TWI244765B - Liquid crystal apparatus, active matrix substrate, display apparatus and electronic machine - Google Patents

Description

1244765 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於液晶裝置、主動矩陣基板、 及電子機器。 【先前技術】 起初，於液晶裝置之顯示裝置領域上，對高 高細緻化之要求較多，譬如進展爲現代相片之數 時期望著不藉由印刷，開發出與傳統相片相同而 豔之畫像之顯示裝置。 但是，如此之超高細緻液晶面板以現今技術 現。其主要理由，係無法降低使用於畫素之電晶 流。 傳統上，具有以非晶矽製作液晶裝置之薄膜 半導體層之方法，和以低溫聚矽膜製作之方法或 係膜製作之方法。以低溫聚矽膜製作之方法，乃 邊可構成畫素信號之供給電路，更由於具有可使 璃基板之優點，故於此等中，更有希望朝向實現 之液晶面板。 但是，低溫聚矽膜，於膜中由於存在多數缺 電流之數値一般而言將較爲高。即使於先前敘述 法中，由於爲最高故以此特點，不適合於超高細 面板將爲矛盾。 於傳統超細緻之所謂200ppi (於25.4mm邊 顯不裝置 売度化或 位化，同 可享受鮮 係無法實 體之漏電 電晶體之 以高溫聚 於畫素周 用大型玻 超局細緻 陷，故漏 之3種方 緻之液晶 有200個 (2) 1244765 畫素數）級之液晶顯示裝置上，具有以N型構成畫素之 電晶體，使用相同於LSI技術之LDD型接合，再將閘極 分割成2層或3層之段數之多閘極構造之例子。 另外’做爲降低漏電流之方法，具有使用於暗狀態之 漏電流較爲低之P型方法（譬如，參照專利文獻I )，或 爲了降低以光照射而增加之光漏電流，付與遮光膜之方法 等（譬如，參照專利文獻2 )。 [專利文獻1] 特開平5 - 3 1 3 1 9 5號公報 [專利文獻2] 特開平3 -8 022 5號公報 但是，本發明者們，實際上乃基於此等之低溫聚矽之 傳統技術，以P型構成畫素之電晶體，甚至使用不入射光 之LDD構造或多閘極構造遮光構造構成之後，和以N型 相同構成者表示不大變化之漏電流値，於記載於上述各文 獻之技術上，可得知係法達成要求爲超高精密化之漏電流 之降低目標値。 本發明乃爲了解決上述課題而發明之，可將薄膜電晶 體之漏電流控制成極爲低準位，提供一種易於對應於畫素 超高精密化之液晶裝置，及具備此之電子機器，而做爲目 的。 同時，本發明亦可提供一種可將薄膜電晶體之漏電流 控制成極低準位之主動基板，及具備此之顯示裝置，而做 爲目的。 -6 - (3) 1244765 【發明內容】 爲了解決上述之課題，本發明之液晶裝置，係具備相 互交叉所設置之複數掃描線及複數資料線，和具有對應於 前述資料線與前述掃描線之交叉部所設置之薄膜電晶體， 與連接於前述薄膜電晶體之晝素電極之主動矩陣基板，和 對向於前述主動矩陣基板所配置之對向基板，及挾持於前 述兩基板間之液晶層之液晶裝置；其特徵係前述薄膜電晶 體係以具有半導體層，和於前述半導體層與複數處交叉之 複數閘極電極，和於前述半導體層之各通道領域之至少一 邊，所形成P型之低濃度參雜領域之LDD部之P型電晶 體所構成，於前述薄膜電晶體之厚度方向兩側，具備遮光 手段。 上述P型電晶體與N型電晶體爲表示相同程度之漏 電流，調查其原因之後，將可假想成反映於從遮光膜之空 隙入侵於半導體層之微弱光線，而增加漏電流。於是，本 發明者們，將改變P型電晶體與N型電晶體之光照射量 ，與汲極·源極間之電壓Vds而精密查出漏電流Ids之後 ，得到如圖1 0及圖1 1所示之特性。 圖1 〇及圖1 1爲表示縱軸給予成爲截止狀態之閘極電 壓VgS時之汲極·源極電流ids，亦既設爲漏電電流Ids ，縱軸爲汲極·源極電壓Vds，且畫出無遮光膜之電晶體 之暗電流，和從閘極電極與相反側面入射光時之値。將具 有圖中所示之光強度（單位Cd/m2 )面光源直接接觸於薄 膜電晶體所形成之玻璃基板而測定之資料。 (4) 1244765 從此等圖可知，於暗狀態上確實p型電晶體之漏電流 較爲小。但是，僅接觸少量的光，P型電晶體亦可流入如 同N型電晶體之漏電流。其傾向當設爲多閘極時，汲極 •源極間之電壓由於僅分割成數段，故可較爲少，但是此 種情況之汲極·源極電壓Vds於0〜5V之低電壓領域較爲 顯著。關於此原因，從半導體理論觀察時，於導通狀態上 少數載子係決定電流特性，但是考量起因於P型之少數載 子之電子性質時既可理解。總之爲多重閘極，亦既當爲多 閘即時，既可降低施加於複數TFT中之每1個汲極·源 極電壓 Vds。藉此，將減少於暗狀態之漏電流（暗電流） 。但是，藉由圖10或圖11所示之依據，汲極·源極電壓 Vds於較低電壓領域上對光照射之漏電流之感受性異常較 高。亦既，即使採用多閘極而降低汲極·源極電壓 Vds， 入侵半導體層之光即使爲少量亦會增加電晶體之漏電流， 則消除使用LDD構造之P型之優點。 於是，本發明者，如上述本發明所述，關於畫素電晶 體不僅以P型所構成，LDDe構造，多閘極化，甚至爲了 不具有入侵極力半導體層之漏光，於半導體層之上下設置 遮光手段。藉此，成爲活用原本P型之低截止電流之特徵 。換言之，如此之構造爲初次，相較於使用N型時將達 成降低1位數以上之漏電流。 作成真實畫質目標之500ppi以上之薄膜電晶體型之 液晶顯示裝置，係於畫素週邊使用可構成畫像信號之供給 電路之低溫聚矽技術，更將P型以如本技術之構造藉由有 (5) 1244765 效使用，使得初次能夠實現。 本發明之液晶裝置，前述資料線爲了平面性與前述半 導體層之通道領域重疊，故加以配置亦可作成前述遮光手 段之構造。若藉由此構造時，由於將前述資料線作爲上述 薄膜電晶體之遮光手段而加以利用，故畫素開口率可獲得 極明壳顯不。於本發明之液晶顯示裝置上，前述資料線係 具有延伸存在於與前述掃描線交叉之方向之資料線本線部 ’和從該資料線本線部分歧或延伸，於延伸於與該資料線 本線部交叉方向之資料線分歧部；前述資料線分歧部，爲 了與前述通道領域平面性重疊所配置，而亦產生前述遮光 手段之構造。 於本發明之液晶裝置上’於則述主動矩陣基板上，形 成爲了進行反射顯示之反射層；前述反射層之一部份爲了 與前述半導體層之通道領域平面性重疊而亦可產生前述遮 光手段之構造。若藉由此構造時，反射型或半透過反射形 之液晶裝置之薄膜電晶體之漏電流可降爲極低準位，可提 供易於對應於高精密度顯示之液晶裝置。同時，上述遮光 手段由於係藉由反射層之一部份所構成，故具有易於製造 之優點。 於本發明之液晶裝置上，前述掃描線係具有延伸存在 於與前述資料線交叉方向之掃描線本線部，和延伸設置於 與該掃描線本線部交叉方向之複數掃掃描線分歧部；前述 掃描線分歧部，係可作成具有與前述半導體層平面性交叉 之前述閘極電極部構造。若藉由此構造時，可較易於構造 -9- (6) . 1244765 多聞極構造之薄膜電晶體，同時，亦可控制藉由配線引繞 所產生之電氣電阻之增加。 於本發明之液晶裝置上，前述半導體層最好係聚矽或 連續顆粒邊界矽。 於本發明之液晶裝置上，前述遮光手段係於對應於前 述通道領域位置，可作成形成於前述對向基板之構造，即 使藉由此構造，亦可有效進行薄膜電晶體之遮光，可產生 原本P型電晶體之低截止電流特徵。 其次’本發明之主動基板，係具備相互交叉所設置之 複數掃描線及複數資料線，和對應於前述資料線與前述掃 描線之交叉部所設置之薄膜電晶體之主動矩陣基板；其特 徵係前述薄膜電晶體係以具有半導體層，和於前述半導體 層與複數處交叉之複數閘極電極，和於前述半導體層之各 通道領域之至少一邊，所形成P型之低濃度參雜領域之 LDD部之P型電晶體所構成，於前述薄膜電晶體之厚度 方向兩側，具備遮光手段。 於本主動基板上，關於畫素之電晶體並非僅以P型構 成，LDD構造，多閘極化，甚至爲了不入侵極力半導體 層，於半導體層之上下設置遮光手段。藉此，能夠活用原 本P形之低截止電流之特徵。換言之，唯有作成如此之構 造，初次相較於使用N型時，將達成降低1位數以上之 漏電流。 本發明之主動矩陣基板，尤其係使用於5 00ppi以上 之超高晶細之顯示裝置爲最適當之主動矩陣基板，譬如’ -10- (7) 1244765 做爲使用藉由液晶裝置，E L裝置，D M D (數位微透鏡裝 置）’電漿發光或電子釋放等所產生之螢光之裝置等之主 要構件爲最好使用。 於本發明之主動矩陣基板上，前述資料線爲了與前述 半導體層之通道領域平面性重疊而加以配置，亦可作成前 述遮光手段之構造。 於本發明之主動基板上，前述資料線具有延伸於與前 述掃描線交叉方向之資料線，和從該資料線本部分歧或延 出而延伸於與該資料線本部交叉方向之資料線分歧部，前 述資料線分歧部，爲了與前述通道領域平面性重疊而配置 ’亦可作成前述遮光手段之構造。 若藉由上述構造時，將可提供高細緻，且具備高開口 率之畫素領域之主動矩陣基板。 於本發明之主動矩陣基板上，前述半導體層最好爲聚 矽或連續顆粒邊界矽。 其次，本發明之顯示裝置，其特徵係具備先前所記載 之主動矩陣基板。若藉由此構造時，可實現藉由液晶裝置 ，EL裝置，DMD (數位微透鏡裝置），電漿發光或電子 釋放等所產生之螢光之裝置等之顯示裝置之高細緻化。 其次，本發明之電子機器，其特徵係具備先前所記載 之本發明之液晶裝置。若藉由此構造時，將可提供具備高 細緻顯示對應之顯示部之電子機器。譬如，若具備光源， 和調變從上述光源所射出之光而形成畫像光之上述液晶裝 置，和放大投影從上述液晶裝置所射出之畫像光之投射光 -11 - (8) 1244765 學系統時’將可提供對應於超高細緻顯示之高畫質之投影 型顯示裝置。 【實施方式】 以下，茲參照圖面說明本發明之第1實施形態。圖1 (a )爲表示本實施形態之液晶裝置，與各構造要素同時 從對向基板側視之平面構造圖，圖1 ( b )爲表示沿著圖1 (a )所示之Η - Η線之剖面構造圖，圖2爲表示於液晶 裝置之顯示領域中，配列形成矩陣狀之複數畫素之電路構 造圖。 [整體構造] 如圖1 ( a )及圖1 ( b )所示，本實施形態之液晶裝 置，T F T陣列基板（主動矩陣基板）1 〇和對向基板20， 係藉由平面視之略爲矩形框狀之密封材5 2而貼合，於此 密封材5 2所包圍領域內，具備密封液晶層5 0之構造。沿 著密封材5 2內週側而形成平面視之矩形框狀之週邊切角 5 3，此週邊切角內側領域係作成畫像顯示領域1 1。於密 封材5 2之外側領域，資料線驅動電路2 0 1及外部電路安 裝端子202係沿著TFT陣列基板10之1邊（圖示下邊） 而形成，沿著鄰接於此1邊之2邊，各形成著掃描線驅動 電路204，2 04。於TFT陣列基板10之剩餘1邊（圖示上 邊），設置著連接畫像顯示領域1 1之兩側掃描線驅動電 路204，2 04間之複數配線2 05。同時，於對向基板20之 -12- (9) 1244765 各角部中，配置著爲了 T F T陣列基板1 0和對向基板2 Ο 之間之笔風導通之基板間導通材2 0 6。本貫施形悲之液晶 裝置’係做爲透過形之液晶裝置而加以構成，調變從配置 於TFT陣列基板〗〇側之光源（未圖示）的光，能夠從對 向基板2 0側射出。 另外，資料線驅動電路201及掃描線驅動電路204， 2 04爲了取代TFT陣列基板上，譬如亦能夠將安裝驅 動用LSI之COF (Chip On Flim)基板，和形成於TFT陣 列基板1 0之週邊部之端子群，藉由異方性導電膜電氣性 及機械性連接。且，於液晶裝置之中，使用之種類，亦既 ，因應於 TN ( Twisted Nematic )模式，STN ( Super Twisted Nematic )模式，垂直配向模式等之動作模式或正 常白模式/正常黑模式，相位差板，偏光板等雖然配置於 特定方向，但是於此省略圖示。 於具有如此構造之液晶裝置之畫像顯示領域，如圖2 所示，複數之畫素領域4 1係配置成矩陣狀，於此等之各 畫素領域41，係以形成P型之p-SiTFT30來做爲畫素開 關用。於此TFT3 0，則採用多閘極構造，相較於採用單閘 極構造，能夠降低施加於TFT30之1個TFT之汲極-源極 間電壓。再者，於本實施形態上，於P-Si TFT 30之半導體 層，導入不純物之汲極，爲LDD ( Lightly Doped Drain) 構造。 於此TFT30之複數閘極電極32〜33，電氣性連接掃描 線3 a，從掃描線3 a於特定時序脈衝狀之掃描信號G 1， -13- (10) 1244765 G2....Gm能夠依序施加於此線。另外，於TFT30之源極部 ’電氣性連接資料線6a，於1掃描線期間內，能夠供給 畫像信號S 1，S 2 ·· S η。同時，寫入於資料線6 a之畫像信 號S 1，s 2 ... S n，即使爲依序供給之方法（點順序驅動） ’和對相鄰接之複數資料線6 a間，同時包括（線順序動 )資料或者供給於各群組（選擇器開關）之方法之任一者 皆可。 於TFT30之汲極部，電氣性連接畫素電極9，於1掃 描期間內，從資料線6 a所供給之畫像信號S 1，S 2 .... S η 能夠以特定時序寫入於各畫素。如此一來，藉油畫素電極 9易入於液晶之特定準位之畫像fg號SI，S2...Sn，於如圖 1 ( b )所示之對向基板2 0之共通電極2 1之間，保持於一 定時間。同時，所保持之畫像信號SI，S2...Sii爲了防止 漏電，故與形成於畫素電極9與對向電極2 1間之液晶電 容附加並聯保持電容60。 [畫素之詳細構造] 圖3爲表示購成本實施形態之液晶裝置之TFT陣列 基板1 0上之1畫素領域平面構造圖’圖4爲表示沿著圖 3之A-A’線之剖面構造圖。 如圖3所示，於TFT陣列基板上，資料線6a與掃描 線3 a相互交叉而加以設置，藉由此等之資料線6 a與掃描 線3 a，使得於所區劃之略矩形狀之畫素領域4 1，設置著 平面視之略L形之半導體層4 2。掃描線3 a係具有延伸於 • 14 - (11) 1244765 與資料線6a交叉方向之掃描線本部3 1，和從此本線部3 J 往畫素領域4 I中央側延出之複數條（圖3爲3條）之鬧 極電極部（掃描線分歧部）3 1〜3 4，此等之閘極電極部 3 1〜3 4係前述半導體層42之掃描線本部3 1與延伸於平行 部分交叉，構成3閘極構造之TFT。前述略L形之半導體 層42之其中一端，係藉由源極接觸孔43而電氣性連接於 資料線6a，而另一端，延伸至畫素電極4 1之略中央部， 構成與半導體層42 —體成形之平面視之爲矩形狀電容電 極44。且，此電容電極44和前述掃描線本部31爲平行 延伸之電容線48，於平面重疊部分形成著前述保持電容 60 〇 畫素電極41和形成於約重疊之平面領域之畫素電極 9，係由ITO等之透明電極材料形成，延伸於半導體層42 之上下方向部分，藉由中繼電極層45電氣性連接。亦既 ，藉由畫素接觸孔46電氣性連接畫素電極9與中繼導電 層4 5，藉由汲極接觸孔4 7電氣性連接中繼導電層4 5與 TFT30之半導體層 42，使得電氣性連接畫素電極 9與 TFT30 。 其次，於圖4所示之剖面構造中，TFT陣列基板1 0 ，譬如於由石英，玻璃，樹膠等所形成之基板主體l〇a之 其中一面，部分性形成遮光膜（遮光手段），覆蓋此地1 遮光膜及基本主體10a而形成基底絕緣膜12’於此基底 絕緣膜12設置TFT30。基底絕緣膜12於絕緣遮光膜15 與TFT30之同時，亦可產生控制藉由基板主主體表 -15- (12) 1244765 面之污穢或粗操所產生之TFT30之劣化特性之作用。 TFT30，如上述所言，爲3閘極構造，且具有LDD 造。更詳之，TFT30，係以閘極電極部32〜34，和形成 對向半導體層42之前述閘極電極部32〜34之領域之3 之通道領域1 a，和構成絕緣閘極電極部3 2〜3 4與半導 層42之閘極絕緣膜之絕緣膜2爲主而加以形成。且， 備形成於前述3處之通道領域la之兩側而產生LDD之 濃度源極領域1 b及低濃度汲極領域1 c，和形成於此等 LDD兩側之高濃度源極領域1 d與高濃度汲極領域1 e， 形成於通道領域1 a間之高濃度源極/汲極領域1 f。本實 形態之半導體層42係藉由多晶矽形成，爲了形成P型 TFT30，故於前述各源極/汲極領域，譬如注入硼離子。 半導體層42之高濃度汲極領域1 e，延伸設置於畫 領域4 1之中央部而形成著電容電極44。同時，對向於 3所示之電容電極44所形成之電容線48，係與掃掃描 3 a形成於同層，藉由圖4所示之絕緣膜2形成前述保 電容60。 覆蓋掃描線3 a (及電容線4 8 )而形成第1層間絕 膜1 3，於第1層間絕緣膜1 3上，資料線6a及中繼導 層45形成於同層。從資料線6a往掃描線3a延伸存在 向之資料線分歧部6c係延伸設置於覆蓋閘極電極3 2〜 之領域而形成本實施形態之遮光手段。資料線6a及中 導電層45，譬如使用A1等之低電阻金屬而形成之。 同時，形成貫通第1層間絕緣膜1 3之源極接觸孔 構 於 處 體 具 低 之 和 施 之 素 圖 線 持 緣 電 方 34 繼 43 -16- (13) 1244765 ，藉由此源極接觸孔4 3電氣性連接資料線6 a與半導體層 4 2之高濃度源極領域1 d。另外，形成貫通第1層間絕緣 膜1 3之汲極接觸孔47，藉由此汲極接觸孔47電氣性連 接中繼半導體層4 5與半導體層4 2之高濃度汲極領域1 e 〇 爲了覆蓋資料線6a與中繼半導體層45，形成第2間 層絕緣膜1 4，於第2間層絕緣膜1 4上形成著畫素電極9 。畫素電極9係以ITO等之透明導電材料所構成。且，於 前述中繼半導體層45之平面領域中，形成貫通上述第2 層間絕緣膜1 4之畫素接觸孔46，藉由此畫素接觸孔46 電氣性連接中繼半導體層45與畫素電極9。藉由以上之 構造，經由中繼半導體層45而電氣性連接半導體層42之 高濃度汲極領域1 e與畫素電極9。又，雖然省略圖4，但 是於TFT陣列基板10之最表面，設置著由已進行硏磨處 理等之配向處理之聚亞胺膜所形成之配向膜。 另外，對向基板20具備著於基板主體20a之液晶層 5 〇側，形成爲平塗狀之共通電極2 1，和覆蓋此共通電極 21所形成之配向膜22。共通電極21，係可藉由ITO等之 透明導電材料形成，配向膜22係可作成同於先前之TFT 陣列基板1 0之配向膜1 7之構造。同時，當進行彩色顯示 時，對應於各畫素領域41譬如，將具備R (紅），G (綠 )，B (藍）之色材層之彩色濾光片形成於基板主體1 〇a 或20a上既可。 於具備上述構造之本實施形態之液晶裝置上’第1， - 17- (14) 1244765 藉由將TFT30作成多閘極構造，使得降低1個通道 1 a兩側之電壓，減少洩漏電流。 第2，挾持各通道領域1 a而於兩側採用形成低 源極領域1 b，低濃度汲極領域1 c之LDD構造，能夠 截止電流。塗9表示藉由導入此LDD構造所產生之 圖表，同圖所示之2條曲線，爲表示各P型，N型電 之Id/Vg特性。如圖9所示，於P型電晶體之曲線中 電晶體作成LDD構造，可平坦化截止電流。 第3，於TFT30之基板主體l〇a側，形成遮光ί 從TFT陣列基板10側的光於可防止入射於TFT30之 ，延伸設置資料線6a之一部份而將覆蓋TFT30之資 分歧部6c做爲遮光手段而加以形成，從液晶層50側 能夠防止入射於TFT30。藉此，入射於TFT30之光 約爲完全遮斷。 第4，將TFT30作成P型電晶體爲降低暗電流。 電晶體如先前記載，僅入射少量光光漏電流雖然能同 於N型電晶體，但是於本實施形態之液晶裝置上， 由所設置之上述遮光膜1 5及資料線分歧部6c來做爲 手段，由於可約爲完全遮光TFT30，故能夠活用P型 體原本之低截止電流之特徵。 於500ppi (於25.4mm邊，500個畫素）程度之 細緻液晶裝置上，畫素之液晶電容與保持電容之和變 小。於如此之液晶裝置中，當電晶體之漏電流較大時 由其漏電何無法具有顯不品質。於本實施形態之液晶 領域 、r±H 濃度 降低 作用 晶體 ，將 莫15 同時 料線 之光 能夠 P型 程度 以藉 遮光 電晶 超局 爲極 ，藉 裝置 -18- (15) 1244765 上，可有效利用於上述舉出之4個漏電流降低作用’能夠 將T F T 3 0之漏電流降低至極低準位。且，可達成於傳統 技術上無法達成領域之超高細緻液晶裝置。 (第2實施形態） 其次，茲參照圖面5及6說明本發明之第2實施形態 之液晶裝置。圖5爲表示構成本實施形態之液晶裝置之 TFT陣列基板之1畫素領域平面構造圖，圖6爲表示沿著 圖5所示之B — B ’線之剖面構造圖。又，關於相同於上述 第1實施形態之部位，付與相同符號而省略其說明。 如圖5及圖6所示’於本實施形態之液晶裝置上，於 約爲重疊畫素領域4 1之平面領域之第2間層絕緣膜1 4上 ’形成由鋁或銀等金屬之金屬材料所形成之反射層19, 爲了覆蓋此反射層19形成著由ITO等所形成之畫素電極 9。同時，對應於上述反射層1 9之平面領域，形成開口部 19a，藉由畫素接觸孔46電氣性連接中繼導電層45與畫 素電極9。如圖6之剖面構造所示，以取代所設置之資料 線分歧部6c來做爲於第1實施形態TFT3 0之液晶層5 0 側之遮光手段，反射層1 9形成平面性覆蓋τ F T 3 0之液晶 層5 0側。因此，於本實施形態上，犯設層1 9形成著本發 明之遮光手段。 即使就本實施形態之液晶裝置，相同於先前之第1實 施形態’藉由控制TFT30藉由作成具有多閘極構造及 LDD構造之p型電晶體所產生之漏電流之降低作用，和 -19- (16) 1244765 藉由具備完全遮光TFT30之遮光膜15及反射層19所產 生之P型電晶體之暗電流之上升之作用’使得相較於傳統 之薄膜電晶體可實現降低大幅之漏電流，同時，亦可易於 對應於高精密之顯示。 且，除上述效果之外’於本實施形態之液晶裝置上， 以功能性之反射層19來做爲TFT30之液晶層50側之遮 光手段，但是相較於先前第1實施形態之資料線分歧部 6c，由於係與半導體層42分離而形成，故不易產生 TFT30之閘極電極部32〜34，和以功能性之反射層19做 爲遮光手段之電容結合。因此，TFT30不易受到藉由前述 電容結合所產生之影響，進而可實質性改善TFT30之驅 動能力。 (第3實施形態） 其次，茲參照圖面7及8說明本發明之第3實施形態 之液晶裝置。圖7爲表示構成本實施形態之液晶裝置之 TFT陣列基板之1畫素領域平面構造圖，圖8爲表示沿著 圖7所示之C - C ’線之剖面構造圖。又，關於相同於上述 第1實施形態之部位，付與相同符號而省略其說明。 如圖7及圖8所示，於本實施形態之液晶裝置上，於 對向基板2 0之內面側，形成遮光膜，如圖7之2點虛線 所示，上述遮光膜29，形成於約爲洞硬於遮光膜15之形 成領域之平面領域，產生著於本實施形態之液晶裝置之遮 光手段。同時，設置於TFT陣列基板1 〇之遮光膜1 5，形 -20- (17) 1244765 成平面性覆蓋平行延伸於略L型之半導體層4 2之掃描線 3 a之部分和曲角部。 即使就本實施形態之液晶裝置，相同於先前之第1實 施形態，藉由控制TFT30爲藉由作成具有多閘極構造及 LDD構造之P型電晶體所產生之漏電流之降低作用，和 藉由具備完全遮光TFT3 0之遮光膜15及反射層19所產 生之P型電晶體之暗電流之上升之作用，使得相較於傳統 之薄膜電晶體可實現降低大幅之漏電流，同時，亦可易於 對應於高精密之顯示。 且，除了上述效果，於本實施形態之液晶裝置上，係 以功能性之遮光膜15及遮光膜29來做爲TFT 30遮光手 段，相較於第1實施形態，係藉由形成於較廣平面領域， 使得從設置於液晶裝置之外部之光源（未圖示）入射之光 ，對基板1 0，2 0即使包含從傾斜方向入射之成分，於遮 光膜1 5或遮光膜2 9之內面側（液晶層5 0 )所反射的光 ，無法入射於TFT 30。藉由此作用，TFT30更能高度遮光 ，甚至漏光較爲少，可提供易於對應於高精密之液晶裝置 (投射型顯示裝置） 其次，說明有關具備上述之液晶裝置之投射型顯示裝 置。圖12爲表示將上述之液晶裝置做爲光閥而具備之投 射型顯示裝置之構造平面圖。本投射型液晶顯示裝置 1 Π 〇，係將前述實施形態之液晶裝置做爲各RGB用之光 -21 - (18) 1244765 閥1 Ο 0 R ’ 1 Ο 0 G ’ 1 Ο 〇 B而構成使用3片式之投影機。於此 液晶投影機Π 1 〇上，當從金屬高光源等之白色光源之燈 源單元1112射出光時，乃藉由3片鏡片1116及2片之分 色稜鏡1 1 1 8，使得分離成對應於RGB3原色之光成分R， G，B (光分離手段），各導引於對應之光閥i〇〇R，i〇〇G ，100B。此時，光成分B，由於光路徑較爲長，故爲了防 止光損耗，將藉由由入射透鏡1132，中繼透鏡1123及射 出透鏡1 1 3 4所形成之中繼透鏡系統1 1 3 1導引之。且，藉 由光閥100R，100G，100B對應於各調變之3原色之光成 分R，G，B，於分色棱鏡1122(光合成手段）從3方向 入射，再度合成之後，藉由投射透鏡（投射光學系統） 1124於螢幕1130等做爲彩色畫像而加以放大投影。 於此投射型顯示裝置上，電晶體之截止漏電流係使用 降至極爲低準位之液晶裝置，故可顯示於傳統上無法實現 之5 0 Oppi級之超高細緻畫面。 另外，本發明並非限定於上述之實施形態，只要於不 脫離本發明之宗旨費爲皆可進行各種變形。 譬如，於上述實施形態上，雖然係將TFT作成3層 閘極構造爲例子，但是本發明並非限於此，亦可作成2層 或4層以上。同時，關於圖示之圖案形狀或剖面構造，各 膜之構成材料所記載，僅不過爲一些例子，亦可適當變更 〇 另外，本發明之主動基板，譬如，即使對使用電激發 光體（EL)，藉由電漿光發或電子釋放所產生之螢光， -22- 1244765 (19) 或者使用數位微透鏡（DMD)之顯示裝置，極具備此等之 顯示裝置之電子機器亦可適當使用。 【圖式簡單說明】 圖1(a)爲表不第1實施形態之液晶裝置之平面構 造圖’圖1 ( b )爲表不表不沿著圖（a )之Η - Η線之剖面 構造圖。 圖2爲表示液晶裝置之電路構造圖。 圖3爲表示1畫素領域之平面構造圖。 圖4爲表示沿著圖3之A-A ’線之剖面構造圖。 圖5爲表示第2施形態之1畫素領域平面構造圖。 圖6爲表示沿著圖5之b _ b，線之剖面構造圖。 圖7爲表示第3施形態之1畫素領域平面構造圖。 圖8爲表示沿著圖7之C _ C，線之剖面構造圖。 圖9爲表示藉由導入LDD構造所產生之作用圖表。 圖1 〇爲表示P型電晶體之光電流特性圖表。 圖1 1爲表示N型電晶體之光電流特性圖表。 W 1 2爲表示本發明之投射型顯示裝置之槪略構造圖 【符號說明】 a...........................通道部 b，lc....................低濃度參雜領域（LDD部） 掃描線 -23- (20) (20)1244765 6a.......................... 資料線 10...........................TFT陣列基板（主動矩陣基板） 30...........................TFT (薄膜電晶體） 3 1..........................掃描線本部 32〜34.......................閘極電極（掃描線分歧部） 42...........................半導體層 44...........................電容電極 60...........................保持電容 6c...........................資料線分歧部（遮光手段） 15...........................遮光膜（遮光手段） 19...........................反射層（反射手段） 29...........................遮光部（遮光手段） •24-

Claims (1)

1. (1) 1244765 拾、申請專利範圍 第93 1 1 0527號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年7月26日修正

   1 · 一種液晶裝置，係具備相互交叉所設置之複數掃描 線及複數資料線，和具有對應於前述資料線與前述掃描線 之交叉部所設置之薄膜電晶體，與連接於前述薄膜電晶體 之畫素電極之主動矩陣基板，和對向於前述主動矩陣基板 所配置之對向基板，及挾持於前述兩基板間之液晶層之液 晶裝置；

   其特徵係前述薄膜電晶體係以具有半導體層，和於前 述半導體層與複數處交叉之複數閘極電極，和於前述半導 體層之各通道領域之至少一邊，所形成P型之低濃度參雜 領域之LDD部之P型電晶體所構成，於前述薄膜電晶體 之厚度方向兩側，具備遮光手段。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶裝置，其中， 前述資料線係爲了與前述半導體層之通道領域平面性重疊 而配置所形成前述遮光手段。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之液晶裝置 ’其中’則述資料線係具有延伸存在於與前述掃描線交叉 之方向之貝料線本線部，和從該資料線本線部分歧或延伸 ，於延伸於與該資料線本線部交叉方向之資料線分歧部； 前述資料線分歧部，係爲了與前述通道領域平面性重 (2) 1244765 疊而配置所形成前述遮光手段。 4 ·如申請專利範圍第1項所記載之液晶裝置，其中， 於前述主動矩陣基板上，形成爲了進行反射顯示之反射層 前述反射層之一部份，係爲了與前述半導體層之通道 領域平面性重疊而配置所形成前述遮光手段。 5 ·如申請專利範圍第1，2，4項之任一項所記載之液 晶裝置，其中，前述掃描線係具有延伸存在於與前述資料 線交叉方向之掃描線本線部，和延伸設置於與該掃描線本 線部交叉方向之複數掃掃描線分歧部； 前述掃描線分歧部，係具有與前述半導體層平面性交 叉之前述閘極電極部。 6 ·如申請專利範圍第1，2，4項之任一項所記載之液 晶裝置，其中，前述半導體層係聚矽或連續顆粒邊界矽。 7 ·如申請專利範圍第1，2，4項之任一項所記載之液 晶裝置，其中，前述遮光手段係於對應於前述通道領域位 置，形成於前述對向基板。 8 · —種主動矩陣基板，係具備相互交叉所設置之複數 掃描線及複數資料線，和對應於前述資料線與前述掃插線 之交叉部所設置之薄膜電晶體之主動矩陣基板； 其特徵係前述薄膜電晶體係以具有半導體層’和於前 述半導體層與複數處交叉之複數閘極電極，和於前述半導 體層之各通道領域之至少一邊，所形成P型之低濃度參雜 領域之LDD部之P型電晶體所構成，於前述薄膜電晶體 (3) 1244765 之厚度方向兩側，具備遮光手段。 9.如申請專利範圍第8項所記載之主動矩陣基板，其 中，前述資料線係爲了與前述半導體層之通道領域平面性 重豐而配置所形成前述遮光手段。 1 0 ·如申請專利範圍第8項或第9項所記載之主動矩 陣基板’其中’前述資料線係具有延伸存在於與前述掃描 線交叉方向之資料線本線部，和從該資料線本線部分歧或

   延伸’於延伸於與該資料線本線部交叉方向之資料線分歧 部； 前述資料線分歧部，係爲了與前述通道領域平面性重 疊而配置所形成前述遮光手段。 1 1 · 一種顯示裝置，其特徵係具備如申請專利範圍第8 項至第1 〇項之任一項所記載之主動矩陣基板。 1 2·—種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第1 項至第7項之任一項所記載之液晶裝置。