ac、 Δπ^、am、y3m、Am，不受 m 影響而爲一定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a 】、a !，、β χ^ Γ、a 2、 •17- 1245285 (13) 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標不’將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α 、冷】丁、 α 2丁、冷 2丁、…、α mT、 /3 mT 而由m個a iT、/3 iT所構成之區間’且，各區間係依 α! = 0·7〜1.4、ai = 0.7〜1.2(丨爲2〜m-1之整數，ai爲不 受i影響而爲0.7〜1.2間之定値ac)、^^+^2=1.7〜 2.3、 冷 = 爲 3〜m-Ι 之整數）、冷 m-1+am=i.7 〜 2.3、 am = 0.7 〜1.2、= 〇〜2 的順序而爲 2i(ai+ySi) = rH 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲
m’T、/3 m，T
αΓΤ、 α2，Τ、卢 2，T、 · 而由m個a i ’ T、/3 i ’ T所構成之區間，且，各區間係依 /3Γ=;3ι+Δι(Δι=〇·3 〜0.6)、ai，=jc(i = 2 〜 爪-1之整數）、/3丨-1’+〇:丨’ =2(1爲3〜111-1之整數）、/51111，= /3 m-1+Δ ηι·1(Δ m-l=〇 〜0.6)、 a m+Δ m(〇<A 0.6) > △ mm=A H+Δ m = 0.3 〜0.6、^ m’=/3 m 的順序而爲 Σί(α -19- 1245285 (14) 冷i’）= n-k之方式分割， 在a i T及α ; ’ τ之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率P w的記錄光（但，P ^爲 10 〜40mW、Pe/Pw = 〇.2 〜0.6)， 在/3iT及/3i’T之時間（i爲i〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率pb的記錄光。 又 ’ m 爲 3 以上時，αι(=αι，）、ac、/Sm(=ySm，）、 冷〗、△!、ySn、am、Am不受 m影響而爲一 定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a i、α 】，、α 2、α 2,、 冷2、石2分別等於m爲3時之αι、α!’、α3、〇3’、 冷3、石3’，同時，使石！等於m爲3時之/31或/32之其中 之一，且使々Γ等於m爲3時之/3!，或石2，之其中之一。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間^ "τ及 偏功率照射區間Θ Τ所構成之記錄光的照射。 記錄方式DVD1-2; 經由數値孔徑ΝΑ爲0.65之光學系照射波長爲65 0nm 之光。 此時’若1個非晶標示之時間長度、nT(n爲3〜1 1 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率
Pe， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲_2.0〜2.0之實數）分割成爲 1245285 (15) 而由m個α i Τ、万i Τ所構成之區間，且’各區間係依 αι = 〇·7 〜1.4、ai = 0.7〜1.2(i 爲 2〜m-1 之整數，ai 爲不 受i影響而爲 0.7〜1.4間之定値a c)、冷α 2=1·7〜 2.3、 /3 ί·ι+a i = 2(i 爲 3 〜m -1 之整數）、/3 m -! + a m = 1 · 7 〜
2.3、 am = 〇.7 〜1.2、冷以=0〜2 的順序而爲 Ei(ai+ySi) = n- j 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲_2.0〜2.0之實數）分割成爲
a 】，丁、 β i，T、 a 2，T、/3 2，T、. • · a m 、β n /T 而 由 m 個α 丨，T、/3 i ’ T所構成之區間 ，且， 各區間 係依 a 1 =a 1 ' , β \ ’ = β \ 、ai，=ac(i = 2 〜 m -1 之 整數）、 β i - 1 ,+ a ?. i =2 (i 爲 3 〜m · 1 之整數）、yS u ，=β m - 1 + △ m - 1 ( Δ m - 1 =0 0. 6) ' a r n - a m+Δ m(〇<A 0.6) 、Δ m m - △ m - 1 + Δ m = 〇.5 1 · 2、 β m ’=/3 m 的 順序而爲Σ i ( a i ’ ，+ /5 i，） = n-k 之 方式 分 割 在 a iT 及 a i，T 之時間（i爲1〜 m之整 數）內， 照射 足 夠 使 記 錄層 熔融之一 •定記錄功率Pw 的記錄光（但， 丨P w 爲 10 40 mW ' .Pe/Pw = 0·2 〜0_6)， 在 β iT 及 /3 ,’T 之時間（i爲Ρ 〜m 之 整數）內 ， 昭 / » 射 •21 - 1245285 (16) lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，α】（=αΓ)、ySi(=/5i’）、ac、 ySm-l、Δηι-Ι、am、/3m、△!!!’ 不受 m 影響而爲一定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 Ji、Qi，、β ι、β \，、α 2 Λ 02’、冷2、冷2’分別等於爪爲3時之Gl、αι’、万2、 β 2，、a 3 ' α 3 9 ' β 3、冷3’。
m = 1 (η = 3 )時，執行由1對記錄功率照射區間^ ι ’ Τ及 偏功率照射區間/3 i ’ Τ所構成之記錄光的照射。 本發明之第3要旨，在對覆寫型光記錄媒體以複數記 錄標示長度及記錄標示間隔長度記錄資訊時， 會對記錄標示間隔，照射可使非晶晶化之刪除功率 Pe的光，形成記錄標示間隔，同時， 在1個記錄標示之時間長度爲nT(T爲基準時鐘週期） 時，針對n = 2m(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α: ι T、 /5 ι T、 α 2 T、冷 2 T、 ·. ·、 a m T、 /3 m T 而由m個a iT、,Τ所構成之區間（但，Σί( a 冷di-j)， 針對n = 2m + l(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲·2·0〜2.0之實數）分割成爲
αι’τ、冷厂丁、 α2’Τ、冷 2’Τ、…、am’T、 ySm，T -22- 1245285 (17) 而由㈤個^’丁、/3i’T所構成之區間（但，Si(ai，+ yS i’）= n-k)， 在aiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率pw的記錄光， 而在/5iT及/3i’T之時間（i爲i〜m之整數）內，則會 照射偏功率P b之光來形成時間長度、nT之記錄標示的覆 寫型光記錄媒體之記錄方法，
其特徵爲= m 2 3 時， n==2m之記錄標示時，若nT標示之開始時間爲Τ〇， (i) 在從TG之延遲時間TdlT後並產生α ϊΤ後， (ii) i = 2〜m時，保持々Μ+αί之大致週期爲2(但， i = 2及/或i = m之fi-i+ai在±〇·5之範圍內偏離大致週期 2亦可。又，m 2 4時，若i = 3〜m -1，則/3 i ·!及a i分別爲 定値/3 c及a c。），依此順序交互產生0 及α iT後，
(iii) 會產生 /3 mT， n = 2m+ 1之記錄標不時，若 nT標示之開始時間爲
To， (i) 在從TG之延遲時間Tdl’T後並產生αι，Τ後， (ii) i = 2〜m時，保持/3丨.1’+〇:丨’之大致週期爲日， i = 2及/或i = m之/3 i-ι’+α丨’，在±0.5之範圍內偏離大致週 期2亦可。又，m-4時，若i = 3〜m-Ι，則/Si·丨，及〇丨，分 別爲定値A c及a c。），依此順序交互產生^，了及α 後， -23- 1245285 (20) 方式含有3 T〜1 1 T之全部非晶標示及晶體狀態之間隔的 再生波形。再生波形係取得反射光強度當做電壓信號，而 在示波器上觀察到之波形。此時，再生信號係含有直流成 份。 將眼圖之上端IT0P換算成對射入光之反射率者，就 是對應間隔之反射率的上端値Rtop，以Itop將眼圖之振 幅（實際上爲11Τ標示之振幅）Ιη規格化者，係以下式（1) 表不之記錄信號的眼圖之調變度mi〆本說明書中有時亦將 m! !簡稱爲調變度。）。
ιώιι=Ιιι/Ιτορ xl〇〇(%)
本發明中，調變度m n爲6 0 %以上、8 0 %以下。因調 變度係和光學分解能力相關，ΝΑ愈大之光學系會呈現愈 大之傾向，故本發明爲經由數値孔徑N A = 0 · 5之光學系照 射波長約 780nm之雷射光實施記錄時之調變度mil。然 而，嚴格而言，波長不必正好爲 78 Onm，只要爲7 7 5〜 79 5 nm之範圍即可。 雖然信號振幅11 1愈大愈好，然而，太大時會導致信 號再生系之放大器的增益達到極端飽和，故mu之上限應 爲8 0%、7 8%爲佳、75%最好。另一方面，過小時信號雜 訊比（SN比）會降低，故下限應爲60%、62%爲佳、65%最 好。又，Rtop應爲15〜25%、15〜20%爲佳、16〜19%之 範圍最好。又，下式（2)定義之對稱値Asym應儘可能接近 -26- 1245285 (21) ο，通常爲±10%之範圍。 此時，Is Hee係第2圖（a)之1的中心線2001及包絡線 底邊 2002間之電壓差’ In係包絡線（envelop)之上邊 2003及底邊2002間之電壓値。
使用於EFM調變之3T〜11T的各標示長度之間隔長 度之顫動（jitter)、及偏差（deviation) ’以下述方式決定。 亦即，3 T〜1 1T之各標示長度之間隔長度之偏差 (deviation)，係使第2圖（a)之再生信號通過高頻通過濾波 器析出RF成份後，將信號振幅實質中心値之零電平當做 臨界値，進行直流微動而取得和標示長度或間隔長度平均 値之特定値〇T : n = 3〜11)的偏離（偏差），顫動（jitter)係 其標準偏差（顫動）。詳細檢測方法係依CD規格紅皮書、 CD-RW規格橘皮書、及「CD FAMILY」（OHM公司發行、 1996年4月25日）之規定。本發明中，1倍速（基準時鐘 週期爲231奈米秒）再生時之顫動値應爲35奈米秒以下、 3 0奈米秒以下爲佳、2 5奈米秒以下最好。 通常，3T之標示長度或間隔長度的顫動係3T〜UT 當中最差的値。又，3Τ間隔長度之顫動往往爲比3Τ檩示 長度之顫動更差的値。 本發明中’通常，偏差爲3Τ時爲土 40奈米秒以下、 11Τ爲±60奈米秒以下。又，4τ〜1〇τ時，爲介於通常之 -27- 1245285 (22) 3及1 1 T的規定値± 4 〇奈米秒以下、及± 6 〇奈米秒以下之 間的値。無論如何，偏差大致爲基準時鐘週期Τ之± 2 〇 % 程度以內即可。 又’記錄後之信號之品質方面，基本上，以具有和現 行規格相同之特性爲佳。詳細內容則以滿足橘皮書•第3 部之內容爲佳。 使調變度mu、反射率上端値RTOP、及顫動成爲上述 之値，可維持和傳統C D - RW規格之互換性，並使以2 4倍 速以上實施高速記錄之媒體，可以既存之CD-RW對應的 再生系執行再生。 本發明之覆寫型光記錄媒體在以24倍速之線速度執 行記錄時，在記錄由3T標示（具有時間長度3T之標示。 但’ T爲資料基準時鐘週期）及3T間隔（具有時間長度3T 之標示間隔部）所構成之單一週期信號後，重寫由Π T標 示（具有時間長度11T之標示）及11T間隔（具有時間長度 1 1 T之標示間隔部）所構成之單一週期信號時的3 τ標示之 消去率應爲20dB以上。上述消去率，最好爲25dB以 上。又’ 32倍速時上述消去率應爲20dB以上，最好爲 2 5 dB以上。高線速之消去率愈高之媒體在非晶標示刪除 時之再晶化速度會愈快，而以更高之線速重寫EFM信 號。例如’ 32倍速之上述消去率爲20dB以上時，在以24 倍速使用時當然可獲得良好特性，在24倍速以下使用時 亦可獲得良好特性。此時，在記錄由3 T標示及3 T間隔 (標示間）所構成之單一週期信號、及重寫由11T標示及 -28- 1245285 (23)
11 τ間隔所構成之單一週期信號時，使用後述之記錄方式 CD1-1、1-2之記錄方式。亦，在記錄由3T標示及3T 間隔（標示問）所構成之單一週期信號時，會以1個記錄脈 衝Pw及後續之截止脈衝Pb(0<Pb<lmW)所構成之記錄功 率來記錄3 T標示，其他區間則照射刪除功率p e。p w係 以熔融記錄層爲目的之功率，P b則係在P w照射後使熔融 區域急冷並非晶化之冷卻功率。重寫由11T標示及11T間 隔所構成之單一週期信號時，會重複以由5個記錄脈衝 Pw、及各Pw附屬之截止脈衝Pb(0<Pb<lmW)所構成之記 錄功率來記錄1 1 T標示，其他區間則照射刪除功率Pe。 重寫3T資料及11T資料時，使用同一 Pe及Pw，使 Pe/Pw固定於0.2〜0.6之範圍內，在變化pe之情形下檢 測消去率之Pe依存性，確認任何Pe之消去率爲2〇dB以 上、最好爲25dB以上。消去率係以dB單位來檢測1 1T 資料之重寫前後的3T資料載體電平降低率。
任何情形時’皆對同一溝內執行記錄，通常，會在1 圓周份之溝貫施記錄。 執行重寫之線速度範圍的上限，若消去率爲夠大之 値’則在低線速側亦不會出現消去率不足之情形。以線速 V移動且以數値孔徑NA之物鏡實施集光之波長爲λ之光 束照射記錄層的時間，會依λ /(NA · V)實施規格化，故愈 低之線速時照射時間會愈長，而可充份確保再晶化所需要 的時間。 又’重寫3T標示及ιιτ標示並檢測重寫消去率時之 -29- 1245285 (24) 記錄方式，可使用後述記錄方式CD1-1、1-2、及卜3之 其中任一種，然而，最好採用記錄方式CD 1 -3。採用記錄 方式CD 1-3時，檢測消去率上並沒有必要特別採用顫動 較低之記錄條件，故記錄1 1 T標示時，亦可使用/3 m ’ =0.5 之暫定値。
又，消去率之檢測方法上，有時會以直流（direct current、DC)方式照射刪除功率Pe，並以分貝値檢測已記 錄之標示之載體電平的降低率，將其稱爲DC刪除率。DC 刪除率之檢測上，Pe爲變動，並使用可獲得最大消去率 之消去率。和前述之重寫消去率相比，有時會爲高出1-2 dB程度之値，然而，若考慮此種補償値，則亦可採用 DC刪除率檢測來取代重寫刪除率檢測。
又，若預先記錄之記錄信號的顫動在1倍速再生時達 到 35nSeC(奈米秒）爲止之時間爲該記錄媒體之歸檔壽命 時，溫度80°C、相對濕度85%之歸檔壽命應爲200小時 以上、最好爲5 0 0時間以上。 又，本發明中，爲了滿足上述特性，而以可以更短時 間進行評估之1 〇5 t以上的條件實施加速試驗，調變度 mu、及晶體狀態之反射率上端値R T0P(本說明書中有時 簡稱爲Rtop。）在溫度爲l〇5°C之加速試驗環境下3小時 後，此初始値皆應維持80%以上、最好維持爲90%以上。 因爲目前市面上銷售之1-4倍速對應之CD-RW滿足此要 件。尤其是，上述加速試驗後之mil的初始値若維持80% 以上、最好維持90%以上時，後述之記錄層的晶化溫度大 -30- 1245285 (25) 致爲1 5 0 °C以上。 本發明中，對線速或線速度V(此段落中代表V24倍 速或32倍速之線速度。）之調變度mn、RT〇p、各標示及 標示間之顫動、偏差、對稱値、及消去率等之規定上，係 將線速1.2m/s當做基準速度（1倍速）Vi時，且在線速v 保持資料基準時鐘週期T爲VT^ViT!(但，丁！爲231nsec) 之情形下’以在下述記錄方式CD1-1或記錄方式CD 1-2 之任一條件內之1種記錄方式來執行E F Μ調變信號之1 0 次重寫記錄後’以1倍速執行再生，再依前述記錄信號來 進行規定。 記錄方式C D 1 -1 ; 經由數値孔徑ΝΑ爲0.5之光學系照射波長7 8 0nm之 光。 此時’右1個非晶標不之時間長度爲nT(n爲3至11 之整數）時， 對記錄標示間隔照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲_2.〇〜2.0之實數）分割成爲
α !丁、冷】Τ、 α 2丁、冷 2丁、…、α mT、卢 mT 而由m個α ,Τ、/3玎所構成之區間，且，各區間係依 afOJ〜1·4、爲2〜m-1之整數，ai爲不 -31 - 1245285 (26) 受i影響而爲0.7〜1·2間之定値ac)、ySi+a^l·?〜 2.3、 ySi_i+ai = 2(i 爲 3 〜之整數）、ySm-i+am = 1.7 〜 2.3、 am = 0.7 〜1.2、冷，0〜2 的順序而爲 Σ,(αί +冷 i) = n- j 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示’將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲·2·〇〜2.0之實數）分割成爲
α^Τ、石厂丁、 α2，Τ、 $2’Τ、…、am，T、 ySm’T 而由m個a i，T、石i，T所構成之區間，且，各區間係依 m-1 之整數）、/5Μ，+αί，= 2(ί 爲 3〜m-1 之整數）、/3^’ = ySm-i+Am-i(^m-i = 〇 〜0.6)、a m,= a m+ Δ m(0< Δ m ^ 0.6) ' △ mm=Am-l+Am = 〇.3 〜0.6、/3m = /3m 的順序而爲工1({^1"·-/3 i’）= n-k之方式分割，
在aiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在及/^’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，QiOai’）、ac、fmpySm’）、 冷1、Δι、Δπί-ι、am、△„!不受 m 影響而爲一 定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 α 1、α i’、a 2 ' a 29 ' -32· 1245285 (27) 冷2、冷2’分別等於爪爲3時之01、αι’、α3、U3’、 /S3、03，，同時，使/3!等於m爲3時之/Si或/32之其中 之一，且使01’等於m爲3時之々Γ或/32’之其中之一。 (然而，容許土1〇%程度之偏離）。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α "T及 偏功率照射區間Θ i ’ Τ所構成之記錄光的照射。 記錄方式CD1-2 ; 經由數値孔徑NA爲0.5之光學系照射波長爲7 8 0nm 之光。 此時，若1個非晶標示之時間長度、nT(n爲3至11 之整數）時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
a iT ' /3 ιΤ ^ α 2Ί > β ιΊ ^ ... > α mT ' β mT 而由m個α i Τ、θ i Τ所構成之區間，且，各區間係依 〇:1=0.7〜1.4、〇^ = 〇.7〜1.2(丨爲2〜111-1之整數，。爲不 受1影響而爲0.7〜1.2間之定値ac)、冷1+〇：2 = 1.7〜 2.3、 yS丨·】切丨= 2(i爲3〜m-；l之整數）、々_】+%叫.卜 2.3、 〇：m = 〇.7 〜1.2、/3^0 〜2 的順序而爲 之方式分割， 1245285 (28) 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之i2錄標不’將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
ai，T、 α/T、冷2’丁、…、am’T、 ySm，T 而由m個a i，T、/3 i，T所構成之區間，且’各區間係依 α Γ = α 1、yS !，=冷 1、a i，= a c (1 =2 〜m ·1 之整數）' /5 “ i，+ ai’=2(i 爲 3 〜m-1 之整數）、Pm·1’。冷 m-i+Am-lCAm-itO 〜0.6)、am’=am+A 、Δηιη^Διη-ΐ+Δ ^ = 0.5 〜1.2、ySm^/Sm的順序而爲sid’+冷i’）= n-k之方式分 割， 在α,τ及ai，T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6) ’ 在/3iT及/3i，T之時間（丨爲1〜m之整數）內’照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m爲 3以上時，/3〆=^!’）、ac、 /3m·!、Δπ^、am、/3m、不受 m 影響而爲一定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a 1、a ι，、β \、β \，、a ι ' a2，、冷2、/32,分別等於Π1爲3時之a!、αΓ、/32、 β 2,、a 3、 a3，、/33、冷3’。（然而，容許±10%程度之 偏離）。 m=l (n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間^ 1 ’丁及 偏功率照射區間石i ’ T所構成之記錄光的照射。 -34- 1245285 (29) 又’ SKai+ySi)等係代表丨爲i〜m時之和。 本發明中’可以上述基準線速24倍速或3 2倍速執行 覆寫之CD-RW碟片時，在基準線速之8倍速、1〇倍速、 1 2倍速、1 6倍速、或2 0倍速之至少其中任一種線速下， 調變度mn'RTop'各標示及標示間之顫動、偏差、對稱 値、及消去率之値應爲上述數値範圍內。 又’右上述基準速度之8倍速、1〇倍速、12倍速、 16倍速、及20倍速之其中之一的線速度爲Vmin，而基準 速度之24倍速或32倍速爲Vmax時，Vmin及Vmax間之全 部線速度V的調變度m ! 1、R t。p、顫動、偏差、對稱値、 消去率之値應爲前述數値範圍內。利用此方式，可實施後 述之P-CAV或CAV方式之記錄。 此時，8倍速、1 0倍速、1 2倍速、1 6倍速、或2 0倍 速之調變度mii、Rt 〇p、顚動、偏差、對稱値、及消去率 等之規定以下述方式檢測。亦即，線速1.2m/s爲基準速 度（1倍速）V!，而基準速度爲8倍速（8V!)、10倍速 (10Vi)、12 倍速（12VQ、16 倍速（16V,)、或 20 倍速（20V!) 之其中之一時，在資料基準時鐘週期 τ保持爲 VT = ViT!(但，T!爲 231nsec，V 爲 lOVi、12V!、16V!、 20Vi之其中之一。）之情形下，以下述記錄方式CD2-1至 2-2之其中之一的條件內的記錄方式，實施1〇次之經過 EFM調變之信號的重寫記錄後，以1倍速執行再生，再 依前述記錄信號來進行規定。 記錄方式CD2-1 ; 1245285 (30) 經由數値孔徑ΝΑ爲0.5之光學系照射波長7 8 0nm之 光。 此時，若1個非晶標示之時間長度、ηΤ (η爲3至1 1 之整數）時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.〇之實數）分割成爲
α 1丁、冷！丁、 α 2T、冷 2T、…、a mT、 mT 而由m個α ,Τ、万iT所構成之區間，且，各區間α ι = 〇1 〜1、απ〇·1〜i(i爲2〜之整數，爲不受丨影響而 爲0·1〜1間之定値a c)、冷ι+α 2 = 1.7〜2.3、石iel + «i = 2(i 爲 3〜m-l 之整數）、〜2.3、am = 0.;i 〜！、占m = 〇〜2的順序而爲Σί(αβ/3ί) = η_』之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
ai’T、 /Si’T、 a2，T、 yS2，T、…、am，T、 /3m，T 而由m個a i，T、万i，τ所構成之區間，且，各區間係依 a 1 — a 1 、冷 ι+Δ ι(Δ ι=〇·3 〜0·6)、 a i’=a c(i = 2 〜 之整數）、爲 3〜m-1 之整數）、y3m-1，= 1245285 (31) 石 m-1+Δ m-l=〇 〜〇·6)、CL m ~ (X ηΊ~*~Δ ηι(0<^Δ m = 0.6) △ n+Δ m = 〇.3 〜〇·6、冷 m’=/3 m 的順序而爲 Σί(α i’ + /5 之方式分割， 在a iT及a i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜4〇mW ' Pe/Pw = 0.2 〜0_6)，
在ySiT及/3i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，αι(=αι’）、ac、 石1、△】、々m-1、△〇!」、am、△!!!不受m影響而爲一 定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 ai、ai’、a 2 ' a 2? ' 石2、冷2’分別等於m爲3時之αι、αΓ、a3、a3’、
冷3、/33’，同時，使ySi等於m爲3時之^^或々：之其中 之一，且使/3!’等於m爲3時之yS!’或/32’之其中之一（然 而，容許± 1 0%程度之偏離）。然而，m = 2之/3 2時，則爲 可在±0.5之範圍內變動的値。 m = 1 (η = 3 )時，執行由1對記錄功率照射區間α Γ T及 偏功率照射區間/3 i ’ T所構成之記錄光的照射。 記錄方式CD2-2 ; 經由數値孔徑NA爲0.5之光學系照射波長780nm之 光。 此時，若1個非晶標示之時間長度、ηΤ(η爲3至11 之整數）時， -37- 1245285 (32) 對記錄標示間隔’照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α 、 α 2T、冷 2丁、…、α mT、冷 mT 而由m個α,Τ及所構成之區間，且，各區間αι = 〇1 〜1、= 〜l(i爲2〜m-i之整數，αι爲不受丨影響而 爲0.1〜1間之定値ac) a i = 2(i 爲 3〜m-1 之整數）、冷 m=17 〜23、 a m = 〇.l〜1、冷m = 0〜2的順序而爲i + θ i) = n_j之方式 分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
αΓΤ、万厂丁、 α2，Τ、冷 2，丁、…、am，T、 /3m，T 而由111個〇^’丁、y3i’T所構成之區間，且，各區間係依α 1，= α 1 ' β \ ’ = β \、Ui’=ac(i = 2 〜m-1 之整數）、 /31.1’+〇：「= 2(1爲3〜111-1之整數）、/31^1，=/301-1+八„1.1( △ ΓΠ·1=〇 〜0·6)、a m’= a m+ △ m(〇< △ m $ 0.6)、Δ mm= Δ m.! + △ m = 0.5 〜1.2、/3 m’=yS m+Δ m’（A m’ = 〇 〜1)的順序而爲 2i(ai +/3i’）= n- k 之方式分割， 1245285 (33) 在a i T及a i，T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)照射， 在/3iT及石i，T之時間（i爲1〜ni之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb之記錄光。 又，m爲 3以上時，α】（=αι’）、々ι( =万1’）、ac、 ySm-i、△m-】、am、0m、不受m影響而爲一定。
又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、Ji’、冷 i、冷1’、 d2、Q2’、々2、石2’分別等於m爲3時之αι、αι’、 β 2、β 、a 3、 α3，、y33、/33,（然而，容許 ±10% 程度 之偏離）。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α !’Τ及 偏功率照射區間θ Γ Τ所構成之記錄光的照射。
此時，記錄方式CD1-1、1-2、2-1、及2-2中，各η 之j、k亦可以爲不同之値。又，Pw、Pb、Pe爲一定功率 之電平且爲PbSPe^Pw。其次，利用記錄方式CD卜1、 1-2、或記錄方式CD2-l、2-2，實施EFM隨機形態之記 錄，然而，Pe/Pw比會固定爲0.2〜0.6之其中之一的値， 使Pw在20〜40mW間變化，在得到最佳特性之Pw下， 使各標示長度及標示間之顫動、mu、RT0P分別滿足上述 之値即可。此時，功率値Pw、pe、Pb等係只針對記錄光 束當中之主光束的功率，在考慮上，係將如所謂3光束法 中分配至伺服用輔助光束一亦即，和記錄無直接關係之光 束的功率除外。Pe/Pw比方面，首先，採用〇·3〜0.4之間 -39· 1245285 (34) 的値’結果若無法滿足上述之m 1 i、R τ 〇 p、對稱、偏差等 要件，則採用0.2〜0 · 3或0.3〜0 · 6間之値。 又’記錄脈衝區間a i T、a i ’ T、以及截止脈衝區間 沒i T、A ; ’ τ之各光的功率電平方面，記錄脈衝區間會固 疋爲P w ’而截止脈衝區間則會固定爲p b。但，施加高頻 重疊時，Pw及Pb則定義於該區間之平均功率。又，容許 雷射二極體之回應上無法避免之過衝、下衝。記錄脈衝 QiT及〇^’丁之產生消失爲約3nsec以下，最好爲insec 以上、2nsec以下。 S己錄方式CD1-1及卜2係針對日本特開2001-331936 號公報所示之以週期2T爲基本之重覆週期而交互產生記 錄脈衝（Pw爲照射區間）及截止脈衝（Pb爲照射區間）之記 錄脈衝分割方法進一步進行檢討。亦即，本發明發現，以 上述2T週期爲基礎之記錄策略當中，尤其適合可以24至 32倍速重寫之可重寫CD-RW，且爲産業上十分有用之低 成本及簡便記錄脈衝分割方法。利用本發明之記錄脈衝策 略’即使以複數驅動器執行記錄，亦可提供容易保持記錄 品質且容易確保互換性之記錄媒體及其記錄方法。 因此，本發明中，係限定以週期2T爲基本之記錄脈 衝分割方法上的可變參數及其範圍。因此，本發明係從以 上述週期2T爲基本之記錄脈衝分割方法中之眾多參數 中’找出以保持24倍速或32倍速之良好記錄品質爲目的 之必要最低限的參數來執行變化。可變參數之數若較多， 則較容易以24倍速或32倍速實現良好記錄。然而，可變 -40- 1245285 (35) 參數較多時，對光記錄媒體執行記錄之記錄裝置，其產生 脈衝之電子電路（積體電路）的設計會變得十分複雜。因 此，本發明求出以實現可以容易實施上述電子電路（積體 電路）之設計、且可實施良好24倍速記錄或32倍速記錄 之CD-RW爲目的之最低限參數。 以24倍速或3 2倍速實施良好記錄爲目的之最低限可 變參數，可在交互回饋針對24倍速至32倍速之可重寫記 錄媒體的檢討、以及脈衝分割記錄方法之檢討下求取。因 此，本發明可利用同時實現記錄媒體及記錄方法之高度創 作而實現。 利用此種檢討，本發明提供可以迄今尙未實現之8或 10倍速至24或32倍速之極廣泛範圍之線速度實現記錄 及再生之高互換性的CD-RW記錄媒體及記錄方法。 CD-RW時之EFM調變時，標示長度、nT若爲n = 3、 4、5、6、7、8、9、10、11時，將其分別分割成以 111=1、2、2、3、3、4、4、5、5個之2丁爲基本之週期， 並以分割成m個記錄脈衝及截止脈衝之組合的記錄脈衝 來執行記錄。本發明中，爲了明確規定可以24倍速或32 倍速執行重寫之CD-RW記媒體，特別將其限定爲如記錄 方式CD1-1及1-2所示。 第3圖係實施上述記錄方式CD1-1及2-1之脈衝分割 方法時之各記錄脈衝的關係實例圖。又，第3圖（b)中以 形成標示長度2mT爲目的之記錄脈衝及截止脈衝的時間 寬度原本應以ySiT、acT、…、amT、y3mT來表 -41 - 1245285 (36) 示，但爲了容容易觀看，第3圖（b)只圖示α 1、 β χ、 ac、...、am 、/並省略基準時鐘週期T之圖示。第3 圖（c)亦相同。
如第3圖所示，將本發明之光記錄方法的ηΤ標示之 η値分成奇數及偶數來考慮。使和分割數m相同之偶數長 度標示及奇數長度標示之標示長度差1T的補償，分散並 指定於前頭記錄脈衝之次一截止脈衝區間/3 ! T、及倒數第 2個記錄脈衝週期之區間（/3 a m)T。亦即，標示長度 1T之補償係利用截止脈衝長度沒及/3 nT、以及最後 之記錄脈衝區間脈衝a mT的調整來實施。 第3圖中，300係代表週期T之基準時鐘。 第3圖（a)係對應長度、nT = 2mT、或nT = (2m+l)T之 記錄標示的脈衝波形，符號3 0 1係對應長度2mT之記錄 標示的長度，符號3 02係對應長度（2m+l)T之記錄標示的 長度。第3圖（a)係m = 5時。
第3圖（b)之3 03係n = 2m( = 10)時之分割記錄脈衝的波 形，第3圖（c)之307係n = 2m+l(=ll)時之分割記錄脈衝的 波形。 在Tdl上乘以T所得之値，係對α !T及α ! ’T之ηΤ 標示前端TG的延遲時間，通常不會受η影響而爲一定， 又，通常爲了容易取得記錄脈衝產生電路之同步，而爲 (Tdl+a QT^Tcn+a DTWT，且進一步容許 ±〇.5Τ 程度之 微調。尤其是3Τ、4Τ、5Τ標示時，應實施此種延遲時間 之微調。記錄脈衝區間a iT(i=l〜m)之記錄功率電平爲 -42- 1245285 (37)
Pw且一定，截止脈衝區間/5 iT(i = l〜m)之偏功率電平爲 Pb且一定，標示及標示之間，亦即aiT(i=l〜m)及 /3iT(i=l〜m)以外之區間的光照射功率爲刪除功率Pe且 一定。η爲偶數時，除了前頭之記錄脈衝及最後之截止脈 衝以外之區間3 04 (亦即，第3圖之3 05、3 06以外之區間） 爲（/3 i-i+α i)T = 2T(i = 2〜m)且一定。但，亦可只針對（冷1 + α2)Τ及（ySm-i+anOT實施±0·3Τ之範圍內的微調。另一 方 面，η爲奇數時， 第3圖之區間 3 08爲 (/3 i·丨，+ a i，）T = 2T(i = 3 〜m- 1)且一定。 其次 ，爲了記錄同一分割數之 n = 2m 及2m+1之2 種 標 示長度 ，分別對] 區間（卢1+α 2)T 及區間（/3 m-i+a m)T 實 施 各約〇 • 5T之增 減來調整長度 。又， 因熱干渉等之 影 響 ，此値 並不一定 正好爲 〇 . 5 Τ， 然而 ，大致爲〇 . 3 T 〇 . 6 T之範 圍。/3 m 及冷m ’爲〇〜2 β範圍且大致爲相同 之 値 ，然而 ，應以/5 r n = yS m ’ 爲佳。 第3 圖中，偶數長度標示η T=1 〇 丁 及奇數長度標 示 nT =1 1 T 之 .標示長度 :的差IT之記錄，以下述操作i、2 來 實 施。 操作 1 :如第 3圖之區間3 09所示 ，只對區間（/3 ! ,4 a 2，）T之』 沒1 ’附加Ζ! 、1，使冷 1 ’= /3 I + △ 1、 0： 2 ’ = C 0 操作 2 :如第 3圖之區間3 1 〇所示 ，對區間（/3 m-1 9 4 a m，）T 附 力口 △ m m Τ 。此時，△ mm = △ m - 1 + △ m ’ 將△ m m 分 成 △ m · 1、 Δ m，對 /3 m - 1 附加△ m - 1 ’而對a m附加△ m 〇 又 ’ △ m - 1 亦可爲零 Ο
•43- 1245285 (38) 本發明中’ △〇!會大於〇(Z\m>〇)，〇：m’。^⑺大 於〇’可使同一分割數m當中之η爲奇數之記錄標示後端 部的形狀保持安定，而大幅改善顫動特性。又，最好 △ 及△ m爲大致相等的値。若△ ηι_!及△ m大致相等， 則在保持良好顫動特性之情形下，控制記錄脈衝策略之記 錄脈衝及截止脈衝之雷射光（脈衝光）產生的電子電路（積 體電路）設計亦會更爲簡便。 以上之操作係在3以上之m時實施，△ 1、△ mm取 0.3〜0.6之値。Am」及Am之値會依據之分配而決 定，△md可以取0〜0.6之値，Am可以取〇以上、0.6以 下之値。 如前面所述，因區間及區間（々H+anJT 係分別增減約0.5T來調整長度，△ 1及△ mm可以爲0.6， 但△ n、△ m以0.5以下之値爲佳。 以下，分別針對記錄方式CD1-1之m爲3以上、 m = 2、及m=l時進行説明。記錄方式CD2-1則在後面會進 行說明。 記錄方式CD1-1中，m爲3以上時，!、/3^ = /5ι，而及Qi’在i = 2〜m-1時爲ac，不會受i影響而 爲一定。又，am及am’亦不會受m影響而爲一定値。 又，0:1(=0:^)爲 0.7 〜1.4，ac 爲 0.7 〜1.2，am 爲 0.7 〜1 · 2。 又，m 爲 3 以上時 ’ ac、/3m(=；3m’）、 /5 1 ' Δ 1 ' /3
m-ι、Δπι-ι、△!!!不受ηι影響而爲一定。24 -44- 1245285 (39) 倍速或32倍速時，ad(i = 2〜m-1)首先會爲0.9〜1之 範圍的値，其後，在±0.2之範圍（0.7〜1.2之範圍）內實施 微調。a i及a m會先採用和a c相同之値，然後在最大比 a c大0 · 3程度之範圍進行微調。 此時，若m = 2(n = 4、5)，則因m-l = l，故可同時求取 區間（/5ι+α2)Τ 及區間（/Sm_i+am)T 之解。此時，（/Si’ + α2’）Τ比（石1+α2)Τ長約1T，更具體而言，使αϊ、 αι’、〇2、α2’、石2、石2’分別和m爲3時之α】、 · ^ 1 、、Gm 、石m、相寺，问時，使yS 1和Π!爲 3時之^^或石^之其中之一相等，且使石厂和m爲3 時之/3Γ或An’之其中之一相等。又，雖然前面說明採 用「相等」之用詞，實際上則爲容許± 1 0%程度之偏離。 如上所示，針對偶數長度標示可獲得第3圖（b)點線 所示之記錄脈衝列3 03，針對奇數長度標示則可獲得第3 圖（c)點線所示之記錄脈衝列3 07。 又，m=l(n = 3)時，照射由成對之記錄功率照射區間 Φ α ! ’ T及偏功率照射區間/3 i ’ T所構成之記錄光。此時， a i ’應比2以上之m時之α ! ’大0 · 1〜1 · 5程度，/3 i ’則應 比2以上之m時之/3 Γ小，且等於或大於/3 m、/3 m ’。 又，/3 i ’之範圍應爲〇以上、2以下。 第16圖係實施上述記錄方式CD卜2及2-2之脈衝分 割方法時之各記錄脈衝的關係實例圖。又’第1 6圖（b)中 以形成標示長度2mT爲目的之記錄脈衝及截止脈衝的時 間寬度原本應以01丁、点1丁、〇cT、…、amT、/SmT來 -45 - 1245285 (40) 表示，但爲了容易觀看，第16圖（b)只圖示α!、 /5ι、 a c 、…、a m、/3 m，並省略基準時鐘週期T之圖示。第 1 6圖（c)亦相同。 如第16圖所示，將ηΤ標示之η値分成奇數及偶數來 考慮。使和分割數m相同之偶數長度標示及奇數長度標 示之標示長差1 T的補償，分散並指定於倒數第2個記錄 脈衝週期（/3 m_1+ a m)T及最後之截止脈衝/3 mT。亦即’標 示長度1 T之補償係利用截止脈衝長/3 m · 1 T及石m T、以及 最後之記錄脈衝區間脈衝a mT的調整來實施。 此記錄方式和第3圖所示記錄方式（記錄方式0〇1-1、2-1 )相比，因依偶數、奇數標示變化之記錄脈衝及截 止脈衝會集中於標示之後端部附近，故不但具有更容易控 制記錄標示之後端顫動的優點，尙具有設計記錄脈衝策略 之記錄脈衝及截止脈衝上以控制雷射光（脈衝光）之產生爲 目的之電子電路（積體電路）十分簡便之優點。又，尙具有 可變參數較少之優點。 第16圖中，400係週期T之基準時鐘。 第16圖（a)係對應長度、nT = 2mT、或nT = (2m+l)T之 記錄標示的脈衝波形，符號401係對應長度2mT之記錄 標示的長度，符號402係對應長度（2m+l)T之記錄標示的 長度。16圖（a)係m = 5時。 第16圖（b)之403係n = 2m ( = 10)時之分割記錄脈衝的 波形，第16圖（〇之406係n = 2m+l(=ll)時之分割記錄脈 衝的波形。 -46 - 1245285 (41)
在Tdl上乘以T所得之値，係對α lT及α ΓΤ之ητ 標示前端Τ〇對延遲時間，通常不會受η影響而爲一定， 又，通常爲了容易取得記錄脈衝產生電路之同步，而爲 (Tdi+α 1)1^( Tdi+α ι’）Τ = 2Τ，甚至進一步容許 ±〇·5Τ 程度 之微調。尤其是3Τ、4Τ、5Τ標示時，應實施此種延遲時 間之微調。記錄脈衝區間a i T(i = l〜m)之記錄功率電平爲 Pw且一定，截止脈衝區間/^丁（丨=1〜m)之偏功率電平爲 Pb且一定，標示及標示之間，亦即aiT(i=l〜m)及 /SiTGM〜m)以外之區間的光照射功率刪除功率爲Pe且 一定。η爲偶數時，區間404爲（ySw+ai )T = 2T(i = 2〜m) 且一定。但，亦可只針對（々2)T及（；3 n+α m)T實施 ±0.3T之範圍內的微調。另一方面，n爲奇數時，第16 圖之區間 407爲（冷id’+α i’）T = 2T(i = 2〜m，l)且一定。 但，（冷！’+ α 2’）T 等於（/3 1+ α 2)T。
其次，爲了記錄同一分割數之n = 2m及2m+l之2種 標示長度，分別對區間（yS a m)T實施各約1T之增減 來調整長度。又，因熱干渉等之影響，此値並不一定正好 爲1T，然而，大致爲〇.5〜1.2T之範圍。爲0 〜2之範圍（記錄方式CD2-2時，’=〇〜3之範圍）且大 致爲相同之値，而爲了補償對標示後端顫動之影響，yS m 及/3m’亦各別實施微調。尤其是記錄方式CD2時，/3m’ = 在 上附力□△„/( = 〇 〜1)。 第16圖中，偶數長度標示nT = 10T及奇數長度標示 ηΤ=11Τ之標示長度的差1Τ之記錄，以下述操作3來實 -47 - 1245285 (42) 施。 操作3 :如第1 6圖之區間408所示，對區間（石H + ^„1)丁附加八„101丁將其當做（/3111.1’+^111’）丁。此時，^111111 = △ m.】 + △ m，將△ mm 分成△ n、△ m，對/3 附力口 △ !，而對a m附加△ m。又，爲補償對標示後端之顫動 的影響，對/3 m附加△ m ’，使其成爲；3 m ’。 以上之操作係在3以上之m時實施，△ mm取0.5〜 1.2之値。么^及Am之値會依據之分配而決定，可 以分別取〇〜〇·6之値。△ 亦可爲零，然而，△ m應大 於0，使am关am’。Am大於0，可使同一分割數m當中 之η爲奇數之記錄標示後端部的形狀保持安定，而大幅改 善顫動特性。又，最好△ m-】及△ m爲大致相等之値。若 △ m -!及△ m大致相等，則在保持良好顫動特性之情形下， 控制脈衝光產生之電子電路（積體電路）設計亦會更爲簡 便。 △ m’取0〜1之値，最好爲0〜〇·6之値。尤其是低於 16倍速程度之低線速度時之△„!’應大於24或32倍速時 之Am’。另一方面，24或32倍速時最好爲 以下，針對記錄方式CD卜2之m爲3以上、m = 2、及 m=l時進行説明。記錄方式CD2-2則在後面會進行說 明。 記錄方式CD1-2中，m爲3以上時，αι，=αι、 ySi、ai及ai’在i = 2〜m-1時爲ac，不會受i影響而爲 一定。又，αι(=α〆）爲0·7〜1.4之範圍的値，（2(：及 1245285 (43) 0·7〜ι·2之範圍的値。最好αι(=αι，）、ac、及 皆爲〇·7〜1之範圍。 又 ’m 爲 3 以上之時，αι(=αι’）、/3i、ac、
万01·1、Δπ^、am、Am、y5m、△„/不受 m 影響而爲一 疋。24倍速或 32倍速時，ac=ai(i = 2〜m)，首先會爲 1’其後’在±〇2之範圍實施微調。αι及am會先採用 和a c相同之値，然後在最大比a c大0.3程度之範圍進 行微調。△ m、△ ^之初始値大約爲〇.4，以可得到特定 標示長度之方式實施微調。又，首先會使區間410之石m， 等於區間40 5之石m，然後再實施微調。 此時，若m = 2，（y^’+a^T會比（θ,+ αΟΤ長約 it ’但因m-1 = 1，故可將其分別視爲（冷m i，+a m，）T及（ /3m-l+a：m)T。其次’使 ai、Ji’、；Sl、冷 1’、（0：2、 a2 、冷2、々2’分別和m = 3時之αι、αι’、石2、/32’、 a 3 a 3 9 ' 冷3、石3’。但，m = 2 之 ai、 a 19 ' β \、
石丨’、α2、α2’、02、/32’亦可進一步實施±10%程度之 微調。 如上所示’針對偶數長度標示可獲得第16圖（1))點線 所示之記錄脈衝列403，針對奇數長度標示則可獲得第1 6 圖（c)點線所示之記錄脈衝列4 0 6。 又’ m=l(n = 3)時，照射由成對之記錄功率照射區間 a ! ’ T及偏功率照射區間Θ i ’ τ所構成之記錄光。此時， αι’應比2以上之m時之a!’大0.1〜1.5程度。又，/3〆 之範圍應爲〇以上、2以下。 -49- 1245285 (44) 記錄方式CD2-1中，以和記錄方式ccn-丨相同之規 則來記錄偶數長度標示及奇數長度標示，記錄方式CD2-2 中，則以和記錄方式CD 1 -2相同之規則來記錄偶數長度 標示及奇數長度標示’然而，ai、ai，（i = l〜m)應爲比24 或3 2倍速之線速記錄時更小之〇 · 1〜1範圍的値。同時， /?i、石i’（i=l〜m)應爲比24倍速或32倍速之線速記錄時 更大的値。又，記錄方式CD2-2時，△，m在〇以上、；[以 下之範圍內爲可變。又，+ 應爲0.5以上、 1 . 5以下之範圍。 將記錄方式CD1-1記錄方式或cd1-2之最大線速度 Vmax —亦即，24倍速或32倍速時之α i、α ^分別當做 a iG、a iG’ ’而以8倍速、10倍速、ι2倍速、μ倍速、 20倍速（亦即，線速V爲8\^、ιον!、12Vi、16V!、及 20V!之其中之一）利用記錄方式CD2-1或記錄方式CD2-2 對同一媒體執行記錄時，可大致設定爲α i = ri(V/Vmax)a i0、a i’=r|(V/Vmax)a i〇，，其後，在微調 ±0」 程度之範圍實施微調。 此時，η爲0.8〜1.5之範圍的實數。首先會取ΐ·〇〜 1.3之範圍的値，其後，再將其放大至〇.8〜15之範圍並 實施檢測。 又，記錄方式CD2_l、2-2中，n = 5時可適用例外之 規則。 亦即，記錄方式CD2-1中，m = 2(n = 4、5)時，使α 1、 αι’、^2、〇：2’、石2、02’分別和 m 爲 3 時之 αι、 -50- 1245285 (45) α1’、 α3((2ηι)、 a3’（Qm’）、 /53(ySm)、 yS3’（Am’）相等， 同時，使/3!和m爲3時之之其中之一相 等’且使’和m爲3時之ΘΓ或之其中之 一相等。然而，雖然前面說明中採用「相等」之用詞，實 際上則爲容許± 1 0%程度之偏離。又，m = 2之yS 2’方面， 則爲可在±0.5之範圍內變動的値。 又，記錄方式CD2-2中，m = 2(n = 4、5)時，使α!、
Qi’、/3ι、石1’、α2、Q2’、々2、/?2’分別和 m = 3 時之 Ul、 a〆、 /32(/3^)、 /?2’（石 m-l’）、 a3(am)、 α3’（ a m’）、/3 3( /3 m)、石3’（ /3 m’）相等。雖然採用「相等」之 用詞，實際上則爲容許土 10%程度之偏離。又，n = 3時之 冷i’應爲0以上、3以下之範圍。 設定爲使用至24倍速爲止之CD-RW時，例如，規定 1 〇倍速及24倍速、或12倍速及24倍速之記錄特性，而 設定爲至32倍速爲止之CD _RW時，則分別規定10倍速 及3 2倍速之記錄特性、1 2倍速及3 2倍速之記錄特性、 或者1 6倍速及3 2倍速之記錄特性，以上述方式，可以從 驅動器之記錄再生互換性之觀點，來定義適合後述之CAV 記錄方式、P-CAV記錄方式、或ZCLV記錄方式之媒體。 此時，屬於低線速側檢測之記錄方式C D 2 - 1或2 · 2中，以 如上述和線速大致成比率之方式預設^ i、^ i ’、/3 i、冷i， 之値（a i = r|(V/Vniax)a i〇、a i’ = r|(V/Vmax)a i〇’）可使媒體特 性獲得更良好之規定。 如上面所述，在最小線速及最大線速之比爲2倍以上 •51 - 1245285 (46) 之不同記錄速度範圍定義複數個記錄線速度之覆寫型光記 錄媒體之特性，從記錄驅動器確保媒體之記錄再生互換性 之角度而言，亦爲好方法。尤其是，若能採用記錄方式 CD 1-1和記錄方式CD2-1之組合、或採用記錄方式CD 1-2 和記錄方式CD2-2之組合更佳。 以如上之方法規定特定範圍之媒體時，最好能以記錄 方式CD1-2及記錄方式CD2-2之組合來規定最高線速度 Vmax爲24倍速或32倍速之覆寫型CD-RW。 又，對應此種3 2倍速或24倍速之媒體特性的規定方 法中之記錄方式CD 1 -2時，尤其如以下述方法限定之記 錄方式CD 1-3，可以更具體地限定媒體特性。因此，應確 保以複數個記錄裝置記錄上述媒體時之互換性。亦即， (記錄方式CD1-3)
m = 2 以上之標示長度時，Tdl’ = Tdl = 2-ac、= ac(i = l 〜m-1)、 a a c - /3 m-l=2-(2 C 而爲一疋’且爲冷 m-l’ = l+ A mO(〇<A moS 0.6)、α πι’=1 + Δ mO(〇〈A m〇S 0.6)、yS m’=/3 m+Δ m’， △ m」、Δγπ、及/3m’=/3m不受m影響而爲一定。此時，若 m = 2，01、泠1’、α2、6K2’、冷2、冷2’分別視爲 m = 3 時 之泠2(冷111-1)、 /S2’（ySm-l’）、 a3(am)、 a3’（Gm’）、 θ3(θπι)、冷 3’（/3m’）。ac 應爲 0.7 〜1.2，0.7〜1 爲佳， ο . 9〜1最好。 此時，以記錄方式CD1-3及下述記錄方式CD2-3之 -52- 1245285 (47) 組合來規定使用最局線速度Vmax爲24倍速或32倍速之 覆寫型CD-RW更佳。 亦即， (記錄方式CD2-3) m = 2(n = 4)以上之標不長度時，Tdi’+a " = 1=2、
a i=a c(i=l 〜m)、a: i’=a c(i=l 〜m_l)，但，a c = 〇i 〜 1、 ^Μ+6ΐ：ί = 2(ί = 2 〜ni)、 /9 i-i ,+ ^/ = 2(1 = 2 〜m-1)、且 β m - 1 ^ β ιώ-1~^Δ m0 = 0.6) Οί m ^ Οί γπ^Δ Γη(0<^Δ m = 0.6)、 /3 m —石 m+Δπι (△!!! —〇 〜1) ’ 又 ’ Δη^Ο、 β m、Δ m ? 爲不受m影響而爲一定。此時，若m = 2，則石1、^ 2、 /?2分別視爲111 = 3時之/3 2(冷111-1)、/3 3(/3111)、〇：3，（ m’）。
記錄方式CD 1_3及2-3之分割數m相同的偶數記錄 標示及奇數記錄標示中，在形成奇數記錄標示時，具有對 倒數第2個截止脈衝區間（/3 n’）及最後記錄脈衝區間（ am’）附加相同^⑺（記錄方式CDl-3、2-3中以表示） 之特徵。附加相同△ m(記錄方式CD 1-3、2-3中以△ m()表 示）’以控制形成記錄標示之記錄脈衝策略的記錄脈衝及 截止脈衝之雷射光（脈衝光）的產生爲目的之電子電路（積 體電路）的設計上會更爲簡便，亦可降低電子電路（積體電 路）之成本。 尤其是，從以安定記錄標示後端部之形狀來改善顫動 特性之觀點而言，Am應大於〇。具體而言，記錄方式1- •53· 1245285 (48) 3、2-3中之△〇!〇應爲（ΧΔπιΟ^0·6之範圍。以安定記錄標 示後端部之形狀爲目的時，△⑻最好爲0<Δπι〇$〇·5之範 圍。
又，從以安定η爲奇數之記錄標示後端部之形狀來改 善顫動特性之觀點而言，應爲之範圍’ Am，^0.6之範圍更佳，〇€△«!’S0.5之範圍最好。 其次，針對各線速度，依第1 7圖之步驟求取最小限 之參數的最佳値。 1) 決定Pw及Pe之暫定値Pwa、Pea。 2) 照射Pwa、Pea、Pba，記錄只由偶數標示之間隔長 度（n = 4、6、8、1 0全部包含在內）所構成之EFM信號。 ac、爲可變，在mil = 0.6〜0.8之範圍內以1倍速執 行再生而使各標示長度之間隔長度成爲特定長度且顫動値 爲35nsec之方式，決定ac、y5m。 3) 接著，照射Pw a、Pe a、Pb a，記錄在只由上述偶
數長度標示之間隔長度構成之EFM信號上附加n = 3以外 之奇數標示長度之間隔長度（n = 5、7、9、11全部包含在 內）的EFM信號。ac、求取上，係採用上述値，且 △ = A m、△ m’爲可變，以1倍速執行再生而使各 標示長度之間隔長度成爲特定長度且顫動値爲35nseC之 方式來求取。 4) 最後，照射Pw a、Pe a、Pb a，記錄附加了 3T標 示之間隔之完整EFM信號。n = 2以上之標示長度係使用 上述 ac、/3m、値。只有和 n = 3 相 -54- 1245285 (52) 將眼圖之上端I ! 4H換算成對射入光之反射率考，係胃 應間隔之反射率的上端値Rtop，以Ιμη Η將眼圖之振幅 (貫際上爲14Τ標不之振幅）Ιμη規格化者，係以下式 (DVD1)表示之記錄信號的調變度m14。 mi4 = Ii4/Ii4H X 100(%) (DVD 1 )
本發明中，調變度爲5 5%以上、80%以下。因調 變度係依存於光學分解能力，在NA較大飮光學系會呈現 較大之傾向，故本發明之調變度m! 4，係透過數値孔徑 ΝΑ = 0·60或ΝΑ = 0·65之光學系照射波長約650nm之雷射 光來實施記錄。但，波長並不必嚴格限制爲6 5 Onm，只要 爲63 0〜66 5 nm程度之範圍即可。
信號振幅Im應較大，然而，太大時會使信號再生系 之放大器的增益極端飽和，故m14之上限應爲80%，78% 爲佳，75 %程度最好。另一方面，太小時會使信號雜訊比 (S N比）降低，故下限應爲5 5 %，6 0 %爲佳，6 5 %程度最 好。又，Rt〇P應爲1 8〜30%，1 8〜25%爲佳，1 9〜23 %之 範圍最好。又，以下式（DVD2)
Asym = (((I14H + I14L)/2-(I3H + I3L)/2)/I14)xl00(%) (D VD2) 定義之對稱値Asym，應儘可能接近〇，然而，通常爲 + 1 0 %〜-5 %之範圍。 -58· 1245285 (53) 再生信號之時鐘顫動（jitter)，係使第2圖（b)之再生 信號通過均衡器及LPF後，利用截割器使其成爲2進位 信號，並針對該2進位信號之前緣及後緣的PLL時鐘’ 以基準時鐘週期T將實施時間偏離之標準偏差（顫動）的規 格化。詳細檢測方法如DVD-R0M規格書及DVD + RW規 格書之規定。本發明中之時鐘顫動’以1倍速（基準時鐘 週期3 8 · 2奈米秒）再生時之時鐘顫動値爲1 5 %以下。此 時，雖然現行RW-DVD規格之時鐘顫動容許値爲9%以 下，然而，本發明考量近年之DVD再生電路的性能提 升，故採用至15%爲止做爲容許値。此時鐘顫動値以12% 以下爲佳，1 0 %以下最好。 使調變度mi4、反射率上端値Rt〇P、及時鐘顫動成爲 上述値，不但可維持和傳統相變化型DVD規格之互換 性，6倍速以上之高速記錄的媒體亦可以對應既存相變化 型DVD之再生系執行再生。 又，以下有時會將 RW-DVD之時鐘顫動簡稱爲顫 動。 本發明之覆寫型光記錄媒體應爲以6倍速、8倍速、 10倍速、及12倍速之其中之一記錄由3T標示及3T間隔 (標示間）所構成之單一週期信號（稱爲3T資料）後並以由 14T標示及14T間隔所構成之單一週期信號（稱爲14T資 料）重寫時之3T標示的消去率爲20dB以上，最好爲25dB 以上。又，12倍速時之上述消去率應爲2 OdB以上，最好 爲25dB以上。高線速時消去率愈高之媒體，非晶標示刪 1245285 (54)
除時之再晶化速度會愈快’而可以更高線速實施E F M +信 號之重寫。例如，1〇倍速及12倍速時之上述消去率爲 2 0 d B以上時，使用於6倍速時當然會具有良好特性’而 且，使用於6倍速以下時也會具有良好特性。此處’記錄 由3T標示及3T間隔（標示間）所構成之單一週期信號並重 寫由14T標示及14T間隔所構成之單一週期信號時，係 採用後述之記錄方式DVD1-1或1-2的記錄方式。亦即， 在記錄由3T標示及3T間隔（標示間）所構成之單一週期信 號時，係以由1個記錄脈衝 Pw及後續之截止脈衝 Pb(0<Pb<lmW)所構成之記錄功率來記錄3T標示，其他區 間則照射刪除功率Pe。Pw爲以熔融記錄層爲目的之功 率，Pb係Pw照射後以對熔融區域實施急速冷卻使其非晶 化爲目的之冷卻區間。重寫由14T標示及14T間隔所構 成之單一週期信號時，會以重覆由7個記錄脈衝pw及附 加於各 Pw之截止脈衝Pb(0<Pb<lmW)所構成之記錄功率 的方式來記錄1 4T標示，其他區間則照射刪除功率Pe。 3T資料及14T資料之重寫時，使用同一Pe及Pw且在使 Pe/Pw固定爲0.2〜0.6之範圍內變化pe，檢測消去率之 Pe依存性，確認任一 Pe之消去率皆爲20dB以上，甚至 爲2 5dB以上。消去率係以dB單位檢測14T資料之重寫 前後的3 T資料之載體電平降低率。 任一情形皆實施對同一溝內實施記錄，通常，實施1 圓周份之溝記錄。 消去率方面’在執行重寫之線速度範圍上限的消去率 •60- 1245285 (55) 若爲夠大之値，則低於通常之低線速側就不會有消去率不 足之情形。以線速V移動且以數値孔徑NA之物鏡實施集 光之波長λ的光束照射記錄層之時間，因係以λ /(NA · V) 實施規格化，故在愈低線速時照射時間會愈長，而可充份 確保再晶化所需要之時間。 又，若以預先記錄之記錄信號的顫動在1倍速再生時 達到1 2%爲止之時間爲該記錄媒體之歸檔壽命時，溫度 8 (TC、相對濕度85%下之歸檔壽命應爲200小時以上，最 好爲5 00小時以上。 又，本發明中，爲了滿足上述特性，而以可以更短時 間進行評估之1 05 °C以上的條件實施加速試驗，調變度 m14、及晶體狀態之反射率Rtop在溫度爲105°C之加速試 驗環境下3小時後應皆維持於此初始値之90%以上。因爲 目前市面上銷售之1-2.4倍速對應之DVD + RW滿足此要 件。 本發明中，線速V(此段落爲V6倍速、8倍速、10倍 速、及12倍速之其中之一的線速度。）之調變度 m14、 Rt〇P、顫動、對稱値、消去率等之規定上，係將線速 3.49m/s當做基準速度（1倍速）Vi時，且在線速V保持資 料基準時鐘週期T爲(但，T,爲38.2nsec)之情形 下，以在下述記錄方式DVD1-1或記錄方式DVD1-2之任 一條件內之1種記錄方式來執行EFM +調變信號之次 重寫記錄後，以1倍速執行再生，再依前述記錄信號來進 行規定。 -61 - 1245285 (56) 記錄方式DVDl-l ; 經由數値孔徑ΝΑ爲〇·65之光學系照射波長7 8 0nm 之光。 此時’若1個非晶標示之時間長度爲nT(n爲3〜1 1 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α ιΤ、 /3 ιΤ、 α 2T、 /3 2T、 ...、 a mT、 yS mT
而由m個α i Τ、yS 4 Τ所構成之區間，且，各區間依 αι = 0·7 〜1.4、ai = 0.7〜1.2(i 爲 2〜m-1 之整數，ai 爲不 受i影響而爲0.7〜1.2間之定値ac)、〜 2 · 3、/3 i _! + a i = 2 (i 爲 3 〜m -1 之整數）、/3 m . 1 + a m = 1 · 7 〜 2.3、am = 0.7 〜1.2、/Sm = 0 〜2 的順序而爲 SJai+ySitn-j 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲_2.0〜2.0之實數）分割成爲
αΓΤ、 yS^T、 a2，T、 /S2，T、…、am，T、冷 m，T 而由m個a i ’ T、yS 4 ’ T所構成之區間，且，各區間係依 -62- 1245285 (57) a 1 ’ = a 1 、β ' β ' + △ 1 ( △ 1 : =0 · 3 〜 ◦•6)、a i’=a c(i = 2 〜 m · 1之整數）、 /Si·】， + a r = 2(i 爲3〜 之整數）、石m i’ = β m · 1 + △ m - 1 ( Δ m- 1 =〇 〜0 · 6)、 a = a △ m(0< △ m S 0.6)、 Δ m m — △ η η - 1 + Δ m = 〇 - 3 〜0 · 6、/3 m，= yS m的順序而爲Σ , ( a i，4 ySi’）= n- k之方式分割， 在QiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，pw爲 10 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)，
在/5iT及ySj’T之時間（i爲1〜ηι之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，ac、ygm(=ygm，）、 /5ι、△〗、Δπι·!、am、Am 不受 m 影響而爲一 定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a !、α Γ、a 2、a 2,、 冷2、冷2’分別等於m爲3時之ai、a!，、〇：3、a3，、
冷3、y?3’，同時，使yS!等於m爲3時之/^或/32之其中 之一，且使石1’等於m爲3時之，或/32，之其中之一。 (然而，容許±10%程度之偏離）。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間以！，丁及 偏功率照射區間卢T所構成之記錄光的照射。 記錄方式DVD1-2; 經由數値孔徑NA爲0.65之光學系照射波長爲65 0nm 之光。 此時，若1個非晶標示之時間長度、ηΤ(η爲3〜1 1 -63- 1245285 (58) 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲
α 、 /3 ,Τ、 α 2T、万 2T、…、a mT、 /3 mT
而由m個α iT、/3 iT所構成之區間，且，各區間係依 αι = 〇·7 〜1.4、ai = 0.7 〜1.2(i 爲 2〜m-1 之整數，ai 爲不 受i影響而爲0.7〜1.4間之定値ac)、冷ι+α2 = 1·7〜 2.3、 /3i_i+ai = 2(i 爲 3 〜m-1 之整數）、；Sm-i+am=1.7〜 2.3、 am = 0.7 〜1.2、= 0 〜2 的順序而爲 二 n_j 之方式分割，
針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 αΓΤ、 a2，T、 /S2，T、…、am，T、 而由m個a i，T、/3 i，T所構成之區間，且，各區間係依 a !、冷 r 1、a i，=a c(i = 2 〜m，l 之整數）、月丨-丨’士 = 爲 3〜m-1 之整數）、 〜〇·6)、am’=a:m+Am(0<AmS0.6)、Δπίπ^Δπι-ι+Δπ^0·5 〜1.2、/3„1’=冷1„的順序而爲1|(〇^，+)5/) = 11-1^之方式为 -64· 1245285 (59) 割， 在aiT及α「Τ之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 10 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在ySiT及y3i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，ySip/S!’）、ac、 /Sm-!、Δπι-1、am、冷m、Δπι’不受m影響而爲一定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 α：ι、αΓ、^i、ySi’、α2、 α2’、点2、冷2’分別等於m爲3時之αι、αΓ、冷2、 /32’、α3、 α3’、石3、石3’。然而，雖說「等於」，實 際上則爲容許±10%程度之偏離。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α "Τ及 偏功率照射區間yS i ’ Τ所構成之記錄光的照射。 又，2i(ai+y3i)等係代表i爲1〜m時之和。 本發明中，可以上述基準線速6倍速、8倍速、1 0倍 速、或12倍速執行覆寫之RW-DVD時，在基準線速之2 倍速、2.5倍速、3倍速、4倍速、及5倍速之至少其中任 一種線速又，調變度m14、Rt()p、顫動、對稱値、及消去 率之値應爲上述數値範圍內。 又，若上述基準速度之2倍速、2.5倍速、3倍速、4 倍速、及5倍速之其中之一的線速度爲Vmin，而基準速度 之6倍速、8倍速、1〇倍速、或12倍速爲Vmax時，Vmin 及Vmax間之全部線速度V的調變度mi4、Rt()p、顫動、對 -65- 1245285 (60) 稱値、及消去率之値應爲前述數値範圍內。利用此方式， 可實施後述之P-CAV或CAV方式之記錄。 此時，2倍速、2 · 5倍速、3倍速、4倍速、或5倍速 之調變度m ! 4、R t。p、顫動、對稱値、及消去率等之規定 以下述方式檢測。亦即，線速3 · 4 9 m / s爲基準速度（1倍速） V!時’而基準速度爲2倍速（2 VJ、2.5倍速（2.5V!)、3倍 速（3V!)、4倍速（4V!)、或5倍速（5VJ之其中之一時，在 資料基準時鐘週期 T保持爲 VT = VlTi(但，Τι爲 38.2nsec，V 爲 2.5V!、3Vi、4Vi、及 5Vi 之其中之一。） 之情形下，以下述記錄方式DVD2_1至2-2之其中之一的 條件內的記錄方式，實施1 〇次之經過EFM +調變之信號 的重寫記錄後’以1倍速執行再生，再依前述記錄信號來 進行規定。 記錄方式D V D 2 - 1 ; 經由數値孔徑N A爲0 · 6 5之光學系照射波長6 5 0 n m 之光。 此時’若1個非晶標示之時間長度、ητ(η爲3〜1 1 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α ιΤ、 α 2丁、；3 2τ、 ··· 、 α mT、 mT -66- 1245285 (61) 而由m個α ,Τ、/3 ,Τ所構成之區間，且，各區間α p〇1 〜1、ai = 〇.l〜丨（丨爲2〜m_1之整數’ ai爲不受1影饗而 爲0·1〜1間之定値ac)、Ρ1+α2=1.7〜2」、石卜1 + ai = 2(i 爲 3〜m-Ι 之整數）、/5m-i+am=1.7 〜2.3、α^〇·ι 〜1、冷m = 〇〜2的順序而爲Σί ( a i+ yS 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標不，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之貫數）分割成爲 αι，Τ、 /3ι’Τ、 （22’Τ、冷 2丁、…、^爪丁、冷 m’丁 而由m個a i，T、yS i，T所構成之區間’且’各區間係依 αι，=αι、冷，= = 〜〇·6)、 ai’=ac(i 爲 2〜 1^-1之整數）、/3丨-1’+<^’=2(1爲3〜111-1之整數）、/301_1’ = /Sm-i+Zim.丨（△m-fO 〜〇·6)、αιη’=απι+Δπι(0<Δπι$〇.6)、 △ ιτιηι^Δ m.i+Δ m = 〇.3 〜〇.6、Θ m =点 m 的順序而爲 Σί(α i，+ ^ yS/hn-k之方式分割’ 在aiT及ai，T之時間（i爲1〜m之整數）內’照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率P w的記錄光（但’ P w爲 10 〜4〇mW、Pe/Pw = 0.2 〜0·6)， 在ySiT及ySi，T之時間（i爲丨〜111之整數）內’照射 lmW以下之偏功率pb的記錄光。 又，m 爲 3 以上時，α】（=αι’）、ac、/3m(=/3m’）、 /3!、Δ,、々n、Δι】、am、Am不受m影響而爲一 -67- 1245285 (62) 定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 α !、α i，、a ι ' a 2,、 石2、/32’分別等於m爲3時之ai、a〆、a3、a3’、 ^3、/33’，同時，使/3】等於m爲3時之/3】或/52之其中 之一，且使石1’等於m爲3時之ySl’或/52’之其中之一。 此時，容許土 1 〇%程度之偏離。但，m = 2之/3 2’時，則爲 可在±0.5之範圍內變動的値。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間a i’T及 # 偏功率照射區間；3 T所構成之記錄光的照射。 記錄方式DVD2-2; 經由數値孔徑NA爲0.65之光學系照射波長65 0nm 之光。 此時，若1個非晶標示之時間長度、ηΤ(ιι爲3〜1 1 之整數及1 4)時， 對記錄標示間隔·照射可使非晶獲得晶化之刪除功率
Pe’ · 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中
時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 a ,Τ > β λΊ ^ a 2Τ > β 2T ^ ^ a mT > β mT 而由m個aiT及々π所構成之區間，且，各區間^^^·1 〜1、aeO.l〜l(i爲2〜m-1之整數，ai爲不受i影響而 爲 0.1〜1 間之定値 ac) 、/31+(^2=1.7 〜2.3、+ -68- 1245285 (63) a i = 2 (i 爲 3 〜m -1 之整數）、冷 m ·! + α m = 1 · 7 〜2.3、α m = 0.1〜1、冷m = 〇〜2的順序而爲Σί(α β/3 〇 = 之方式分 割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 ，丁、 /S^T、 α2，Τ、 /52，丁、…、am，T、 /3m，丁
而由m個a i，T、/3 i，T所構成之區間，且，各區間係依 α Γ = α 1 ' 冷 r=ySi、ai，=ac(i = 2 〜m-1 之整數）、冷“厂十 ai，=2(i 爲 3〜m-1 之整數）、y3m-i’=石 〜0.7)、am，=am+Am(〇<Am$〇.6)、△mm=Am-i+Am = 〇5 〜1.2、yS m，=y5 m+A m，（A m，=〇 〜1)的順序而爲 Σί(αί，+ /3i’）= n- k之方式分割，
在ai T及ai，T之時間（i爲l〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，pw爲 10 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜〇·6)照射， 在0iT及ySi，T之時間（i爲l〜m之整數）內，煦射 lmW以下之偏功率Pb之記錄光。 又，m 爲 3 以上時，αι(=αι’）、冷 ι(=冷 1’）、ac、 々n、Δπ^、am、；3m、不受m影響而爲一定。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a 1、a ι’、β \、/3 Γ、 6^2、α2’、卢2、々2’分別寺於m爲3時之CKi、（2ι’、 β 1、β 1，、a 3、 a 3，、/3 3、冷3 ’。然而，實際上則爲 -69· 1245285 (64) 容許± 1 Ο %程度之偏離。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α ,’Τ及 偏功率照射區間/3 Γ Τ所構成之記錄光的照射。
此時，記錄方式DVD1-1、1-2、2-1、及2-2中，各η 之j、k亦可以爲不同之値。又，Pw、Pb、Pe爲一定功率 之電平且爲Pb^Pe^Pw。其次，利用記錄方式DVD1-1、 1-2、或記錄方式DVD2-1、2-2，實施EFM +隨機形態之記 錄，然而，Pe/Pw比會固定爲0.2〜0.6之其中之一的値， 使Pw在10〜40mW間變化，在得到最佳特性之Pw下， 使顫動、m14、及Rt()p分別滿足上述之値。此時，功率値 Pw、Pe、Pb等係只針對記錄光束當中之主光束的功率， 在考慮上，係將如所謂3光束法中分配至伺服用輔助光 束一亦即，和記錄無直接關係之光束的功率除外。Pe/Pw 比方面，首先，採用〇.3〜0.4之間的値，結果若無法滿 足上述之m】4、Rt()p、對稱等要件，則採用〇.2〜0.3或0.3 〜〇 . 6間之値。 又，記錄脈衝區間a ,T、a i ’ T、以及截止脈衝區間 /50之各光的功率電平方面，記錄脈衝區間會固 定爲Pw ’而截止脈衝區間則會固定爲Pb。但，施加高頻 重疊時’ Pw及Pb則定義於該區間之平均功率。又，容許 雷射二極體之回應上無法避免之過衝、下衝。記錄脈衝 a iT及a i’T之產生消失爲約2nsec以下，最好爲lnsec 以上、2nsec以下。 記錄方式 DVD卜1及 1-2係針對日本特開 2001· -70- 1245285 (65) 331936號公報所示之以週期2T爲基本之重覆週期而交互 產生記錄脈衝（Pw爲照射區間）及截止脈衝（Pb爲照射區間） 之記錄脈衝分割方法進一步進行檢討。亦即，本發明發 現’以上述2T週期爲基礎之記錄策略當中，尤其適合可 以6至12倍速重寫之相變化型可重寫DVD，且爲特産業 上十分有用之低成本及簡便記錄脈衝分割方法。利用本發 明之記錄脈衝策略，即使以複數驅動器執行記錄，可提供 容易保持記錄品質且容易確保互換性之記錄媒體及其記錄 方法。 因此’本發明中，係限定以週期2T爲基本之記錄脈 衝分割方法上的可變參數及其範圍。因此，本發明係從以 上述週期2T爲基本之記錄脈衝分割方法中之眾多參數 中’找出以保持6倍速至1 2倍速之良好記錄品質爲目的 之必要最低限的參數來執行變化。可變參數之數若較多， 則較容易以6倍速至1 2倍速實現良好記錄。然而，可變 參數之數若較多，對光記錄媒體執行記錄之記錄裝置，其 產生脈衝之電子電路（積體電路）的設計會變得十分複雜。 因此’本發明求出以實現可以容易實施上述電子電路（積 體電路）之設計、且可實施良好6倍速至1 2倍速之良好記 錄爲目的的最低限參數。 以6倍速至1 2倍速實施良好記錄爲目的之最低限可 變參數，可在交互回饋針對6倍速至12倍速之可重寫記 錄媒體的檢討、以及脈衝分割記錄方法之檢討來求取。因 此’本發明可利用同時實現記錄媒體及記錄方法之高度創 -71 - 1245285 (66) 作來實現。 利用此種檢討，本發明提供可以迄今尙未實現之2或 2 · 5倍速至6或1 2倍速之極廣泛範圍之線速度實現記錄及 再生之高互換性的記錄媒體及記錄方法。 RW-DVD之EFM +調變時，標示長度、ητ若爲n = 3、
4、5、6、7、8、9、1 0、1 1、14時，將其分別割成以 m=l、 2、 2、 3、 3、 4、 4、 5、 5、 7 個之 2T 爲基本之週 期，並以分割成m個記錄脈衝及截止脈衝之組合的記錄 脈衝來執行記錄。本發明中，爲了明確規定可以6倍速、 8倍速、10倍速、或12倍速執行重寫之RW-DVD，特別 將其限定爲如記錄方式DVD 1-1及1-2所示。
第3圖係實施上述記錄方式DVD1-1及2-1之脈衝分 割方法時之各記錄脈衝的關係實例圖。又，第3圖（b)中 以形成標示長度2mT爲目的之記錄脈衝及截止脈衝的時 間寬度原本應以〇〗丁、/3d、acT、…、amT、/3mT來 表示，但爲了容容易觀看，第3圖（b)只圖示α】、β 1 ' a c > ^ a m 、y5m並省略基準時鐘週期Τ之圖示。第3 圖（c)亦相同。 如第3圖所示，將本發明之光記錄方法的ηΤ標示之 η値分成奇數及偶數來考慮。使和分割數m相同之偶數長 度標示及奇數長度標示之標示長度差1T的補償’分散並 指定於前頭記錄脈衝之次一截止脈衝區間/3 ! T、及倒數第 2個記錄脈衝週期之區間（；Sm-i+am)T。亦即，標示長度 1T之補償係利用截止脈衝長度/3 !T及/3 、以及最後 -72· 1245285 (67) 之記錄脈衝區間脈衝a m T的調整來實施。 第3圖中’ 3 00係代表週期τ之基準時鐘。 弟3圖（a)係對應長度、nT = 2mT、或nT = (2m+l)T之 記錄標示的脈衝波形，符號3 0 1係對應長度2 m T之記錄 標示的長度，符號3 02係對應長度（2m+l)T之記錄標示的 長度。第3圖（a)係m = 5時。
第3圖（b)之3 03係n = 2m(=10)時之分割記錄脈衝的波 形，第3圖（c)之3 0 7係n = 2m+1(=11)時之分割記錄脈衝的 波形。
在Tdl上乘以T所得之値，係對α !T及α !’T之nT 標示前端Τ〇的延遲時間，通常不會受η影響而爲一定， 又，通常爲了容易取得記錄脈衝產生電路之同步，而爲 (Tw+aQT^Tcn+aDTdT，且進一步容許±〇.5Τ程度之 微調。尤其是3Τ、4Τ、5Τ標示時，應實施此種延遲時間 之微調。記錄脈衝區間a iT(i=l〜m)之記錄功率電平爲 Pw且一定，截止脈衝區間冷iT(i = l〜m)之偏功率電平爲 Pb且一定，標示及標示之間，亦即aiT(i=l〜m)及 /3iT(i=l〜m)以外之區間的光照射功率爲刪除功率Pe且 一定。η爲偶數時，除了前頭之記錄脈衝及最後之截止脈 衝以外之區間3 04(亦即，第3圖之3 05、3 06以外之區間） 爲（/Si-i+a丨）T = 2T(i = 2〜m)且一定。但，亦可只針對（卢1 + α2)Τ及（y3m-】+am)T實施±0·3Τ之範圍內的微調。另一 方面，η爲奇數時，第3圖之區間308爲+ a ^)T = 2T(i = 3 〜m-1)且一定。 -73- 1245285 (68) 其次，爲了記錄同一分割數之n = 2m及2m+l之2種 標示長度，分別對區間（/3 ! + α 2)T及區間（点m_1+ a m)T實 施各約 Ο · 5 T之增減來調整長度。又，因熱干渉等之影 響，此値並不一定正好爲 〇·5Τ，然而，大致爲0.3Τ〜 〇·6Τ之範圍。沒„1及/301’爲0〜2之範圍且大致爲相同之 値，然而，應以/3 m’爲佳。
第3圖中，偶數長度標示nT=10T及奇數長度標示 ηΤ=11Τ之標不長度的差1Τ之記錄，以下述操作1、2來 實施。 操作1 :如第3圖之區間3 0 9所示，只對區間（冷1 ’ + ’）Τ 之冷 1’ 附加 Δι’ 使 操作2 :如第3圖之區間3 1 0所示，對區間（/5 m - i ’ + am’）T 附加 ΔπιπϊΤ。此時’ △π^π^Διη-Ι+Δπι，將 Διπηι 分 成△ m·!、△ m，對/3 附力口 △ H，而對α m附力口 △ m。 又，△ 亦可爲零。
本發明中，Διη 會大於 〇(^1^>〇)，CKm# 0：m’。△〇!大 於〇’可使同一分割數m當中之η爲奇數之記錄標示後端 部的形狀保持安定，而大幅改善顫動特性。又，最好 △ Π1·1及Δπι爲大致相等的値。若Am-I及△0!大致相等， 則在保持良好顫動特性之情形下，控制記錄脈衝策略之記 錄脈衝及截止脈衝之雷射光（脈衝光）產生的電子電路（積 體電路）設計亦會更爲簡便。 以上之操作係在3以上之m時實施，Δι、取 0.3〜0.6之値。Δπ^及Am之値會依據之分配而決 -74- 1245285 (69) 定，Δγπ·!可以取〇〜〇·6之値，Am可以取0以上、0.6以 下之値。 如前面所述，因區間（/Sl+^2)T及區間（/Sn+anOT 係分別增減約〇 · 5 τ來調整長度，△ i、△ m·丨、△ m、及 △ mm可以爲0.6，但Δΐ、ΔΓη·1、及Δπι以〇·5以下之値爲 佳。
以下，分別針對記錄方式DVD1-1之m爲3以上、 m = 2、及m=l時進行説明。記錄方式DVD2-1則在後面會 進行說明。 記錄方式DVD1-1中，m爲3以上時， 冷m，=ySm’而^及^’在i = 2〜m-1時爲ac，不會受i影 響而爲一定。又，am及am’亦不會受m影響而爲一定 値。又，αι(=αι，）爲 〇·7 〜I·4，ac 爲 〇·7 〜i·2，^爪爲 0.7 〜1 .2。
又，m 爲 3 以上時，αι(=αΓ)、ac、/3m(=/3m’）、 /Si、△〗、ySm.i、Δη^、Am不受m影響而爲一定。6倍 速或8倍速時，ac=ai(i = 2〜m-1)首先會爲0.9〜1之範 圍的値，其後，在±0.2之範圍（〇·7〜1.2之範圍）內實施微 調。α !及a m會先採用和a c相同之値’然後在最大比 a c大0.3程度之範圍進行微調。 此時，若m = 2(n = 4、5)，則因m -1 = 1，故可同時求取 區間（h+a])!'及區間（/Sm^+anJT之解。此時，（/3Γ + α2，）Τ比（々βαΟΤ長約1T’更具體而言，使αι、 (2ι’、（^2、<^2’、万2、万2’分別和爪爲3時之αΐ、 -75- 1245285 (70) ai’、am 、0171’、/3„1'/3„1’相等，同時，使/31和！11爲 3時之之其中之一相等，且使万！ ’和m爲3 時之/3Γ或，之其中之一相等。又，雖然前面說明採 用「相等」之用詞，實際上則爲容許± 1 〇%程度之偏離。 如上所示’針對偶數長度標示可獲得第3圖（b)點線 所示之記錄脈衝列3 03，針對奇數長度標示則可獲得第3 圖（c)點線所不之記錄脈衝列3 0 7。 又’ m=l(n = 3)時，照射由成對之記錄功率照射區間 α Γ T及偏功率照射區間/5 Γ T所構成之記錄光。此時， a 1 ’應比2以上之m時之a ! ’大0 · 1〜1 .5程度，石！，則應 比2以上之m時之0 1 ’小，且等於或大於；3 m、ys m，。 又，/3 ! ’之範圍應爲0以上、2以下。 第16圖係實施上述記錄方式DVD 1-2及2 = 2之脈衝 分割方法時之各記錄脈衝的關係實例圖。又，第1 6圖（b) 中以形成標示長度2mT爲目的之記錄脈衝及截止脈衝的 時間寬度原本應以aiT、/Sj、acT'…、amT、ySmT 來表示，但爲了容易觀看，第16圖（b)只圖示αι、 β \、a c 、…、並省略基準時鐘週期 T之圖 示。第16圖（c)亦相同。 如第16圖所示’將ηΤ標示之η値分成奇數及偶數來 考慮。使和分割數m相同之偶數長度標示及奇數長度標 示之標示長差1了的補償’分散並指定於倒數第2個記錄 脈衝週期（/3 a m)T及最後之截止脈衝/3 mT。亦即，標 示長度1T之補償係利用截止脈衝長^m_lT及石⑺丁、以及 -76- 1245285 (71) 最後之記錄脈衝區間脈衝a m τ的調整來實施。 此記錄方式和第3圖所示記錄方式（記錄方式1)\^1)1-1、2-1)相比，因依偶數、奇數標示變化之記錄脈衝及截 止脈衝會集中於標示之後端部附近，故不但具有更容易控 制記錄標示之後端顫動的優點，尙具有設計記錄脈衝策略 之記錄脈衝及截止脈衝上以控制雷射光（脈衝光）之產生爲 目的之電子電路（積體電路）十分簡便之優點。又，尙具有 可變參數較少之優點。 第16圖中，400係週期Τ之基準時鐘。 第16圖（a)係對應長度、nT = 2mT、或nT = (2m+l)T之 記錄標示的脈衝波形，符號401係對應長度2mT之記錄 標示的長度，符號402係對應長度（2m+l)T之記錄標示的 長度。16圖（a)係m = 5時。 第16圖（b)之4 03係n = 2m (=10)時之分割記錄脈衝的 波形，第16圖（c)之406係n = 2m+l( = ii)時之分割記錄脈 衝的波形。 在Tdi上乘以T所得之値’係對“π及^^’丁之ητ 標示前端To對延遲時間，通常不會受η影響而爲一定， 又，通常爲了容易取得記錄脈衝產生電路之同步，而爲 (Tdi+α Tdl+a 〗’）Τ = 2Τ，甚至進一步容許±〇·5Τ程度 之微調。尤其是3Τ、4Τ、5Τ標示時，應實施此種延遲時 間之微調。記錄脈衝區間^ i T (i = 1〜m)之記錄功率電平爲 Pw且一定，截止脈衝區間/SiT(i = l〜m)之偏功率電平爲 Pb且一定，標示及標示之間，亦即a i T (i=l〜m)及 -77- 1245285 (72) 々iT(i=l〜m)以外之區間的光照射功率刪除功率爲pe且 一疋。η爲偶數時，區間404爲（冷)τ = 2Τ(ί = 2〜m) 且一定。但’亦可只針對1+α 2)T及（石m)T實施 ±0·3Τ之範圍內的微調。另一方面，n爲奇數時，第16 圖之區間407爲（石Μ，+α丨’）丁 = 2丁（1 = 2〜m-1)且一定。 但’（冷 1 + α2’）Τ 等於（y3i+a2)T。 其次’爲了記錄同一分割數之n = 2m及2m+l之2種 標不長度’分別對區間（0 ! + a m) T實施各約1 τ之增減 來調整長度。又’因熱干渉等之影響，此値並不一定正好 爲1丁’然而’大致爲0.5〜1.2T之範圍。0m及石⑺，爲〇 〜2之範圍（記錄方式DVD2-2時，ySm，= 〇〜3之範圍）且 大致爲相同之値，而爲了補償對標示後端顫動之影響， /3 m及/3 m’亦各別實施微調。尤其是記錄方式DVD2-2 時，）Sm’=冷 m+Διη’、在 ySm 上附加△，（ = 〇 〜1)。 第16圖中，偶數長度標示nT=l〇T及奇數長度標示 ηΤ=11Τ之標示長度的差1Τ之記錄，以下述操作3來實 施。 操作3 :如第1 6圖之區間4 0 8所示，對區間（点m _】+ J m ) 丁附加△ m m T 將其虽做（3m-l + CKm’）T。此時，△ m m = △ m · 1 + △ m ’ 將△ m m 分成△ m · I、△ m ’ 封 ^ m -】附力口 △ m · 1 ’而對a m附加△ m。又，爲補償對標示後端之顫動 的影響，對/3 m附加△ m ’，使其成爲yS m ’。 以上之操作係在3以上之m時實施，取〇.5〜 1.2之値。/^^及Am之値會依據之分配而決定， -78- 1245285 (73) △ ^!爲〇〜〇·6(記錄方式DVD2-2時爲〇〜〇·7)’ Am爲Ο 以下、0.6以下之値。Am.!亦可爲零，然而，Am應大於 〇，使Am大於〇，可使同一分割數m當中之 η爲奇數之記錄標示後端部的形狀保持安定，而大幅改善 顫動特性。又，最好△ i及△ m爲大致相等之値。若
△ !及△ m大致相等，則在保持良好顫動特性之情形下， 控制脈衝光產生之電子電路（積體電路）設計亦會更爲簡 便。 △m’取0〜1之値，最好爲0〜0.6之値。尤其是低於 4倍速程度之低線速度時之△ m，應大於6、8、1 0、或1 2 倍速時之Δη/。另一方面，6、8、10、或12倍速時最好 爲△ m ’ = 〇 〇 以下，針對記錄方式DVD卜2之m爲3以上、m = 2、 及時進行説明。記錄方式DVD2-2則在後面會進行說 明。
記錄方式DVD1-2中，m爲3以上時， αι及α,’在i = 2〜m-1時爲ac，不會受i影響 而爲〜定。又，αι (=αι，）爲 0.7〜1.4之範圍的値，ac 及0^爲〇·7〜1.2之範圍的値。最好αι (=〇: 1’）、ac、及 α m皆爲0.7〜1之範圍。 又 ’ m 爲 3 以上之時，αι(=αι’）、/3i、ac、 占01·1、Δπ^、am、Am、0m、不受 m 影響而爲一 疋。6倍速或8倍速時，ac=ai(i = 2〜m)，首先會爲1， 其後’在±0.2之範圍實施微調。^^及^⑺會先採用和 -79- 1245285 (74) a c相同之値，然後在最大比α c大〇·3程度之範圍進行 微調。△ m、△ m · 1之初始値大約爲〇 · 4，以可得到特定標 示長度之方式實施微調。又，首先會使區間410之Am，等 於區間405之/3 m，然後再實施微調。 此時，若m = 2，會比（/Sda^T長約 IT ’但因m“ = i，故可將其分別視爲（石m-1’+a m’）T及（ 石 m-i+am)T。其次，使 αι、α〆、冷1、θι’、α2、 α2’、石2、石2’分別和m = 3時之a】、a】’、石2、/32，、 a 3 ' a3’、β 3 > 冷 3’。但，m = 2 之 ai、a〆、β \、 /5〆、a2、a2，、々2、yS2’亦可進一步實施±10%程度之 微調。 如上所示，針對偶數長度標示可獲得第16圖（b)點線 所示之記錄脈衝列403，針對奇數長度標示則可獲得第！ 6 圖（Ο點線所示之記錄脈衝列406。 又，m=l(n = 3)時，照射由成對之記錄功率照射區間 « Γ T及偏功率照射區間/3 i ’ T所構成之記錄光。此時， a!’應比2以上之m時之αΓ大0.1〜1.5程度。又，冷〆 之範圔應爲0以上、2以下。 記錄方式DVD2_1中，以和記錄方式DVD1-1相同之 規則來記錄偶數長度標示及奇數長度標示，記錄方式 DVD2-2中，則以和記錄方式DVD 1-2相同之規則來記錄 偶數長度標示及奇數長度標示，然而，ai、〜ηι) 應爲比6至1 2倍速之線速記錄時更小之〇. 1〜1之範圍的 値。同時，y3i、/3i’（i=l〜m)應爲比6倍速、8倍速、10 -80- 1245285 (75) 倍速、或1 2倍速之線速記錄時更大的値。又，記錄方式 DVD2-2時，Δ、在〇以上、1以下之範圍內爲可變。 又，’應爲0.5以上、1.5以下之範圍。 將記錄方式DVD卜1記錄方式或DVD卜2之最大線速 度Vmax—亦即’ 6、8、10、或12倍速時之α i、a i，分別 當做a i G、a i ο ’，而以2倍速、2 · 5倍速、3倍速、4倍速 (亦即，線速V爲2V】、2.5V】、3V】、及4V】之其中之一） 利用記錄方式DVD2-1或記錄方式DVD2-2對同一媒體執 行記錄時，可大致設定爲ai = r|(V/Vmax；)ai〇、 a i’=ri(V/Vmax)a i0，，其後，在微調±〇·ι程度之範圍實施 微調。 此時，η爲0.8〜1.5之範圍的實數。首先會取1.0〜 1.3之範圍的値，其後，再將其放大至o.Sxk5之範圜並 實施檢測。 又，記錄方式DVD2-1、2-2中，n = 5時可適用例外的 規則。 亦即，記錄方式DVD2-1中，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、αι’、02、U2’、泠2、冷2’分別和m爲3時之αι、 ai’、 a3’（am’）、/33(冷 m)、相等’ 同時，使/3ι和m爲3時之或々以々^)之其中之一相 等，且使和m爲3時之，或之其中之 一相等。然而，雖然前面說明中採用「相等」之用詞，實 際上則爲容許± 10%程度之偏離。又，m = 2之a 2，及/S 2’方 面，則爲可在±0.5之範圍內變動的値。 1245285 (76) 又，記錄方式DVD2-2中，m = 2(n = 4、5)時，使αι、 6Ti’、/Si、y5i’、α2、“2，、/?2、冷2’分別和 m = 3 時之 CL 1 ' 6^1’、 /S2(/Sm-1)、 /?2’（/3ηι-1’）、 a3(Gm)、 ^3( am’）、/S3(/Sm)、y53’（ySm’）相等。雖然採用「相等」之 用詞，實際上則爲容許± 1 0%程度之偏離。又，n = 3時之 /3 i ’應爲〇以上、3以下之範圍。
設定爲使用至6倍速爲止之RW-DVD時，例如’規 定2倍速及6倍速、或3倍速及6倍速之記錄特性，而設 定爲至8倍速爲止之RW-DVD時，則分別規定2·5倍速及 8倍速之記錄特性 、3倍速及8倍速之記錄特性、或者 4倍速及8倍速之記錄特性，設定爲至1 〇倍速爲止之 RW-DVD時，則規定4倍速及10倍速之記錄特性，同樣 的，設定爲至12倍速爲止之RW-DVD時，則分別規定4 倍速及1 2倍速之記錄特性、6倍速及12倍速之記錄特 性、或者4倍速及8倍速之記錄特性，以上述方式，可以 從驅動器之記錄再生互換性之觀點，來定義適合後述之 CAV記錄方式、P-CAV記錄方式、或ZCLV記錄方式之媒 體。此時，屬於低線速側檢測之記錄方式DVD2-1或2-2 中，以如上述和線速大致成比率之方式預設a i、a i ’、 /3 1、冷厂之値（(^ = 11(^/¥1113>()(^0、〇^’ = 11(¥/¥11^)(2 1〇’）可 使媒體特性獲得更良好之規定。 如上面所述，在最小線速及最大線速之比爲2倍以上 之不同記錄速度範圍定義複數個記錄線速度之覆寫型光記 錄媒體之特性·，從記錄驅動器確保媒體之記錄再生互換性 -82- 1245285 (77) 之角度而言，亦爲好方法。尤其是，若能採用記錄方式 DVD1-1和記錄方式DVD2-1之組合、或採用記錄方式 DVD1-2和記錄方式DVD2-2之組合更佳。 以如上之方法規定特定範圍之媒體時，最好能以記錄 方式DVD1-2及記錄方式DVD2-2之組合來規定最高線速 度Vmax爲6倍速、8倍速、10倍速、或12倍速之RW-DVD。 又，對應此種6倍速、8倍速、10倍速、或1 2倍速 之媒體特性的規定方法中之記錄方式DVD 1-2時，尤其以 下述方法限定之記錄方式DVD 1-3，可以更具體地限定媒 體特性。因此，應確保以複數個記錄裝置記錄上述媒體時 之互換性。亦即， (記錄方式DVD1-3) m = 2 以上之標示長度時，Tdl’=Tdi = 2- ac、ai’=o：i = ac(i=l 〜m-1)、ySi’=/5i = 2- ac(i=l〜m-2)、am=ac、 β m-i = 2- a c 而爲一定，且爲 = 0.7)、CL m — 1+Δ ιη〇(〇<-Δ m0 = 0.7) ' f -石 m+Δ m ’ △ m、 △ m’、及/5m不受m影響而爲一定。此時，若m = 2， /5i、/3i·、a2’、/?2、冷2’ 分別視爲111"^ 時之 冷 2(/5m-i)、 /52’（/3ηι·Γ)、 a3(am)、 a3’（Qm’）、 冷 3(/Sm)、/33’（/3m’）。ac 應爲 0·7 〜1·2，0.7〜1 爲佳， 0.9〜1最好。 此時，以記錄方式DVDl-3(適用6、8、10、或12倍 1245285 (78) 速之其中任一種）及下述記錄方式DVD2-3(適用2、2.5、 3、4、或5倍速之其中任一種）之組合來規定使用最高線 速度Vmax爲6倍速、8倍速、1〇倍速、或12倍速之相變 化型可重寫DVD更佳。 亦即， (言己錄方式DVD2-3)
m = 2(n = 4)以上之標示長度時，Tdl’+a i^Tcn+a 1=2、 a i=a c(i=l 〜m)、 a i，=a c(i = l 〜m_l)，但，a c = 0.1 〜 1 、 /3 i-i+a i = 2(i = 2 〜m)、 yS ,.ι’+α i’ = 2(i = 2 〜m-1)、且 =冷 Π1-1+Δ !!!〇(〇〈△ 0.7)、 a m，=a m+Δ m〇(〇<A m〇 $〇.7)、/3〇1’=)0111+/\111’（/\111’ = 〇〜1)，又，八111〇、/5111、 △ m’爲不受m影響而爲一定。此時，若m = 2，則 a2、点2 分別視爲 ηι = 3 時之 /32(/3^)、yS3(/Sm)、 a 3’（ a m，）。
記錄方式DVD卜3及2-3之分割數m相同的偶數記錄 標示及奇數記錄標示中，在形成奇數記錄標示時，具有對 倒數第2個截止脈衝區間（Θ n’）及最後記錄脈衝區間（ am’）附加相同/^m(記錄方式DVD1-3、2-3中以Δη^表示） 之特徵。附加相同Δπι(記錄方式DVD1-3、2·3中以 表示），以控制形成記錄標示之記錄脈衝策略的記錄脈衝 及截止脈衝之雷射光（脈衝光）的產生爲目的之電子電路 (積體電路）的設計上會更爲簡便，亦可降低電子電路（積 體電路）之成本。 -84- 1245285 (79) 尤其是，從以安定記錄標示後端部之形狀來改善顫動 特性之觀點而言，△ m應大於〇。具體而言，記錄方式1 -3、2-3中之應爲0<Am〇S〇.7之範圍。以安定記錄標 示後端部之形狀爲目的時，△ mG最好爲〇<△ mo $ 〇·6之範 圍。 又，從以安定η爲奇數之記錄標示後端部之形狀來改 善顫動特性之觀點而言，△ m’應爲〇$ △ 1之範圍，
OS △m’SOJ之範圍更佳，0$ 之範圍最好。 其次，針對各線速度，依第1 7圖之步驟求取最小限 之參數的最佳値。亦即，1)決定 Pw及 Pe之暫定値 Pwa、Pea 〇
2) 照射Pwa、Pea、Pda，記錄只由偶數標示之間隔長 度（n = 4、6、8、10、14全部包含在內）所構成之 EFM +信 號。ac、爲可變，在11^4 = 0.55〜0.8之範圍內以1倍 速執行再生而使各標示長度之間隔長度成爲特定長度且顫 動値爲1 5 %以下之方式，決定a c、/9 m。 3) 接著，照射Pw a、Pe a、Pb a，記錄在只由上述偶 數長度標示之間隔長度構成之EFM +信號上附加n = 3以外 之奇數標示長度之間隔長度U = 5、7、9、1 1全部包含在 內）的EFM +信號。ac、求取上，係採用上述値， 且八1^〇=^111-1=^111、Δηι’爲可變，以1倍速執行再生時之 顫動値爲15%以下之方式來求取。 4) 最後，照射Pw a、Pe a、Pb a，記錄附加了 3Τ標 示之間隔之完整EFM +信號。n = 2以上之標示長度係使用 -85- 1245285 (82) 特性等。 爲了兼具高速晶化及時效安定性，設於基板上之相變 化型記錄層的材料選擇就更爲重要。本發明中，如何加快 該記錄層之晶化速度極爲重要，而前述目的可以利用記錄 層組成之調整來達成。 本發明中，爲了加快晶化速度，前述相變化型記錄層 之組成應以S b爲主要成份。又，本發明中之「以特定組 成或特定元素爲主要成份」係代表，含有特定組成或特定 兀素之層整體當中，前述特定組成或前述特定元素之含有 量爲50原子百分率以上。以Sb爲主要成份之理由，係因 爲S b之非晶可以極快之速度晶化，故可在短時間內使非 晶標不晶化。因此，非晶狀態之記錄標示的刪除較爲容 易。以此點而言，Sb之含有量應爲60原子百分率以上， 7 0原子百分率以上爲佳。然而，可促進非晶形成且可提 高非晶狀態之時效安定性的添加元素和Sb倂用，會比單 獨使用Sb爲佳。以促進相變化型記錄層之非晶形成且提 高非晶狀態之時效安定性爲目的之上述添加元素的含有 量，通常應爲1原子百分率以上，5原子百分率以上爲 佳，最好爲1〇原子百分率以上’同時，通常爲30原子百 分率以下。 以促進非晶形成且提高非晶狀態之時效安定性爲目的 之上述添加元素’亦具有提®晶化溫度之效果。此種添加 元素可以採用如 Ge、Te、In、Ga、SnPb、Si、Ag、Cu、
Au、鹼土 元素、Ta、Nb、v、、Zr、w、Mo、Cu、 -88- 1245285 (83)
Cr、Co、氮、氧、及Se等。這些添加元素當中，從促進 非晶形成、提高非晶狀態之時效安定性、以及提高晶化溫 度之而言觀點’應爲由Ge、Te、In、Ga、及Sn所構成之 群組中選取至少其中之~種，最好採用Ge及/或Te。 如上面所述，本發明之相變化型記錄層的材料，最好 倂用Sb及Ge、以及/或Te。將Ge及/或Te添加至Sb 時，相變化型記錄層中之Ge的含有量應爲1原子百分率 以上、30原子百分率以下，Te之含有量應爲〇原子百分 率以上、30原子百分率以下。然而，相變化型記錄層之 主要成份爲Sb時，因Sb之含有量爲50原子百分率以 上，在相變化型記錄層同時含有Sb、以及Ge及Te時， Ge及Te之合計量應少於50原子百分率。又，Te和Ge 相比，以含有Ge較佳。 相變化型記錄層中之Ge或Te的各自含有量，以3原 子百分率以上爲佳，最好爲5原子百分率以上。因爲此範 圍時，可充份獲得使非晶標示安定化之效果。另一方面， 相變化型記錄層中之Ge或Te之各自含有量，以25原子 百分率以下爲佳，最好爲20原子百分率以下。因爲此範 圍時，可有效抑制非晶過於安定反而減慢晶化速度之傾 向，而可有效抑制晶粒界之光散射所造成之干擾。又，Ge 及Te之合計含有量應爲30原子百分率以下，25原子百 分率以下更佳。此範圍時，可有效抑制非晶過於安定反而 減慢晶化速度之傾向，而可有效抑制晶粒界之光散射所造 成之干擾。 -89- 1245285 (84) 適合本發明光記錄媒體之相變化型記錄層的記錄層材 料組成，可依相變化型記錄層中含有之Te量分成2種 類。其中一種係含有1〇原子百分率以上之Te的組成，另 一種則是含有1 〇原子百分率以下之Te的組成（含未含Te 時）。 其中一種之記錄層材料的組成，係大約1 〇原子百分 率以上之Te，且以含有比Sb7GTe3()之共晶組成之Sb的合 金爲主要成份組。具體而言，Sb/Te爲4.5以上，5.5以上 爲佳，另一方面，應爲7.3以下。 上述記錄材料之組成的具體實例方面，如在Sb及Te 以外更含有Ge之組成。亦即，如以Sb7〇Te3〇共晶點組成 爲基本，而以含有大幅過剩之Sb之Sb7GTe3()合金爲母 體，且更含有 Ge 之 Ge^SbxTe^x) ,.y(但，O.Ol^yS 0.06、0.82 S xS 0.9)組成爲主要成份之合，係上述記錄層 材料之良好組成。又，本發明中之組成係以原子數比來表 示。因此，例如y = 〇. 06係代表6原子百分率。 若將含有比Sb7GTe3()更多之Sb的2元合金爲基礎且 含有Ge之GeSbTe組成的合金（以下稱爲GeSbTe共晶系） 應用於相變化型記錄層，可以得到可以1 0至1 2倍速執行 重寫之CD-RW(日本特開2001-229537號公報）。此時，當 做母體之SbTe合金的組成SbxTeh限定爲0.7<xS0.8之 範圍內。此材料組成中之Sb/Te比若再提高，則可進一步 加快晶化速度。因此，若Sb/Te = 4.5以上（0.82 S X)，只針 對24倍速之消去率而言的話，此値可高達20dB以上。然 1245285 (85) 而，依據本發明者之檢討可知，只單純提高Sb/Te的話， 光記錄媒體製造後之初始晶體狀態（未記錄狀態）的干擾不 會減少，顫動則會提高，而無法得到滿足1倍速再生時標 示之間隔顫動爲35msec以下之CD-RW信號品質要件的光 記錄媒體。 亦即，含有10原子百分率以上之Te，Sb/Te比爲較 高之4.5以上的組成時，Ge含有量若超過6原子百分 率，晶粒間界之光散射所造成之干擾會極高。Ge含有量 若超過6原子百分率，應會產生GeTe相且容易形成晶粒 間界明顯失配之多晶構造，故上述光散射所造成之干擾會 極高。亦即，含1〇原子百分率以上之Te且Sb/Te比爲較 高之4.5以上的組成，Ge含有量若超過6原子百分率， 則在未記錄之晶體狀態已經有較高之干擾，故顫動會較 高，而不易獲得CD-RW應有之良好記錄特性。又，Ge及 Te之原子比接近時，應會呈現因GeTe相之析出而導致干 擾上昇之傾向，故Ge及Te之原子比應爲1 : 3以上，1 : 4以上爲佳。另一方面，相對於Ge若含有過多Te時，則 非晶標示之時效安定性會呈現降低傾向，故Ge及Te之原 子比應爲1 : 2 0以下，最好爲1 : 1 5以下。 又，單純提高Sb/Te比之組成時，晶化速度會過快， 而使非晶標示在室溫附近亦會呈現短時間即再晶化之傾 向，可知無法獲得信頼性高、且具有良好重寫記錄特性之 CD-RW 〇 而依據本發明者進一步進行檢討之結果，若提高 -91 - 1245285 (86)
Sb/Te比同時使Ge含有量爲6原子百分率以下，則可進 一步控制光記錄媒體製造後之初始晶體狀態，而可得到在 維持高品質之記錄信號品質的情形下可實施24倍速之重 寫的覆寫型光記錄媒體。 上述GeSbTe共晶系組成之媒體製造後的初始晶體狀 態控制上，極爲重要之記錄層成膜後的初始化條件，在後 面會有詳細說明，此處，先針對GeSbTe共晶系組成進行 說明。
GeSbTe共晶系組成之良好組成上，應以在含有比 SbTe共晶點組成更多之Sb的2元合金添加以改善非晶標 示之時效安定性及顫動爲目的之Ge添加的3元合金爲基 本。此時，利用G e之添加，應可在無損GeSbTe共晶系 組成之過剩Sb所導致之高速晶化機能的情形下，提高非 晶標示之時效安定性。Ge之非晶標示安定性的改善效 果，和同屬之Si、Sn、Pb相比顯然不同。又，在提高晶 化溫度、及提高晶化之活化能量上，Ge應爲最有效之元 素。
Ge之量方面，Gey(SbxTei-x) 之y値應爲〇.〇1以 上，最好爲0.02以上。此種Sb含有量較多之SbTe共晶 組成中，Ge量若過多，不但會析出GeTe及GeSbTe系之 金屬間化合物，亦會析出SbGe合金，故相變化型記錄層 中應會混有光學常數不同之晶粒。此晶粒之混合存在’可 能導致記錄層之干擾上昇、顫動增加。又，若添加過多 Ge，則非晶標示之時效安定性的效果會達到飽和，故一般 •92- 1245285 (87) 上式（Ge^SbxTeu) 丨-y)之Ge量的y値應爲〇·〇6以下， 〇·〇5以下爲佳，最好爲0.04以下。 另一方面，過剩之S b若太少時，則再晶化速度會過 低而可能無法以20倍速以上之高線速執行良好重寫，尤 其是可以24倍速重寫之媒體的Sb/Te應爲5.5以上 (Ge^SbxTe^x) 之 X 値爲 0 · 8 5 S χ)、6 · 5 以下 (Gey(SbxTebX) by 之 X 値爲 χ^ο.87)。 採用 GeSbTe共晶系之組成時，更好爲上述GeSbTe 共晶系之組成中更含有In、Ga。亦即，採用以 MzGey(SbxTei.x)j.y.z(〇#〇l^ z ^ 0.1 ' 0.01^ 0.06 x 0.82 S 〇·9 ’ Μ爲由Ga及In所構成之群組中選取之至少一 種的元素。）表示之組成爲主要成份之前述相變化型記錄 層。 添加以上述M = Ga、In表示之群組元素當中至少1種 元素可以進一步改善特性。In、Ga具有降低顫動之效 果。然而，元素Μ之量過多時，因容易發生特定物質之 時效偏析、及重覆重寫所造成之偏析，以 式表示之元素Μ添加量的ζ量應爲 〇·1以下，最好爲0.09以下。另一方面，爲了利用添加 In、Ga來獲得降低顫動之效果，上述之ζ値應爲0.01以 上，0.03以上爲佳，最好爲〇.〇5以上。
GeSbTe共晶系之組成中，In、Ga以外可含有之元素 有氮、氧、及硫黃。這些元素具有可防止重覆重寫之偏 析、以及實施光學特性之微調的效果。相對於Sb、Te、 -93- 1245285 (88) 及Ge之合計量，氮、氧、及硫黃之含有量應爲5原子百 分率以下。
又，GeSbTe共晶系之組成亦可含有311、（：11、21·' Hf、V、Nb、Ta、Cr、Co等元素，添加極微量之上述元 素，不會降低晶體生長速度，但可提高晶化溫度，且具有 改善時效安定性之效果。然而，這些元素之量若過多，則 很容易導致特定物質之時效偏析、及重覆重寫所造成之偏 析，故添加量通常爲1原子百分率以上、5原子百分率以 下，最好爲3原子百分率以下。若發生偏析，記錄層在初 期所擁有之非晶安定性及再晶化速度等會產生變化，並導 致重寫特性惡化。 此處，說明上述之記錄層組成爲何優於其他組成。
日本特開平1-63195號公報、日本特開平1-14083號 公報、日本特開平5-16528號公報、日本特開平9-293269 號公報亦記載著InGeSbTe合金，然而，皆爲較類似 GeTe-Sb2Te3之2元合金的組成。 本發明之前述組成和上述不同，係以SbTe共晶組成 爲主要成份，且爲含有大幅過剩Sb之組成。 本發明之相變化記錄層的晶體狀態，前述記錄層之形 成上應以同一晶相爲主體。結果，可減少干擾，提高保存 安定性，且可獲得容易高速晶化之特性。
Sb2Te3等具有六方晶體構造之晶相、及Sb等立方晶 之晶格常數雖然大不相同之晶相、以及Sb7Te、Sb2Te3等 屬於其他空間群之晶相同時存在時’會形成晶格失配較大 -94- 1245285 (90) 晶部。因此，和非晶標示內部之晶核產生的關係較小，而 和在稍低於融點之高溫下進行之周圍晶體部之晶體生長的 關係較大。 此種以周圍晶體部之晶體生長爲主體之光記錄媒體的 刪除’當然和非晶標示之尺寸有很大的關係（例如，G. F. Zhou et. al·，P r o c · S P IE、Vo 1 · 4 0 9 0 (2 0 0 0)、參照 108
頁）。尤其是如CD及DVD之標示長度調變記錄時，因會 沿著記錄再生用集中光束之行進方向形成細長標示，相對 於行進方向之橫切方向的標示寬度對上述刪除會產生很大 影響。亦即，標示寬度較大則需要較多的時間實施刪除。 因此，相對於最近剛開始開發之波長λ =400nm程 度、集中光束之集光用物鏡爲ΝΑ = 0.85程度之光學系（以 下稱爲藍色記錄系）的高密度標示長調變記錄，記錄密度 較低之 CD-RW、RW-DVD因非晶標示之大小較大，而有 不易實現高速刪除而無法實現高速重寫記錄之問題。
由本發明者之檢討可知，尤其是Sb/Te比相同之記錄 層組成時，大致以λ /NA決定之集中光束的直徑平方根， 會和可執行重寫之線速度的上限成反比。例如，上述藍色 記錄系時，使用添加了 Ge之SbTe共晶系記錄層已經可 以實現以20m/s程度執行重寫之記錄層，本發明者已在 (HoRle et· al·，Proc. SPIE、V01.4342(200 1 )、76 頁）中提 出報告。藍色記錄系時，即使大致Sb/Te比爲4程度，亦 可實現 20m/s之重寫。然而，RW-DVD系（λ =660nm、 NA = 0.65)只能實現至大約14m/s程度爲止之重寫。又， -96- 1245285 (91)
CD-RW系（又=780nm、NA = 0.5)則只能實現llm/s程度之 重寫。亦即，即使只是單純在藍色記錄系採用可實現以 20m/s程度之高線速執行重寫之記錄層，在CD-RW之18 〜20倍速、或RW-DVD之5倍速程度下實現良好之重 寫。又，藍色記錄系亦可採用可減少晶粒造成之干擾影響 的Sb/Te比較高、晶粒間界干擾較大之記錄層，然而，應 用於CD-RW及RW-DVD時，卻無法忽視Sb/Te比較高所 造成之晶粒間界干擾的影響。
因此，若想將 SbTe共晶系材料應用於RW-DVD、 CD-RW上，則必須進一步提高Sb/Te高，且至少應爲4.5 以上。然而，並非單純提高Sb/Te比即可，而是對前面所 述之組成範圍及後述之初始化方法進行檢討，採取可進一 步降低晶粒間界所造成之干擾的對策。而且，亦應特別注 意室溫附近之非晶標示的安定性。當然，本發明使用之光 記錄媒體中，其他構成要素之保護層等的膜厚等相關方 面，亦必須在考慮調變度Rt〇P之前提下重新實施大幅度檢 討。 可以依據相變化型記錄層中含有之Te量來進行分 類，而爲本發明之光記錄媒體可使用另一良好記錄層材料 組成如下所示。亦即，相變化型記錄層之組成仍以Sb爲 主要成份，含有之Te爲10原子百分率以下，且以Ge爲 必要成份。採用此種組成’可實現CD-RW之32倍速慝 寫。 上述相變化型記錄層之組成的具體實例，如以接近 -97- 1245285 (95) 擾昇局’故7通常會小於〇·1，0.09以下較佳，0.08以下 更佳’ 0.07以下最好。 又’上述TeMIGeSb系之組成中，若含有Te及元素 Μ1 ’則可有效控制其合計含有量。因此，代表Te及元素 Ml之含有量的万+^ ，通常會大於〇，然而，以〇.〇ι以 上爲佳’ 0.05以上最好。在r爲上述範圍內含有Te及 元素Ml時，可發揮良好效果。另一方面，爲了充份發揮 以GeSb系共晶合金爲主要成份之效果，石+ r通常爲〇.4 以下，0 · 3 5以下較佳，〇. 3以下更佳。另一方面，代表元 素Ml及Te之原子數比的0/^應爲2以上。因含有Te會 呈現光學對比降低的傾向，若含有Te時，元素Μ1之含 有量應稍爲多一點（/3應稍爲大一點）。 可添加於上述TeMl GeSb系組成之元素有Au、Ag、
Pd、Pt、Si、Pb、Bi、Ta、Nb、V、Mo、驗土 元素、N、 〇等，使用於光學特性及晶化速度之微調等，此添加量最 大爲10原子百分率程度。 以上組成中，最佳組成之一就是以InpSnqTerGesSbt(0 $ρ^〇·3、0SqS0.3、0<p + qS0.3、0Sr<0.1、0<sg0.2、 0.5$t$0.9、p + q + r + s + t=l)之合金系爲主要成份之組成。
Te及In及/或Sn倂用時·（p + q)/rg 2爲佳。 使用上述組成，可利用使GeSb共晶系含有In、Sn來 擴大調變度，並降低顫動。其次，含有Te亦可改善刪除 能力之時效安定性。且上述組成亦具有可抑制任何一種添 加元素導致之晶相的出現，而有安定形成實質上以Sb之 -101 - (96) 1245285 六方晶體爲基本之單一相多晶的優點。 將上述GeSbTe共晶系組成及GeSb系共晶組成之其 中任何一種使用於記錄層時，形成上，記錄層之晶相亦應 以同一晶相爲主體&此種晶相之形態，對記錄層之初始化 方法有很大之依存性。亦即，爲了形成本發明中之良好上 述晶相，應設法採用下面所述之記錄層初始化方法。 記錄層通常會以噴濺法等之真空中的物理蒸鍍法來形 成，然而，因爲成膜後之as-deposited狀態通常爲非晶， 故通常會使其晶化並當做未記錄/抹除狀態。此操作即稱 爲初始化（本說明書中，初始化有時亦稱爲「初始晶化操 作」或「初始晶化」。）。初始化操作有如晶化溫度（通常 150〜3 0 0 °C )以上、融點以下之固層的烘箱退火、雷射光 及閃光燈光等之光能量照射的退火、及熔融初始化等方 法，爲了得到上述良好晶體狀態之記錄層，應採用熔融初 始化。固層之退火時，因爲以達到熱平衡爲目的之時間較 爲充足，故容易形成其他晶相，然而，使用熔融初始化 時，比固層更易形成晶核，且達成熱平衡之時間亦較短， 而具有容易形成單一晶相之優點。 熔融初始化時，可以爲使記錄層熔融而在再凝固時直 接再晶化，又，亦可爲再凝固時先形成非晶狀態後，再在 融點附近實施固層再晶化。此時，晶化之速度太慢，以達 成熱平衡爲目的之時間較爲充足而可能形成其他晶相，故 冷卻速度應加快若干。 熔融初始化時，維持融點以上之時間通常爲2 s以 -102- 1245285 (97) 下，1 // s以下爲佳。熔融初始化上，應使用雷射光，尤 其是，最好使用具有大致和掃描方向平行之短軸的橢圓型 雷射光來實施初始化（以下亦將此初始化方法稱爲「大量 抹除」）。此時，長軸之長度通常爲1〇〜1000//m，短軸 之長度通常爲〇·1〜10//Π1。又，此處之光束長軸及短軸 的長度，係以光束內之光能量強度分布檢測時之半帶寬來 定義。使用高於相變化媒體可執行重寫記錄之最高使用線 速度的速度實施掃描時，有時在初始化操作時熔融之區域 會變成非晶化。因此，應以可執行重寫記錄之最高使用線 速度以下的線速度來執行操作。又，最高使用記錄線速度 之上限，應爲以該線速度執行重寫並檢測消去率時而消去 率爲20dB以上者。雷射光源可使用半導體雷射、氣體雷 射等各種雷射。雷射光之功率通常爲100mW至 5W程 度。 針對GeSbTe共晶系組成使用之記錄層的良好掃描速 度進行説明。 以曰本特開200 1 -2295 3 7號公報所示之10至12倍速 做爲可重寫最高使用線速之上限時之Sb/Te比爲4以下之 GeSbTe共晶系組成時，掃描速度應爲3〜10m/s程度。 又，如日本特開200 1 -3 3 1 93 6號公報所示之16倍速程度 重寫的GeSbTe共晶系組成時，掃描速度應爲3〜l〇m/s程 度。如此，初始化時之掃描速度會隨著使用之重寫線速度 愈高而呈現愈快之傾向。 相對於此，如本發明之Sb/Te比爲極高之4.5以上的 -103- 1245285 (100) 上，極爲重要。 本發明之媒體基板可使用聚碳酸酯、丙烯酸、聚烯烴 等之樹脂、或玻璃。其中，以聚碳酸酯樹脂最好。因爲聚 碳酸酯具有被廣泛應用於CD或DVD之實績且價格便 宜。又，從基板側射入收斂光束時，基板應爲透明。基板 之厚度通常爲0.1mm以上’取好爲〇.3mm以上’另一方 面，通常應爲20 mm以下，最好爲15mm以下。一般而 言，CD時爲1.2mm程度，而DVD時爲0.6mm程度。 DVD時，會在此種基板上隔著反射層或保護層等特 定層來設置相變化型記錄層，然後，在此相變化型記層上 隔著保護層等特定層再度設置基板。亦即，DVD之構造 上，相變化型記錄層之上下會被2片基板來住。 爲了防止記錄時之高溫造成變形，記錄層之上下應覆 蓋保護層（爲了方便説明，相對於記錄層，將光射入側之 保護層稱爲下部保護層，而相反側之保護層則稱爲上部保
爲了維持和現行之CD或DVD系統的互換性，媒體 之層構成上，應爲在基板上設有下部保護層、記錄層、上 部保護層、及反射層。此時，可在基板及相反側之表面覆 蓋針對紫外線或熱之硬化性樹脂（保護覆膜）。 記錄層、保護層、及反射層可以噴濺法來形成。此 時，從防止記錄層、保護層、及反射層之各層間的氧化及 汚染之觀點，應以將記錄膜用目標物、保護膜用目標物、 以及必要時之反射層材料用目標物置入同一真空腔室內之 -106- (101) 1245285 直插裝置利用噴濺實施膜形成。 使用於保護層之材料，應在考慮折射率、熱傳 化學安定性、機械強度、及密著性等之情形下決定 而言’可使用高透明性且高融點之金屬、半導體 物、硫化物、氮化物、碳化物、或c a、M g、L i等 物。這些氧化物、硫化物、氮化物、氟化物無需正 學計量組成，只要可控制折射率等之組成即可，亦 使用。 若考慮重覆記錄特性，則應爲介電質之混合物 而言，如ZnS、ZnO、鹼土硫化物、氧化物、氮化 化物等耐熱化合物之混合物。以機械強度之觀點而 些保護層之膜密度的整體狀態應爲8 0%以上。 本發明中，保護層一尤其是上部保護層之熱傳 儘可能較小。具體而言，應使用熱傳導率爲lJ/(m 以下者。此種材料如ZnS、或含有50mol%以上之 混合物。 下部保護層之膜厚通常爲30nm以上，50nm 佳’ 6 0 n m以上更佳，8 0 n m以上最好。爲了抑制重 時之熱破壞所造成之基板變形，應具有一定程度之 下部保護層之膜厚若太薄，則重覆重寫耐久性會呈 惡化之傾向。尤其是，會在重覆次數未達數百次以 期即呈現顫動急速增加之傾向。CD-RW時，下部 之膜厚更應爲80nm以上。 重覆初期之顫動惡化，明顯和下部保護層膜厚 導率、 0 —般 之氧化 之氟化 規之化 可混合 。具體 物、碳 言，這 導率應 • k · s) ZnS的 以上爲 覆重寫 膜厚， 現急速 前之初 保護層 相關。 .107- 1245285 (102) 本發明者等利用原子力顯微鏡（AFΜ)進行觀察，發現此初 期劣化係源自基板表面出現2〜3 nm程度之凹陷變形。爲 了抑制基板變形，需要具有以防止記錄層之發熱傳送至基 板爲目的之熱絕緣效果且爲可抑制機械變形之保護層膜 厚，因此，應爲上述之膜厚。 又，利用控制下部保護層之膜厚，可使反射率Rt()p位 於特定範圍內。 亦即，使用波長爲7 8 0nm附近之雷射的CD-RW，若 爲由通常使用之折射率爲2.0〜2.3程度之介電質所構成 之保護層，通常，下部保護層之膜厚爲60〜80 nm時，反 射率Rt〇P爲最小，而下部保護層之膜厚爲〇及150nm程 度時，反射率Rt()p爲最大。反射率會隨著該下部保護層膜 厚之變化而呈現從最大至最小之週期性變化。因此，若厚 度太大，則不具光學之意義，且會發生材料成本增加、及 厚膜成膜導致形成於基板上之溝被塡埋的現象（溝覆蓋現 象）等。因此，爲了使Rt〇P成爲15〜25%，通常，下部保 護層應爲120nm以下，l〇〇nm以下更佳’ 9〇nm以下最 好。 另一方面，使用波長 660nm附近之雷射的 RW-DVD，若爲由通常使用之折射率爲2.0〜2.3程度之介電質 所構成之保護層，通常，下部保護層之膜厚爲50〜70nm 時，反射率Rt()p爲最小’而下部保護層之膜層爲〇及 130nm程度時，反射率Rt〇P爲最大。因此，在和cd-RW 相同之考量下’下部保護層通常爲1 00nm以下，最好爲 -108- 1245285 (103) 9 0 nm以下。 另一方面，上部保護層之膜厚通常爲10nm以上。 CD-RW時，上部保護層之膜厚應爲20nm以上’最好爲 25nm以上。RW-DVD時，上部保護層之膜厚應爲1511111以 上，最好爲18nm以上。 上部保護層主要係在防止記錄層及反射層之互相擴 散。上部保護層太薄時，記錄層熔融時之變形等很容易即 導致上部保護層遭到破壞，此外，記錄層之散熱會過大’ 而呈現記錄上需要之功率過大（記錄感度降低）的傾向。尤 其是如本發明以高倍速執行記錄時，記錄感度之降低應避 免。 另一方面，上部保護層太厚時，保護層內部之溫度分 布會較陡峻，保護層本身之變形會較大，此變形會因重寫 而累積，進而招致媒體變形。由此種而言，CD-RW時之 上部保護層膜厚通常爲 60nm以下，55nm以下較佳， 3 5nm以下最好。另一方面，RW-DVD時之上部保護層膜 厚’通常爲35nm以下，30nm以下爲佳。 #次，針對記錄層進行説明。 CD-RW時之記錄層膜厚通常爲lOnm以上，15nm以 上爲佳。另一方面’ rW-DVD時，記錄層膜厚通常爲8nm 以上’ l5nm以上爲佳。記錄層之厚度太薄時，不易獲得 充份之光學對比’又，亦會呈現晶化速度變慢之傾向。 又’亦容易出現無法以短時間實現記錄刪除之問題。
另〜方面，記錄層之膜厚通常爲40nm以下。cd-RW -109- 1245285 (104) 時，記錄層膜厚應爲3 0 nm以下，25nm以下爲佳。另一 方面，RW-DVD時，記錄層膜厚應爲25nm以下，20nm以 下爲佳。記錄層膜厚太厚時，會和膜厚太薄時相同，不易 獲得光學對比，又，亦會因記錄層之熱容量變大而使記錄 感度變差。又，隨著相變化而產生之記錄層的體積變化， 因會隨著記錄層愈厚而愈大，記錄層太厚時，重覆重寫 時，保護層及基板表面等之微變形會累積，亦會提高干 擾。 記錄層及保護層之厚度，除了機械強度及信頼性方面 (尤其是重覆重寫耐久性）之限制以外，在選擇上，除了應 考慮多層構成所造成之干渉效果以外，亦應考慮良好之雷 射光吸收效率、及較大之記錄信號振幅一亦即，記錄狀態 及未記錄狀態之對比。 以整體十分均衡之層構成而言，首先，上下保護層之 折射率應爲2.0〜2.3。其次，下部保護層膜厚爲ck、記錄 層膜厚爲dR、上部保護層膜厚爲du時，CD-RW應爲15 ^ dR ^ 25nm > 10SduS60nm。又，以相對於再生時之晶 體狀態的反射光Rtop之dL依存性而言，1爲60〜120nm 之範圍內、Rt〇P之極小値至厚膜方向之次極小値爲止之 間，ck之値應控制於3Rt〇P/3dL2 0。 另一方面，RW-DVD時，若下部保護層膜厚爲dL、 記錄層膜厚爲dR、上部保護層膜厚爲du，則應爲l〇S dR g 2 0nm、15 S duS 3 0nm。又，以相對於再生時之晶體狀 態的反射光Rt〇p之1依存性而言，<1l爲50〜100nm之範 •110- (105) 1245285 圍內、Rt〇P之極小値至厚膜方向之次極小値爲止之間 之値應控制於3RtC)p/3di^ 〇。 本發明之光記錄媒體，和傳統之最高使用線速爲 速或1〇倍速CD-RW媒體、或至2.4倍速程度爲止之 DVD媒體相比，進一步提高反射層之散熱效果很重 調整反射層之特性，並和前述記錄層進行組合，更容 現高線速及低線速之雙方的記錄。又，若同時採用低 導率之材料來形成上述保護層，則可獲得更大之效果 利用第4圖說明非晶之形成及再晶化過程、以及 層之散熱效果及記錄時線速度之關係。 第4圖中，橫軸係記錄線速度，左縱軸係熔融並 固記錄層時之冷卻速度，此冷卻速度R愈大於由記錄 料決定之臨界冷卻速度R。，則記錄層會成爲非晶而 非晶標示。第4圖之左縱軸上，提高記錄層之晶化速 代表Re變大而朝上方移動。 第4圖係說明倂用前述記錄方式CD卜1、1-2、1 其中之一、以及前述記錄方式CD2-1、2-2、2_3之其 一，並實現對光記錄媒體記錄資訊時之最小線速度及 線速度相差2倍以上之光記錄媒體（例如，最小線速 基準線速度之8倍速、1 0倍速、或1 2倍速且最大線 爲基準線速度之24倍速的光記錄媒體、或是最小線 爲基準線速度之8倍速、1 0倍速、1 2倍速、或1 6倍 最大線速度爲基準線速度之32倍速的光記錄媒體）時 晶形成及記錄線速度的關係。例如，最小線速度爲基 ，dL 4倍 RW- 要。 易實 熱傳 〇 反射 再凝 層材 形成 度係 •3之 中之 最大 度爲 速度 速度 速且 ，非 準線 -111 - 1245285 (106) 速度之8倍速’而最大線速度爲基準線速度之32倍速， ί采本發之光記錄媒體的記錄層組成及層構成、及/或 本發明之記錄方法，如第4圖之曲線d所示，所有線速度 下’可使光記錄媒體之冷卻速度成爲RC以上，即使記錄 線速度之最小線速度及最大線速度相差2倍以上時，亦可 在光記錄媒體上形成良好之非晶記錄標示。 同樣的’以第4圖說明倂用前述記錄方式DVD 1-1、 1- 2、1-3之其中之一、以及前述記錄方式DVD2-1、2-2、 2- 3之其中之一，並實現對光記錄媒體記錄資訊時之最小 線速度及最大線速度相差2倍以上之光記錄媒體（例如， 最小線速度爲基準線速度之2倍速、2.5倍速、或3倍速 且最大線速度爲基準線速度之6倍速的光記錄媒體、或是 最小線速度爲基準線速度之2倍速、2.5倍速、3倍速、 或4倍速且最大線速度爲基準線速度之8倍速的光記錄媒 體）時，非晶形成及記錄線速度之關係。例如，最小線速 度爲基準線速度之2倍速，而最大線速度爲基準線速度之 8倍速，採用本發明之光記錄媒體的記錄層組成及層構 成、及/或本發明之記錄方法，如第4圖之曲線d所示， 所有線速度下，可使光記錄媒體之冷卻速度成爲Rc以 上，即使記錄線速度之最小線速度及最大線速度相差2倍 以上時’亦可在光記錄媒體上形成良好之非晶記錄標示。 第4圖中之曲線a，係在反射層之薄層電阻率大於 0.6Ω/□之傳統構成的碟片上，應用第1圖之固定脈衝策 略時之記錄層冷卻速度的記錄線速度依存性實例。此光記 -112- 1245285 (107) 錄媒體及記錄方法時，因所有線速度下之冷卻速度皆小於 Rc，故無法在記錄層形成非晶之記錄標示。 第4圖中之曲線b，係爲了實現本發明之光記錄媒 體，而在將反射層改變成後述之高散熱效果組成而提高散 熱效果之光記錄媒體上，應用第1圖之固定脈衝策略時之 記錄層冷卻速度的記錄線速度依存性實例。曲線b位於曲 線a之上方，和具有曲線a所示之記錄層冷卻速度的記錄 線速度依存性之光記錄媒體相比，曲線b之光記錄媒體在 所有記錄線速度下都更容易形成非晶標示。 又，第4圖中之曲線c，係在上述傳統層構成之碟片 上應用後述之二倍時間基礎之記錄脈衝策略（記錄脈衝分 割方式（I)〜（ΙΠ))時之記錄層冷卻速度的記錄時線速度依 存性。 又，第4圖中之曲線d，係在採用上述GeSbTe共晶 系合金或GeSb共晶系合金做爲記錄層之碟片上，應用後 述之記錄脈衝分割方式（I)〜（ΙΠ)時之記錄層冷卻速度的記 錄線速度依存性實例。曲線d位於曲線c之上方，具有曲 線d之光記錄媒體在所有記錄線速度下都更容易形成非晶 標示。 高線速度時，因冷卻速度會遠大於記錄層非晶化之臨 界冷卻速度Re，反射層之散熱效果對非晶形成不會產生 顯著影響，然而，低線速度時，因整體記錄層冷卻速度會 降低，導致冷卻速度比Re附近變爲較低，故反射層之散 熱效果對非晶形成會產生顯著影響。 -113- 1245285 (108) 另一方面，這些曲線亦可視爲記錄層因刪除功率P e 之記錄光而使非晶狀態之標示再晶化時，記錄層維持在晶 化溫度以上之時間r的倒數1 / r之線速度依存性（第4圖 中之右側縱軸）。此維持時間若大於由記錄層材料決定之 臨界晶化時間r e，亦即，1 / r < 1 / r e，非晶標示可充份再 晶化而被刪除。本發明中，因爲使用晶化速度較快之前述 記錄層材料，故r e會較小而Re會較大。 又，CD-RW時，若記錄由3T標示及3T間隔所構成 之單一週期信號後，重寫由1 1 T標示及1 1 T間隔所構成之 單一週期信號時之3T標示的消去率爲20 dB以上，通常 1 / r < 1 / 7： e，非晶標示會充份再晶化而實現良好之記錄標 示的刪除。 同樣的，RW_DVD時，若記錄由3T標示及3T間隔所 構成之單一週期信號後·重寫由14T標示及14T間隔所 構成之單一週期信號時之3T標示的消去率爲20dB以上， 通常1 / r < 1 / τ e，非晶標示會充份再晶化而實現良好之記 錄標示的刪除。 具有高晶化速度之前述GeSbTe共晶系合金或或GeSb 共晶系合金之記錄層材料，降低r e可實現高速、短時間 刪除，另一方面，R。會極高，而形成不易形成非晶標示 之狀態。 因此，本發明之光記錄媒體時，具有曲線d之特性極 爲重要，亦即，爲了以實現高線速之重寫實施充份刪除而 滿足l/r<l/re，以及滿足低線速之冷卻速度大於Re之 -114- 1245285 (109) 相反要求。爲了得到此種媒體，應選取各層之組成及厚 度，並使用後述之二倍時間基礎的脈衝策略。 從上述之觀點，反射層之材料應採用以具有高熱傳導 率及良好散熱效果之A1或Ag爲主要成份之合金。反射 層之比熱在以A1或Ag爲主要成份之合金和純A1及純Ag 類似，微量元素添加及薄膜化應不會造成變化。因此，反 射層之熱傳導率及厚度對散熱效果會產生影響。 一般而言，薄膜之熱傳導率和整體狀態之熱傳導率大 不相同，通常會較小，在形成薄膜時之成膜初期的島狀構 造之影響下，熱傳導率甚至可能降低爲10分之1。又， 結晶性及雜質量會因成膜條件而不同，例如，即使具有和 噴濺成膜用目標物相同之組成，薄膜之熱傳導率亦會因成 膜條件而有很大差異。 此時，熱傳導之良否可以利用電阻來預估。因爲如金 屬膜之材料，熱傳導或電傳導係以電子移動爲主，故熱傳 導率及電傳導率具有良好比率關係。薄膜之電阻係以其膜 厚及檢測區域面積所規格化之電阻率値來表示。電阻率中 之體積電阻率及薄層電阻率（比電阻）一般可依JIS K 7194 規定以4探針法實施檢測。使用4探針法檢測體積電阻率 及薄層電阻率，比實測薄膜之熱傳導率本身更爲簡便且有 更佳之再現性，故亦可預估薄膜之熱傳導率。 因反射層之散熱效果可以熱傳導率及膜厚之積來表 示，故散熱效果可利用薄層電阻率來規定。 本發明中，爲了獲得可以8倍速至24倍速程度、或 •115· 1245285 (110) 10倍速至32倍速程度之廣泛線速度執行重寫之CD-RW 媒體、或者爲了獲得可以4倍速至1 〇倍速程度、或4倍 速至12倍速程度之廣泛線速度執行重寫之rW-DVD媒 體，薄層電阻率，通常爲0.55Ω/□以下，0.4Ω/□以下爲 佳’ 〇 . 3 Ω / □以下較佳，0 · 2 Ω / □以下更佳，最好爲〇 . 1 8 Ω/□。另一方面，從反射層之良好散熱觀點而言，薄層 電阻率愈小愈好，然而，薄層電阻率通常爲〇 . 〇 5 Ω / □以 上，最好爲0.1Ω/□以上。 又’反射層之體積電阻率應爲150ηΩ·ιη以下，最好 爲1〇〇ηΩ·ιη以下。另一方面，因實質上不易取得薄膜 狀態之體積電阻率極小的材料，故通常爲2 0 η Ω · m以上。 爲了使上述薄層電阻率位於0.05〜0.2Ω/□之範圍內，故 應將體積電阻率降低至20〜40ηΩ · m。 反射層之厚度通常爲40nm以上，最好爲50nm以 上，另一方面，通常爲3 00nm以下，最好爲200nm以 下。太厚時’雖然可降低薄層電阻率，然而，不但無法獲 得充份之散熱效果，亦容易造成記錄感度之惡化。因爲膜 厚較厚時，單位面積之熱容量會增大反而需要較多散熱時 間’因而導致散熱效果降低。又，此種厚膜之成膜上需要 較多時間’材料費亦會呈現增加傾向。又，膜厚過薄時， 反射率及熱傳導率容易因膜生長初期之島狀構造的影響而 降低。 反射層之材料如A1合金及Ag合金。 適合本發明之反射層材料的具體實例，如A1中含有 -116- (111) 1245285 從 Ta、Ti、Co、Cr、Si、Sc、Hf、Pd、Pt、Mg、Zr 合 久 素 以 百 亦 量 重 Si 傳 .5 蝕 爲 不 整 重 之 成
Mo '及Mn所構成之群組選取之至少1種元素的Ai 金。採用上述合金，因可改善耐凸起性，故可在考量耐 性、體積電阻率、成膜速度等下選取前述合金。上述元 之含有量通常〇·1爲原子百分率以上，0.2原子百分率 上爲佳，另一方面’通常爲2原子百分率以下，1原子 分率以下爲佳。A1合金時，添加雜質量過太少，當然 視成膜條件而定，耐凸起性通常會較差。又，添加雜質 過多則不易獲得低電阻率。 A1合金可使用含有〇〜2重量百分率之Si、0.5〜2 量百分率之Mg、〇〜0.2重量百分率之Ti的A1合金。 雖然具有抑制微細剝離缺陷之效果，含有量過多時，熱 導率會產生時效變化，故通常爲2重量百分率以下，1 重量百分率以下爲佳。又，Mg雖然可提高反射層之耐 性，含有量過多時，熱傳導率會產生時效變化，故通常 2重量百分率以下，1.5重量百分率以下爲佳。
Ti雖然具有防止噴濺率變動之效果，含有量過多 但會導致熱傳導率降低，尙會使微級均一固溶之Ti的 體鑄造變得困難，而增加目標物之成本，故通常爲0.2 量百分率以下。 又，反射層材料之其他良好實例如Ag中含有從Ti V、Ta、Nb、W、Co、Cr、Si、Ge、Sn、Sc、Hf、Pd Rh、Au、Pt、Mg、Zr、Mo、及Mn所構成之群組選取 至少1種元素的A g合金。較重視時效安定性時，添加 -117- 1245285 (112) 份以Ti、Mg、或Pd爲佳。上述元素之含有量通常爲〇·1 原子百分率以上，0.2原子百分率以上爲佳，另一方面， 通常爲2原子百分率以下，1原子百分率以下爲佳。 本發明中，利用此種高熱傳導率之反射層材料’可得 到3 OOnm以下之相對較薄的反射層，且薄層電阻率爲0.2 〜0.55Ω/□之適度小範圍的反射層。又，添加元素應爲2 原子百分率以下，並以下述方式注意成膜速率及真空度， 亦即’使成膜時無法避免混入之氧％雜質原子爲大致1原 子百分率以下，體積電阻率爲 20〜40 ηΩ.ιη，膜厚爲 1 0 0 n m以上，1 5 0 η Ω · m以上爲佳，利用此方式，可得到 0.05〜0.2Ω/□之低薄層電阻率。 利用對A1及Ag添加其他元素，通常，體積電阻率 會相對於此添加濃度而成比率增加。上述其他元素之添 加，一般會採用較小晶體粒徑，以增加晶粒間界之電子散 射來降低熱傳導率。因此，調節上述添加元素之含有量可 以採用較大晶體粒徑，而得到材料原有之高熱傳導率。 又’反射層通常以噴濺法或真空蒸鑛法形成，然而， 包括目標物或蒸鍍材料之雜質量、及成膜時混入之水份或 氧量在內，全部雜質量應爲2原子百分率以下。因此，利 用噴濺形成反射層時，處理腔室之到達真空度應爲IX l〇-3Pa 以下。 又，若爲比l〇'4Pa更差之到達真空度進行成膜，成 膜速率應爲1 n m /秒以上，1 〇 n m /秒以上爲佳，防止雜質之 混入。或者，若想要使添加元素多於1原子百分率時，則 -118- 1245285 (113) 應使成膜速率爲10nm /秒以上，可儘量避免附加之雜質的 混入。 又’爲了獲得更高之熱傳導及信頼性，反射層之多層 化亦爲有效的方法。此時，應至少有〗層爲具有全部反射 層膜厚之5 0%以上之膜厚、且爲上述低體積電阻率之材 料。此層負責實質上之散熱效果，其他層則用以改善耐蝕 性 '保護層之密著性、及耐凸起性。尤其是，將以Ag爲 主要成份之第1層的反射層，以和含硫黃之ZnS等保護層 相接之方式設置時，爲了防止Ag和硫黃反應所造成之腐 食’應設置不含硫黃之第2層的反射層（本說明書中，亦 將其稱爲界面層。）。界面層用材料如介電質材料或金屬 材料。具體材料例如 Si02、GeCrN、Ta、Nb、A1等。界 面層當然也可採用具有反射層機能之金屬。界面層之膜厚 通常爲 lnm以上，2nm以上爲佳，另一方面，通常爲 10nm以下，7nm以下爲佳。使用金屬材料時，界面層之 膜厚以2nm以上、7nm以下爲最佳。 本發明中，爲了確保CD或DVD之再生互換性，亦 必須考慮設於基板上之溝的構成。 3-1、CD-RW 時 溝之軌距通常爲1 .6 // mi: 0 · 1 // m程度。又，溝之深 度通常爲30〜45nm，但以30〜40nm程度爲佳。 溝之深度過大，則記錄後之推拉値會呈現較大之傾 向。又，記錄後之徑向對比値會大於記錄前之値，可能造 -119· 1245285 (114) 成伺服之安定性問題。 另一方面，溝之深度過小，則徑向對比値及推拉値會 低於橘皮書•第3部之CD-RW規格的下限値。又’溝壁 之封閉記錄層的效果亦較低’而呈現促進重覆重寫所造成 之劣化的傾向。又，溝之深度太淺時’母模版製造及基板 之成型會更爲困難。 利用使其位於上述範圍內，可獲得夠大之溝內反射 率，容易滿足CD-RW規格之下限値的15% ’又’只會擴 大記錄後之推拉的振幅PPa，即使爲既存之凹凸坑再生電 路，推拉檢測電路之增益亦甚少出現飽和。 構之寬度通常爲〇.5//m以上，最好爲0.55//m以 上，又，通常爲〇·7#ηι以下，最好爲0.65/im以下。溝 之寬度太小，記錄後之徑向對比的絶對値不易滿足0·6以 下之規格値。又，溝之寬度太大’顫動之存在所造成之重 寫耐久性的劣化會呈現更明顯之傾向。溝之寬度方面’應 比傳統之10倍速程度之重寫CD-RW更寬。 又，顫動之存在所促成之耐久性劣化的機構尙不明 確，然而，可能是因爲記錄用光束之一部份容易照射到溝 之側壁。亦即，因追蹤伺服所承受到之集束光束不會追隨 顫動之蛇行而直接朝向溝中心部進行掃描，若有溝壁2 ^ 行，則可能有極少部份之光束會照射到溝壁。薄膜之密著1 性較差的溝壁部及溝角部，會因爲容易出現應力集中等胃 由，而容易發生重覆重寫時之熱破壞所造成的劣化’ & 時，即使只是一部份光束之照射，亦可能促進劣化。一般 -120· 1245285 (115) 而言，相變化媒體之溝內記錄時，溝之深度較深且 度較小時會呈現具良好耐久性之傾向，然而，有顫 時，溝之寬度太小則反而會導致上述溝壁部劣化現 明顯。 又，溝之寬度及溝之深度可以如利用波長爲 之He-Ne雷射光等之U溝近似的光學繞射法來 又，亦可以掃描型電子顯微鏡及掃描型探針顯微鏡 形狀。此時之溝之寬度通常應採用溝之深度之一半 値。 本發明之光記錄媒體，可以利用後述之C A V 執行記錄。亦即，本發明之媒體和記錄資料之半徑 關，而會以一定旋轉速度來執行。此時，再生時亦 定之旋轉速度來執行，然而，記錄及再生最好以相 速度來執行。 3-2、RW-DVD 時 溝之軌距通常爲〇.74"m±0.01//m程度。又 深度通常爲20〜40nm，然而，以25〜35nm程度爲 溝之深度過大時，記錄信號之顫動會變高。 另一方面，溝之深度過小，則徑向對比値及推 低於RW-DVD規格之下限値。又，溝壁之封閉記 效果亦較低’而呈現促進重覆重寫所造成之劣化的 又’溝之深度太淺時，母模版製造及基板之成型會 難。 溝之寬 動存在 象更爲 6 3 3 nm 求取。 實測溝 位置的 方式來 位置無 可以一 同旋轉 ，溝之 佳。 拉値會 錄層的 傾向。 更爲困 -121 · 1245285 (116) 利用使其位於上述範圍內，可獲得夠大之 率，容易滿足RW_DVD規格之下限値的18%’ 保安定伺服之充份推拉信號。 溝之寬度通常爲〇.25//m以上’ 0.28//m以 又，通常爲〇.36//m以下，0.34/zm以下爲佳。 太小，記錄信號之顫動會惡化而反射率不易達 上。又，溝之寬度太大，記錄後之磁軌交叉信號 相變化型可重寫DVD規格之下限’或鄰接磁軌 干渉變大而使記錄信號之顫動惡化。 又，顫動之存在所促成之耐久性劣化的機 確，然而’可能是因爲記錄用光束之一部份容易 之側壁。亦即，因追蹤伺服所承受到之集束光束 顫動之蛇行而直接朝向溝中心部進行掃描，若有 行，則可能有極少部份之光束會照射到溝壁。薄 性較差的溝壁部及溝角部，會因爲容易出現應力 由，而容易發生重覆重寫時之熱破壞所造成的 時，即使只是一部份光束之照射，亦可能促進劣 而言，相變化媒體之溝內記錄時，溝之深度較深 度較小時會呈現具良好耐久性之傾向，然而，有 時，溝之寬度太小則反而會導致上述溝壁部劣化 明顯。 又，溝之寬度及溝之深度可以如利用波長爲 之He-Cd雷射光等之U溝近似的光學繞射法 又，亦可以掃描型電子顯微鏡及掃描型探針顯微 構內反射 又，可確 ，上爲佳， 溝之寬度 到 1 8 %以 値會低於 間之顫動 構並不明 照射到溝 不會追隨 溝壁之蛇 膜之密著 集中等理 劣化，此 化。一般 且溝之寬 顫動存在 現象更爲 44 1.6nm 來求取。 鏡實測溝 -122- 1245285 (117) 形狀。此時之溝之寬度通常應採用溝之深度之一半位置的 値。 本發明之光記錄媒體，可以利用後述之c A V方式來 執行記錄。亦即’本發明之媒體和記錄資料之半徑位置無 關’而會以一定旋轉速度來執行。此時，再生時亦可以一 定之旋轉速度來執行’然而，記錄及再生最好以相同旋轉 速度來執行。 4、記錄方法 本發明中，因係以如下所示之本發明第3要旨的記錄 方法（記錄脈衝分割方法（I))來執行重寫，在CD-RW之1 0 〜32倍速及RW-DVD之6〜12倍速程度的記錄線速度 下’可執行良好之資訊覆寫。其結果，可實施和既存之 CD再生系統具有互換性之良好的信號記錄。 記錄脈衝分割方法（I)係可變參數及範圍大於以第3 圖及第16圖説明之記錄方式CD1-i、丨-2、ι_3、2_丨、2_ 2、及記錄方式DVD 1 - 1且可得到良好記錄信號者。 亦即， 記錄脈衝分割方法（I); 係使用於覆寫型光記錄媒體之記錄方法， 以複數記錄標不長度及記錄標示間隔長度記錄資訊 時， 對記錄標示間隔’照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 pe之光，形成記錄標示間隔形成，同時， -123- 1245285 (118) 若1個記錄標示之時間長度爲nT(T基準時鐘週期） 時， 針對n = 2m(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α 1T、冷 1 T、 α 2 T、 /5 2 T、…、a m T、 yS m T 而由m個a iT、/3 iT所構成之區間（Σΐ(α i) = n- j)， 針對n = 2m+l(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲_2.0〜2.0之實數）分割成爲
α!’Τ、 ^ΓΤ、 α2，Τ、冷 2’T、…、冷 m’T 而由m個a i’T、/3 i’T所構成之區間（但，Σί( a i’ + /3 i’）= n-k)， 在aiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光， 在/3,丁及^’丁之時間（i爲1〜m之整數）內，照射偏 功率Pb之光，對形成時間長度、nT之記錄標示的覆寫型 光記錄媒體執行記錄之方法，其特徵爲： m g 3 時， n = 2m之記錄標示時，若nT標示之開始時間爲T〇， (i) 在從TG之延遲時間TdlT後並產生a J後， (ii) i = 2〜m時，保持ySi^+ai之大致週期爲2(但， -124- 1245285 (119) i = 2及/或i = m之/3卜1+^1在±〇.5之範圍內偏離大致週期 2亦可。又，m24時’若i = 3〜m-1，則冷…及^分別爲 定値/5 c及a c。），依此順序交互產生/9 i ·! T及α i τ後， (山）會產生/3〇1丁， n = 2m+l之記錄標示時，若 nT標示之開始時間爲 Τ〇， (i) 在從To之延遲時間Tdl’T後並產生以！’丁後，
(ii) i = 2〜m時，保持y3i·丨’+α,·’之大致週期爲2(但， i = 2及/或i = ni之石i-i’+ai’，在±2之範圍內偏離大致週 期2亦可。又，m$4時，若i = 3〜m-1，則/3卜】’及ai’分 別爲定値ySc及ac。），依此順序交互產生石i-ΓΤ及ai’T 後， (iii) 會產生石m’T， 同一 m之 n = 2m的記錄標示及 n = 2m+l的記錄標示 時，am 彳 am，，且（Tdl、 Tdl，）、（a!、a】’）、（/Si、
/3〆）、（/3 m·!及/3 m_r)及（々m及/3 m’）之1組以上會採取 不同値。 以上，m = 3 以上時，Tdl、a !、/3 !、a c、yS c、 ySm-!、am、/3m應不受m之影響而爲一定。 同樣的，m = 3以上時，Tdl，、a!，、/3〆、石m·〆、 am’、3，亦應不受m之影響而爲一定。 又，CD-RW使用之EFM調變方式時’ m爲3以上時 之η可以（6,7)、（8,9)、（10,11)爲一組而採用本記錄方 式。另一方面，RW-DVD使用之EFM +調變時，除了上述 -125- 1245285 (120) 之η之組合以外，尙需考慮n=14時，然而，n=l〇之記 脈衝分割方法時，亦可在α ! T及a mT之間追加二對之 a CT及石CT。 此時，n = 2時在延遲時間TdlT後，會對區間a J 射記錄功率P w，接著，對區間/3 ! T照射偏功率Pb，形 非晶標不。 又，n = 3時在延遲時間Tdl’T後，會對區間α厂丁照 記錄功率P w，接著，對區間石i ’ T照射偏功率Pb，形 非晶標示。 又，若將上述記錄方法應用於CD-RW之至32倍速 止之記錄方法時，應爲以下之記錄條件。亦即，記錄線 度爲基準線速度ν1 = 1·2〜1.4m/s之32倍速以下的其中 一之線速度，以複數記錄標示長度及記錄標示間隔長度 錄經過EFM調變之資訊時，若1個記錄標示之時間長 爲ηΤ(η爲3〜1 1之整數），刪除功率Pe及記錄功率Pw 比 Pe/Pw = 0.2 〜0.6，而偏功率 Pb 貝 ij 爲 Pb$0.2Pe。 又，若將上述記錄方法應用於RW-DVD之至12倍 爲止之記錄方法時，應爲以下之記錄條件。亦即’記錄 速度爲基準線速度之12倍速以下的其中之 之線速度，以複數記錄標示長度及記錄標示間隔長度記 經過EFM +調變之資訊時，若1個記錄標示之時間長度 nT(n爲3〜11之整數及14)，刪除功率Pe及記錄功率 之比Pe/Pw = 0.2〜0.6，而偏功率Pb則爲Pb€0.2Pe。 本發明中，將記錄用光能量束之能量控制方法總稱 錄 昭 ^ \\\ 成 射 成 爲 速 之 記 度 之 速 線 錄 爲 P w 爲 -126- T245285 (121) 記錄脈衝策略、或脈衝策略，尤其是，將以分割成複數之 記錄功率電平的脈衝列來形成nT標示之方法稱爲分割記 錄脈衝、記錄脈衝分割方法、或脈衝分割方法。 將本記錄脈衝分割方法當做可重寫CD-RW之記錄方 法使用時，應爲大致8倍速至2 4倍速或3 2倍速程度。 或者’當做可重寫RW-DVD之記錄方法使用時，應 爲大致2倍速程度至1 2倍速程度。 第5圖係說明實施本發明記錄方法之脈衝分割方法時 之各記錄脈衝關係的實例之時序圖。對光記錄媒體執行資 訊記錄之記錄裝置上，控制記錄功率Pw、偏功率Pb、刪 除功率Pe之各雷射光照射時序的電子電路（積體電路）， 係以第5圖所示之時序圖爲基礎來進行設計。 第5圖係PbSPeSPw、記錄脈衝區間aiT(i=1〜m2 整數）之記錄功率Pw爲一定、截止脈衝區間 之整數）之偏功率Pb爲一*定、標不之間隔及aiT(i=l〜m) 及yS i T (i = 1〜m)以外之區間的光照射之功率刪除功率p e 爲一定時。Pe/Pw通常爲0.2以上，最好爲〇.25以上。另 一方面，Pe/Pw通常爲0.6以下’最好爲〇·4以下。Pe/Pw 爲上述範圍中之0·2〜0·6的其中之一之値，以0.2〜0.4 之範圍値爲佳’最好爲0 · 2 5〜0.4之範圍。此比若小於上 述範圍，則刪除功率會太低，會出現非晶標示之殘餘，若 大於上述範圍’則Pe之照射部在熔融後有時會再度非晶 化。 第5圖中，5〇〇係週期T之基準時鐘。 -127- 1245285 (122) 第5圖（a)係對應長度、nT之記錄標示的脈衝波形， 符號501係對應長度、ηΤ之記錄標示的長度。第5圖（a) 係n=ll、m = 5時。第5圖係奇數標示之例，然而，爲了 簡化説明，第5圖及以下之説明中，說明奇數標示及偶數 標示説明時，只要未特別註明，都採用a i、/3 i、Td!、 Td2、Td3、及j之各代表參數。亦即，n爲偶數標示之説 明時，直接採用上述參數，而η爲奇數標示之説明時，上 述參數分別爲置換成ai’、 々i’、Tdl，、Td2，、Td3，、及 k ° 相對於第1圖所示傳統之CD-RW或RW-DVD之記錄 方式，第5圖所示之本記錄方式具有下述意義。 假設 j 爲 〇，因 Si(ai+/3i)/m = n/ m，n/m 爲對應（ai + 石i)之平均長度的値，（n/m)T爲對應分割脈衝之平均週期 的値。 本發明之光記錄方法中，n = 2m、或n = 2m+l時，因記 錄脈衝之分割數爲m，n/m大致爲2程度。亦即，由記錄 脈衝及截止脈衝所構成之重覆的平均週期大致爲2T， a i T及Θ i T之長度會夠長。例如，可使記錄脈衝區間 aiT、截止脈衝區間AiT確實大於0.5T，CD之32倍速 時之資料基準時鐘週期T雖然會成爲約7.2 nsec程度、或 DVD之12倍速時之資料基準時鐘週期T雖然會成爲約 3.5 n s e c程度，亦可對記錄層進行充份加熱，同時，可抑 制後續脈衝之熱供應，而得到充份冷卻效果。 傳統之CD-RW或RW-DVD之規格書上記載的分割方 •128- 1245285 (123) 式時，因固定爲πι = η-1，故n/m = n/ (n-l)。此値會因η爲 愈大而變得愈小，故最長標示時間長度爲nmaxT，則nmax 之n/m爲最小。亦即，由記錄脈衝及截止脈衝所構成之重 覆之平均週期（本說明書中，有時會將由此記錄脈衝及截 止脈衝所構成之重覆之平均週期稱爲分割脈衝之平均週 期。）在最短標示爲最長、在最長標示爲最短，故QiT、 y? iT在最長標不爲最短。 例如，EFM調變方式時，因n = 3〜11時k=l，故爲 (nmax/m)=ll/(ll-l)=l.l 程度。 又，例如，EFM+調變方式時，因 n = 3〜11、14時 k=1 ，故爲 (nmax/m)=14/(14-l)=1.08 程度。 亦即，EFM調變方式及EFM +調變方式時之重覆週期 (分割脈衝）的平均大致爲1T。 本說明書中，將傳統之第1圖所示脈衝分割方法稱爲 「1 T基礎」之脈衝策略，而將第5圖所示本發明脈衝分 割方法稱爲「二倍時間基礎」之脈衝策略。 CD之24倍速以上或DVD之4倍速以上時’若將資 料基準時鐘週期T切割成大約1 〇奈米秒，則最長標示時 之分割脈衝的平均週期會分割成大致1 0奈米秒。此代表 1T基礎之脈衝策略時，分割脈衝之平均會短於10奈米 秒。此時，記錄脈衝區間a i T之平均値或截止脈衝區間 /SiT之平均値爲5奈米秒以下。其代表至少1個1之 及ySiT之其中之一爲5奈米秒以下。又，在上述説明中， •129- 1245285 (124) 某一特定a i或/3 ,大於平均値時，則表示有其他石i或α | 會更短，故仍然代表aiT或/SjT之其中之一會變小。其 次，aiT或/3iT之其中之一爲5奈米秒以下一尤其爲3奈 米秒以下時，高速記錄時可能會無法確保充份光束之照射 及冷卻時間。 本發明之記錄標示，係連續形成於記錄媒體中，且和 其他部份可實施光學區別之普通物理標示。亦即，亦可以 複數物理標示來形成記錄標示。再生光之集光用物鏡的數 値孔徑爲NA、再生光波長爲λ時，物理標示比約0.2(入 /Ν Α)更接近的話，則難以對此物理標示進行光學區別。因 此，以複數物理標示形成1個標示長度、ηΤ之記錄標示 時，其間隔應小於〇·2( λ /ΝΑ)。 又，將本發明應用於CD-RW時，若記錄脈衝區間 a iT(i = l〜m)之平均値及截止脈衝區間0。（卜丨〜心；!）之 平均値皆爲3奈米秒以上，則有利於確保照射之光功率的 時間追隨性。最好各aiT(i = l〜m)及ySiT (i=l〜m-1)皆爲 3奈米秒以上。 另一方面，將本發明應用於RW·DVD時，若記錄脈 衝區間a iT (i=l〜m)之平均値及截止脈衝區間冷lT(i = l〜 m-1 )之平均値皆爲2奈米秒以上，則有利於確保照射之光 功率的時間追隨性。 此時，脈衝a ,T (i = l〜m)之時間寬度的定義上，係針 對第5圖之時序圖所示分割脈衝發生邏輯電路之對應Pw 及Pb間之功率電平轉移的邏輯位準轉移，邏輯位準之電 •130- 1245285 (125) 壓的電流輸出從一方電平達到另一方電平之一半電平的時 間。因此，如第5圖之α ! T之記錄脈衝的時間寬度係 指，從前述脈衝之產生部的Pb變化成Pw時達到邏輯位 準之一半位準的時間至前述脈衝之消失部的Pw變化成Pb 時達到邏輯位準之一半位準的時間之期間。此時，邏輯位 準係如TTL之0V及5V之2値電平。 相對於CD時aiTMiT)應爲3奈米秒以上，DVD時 a iT(石，Τ)應爲2奈米秒以上，針對其理由進行説明。亦 即，DVD系時，因記錄用集中光束之直徑爲CD系時之約 7 0%程度，故1次記錄脈衝照射對空間之影響亦約70%程 度。如上所示，集中光束之直徑會較小而提高空間分解能 力，故3nsec之大約70%的2nSeC程度之短時間脈衝照射 爲有效。又，因較小光束系之昇溫面積較小，冷卻會較 快，即使對截止脈衝區間亦縮短爲2ns ec程度，亦可得到 充份冷卻效果。然而，RW-DVD時最好爲3nsec以上。 本發明中，亦可將yS mT視爲0而不對最後截止脈衝 區間之/3 mT實施光照射，然而，標示後端部之熱累積問 題較大時，應設置/3 mT。此時，/3 mT亦應爲2奈米秒以 上，最好爲3奈米秒以上。此時，0 mT之脈衝時間寬度 的定義和上述a mT相同，係Pb及Pe間之邏輯位準轉移 時，達到一半邏輯位準之時間。 照射雷射光時之實際分割脈衝，係利用第5圖例示時 序圖，將產生閘極信號之邏輯位準的積體電路輸出輸入至 雷射驅動器電路，利用控制以雷射驅動爲目的之大電流來 -131 - (126) 1245285 控制雷射二極體之光輸出，並控制記錄功率。本發明如前 面所述，係以邏輯位準之時間寬度爲基準來規定脈衝寬 度。實際之輸出光波形，除了會出現l-3nSec程度之延遲 以外，尙會出現過衝、下衝，故此記錄功率之時間變動不 會爲第3圖所示之單純方形波形狀。然而，本發明之記錄 脈衝分割方法時，若記錄脈衝區間a i T (i = 1〜m)爲2奈米 秒以上，則雖然有記錄光之產生/消失的問題，可以提高 記錄功率Pwi來確保記錄上之必要照射能量。此時亦相 同，實際記錄雷射光脈衝之產生及消失爲2ns ec以下、 1 · 5 n s e c以下爲佳、1 n s e c以下最好，可抑制必要記錄功率 Pw。又，實際之記錄功率產生時間或消失時間通常係 指’ Pe及Pw之功率電平間的功率轉移時、或及Pw 之功率電平間的功率轉移時，一方電平及另一方電平之差 從10%變成90%之轉移所需要的時間。產生、消失時間之 合計應小於α ! T之時間寬度，α ! T之8 0 %以下爲佳， a iT之50%以下最好。 本發明之記錄脈衝分割方法時，即使邏輯位準之時間 寬度及實際記錄功率之回應間有差異，若爲上述產生或消 失時間程度之延遲，則不會形成問題。若爲上述程度之延 遲’只要規定後述記錄脈衝分割方法之各參數（以邏輯位 準規定）位於適當可變範圍內，即可實施良好記錄。相對 的’如上述延遲、及必然會和過衝等同時發生之雷射二極 體輸出時，在l〇nsec以下之時鐘週期下，亦可利用分割 記錄脈衝來執行標示長度調變記錄，這也是本發明之記錄 -132- 1245285 (127) 脈衝分割方法的重要特徴。 另一方面，若截止脈衝區間广iT(i=l〜心丨）亦爲2奈 米秒以上，只要偏功率P b和再生光功率P r爲相同程度、 或對追蹤伺服等不會造成其他妨礙，可以降低至〇來確保 冷卻效果。 又，爲了獲得較大冷卻效果，針對所有記錄標示之時 間長度，Σ i ( a i)應小於0 · 5 η。Σ i ( a i)最好爲〇· 4 η以下。 亦即，記錄脈衝區間之總和Σ, ( a i Τ)應小於Σ i ( /3 i Τ) ’而使 各標示內之截止脈衝區間較長。最好，相對於i = 2〜m-l 之所有i爲a iTS ΣίΤ，至少在第2以後之記錄脈衝列， 使/3 i Τ大於α , Τ。 本發明之記錄方法中，ai(i = l〜m)及/3i(i=l〜m-1) 之値係依據記錄脈衝區間a iT(i=l〜m)及截止脈衝區間 /SiT(i = l〜m-I)等之値來進行適度設定，然而，通常分別 爲0.01以上，最好爲〇·〇5以上，除了 n = 3時以外，通常 爲2以下，最好爲1.5以下。尤其是，/Si(i = l〜m-1)若太 小會導致冷卻效果不足，故應爲〇 · 1以上，最好爲〇 · 3以 上，另一方面，若太大則會過度冷卻而使記錄標示形成光 學分離，故應爲2以下。然而，n = 3時之最後斷開脈衝區 間之Θ m，應爲3以下，2 · 5以下爲佳’ 2以下最好。又， 含有n = 2之調變方式時’亦和n = 3時相同。 擴大截止脈衝區間之效果’對於會對標示前端形狀造 成很大影響之最前截止脈衝區間石ιΤ、以及會對標示後端 形狀造成很大影響之最後截止脈衝區間Θ m Τ會產生很大 -133- 1245285 (128) 的效果。其中，對最後截止脈衝區間/5 mT之影響特別 大。 本發明中，對記錄脈衝區間a iT(i = l〜m)照射之記錄 光的功率p w i、以及對截止脈衝區間万i τ (i = 1〜m - 1 )照射 之記錄光的功率pbi應具有關係’ 且不受i及η之影響，1個記錄脈衝區間及截止脈衝區間 中之Pwi及Pbi應分別爲一定値。爲了獲得較大冷卻效 果，所有記錄標示之時間長度應具有Pb<Pw之關係。以 Pb/Pwg0.2爲佳，最好爲Pb/PWSO.l。又，偏功率Pb可 以等於再生時照射之光的功率Pr。結果，脈衝分割上必 要之分割脈衝電路的設定更爲簡便。 和脈衝寬度相關之參數a 〜m)及；8 i(i=l〜m- 1)，應爲可以1/1 6T以上之高分解能力來指定。以1/20T 以上爲佳，1/3 2T以上之光分解能力來指定更佳。低於 1 /8T之低分解能力時，有時可能無法得到可實施良好記 錄之最佳脈衝寬度的相關參數値。 此時，亦可針對特定1個記錄標示之時間長度，對應 i使用不同之2以上之値當做Pbi及/或Pwi。 例如，使前頭之記錄脈衝區間α ! T及最後之記錄脈 衝區間a mT的記錄功率Pwi及Pwm的値，和中間記錄脈 衝區間a iT(i = 2〜m-1)之記錄功率爲不同的値，可使正確 控制標示之始端部·終端部的形狀。此時，中間記錄脈衝 區間a i T (i = 2〜m -1)之記錄功率 P w全部取相同之功率 値，主要是爲了使分割脈衝電路之設定更爲簡便。截止脈 •134- 1245285 (129) 衝區間/3 i T (i = 1〜m -1 )之偏功率p b i亦相同，全部取相同 之功率値，只有/3mT之偏功率pbm才取和他pb不同之 値。又，爲了良好記錄3T標示，在具有不同η之至少2 個記錄標示之間，對相同i亦可爲不同之Pw及/或Pb的 値。亦即，η爲4以上之標示長度的記錄時，Pw、Pb爲 一定，只有n = 3之標示長度的記錄時，可使若干（10%程 度之差）s3錄功率成爲不同之値。此時，Pb亦應爲一定。 本發明之第1要義，係只以控制Td】、α】、/3】、 冷n、a m、/3 m之其中之一之時間的（和脈衝寬度相關） 參數’即可正確控制標示長度及實現低顫動，只有此時間 參數之設定上有某種限制時，在電路簡化上，PWl、 Pwm、Pbm應爲個別微調。具體而言，上述限制係指，以 設t Μ衝寬度相關參數値爲目的之分解能力混亂，無法只 以脈衝寬度設定來獲得良好記錄時。 偏功率Pb應爲和再生光之再生上需要之再生功率Pr 大致相同的値，CD-RW時，通常爲2mW以下，1.5mW以 下爲佳’ lmW以下之値最好。另一方面，RW-DVD時， 通常爲lmW以下，〇.7rnW以下爲佳，0.5mW以下之値最 好。只要對聚焦及追蹤伺服沒有妨礙，應儘可能接近〇， 可促進Pb照射區間（截止脈衝區間）之記錄層的急冷效 果。又’ Pw、Pe、及Pb之値不一定要爲一定之直流方 式’例如’以時鐘週期T之1/10程度以下之週期施加高 頻重疊’可安定雷射之動作。此時之Pw、Pe、及Pb爲其 平均値。 -135- 1245285 (130) 第5圖（b)係η=11，亦即m=：5時之記錄脈衝策略（502 之點線），係由5 03、5 04、5 0 5、5 06所示之複數記錄脈衝 控制用閘極組合而產生。亦即，分別產生會產生前頭記錄 脈衝α ! T之閘極信號G 1 ( 5 0 3 )、會產生中間記錄脈衝群 aiT(2Si$m-l)之閘極信號 G2(504)、會產生最後記錄脈 衝a mT(5 05 )之閘極G3、定義施加pe及Pb之區間的閘極 G4，然後進行合成。Gl、G2、及G3在ON電平時，記錄 功率會產生發光體。又’閘極信號G4之該導通區間會以 a J之產生爲基點（亦即，從只TG延遲Tdl後）來設定（η-j)T之導通區間。 此種閘極信號之優先關係，會使閘極之導通/斷開對 應邏輯之1、〇位準，並以實施各閘極控制之邏輯信號的 和運算來達成。具體而言，Gl、G2、G3之導通信號會比 G4之逆極性信號的導通信號更爲優先，G4導通期間中 (Pb照射中），Gl、G2、G3若導通，則會照射 Pw。結 果，閘極信號G4在Gl、G2、G3之其中任一爲斷開之區 間時，會規定截止脈衝區間iT之時序。 標示前端位置大致會因aiT之記錄功率雷射光的產 生而決定，其顫動則由α!Τ及/SiT之功率pWl、Pbi、以 及αιΤ及冷吖之工作比來決定。冷！方面若爲0.5〜2之 間，則〇·5程度之變化對標示前端位置及顫動幾乎不會產 生影響’可利用於後述之偶數長度及奇數長度之標示長度 的差1 Τ之控制上。 另一方面，標示後端位置係依存於最後端之記錄脈衝 -136- (131) 1245285 a mT消失位置、或其後之記錄層溫度的冷卻過程。又， 依存於標示最後端之分割脈衝（/3 a m)T之功率、
Pwm、Pbm、以及α m及/3 m之工作比。尤其是，形成非晶 標示之相變化媒體時，亦依存於對記錄層之冷卻速度會產 生很大影響之最後端之截止脈衝區間yS mT的値。yS 方 面若爲Ο . 5〜2之間，因Ο . 5程度之變化對標示後端位置 及顫動不會產生直接影響，可將區間/3 nT、a mT利用於 後述之偶數長度及奇數長度之標示長度的差IT之控制 上。然而，如後面所述，將本發明之可高速記錄之光記錄 媒體應用於低線速記錄時，配合Θ mT來進行調整亦很重 要。 分割數m爲3以上時，存在於前頭脈衝及最後脈衝 之間的中間記錄脈衝群當中，i = 2〜m之々i-!T、a iT會大 致以週期 2T重覆。亦即，/Si-i+ai會大致爲 2(i = 2〜 m)。如此，採用一定週期可簡化脈衝產生電路。本發明中 採用「大致爲」2或「大致爲」2T之表現方式，係爲了表 現容許電子電路等之實際性能上無可避免之從2T的偏 離。亦即，在CD之8〜24倍速或8〜32倍速（DVD之2〜 1 〇倍速或2〜1 2倍速）之廣泛記錄線速度下，只要能實現 可實施良好記錄之本發明的效果’即使從2 T偏離若干亦 可。例如，±0.2之偏離（1.8T〜2.2T)程度者，係包含於電 子電路等之實際性能上無可避免之從2T的偏離。 偶數標示長度時，及ySm.i+am時之値亦可爲 大致2，又，如此可簡化脈衝產生電路。然而，偶數標示 -137· 1245285 (132) 長度之i=l及/或i = m，亦即，/3ι+α2及/或ySm.i+am方 面，容許在±0.5程度之範圍內的從2之偏離，有時可有 更正確之控制標示長度及標示端之顫動控制。此時，存在 於/3 ! + α 2及/3 m _! + a m之間的/3 , ·】+ a i只要大致爲2即 可 〇 又，奇數標示長度之i=l及/或i = m，亦即，5〆+ α2’及/或ySn’+am’方面，容許從2之偏離可以有更正 確之標示長度及標示端之顫動控制。亦即，因爲/Si’ = yS 1 + Δ 1 ' β m.i 9= /5 m.i Δ m.i ' a a m+ Δ m ^ /3 Γ + a 2 ? 及/或至少容許Δι、Am·】、Am份之從2之偏 離’可有更正確之標示長度及標示端之顫動控制。而此 時，只要使存在於/3Γ+α2’及/3m-】’+am’之間的；3丨.1，+ a i ’大致爲2即可。 本脈衝發生方法中，中間記錄脈衝群之i = 2〜m-1的 aiT及/Si^T之工作比，因對標示前後端之顫動不會產生 影響，只要以特定寬度形成非晶標示來確保信號振幅即 可。此時，爲了簡化脈衝產生電路，使其成爲一定値。尤 其是，中間脈衝可重覆存在之4以上的m時，相同分割 數m之2種偶數長度標示及奇數長度標示的記錄標示，3 以上、（m-Ι)以下之全部i應爲ai=ac(—定値）。同時， 因週期2T大致爲一定，/3i = 2- ac亦大致爲一定値々c。 以此而言，yS c係從屬於a c，a c決定的話即可確定。 結果，3以上之m(6以上之η)時，週期（石1+^2)丁及 /或（/3^+anJT時，可利用實施微調達成期望之標示長 -138- 1245285 (133) 標nT。其中’ 應取和其他Qi(i = 3〜m-1)相同値ac。 又’偶數標不時’ 亦應爲相同値C。利用此方式， 控制記錄脈衝策略之記錄脈衝及截止脈衝之雷射光（脈衝 光）產生的控制電路（電池電路）設計更爲簡化。 但，n = 3之時，因α !、石】亦爲α m、万m，故必須只 以α!、/3!調整3T標示長度及標示前後端之顫動，使其 成爲和其他η不同之値。 因此’本發明之二倍時間基礎之記錄脈衝分割方法的 特徵’係依據更正確之規則，將依ηΤ標示之η所得之値 分成奇數、或偶數來考慮。 以下之説明中，再度分成對應同一 m之偶數標示長 度時之參數a i、/3 i、Tdl、Td2、Td3、及j、以及對應n 爲奇數標不長度時之參數a i’、/3丨’、Tdi’、Td2，、TTd3，、 及k來進行説明。 第5圖中，在Tdl、Td2、Td3上乘以T之時間，被規 定爲從ηΤ標示之前端時間Tg的延遲時間，Tdi、Td2、Td3 之本來目的’係分別規定記錄脈衝^ i T、中間脈衝群之前 頭的α2Τ、amT之發生時序，達成該目的時，取何點做 爲基點具有任意性。例如’規定Td2從α ! T之終點開始， 亦即，点】，亦可規定從α a之始點開始，定義成 同樣的Τυ亦可規定以T〇爲基點，亦可 規定以α 之消失爲基點，亦即，Tds=々m-l。相反 的，透過此種延遲時間Tdl、Td2、Τη等之定義，可決定 ySi、/5m·!、/3m。亦即，可決定以定義同一本發明記錄策 •139- 1245285 (134) 略爲目的之獨立參數組（m、Tdl、α!、/3】、ae、万^、 am、0m)。又，n爲奇數時，可決定獨立參數組（m、
Tdl 、 、 OC C Λ β m - 1 、 Ci m 、 /3m，）。 雖然和上面重覆，然而，本質上這些參數（各記錄脈 衝、截止脈衝之產生及消失之時序）只要決定即可，間接 地亦導致Tdi、Td2、！^3等之延遲時間參數之基點決定上 具有任意性。 其次，記錄相對於各η之標示長度及間隔長度、^ T， 爲了降低其偏差之標示及間隔顫動，對各η應變更（Tdl及 Tdi’）、（Td2 及 Td2’）、（Td3 及 Td3’）、（ai&ai，）、（〇出及 a m ’）、（ /9 m及/3 m ’）當中之至少2組以上，產生分割記錄 脈衝。其亦代表對各 η變更分割數 m、以及（Tdl及 Tdi’）、（αι 及 αΓ)、（冷 1 及冷1’）、及 /3m·〆）、（am 及am’）、當中之至少2組以上。 如上述對各η改變各種參數之記錄方法當中，同一 m 時’ η = 2 m之目己錄標不及η - 2m+l之日己錄標不應爲a m表 CKm’，且（丁^及 Tdl’）、（^^及^^，）、（/3!及；Si，）、（石 m·】 及々H’）、及（3m及Pm’）當中之1組以上應爲不同値。 亦即，尤其是m爲3以上時’會對相同分割數m之 偶數長度標示及奇數長度標示附與標示長度之差Τ’故本 發明中特別對y^T、々m-iT、amT、/SmT之各區間的時 間長度進行調整。若只變更這些/5ι、々π!·!、am、沒⑺當 中之1個參數來附加偶數長度標示及奇數長度標不之差 1T時，有時會對奇數長度標示前後端之形成會造成不良 -140- 1245285 (135) 影響。因此，形成奇數長度標示時，一定要對a m附與# 爲0之，値（am#am’），形成偶數長度標示時，要對 、/S m之至少其中之一附與非〇之値（滿足/5 i # 0 1’、/5m-l 竽 /Sm-l’、之至少其中之一）。 此代表，因爲上述Tdl、Td2、Td3之定義，同一分割 數m之偶數長度標示及奇數長度標示時am#am’，且 (Td2及Td2，）、（Td3及Td3，）、及（石m及yS m，）之3組當中之 1組參數會對應η爲偶數或奇數而爲不同的値。 部份本發明者在日本特開2002-3 3 1 93 6號公報、文獻 「Procedings of PCOS2000， Nov.30-Dec. 1,2000pp. 52- 55」、「Pro. SPIE Vo 1.4 0 9 0 (2000) p p · 135· 1 43」、 「Proc. SPIE Vol.4342(2002)pp.76-87」提出，爲 了實現 同一分割數m時之偶數長度標示及奇數長度標示之IT份 的良好標示長度差，應分別以/3 ιΤ及爲主實施長 度之補償而得到/3 i’T及/3 m.!’T。 然而，由本發明者等進一步進行檢討之結果可知， CD-RW時若記錄線速度爲高速化之24倍速、32倍速、或 者，RW-DVD時若記錄線速度爲高速化之8倍速、1〇倍 速，只實施上述/3ι及之補償，並無法形成良好之同 一分割數m時之偶數長度標示及奇數長度標示。 因此，本發明者等又進一步進行檢討。結果，爲了實 施如上述之良好局速記錄，形成奇數長度標示時，實施 之長度補償而得到am’T比實施上述/91及/3^1之補 償更爲重要。 -141 - 1245285 (136) 由本發明者等之檢討可知，使ySf/Si，、/Sm-f yS ’偶數標示及奇數標示間不實施/3 1及/3 之補 償’而先實施a m之補償而得到a m ’，即使高速記錄時， 亦可形成具有相對較良好之品質的記錄標示。然而，亦發 現只對上述a m實施補償而得到a m，時，在高速記錄上確 實獲得良好記錄特性上仍有不足之處。 因此，本發明中，除了上述amT之長度補償（am# 〇^’）以外，亦對/31丁、/3„1-1丁、及）3111丁之至少其中之一 進行補償，可確實實施良好之高速記錄。尤其是，在如後 述之C A V及P - c A V記錄之廣泛線速度範圍下可實施良好 記錄。 傳統之二倍時間基礎之記錄脈衝分割方法時，只對截 止脈衝區間；3 !T、/3 nT實施同一分割數m之偶數長度 標示及奇數長度標示之差1T補償時，以形成上述偶數長 度及奇數長度標示爲目的而附與之記錄脈衝區間的總和 ΣαιΤ(Σαί’Τ)，在偶數長度標示及奇數長度標示會相同。 又，本發明中之第1要旨，係假設形成1個記錄標示時之 記錄脈衝區間的記錄功率Pw爲一定（亦即，從α ! Τ至 a mT之各區間，記錄功率pw爲一定。）。因此，偶數長 度標不及奇數長度標不之ΣαίΤ(Σ(2ί’Τ)相同，係代表形成 1組偶數標示及奇數標示之記錄能量總和：Ρλυ(Σ a iT)爲 相同（Σ α ίΤ = Σ a i’T)及意味。 然而，以執行光記錄媒體之記錄爲目的之記錄裝置 (驅動器），各記錄裝置間之雷射發生裝置的輸出上，通常 •142- 1245285 (137) 會產生若干誤差。此即爲上述記錄功率P w在記錄裝置間 之誤差。本發明者從審慎檢討後所得到之結果發現，上述 形成1組偶數標示及奇數標示之記錄能量的總和：Pw( Σ a i T)爲一定之記錄能量的照射方法時，因爲上述記錄裝 置間之Pw的誤差，而有同一分割數m之奇數標示長度及 偶數檩示長度之變化並不相同的問題。亦即，因爲記錄裝 置之製品間誤差所導致之記錄功率Pw之增減△ Pw，即使 記錄了同一 m之1組奇數及偶數標示長度時，記錄裝置 間之前述標示長度亦會出現△ Tmark程度之偏離。此時， 若奇數標示之△ Tmark及偶數標示之△ Tmark爲大致相同 時，則不會形成問題，然而，記錄方法上，若採用二倍時 間基礎之記錄脈衝策略，並只對/3 ! T、/3 m.! T之截止脈衝 區間實施補償（使Pw(Z a iT)成爲一定之方法），則因爲記 錄裝置間之APw，奇數標示長度之△ Tmark及偶數標示長 度之△Tmark會呈現明顯不同。 第1圖所示之傳統1 T基礎之記錄脈衝分割方法時， 每次標示長度出現1T變化都會追加1個記錄脈衝，故會 維持標示長度愈長則記錄能量之總和會呈現單調增加之規 則。因此，記錄裝置間之Pw的誤差所造成之△ Tmark， 不會受奇數、偶數標示之影響而大致保持一定。然而，如 前面所述，傳統之1 T基礎之記錄脈衝分割方法時，無法 實施CD-RW之24、32倍速、及RW-DVD之8倍速、10 倍速的高速記錄，爲了確保雷射之照射時間及冷卻時間， 必須採用二倍時間基礎之記錄脈衝分割方法才能達成。因 -143- 1245285 (138) 此，當使用二倍時間基礎之記錄脈衝分割方法時，偶數標 示及奇數標示間之上述ΔΤιη&Γΐ:保持一定極爲重要。 因此，本發明者爲了在CD-RW之24倍速、32倍 速、或者在RW-DVD之8倍速、10倍速亦能實現良好記 錄，針對二倍時間基礎之記錄脈衝分割方法進一步進行檢 討。結果發現一個有效方法，爲了使記錄裝置間之△ Pw 所造成之△ Tmark在偶數標示長度及奇數標示長度間保持 大致一定，二倍時間基礎之記錄脈衝分割方法時，同一分 割數m之偶數（2m)標示及奇數（2m+l)標示間一定要實施 a mT之補償，使記錄能量之總和Ρνυ(Σ a iT)會和標示長度 同時增加。Σα^Τ應隨著標不長度之IT增加而大致逐次 增加0.5T。m每增加1，aiT及ySiT亦會各增加1個，然 而，此時通常會採取追加中間脈衝群a cT、/? CT之方 式。因/3c+o:c大致爲2，故Σα^Τ平均爲增加it。同一 分割數m因包括η及n+1之2種，若n + n+l而標示長度 增加1 T，則Σ a i T大致會增加0.5 T。 以此目的而言，如上面所述，若只調節Θ !、yS m_ i、 以及其他截止脈衝區間之長度，調整同一 m之偶數標示 及奇數標示之差1 T份的標示長度，將很難得到良好記錄 功率增益。 另一方面，關於調整那一個記錄脈衝aiT之長度方 面，爲了使m之增減具有可增加1個最後aiT之相同機 肯S，以調整同一 m之最後aiT，亦即，amT之長度爲最 佳。 -144- 1245285 (139) 其次，由本發明者等之檢討可知，除了 ^⑺丁以外， 若能配合Θ,Τ、/inT、々mT之至少其中之一進行補償， 則不但可有效實施1 T份之標示長度的補償，亦可有效得 到標示端之低顫動。又，由本發明者等之檢討可知’ 時，0<AmSl之範圍較Δηι正好等於1爲 佳。又，）βΐ’=/3ΐ+Δΐ、 =冷 m-1+Δπι-Ι、 △ m時，Δπυ、應爲1以下。 利用此方式，同一分割數m時，會對應η爲偶數或 奇數而附與標示長度Τ之差，具體而言，有以下之2種方 法。 (言己錄脈衝分割方法Π) 此記錄脈衝分割方法，係對（記錄脈衝分割方法I)之 3以上之 m，同一分割數 m之 n = 2m之記錄標示及 n = 2m+l之記錄標示時，am关am’、；8ι=/3Γ且從（Tdi、 Tdl’）、（ai 及。！’）、（/Sm-!及冷^〗，）、及（/Sm 及/Sm，）選 取之1組以上爲不同値的方法。 具體而言，同一分割數m時，η爲奇數時之（/301-!’ + am’+/3m’）會大於η爲偶數時之（/3m_1+am+冷m)，同時， η爲奇數時之大於η爲偶數時之/Si。 亦即’除了使^^^“^^⑺’同時使^^^冷^而爲 /3ι’=/3ι + Δι。此時’ Am應大於0，0.2以上爲佳，另一 方面，應爲1以下，〇.7以下爲佳，0.6以下最好。又， △ !應大於〇，0.2以上爲佳，另一方面，應爲1以下， -145- (140) 1245285 〇 . 7以下爲佳，〇 . 6以下最好。 具體而言，應爲/3m_r + m’=y5 m-1 + Δ m+Δ m=/3 m-l+α m+Δ mm(A mm = 〇.2 〜1)。 △ !、△ mm之値的上限應爲1以下，△ 1應好爲〇 . 2〜〇 . 7 之値，0.3 〜0.6 最好。其中，ySm.rs^n + zXm-i 及 am’ = am+Δηι 時，Δπί.1、Διη 應分別分配 0 〜1，Απι-Ι、之 上限應爲0.7以下，最好爲0.6以下。又，Δη^ + Δ^
△ m’應爲 0.2 〜1.2。 尤其是3以上之m時’應爲Tdi’ = Tdi、αι’=αι、 β 1 ? = yS 1 + Δ 1 (〇<△ 1)、 β ηι-1，==^ m-1+Δ m-l (△ m-l=〇 〜 1)、Qm - Gm+Δηι (〇<△〇! = 1 ) ' △ 此時，Δι、Διηπι 應爲 〇·2 〜0.7 之値。Δπ^ι 應 爲0〜0.7，應爲0.2〜0.7之値。 爲了簡化脈衝產生電路，及/Su+am應爲 1.7〜2.3之範圍値，尤其是，/3i+a2 = 2、/3m-l+am = 2爲
佳。 a m= a C爲佳。又，a 1 = a 1 ‘ = a C亦有利於減少可變 參數。 此時，m = 2(n = 4、5)時，因 m-l = l，可同時求取區間 (/3 及（/Sn+anJT之解。此時，5T標示之（yS】’ + a2’）T比4T標示之大約長IT，然而，更具體 而言，ai、ai’、a2、Q2’、万 2、02’分 SO 等於 m 爲 3 以上時之αι、αΓ、am、am’、/3m、々m’，同時，使 y3i等於m爲3以上之任一 m時之’或/3m-r之其中之 -146- 1245285 (141) 上述m = 2時之^1、、^2、“2 、冷2、/32，的各 値 1 應等於 m爲3 時之^ α 1、 α 1 ，、α 3、 a 3 ，、/3 3 Λ β 3 ，同時 ，使 /3 1 等於 m爲3 時之/3 1 ，或 Θ 2 ’且 便/3 1 等 於 m爲3 以上時 之β ! ’或 /3 2’ 之其中之 一 。最好 m = 2 時 之 a 1、 a ! ，、β '、β 1 ’、α 2 、α 2 ,、 β 7 、·、β 分別 等 於 m 爲3時之α 1 、a 1 ，、β 1 、β 1，' a 3 、CL 3 , 、/3 3 β 3 〇 但，m = 2時之 任何 情況下， ，/S 2 ’之値可 '容許i 〇.5 之 範 圍 的微調 。因此 ，n = 4 、5時， 1 利 m 爲 3 以上取 不同 之 値 的 參數爲 Tdl、τ di9 ' 冷2’之3 個。 m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α ^丁及 偏功率照射區間Θ〆Τ所構成之記錄光的照射。此時， α】’應比3以上之m時的α ! ’大0 · 1至1 .5程度，$丨，則 比3以上之m時的ΘΓ小且大於/3m、 Am’。 或考， αΓ爲3以上之m時之α〆的1〜2倍。 具體方法如’ (記錄脈衝分割方法III) 此記錄脈衝分割方法，係對（記錄脈衝分割方法I)之 3以上之m，同一分割數m之n = 2m之記錄標示及 η — 2 ΓΠ + 1 之日己錄標不時 ’ Tdl^Tdl’、 CL \ =
Ql’、/Sf/Sr，且從（/3m·】及 /3m·】’）及（0m 及；3m，）選取 之1組以上爲不同値的方法。因（記錄脈衝分割方法方法 -147- 1245285 (142)
I)時已爲；S i-1+α i=/3 i-Γ+α i’=/3 c+α c(i = 2 〜m-1)，若使 Tdi=Tcn’、 α i=a i、/3 I’ ’則至截止脈衝區間冷m-iT 及/3 m T之開始時間爲止之所有記錄脈衝及截止脈衝區 間可在偶數標示及奇數標示爲同步，而大幅簡化記錄脈衝 產生電路。 亦即，對3以上之m，同一分割數m之η爲偶數之 (/3 n+a m)附加約1，則可得到^爲奇數時之（
石"1-1’+〇^’+/?111’）。對上述（/5111_1+〇111+点111)附加約 1，以 〇·5〜1·5之範圍値爲佳，以〇·5〜1.2之範圍値最好。其 中’對$ i，、点m附與〇以上、1以下之値，對a m附 於0以上、1以下之値，然而，對及am附與値之上 限以0.6以下爲佳。因只對^⑺實施it份之標示長度的補 償可能提高後端顫動’故々m_ i或Θ m之至少其中之一應配
合a m進行補償。此時，如記錄脈衝分割方法I中之説明 所不，因a:2，=a2=ac，故 3以上 之 m，y3 m· r η - 1 + ‘ ^ m - i (Δ m · 1 = 0 ’ - 1)、a r ? _ Ώ ~ am+Am (〇<△“"、 冷m = /3 m + Δ π 丨，（△ 1 m ’ = 〇 1)，又， 應 爲△ m m + △ r Δ m.i+ Δ △ n / = 〇. ,5〜 1.5, 0.5 1.2更好 〇 β a 2= yS Γ + a 2 ’及石, m - 1 + a m 如前 面所 述 ’應爲 1 .5 〜2. 5之範1 麗値，1 · 7〜 2.3之 :範圍値 更佳 。最 好 爲冷1 + a 2 = :2、β η i -1 + a m = 2 〇 此時， m = 2 (n = 4、 5)時 ，因 m - 1 = 1， 可同[ 诗求取區 間 (β 1 + a 2)Τ 及區間（冷 m - 1 + a m)T 之 解。 此時 5T標示 之 (/3 1 + α 2)丁 比4T標示 之（/3 i + a 2)丁 大約 長1 T ，然而， 具 -148· 1245285 (143) 體而言，αι、αι’、 /3ι、々Γ、〇：2、Q2’、/32、点〕，分 別等於m爲3以上之其中任一的α】、α ! ’、/3 m_ i、 (2 m y Cl m β m β m 。 但，m = 2時之“2、α2，、/?2、yS2’之値可容許±〇2 之範圍的微調，然而，必要性不大。最好m = 2時之α t、 a r ' /3!、ΘΓ、α2、α2’、々2、/?2’分別等於饥爲 3 時之 αι、αι， 、β 2、β 1’、a 3、a 3’、β 3、β m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間a 及 偏功率照射區間/9 i ’ T所構成之記錄光的照射。此時， αΓ應比3以上之m時的ai’大0.1至1.5程度。或考， ai，爲3以上之m時之αΓ的1〜2倍。 如上面所述，（記錄脈衝分割方法111)之3以上之m， 對/?ι’=/5ι、同一分割數^^之n爲偶數時之 召m)附加大約1，則可得到η爲奇數時之（石a m，+ ySm’）。爲了附加上述1，除了可考慮am’=am+Am，以 外，尙可考慮 時、/5m’=/3m+Am1g、 以及/3 m-1 = /3 m-1+Δ m-1及点m-θ m+Δ m時之3種情形。 其中，欲以低於可記錄之線速度上限的線速度進行記錄 時，首先應爲ySm’=/3m+Am’，之補償應比/3m·!之補 償更爲優先。此理由如下所示。 亦即，以低於本發明記錄媒體可重寫之線速度上限的 線速度進行記錄時’因使am’>am之補償會對標示後端 之冷卻過程產生很大影響，故補償上，應使^ m之補償値 Am爲= /3m+Am’（Am’ = 0〜1)。例如，對24倍速之可 -149- 1245285 (144) 重寫的本發明CD-RW媒體執行24倍速以下之記錄時、或 對8倍速之可重寫的本發明rw-DVD媒體執行8倍速以 下之記錄時，以後述之C A V及P · C A V來執行記錄是十分 有效的方法。此時，△ m ’ > 0應比△ m . i > 〇更爲優先。 本記錄脈衝分割方法（I)、（II)、及（III)中，α i及占i 可分別使標示長度獲得最佳化，然而，爲了簡化脈衝產生 電路，應爲一定値。 首先，m爲3以上時存在之中間記錄脈衝群中，α ; 及ai’（i = 2〜m-1)應爲不受i及η影響而爲一定値ac。 其次，使前頭記錄脈衝參數α 1、α !，不受2以上之 m、至少爲3以上之m時爲偶數長度標示或奇數長度標示 之影響而爲一定値。亦即，αΓ=α!，αι爲不受m影響 之一定値。此時，至少3以上之m時，亦應爲Tdl = Tdl’而 爲一定。 及am’方面’问一 m之偶數長度標示及奇數長度 標示會不同，然而，3以上之m、最好2以上之m時，可 使偶數長度標示之不受m影響而爲一定，且可使奇數 長度標示之am’不受m影響而爲一定。其次，應使偶數長 度標不之6K m寺於（2 C。 此外，記錄脈衝分割方式（11)時，3以上之m、最好 爲2以上之m時之△】、△〇!」、△〇應分別爲一定。因 此，Δηιη^Διη.Ι+Δπι 亦爲一疋。 如以上所示，若考慮不依存於Π1之參數，則 RW -DVD時，即使追加η=14時，因只需插入二對acTyScT即 -150- 1245285 (145) 可’應考慮之獨立參數和CD-RW時相同。 將以上所述進行匯整，則記錄脈衝分割方法（π)可簡 化成如下所示之記錄脈衝分割方法。 亦即，對於3以上之m(亦即，6以上之叫時，滿足 Tcn，= Tdl、 α】，=αι、 /3 1+α 2=ι·5 〜2.5、冷 〜
2.5' /51,= ；3ι + Δι(0<Δι^1)' β = β + A △ m-i = 0 〜l)、am’=am+Am (0<△，$1)、Δ mm= Δ m.i +
Tdi、a j > β x、Δ i ' a c > β m·'、Δ m.i ' a m、 △ m、 冷m、△〇!’在3以上之m時爲不受m影響而爲一定。 此時，尤其是3以上之m時，因（Tdi+a Οχ Tdl，+ α Γ)Τ = 2Τ，尤其可使偶數長度標示之各記錄脈衝^ ιΤ之 消失和時鐘週期同步，故可進一步簡化電路。此時，m爲 3以上時，可對（n爲6以上）之標示，以（Tdl、a !、/3 i、 △ 1、（3JC、y3m_i、△Γη·1、〇m、Διη、Am、△!!!，）之 1 1 個 獨立參數來規定下述記錄脈衝分割方法（Π-A)。 亦即，係一種覆寫型光記錄媒體之記錄方法，對記錄 脈衝分割方法（II-A)之記錄標示間，照射使非晶進行結晶 之刪除功率Pe的記錄光， 針對n = 2m(m爲2以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度（n-j)T，（j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
a 、 /3 iT、 a 2丁、 /3 2T、…、a mT、卢 mT -151 - 1245285 (146) 而由m個a iT、0 iT所構成之區間，但，爲Σί( α 1 + /3 i) = n-j方式之分割， 針對n = 2m+l(m爲2以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
α!，Τ、/3丨，丁、α2，Τ、占2’丁、…、am’T、々m’T 而由m個ai，T、/3,’T所構成之區間，但，爲+ /3i’）= n- k方式之分割， 在aiT及a「T之時間（i爲1〜πι之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但， Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在冷iT及；5i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射Pb S〇.2Pe之偏功率Pb的記錄光。 n = 2m(m爲3以上）時，若nT標示之開始時間爲τ〇， 在從T〇之延遲時間TdlT後並依序產生αιΤ、/3,Τ、 a 2T= a cT後，大致保持週期爲2Τ之情形下，交互依序 產生 /3i-iT=yScT 及 aiT=acT(i = 3 〜m-1，ac 及 /?C = 2-ac不受i之影響而爲一定），再依序產生/ShT、amT、 /3 mT， n = 2m+l(m爲3以上）時，若nT標示之開始時間爲 Τ〇，在從TG之延遲時間Tdl’T後會依序產生α厂丁、 /3ΓΤ、a2’T=acT，大致保持週期爲2T之情形下，交互 依序產生 /3 cT=/S i_〗’T 及 a cT=a i’T(i = 3 〜m-1)，再在 -152- 1245285 (147) /Sm.i’T後，依序產生am’T及/5m’T， 且，3以上之m之同一分割數m時，滿足Tdr = Tdl、 CL \ ~ Οί \ ^ /3 ι，=/3 ι+Δ 】（〇<△ 1)、 β m-l ~ β △ 〜1)、( 〇 < Δ m $1)、Δ mm = 係’且 ’ Tdl、CL 1 Λ β \ ' Δ 1 (X C ^ β m-l Δ m - 1 Cl m Λ △m、/3m、不受m之影響而爲一定之記錄方法。 此時，使m = 2時之α 1、α 1 ’、冷1、冷！ ’、α 2、 Q2’、石2、/32’分別等於m爲3時之ai、αΓ、/3^、 /3 m-Γ ' a m > am’、、冷 m’（但，冷 2’ 可在 ±0·5 之範 圍內進行調整）。 前述之記錄方式CD1-1、2-1、及DVD1-1、2-1在此 種記錄脈衝分割方式（II-A)時，各參數之範圍及大小關係 會有更多的限制。 上述記錄脈衝分割方法（II-A)中，「保持週期大致爲 2T」係指（ySM+aJTWTGM 〜m)及（/3Μ，+αί，）Τ = 2Τ(ί = 3 〜m-l)，其不但表示可容許無法避免之從以實現電子電路 爲目的之2T的偏離以外，亦表示可容許（yg1+a2)T及（ /Su+anOT在±0·5Τ之範圍內進行微調。 如上面所述，m爲3以上（η爲6以上）之標示長度方 面’可以11個獨1L參數（丁 di、αι、冷1、△〗、qc、 /3 nn、a m、△ m、冷m、△ m’）來規定記錄脈衝分 割方法’另外，若規定n = 3之Tdl、a〆、 ySi，（計3 個）、111 = 2(11 = 4、5)之丁(^、丁£11，、^2，、/52，（計4個）之參 -153- 1245285 (148) 數，則可決定所有以形成3〜1 1爲止之標示長度爲目的之 記錄脈衝分割方法。又，Pw、Pb在所有區間皆採用一定 之功率電平，則可配合Pe來定義3種記錄功率電平値， 故只要定義計11 + 3+4 + 3 = 21個獨立參數即可。 脈衝分割方式（Π-A)時，爲了使控制記錄脈衝策略之 記錄脈衝及截止脈衝之雷射光（脈衝光）的控制電路（電子 電路）設I十更爲簡化’ 3以上之m時’ Tdi+(2i = 2、（2ι = ac、= 2、石 ^+0^ = 2、及 am=ac 當中至少 1 個 式子可成立。 3以上之m(亦即，6以上之η)時，若Tdl+ai=2、 /3i+a2 = 2、y3m-i+am = 2，貝lj j = l〜m爲止之各記錄脈衝 a iT之消失可以和時鐘週期同步，有利於進一步之電路簡 化。此時，Tcn’+a^’y。又，/3】’+a2’ = 2.5，亦即，若 万貝[J i = l〜m-Ι爲止之各記錄脈衝ai’T之消 失可以和時鐘週期之1/2周期同步，除了可大幅減少獨立 參數數目，亦可進一步簡化電路。 此時之獨立參數爲記錄功率電平之3個；n = 3時之 Tdl，、α Γ ' /3ι，之 3 個；η = 4、5 時之 Tdl、Tdl，、a 2? ' 冷2’之4個；以及6以上之n時之（αι、Δι' ac、 △ m.i、am、Am、y3m、Am’）之 8 個；故，合計爲 3 + 3 + 4 + 8 = 18個’可簡化參數之決定。若2以上之所有 m(n爲4以上）時能爲Τυ+α^Τυ’+α】’^。此時，因 n = 4、5時之Ten、Tdl’之2個皆爲非獨立，故獨立參數爲 16個。又，3以上之m時，若或ai=ac，則有 -154- 1245285 (149) 利於進一步減少獨立參數數目目。若α m= ^ i = α c，則獨 立參數數目目爲14個。 亦即’ m = 2時亦和m = 3以上時相同，Tdi+ai = Tdi，+ α 1 =2 ' αι=αι’、冷】+α2 = 2、a2=ac當中之至少其中 之一應成立。 又’不硎am、、及ac是否相等，αι/ac、am/ ac之比、或ai-ac、am -qc之差若爲預先決定之値， 則a c決定的話，α !及α m亦會同時決定，故可減少參數 之數目。此時’具體而言，ai/ac、am/ac之比應爲1 〜2之値。又’ 之比若爲此範圍之値， 亦可爲不同之値。 又，尤其是，ai>ac時，有時可降低記錄上之必要 功率’此時’應積極使αι及ac爲不同之値。 又’亦可以使n = 3時之〇 !，等於η爲4以上時之 、或使η = 3之時之αι’及η爲4以上時之~或〇(：具 有一定之比或差。 另一方面，記錄脈衝分割方法（III)時應使用以下經過 簡化之記錄脈衝分割方法。3以上之m(亦即，6以上之η) 時 ，滿足 Tdl’ = Tdl、a r =a 1 、β \ ’ = β \ 、/3 i+j 2=1.5 〜 2.i 5、/3m-i+am=1.5 〜2.5 、β m · 1 - Θ m - 1 + △ m - 1 ( △ m - 1 = 0 〜 l) 、m ~ CL m~^Am (Ο^Δηι ^ 1) 、△ m m + △ m - △ m-1+Δ m + Δ m ’ = 0 · 5 〜1 · 5、m ’ = yS m + △] m，（ △ m，= 〇 〜 1)之關係，且，
Tdi、αι、冷1、ac在3以上之m時應爲不受m影響而爲 一定。又，Δηι-l、am、3m、△!!!’ 在 3 以上之 m -155- 1245285 (150) 時應爲一定。Δπι方面，可以取△011及^012之2個數値， 但以△ 0!〗=△ m2較佳。△ m-!、△ m’皆以0〜0.7爲佳，且皆 以0〜〇 · 6最佳。△ m以大於〇、0 · 7以下爲佳，大於〇、 0.6以下更佳。 可以下述之記錄脈衝分割方法（III-A)進行規定。 亦即， 記錄脈衝分割方法（ΠΙ_Α)係 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲2以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
a iT、 /3 ιΤ、 α 2丁、 /5 2丁、…、a mT、 yS mT 而由m個^丨丁、/3iT所構成之區間，但，Σ〗（αί+Αί) = η-·ΐ) 針對n = 2m+l(m爲2以上之整數）之記錄標示’將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲
αΓΤ、冷厂丁、 α2，Τ、 /?2’Τ、…、am’T、 /3m’T 而由m個ai，T、ySi，T所構成之區間，但’ 1(0^’ + /3 i ’）= n-k， 在bT及ai，T之時間（i爲1〜m之整數）內’照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但， -156- 1245285 (151)
Pe/Pw = (K2 〜0.6)， 而在及/3i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，則會 照射PbS 0.2Pe之偏功率Pb的記錄光，對覆寫型光記錄 媒體執行記錄之方法， n = 2m(m爲3以上）時，若nT標示之開始時間爲T〇, 在從Τ〇之延遲時間TdlT後並依序產生αιΤ' fiT、 α 2T= a cT後，大致保持週期爲2T之情形下，交互依序 產生 ySi-iT=；3cT 及 <2iT=acT(i = 3 〜m-1，ac 及 y3c = 2-ac不受i之影響而爲一定），再依序產生θπ^Τ、amT、 冷mT， n = 2m+l(m爲3以上）時’若nT標不之開始時間爲 丁〇’在從Τ〇之延遲時間Tdi’T後會依序產生 点！ ’Τ、α 2’T= a cT，大致保持週期爲2Τ之情形下，交互 依序產生/3 cT=々 i-i’T及a cT=a i’T(i = 3〜m-1)，再在 冷n’T後，依序產生am’T及/Sm’T， 且 3以上之 m時，同- -分割數m滿足 Tdr = Tdi a 1 ’ = α 1 、β \’ = β 1 、 β \+ a 2 = 1 · 5 〜2 · 5、冷 „ \·\^〇ί m = :1 · 5 〜 2.: 5、点 m .= β m _ 1 + Δ m . 1 ( Δ π “=0 〜1)、am’ = =a m+ Δ m ( 〇 < Δ m ^ 1) 、△ m · 1 + △ m + △ m ~ 0.5〜1.5、冷爪’= θ m + △ η η ( Δ m = 〇 ' 1 ；)之關係 ，且，Tdi 、α 1、β \ ' a c β m - 1 Δ m · 1 、 a m β m △ m’不受 m之影響而爲- -定（但， 可以 取 Δ m】 及 △ πι 2 之 2 個數値）之 .記錄方法。 又，m = 2時和記錄脈衝分割方法（III)相同，爲使 a!、ai，、冷 1、/3ι’、α2、α2’、/32、/32’分別等於 m -157- 1245285 (152) 爲 3 時之（2ι、6^1 β τη - \ ^ /3 m - 1 、Jm、 (2 m ' β m ^ /3 m ’之光記錄方法。 上述記錄脈衝分割方法（111 - A )中，「保持週期大致爲 2T」係指（泠 Μ+α i)T = 2 丁（i = 2 〜m)及（/3 卜】^)Τ = 2Τ(ί = 3 〜m -1 )，其不但表示可容許無法避免之從以實現電子電路 爲目的之2T的偏離以外，亦表示可容許（/3ι+α2)τ及（ 在土 0.5Τ之範圍內進行微調。 如上面所述’ m爲3以上（η爲6以上）之標示長度方 面’可以 11 個獨立寥數（Tdi、（^1、/3i、ac、ySm.i、 △ m-i、a m、△ ml、△ m2、石m、△ m’）來規定記錄脈衝分 割方法’另外’若規定n = 3、4、5之各Tdl或Tdl’（計3 個）、n = 3之a】’、/3 !’（計2個）之參數，則可決定所有以 形成3〜11爲止之標示長度爲目的之記錄脈衝分割方法。 又，P w、P b在所有區間皆採用一定之功率電平，則可配 合 Pe來定義3種記錄功率電平値，故只要定義計 11+3 + 2 + 3 = 19個獨立參數即可。 前述之記錄方式 CD1-2、2-2、及 DVD1-2在此種記 錄脈衝分割方式（III-A)時，各參數之範圍及大小關係會有 更多的限制。 脈衝分割方式（III-A)時，爲了使控制記錄脈衝策略之 記錄脈衝及截止脈衝之雷射光（脈衝光）的控制電路（電子 電路）設計更爲簡化，應實施以下之事項。 第一點，3以上之m時， 第二點，3 以上之 m 時，Τ(Π+αι=2、a!=ac、/3ι + -158- 1245285 (153) α2 = 2、/3m-i+am = 2、及am=ac之當中至少 ι個式子可 成立。 尤其是，3以上之m時’ Tcn + aid、/3ι+α2 = 2，則 i = 1〜m - 1爲止之各記錄脈衝α ; Τ及a i，Τ之消失可以和時 鐘週期同步，有利於進一步之電路簡化，又，可大幅減少 獨_1^參數數目目。又’因ySfySi’、若 /31+〇!2 = 2則/31’+〇:2’ = 2。同樣的，因丁(31 = 丁(11，、6^1 = α 1’，若 Tdi+a 1 = 2 貝K Tdi’+α ι’=2。 此時之獨立參數爲記錄功率電平之3個；n = 3時之 Tdi、αι、/3ι、之 3 個；n = 4、5 時之 Tdl、Tdl，之 2 個； 以及 3 以上之 m 時之（αι、ac、/3m-i、Δηι-ι、am、 △ m、/3m、Am’）之 8 個；故，合計爲 3 + 3+2+ 7=16 個，可 簡化參數之決定。若々m-】+(2m = 2、am=ac，又，可進一 步減少2個參數而爲1 4個。 或者，ai/ac、am/ac 之比、或 ai-ac、am-ac 之差若爲預先決定之値，則只要決定a c，即可決定a〗及 am，故有利於進一步減少參數之數目。具體而言，αι/ ac及am/ac之比應爲1〜2之値。又，ai/ac及am/ ac之比若爲此範圍之値，亦可爲不同之値。 又，尤其是，ai>ac時，有時可降低記錄上之必要 功率，此時，應積極使a !及a c爲不同之値。 又，亦可以使n = 3時之a等於η爲4以上時之 αι、或使η = 3之時之αι’及η爲4以上時之αι或ac具 有一定之比或差。 -159- 1245285 (154) 2以上之所有m皆爲 Tdl + α !=2更佳。此時，因 η = 4、5時之TdI、Tdl’之2個皆爲非獨立，故獨立參數爲 12個。 亦即，m = 2時亦和m = 3以上時相同，Tdl + a pTcn ’ + αΓ=2、αι=αι’、/3ι+α2 = 2、a2=ac 當中之至少其中 之一應成立。 此時，最簡便之記錄脈衝分割方法係只以1 2個獨立 參數（4以上之Π時之〇1、QC、Δπί-I、Am、石m、Am 、 n = 3 時之 Tdl’、αι’、；3ι’、及 Pw、Pe、Pb)來規定之記 錄脈衝分割方法（ΠΙ-Β)，其定義如下。亦即， 記錄脈衝分割方法（ΙΠ-Β)係 對記錄標示間隔’照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 Pe的記錄光， 針對n = 2m(m爲2以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n _j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲
a: 1 T、 /5 1 T、 a 2 T、冷 2 T、 · ·. 、 a m T、 /3 m T 而由m個aiT、ySiT所構成之區間，但，Si(ai+/3i) = n- j) 針對n = 2m+l(m爲2以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲
αΓΤ、 /3ΓΤ、 a2，T、点 2，T、…、am，T、 ySm，T -160· 1245285 (155) 而由m個ai’T、^’Τ所構成之區間，但，ΣΚαι’ + /3 i，）= n-k， 在aiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照 夠使記錄層熔融之一定記錄功率 Pw的記錄光（ Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 而在/^丁及/^’丁之時間（i爲1〜m之整數）內， 照射Pb S 0.2Pe之偏功率Pb的記錄光，對覆寫型光 媒體執行記錄之方法， n = 2m(m爲3以上）時，若nT標示之開始時間爲 在從TG之延遲時間Td! Τ後產生a i Τ後，大致保持週 2T之情形下，交互依序產生/ScT=/3i-iT及acT = (i = 2〜m-1，ac及y5c==2-ac不受i之影響而爲一*疋） 依序產生/3 mT， n = 2m+l(m爲3以上）時’若nT標示之開始時 To，在從TG之延遲時間Tdi’T後產生α ! ’Τ後’大致 週期爲2Τ之情形下，交互依序產生/^τ=/3ί-ι’τ及α a i’T(i = 2〜m-Ι)，再在点m·〗Τ後’依序產生丁及 /3 m，T， 且，3以上之m時’同一分割數m滿足Tdl’ = ] T d 1 + CK 1 = 2 ' Οί \ = (X \ ^ Λ /5πι·1 — /3ηι·1+Δηι·1 (Διη-Ι。。〜 Q m = C+Δ m (0〈△ 1)、△ m-1+Δ m+Δ m -0.5 〜1.5 /3m’=ygm+Am、△〇!’ = 0 〜1 之關係，且，ac、Δηι-ι、 △m、/3m、不受m之影響而爲一定。 m = 2 時，爲使 αι、αι’、石1、/5ι，、02、α2，、 射足 但， 則會 記錄 To， 期爲 a jT ，再 間爲 保持 :c T = -161 - 1)、 1245285 (156) 冷2、冷2’分別等於111爲3時之αι、αι，、iSst/Sc)、 yS2’（=/3c+Am-l)、 a3(=ac)、 a3’（=Q；c+Z\m)、冷3、 /3 3’（=/5 3+Δπι’）之光記錄方法。 此時，記錄脈衝分割方法（111 - Β )中，3以上之m時、 其至2以上之m時，以ai=ai’=^c更佳。又，尤其是 CD-RW之約20倍速〜32倍速（RW-DVD之6倍速〜12倍 速）時，△，= 〇、亦即3以上之m時應爲々m’=/3m。又，2 以上之m時若0111’=/3111會更佳。 又，（記錄脈衝分割方法III-A)至（III-B)中，使 △ m · 1、△ m ’之其中之一等於零而得到△ m · 1 = △ m，有利於 進一步減少參數之數目。以此種方式來減少參數之數目卻 仍可獲得良好特性者，就是本發明之記錄媒體。本發明之 記錄媒體當中，在使用GeSb系記錄層之光記錄媒體上， 獲得上述良好特性之傾向特別明顯。亦即，採用此種利用 GeSb系記錄層之光記錄媒體，可將以簡便記錄脈衝分割 方法實現良好高速記錄特性之本發明的效果發揮至極限。 (記錄方式CD卜3)或（記錄方式DVD1-3)係本記錄脈衝 分割方法（III-B)時，以α ! = αa c來將記錄媒體之特性 限定於特定範圍，且爲了確保複數驅動器間之記錄互換 性’且採用1 1個限定範圍之獨立參數者。 上述之記錄脈衝分割方法（III)、（III-A)、（ΙΙΙ-Β)之獨 立參數的數目較少，且，可使i=l〜m爲止之aiT的消 失、i=l〜m-1之ai，T的消失和週期2T同步，故爲最適 方法。（ΙΠ-Β)中，如第5圖所示之m爲3以上而具有中間 -162- 1245285 (157) 分割脈衝群時，將4種閘極G 1〜G4加以組合，利用m = 2 時之G1、G3、及G4之組合、n = 3(m = l)時之G3及G4， 可以實現n = 3〜1 1爲止之全部標示長度的記錄。利用此方 式，只以閘極G1、G2和週期2 T同步之電路即可構成， 而無需附加延遲電路，脈衝產生電路之構成上非常簡便。 又，因產生之G1、G3爲獨立，故以相同閘極電 路之組合即可使α 1、a m成爲和a C不同之値。 如上所示，即使和日本特開2 0 0 2 - 3 3 1 9 3 6號公報之具 體發表之任何一種記錄方法相比，（記錄脈衝分割方法 III)、（ΙΙΙ-Α)、及（ΙΙΙ-Β)可以容易取得和基準時鐘週期同 步之簡便電路即可實現。尤其是，（記錄脈衝分割方法 ΙΙΙ-Β)具有以較少之12個獨立參數即可發揮良好記錄特性 的優點。 獨立參數較少，可簡化記錄脈衝產生電路。又，將本 發明提出之覆寫型光記錄媒體及特定記錄用驅動器之組合 的最佳記錄脈衝分割方法中之上述獨立參數的一部份或全 部預先記載於該覆寫型光記錄媒體，並以驅動器讀出此參 數資訊，即可產生最佳記錄脈衝並執行記錄，而且，有利 於減輕預先搜尋記載於碟片之參數的作業。 具體而言，應該記載之記錄脈衝分割資訊的參數方 面，分割記錄脈衝產生方法（ΙΠ-Α)及（ΙΠ-Β)時，爲最佳記 錄功率Pw〇、最佳刪除功率Pe〇、η = 3時之Td丨’、α Γ ' /3ι，、3 以上之 m 時之，Ten、a!、ac、Am.】、 △ m，、 /3m 。？〜(）及 Pe〇’ 亦可以 Pw〇 及 Pe〇 之比（Pe〇/ •163- 1245285 (158)
Pw〇)的方式來提供。 又，將碟片插入驅動器後，預先記載於碟片之値會被 當做這些參數之一部及全部的初始値，並在其附近變化並 實施試寫，並再生該試寫之信號，依據mu、顫動、錯誤 率等決定該碟片及驅動器之組合上的最佳參數，可有效確 保互換性。 如以上所示，即使在高線速下亦可在各非晶標示具有 正確長度且可抑制其邊緣之顫動的情形下執行記錄。然 而，其未必代表標示間（間隔）長度一定正確且可抑制顫 動。尤其是高線速記錄時，標示顫動及間隔顫動之乖離會 特別顯著，有時高記錄功率Pw側之間隔顫動會變大。 脈衝分割方法（I)、（II)、（Π-A)、（III)、（III-A)、及 (III-B)中，尤其是，n = 3時之參數必須單獨決定，而爲和 n = 4以上之脈衝分割方法所使用之參數不同的値。n = 3時 之記錄脈衝寬度應取大於η爲4以上時之其中任一 之a i Τ及α ! ’ Τ的値。因爲必須在沒有後續之複數記錄脈 衝列所造成之蓄熱效果的情形下，以單獨之記錄脈衝來形 成3Τ標示長度。亦即，η = 3時之αα η = 3若太小，則不 易得到3Τ標示長度，α η = 3若太大，則雖然可獲得3Τ標 示長度，但垂直於標示之記錄光束操作方向的方向寬度會 太寬，重寫時會呈現標示之端部容易消失之傾向。因此’ η爲4以上時之〇1及^1’若取一定之時， n = 3時之α ι’=αη = 3應爲an = 3/ at〇p=l〜2之範圍’最好爲 1〜1 .5之範圍。 -164- 1245285 (159) 此時，爲了進一步改善3 T間隔長度顫動，脈衝分割 方法（I)、（II)、（ΙΙ-Α)、（III)、（ΙΙΙ-Α)、及（ΙΙΙ-Β)中，應只 有η = 3、4、5時之TdI、Tdl，和其他η之一定之Tdl、Tdl， 値爲不同的値。 具體而s ’右n = 3、5時之Tdi’分別爲Tdia、Tdic、 n = 4時之Tdl爲Tdlb、6以上之η時之Tdi、Tdl’爲Tdld時 T<na、Tdlb、Tdu當中之至少其中之一爲和Tdld不同的値 又，6以上之η時之Tdi、Tdi’爲一定値Tdl(1、n = 3、5 時之Tdi’分別爲Tdla、 Tdle、n = 4時之Tdl爲Tdlb時， Tdla〈Tdlbg Tdlcg Tdld 。 尤其是，記錄脈衝分割方法（π)、（Π-A)、（III)、（III-A)、及（III-B)中，若 n = 3、4、5 時之 Tdl，、Tdl 不同於 n 爲 6以上時之Tdl時，可以最簡便之脈衝產生電路有效 改善間隔長度顫動，尤其是3T基礎長度顫動之記錄功率 增益。 以記錄脈衝分割方法（I)爲基本，除了應以減少獨立 參數數目目來追求簡化以外，在特定之n()T標示的記錄 上，有時應考慮來自先行及後續之記錄標示的熱擴散所造 成之餘熱的影響，對應先行及後續之記錄標示ηιΤ及 η2Τ、以及ηιΤ標示和η〇Τ標示間之間隔長度nlsT及η〇Τ 標示和η2Τ標示間之間隔長度n2sT之組合，對以形成η〇Τ 標示爲目的之記錄脈衝分割方法進行微調。 此時，CD時之η〇、ηι、η〗、nls、n2s爲3〜11之整數 的宜中之一。又，DVD 時之 n〇、ni、n2、nis、n2s 爲 n_3 -165- 1245285 (160) 〜11、及14之整數的其中之一。 此時，規定以形成n G T標示爲目的之記錄脈衝分割方 法的上述參數當中，尤其是，應對應（ni、nls、n〇、r^s、 n2)之組合來實施（Tdi、α 1、a m、石m)微調。又，n〇T標 示之記錄亦可參照（ni、nis、nQ、n2s、η2)之一部份。 又，因熱干渉在間隔長度較短時會較爲顯著’故只有 nls及n2s爲3時，才可使用和nls及n2s爲不同値時之不 同的（Tdl、a!、am、/5m)。其中，尤其以調整（Tdl、/3m) 較爲有效。 上述之記錄方法時，可在保持C D · RW規格之互換性 的情形下實施良好重寫。亦即，重寫EFM調變信號後之 信號特性方面，上述之調變度mu爲60%以上、對稱爲〇 附近，而具有CD之互換性，又，再生信號之各標示及標 示間（間隔）之顫動爲35nSeC以下（1倍速再生時），且維持 具有標示長度及標示間隔大約爲nT*V(T爲資料之基準 時鐘週期、η爲3〜11之整數、V爲再生時之線速度）之長 度的記錄品質。其代表之實際意義爲，利用可再生CD-RW碟片之市面上銷售的CD-ROM驅動器在低錯誤率下執 行再生。 又，上述之記錄方法時，可在保持RW-DVD規格之 互換性的情形下實施良好重寫。亦即，重寫EFM +調變信 號後之信號特性方面，上述之調變度mi4爲5 5%以上、對 稱爲〇附近，而具有DVD之互換性，又，維持再生信號 之顫動爲15 %以下（1倍速再生時），甚至於1〇 %以下之之 -166- 1245285 (161) 記錄品質。其代表之實際意義爲，利用可再生RW-DVD 碟片之市面上銷售的DVD-ROM驅動器在低錯誤率下執行 再生。 5、複數且廣泛範圍之線速之記錄方法 其次，針^彳本發明弟4要旨之記錄方法進行說明。 本發明之媒體，只要決定其記錄方法，在至少以8至 1 〇倍速爲下限、2 4至3 2倍速之高線速爲上限的任意線速 下，即可成爲以傳統之C D - RW可再生系統執行良好再生 之覆寫型光記錄媒體，同時，容易獲得媒體及驅動器之互 換性。 其次，使用上述之分割記錄脈衝發生方法（II)或（ΙΠ) 時，記錄脈衝群之切換週期爲大致2 T而保持一定，利用 變更ai及(以及α/及/3/)(此時i = l〜m-1)之工作 比，即使在不同線速下使用同一媒體，亦很容易極可尋得 最佳分割記錄脈衝策略。 此時，任一線速下，通常爲了形成長度、riT之標 示，會採用交互照射記錄功率Pw及偏功率Pb之第5圖 所示之脈衝分割方式，然而，決定此具體例方式之參數的 最佳値，一般會隨線速而改變。因此，應預先在本發明之 媒體上記錄對應記錄線速之最佳記錄功率PwG、最佳刪除 功率Pe〇、最佳偏功率PbG、ai (i爲1〜m之至少其中之 一）、/3i = (i爲1〜m之至少其中之一）、分割數m等之脈 衝分割資訊當中之至少其中之一。 -167- 1245285 (162) 其次’說明以記錄脈衝分割方法（I)爲基本之記錄脈 衝分割方法（IV)。 (言己錄脈衝分割方法（IV)) 覆寫型光記錄媒體係圓盤狀之碟片，以複數之記錄線 速度對同一碟片面內執行記錄，使其記錄線密度固定且和 以1倍速基準速度（1.2m/s〜1.4m/s)實施CLV記錄之光碟 相同，若最大線速度Vmax爲20、24倍速或32倍速、該 Vmax 時之 ai=aimax(i = l 〜m)爲 0.5〜2、該 Vmax 時之 αι，= a imax’（i=l〜m)爲0.5〜2，則使用當線速度愈低時α |及 a i’（i = l〜m)亦會分別呈現單調減少之上述記錄脈衝分割 方法（I)的方法。 對於由記錄脈衝分割方法（I)衍生出來之（11)、（11_ A)、（III)、（III-A)、（III-B)之各種方法，亦可以同樣方式 定義記錄脈衝分割方法。下述「記錄脈衝分割方法（V)」 係在記錄脈衝分割方法（IV)使用記錄脈衝分割方法（II)時 的情形。 又，以下之説明中，1倍速基準線速度、最大線速度 Vmax、及最小線速度Vmin在未特gij註明時，係分gij爲CD-RW及RW-DVD之値。 亦即，1倍速基準線速度Vi在CD-RW時爲1.2m/s〜 1.4m/s，在 RW-DVD 時爲 3.49m/s。 又，最大線速度Vmax在CD-RW時，係上述CD-RW 之基準線速度的20〜32倍速範圍之其中任一種線速度， -168- 1245285 (163) 特別針對20、24、或32倍速。RW-DVD時，係上述RW-DVD之基準線速度的4〜12倍速範圍之其中任一種線速 度，特別針對4、5、6、8、1 0、1 2倍速。 同樣的，最小線速度 Vmin在CD-RW時，係大約22 倍速以下之其中之一之線速度，RW-DVD時，係約7倍速 以下之其中之一之線速度。當然，成對使用Vmax及Vmin 時，可從Vmax>Vmin之線速度範圍內選取。 因此，在以下之説明中，若針對CD-RW時，則1倍 速基準線速度、Vmax、Vmin、係採用上述記載之 CD-RW 値，若針對RW-DVD時，貝IJ 1倍速基準線速度、Vmax、 Vmin係採用上述記載之RW-DVD値。 (記錄脈衝分割方法（V)) 覆寫型光記錄媒體係圓盤狀之碟片，係對同一碟片面 內，使其記錄線密度和以1倍速基準速度之CLV記錄的 光碟相同且保持一定，並以複數之記錄線速度來執行記錄 之光記錄方法’若最大線速度Vmax時之ai=aimax(i = l〜 m)爲 0.5〜2、該 Vmax 時之〜m)爲 0.5 〜 2，則使用當線速度愈低時α ,及a i ’（ i = 1〜m)亦會分別呈 現單調減少之上述記錄脈衝分割方法（II)的方法。 又，在上述記錄脈衝分割方法（V)使用記錄脈衝分割 方法（Π-A)時’即爲記錄脈衝分割方法（ν·Α)。 又’在記錄脈衝分割方法（IV)使用記錄脈衝分割方法 (III)時，即爲下述之記錄脈衝分割方法（VI)。 -169- 1245285 (164) (記錄脈衝分割方法（VI))
覆寫型光記錄媒體係圓盤狀之碟片，係對同一碟片面 內，使其記錄線密度和以1倍速基準速度之CLV記錄的 光碟相同且保持一定，並以複數之記錄線速度來執行記錄 之光記錄方法，若最大線速度 vmax時之ai=a imax(i=l〜 m)爲 0 · 5 〜2、該 V m a x 時之 a i ’ = a i m a X ’（ i = 1 〜m)爲 0 · 5 〜2 時，則使用當線速度愈低時α ,及a ,’（i = l〜m)亦會分別呈 現單調減少之上述記錄脈衝分割方法（III)的方法。 此時，將在上述記錄脈衝分割方法（VI)使用記錄脈衝 分割方法（III-A)時稱爲記錄脈衝分割方法（VI-A)。又，將 在上述記錄脈衝分割方法（VI)使用記錄脈衝分割方法（III-B)時之記錄脈衝分割方法稱爲記錄脈衝分割方法（VI-B)。
又，上述記錄脈衝分割方法（IV)、（V)、（VI)之各方法 中，「單調減少」係指執行重寫記錄之最小線速度 Vmin 時之ai爲aimax(i=l〜m)時，對所有η及i皆爲aimin< a imax。但，位於Vmin及Vmax之間之線速度時，α ,亦可 爲不受線速度影響而爲一定，原則上，較低之線速度會取 較小之値。 又，a i之大小的比較係針對同一 η之i = 1〜m之各
Vmax時之aimax及aimax’大約爲1，具體而言，爲〇·8 〜I·5。尤其是i = 2〜m-1之（2imax及CKimax’應爲0.8〜1.2 之範圍。亦即，Vmax中，ΣΚ a imax)及ΣΚ a imax’）應爲大約 -170- 1245285 (165) n/2或小於n/2之値。 其认 ’ i m i n 應爲 ^loi^Vmin/Vmax) a imax、^10^0.8 〜1.5 之範圍，且爲小於a imax之値，Vmin及Vmax之間的線速度 時’ a i應爲此a i m i η及a i m a x之間的値。η 〇最好爲1〜1 . 3 之範圍。 a i 、a imin 、a imax (i=l 〜m)亦相问。此時，i) n( a i’）會隨著線速度降低而呈單調減少。 又，n = 3時，α Γ亦會隨線速之降低而單調減少。另 一方面，Td! ’、万！，則會隨著線速之降低而呈單調增加。 此時，記錄線密度爲一定所代表之意義爲，記錄線速 度爲V、此時之資料基準時鐘週期爲T時，VT爲一定。 且’記錄線密度爲一定所代表之意義爲，1倍速基準線速 度Vi時之資料基準時鐘週期爲Tl時，VT = VlTl。利用此 方式，在和記錄時之線速度大小無關之情形以一定線速度 執行再生時，可以和CD相同之再生系執行再生。又，VT 係相對於νβ!而爲CD之再生電路上可容許之程度的偏 離，通常，容許±5 %程度之偏離。 又，CD-RW時1倍速爲1.2m/s之理由係在於，縮小 標示之物理長度並提高記錄線密度。此時，可達到65 0〜 700MB之容量。 各 m 時之 Tdi+αι、/Si-i+ai、Tdl’+ai’、 β '·\’ + α i’（i=l〜m，至少i = 3〜m-2)不受線速度之影響而爲大致 一定，有利於脈衝產生電路之簡化，尤其是m爲3以上 標示時，除了電子電路上無法避免之顫動以外，最好爲一 -171 - 1245285 (166) /-«-r 疋。 具體而言，從vmin至vmax爲止之線速度範圍時，3 以上之 m 時之 Tdi+αι、Tdi’+ai’、；9i.i+ai = 2、/3μ’ + a ,’=2(i = 3〜m-1)應分別不受線速度之影響而爲一定。 其中，若使用對應記錄脈衝分割方法（ΙΠ-Β)之記錄脈 衝分割方法（VI-B)，則所有線速度下，Tdi + α广丁^十 αι’=2、i = 2〜m時之/3i-i+ai = 2而爲一定，最好i = 2〜m-1時之/3 μ’ + a i’亦爲一定且等於2。利用此方式，可使 i = 2〜m-Ι時之yS M+α i(y3 i-ι’+α i’）和2T週期同步。其代 表只以第5圖中之閘極Gl、G2和週期2T同步之電路即 可構成。其次，即使T爲對應線速度而爲可變，只變更 G 1及G2時之a i的工作比，即可得到可對應所有線速度 之記錄脈衝策略，故可簡化記錄脈衝策略之記錄脈衝及截 止脈衝之雷射光（脈衝光）產生的控制電路（電子電路）設 計。 另一方面，/5m、Pm’通常爲〇〜2之範圍內，隨線速 度之降低而呈單調增加。單調增加所代表之意義和上述 (^i、ai’時之卓I周減少時相问’ Vmin及Vmax間之線速度 時，/3m、ySm’亦可不受線速度之影響而爲一定’然而’ 原則上，較低之線速度時應取較大之値。 和相同，/3,亦可爲0〜2之範圍，但在CD-RW 之約16倍速以下之低線速度的n = 3時’ /3 m、石m’應爲0 〜3之範圍的値。 因此，不論使用何種線速度，應爲冷m = 0〜2及 -172- 1245285 (167) = 0〜3，且，石⑺及/?，隨線速度之降低而呈單調增加 的話，則所有線速度下皆可實施良好記錄。此時，Θ m ’隨 線速度之降低而呈單調增加，係代表△ m ’隨線速度之降低 而呈單調增加。 實際上，記錄脈衝分割方式（VI-B)時，應爲隨線速之 降低而使yS m呈單調增加，且，△ m ’亦呈單調增加。 又，（記錄脈衝分割方法VI-A)或（VI-B)時，使所有線 速度下之Διη-Ι、Δη!’之其中之一爲零、或則 可進一步減少參數之數。本發明之記錄媒體亦利用此方式 減少參數之數並可獲得良好特性。本發明之記錄媒體當中 之使用GeSb系記錄層之光記錄媒體，獲得上述良好特性 之傾向特別明顯。亦即，利用上述使用GeSb系記錄層之 光記錄媒體，最能發揮以簡便記錄脈衝分割方法實現良好 高速記錄特性之本發明效果。 又，n = 3 時之 Tdl’、ai，、 ，當中，若 Tdl’及 /3!’ 隨線速度之降低而呈單調增加，而a i，隨線速度之降低而 呈單調減少，則各線速度皆可得到正確3 T標示長度及低 顫動。 如上所示’以第5圖所示之簡單邏輯閘極之組合，在 各線速度下，以變動資料基準時鐘週期T即很容易可產生 記錄脈衝。 此時，在Vmin〜Vmax之線速度範圍內，3以上之m 時之 Tcn+α ,、Tdl，+a 】，、 β a i = 2 > 冷卜厂十 ^ i’ = 2(i = 3〜m-1)若能進一步不受線速度之影響而分別爲 -173- 1245285 (168) 一定，則更有利於簡化。 又，m爲2以上時，這些値若能不受線速度之影響而 爲一定則更佳。
其他週期相關方面，CD-RW時之至少2倍速程度之 線速範圍時，因記錄脈衝分割方法之各參數的線速依存性 較小，2以上之m時之偶數長度標示的^1 + α2、以及2以上之m時之奇數長度標示的 /3 Γ + α 2 ’之値的一部份或全部係不受線速之影響而爲一 定。 此時，CD-RW時之 2倍速程度的線速範圍係指， Vmin = 8倍速、vmax = 24倍速時，在如8〜10、1〇〜12、12 〜14、14 〜16、16 〜18、18 〜20、20 〜22、22 〜24 倍速 之範圍，對各大約2倍速來變更這些參數即可。
另一方面，RW-DVD時，至少在0.5倍速程度之線速 範圍內，因記錄脈衝分割方法之各參數的線速依存性較 小，2以上之m時之偶數長度標示的+ «2，以及2以上之m時之奇數長度標示的*fam’、 θ Γ + α 2 ’之値的一部份或全部應不受線速之影響而爲大致 一定。 此時，RW-DVD時之0.5倍速程度之線速範圍係指， 例如，Vmin = 2倍速、Vmax = 6倍速時，在如2〜2.5、2.5〜 3、3〜3.5、3.5〜4、4〜4·5、4·5〜5、5〜5.5、5.5〜6 倍 速之範圍，對各大致0.5倍速來變更這些參數即可。 當然’若這些値在V_〜Vmax之範圍的全線速下能 -174- 1245285 (169) 爲一定則更好。記錄脈衝分割方式（v 1)、（v 1 · A)、（V 1 - B ) 時，m爲3以上時之偶數長度標示的ySea:、 在Vmin〜Vmax之範圍的全線速下若爲一定’則較易獲得 良好記錄信號品質，故最好採取此方式。此時，又以/3 1 + a2 = 2、且一定爲最佳。 此「週期一定」係指在分割脈衝產生電路之設定値的 分解能力容許範圍內爲一定，以時鐘週期T規格化時，可 容許±0·01Τ以下之誤差。 再度以第4圖之CD-RW爲例來説明記錄脈衝分割方 式（IV)、（V)、（VI)之意義。若在本發明記錄媒體上直接將 適合24或32倍速之a,、ySi直接使用於8〜32倍速之全 線速度範圍，且只有資料之基準時鐘週期爲可變，並只以 低線速執行記錄時，會如第4圖中以點線表示之曲線e所 示，低線速之記錄層的冷卻速度會顯著降低，而妨礙非晶 化。和高線速相比，低線速之基準時鐘週期 T會相對較 大，故照射截止脈衝之絶對時間會較長，然而，因照射記 錄脈衝之絶對時間亦會同時較長，結果，單位時間之照射 能量會變大而降低冷卻速度。因此，本發明之二倍時間基 礎記錄策略，會以降低記錄脈衝之工作比並利用降低線速 度來增長截止脈衝區間，實施低線速時之冷卻速度降低的 補償，而可實現相當於第4圖之曲線d所示之特性。 (記錄方式CD2-3)、（記錄方式DVD2-3)係限定記錄脈 衝分割方法（VI-B)中之各參數的範圍並和（記錄方式CD 1-3)或（記錄方式DVD1-3)組合，可將第4圖之曲線d定義 -175- 1245285 (170) 於特定範圍內，並簡便地規定特定範圍之特性的記錄媒 體。 又，使用任何線速度時’ /5 iT(i = i〜⑴及万i’T(i=l〜 m-1)應爲2奈米秒以上。具體而言’光記錄媒體之任何半 徑位置時，QiT、ai’T(i = 1 〜m)及 0iT、石 i’T((i=1 〜m-1) 若爲2奈米秒以上，後述之CAV記錄或P-CAV記錄時亦 可執行良好記錄。 上述方法中’ pb、Pw、及Pe/Pw比最好爲不受重寫 時之線速度的影響且爲一定。若η〜Vmax之範圍內之 線速度V的最佳記錄功率爲Pw〇、最佳刪除功率爲Pe〇 ’ 通常，會選取使顫動及錯誤率爲特定値以下之 Pw〇及 Pe〇。通常，會選取使Peo/Pwo比成一定之PeG，然而，此 比應爲0.2〜0.6，0.2〜0.4爲佳，0.3〜0.4最好。又，若 Pw〇較高則會促進重覆重寫所導致之劣化，故重覆重寫應 規定爲特定次數以上，通常爲1 〇〇〇次以上。依此觀點決 定之Pw〇會因線速度而不同，然而，上述線速度範圍之 Pw〇之最小値對最大値之比應爲0.8以上。 此時，記錄功率等相關資訊及脈衝分割資訊愁預先以 凹凸坑信號或溝變形信號記載於碟片上。結果，記錄用驅 動器可自動選取最佳脈衝策略。預先記載之資訊應至少爲 執行重寫記錄之最大、最小線速度Vmin、Vmax之値； Vmin、Vmax、及其間之數個線速度V時之最佳Pe/Pw比、 最佳記錄功率PwG '最佳刪除功率Pe〇、最佳偏功率Pb〇 之値；以及記錄脈衝分割方法（II-A)、（III-A)、（III-B)中 •176- 1245285 (171) 説明之獨立參數之全部或一部份的數値。但，Pb〇通常爲 一定，且和再生光功率Pr相同。 上述線速度V在CD-RW時，會以大於大約4倍速程 度之間隔來選取，例如，8 - 2 4倍速時會選取8、1 2、1 6、 2 0、2 4倍速，亦可小於此。 上述線速度V在RW-DVD時，會以大於大約1倍速 程度之間隔來選取，例如，2 - 6倍速時會選取2、3、4、 5、6倍速，亦可小於此。 尤其是對應於記錄脈衝分割方法（III-B)之（VI-B)時， 若規定4以上之n時之ac、An、Am、/3m、△，、 n = 3 時之 Tdl’、αΓ、ΘΓ、以及 Pw、Pe、Pb 之合計 11 個參數，則可決定全部以形成3〜11爲止之標示長度爲目 的的記錄脈衝分割方法。應將此Π個獨立參數針對預先 選取之各線速度實施最佳化，並記載於碟片上。 後述之CAV及P-CAV記錄時，即使以未預先選取之 線速度來執行記錄，亦會讀取預先選取之記錄線速度時之 上述參數的一部份或全部値，並利用此値計算上述未預先 選取之線速度時之記錄的最佳記錄脈衝策略之參數（例如 ac等）。因此，若針對預先選取之各線速度實施上述η 個獨立參數之最佳化，且記載於碟片上，則Vmin、Vmax 間之任意線速度皆可有良好之重寫。 如此，將本發明記錄媒體、及可執行複數線速度之1 光束重寫的本發明記錄方法進行組合，可以實現以下之2 種使用方法。 -177- 1245285 (172) (使用方法1 ) 首先，以現狀之CD裝置而言，使碟片旋轉之轉軸馬 達的最大限界爲1 0000rpm程度。通常被應用做CD基板 之分子量1 2000〜20000之聚碳酸酯樹脂時，若爲前述以 上之旋轉數，則可能出現因離心力過大而遭破壞的現象。 CD-RW通常爲直徑12cm之圓盤形狀，應在半徑至少爲 23mm〜58mm、最好爲 2 2〜5 8 m m上具有記錄區域（資訊 區）。以約800 0 rpm使碟片旋轉時，記錄區域之最內圍的 線速度爲1 6倍速，最外圍之5 8 m m的線速度則大約爲3 8 倍速。1 00 00r pm時，因記錄區域最內圍之線速度約爲22 倍速、最外圍之線速度約爲4 8倍速，故想要對全面以約 22倍速以上之一定線速度的CLV方式來執行記錄是不可 能的事。 DVD裝置時，因和CD時相同之基板強度的理由而以 約1 OOOOrpm進行旋轉時，其限界爲內圍約7倍速、外圍 約16倍速。但，本發明之RW-DVD時’因記錄速度之上 限約爲1 0〜1 2倍速，故重寫記錄時之旋轉速度的上限約 爲 6000-7000rpmo 使用方法1在記錄區域最外圍部以最大24倍速以上 之線速度執行記錄再生之CD-RW的記錄及再生裝置、或 記錄區域最外圍部以最大7倍速以上之線速度執行記錄再 生之RW-DVD的記錄及再生裝置時，係採用從內圍部逐 漸提高線速度的記錄方式。此種方式被稱爲’ P- -178- 1245285 (173) CAV(Partial CAV)或 ZCLV(Zoned CLV)。 此時，CD-RW之P-CAV時，係以16至22倍速來執 行記錄區域最內圍之記錄，至24至32倍速之半徑Rs爲 止係以CAV方式執行記錄，比Rs更爲外側之半徑則以24 倍速至3 2倍速之一定線速度來執行CLV記錄。 而 ZCLV時，至半徑Rs爲止之各區域會切換線速 度，以例如1 6倍速、2 0倍速之相對較低之線速度來執行 CLV記錄，並隨著朝向外圍而提高其線速度。 另一方面，RW-DVD之P-CAV時，例如，以4至 7 倍速來執行記錄區域最內圍之記錄，至8至10倍速之半 徑Rs爲止係以CAV方式執行記錄，比Rs更爲外側之半 徑則以8倍速至1 0倍速之一定線速度來執行CLV記錄。 而 ZCLV時，至半徑 Rs爲止之各區域會切換線速 度’以例如4倍速、6倍速之相對較低之線速度來執行 CLV記錄，並限著朝向外圍而提高其線速度。 (使用方法2) 係可完全以C AV模式來對傳統只能以C LV模式執行 記錄之CD-RW或RW-DVD執行記錄的使用方法，此使用 方法可大幅改善必須隨時保持旋轉同步之CD-RW媒體之 弱點一存取、尋覓性能之惡化。尤其是，隨機封包記錄時 對不斷變換半徑位置之封包的存取時具有良好效率，大幅 增加電腦之外部儲存裝置用媒體之便利性。又，C LV因需 以變動旋轉速度爲目的而變動馬達之加速•減速，故需要 -179- 1245285 (174) 消耗較大電力，而此種方法因無此必要而具有大幅 動器之消耗電力的優點。 本發明中，至少會依記錄脈衝分割方法（IV)〜 其中之一，使ai、 ai’（i=l〜m)隨著線速度之降 單調減少，同時使/3 m、/3 m ’呈單調增加。通常， 衝分割方法本身爲一定，但各分割方法之各參霍 Pe、Pb、Tdi、ai、ySi 等）爲可變。 其次，CD-RW時，不論使用上述記錄脈衝分 (IV)〜（VI)之任何一種方法，在以複數標示長度 EFM調變之資訊記錄於圓盤狀之覆寫型光記錄媒 係以線速度1.2m/s〜1.4m/s做爲基準速度（1倍速 使前述光記錄媒體之記錄區域最外圍的線速度達到 速以上之方式來旋轉前述光記錄媒體。 尤其是，使用從內圍部逐漸提高線速度之記錄 P-CAV(Partial CAV)或 ZCLV(Zoned CLV)時，會以 記錄區域最內圍之線速度爲該基準線速度之16 上、愈朝向外圍時記錄線速度愈高之方式來旋轉碟 另一方面，RW-DVD時，不論使用上述記錄脈 方法（IV)〜（VI)之任何一種方法，在以複數標示長 過 EFM+調變之資訊言己錄於圓盤狀之覆寫型光言己 時，係以線速度3.49m/s做爲基準速度（1倍速）， 前述光記錄媒體之記錄區域最外圍的線速度達到5 上之方式來旋轉前述光記錄媒體。 尤其是，使用從內圍部逐漸提高線速度之記錄 減少驅 (VI)之 低而呈 記錄脈 l (Pw ' 割方法 將經過 體時， )，並以 20倍 :方式一 使上述 倍速以 片。 衝分割 度將經 錄媒體 並以使 倍速以 :方式一 -180- 1245285 (175) P-CAV(Partial CAV)或 ZCLV(Zoned CLV)時，會以使上述 記錄區域最內圍之線速度爲該基準線速度之4倍速以上、 愈朝向外圍時記錄線速度愈高之方向來旋轉碟片。 CD-RW及RW-DVD在上述條件下，採用完全CAV模 式或P-CAV模式之記錄時、或者採用ZCLV模式之記錄 時，會依各一定半徑將前述記錄區域區分成複數之虛擬區 域，並使/3 m = 〇〜3，且沒m會隨著朝向內圍區域而呈單調 增加，a i、a i ’則會隨著朝向內圍區域而呈單調減少。 又，以記錄裝置之簡化觀點而言，光記錄媒體之任一 半徑位置之Pb、Pw、及Pe/Pw之値應大致一定。 ZCLV方式（使用方法1)時，各CLV區域會切換基準 時鐘週期T及記錄脈衝分割方法之參數。另一方面，CAV 方式（使用方法2)及P-CAV方式（使用方法1)之CAV區域 時，因線速度會對應半徑位置而成連續變化，故基準時鐘 週期亦會成連續變化。另一方面，記錄脈衝分割方式之參 數會大致對一定線速、亦即各一定半徑寬度設定虛擬區 域’且各區域內爲一定而在各區域間進行切換。該虛擬區 域之寬度應爲使線速度在約0.5倍速至2倍速程度之範圍 內變化。又，原則上，區域之寬度應爲一定，然而，隨著 線速度之提高，亦即愈朝向外圍，區域寬度應愈小。因顫 動等之値會隨線速度之提高而惡化，故應以較精密之方式 來切換最佳參數。 以往，已利用C D - R Ο Μ及D V D · R Ο Μ再生系統來執行 CAV模式之再生，然而，記錄上，因cd-ROM僅止於4- -181 - 1245285 (176) 10倍速、RW-DVD僅止於1-2.5倍速之CAV，故再生時會 以提高旋轉數來執行再生。若最高重寫記錄之線速度僅爲 此程度，則只以CLV執行記錄可實現較短時間之記錄， 故以CAV模式執行記錄之優點較少。然而，如本發明之 最大重寫記錄之線速度在CD時爲24倍速以上、在DVD 時爲6倍速以上時，則利用完全之CAV記錄，更容易發 揮縮短存取時間及降低消耗電力之優點。 如上面所述，CD-RW通常爲直徑12cm之圓盤形狀， 半徑至少爲23mm〜58mm、最好爲22〜58mm上具有記錄 區域（資訊區）。使其記錄區域最內圍以相當於1 〇倍速之 約5 000rpm旋轉碟片，則記錄區域最外圍之58mm的線速 度大致爲24倍速。亦即，通常，CAV方式時之最內圍爲 1 〇倍速時，最外圍大致爲24倍速。同樣的，若記錄區域 最外圍之線速度爲3 2倍速，則記錄區域最內圍之線速度 約爲1 3倍速。 又，RW-DVD通常爲直徑12cm之圓盤形狀，半徑至 少爲 23mm〜58mm、最好爲 22〜58mm上具有記錄區域 (資訊區）。使其記錄區域最內圍以相當於2.5倍速之約 5 OOOrpm旋轉碟片，則記錄區域最外圍之58mm的線速度 大致爲6倍速。亦即，通常，CAV方式時之最內圍爲2.5 倍速時，最外圍大致爲6倍速。同樣的，若記錄區域最外 圍之線速度爲1 〇倍速，則記錄區域最內圍之線速度約爲 4倍速。 此時，若在資料基準時鐘週期T和各半徑位置之線速 -182- 1245285 (177) 度V的積VT爲一定之情形下，使資料基準時鐘週期τ和 半徑距離成反比之方式進行變化，則標示長度、nT不受 旋轉角速度影響而爲一定，不但可實施完全CAV模式之 記錄，亦可實現和再生專用CD或再生專用DVD具有互 換性之一定線密度的記錄。 此時，記錄區域除了使用者資料之記錄區域以外，尙 含有系統使用之試寫區域、讀入、讀出區域等。因此， 22mm及 58mm之半徑位置時，可含有±lmm程度之誤 差。又，以下所使用之頻率値等亦會對應此容許誤差而產 生若干誤差，然而，亦同樣會容許前述誤差。 第6圖係以CD-RW爲例之實現本發明之記錄方法的 記錄裝置構成槪念圖。 第6圖中，光碟片D1係具有含蛇行之螺旋狀溝之基 板及記錄層，前述蛇行之螺旋狀溝係具有間隔頻率一定之 傳播頻率fL〇(fL()係代表CLV記錄時之傳播頻率。），並依 據以位址資訊實施調變之信號而蛇行，且具有識別該螺旋 狀溝之特定位置上之記錄資訊單位的記錄區塊之位址資 訊、以及識別該區塊之開始位置的同步信號。第6圖中， 係具體將覆寫型碟片假設爲光碟，fL() = 22.05kHz時，位址 資訊係以fLG爲傳播頻率而以± 1 kHz頻率實施調變之 ATIP資訊。又，顫動係以線速度爲i.2m/s〜1.4m/s之線 速度實施再生時，以使此傳播頻率fL()成爲22.05kHz而由 溝蛇行所形成。 光碟記錄再生裝置1具有以該碟片之中心部份爲軸而 -183- 1245285 (178) 以等角速度使碟片旋轉之手段的轉軸馬達Μ 1、以及以使 產生以記錄再生爲目的之集中光束的光拾波器移至特定位 址之半徑方向移動機構（LM1)的線性馬達。拾波器PU1上 組合著使以雷射二極體做爲光源之集束光束的焦點聚焦於 光碟之記錄層面的伺服電路（FE 1 )、以及以沿著該螺旋狀 溝實施集中光束之掃描爲目的之溝追蹤伺服電路（ΤΕ1)。 聚焦伺服電路係採用散光行差法、浮幽法法等眾所皆知之 方法。追蹤伺服電路則採用推拉法及3光束法等眾所皆知 之方法（以上請參照「COMPACT DISC讀本」第 3版、 OHMSHA、中島平太郎、小川博共著） 光碟片記錄再生裝置1更具有：進一步從溝蛇行檢 測·解讀傳播頻率fAG、位址資訊、區塊同步信號之電路 (WAD1);以編碼器EDI及ED2產生和該記錄區塊之開始 位置及資料之基準時鐘T(頻率fDG)同步之標示長度經過調 變之記錄資料列的電路；以及對應該記錄資料列實施記錄 雷射功率之調變的電路（WP1)。 光碟D1係利用馬達Ml實施CAV驅動。碟片會以 5000〜7000rpm間之旋轉速度進行CAV旋轉，尤其是 使半徑22mm程度之記錄區域最內圍的線速度爲1.2m/s〜 1.4 m/s的10倍速或13倍速。CAV旋轉係以轉速計監視轉 軸馬達Μ 1之旋轉，利用和特定旋轉數之誤差的回饋，維 持旋轉顫動爲數％以內之精度。 同步信號及位址資訊之解碼’係透過放大器/濾波器 系AF1再生推拉信號Ρ1，檢測顫動信號，再執行ΑΤΙΡ信 -184- 1245285 (179) 號之解碼後，再對含有之同步信號及位址資訊進行解碼。 位址資訊，存取/伺服控制用CPU1會參照同步信號，並 由C P U 1控制特定位址之移動。位址移動係由追蹤伺服 TE 1爲斷開狀態下利用線性馬達LM 1驅動之粗動機構的 半徑移動、以及特定位址附近之追蹤伺服爲導通且在參照 ATIP位址之情形下執行之微調（PU1之物鏡的傾斜微調）， 然而，皆由CPU1控制。 若確認已到達特定位址，則使資料之基準時鐘產生 器一電路CK1之時鐘和AT IP之同步信號同步，對特定之 ATIP框執行記錄。若爲CD_ROM資料，則在EDI執行 ROM資料之編碼後，再在ED2執行CD之編碼。該資料 位元列仍會和資料之基準時鐘同步，該資料列會進一步在 W P 1被變換成記錄用脈衝列，並驅動雷射驅動器L D 1執 行重寫。 又，在到達特定位址後，會透過放大器系 AF1、RF 信號2進位電路系RF 1再生再生信號，使資料之基準時 鐘及EFM框成爲同步，同時以ED2執行CD之資料解 碼，再以EDI執行CD-ROM之資料解碼。 本發明之記錄方法中，和半徑距離成反比之資料基準 時鐘及產生基準時鐘週期T之方法可以有各種考量，其良 好實例如下所示。此處，係以C LV模式之1倍速的顫動 傳播頻率fLG爲22.05kHz ' CAV模式之記錄區域的最內圍 及最外圍之線速度分別爲1 0倍速及24倍速、資料之基準 時鐘爲傳播頻率之1 96倍爲例來進行説明。此時，傳播頻 -185- 1245285 (180) 率ίϊο係容許和22.05kHz有±〇·ι程度之誤差。 媒體具有被附與以 1倍速換算爲具有頻率 fLO = 22.05kHz之傳播頻率之顫動的螺旋狀溝。此媒體亦可 當做通常之CLV模式的高倍速記錄用CD-RW媒體使用。 顫動溝（蛇行構）之顫動爲相當於傳播頻率 fL〇 = 22.05kHz而一定時，CAV旋轉時，再生顫動之傳播頻 率fA〇會對應半徑位置’亦即會對應於對應半徑位置之線 速度而明顯變化。其次，C A V旋轉時，將在此半徑位置再 生之顫動的傳播頻率再生顫動之傳播頻率fAG乘以1 9 6 倍，即可得到和半徑成比率之基準資料時鐘頻率。又， fA0係CAV記錄時之傳播頻率。 在與和此半徑成比率之資料基準時鐘頻率爲同步之情 形下執行記錄，則雖然爲CAV模式，亦可以一定線密度 來執行標示長度調變記錄。 亦即，顫動信號若以C LV旋轉之1倍速模式記載於 基板上，則使媒體進行CAV旋轉時，若不論半徑位置爲 何皆採取同一倍率產生資料之基準時鐘頻率，可使間隔頻 率爲一定，亦即，使線密度保持一定。 例如，若記錄區域最內圍之線速度爲1 〇倍速、記錄 區域最外圍之線速度爲24倍速，以CAV模式再生之顫動 的傳播頻率fAQ，在記錄區域最內圍爲22.05 xlO = 220.5 kHz，在記錄區域最外圍爲 22.05x24 = 529.2kHz。將以乘 以196倍後之頻率分別爲43.2MHz(記錄區域最內圍）及 103· 72MHz(記錄區域最外圍），即爲資料之基準時鐘頻 -186· 1245285 (181) 率。此時，記錄區域最內圍之資料之基準時鐘週期T約爲 23.1 nsec，記錄區域最外圍之資料之基準時鐘週期Τ約爲 9.1 nsec。其間之半徑位置上，只要產生介於其間而和半 徑成反比之資料之基準時鐘週期即可。 另一方面，顫動信號通常會利用ATIP信號實施 ±lkHz之頻率調變，故實際之頻率爲 22.05kHz ± 1 kHz， 顫動信號之1週期大約會出現± 4.5 %之變動。直接將此種 具有偏差之信號乘以特定倍數來得到資料之基準時鐘週期 時，必然會發生±4.5°/。之標示長度的偏差（deviation)。標 示長度記錄時，通常將此偏差稱爲位相移位，此移位量若 接近 5 %則可能無法獲得正確解調。因此，此時需從經過 頻率調變之顫動信號析出傳播頻率fAG並乘以特定倍數。 最近，因爲高密度化之緣故，有時會將基準線速度降 爲比1.2m/s稍小之lm/s程度，縮小顫動之間隔頻率，且 採用較短之標示長度，此時，亦可採用本發明之記錄媒體 及記錄方式。 DVD時，1倍速再生之顫動的傳播頻率fLG在所謂 DVD-RW規格時爲 144kHz(時鐘頻率之 1/157)，在 DVD + RW規格約爲700kHz(時鐘頻率之1/32),雖然有上 述差異，但基本上係以完全相同之原理來構成裝置。 6、本發明記錄方法之其他相關事項 (在傳統之低線速記錄媒體上應用本發明記錄方法） 利用如本發明所示之在24倍速以上之CD-RW及6倍 -187- 1245285 (182) 速以上之RW-DVD應用本發明記錄方法的記錄裝置 既存之4或1〇倍速CD-RW及2或2.4(2.5)或4倍速 DVD執行重寫記錄時，可直接應用傳統之it基礎 略’亦可應用本發明之二倍時間基礎的記錄脈衝分 法。亦即，應用本發明記錄方法（I)、（ 11)、（ Π I)可以 線速執行CLV記錄，應用（IV)、（V)、（VI)亦可以在： 速CD-RW執行4_ 10倍速之CAV記錄、或在4倍速 DVD執行1 .6-4倍速之CAV記錄。 利用上述方式，對傳統大家所熟知之C D - RW及 DVD、以及本發明之CD-RW及RW-DVD執行記錄時 以利用同一記錄脈衝產生電路，故可簡化脈衝產生電 另一方面，傳統之1 T基礎之記錄脈衝分割方法幾乎 能實現本發明可執行之對超高速媒體的記錄。 (其他格式之覆寫型媒體方面） 本發明記錄方法並非只可應用於CD-RW及RW_ 之特定格式的媒體。例如，亦可應用於採用藍色LD 密度覆寫型相變化媒體。又，標示長度調變方式亦未 必須爲EFM及EFM+，例如，亦可爲採用 n = 2、3、 5、6、7、8之（1、7)運行長度有限（RLL)不歸零 (NRZI)調變方式。 實施例 [CD-RW基本例] ，對 RW- 的策 割方 各種 [0倍 RW- RW- ，可 路。 不可 DVD 之高 限定 4、 倒置 1245285 (183) 利用射出成形形成軌距1 ·6 // m、設有以1倍速 (1.2m/s)換算之基準頻率22.05kHz蛇行之螺旋狀溝、厚度 爲1.2mm之聚碳酸酯樹脂基板。 溝寬爲〇.54//m，深度爲34nm。上述皆爲利用波長 爲63 3 nm之He-Ne雷射光以U溝近似之光學繞射法求 取。溝蛇行（顫動）會進一步以± 1 k Η z之頻率調變附與 ΑΤΙΡ之位址資訊。 接著，依序在基板上形成下部保護層、記錄層、上部 保護層、反射層、及紫外線硬化樹脂層。各層之成膜上， 係保持真空狀態下，在上述基板上依序以噴濺法實施積 層。但’紫外線硬化樹脂層（厚度約4 // m)係以旋轉塗布 法塗布。 剛成膜時之記錄層爲非晶，利用經過長軸約150// m、短軸約1.0//m之集光之波長爲810〜830nm之長橢圓 形雷射光，從適當範圍中選取線速及初始化功率進行照 射，使其全面晶化而成爲初始（未記錄）狀態。 正確檢測成膜速率後，以噴濺成膜時間來控制各層之 膜厚。記錄層之組成値係以下述方法取得之校正値，亦 即’先另行實施化學分析（原子吸光分析）求取絶對組成， 再利用前述絕對組成校正以螢光X射線法求取之各元素 的螢光強度。 記錄層及保護層膜之密度，係利用在基板上形成數百 nm程度之厚膜時的重量變化來求取。膜厚則係以觸針計 檢測膜厚進行校正後之螢光X射線強度。 -189- 1245285 (184) 反射層之薄層電阻率係以4探針法電阻計（Loresta Μ P、（商品名稱）三菱油化（現在爲D i a儀器公司製）檢測。 電阻檢測係針對在絶緣物之玻璃或聚碳酸酯樹脂基板 上成膜之反射層來進行檢測、或針對形成上述4層（下部 保護層/記錄層/上部保護層/反射層）膜後之最上層的反射 層進行檢測。上部保護層爲介電質薄膜，因爲絶緣物故不 會影響薄層電阻率之檢測。又，電阻檢測之測量上，係在 直徑1 2 0 m m之碟片基板形狀下，以探針接觸半徑3 0〜 4 0mm之位置來進行檢測。利用此方式，可將其視爲實質 上無限大之面積來進行電阻檢測。 以所得到之電阻値R爲基礎，利用下式計算薄層電阻 率ps及體積電阻率pv。 p s = F · R (3) P y= P s · t (4) 此時，t爲膜厚。F爲依檢測之薄膜區域的形狀而決 定之補償係數，通常爲4.3〜4·5之値。此處爲4.4。 記錄再生評估上係使用PULUSTEK公司製DDU1000 測試器（波長約780nm、NA = 0.5、點形狀在l/e2強度時爲 約1 .32m之圓形，以下將此測試器稱爲測試器i。）、或 PULUSTEK公司製DDU 1 000測試器（波長約7 8 0nm、 ΝΑ = 0·5、點形狀爲i/e2強度約142xl.33m之橢圓形，以 下將此測試器稱爲測試器2。）。將CD之標準線速度 -190- 1245285 (185) 1. 2 m/s視爲1倍速，評估8〜32倍速爲止之重寫特性。 各線速度之資料之基準時鐘週期，會依各線速度而和 1倍速之資料之基準時鐘週期231nsec成反比。 只要未特別聲明，再生係以1倍速執行。使來自 DDU1000之輸出信號通過5〜20kHz會斷開之高頻通過濾 波器後，以時間間隔分析器（橫河電機公司製）檢測顫動。 調變度!( = ：[! ,/Iup)係在示波器上以眼圖觀察方式讀 取。又，RtcP則係另行以CD基準碟片CD 5 B (Philips公司 銷售）來進行校正並求取。 以控制記錄脈衝分割方法爲目的之邏輯位準的產生， 係利用任意信號產生器（AWG620或 AWG710，SONY TEKTRONIX公司製）。從上述信號產生器取得大致相當於 由第5圖之Gl、G2、G3合成之邏輯信號、及相當於G4 之邏輯信號的2種通道之閘極信號，將其當做ECL電平 之邏輯信號，並將其當做閘極信號輸入至上述測試器之雷 射驅動器。 實施EFM隨機資料之1 〇次重寫記錄後，檢測該記錄 資料之標示長度、間隔長度、標示長度之間隔長度之顫 動、mu、RtC)p、及不對稱値。EFM隨機資料會以隨機方 式出現從3T至11T爲止之標示長度及間隔長度。各η時 之標示長度出現頻率在η = 3、4、5、6、7、8、9、11時分 別爲約 34.0、22.2、16.4、10.5、4.9、4.7、4.4、1.0、 1 · 9% °相同η時之標示長度及間隔長度的出現頻率大致相 等。爲實際出現於資料用CD-ROM碟片上之資料圖案的 1245285 (186) 平均値。實際上，因1 1 τ之標示及間隔通常被當做同步用 之圖案使用，故出現頻率較小。 又，未特別聲明時，偏功率Pb和再生光功率Pr相 同，而固定爲。 3 Τ/1 1 T重寫消去率之檢測上，係在實施由3 T標示及 3T間隔（標示間）所構成之重複圖案的1〇次記錄後，重寫 由1 1 T標示及1 1 T間隔（標示間）所構成之重複圖案（1 1 T圖 案）並檢測3 T標示之載體電平降低量（d B單位），將其當做 消去率（erasability)。載體電平之檢測上，係使用 Advantest製頻譜分析器（TR4171)或HP製8 5 6 7A，並將測 試器之再生信號輸出當做輸入。重寫係在各線速下實施， 然而，再生則全部在CD線速（1.2m/s)下實施。頻譜分析 器之 Resolution band width 爲 3 0kHz，Video band width 爲30Hz，輸入阻抗爲50Ω。 重寫特性之評估上，未特別聲明時，爲實施1 〇次重 寫（在未記錄狀態下實施初次記錄後，再對同一磁軌實施 9次重寫）後進行評估。又，加速試驗後之記錄信號的評 估上，係在加速試驗後，只針對加速試驗前實施之1 〇次 重寫記錄之信號的再生進行評估。 (實施例1 ) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成85nm之由（ZnS)8〇(Si〇2)2〇所構成 之下部保護層、17.5nm之由 -192- 1245285 (187)
Ge4Sb82Te14(Ge〇_()4 (Sb〇.88TeG12)o.96)所構成之記錄層、 35nm之由（ZnS)8G(Si02)2G所構成之上部保護層、20〇nm 之由Al99.5Ta〇.5所構成之反射層、及約4 # m之紫外線硬 化樹脂層，製成覆寫型光碟。又，（ZnS)8G(Si〇2)2()所代表 之意義爲，以高頻噴濺法製成由ZnS爲80mol%、5丨02爲 20mol%混合而成之目標物。又，Ge4Sb82Te14、Al99.5Ta0.5 之組成比係原子數比。在以下之實施例中亦同。此 Al99.5Ta〇.5反射層之體積電阻率pv爲80ηΩ·ιη，薄層電 阻率p s約爲0.4Ω/□。初始化係以具有長徑約75 // m、短 徑約爲1 .〇 // m之橢圓點形狀之波長約810nm的雷射二極 體光，以約12m/s線速實施掃描。照射功率爲900mW。 利用ΝΑ = 0·50之測試器1，在此碟片以24及10倍速 實施EFM調變信號之重寫，並評估其特性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw爲一定，Pw 從19mW程度至29mW程度以lmW刻度變化，在各記錄 功率下評估重寫特性。皆針對1 〇次重寫後之値來進行評 估。 24倍速記錄時，採用記錄方式CD卜1。首先，針對 丁cn、Tdl’不受η影響而爲一定時進行檢討，以下，將其稱 爲（記錄方式CDl-la)。（記錄方式CDl-la)係進一步限定 記錄脈衝分割方法（II-A)之獨立參數數目的使用方法。 (記錄方式CDl-la) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 -193- 1245285 (188) 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 iT時之α 1及/3 i 。
Tdi+ α 1 =2、 /3 i.i+α = 2 〜m_l)、 冷 m-i+ a m = 2。 另一 方面 ，針 對m 爲 3 以上時之奇 數 標 示長度、 nT = (2 m + 1)Τ， 將標 示分割 成 m 個 區間 ，並 以 下 述方式設 定記錄脈 衝區 間a i ’T及截止, 脈衝區間/3 ι，Τ 時 之 a i，及 β r ο Tdl，+a r =2、 β Γ + α 29 = 2.35 、但， β丨 l ,= β 1 + Δ 1、 β i - 1 a i，=2(i = 3 〜m -l) β m - m’=2· 4、但 ，a m =a m + △ i m ° 此時 ，Td i = Tdr = 0.9、 a i =α Γ = 1.1、 β 1 ~ 1、 △ 1 = = 0.35 、a , =a i '=a c = :l(i =2 〜m - 1 之 i 時 a c爲一定）、 β m _ 1 = 1、 Δ m - 】=0、 △ m = 〇 • 4、 △ mm " = 0.4 ' a , 11=: 1、 /3 m = β m ，= 0·4 ，3以上之 m時爲一 定 ο 又， m = 2 時之 4T標 示 ，T d 1 = 0.9 > a i =1 .1 、冷 i = l、 α 2 = 1、/3 m = 〇.4 ’ 5T 標示，Tdi’ = 0·9、〜’二1·1、A1’。1·35、 α 2，= 1 ·4、冷 m，= 〇.4。 m=1 時，亦即 3Τ 標示，Tdl，= 〇.9、α ι，= 1·6、 ^ ι ’ = Ο · 7 ο 另一方面’ 10倍速記錄時之記錄方式CD2el的具體 .194- 1245285 (189) 實例，係採用以卞&一 4 h所示之（記錄方式CDhla)。（記錄方式 CD2-la)係進一妒 >限定記錄脈衝分割方式（V)之獨立參數數 目的使用方法。 (記錄方式CD2-ia) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時’將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i T及截止脈衝區間/3 i T時之a i及 β i 0 T d 1 + α 1 = 2、 β \ + a 2=1.8 ' /3 i-ι+α i = 2(i = 2 〜m-1)、 /3 πι·ι+ a ni = 2。 另一方面，針對Π1爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間^ i ’ τ及截止脈衝區間Θ i ’ T時之α i ’及 /Si’。
Td丨，+ α 1，= 2、 但，ySi’ =泠 ι + Δι、 /3 i · 1，+ a i? = 2 (i = 3 〜m -1)、 /3m-i，+am，= 2.55、但，/Sm’=/3m+Am、 a m,= a m + Δ m o 此時，Tdl = Tdl’ = 1.5、αι=αΓ = 〇·5、冷广^、 △ 1 = 0.4、di=ai，=ac = 0.5(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定） •195· (190) 1245285 β Π 卜 ι = 1 · 5、Δ m * 1 = 0.35 ' △ m = 0 . 2、 △ mm- 0.55 、a m = 0.5、 β Π ι = β m ? = 1 .； 3 以上之m時爲 定。 又，m = 2 時 之 4T標示，Tdl =1 .5、a 1 = 0.5 、 β 1 = 1.3^ α 2: =0. 5， ‘ /3 2=1 ·3，5Τ 標 示，T, dr-Ι . 5、 α ι ’ =0 · 5、/3 】 1 . 7、α 2 ’ = 〇 _ 8、 β 2，= 1 · 6 〇 3T標示， τ d丨’ = 1.5、α ι9 = 〇. 8、 β '，= 1。 其次，Td 1 1 ' T d ι ’在所有之η 時 並非一 ， ‘疋， 3T及 4Τ標 示時採用不同 値 之 記錄脈衝分割 方 法（11 - A )時 ，針對 24倍 速之記錄進行 檢 討 。將以下之記 錄 方式稱 爲記 錄方式 CD-
Ila。 (記錄方式CD-IIa) 針對m爲3以上時之偶數長度標示nT = 2mT，將標示 分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間^ 4 τ 及截止脈衝區間/3 i T時之a i及0 i 。
Tdl+ α 1 =2、 /3 1 + α 2 = 1 · 9 5、 /3 i-ι+α i = 2(i = 2 〜m-1)、 冷 m-1+α m = 1.95 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數長度標示 nT-(2m+l)T執fj標不之記錄時’將標不分割成m個區 間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區 間冷i ’ T時之α , ’及冷，’。
Tdi^ α Γ=2 > -196- 1245285 (191) /3Γ+α2’ = 2.25、但， 冷 i_i，+a i，= 2(i = 3 〜m_l)、 β m - 1 + <^m - 2·：)5、但 ’ /3ηι_；βπΊ+ΔηΊ、 〇- m ~~ m △ m 0 此時，Tdi = Tdi’ = l、α i’ = l、/3 1=0.95、△ ^0.3、 a：i=ai’=ac=l(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、y5m.i = l、 △ m-i = 0、 △ m = 0.4、 △ mm = 0.4、 a m =0.95、 /3 m =/3 m ’ = 0 · 3 ， 3以上之m時爲一·定。 m = 2 時之 4T 標示，Tdl = 0.95、afl、/3^0.95. a 2 = 0-95 ^ β 2 = 0.3 5 5T 標示，Tdi’ = l、a ι 9 = 1 ' yS i，= 1 · 2 5、a 2，= 1 . 3 5、/3 2，= 0 · 3。 又，3T 標示，Tdl’ = 0.75、a】，= 1.9、/3】’=0.3。 又，表-1係各記錄方式之Tdl、ai、/3i等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方法（II-A)或（V)爲 準，故記載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方法（II)之10 個參數（Tdi、ai、/Si、Δι、ac、/Snu、△„!·!、am、 △ m、/5m)、及 n = 3、4、5 時之 Tdl、a , ^ /Si。但，n = 3 時之（Tdl’、a !’、/3 Γ)係記載於 Tdl、a !、/3 i 之項。n = 4 時之（Tdi、ai、yS!、a2、冷2)、及 n = 5 時之（Tdl’、 ai’、/3i’、a2’、石：”係記載於丁。、^!、/^、^^、 /3 m之欄。此時，記錄方式CDl-la、CD2-la、CD-IIa之 n = 4、5時之/3 !、θ !’分別等於m爲3時之/5 !、/3〆（= /5 1 + △ 1 )。 -197· (192)1245285 i,iy 寸 ο 寸 〇 寸 o m Ό f—H m Γ^Ί 〇 〇 〇 ε < 寸 ο CN 〇 寸 o ε V—Η 寸 零< o 00 〇 o ON o m m Ψ—H ON o 1 ε <1 Ο tn m O o Ε r—Η ψ—* ο <n o <1 to ο 寸 o r^) 〇 m 卜 ο 卜 V—H m v—< (N 〇s 〇 U^i (N r 1 < ITi O o (^Ί o f—< 1—H τ—^ ^s〇 o 〇 O 00 〇 h f···^ ON H -σ Η On 〇 〇 〇 ο Q\ 〇 ^T) 1—H f—< 1—^ ^T) 〇v o 卜 〇 m ^ 3 II c 寸 II c II c m ^ 3 II c 寸 II c m II c m ^ 3 II c 寸 II c m II c 記錄方式 CD 1 - 1 a CD2- 1 a CD-IIa
-198- 1245285 (193) 第7圖及第8圖係24倍速之（記錄方式CD 1-1 a)及（記 錄方式CD-Ila)時之重寫特性的評估結果。刪除功率Pe及 I己錄功率Pw之比Pe/Pw在（記錄方式CDl-la)時爲0.39， 在（記錄方式CD-IIa)時爲0.33〇Pw在從20mW至27mW 程度爲止會以lmW刻度變化。偏功率pb則固定爲 0 · 8 m W 〇 各圖中之（a)〜（f)分別代表（a) 3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（c)調變度m|1、（d)RtC)p、（e)3T標示 長度、（f)3T間隔長度之Pw依存性。 顫動爲最小之最佳記錄功率，（記錄方式CD1-la)時 爲23 -2 5 mW、（記錄方式CD-IIa)時爲2 3 -2 7mW附近，重 寫特性亦以此功率之値來評估。 第7圖及第8圖之（a)、（b)圖中之橫線，係代表1倍 速再生時之顫動規格上限値=3 5 (nsec)，最佳pw附近時， 可得到3 5 n s e c以下之良好顫動値。又，其他標示長度及 間隔長度之顫動亦爲3 5 n s e c以下。 由第7圖及第8圖之（〇、（d)可知，任何一種記錄方 式皆可得到調變度mM爲60°/。〜80°/。（0.6〜0.8)、RtQp爲15 〜25%(0.15 〜0.25)之値。 第7圖及第8圖之（e)、（f)圖中之實橫線，係代表1 倍速再生時之3T標不長度=3T間隔長度= 231 X 3(nsec)。 又，虛橫線係代表 231nsec X 3 - 40nsec、231nsec X 3 + 40nsec。因標示長度及間隔長度通常容許土 1 〇%程度之偏 離，故在±30〜4 0ns ec以內即可，然而，由圖可知，標示 -199- 1245285 (194) 長度及間隔長度之偏離完全在容許範圍內。同樣的’最佳 P w附近時，4 T〜1 1 T之標示長度及間隔長度皆可得到位 於基準時鐘週期T之± 1 0 %程度範圍內的期望標示長度及 間隔長度。 尤其是24倍速記錄時，將TdI未固定之（記錄方式 CD-IIa)之重寫特性結果的第8圖（a)、（b)、及Tdl爲固定 之（記錄方式CDl-la)之重寫特性結果的第7圖（a)、（b)進 行比較，第 8圖中之 3T間隔長度jitter的最低値 24.1nsec 會低於第 7 圖之 26.9nsec，且，jitter 爲 35nsec 以下之Pw的範圍十分寬廣，而可謂具有功率之增益。 1〇倍速之（記錄方式CD2-la)如第9圖所示。刪除功 率Pe及記錄功率pw之比Pe/Pw爲一定之〇.39，Ρλν在從 1 9 m W程度至2 9 m W程度爲止會以！ m w刻度變化。偏功 率Pb爲一定之〇.8W。 第9圖（a)〜（f)分別代表（3)3丁標示長度顫動、（b)3T 間隔長度顫動、（c)調變度mu、（d)Rt()p、（e)3T標示長 度' (f)3T間隔長度、之Pw依存性。最佳記錄功率在24 倍速記錄時爲23〜27mW附近，然而，10倍速記錄時爲 22-2 7mW附近，重寫特性亦以此功率之値來評估。 第9圖之（a)、（b)圖中之橫線，係代表1倍速再生時 之顚動規格上限値=35(nsec)。任何線速下皆可得到 3 5 nSeC以下之良好顫動値。其他標示長度及間隔長度時， 顫動値亦爲3 5 n s e c以下。 又，由第9圖之（c)、（d)可知，任何線速下，皆可得 -200- 1245285 (195) 到調變度 ΓΠΗ爲 60%〜80%(0.6〜0.8)、Rtop爲 1 5〜 2 5 % ( 0 · 1 5 〜0 · 2 5 )之値。 第9圖（e)、（f)圖中之實橫線，係代表1倍速再生時 之3T標示長度=3T間隔長度=23 1 X 3(nsec)。又，虛橫線 係代表 231nsec X 3 - 40nsec、231nsec X 3 + 40nsec° 因 標示長度及間隔長度方面，通常容許基準時鐘週期T之 ±20 %程度的偏離，故在土 30〜40nsec以內即可’然而’ 由圖可知，標示長度及間隔長度幾乎沒有偏離而在容許範 圍內。同樣的，最佳Pw附近時，4T〜11T之標不長度及 間隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之± 1 0 %程度範圍 內的期望標示長度及間隔長度。對稱値可得到± 1 〇%以內 之値。 將以上說明進行整理則爲，在1 0、24倍速時可獲得 良好記錄特性，若應用本發明之記錄媒體及記錄脈衝分割 方法（II-A)或（V)，則其間之線速時亦可獲得良好特性，再 生信號亦具有可以既存之C D驅動器執行再生之品質。 其次，說明採用24倍速之（記錄方式CDl-la)、（記錄 方式CD-IIa)、以及10倍速之（記錄方式CD2-la)時之重 寫耐久性的評估結果。以 Pe/Pw = 9.4m W/24m W、 8.6mW/26mW、及9mW/23mW實施重覆重寫時之重寫次數 依存性分別如第1 〇圖、第1 1圖、及第12圖所示。各圖 中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔長度顫動。第 圖、第11圖、及第12圖中，爲了以對數圖來表示重 覆重寫次數，將初次記錄當做第1次重寫，而在其上實施 -201 - 1245285 (196) 9次重寫時即代表第〗〇次重寫。以下之實施例中亦同， 對數軸上代表重覆重寫次數。 任何線速下，皆可充份滿足C D - RW要求之1 0 0 0次的 重寫耐久性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3 Τ/1 1 Τ重寫消去率 時，1〇倍速時係採用（記錄方式CD2-la)之3Τ、1 1Τ之脈 衝，24倍速時則係採用（記錄方式IIa)之3T、11T之脈 衝。1〇倍速及24倍速之3T/11T重寫消去率分別爲29、 2 6dB，在各線速下皆可得到充份消去率。 又，對採用（記錄方式CDl-la)、（記錄方式CD-IIa)並 以24倍速實施記錄之碟片執行1 〇5 °C之加速試驗，即使 經過3小時也幾乎無法發現已記錄之信號的劣化。顫動雖 然會上昇5nsec程度，但1倍速再生時爲35nsec以下， 且反射率Rtop、調變度亦幾乎未降低，故維持初始値 之9 0 %以上。 (實施例2) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成80nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成 之下部保護層、1 8nm之由
Ini2Ge8Sb8〇(In().i2(Ge〇.〇9Sb〇 9i)o.88)所構成之目己錄層、 30nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成之上部保護層、200nm 之由Al99.5TaG.5所構成之反射層、及約4 // m之紫外線硬 化樹脂層，製成覆寫型光碟。此A199· 5Ta〇·5反射層之體積 -202- 1245285 (197) 電阻率p v爲80ηΩ · m，薄層電阻率p s約爲0.4Ω/□。初 始化係以具有長徑約7 5 // m、短徑約爲1 . Ο // m之橢圓點 形狀之波長約 810nm的雷射二極體光，以約12m/s線速 實施掃描。照射功率爲900mW。 利用ΝΑ = 0.50之測試器1，在此碟片以24及10倍速 實施EFM調變信號之重寫，並評估此特性。 刪除功率Pe及記錄功率pw之比pe/pw爲一定，Pw 從21mW程度至30mW程度以lmW刻度變化，在各記錄 功率下評估重寫特性。P b爲一定之〇 . 8 m W。皆針1 0次重 寫後之値進行評估。 記錄脈衝分割方法如下所示。 24倍速記錄時，採用記錄方式CD1-1。首先，針對 Tdl、TdI’不受η影響而爲一定時進行檢討，以下，將其稱 爲（記錄方式CD 1-1 b)，係進一步限定記錄脈衝分割方法 (II-A)之獨立參數數目的使用方法。 (記錄方式CDl-lb) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成ni個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間α , T 及截止脈衝區間/3 i Τ時之a i及$ i 。 Τ(Π+ α 1 = 2、 /3 i -1 + a i = 2 (i = 2 〜m -1)、 /? m · 1 切 m = 1 . 9 5。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 -203- 1245285 (198) nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間’並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i，T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之α 1 ’及 β ' ’ Ο Tc 丨1 ’ + α 1 =2、 β Γ+ α 2 =2.3 5 、但， β β 1 + △ 1 ' β i-l，+ a i，= 2(i =3 〜m - 1)、 β m - 1 ? + a m，= 2. 4、但， a m，= a m + △ m Ο 此 時， Td i^Tdi9 -0.9 ^ α ι = a 丨，=1· 卜 β 1 = 1 Δ ! =0. 35 ' a i =a i 9 = a c = 1 (i = 2 〜 m -1 之 i 時α c爲一' 定）、 β η η - 1 = 0.9、 Δ m _ i = 0.1、△ m = 0·3 5 、Δ m m : -0 • 45、 a m = 1 • 05、 β η β m，=〇 .4 ，3以 上之m 時爲一 定。 又 ，m = :2 時之‘ 4T標示 ，Td l = 0.9、 a 1 = 1.1、 β 1 =0. 9、a 2=1.05 ' /5 m = 0 丨·4。又 ，4Τ 標 示 之 i = 0 · 9， 係 等於m = 3(6T標示）時之々2)。 另一方面，5T 標示，Tdl，= 0.9、αι，= 1.1、 冷 1 —1.35、 〇：2’ = 1.4、 /3m’ = 〇.4。 m=l 時，亦即 η 標示，Td丨，= 0.9、6^，= 1.8、 yS 1 ’ = 0.6。 另一方面’ 10倍速記錄時之記錄方式CD2-1的具體 貫例’係採用以下所示之（記錄方式CD2-lb)。（記錄方式 CD2-lbH系；1 —步限定記錄脈衝分割方式（v)時之獨立參數 數目的使用方法。 (言己錄方式CD2-ib) -204- 1245285 (199) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i T及截止脈衝區間/3 i T時之a i及 β i 0
Tdi+ α 1 = 2、 /3 1 + α 2= 2、 /3 i-ι+α i = 2(i = 3 〜ηι·1)、 /3 m -1 + α m = 1 . 9 5。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間’並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間yS i ’ T時之α i，及 β ·'，。
Tdi ’ + α 1 ’ =2、 /3Γ+α2，=2·4、但，^Γ=/3ι + Δι、 /3 i -1，+ α 丨，=2 (i = 3 〜m -1)、 ySm-i，+am，= 2·55、但’冷 am，=am + △ m 0 此時，Tdl = Tdi，= 1.5、Γ = 〇·5、/5^.5、 Δ , = 0.4、 a \= a i = ac = 0.5(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定） β η ,.1 = 1 .45 ' Δ m - 1 [ = 0.45 ^ △ m = 〇.15、△ mm = 0.6、a m = 0.5 β m i = /3 rn ，=1 .2， 3 以上之m時爲一定。 又， m = 2時 之 4T 標不，Τ(Π = 1·5、αι = 〇·5、 β 1 = 1.45 、a 0·! 5、万阳=1.2。又，4T 標示之 yg1 = 1.45. 係等於m =3(n = 6 T 標示）時之/5 2( yS m·!)。 -205- 1245285 (200) 另 一方面 ’ 5T 標不，<2ι=0·5、ySi’ = 1.9、 α2’ = 〇.65、/3 2’ = 1.6。 3Τ 標不 ’ Τ(Π’ = 1·5、Ji’ = 0.8、ι =2。 其次，Tdl、Tdl’在全部η爲非一定，3Τ及4Τ標示取 不同値之記錄脈衝分割方式（ΙΙ_ Α)時，針對在24倍速記錄 上採用以下之記錄方式CD-IIb進行檢討。 (記錄方式CD-IIb) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 ,Τ時之a i及,。
Td 1 + α ι=2 ' 冷 i-ι+α i = 2(i = 2 〜m-1)、 卢 m-l+Q m_1.9 0 另一方面，針對 m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之α , ’及 /3 丨，。
Tdi ’ + α 1 ’ =2 ' 々ι'+α2’=2·35、但，/3ι’=/3ι + Δι、 /3 i-ι’+α i，= 2(i = 3 〜m-1)、 ySm-r+am' = 2.4、但， 此時，Tdl=Tdl，= l、/3i = l、△fO.SS、 a i =a i’=a c=l(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定）、 -206- 1245285 (201) △ m-i = 0.1 、 △ m = 0.4、 △ mm = 0.5 、 a m=l 、 β m=/3 m, = 0.3 ^ 3以上之m時爲一定。 m = 2 時之 4T 標示，Tdl = 0.95、a^l、/Sfl、 a2=l、 /32 = 0.3。5T 標示，Tdl，= l、 αΓ = 1、 /3^ = 1.35^ 2,==1·4、yS 2’=〇·3。 又，3T 標示，Ten’ = 0.5、a ^=2.4、^ ^ = 0.45。 又，表-2係各記錄方式之Tdl、a ,、yS i等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方式（Π-A)或（V)爲 準，故記載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方法（II-A)之 10 個參數（Tdi、αι、冷1、Δι、ac、Δπι·ι、 am、Am、/3m)、及 n = 3、4、5 時之 Tdl、ai、/3i。但， n = 3時之（Tdl’、a〆、冷1’）係記載於 Tdi、ai、/S】之 項。n = 4 時之（Tdl、ai、石1、a2、/32)、及 n = 5 時之 (Tdl’、ai’、/3i’、a2’、石2’）係記載於 Tdl、ai、 yS!、am、Am之欄。此時，記錄方式CD 1-lb、2-lb之 n = 4時之/Si等於m爲3以上時（1126)2^3^^11 = 5時之 係等於m爲3以上時（n^6)之/ίι’ΡθβΔ,)。記錄方 式lib時，η = 4、5時之/3!、/3!’分別等於m爲3時之 β \、 /3ι’（=/3ι + Δι)。 -207- 1245285(202) 寸 ο 寸 o 寸 o (N H Ό < ΓΜ 1—^ m O 〇 Γ^Ί o ε <1 in m O Τ Ο 寸 o ε 1.05 寸 o r—^ iT) o in 〇 〇 寸 丨_— r—^ < 1—^ 〇 寸 O o £ o 寸 ON o ο t—H o <α cn o 寸 o m O to m ON o VO o - ON 寸 (N ir> m 寸 〇 1—H 00 ^Ti 〇 〇 o 00 o 雖一 — 寸 (N •ο 卜 o 〇v 〇 ON o O o ^T) u-i in 〇v 〇 〇 m ^ 3 II c 寸 II c r^i II c m ^ 3 II c 寸 II c <^Ί II c m ^ 3 II c 寸 II c II c 記錄方式 CD 1 - 1 b CD2- 1 b CD-IIb
-208- 1245285 (203)
第13圖及第14圖係24倍速之（記錄方式CDl-lb)及 (記錄方式CD_IIb)時之重寫特性的評估結果，第15圖則 係10倍速之（記錄方式CD2-lb)。刪除功率Pe及記錄功 率Pw之比Pe/Pw在24倍速之（記錄方式 CDl-lb)時爲 0.35，在（記錄方式CD-IIb)時爲0.33，在10倍速之（記錄 方式CD-2-lb)時則爲0.31，Pw在從21mW程度至30mW 程度爲止會以lmW刻度變化。偏功率 Pb則固定爲 0 · 8 m W 〇 各圖係分別代表（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長 度顫動、（c)調變度mn、（d)RtC)p、（e)3T標示長度、（f)3T 間隔長度之Pw依存性。 最佳記錄功率在24倍速記錄之（記錄方式CDi-ib)時 爲25 -2 7mW附近，在（記錄方式CD-IIb)時爲24-2 8mW附 近，在1 〇倍速記錄時爲2 3 - 2 8 m W附近，重寫特性亦以此 功率之値來評估。 第13圖、第14圖、第15圖之（a)、（b)圖中之橫線， 係代表1倍速再生時之顫動規格上限値=3 5 (nsec)。任何 線速皆可得到35nsec以下之良好顫動値。 由第13圖、第14圖、第15圖之（c)、（d)可知，任何 線速下，皆可得到調變度m! i爲6 0 %〜8 0 % ( 0.6〜0.8 )、 Rtop爲1 5〜25%之値。 其次，以（記錄方式CDl-lb)、（記錄方式CD-IIb)、 (記錄方式CD2-lb)執行記錄時，檢測丨倍速再生時之3τ 標示長度及3 T間隔長度。任何記錄方式之3 τ標示長度 -209- (204) 1245285 及3T間隔長度皆位於23 1 nsec x 3之± 1 0%程度之偏離範 圍內。具體而言，第14圖（e)，（f)之圖中之實橫線’係代 表1倍速再生時之3T標示長度=3T間隔長度=231 X 3(nsec)。又，虛橫線係代表 2 3 1 n s e c x 3 - 4 0 n s e c、
231nseC x 3 + 40nsec。因標示長度及間隔長度通常容許基 準時鐘週期T之±20 %程度的偏離，故在±30〜40 nsec以 內即可，由第14圖（e)、（f)可知，標示長度及間隔長度之 偏離全部都在容許範圍內。 同樣的，最佳Pw附近時，4T〜11T之標示長度及間 隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之土 1 0 y。程度範圍內 的期望標示長度及間隔長度。對稱値可得到± 1 〇 %以內之 値。 將以上進行匯整，即1 〇、2 4倍速時可獲得良好之記 錄特性，再生信號爲可以既存之C D驅動器執行再生之品 質。又，其間之線速時亦可利用脈衝調整來獲得良好特
性。 其次，說明採用24倍速之（記錄方式CD 1-1 b)、（記錄 方式CD-IIb)、以及10倍速之（記錄方式CD2-lb)時之重 寫耐久性的評估結果。分別以 Pw/Pe = 25mW/8.8mW、 26mW/8.6mW、26mW/8.1mW實施重覆重寫時，任何線速 下，皆可充份滿足CD-RW要求之1〇〇〇次的重寫耐久性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3 T/1 1 T重寫消去率 時，10倍速時係採用（記錄方式CD2-lb)之3T、11T之脈 衝，24倍速時則係採用（記錄方式CD-Ilb)之3T、11T之 -210- 1245285 (205) 脈衝。1 〇倍速及2 4倍速之3 T /1 1 T重寫消去率分別爲 2 8、2 1 d Β，在各線速下皆可得到充份消去率。 又，對採用（記錄方式CDl-lb)、（記錄方式CD-IIb)並 以2 4倍速實施記錄之碟片執行1 〇 5之加速試驗，即使 經過3小時也幾乎無法發現已記錄之信號的劣化。顫動雖 然會有2nsec程度之變化，但1倍速再生時爲35nsec以 下，且反射率Rt〇P、調變度mM亦幾乎未降低，故維持初 始値之90%以上。 (實施例3) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成80nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成 之下部保護層、15nm之由
Sn2GGei8Sb62(Sn〇 2(GeG 23Sb〇.77)G.8)所構成之自己錄層、 30nm之由（ZnS)8G(Si02)2〇所構成之上部保護層、2 00nm 之由A 1 9 9 .5 τ a 〇. 5所構成之反射層、及約4 // m之紫外線硬 化樹脂層，製成覆寫型光碟。此Al99.5Ta().5反射層之體積 電阻率之Pv爲80ηΩ· m，薄層電阻率ps約爲〇·4Ω/〇。 初始化係以具有長徑約1 5 0m、短徑約1 .0 // m之橢圓點形 狀之波長約810nm的雷射二極體光，以約I2m/s線速實 施掃描。照射功率爲1600mw。 利用ΝΑ = 0·50之測試器1，在此碟片以24及10倍速 實施EFM調變信號之重寫，並評估此特性。 刪除功率Pe及記錄功率pw之比Pe/Pw爲一定，pw -211 - 1245285 (206) 從2 1mW程度至30mW程度以lmW刻度變化，在各記錄 功率下評估重寫特性。Pb爲一定之〇.8mW。皆針對10次 重寫後之値進行評估。 記錄脈衝分割方法如下所示。 24倍速記錄時，採用記錄方式CD1-1，並將其稱爲 (記錄方式CDl-lc)。（記錄方式CDl-lc)係進一步限定記 錄脈衝分割方法（II-A)之獨立參數數目的使用方法。 (記錄方式CDl_lc) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a i T 及截止脈衝區間/3 ,Τ時之α 1及yS 1 。 T d 丨 + α 1 = 2、 冷 i-i+α i = 2(i = 2 〜m-1) 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間α , ’ T及截止脈衝區間/5 i ’ T時之a i ’及 /3 i ’。
Tdl，+ ct !，= 2、 /31’+〇2’ = 2.35、但，；3 1’=3 1+ 八1、 /3 i_i，+a 丨’ = 2(i = 3 〜m_l)、 y3m-l’+(2m =2.45、但’ ^ m = Q m + △ m 0 此時，Tdi = Tdi’ = l、α ι=α ι’ = 1、/5 l= 1、△ ι = 〇·35、 -212- 1245285 (207) ai =ai’=ac=l(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、/3m-i = l.〇、 Δ m.i = 〇 ^ △ m = 〇.5 、 △ mm = 〇.5 、 a m = 0.95 、冷 m = ^ m，= 0 · 3 ， 3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Td】 = l、a! = l、；3ι = 1、 a 2 = 0.95 ^ ^8^0.3’ 5T 標示，Tdl’ = l、 ai，= l、 /5 i，= 1 . 3 5、 a 2，= 1 . 4 5、 /5 m ’ = 0 · 3。 m=l 時，亦即 3T 標示，Tdl’ = 0.75、0:^ = 1.95 1 冷 1 ’ = 0 · 5。 另一方面，l〇倍速記錄時，記錄方式CD2-1之具體 實例係採用以下所示之（記錄方式 CD2-lc)。（記錄方式 C D 2 -1 c )係進一步限定記錄脈衝分割方法（V )時之獨立參數 數目的使用方法。 (記錄方式CD2-lc) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成ni個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a iT及截止脈衝區間^ ,Τ時之a i及 β i 。 T d! + a 1 = 2、 /3 i · i + a i = 2 (i = 2 〜m) o 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i · T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之a i，及 β。。 -213- (208) 1245285
Tdl，+ α !，= 2、 /3Γ+α2’ = 2.4、但，/3ι’=/3ι + Δι、 冷 i-ι,+ α i，=2(i = 3 〜m-1)、 β m - 1 CL m ~2.55 但 ’ /3rn-l ~ β m - 1 Δ m ^ m ~ a m + △ m。 此時，Tdi = Tdi’ = 1.5、α ι=α ι’=0·5、/? ι = 1·6、 △ 1= 0.4、6^=61：|’=61：。= 0.4(1 = 2〜111-1之丨時（2(：爲一定）、 β m -1 = 1 .6 ' △ m_i = 0.35、△ m = 0.2、△ mm = 0.55、a m = 0.4、 /3m=/Sm’ = l.l，3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdi^lJ、αι = 0·5、 /3ι = 1.6、 α2 = 〇·4、点2=1.1’ 5T 標不 ’ T d 1 = 1 .5、 a 1’ = 0.5、5^=2、a 2’= 0.6、^2^1.45。此時，5T 標示 之 /32’= 1.45，係在 m = 3(6T 標示）2 上附加 0.35。 3T 標示，Tdl，= 1.5、= 6、/3^ = 2·；!。 又，表-3係各記錄方式之Tdl、a ,、/3 ,等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方法（Π-A)或（V)爲 準，故記載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方式（II-A)之 10 個參數（Tdl、a】、点1、Δι、ac、冷 md、Δη^-ΐ、 am、Am、/3m)、及 η = 3、4、5 時之 Tdl、ai、/3i。但， n = 3 時之（Tdl’、ai’、/3i’）係記載於 Tdl、ai、冷 1 之 項。n = 4 時之（Tdi、ai、/3i、a2、点2)、及 n = 5 時之 (Tdr ^ a i? ' β \ a i ^ /3 2 ’）係記載於 T di、a i、 /3 1、a m、/3 m 之欄。 -214- 1245285 (209) 此時，記錄方式CD卜lc、2-lc之n = 4、5時之/3ι及 /5Γ等於m爲3以上時
-215- (210)1245285
Ο Ο m ο 寸 1 ' Η <l to ο (Ν Ο ε ΟΝ Ο 寸 τ11 i ο ο 寸 Ο νο ο 寸 Ο ε <3 ο m Ο ε νο — ο 寸 ο <Ι m ο 寸 ο < m w ί ο νο f·^ (Ν VO V—^ (N ο —Η Ο m ο Ο v〇 o •α η 1—， 1·'·^ ......Μ Κ/Ί 卜 Ο 1—Ν iTi V— ! m ^ 3 ΙΟ II C 寸 II C m II C m ^ 3 II C 寸 II c m II c 記錄方式 CD 1 - 1 c CD2- 1 c -216· 1245285 m 1 8圖侄 2 4倍速；7，i「：錄万K i . ϋ : . 1 c ;的重舄苻玨 評住結果、第〗9圖係1 0倍速；Z.(記錄方式C D 2 . ] c )约重 寫特性評估結果。刪除功率P e及記錄功率P w乙比p e / p w 在2 4倍速之（記錄方式C D 1 - 1 c )時爲0.3 1，在1 0倍速之 (記錄方式 C D 2 - 1 Ο時爲 0.3 3，P w在從 2 1 m W程度至 30mW程度爲止以lmW刻度變化。偏功率Pb則固定爲 0.8mW ° 各圖係分別代表（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長 度顫動、（c)調變度mn、（d)RtQp、（e)3T標示長度、（f)3T 間隔長度之P w依存性。 最佳記錄功率在2 4倍速記錄之（記錄方式C D 1 - 1 c )時 爲25-28mW附近，在10倍速記錄之（記錄方式CD2-lc)時 爲2 4 - 3 0 m W附近，重寫特性亦以此功率之値來評估。 第1 8圖、第1 9圖之（a )、（ b)圖中之橫線，係代表1 倍速再生時之顫動規格上限値=3 5 (nsec)。任何線速皆可 得到3 5 n s e c以下之良好顫動値。 由第1 8圖、第1 9圖之（c)、（ d)可知，任何線速下， 皆可得到調變度mil爲60%〜80%(0.6〜0.8)、Rt〇p爲15〜 2 5 %之値。 其次，以（記錄方式C D 1 - 1 c )、（記錄方式C D 2 - 1 c )執 行記錄時，檢測1倍速再生時之3 T標示長度及3 T間隔 長度。任何記錄方式之3 T標示長度及3 T間隔長度皆位 於231 X 3nseC之土 10 %程度之偏離範圍內。具體而言，第 18圖、第19圖之（e)、（f)圖中之實橫線，係代表1倍速 -217- 1245285 (212) 再生時之3T標示長度=3T間隔長度= 231 x 3(nsec)。又， 虛橫線係代表 231nsec X 3 - 40nsec、231nsec X 3 + 4 Onsec。因標示長度及間隔長度通常容許基準時鐘週期τ 之± 20%程度的偏離，故在± 3 0〜40nsec以內即可，由第 18圖、第19圖（e)、（f)可知，標示長度及間隔長度之偏 離全部都在容許範圍內。 同樣的，最佳P w附近時，4 T〜1 1 T之標示長度及間 隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之± 1 0%程度範圍內 的期望標示長度及間隔長度。對稱値可得到± 1 0 %以內之 値。 將以上進行匯整，βΡ 1 0、24倍速時可獲得良好之記 錄特性，再生信號爲可以既存之C D驅動器執行再生之品 質。又，其間之線速時亦可利用脈衝調整來獲得良好記錄 特性。 其次，說明採用2 4倍速之（記錄方式c D 1 - 1 c )、1 0倍 速之（記錄方式CD2-lc)時之重寫耐久性的評估結果。第 20 圖及第 21圖係分別以 Pw/Pe = 26mW/8.1mW、 27mW/8.9mW實施重覆重寫時之重寫次數依存性。各圖 中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔長度顫動。任 何線速下’皆可充份滿足CD _RW要求之1〇〇〇次的重寫耐 久性。 又’檢測各線速之消去率。檢測3 T/1 1 T重寫消去率 時，10倍速時係採用（記錄方式CD2-lc)之3T、11T之脈 衝，24倍速時則係採用（記錄方式CDl-lc)之3T、11T之 -218- 1245285 (213) 脈衝。1 〇倍速及2 4倍速之3 T /1 1 T重寫消去率分別爲 3 3、2 1 d Β，在各線速下皆可得到充份消去率。又，對採用 (記錄方式CDl-lc)並以24倍速實施記錄之碟片執行1〇5 °C之加速試驗’即使經過3小時也幾乎無法發現已記錄之 信號的劣化。顫動雖然會有2nsec程度之變化，但1倍速 再生時爲35nSeC以下，且反射率Rt()p、調變度mii亦幾 乎未降低，故維持初始値之90%以上。 (實施例4) 以上述實施例3之碟片及測試器1實施2 4倍速記錄 時，係採用記錄方式CD 1-2，並將其稱爲（記錄方式CD 1-2a)。（記錄方式CD 1-2a)係進一步限定記錄脈衝分割方法 (III-A)之獨立參數數目的使用方法。 (記錄方式CD卜2a) 針對πι爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間α ,Τ 及截止脈衝區間θ π時之α ,及Θ i 。
Tdi+ α 1 =2、 冷 i -丨 + a i = 2 (i = 2 〜m -1)。 另一方面，針對Π1爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間yS i ’ T時之α 1 ’及 β \ ’ ° -219- 1245285 (214)
Td 丨，+ α 丨，=2、 y3 i_i，+a ^=2(1 = 2 〜m_l)、 /3m-l’+am’=2.85、但，；Qm’ = ni + △ m。 此時，丁dl = Td 丨’ =1、a i = a i' = 1 λ a i = a \ ' = a c=l(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、△msOJS、 Δ mm = 〇. 8 5 ' am=l、/3m = 0.3、/^^ = 0，2 以上之 m 時爲
一定。 但，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、α ι ? ' β \、β \，、 α2、α2’、/32、石2’分別等於m爲3時之α：ι、αι’、 β β m-l) β 2 ( ^ m - 1 ) Ci 3(^ m ) 〇ί 3 ( ^ m ) ' β 3 { /3m)、/33’（/3m’）。亦即，4T 標示，a! = l、 a2=l、/32 = 0.3，5T 標示，^^ = 1、/3^ = 1.4 1 (^2^1.45 5/3 2^0.3° m=l 時，亦即 3T 標示，Tdl’ = 0.9、^^ = 1.6、
/3 ! ’ = 0.55。 另一方面，10倍速記錄時之記錄方式CD2-2係採用 以下所示之（記錄方式CD2-2a)。（記錄方式 CD2-2a)係進 一步限定記錄脈衝分割方法（VI)之獨立參數數目的使用方 法。 (言己錄方式CD2-2a) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 -220- 1245285 (215) 定記錄脈衝區間a iT及截止脈衝區間/3 iT時之a i及 β i 。
Td丨 + α 1=2、 /3 i^+α i = 2(i = 2 〜m) 〇
另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之a i ’及 β。。
Td丨，+ α !，= 2、 /3 i_i，+J i，=2(i = 2 〜m_l)、 β m - 1 + 6K m - 2.55、但’ /Sm-1 - /^γπ-Ι+Δγπ-Ι、 m ~ m + △ m 0 此時，T(ii = Tdi’ = 1.5、α ι=α ι’ = 0·5、α i=a i’ = α c = 0.4(i = 2 〜m-1 之 i 時 α c 爲一定）、/3 m-i = 1.6、 △ m.i = 0.35、Δ m = 0.2 ' △ mm = 0.55、a m = 0.4、β m =0.8、
△ m’=0.4，2以上之m時爲一定。 但，m = 2(n = 4、5)時，使 α】、α】，、β \、/Si，、 α2、α2’、/32、/S2’分別等於 m = 3 時之 αι、α"、 /3 2 (/3 m · 1)、 /3 2 ’（/3 m · 1 ’）、 α 3 ( a m)、 α 3 ’（ a m ’）、冷 3 ( /3m)、 /33Om’）。亦即，4T 標示，αι = 0·5、/3】=1.6、 α2 = 〇.4、02 = 0.8，5Τ 標示，αΓ = 0.5、/3 ι’ = 1·95、 α: 2, = 0.6、^2^1.20 3Τ 標示，Tdf = 1.5、α!，= 0.7、= 又，表-4係各記錄方式之Tdi、α，、/3 ,等之匯整。 -221 - 1245285 (216) 表-4中，價 爲4〜1 1時來言己 參數，但在表-7 欄。η爲4〜1 1曰 a l^Tdi+a ι, = 2 △ m不受m影_ T d 1、 β \、β m - 1 數爲α 1、α C、 β \= β m-\= β C、 /3 C+ Δ m. 1 ' a 2 = :將記錄脈衝分割方式分成η = 3時、及η 載。η = 3時需要Tdl’、α Γ、/3 Γ之3個 中則分別將其記載於Tdl、α !、0 m之 寺，記錄脈衝分割方法（ΠΙ-Α)時之Tdi + 、β a 2=/3 m-1+α m = 2 ^ α 1 = a m= a c > 1而爲- -定。因此， 表- 4 中 雖然 記載 著 含 、β m、 a m在內之 10 個 參 數， 但獨 ι『 參 △ m - 1、 Δ m ' △ m 之 5 個 〇 又， η = 4 時 a 2 = a m= a c、/3 2 = β m ο η = 5時 ，β \ = a c + Δ m、 yS 2 ’ = /3 m ’ + △ m ，ο -222- 1245285(217) <] ο 寸 ο ^Τ) in ο m Ο 卜 Ψ _ 00 Ο ε < 寸 ο (Ν Ο Ε Η 寸 Ο ε <1 寸 Ο m ο ε Τ—Η νο ο Ο Τ—Η —Η 卜 Ο ^Τ) Ο Η ΟΝ ο 丨__ ^-Η Γ^) II a Ψ < ϊ 寸 II m II c f—4 ι 寸 II C 記錄方式 CD 1 -2a CD 1 -2a
-223- 1245285 (218) 第22圖係24倍速之（記錄方式CDl-2a)的重寫特性 評估結果，第23圖係10倍速之（記錄方式CD2-2a)的重 寫特性評估結果。刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw 在24倍速之（記錄方式CDl-2a)時會固定爲0.30，而在10 倍速之（記錄方式 CD2_2 a)時會固定爲0.30。（記錄方式 CDl-2a)時，Pw在從 22mW程度至 30mW程度爲止以 lmW刻度變化。（記錄方式CD2-2a)時，Pw在從20mW程 度至29mW程度爲止以lmW刻度變化。偏功率Pb則固定 爲 0 · 8m W。 各圖係分別代表（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長 度顫動、（c)調變度m】】、（d)Rt()p、（e)3T標示長度、（f)3T 間隔長度之Pw依存性。 最佳記錄功率在24倍速記錄之（記錄方式CDl-2a)時 爲24-28mW附近，在10倍速記錄之（記錄方式CD2-2a)時 爲23 -2 8mW附近，重寫特性亦以此功率之値來評估。 第22圖、第23圖之（a)、（b)圖中之橫線，係代表1 倍速再生時之顫動規格上限値=3 5 (n s e c )。任何線速皆可 得到35nSec以下之良好顫動値。 由第22圖、第23圖之（c)、（d)可知，任何線速下， 皆可得到調變度πΐΗ爲60%〜80%(0·6〜0.8)、11_爲15〜 2 5 %之値。 其次，以（記錄方式CDl-2a)、（記錄方式CD2-2a)執 行記錄時，檢測1倍速再生時之3 T標示長度及3 T間隔 長度。任何記錄方式之3 T標示長度及3 T間隔長度皆位 -224- 1245285 (219) 於231 x 3nSec之±10 %程度之偏離範圍內。具體而言，第 22圖、第23圖之（e)、（〇圖中之實橫線，係代表1倍速 再生時之3T標示長度=3T間隔長度=231 X 3(nseC)。又， 虛橫線係代表 231nsec X 3 - 40nsec、231nsec X 3 + 40 nsec。因標示長度及間隔長度通常容許基準時鐘週期T 之±20 %程度的偏離，故在土30〜40nsec以內即可，由第 22圖、第23圖之（e)、（f)可知，標示長度及間隔長度之 偏離全部都在容許範圍內。 同樣的，最佳Pw附近時，4T〜11T之標示長度及間 隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之±10%程度範圍內 的期望標示長度及間隔長度。對稱値可得到± 1 〇 %以內之 値。 將以上進行匯整，即1 〇、24倍速時可獲得良好之記 錄特性，再生信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品 質。又，其間之線速時亦可利用脈衝調整來獲得良好記錄 特性。 其次，說明採用24倍速之（記錄方式CDl-2a)、10倍 速之（記錄方式CD2-2a)時之重寫耐久性的評估結果。第 24 圖及第 25 圖係分別以 Pw/Pe = 26mW/7.8mW、 24mW/7.2mW實施重覆重寫時之重寫次數依存性。各圖 中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔長度顫動。任 何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1〇〇〇次的重寫耐 久性。 又，對採用（記錄方式CDl-2a)並以24倍速實施記錄 -225- 1245285 (220) 之碟片執行1 〇 5 °c之加速試驗，即使經過3小時也幾乎無 法發現已δΒ錄之信號的劣化。顚動雖然會有2nsec程度之 變化，但1倍速再生時爲35nsec以下，且反射率Rt()p、 調變度m !!亦幾乎未降低，故維持初始値之9 0 %以上。 (實施例5) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成80nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成 之下部保護層、15nm之由
GeHSbbsSi^oiSno.HGeo.iQSbo.sin.s)所構成之言己錄層、 27nm之由（ZnS)8〇(Si02)2〇所構成之上部保護層、3nm之 Si02所構成之界面層、200nm之由Ag所構成之反射層、 及約4 // m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。此Ag 反射層之體積電阻率p v24爲η Ω · m，薄層電阻率p s約 爲0.12 Ω/□。初始化係以具有長軸約150 Μ πι、短軸約爲 l.〇m之橢圓點形狀之波長約810 nm的雷射二極體光，在 短軸方向以約 12m/s線速實施掃描。照射功率爲 1650mW ° 利用ΝΑ = 0·50之測試器1，在此碟片以32、24、及 1 〇倍速實施EFM調變信號之重寫，並評估其特性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw爲一定，Pw 從19mW程度至30mW程度以lmW刻度變化，在各記錄 功率下評估重寫特性。皆針對1 0次重寫後之値來進行評 估。 -226- 1245285 (221) 3 2倍速記錄時’採用記錄方式c D 1 -1，將宜稱爲（記 錄方式CDl-ld)。（記錄方式CDl-ld)係進〜步限定記錄脈 衝分割方法（II-A)之獨立參數數目的使用方法。 (記錄方式CDl-ld) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、η T = 2 m T，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a i T 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及yS i 。 Τ(Π+ α 1 =2、 β 1 + α 2 = 2、 /3 i -1 + α i = 2 (i = 3 〜m _ 1)、 /3 m_ 1 + a m = 2。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成πι個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間α ^，T及截止脈衝區間Θ i ’ T時之α 1 ’及 β。。
Tdi ’ + α Γ = 2、 冷 ι’+α：2ϊ = 2.32、但，/3 ι+Δι、 /5 i-ι’+α i’=2(i = 3 〜m_l)、 /?m-i，+am，= 2.44、但，+ = m + △ m 0 此時，Tdi = Tdi, = l、a i’ = 1、石 1 = 1·06、△ 1=0·32、 ai=ai，=ae = 〇.94(i = 2 〜m_l 之 i 時 ac 爲一定）、 β m.1 = 1 .06 ' Δ m-l = 0 ' △ m = 0.44、△ mm = 〇.44、a m = 〇.94 -227- 1245285 (222) β m= β m，==0.44 ί 3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdl = l、ael、/3, = 1.06, a 2 = 0-94 > 石 2 = 0·44，5T 標示，Tdl’ = l、αΓ = 1、 冷 l ’ = 1 · 3 8、 α 2，= 1 · 3 8、 /3 2，= 0 · 4 4。 m=l 時，亦即 3T 標示，Tdl’ = 0.81' αΓ = 1·91、 /3 ι，= 〇·2 5 〇 其次，24倍速記錄時之記錄方式CD2-1的具體實 例，係採用以下所示之（記錄方式 CD2-ld)。（記錄方式 CD2· Id)係進一步限定記錄脈衝分割方法（V)之獨立參數數 目的使用方法。 (記錄方式CD2-ld) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a iT及截止脈衝區間/3 iT時之α :及 β ·' 。
Td丨 + α 1=2、 β 1 + α 2=1.8 ' /3 i-ι+α i = 2(i = 2 〜m-1)。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i，T及截止脈衝區間A i ’ T時之a i ’及 β 。
Tdl ’ + α 1 ’ = 2、 -228- (223) 1245285 β 1 ’ + α 2, = 2.35 ' 但， yg Π 1 + △ 1、 β i · 1 ’ + a ^ = = 3 〜m- 1)、 β m - 1 , -f a m，二 2 · 3、但， β m - 1 一/β m-1+2 △ m· I、a m， = a m + Δ m ° 此 時， Td ! = T d 1 ’ = 1 · 3、 a i = a i ’ = 0 · 7、 β 1=1.15 - Δ 1 = 0. 5、α i — α 丨，=a c = 0 · 7 (i = 2 〜m -1 之 i時a c爲· 一定） β m - 1 ^ 1.3 > Δ ,，〇·”、Δ m = 0.15、Δ mm" = 0.3、a m = 0.7、 β ，3以上之m時爲一定。 又 ,m = :2 時之4 T標示 ，T d 丨=1 · 3、a i = 0.7、 β ι = 1. 15、 a 2 = 0.7 ' β 2 = = 0.7，5T 標示 ，Tcn，= l .3 、a 9 . 1 = 0.7 、β ' ,= 1.65、α2’ = 1·〇5、/3 2’ = 〇·7〇 又’ 5T標 示之 a 2，= 1 .05， 係 對m = 3(6T標 示）之 a 3 ’（ Q m ’ =a m + Δ m = 〇 · 7 + 0.1 5 = 0.8 5 )附加 0 . 2 〇 31 、標示 1 T d 1 = 1 · 3 ' a i’ = l.l、/3 i’ = 0 • 95 ° 又 ’10 倍速記錄時之 記錄方式c D 2 · 1的具體實 例， 採 用以 下所 示 之（記錄方式 CD2-le)使用。 (記錄方式 CD2- le)係進一步限定記錄脈衝分割方式（v)之獨立參數數目的 使用方法。 (記錄方式CD2-le) 針封m爲3以上時之偶數長度標不nT = 2mT，將標示 分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間α i T 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及A i 。
Tdi+ α ι = 2 ^ -229- 1245285 (224) 石 i + α 2 = 2、 /3 i _! + a i= 2 (i = 2 〜m) 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數長度標示 nT = (2m+l)T執行標示之記錄時，將標示分割成m個區 間 ，並以 ,下述 方式設定記錄脈 衝 區間 a ι，Τ 及 .截止脈 衝區 間 β '，τ ε 寺之a i ’及/3 i ’ ο Ten，· + a i ’ =2、 β Γ + a 2 ’ = 2.3、但 ，β \ ’ = β 1 + Δ 1 ' β i - 1 丨，+ a i’=2(i = 3 〜m-Ι)、 β m - !9 + a m ’ =2.3、 但，冷rr 1 - 1 -β r η- 1 + Δ m - 1 、a m ’ = a m + △ m 0 此時 ，Td i=Tdf = l . 7、a 1 = a Γ = 0.3、 β 1 = 1.7' Δ ! = 0.3 ' a 1 = :a i ’ = a c = 0.3(i = 2- m - 1 之 時 d c爲- -定） β m - 1 = 1 ·: 1 ' Δ m- 1 =〇 · 3 5 、Δ m = 〇 .1 5、Δ m m =0· 45 ' a m = 0.: 、、β m :β m ，=1 ， 3 以 上之m 時 爲一 定 ο m = 2 時之 4T標示 ，丁dI = l· 7 ' a 1 =0. 3、 β 1=1.7、 a 2 = 0.3 、β : i = 1 . 2，5 T 標示 Tdl，= =1 · 7、 a ^ = 0.3 、β ?-1 · =2、 a 2，= 0 · 45、/32, =1.65。 此 時， 5T 標 示 之 /3 2 ’ = 1 · 6 5 係對111 = 3(6丁標示）時之/33’（33’ = 1.2)附加0_45。 3T 標示，Tdl’ = 1.7、αι’ = 0·5、/3ι’ = 1·9。 又，表-5係各記錄方式之Tdl、a i、/3 i等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方式（1 Π或（v)爲準’ 故記載著πι爲3以上時之記錄脈衝分割方式（I卜A)之1〇 個之參數（ΤίΗ、αΐ、冷1、△!、Gc、Δπι.ι、am、 -230- 1245285 (225) △ m、/3m)、及 n = 3、4、5 時之 Tdl、a i ' 時之（Td丨’、a〗’、/3 Γ)係記載於Tdl、α丨、/ 時之（Tdi、ai、/Si、〇2、卢2)、及 n = 5 時之 a i ’、/3 1 ’、a 2 ’、 /3 2 ’）係記載於 T d!、a i yS m之欄。 此時，記錄方式CDl-ld、2-ld、2-le之 冷！、冷i’分別等於m爲3時之/3 !、yS〆（=/? β _'。但，η = 3 ? 1之項。η = 4 (Td 丨，、 、β \、CL m ' n=4 、 5時之 l + a 1 )。 -231 - (226)1245285
寸 寸 ο 寸 寸 ο 寸 寸 ο r- o 卜 ο 卜 ο (N 1—^ m VO (N H <] 寸 寸 〇 零1篇 ο o ε 寸 ◦ 〇〇 m 寸 ο ο 卜 ο κη ο 卜 ο m O 寸 〇 o 1 £ <1 〇 0.15 m o ε 〇 m 1—< 卜 ο 寸 ON 〇 卜 Ο m o <] (N ο ο m 〇 ^sO ο oo m ^sO ο Η (N ◦ ΙΟ νο ^Τ) ON Ο 卜 (N 卜 H On — 9 一 f—ί 寸 »—4 卜 ο 卜 ο 卜 Ο r—· < 〇 〇 m o o -σ Η — f— < 00 o rn -Μ|_ m m -Η m 卜 r- 卜 卜 m ^ 3 IT) II c 寸 II c m II c m ^ 3 II C 寸 II C ΠΊ II c 1 m ^ 3 II 寸 II c m II c 記錄方式 CD 1 - 1 d CD2- 1 d CD2- 1 e -232- 1245285 (227) 第26圖、第27圖、及第28圖係32倍速之（記錄方 式CDl-ld)、24倍速之（記錄方式CD2-ld)、及10倍速之 (記錄方式CD2-le)時之重寫特性的評估結果。刪除功率 Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw在（記錄方式CDl-ld)時固 定爲0.30，在（記錄方式CD2-ld)時固定爲0.30，在（記 錄方式CB2-le)時固定爲0.30。（記錄方式CDl-ld)時之 Pw在從23mW至3 0mW程度爲止以lmW刻度變化。（記 錄方式CD2-ld)時之Pw在從23mW至30mW程度爲止以 lmW刻度變化。（記錄方式CD2-le)時之Pw在從22mW至 3 0mnW程度爲止以1 m W刻度變化。偏功率P b則固定爲 0 · 8 m W 〇 各圖中之（a)〜（f)分別代表（a)3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（c)調變度mM、（d)RtQp、（e)3T標示 長度、（f)3T間隔長度之Pw依存性。 顫動爲最小之最佳記錄功率，3 2倍速之（記錄方式 CDl-ld)時爲28-30mW、24倍速之（記錄方式 CD2-ld)時 爲25-30mW、10倍速之（記錄方式CD2-le)時爲25-30mW 附近，重寫特性亦以此功率之値來評估。 第26圖、第27圖、及第28圖之（a)、（b)圖中之橫 線，係代表1倍速再生時之顫動規格上限値=3 5 (nsec)， 最佳Pw附近時，可得到35nSeC以下之良好顫動値。又， 其他標不長度及間隔長度之顚動亦爲35nsec以下。 由第26圖、第27圖、及第28圖之（c)、（d)可知，任 何一種記錄方式皆可得到調變度niH爲60%〜8〇%(〇.6〜 -233- 1245285 (228) 〇·8)、Rt()p 爲 15 〜25%之値。 第26圖、第27圖、及第28圖之（e)、（f)圖中之實橫 線，係代表1倍速再生時之3T標示長度=3T間隔長度 = 231 X 3(nsec)。又，虛橫線係代表2311^6〇\3-40nsec、231nsec X 3 + 40nsec。因標不長度及間隔長度通 常容許± 10%程度之偏離，故在±30〜4〇nsec以內即可， 然而，由圖可知，標示長度及間隔長度之偏離完全在容許 範圍內。同樣的，最佳Pw附近時，4T〜11T之標示長度 及間隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之± 1 〇°/◦程度範 圍內的期望標示長度及間隔長度。 利用本實施例媒體及記錄方法，至少在從32倍速至 1 〇倍速之範圍可獲得良好記錄特性，再生信號亦爲可以 既存之CD驅動器執行再生的品質。 其次，說明採用32倍速之（記錄方式CD 1-1 d)、24倍 速之（記錄方式CD2-ld)、10倍速之（記錄方式CD2-le)時 之重寫耐久性的評估結果。以 Pw/Pe = 29mW/8.7mW、 28mW/8.4mW、27mW/8.1mW實施重覆重寫時之重寫次數 依存性分別如第29圖、第30圖、及第31圖所示。各圖 中，U)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔長度顫動。 任何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1 000次的 重寫耐久性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3T/11T重寫消去率 時，10倍速時係採用（記錄方式CD2-le)之3T、1 1T之脈 衝，24倍速時係採用（記錄方式CD2-ld)之3T、11T之脈 -234- (229) 1245285 衝，32倍速時則係採用（記錄方式CD 1-1 d)之3T、1 IT之 脈衝。10倍速、24、32倍速之3T/1 IT重寫消去率分別爲 30、28、24dB，在各線速下皆可得到充份消去率。又，對 採用（記錄方式CDl-ld)並以32倍速實施記錄之碟片執行 1 05 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾乎無法發現已記 錄之信號的劣化。顫動在1倍速再生時雖然會有2nSeC程 度之變化，但仍爲35ns ec以下，且反射率Rt()p、調變度 m ! !亦幾乎未降低，故維持初始値之9 0 %以上。 (實施例6) 對上述實施例5之媒體以測試器1實施3 2倍速之記 錄方式CD1_2，將其稱爲（記錄方式CDl-2b)。（記錄方式 CD 1-2b)係進一步限定記錄脈衝分割方法（III-A)之獨立參 數數目的使用方法。
(記錄方式CD卜2b) 針對m爲2以上之偶數標示長度、nT = 2mT ’將標示 分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及/3 i 。
Tdi+ α 1 = 2、 冷 Μ+α i = 2(i = 2 〜m)。 另一方面，針對m爲2以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間’並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間0 i ’ T時之a i ’及 -235- (230) 1245285 β。°
Td!，+ α 】，=2、 /3 i_i，+a i，= 2(i = 2 〜m_l)、 /3m-i’+am’=2.4、但，冷 + a = a rn + △ m、 /3m’=/3m+Am’。
此時 ’ Tdi = Tdi’ = l、αι=αΓ = 1、/3ι = 1·06、a x = ai’=ac = 0.94(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、y8m-i = l.〇6、 △ m_i = 0.32、am = 0.94、β m = 0.4 4 > Δ m ? = 0 ? 2 以上之 m 時爲一定。在m = 2、3時採用^^ = 0.44, m = 4、5時 採用△ m 2 = 〇 . 5。 但，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、αι’、/3ι、/3ι’、 a2、a2’、/32、/?2’分別等於 m = 3 時之 αι、αΓ、 β ι{ β m-\) ^ β 2' { β m-\') ^ a 3( a m) ^ a3,(am,)^ β 3( β m)、β m，）。
m=l 時，亦即 3T 標示，Tdl，= 0.81、a Γ = 1·94、 冷 Γ = 0.25。 其次，24倍速記錄時之記錄方式CD2-2的具體實 例，係採用以下所示之（記錄方式 CD2-2b)。（記錄方式 CD2-2b)係進一步限定記錄脈衝分割方法（VI)之獨立參數 數目的使用方法。 (記錄方式CD2-2b) 針對m爲2以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 -236- 1245285 (231) 示之記錄時，將標示分割成m個區間’並以下述方式設 定記錄脈衝區間α ,Τ及截止脈衝區間A iT時之a i及 β i 。
Td 1 + α 1 =2、 /3 i · 1 + α i = 2 (i = 2 〜m)。
另一方面，針對ni爲2以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間/3，’ T時之a i ’及 β。°
Td 丨 ’ + α 1 ’ =2、 /3 i -1 ’ + a i，= 2 (i = 2 〜m，1)、 /3m-l,+ Jm，=2.8、但，y5m-l = Jm，= CL m Δ m /5 m - 此時，Tdl=Tdi，= 1.3、α ι=α Γ = 〇.7、a 〆=
ac = 0.7(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、ySm-i = 1.3、 △ m-i = 0.4、△ m = 0.4、Δ mm = 〇.8、a m = 0.7 ^ /3 m =0.7、 △ m，= 0，2以上之m時爲一定。 m = 2(n = 4、5)時，使 Gi、a i 、β i 3 ^ 2 ' a2，、万2、冷2,分別等於m = 3時之α】、ai’、冷2( ySm-l)、 /52，（/3m-l，）、 a3(Jm)、 a3’（am’）、冷 3(/3m)、 β 3， （ β m，） 。 3T 標示，丁di，= 1.3、a i’ = 1.3、冷 i’ = l。 又，10倍速記錄時之記錄方式CD2-2的具體實例， -237- 1245285 (232) CD2-2c) 目的使 係採用以下所示之（記錄方式CD2-2〇。（記錄方式 ί系it -步限定記錄脈衝分割方法（VI)之獨立參數數 用方法。 (言己錄方式CD2-2C) 執行標 方式設 針封m爲2以上時之偶數標示長度、nT = 2mT 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述 定記錄脈衝區間a i T及截止脈衝區間/3 i T時之a i】 β i 0 T d 丨 + α 1 = 2、 冷 i · 1 + α i = 2 (i = 2 〜m)。 長度、 m 個區 脈衝區 另一方面，針對m爲2以上時之奇數標示 nT = (2m+l)T執行標示之記錄時’將標示分割成 間，並以下述方式設定記錄脈衝區間α i ’ T及截止 間/5 i，Τ時之a i ’及冷i ’ °
Td丨，+ α ι，=2、 /3 i · Γ + α i，= 2 (i = 2 〜m -1)、 /3 m.l，+a m’=2.6、但，/3 m-l’ =冷 m-1+Δ m-i、 α Q m + △ m 0 /3 m+Δ m，。 此時，T(ji = 丁 di -1.7、^ \ ^ a i 一 0.3、cl \~~ cl \ 一 a c = 〇.3(i = 2 〜之 i 時 J c 爲 疋）/3m-i - 1·7、 △ m i = 〇 3、m = 0.3 ' Δ m m = 〇 · 6 ' a m ~ 〇 . 3 ' β m -\ . Am，=0.35，2以上之m時爲一定。 -238- 2、 1245285 (233) 但，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、αι’、β \、ySi’、 α2、α2’、石2、/32’分別等於 m = 3 時之 αι、αι’、 /3 2 ( /3 m - 1 )、 yS 2 ’（ /3 m - 1 ’）、 α 3 ( a m )、 α 3 ’（ a m ’）、冷 3 ( β m)、β 3，（β nT)。 3Τ 標示，Tdl’ = 1.8、αΓ = 0·6、/3Γ = 1.8。 又，表-6係各記錄方式之Tdl、α ,、/3 i等之匯整。 表-6中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及η 爲4〜11時來記載。η = 3時需要Tdl’、a!’、’之3個 參數，但在表-6中則分別將其記載於Tdl、α !、/3 ^之 欄。 η爲4〜1 1時，記錄脈衝分割方法（III-Α)時之Tdl + a i = Tdi+a i, = 2 ^ /3i+a2=/3m-i+am = 2、 a \= a m= a c 不 受m影響而爲一定。 表-6中，雖然記載著含Tdl、/3 !、/3 n、/3 m、a m 在內之10個參數，但獨立參數爲a!、ac、Δη^、 △ mi、Δη^、Δη!’之6個。但，只有記錄方式CDl-2a(32 倍速）時ΔΠ12及Διηΐ爲不同値，m = 2、3時採用 △ mi=〇.44，m = 4、5 時採用 = 又，n = 4 時，/3i=/5m-i=/3c、 a 2= a m= a c - β 2 = /5m°n = 5 時，/3i=/3c+Am.i、 a 2= a c+ Δ m ^ β = β m’。 •239- 1245285 (234) ε < ο o m 〇 £ in (Ν Ο 寸 寸 ο f π 卜 o oo __ 一 (N H ΓΝ| ε < ο 寸 o 〇 ε <1 寸 寸 〇 寸 o 〇 ε 寸 ON 〇 卜 o 〇 ε <1 (N m Ο 寸 o m o ε VO ο f 1 Γ^Ί 卜 ▼—H ο 寸 ο 卜 o m O VO ο m 1—- 卜 f—^ 寸 σν m 卜 〇 VO o m 〇 -σ Η r—< 00 Ο V—Η m m oo 卜 II C 1 寸 II C II c I 寸 II c m II c 寸 II c 記錄方式 CD 1 -2b CD2-2b CD2-2c -240- 1245285 (235) 第32圖、第33圖、及弟*^4圖係32倍速之（記錄方 式CDl-2b)、24倍速之（記錄方式CD2-2b)、及10倍速之 (記錄方式C D 2 - 2 c )時之重寫特性評估結果。刪除功率P e 及記錄功率Pw之比Pe/Pw在（記錄方式CDl-2b)時固定爲 0.30，在記錄方式CD2-2b)時固定爲0.33，在（記錄方式 CD2-2c)時固定爲0.30。Pw在從20mW至30mW程度爲止 以1 m W刻度變化。偏功率P b則固定爲0.8 m W。 各圖之（a)〜（f)分別爲U)3T標示長度顫動、（b)3T間 隔長度顫動、（c)調變度mil、（d)Rt()p、（e)3T標示長度、 (f)3T間隔長度之Pw依存性。 顫動最小之最佳記錄功率在3 2倍速之（記錄方式 CDl-2b)時爲2 7-3 0mW附近，在24倍速之（記錄方式 CD2-2b)時爲25-30mW附近，在1〇倍速之（記錄方式 C D 2 · 2 c )時爲2 5 - 3 0 m W附近，重寫特性亦以此功率之値來 評估。 第32圖、第33圖、及第34圖之（a)、（b)圖中之橫 線’係代表丨倍速再生時之顫動規格上限値=35(nsec)， 在最佳Pw附近可獲得35nsec以下之良好顫動値。又，其 他標示長度及間隔長度之顫動亦爲3 5nsec以下。 由第32圖、第33圖、及第34圖之（c)、（d)可知，任 何記錄方式下，皆可得到調變度mn爲6〇%〜8〇%(〇6〜 0·8)、Rt〇P 爲} 5 〜25%之値。 弟32圖、第33圖、及第34圖之（e)、⑴圖中之實橫 線，係代表丨倍速再生時之3T標示長度=3τ間隔長度 -241 - 1245285 (236) = 231 x 3(nsec)。又’虛橫線係代表231!^£〇\3-40nsec、231nsec X 3 + 40nsec。因標示長度及間隔長度通 常容許基準時鐘週期T之±2 0%程度的偏離，故在±30〜 4 0nseC以內即可，由圖可知，至少最佳pw附近之標示長 度及間隔長度之偏離全部都在容許範圍內。同樣的，最佳 P w附近時，4 T〜1 1 T之標示長度及間隔長度皆可得到位 於基準時鐘週期T之±10 %程度範圍內的期望標示長度及 間隔長度。對稱値可得到± 1 0 %以內之値。 利用本實施例媒體及記錄方法，至少從3 2倍速至1 〇 倍速之範圍可獲得良好記錄特性，再生信號亦爲可以既存 之CD驅動器執行再生之品質。 其次，說明採用32倍速之（記錄方式CD 1-2b)、24倍 速之（記錄方式CD2-2b)、10倍速之（記錄方式CD2-2C)時 之重寫耐久性的評估結果。第3 5圖、第3 6圖、及第3 7 圖係分 SU 以 Pw/Pe = 30mW/9mW 、 28mW/9.2mW 、 2 7mW/8.1mW實施重覆重寫時之重寫次數依存性。各圖 中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔長度顫動。 任何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1 000次的 重寫耐久性。 又，對採用（記錄方式CD 1-2b)並以32倍速實施記錄 之碟片執行1 05 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾乎無 法發現已記錄之信號的劣化。顫動在1倍速再生時爲 3 5nsec以下，且反射率Rt()p、調變度mi i亦幾乎未降低， 故維持初始値之9 0 %以上。 -242- (237) 1245285 (實施例7；) 接著’以測試器1對實施例3之媒體採用表· 7所示 之記錄脈衝分割方式（CD-VI-1)實施8倍速至24倍速之線 速的重寫記錄。記錄脈衝分割方式（c D - v I - 1 )係記錄脈衝 分割方法（VI-B)之應用例。 具體而言，實施8、12、16、20、24倍速之重寫。 表中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及η 爲4〜11時來記載。η = 3時需要Tdl，、ai，、/，之3個 參數’但在表-7中則分別將其記載於Tdl、a i、/3 m之 欄。n 爲 4〜11 時，丁…、ai=ac(i = l 〜m)、ai’=ac(i = l 〜m-1)不受η影響而爲一定，Tcn+afTcn’+a!，^、 /Si-i+ai = 2(i = 2 〜m)、/3;_1’+(〇：|’ = 2(1 = 2〜111-1)。因此，β i = 2- a c(i = l 〜m-1)、 /3 i’=2-a e(i = l 〜m-2)。又，々 m-i,= β m-1+Δ m-i=/5 c+Δ m_i ' a m,= a m+Am=a c+Am ' /Sm’ = 且Δπϊ-ι、Am、△„!’爲不受m影響而爲一定。 n = 4〜11(2以上之m)時，獨立參數爲ac、Am.!、 点 m、△ m ’。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 ai、ai’、冷冷！’、 a]、a：2’、02、石2’分別等於m = 3時之a】、αι’、 ySm-i、 am、 am’、 /3m、 /3m’。因此，η:4 時’ β β m 〇 n = 5 時，a 2= a C+ Δ rn ' ^ 2 /5 m + △ m 0 選取可使大致顫動値成爲最小之記錄功率P wo ’並胃 •243- 1245285 (238) 施重覆重寫。又，此時之Pe/Pw比如表-7所示。Pb爲固 定之0.8mW，Pe/Pw則固定爲0.30。
-244- (239)1245285
P e / P w o m o O 〇 o m 〇 〇 cn o 〇 m O o m O o o 〇 〇 o m O o m O P w〇 寸 (N 寸 <N (N cn (N VO (N v〇 (N 卜 (N 卜 (N Ό (N \〇 (N <1 iT) 〇 寸 o 寸 o H 〇 o 〇> v〇 ?—M 卜 o m »—H o ON o 寸 o o 〇 E <1 T—^ 〇 m O in (N o o IT) 寸 〇 ε <1 CT) (N 〇 m o m O ^T) o 寸 o 〇 o o m 〇 ON o o 〇 VO o (N 00 o VO VO r-1^ 寸 Γ^Ί m »—< ON o -一 c m l 寸 m v—^ ?—H l 寸 1—^ Ί—^ l 寸 m Ϊ 寸 m τ—' ^-H l 寸 倍速 oo (N VO o (N 寸 CN -245- 1245285 (240) 第38圖係8、12、16、20、24倍速之（a)3T標示長度 顫動、（b)3T間隔長度顫動、（c)調變度仍1 !、（d)Rt()p。 又，第38圖之（a)〜（d)中的「X」係代表「倍速」。 例如，「8x」係代表8倍速。此點在以下之實施例中亦 同。 任何線速下，在大致Pw。±lmW之範圍內，1倍速再 生之標示長度及間隔長度皆可得到35nsec以下之良好顫 動値。同樣的，全部標示長度及間隔長度顫動皆可獲得 35nsec以下之良好顫動。 又，任何線速下’皆可得到調變度m 11爲6 0 %〜 80%(0.6〜0.8)、Rt〇p爲15〜25/i之値’且羊寸稱値爲土 以內之値。PWG附近時’ 3 T〜1 1 T之任何標示長度及間隔 長度，皆可得到基準時鐘週期τ之土 10%程度範圍內之期 望標示長度及間隔長度。各線速之PwG最大値爲27mW、 最小値爲24mW，最小値對最大値之比爲0.89。 其次，實施各倍速之重寫耐久性評估。第3 9圖係在 各線速且以表-7所示之Pw =及Pe/Pw比實施重寫時之重 寫次數依存性。第39圖中’（a)係3T標不長度顫動、（b) 係3 T間隔長度顫動。 將以上進行匯整’即利用本發明記錄媒體及記錄脈衝 分割方式（CD-VI-1)時’在8〜24倍速之廣泛範圍，利用 只需少數可變參數之記錄脈衝分割方式即可獲得良好特 性。 -246- 1245285 (241) (實施例8) 對上述實施例5之媒體以測試器1利用表-8所示記 錄脈衝分割方式（CD-V 1-2)，實施8倍速至32倍速之線速 的重寫記錄。記錄脈衝分割方式（CD-V 1-2)係記錄脈衝分 割方法（VI-B)之應用例。 具體而言，實施8、16、24、28、32倍速之重寫。 表-8中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及η 爲4〜11時來記載。η = 3時需要Tdl’、a〆、’之3個 參數，但在表-8中則分別將其記載於Tdl、a c、/3 m之 欄。η 爲 4〜11 時，Tdi、ai=ac(i = l 〜m)、ai’=ac(i = l 〜m-1)不受 η 影響而爲一定，Tdl+a i = Tdl’+a ι’ = 2、 /3 i-i+a i = 2(i = 2 〜m)、/3 i-Γ+α i’=2(i = 2 〜m-1)。因此， 冷 i = 2- j c(i=l 〜m_l)、 /3 i，=2-a c(i=l 〜m_2)。又， β m-i,= /3 m-1 + Δ c+Δ m-i ' am,= am+Am=ac+Am' /3m’=ySm+Z\m’’ 且 Διώ-Ι、Διη、Διη’ 爲不受 m 影響而爲 一定。n = 4〜11(2以上之 m)時，獨立參數爲ac、Δπ^ι、 △ m、β m、Δ m ° 又，m = 2(n = 4、5)時，使 α：ι、αι’、β \、β \，、 α2、α2’、冷 2、/32’分別等於 m = 3 時之 αι、αι’、 ySm-1、 /Sm·〆、am、 am’、 y5m、 ySm’。因此，n = 4 時， β β m ° n = 5 時，/3】’=/?€+△〇!·!、 a 2= ^ C+ Δ m ' β 2’ = /3 m + Δ m ’。 選取可使大致顫動値成爲最小之記錄功率Pw〇，並實 施重覆重寫。又，此時之Pe/Pw比如表-8所示。Pb爲固 -247- (242)1245285 定之0.8mW，Pe/Pw則固定爲0.30。
-248- 1245285(243) P e / P w o m o o m O 〇 m o 〇 m O o m o O m O o m o 〇 m O Ο m Ο O o P w〇 (N 卜 (N oo (N o (N ON (N s < VO o o m 〇 i〇 o o o ε CN m r-^ oo o ON o V〇 o 〇 o <N 〇 寸 寸 ο ε <1 o o (N o (N o »〇 寸 o 00 ο <1 (N o CN o (N 〇 (N 〇 OO m o 〇 寸 o (N O On 〇 o m ，— iT) 卜 〇 00 o 寸 ON Ψ H — 〇\ 卜 ψ-^ to T-M (N »—h (N 1—^ _丨— 華· n 00 OO o z i 寸 l 寸 1 寸 m l 寸 m 寸 倍速 00 VO 寸 <N 00 <N (N m
-249- 1245285 (244) 第40圖係8、16、24、28、32倍速之（a)3T標示長度 顫動、（b) 3 T間隔長度顫動、（c )調變度m （ d) R t。p。任 何線速下.，在大致PWG i 1 m W之範圍內’ 1倍速再生之標 示長度及間隔長度皆可得到3 5 n s e c以下之良好顫動値。 同樣的，全部標示長度及間隔長度顫動皆可獲得35nsec 以下之良好顫動。 又，任何線速下’皆可得到調變度m μ爲6 0 %〜 8 0 % ( 0 · 6〜0 · 8 )、Rt。ρ爲1 5〜2 5 %之値，且對稱値爲± 1 0 % 以內之値。P w 〇附近時’ 3 T〜1 1 T之任何標示長度及間隔 長度，皆可得到基準時鐘週期T之± 1 0%程度範圍內之期 望標示長度及間隔長度。各線速之Pw〇最大値爲32倍速 之2 9mW，最小値爲8倍速之26mW，最小値對最大値之 比爲1 . 1 2。 其次，實施各倍速之重寫耐久性評估。第4 1圖係在 各線速且以表-8所示之Pw =及pe/pw比實施重寫時之重 寫次數依存性。第41圖中，（a)係3T標示長度顫動、（b) 係3 T間隔長度顫動。 將以上進行匯整’即利用本發明記錄媒體及記錄脈衝 分割方式（CD-VI-2)時，8〜32倍速之廣泛範圍，利用只需 少數可變參數之記錄脈衝分割方式即可獲得良好特性。 第42圖係獲得低顫動上特別之重要參數線速依存 性’亦即’ n爲4以上之時之（2C、冷⑺、△m」、Am、 Δ m’的線速依存性、以及n = 3時之Tdl，、α !，、i，的線 速依存性。第4 2圖係針對各線速度將表-8中之 η = 4〜1 1 -250- 1245285 (245) 的ac、0m、Am-l、Διη、△〇!’圖形化者。另~方面，第 43圖則係針對各線速度將表_8中之η = 3之Tdl，、αι，、 泠！’圖形化者。由第42圖、第43圖可知，雖有有著干偏 離，但任何參數幾乎都對應線速度而呈單調變化，α c、 △ m -1、△ m、a i ’在愈低之線速時會取愈小的値，万m、 △ m’、 Tdi’、αι’、ySi’在愈低之線速時會取愈大之値。 又可知，廣泛範圍之線速度之記錄時，只要至少針對 a c、T d i ’、a i ’、/5 ! ’採用將最高線速度、及最低線速度 之該等參數値補償成大致成直線之値即可。 (實施例9) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成90nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成 之下部保護層、18nm之由
Ge5In18Sb72Te5(Te〇.〇5 In〇.18(Ge〇.〇6Sb 0.94) 0.77)所構成之記錄 層、27nm之由（ZnS)8〇(Si02) 2〇所構成之上部保護層、 3nm之由GeN所構成之界面層、200nm之由Ag所構成之 反射層、及約4 // m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光 碟。又，（ZnS)8()(Si02)2()所代表之意義爲，以高頻噴濺法 製成由ZnS爲80mol%、Si02爲20mol%混合而成之膜。 又，Ge5In18Sb72Te5之組成比係原子數比。以下之實施例 中亦同。 此Ag反射層之體積電阻率約爲24ηΩ·ηι’薄層 電阻率p s約爲0·1 2Ω/□。初始化係以具有長徑約75 1245285 (246) // m、短徑約爲1.0// m之橢圓點形狀之波長約810nm的 雷射二極體光，以約12m/s線速實施掃描。照射功率爲約 1 1 0 0 m W 〇 利用N A = 0.5 0之測試器2，在此碟片以2 4及8倍速 實施EFM調變信號之重寫，並評估其特性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw爲一定，Pw 從2 6mW程度至36mW程度爲止以2mW刻度變化，在各 記錄功率下評估重寫特性。皆針對1 0次重寫後之値來進 行評估。 24倍速記錄時，採用記錄方式CD 1-2 ’將其稱爲（記 錄方式CDl-2c)。（記錄方式CDl-2c)係進一步限定記錄脈 衝分割方法（III-A)之獨立參數數目的使用方法。 (記錄方式CD1-2C) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間’並以下述方式設定記錄脈衝區間^ i T 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及Θ i 。
Tdl+ α 1 =2、 /3 i_i+a i = 2(i = 2 〜m)。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間/3 , ’ T時之α i ’及 β '’ °
Tdi?+ α Γ=2 ^ -252 (247) 1245285 /3 i_i，+a i’ = 2(i = 2 〜m-1)、 但，Am-1 ~~ β m - 1 + Δ m - 1 ^ m = J m + △ m、 /3m- ySm+Δηι 。 此時，Tdi = Tcn，= l、α a ' a i=a i’ = ac = 0.9(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、冷 = Δ m., = 0.35 > △ m = 0.5、△ mm = 〇.85、a m = 0.9、K4、 △ m’ = 0，2以上之m時爲一定。 但，m = 2(n = 4、5)時，使 ai、ai，、/Si、yS〆、 a2、a2，、/32、yS2,分別等於m爲3時之a】、αΓ、 冷 2(ySm-l)、 /32’（ySm·!’）、 a3(am)、 a3’（am’）、冷 y5m)、/S3，（ySm，）。亦即，4丁標示，ai = l、/^ = 1.1、 a 2 = 0.9 ^ β m = 0.4 ^ 5T 標示，ai = l、/3i’ = 1.45、 α2’ = 1·4、ySm’ = 0.4。 m=l 時，亦即 3T 標示，Tdi’ = 0·9、a ^ = 1.4、 /3 Γ = 0·85。 另一方面’ 8倍速記錄時之記錄方式CD2-2係採用以 下所示之（記錄方式CD2-2d)。（記錄方式CD2-2d)係進一 步限定記錄脈衝分割方法（V 1 )之獨立參數數目的使用方 法。 (言己錄方式CD2-2d) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 -253- 1245285 (248) 定記錄脈衝區間a iT及截止脈衝區間yS j時之α，及 β i ο Τ(Π+ a i =2、 /3 i · i + a i = 2 (i = 2 〜m)。
另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a , ’ T及截止脈衝區間yS i ’ T時之a i ’及 β 。
Tdi ’ + a 1 ’ =2、 /3 i-Γ+α i，=2(i = 2 〜m_l)、 ySn’+an/dj、但，冷 m_r=冷 n+Am·!、am’ = a rn + △ m、 β m ~~ β m ^ Δ m 。 此時，Tdi = Tdi ’ = 1.65、a i=a i, = 0.35 ' a i = a i9 = a c = 0.35(i = 2 〜m-1 之 i 時 a: c 爲一定）、/3 m-i = l·65、
Δ m . i = 0.2 5 ' △ 1^ = 〇.15、Δ m m = 〇 · 4 ' OL m = 〇 · 3 5 β m -1.0、 △ m’ = 0.55，2以上之m時爲一定。 但，m = 2(n = 4、5)時，使 ai' a〆、/5i、冷1’、 a 2、a 2’ 、β 2 ' β 2 ’分別 等於 m = 3 時之 a 1、 a 1 β 2( β m - 1 ) 、β 2，( β m · 1，）、 a 3( a rn) 、a ： 3，( a m’）、 β β m ) ' β 3 m，） ο 亦即， 4T標 示， a 1 = 0. 35 ' β 1 = 1.65、 a 2 =0· 3 5 、β m. = 1.0, 5T 標不 9 a Γ = 〇 · ,35 β "=1 ·9、 a 2 ，=0 • 5 、β 1，' = 1.55 ο 3Τ標 示， Tdi 1.65、 a i,= = 0.5 、β ' ? _ 1.9。 -254· 1245285
(249) 又 ， 表-9係各記錄 方式之Tdl、 a i 、/3 ,等之匯整。 表 -9 中， 係將記錄脈衝分割方 式分成n = 3時、及 η 爲 4 11 時來丨 記載。n: =3時需要T d 丨’、 α Γ、yS i’之 3 個 參 數 但 在表- 9中則分別將其記載 於 Tdl、a 1、β rn 之 欄 ο η ； 爲 4〜1 1 時，記錄脈衝分割方 法丨 (III-A)時之 Tdl + a 1 = Td 1 + a 1 ,=: 2 、 /S 1 + a 2=/5 m- 1 + ^ m — 2、 a \= a m= a c Δ m 不 受 ni影 響而爲- -定。因此， 表 _9中雖然記載著 含 Td 1、 β 1 、β m- 1、/5 m、 a m在內之 10 個參數，但獨立 參 數 爲 a 1 ' a c、 △ m - 1、 △ m ' △ m 之 5 個。又，n=4時 β 1 = β m - \ = β C 、a 2= a m= a C ' β 2= β m。n = 5 時，/3 1 ，= β C + Δ m - 1 1 、 a 2 =a c + Δ m、 β 2’ = β m’ 〇 -255- 1245285(250) < ο tn o οο ο 寸 ο < ε < Ο o ON ο iT) m o ε < m ο to (N 〇 ε i ο ON Ο O T—Η IT) Ό r—- 寸 ο Γ^Ί 〇 Η ON ο Ό 1—^ \〇 ΓΛ II C ι 寸 II a II c 寸 II c 記錄方式 CD 1 -2c CD2-2d
-256- (251) 1245285 第44圖係24倍速之（記錄方式CD 1-2c)、及8倍速 之（記錄方式CD2-2c)的重寫特性評估結果。刪除功率Pe 及記錄功率Pw之比Pe/Pw在24倍速之（記錄方式CDl-2c) 時會固定爲0.27，8倍速之（記錄方式CD2-2d)亦會固定爲 〇·27。（記錄方式 CDl-2c)時，Pw在從 26mW程度至 38mW程度爲止以2mW刻度變化。（記錄方式CD2_2%) 時，Pw在從26mW程度至36mW程度爲止以2mW刻度變 化。偏功率Pb則固定爲0.8mW。 各圖係分別代表（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長 度顫動、（c)調變度mw、（d)Rt()p之Pw依存性。 最佳記錄功率在24倍速記錄之（記錄方式CDl-2c)時 爲28-32mW附近，在8倍速記錄之（記錄方式CD2-2d)時 爲2 8-3 2mnW附近，重寫特性亦以此功率之値來評估。 第44圖之（a)、（b)圖中之橫線，係代表1倍速再生時 之顫動規格上限値=3 5 (n s e c )。任何線速皆可得到 3 5 n s e c 以下之良好顫動値。 由第44圖之（c)、（d)可知，任何線速下，皆可得到調 變度 mi!爲 60% 〜80%(0.6 〜0.8)、RtQp 爲 15 〜25% 之値。 又，最佳記錄功率附近時，3 T〜1 1 T之標示長度及間 隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之± 1 0%程度範圍內 的期望標示長度及間隔長度。對稱値可得到± 1 0 %以內之 値。 將以上進行匯整’即8、24倍速時可獲得良好記錄特 性，再生信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品質。 -257- 1245285 (252) 又’其間之線速時，亦可利用如本發明之可變記錄脈 割方法來獲得良好特性。 其次，說明採用24倍速之（記錄方式CDl-2c)、 速之（記錄方式CD 2-2d)時之重寫耐久性的評估結果 45圖係以pw/pe = 30mW/8mW實施重覆重寫時之重寫 依存性。各圖中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3 T 長度顫動。第45圖中，爲了以對數圖來表示重覆重 數，將初次記錄當做1次重寫，而在其上實施9次重 即代表第1 0次重寫。以下之實施例中亦同，對數軸 表重覆重寫次數。 任何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1000 重寫耐久性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3T/11T重寫消 時，8倍速時係採用（記錄方式CD2-2d)之3T、11T 衝’ 24倍速時則係採用（記錄方式CDl-2c)之3T、1】 脈衝。8倍速及24倍速之3T/1 1T重寫消去率分別爲 以上，各線速下皆可得到充份消去率。 又，對採用（記錄方式CD 1-2c)並以24倍速實施 之碟片執行1 05 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾 法發現已記錄之信號的劣化。顫動雖然會有2nsec程 變化，但1倍速再生時爲35iisec以下，且反射率R 調變度mu亦幾乎未降低，故維持初始値之90%以上 (實施例1 0) 衝分 8倍 。第 次數 間隔 寫次 寫時 上代 次的 去率 之脈 T之 25dB 記錄 平迦 J >、、、 度之 -258- 1245285 (253) 上述基本例中’係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，係序形成90nm之由（ZnS)8G(Si02)2〇所構成 之下部保護層、18nm之由 〇€311^18§574丁65(丁6().()511^。18(〇€().()4813。96)。.77)所構成之目己錄 層、27nm之由（ZnS)8()(Si02)2()所構成之上部保護層、3nm 之由GeN所構成之界面層、200nm之由Ag所構成之反射 層、及約4//m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。 又，（ZnS)8G(Si02)2()所代表之意義爲，以高頻噴濺法製成 由ZnS爲80mol%、Si02爲20mol%混合而成之膜。又， G e 31 η ! 8 S b 7 4 T e 5之組成比係原子數比。以下之實施例中亦 同。 此Ag反射層之體積電阻率約爲24ηΩ·ιη，薄層 電阻率/〇 s約爲0.1 2Ω/□。初始化係以具有長徑約75 // m、短徑約爲1 ·0 // m之橢圓點形狀之波長約8 1 Onm的 雷射二極體光，以約12m/s線速實施掃描。照射功率爲約 950mW ° 利用ΝΑ = 0·50之測試器2，在此碟片利用表-10所示 記錄方式以8、16、24、32倍速實施EFM調變信號之重 寫，並評估其特性。 32倍速之本記錄脈衝分割方法係（記錄方式1-2)之實 例，將其稱爲（記錄方式CD 1-2 d)。又，8、16、24倍速時 之本記錄脈衝分割方法係（記錄方式2-2)之實例，將其稱 爲（記錄方式CD2-2e)。 表-10中，係將上述記錄方式分成n = 3時、及η爲4 -259- 1245285 (254) 11時 來記載。Π =3時 需要 Τ d 1 , 、a i \ β Γ之 3個 參 數 ，但表-1 0中則分別將 其記載 於 Tdl、 a i - β π 3之欄。 Ν 爲 4〜1 1時 ，Tdi、 a l、a Γ、a i 一 a c(i = =2〜 m )、 a a c (i = 2 〜m -1)不受 n影響而爲一 ‘定 ，且 丁 d 丨 + a 1 = Td Γ + a Γ=2， 、β i · 1 + a i = 2(i = 2 〜m)、 β i • i, + a 2(i = 2 m -1 ) 〇 因 此， β i =2 - a c(i = 2 〜 m - 1 )、 β i，=2- a c :(i = 2 m-2 ) 0 又 ，β丨 m - 1 =β m-l + △ m · 1 = /3 C + △ m ·： i、 a m ’ = a m + Δ m= a C + Δ m、β ，一 m — _ /3 m + △ r ，，△ m - 1、Δ m ' 、△ m ’不受 m 影 響而 爲 —- 定。η = 4〜11(2以上之 m)時， 獨: 立參數爲 a 1 ' a c、 Δ m - 1 、 △ m 、β m、 △ m，。 又 、m =2 (n = 4、 5)時 ，使a i a l,、 β 1 \ β 1 Λ a 2、 a β 2、β 2 ’分別等於m = 2 i時之 ^ 1 a ] [ 、 β m · 1 、 β m -1，、a r η、 a i 。、β rr 1 ' /3 m’ 。因 此 n = 4時 β 2= β m。n = 5 時， β '，= β c+ A m -] 丨、a 2= a c + Δ m 、β 2 5 一 β m + △ 1 m ° 表 •10 之各記錄方式 亦爲CAV 記錄< 等可 應 :用 於 廣泛 範 圍之線速度之重寫的本發明記錄脈衝分割方式（VI-A)實 例，且，除了 3 2倍速時之α ! # a c以外’和記錄脈衝分 割方式（VI-B)相同。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw爲一定，pw 係從29mW程度至40mW程度爲止以lmW刻度變化，並 以各記錄功率評估重寫特性。皆以1 〇次重寫後之値來進 行評估。偏功率Pb取大約爲OmW之一定値，Pe/Pw則固 定爲0.27。表10中以Pw〇表示顫動値大致爲最小之記錄 -260- 1245285 (255)功率。
-261 - 1245285 (256) P e / P w 卜 ο 卜 (N 〇 卜 (N 〇 卜 (N 〇 P w〇 m m < 1 Ό 〇 1 yr) 寸 o 1 〇 o o 1 o o o E 〇 (N (N 1.50 1 .60 o o f—H o o 00 o (N o oo m O £ < 1 o o 1 o (N 〇 1 寸 o 1 寸 寸 ο £ < 1 o (N o 1 o (N 〇 1 o m O 1 ON ο o 1 CN o 1 o IT) o 1 卜 o 1 寸 Ο ο o 寸 o (N 〇 o 〇\ o o o o CN IT) 卜 〇 r^) v〇 ο ο H o ON in 卜 o o yr\ (N cn (N 寸 ON o ο ο r— m y "1 Ψ 1 '< l 寸 m 寸 寸 寸 倍速 oo vo 寸 <N (N m 記錄方式 CD2-2c CD2-2d CD 1 -2d -262- 1245285 (257) 第46圖係8、16、24、32倍速之（a)3T標示長度類 動、（b)3T間隔長度顫動、（c)調變度m!〗、（d)RtQp。各線 速時之大致Pw〇±lmW之範圍內，1倍速再生時之標示鸟 度及間隔長度可得到3 5 n s e c以下之良好顫動値。同樣 的，全部標示長度及間隔長度顫動皆可得到3 5 n s e c以卞 之良好顫動。 任何線速下，至少在大致Pw〇 ± 1 mW之範圍內，皆可 得到調變度mil爲60°/。〜80 % (0.6〜0.8)、Rt 〇p爲15〜25% 之値，且對稱値爲± 1 〇 %以內之値。p wo附近時’ 3 T〜1 i τ 之任何標示長度及間隔長度，皆可得到基準時鐘週期之± 2 0 %程度範圍內之期望標示長度及間隔長度。 將以上進行匯整，即利用本發明記錄媒體及本發明記 錄脈衝分割方法（VI-A)時，在8〜32倍速之廣泛範圍，利 用只需少數可變參數之記錄脈衝分割方法即可獲得良好特 性，再生信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品質。 又，其間之線速時，亦可利用如本發明之可變記錄脈衝分 割方法來獲得良好特性。 其次，評估各倍速之重寫耐久性。第47圖係各線速 下以表-10所示PwG及Pe/Pw比來執行重寫時之重寫次數 依存性。第47圖中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T 間隔長度顫動。 任何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1 000次的 重寫耐久性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3T/11T重寫消去率 -263- (258) 1245285 時，8倍速及3 2倍速時係採用表-1 〇之記錄脈衝分割方法 之3 Τ、Π Τ之脈衝，分別爲2 5 d Β以上，各線速下皆可得 到充份消去率。 對採用表-10之（記錄方式CDl-2d)並以32倍速實施 記錄之碟片執行1 0 5 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾 乎無法發現已記錄之信號的劣化。顫動雖然會有2ns ec程 度之變化，1倍速再生時爲35nsec以下，反射率Rt〇p雖 然比初始値降低了 10 %強，但調變度him幾乎未降低’故 維持初始値之90%以上。 (實施例1 1) 利用NA = 0.50之測試器2，在實施例9之碟片利用下 述3種類之記錄方式以24倍速實施EFM調變信號之重 寫，並評估其特性。 刪除功率 Pe及記錄功率 Pw之比 Pe/Pw固定爲 0.27，Pw係從26mW程度至36mW程度爲止以lmW刻度 變化，並以各記錄功率評估重寫特性。皆以1 〇次重寫後 之値來進行評估。偏功率Pb爲大致固定爲零之値。 (言己錄方式CDl-2e) 此記錄方式係進一步限定記錄脈衝分割方法（III-A)之 獨立參數數目的使用方法。 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 -264- 1245285 (259) 定記錄脈衝區間^ i T及截止脈衝區間Θ i T時之^ i及 β i 0
Tdi+ α 1 =2、 yS 卜 1 + α i = 2 (i = 2 〜m)。 另一方面，針d m爲3以上時之奇數標不長度、 nT==(2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之α , ’及 /3 丨，。
Tdi ’ + α Γ = 2、 /3 i - Γ + α ,，= 2 (i = 2 〜m -1 )、 /3 m-l’+α m’=2.85、但 ’ ^ m-Ι+Δ m-l、 α m，= CL mΔ m ' 泠 m ’=冷 m+Am’。 此時，丁dl=Tdl，= l、α 1’ = 1、a i=a i’ = a c = 0.9(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定）、/5 = 、 Δ m. l =〇. 3 5 > △ m = 0.5、△ mm = 〇.85、a m = 〇.9 ' β m =0.4、 △ m’ = 〇，2以上之m時爲一定。 但，m = 2時之冷1、a:、冷2、々Γ、a2’、冷2’分別 被視爲 m 爲 3 以上時之 iSm.i、am、/3m、am’、 万 m 。亦即，4T 標示，；Si = l.〇、α2 = 〇·9、ySm = 0.4’ 5T 標示，点 1，叫.45、a 2，= 1 ·4、yS m，= 0.4。 m=!，亦即 3T 標示，TdI’ = 1.65、a Γ = 0.5、 石 1 ’ = 1 · 9。 又’表-11係各記錄方式之Tdl、a,、/3,等之匯整。 -265- 1245285 (260) 表-1 1中，係將記錄脈衝分割方式分成η = 3時、及η 爲4〜11時來記載。η = 3時需要Tdl’、α!’、々Γ之3個 參數，但在表-11中則分別將其記載於Tdl、α !3 m之 欄。η爲4〜1 1時，記錄脈衝分割方法（III-A)時之Tdl + a i = Tdi+a ι, = 2 ^ β ι+α 2= β m-ι+α m = 2 ^ a \= a m= a c ^ △ m不受m影響而爲一定。因此，表-11中雖然記載著含 Tdi、/3i、/3m、在內之10個參數，但獨立參 數爲 αι、ac、Δη^!、Am、之 5 個。又，n = 4 時， β \= β m-\= β e、α 2= a m= a c ^ β ι = β m ° u = 5 時，β = yS c+ Δ m. 1 ^ a 2= a c+ Δ m ^ β i’ = β m’ ° -266 - 1245285 (261) < o oo o 寸 o ε < o Ο o ε <l o ε _丨 H ο 亡 ON o A r—^ 寸 *〇 Η m II c — I 寸 II c 記錄方式 CD 1 -2e 1245285 (262) (比較記錄脈衝分割方法I) 此記錄脈衝分割方法雖然類似本發明記錄脈衝分割方 法（11 · A)類似，但a m = a m，、亦即△ m = 0之點和本發明記 錄方式不同。具體而言， (比較記錄方式C D 1) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及/3 i 。
Tdi+ α 1 =2、 冷 i-ι+α i = 2(i = 2 〜m_l) 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標不長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i，T及截止脈衝區間Θ i ’τ時之^ i ’及 β ·'’。
Td丨 ’ + α 1 ’ =2、 = 但，冷 ι’=/3ι+Δι、 /3 i · 1，+ a i，= 2 (i = 3 〜m · 1 )、 /3m-l，+am,=2.45、但，+ CL m 5 = a m ' β nx’ = β m 0 此時，TcnsTdf^l、a 1’ = 1、/3 1 = 1.1、△ ^0.45、 a ¢ = 0.9(1 = 2 〜m-1 之 i 時 J c 爲 疋）、石 m-iel.i、 △ m-i = 0.45、 △〇! = 〇、 △ mm = 〇.45、 a m= 〇 · 9 /3 m=/5 m，= 〇 4、 △ m' = 〇，3以上之m時爲一定。 -268 - (263) 1245285 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdi = l、αι = 1、/3ι = 1·1、 a 2= a m = 〇.9 ^ ySm = 〇.4， 5T 標示，Tdl，= l、a!，= l、^^ = 1.45、a2，= a m ’ = 0.9、/3 m ’ = 0 · 4。 m=l 時，亦即 3T 標示，Tdl，= l、“^ = 1.4、 冷】，= 0·85。 又，表-12係（比較記錄方式CD1)之Tdl、ai、石 之匯整。m爲3以上時記載著記錄脈衝分割方法（II)之 個參數（Tdl、αΐ、冷1、Δι、aC、/Sm-l、Διη-Ι、am、 △ m、β m)、及 n = 3、4、5 時之 Tdi、CL i ' /3i。但， 時之（Tdl’、a Γ、/3〆）係記載於Tdl、a i、/3 !之項。 時之（Tdl、a!、/9】、a2、/32)、及 n = 5 時之（Tdl，、 αΓ、/Si’、a2’、冷 2’）係記載於 Tdl、ai、/3i、a yS m之欄。此處，△ m = 〇之點和本發明記錄方法不同。 -269- 1245285(264) 寸 〇 寸 ο 寸 o ε < 〇 σν 〇 寸 f—Μ ON o <\ 寸 〇 Ε 1 ·Η 〇 ON Ο <1 寸 Ο Η V—Η 寸 1—H 00 o 1 — 1—^ 寸 〇 Η m ^ 3 II c 寸 II c II c 記錄方式 Q U 翁 ru :1112 Μ j-j
-270- 1245285 (265) (比較記錄脈衝分割方法Η) 此比較記錄脈衝分割方法和本發明記錄脈衝分割方法 (ΙΙΙ-Α)之不同點’係只對m爲3以上之同一 m之偶數長 度標示及奇數長度之標示附與1T之標示長度差Δπ(只有 am# am)。具體而言， (比較記錄方式CD2)
針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及yS i 。
Tdi+ a 1 =2、 /3 i -】+ a i = 2 (i = 2 〜m) 〇
另一方面，針對ni爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a , ’ T及截止脈衝區間/3 , ’ T時之a i ’及 β ·'，。
Td丨 ’ + a 1 ’ =2、 冷 i-i’+a i’=2(i = 2 〜m-1)、 /3m.r+am’=2.6、但 ’ ySm-rs/Sm-l+Am-l、 a m+ Δ m ' /3m’=ySin+Am0 此時，Tdl=Tdl，= l、a i= a Γ = 1 ' yS ι= 1 · 1、^ a ^ = a c = 0.9(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定）、/3 = 、 △ m-l=〇、△ m = 0.6、Δ mm = 〇 . 6 ' a m = 〇-9 ' 石 m =冷 m、〇 · 4、 △ m’ = 〇，3以上之m時爲一定。 -271 - (266) 1245285
但，m = 2 時之 ySi、（〇：2、/32' /3ι’、α2’、冷2’分別 被視爲m爲3以上時之y3m-l、Qm、/3m、、Gm 、 /3m’。亦即，4T 標示，/3, = 1.1、 α2 = 0·9、 /3m = 0.4，5T 標示，/3Γ = 1.1、α2’ = 1.5、/3m’ = 0.4。 m=l，亦即 3Τ 標示，Tdl，= 1.0、α ^ = ^,’ = 0.85。 又，表-Π係各記錄方式之Tdl、ai、Pi等之匯整。 表-13中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及η 爲4〜11時來記載。η = 3時需要Tdl’、a〆、yS!’之3個 參數，但在表-1 3中則分別將其記載於T dl、α 1、m之 欄。 又，n = 4 時，β β m-\= β c、α 2= α m= α c ' β 2 = y?m°n = 5 時，y51’=ySc+Am_1、 α 2= α c+ Δ m ' β 2’ = /3 m，。 •272- 1245285 (267) < ο ε 00 ο 寸 ο ε < Ο ON Ο ε <3 ο S t—Η r—ι υ < ο 寸 Η Ο 卜 τ—Η 1—^ m II 2 1—^ N I 寸 II Z 記錄方式 比較記錄方式CD2 (268) 1245285 第 48圖係（記錄方式 CD卜2e)、（比較記錄方式 CD1)、及（比較記錄方式CD2)之重寫特性評估結果。 第48圖係（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長度顫 動、（c)調變度mM、（d)Rt()p之Pw依存性。
最佳記錄功率在（記錄方式CDl-2e)時爲28-33mW附 近，在（比較記錄方式CD1)時爲29-33mW附近，在（比較 記錄方式CD2)時爲29-3 4mW附近，重寫特性亦以此功率 之値來評估。 第48圖之（a)、（b)圖中之橫線，係代表1倍速再生時 之顫動規格上限値=35(nsec)。皆可得到35nsec以下之良 好顚動値。 由第48圖之（c)、（d)可知，皆可得到調變度mM爲 60% 〜80%(0.6 〜0.8)、Rt()p 爲 15 〜25% 之値。
又，最佳記錄功率附近，全部之3 T〜1 1 T之標示長 度及間隔長度皆可得到位於基準時鐘週期之± 2 0 %程度範 圍內的期望標示長度及間隔長度。對稱値亦爲土 1 〇 %以內 之値。 然而，（比較記錄方式CD1)及（比較記錄方式CD2)之 3T間隔顫動値會稍高於（記錄方式CD 1-2 e)之3T間隔顫動 値。 第 49圖係（記錄方式 CDl-2e)、（比較記錄方式 CD1)、及（比較記錄方式CD2)時之重寫耐久性的評估結 果。重覆重寫特性之評估上，（記錄方式CDl-2e)之Pw/Pe 爲Pw/Pe = 30mW/8mW，（比較記錄方式CD1)之Pw/Pe爲 •274- 1245285 (269)
Pw/Pe = 31mW/8.4mW、及（比較記錄方式CD2)之Pw/Pe爲 Pw/Pe = 3 lmW/8.4mW。 第49圖中’（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔 長度顫動。第49圖中，爲了以對數圖來表示重覆重寫次 數，將初次記錄當做第1次重寫，而在其上實施9次重寫 時即代表第1 〇次重寫。 由第49圖（a)、（b)可知結果爲，以（記錄方式CD卜2e) 實施記錄時，1 000次重寫後顫動値爲35nSeC以下，另一 方面，以（比較記錄方式CD1)及（比較記錄方式CD2)實施 記錄時，1 000次重寫後之間隔長度顫動値高於35ns。 (實施例1 2 ) 上述基本例中’係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成95nm之由（ZnS)8〇(Si〇2)2()所構成 之下部保護層、1 5nm之由
Gei6Sb64Sn20(Sn02(Ge02Sb0.8)0.8)所構成之言己錄層、30nm 之由（ZnS)8〇(Si02)2()所構成之上部保護層、4nm之由Ta 所構成之界面層、21 Onm之由Ag所構成之反射層、及約 4//πι之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。又， (ZnS)8〇(Si〇2)2()所代表之意義爲，以高頻噴濺法製成由 ZnS爲80mol%、Si02爲20mol%混合而成之膜。又， Gei6Sb64Sn2〇之組成比係原子數比。在以下之實施例中亦 同。 此Ag反射層之體積電阻率pv約爲27ηΩ · m，薄層 •275- (270) 1245285 電阻率p s約爲0.13 Ω/□。初始化係以具有長徑約75 // m、短徑約爲1 .〇 // m之橢圓點形狀之波長約810nm的 雷射二極體光，以約1 2m/s線速實施掃描。照射功率約爲 9 5 0mW。 利用ΝΑ = 0· 50之測試器2，在此碟片以實施例10之 3種記錄方式一亦即，（記錄方式CDl-2e)、（比較記錄方式 CD1)、（比較記錄方式CD2)實施24倍速之EFM調變信號 之重寫，並評估其特性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比pe/pw爲一定，Pw 從2 6 m W程度至4 0 m W程度爲止以1 m W刻度變化，在各 記錄功率下評估重寫特性。皆針對1 0次重寫後之値來進 行評估。偏功率P b爲固定且大致爲零。 第50圖係以（記錄方式CD1-2e)、（比較記錄方式 CD1)、及（比較記錄方式CD2)之各記錄方式執行記錄時之 重寫特性評估結果。 第50圖之（a)〜（d)係分別代表（a)3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（c)調變度mil、（d)Rt()p之pw依存 最佳記錄功率在（記錄方式CDl-2e)時爲29-37mW附 近’在（比較記錄方式CD1)時爲30-37mW附近，在（比較 記錄方式CD2)時爲35-37mnW附近，重寫特性亦以此功 率之値來評估。 由第50圖之（c)、（d)可知，皆可得到調變度mu爲 60% 〜80%(0·6 〜0.8)、Rt()p 爲 15 〜25% 之値。 -276· 1245285 (271) 又，最佳記錄功率附近，全部之3T〜11T之標示長 度及間隔長度皆可得到± 1 〇 %程度範圍內之期望標示長度 及間隔長度。對稱値亦爲± 1 〇%以內之値。 由第50圖之（b)可知，以（記錄方式l_2e)執行記錄 時，3T間隔顫動在35nsec以下而爲良好。然而，和以（記 錄方式CDl-2e)執行記錄時相比，以（比較記錄方式CD1) 及（比較記錄方式CD2)執行記錄時，3T間隔長度顫動會較 高。尤其是（比較記錄方式CD2)時，3T間隔長度顫動在全 部Pw皆大於35nsec。 其次，第51圖係（記錄方式CD 1-2 e)及（比較記錄方式 CD 1 )時之重寫耐久性的評估結果。檢測重寫耐久性時， 以（記錄方式匚0 1-2〇執行記錄時之？〜/?6 = 3 3111冒/9111\^， 以（比較記錄方式CD1)執行記錄時之Pw/Pe = 33mW/9mW。 又，（比較記錄方式CD 2)因初始之顫動特性不佳，故未實 施重寫耐久性評估。 第51圖中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T間隔 長度顫動。第51圖中，爲了以對數圖表示重覆重寫次 數，將初次記錄當做1次重寫，而在其上實施9次重寫時 即代表第10次重寫。以（記錄方式CD 1-2 e)執行記錄時， 1〇〇〇次重寫後顫動値爲35nSec以下。另一方面，以（比較 記錄方式CD1)實施記錄時，全部重寫次數之間隔長度的 顫動値’皆高於以（記錄方式CD l_2e)實施記錄時之間隔 長度的顫動値。 由以上結果可明確得知本發明記錄脈衝分割方法（111_ -277- 1245285 (272) A)之（記錄方式CDl-2e)的優點。 此外，（比較記錄方式CD 1)係對/3 I及/3 !，附與差 △】。因此，非可和基準時鐘週期T成爲同步之値時 (例如，△ i並非基準時鐘週期T之整數倍（實際上爲i或 2倍週期）時、或者Δι並非基準時鐘週期τ之整分之1(實 際上爲1/2Τ或1/4)時，則後續之記錄脈衝爲了不與基準 時鐘成爲同步，因此記錄脈衝產生電路之設計會變得十分 複雜。尤其是，若想要採用Ρ - C AV及C AV方式（比較記錄 方式C D 1)時，則記錄脈衝產生電路會更爲複雜。 另一方面，因（比較記錄方式CD2)時只對及am’ 附與△ m，故記錄脈衝產生電路具有較爲簡便之優點。然 而，若在8倍速及1 6倍速等低線速度使用本實施例之光 記錄媒體時，因（比較記錄方式CD2)未控制/Si及ySi’，若 無法獲得充份冷卻，和如（記錄方式C D 1 - 2 e)之本發明記 錄方法的差異更爲明顯。亦即，低線速度時，以（比較記 錄方式CD2)執行記錄時之記錄信號品質會更爲惡化。 (實施例13) 以實施例12之碟片及NA = 0.50之測試器2，利用下 述3種記錄脈衝分割方法實施8倍速至24倍速之線速的 EFM調變信號重寫，並評估其特性。下述3種類之記錄 脈衝分割方法，係以可在CAV、P-CAV等之廣泛範圍線速 實施重寫爲目的之記錄脈衝分割方法（VI)、（VI-A)、及 (VI-B)當中，尤其是可對應線速減少可變參數之數目且在 -278- 1245285 (273) 各線速度下更容易找出最佳參數的實例。
Pw會在刪除功率pe及記錄功率pw之比Pe/Pw固定 爲0.2 7之情形下變化’並以各記錄功率評估重寫特性。 皆以1〇次重寫後之値來進行評估。Pb會大約爲〇mW且 固定。 (記錄脈衝分割方法CD-VI-3) 此記錄方式係記錄脈衝分割方法（VI_B)之實例，然 而’ △ ，並以只對△ m、△ m，實施各線速度之最佳 化’來附與奇數/偶數長度之標示長度差。 表-14中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及n 爲4〜11時來記載。n = 3時需要Tdl’、a〆、，之3個 參數，但在表-1 4中則分別將其記載於TdI、α i、ys m之 欄。n 爲 4〜η 時，Tdl、αι、αι’、ai==ac(i=：2〜m)、及 (2i - <2c(i = 2〜m-1)不受η影響而爲~定，且Tdi + CL i=Tdi+a ι，=2 ' yS i-ι+α i = 2(i = 2 〜rn)、 yS 卜厂十 〇^’=2(卜2〜！11-1)。因此，冷尸21(^ = 2〜111-1)、/34，=2· a c (i = 2 〜m - 2 )。又，/3 m · 1 ’ =々 m · l + △ m -!=冷 c + △ m _!、 am’=am+nc+Am、I、 △ m’不受m影響而爲一定。此時，爲不受m及線速 之影響而爲0。n = 4〜11(2以上之m)時，獨立參數爲 又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、α!，、冷！、乃 ^,、 〇2、〇2’、石 2、yS2’分別等於 m = 3 時之 αι、α ，、 -279- 1245285 (274) ySm-1、 am、 am’、 /3m、 ySm’。因此，n = 4 時， /32=y5m°n = 5 時，/3i’=/3c、 a 2= a c+ Δ m ^ β 2' = β m + △ m，。 表-14係顫動値大致爲最小之記錄功率Pw〇。
-280- 1245285(275) P e / P w 卜 (N O 卜 (N 〇 卜 (N Ο 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο P w〇 (N CN m η m E <l 1 to 卜 〇 1 Ο 卜 ο 1 Ο (Ν Ο ε a O (N V—H ο m ^Τϊ 卜 Ο ^Τί οο ο Ο 寸 ο E < 1 CM O 1 m Ο 1 卜 ο ε <l 1 o o o 1 ο ο ο 1 ο ο ο 〇 1 m o 1 νο ο 1 ο ΟΝ ο o o m O ιη Ο 1.40 ο ο Ν VO f—^ i〇 Ό ο Γ^Ί ο ο 1 .00 ΐ l 寸 r—^ 1*—^ ι 寸 m ι 寸 倍速 00 Ό 寸 (Ν
-281 1245285 (276) 第52圖係8、16、24倍速之（a)3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（c)調變度mn、（d)Rt()p。各線速時 之大致Pw〇 ±lmW之範圍內，1倍速再生時之標示長度及 間隔長度可得到35nseC以下之良好顫動値。同樣的，全 部標示長度及間隔長度顫動皆可得到35nsec以下之良好 顫動。 任何線速下，皆可得到調變度爲60%〜80%(0.6〜 〇·8)、Rtop爲15〜25%之値，且對稱値爲± 1 〇%以內之 値。Pw〇附近時，3T〜1 1T之任何標示長度及間隔長度， 皆可得到基準時鐘週期之± 2 0%程度範圍內之期望標示長 度及間隔長度。 將以上進行匯整’即利用本發明記錄媒體及（記錄脈 衝分割方法CD-VI-3)時，在8〜24倍速之廣泛範圍，利 用只需少數可變參數之記錄脈衝分割方式即可獲得良好特 性，再生信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品質。 又，其間之線速時’亦可利用如本發明之可變記錄脈衝分 割方法來獲得良好特性。 其次，評估各倍速之重寫耐久性。第5 3圖係各線速 下以表-14所示Pw〇及Pe/Pw比來執行重寫時之重寫次數 依存性。第5 3圖中，（a)係3 τ標示長度顫動、（b)係3 T 間隔長度顫動。 任何線速下，皆可充份滿足C D - RW要求之1 0 0 0次的 重寫耐久性。 -282- (277) 1245285 (記錄脈衝分割方法CD-VI-4) 此記錄方式係記錄脈衝分割方法（VI-B)之實例，而， △ m’=〇，並以只對Δπι.Ι、Am實施各線速度之最佳化，來 附與奇數/偶數長度之標示長度差。 具體而言，係以8、1 6、24倍速執行重寫。 表-15中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及n 爲4〜11時來記載。n = 3時需要Tdl，、αι，、之3個 參數，但在表· 1 5中則分別將其記載於Tdl、α !、$ m之 欄。η 爲 4〜11 時，Tdi、Qi、αι’、 及ai’=ac(i = 2〜m-1)不受η影響而爲一定，旦Tdi + a i = Tdl’+a ι’ = 2、冷 i.i+α i = 2(i = 2 〜m)、 β i. Γ+ /5 ·，二 2 - ai’=2(i = 2 〜m-1)。因此，y3i = 2- ac(i = 2 〜m-l)、 〇：(：(1 = 2〜111-2)。又，/3111-1’=)8111-1+八111-1=冷（：+厶111-1 、△ m ' a m，=a m+Am=a C+Δπι' β m' = β A Am-1 茅泉3t^ △ m’不受m影響而爲一定。此時，Am ’爲不受 献爲a 1、 之影響而爲〇。n = 4〜11(2以上之m)時’獨立參數w a c ' Δ m- 1 ' Δ m ' β m 0 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a !、a i，、冷！、θ 1 〇：2、a2’、02、/^2’分別等於 m = 3 時之 ai、a1 “時’ 石 m-l、 ySm-l，、 Jm、 Jm 、/5m、泠 m 。因此 ，< Λ ' β 2 /32=/3m°n = 5 時，/3i’=/3c+Am-i、 a a m β m ° 表· 1 5係顫動値大致爲最小之記錄功率PW ° -283· 1245285(278) 1 P e / P w 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο 卜 (Ν Ο P w〇 (Ν m (Ν cn m ε <1 1 Ο ο ο 1 ο ο ο 1 Ο ο ο ε Ο (Ν ¥—Η 1.30 卜 ο 00 ο ο 寸 ο ε <1 1 wn (Ν Ο I m Ο 1 卜 ο ε < 1 卜 Ο 1 ο νο ο 1 ο ο ο 1 m Ο 1 ν〇 Ο 1 ο ο ο ο ο m ο 1—^ νο ο 1 .40 1 .00 •ο Η Ό 1—^ Ο Γ^Ί u^> 1.00 ο ο m 寸 m ^-Η 寸 m ι 寸 倍速 οο \ο 寸 (Ν
•284- 1245285 (279) 第54圖係8、16、24倍速之（a)3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（Ο調變度mu、（d)Rt()p。各線速時 之大致PwQ±lmW之範圍內’ 1倍速再生時之標示長度及 間隔長度可得到35nsec以下之良好顫動値。同樣的，全 部標示長度及間隔長度顫動皆可得到35nsec以下之良好 顫動。
任何線速下，皆可得到調變度m 11爲6 0 %〜8 0 % (〇 · 6〜 〇·8)、Rtop爲15〜25%之値’且對稱値爲± 1 0%以內之 値。P w 〇附近時，3 T〜1 1 T之任何標不長度及間隔長度， 皆可得到基準時鐘週期之±20%程度範圍內之期望標示長 度及間隔長度。
將以上進行匯整，即利用本發明記錄媒體及（記錄脈 衝分割方法C D - V I - 4 )時’在8〜2 4倍速之廣泛範圍，利 用只需少數可變參數之記錄脈衝分割方式即可獲得良好特 性，再生信號爲可以既存之C D驅動器執行再生之品質。 又，其間之線速時，亦可利用如本發明之可變記錄脈衝分 割方法來獲得良好特性。 其次，評估各倍速之重寫耐久性。第5 5圖係各線速 下以表-15所示Pw〇及Pe/Pw比來執彳了重寫時之重寫次數 依存性。第55圖中’（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T 間隔長度顫動。 任何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1 000次的 重寫耐久性。 -285- 1245285 (280) (記錄脈衝分割方法C D - VI - 5 ) 此記錄方式係記錄脈衝分割方法（VI-B)之實例’而’ Δ ^!!!，並以只笑寸 △、△ m’實施各 線速度之 最 佳 化 ，來附與奇數/偶數長度 之標不長度差 〇 具體而言，係以8、1 6、24倍速執行重 寫。 表-1 6中，係將記錄脈衝分割方式分成 n = 3 時、 及 η 爲 4〜11時來記載。n = 3 時需要Tdl’、 a i ’、冷！’之 3 個 參 數，但在表-1 6中則分別將其記載於 Tdi 、α \ ' β m 之 欄 。11爲 4〜11 時，Tdl、 a 1 ' a 19 ^ 丨 a i = a c (i = 2 〜 m) 及 a〆=a c(i = 2〜m-1)不受 η影響而爲一 定， '且 T d 1 + a ! = Tdi，+ ^ Γ = 2 > β i.!+ a i = 2 (i = 2 〜m)、 β a ^=2(1 = 2 〜m- 1 )。因此， β j = 2- a c(i = m - 1 ) ' β ^ _ i 一 :2- a c (i= 2 〜m -2 )。又，/3 m - i ’=yS m-1+Δ m-l =β C + Δ m - 1、 a m9= a m+ Δ m= a c+ Δ m ' /3 m’=泠 m+ △ ，， Δ m - 1 △ m Δ m’不受ni影響而爲一定 。此時，△ m = △ m d而不受 m 及 線 速之影響。n = 4〜11(2以上之m)時， 獨 立參數爲 a i a C、Δ m- 1 = Δ m ' β m、△
又，m - 2 (η = 4、5)時，使 α !、α 1 ’、0 1、/3 1 ’、 α 2、α 2’、/3 2、/3 2’分別等於 m = 3 時之 α 】、a i ’、 ^m·!、 An 、 am、 α〇ι，、冷 m、/3m，。因此，n = 4 時， yS2=/3m°n = 5 時’ a2=ac+Z\m、 /S2，= 3 m+Δ m，。n = 4〜11(2以之⑷時，獨立參數爲α】、α e、 Δ m. 1 = Δ m ' β m、Δπ/ο 表-1 6係顫動値大致爲最小之記錄功率Pw〇。 -286- 1245285(281)
P e / P w 卜 (N O 卜 (N 〇 卜 (N 〇 卜 CN 〇 卜 (N 〇 卜 (N 〇 P w 〇 (M m <N m (N m ε <l 1 o 1 〇 寸 o 1 〇 o o E o CN o 卜 o 00 o o 寸 o < 1 (N 〇 1 o Γ^Ί o 1 o 寸 o s <3 1 <N 〇 1 o m o 1 o 寸 o o 1 o 1 ^T) VO o 1 o ON o o in O m O VO o o 寸 o o H v〇 〇 r^i 1—^ m ON o o o 1—H m l 寸 r^j f—h r·^ 寸 γ^ί l 寸 倍速 00 v〇 寸 (N
-287- (282) 1245285 第56圖係8、16、24倍速之（a)3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（c)調變度mu、（d)RtC)p。各線速時 之大致Pw〇 ± 1 mW之範圍內，1倍速再生時之標示長度及 間隔長度可得到3 5 n s e c以下之良好顫動値。同樣的’全 部標示長度及間隔長度顫動皆可得到35nSec以下之良好 顫動。 又，任何線速下，皆可得到調變度 m Μ爲 6 0 %〜 80%(0.6〜0.8)、RtoP爲1 5〜25%之値，且對稱値爲± 1 〇% 以內之値。Pw〇附近時，3T〜11T之任何標示長度及間隔 長度，皆可得到基準時鐘週期之±20%程度範圍內之期望 標示長度及間隔長度。 將以上進行匯整，即利用本發明記錄媒體及（記錄脈 衝分割方法CD-VI-5)時，在 8〜24倍速之廣泛範圍，利 用只需少數可變參數之記錄脈衝分割方式即可獲得良好特 性，再生信號爲可以既存之C D驅動器執行再生之品質。 又，其間之線速時，亦可利用如本發明之可變記錄脈衝分 割方法來獲得良好特性。 其次’評估各倍速之重寫耐久性。第5 7圖係各線速 下以表-16所示PwG及Pe/Pw比來執行重寫時之重寫次數 依存性。第57圖中，（a)係3T標示長度顫動、（㈧係3T 間隔長度顫動。 任何線速下’皆可充份滿足CD-RW要求之1〇〇〇次的 重寫耐久性。 -288- 1245285 (283) (實施例14) 上述基本例中，係以下述2種方法製造碟片並執行記 錄0 (實施例14(a)之碟片） 基板上，依序形成80nm之由（ZnS)8〇(Si02)2()所構成 之下部保護層、15nm之由
Gei6.5Sb63Sn2G.5(Sn().2i(Ge() ：2Sb().dm)所構成之記錄層、 30nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成之上部保護層、3nm之 由GeN所構成之界面層、200nm之由Ag99.5Ta〇.5所構成 之反射層、及約4//m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型 光碟。又，（ZnS)8G(Si02)2()所代表之意義爲，以高頻噴濺 法製成由 ZnS爲 80mol%、Si02爲 20mol%混合而成之 膜。又，Gei 6.5 Sb 63 S 1120.5之組成比係原子數比。在以下之 實施例中亦同。 此 Al99.5TaG.5反射層之體積電阻率pv約爲80ηΩ · m，薄層電阻率ps約爲0.4Ω/口。 (實施例14(b)之碟片） 基板上，依序形成82nm之由（ZnS)8G(Si02)2〇所構成 之下部保護層、15nm之由
Gei6.5Sb63Sn2〇.5(Sn〇.2i(Ge〇.2Sb〇.8) 0.79)所構成之記錄層、 27nm之由（ZnS)8〇(Si02)2G所構成之上部保護層、3nm之 由Ta所構成之界面層、200nm之由Ag所構成之反射層、 及約4//m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。又’ -289- 1245285 (284) (ZnS)8G(Si02)2()所代表之意義爲，以高頻噴灑法製成由 ZnS 爲 80mol%、Si02爲 2 0 mo 1 %混合而成之膜。又’ Ge16.5Sb63Sn2().5之組成比係原子數比。在以下之實施例中 亦同。 此Ag反射層之體積電阻率pv約爲24ηΩ · m’薄層 電阻率P s約爲0.12Ω/Ε]。 實施例14(a)之碟片及14(b)之碟片的初始化’係以具 有長徑約7 5 μ m、短徑約爲1 .0 // m之橢圓點形狀之波長 約 810nm的雷射二極體光，以約12m/s線速掃描短軸方 向。照射功率約爲850mW。 利用ΝΑ = 0.50之測試器2，在這些碟片利用表-17所 示之下述（記錄方式l-2f)時以24倍速、（記錄方式2-2f)時 以8倍速實施EFM調變信號之重寫，並評估其特性。
Pw在刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw固定爲 0.27的情形下變化，並以各記錄功率評估重寫特性。皆以 1 〇次重寫後之値來進行評估。偏功率Pb會固定且大致爲 零。 (記錄方式CD 1-2 f) 此記錄方式係記錄方式C D 1 - 2之實例，係進一步限 定記錄脈衝分割方法（III-A)之獨立參數數目的使用方法。 具體而言，係實施8、24倍速之重寫。 表-17中’係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及r 爲4〜11時來記載。n = 3時需要Tdl，、a〆、/Si，之3個 -290- 1245285 (285) 參數，但在表-1 7中則分別將其記載於TdI、a i、/3 m之 欄。n 爲 4〜11 時，Tdi、αι、αι’、ai=ac(i = 2 〜m)、 及ai’=ac(i = 2〜m-1)不受n影響而爲一定，且Tdl + a i=Tdi，+^ Γ=2 ^ /3i-i+ai = 2(i = 2 〜m)、 β ,. Γ + α i’=2(i = 2 〜m-1)。因此，/3 i = 2- a c(i = 2 〜m-1)、 β、’ = 2-α c(i = 2 〜in-2)。又，/3 m.i’=y9 m-ι + Δ c+Δ 、 a rn' = a rn+Δ m = a C+Am' ySni’=ySm+Ani’， Δ m - 1 ' Δ m ' △ m’不受m影響而爲一定。n = 4〜11(2以上之m)時，獨立 參數爲 Jl、QC、Δοΐ-Ι、△!!!、3m、△!!!。 又，m = 2(n = 4、5)時，使 a i、α 〆、yS i、/3 !，、 α2’、冷2、々2’分別等於m = 3時之αι、αι’、 am、 am’、 /3m、石 m’。因此，η = 4 時， β 2= β m ° u = 5 時，ySi’=ySc+Am-i、 a 2= a A m - β 1’ = ^ m + △ m 0 表-17係顫動値大致爲最小之記錄功率Pw〇。 •291 - 1245285 (286)
Pe/Pw 0.27 0.27 Ο Ρ·Η 實施例14-b m (N m 實施例14-a 00 (N (N m <3 1 0.55 1 0.00 2.05 1.15 0.85 0.40 < 1 0.15 1 0.50 έ <] 1 0.25 1 0.35 ο < 1 0.35 1 0.90 0.50 0.35 o 寸· ο Η 'O o T—^ 1.00 m r-H l 寸 r—^ l 寸 倍速 00 記錄方式 記錄方式 CD2-2f 記錄方式 CDl-2f
•292· 1245285 (287) 第58圖係24倍速之（a)3T標示長度顫動、（b)3T間 隔長度顫動、（c)調變度mn、（d)RtQp。又，第59圖係8 倍速之（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長度顫動、調 變調變度mu、（d)Rt()p。 第5 9圖係8倍速之（a) 3 T標示長度顫動、（b) 3 T間隔 長度顫動、（c)調變度mil、（d)RtQp。又，第59圖係8倍 速之（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長度顫動、（c)調變 度 m! !、（d)Rtop。 實施例14(a)、實施例14(b)之任一碟片在大致Pw〇 ±lmW之範圍時，1倍速再生之標示長度及間隔長度可得 到3 5 n s e c以下之良好顫動値。同樣的，全部標示長度及 間隔長度顫動皆可得到3 5 n s e c以下之良好顫動。但，實 施例14(b)在顫動値較低之記錄功率Pw的範圍會較廣’ 可謂係針對記錄功率而具有增益之樣本。尤其是第59圖 之8倍速資料時，可以發現功率增益之差（參照第5 9圖 ⑷、（b))。 又，實施例14(a)、實施例14(b)之任一碟片在各線速 之大致 Pw〇以上的區域時，調變度mn可得到 60°/。〜 8 0 % (0.6 〜0 · 8 )之値。 又，實施例14(a)、實施例14(b)之任一碟片時，亦可 得到Rt〇P爲15〜25%、對稱値爲± 1 〇%以內之値。Pw〇附 近時，3T〜11T之任何標不長度及間隔長度’皆可得到基 準時鐘週期之±20 %程度範圍內之期望標示長度及間隔長 度。 •293- 1245285 (288) 將以上進行匯整，即利用本發明記錄媒體、以及（記 錄方式CDl_2f)及（記錄方式CD2-2f)時，實施例14(a)、 14(b)之任一碟片在8倍速、24倍速之廣泛範圍，利用少 數可變參數之記錄脈衝分割方式即可獲得良好特性，再生 信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品質，尤其如實 施例14(b)之碟片時，若反射膜之薄層電阻率爲0.2Ω/ 板以下，則在較廣泛之線速度範圍可得到較廣之記錄功率 增益。 (實施例15) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上’依序形成80nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成 之下部保護層、17nm之由
GednHSbwSnuTe^Ino.HSnmTeo.oWGeo.osSbow)。·？])所 構成之記錄層、28nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成之上部 保護層、4nm之由Ta所構成之界面層、185nm之由Ag所 構成之反射層、及約4 // m之紫外線硬化樹脂層，製成覆 馬型光碟。又’（ZnS)8〇(Si〇2)2()所代表之意義爲，以高頻 噴灑法1成由ZnS爲80mol%、Si〇2爲20mol%混合而成 之膜。又，Ge6InilSb67Sni2Te4之組成比係原子數比。在 以下之實施例中亦同。 此Ag反射層之體積電阻率約爲27ηΩ · m，薄層 電阻率p 5約爲0.1 5 Ω/口。 初始化係以具有長徑約7 5 // m、短徑約爲丨.〇 # m之 -294- 1245285 (289) 橢圓點形狀之波長約810nm的雷射二極體光，以約12m/s 線速掃描短軸方向。照射功率約爲1 1 00mW。 利用NA = 0.50之測試器2，在此碟片上以表-18所示 之記錄方式實施 8、16、32倍速之EFM調變信號的重 寫，並評估其特性。 32倍速之本記錄脈衝分割方法係（記錄方式1-2)之實 例，將其稱爲（記錄方式CD 1-2 g)。又，16倍速之本記錄 脈衝分割方法係（記錄方式2-2)之實例，將其稱爲（記錄方 式CD2-2 g)。又，8倍速之本記錄脈衝分割方法係（記錄方 式 2-2)之 實例， 將其稱爲 (記錄方式 CD2-2h)。 表-1 8中， 係將3 2 倍速之記錄方式分成 η = 2 卜 4、 ‘5 時 、及m g 3時- 一亦即η = 6〜1 1時來 記載。 n = 3 時需要 Td丨’、a '，、β 1，之 3個參數 ，但: 在表-1 8 中 則分別 將其記 載於Tdl 、α \、β m 之欄。m = 2 (n = 4、 5) 時 ，需要 n = 4時 之（Tdi 、 α 1、冷 1、 α 2、/3 2) 、及 n = =5 時 之 (Tdl，、 α丨，、 β。、a 2,、β 2?) 之參數， 分別 記 載 於 Td 1 ' α 1 ' β \、 Cl m ^ β n 、之欄。 m ^ ： ;，亦即 n爲6〜 1 1 時，Tdl 、a \ a \ ' a i 一 a c(i = 2 〜m)、及 α i’= α c (i = 2 〜m - 1)不受η 影響 而 爲 —* 定 ，且T dl+ α 1 = T d l ’ + α 1 ’ =2、β j.i + a i = 2(i = 2 ^ 、m) β ΐ-Γ+ α i，= 2(i = :2 〜rn · 1 ) 。因此，/5 ί i = 2 - a c (i = 2 〜 m 1) β c (i = 2 〜 rn-2)。又，= β m - 1 + Δ m - 1 = c + Δ m - 1 β n+ Δ m= a C + △ m、β m ’ = θ m + △ m , Δ m - 1 Λ Δ m Δ r n’不受 m影響而爲一定。 η = 6 〜1 1 (3 以上之 m) -295- 1245285 (290) 時，獨立參數爲 Ul、aC、Am.!、Am、Am、am，。 其次’表-1 8中，8、1 6倍速之記錄方式係將記錄方 式分成^3時及^爲4〜11時來記載。n = 3時需要Tdl，、 ^ I A I ’之3個參數，但在表-1 8中則分別將其記載於 Tdl、ai、之欄。η 爲 4〜11 時，TdI、α^α!，、αρ α c(1 = 2〜m)、及a i’=a c(i = 2〜m-1)不受n影響而爲一
定 ，且 Td 1+ ^ ι =Td i9 + a ι ’ = 2、 β i- 1 + a i = 2 (i = 2 〜 m) β i -Γ + a =2 〜m · 1)。因 此，；S , =2- a c(i = 2 〜 m · 1 )、 β i ，= 2· -a e (i = 2 〜m •2)。 又，β m - 1 ’ = /3 m - 1 + Δ m · 1 =β c + Δ m ι-1 ' a m，= a m + △ m = a c + Δ m、/3 m ’ =/3 m+ Δ rn 9 ， △ m - 1、 Δ rr ι ' ‘ ^ m ，不受 m 影響而爲- t~mX f 一疋 〇 n = :4 〜11(2 以上之 m) 時 ，獨 立: 參數爲 a ϊ、 a C Δ m - 1 、△ m、 β m、△ m ，O 又，m = 2(n = 4、5)時，使α】、αΘ】、/3〆、 α2、α2 、冷2、冷2’分別等於m = 3時之α】、α!’、 3 m·'、^ 1 9 ' a m ' am，、 β m、/Sm，。因此，n = 4 時， β 2= β = s 時，α 2= a c+ Δ m ' β 2,= 石 m + △ m 0 表-1 8之各記錄方式亦爲應用於C A V記錄等在廣泛範 圍之線速度下實施重寫之本發明記錄脈衝分割方式（VI-B) 的實例。 此時，η = 3 之 /3 ^ = 1.38 和 m = 3 之 /3 !，=1.19 +0.25 = 1.44有大約4%程度之偏離，其係緣於此種高頻裝置上之 脈衝設定限界，實質上則係沿襲以（VI-Β)規定之規則性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw爲固定之情 -296· 1245285 (291) 形下，使Pw從32mW程度至45mW程度爲止以lmW刻 度變化，並以各記錄功率評估重寫特性。皆以1 0次重寫 後之値來進行評估。偏功率Pb取大致爲OmW之一定値， P e / P w則固定爲0.2 7。表-1 8係顫動値大致爲最小之記錄 功率Pw〇。 -297- 1245285 (292)
Pe/Pw L 0.27 0.27 0.27 Ο CL P： 00 ΠΊ 00 <3 1 0.50 1___ 1 1 0.40 1 1 1 0.00 2.30 ί 1.75 O σν r—< o 寸 o 0.31 0.31 0.31 ε <1 1 [ ί 0.05 1 0.10 1 1 1 0.38 肅 0.20 1 0.40 1 0.81 On f—N 0.81 £ <1 1 i ! i 0.30 1 0.30 1 1 I 0.25 a c 1 0.20 1 0.40 1 蠢 1 0.81 1 1 1 1 1 ON oo m r—H 1.19 0.35 0.20 0.65 0.40 00 to On V—< 1.19 1.95 O 〇〇 1.75 § 0.81 0.81 0,J 0.81 r—^ T—^ l 寸 l 寸 n=3 寸 II c II c All £ 倍速 00 (N 記錄方式 CD2-2h (N (N Q U 〇D (N Q U
-298- 1245285 (293) 第60圖係8、16、32倍速之（a) 3T標示長度顫動、 (b)3T間隔長度顫動、（〇調變度mn、（d)Rt()p。各線速時 之大致PwG±lmW之範圍內，1倍速再生時之標示長度及 間隔長度可得到3 5 n s e c以下之良好顫動値。同樣的，全 部標示長度及間隔長度顫動皆可得到35nSec以下之良好 顫動。 任何線速下，皆可得到調變度mn爲60%〜80%(0.6〜 0 · 8 )、R10 p爲1 5〜2 5 °/〇之値，且對稱値爲± 1 〇 〇/〇以內之 値。Pw〇附近時，3T〜11T之任何標示長度及間隔長度， 皆可得到基準時鐘週期之± 2 0%程度範圍內之期望標示長 度及間隔長度。 將以上進行匯整，即利用本發明記錄媒體及本發明記 錄脈衝分割方法（VI-B)，在8〜32倍速之廣泛範圍，利用 只需少數可變參數之記錄脈衝分割方法即可獲得良好特 性，再生信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品質。 又，其間之線速時，亦可利用如本發明之可變記錄脈衝分 割方法來獲得良好特性。 其次，評估各倍速之重寫耐久性。第6 1圖係各線速 下以表-18所示PwG及Pe/Pw比來執行重寫時之重寫次數 依存性。第61圖中，（a)係3T標示長度顫動、（b)係3T 間隔長度顫動。 任何線速下，皆可充份滿足CD-RW要求之1 000次的 重寫耐久性。 又，檢測各線速之消去率。使用表-1 8之記錄脈衝分 -299- 1245285 (294) 割方法的3 T、1 1 τ之脈衝，檢測8倍速、3 2倍速之 3T/11T重寫消去率，分別爲25dB以上，在各線速下皆可 得到充份消去率。 又’對採用表-18之（記錄方式CD1-29)並以32倍速 實施記錄之碟片執行1 0 5 °C之加速試驗，即使經過3小時 也幾乎無法發現已記錄之信號的劣化。顫動雖然會有 2nSeC程度之變化，但1倍速再生時爲35nsec以下，反射 率Rt 〇p雖然比初始値降低了 10%強，但調變度mii幾乎未 降低，故維持初始値之9 0 %以上。 (比較例1) 製造日本特開200 1 -2295 3 7號公報所示之最高可重寫 線速度爲10倍速程度之碟片，嚐試24倍速之重寫記錄。 基板上，依序形成92nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成 之下部保護層、13nm之由
Ge3In3Sb72Te22(In().〇3Ge().〇3(Sb().77Te。_23)。94)所構成之記錄 層、31nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成之上部保護層、 140nm之由A1合金所構成之反射層、及約4#m之紫外 線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。又，（ZnS)8Q(Si02)2〇所 代表之意義爲，以高頻噴濺法製成由 ZnS爲80mol%、 Si02爲 20mol%混合而成之膜。又，Ge3In3Sb72Te22之組 成比係原子數比。在以下之實施例、比較例中亦同。 此A1合金反射層之體積電阻率Pv爲62ηΩ· m，薄層 電阻率p s約爲〇·44Ω/[=]。 -300- 1245285 (295) 初始化係以具有長軸約1 5 〇 // m、短軸約爲1 · 〇 // m之 橢圓點形狀之波長約810nm的雷射二極體光，以約7m/s 線速掃描短軸方向。照射功率爲1 65 0mW。 利用ΝΑ = 0.50之測試器2，在此碟片實施24倍速之 EFM調變信號之重寫，並評估其特性。 刪除功率 Pe及記錄功率 Pw之比 Pe/Pw固定爲 0.43，使Pw在1次記錄可充份得到信號特性之30mW前 後變化，評估1 0次重寫特性。偏功率Pb爲固定且大致爲 零。 24倍速記錄時之記錄方式係採用實施例1 1之（比較記 錄方式CD1)及（比較記錄方式CD2)。 在此碟片實施1 0次重寫記錄後之3 T間隔長度顫動爲 5〇ns以上、調變度mil爲30%(0·3)程度、RtQp爲8%程度 之値，在24倍速時無法獲得良好記錄特性。再生信號爲 無法以既存之CD驅動器執行再生之品質。 本比較例之碟片的Sb/Te比大致爲4.5以下，晶化速 度太慢而無充份刪除性能，2 4倍速之高線逮度下無法重 寫0 (比較例2) 製造日本特開2〇0 1 -3 3 1 93 6號公報所示之最高可重寫 線速度爲16倍速程度之碟片，嚐試24倍速之重寫。 基板上，依序形成70nm之由（ZnS)8G(Si〇2)2G所構成 之下部保護層、17nm之由 -301 - 1245285 (296)
Ge7Sb78Te】5(Ge0.07(Sb0.84Te0.16)0.93)所構成之言己錄層或 17nm 之由 Ge7Sb79TeI4(Ge〇.〇7(Sb〇.85Te〇.15)〇.93)所構成之 記錄層、45nm之由（ZnS)8()(Si〇2)2()所構成之上部保護 層、220nm之由Al99.5Ta〇.5合金所構成之反射層、及約4 //m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。又， (ZiiS)8()(Si02)2()所代表之意義爲，以高頻噴濺法製成由 ZnS爲 80mol%、Si02爲 20mol%混合而成之膜。又， Ge7Sb78Te15之組成比係原子數比。在以下之實施例中亦 同。 此A1合金反射層之體積電阻率爲1〇〇ηΩ· m，薄 層電阻率p s約爲〇.45Ω/〇。 準備2片以此方式製造之碟片。並採用2種不相同之 碟片初始化條件。 第1初始化操作如下所示。亦即，利用雷射波長約 810nm、光束長軸約 l〇8//mx 光束短軸約 之橢 圓形集束光，使此集束光之長軸整齊地配置於半徑方向， 以40 0〜600mW之功率持續照射，並以線速3〜6m/s執行 初始化。又，以7 80nm、拾波器之數値孔徑NA = 0.55之 評估裝置，實施伺服以9.5mW之DC光各照射溝及溝間部 1次使其晶化，實施以減少晶化電平之干擾爲目的之作 業。 第2初始化操作如下所示。亦即，利用具有長軸約 l〇8/zm、短軸約1.0/im之橢圓點形狀之波長約810nm的 雷射二極體光，在持續照射1 450mW之功率下，以線速約 -302- 1245285 (297) 7m/s掃描短軸方向，執行初始化。 利用ΝΑ = 0· 50之測試器2，在此2碟片實施24倍速 之 EFM調變信號之重寫，並評估其特性。又，即使 ΝΑ = 0·Μ ，亦得到大致相同之結果。 記錄方式採用日本特開200 1 _3 3 1 9 3 6號公報所示之脈 衝分割方法。具體而言，係使用日本特開2001-331936號 公報所示之第20圖的方法。
日本特開2001-331936號公報及本發明，因記錄方式 之記述方法不同，故以下主要依據以日本特開 200 b 331936號公報而做爲記錄方式之記載。
Tdi、Tdl’爲不受η影響而爲一定。 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間S iT時之α ,及,。 α 1 + /3 1 =2 '
/3 i+α i = 2(i = 2 〜m-1)、 β α m= 1 . 6 ° 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間yS i ’ T時之α , ’及 β ·'，。 α Γ+ /3 ^=2.5 ^ a i’+;3 i，=2(i = 2 〜m-1)、 •303- 1245285 (298) 此時， a i=a i，= 〇.8(i = 2 〜m_i)、 /3 ; = /5 i ’ = 1 . 2 (i = 2 〜m -1)、 n爲偶數時， a i = Ο · 8、 /3 ! = 1 · 2、 a m = 〇 · 7、 ^ m = 〇 9， n爲奇數時， α： , ’ = 1 · Ο、 yS Γ = 1 . 5、 α m，= j 〇、冷爪，=j j ，
又，m = 2時之α 1、点1、《 2、点2、a i，、万〆、 a2’、石2’分別被視爲以爲3以上時之^、石！、am、 冷 m、a!’、y3l’、am，、々m’。亦即，4T 標示， a fO.8、/3 , = 1.2、α 2 = 0.7、点 2 = 0·9，5T 標示， αι’ = 1·0、 α2’ = 1·〇、石 2，= 11。 m=l’ 亦即 3Τ 標示，αι，= ΐ.ΐ、^3^ = 15。
此記錄方式之24倍速時，在刪除功率pe爲i〇mw、 Pb爲〇.8mW且各自爲一定而變更Pw之情形下，評估各 記錄功率之10次重寫特性，無法得到如顫動爲35nsec以 下之良好特性。 本比較例之碟片的Sb/Te比爲5.2或5.6，然而因Ge 量爲較多之7 % ’故晶化速度較慢而無充份之刪除性能， 故24倍速之高線速度下無法執行重寫。 (參考例1) 對上述在比較例1準備之最高可重寫線速度爲1 〇倍 速程度之碟片’以本發明記錄方法之一例的下述（參考$ -304- 1245285 (299) 錄方式CD1)，實施10倍速之EFM調變 評估其特性。此種碟片本身已在日本特開 公報中揭示，然而’應用本發明之記錄方 至此處爲止。 使用NA = 0.50之測試器2，使刪除功 率Pw之比Pe/Pw固定爲0.43，再使Pw 2 4 m W程度爲止以1 m W刻度變化，並以 重寫特性。皆針對1 0次重寫後之値來進 Pb固定爲大致爲零之値。 (參考記錄方式CD1) 此記錄方式係進一步限定記錄脈衝分 獨立參數數目的使用方法。 針對m爲3以上時之偶數標示長度 示分割成m個區間，並以下述方式設定記 及截止脈衝區間/3 i T時之a i及/3 ,。
Tdi+ α ι=2 ' /3 Μ+α i = 2(i = 2 〜m)。 另一方面，針對m爲3以上時之i nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間， 定記錄脈衝區間α ,，T及截止脈衝區間冷i， β 。
Tdl ’ + α 1 ’ =2、 /3 i-ι’+α i’ = 2(i = 2 〜m-1)、 信號的重寫，並 2001-229537 號 法的實例只揭不 f率Pe及記錄功 從16mW程度至 各記錄功率評估 行評估。偏功率
割方法（ΠΙ-Α)之 、nT = 2mT，將標 錄脈衝區間a iT 舒數標示長度、 並以下述方式設 T時之α 1’及 -305- 1245285 (300) β m - 1 + (2 m —2.7、但 ’ /3 m-1 ~ β πι-1^~Δ m-1 ^m~ (2 m + △ m、 β m 。 此時，Tdi=Tdi’ = l、a \ = a Γ = 1 ' a x= a ^ = a c=l(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定）、/3m.i = l、^.1=0.5、2、 △ mm = 0.7、am=l、β m = 0.4 ' /^/ = 0.2，2 以上之 m 時爲 一定。 但，m = 2 時，將 /3i、〇：2、/?2、/3ι’、α2’、々2’分 別視爲 m 爲 3 以上時之 /3m_i、am、；5m、/3m_i’、am’、 /3m’。亦即，4T 標示，yS^l.O、α2 = 1、/3m = 0.4，5T 標 示，冷 ι’ = 1.5、α2’ = 1·2、；Sm’ = 0.6。m=l 時，亦良口 3T 標 示，Tdl，= 0.85、ai，= 1.6、冷 ^ = 0.75。 又，表-19係（參考CD記錄方式1)之Tdi、ai、/?i 等之匯整。 表-19中，係將記錄脈衝分割方式分成n = 3時、及η 爲4〜11時來記載。η = 3時需要Tdl’、α!’、/3Γ之3個 參數，但在表-1 9中則分別將其記載於Tdl、α !、/3 m之 欄。η爲4〜1 1時，記錄脈衝分割方法（III-A)時之Tdi + a i=Tdi+a ι, = 2 ' β ι+α 2= β m-ι+α m = 2 ' a \ = a m= a c ' △ m不受m影響而爲一定。因此，表-19中雖然記載著含 Tdl、/3!、、/3m、am在內之10個參數，但獨立參 數爲 a】、ac、Δπτ!、Δη、之 5 個。又，n = 4 時， /3i=/3m-i=/3c、 a2=am=ac、 ^2=/Sm°n = 5 時，/3ι’ = y3 c+ Δ m. 1 ^ a 2= a c+ A m ^ β 1’ = β m’。 -306- 1245285 (301) < (Ν Ο ε 卜 ο 寸 Ο £ <ι (Ν Ο ε 1—Η ε < Ο ε — ο ν—^ Ό V—Η -α Η οο ο m II C V—< f—^ ι 寸 II C 記錄方式 Q U ιιΗ 雜 (302) 1245285 第 60圖（參考記錄方式 CD1)之重寫特性的評估結 果。 第62圖係（a)3T標示長度顫動、（b)3T間隔長度顫 動、（Ο調變度mn、（d)Rt〇p之Pw依存性。 最佳記錄功率爲16-23mW附近，重寫特性亦以此功 率之値來評估。 第62圖之（a)、（b)圖中之橫線，係代表1倍速再生時 之顫動規格上限値=35(nseC)。可得到35nSeC以下之良好 顫動値。 由第 62圖之（c)、（d)可知，皆可得到調變度mn爲 60%〜80%(0.6〜0.8)、111〇1)爲15〜25%之値。 又，最佳記錄功率附近時，3 T〜1 1 T之標示長度及間 隔長度皆可得到位於基準時鐘週期T之±10%程度範圍內 的期望標示長度及間隔長度。對稱値可得到± 1 〇%以內之 値。 將以上進行匯整，即1 〇倍速時可獲得良好記錄特 性，再生信號爲可以既存之CD驅動器執行再生之品質。 其次，說明（參考記錄方式C D 1 )時之重寫耐久性的評 估結果。第63圖係以Pw/Pe=19mW/8mW實施重覆重寫時 之重寫次數依存性。第63圖中，（a)係3T標示長度顫 動、（b)係3T間隔長度顫動。第63圖中，爲了以對數圖 表示重覆重寫次數，將初次記錄當做1次重寫，而在其上 實施9次重寫時即代表第10次重寫。皆可充份滿足CD-RW要求之1 000次的重寫耐久性。 1245285 (303) 其次，針對將本發明之覆寫型光記錄媒體及本發明之 光記錄方法應用於RW_DVD之實例進行説明。 [RW-DVD基本例] 以下雖然係說明RW-DVD之基本例，但以和CD-RW 之基本例不同之點爲主來進行說明。 利用射出成形形成軌距0.74 // m、設有溝寬度約0.3 1 // hi、深度約28nm之蛇行螺旋狀溝、厚度爲0.6mm之聚 碳酸酯樹脂基板。溝形狀皆爲利用波長爲44 1 . 6 1 nm之 He-Cd雷射光用U溝近似之光學繞射法求取。溝蛇行（顫 動）會進一步以位相調變附與ADIP之位址資訊。 記錄再生評估上係使用PULUSTEK公司製DDU1000 測試器（波長約6 5 0nm、ΝΑ = 0·65、點形狀在Ι/e2強度時 爲約0.86 // m之略圓形，產生消失時間低於2nsec，以下 將此測試器稱爲測試器3。）。將 DVD之標準線速度 3.4 9 m / s視爲1倍速，評估6〜1 0倍速之重寫特性。偏功 率未特別聲明時，固定爲〇.5mW。 各線速度之資料之基準時鐘週期，會依各線速度而和 1倍速之資料之基準時鐘週期38.2nsec成反比。 只要未特別聲明，再生係以1倍速執行。以時間間隔 分析器（橫河電機公司製）檢測來自DDU 1 000之顫動。 調變度niMPIi “I top)係在示波器上以眼圖觀察方式讀 取。 實施EFM +隨機資料之1〇次重寫記錄後，檢測該記 -309- (304) 1245285 錄資料之標示長度、間隔長度、標示長度及間隔長度之顫 動、m14、Rt()p、及非對稱値。 (實施例1 6 ) 上述基本例中’係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上 依序形成70nm之由（ZnS)8〇(Si〇2)2〇所構成 之下部保護層、12nm之由
Ge12.5Sb 5 8 3 Sn 2 4 3 Te4,9(Te〇.〇5Sn〇.24(Ge().18Sb().82)〇.71)所構 成之記錄層、18nm之由（ZnS)8G(Si02)2G所構成之上部保 護層、2nm之由Ta所構成之界面層、i50nm之由Ag所構 成之反射層、及約4 // m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫 型光碟。 此Ag反射層之體積電阻率Ρν爲28ηΩ· m，薄層電 阻率p s爲約0. 1 9Ω/〇。 初始化係以具有長徑約7 5 // m、短徑約爲1 .0 // m之 橢圓點形狀之波長約81 Onm的雷射二極體光，以約12m/s 線速實施短軸方向之掃描。照射功率爲700mW。 利用ΝΑ ?0.65之測試器3，在此碟片以2.5及6倍速 實施EFM +調變信號之重寫，並評估其特性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw會固定爲 0.29或0.30，Pw從15mW程度至20mW程度爲止以lmW 刻度變化，並以各記錄功率評估重寫特性。皆以1 〇次重 寫後之値來進行評估。 6倍速時，採用記錄方式DVD1-1。以下，將其稱爲 -310- 1245285 (305) (記錄方式DVDl-la)。（記錄方式DVDl-la)係進一步限定 記錄脈衝分割方法（II_A)之獨立參數的使用方法。 (言己錄方式DVD 1 -1 a) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間石i T時之a i及i 。
Tdl+ α 1 =2、
/3 i · l + a i = 2 (i = 2 〜m -1)、 ^ m-1 + a m = 2 〇 另 一方 面 j 針對m 爲 3 以上 時之 奇數標 示 長度 nT = (2m+l)T ， 將 標示分割成 m 個區 間， 並以下 述 方式 定 記錄 脈衝_ 區 間 a i’T及截止 脈衝區間冷i ’T時之 a 丨，及 β i ’。 Td Γ+ a 1，: =2 β 】，切 2 =2 • 3 1、但 ，/3 1，= β 1 + △ 1 ' β i-l，+ a i ,二 2(i = 3 〜m-1) > β m · 1 ’ + a m， = 2·5、但 ，a m =a m + Δ m ο 此 時， Td 1 = Tdl，= l、 a ι = a Γ = 1 、β 1 = 1.25、 Δ 1=0. a i = a i，= a c = =0· 7 5 (i = 2 〜 m-1 之 i時 a C爲一定） 、 β m - 1 = 1.25、 L· i m .ι = 〇 ' Δ m = 〇 .5、 △ m 5、a m = 0· 75、 β m= /3 m，= 〇 .5 !以上之 m時 爲 一定 0 又 ，m = :2 時 之4Τ標示 ，T d 1 = 1 、a 丨=1、yS 1 = = 1.25 a 2 = 0.75、/3 2 = 0.5，5T 標示 ’ Tdi，= l、a ^ = 1、 -311 - 1245285 (306) /3 】’ =1 . 5 6、 α 2 ’ = 1 . 2 5、冷 2，= 〇 · 5。 m=l 時，亦即 3τ 標示，Tdl，= l、αΓ = 1·5、 万 Γ = 0.56。 另一方面’ 2·5倍速記錄時之記錄方式DVD2-1的具 體實例，係採用以下所示之（記錄方式D V D 2 -1 a)。（記錄 方式DVD2-la)係進一步限定記錄脈衝分割方式（v)之獨立 參數數目的使用方法。 (記錄方式DVD2-la) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2 mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i T及截止脈衝區間/3 i T時之a i及 β i 0 T d 1 + α 1 = 2、 /S i-ι+α i = 2(i = 2 〜m-1)、 Θ m-l+G m - 2。 另一方面，針對 m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間α , ’ T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之a i ’及 β。。
Tdi ’ + α 1 ’ = 2、 石 ι’+α2’=2·56、但，/3 】+ △ 1、 /3 i-ι’+α i’=2(i = 3 〜m-1)、 /5m-I’+am’=2.57、但， -312- 1245285 (307) 此時，Td】 = Tdl，= 1.06、a i= a ^ = 0.94^ /3 ^ = 1.44、 △ ι = 0·56、ai=ai’=a:c = 0.56(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一 定）、/3m-i = 1.44、Δ m-1 =〇 ' Δ m = 0.5 7 ' Δ mm = 〇 · 5 7 ^ a m = 0.56、/3 m = /3 m’ = 0.5，3 以上之 m 時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdl = 1.06、α】=0·94、 yS ι = 1·44、a 2 = 0.56 ' /32 = 0·5，5T 標示，Tdl’ = 1.06、 αι’ = 0·94、 /3ι’=2、 α2,:=1·13、冷2’ = 〇.5。 3Τ 標示，Tdl，= 1.06、αΓ = 1、= 又，表-20係各記錄方式之Tdl、a i、yS i等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方法（Π-A)或（V)爲 準，故記載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方法（II)之10 個參數（Tdi、αι、/3ι、Δι、ac、Διη-l、am、 △ rn、β m)、及 n = 3、4、5 時之 Tdl、a \ ' /3i。但，n = 3 時之（Tdl’、a Γ、/3 係記載於 Tdl、a !、/5 !之項。n = 4 時之（Tdl、a!、/Si、a2、yS2)、及 n = 5 時之（Tdl’、 αΓ、/3Γ、U2’、 /?2’）係記載於 Tdl、ai、ySi、am、 /3 m之欄。 -313- 1245285(308) 0(N—^ ε ο ^Τ) Ο ο Ι/Ί Ο o o <] Ο 卜 ΙΛ) Ο ε 卜 Ο CN <η 卜 ο νο ο m Ό o ε < Ο ο ε (Ν 1—Μ 寸 寸 ο 卜 Ο VO »y〇 o <3 ▼—Η ο v〇 o U^i <Ν 1.56 (Ν Η ν〇 ο 1 .44 (N 寸 寸 Γ^Ί 1—* cr> ^-Η 寸 ON o 寸 ON o 寸 Q\ 〇 o •α Η 1 < 1 .06 1.06 VO o f—— VO o m ^ 3 II C 寸 II C Γ·Ί II C m ^ 3 II c 寸 II c II c 記錄方式 DVD 1 - 1 a D VD2- 1 a
-314· 1245285 (309) 第64圖係6倍速之（記錄方式DVDl-la)時之重寫特 性的評估結果。刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw 爲0.3 0。Pw在從15mW至2 1mW程度爲止以lmW刻度變 化。偏功率Pb固定爲0.5mW。 第 64圖中之（a)〜（c)分別代表（a)顫動、（b)調變度 m i 4、（ c ) R t。p 之 P w 依存性。 顫動爲最小之最佳記錄功率，（記錄方式DVDl-la)時 爲 1 8 - 2 0 m W。 由第64圖（a)可知，任何Pw下之1倍速再生時的顫 動爲15%以下。又，第64圖（a)之圖中橫線係代表1倍速 再生時之顫動=10%，然而，最佳Pw附近之顫動値爲10% 以下。 由第64圖（b)、（c)可知，調變度mi4爲55%〜 80%(0·55 〜0.8)、Rtop 爲 18 〜30% 之値。 第65圖係2.5倍速之（記錄方式DVD2-la)。刪除功 率Pe及記錄功率pw之比Pe/Pw固定爲〇.29，從 12mW程度至18mW程度爲止以刻度變化。偏功率 P b固疋爲〇 . 5 W。 第65圖（a)〜（c)分別爲（a)顫動、（b)調變度、 (c)Rtop之Pw依存性。 最佳記錄功率在2.5倍速記錄時爲15〜17mw附近。 由第65圖（a)可知，任何pw時，丨倍速再生時之顫 動爲15%以下。又，第65圖（a)之圖中橫線係丨倍速再生 時之顏動=10%，最佳Pw附近之顫動値爲10%以下。 -315- 1245285 (310) 又，由第65圖（b)、（c)可知，可得到調變度m14爲 55%〜80%(0.55〜0.8)、1^。15爲18〜30%之値。 任何情形下，非對稱爲-5〜+10%之範圍內。 將以上進行匯整，即2 · 5、6倍速時可獲得良好之記 錄特性，利用本發明記錄媒體、以及記錄脈衝分割方式記 錄脈衝方法（II-A)或（V)，其間之線速時亦可獲得良好特 性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3T/14T重寫消去率 時，2.5倍速時係採用（記錄方式DVD2-la)之3T、14T之 脈衝，6倍速時則係採用（記錄方式DVDl-la)之3T、14T 之脈衝。2.5倍速及6倍速之3T/14T重寫消去率分別爲 2 8dB、2 5dB，在各線速下皆可得到充份消去率。 又，對採用（記錄方式DVD 1_1 a)並以6倍速實施記錄 之碟片執行1 05 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾乎無 法發現已記錄之信號的劣化。顫動在1倍速再生時爲1 0% 以下，且反射率Rt〇p、調變度m14亦幾乎未降低，故維持 初始値之90%以上。 (實施例17) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成80nm之由（ZnS)8〇(Si02)2〇所構成 之下部保護層、13.5nm之由
In3Ge3Sb8iTei3(In〇.〇3Ge().()3(Sb().86Te〇」4)().94)所構成之記錄 層、20nm之由（ZnS)8G(Si02)2()所構成之上部保護層、5nm -316- (311) 1245285 之由Ta所構成之層面層、l40nm之由Ag所構成之反射 層、及約4 // m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫型光碟。 此Ag反射層之體積電阻率之p v爲28ηΩ · m，薄層電阻 率P s約爲0.2 Ω /□。初始化係以具有長徑約1 50m、短徑 約1.0// m之橢圓點形狀之波長約81 Onm的雷射二極體 光，以約12m/s線速實施短軸方向之掃描。照射功率爲 1 2 0 0 m w 〇 利用ΝΑ = 0· 65之測試器3，在此碟片以2.5及6倍速 實施EFM +調變信號之重寫，並評估其特性。 刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw固定爲0.33 或0.39，Pw從15mW程度至20mW程度爲以以lmW刻度 變化，並以各記錄功率評估重寫特性。皆以1 〇次重寫後 之値來進行評估。 6倍速時採用記錄方式DVD1-2，將其稱爲（記錄方式 DVD 1-2a)。係進一步限定記錄脈衝分割方法（ΙΠ_Α)之獨 立參數的使用方法。 (言己錄方式DVD卜2a) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及/3 i 。 Τ(Η+ α 1 =2、 yS i -1 + a i = 2 (i = 2 〜m) 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 •317- 1245285 (312) nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間’並以下述方式設 定記錄脈衝區間^ i ’ T及截止脈衝區間^ 1 ’ T時之α 1 ’及 β° Τ (Π，+ α 1 ’ 二 2、 泠，·！，+ α i，= 2(i = 2 〜m-1)、 β m - 1 Δ m - 1 CX m 石 m-】，+ a m，= 2.8125、但，石 m a m + △ m。 1.25' a i= a i' 此時，Tdl = Tdi’ = 〇.75、α != α ! α c = 1.2(i = 2 〜m-1 之 i 時 J c 爲 ~* 疋）’ β m-i = 〇.8、 Δ m - 1 == 〇 · 5 ' △ m = 〇.3125、Δ mm-0.8125、ex m — 1.2 5 β m — /Sm，= 0.125，3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdl=0.75、α ι = 1·25、 々pOj、α2=ΐ·2、yS2 = 〇.125，5T 標示，Tdl，= 0.75、 αΓ = 1·25、 /3 Γ = 1·1875、 α2’= 1.5625、 /S2’= 0.125。 m=l 時，亦即 3Τ 標示，Tdi’=0.8125、αι’ = 1·625、
另一方面，2.5倍速記錄時，記錄方式DVD2-2之具 體實例係採用以下所示之（記錄方式DVD 2-2 a)。（記錄方 式DVD2-2a)係進一步限定記錄脈衝分割方式（VI)之獨立 參數數目的使用方法。 (記錄方式DVD2-2a) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 -318- 1245285 (313) 定記錄脈衝區間α ,Τ及截止脈衝區間/3 ,Τ時之a i及 β i 0
Tdi+ α 1 =2、 yS i-ι+α i = 2(i = 2 〜m)。
另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT==(2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間yS i ’ T時之a i ’及 /Si，。
Tdi ’ + α 1 ’ =2、 /3 i -1，+ a i，= 2 (i = 2 〜m -1)、 β m - 1 ^ CL m ，=2 •875 、但， β m - 1 9 = β m · 1 + △ m -1 ' CL m a m + △ 此 時，T d l = T d i ，=1·375 、 a i= α ι ’ = 0 · 625、 * a , i= a ·，一 i 一 a c = 0. 6 2 5 (i = 2 〜 m · 1之i時a < c爲 一定）、 β m • 1 = 1 • 3 7 5 Δ m - 1 = 0.43 75 > , 4 m : =0.4375 ' L ^ mm = 0.875 、a m = 〇 . 625 > β m = β m，=〇.75 ，3 以上之m時爲 一定。 又 ，m = 2 時 之 4T標示，Ί ，dl = 1.3 7 5 > a i = :0.625、 β l = 1 •3125 、 a 2=0.625 β 2=0.75 5T 標 示， Td i，= l. .3 7 5、 a i ，=0 •625 、 β Γ =1 93 7 > a 2，= 1 .0、
θ 2，= 0·75。 3T 標示，Tdl，= 1.4375、αΓ = 1·25、^^ = 1。 又，表-21係各記錄方式之Tdi、α,、/3,等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方法（III)爲準，故記 載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方式（ΠΙ)之9個參數 -319· (314) 1245285 (Tdl 、 α 1 、 /3 1 、 a C、泠 m-1 、 Δ m - 1 ^ a m、 Am、 β m) ' 及 n = 3、4、5 時之 Tdi、ai、/3i。但，n = 3 時之（Tdi’、 ai’、/3i’）係記載於 Tdl、ai、/3m 之項。n = 4 時之（Tdi、 ai、ySi、a2、冷2)、及 n = 5 時之（Tdl’、αΓ、/3Γ、 a 29 ^ Θ2’）係記載於 Tdl、ai、/3i、am、/3m 之欄。
•320- (315)1245285 Ξ (N iri (N (N to 卜 in O T—H 零_— 〇 m 〇 o 〇 ο 〇 Ε (N 卜 t m < m 寸 O o 1 1 Ε (N CM (N • 62i ο 62i 1—^ ▼ i o o • tn 卜 Ε Γ^Ί < o 寸 Ο 一 Ξ 00 卜 m o tn Ο (N r—ΐ (Ν Ο Ι^Ν 00 卜 00 Γ^. 卜 (N 00 m m o h o ON IT) — (N (Ν (N (N (N (N (N VO ν〇 vo VO (N ， H T—^ Ο o o l^s I^S 一 i〇 (N 卜 卜 卜 卜 卜 l_丨丨·Ν 00 m m m 寸 〇 〇 〇 ο ν—H — m 寸 m m vn 寸 All 11 II 11 All II II II ε c c c ε c c c cd (N cd (Ν A 1 r—· I (Ν 瀠 Q Q > > nJ m：n Q Ο
-321 1245285 (316) 第66圖係6倍速之（記錄方式DVDl-2a)的重寫特性 評估結果。刪除功率Pe及記錄功率Pw之比pe/pw在記 錄方式1’時爲0.34。Pw在從15mW程度至20mW程度爲 止以lmW刻度變化。偏功率Pb則固定爲〇.5mW。 第6 6圖之（a)〜（c )係分別代表（a)顫動、（b)調變度 m 1 4、（ c ) R t。p 之 P w 依存性。 顫動爲最小之最佳記錄功率在（記錄方式DVD2_la)時 爲 1 7 〜1 9 m W。
由第66圖（a)可知，任何Pw時，1倍速再生時之顫 動爲1 5 %以下。又，第6 6圖（a)之圖中橫線係1倍速再生 時之顫動=1 0 °/〇，最佳P w附近之顫動値爲1 〇 %以下。 又，由第66圖（b)、（c)可知，可得到調變度mi4爲 55°/。〜80%(〇·55 〜〇.8)、心”爲 18 〜30% 之値。
第67圖係2.5倍速之（記錄方式DVD2-2a)的重寫特 性評估結果。刪除功率pe及記錄功率Ρλν之比pe/pw會 固定爲〇.3〇，Pw在從15mW程度至21mW程度爲止以 lmW刻度變化。偏功率Pb則固定爲0.5mW。 第67圖之（a)〜（c)係分別代表（a)顫動、（b)調變度 mu、Pw依存性。最佳記錄功率在2·5倍速記錄 時爲1 7〜2〇mW附近，重寫特性亦以此功率之値來評估。 由第67圖（a)可知，任何Pw時，1倍速再生時之顫 動爲15%以下。又，第67圖（a)之圖中橫線係1倍速再生 時之頭動〜1 0 °/°，最佳P w附近之顫動値爲1 0 %以下。 又’由第67圖（b)、（c)可知，可得到調變度⑺以爲 -322- (317) 1245285 55% 〜80%(0·5 5 〜0·8)、Rt〇p 爲 1 8 〜30%之値。 任何情形下，非對稱爲-5〜+10%之範圍內。 將以上進行匯整，即2.5及6倍速時可獲得良好之記 錄特性。又，其間之線速時亦可利用脈衝調整來獲得良好 特性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3T/14T重寫消去率 時，2.5倍速時係採用（記錄方式DVD2-2a)之3T、14T之 脈衝，6倍速時則係採用（記錄方式DVDl-2a)之3T、14T 之脈衝。2.5倍速及6倍速之31714T重寫消去率分別爲 2 9dB、2 6dB，在各線速下皆可得到充份消去率。 又，對採用（記錄方式DVDl-2a)並以6倍速實施記錄 之碟片執行1 0 5 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾乎無 法發現已記錄之信號的劣化。顫動雖然會增加2〜3 %，但 在1倍速再生時爲15°/。以下，且反射率Rt()p、調變度mi4 亦幾乎未降低，故維持於稍低於初始値之90%。 (實施例1 8) 上述基本例中’係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上’依序形成78nm之由（ZnS)8G(si〇2)2()所構成 之下部保護層、12nm之由
GeH.sSbmSnn.sTet^Teo.wSno.WGe。17Sb〇 83)。7。）所構 成之記錄層、20nm之由（ZnShvsiQju所構成之上部保 護層、2nm之由Ta所構成之層面層、2〇〇nm之由Ag所構 成之反射層、及約4//m之紫外線硬化樹脂層，製成覆寫 -323- 1245285 (318) 型光碟。此Ag反射層之體積電阻率之pv爲28ηΩ·ιη， 薄層電阻率p s約爲0.1 4 Ω / □。初始化係以具有長徑約 75 // m、短徑約1 ·〇以m之橢圓點形狀之波長約8丨〇ηιη的 雷射二極體光，以約1 2 m / s線速實施短軸方向之掃描。照 射功率爲700mw。 利用ΝΑ = 0· 65之測試器3，在此碟片以3及8倍速實 施EFM +調變信號之10次重寫，並評估其特性。
8倍速時採用記錄方式DVD 1-2，將其稱爲（記錄方式 DVDl-2b)。係進一步限定記錄脈衝分割方法（III-A)之獨 立參數的使用方法。 (記錄方式DVDl-2b) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間a iT 及截止脈衝區間/3 iT時之a i及/3 i 。
Tdi+ α 1 =2、 /3 i · 1 + a i = 2 (i = 2 〜m)。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間^ i ’ T及截止脈衝區間/5 i ’ T時之a i ’及 β。°
Tcn，+ α 丨，=2、 /3 】_!，+ a i ’ = 2 (i = 2 〜m -1)、 冷 m-r+am’ = 2.5625、但，点 ^ m ?= -324- 1245285 (319) Q τη + Δ m 0 此時，丁dl=Tdl，= 0.875、α 1’= 1.125、α i=a = ac = 〇.8125(i = 2 〜m-1 之 i 時 ac 爲一定），/3^ = 1.1875、 Δ m-i = 0.1 25 > △ m = 0.43 75、△ mm = 〇.5 62 5、a m = 0.8125、 万m=/3m’ = 0.375，3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdl = 0.875、α 1 = 1.125、 β 1 = 1.1 8 7 5 > α 2 = 〇.8125 > 冷 2 = 〇 · 3 7 5 ， 5 Τ 標示， Τ<η’=0·875、α ^ = 1.125、冷 ι，= 1·3125、α 2’ = 1.25、 /3 2’ = 0.3 7 5。 m=1 時，亦即 3T 標示，Tdl，= 0.8 75 ' a ^ = 1.5 62 5、 冷 1 ’ = 0 · 5。 另一方面，3倍速記錄時，記錄方式DVD2-2之具體 實例係採用以下所示之（記錄方式DVD2-2b)。（記錄方式 DVD2-2b)係進—步限定記錄脈衝分割方式（VI)之獨立參數 數目的使用方法。 (記錄方式DVD2-2b) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時’將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間α ,Τ及截止脈衝區間/3 iT時之α ,及 β X 。
Tdi+ α 1 =2、 S i-ι+α i = 2(i = 2 〜m) 〇 另一方面’針對m爲3以上時之奇數標示長度、 -325- 1245285 (320) nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間^ 1 ’ τ及截止脈衝區間Θ i ’ Τ時之α 1 ’及 β ·'，。
Tdl，+ a i，=2、 yg i · Γ + a i，= 2 (i = 2 〜m -1)、 y3 m’^3、但’石 m-l — 石 m-1+Δ m-l、 G m — G m + Δ m 0 此時，Td l = Tdi ’ = 1 · 0625、a l = α Γ =0.9 3 7 5、a \= a i9 = a c = 0.5625(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定）、/3 ^^1.4375、 Δ m-i = 〇.6 8 75 ' △ m = 0.3125、△ mm=l、a m = 0 · 5 6 2 5、/3 m = /3m，= 0.5，3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdi = l.〇625、a ι = 0·9375、 冷 1 = 1.43 7 5 、 a 2 = 0-5 62 5 ^ >5 2 = 〇 · 5 ， 5 T 標示’ T d 】，:=1 〇 6 2 5、a i ’ = 〇 · 9 3 7 5、^ ’ = 2.1 2 5、a 2 ’ = 0.8 7 5、 冷 2，= 〇·5。 3T 標示 ’ Tdi’ = l.〇625、a: ^ = 1.125、^^ = 1。 又，表·22係各記錄方式之Tdi、a ,，等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方法（111)爲準，故記 載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方式（III)之9個參數 (Tdl、 a 1 ' β \、a C、 β m-l ' △ m-l 、 a m ' Am、 β m) ' 及 n = 3、4、5 時之 Tdl、a i ' )5i。但，n = 3 時之（Tdi’、 a〆、石1’）係記載於Tdl、ai、冷m之項。n = 4時之（Tdi、 a!、ySi、J2、冷 2)、及 n = 5 時之（丁 dl’、ai，、冷〆、 a 2? ' yS2’）係記載於 Tdi、a!、am、ySm 之欄。 -326- 1245285
2 (3 (N(N丨漱 A 1 1 0.375 0.3 75 0.3 75 o vn 〇 o O o < 10.4 3 7 5 0.3 125 0.8125 <Ν 0.8125 0.5 62 5 0.875 0.5625 Ξ <1 0.125 0.6875 E 1.1875 1.43 75 Ο (Ν ΟΟ ο 0.5625 [ 1.1875 1.3 125 1.1875 1.43 75 2.125 ! 1 .43 75 i 1 1 1.125 1.125 1.125 1 1.5 62 5 0.93 75 0.93 75 0.9375 1.125 Η 0.875 0.875 0.875 0.875 1 .0625 1.0625 1.0625 1 .0625 I 1 m ^ 3 II c 寸 II c cn II c m ^ 3 1! C 寸 II c m II c 記錄方式 DVD 1 -2b D VD2-2b •327 1245285 (322) 第6 8圖係8倍速之（記錄方式d V D 1 - 2 b)的重寫特性 評估結果。刪除功率pe及記錄功率Ρχν之比（記 錄方式l-2a)時爲0.24。Pw在從i8mW程度至25mW程度 爲止以1 m W刻度變化。偏功率p b則固定爲〇 . 5 m w。 第68圖之（a)〜（c)係分別代表（a)顫動、（b)調變度 m14、（c)Rtt)p 之 pw 依存性。 顫動爲最小之最佳記錄功率在（記錄方式DVDl-2a)時 爲 22 〜25mW。 由第68圖（a)可知，任何pw時，1倍速再生時之顫 動爲15%以下。又’第68圖（a)之圖中橫線係1倍速再生 時之顫動=1 0 %，最佳P w附近之顫動値爲丨〇 %以下。 又’由第68圖（b)、（c)可知，可得到調變度mi4爲 55〇/〇 〜80°/〇(0·55 〜0.8)、Rtop 爲 18 〜30%之値。 第69圖係3倍速之（記錄方式DVD2-2b)的重寫特性 評估結果。刪除功率Pe及記錄功率pw之比pe/pw會固 定爲0.25，Pw在從14mW程度至20mW程度爲止以lmw 刻度變化。偏功率Pb則固定爲〇.5mW。 第69圖之（a)〜（c)係分別代表（a)顫動、（b)調變度 him、（c)Rt()p之Pw依存性。最佳記錄功率在3倍速記錄 時爲17〜20mW附近。 由第69圖（a)可知，任何pw時，1倍速再生時之顫 動爲15%以下。又，第69圖（a)之圖中橫線係1倍速再生 時之顫動=1 0 % ’最佳P w附近之顫動値爲丨〇 %以下。 又，由第69圖（b)、（c)可知，可得到調變度mM爲 -328- 1245285 (323) 5 5 % 〜8 Ο % (Ο · 5 5 〜Ο · 8 )、R t。p 爲 1 8 〜3 Ο % 之値。 又，任何情形下，非對稱爲〜+10%之範圍內。 將以上進行匯整，即3及8倍速時可獲得良好之記錄 特性。又，其間之線速時亦可利用脈衝調整來獲得良好特 性。 又，檢測各線速之消去率。檢測3Τ/14Τ重寫消去率 時，3倍速時係採用（記錄方式DVD2-2b)之3Τ、14Τ之脈 衝，8倍速時則係採用（記錄方式DVD 1-2b)之3T、14T之 脈衝。3倍速及8倍速3T/14T重寫消去率分別爲29dB、 2 6 dB，在各線速下皆可得到充份消去率。 又，對採用（記錄方式DVD l-2b)並以8倍速實施記錄 之碟片執行1 05 °C之加速試驗，即使經過3小時也幾乎無 法發現已記錄之信號的劣化。顫動在1倍速再生時爲1 〇% 以下，且反射率Rt〇P、調變度m14亦幾乎未降低，故維持 初始値之90%以上。
(實施例19) 上述基本例中，係以下述方法製造碟片並執行記錄。 基板上，依序形成80nm之由（ZnS)8〇(Si〇2)2〇所構成 之下部保護層、13 nm之由
Ge7.7lni〇.iSb63.6Sni3.8Te4.8(In〇.iSn〇.i4Te〇.〇5(Ge〇.iiSb〇.89 )o.7i)所構成之記錄層、20nm之由（ZnS)8〇(Si02)2〇所構成 之上部保護層、2nm之由Ta所構成之層面層、200nm之 由 A g所構成之反射層、及約4 // m之紫外線硬化樹脂 -329- 1245285 (324) 層，製成覆寫型光碟。 此Ag反射層之體積電阻率之Pv爲28ηΩ·ηι，薄層 電阻率p s約爲〇 · 1 4 Ω /□。初始化係以具有長徑約7 5 μ m、短徑約1 ·〇 // m之橢圓點形狀之波長約8 10nm的雷 射二極體光，以約12m/s線速實施短軸方向之掃描。照射 功率爲900mw。 利用NA = 0.65之測試器3，在此碟片以4、10及12 倍速實施EFM +調變信號之10次重寫，並評估其特性。 10倍速時採用記錄方式DVD1-2，將其稱爲（記錄方 式DVD卜2c)。係進一步限定記錄脈衝分割方法（III-A)之 獨立參數的使用方法。 (記錄方式DVD1-2C) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成ηι個區間’並以下述方式設定記錄脈衝區間a i T 及截止脈衝區間/5 ιΤ時之a i及；5 i 。
Tdl+ α 】=2、 /3 i = 2(i = 2 〜m) 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標不長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間’並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間Θ i ’ T時之α i ’及 β、’。
Tdi ’ + α 1 ’ =2、 yS i -1，+ α i，= 2 (i = 2 〜m · 1 )、 -330· 1245285 (325) 0 m =2.47、但’ /3 m-1 = m-1+Δ m-1、 Ci m ~ 6T m+ △ m 0 此時，Tdl=Tdi’ = l、α ι=α Γ = 1、a i=a i’ = a c = 0.8(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定），冷 ^ = 1.2、 Δ m.! = 0.2 ^ Δ m = 〇.27、△ mm = 0.47、a m = 〇.8 > β m = y5m，= 〇.6，3以上之m時爲一*疋。 又，m = 2 時之 4T 標不 ’ T(ji = l、αι = 1、θι = 1·2、 α2 = 〇·8、/32 = 0.6，5T 標示，Tdl’ = l、αι’ = 1、 0^ = 1.27 5 α2’ = 1·13、冷2’ = 〇.6。 m=l 時，亦即 3Τ 標不 ’ Τ(ΐι’ = 1.2、αι’ = 1·07、 /3 Γ = 〇·8。 又，12倍速時亦可採用記錄方式DVD1-2，將其稱爲 (記錄方式 D V D 1 - 2 d) °係進一步限定記錄脈衝分割方法 (III-A)之獨立參數的使用方法。 (記錄方式DVDl-2d) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a iT及截止脈衝區間iT時之a i及 β i 0 T d 1 + a 1 = 2、 /3 i-i+a i = 2(i = 2 〜m) 〇 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 -331 - (326) 1245285 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之α，及 β '，。 丁di ’ + α 1 ’ =2、 /5 ί·ι，+α i，= 2(i = 2 〜m_l)、 ySm-l’+am’=2.5、但，am’： a m+ △ m。 此時，Tdl = Tdi’= 0.92、a i= a i, = 1.08 ' a a i9 = a c = 0.83(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定）、/3 、 △ m.i = 0.25、△ m = 0.25、△ mm = 0.5、a m = 0 · 8 3、/5 m = ySm’ = 0.75，3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標示，Tdl = 0.92、αι = 1·〇8、 /3 ι = 1 . 1 7 > a 2 = 0-83 ^ 汐2 = 0.75，5T 標示，Tdl，=〇.92、 a !，= 1 · 0 8、/3 !，= 1 · 2 8、a 2，= 1 · 1 4、冷 2，= 0.7 5。 m=l 時，亦即 3T 標示，Tcn’M.l?、a ί’Μ.Οβ、 β \，= 0·6Ί。 另一方面，4倍速記錄時，記錄方式DVD2-2之具體 實例係採用以下所示之（記錄方式DVD2-2c)。（記錄方式 DVD2-2C)係進一步限定記錄脈衝分割方式（VI)之獨立參數 數目的使用方法。 (記錄方式DVD2-2C) 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT執行標 示之記錄時，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a iT及截止脈衝區間Θ iT時之a ,及 -332- 1245285 (327) β i 〇
Tdi+ α 】=2、 泠 i-ι+α i = 2(i = 2 〜m)。 另一方面，針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間a i ’ T及截止脈衝區間yS i ’ T時之α , ’及 β、，。 T d 1，+ α 1 ’ = 2、 冷 ί·ι，+α i，=2(i = 2 〜m_l)、 ySm-i’+am’ = 2.88、但’ =冷 n + Am·!、 a m,= 6K m + △ m。 此時，Tdi=Tdi’ = 1.44、α ι=α ι’ = 0·56、a i=a i’ = a c = 0.56(i = 2 〜m-1 之 i 時 a c 爲一定）、万 0^ = 1.44、 △ m-l=〇.56、△ m = 〇.32、△ mm-0.88、CL m= 〇 · 5 6 N β m ~ /3m’ = 0.69，3以上之m時爲一定。 又，m = 2 時之 4T 標不，Tdi = 1.44、a ι=〇.56、 /3 ι = 1·44、a 2 = 0-56 ' β 2 = 0-69 ? 5T 標示，Tdi’ = 1.44、 α ι’ = 0·56、 /3 ι’ = 2、 ck 2, = 0.88、 /3 2，= 0·69。 3Τ 標示，Tdl’= 1.44、a ^ = 1.19、y3 ^ = 0.88。 又，表-23係各記錄方式之Ten、a;、/3i等之匯整。 因任何一種記錄方式皆可以記錄脈衝方法（III)爲準，故記 載著m爲3以上時之記錄脈衝分割方式（III)之9個參數 (Tdl 、 a 1 、冷 1 、 Ο C、 /3 m-1 、 △ m-1 、 a m、 △ m 、石 〇i )、 及n = 3、4、5時之Tdi、ai、/?i。因本實施例中之Am爲 -333· 1245285 (328) 零，故將其省略。又，n = 3時之（Tdl’、a。、yS〆）係記載 於 Tdl、a!、之項。n = 4 時之（Tdl、αι、/Si、α2、 冷2)、及 n = 5 時之（Tdl’、α!’、/3ι’、α2’、 /32’）係記載 於 丁£11、（21、/?1、0：111、万111之欄。 -334- 1245285 (329) ε(Ν-^
Ό Ο ο ο 00 Ο 卜 ο 卜 Ο 卜 ο 卜 \D Ο ON ο ΟΝ Ο \ο ο οο 00 ο <1 卜 (Ν Ο ΙΤ) (Ν Ο (Ν m ο ε οο ο r-H 00 ο cn 00 ο 寸 τ-^ m 00 ο ο 00 00 ο Ο <] <Ν Ο (Ν Ο Ό Ο ε (Ν 卜 f— τ—^ 寸 寸 -丨< ο 亡 ΟΟ Ο m 00 Ο ο <Ν Τ—Η 卜 (Μ Ψ 11 i <Ν y丨__ 卜 1—^ τ—^ οο (Ν 1 Η 卜 寸 寸 (Ν 1 1.44 ψ Η —1 _ 卜 Ο 1— 00 ο ΟΟ ο οο ο ΟΟ ο ο 'sD Ο κη Ο ΟΝ 1—^ Η 1 1 ψ ， (Ν ψ« ·Ν (Ν ΟΝ Ο (Ν ο (Ν 〇ν Ο 卜 寸 寸 寸 寸 寸 r—· 寸 寸 »—< Μ ^ 3 II 寸 II 2 m II 2 Μ ^ 3 II 2 寸 II 2 II 2 Μ ^ 3 II Ζ 寸 II Z II 2 記錄方式 DVD 1 -2c DVD 1 -2d D VD2-2C -335- 1245285 (330) 第7 0圖係1 〇倍速之（記錄方式d V D 1 - 2 c )的重寫特性 評估結果。刪除功率Pe及記錄功率pw之比？6/^〜在（記 錄方式l-2c)時爲0.22。Pw在從22mW程度至27mW程度 爲止以lmW刻度變化。偏功率Pb則固定爲〇 5mW。 第70圖之（a)〜（c)係分別代表（a)時鐘顫動、（b)調變 度mi4、（c)Rt〇p之Pw依存性。 顫動爲最小之最佳記錄功率在（記錄方式DVD1-2C)時 爲24〜26mW附近。 由第70圖（a)可知，任何時，1倍速再生時之顫 動爲15%以下。 又’由第70圖（a)、（b)、（c)可知，最佳記錄功率 時’可得到時鐘顫動爲1 2 %以下、調變度m M爲5 5 %〜 80 % (0.55 〜0.8)、Rt()p 爲 18 〜30°/。之値。 第7 1圖係1 2倍速之（記錄方式〇 V D 1 - 2 d)的重寫特性 評估結果。刪除功率Pe及記錄功率Pw之比Pe/Pw在（記 錄方式DVDl-2d)時會固定爲〇·2，Ρλν在從23mw程度至 2 8 m W程度爲止以1 m w刻度變化。偏功率p b則固定爲 0.5mW。 第71圖之（a)〜（c)係分別代表（a)時鐘顫動、（b)調變 度mi4、（c)Rt()p之Pw依存性。 顏動爲最小之最佳記錄功率在（記錄方式d V D 1 - 2 d )時 爲26〜27mW附近。 由第71圖（a)、（b)、（Ο可知，最佳記錄功率時，可 ί守到時k顏動爲1 5 %以下、調變度m 14爲5 5 %〜8 〇 % (〇 · 5 5 •336- 1245285 (331) 〜0.8)、Rt()p爲18〜30%之値。又，12倍速之時鐘顫動超 過1 2 %，係因爲檢測用測試器3之記錄脈衝的產生及消失 略小於 2nsec，相對於基準時鐘週期 3.2nSeC爲較大之 値，若產生及消失時間爲lnsec程度，則可降低爲12%程 度。使此產生及消失時間成爲lnsec程度係目前可確實實 現之値。 第72圖係4倍速之（記錄方式DVD2-2C)的重寫特性 評估結果。刪除功率Pe及記錄功率PW之比pe/Pw固定 爲0.25，Pw在從14mW程度至20mW程度爲止以lmW刻 度變化。偏功率P b則固定爲0.5 m W。 第72圖之（a)〜（c)係分別代表（a)時鐘顫動、（b)調變 度m14、（c)RtQp之Pw依存性。最佳記錄功率在4倍速記 錄時爲17〜20mW附近。 由第72圖（a)、（b)、（c)可知，最佳記錄功率時，可 得到時鐘顫動爲1 1 %以下、調變度m i 4爲5 5 %〜8 0 % ( 0 · 5 5 〜〇·8)、RtC)p 爲 1 8 〜30%之値。 將以上進行匯整，即4、10、及12倍速時可獲得良 好之記錄特性。又，其間之線速時亦可利用脈衝調整來獲 得良好特性。 又’檢測各線速之消去率。以表-23之記錄脈衝分割 方法之3T、14T之脈衝檢測3T/14T重寫消去率時，分別 爲2 5 dB以上’在各線速下皆可得到充份消去率。 又’對採用表-23之（記錄方式DVD 1-2 c)並以10倍速 實施記錄之碟片執行丨05。(：之加速試驗，即使經過3小時 -337- 1245285 (332) 也幾乎無法發現已記錄之信號的劣化。顫動在1倍速再生 時爲12%以下，且反射率Ri()p、調變度mM亦幾乎未降 低，故維持初始値之90%以上。 (比較例3 ) 對曰本特開200 1 -3 3 1 93 6號公報之實施例之可以4.8 倍速或5倍速重寫之RW-DVD，以8倍速嚐試重寫記錄。 基板上，依序形成68nm之由（ZnS)8()(Si02)2()所構成 之下部保護層、14nm之由
Ge5Sb77Te】8(Ge〇 〇5(SbG.8iTe〇.19)0.95)所構成之記錄層、 25nm之由（ZnS)8〇(Si〇2)2G所構成之上部保護層' 200nm 之由Ag99.5Ta().5所構成之反射層、及約4 // m之紫外線硬 化樹脂層，製成碟片。 此Ag99.5TaG.5反射層之體積電阻率之P v爲ΙΟΟηΩ · m，薄層電阻率p s約爲0.5 Ω / □。初始化係以具有長徑 約75 // m、短徑約1.0 // m之橢圓點形狀之波長約810nm 的雷射二極體光，以約 3〜6m/s線速實施短軸方向之掃 描。照射功率爲 400〜600mW。又，以波長 660nm、 NA = 0.65之評估裝置，實施追蹤及聚焦伺服，利用約 6mW之DC光以4m/s對溝部實施一次掃描，實施以減少 晶化電平之干擾爲目的之作業。 利用ΝΑ = 0·65之測試器3，在此碟片以8倍速實施 EFM +調變信號之重寫’並評估其特性。 記錄方法係曰本特開200 1 -3 3 1 93 6號公報所示之脈衝 -338- 1245285 (333) 分割方法。具體而言，就是採用日本特開2〇〇卜331936號 公報之桌2 6圖所示之方法。 因爲日本特開200 1 -3 3 1 93 6號公報和本專利之記述方 法不同，故以日本特開2 00 1 -3 3 i 93 6號公報之記述方式爲 主來進行說明。 針對m爲3以上時之偶數標示長度、nT = 2mT，將標 示分割成m個區間，並以下述方式設定記錄脈衝區間α ιΤ 及截止脈衝區間万i Τ時之a i及/3 i 。
Tdi+ a i = 2(Td丨= 〇·95)、 冷卜！+ a i = 2(i==2 〜m-1)、 /3 m+ a m= 1 ·4 〇 另一方面’針對m爲3以上時之奇數標示長度、 nT = (2m+l)T，將標示分割成m個區間，並以下述方式設 定記錄脈衝區間α , ’ T及截止脈衝區間/3 i ’ T時之a i ’及 β '，。
Td!^ a ! , = 2.05(ΤίΠ, = 1) > /3 !，+α 2’ = 2·45、 yS i-ι’+α i’=2(i = 3 〜m-1)、 石 m-l’+J m =2.45 0 此時， a i=a 丨’ =1(卜2 〜m-1)、 /3 i=iS 「= 1(卜2 〜m-1)、 n爲偶數時， a i = l.〇5 ' i = 1 ' a m=l 、 yS m = 〇.4 ’ -339- 1245285 (334) η爲奇數時， αΓ = 1.05、 ySi，= 1.45、 am’ = l、 = ’ 又，m = 2 時之 αι、/3ι、α2、冷 2、α〆、/3i 、 〇2’、/32,分別被視爲爪爲3以上時之6^1、万1、am、 β m、a '，、β '，、am，、 々m，。亦即 ’ 4T 標示’ Tdi=0.95、afl.OS、/3ι = 1、α2 = 1、冷 2 = 0·4’ 5丁標不，
Tdi’ = l、 a ι’ = 1.05、 /3 ι’ = 1·7、 ^2—0.4。 m=l，亦即；3T 標示，Tcn’ = 1.15、a i’ = 1·2、 石 1 ’ = Ο . 8 0 此記錄方式之8倍速時，Pb固定爲〇.5mW且刪除功 率Pe分別爲4mW、4.5mW、5mW、5.5mW，在各Pe時變 更Pw之情形下，評估各記錄功率之1 〇次重寫特性’時 鐘顫動爲20%以上，而無法獲得良好特性。 利用本發明的話，可得到可以24倍速或3 2倍速之高 倍速實施1光束重寫的CD-RW。又，不但爲可以24倍速 及3 2倍速實施1光束重寫，亦爲可在低於2 4倍速之低倍 速線速度下執丫了重寫之C D - R W。 又，利用本發明的話，可得到可以6倍速、8倍速、 1〇倍速、或12倍速之高倍速實施重寫之RW-DVD。又， 不但爲可以6倍速、1〇倍速、或12倍速實施1光束重 寫，亦爲可在低於6倍速之低倍速線速度下執行重寫之 RW-DVD。 又’利用本發明的話，可獲得在從低線速至高線速度 之廣泛範圍下對覆寫型光記錄媒體實施良好記錄之記錄方 -340- (335) 1245285 法。 上面係利用特定形態來詳細說明本發明，然而，只要 不偏離本發明之意圖及範圍的情形下，可以實施各種變更 及變形，相關業者當然十分了解。 又，本專利申請係以2 0 0 2年2月1 3日提出申請之日 本特願2002-34827、2002年3月18日提出申請之日本特 願2002-7 4818、2002年4月26日提出申請之日本特願 2002-126491、2002年10月31日提出申請之日本特願 2002-317858、以及2002年11月27日提出申請之日本特 願2002-3445 5 7爲基礎，故全體皆可援用。 【圖式簡單說明】 第1圖係傳統之記錄脈衝分割方法實例之説明圖。 第 2圖係EFM調變信號之再生波形（眼圖）的模式 圖。 第3圖係記錄脈衝分割方法之説明圖。 第4圖係反射層散熱效果、記錄層組成、及記錄方法 對各種記錄線速度之非晶形成及再晶化過程的影響之説明 圖。 第5圖係利用本發明記錄方法之記錄脈衝分割方法實 例的説明圖。 第6圖係使用本發明記錄方法之記錄裝置的槪念圖。 第7圖係以特定記錄方式執行24倍速記錄時，具有 GeSbTe系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 -341 - 1245285 (336) 第8圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有GeSbTe系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第9圖係以其他特定記錄方式執行1 0倍速記錄時， 具有G e S b T e系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第1 〇圖係以特定記錄方式執行24倍速記錄時，具有 GeSbTe系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資料。 第1 1圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有 GeSbTe系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第1 2圖係以其他特定記錄方式執行1 0倍速記錄時， 具有 GeSbTe系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第1 3圖係以其他特定記錄方式執行2 4倍速記錄時， 具有InGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第14圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有InGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第1 5圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時， 具有InGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第1 6圖係記錄脈衝分割方法之説明圖。 第1 7圖係記錄脈衝分割方法之決定方法。 第1 8圖係以其他特定記錄方式執行2 4倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第1 9圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 -342- 1245285 (337) 第20圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第2 1圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第22圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第23圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第24圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第25圖係以其他特定記錄方式執行10倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第26圖係以其他特定記錄方式執行32倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第27圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第2 8圖係以其他特定記錄方式執行1 0倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第29圖係以其他特定記錄方式執行3 2倍速記錄時， 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 -343- 1245285 (338) 第3 0圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第3 1圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第3 2圖係以其他特定記錄方式執行3 2倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第3 3圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第3 4圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第3 5圖係以其他特定記錄方式執行3 2倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的光記錄特性資料。 第3 6圖係以其他特定記錄方式執行24倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第3 7圖係以其他特定記錄方式執行1 〇倍速記錄時’ 具有SnGeSb系記錄層之光記錄媒體的重寫重覆特性資 料。 第3 8圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 _ 24倍速記錄時之各線速的記錄特性資料。 第3 9圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 -2 4倍速記錄時之重寫特性資料 -344- 1245285 (339) 第4 0圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 · 3 2倍速記錄時之記錄特性資料。 第4 1圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 -3 2倍速記錄時之各線速的重寫特性資料。 第42圖係η爲4以上時之各種參數的線速度依存性 資料。 第43圖係η = 3時之各種參數的線速度依存性資料。 第44圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 -24倍速記錄時之各線速的記錄特性資料。 第45圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8-24倍速記錄時之各線速的重寫特性資料。 第46圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8-3 2倍速記錄時之各線速的記錄特性資料。 第47圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8-3 2倍速記錄時之各線速的重寫特性資料。 第48圖係在同一媒體上執行各種記錄方式之記錄時 的記錄特性資料實例。 第49圖係在同一媒體上執行各種記錄方式之記錄時 的重寫特性資料實例。 第50圖係在同一媒體上執行各種記錄方式之記錄時 的記錄特性資料其他實例。 第51圖係在同一媒體上執行各種記錄方式之記錄時 的重寫特性資料其他實例。 第52圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8- -345- 1245285 (340) 24倍速記錄時之各線速的記錄特性資料。 第5 3圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 -24倍速記錄時之各線速的重寫特性資料。 第54圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8-24倍速記錄時之各線速的記錄特性資料。 第5 5圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 -24倍速記錄時之各線速的重寫特性資料。 第5 6圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8 -24倍速記錄時之各線速的記錄特性資料。 第57圖係以其他特定記錄方式在同一媒體上執行8-24倍速記錄時之各線速的重寫特性資料。 第5 8圖係對反射層不同之2種覆寫型光記錄媒體以 其他特定記錄方式執行2 4倍速記錄時之記錄特性資料。 第5 9圖係對反射層不同之2種覆寫型光記錄媒體以 其他特定記錄方式執行8倍速記錄時之記錄特性資料。 第60圖係對同一媒體執行8倍速至32倍速之記錄線 速度執行記錄時之記錄特性資料其他實例。 第6 1圖係對同一媒體執行8倍速至3 2倍速之記錄線 速度執行記錄時之重寫特性資料其他實例。 第62圖係使用本發明之記錄方法實例以1 〇倍速執行 記錄時之記錄特性資料。 第6 3圖係使用本發明之記錄方法實例以1 〇倍速執行 $錄時之重寫特性資料。 第64圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 -346- 1245285 (341) 記錄媒體（R W - D V D )上以6倍速執行記錄時之記錄特性資 料。 第65圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 記錄媒體（RW-DVD)上以2.5倍速執行記錄時之記錄特性 資料。 第66圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 記錄媒體（RW_DVD)上以6倍速執行記錄時之記錄特性資 料。 第67圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型# 記錄媒體（R W - D V D )上以2.5倍速執行記錄時之記錄特性 資料。 第68圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 記錄媒體（R W - D V D )上以8倍速執行記錄時之記錄特性資 料。 第69圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 記錄媒體（R W - D V D )上以3倍速執行記錄時之記錄特性資 料。 第7〇圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型# 記錄媒體（RW - D V D )上以1 0倍速執行記錄時之記錄特性資 料。 第71圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 記錄媒體（RW-DVD)上以12倍速執行記錄時之記錄特性資 料。 第72圖係以其他特定記錄方式在本發明之覆寫型光 -347- 1245285 (342) 記錄媒體（R w - D V D )上以4倍速執行記錄時之記錄特性資 料。
-348-
Claims (1)
- 歸85 .丨 Μ··· f - ϊ ·. . …i i * · ； ； ' ......................—.....——Π)............... 拾' 申請專利範圍 第92 1 03 003號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年7月29日修正 1 ' 一種覆寫型光記錄媒體，係具有形成溝槽之基 板、及相變化型記錄層，使該相變化型記錄層之晶體狀態 的部份對應未記錄/抹除狀態、及使該相變化型記錄層之 非晶狀態的部份對應記錄狀態，實施記錄光之照射，形成 ¥寸應該sS錄狀態之非晶標不’其特徵爲· 將線速度1.2m/s當做基準速度（1倍速）V!， 從基準速度之24倍速線速度V = 24V1、及32倍速線 速度當中選取其中之一， 使基準時鐘週期 T保持 (但，Τι爲 231nsec)，以下述記錄方式CD1-1、或記錄方式CD1-2之 條件內的1種記錄方式，實施1 0次之經過EFM調變之信 號的重寫記錄後， 以1倍速之再生所得到之記錄信號的眼圖之調變度 mn爲60〜80%，記錄信號之眼圖的反射率上端値Rt〇p爲 15〜25%，且各標示長度及各標示間之顫動爲35nSeC以 下； 記錄方式C D 1 -1 ; 經由數値孔徑NA爲0.5之光學系照射波長爲7 8 0nm (2) 此時，若1個非晶標示之時間長度、η T (η爲3 运1】 之整數）時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪$ P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，龄# 和其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 α 1 T、 yS 1 T、 α 2T、 /3 2T、 ...、 a mT、冷 mT 而由m個a iT、/3 iT所構成之區間，且，各區間係依 α ι=0·7 〜1.4、α 丨=0.7 〜1.2(i 爲 2〜m-1 之整數，α . * ^f\ 受i影響而爲0.7〜1.2間之定値ac)、θι+αρ] 1 2.3、 ySi-i+ai = 2(i 爲 3〜m-1 之整數）、/3m-i+am=i 7 丄· /〜 2.3、 a m = 〇.7〜1 .2、/3 m = 0〜2的順序而爲Σ〆a丨+々，卜 · 1卜n” 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 a i’T、冷 ι’Τ、 a2’T、冷2’丁、 ...、 am，T、 ；8m’T 而由m個a i ’ T、Θ i ’ T所構成之區間，且，各區間係依 a ι’=α 1 、 /3 ι’=/3 ι(Δ ι=〇·3 〜〇·6)、 a i’=a c(i = 2 〜 m-1之整數）、冷i-i’+ai’=2(i爲3〜m-1之整數）、•丨，= /Su+Am-id-isO 〜0.6)、am’=am+Am(〇<Am$〇.6)、 1245285 (3) △ m ηι = △ ηι -1 + △ m = Ο _ 3 〜Ο . 6、/3 m = /5 m 的順序而爲 ς i ( a i ’ + yS〆）=η - k方式之分割， 在a iT及a i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率P w的記錄光（但，P w爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在/3 i T及yS i ’ T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 1 m W以下之偏功率P b的記錄光； 又，m 爲 3 以上時，αι(=αι’）、ac、冷 m(=/3m’）、 /3〖、△!、ySm-i、Δη^、am、Δγπ 不受 m 影響而爲一 定； 又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、αι’、α2、α2，、 冷2、卢2’分別等於m爲3時之αι、αι’、α3、α3’、 冷3、03’，同時，使/3ι等於m爲3時之或y32之其中 之一，且使々Γ等於m爲3時之’或/32’之其中之一； m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α "τ及 偏功率照射區間yS i ’ T所構成之記錄光的照射； 記錄方式CD1-2 ; 經由數値孔徑NA爲〇·5之光學系照射波長爲780nm 之光； 此時，若1個非晶標示之時間長度、ηΤ(η爲3至1 1 之整數）時， 對記錄標不間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 -3- —285 (4) 時間長度爲（n -j) T (j爲-2 · 0〜2 · 0之實數）分割成爲 α!Τ、冷丨丁、 〇2丁、冷2丁、 ...、 amT、 /3mT 而由m個a iT、0 iT所構成之區間，且，各區間係依 α】=0·7〜1.4、ai = 0.7〜1.2(i爲2〜m-Ι之整數，ai爲不 受i影響而爲〇.7〜1.2間之定値（^〇)、；5 1+ (2 2==1.7〜 2.3、冷卜！+α i = 2(i 爲 3 〜m-1 之整數）、/3 m_ 1 + a m= 1 · 7 〜 2·3、am = 〇.7 〜1.2、^m = 〇 〜2 的順序而爲 ZKai+ySihn-j 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2·0〜2.0之實數）分割成爲 α Γ Τ、点！ ’ Τ、 α 2 ’ τ、 /3 2 ’ Τ、…、a m ’ Τ、 /3 m ’ Τ 而由m個a i ’ T、万i ’ T所構成之區間，且，各區間係依 a 1，= a 1 ' β r= β i ^ ai，=ac(i = 2 〜m-1 之整數）、ySi·!% ai’=2(i 爲 3〜m-1 之整數）、 〜0.6)、am’=am+Am(〇〈m 6)、 〜1_2、的順序而爲SKai’+ySi’hn-k之方式分 割， 在a i T及a i ’ T之時間（丨爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 〇.2 〜0.6)， -4- (5) 1245285 在/3 i T及/3 i，T之時間（i爲1〜m之整數）內’照射 1 mW以下之偏功率Pb的記錄光； 又，m爲3以上時，α' 〗’）、石】’）、a c、 P nn、a m、A m、△，不受m影響而爲一定； 又，m = 2(n = 4、5)時，使 Ji、a 1 、^ 1 ^ 1 、a 2 α2，、冷2、冷2,分別等於m爲3時之α!、α〗’、冷2、 β ί’、a 2、 a 3’、β 33 ·， m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α "Τ及 偏功率照射區間θ 1，Τ所構成之記錄光的照射。 2、 如申請專利範圍第1項之覆寫型光記錄媒體’其 中 以24倍速（24V〇之線速度或32倍速（32 V!)之線速度 記錄時，記錄由3Τ標示（具有時間長度3Τ之標示；但’ Τ 係資料基準時鐘週期）及3Τ間隔（具有時間長度3Τ之標示 間隔部）所構成之單一週期信號後，在其上重寫由 Π Τ標 示（具有時間長度11Τ之標示）及11Τ間隔（具有時間長度 1 1Τ之標示間隔部）所構成之單一週期信號時，3Τ標示之 消去率爲20dB以上。 3、 如申請專利範圍第1或2項之覆寫型光記錄媒 體，其中 將線速度1 .2m/s當做基準速度（1倍速）乂！時，在基 準速度之8倍速（8V!)、10倍速（1()Vl)、12倍速（12V!)、 16倍速（16VO、或20倍速（20V,)之至少其中之一之線速 度下’以下述記錄方式CD2-1或記錄方式CD2-2之條件 124^285. i (6) 內的1種方式執行1 0次重寫記錄後，以1倍速再生所得 之記錄信號之眼圖的調變度mM爲60〜80%，記錄信號之 眼圖的反射率上端値RtC)p爲15〜25%，且各標示長度及各 標示間隔之顫動爲35nsec以下； 記錄方式C D 2 -1 ; 經由數値孔徑NA爲0.5之光學系照射波長7 8 0nm之 光； 此時，若1個非晶標示之時間長度、nT(n爲3至1 1 之整數）時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 α 1 T、冷 1 T、 α 2 T、冷 2 T、 · · ·、 6K m T、 /3 m T 而由m個a i T、/3 i T所構成之區間，且，各區間（2 i = 0. 1 〜1、ai = 〇.l〜l(i爲2〜m-1之整數，ai爲不受i影響而 爲 0.1〜1 間之定値 ac)、〜2.3、+ a i = 2(i 爲 3〜m-1 之整數）、/9 m = 1.7 〜2·3、q m = 〇.i 〜1、冷ηι = 0〜2的順序而爲Σι ( α i+ /3 i) = rH之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 1245285 (7) a 】，T、 yS ,，T、 α 2，T、 /3 2，T、 ...、 a m，T、 /3 m，T 而由m個α i ’ Τ、/5 i ’ Τ所構成之區間’且，各區間係依 /3 i’=yS 〜0.6)、 ai’=ac(i = 2 〜 m-1 之整數）、爲 3〜m-1 之整數）、y5m-i’ = /5η!-ι + Δηι-ι(Δηι-ι=〇 〜0.6)、a m' = a m+Am(0<Am^0.6)' /S i’）= n-k之方式分割， 在aiT及ai’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在yS iT及/3 i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光； 又，m 爲 3 以上時，ai(=ai’）、ac、/3m(=；5m’）、 /3ι、Δι、Δηι-ι、am、Am 不受 m 影響而爲一 定； 又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、αι’、^ 2 ' a2’、 石2、石2’分別等於m爲3時之αι、αι’、^3、a3’、 汐3、沒3’，同時，使石！等於m爲3時之/^或/32之其中 之一，且使ySi，等於m爲3時之^，或02’之其中之一（然 而，容許±10 %程度之偏離）；然而，m = 2之/3 2時，則爲 可在±0.5之範圍內變動的値； m = 1 (η = 3 )時，執行由1對記錄功率照射區間^ 1 ’ Τ及 偏功率照射區間/3 T所構成之記錄光的照射； 1245285 (8) 記錄方式CD2-2 ; 經由數値孔徑ΝΑ爲0.5之光學系照射波長7 80nm之 光； 此時，若1個非晶標示之時間長度、ηΤ (η爲3至1 1 之整數）時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 a !T、 /3 iT、 α 2T、 /3 2丁、…、a mT、冷 mT 而由m個aiT及/JiT所構成之區間，且，各區間^1 = 0.；! 〜1、αρΟ.Ι〜l(i爲2〜m-1之整數，ai爲不受i影響而 爲0.1〜1間之定値ac)、冷0^2=1.7〜2.3、冷μ + a i = 2(i 爲 3〜m-1 之整數）、0 m_1 + a m=1.7 〜2.3、 a m = 0.1〜1、/3 m = 〇〜2的順序而爲Σ|(α i+/5 i) = n- j之方式 分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 α〗’Τ、/9 丨’Τ、α2，Τ、/52，τ、…、am，T、/3m，丁 而由m個a i ’ T、/3 i ’ T所構成之區間，且，各區間係依 (9) 1245285 c， f. ..， ^ 1 a ! > yS Γ = /3 ] ' ai，=ac(i = 2 〜m-ι 之整數）、/5m’ + 爲 3 〜m-l 之整數）、 〜0 · 6 )、a m，= a nl + A m (0 < △ m S 0.6 )、△ m m = △ m ·丨 + △ m = 0 · 5 〜1 ·2、冷 m，=/3 m+Δ ηι，（Δ m，= 〇 〜1)的順序而爲[i( a i’ + /3 i’hn-k之方式分割， 在a i T及a i，T之時間（i爲1〜m之整數）內’照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 20 〜4〇mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)照射， 在/3 i T及/3 i，T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 1 m W以下之偏功率p b之記錄光； 又，m 爲 3 以上時，αι(=αι’）、/5ι(=θι’）、ac、 y3m-i、Am·】、am、/3m、Z\m’不受m影響而爲一定； 又，m = 2(n = 4、5)時，使 ai、（2i’、/Si、/5ι’、 〇2、a2’、/32、冷2’分別等於m爲3時之a!、a!’、 β 1、β i，、a a、 6^3，、/53、03，（然而，容許±1〇%程度 之偏離）； m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間a i’T及 偏功率照射區間/3 ! ’T所構成之記錄光的照射。 4、如申請專利範圍第1或2項之覆寫型光記錄媒 體，其中 具有形成溝槽之基板、及相變化型記錄層，使該相變 化型記錄層之晶體狀態的部份對應未記錄/抹除狀態、及 使該相變化型記錄層之非晶狀態的部份對應記錄狀態，實 施記錄光之照射，形成對應該記錄狀態之非晶標示， !245285 94 7.29 (10) 將線速度1.2m/s當做基準速度（1倍速）Vi，且將基 準速度之8倍速（8V!)、10倍速（10V!)、12倍速（12VQ、 16倍速（16Vi)、或20倍速（20之至少其中之一之線速 度當做 Vmin、將基準速度之 24倍速（24V!)或32倍速 (32V!)之其中之一之線速度當做Vmax時， Vmin以上、Vmax以下之全部線速度V下， 基準時鐘週期 T保持在 (但，Τι爲 231nsec，V 係 8V, ' 10Vi、12Vi、16Vi、20Vi、24Vi、 32V!之其中之一；）之情形下，以在前述記錄方式CD2-1 或前述記錄方式CD2-2之條件內的1種記錄方式，實施 1 〇次之經過EFM調變之信號的重寫記錄後，以1倍速之 再生所得到之記錄信號的眼圖之調變度㈤^爲60〜80%， 記錄信號之眼圖的反射率上端値Rt〇P爲15〜25%，且各標 示長度及各標示間之顫動爲3 5 nsec以下。 5、 如申請專利範圍第1或2項之覆寫型光記錄媒 體，其中 溝槽具有以 1倍速換算時之傳播頻率約爲 2 2 · 0 5 k Η z、利用AT IΡ資訊實施± 1 k Η ζ之頻率調變的溝蛇 行（顫動）信號，該ΑΤΙΡ資訊至少含有一個對應記錄線速 度之最佳記錄功率Pw〇、最佳刪除功率PeG、最佳偏功率 Pb〇、及脈衝分割資訊。 6、 一種覆寫型光記錄媒體’係具有形成溝槽之基 板、及相變化型記錄層，使該相變化型記錄層之晶體狀態 的部份對應未記錄/抹除狀態、及使該相變化型記錄層之 1245285 (11) 非晶狀態的部份對應記錄狀態，實施記錄光之照射，形成 對應該記錄狀態之非晶標示，其特徵爲： 將線速度3.49m/s當做基準速度（1倍速）V!， 從基準速度之6倍速之線速度V = 6V!、8倍速之線速 度ν = 8ν!、10倍速之線速度VMOVi、及12倍速之線速 度V=12Vi當中選取其中之一， 使基準時鐘週期T保持VT^VJ】（但，丁！爲38.2nsec)， 以下述記錄方式DVD1-1、或記錄方式DVD1-2之條件內 的1種記錄方式，實施10次之經過EFM +調變之信號的 重寫記錄後， 以1倍速之再生所得到之記錄信號的眼圖之調變度 m14爲55〜80%，記錄信號之目圖的反射率上端値Rt()p爲 18〜30%，且再生信號之時鐘顫動爲15%以下； 記錄方式DVD1-1 ; 經由數値孔徑NA爲0.65之光學系照射波長爲65 0nm 之光； 此時’右1個非晶標不之時間長度、nT(n爲3〜11 之整數及14)時， 對記錄標不間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 α !T、 /3 ιΤ、 α 2丁、 /3 2丁、…、a mT、万 ηιτ -11 - 1245285 94 7. 2 9 (12) 而由m個a i Τ、/3 i T所構成之區間’且’各區間係依 α ρθ.7〜1.4、ai = 0.7〜1·2(ί爲2〜m-1之整數，ai爲不 受i影響而爲〇·7〜1 .2間之定値a c)、/3 Θ a 2=1 .7〜 2.3、 /5i-i+Ji = 2(i 爲 3〜ηι-1 之整數）、/5m-i+Qm=1.7 〜 2.3、 am = 〇.7〜1.2、〜2 的順序而爲 Σί(αί+/3ί) = η-』 之方式分割，針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 ai’T、 /S^T、 a2’T、石 2’Τ、…、am’T、而由m個ai’T、ySi’T所構成之區間，且，各區間係依 a ι’=α 1 、 /3 ι’=/β ι+Δ ι(Δ ι=〇·3 〜0.6)、 a i’=a c(i = 2 〜 m-1 之整數）、y3i-i’+ai’ = 2(i 爲 3〜m-1 之整數）、/3^〆 = /3 ηι-1+Δ m-l(A m-l-〇〜 〇·6)、J m - J m+Δ !!!(〇<△ 〇·6)、 △ m-1+Δ m = 0.3 〜0.6、/3 m’=/3 m 的順序而爲 Σί(α i’ + /Si’pn-k之方式分割， 在a iT及a i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 10 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0·6)， 在/5 iT及/3 i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光； 又，m 爲 3 以上時，ac、冷 m’）、 1245285 94 7. ?· ·. (13) /3 !、△ i、/? m、A 、α nl、△ m 不受 m 影響而爲一 定； 又，ηι = 2 (η = 4、5)時，使 α 1、α ι ’、α 2、α 2 ’、 冷2、/32’分別等於m爲3時之αι、αι’、α3、α3’、 /33、冷3’，同時，使冷！等於m爲3時之/3ι或/?2之其中 之一，且使^’等於m爲3時之々1’或々2’之其中之一； m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α「T及 偏功率照射區間/3 Τ所構成之記錄光的照射； 記錄方式D V D 1 - 2 ; 經由數値孔徑ΝΑ爲0.65之光學系照射波長爲65 Onm 之光； 此時，若1個非晶標示之時間長度、nT(n爲3〜1 1 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 α !丁、冷〗Τ、 α 2Τ、 Θ 2丁、…、a mT、 /3 mT 而由m個a i T、/9 j T所構成之區間’且’各區間係依 ai=0.7〜1.4、ai = 0.7〜1.2(丨爲2〜之整數’ ai爲不 受i影響而爲 〇.7〜1.4間之定値a c)、/? 1+ a 2==1.7〜 2.3、= 爲 3 〜m-Ι 之整數）、 (14) 1245285 R 2.3、αηι = 〇·7 〜1.2、/Sn^O〜2 的順序而爲 之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 ，丁、 ΘΓΤ、 α2，Τ、卢 2，丁、…、am，T、冷 m，T 而由m個a i ’ T、卢i ’ T所構成之區間，且，各區間係依 α 11 = α 1 ' β \，= β ι、ai’=ac(i = 2 〜m-1 之整數）、+ Ji’=2(i 爲 3 〜m-1 之整數）、 〜0.6)、am’=am+Z\m(〇<Amg〇.6)、ΔηιηΊ=Δηι-1+Δηι = 0.5 〜1.2、/5111’=冷„1的順序而爲2丨（“丨’+冷丨’）=11-1^之方式分 割， 在a i Τ及a i ’ Τ之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 10 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在/3 iT及/5 i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光； 又，m 爲 3 以上時，〇^(=〇：1’）、々ι(=/3ι’）、ac、 /3m-l、Δηι-l、〇m、）5m、Δηι’ 不受 m 影響而爲一定； 又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、α \ " Λ β \、β \、、α2、 a 2 ’、/5 2、/3 2 ’ 分別等於 m 爲 3 時之 a i、a ! ’、/S 2、 β 2'、a 3 " a 3 5 Λ β l、/? 3 9 ! m=l(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間a !’T及 1245285 94 7.29 (15) 偏功率照射區間β !，τ所構成之記錄光的照射。 7、 如申請專利範圍第ό項之覆寫型光記錄媒體’其 中 以 6 倍速（6V!)、8 倍速（8V!)、10 倍速（10V!)、以 12 倍速（12 V!)之其中之一之線速度記錄時，記錄由3Τ標示 (具有時間長度3 Τ之標示；但，τ係資料基準時鐘週期） 及3 Τ間隔（具有時間長度3 τ之標示間隔部）所構成之單一 週期信號後，在其上重寫由14Τ標示（具有時間長度14Τ 之標示）及14Τ間隔（具有時間長度14Τ之標示間隔部）所 構成之單一週期信號時，3Τ標示之消去率爲2 0 dB以上。 8、 如申請專利範圍第6或7項之覆寫型光記錄媒 體，其中 將線速度3.49m/s當做基準速度（1倍速）¥!時，在基 準速度之2倍速（2V!)、2.5倍速3倍速（3V!)、4 倍速（4Vi)、及5倍速（5 V!)之至少其中之一之線速度下’ 以下述記錄方式DVD2-1或記錄方式DVD2-2之條件內的 1種方式執行1 〇次重寫記錄後，以1倍速再生所得之記 錄信號之眼圖的調變度m ! 4爲5 5〜8 0 %，記錄信號之眼圖 的反射率上端値Rt()p爲18〜30%，且再生信號之時鐘顚動 爲15%以下； 記錄方式DVD2-1 ; 經由數値孔徑NA爲0.65之光學系照射波長65 0nm 之光； 此時，若1個非晶標示之時間長度、ητ(η爲3〜1 1 124521“ (16) 之整數及14)時， 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲_2.0〜2.0之實數）分割成爲 aiT、 ySiT、 α2τ、泠2丁、…、amT、冷111丁 而由 m個aiT'/SiT所構成之區間，且，各區 〜1、aeO.l〜l(i爲2〜m-1之整數，ai爲不受i影響而 爲 0.1〜1 間之定値 ac)、^1+^2=1.7 〜2.3、/3]·! + 〇i = 2(i 爲 3〜m-1 之整數）、/3m-i+am=1.7 〜2.3、am = 〇.i 〜1、冷m = 〇〜2的順序而爲Σί (a i+/S i) = n-j之方式分割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲α!，Τ、 /3】，Τ、 a2，T、冷2’丁、…、am，T、 /3m，T 而由m個a i，T、/3 i，T所構成之區間’且，各區間係依 a 19 = a 1 ' + 〜〇·6)、ai’=ac(i 爲 2、 m-1之整數）、爲3〜m-l之整數）、冷 ^ηυ + Δηα-丨（Δηι-1 = 0 〜〇·6)、am,= am+Am(〇<Am^0.6), △mm=Am-l+^m = 〇.3 〜〇·6、的順序而爲 Σί(α /3 i’）= n-k之方式分割 -16- 1245285 (17) 在^ i T及a i，T之時間（i爲1〜m之整數）內’照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw爲 10 〜40rnW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)， 在/3 i T及/3 i，T之時間（i爲1〜m之整數）內’照射 lmW以下之偏功率Pb的記錄光； 又，m 爲 3 以上時，ac、/3m(=y5m’）、 /3 i、Δ i、冷nh、α ηι、△ m不受m影響而爲一 定； 又，m = 2(n = 4、5)時，使 αι、ai,、a 2 a 2' Λ /3 2、/3 2 ’ 分別等於 m 爲 3 時之 α i、α i ’、α 3、α 3 ’、 冷3、々3，，周時，使ySi等於m爲3時之卢ι或02之其中 之一，且使/3!，等於m爲3時之/3!’或/32’之其中之一； 此時，容許± 1 〇%程度之偏離；但，m = 2之/3 2’時，則爲 可在±0.5之範圍內變動的値； m = 1 (η = 3 )時，執行由1對記錄功率照射區間α 1 ’ T及 偏功率照射區間Θ Τ所構成之記錄光的照射； 記錄方式DVD2-2 ; 經由數値孔徑ΝΑ爲0.65之光學系照射波長6 5 0nm 之光； 此時，若1個非晶標示之時間長度、nT(n爲3〜1 1 之整數及14)時， 對記錄標示間隔·照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e， 針對n = 2m(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其中 -17- 1245285 (18) 時間長度爲（n ** j) T (j爲-2 · 〇〜2 · 0之實數）分割成爲 a iT、 /3 、 α 2T、冷 2丁、 ·.· 、 α mT、冷 mT 而由m個a iT及/3 iT所構成之區間，且，各區間α ι=〇1 〜1、αρΟ.Ι〜l(i爲2〜m_i之整數，ai爲不受丨影響而 爲 0.1 〜1 間之疋値 J ¢) 、yS 1+(2 2=1·7 〜2.3、yS 丨_1 + a i = 2(i 爲 3 〜m-1 之整數）、^ m-1+ ^ m=1 ·7 〜2·3、^ m = 0.1〜1、y3m = 〇〜2的順序而爲sKai+ySihn-j之方式分 割， 針對n = 2m+l(m爲3以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n_k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 α^Τ、 /5ΓΤ、 α2，τ、 /32，T、…、am，T、 /3m，T 而由m個a i ’ T、/3 i ’ T所構成之區間，且，各區間係依 a ι’=α 1、/3 i’=/S 1、ai’=ac(i = 2 〜m-1 之整數）、θ θ i ' i ’ + ai’=2(i 爲 3〜m-1 之整數）、+ mM ^=〇 〜0.7)、（2m — αηι+Δηι(〇<Δηι$〇·6)、Λ m^〇.5 〜1.2、^爪’二冷⑺+八出^^/^〜：^的順序而爲 Σ^α.， 1 十 y5i’）= n- k之方式分割， 在a i T及a i ’ T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光（但，Pw _ w舄 10 〜40mW、Pe/Pw = 0.2 〜0.6)照射， 1245285 Π9) 在厶i 丁及/3 ,，T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射 1 111 W以下之偏功率P b之記錄光； 又 ’ m 爲 3 以上時，αι(=αι’）、/3i(=/3i’）、ac、 ^ .1、Δ m.】、α ηι、0 ηι、△ ηι，不受m影響而爲一定； 又 ’ m = 2(n = 4、5)時，使 α!、αι’、β \、/5ι’、 α 2、α 2 ’、冷2、冷2 ’分別等於m爲3時之α !、α ! ’、 3 1、3 2’、a 3、 a 3’、β 3、β V 'm=M(n = 3)時，執行由1對記錄功率照射區間α ι’τ及 偏功率照射區間0 ,，T所構成之記錄光的照射。 9、如申請專利範圍第6或7項之覆寫型光記錄媒 體，其中 具有形成溝槽之基板、及相變化型記錄層’使該相變 化型記錄層之晶體狀態的部份對應未記錄/抹除狀態、及 使該相變化型記錄層之非晶狀態的部份對應記錄狀態’胃 施記錄光之照射，形成對應該記錄狀態之非晶標示’將線速度3.49m/s當做基準速度（1倍速）V! ’且將基 準速度之2倍速（2VJ、2.5倍速（2.5VO、3倍速（3V〇、4 倍速（4V!)、及5倍速（5 VQ之至少其中之一之線速度當做 Vmin、將基準速度之6倍速（6VQ、8倍速（8V!)、10倍速 (10V,)、及12倍速（12V!)之至少其中之一之線速度當做 Vniax 時， Vmin以上、Vmax以下之全部線速度V下’ 基準時鐘週期 T保持在 VT^ViTi(但’ T!爲 38.2nsec，V 係 2V,、2.5V!、3V,、4V!、5Vi、6Vi、 1245285 94 7. 21 (20) 8 V 1、1 0 V 1、1 2 V ,之其中之一；）之情形下，以在前述記 錄方式D V D 2 - 1或前述記錄方式D V D 2 - 2之條件內的1種 記錄方式，實施1〇次之經過EFM +調變之信號的重寫記 錄後，以1倍速之再生所得到之記錄信號的眼圖之調變度 nn 4爲55〜80%，記錄信號之眼圖的反射率上端値爲 18〜25%，且再生信號時鐘顫動爲15%以下。 1 0、如申請專利範圍第6或7項之覆寫型光記錄媒 體，其中 溝槽具有基準時鐘週期T之32倍之週期、利用AD IP 資訊實施位相調變之溝蛇行（顫動）信號，基板上預先記載 著該ADIP資訊，且該ADIP資訊至少含有一個對應記錄 線速度之最佳記錄功率Pw〇、最佳刪除功率Pe〇、最佳偏 功率Pb〇、及脈衝分割資訊。 1 1、如申請專利範圍第6或7項之覆寫型光記錄媒 體，其中 溝槽具有以基準時鐘週期T之156倍之週期振動之溝 蛇行（顫動）信號，且基板上預先記載著至少含有一個對應 記錄線速度之最佳記錄功率PwG、最佳刪除功率peG、最 佳偏功率PbG、及脈衝分割資訊。 12、如申請專利範圍第1、2、6、或7項之其中任一 項之覆寫型光記錄媒體，其中 前述相變化型記錄層之組成係以Sb爲主要成份。 1 3、如申請專利範圍第1 2項之覆寫型光記錄媒體， 其中 (21) 1245285 前述相變化型記錄層更含有Ge及/或Te，前述相變 化型記錄層中之Ge含有量爲1原子百分率以上、3 0原子 百分率以下，Te含有量爲0原子百分率以上、30原子百 分率以下。 1 4、如申請專利範圍第1 2項之覆寫型光記錄媒體’ 其中 前述相變化型記錄層含有10原子百分率以上之Te， 前述相變化型記錄層之Sb/Te爲4·5以上，Ge及Te之原 子比爲1 : 3〜1 ·· 2 0。 1 5、如申請專利範圍第1 4項之覆寫型光記錄媒體， 其中 前述相變化型記錄層係以Ge^SbxTenh.y(但，0.01 SyS0.06、0·82$χ^0.9之組成爲主要成份之合金。 1 6、如申請專利範圍第1 5項之覆寫型光記錄媒體， 其中 前述相變化型記錄層係以MzGey(SbxTei_x)lyz(0.01 $ z$0.1、0.01$yS0.06、0.82$xS0.9’M 係由 Ga 及 In 所構成之群組中選取之至少一種元素；）之組成爲主要成 份之合金。 1 7、如申請專利範圍第1 5項之覆寫型光記錄媒體， 其中 Sb/Te比係5·5以上、7.3以下之範圍。 1 8、如申請專利範圍第1 5項之覆寫型光記錄媒體， 其中 1245285 (22) 使用雷射光實施覆寫型光記錄媒體之初始晶化時，以 使前述光記錄用媒體之線速度相對於前述雷射光爲0. 1 m / s 〜3 m / s之方式照射雷射光來實施初始晶化。 1 9、如申請專利範圍第1 2項之覆寫型光記錄媒體， 其中 前述相變化型記錄層中之Te含有量爲1 〇原子百分率 以下，Ge之含有量爲1原子百分率以上、30原子百分率 以下。 20、如申請專利範圍第1 9項之覆寫型光記錄媒體， 其中 前述相變化型記錄層係以Ter Mb (Ge« Sbh _r (但，o.ois a S0.3、3.0S /3 $0.3、OS r go.l、2$ ys/ 7、0<yS+r$〇.4，Ml係由In、Ga、及 Sn所構成之群 組中選取之至少其中之一；）之組成爲主要成份之合金。 2 1、如申請專利範圍第1、2、6、或7項之其中任一 項之覆寫型光記錄媒體，其中 前述相變化型記錄層之膜厚爲1〇〜30nm。 22、如申請專利範圍第1、2、6、或7項之其中任一 項之覆寫型光記錄媒體，其中 前述覆寫型光記錄媒體更具有反射層，反射層之薄層 電阻率p s爲0.05Ω/□以上、0.2Ω/□以下。 2 3、如申請專利範圍第1、2、6、或7項之其中任一 項之覆寫型光記錄媒體，其中 調變度、及晶體狀態之反射率Rt(3p之任一項在溫 -22- 1245281 (23) 度1 〇5 t之加速試驗環境下存放3小時後，仍維持初始値 之90%以上。 2 4、一種光記錄方法，係使用如申請專利範圍第1至 2 3項之其中任一項之覆寫型光記錄媒體，其中 以複數記錄標示長度及記錄標示間隔長度記錄資訊 時， 會對記錄標示間隔，照射可使非晶晶化之刪除功率 Pe的光，形成記錄標示間隔，同時， 在1個記錄標示之時間長度爲nT(T爲基準時鐘週期） 時，針對n = 2m(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 a iT ^ yS ιΤ ' α 2T > yS 2Τ > ... > α mT > β mT 而由m個aiT、/SiT所構成之區間（但，Zi(ai+/Si) = n- j)， 針對n = 2m+l(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 a!，T、 ，丁、 α2，Τ、 /32，T、…、am，T、 /3m，T 而由m個a i’T、冷i’T所構成之區間（但，ΣΚα i’ + /3 i ’）= n-k)， 在a iT及a i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率Pw的記錄光， -23- 1245285 t.* (24) 係在/3 i T及yS i · T之時間（i爲1〜rn之整數）內，則會 照射偏功率P b之光來形成時間長度、η T之記錄標示的覆 寫型光記錄媒體之光記錄方法’其特徵爲： m 2 3 時， n = 2m之記錄標示時，若nT標示之開始時間爲T〇， (i) 在從T〇之延遲時間TdlT後並產生α ιΤ後， (ii) i = 2〜m時，保持ySi-i+ai之大致週期爲2(但， i = 2及/或i = m之在±〇·5之範圍內偏離大致週期 2亦可；又，m24時，若i = 3〜m-1，則0m及ai分別爲 定値/3 c及a c ;)，依此順序交互產生/3 i · 1 T及a i T後， (iii) 會產生 /5 mT， n = 2m+ 1之記錄標不時’若nT標不之開始時間爲 Τ〇， ⑴在從TG之延遲時間Tdl’T後並產生〇1’丁後， (ii)i = 2〜m時，保持/^•厂+以厂之大致週期爲2(但， i = 2及/或i = m之/3 i-i’+a i’，在±0.5之範圍內偏離大致週 期2亦可；又，m^4時，若i = 3〜m-1，則/3m，及ai，分 別爲定値石c及a c ;)，依此順序交互產生/3 i _ i，T及a i，T 後， (Hi)會產生 /3 m’T， 同一 m時，n = 2m之記錄標示及n = 2m+l之記錄標示 應爲丁di=Tdi’、ai=ai’、且（ /3 m -1及/3 m _ i ’）及（/3 m及沒m ’）之1組以上會採用不同値； 2 5、如申請專利範圍第2 4項之光記錄方法，其中 -24- (25)1245285 94 7,2 9 ηι ^ 3之同一 m時，η = 2 m之記錄標示及η = 2 m + 1之記 錄標示應爲、冷1參ySi’，且（Td】、Tdl’）、（α：ι 及a i ’）、（ /3 及yS H’）、及（A m及/3 m’）之1組以上會 採用不同値。 2 6、如申請專利範圍第2 5項之光記錄方法，其中 J m 及 J m 具有 J m — J ηι+Δ m(〇<A mS 1)之關係 ’ /3 1 及冷！’具有+ 之關係。27、如申請專利範圍第25或26項之光記錄方法，其 中 3以上之m時，滿足Tdl’ = Tdl、αι’=αι、冷1 + a 2 = 1 • ί 5〜 '2.5 、β m-\ + 〇i m-l .5 i〜2 • 5、 β 1 9 = β 1 + △ !(〇<△】 £ 1) > β m-l ~~ β ηΊ-1~^"Δ m - 1 ( Δ m _ 1 = 0 〜 1) 、 a m ~· a m + △ m (〇 < Δ m υ、- Δ m m ~ Δ m-l + Δ m 、0< △ mm 卜 β ， m =/3 m + Δ m，（ Δ m ’ =0〜 1)之關係 ，且 ， Tdi 、a i [Λ β 1 ' Δ 1、 a c、 β ηι - 1 Δ m-l 、 ^ m Λ △ m 、β ηι 、Δ m，不 受 m 之 影 響而爲一定。 28、如申請專利範圍第25或26項之光記錄方法，其 中 m = 2 時之 αι、αι’、α2、02’、卢2、02’分別等於 m 爲 3 以上時之任一 m 之 ai、ai’、am、 am’、）5m、 /Sm’（但，/S2’可在±0.5之範圍內進行調整），同時，/Si 等於m爲3以上時之任一 m之/3!或/5 m.!之其中之一， /Si’等於m爲3以上時之任一 m之’或/3 之其中之 (26) 1245285 2 9、如申請專利範圍第2 5或2 6項之光記錄方法，其 中 3 以上之 m 時，Tdl+ai=2、ai=ac、+ = yS nyf a m = 2、及am=ac當中至少1個式子可成立。 3 0、如申請專利範圍第29項之光記錄方法，其中 m = 2 時，Tdi+α i=Tdl’+a i’ = 2、a \ = a \ " = a c ^ β \ + α2 = 2、及當中至少一個式子可成立。 3 1、如申請專利範圍第24至26項之其中任一項之光 記錄方法，其中 記錄線速度係基準線速度Vfl.2〜1.4m/s之32倍速 以下之其中之一之線速度，利用複數記錄標示長度及記錄 標示間隔長度記錄經過EFM調變之資訊時，1個記錄標 示之時間長度爲nT(n爲3〜1 1之整數），刪除功率Pe及 記錄功率Pw之比爲Pe/Pw = 0.2〜0.6，偏功率Pb爲PbS 0.2Pe ° 32、如申請專利範圍第24至26項之其中任一項之光 記錄方法，其中 記錄線速度係基準線速度Vi =3.49 m/s之12倍速以下 之其中之一之線速度，利用複數記錄標示長度及記錄標示 間隔長度記錄經過EFM +調變之資訊時，1個記錄標示之 時間長度爲nT(n爲3〜11之整數及14)，刪除功率Pe及 記錄功率Pw之比爲0.2〜0.6，偏功率Pb爲PbS0.2Pe。 3 3、一種光記錄方法，以複數記錄標示長度及記錄標 示間隔長度將資訊記錄於覆寫型光記錄媒體時’ I2452^,,y (27) 對記錄標示間隔，照射可使非晶獲得晶化之刪除功率 P e，形成記錄標示間隔，同時， 使1個記錄標示之時間長度爲nT(T基準時鐘週期） 時， 針對n = 2m(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其中 時間長度爲（n-j)T(j爲-2.0〜2.0之實數）分割成爲 α 1丁、 θ ιΤ、 α 2丁、 /3 2丁、…、a mT、冷 mT 而由m個a iT、冷π所構成之區間（但，ΣΚ a i+ /3 〇 = ιΗ)， 針對n = 2m + l(m爲1以上之整數）之記錄標示，將其 中時間長度爲（n-k)T(k爲- 2.0〜2.0之實數）分割成爲 〜，丁、/3ι，Τ、α2，Τ、々2，T、…、am，T、々m，T 而由m個ai’T、/Si’T所構成之區間（但，Σί(αί，+ β i9) = n-k) » 在α i Τ及α i ’ Τ之時間（i爲1〜m之整數）內，照射足 夠使記錄層熔融之一定記錄功率P w的記錄光， 係在Θ iT及0 i’T之時間（i爲1〜m之整數）內，則會 照射偏功率Pb之光來形成時間長度、ητ之記錄標示的覆 寫型光記錄媒體之光記錄方法，其特徵爲： m g 3 時， n = 2m之記錄標示時，若nT標示之開始時間爲τ〇， -27- 124528^ (28) (i)在從T〇之延遲時間TdlT後並產生α吖後， (i i) i = 2〜m時，保持/3 i · i + a i之大致週期爲2 (但， i = 2及/或i = m之/Si-i+ai在±0.5之範圍內偏離大致週期 2亦可；又，mg 4時，若i = 3〜m-1，則/3 μ及a i分別爲 定値/3 c及a c ;)，依此順序交互產生/S i T及a iT後， (iii)會產生 /3 mT， n = 2m+l之記錄標示時，若 nT標示之開始時間爲 To， ❿ (i) 在從TG之延遲時間Tdl’T後並產生a】’T後， (ii) i = 2〜m時，保持/3 i-】’ + a丨’之大致週期爲2(但， i = 2及/或i = m之/3 i-Γ+α i’，在±0.5之範圍內偏離大致週 期2亦可；又，mg 4時，若i = 3〜m-1，貝(J /3 μ’及a〆分 別爲定値/3 c及a c ;)，依此順序交互產生/S μ’Τ及a i’T 後， (iii) 會產生 /3 m’T， ^ 同一 m時，n = 2m之記錄標示及n = 2m+l之記錄標示 φ 應爲 Tdl=Tdl’、/Sr/Si’、am 关 am’，且（ /5〇1-1及0〇1-1’）及（/3〇1及；3〇1’）之1組以上會採用不同値。 3 4、如申請專利範圍第3 3項之光記錄方法，其中 3以上之m時，同一分割數m之η爲奇數時之 /3m-i’+am’+々m’會比 η 爲偶數時之 /3111_1+(2111+/9〇1大 0.5 〜1 · 5 〇 3 5、如申請專利範圍第3 3或3 4項之光記錄方法，其 中 -28- 12452奶. (29) 3以上之 m時，滿足T d 丨’= Td 1、α ι' = a 1、/3 1 + a 2二 1 ·5 〜2.5 、/3 m -1 + a m = 1 · 5〜2, .5、/3 ηι -1 ’: =/3 m - 1 + Δ m - 1 ( △ m - 1 — 〇 〜1)、a m，= α m + Δ , η ( 〇 ^ Δ m = 1)、/5 in ’ = /3 m + Δ m ’（ △ m ’ =0 〜1 )、及△ m - 1 + △ m+ Δ m ’ = 0.5〜1 .5 之 關 係 ，且，Td丨、 α 1、β \、a C、 β m - 1 △ m - 1 ' Cl m ^ β m 、 t 及 △ m ’不受Π1 之影響而爲一 定 Δ m會對應 ni而爲△ m 1 或 Δ m 2之其中之 一的値。 3 6、如申 請專利範圍第 33 或 3 4項之光 :記錄方法， 其 中 m = 2時之 α 1、α 1 ’、β 1 ' β l ’、α 2、 α 2,、/5 2、 β 2’分別等於 m = 3以上時之 任 — m 之 α 1、 α 19 、 β m-1 β m - 1 、 〇ί m ^ Ci m 、/3 m、 β r η9 c ) 3 7、如申 請專利範圍第 33 或 34項之光 記錄方法， 其中 3 以上之 m 時，Δη^Δηιΐ^Δπ^。38、如申請專利範圍第33或34項之光記錄方法，其 中 3 以上之 m 時，Tdl+ai = 2、ai=ac、ySi+aad、 /3m-i+am = 2、及am=ac當中至少1個式子可成立。 3 9、如申請專利範圍第3 8項之光記錄方法，其中 m = 2 時，Tdi+a i=Tdi’+a ι’=2、α ι=α ι’、β \ + α2 = 2、及a2=ac當中至少一個式子可成立。 40、如申請專利範圍第35項之光記錄方法，其中 3以上之m之同一分割數m時，滿足Tdl’ = Tdl、α != -29- 1245285 r, / * · · (30) a 1 a m β n'. △ m - β 1， β CH β 中 中 T d 1 b T d 1 c 其中 錄線 且和 爲3 、Tdl+Q 1二2、冷 Π1-1 + Δ m-l(A m-l—〇 〜1)、 =〇： C+Δ m(〇<A 1)、A Π1-1+ △丨 n+A m -0.5 〜1·5、 -/3 m + Δ m ^ = 0 〜1 之關係，且，Jl、Qc、 〗、△ m、θ ni、△ ni不受m之影響而爲一疋 111 = 2時，<^1、（^1，、/51、/51，、02、02 、 β 2、 分別等於 m = 3 時之 α!、αι’、/?2(=/5c)、/S2’（ = •△m-l)、 a3’（=aC+Am)、冷 3、冷 3’（ = △ m，）。 4 1、如申請專利範圍第3 3或3 4項之光記錄方法，其 n = 3時之α 1’會大於4以上之^寺之^ ’° 42、 如申請專利範圍第33或34項之光記錄方法，其 n = 3、5 時之 Tdl’分別爲 Tdla、 Tdle、n = 4 時之 Tdl 爲 、6 以上之 η 時之 Tdl、Tdl’爲 Tdld 時，Tdla、Tdlb、 之至少其中之一爲和Tdld不同之値。 43、 如申請專利範圍第24、25、26、33、或34項之 任一項之光記錄方法，其中 前述覆寫型光記錄媒體係圓盤狀之碟片，以複數之記 速度對同一碟片面內執行記錄，使其記錄線密度固定 以1倍速基準速度（CD時爲1.2m/s〜1.4m/s，DVD時 .49m/s)實施CLV記錄之光碟相同， 記錄線速度當中之最大線速度Vmax，CD時爲20倍 速、24倍速、或32倍速之其中之一，DVD時爲6倍速、 1245285 94 7. 2V (31) 8倍速、1 〇倍速、或1 2倍速之其中之一’ 該 Vmax 之 a imax(i = l 〜m)爲 0.5 〜2，且該 之 a i，= a i m a X ’（ i= 1〜m)爲0 · 5〜2 ’當線速度愈低時α ^及 a i ’（ i= 1〜ηι)亦會分別呈現單調減少。 44、 如申請專利範圍第43項之光記錄方法，其中 最小線速度Vmin在CD時爲8倍速、10倍速、u倍速、或16倍速之其中之一時，在DVD時爲2.5倍速、3 倍速、4倍速、或5倍速之其中之一時， 從前述Vmin至前述Vmax之線速度範圍內，Tdl + α 1、 Tcn’+α!，、/3 i-i+ a i = 2 ^ β i_i α i9 =2(i = 3 〜m-1)不受線 速度影響而爲一定 45、 如申請專利範圍第43項之光記錄方法，其中 使用任何線速度時，冷m = 〇〜2、/3 m’ = 0〜3 ,且，yj m 及Θ m ’會隨線速度愈低而呈現單調增加。46、 如申請專利範圍第43項之光記錄方法，其中 △ m ’會隨線速度愈低而呈現單調增加。 4 7、如申請專利範圍第4 3項之光記錄方法，其中 n = 3時，Tdl’、αι’、，當中之Tdl，及/3,，會隨著線 速度之降低而呈單調增加，α !，則會隨線速度之降低而呈 單調減少。 4 8、如申請專利範圍第4 3項之光記錄方法，其中 使用任何線速度時，/3 iT(i=l〜m)及/3 i，T(i=l〜m-1) 皆爲2奈米秒以上。 49、如申請專利範圍第43項之光記錄方法，其中 1245^5 (32) 以複數標示長度對前述圓盤狀覆寫型光記錄媒體記錄 經過EFM調變之資訊時， 以線速度1 .2m/s〜1 .4m/s做爲基準速度（1倍速），並 以使前述光記錄媒體之記錄區域最外圍之線速度成爲20 倍速以上之方式，旋轉前述光記錄媒體。 50、如申請專利範圍第49項之光記錄方法，其中 前述記錄區域最內圍之線速度爲該基準線速度之1 6 倍速以上，並以愈外圍則記錄線速度愈高之方式，旋轉該 碟片。 5 1、如申請專利範圍第49項之光記錄方法，其中 依各一定半徑將前述記錄區域區分成複數之虛擬區 域，並使/3 m = 0〜3，且/3 m會隨著朝向內圍區域而呈單調 增加，a i、a i ’則會隨著朝向內圍區域而呈單調減少。 52、如申請專利範圍第49項之光記錄方法，其中 任一半徑位置之Pb、Pw、及Pe/Pw之値爲大致一 定。 5 3、如申請專利範圍第43項之光記錄方法，其中 以複數標示長度對前述圓盤狀覆寫型光記錄媒體記錄 經過EFM +調變之資訊時， 以線速度3.49m/s做爲基準速度（1倍速），並以使前 述光記錄媒體之記錄區域最外圍之線速度成爲6倍速以上 之方式，旋轉前述光記錄媒體。 54、如申請專利範圍第53項之光記錄方法，其中 前述記錄區域最內圍之線速度爲該基準線速度之6倍 -32· 1245285 (33) 速以上，並 片。 55、 如 依各一 域，並使/3 增力D ， a i、 56、 如 任一半 定。 以愈外圍則記錄線速度愈高之方式，旋轉該碟 申請專利範圍第5 3項之光記錄方法，其中 定半徑將前述記錄區域區分成複數之虛擬區 m = 0〜3，且/3 m會隨著朝向內圍區域而呈單調 a i ’則會隨著朝向內圍區域而呈單調減少。 申請專利範圍第5 3項之光記錄方法，其中 徑位置之 Pb、Pw、及 Pe/Pw之値爲大致一-33-
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002034827 | 2002-02-13 | ||
| JP2002074818 | 2002-03-18 | ||
| JP2002126491 | 2002-04-26 | ||
| JP2002317858 | 2002-10-31 | ||
| JP2002344557 | 2002-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200307934A TW200307934A (en) | 2003-12-16 |
| TWI245285B true TWI245285B (en) | 2005-12-11 |
Family
ID=27739419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092103003A TWI245285B (en) | 2002-02-13 | 2003-02-13 | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7313070B2 (zh) |
| EP (1) | EP1475784B1 (zh) |
| JP (1) | JP4521054B2 (zh) |
| CN (1) | CN1287362C (zh) |
| AU (1) | AU2003211968A1 (zh) |
| TW (1) | TWI245285B (zh) |
| WO (1) | WO2003069602A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI385659B (zh) * | 2007-08-30 | 2013-02-11 | Sony Corp | Optical information recording media |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1475784B1 (en) * | 2002-02-13 | 2014-12-24 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method for rewritable optical recording medium |
| DE60309232T2 (de) | 2002-03-05 | 2007-09-06 | Mitsubishi Kagaku Media Co. Ltd. | Phasenwechselaufzeichnungsmaterial für ein Informationsaufzeichnungsmedium und ein Informationsaufzeichnungsmedium dieses verwendend |
| US7443775B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-10-28 | Tdk Corporation | Method for recording data in optical recording medium, and apparatus for recording data in optical recording medium and optical recording medium |
| KR100474366B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-03-10 | 엘지.필립스 디스플레이 주식회사 | 도밍 개선을 위한 음극선관 섀도우마스크 |
| WO2004055791A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | 光記録方法 |
| WO2004057582A2 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and recording device for recording marks in an information layer of an optical record carrier |
| EP1647976B1 (en) * | 2003-07-18 | 2010-12-15 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| JP3572068B1 (ja) * | 2003-08-28 | 2004-09-29 | 株式会社リコー | 情報記録方法、光情報記録媒体及び情報記録装置 |
| WO2005038788A1 (ja) | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 光記録方法 |
| US7564769B2 (en) | 2004-01-30 | 2009-07-21 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Phase-change recording medium having the relation between pulse patterns and reflectivity of un-recorded section |
| TW200540831A (en) * | 2004-03-15 | 2005-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Optical information recording method, optical information recording apparatus, and optical information recording medium |
| WO2005104102A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 光学的情報記録用媒体の製造方法及び初期化装置 |
| KR100565079B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2006-03-30 | 삼성전자주식회사 | 코드 생성 방법, 변조 장치 및 변조 방법 |
| KR100846691B1 (ko) * | 2004-09-09 | 2008-07-16 | 가부시키가이샤 리코 | 광기록 매체 |
| US20060233091A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Schut David M | Storage device having storage cells having a size less than a write light wavelength |
| US20080285400A1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-11-20 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Recording Apparatus and Recording Method |
| KR20080074126A (ko) * | 2005-11-16 | 2008-08-12 | 교도 인사쯔 가부시키가이샤 | 비접촉 ｉｃ 카드 |
| US7986596B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-07-26 | Pioneer Corporation | Optical recording/reproducing method, system, and program |
| JP4303267B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2009-07-29 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体の情報記録方法、光記録装置 |
| JPWO2008062536A1 (ja) * | 2006-11-24 | 2010-03-04 | パイオニア株式会社 | 情報記録装置及び方法、並びにコンピュータプログラム |
| JP4512582B2 (ja) | 2006-12-07 | 2010-07-28 | 株式会社日立製作所 | 記録再生方法、及び、記録再生装置 |
| JP4537430B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2010-09-01 | 太陽誘電株式会社 | 光ディスク記録方法、光ディスク記録再生装置及び光ディスク |
| US8651270B2 (en) * | 2007-09-18 | 2014-02-18 | Paul H. Smith, Jr. | Hydrogen energy systems |
| US9123925B2 (en) * | 2007-09-18 | 2015-09-01 | Paul H. Smith, Jr. | Hydrogen energy systems |
| US9739422B2 (en) | 2007-09-18 | 2017-08-22 | Paul H. Smith, Jr. | Hydrogen energy systems |
| US9739421B2 (en) | 2007-09-18 | 2017-08-22 | Paul H. Smith, Jr. | Hydrogen energy systems |
| US9732906B2 (en) | 2007-09-18 | 2017-08-15 | Paul H. Smith, Jr. | Hydrogen energy systems |
| JPWO2009075115A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2011-04-28 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体および情報記録媒体の評価方法 |
| US8198129B2 (en) | 2009-04-15 | 2012-06-12 | Micron Technology, Inc. | Methods of depositing antimony-comprising phase change material onto a substrate and methods of forming phase change memory circuitry |
| JP2011165304A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-08-25 | Panasonic Corp | 光学ドライブ装置 |
| TWI443654B (zh) * | 2011-12-16 | 2014-07-01 | Cmc Magnetics Corp | 寫錄裝置與方法 |
| CN111257360B (zh) * | 2020-02-19 | 2021-03-23 | 中国科学院物理研究所 | 激光的应用以及检测非晶合金临界晶化时间的方法 |
Family Cites Families (93)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177446A (ja) | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デイスク記録媒体 |
| CN1008845B (zh) | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| JPS61156545A (ja) | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Tdk Corp | 情報記録媒体および記録方法 |
| JPS62246788A (ja) | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体 |
| JP2719130B2 (ja) | 1986-05-02 | 1998-02-25 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録・再生および書き換え方法とその装置 |
| EP0549562B1 (en) | 1986-05-02 | 1998-12-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for recording and reproducing information |
| US4710542A (en) * | 1986-05-16 | 1987-12-01 | American Cyanamid Company | Alkylcarbamylmethylated amino-triazine crosslinking agents and curable compositions containing the same |
| US4710452A (en) | 1986-09-15 | 1987-12-01 | Eastman Kodak Company | Thin film amorphous optical recording films |
| US4960680A (en) | 1987-02-13 | 1990-10-02 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US4812386A (en) | 1987-02-13 | 1989-03-14 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| CA1270640A (en) | 1987-02-13 | 1990-06-26 | Kee-Chuan Pan | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US4795695A (en) | 1987-02-13 | 1989-01-03 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| JPS63244422A (ja) | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| US5257256A (en) | 1987-04-24 | 1993-10-26 | Hitachi, Ltd. | Recording waveform for mark-length modulation optical recording |
| JP2702923B2 (ja) | 1987-04-24 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法及び情報記録装置 |
| US4798785A (en) | 1987-06-05 | 1989-01-17 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US4812385A (en) | 1987-06-05 | 1989-03-14 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US4865955A (en) | 1987-06-05 | 1989-09-12 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US4774170A (en) | 1987-06-05 | 1988-09-27 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| EP0294932B1 (en) | 1987-06-11 | 1993-10-27 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A method for recording and erasing information |
| JPS6414083U (zh) | 1987-07-16 | 1989-01-24 | ||
| JP2679995B2 (ja) | 1987-09-04 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 情報記録用薄膜 |
| JPH01303643A (ja) | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レーザ記録媒体 |
| US5077181A (en) | 1988-08-09 | 1991-12-31 | Eastman Kodak Company | Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element |
| CA1337582C (en) | 1988-08-09 | 1995-11-21 | Donald Robert Preuss | Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element |
| US4981772A (en) | 1988-08-09 | 1991-01-01 | Eastman Kodak Company | Optical recording materials comprising antimony-tin alloys including a third element |
| US4904577A (en) | 1988-11-21 | 1990-02-27 | Tyan Yuan Sheng | Optical recording element and alloy for use therein |
| JPH0810490B2 (ja) | 1989-03-20 | 1996-01-31 | 富士通株式会社 | 光ディスク情報書込制御方法およびその装置 |
| US5055331A (en) | 1990-07-02 | 1991-10-08 | Eastman Kodak Company | Phase-change optical recording media |
| US5254382A (en) | 1990-11-29 | 1993-10-19 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US5251382A (en) * | 1991-02-28 | 1993-10-12 | Baklund-Hellar, Inc. | Tape measure for determining the centerpoint of a distance |
| US5271978A (en) | 1992-01-31 | 1993-12-21 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| US5412626A (en) | 1992-03-23 | 1995-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of recording optical information with selective correction in pulse waveform and a recording system therefor |
| JP3266971B2 (ja) | 1992-03-23 | 2002-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報の記録方法 |
| US5234803A (en) | 1992-05-21 | 1993-08-10 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| US5312664A (en) | 1992-05-21 | 1994-05-17 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| JP3255204B2 (ja) | 1993-07-22 | 2002-02-12 | 株式会社リコー | 光情報記録方法 |
| JPH0737251A (ja) | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録方法 |
| JPH087277A (ja) | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法及び記録装置 |
| US5530688A (en) | 1994-10-31 | 1996-06-25 | International Business Machines Corporation | Optical disk recording device using two modulated laser beams for recording information data |
| DE19612823C2 (de) | 1995-03-31 | 2001-03-01 | Mitsubishi Chem Corp | Optisches Aufzeichnungsverfahren |
| JP3138610B2 (ja) | 1995-04-13 | 2001-02-26 | 株式会社リコー | 相変化型光ディスク用記録方法 |
| JPH09134525A (ja) | 1995-11-08 | 1997-05-20 | Ricoh Co Ltd | 情報記録方式 |
| US5732062A (en) | 1995-10-16 | 1998-03-24 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording apparatus, method and computer program product |
| KR0179259B1 (ko) | 1996-04-13 | 1999-04-15 | 구자홍 | 상변화형 광기록매체 및 그의 제조방법 |
| JP3022770B2 (ja) * | 1996-04-16 | 2000-03-21 | 三菱化学株式会社 | 光記録方法、装置及び光記録媒体 |
| JPH09286175A (ja) | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Chem Corp | 光記録媒体 |
| JPH09286174A (ja) | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Chem Corp | 光記録媒体 |
| US5862123A (en) | 1996-06-14 | 1999-01-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical phase-change disc |
| US6143468A (en) | 1996-10-04 | 2000-11-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and optical recording method |
| JP3255051B2 (ja) | 1996-12-05 | 2002-02-12 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| JP3575274B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2004-10-13 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| EP1146509B1 (en) | 1997-03-27 | 2005-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| US5849458A (en) | 1997-04-11 | 1998-12-15 | Eastman Kodak Company | Recordable optical device including a barrier layer |
| JP3782223B2 (ja) * | 1997-08-15 | 2006-06-07 | 株式会社リコー | 光記録媒体及びこれの記録再生方法 |
| JP3323782B2 (ja) | 1997-09-09 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法 |
| EP1628296B1 (en) | 1997-11-17 | 2013-03-06 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5879773A (en) | 1997-11-17 | 1999-03-09 | Eastman Kodak Company | Recordable optical disks with dielectric interlayer |
| JPH11175976A (ja) | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Hitachi Ltd | 情報記録装置 |
| JP3651231B2 (ja) | 1998-02-25 | 2005-05-25 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| JP3419347B2 (ja) | 1998-07-01 | 2003-06-23 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体、記録方法及び光学的情報記録用媒体の製造方法 |
| DE69943213D1 (de) * | 1998-09-09 | 2011-04-07 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | Optisches aufzeichnungsmedium und optisches aufzeichnungsverfahren |
| KR100486324B1 (ko) | 1998-10-26 | 2005-04-29 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 다가 기록재생 방법 및 상 변화 다가 기록 매체 |
| JP3731372B2 (ja) | 1999-02-17 | 2006-01-05 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体並びにその再生方法及び記録方法 |
| JP3899770B2 (ja) | 1999-03-01 | 2007-03-28 | 三菱化学メディア株式会社 | 光学的情報記録用媒体並びにその再生方法及び記録方法 |
| EP1376563B1 (en) * | 1999-05-19 | 2006-08-30 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical data recording medium and recording method |
| DE60044691D1 (de) * | 1999-05-19 | 2010-08-26 | Mitsubishi Kagaku Media Co Ltd | Aufzeichnen bei konstanter Winkelgeschwindigkeit |
| JP4073581B2 (ja) | 1999-08-02 | 2008-04-09 | 三菱化学メディア株式会社 | 光学的情報記録用媒体及び光記録方法 |
| US6771577B2 (en) * | 1999-09-06 | 2004-08-03 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording apparatus and method |
| JP2002011958A (ja) | 2000-04-28 | 2002-01-15 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光記録媒体及び光記録再生方法 |
| WO2001085464A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-15 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP2002157737A (ja) | 2000-05-12 | 2002-05-31 | Tdk Corp | 光記録方法および光記録媒体 |
| EP1293974B1 (en) | 2000-06-16 | 2008-05-07 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| JP4255202B2 (ja) | 2000-06-20 | 2009-04-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録方法 |
| JP2002079757A (ja) | 2000-06-23 | 2002-03-19 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP3199713B2 (ja) | 2000-07-28 | 2001-08-20 | 日立マクセル株式会社 | 情報の記録再生方法 |
| DE60119846T2 (de) | 2000-08-02 | 2007-01-04 | Mitsubishi Kagaku Media Co. Ltd. | Optisches Aufzeichungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2002172860A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-18 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP2002237095A (ja) | 2001-02-07 | 2002-08-23 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| WO2002070273A1 (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium and recording / erasing method |
| US20020160305A1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-10-31 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium, method of writing and erasing information using the same, and process of producing the same |
| JP3870702B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2007-01-24 | 三菱化学メディア株式会社 | 光学的情報記録用媒体及びその記録消去方法 |
| JP3882532B2 (ja) | 2001-05-24 | 2007-02-21 | 三菱化学メディア株式会社 | 光学的情報記録用媒体及び記録消去方法 |
| JP2003157583A (ja) | 2001-11-19 | 2003-05-30 | Ricoh Co Ltd | 相変化型情報記録媒体 |
| JP3927410B2 (ja) | 2001-12-27 | 2007-06-06 | 株式会社リコー | 光学記録媒体 |
| JP2003231354A (ja) | 2002-02-05 | 2003-08-19 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| EP1475784B1 (en) * | 2002-02-13 | 2014-12-24 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method for rewritable optical recording medium |
| DE60309232T2 (de) | 2002-03-05 | 2007-09-06 | Mitsubishi Kagaku Media Co. Ltd. | Phasenwechselaufzeichnungsmaterial für ein Informationsaufzeichnungsmedium und ein Informationsaufzeichnungsmedium dieses verwendend |
| JP3895629B2 (ja) | 2002-04-02 | 2007-03-22 | 株式会社リコー | 光記録媒体 |
| JP2003335065A (ja) | 2002-05-23 | 2003-11-25 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP4232780B2 (ja) | 2003-02-12 | 2009-03-04 | Ｎｏｋ株式会社 | 水性加硫接着剤組成物 |
| US7270910B2 (en) * | 2003-10-03 | 2007-09-18 | Black & Decker Inc. | Thermal management systems for battery packs |
| JP4501742B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-07-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 静電荷像現像用トナー及びその製造方法、静電荷像現像剤並びに画像形成方法 |
-
2003
- 2003-02-13 EP EP03705130.7A patent/EP1475784B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-13 WO PCT/JP2003/001509 patent/WO2003069602A1/ja not_active Ceased
- 2003-02-13 AU AU2003211968A patent/AU2003211968A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-13 CN CNB038006103A patent/CN1287362C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-13 TW TW092103003A patent/TWI245285B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-07-14 US US10/890,414 patent/US7313070B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-03-12 US US11/684,942 patent/US7609603B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2007-03-12 US US11/684,874 patent/US7858167B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-21 JP JP2008298367A patent/JP4521054B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI385659B (zh) * | 2007-08-30 | 2013-02-11 | Sony Corp | Optical information recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7858167B2 (en) | 2010-12-28 |
| JP4521054B2 (ja) | 2010-08-11 |
| CN1524264A (zh) | 2004-08-25 |
| EP1475784A4 (en) | 2012-03-14 |
| TW200307934A (en) | 2003-12-16 |
| US7313070B2 (en) | 2007-12-25 |
| US20070237060A1 (en) | 2007-10-11 |
| AU2003211968A1 (en) | 2003-09-04 |
| JP2009083501A (ja) | 2009-04-23 |
| US20040248036A1 (en) | 2004-12-09 |
| US20070159945A1 (en) | 2007-07-12 |
| WO2003069602A1 (fr) | 2003-08-21 |
| CN1287362C (zh) | 2006-11-29 |
| EP1475784B1 (en) | 2014-12-24 |
| US7609603B2 (en) | 2009-10-27 |
| EP1475784A1 (en) | 2004-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI245285B (en) | Rewritable optical recording medium and optical recording method | |
| KR100889715B1 (ko) | 광기록 방법 | |
| EP1406254B1 (en) | Optical recording medium | |
| JP4078237B2 (ja) | 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置 | |
| TWI246078B (en) | Information recording medium | |
| JP2003182237A (ja) | ライト・ワンスアプリケーション用の相変化記録素子 | |
| JP2004255698A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2005153338A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4140060B2 (ja) | 光学的情報記録媒体、光学的情報記録方法、及び光学的情報記録装置 | |
| JP2001126315A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP4405739B2 (ja) | 書換え型光記録媒体の光記録方法 | |
| JP3870702B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体及びその記録消去方法 | |
| JP4303575B2 (ja) | 光記録方法及び記録再生装置 | |
| US7096479B2 (en) | Optical information recording medium | |
| US7180848B2 (en) | Optical information recording medium | |
| WO2004055791A1 (ja) | 光記録方法 | |
| JP2003242683A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2006221712A (ja) | 相変化型光記録媒体とその記録方法及び転移線速の評価方法 | |
| JP3903811B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体及び記録消去方法 | |
| JP2005035058A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JP2005205762A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2005254485A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2005243212A (ja) | 光記録方法、光記録装置及び光記録媒体 | |
| JP2006236544A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2006294214A (ja) | 光記録媒体及び光記録方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |