[go: up one dir, main page]

TWI241861B - Organic electroluminescence device and method for producing the same - Google Patents

Organic electroluminescence device and method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
TWI241861B
TWI241861B TW093115733A TW93115733A TWI241861B TW I241861 B TWI241861 B TW I241861B TW 093115733 A TW093115733 A TW 093115733A TW 93115733 A TW93115733 A TW 93115733A TW I241861 B TWI241861 B TW I241861B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
electrode
organic
coating layer
substrate
Prior art date
Application number
TW093115733A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200501801A (en
Inventor
Takeshi Yamaguchi
Hisashi Naito
Yoshiaki Nagara
Original Assignee
Toyota Ind Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Ind Corp filed Critical Toyota Ind Corp
Publication of TW200501801A publication Critical patent/TW200501801A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI241861B publication Critical patent/TWI241861B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

1241861 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種有機電致發光裝置(organic electroluminescence device)及其製造方法 〇 【先前技術】 有機電致發光裝置(上述術語 ’丨 electroluminescence” 以 下稱之爲nEL”)已引起大眾注意,其可用以做爲顯示器裝置 ,以取代液晶顯示器,以及做爲薄發光裝置。通常,藉由 形成一氧化銦錫(indium tin oixde)所形成之透明電極(陽極) 於一玻璃基板上、形成一包括一發射層之有機EL層於上述 透明電極上、以及堆疊一陰極於上述有機EL層上,來形成 有機電致發光裝置。自上述發射層所發射之光從上述玻璃 基板側引導出來。 上述有機EL裝置具有一下述缺點:因爲未發光之區域( 稱之爲暗點或暗區域)對氧氣及水分係具有低的阻力,所以 上述未發光之區域會因環境中之氧氣或水分而延伸(除非使 其與外部環境隔離)。例如在日本專利申請早期公開第8 -111285號中’具有一形成用以覆蓋上述有機EL層之披覆 層(passivation layer)及在形成上述陰極後形成上述陰極之 暴露部分的方法,以做爲使有機EL層與上述外部環境隔離 之方法。 再者,經常藉由蒸發製程來形成一相當薄的有機EL層 。因此,當一外部粒子(微粒子)附著在上述透明電極上時 ,上述有機EL層及上述第二電極層與上述密封層(披覆層) 1241861 還尙未完成,以致於此區域會造成上述有機EL裝置之缺陷 。因此,形成一有機EL層前之上述基板的淸洗係必須的, 其中上述ITO膜係形成於上述基板上。 此外,在習知技藝中已知:上述基板之污染會大大地影 響上述有機EL裝置之效能,其中透明電極係形成於上述基 板上。例如在日本專利申請早期公開第7-22 0 8 7 3號及日本 專利第2845 8 5號中已提出,藉由使用在一形成於上述基板 上之透明電極表面上水的接觸角(contact angle)來決定上述 透明電極之污染狀態,以便在低污染狀態下生產有機EL裝 置。 日本專利公開第7-220873號揭露在一透明導電基板之 透明導電膜上形成一有機EL層,其中已對針上述透明導體 基板實施一淸洗製程,以使上述水的接觸角小於25度。日 本專利第2 8 4 8 5 6號教示:將在上述基板(上述基板上形成有 電極)完成淸洗及上述第一層開始形成間之時間設定成比上 述電極表面之水的接觸角從上述淸洗步驟完成時之値增加 3 〇度所需時間要短。 然而,上述兩者所公開係藉由水的接觸角來決定上述 電極表面之污染狀態。此要花費較多時間來測量在上述電 極上之整個表面上之水的接觸角,以及因此在形成上述有 機EL層於上述基板上時必須要有例如移除水之步驟,所以 其並不切實際,其中上述接觸角之測量係在上述基板上實 施的。因此,上述水之接觸角的測量係實施於將不會形成 有上述有機E.L層之區域中或一形成有電極之虛擬基板 1241861 (dummy substrate)上。因此’並不會封事貫上形成有上述 有機E L層之表面實施污染狀態之測量。因而,上述有機E L 會形成有污染,其中使用具有區域污染之形成有電極的基 板,以致於仍然會生產出缺陷之產品。 再者,很難藉由水的接觸角以偵測上述電極表面之污 染的方法來偵測微粒子之附著。因此,此方法對於抑制因 微粒子之出現所造成產品壽命的下降及顯示器缺陷之產生 幾乎沒有效果。 如第5圖所示,當在一外部粒子(微粒子)53出現在一 形成於一基板51上之透明電極(ITO電極)52的狀態下藉由 蒸發製程形成一有機EL層54及一陰極55時,上述有機EL 層5 4及上述陰極5 5並無法形成於上述外部粒子5 3所遮蔽 之區域中。再者,上述有機EL層54、上述陰極53及上述 披覆層5 6之材料會附著於上述外部粒子5 3上,而異常地 從上述外部粒子5 3之核心向外延伸。如果上述外部粒子5 3 較大,則縱使在形成上述陰極5 5之後藉由蒸發製程所形成 之披覆層56的厚度大於上述有機EL層54與上述陰極55 有一個次數,上述披覆層56仍然無法完全地塡充上述空間 。水分及氧氣會從上述外部粒子5 3所出現之處到達上述有 機EL層,因而會形成暗點。 【發明內容】 有鑑於習知技藝所固有之問題,因而設計本發明。本 發明之一目的在於提供一種有機EL裝置,其相較於出現有 一外部粒子之情況具有較長壽命及較少缺陷,以及比上述 1241861 電極表面至上述披覆層之外表面間的膜厚大。本發明之另 一目的在於提供一種用以製造有機EL裝置之方法,其相較 於上述有機EL裝置具有好的產量。 爲了完成這些目的,本發明提供一種有機電致發光裝 置’其包括一基板、一第一電極、一有機電致發光層及〜 第二電極,其中上述第一電極、上述有機電致發光層及上 述第二電極係依序堆疊於上述基板上。再者,一披覆層係 堆疊於上述第二電極之外表面。在相連於上述有機EL層之 第一電極的部分上之欠缺一外部粒子的區域中從上述第一 電極之一表面至上述披覆層之外表面間的厚度t大於任何 出現在上述第一電極上之外部粒子的尺寸。 上述"披覆層”代表一具有可至少防止水分(蒸發)及氧氣 摻透之功能的層。 藉由下面較佳實施例之說明並配合所附圖式,可更易 了解本發明以及其目的與優點。 【實施方式】 以下藉由參考第1-3圖來描述本發明之一實施例,其 中本發明係應用於背光用之有機EL裝置中。 如第1(a)圖所示,一有機電致發光裝置(有機EL裝置)11 係依序藉由在一玻璃基板12之表面上堆疊一第一電極(陽 極)13、一有機電致發光層(有機EL層)14及一第二電極(陰 極)〗5所形成的。上述披覆層16覆蓋除了上述第一電極13 、上述有機EL層14及上述第二電極15彼此相鄰之平面以 外的區域。亦即,上述有機EL裝置1 1具有一下列結構:上 1241861 述第一電極13、上述有機EL層14及上述第二電極15係 依序堆疊於上述玻璃基板1 2上,以及上述披覆層1 6係堆 疊於上述第一電極1 5之外側上。上述有機EL裝置1 1形成 一所謂底部發射型有機 EL裝置(bottom emission type organic EL device),其中從上述玻璃基板12側導引出(發 射)上述有機EL層14所產生之光。 上述第一電極 13係一由氧化銦錫(indium tin oxide, IT 0)所形成之透明電極。上述術語”透明”代表可見光可穿 透上述透明電極。上述有機EL層14具有一相當於任何已 知結構之結構,例如:一三層結構,其具有依序堆疊於上述 第一電極13上之一電洞注入層、一發射層及一電子注入層 ,或者一四層結構,其具有一電洞注入層、一電洞透明層 、一發射層及一電子透明層。上述第二電極15係由金屬( 例如··錦)所形成。 上述披覆層16係至少用以防止水分(蒸發)及氧氣之滲 透,以及包括一塗佈層,其中上述塗佈層係藉由塗佈方式 以能形成上述披覆層1 6之材料所形成。例如:使用多矽氮 烷(polysilazane)來做爲上述披覆層16之材料。在形成上述 多矽氮烷之後,上述多矽氮烷在室溫會轉變成爲二氧化矽 (silica) 〇 在上述有機EL裝置11中,在相連於上述有機EL層14 之第一電極13上的未出現一外部粒子之區域中從上述第一 電極1 3之表面至上述披覆層1 6之外表面間所形成的厚度t 大於出現在上述第一電極上之外部粒子17的尺寸(如第1(b) 1241861 圖所示)。上述術語”外部粒子之尺寸"代表在上述第一電極 1 3之表面上之上述外部粒子1 7之投射影像的最大長度。 在此方式中,相較於上述外部粒子1 7之尺寸大於從上述第 一電極13之表面至上述披覆層16之外表面間的厚度t之 情況中,可增加上述產品之壽命以及減少缺陷。 以下將描述一用以製造上述有機EL裝置1 1之方法。 上述有機EL裝置1 1之生產係經由第2圖中流程圖所示之 步驟來實施。 準備一玻璃基板12,其中上述第一電極12(包括1丁 〇 膜)係形成於上述玻璃基板1 2上。在步驟S 1中,實施上述 玻璃基板12與上述第一電極13之淸洗。在上述基板淸洗 步驟中將附著於上述第一電極1 3上之有機物質及相對大的 塵埃移除。可進一步實施紫外線(UV)淸洗及電漿處理,以 去除上述淸洗步驟所無法移除之較小麈埃粒子及有機物質 〇 在步驟S 2中,實施上述外部粒子1 7之尺寸的測量及 決定是否上述外部粒子1 7之尺寸小於上述稍後所堆疊之有 機EL層I4、第二電極15及披覆層16之整個厚度的一預 定値。藉由例如一用以容納上述玻璃基板1 2之反應室的視 窗對在上述玻璃1 2上之第一電極1 3的表面照像以及藉由 測量在上述第一電極1 3之表面上的上述外部粒子1 7之投 射影像的最大長度,來實施上述外部粒子之尺寸的測量。 然後,決定是否任何外部粒子1 7具有一不小於上述預定値 之尺寸。如果外部粒子之尺寸沒有大於上述預定値,則上 1241861 述製程進行步驟s 3,以實施後面的製程步驟。如果任何外 部粒子1 7之尺寸大於上述預定値,則使上述玻璃基板1 2 回到上述淸洗步驟。 在有機EL層形成製程之步驟S3中形成(沉積)上述有 機EL層1 4。上述有機EL層1 4例如藉由蒸發製程來形成 ,以及藉由蒸發製程連續地形成包括上述有機EL層1 4之 每一層來形成。上述所使用之術語”蒸發層”表示一藉由在 一真空狀態或減壓下形成薄層之方法(例如:真空蒸發製程 、濺鍍製程、離子電鍍製程、離子束製程、化學氣相沉積 製程等)所形成之層。上述第二電極1 5係經由一陰極形成 步驟S4所形成。上述第二電極1 5例如藉由鋁之蒸發所形 成。然後,在一披覆層形成步驟S 5中形成上述披覆層1 6 〇 從上述基板淸洗步驟S 1之後半段的電漿處理至上述陰 極形成步驟S 4,上述製程步騾係在真空中進行,而並非是 暴露於環境中進行。在完成上述陰極形成步驟之後’將一 惰性氣體(例如:氮氣)引入上述反應室中,以恢復上述反應 室中之壓力至大氣壓力,其中上述陰極形成步驟係在上述 反應室中實施的。之後,將上述玻璃基板1 2轉運至一塗佈 裝置(application apparatus)之處於氮氣環境狀態下的反應 室中。然後,經由上述塗佈裝置之處理形成上述披覆層1 6 。例如:可使用一旋塗裝置(spin coating apparatus)來做爲 上述裝置。上述塗佈液體之範例係在一溶劑中之溶解多矽 氮烷,其中上述溶劑(例如:二甲苯(xylene))並包括一羥基群 1241861 (hydroxyl group)及不溶於水。 在此方式中’可改善上述產量。否則,如果在整個過 程中使用任何大的外部粒子1 7來完成上述製程,則上述較 大之外部粒子1 7之部分會從上述披覆層1 6突出,此產品 在稍後檢查期間會被視爲有缺陷的。上述方法可避免任何 此種缺陷。 因爲實際檢查在上述第一電極1 3之表面上的外部粒子 1 7之尺寸,所以相較於只針對上述第一電極1 3之表面的 一部分實施上述外部粒子1 7之偵測及尺寸測量的情況可進 一步改善產量,其中上述有機EL層14係要形成於上述第 一電極1 3上。 因此,以下將更詳細描述上述有機EL裝置1 i。 在形成上述第一電極13、上述有機EL層14及上述第 二電極15之區域會因水分或氧氣之出現而損壞,進而產生 暗點或暗區域。然而,使用上述披覆層16來覆蓋上述有機 EL裝置11(除上述第一電極13、上述有機EL層14及上述 弟一*電極15彼此相鄰之平面以外)。因爲上述披覆層16係 由可防止水份及氧氣滲透之材料所形成,所以如果上述披 覆層1 6沒有任何缺陷,則可用以抑制在外部環境中之水份 及氧氣滲透至上述有機EL層14,以使上述有機EL裝置11 能保持較長之壽命。 如果在上述第一電極1 3上具有一外部粒子之情況中形 成上述有機EL層1 4,則會在上述外部粒子1 7所遮蔽之區 域中形成一間隙於上述外部粒子1 7與上述有機EL層1 4及 I241861 上述第二電極I5之間。然而,在本發明中,上述披覆層16 係藉由塗佈一層以塡充於上述間隙中所形成的。當上述外 部粒子17之尺寸大於上述第一電極13之表面與上述披覆 層1 6之外表面間之厚度(如第1 (Ο圖所示)時,上述外部粒 子17會一起與上述有機EL層14及沈積於上述有機El層 U上之第二電極15從上述披覆層16之外表面突出。因此 ’可容易地沿著上述外部粒子1 7之表面產生一使上述有機 EL層14與上述有機EL裝置11之外部環境相通之通道, 以致於外部水份及氧氣會滲透至上述有機EL裝置1 1之內 部,進而到達上述有機EL層1 4,藉此產生暗點及暗區域 〇 另一方面,縱使在可能出現一外部粒子1 7之情況中, 上述外部粒子1 7之尺寸係小於本發明中之上述厚度。因此 ,任何外部粒子1 7不會從上述披覆層1 6之外表面突出(如 第1(b)圖所示),所以可保有上述披覆層用以防止水份及氧 氣之滲透的功能。 熟知該項技藝者可易於了解:本發明在不脫離本發明之 精神或範圍內可以許多其它特定形式來具體實施。特別地 ,可了解的是:本發明可以下列形式來具體實施。 上述披覆層16可由氮化矽或鑽石般碳之蒸發層來形成 ,以取代由塗佈方式來形成。然而,如果上述披覆層1 6係 由上述蒸發層所形成’則在使上述蒸發材料以大約垂直方 式來撞擊上述固定之玻璃基板1 2的情況中上述蒸發層係無 法形成於上述外部粒子1 7所遮蔽之區域。爲了防止此一情 1241861 況,必須藉由控制上述玻璃基板1 2之方向來進行沉 相對於上述玻璃基板1 2從不同方向提供上述蒸發物 如:上述玻璃基板1 2可在3 6 0度範圍內沿著一微虛 (micro virtual semi-sphere)來傾斜,其中上述微虛 在一通過上述蒸氣源與上述玻璃基板12之一點的直 有一中心。在此情況中,可在真空中連續地形成上 EL層14、上述第二電極15及上述披覆層16。 上述披覆層可由複數層所形成,以取代由一單 形成。相較於由塗佈所形成之層,由氮化ϊ夕之氣相 形成之層會有較低之水份及氧氣的滲透率。然而, 積層來形成上述披覆層之情況中,在氣相沉積期間 璃基板1 2之位置控制係複雜的。 因此,因爲可同時獲得一蒸發層及一塗佈層之 所以可藉由結合上述蒸發層及上述塗佈層來增強用 上述披覆層1 6之水份及氧氣滲透的功能。例如:上 層1 6係由一雙層結構所形成,其中上述雙層結構包 佈層16a及一形成於上述塗佈層16a內側之蒸發層 第3 (a)圖所示)。在此情況中,因爲上述蒸發層i6b 使上述玻璃基板固定於一固定位置,所以上述蒸發 無法塡充上述外部粒子17與上述有機EL層14及上 電極15間之間隙(如第3(b)圖所示)。然而,因爲上 餍1 6a塡充上述間隙,所以整體而言可加強用以防 及氧氣滲透之功能。 再者,上述塗佈層1 6 a係形成於一惰性氣體環 積,以 質。例 擬半球 擬半球 線上具 述有機 一層所 沉積所 在以沉 上述玻 優點, 以防止 述披覆 括一塗 16b(如 係藉由 層 16b 述第二 述塗佈 止水份 境中, 1241861 任何樹脂、金屬或這些材料的疊層。 上述塗佈層之材料並不局限於多矽氮烷,以及例如可 以是具有比上述蒸發層低的水份及氧氣滲透率之丁基膠 (butyl gum) 〇 上述有機EL裝置1可適用於一光源、其它發光裝置及 顯示裝置,而並非局限於使用在背光上。 在使用於一顯示面板(例如:一被動矩陣顯示面板)之一 有機E L裝置1 1的情況中,上述第一電極1 3係以平行條狀 方式形成於上述玻璃基板1 2之一表面上。在藉由絕緣阻障 層(insulativebarriers)來絕緣之狀態中,以朝著垂直於上述 第一電極1 3之方向延伸的複數條平行條紋來形成上述有機 EL層I4。上述第二電極15係堆疊於上述有機EL層14上 。然後,在上述第一電極13與上述第二電極15之重疊部 分的基板上以一矩陣方式形成上述顯示面板之像素(或次像 素)。 在上述有機EL裝置1 1使用於一顯示面板之情況中, 一形成有彩色濾光片之基板可用以代替上述有機EL裝置1 1 之基板。 上述基板可以是一由樹脂所製成之透明可撓性基板, 以取代上述玻璃基板1 2。 設置於上述玻璃基板1 2上之第一電極1 3可用以做爲 一陰極,以及上述第二電極1 5可用以做爲一陽極。在此情 況中,修飾上述有機E L層1 4之結構,以符合上述陽極及 陰極。例如:上述有機EL層1 4可以一三層結構來形成,其 1241861 中上述三層結構包括依序堆疊於上述第一電極13上之電子 注入層、發射層及電洞注入層,或者以一五層結構來形成 ,其中上述五層結構包括電子注入層、電子傳輸層、發射 層、電洞傳輸層及電洞注入層。 上述有機EL裝置並非局限於一底部發射型(bottom emission type),其中上述有機EL層14所發射之光係從上 述基板引出的,以及上述有機EL裝置亦可以是一頂部發射 型(top emission type),其中光係從上述基板之一相對側引 出的。在此情況中,設置於上述基板之相對側上且其間夾 著上述有機EL層14之第二電極15需是透明的。然而,因 爲上述基板不必是透明的,所以亦可使用一金屬基板、不 透明陶瓷基板或樹脂基板等來取代上述玻璃基板1 2。 因此,將上述範例及施實例視爲描述用而非限制用, 以及本發明並非局限於上述細節,而是可在所附申請專利 範圍之範圍及均等中做改變。 【圖式簡單說明】 第1(a)圖係示意顯示依據本發明一實施例之一有機EL 裝置的剖面圖,以及第1(b)及1(c)圖係顯示一外部粒子之 部分剖面圖; 第2圖係顯示製程中之步驟的流程圖; 第3(a)圖係示意地顯示依據另一實施例之一有機EL 裝置的部分剖面圖; 第3 (b)圖係示意地顯不一出現有外部粒子之部分剖面 1241861 第4圖係依據另一實施例之一有機EL裝置的示意剖 面;以及 第5圖係顯示在習知技藝中外部粒子之效果的示意剖 面圖。 元件符號說明 11 有機電致發光裝置 12 玻璃基板 1 3 第一電極
14 有機電致發光層 15 第二電極 1 6 披覆層 16 a. 塗佈層 1 6b 蒸發層 17 外部粒子 18 附著於披覆層1 6之外側的層 51 基板 52 透明電極 53 外部粒子 54 有機EL層 5 5 陰極 5 6 披覆層 -18-

Claims (1)

1241861 十、申請專利範圍: 1 . 一種有機電致發光裝置,其遭受到一外部粒子 該有機電致發光裝置包括一基板、依序堆疊於 之一第一電極、一有機電致發光層及一第二電 一堆疊於該第二電極之外表面上的披覆層,其 該有機EL層之第一電極的一部分上之欠缺該外 區域,從該第一電極之一表面至該披覆層之外 距離作爲厚度t,特徵在於:該厚度係t大於出現 電極1 3上之任何外部粒子1 7的尺寸。 2·如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置, 覆層16包括一藉由塗佈製程所形成之層16a。 3 .如申請專利範圍第2項之有機電致發光裝置, 層16b係形成於由塗佈製程所形成之該層16a的 4.如申請專利範圍第2或3項之有機電致發光裝 藉由塗佈製程所形成之該層16a包括多矽氮烷。 5 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電 置,其中一層18附著於該披覆層16之外表面上 6.—種用以製造一有機電致發光裝置之方法,該 發光裝置包括依序堆疊於一基板上之一第一電 機電致發光層及一第二電極、以及一堆疊於該 之外表面上的披覆層,該方法包括一淸洗形成 上之第一電極的一表面之步驟,特徵在於:一步! 該淸洗步驟S 1之後測量出現在該第一電極1 3 的一外部粒子17的尺寸;一步驟S3,形成該有 之存在, 該基板上 極、以及 中結合於 部粒子的 表面間之 在該第一 其中該披 其中蒸發 內側。 置,其中 致發光裝 〇 有機電致 極、一有 第二電極 於該基板 聚S2,在 之表面上 機電致發 1241861 光層;步驟S4’形成該第二電極,以及步驟S5,如果該 測量所獲得之該外部粒子17的尺寸係小於稍後所形成之 有機電致發光層1 4、該第二電極丨5及該披覆層丨6之總 厚度之預定値,則形成該披覆層。 7 ·如申g靑專專利範圍第6項之用以製造一有機電致發光裝 置之方法’其中該披覆層1 6係藉由塗佈製程所形成的。 8·如申專專利軔圍弟6項之用以製造一有機電致發光裝 置之方法’其中形成該披覆層16之步驟S5係藉由蒸發 製程來實施’其中在該蒸發製程期間,該基板可在36〇 度範圍內沿著一微虛擬半球來傾斜,其中該微虛擬半球 具有一中心在一連接一蒸氣源與該基板上之一點的直線 上。 9.一種有機電致發光裝置,其遭受有一外部粒子之存在, 該有機電致發光裝置包括:一基板;一形成於該基板上 之第一電極;一設置於該第一電極上之有機電致發光層 ,其中該第一電極係夾於該基板與該有機電致發光層之 間;一設置於該有機電致發光層上之第二電極,其中該 有機電致發光層係夾於該第一與該第二電極之間;以及 一設置於該第二電極上之披覆層,其中該第二電極係夾 於該有機電致發光層與該披覆層之間,特徵在於:該披覆 層16與該第二電極15及該有機電致發光層14之厚度係 大於在該第一電極13上所出現之外部粒子17的尺寸。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之有機電致發光裝置,其中該披覆 層1 6係藉由塗佈製程所形成。 -20- 1241861 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之有機電致發光裝置,其中更包 括一形成於該第二電極15與該披覆層16間之蒸發層16b 〇 1 2 .如申請專利範圍第9至1 1項中任一項之有機電致發光裝 置,其中該披覆層1 6包括多矽氮烷。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之有機電致發光裝置,其中更包 括一設置於該披覆層1 6上之層1 8。 14.如申請專利範圍第12項之有機電致發光裝置,其中該披 覆層16包括兩個不同型態之層(16a,16b)。 -21-
TW093115733A 2003-06-04 2004-06-02 Organic electroluminescence device and method for producing the same TWI241861B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003159172A JP2004362912A (ja) 2003-06-04 2003-06-04 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200501801A TW200501801A (en) 2005-01-01
TWI241861B true TWI241861B (en) 2005-10-11

Family

ID=33157173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093115733A TWI241861B (en) 2003-06-04 2004-06-02 Organic electroluminescence device and method for producing the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040247938A1 (zh)
EP (1) EP1484805A2 (zh)
JP (1) JP2004362912A (zh)
KR (1) KR100589888B1 (zh)
CN (1) CN1575050A (zh)
TW (1) TWI241861B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005056587A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Toyota Industries Corp El装置及びその製造方法
JP2006221982A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アレイ基板の製造方法及び有機el表示装置の製造方法
KR100722100B1 (ko) * 2005-10-31 2007-05-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
KR100728195B1 (ko) * 2005-11-30 2007-06-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치의 제조 방법
JP5578789B2 (ja) * 2006-03-03 2014-08-27 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ エレクトロルミネセント装置
JP4809186B2 (ja) * 2006-10-26 2011-11-09 京セラ株式会社 有機elディスプレイおよびその製造方法
JP2008258085A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Choshu Industry Co Ltd 有機el層などの有機層の封止膜の形成方法
KR20110099255A (ko) 2008-11-25 2011-09-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 가요성 웨브를 세척하기 위한 장치 및 방법
KR20120098817A (ko) * 2009-11-27 2012-09-05 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 유기 전계발광 디바이스
US9512334B2 (en) 2011-09-08 2016-12-06 Lintec Corporation Modified polysilazane film and method for producing gas barrier film
CN103843457A (zh) 2011-10-07 2014-06-04 松下电器产业株式会社 发光元件和发光元件的制造方法
CN103958183B (zh) 2012-01-20 2015-09-30 琳得科株式会社 阻气膜和阻气膜的制造方法
EP2819486B1 (en) * 2012-02-21 2019-11-13 LINTEC Corporation Method for manufacturing organic electronic element
KR101931177B1 (ko) * 2012-03-02 2018-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6374188B2 (ja) * 2014-03-14 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 封止構造の形成方法、封止構造の製造装置、並びに有機el素子構造の製造方法、及びその製造装置
CN105355763A (zh) * 2015-11-04 2016-02-24 杭州士兰明芯科技有限公司 钝化保护结构、发光二极管及其制作方法
US11109940B1 (en) 2021-02-09 2021-09-07 ClearCam Inc. Devices, apparatuses, systems and methods for facilitating cleaning of an imaging element of an imaging device
CN113809263B (zh) * 2021-08-25 2022-11-01 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及显示面板的制作方法
KR20240040311A (ko) * 2022-09-21 2024-03-28 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JP2000091067A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20010043043A1 (en) * 2000-01-07 2001-11-22 Megumi Aoyama Organic electroluminescent display panel and organic electroluminescent device used therefor
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2001338755A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機el素子およびその製造方法
CN1222195C (zh) * 2000-07-24 2005-10-05 Tdk株式会社 发光元件
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
US6692326B2 (en) * 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004362912A (ja) 2004-12-24
KR100589888B1 (ko) 2006-06-19
CN1575050A (zh) 2005-02-02
TW200501801A (en) 2005-01-01
EP1484805A2 (en) 2004-12-08
US20040247938A1 (en) 2004-12-09
KR20040104910A (ko) 2004-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI241861B (en) Organic electroluminescence device and method for producing the same
US8263175B2 (en) Method for manufacturing color organic EL display
US10312470B2 (en) Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR100855763B1 (ko) 유기 el소자 어레이 및 표시소자 및 촬상장치
TW201547081A (zh) 密封構造之形成方法、密封構造之製造裝置和有機el元件構造、其製造方法及其製造裝置
JP2015187928A5 (zh)
KR20120116782A (ko) 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
JP4448148B2 (ja) 有機発光装置
CN104025297B (zh) Oled的结构化
TWI241148B (en) Organic electroluminescence display panel
JP4512436B2 (ja) 表示装置およびその製造方法
JP2009283396A (ja) 有機el表示装置の製造方法
JP2007273274A (ja) 有機el素子及びその製造方法
CN108666437B (zh) 显示面板及其制作方法
JP5902804B2 (ja) 電子デバイスの製造方法
KR101971048B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2008243664A (ja) 有機el素子の製造方法
JP2011134627A (ja) 有機発光装置の製造方法
KR100647677B1 (ko) 금속 보강층을 포함하는 유기 전계 발광 소자 및 그제조방법
JP2006019087A (ja) 有機el表示素子の製造方法
JP2004213992A (ja) 表示装置用素子基板の製造方法及び転写体
JP4618497B2 (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
JP2007299662A (ja) 有機el素子
JP2003297549A (ja) 有機elディスプレイ及びその製造方法
JP2008117585A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees