TWI241767B - Power-low reset circuit - Google Patents
Power-low reset circuit Download PDFInfo
- Publication number
- TWI241767B TWI241767B TW093136265A TW93136265A TWI241767B TW I241767 B TWI241767 B TW I241767B TW 093136265 A TW093136265 A TW 093136265A TW 93136265 A TW93136265 A TW 93136265A TW I241767 B TWI241767 B TW I241767B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- reset
- power
- circuit
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 39
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 210000003625 skull Anatomy 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/22—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
- H03K17/302—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in field-effect transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
〇c/006 1241亂, 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 月疋有關於—種重置訊號產生電路,且特別是 有關於一種低壓重置電路。 4疋 【先前技術】 牧由 十私子兒路日守’往往會加入重置(reset)機制在電 路中,以使所設計 ^ 態。尤^盤贵1电电路在需要時得以回復為初始狀 二杜ΛΜ二$ +電子電路開啟電源(開機)之初時,電路中各 Ϊ二二存器)處於不確定狀態,此時即需要重置此電 路’以將電財各元件奴為初錄態。
w Hi ΐ設計—個電路用以在開機初時產生重置 °mC電子電路之狀態設定為初始狀態。圖1A 2上所儲存之電荷將經由電阻111而放電。 所啟電源之初時〜型電晶體114係為截止狀態, 产/4 之電源開啟重置電路可以經由提升電阻113與 產生高電位之重置訊號RST。然後,經由電 電壓#電流而對電容112充電,直到電晶體之閘極 I界電壓,此時電晶體114轉為為導通狀態。 W將由電日日日n 114使重置訊號RST禁能。 於西兀2〇〇1年10月11曰,美國專利公開第us 2001/0028263 Al 號「Power on reset circuit」中揭露一種 電源開啟重置電路,如目IB所*。在電源㈤啟重置電路 中將、、、二過電晶體121的電流分流至電容123與電晶 丨 c/006 體122,因此得以延長電容丨23之充電時間。最後,使得 電容123之充電電位可以讓反相器124轉態,以產生電源 開啟重置之效果。然而,流經電晶體122的電流必須較準 確地控制,電流太小則不足以保持重置信號足夠時間,電 流太大則可能使電容根本無法充電到使反相器124轉態的 位準,另外,充放電的過程需消耗較多的電流。 圖 1C 是美國專利第 6388479 號「〇scillat〇r based power-on-reset Circuit」(西元2〇〇2年5月14日)中所揭露 的一種電源開啟重置電路。請參照圖le,在電源開啟重 置電路130中,由振盪電路131所輸出之時脈訊號直接經 過電晶體132與電容133低通濾波,以影響儲存於電容133 的電位。當電容133的電位到達反相器134的轉態臨界點 時,即可產生電源開啟重置之效果。然而,電晶體I%的 ^通電阻與電容133之RC時間常數需大於振盪電路131 所輸出時脈訊號之脈波寬度,否則無法達到重置之動作。 况且,電源開啟重置電路130所輸出之重置訊號RST會 有振盪現象。 胃 圖 ID 是美國專利第 5386152 號「Power_〇n reset drcuit responsive to a clock signal」(西元 1995 年 1 月 31 日)中所 揭露的一種電源開啟重置電路。請參照圖1D,在電源開 ,重置電路140中,由於取得充放電訊號是利用時鐘放大 的的正負源觸發微分器,所以需要有二極體保護電路,不 至於有過大的逆向訊號反向由接地線進入電路。因此這種 電路容易透過基體(substrate)引起不必要的干擾訊號,而 1241脱 doc/006 且會有低於地電壓之訊號產生。況且,電源開啟重置電路 130所輸出之重置訊號RST亦有振盪現象。 閉電源電壓VDD因為某種原因而_關 閉电源)日守,糸統往往會因為電壓過低而導致不可預 狀態發生。當電源糕VDD回復正f 、备 二因其内部訊號錯亂而無法正常工作:泝電 J,莫名降壓回復到正常工作繼,使 重置電路適時發出重置訊號’以使系統重置啟動狀熊。寸 述諸習知技術大多益法在雷调兩 〜、刚 電愿時重新發出重置訊^原电屋降壓且回復到正常工作 【發明内容】 本發明的目的就是在提供一㊉ 當電源電餅低至預定準位 ,用以 電源開敌常工作電,便於讓 啟動狀態。 麵㉟出重置訊號,以使系統重置 本發明提出一種低+Α 電路所輪出之重置訊號以/+置电路’接收電源開啟重置 之儲存電壓,用以當^/源開啟重置電路中電容裝置 電性路徑,❹仙下時提供 其中,電源開啟重置電路:、私以回復其初始狀態。 號。此低壓重置電路包括从以於私源開啟初時產生重置訊 開關以及箝位電路。第電晶體、第二電晶體、受控 兒晶體之閘極接收重置訊號,其 1241767 14445twf.doc/006 第一源/汲極接收儲存電壓。 ,其第-源接日極接收電源 二:晶,第二源/汲極之電壓係為;源:二 連接端相互|則#位電路之;連;,第二 二源/祕,箝位電路之第二端__電^心日體之弟 曰妒夕笛_、、s/、、 括緩衝态。此緩衝器耦接於第二電 本發明因經由受控開關提 電,壓降低至預定準位二 ; 態。 纟出重置喊’而使糸統重置啟動狀 顯易之上述和其他目的、特徵和優點能更明 說明如下 較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細 【實施方式】 之開啟重置電路内部均有電容裝置,大部分 操作係將電容裝置從低電壓之初始 狀心充電至局電壓’但也有可能將電源開啟重置電路設計 1241767 14445twf.doc/006 成為把其中電容梦罢> 而藉由其内部電壓f初始狀態放電至低電壓, 置訊號之目的。☆充放電所需時間而達到延遲重 閉電源)時,系統降壓(非關 狀態發生。當電源⑨㈣^導致不可預期之 ::其内,:無法正= =正常工作_ ’使電源開啟 u重置錢m統重置啟動狀態。 里:h疋依照本發明較佳實施例所繪示之一種低壓重 請參照圖2,圖中電源開啟重置電路21= 具有電容装置211之各種電源開啟重置電路。 。置%路21G用以在開啟電源之初時輸出重置訊 低壓重置電路220接收電源開啟重置電路21〇所輸 出之重置訊號RST以及電源開啟重置電路21()中電容裝 置211之儲存電壓212。於本實施例中,低壓重置電路 包f P型電晶體T1與Τ2、緩衝器221、受控開關T3以 及粉位電路222。電晶體τι之閘極接收重置訊號RST, 其源極接收儲存電壓212。電晶體T2之閘極接收電源電 ,VDD,電晶體Τ2之源極耗接電晶體Ή之没極,而^ 曰曰體T2之>及極電壓即為控制電壓223。 ,緩衝器221接收控制電壓223並且輸出控制電壓 至受控開關T3。受控開關T3之第一連接端接收儲存電壓 I2417M fdoc/006 2=其第二連接端接地,用以依照控 疋否將其第一連接端與 224以決疋 222 ^ 迓接糕相互耦接。箝位電路 _電晶體T2之沒極’箝位電路奶之第 一知接地。在此假吟♦雷、7^戸弓戸々>、士 弟
俜為hi h °田"、歼之初日守,重置訊號RST 係為hlgh因此電晶體T1處於截止狀態。 隨者對電容裳置211充電之過程,當儲存電壓加 j仏界準位後’重置訊號咖轉態為lGW而使得φ曰 體τι於正常工作期間(電源電壓vdd於正常工作電= 圍内)保持導通狀態。此時電晶體T2受電源電壓VD = 制而呈截止狀態’導致緩衝器221之輸入訊號223與= 訊號224之準位皆為1〇w,所以受控開關Τ3呈斷路狀熊。 畐屯源電壓VDD降低至預定準位以下時,電晶體τ2因 而呈導通狀態(此時電晶體T1亦呈導通狀態),導致緩衝 器221之輸入訊號223與輸出訊號224之準位轉態 high,因此受控開關T3呈導通狀態。 藉由將受控開關T3導通以提供一條電性路徑,使電 容裝置211進行放電以回復其初始狀態。因此在電源電】 VDD從莫名降壓回復到正常工作電壓後,電源開啟重置 電路210得以適時再發出重置訊號rST,以使系統重置 啟動狀態。於本實施例中,受控開關T3可以是N 曰
Kiak 土电晶 然而,若電源開啟重置電路210被設計成為把電容 裝置211從咼電壓之初始狀態放電至低電壓而達到延遲重 置訊號之目的,則熟習此藝者亦可將受控開關T3改以p 124m twf.doc/006 型電晶體實施之,而使受控關T3之第二連接端輕接電 源電壓VDD。因此,藉由將受控開關T3導通以提供一】 電性路徑,使電容裝置211進行充電以回復其初始狀= 上述之改變亦屬本發明之範疇。 為能更清楚說明本發明,以下將以更詳細之電路戈 明本發明之實補。圖3是紐本發服佳實_所料 之一種電源開啟重置電路圖。請參照圖3,時脈源31〇曰用 ,產生時脈訊號CLK。受控開關320具有第一連接端、 第二連接端以及控制端,用以依照其控制端所接收之重置 訊號RST決定是否將其第一連接端所接收之時脈訊號 CLK導接至其第二連接端以輸出至調整電路33〇。在此假 設受控開關320之初始狀態(即電源開啟初時之狀態)為^ 通狀態。 凋整電路330接收並調整時脈訊號CLK以輸出控制 訊號331。在本實施例中,訊號調整包含對時脈訊號 的振幅及時間做限制。其中振幅限制的大小與控制充放電 的導通電壓有關,譬如藉由調整電路33〇中之箝位電路 將控制訊號331之最低準位限制於預定準位以上。而時間 的限制則將經過振幅限制的時脈訊號CLK再一次把波形 整理成以較短時間打開充放電路徑的控制訊號%〗,链如 藉由調整電路330中之整波電路332將所接收之時脈訊號 CLK之波形加以整波(shaping)以調整成較小工作週期比 之控制訊號331。 1241767 14445twf.doc/006 本實施例中,箝位電路333 T7。電晶體T6之閘極與沒極 ,電晶體T6以及 體Τ7之沒極輕接至電晶體τ ^電路332。電晶 耦桩$桩祕帝颅帝a & 之/原極,電晶體T7之源極 敕波電i 33’2勺1 間極接收時脈訊號CLK。 以括?型電晶體“,型電晶體T5 曰T4之閘極接收時脈訊號CLK,電 日日體τ4之源極麵接電源電壓vdd日 出控制訊號331。電晶體丁5之門代拉日歧丁4之汲極輪 雷曰Τ5夕4 之閘極接收時脈訊號CLK, 电曰曰體Τ5之汲極耦接電晶體丁4之汲極 極耦接箝位電路333。 甩日日體Τ5之源 在此,電容C1例如以Ρ型電晶體 體電路中實施之。換句話說,即把 積 容C1之-㈣其 為電容之另一端。電 ί汲極 電壓VDD,另—端則輕接電晶體Τ4 充放電單元340具有電容裝置(例如 電單兀340接收並依據控制訊號331以決定是 且輸出電容裝置之儲存電壓342 j η:充放電單元340包括P型電晶體τ8與電容 C3。如續述,由調整電路33() 為具有較小工作週期比之脈衝訊號,電晶體== 收亚依據控制訊號331以間歇性導通電容 徑。以間歇性方式對電容。充電可以獲得較大 12 ►c/006 電晶體施作之。換句話說之電容C3可以Μ 電容之第-端,而將其源極血,電晶體之閘極當个 二端。 一木極相耦接以視為電容之負 於本實施例中,充放電單 T9 ’電晶體T9之閘極耦接電源•二Ρ型電晶體
開啟期間電晶體T9係處於# 因此於電源 -、戴止狀怨。當關閉電源後,由 士"、幵啟期間儲有電荷’因此電晶體Τ9因 ς =極電壓Α於其臨界職而導通,電容C3則經由電 曰曰體T9之路徑放電而回復為初始狀態。
,出迅路350 (在此例如為反相器)接收電容c3之儲 子私壓342。於私源開啟之初時,由於儲存電壓未達 ,出私路350之臨界電壓,因此輸出重置訊號RST之電 壓為high。於電容C3充電其間,其當儲存電壓342達到 ,出電路35G之臨界電壓時,則輸出重置訊號RST之電 壓轉態為low。因此可以於電源開啟初時產生足夠長時間 之重置訊號RST。 低壓重置電路360包括p型電晶體τΐ〜T2、受控開 關T3、緩衝器361以及箝位電路362。本實施例中低壓 重置電路360與圖2之低壓重置電路220相似,故其操作 不在此贅述。其中,緩衝器361例如以二個反相器串聯實 施之,並且箝位電路362譬如以三個二極體串聯實施之。 13 1241767 14445twf.doc/〇〇6 是依照本發㈣佳實施觸㈣之P種電源 I部八^路圖。圖4之電源開啟重置電路係與圖3相似, 敕二之操作將不在以下資述。請參照圖4,其中調 之箝位電路433更於電晶體T7之閘極處祕 包: 此以N型電晶體實施之)。亦即將電容C2之 鳊輕接至兒晶體T7之閘極,而電容C2之另一端接地。 輸出電路450例如包括反相n 451〜453。由反相器 〜52相串聯所組成之緩衝器接收電容C3之儲存電愿 (即P2點之電壓)以輸出反相之重置電壓RSTB。反相器453 更進一步接收反相之重置電壓RSTB而輸出重置電壓RST (即P1點之電壓)。 於本實施例中,受控開關420例如為傳輸閘。於傳 輸閉之一個閉極端(控制端)各自接收重置電壓rsT以及反 相之重置電壓RSTB,以便電關啟之初時使時脈訊號 CLf得以傳送至調整電路43〇,直到重置電壓rst (rstb) 轉態後才切斷時脈訊號CLK之傳送路徑。 低壓重置電路460與圖3之低壓重置電路36〇相似。 其中緩衝器461中之反相器係以p型電晶體與N型電晶 體所組成之反閘實施之。箝位電路462中之二極體則=二 型電晶體實施之,亦即將N型電晶體之汲極與閘極相耦 接當作二極體之陽極,而將N型電晶體之源極視為二極 體之陰極。 _ ° 圖5是圖4中電源開啟重置電路之模擬訊號時序圖。 由上而下,圖中第一條繪線係表示電源電壓VDD之時序 14 I24mz 滅d〇c/〇〇6 ,二條繪線表示圖4中P3點之訊號(控制訊號)時 帝P«、苐二條繪線表示圖4中P2點之訊號(電容C3之 序變化,第四條繪線表示圖4中P4點之訊號 I甘〇^壓)時序變化,最底下之繪線則表示圖4中重置訊 藏RST之時序變化。 疋圖4中電源開啟重置電路於電源突然暫時降 i的炀況下之模擬訊號時序圖。由上而下,圖中第一條繪 線則表示圖4中P1點(重置訊號RST)之時序變化,第二 條表示電源電壓VDD自正常工作準位短暫降壓後 回设原先準位之時序關係,第三條繪線表示圖4中P2點 5:虎(電容C3之儲存電壓)時序變化,第四〜六齡線 則刀別表示圖4巾γι .點、γ〇點與γ2點之訊號時序變化。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用 ^艮Ϊ本發明:任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精 =和犯圍内’當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保 €範圍後附之中請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1Α是傳統電源開啟重置電路。 圖1Β疋美國專利公告第2001/0028263號中揭露之 電源開啟重置電路。 τ朽路之 圖1C是美國專利第6388479號「0scillat〇r ^ chxuit」中所揭露的一種電源開啟重置電 1241¾¾ twf.doc/006 图 ID 疋美國專利弟 Μ%!5]號「power_on reset circuit responsive to a clock signal」中所揭露的一種電源開啟重 置電路。 圖2疋依肤本發明較佳實施例所繪示之一種低壓重 置電路圖。 種電源開 一種電源 圖3是依照本發明較佳實施例所繪示之一 啟重置電路圖。 圖4是依照本發明較佳實施例所繪示之另 開啟重置電路圖。 圖5是圖4中電源開啟重置電路之模擬訊號時序圖。 是圖4中電關啟重置電路於電源突騎時降 壓的6況下之模擬訊號時序圖。 【主要元件符號說明】 110、111、113 :電阻 112 ' 123 ' 133 ' 211、C1 〜C3 :電容 114、 122、132 : N 型電晶體 115、 221、361、461 ··緩衝器 120、130、140、210 :電源開啟重置電路 121 : P型電晶體 124、134、451 〜453 :反相器 131 :振盛電路 212、342 :電容之儲存電壓 220、360 :低壓重置電路 222、333、362、433、462:箝位電路 16 1241767 14445twf.doc/006 223、224、331 ··控制訊號 310、410 :時脈源 320、420 :受控開關 330、430 :調整電路 332 :整波電路 340、440 :充放電單元 350、450 :輸出電路 CLK :時脈訊號 RST :重置訊號 RSTB :反相之重置電壓 T1〜T9 :電晶體 VDD :系統電壓
17
Claims (1)
- I24lm wfd〇c/〇〇6 +'申請專利範圍: 1·-種低壓重置電路,接收-電源開啟重置 ㈤之―重置訊號以及該電源開啟重置電路中_帝☆壯叮别 一儲存電壓,用以當一電源電壓降低至〜預定置之 提供一電性路徑,使該電容裝置經由該電性路义立从下時 充電以回復其初始狀態,其中該電源開啟重置J二進行放/ 電源開啟初時產生該重置訊號,該低壓重置電二用以於 ,第一電晶體,該第一電晶體之閘極^收5括: 號,該第一電晶體之第一源/汲極接收該儲存電壓"·重置訊 /第二電晶體,該第二電晶體之閘極接收兮⑥ 壓,該第二電晶體之第一源/汲極耦接該第—電日笔源電 二源及極,该第二電晶體之第二源/;:及極之雷颅體之第 電壓; k制 一受控開關,該受控開關之第一連接端 電麼,該受控開關之第二連接端输至—固定遠儲存 依照該控制電壓以決定是否將其第—連接雜2 ’用以 相立耦接;以及 、年一連接端 2·如申睛專利範圍第〗 ^固疋電 該第一電晶體與第二電晶置電路’' 3.如申請專利範圍第係型電曰曰體。 該受控開關係為電晶體。貞所述之低壓重I電路、 18 1241服 f.doc/006 4. 如申請專利範圍第3項所述之低壓重置電路,其中 該受控開關係為Ν型電晶體。 5. 如申請專利範圍第1項所述之低壓重置電路,其中 該箝位電路係由至少一二極體所組成。 6. 如申請專利範圍第1項所述之低壓重置電路,更包 括: 一緩衝器,耦接於該第二電晶體之第二源/汲極與該 受控開關之間,用以接收該控制電壓並且輸出該控制電壓 至該受控開關。 7. 如申請專利範圍第1項所述之低壓重置電路,其中 該固定電壓係為接地電壓。 19
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093136265A TWI241767B (en) | 2004-11-25 | 2004-11-25 | Power-low reset circuit |
| US11/161,257 US7164300B2 (en) | 2004-11-25 | 2005-07-28 | Power-low reset circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093136265A TWI241767B (en) | 2004-11-25 | 2004-11-25 | Power-low reset circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI241767B true TWI241767B (en) | 2005-10-11 |
| TW200618471A TW200618471A (en) | 2006-06-01 |
Family
ID=36460382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093136265A TWI241767B (en) | 2004-11-25 | 2004-11-25 | Power-low reset circuit |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7164300B2 (zh) |
| TW (1) | TWI241767B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI306334B (en) * | 2006-01-24 | 2009-02-11 | Holtek Semiconductor Inc | Improved circuit and method for generating a power on reset signal |
| CN201421585Y (zh) * | 2009-03-19 | 2010-03-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 重置信号产生电路 |
| US8299825B2 (en) * | 2009-10-30 | 2012-10-30 | Apple Inc. | Electronic age detection circuit |
| US9239612B2 (en) * | 2010-08-25 | 2016-01-19 | Renesas Electronics Corporation | First power-on reset circuit with higher power consumption than a second power-on reset circuit |
| CN102761322B (zh) | 2011-04-28 | 2016-08-03 | 飞兆半导体公司 | 上电复位电路及其复位方法 |
| CN103391076B (zh) * | 2013-07-05 | 2016-02-10 | 曙光信息产业股份有限公司 | 二次复位电路及复位方法 |
| US9397654B2 (en) | 2014-10-09 | 2016-07-19 | Qualcomm Incorporated | Low power externally biased power-on-reset circuit |
| CN114567310A (zh) * | 2020-11-27 | 2022-05-31 | 中兴通讯股份有限公司 | 开关电源的长时复位电路、印刷电路板及电子设备 |
| CN112769429A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-05-07 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种用于低电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器 |
| TWI786679B (zh) * | 2021-06-11 | 2022-12-11 | 新唐科技股份有限公司 | 延遲電路與電路系統 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3088821B2 (ja) * | 1992-03-18 | 2000-09-18 | 沖電気工業株式会社 | パワーオンリセット回路 |
| US6005423A (en) * | 1994-02-10 | 1999-12-21 | Xilinx, Inc. | Low current power-on reset circuit |
| EP0700159A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-06 | STMicroelectronics S.r.l. | Threshold detection circuit |
| IT1319820B1 (it) * | 2000-01-28 | 2003-11-03 | St Microelectronics Srl | Circuito di reset di accensione a basso consumo per memorie asemiconduttore |
| US6388479B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-05-14 | Cypress Semiconductor Corp. | Oscillator based power-on-reset circuit |
| JP4462743B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-05-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | パワーオンリセット回路 |
| JP4233205B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | リセット装置、半導体集積回路装置および半導体記憶装置 |
| KR100427034B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 피워온리셋 회로 |
| KR100557539B1 (ko) * | 2003-05-30 | 2006-03-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리셋신호 발생회로 |
| KR100597635B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2006-07-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리에서의 내부 초기화 신호 발생기 |
| KR100614645B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 파워-온 리셋회로 |
-
2004
- 2004-11-25 TW TW093136265A patent/TWI241767B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-07-28 US US11/161,257 patent/US7164300B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7164300B2 (en) | 2007-01-16 |
| TW200618471A (en) | 2006-06-01 |
| US20060109036A1 (en) | 2006-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6166991A (en) | Circuit, architecture and method for reducing power consumption in a synchronous integrated circuit | |
| CN103825554B (zh) | 晶体振荡器以及产生振荡信号的方法 | |
| US7345461B2 (en) | Semiconductor circuit device and data processing system | |
| JP5142861B2 (ja) | 内部電圧発生回路 | |
| TW201218599A (en) | Charge pump with low noise and high output current and voltage | |
| TWI241767B (en) | Power-low reset circuit | |
| US20080218252A1 (en) | Voltage regulator outputting positive and negative voltages with the same offsets | |
| JPH05298885A (ja) | 電荷ポンプ回路 | |
| Das et al. | A 220-mV power-on-reset based self-starter with 2-nW quiescent power for thermoelectric energy harvesting systems | |
| TWI234338B (en) | DC/DC converter | |
| TWI244261B (en) | Power on reset circuit | |
| TWI328332B (en) | Dc/dc converter | |
| US7982548B2 (en) | Resonant oscillator with oscillation-startup circuitry | |
| CN104901652A (zh) | 可精确控制占空比的振荡器电路 | |
| US10116211B2 (en) | Power converter with adaptive zero-crossing current detection | |
| US8319531B2 (en) | Multi-phase clock divider circuit | |
| US7030707B2 (en) | Oscillator circuits and methods that change frequency in inverse proportion to power source voltage | |
| US20180309311A1 (en) | Cold-start device for harvesting energy | |
| US8085103B2 (en) | Resonant oscillator circuit with reduced startup transients | |
| US7187595B2 (en) | Replenishment for internal voltage | |
| CN107546976B (zh) | 电荷泵电路及电荷泵 | |
| US8854086B1 (en) | Clock distribution systems for low power applications | |
| TW201225539A (en) | High voltage generator and method of generating high voltage | |
| US20140035688A1 (en) | Oscillator | |
| CN110380711B (zh) | 具有超低短路电流的低频振荡器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |