TWI244131B - Liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents

Description

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CD 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一-種封於半導體晶圓或LCD基板等自勺各 種基板施以洗淨等液處理的液處理裝置及液處理方法。 【先前技術】 例如，在半導體裝置的製造處理中，使用著藉由藥液 或純水洗淨半導體晶圓，並去除附著於晶圓的微粒、有機 污染物、金屬雜質等污染、蝕刻處理後的聚合物等的晶圓 洗淨裝置。 作爲該晶圓洗淨裝置眾知所謂單片式洗淨裝置，將晶 圓W大約水平姿勢保持在旋轉夾頭，而將晶圓以靜止狀態 或旋轉狀態在晶圓的表背面供給藥液來進行藥液處理，之 後一面以特定轉速旋轉晶圓，一面在晶圓供給純水來洗掉 藥液，之後一面旋轉晶圓一面在晶圓噴射乾燥氣體[例如 氮氣（n2)]來進行乾燥處理。 在依單片式洗淨裝置的晶片背面的洗淨，例如使用著 在圓形板的大約中心設有能貫通圓形板的噴嘴孔的吐出噴 嘴孔。相對向於晶圓的背面配置圓形板，藉由將藥液、純 水、乾燥氣體從噴嘴孔依次供給於晶圓與圓形板之間，可 進行晶圓背面的洗淨。 這時候，從該吐出噴嘴的噴嘴孔吐出藥液之後，有未 使用的藥液殘留在噴嘴孔的內部。該噴嘴孔的藥液，是在 跟其後面從噴嘴孔吐出純水之際被推出在晶圓與圓形板之 -6 - (2) 1244131 間。如此，從噴嘴孔被推出的藥液是與經使用的藥液或純 水混合在一起而從圓形板溢出掉落，或在旋轉晶圓之際從 晶圓摔出，然後被回收。如此被回收的藥液是藉由純水被 稀釋，而且含有很多微粒之故，因而在被回收的藥液的再 利用上所需要的淨化處理，需要很大費用負擔。 又，在將純水從該吐出噴嘴的噴嘴孔吐出至晶圓之後 ，則純水殘留在噴嘴孔的內部。在該狀態下，從噴嘴孔噴 射氮氣體時，則噴嘴孔內的大部分純水是在乾燥氣體的開 始噴射時藉由乾燥氣體被推出。但是，噴嘴孔配設在垂直 方向之故，因而噴嘴孔內部的純水是藉由受到重力影響而 無法完全地排出，所以有一部分純水附著在噴嘴孔壁。如 此在純水附著於噴嘴孔壁之狀態下再從噴嘴孔噴射乾燥氣 體，則藉由乾燥氣體的氣勢使得純水霧化，而該霧與乾燥 氣體一起朝晶圓噴射。若該霧附著於晶圓的已乾燥的部分 ，則會發生水斑（watermark)，而會降低晶圓品質。 【發明內容】 本發明的目的是在於提供一種有效率地可回收未使用 的處理液的液處理裝置及液處理方法。又，本發明的目的 是在於提供一種可抑制基板上發生水斑的液處理裝置及液 處理方法。 依照本發明，提供屬於在基板供給處理液而進行液處 理的液處理裝置，其特徵爲具備： 以大約水平姿勢來保持基板的保持手段； -7- (3) 1244131 在被保持在上述保持手段的基板吐出處理液的吐出噴 嘴； 將處理液供給於上述吐出噴嘴的處理液供給機構；及 在將上述處理液從上述吐出噴嘴吐出至被保持在上述 保持手段的基板之後，吸引去除殘留在上述吐出噴嘴的內 部的處理液的處理液吸引機構。 該液處理裝置，是又具備：將處理氣體供給於上述吐 出噴嘴的處理氣體供給機構，及切換處理流體成爲上述處 理液或上述處理氣體的一方從上述處理液吐出機構與上述 處理氣體供給機構供給於上述吐出噴嘴的切換機構。 又，依照本發明，提供屬於在基板供給處理液而進行 液處理的液處理方法，其特徵爲具備： 將處理液從吐出處理液及乾燥用氣體的吐出噴嘴吐出 至上述基板而進行液處理的工序，及 在從上述吐出噴嘴吐出處理液之後，吸引去除殘留在 上述吐出噴嘴的內部的處理液的工序。 在該液處理方法中，又具有在從吐出噴嘴的內部去除 處理液之後，將乾燥用氣體從吐出噴嘴噴射至基板而加以 乾燥基板的工序。 依照此種液處理裝置及液處理方法，在吐出噴嘴中吸 引殘留在吐出處理液的噴嘴孔內部的處理液並加以去除， 則被吸引去除的處理液是未經使用而呈高濃度且微粒的含 有量較少。因此容易再利用被吸引去除的處理液。又，吸 引殘留於噴嘴孔內部的處理液並加以去除時，則可大約完 •8- (4) 1244131 全地去除附著於噴嘴孔壁的處理液。由此’即使在之後從 噴嘴孔噴射氣體，也很難發生處理液的霧’藉由此可抑制 在基板發生水斑。 【實施方式】 以下，一面參照圖式一面詳述本發明的實施形態。在 這裏，說明了將本發明適用在具備一連貫地進行晶圓的搬 入，到洗淨/乾燥處理，搬出的洗淨處理系統’並可同時 地洗淨處理晶圓的表背面的洗淨處理單元的情形。 第1圖是表示洗淨處理系統1的槪略構造的俯視圖；第 2圖是其側視圖。洗淨處理系統1是由在晶圓W施以洗淨處 理及洗淨處理後的熱式處理的洗淨處理部2，及將晶圓W 予以搬入搬出至洗淨處理部2的搬入搬出部3所構成。搬入 搬出部3是由設有用以裝載以大約水平姿勢並以朝垂直方 向特定間隔容納例如25枚的複數枚的晶圓W的FO UP ( front opening unified pod) F的裝載台6的搬入、搬出通道 4，及具備有在被裝載於裝載台6的FOUP F與洗淨處理部 之間進行搬運晶圓W的晶圓搬運裝置7的晶圓搬運部5所構 成。 在FOUP F的一側面設有用以搬入、搬出晶圓W的搬入 搬出口，而該搬入搬出口是藉由蓋體成爲開閉自如之狀態 。又在FOUP F的內壁，設有用以以特定間隔保持者晶圓W 的棚板，而形成有容納晶圓W的25部位的槽。晶圓W是在 表面（爲形成半導體裝置的面者）成爲上面（爲將晶圓w -9 - (5) 1244131 保持在水平的情形成爲上方的面者）的狀態下，一枚一枚 地被容納在各槽。 在裝載台6，成爲例如可朝Y方向並排地裝載3個FOUP F。FOUP F是朝隔開搬入、搬出通道與晶圓搬運邰5的境 界壁8 裝載設有蓋體的側面。在境界壁8中位在對應於 FOUP F的裝載部位的位置形成有窗部9，而在窗部9的晶 圓搬運部5側設有開閉窗部的快門10。 快門10是形成也可移動設在FOUP F的蓋體而能開閉 FOUP F的搬入搬出口。亦即，快門10是與開閉窗部9之同 時進行開閉FOUP F的搬入搬出口。在快門10設置連鎖成 爲當FOUP F未被裝載於裝載台6的特定位置時快門10不會 進行動作較理想。打開窗部9相連通FOUP F的搬入搬出口 與晶圓搬運部5，則搬運裝置7成爲可出入至FOUP F的內 部，而成爲可進行搬運晶圓W。 又，在窗部9的上部，設有未圖示的晶圓檢查裝置。 該晶圓檢查裝置是具備昇降自如的感測器；該感測器每一 槽地檢測被容納在FOUP F內的晶圓W的枚數與狀態。此種 晶圓搬運裝置7是具有保持晶圓W的搬運尖鎬11，該搬運 尖鎬11是朝X方向滑動自如，且朝Z方向昇降自如，又在 X-Y平面內（0方向）成爲旋轉自如之狀態。由此，將晶 圓搬運裝置7移動至與被裝載於裝載台6的任意FOUP F相 對向的位置，可出入在相對向搬運尖鎬11的FOUP F的任 意高度的槽。 又’將晶圓搬運裝置7移動至與設於洗淨處理部2的 -10- (6) 1244131 兩台的晶圓交接單元（TRS ) 16、17[晶圓交接單元（TRS )1 7的位置是參照表示於以後的第3圖]的位置，而可將搬 運尖鎬11出入在晶圓交接單元（TRS ) 16、17。亦即，晶 圓搬運裝置7是對於FOUP F進行晶圓W的搬入搬出，同時 將晶圓W從洗淨處理部2搬運至搬入搬出部3，並將晶圓W 從搬入搬出部3搬運至洗淨處理部2。 洗淨處理部2是具有：爲了在與晶圓搬運部5之間進行 晶圓W的交接而暫時地裝載晶圓W的兩台晶圓交接單元（ TRS ) 16、17，及同時地洗淨處理晶圓W的表面與背面的 四台洗淨處理單元（CLN ) 12、13、14、15，及加熱處理 洗淨處理後的晶圓W的三台熱板單元（HP) 19、20、21 [ 熱板單元（HP) 20、21的位置是參照表示於以後的第3圖] ，及冷卻被加熱的晶圓W的冷卻單元（COL) 22 [冷卻單元 (COL) 22的位置是參照表示於以後的第3圖]，及可出入 在此些所有單元，而在此些的單元間進行晶圓W的搬運的 主晶圓搬運裝置1 8。 又，在洗淨處理部2設有：用以運行整體洗淨處理系 統1的電源的電源單元（PU ) 23，及進行構成洗淨處理系 統1的各單元及整洗淨處理系統1的動作，控制的機械控制 單元（MCU ) 29，及儲存被送液至洗淨處理單元（CLN ) 12〜15的藥液的藥液的藥液儲存單元（CTU ) 25。電源單 元（PU ) 23是被連接於未圖示的主電源。在洗淨處理部2 的頂部設有用以將淸淨空氣垂直層流至各單元及主晶圓搬 運裝置18的風扇過濾單元（FFU) 26。 -11 - 1244131 又，藥液儲存單元（CTU) 25與電源單元（PU) 23及 機械控制單元（PU ) 23及機械控制單元（MCU ) 24 ’是 設在主晶圓搬運裝置2的外部也可以，或是作成抽出自如 在洗淨處理部2的外部較理想。由此，成爲從該面（Y方 向側面）可容易地進行維修晶圓交接單元（TRS ) 1 6、1 7 ，主晶圓搬運裝置18，熱板單元（HP) 19〜21及冷卻單元 (COL ) 22 〇 第3圖是表示洗淨處理系統1的槪略構造的剖視圖；表 示晶圓交接單元（TRS ) 16、17，及鄰接於晶圓交接單元 (TRS ) 16、17的X方向的主晶圓搬運裝置18 ’及熱板單 元（HP) 19〜21，及冷卻單元（COL) 22的槪略配置。晶 圓交接單元（TRS ) 16、17是垂疊配置成上下兩段’例如 下段晶圓交接單元（TRS ) 17是使用在用以裝載從晶圓搬 運部3搬運至洗淨處理部2的晶圓W，另一方面，上段晶圓 交接單元（TRS ) 16是可使用在用以裝載從洗淨處理部2 搬運至晶圓搬運部3的晶圓W。 來自風扇過濾單元（FFU ) 26的垂直層流的一部分是 成爲晶圓交接單元（TRS ) 16、17，及經其上部的空間而 朝晶圓搬運部5流出的構造，由此，防止微粒等從晶圓搬 運部5侵入至洗淨處理部2，並成爲能保持著洗淨處理部2 的淸淨度。 主晶圓搬運裝置18是具有：具備朝Z方向延伸的垂直 壁27、28及此些的中間的側面開口部29的筒狀支持體30， 及沿著筒狀支持體30朝Z方向昇降自如地設在其內側的晶 -12- (8) 1244131 圓搬運體31。筒狀支持體3〇是藉由電動機22的旋轉驅動力 進行旋轉，隨著該旋轉成爲也一體地旋轉晶圓搬運體3 1。 晶圓搬運體31是具備：搬運基台33，及沿著搬運基台 33而朝水平方向進退移動的三支搬運臂34、35、36，搬運 臂34〜3 6是具有可通過筒狀支持體30的側面開口部29的大 小。此些搬運臂34 ~3 6是藉由內設在搬運基台33內的電動 機及皮帶機構分別獨立地進行進退移動。晶圓搬運體3 1是 藉由電動機37能驅動皮帶39而使之昇降。又，表示於第3 圖的記號39是驅動帶輪，而記號40是從動帶輪。 在進行晶圓W的強制冷卻的冷卻單元（COL ) 22上面 ，重疊地設有三台熱板單元（HP) 19〜21。又，在晶圓交 接單元（TRS ) 16、17的上部空間也可設置熱板單元（HP )19〜21與冷卻單元（COL) 22。在此種情形，可將表示 於第1圖與第3圖的熱板單元（HP ) 19〜21及冷卻單元（ COL) 22的位置可利用作爲其他實用空間。 洗淨處理單元（CLN) 12〜15是在上下兩段分別設置 兩台於各段。洗淨處理單元（CLN ) 12與洗淨處理單元（ CLN) 14是對於形成其境界的壁面41具有大約對稱的構造 ，這種情形對於洗淨處理單元（CLN ) 13與洗淨處理單元 (CLN ) 15也同樣。又，洗淨處理單元（CLN) 12〜15是 具備同等構成（構件及功能）。以下’以洗淨處理單元（ CLN) 12作爲例子，詳述其構造。 第4圖是表示洗淨處理單元（CLN ) 12的槪略俯視圖 ;第5圖是表示其槪略剖視圖。洗淨處理單元（C LN ) 1 2 -13- (9) 1244131 是具有外殼42，而在外殼42內部設有外處理室43 ’及藥液 臂貯藏部44，及沖洗乾燥臂貯藏部45。又，在外處理室43 的內部設有··內蓋58 ’及在內蓋58內保持晶圓W的旋轉夾 頭5 9，及用以洗淨被保持在旋轉夾頭5 9的晶圓W表面的 吐出噴嘴81，及用以洗淨被保持在旋轉夾頭59的晶圓W背 面的吐出噴嘴82。 在外殼42成有窗部46’，而該窗部46’是藉由第1快門 46形成開閉自如之狀態。在第4圖及第5圖未圖示驅動該第 1快門46的機構。搬運臂34 (或35、36 )是通過該窗部 46’將晶圓W搬入搬出於洗淨處理單元（CLN ) 12，而窗 部46’是除了晶圓W的搬入搬出時之外，藉由第1快門46 被保持在被封閉狀態。又，第1快門46是形成能從外殼 42的內部開閉窗部46’的狀態。由此，當外殻42內部成爲 陽壓時，外殼42內的環境很難洩漏至外部。 晶圓W的洗淨處理是在外處理室43的內部進行。在外 處理室42形成有窗部47’，該窗部47’是藉由依未圖示的氣 缸驅動機構等進行移動的第2快門47成爲開閉自如之狀 態。搬運臂34 (或35、36 )是經窗部46’及窗部47’而進入 /退出在外處理室43內，對於旋轉夾頭5 9進行晶圓W的交 接，而窗部47 ’是除了晶圓W的交接時之外，藉由第2快 門被保持在封閉狀態。 第2快門47是形成從外處理室43的內部能開閉窗部 47’之故，因而即使外處理室43內成爲隔壓時，外部處理 室43內部的環境也很難洩至外部。又，藉由共通的驅動機 •14- (10) 1244131 構來驅動第1快門4 6與第2快門4 7，能同時地開閉窗部 46’與窗部47’也可以。 在外處理室4 3的上壁，設有將氮氣體（N 2 )等惰性氣 體供給於外處理室43內的氣體供給口 86。藉由從氣體供給 口 8 6所噴射的氣體而使得垂直層流形成在外處理室4 3內。 由此，防止吐出在被保持於旋轉夾頭5 9的晶圓W的藥液的 蒸汽充滿於外處理室42內的情形。又，藉由形成此種垂直 層流，可得到在晶圓W的表面不容易產生水斑的效果。在 外處理室43的底部設有排洩口 43a，成爲從排洩口 43 a可進 行排氣及排液之情形。 內蓋5 8是具有在上部設有推拔部，而在底壁設有排洩 口 5 8 a的構造。內蓋5 8是在其上端位於比被保持在旋轉夾 頭59的晶圓W更上方的位置，且推拔部圍繞晶圓W的位置 (在第5圖中以實線所表示的位置，以下稱爲「處理位置 」），及其上端位於比被保持在旋轉夾頭59的晶圓W更下 方的位置（在第5圖中以虛所表示的位置，以下稱爲「躱 避位置」）之間成爲昇降自如之狀態。 內蓋58是在搬運臂34 (或35、36 )與旋轉夾頭59之間 進行晶圓W的交接時被保持在躲避位置成爲不會妨礙搬運 臂34的進入/退出。另一方面，在被保持於旋轉夾頭59的 晶圓W施以洗淨處理時被保持在處理位置。由此，防止被 吐出被晶圓W的藥液或純水飛散至周圍。又使用於晶圓W 的洗淨處理的藥液是被引導至排洩口 5 8 a。在排洩口 5 8 a 連接有未圖示的藥液回收線與排氣導管，成爲能防止在內 -15- (11) 1244131 蓋5 8內所發生的霧等擴散至外處理室43內，又成爲能使藥 液回收或廢棄（排液）。 旋轉夾頭59是具有旋轉板61，及與旋轉板61相連接的 旋轉筒體62 ;支持晶圓W的支持銷64a與保持晶圓W的保持 銷64b被安裝於旋轉板61的周緣部。搬運臂34 (或35、36 )與旋轉夾頭5 9之間的晶圓W的交接。是利用該支持銷 64a來進行。支持銷64a是從確實地支持晶圓W的觀點上， 至少設在三部位較理想。 保持銷64b是不會妨礙在搬運臂34 (或35、36 )與旋 轉夾頭59的晶圓W交接地，藉由未圖示的推壓機構將位於 旋轉板6 1的下部的部分推向旋轉板6 1側，能使保持銷64b 的上前端形成傾斜地朝旋轉板6 1的外側移動。保持銷64b 也從確實地保持晶圓W的觀點上，至少設置三部位較理想 〇 在旋轉筒體62的外周面繞掛著皮帶65。藉由電動機66 轉動皮帶65，俾將旋轉筒體62及旋轉板61進行旋轉板61， 形成可旋轉被保持在保持銷64b的晶圓W。藉由調整保持 銷64b的重心位置，就可調整在旋轉晶圓W時保持銷64b保 持晶圓W的力量。例如若將保持銷64b的重心設在比旋轉 板6 1更下方，則藉由離心力旋加於比旋轉板6 i更下方的部 分’上前端部是成爲朝內側移動之故，因而可提高保持晶 圓W的力量。 洗淨晶圓W背面的吐出噴嘴82是具有：與晶圓W背面 以特定間隔相對向的底板63，及支持底板63的支持構件67 -16- 1244131 M2) ，及設成能貫通底板6 3與支持構件6 7的內部的能朝晶圓W 背面供給藥液或純水、乾燥氣體（例如氮氣）的噴嘴孔75 。支持構件67是被貫插於旋轉板61的中央部及旋轉筒體62 內，且被固定在水平板68的上面。水平板68是藉由與支持 構件67—體地具有氣缸等的昇降機構69朝垂直方向昇降自 如之狀態。在旋轉夾頭5 9與搬運臂3 4 (或3 5、3 6 )之間進 行晶圓W的交接時，底板63是下降至接近於旋轉板61的位 置成爲不會與搬運臂3 4相撞。欲對於晶圓W背面進行洗淨 處理時，則底板63是被上昇至接近於被保持在保持銷64b 的晶圓W背面的位置，之後藥液等經噴嘴孔75被吐出至晶 圓W。又，將底板63固定在特定高度，並藉由昇降旋轉筒 體62，而配合進行洗淨處理來調整被保持在保持銷64的晶 圓W與底板63之間隔也可以。 洗淨晶圓W表面的吐出噴嘴8 1是具有：與晶圓W表 面以特定間隔相對向的頂板60，及保持頂板60的保持構件 70，及垂直方向地貫通頂板60與保持構件70的孔部85，及 配設在孔部85內，且將藥液等供給於晶圓W表面的管子 120 ° 保持構件7 0是旋轉自如地被支持於水平板7 1的下面， 且藉由設在水平板71的電動機72進行旋轉，這時候，與保 持構件70相連接的頂板60也進行旋轉。水平板71是藉由被 固定在外處理室43的上壁的氣缸等所構成的昇降機構73朝 垂直方向昇發自如的狀態。 在旋轉夾頭59與搬運臂34 (或35、36)之間進行晶圓 -17- (13) 1244131 W的交接時，頂板60不會與搬運臂34相撞地，被保持在接 近於外處理室43上壁的位置。又，欲對於晶圓W的表面（ 上面）進行洗淨處理時，則頂板60是下降至接近於被保持 在保持銷64b的晶圓W表面的位置，使得藥液等從管子 120吐出至晶圓W。 第6圖是表示表面洗淨吐出噴嘴81與背面洗淨用吐出 噴嘴82的更詳細構造，及將藥液等或乾燥氣體供給於噴嘴 孔75及管子120的藥液供給系統100的槪略構成的說明圖。 又，在第6圖中，針對於開閉閥10 la至10 Id及開閉閥102a 至102d，表示藥液等流路，而省略了開閉此些流路的機構 圖示。 在噴嘴孔75並排地安裝有四個開閉閥102a、102b、 102c、102d。此中，藉由切換開閉閥102a、102b、102c、 l〇2d ;成爲可將從藥液、純水、氮氣體中適當地被選擇的 一種供給於噴嘴孔75。又，在安裝於開閉閥102c的配管， 設有抽氣器或真空泵等吸引裝置l〇3a。藥液、純水被送至 噴嘴孔75之後，藉由運轉該吸引裝置並打開開閉閥102c， 可以吸引留在噴嘴孔75內的藥液或純水並加以去除。如此 被吸引的藥液是被回收而被再利用。 在管子120，並排安裝有四個開閉閥101a、101b、 101c、101d。此中，藉由切換開閉閥101a、10b、101d， 形成可將從藥液、純水、氮氣中適當地被選擇的一種供給 於管子120。又，在安裝於開閉閥10 lc的配管，設有抽氣 器或真空泵等的吸引裝置l〇3b。在藥液、純水被送至管子 -18- (14) 1244131 120之後，藉由運轉該吸引裝置l〇3b並打開開閥l〇lc，可 以吸引留在管子1 2 0內部的藥液或純水並加以去除。如此 被吸引的藥液是被回收而被再利用。 在孔部85與管子1 20之間隙部85 a，經氣體供給管1 2 1 可供給氮氣，而自間隙部85 a是成爲經兩部位的氣體排氣 管（緩慢排氣用），122b (強制排氣用）可進行排氣。經 氣體供給管121而被供於間隙部85 a的氮氣體’是成爲以一 定流量從間隙部85a經氣體排氣管122a被排至外部（緩慢 排氣）。在藥液或純水層形成在晶圓W的表面與頂板60之 間時，則氮氣體的氣泡不會發生在藥液或純水層，且藥液 或純水不會浸入至間隙部85 a地，設定有對於該間隙部85 a 的氮氣體供給量與經由來自間隙部85a的氣體排氣管122a 的氮氣體排氣量。 成爲自間隙部85a是進行經氣體排氣管122b的強制排 氣。來自氣體排氣管122b的排氣量是比來自氣體排氣管 122 a的排氣量更多。經氣體排氣管122b的強制排氣是在間 隙部85 a下端與藥液或純水未接觸之狀態進行。例如，藉 由一面旋轉頂板60與保持構件70，而經氣體排氣管122b進 行間隙部85 a的強制排氣，一面防止藥液或純水浸入至間 隙部85a，一面藉由頂板60及保持構件70的旋轉，可防止 在間隙部85 a所發生的微粒附著於晶圓W。 管子120的前端部是形成楔形，成爲藥液或純水不容 易附著於管子1 20的前端的構造，亦即成爲不容易污染的 構造。由此，防止發生在管子120前端的微粒，或防止發 -19- (15) 1244131 生在來自晶圓W的乾燥處理時的管子1 20的純水的液滴掉 落所引起的水斑。 第7A圖至第7D圖是表示管子120與頂板60的其他形態 的剖視圖。在第6圖作爲管子1 20的形態，表示其內徑隨著 朝前端變愈長的楔形形態，惟例如第7 A圖所示地，作成 內徑是一定，而外徑是隨著朝前端變愈短的形態也可以。 又如第7B圖所示地，作成其前形成逆三角形的尖塔型也可 以。 頂板60的外周端面也形成斷面大約楔形，成爲不容易 附著藥液或純水。在第6圖中，表示作爲頂板6 0，上方外 徑比下方外更短的形態，惟如第7C圖所示地，上方外徑比 下方外徑更長的形態，或如第7 D圖所示地，作成上方與 下方的外徑大約相同而厚度方向的中間部分的外徑變最長 的剖面大約尖塔形的形態也可以。在此種情形，也藉由旋 轉頂板60之際的離心力，容易摔掉附著於頂板60的藥液或 純水，而抑制藥液或純水附著於頂板60的端面。又，頂板 6 0所具有的此種效果，是在表示於第6圖的形態時最大。 在藥液臂貯藏部44，設有窗部48 ’，及藉由未圖示的 驅動機構進行開閉窗部4 8 ’的第3快門4 8。與外處理室4 3 環境隔離藥液臂貯藏部44時，則關閉該第3快門48。在 沖洗乾燥臂貯藏部35設有窗部49，，及藉由未圖示的驅動 機構進行開閉窗部49’第4快門49。與外處理室43 4環境隔 離沖洗乾燥臂貯藏部45時，則關閉第4快門49。 在藥液臂貯藏部44內貯臟有藥液供給系統臂5 0，而在 -20- (16) 1244131 藥液供給系統臂50安裝有兩支藥液供給噴嘴51、52。又， 在沖洗乾燥臂貯藏部45貯藏有沖洗乾燥臂53，而在沖洗乾 燥臂5 3安裝有兩支沖洗乾燥臂噴嘴5 4、5 5。 第8圖是表示對於藥液供給噴嘴5 1、5 2與沖洗乾燥噴 嘴5 4、5 5供給藥液等的藥液供給系統1 〇 〇 ’的槪略構成的說 明圖。在藥液供給噴嘴51、52，安裝有兩個開閉閥112a、 112b所成的閥群，及四個開閉閥llla、1 lib、111c、1 lid 所成的閥群。對於藥液供給噴嘴5 1、5 2，經由開閉閥111 a 供給藥液，經由開閉閥111b供給純水，又經由開閉閥llld 供給氮氣體，而藉由切換開閉閥112a、112b，成爲從藥液 供給噴嘴51、52的其中一方可吐出藥液等。 在安裝於開閉閥1 1 1 c的配管，設有抽氣器或真空泵等 的吸引裝置113。對於藥液供給噴嘴52供給藥液或純水之 後’運轉吸引裝置113而藉由打開開閉閥111〇與開閉閥 112a，可吸引去除留在藥液供給噴嘴52內部的藥液或純水 。同樣地，運轉吸引裝置113而打開開閉閥lllc與開閉閥 1 1 2b，則吸引去除留在藥液供給噴嘴5 1內部的藥液或純水 。如此所吸引的藥液是被回收而被再利用，或被廢棄。 在沖洗乾燥噴嘴54、55，安裝有兩個開閉閥115a、 115b所成的閥群，及三個開閉閥114a、114b、114c所成的 閥群。純水經由開閉閥ll4a供給於沖洗乾燥噴嘴54、56， 而氮氣體經由開閉閥114c供給於沖洗乾燥噴嘴54、55 ;藉 由切換開閉閥115a、115b，成爲從沖洗乾燥噴嘴54、55之 其中一方可吐出純水及氮氣體的任何一方。 -21 - (17) 1244131 吸引裝置113是也被連接於開閉閥114b。將純水送至 沖洗乾燥噴嘴54之後，藉由運轉吸引裝置113而打開開閉 閥114b與開閉閥115a，可吸引去除留在沖洗乾燥噴嘴54內 部的純水。同樣地，運轉吸引裝置113而打開閉閥114b與 開閉閥115b，則可吸引去除留在沖洗乾燥噴嘴55內部的純 水。如此被吸引的純水，是一般經由特定處理後被廢棄。 又，在第8圖中，針對於各開閉閥111a〜llld、112a、 112b、114a〜114c、115a、115b，表示藥液等流路，而省 略圖示開閉此些的流路的機構。藥液供給系統100 ’的藥液 、純水、氮氣體的供給源，是與藥液供給系統1 00的藥液 、純水、氮氣體的供給源可共用。 藉由轉動藥液供給系統臂5 0，可將藥液供給噴嘴5 1、 52進入至外處理室43內，而可掃描被保持在旋轉夾頭59的 晶圓W的至少中心與周緣部之間。又，藥液供給系統臂50 是除了晶圓W的洗淨處理時之外被收容在藥液臂貯藏部4 4 。爲了藥液臂貯藏部4 4是經常成爲藥液環境，而在藥液供 給系統臂50使用著耐蝕性零件。又，配合藥液供給系統臂 5〇的轉動動作的時機，使得第3快門48開閉窗部48,也較 理想。 藉由轉動沖洗乾燥臂5 3，可將沖洗乾燥噴嘴5 4、5 5進 入至外處理室4 3內，而可掃描被保持在旋轉夾頭5 9的晶圓 W的至少中心與周緣之間。沖洗乾燥臂53是除了晶圓…的 洗淨處理時之外被收容在沖洗乾燥臂貯藏部45。沖洗乾燥 臂藏部4 5並不是在藥液環境，惟在沖洗乾燥臂5 3使用耐蝕 -22- (18) 1244131 性零件較理想。又，配合沖洗乾燥臂5 3的轉動動作的時機 ，藉由第4快門4 9進行開閉窗部4 9，也較理想。 在藥液臂貯藏部4 4設有藥液供給系統臂洗淨裝置5 6， 成爲可適當地洗淨藥液供給噴嘴5 1、5 2。在洗淨藥液供給 噴嘴5 1、52時，則關閉第3快門48。由此防止藥液臂貯 藏部4 4內的環境漏出至外殼4 2與外處理室4 3。又在沖洗乾 燥臂貯藏部45設有沖洗乾燥臂洗淨裝置5 7，成爲可適當地 洗淨沖洗乾燥噴嘴54、55。在洗淨沖洗乾燥噴嘴54、55時 ，則關閉第4快門4 9。由此防止沖洗乾燥臂貯藏部45的 環境洩至外殼42與外處理室43。 以下，說明依洗淨處理系統1的晶圓W的洗淨工序。 第9圖是表示洗淨處理的槪略工序的流程圖。首先，藉由 搬運機器人或操作人員，使得容納有未洗淨的晶圓W的 FOUP F裝載於搬入搬出通道4的裝載台6上的特定位置（ 步驟1)。藉由搬運尖鎬11從被裝載於該裝載台6的FOUP F—枚一枚比取出晶圓W (步驟2 )。從FOUP F被取出的晶 圓W，是例如被搬運至晶圓交接單元（TRS ) 16 (步驟3 ) 〇 然後，主晶圓搬運裝置18是使用搬運臂34〜36的任一 臂，例如使用9搬運臂34取出被裝載於晶圓交接單元（ TRS ) 16的晶圓（步驟4 )，並搬進洗淨處理單元（CLN ) 12〜15的任一單元，例如搬進洗淨處理單元（CLN ) 12 ( 步驟5 )。 該步驟5是如下地進行。亦即，首先打開設在外殼42 -23- (19) 1244131 的第1快門46與設在外處理室43的第2快門47。與該操 作之大約同時或該操作之前，內蓋58是被保持在躲避位置 ，底板63是等待在靠近旋轉板61的位置’而頂板60是等待 在外處理室43上壁近旁的狀態。之後，將搬運臂34進入至 外處理室43內，而將晶圓W從搬運臂34交接至設在旋轉夾 頭59的支持銷64A。 晶圓W被支持在支持銷64a之後，從外處理室43退出 搬運臂34，並關閉第1快門46及第2快門47。又上昇內 蓋48而保持在處理位置，上昇底板63而將與晶圓W之間保 持在特定間隔，又下降頂板60而將與晶圓W之間保持在特 定間隔（步驟6 )。 然後開始晶圓W的藥液處理（步驟7 )。在未旋轉晶 圓W地進行藥液處理時，則將晶圓W保持在被支持於支持 銷64a的狀態。另一方面，在一面旋轉晶圓W—面進行藥 液處理的情形，及藥液處理後進行的晶圓W的沖洗處理與 氣體乾燥處理（此些是旋轉晶圓W來進行）之際，則在旋 轉晶圓W之前將晶圓W保持在保持銷64b。 在靜止晶圓W與頂板60的雙方的狀態，或是旋轉晶圓 W與頂板60的其中一方而靜止另一方的狀態，或是旋轉晶 圓W與頂板60的雙方的狀態的任何狀態下，打開開閉閥 101a。由此，藥液從管子120吐出至晶圓W的表面之故， 因而在晶圓W與頂板60之間形成藥液層並保持特定時間。 又，打開開閉閥l〇2a而將藥液經噴嘴孔75朝晶圓W的背面 吐出。又，在此種藥液處理之期間，將適量藥液連續性或 -24- (20) 1244131 間歇地，分別追加於晶圓W與頂板60之間及晶圓W與底板 63之間也可以。 在此種藥液處理之期間，在形成於管子120與孔部85 之間的間隙部85a，氮氣體從氮氣體的氣體供給管121供給 ，且從氣體排氣管122a被排氣（緩慢排氣）。此種氮氣體 的供給與排氣，是不會產生氮氣體噴射至形成在晶圓W與 頂板60之間的藥液層，且不會產生藥液浸入至間隙部85a 之狀態下進行。又，在藥液處理中從晶圓W的周圍所溢出 的藥液，是經排洩口 5 8 a被回收，而經由特定淨化處理被 再利用。 在終了藥液處理後，關閉開閉閥101而停止藥液吐出 至晶圓W的表面之後，運轉吸引裝置l〇3b而打開開閉閥 101c。由此吸引去除留在管子120內的藥液。如此，被吸 引去除的藥液，是被回收而被供作再利用。同樣地，在關 閉開閉閥l〇2a而停止藥液供給至晶圓W的背面之後，運轉 吸引裝置l〇3a而打開開閉閥l〇2c。如此，吸引回收殘留在 噴嘴75內的藥液（步驟8)。在此種藥液回收處理中，與 以純水流出留在管子1 20與噴嘴孔75的藥液而經由設在外 蓋5 8之底部的排洩口 5 8 a加以回收的情形相比較，則濃度 較高，而且可回收污染較少的藥液之故，因而也容易地再 利用被回收的藥液。 在終了藥液回收處理之後，關閉開閉閥1 〇 1 c、1 0 2 c。 又，在將內蓋5 8下降至躲避位置之後，進行從晶圓w去除 藥液沖洗處理（步驟9 )。在該沖洗處理時，同時地進行 -25- (21 ) 1244131 頂板6 0的水洗處理。 作爲晶圓W的表面的沖洗處理方法，有例如一面進行 頂板60的水洗處理，一面進行晶圓w的預備洗淨，晶圓W 的最終沖洗處理，是有使用沖洗乾燥噴嘴54、55的其中一 方來進行的方法。這時候，以特定低速轉速一面旋轉頂板 60與晶圓W，一面打開開閉閥101b而將純水從管子120朝 晶圓W吐出，而在頂板60與晶圓W之間形成純水層，而且 有一定量的純水從該純水層能流下地進行沖洗處理（步驟 9a) ° 如此經過一定時間，則關閉開閉閥1 0 1 b而停止吐出純 水。之後打開開閉閥l〇ld而從管子120噴射一定量氮氣， 而在管子120之下端近旁形成氮氣體積存部，然後提昇頂 板6 0的轉速，在其途中，例如轉速超過100 rpm之同時，將 來自間隙部85 a的排氣路徑從氣體排氣管122a切換成氣體 排氣管122b。在進行來自氣體排氣管12 2b的強制排氣的時 刻，頂板60與晶圓W之間的純水層是已經崩壞之故，因而 不會從間隙部85a吸引純水。藉由該強制排氣，防止藉由 頂板60與保持構件70的旋轉產生在間隙部85 a的微粒下降 ，能防止微粒附著於晶圓W。 然後，將頂板60上昇至特定轉速並保持特定時間。由 此摔掉附著於頂板60的純水（步驟9b )。在進行此種頂板 60的旋轉乾燥之期間，連續性進行來自管子120的氮氣體 噴射也可以。又，在頂板6 0的旋轉乾燥處理中或旋轉乾燥 處理後，藉由運轉吸引裝置103b來打開開閉閥101c，吸引 -26- (22) 1244131 留在管子1 20內部的純水並加以去除也可以。如此藉由乾 燥管子1 20內部，可防止之後純水的液滴從管子1 20掉落至 晶圓W的情形。 在終了頂板60的水洗處理之後，上昇頂板60，打開第 4快門49俾將沖洗乾燥臂53進入內蓋58內（步驟9c)。之 後，以特定轉速旋轉晶圓W，例如在晶圓W的大約中心與 周緣之間一面轉動沖洗乾燥臂53，一面打開閥114a與閥 1 1 5 a，俾將純水從沖洗乾燥噴嘴5 4吐出至晶圓W表面。 由此，晶圓W表面被精密地沖洗處理。 與此種依管子1 20與沖洗乾燥噴嘴5 4的晶圓W表面的 沖洗處理並行地，對於晶圓W背面的沖洗處理，藉由打開 開閉閥l〇2b經由噴嘴孔75而將純水朝晶圓W背面吐出所進 丫了。适時ί丨矢，目纟使純水接觸晶圓W的所有背面地’在晶圓 W與底板63之間形成純水層，使得一定量流量能從該純水 層流下。在此種沖洗處理之期間，從晶圓W周圍所飛散的 藥液或純水，是經由排洩口 4 3 a被回收，或被廢棄。 在終了沖洗處理時，則在仍打開開閉閥1 1 5 a之狀態下 關閉開閉閥1 1 4 a，運轉吸引裝置1 1 3而打開開閉閥11 4b。 如此被吸引去除留在沖洗乾燥噴嘴54的純水（步驟10 )。 由此，在下一工序的晶圓W的乾燥處理時，可防止純水的 液滴從沖洗乾燥噴嘴54掉落至晶圓W，或是，藉由純水的 霧混在氮氣體而使得水斑發生在晶圓W表面的情形。 在從沖洗乾燥噴嘴5 4去除純水之後或與該處理大約同 時地，運轉吸引裝置103 a來打開開閉閥l〇2c。由此，吸引 -27- (23) 1244131 去除留在噴嘴孔75內部的純水（步驟1 1 )。噴嘴孔75是朝 垂直方向延伸之故，因而使得作用於留在其內部的純水的 重力方向與依吸引裝置103 a所引起的吸引方向成爲相同。 由此，有效果地進行依吸引裝置103 a所引起的純水去除， 而可幾乎完全地去除附著於噴嘴孔75的壁面的純水。又， 該步驟11的處理，是在靜止晶圓W的狀態下進行也可以， 或是以例如lOOrpm以下的低速旋轉來旋轉晶圓W之狀態下 進行也可以。 然後，一面以特定轉速旋轉晶圓W，一面將氮氣體從 沖洗乾燥噴嘴5 4噴射至晶圓W表面，而在晶圓W背面藉 由經噴嘴孔75噴射氮氣體，來進行晶圓W的乾燥處理（步 驟1 2 )。在晶圓W表面的乾燥處理中，事先從沖洗乾燥 噴嘴5 4的內部去除純水之故，因而使得純水之霧不會混進 所噴射的氮氣體，由此，可防止水斑發生在晶圓W表面 。同樣地，在晶圓W背面的乾燥處理中，也事先從噴嘴孔 75內部去除純水之故，因而使得純水之霧不會混進所噴射 的氮氣體，而可防止水斑發生在晶圓W背面。 在將氮氣體噴射至晶圓W表面之際，轉動沖洗乾燥 臂5 3使其前端移動至晶圓W的大約中心與周緣之間也可以 。這時候，若藉由從氣體供給口 86所供給的氮氣體，將外 處理室43內作成氮氣環境，則與沖洗乾燥臂53的掃描效果 相輔相成，可進行水斑的發生更少的處理。 第1 0圖是表示留在沖洗處理後的噴嘴孔75內部的純水 的去除方法的不相同，與乾燥處理後的晶圓W背面的水斑 -28- (24) 1244131 發生數之關係的圖表。 第1 0圖中的「洗淨處理前」，是表示進行依洗淨處理 裝置1的洗淨處理前的晶圓w背面的水斑數（微粒數）° 第1 0圖中的「純水/氮氣體處理」，是表示藉由打開 開閉閥l〇2d而將氮氣體導進噴嘴孔75 ’並將噴嘴孔75內的 純水朝晶圓W背面推出之後，之後從噴嘴孔7 5朝晶圓W噴 射氮氣體而進行晶圓W背面的乾燥處理之情形的水斑數。 在該情形，在晶圓W背面觀察到較多水斑。此乃爲施加於 純水的重力方向與從氮氣體所受的力量方向成爲相反之故 ，因而純水作爲水滴而容易留在噴嘴孔75的壁面’使得該 水滴在晶圓W背面乾燥時藉由氮氣體之噴射被霧化而朝晶 圓W背面噴射，可能附著於晶圓W經乾燥部分成爲較大原 因。 對於此，第10圖中的「純水/吸引/氮氣體處理」’ 是表示進行去除先前所述的步驟11所引起的噴嘴孔75的水 (純水的吸引去除），然後，將氮氣體從噴嘴孔7 5朝晶圓 W噴射來進行晶圓W背面的乾燥處理時的結果。在該情形 ，與「純水/氮氣體處理」的情形相比較，可知顯著地減 低水斑數量。此乃如上所述，爲了幾乎沒有純水附著在噴 嘴孔75的壁面而純水之霧不會混進氮氣體，由此，有可能 防止發生晶圓W背面的水斑。 終了乾燥處理後，將沖洗乾燥臂53容納在沖洗乾燥臂 藏部45的內部，並下降底板63，而將晶圓W從保持銷64b 移換至支持銷64a (步驟13 )。然後，打開第1快門46與 -29- (25) 1244131 第2快門47，例如使得搬運臂34進入至外處理室43內， 而將被支持在支持銷64a的晶圓W移換搬運臂34。當保持 晶圓W的搬運臂34從洗淨處理單元（CLN ) 12退出，則關 閉第1快門46與第2快門47 (步驟14 )。 如此從洗淨處理單元（CLN ) 12被搬出的晶圓W，是 被搬運至熱板單元（HP) 19、20、21的任一單元而在該 單元進行熱處理，之後，視需要被搬運至冷卻單元（COL )22，在該單元被冷卻處理（步驟1 5 )，之後，從該單元 藉由主晶圓搬運裝置18被搬運至晶圓交接單元（TRS ) 17 而被載置該單元，然後，搬運尖鎬11取出被裝載於晶圓交 接單元（TRS ) 17的晶圓W，而在容納該晶圓W的FOUP F 的原來槽容納晶圓W (步驟1 6 )。 以上，說明本發明的實施形態加以說明，惟本發明是 並不被限定於此種形態者。在上述說明中，說明了使用具 有頂板60及管子120的吐出噴嘴81進行晶圓W表面的藥液 處理的情形，惟藥液處理是運轉藥液供給系統臂50來進行 也可以。 使用藥液供給系統臂5 0的藥液處理，是打開第3快 門48而轉動藥液供給系統臂50成爲其前端位於晶圓W的大 約中心之後，適當地採用（1 )將藥液從藥液供給噴嘴5 1 (或5 2 )供給於晶圓W表面而將藥液之小塘形成在晶圓w 表面’並保持特定時間的方法，（2 ) —面以特定轉速旋 轉晶圓W，一面從藥液供給噴嘴5 1 (或5 2 )吐出藥液之狀 態下，轉動藥液供給系統臂5 0成爲使其前端移動在晶圓w >30- (26) 1244131 的大約中心與周緣之間的任一方法。 終了此種藥液之供給後，關閉開閉閥1 1 1 a而打開開閉 閥111c，並運轉吸引裝置113。由此，被吸引回收留在藥 液供給噴嘴5 1 (或5 2 )內的藥液。然後，與以特定轉速旋 轉晶圓W之大約同時，關閉開閉閥lllc而打開開閉閥lllb 。由此使得純水從藥液供給噴嘴5 1 (或5 2 )供給晶圓W 表面，進行晶圓W的沖洗處理。這時候，轉動藥液供給系 統臂50使得其前端移動在晶圓W的中心與周緣之間也可以 〇 當終了來自藥液供給噴嘴5 1 (或5 2 )的純水吐出，則 關閉開閉閥111 b並打開開閉閥111 c，運轉吸引裝置11 3。 由此，被吸引去除留在藥液供給噴嘴5 1 (或5 2 )內的純水 。然後，將藥液供給系統臂50容納於藥液臂貯藏部44，進 行使用先前說明的沖洗乾燥臂53的精修沖洗處理。 又，開始沖洗處理，藉由混合藥液與純水以提高藥液 的腐蝕能力時，在供給純水之前藉由將I P A供給於晶圓W 表面能洗掉藥液之大部分，然後將純水供給於晶圓W較理 想。由此，可抑制外處理室4 3內的各種零件的腐蝕等。能 將I P A供給於晶圓W的表面洗淨用吐出噴嘴8 1，晶圓W的 背面洗淨用的吐出噴嘴82及藥液供給噴嘴51、52，藉由開 閉閥與配管之配設可容易地實現。 本發明是並不被限定於洗淨裝置，也可適用在使用各 種處理液來進行基板的液處理的裝置。又，基板是並不被 限定於半導體晶圓，也可以爲其他的LCD用玻璃基板或陶 -31 - (27) 1244131 瓷基板等。 以上所說明的實施形態，只是將本發明的技術性內容 成爲明瞭作爲意圖者，並不能解釋作爲本發明僅被限定在 如此具體例者，在不超過本發明之精神與申請專利範圍的 範圍，可做各種變更加以實施者。 〔發明之效果〕 依照本發明，藉由在吐出噴嘴中吸引殘留在吐出處理 液的噴嘴孔內部的處理液並加以去除，可幾乎完全地去除 附著於噴嘴孔的壁面的處理液。由此，即使之後從噴嘴孔 噴射氣體也很難發生處理液的霧，藉此可抑制在基板發生 水斑之情形。如此，成爲可將基板品質保持較高。又，被 吸引去除的處理液是未使用，因此爲高濃度而微粒含有量 較少。因此被吸引去除的處理液的再利用成爲容易，可降 低運轉成本。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示具備本發明的一實施形態的洗淨處理單 元的洗淨處理系統的槪略構造的俯視圖。 第2圖是表示圖示於第1圖的洗淨處理系統的槪略構造 的側視圖。 第3圖是表示圖示於第1圖的洗淨處理系統的槪略構造 的剖視圖。 第4圖是表示洗淨處理單元的槪略構造的俯視圖。 -32- (28) 1244131 第5圖是表示洗淨處理單元的槪略構造的剖視圖。 第6圖是表示表面洗淨用吐出噴嘴與背面洗淨用吐出 噴嘴的構造及將藥液等供給於此些噴嘴的藥液供給系統的 槪略構成的說明圖。 第7圖是表示頂板與表面洗淨用噴嘴的其他形態的剖 視圖。 第8圖是表示將藥液等供給於藥液供給噴嘴與沖洗乾 燥噴嘴的藥液供給系統的槪略構成的說明圖。 第9圖是表示洗淨處理的槪略工序的流程圖。 第10圖是表示在沖洗處理後留在背面洗淨用噴嘴的藥 液供給系統的槪略構成的說明圖。 【符號說明】 1 洗淨處理系統 2 洗淨處理部 3 搬入搬出部

12至15 洗淨處理單元（CLN) 43 外處理室 58 內蓋 5 9 旋轉夾頭 60 頂板 6 3 底板 6 7 支持構件 70 保持構件 •33- (29) 1244131 (29)

75 噴嘴孔 81 晶圓表面洗淨用吐出噴嘴 82 晶圓背洗淨用吐出噴嘴 100 藥液供給系統 101a至 lOld 開閉閥 102c 1 至 102d 開閉閥 103c 1 > 103b 吸引裝置 120 管子 121 氣體供給管 122c i 、 122b 氣體排氣管 W 半導體晶圓

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Claims (1)

1244131 申請專利範圍

第92 1 0 8 5 6 9號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年5月9 日修正 1 · 一種液處理裝置，屬於在基板供給處理液而進行 液處理的液處理裝置，其特徵爲具備： 以大約水平姿勢來保持基板的保持手段； 在被保持在上述保持手段的基板吐出處理液的吐出噴 嘴； 將處理液供給於上述吐出噴嘴的處理液供給機構；及 在將上述處理液從上述吐出噴嘴吐出至被保持在上述 保持手段的基板之後，吸引去除殘留在上述吐出噴嘴的內 部的處理液的處理液吸引機構。 2 .如申請專利範圍第1項所述的液處理裝置，其中， 又具備： 將處理氣體供給於上述吐出噴嘴的處理氣體供給機構 ，及 切換處理流體成爲上述處理液或上述處理氣體的一方 從上述處理液吐出機構與上述處理氣體供給機構供給於上 述吐出噴嘴的切換機構。 3 .如申請專利範圍第1項所述的液處理裝置，其中， 具備將上述處理液供給於上述吐出噴嘴的種類不相同的複 數處理液供給機構。 4 ·如申請專利範圍第2項所述的液處理裝置，其中， 1244131 又具備，將上述處理液從上述吐出噴嘴吐出供給於被保持 在上述保持手段的基板之後，在將上述處理氣體從上述吐 出噴嘴噴射至上述基板之前，能吸引去除殘留在上述吐出 噴嘴內部的處理液地控制上述處理液吸引機構與上述切換 機構的控制機構。 5 ·如申請專利範圍第2項所述的液處理裝置，其中， 上述吐出噴嘴是具有： 對於被保持在上述保持手段的基板背面以特定間隔相 對向的板構件； 支持上述板構件的支持構件；及 設成貫通上述板構件與上述支持構件的流通上述處理 液與上述處理氣體所需的噴嘴孔。 6 ·如申請專利範圍第2項所述的液處理裝置，其中， 上述吐出噴嘴是具有第1噴嘴部與第2噴嘴部； 上述第1噴4嘴部是具有：對於被保持在上述保持手 段的基板表面以特定間隔相對向的上板構件，及保持上述 上板構件的保持構件，及設成貫通上述上板構件與上述保 持構件的流通上述處理液與上述處理氣體所需的管體； 上述第2噴嘴部是具有：對於被保持在上述保持手 段的基板背面以特定間隔相對向的下板構件，及支持上述 下板構件的支持構件，及設成貫通上述下板構件與上述支 持構件的流通上述處理液與上述處理氣體所需的噴嘴孔； 上述處理液吸引機構，是上述處理液從上述管體及/ 或上述噴嘴孔吐出至被保持於上述保持手段的基板之後， -2- 1244131 吸引去除殘留在上述管體及/或上述噴嘴孔的處理液。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的液處理裝置，其中， 上述管體的前端是斷面大約楔形。 8 ·如申請專利範圍第6項所述的液處理裝置，其中， 上述第1噴嘴部是具有：貫通上述上板構件與上述 保持構件所形成的貫通孔，及形成在上述貫通孔的壁面與 上述管體的外周面之間的特定寬度的間隙部； 藉由上述處理液從上述管體吐出至上述基板，使得處 理液不會從形成在上述上板構件與被保持在上述保持手段 的基板之間的處理液層侵入至上述間隙部地，藉由將特定 量的氣體供給於上述間隙部而將上述間隙部保持成陽壓的 處理液侵入抑制機構。 9 ·如申請專利範圍第6項所述的液處理裝置，其中， 又具備同時地旋轉上述上板構件與上述保持構件的板旋轉 機構。 10·如申請專利範圍第9項所述的液處理裝置，其中 ，又具備：藉由上述板旋轉機構旋轉上述上板構件與上述 保持構件之際，在上述間隙部下端與供給於被保持在上述 保持手段的基板表面的處理液未接觸之狀態下，從上述間 隙部的上方進行上述間隙部的強制排氣的強制排氣機構。 11. 如申請專利範圍第6項所述的液處理裝置，其中 ，上述上板構件的端面，是對於水平方向形成特定角度傾 斜的斜面。 12. 一種液處理方法，屬於在基板供給處理液而進行 1244131 液處理的液處理方法，其特徵爲具備： 將處理液從吐出處理液及乾燥用氣體的吐出噴嘴吐出 至上述基板而進行液處理的工序，及 在從上述吐出噴嘴吐出處理液之後，吸引去除殘留在 上述吐出噴嘴的內部的處理液的工序。 13·如申請專利範圍第1 2項所述的液處理方法，其中 ，又具有在從吐出噴嘴的內部去除處理液之後，將上述乾 燥用氣體從吐出噴嘴噴射至上述基板而加以乾燥上述基板 的工序。 14.如申請專利範圍第1 2項所述的液處理方法，其中 上述吐出噴嘴是具有：將處理液與乾燥用氣體吐出至 上述基板表面的第1噴嘴部，及將處理液與乾燥用氣體 吐出至上述基板背面的第2噴嘴部； 在進行上述基板的液處理的工序中，同時地進行上述 基板表背面的液處理。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述的液處理方法，其中 ，在進行上述基板的液處理的工序中，與上述基板背面以 特定間隔相對向配置板構件，藉由將上述處理液的層形成 在上述基板與上述板構件之間來液處理上述基板背面。 16.如申請專利範圍第1 5項所述的液處理方法，其中 ’在進行上述基板的液處理的工序中，與上述基板表面以 特疋間隔相對向地配置不同板構件，藉由將上述處理液的 層形成在上述基板與上述不同板構件來液處理上述基板表 -4- 1244131 面。 17. 如申請專利範圍第1 6項所述的液處理方法，其中 ，在終了上述基板表面的液處理之後，旋轉上述不同板構 件，並去除附著於不同板構件的處理液。 18. 如申請專利範圍第1 3項所述的液處理方法，其中 ，乾燥上述基板的工序，是一面旋轉上述基板一面進行。 1 9 ·如申請專利範圍第1 2項所述的液處理方法，其中 ，回收從上述吐出噴嘴內部被去除的處理液而加以再利用 -5-