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TWI242540B - Manufacturing method of zinc oxide nanowire - Google Patents

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TWI242540B
TWI242540B TW93100727A TW93100727A TWI242540B TW I242540 B TWI242540 B TW I242540B TW 93100727 A TW93100727 A TW 93100727A TW 93100727 A TW93100727 A TW 93100727A TW I242540 B TWI242540 B TW I242540B
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Jung-You Shie
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Jung-You Shie
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Description

1242540 案號 93100727 年 月 曰 修正 五 性 符 9m 米 法 法 件 反 晶 例 並 放 方 晶 成 氧 此 過 .發明說明(1) 發明所屬之 本發明係 種氧化鋅奈 先前技術】 奈米科技 產業到尖端 號係為n in ’ ),且奈米 線之製造方 、水熱合成 、化學氣相 ,其中以化 該化學氣 應來合成薄 片作為基板 如:鐵、鋁 取2塊耐火 有碳粉氧化 向位置,通 片避免氧化 長,且當反 化鋅奈米線 但,其習 在使用實施 f呈較為複雜
第4頁 技術領域】 有關一種製造奈米級金屬之技術領域,尤指 米線之製造方法。 係為目前最要的產業之一,其含蓋民生消費 的高科技領域,且奈米(nanometer )數學 其中一奈米即為十億分之一公尺(lnm=lx 、、、。構係為1〜1 〇 〇奈米,而對於一般氧化鋅奈 法,目前大都藉由化學製造法、氧化還原 法、喷霧法、溶膠凝膠法、微乳液法、電解 沉積法(C V D ),且受限於各方面的條 學氣相沉積法使用最為廣泛。 相沉積法(C V D )係以氣體原料經由化學 膜或微小粒子等固態材料的方法,其需以石夕 且使用離子錢鍛法在基板上錢一層觸媒, 、鎳粉末,再將試片放置水平式加溫爐管, 碑,分別擺放碳粉氧化鋅粉及矽晶片,再把 ,^之耐火磚,放置相對於該矽晶片順氣流 月性氣體例如:氬氣(A r ),以保護石夕 ’再將爐管加溫至9〇o°c,而供氧化鋅奈米 應進行完成後’待試片降至室溫後,即完成 之化學氣相沉積法製造方法。 =氧化鋅奈米線製造方法上仍有其缺失,因 ’由於需要準備有基板及觸媒,造 及麻煩,且製造的效果不佳 ^ ____ 夂大幅增加製造 1242540 案號 93100727 年 月 曰 修正 五、發明說明(2) 的成本。 【發明内容】 本發明之主要目的,在於解決上述的問題而提供一種 氧化鋅奈米線之製造方法,其係藉由直接氧化法製造出氧 化鋅奈米線,而能簡化製造過程,且製造效果佳,並能大 幅降低製造成本。 為達前述之目的,本發明係包括將直徑為1 0 // m -6 (10 m )以下之鋅粉(Ζ η )加入於一反應槽内,且使 該反應槽能均勻攪拌該鋅粉,並同時注入鈍氣,以保護鋅 粉避免氧化,再持續加熱至4 0 0 °C時,且該反應槽持續攪 拌的狀態之下,停止供應鈍氣,並注入水蒸氣,以持續加 熱至5 0 0 °C,且該鋅粉的熔解溫度為4 2 0 °C,而使該鋅粉加 熱至熔融溫度後,該鋅粉表面的原子會解離出來,並在表 面長出線球狀的氧化辞奈米線體,而水蒸氣與鋅分表面解 離出來的原子產生還原反應,其化學式為: Z n + Η 2 Ο ~> Ζ η 0 + Η 2 且維持溫度於一反應溫度,該反應溫度係為4 0 0 °C〜 5 0 0 °C,並持續通入水蒸氣,以成長氧化鋅奈米線體至反 應完成,再冷卻至室溫,而能於該鋅粉表面長成有多數氧 化鋅奈米線體。 本發明之上述及其他目的與優點,不難從下述所選用 實施例之詳細說明與附圖中,獲得深入了解。 當然,本發明在某些另件上,或另件之安排上容許有 所不同,但所選用之實施例,則於本說明書中,予以詳細 說明,並於附圖中展示其構造。
第5頁 1242540 _案號93100727_年月日_Ifi_ 五、發明說明(3) 【實施方式】 請參閱第1圖至第3圖,圖中所示者為本發明所選用 之實施例結構,此僅供說明之用,在專利申請上並不受此 種結構之限制。 本實施例之氧化鋅奈米線之製造方法,如第1圖至第 3圖所示,其製造步驟係包含: 第一階段:將直徑為1 0 // m ( 1 0 -6m )以下之鋅粉 (Ζ η ) 10加入於一反應槽20内,且使該反應槽20 持續旋轉,均勻攪拌該鋅粉(Ζ η ) 1 〇 ,並注入鈍氣, 且加熱該反應槽2 0 ,該鈍氣可為氬氣,以保護鋅粉(Ζ η ) 1 0避免氧化。 第二階段:持續加熱至4 0 0 °C時,在該反應槽2 0持 續旋轉的狀態之下,停止供應氬氣,並注入水蒸氣,以持 續加熱至5 0 0 °C,且該鋅粉(Ζ η ) 1 〇的熔解溫度為 4 2 0 °C,而使該鋅粉(Ζ η ) 1 〇加熱至熔融溫度後,該 鋅粉(Ζη) 10表面的原子會解離出來,並在表面長出 線球狀的氧化鋅奈米線體1 1 ,而水蒸氣與鋅粉(Ζ η ) 1 0表氣面解離出來的原子產生還原反應,其化學式為: Ζη+Η20— Ζη0+Η2 且維持溫度於5 0 0 °C,並持續通入水蒸氣,以成長氧 化鋅奈米線體1 1至反應完成,再冷卻至室溫2 5 °C,而能 .於該鋅粉(Ζ η ) 1 0表面長成有多數氧化鋅奈米線體 1 1 ,如附件所示。 第三階段:將多數的氧化鋅奈米線體1 1由各鋅粉 (Ζ η ) 1 0分離,再將氧化鋅奈米線體1 1與剩餘之鋅
1242540 案號 93100727 曰 修正 五、發明說明(4) 粉(Ζ η ) 1 完成氧化鋅奈 其中,第 餘之鋅粉(Ζ 1 ·超音 2 ·離心 藉由離心 奈米線體1 1 3 ·比重 猎由該乳 鋅粉(Ζ η ) 同,將該氧化 離。 4 •熔點 藉由該氧 (Ζ η ) 10 該氧化鋅奈米 另外,第 間,且依不同 直徑大小也不 〇分離,收集製造完成之氧化鋅奈米線,即 米線之製造。 三階段有許多將該氧化鋅奈米線體1 1與剩 η ) 1 0分離之方法,且說明如下: 波分離法 式分離法 滾筒高速旋轉,而產生離心力,將該氧化鋅 與該鋅粉(Ζ η ) 1 〇分離。 不同方式 化鋅奈米線體1 1之比重為5. 642g/cm3 ,該 1 0之比重為7.133g/cm3,以利用比重之不 鋅奈米線體1 1與該鋅粉(Ζ η ) 1 〇分 不同方式 化鋅奈米線體1 1之熔點為1 9 7 7 °C,該鋅粉 之熔點約為4 2 0 °C ,而利用熔點之不同,將 線體1 1與該鋅粉(Ζ η ) 1 〇分離。 二階段之反應溫度於控制在4 0 0 °C〜5 0 0 °C 之反應溫度,所產生氧化鋅奈米線體1 1之 同,如下所示: 反應溫度5 0 0 °C (1 0 0 nm ) 〇 氧化鋅奈米線體 2 ·反應溫度4 5 0 C - ----氧化辞奈米線體
界於90nm〜50nm之間。 3 ·反應溫度4 3 0 °C 氧化鋅奈米線體 直徑約 直徑約 直徑小
1242540 _案號 93100727_年月日__ 五、發明說明(5) 於 5 0 nm 〇 由此可知,越接近鋅粉(Z η ) 1 0的熔點4 2 0 °C, 所產生的氧化鋅奈米線體1 1直徑越小。 本發明利用上述之技術手段,而能方便實施,且不用 如習用需要準備有基板及觸媒,因此,能大幅簡化製造過 程較,以及降低製造成本。
以上所述實施例之揭示係用以說明本發明,並非用以 限制本發明,故舉凡數值之變更或等效元件之置換仍應隸 屬本發明之範疇。 由以上詳細說明,可使熟知本項技藝者明瞭本發明的 確可達成前述目的,實已符合專利法之規定,爰提出專利 申請。
第8頁 1242540 _案號93100727_年月曰 修正_ 圖式簡單說明 【圖式簡皁說明】 第1圖係本發明反應槽之組合剖視示意圖。 第2圖係本發明製造過程之時間與溫度變化示意圖。 第3圖係本發明氧化鋅奈米線形成之之流程圖。 附件:本發明成長為氧化鋅奈米線之照片。 【圖號說明】 (本發明部分) 鋅粉(Z η ) 1 0 氧化鋅奈米線體1 1
反應槽2 0
第9頁

Claims (1)

1學5错恭 ___fgj 931QQ727_年月曰 修正_ 六、Τ5Ϊ利範圍 1 · 一種氧化鋅奈米線之製造方法,其係包括將直徑為1 〇 // m ( 1 0 —6m )以下之鋅粉(Ζ η )加入於一反應槽 内,且使該反應槽能均勻攪拌該鋅粉,並注入鈍氣, 以保護鋅粉避免氧化,再持續加熱至4 0 0 °C時,該反 應槽持續攪拌的狀態之下,停止供應鈍氣,並注入水 蒸氣,以持續加熱至5 0 0 °C,且該鋅粉的熔解溫度為
4 2 0 °C,而使該鋅粉加熱至熔融溫度後,該鋅粉表面 的原子會解離出來,並在表面長出線球狀的氧化鋅奈 米線體,而水蒸氣與鋅分表面解離出來的原子產生還 原反應,其化學式為: Z n + Η 2 Ο ~> Ζ η 0 + Η 2 且維持溫度於一反應溫度,該反應溫度係為4 0 Q °C〜 5 Ο 0 °C,並持續通入水蒸氣,以成長氧化鋅奈米線體 至反應完成,再冷卻至室溫,而能於該鋅粉表面長成 有多數氧化鋅奈米線體。 2、 依申請專利範圍第1項所述之氧化鋅奈米線之製造方 法,其中該反應槽會持續旋轉,以有效攪拌該鋅粉與 水蒸氣混合反應。
3、 依申請專利範圍第1項所述之氧化鋅奈米線之製造方 法,其中於該鋅粉表面長成有多數氧化鋅奈米線體 後,再將氧化鋅奈米線體與剩餘之鋅粉分離,收集製 造完成之氧化鋅奈米線。 4、 依申請專利範圍第3項所述之氧化鋅奈米線之製造方 法,其中於該鋅粉表面長成有多數氧化鋅奈米線體
第10頁 1242540 _案號 93100727_年月日_魅_ 六、申請專利範圍 後,而能利用該超音波分離,將該氧化鋅奈米線體與 剩餘之鋅粉分離。 5 、依申請專利範圍第3項所述之氧化鋅奈米線之製造方 法,其中於該鋅粉表面長成有多數氧化鋅奈米線體 後,而能利用該鋅粉與多數氧化鋅奈米線體比重不 同,將該氧化鋅奈米線體與剩餘之鋅粉分離。 6 、依申請專利範圍第3項所述之氧化鋅奈米線之製造方
法,其中於該鋅粉表面長成有多數氧化辞奈米線體 後,而能利用該鋅粉與多數氧化鋅奈米線體熔點不 同,將該氧化鋅奈米線體與剩餘之鋅粉分離。 7、 依申請專利範圍第3項所述之氧化辞奈米線之製造方 法,其中於該鋅粉表面長成有多數氧化鋅奈米線體 後,而將該鋅粉與多數氧化鋅奈米線體利用離心式分 離法,將該氧化辞奈米線體與剩餘之鋅粉分離。 8、 依申請專利範圍第1項所述之氧化鋅奈米線之製造方 法,其中加熱至2 5 °C〜4 0 0 °C間所通入之鈍氣為氬氣。
第11頁
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