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TWI244261B - Power on reset circuit - Google Patents

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TWI244261B
TWI244261B TW093136261A TW93136261A TWI244261B TW I244261 B TWI244261 B TW I244261B TW 093136261 A TW093136261 A TW 093136261A TW 93136261 A TW93136261 A TW 93136261A TW I244261 B TWI244261 B TW I244261B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
transistor
circuit
voltage
power
reset
Prior art date
Application number
TW093136261A
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English (en)
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TW200618470A (en
Inventor
Po-Chin Hsu
Original Assignee
Sunplus Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sunplus Technology Co Ltd filed Critical Sunplus Technology Co Ltd
Priority to TW093136261A priority Critical patent/TWI244261B/zh
Priority to US11/161,260 priority patent/US7274227B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI244261B publication Critical patent/TWI244261B/zh
Publication of TW200618470A publication Critical patent/TW200618470A/zh

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/30Modifications for providing a predetermined threshold before switching
    • H03K17/302Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches

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Description

1244261 14368twf.doc/m 九、發明說明: 【發明所屬之技術销域】 本發明是有關水^ 關於一種電關啟置減產生電路,且特別是有 【先前技術】 % 言曼計雷兩 ,、 电略時’往往會加入重置(reset)機制在電 -=使所设計之電子電路在需要時得以回復為初始狀 = 在對電子電路開啟電源(職)之初時,電路中各 =,、=如暫存處於不確定狀態,此時即需要重置此電 ’以將電路巾各元件設定為初始狀態。 號,:ΐ 所:一個電路用以在開機初時產生重置訊 屑处^ 有电電路之狀態設定為初始狀態。圖1Α是 開啟重置電路。請參關1Α,在尚未開啟電源 二二奋112上所儲存之電荷將經由電阻111而放電。因 所以二開啟電源之初時,Ν型電晶體⑴係為截止狀態, Α之電源開啟重置電路可以經由提升電阻113盘 ==115產生重置訊號RST。賴,經由電阻ιι〇提供 餘界^對電容112充電,直到電晶體之閘極電壓超過其 此時電晶體114轉為為導通狀態。因此將由電 曰曰狃114使重置訊號RST禁能。 ,確保所有元件皆能確實重置,因此電源開啟重置 路致此重置訊號之時間必須足夠長。換句話說,圖ia之 電源開啟重置電路中電阻1U)與電容112所形成之時間 1244261 14368twf.doc/m 數RC必須夠大,因此需占用較大之晶片面積。再者,電 阻111形成一條漏電路徑,產生不必要之電能消耗。 於西元2001年10月11曰,美國專利公開第us 2001/0028263 Α1 號「Power on reset circuit」中揭露一種電 源開啟重置電路’如圖1B所不。在電源開啟重置電路12〇 中,將經過電晶體121的電流分流至電容123與電晶體 122,因此得以延長電容123之充電時間。最後,使得電容 123之充電電位可以讓反相器124轉態,以產生電源開啟 重置之效果。然而,流經電晶體122的電流必須較準確地 控制,電流太小則不足以保持重置信號足夠時間,電流太 大則可能使電容根本無法充電到使反相器124轉態的位 準,另外,充放電的過程需消耗較多的電流。 圖1C是美國專利第6388479號r〇sdllat〇r based p_r’reset circuit」(西元2〇〇2年5月i4日)中所揭露 的一種電關啟重置電路。請參照圖lc,在電源開啟重置 ;:二3=:由振盪電路131所輪出之時脱鐵直接經過 巧與電容133低通濾波,以影響儲存於電容133 ^位。當電容133的電位到達反相器134的轉離臨界點 口:ίΓ源開啟重置之效果。然而,電晶體⑶的 戶^出^脈訊號之脈波寬度,否則無法達到重置之動作。 :;現象源開啟重置電路130所· 1244261 14368twf.doc/m 圖 ID 是美國專利第 5386152 號「P〇wer_〇nresetcircuit responsive to a cl〇ck signal」(西元 1995 年 1 月 31 日)中所 揭露的一種電源開啟重置電路。請參照圖1D,在電源開啟 重置電路140中,由於取得充放電訊號是利用時鐘放大器 的正負源觸發微分器,所以需要有二極體保護電路,不至 於有過大的逆向訊號反向由接地線進入電路。因此這種電 路容易透過基體(substrate)引起不必要的干擾訊號,而且會 有低於地電壓之訊號產生。況且,電源開啟重置電路別 所輸出之重置訊號RST亦有振盪現象。 圖2是上述各種習知電路與本發明實施例所分別產生 之重置訊號時序圖。請參照圖2,由上而下,第—條洛線 係表示電源麵,而料左側表示#電源·時之暫^變 化。弟一條繪線(12〇)、第三條緣線⑽)以及第四組緣線 (140)係分別表示電源開啟重置電路l2〇、13〇與】仙所輸 =重置訊號。由圖中可以报明顯看出在相同 ^谷)兀件下,電源開啟重置電路m所提供之重置時 另外’由圖2中可觀察出電源開啟重置電路m 所輸出之重置訊號之時間雖較長Μθ =13() 第二繪線⑽)中之繪線〗•表^ =輸出^置訊號,從圖中可以看出有振 請内部會有低於接地電壓之訊=電源開啟重置電 【發明内容】 1244谢〜 本發明的目的就β才 減少達到RC日夺間常=戶=供—種電源開啟重置電路,以 過程的電流消耗。並日^之電阻、電容面積,減少操作 固定’因此系統的操作容易時間常數的電容充電方向 本發明提出 ::亚且減少雜訊。 初時產生重置訊號。:f:重置電路,用以於電源開啟 充放電單元以及輪出電路包括調整電路、 準位以上。充放—-:制虎之最低準位被限制於預定 至調整電路電容裝置。充放電單元耦接 進行充/放*,# i减據㈣娜u決定是否對電容裝置 接至右妨2 ’w且輸出電容裝置之儲存電壓。輸出電路輕 用以接收峨壓並且輸出重置= 定使充放;糟=整控舰號之波形與最低準位’以決 輸出n早兀進订充/放電之工作週期比(duty cycle),而 ★ a綠儲存電壓是否達到輸出電路之臨界電壓而決 疋致能/禁能重置訊號。 、 勹依照本發明的較佳實施例所述電源開啟重置電路,更 ^括受控開關。此受控開關具有第-連接端、第二連接端 以及控,端,用以依照其控制端所接收之重置訊號決定是 否將其第一連接端所接收之時脈訊號導接至其第二連接端 以輪出至調整電路。其中受控開關可以是傳輸閘。 依照本發明的較佳實施例所述電源開啟重置電路,上 述之调整電路包括整波電路以及第一鉗位電路。整波電路 將所接收之時脈訊號加以整波(shaping)以輸出控制訊號。 1244261 14368twf.doc/m 第-钳位電路输至整波電路,用以限制控制訊號之最低 準位於預定準位以上。 、、依照本發明的較佳實施例所述電源開啟重置電路,上 ^之,波電路包括第—電晶體、第二電晶體以及第一電 ^第-電晶體之閘極接收時脈訊號’其第—源/沒極輕接 電壓,第二源/汲極輸出控制訊號。第二電晶體之問極 广脈,號’其第—源/汲極祕第—電晶體之第二源/ 二圣’而第二電晶體之第二源/沒極則麵接第—鉗位電路。 f笛電令之立而輕接第一電麗,另一端則麵接第一電晶體 弟-源/錄。其中該第—電壓例如為系統電壓。 依照本發明的較佳實施例所述電源開啟重置電路,上 ίΐ:一 T立電路包括第三電晶體以及第四電晶體。第三 與第—源接至整波電路。第四電晶體 Ϊ i t 號,其第—源/汲極祕至第三電晶體之 電而第四電晶體之第二源/沒極則祕至第二 ^其中该弟二電壓例如為接地電壓。 述之發明的較佳實施觸述電關啟重置電路,上 容,元包括第五電晶體、第六電晶體以及第三電 至第ΐ:㈡其第一源/汲極•接 接第二電厂[第三電容之第-端、茲第= 端貝_1之=並且輸出儲存㈣,而第三電容之第二 I244m twf.d〇c/m 包括低壓佳實施例所述電源開啟重置電路,更 裳置之儲存^路用健重置電路接收重置訊號以及電容 提供電性#,㈣ =自线電_低至就準位以下時 態。k卩使電容裝置進彳m/充電㈣復其初始狀 述之置電路,上 二钳位電路。第七七^九電晶體、緩衝器以及第 沒嶋至第;之,收重置訊號,其第-源/ 一電壓,其第—=令弟一知。弟八電晶體之閘極接收第 第九電私及極輸第七電晶體之第二源/汲極。 =2=弟—源/汲_接至第三電容之第—端,而第 九電曰mf 而緩衝器之輸出端浦第 之,。钳位電路之第一端输第八電晶體之第 一/'、,木,鉗位電路之第二端耦接第二電壓。 本發明因利用時脈訊號並經過訊號的重建,產生出 電阻(電晶體)的開關時間’達到延長電源開 脈訊糾2間的目的。在本發明中的訊號調整包含對時 g ^、、巾田及時間做限制,而振幅限制的大小盥控制充 電晶體導通電壓有關,時間的限制則將經過振 :|、蚪脈訊號(例如約50%工作週期比)再一次把波形 整理成以較短時間打開電晶體關路徑的控制訊號(例如 小於二〇%工作週期比)。因此可以較少之電阻、電容面積達 到所需之RC時間常數。同時於操作過程中沒有漏電路 1244261 143 68twf.d〇c/m 徑,故可以減少不必要之電流消耗。並且,對決定時間常 數的電容充電方向固定,因此沒有逆向訊號反向由接地線 進入電路,防止透過基體(substrate)引起不必要的干擾訊 號。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易酸,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下。 【實施方式】 圖3A是依照本發明較佳實施例所繪示的一種電源開 啟重置電路圖。請參照圖3A,時脈源31〇用以產生時脈訊 號CLK。受控開關320具有第一連接端、第二連接端以及 控制鳊,用以依照其控制端所接收之重置訊號RST決定是 否將其第一連接端所接收之時脈訊號CLK導接至其第二 連接端以輸出至調整電路33〇。在此假設受控開關32〇之 初始狀態(即電源開啟初時之狀態)為導通狀態。 調整電路330接收並調整時脈訊號CLK以輸出控制 訊號331。在本實施例中,訊號調整包含對時脈訊號cLK 的振幅及時間做限制。其中振幅限制的大小與控制充放電 的導通電壓有關,譬如藉由調整電路330中之鉗位電路333 將控制訊號331之最低準位限制於預定準位以上。而時間 的限制則將經過振幅限制的時脈訊號CLK再一次把波形 整理成以較短時間打開充放電路徑的控制訊號%〗,壁如 藉由調整電路33G中之整波電路332將所接收之時脈訊號 1244261 14368twf.doc/m CLK之波形加以整波(shaping)以調整成較小工作週期比 控制訊號331。 ’ 充放電單元340具有電容裝置(例如電容C3)。充放電 單元340接收並依據控制訊號331以決定是否對電容裝^ 進行充/放電,並且輸出電容裝置之儲存電壓342。於本實 知例中,充放電單元340包括p型電晶體T5與電容以。 如前所述,由調整電路330所輸出之控制訊號'331為具有 較小工作週期比之脈衝訊號,電晶體T5之閘極接收控制 吼號331以間歇性導通電容C3之充電路徑。以間歇性方 修 式對電容C3充電可以獲得較大2RC時間常數。因此,可 以較少之電阻、電容面積達到足夠大之Rc時間常數。 於本實施例中,充放電單元340更包括p型電晶體 T6,電晶體T6之閘極耦接系統電壓VDD,因此於電源開 啟期間電晶體T6係處於截止狀態。當關閉電源後,由於 電容C3於電源開啟期間儲有電荷,因此電晶體丁6因其源 -閘極電壓大於其臨界電壓而導通,電容C3則經由電晶體 丁6之路徑放電而回復為初始狀態。 一 輪出電路350 (在此例如為反相器)接收電容c3之儲 籲 存電壓342。於電源開啟之初時,由於儲存電壓3们未達 輪出電路350之臨界電壓,因此輸出重置訊號RSt之電厣 為high。當電容C3充電至其儲存電壓342達到輸出 35〇之臨界電壓時,則輸出重置訊號RST之電壓為。 因此可以於電源開啟初時產生足夠長時間之重置訊號 12 I2442M 68twf.doc/m / '、、':而統電壓VDD因為某種原因而暫時降麼時, 糸統往往會應域_低㈣致柯職讀態發生 =電壓VDD回復正常工作糕後,系統將因其内部訊 號錯亂而無法正常工作。因此必須在㈣電壓VDD從莫 名降壓回㈣正常I作電壓後料發出重置訊號,以使系 統重置啟動狀態。
圖3B是依照本發明較佳實施例所繪示的一種低壓重 置私路。凊同時蒼照圖3八與38,低壓重置電路包括 P型電晶體T7〜T8、N型電晶體T9、緩衝器% i以及麵位 包路362。低壓重置電路36〇接收重置訊號rst以及電容 ^之儲存電壓342。當電源開啟之初時,重置訊號請 係為high,因此電晶體丁7處於截止狀態。
、Ik者間歇性對電容C3充電之過程,當儲存電壓342 達到輸出電路350之臨界電壓後,重置訊號RST轉態為— 而使传電晶體T7於正常卫作期間(系統電壓VDD於正常 =作電壓範圍内)保持導通狀態。此時電晶體丁8受系統電 壓>VDD控制而呈戴止狀態,導致緩衝器361之輸入與輸 出訊號準位皆為1GW,所以電·Τ9呈截止狀態。當系統 電壓VDD降低至預定準位以下時,冑晶體Τ8目而呈導通 狀態(此時電晶體Τ7亦呈導通狀態),導致緩衝器361之輸 。與,出訊號準位轉態為high,因此電晶體Τ9呈導通狀 =。藉由將電晶體Τ9導通以提供—條電性路徑,使電容 裝置C3進行放電以回復其初始狀態。因此在系統電壓 13 1244孤 twf.doc/m VDD從莫名降壓回復到正常工作電壓後,電源開啟重置電 路付以適時再發出重置訊號,以使系統重置啟動狀態。 為能更清楚說明本發明,以下將以更詳細之電路說明 本發明之實施例。圖4是依照本發明較佳實施例所繪示之 一種電源開啟重置電路圖。請參照圖4,其中時脈源41〇、 受控開關420以及輸出電路450分別與前實施例(圖3A)之 s^r脈源310、受控開關320以及輸出電路相似,故不 在此費述。 在此,調整電路430與圖3A之調整電路330相似, 依然由整波電路432與鉗位電路433所組成。其中钳位電 路433可以參照下述電路實施之。钳位電路幻3包括n型 電晶體T3以及T4°電晶體T3之閘極與祕編妾至整波 電路432。電晶體Τ4找極輕接至電晶體Τ3之源極,電 晶體Τ4之源極耦接至接地電壓,電晶體丁4之間極接收時 脈訊號CLK。 整波電路432包括Ρ型電晶體η、Ν型電晶體Τ2以 及# C卜電晶體τι之閘極接收時脈訊號CLK,電晶體 1之源極耦接系統電壓卿,電晶體71之汲極輸出控制 虎43卜電晶體T2之閘極接收時脈訊號CLK,電晶體 T2之沒_接電晶體T1找極,電晶體τ2 鉗位電路433。 π 在此
電容C1例如以ρ型電晶體施作之,以 體電路中實施之。換句話說,即把電之祕與集極; 麵接當作電容之-端,而將其閘極視為電容之另一端。, 14 1244261 14j68twf.doc/m 容〇之-輪接系統㈣VDD,另_端職接電晶體τι 之>及極。 於本實施财,充放電單元_與@ 3A之充放電單 元340相似,其中不同之處在於將電容〇以n型電晶體 施作之。換句話說’即把N型電晶體之麟當作電容之第 -端,而將其祕與集極_細視為電容之第二端。 在此’低壓重置電路460與圖犯之低壓重置電路36〇 相似’故不在此贅述。#中緩衝器461例如以二個反相哭 串聯實施之,以及钳位電路462譬如以三個二極體串聯^ 施之。 、 圖5是依照本發明較佳實施例所緣示之另一種電源開 啟重置屯路圖。圖5之電源開啟重置電路係與圖4相似, 故部分電路將不在以下贅述。請參照圖5,其中調整電路 530之钳位電路533更於電晶體丁4之閘極處耦接電容q (在此以N型電晶體實施之)。亦即將電容C2之一端輕接 至電晶體T4之閘極,而電容C2之另一端接地。 輸出電路550例如包括反相器551〜553。由反相器 551〜552相串聯所組成之緩衝器接收電容c3之儲存電壓 (即P2點之電壓)以輸出反相之重置電壓RSTB。反相器5兄 更進一步接收反相之重置電壓RSTB而輸出重置電壓RST (即P1點之電壓)。
於本實施例中,受控開關520例如為傳輸閘。於傳輸 閘之一個閘極端(控制端)各自接收重置電壓RST以及反相 之重置電壓RSTB,以便電源開啟之初時使時脈訊號CLK 15 I244Hm 待以傳送至調整電路53G,直到重置電壓RST(RSTB)轉態 後才切斷時脈訊號CLK之傳送路徑。 低壓重置電路560與圖4之低壓重置電路46〇相似。 其中緩衝器561中之反相器係以P型電晶體與㈣電晶體 所組成之反閘實施之。钳位電路562中之二極體則以N型 電晶體實施之,亦即將N型電晶體之沒極與閘極相柄接當 作二極體之陽極,而將N型電晶體之源極視為二極體之陰 極0 圖6疋圖5巾電源開啟重置電路之模擬訊斜序目。 鲁 由上而下,圖中第一條繪線係表示系統電壓VDD之時序 關係,第=條繪線表示圖5中p3點之訊號(控制訊號)時序 k化,第二條繪線表示圖5中P2點之訊號(電容c3之儲 存電壓)時序變化’第四條緣線表示圖5中p4點之訊號(甜 位電壓)時序變化,最底下之繪線則表示圖5中重置訊號 RST之時序變化。 儿 圖7是圖5中電源開啟重置電路於電源突然暫時降壓 的惴況下之模擬訊號時序圖。由上而下,圖中第一备 則表示圖5中Π點(重置訊號RST)之時序變化弟第=· 線係表示系統電壓VDD自正常工作準位短暫降壓後回復 原先準位之時序關係,第三條繪線表示圖5中P2點之訊 號(電容C3之儲存電壓)時序變化,第四〜六條繪線則分別 表示圖5中Y1點、γ〇點與γ2點之訊號時序變化。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神 16 1244视— 和範圍内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 又 【圖式簡早說明】 圖1A疋傳統電源開啟重置電路。 圖1B是美國專利公告第2〇〇1/〇〇28263號中揭露之電 源開啟重置電路。 ° 圖 1C 是美國專利第 6388479 號「〇scillat〇r based power-on-reset circuit」中所揭露的—種電源開啟重置電路。 圖1D是美國專利第53謝52號「Power_on reset circuk responsive to a dock signal」中所揭露的一種電源開啟重 電路。 圖2是各種習知電路與本發明實施例所分別 置訊號時序圖。 圖3A是依照本發明較佳實施例所緣示的一種電源開 啟重置電路圖。 ® B疋依"?、本叙明較佳實施例所、喻示的一種 置電路。 — 2 4 本發魏佳實施例所_之—觀源 重置電路圖。 是依财發明祕實施靖種電源開 啟重置電路圖。 =^圖5中電源開啟重置電路之模擬訊號時序圖。 是圖5巾電源開啟重置電路於電源突然暫時降壓 的炀況下之模擬訊號時序圖。 1244261 14368twf.doc/m 【主要元件符號說明】 110、111、113 :電阻 112、123、133 :電容 114、 122、132 : N 型電晶體 115、 361、461、561 :缓衝器 120、130、140 :習知之電源開啟重置電路 121 : P型電晶體 124、134、551 〜553 :反相器 131 :振盪電路 140a、140b :電源開啟重置電路140中之訊號 310、410、510 :時脈源 320、420、520 :受控開關 330、 430、530 :調整電路 331、 431 :控制訊號 332、 432 :整波電路 333、 362、433、462、533、562 :鉗位電路 340、440、540 :充放電單元 342 :電容C3之儲存電壓 350、450、550 :輸出電路 360 :低壓重置電路 C1〜C3 ··電容 CLK :時脈訊號 RST :重置訊號 RSTB :反相之重置電壓 T1〜T9 :電晶體 VDD :系統電壓 18

Claims (1)

  1. :twf.doc/m 十、申請專利範圍: 一舌U電源開啟重置電路,用以於電源開啟初時產生 一重置讯唬,該電源開啟重置電路包括·· 制二5周ΐί路’用以接收並調整—時脈訊號以輸出—控 H#u Ί亥控制訊號之最低準位被限制於-預定準位 至,;ίϊ:單:,具有一電容裝置,該充放電單元耦接 至,亥5周正电路,用以接收並依據該控制訊號以決 ί電容裝置進行充/放電,並且輸出該電容裝置之-儲存i 壓;以及 ’廿电 -輸出電路,祕至該纽電單元,肖 錢並且輸出該重置訊號,其中該輸出電路係依該儲= 達到_出電路之臨界而決錢能/禁能該重 、其中賴整電路藉由調整該控制訊號之波形與最低 準位’以決定使該充放電單元進行充/放電之工作週期比 (duty cycle) 〇 ’ 2.如申請專利範圍第1項所述之電關啟重置電路, 更包括: 一受控開關,具有第—連接端、第二連接端以及控制 用以依照其控制端所接收之該重置訊號決定是否將其 第-連接端所接收之該時脈訊號導接至其第以ς 出至該調整電路。 史辦而以輸 19 m I244^)8twfdoc/ 3·如申請專利範圍第1項所述之電源開啟重置電路, 其中該受控開關係一傳輸閘。 4·如申請專利範圍第1項所述之電源開啟重置電路, 其中該調整電路包括: % 一整波電路’用以將所接收之該時脈訊號加以整波 (shaping)以輸出該控制訊號;以及 一第一钳位電路,耦接至該整波電路,用以限制該控 制訊號之最低準位於該預定準位以上。 5·如申請專利範圍第4項所述之電源開啟重置電路, 其中該整波電路包括: 一第一電晶體,該第一電晶體之閘極接收該時脈訊 ,1該第—電晶體之第—源級極減―第一電壓,該第-電晶體之第二源/汲極輸出該控制訊號; σ 第二電晶體,該第二電晶體之閘極接收該時脈訊 號η亥第一電Β曰體之第一源/汲極麵接該第一電晶體之第二 源/汲極,該第二電晶體之第二源/汲極耦接該第一鉗位; 路;以及 一—第一電容,該第一電容之一端耦接該第一電壓,該 第一電容之另一端耦接該第一電晶體之第二源/汲極。 6·如申請專利範圍第5項所述之電源開啟重置電路, 其中該第一電晶體係為!>型電晶體,該第二電晶體係為Ν 型電晶體。 7·如申請專利範圍第5項所述之電源開啟重置電路, 其中該第-電壓係為系統電壓。 20 I24m— &如申請專利範圍第4項所述之電源開啟重置電路, 其中該第一鉗位電路包括: 一第三電晶體,該第三電晶體之閘極與第一源/汲極耦 接至該整波電路;以及 一第四電晶體,該第四電晶體之閘極接收該時脈訊 號,該第四電晶體之第一源/汲極耦接至該第三電晶體之第 二源/汲極,該第四電晶體之第二源/汲極耦接至一第二電 壓。 9. 如申請專利範圍第8項所述之電源開啟重置電路, 其中該第一鉗位電路更包括: 一第二電容,該第二電容之一端接收該時脈訊號,該 第二電容之另一端耦接該第二電壓。 10. 如申請專利範圍第8項所述之電源開啟重置電 路,其中該第二電壓係為接地電壓。 11. 如申請專利範圍第1項所述之電源開啟重置電 路,其中該充放電單元包括: 一第五電晶體,該第五電晶體之閘極接收該控制訊 號,該第五電晶體之第一源/汲極耦接至一第一電壓; 一第六電晶體,該第六電晶體之閘極耦接該第一電 壓,該第六電晶體之第一源/汲極耦接至該第五電晶體之第 二源/汲極,該第六電晶體之第二源/汲極耦接一第二電 壓;以及 21 1244孤一 體 端 之第第三電容之第-端咖第五電 綠?广且輸出該儲存電壓,該第三電:i; 耦接該第二電壓。 私奋足弟 12·如申請專利範圍第丨 路 豆中兮於Φ ^ 貝所述之電源開啟重詈+ 其中忒輸出電路係包括至少一反相哭。 里置包 路 13·如申請專利範圍第丨 ^ 更包括: 貞所述之電源開啟重置電 一低壓重置電路,接 用以當一系統電壓降低至一吻’ 徑’二1電二\置進5放:充電"回復其初始狀態 政〜爿1巳圍第13項所述之電源開啟重置带 路,其中该低壓重置電路包括: 屯 节體’该第七電晶體之閘極接收該重置1 該弟七電晶體之第—職極輕接至該第三電容二 二第人電晶體’該第八電晶體之閘極接收該第 壓’该弟八電晶體之第_源,汲極耦接該 源/汲極; 版心弟一 斤一第九電晶體’該第九電晶體之第—源/沒極麵接至該 f二電谷之弟—端’該第九電晶體之第二源/汲極耗接至-第二電壓; 一一緩衝器,該緩衝器之輸入端耦接該第八電晶體之第 及極4緩衝☆、之輸出端耦接該第九電晶體之閉極; 22 1244261 14368twf.doc/m 一第二鉗位電路,該鉗位電路之第一端耦接該第八電 晶體之第二源/汲極,該鉗位電路之第二端耦接該第二電 壓。 15. 如申請專利範圍第14項所述之電源開啟重置電 路,其中該第七電晶體與第八電晶體係為P型電晶體,並 且該第九電晶體係為N型電晶體。 16. 如申請專利範圍第14項所述之電源開啟重置電 路,其中該第二鉗位電路係由多數個二極體串接組成。 17. 如申請專利範圍第14項所述之電源開啟重置電 路,其中該第一電壓係為系統電壓,並且該第二電壓係為 接地電壓。
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