TWI241635B

TWI241635B - Electronic component having an integrated passive electronic component and method for producing it

Info

Publication number: TWI241635B
Application number: TW092126121A
Authority: TW
Inventors: Hans-Joachim Barth
Original assignee: Infineon Technologies Ag
Priority date: 2002-10-22
Filing date: 2003-09-22
Publication date: 2005-10-11
Also published as: CN100459112C; CN1689156A; EP1556899B1; US20050199934A1; TW200421449A; KR20050071600A; EP1556899A1; WO2004040646A1; KR100815655B1; JP4391419B2; US7193263B2; JP2006504274A; DE10249192A1

Description

1241635 五、發明說明（1) 〔發明領域〕本發明係有關於一種具右以及，這種電子組件的製造方法。-^組件的電子組件，〔發明背景〕混合式數位/類比電路的大被動組件，舉例來11+刀頰比電路&域均需要

有南電容值、高度線性、及W α"的電谷器。為了將這種混合式數成本减至取低，廷些被動組件（特別是步驟最好能夠儘可能減少。另★，伴以積可能面積需求，這些組件及積體電路亦取好能夠事先微型化。美國專利說明書US5583359乃是提供一種積體電路的電容結構。在這個例子中，形成某個堆疊電容器的電極的複數個金屬板乃是彼此堆疊排列，並且，利用介電層進行隔離。另外，各個金屬板的平面分別排列一條金屬線路，並且’這條金屬線路會與對應的金屬板進行隔離。在各種情況中’這些金屬線路的兩端會透過穿孔連接（via connection )進行接觸連接，藉此，在這個堆疊中，利用奇數方式放置的全部金屬板，以及，在這個堆疊中，利用偶數方式放置的全部金屬板便可以互相電性連接。因此，將利用奇數方式放置的全部金屬板連接至第一連接線，以及，將利用偶數方式放置的全部金屬板連接至第二連接線，相鄰金屬板便可以具有不同電位，並且，在各種情況中，成對形成某個金屬板電容器的電極。

第5頁 1241635 五、發明說明（2) 電容結構的其他可能架構亦可參照Aparici〇， R. and Hajimiri ’ A. · Capacity Limits and Matching

Properties of Integrated Capacitors ； IEEE Journal ^ of Solid—State Circuits ， Vol· 37 ， No· 3 ， 20 02， pp· 384 - 393，其透視圖分別表示在第5圖至第1〇圖中。另外’在介電區域具有低介電常數材料（舉例來說，介電常數2· 65的有機材料Si LK、黑鑽、珊瑚（兩者皆是介電常數小於3的摻碳氧化物）、或這些介電質的摻雜材 =)的新穎晶片中，機械強化亦有所需要，藉以避免因為這些介電材料，在施加機械力於這個組件時，的低硬产生的損害。 ·又叮有鑑於此，同時需要被動需要大篁空間。並且，在這個個組件連結及固定在這個組件結構亦將不再需要。組件及機械支撐的組件將會組件完成後（特別是，將這内部以後），這個機械支撐有鑑於此，本發明的一個目的乃是提供一種具有 _ 被動電子組件的電子組件，以及，這種電子組件^製造，法’其可以相對低廉且節省空間地產生，並且，械力時相對堅固而;f用。也機

本發明的上述目的乃是利用一種具有申請專利範 1項所述特徵的電子組件加以達成，以及，利用一種具申請專利範圍第1 8項所述步驟的方法加以達成。 “有〔發明概述〕

1241635 五、發明說明（3) --- 且彳據本發明的一種電子組件會具有第—絕緣層，並層合ί:絕緣層的表面會形成—個上金屬層。這個上金屬 =連結焊墊層會連結，舉例線= 会且件ί ΐ &個電子組件或晶片的接觸區域至固定這種電子第-絕的ϊ觸執跡：一個電性導通結構會整合於這個上金屬屏:^且，在施加機械力時，特別是在連結這個緣層。】外子組件期'1 ’機械穩定第-絕組件。 &個電性導通結構會形成做為-個被動電子相對：：空便：：製㊁-種電子組件，其僅僅需要成。在件ί、:利用相對低廉的費用完對這種電子組件施加機械面可以在為第-絕緣層的一個機：結U 性導通結構另一方面亦可以做 2並且，廷個電組件。具有雙重功能的單獨結& 組件的一個被動步驟及製造成*，因為機械支撐或二：的製程構將不需要個別製造。 —^…構及被動組件結在一個較佳實施例中，莖一製 2 65。另外，這個介電層亦可以：材料）的介電常數為說，具有摻碳氧化物且介電i =使用其他材料，舉例來 °兄冤吊數小於3的珊瑚或金鑽。這電層’並且，$個介電層乃是用：層會形成做為-個介造。舉例來說，SiLK (竿#右"電常數小於4的材料介電有機材料）的介電常數為 1241635 五、發明說明（4) 表Ϊ為I使相對低機械力可別好處。另外，第t積體，但9 备第一絕緣層一疋，在某些情況中，。在這個例子中，最重要的吊數必須小於4，特別是小些材料的小分子及低硬度乃是能會導致損害，在這個例子中電性導通結構仍然可以具有特亦可以形成做為一個多層系統層的介電常數仍然可能大於4 是’這個多層系統的平均介電於3 〇在以鉛直這個連域基本 (特別域。將以獲致的一個量於這行連結免於機另一個排列在結區域上乃是是接觸這個電最佳的平面中個連結或施加械損害較佳實這個上可以利表示這線路）性導通機械穩，這個區域的機械力或破壞施例中金屬層用各種個上金以電性結構直定性。電性導尺寸。，第一 ’這個的一個方法實屬層中接觸這接排列特別是通結構如此，絕緣層電性導連結區現，並、排列個外罩在這個，在平的尺寸無論對或整體通結構基域下方。且，這個這些電性的接觸軌連結區域行這個上最好能夠這個連結電子組件

本上可另外，連結區連接跡的區下方可金屬層至少筹區域均可D

_在第一絕緣層中，這個電性導通結構的排列方式乃是平這個電性導通結構基本上能夠齊平於第一絕緣層的水平、/面、。因此，這個電性導通結構會形成在第一絕緣層裡 “ ’並且’第一絕緣層的部分水平表面區域乃是利用這個，性=通結構的表面區域形成。在這個例子中，這個電性通、°構在第一絕緣層的錯直方向上形成最大範圍（在錯

1241635 五、發明說明（5) ^ ^向上，第一絕緣層及電性導通結構基本上具有相同尺鎊辟二^此，機械穩定性將可以進一步改良，因為第一絕將：有Ϊ個連結區域（利用這個電性導電結構支撐）下方將/又有機械較不穩定或”較軟”區域。刹ffl另/個較佳實施例的特徵在於：這個電性導通結構合屬=特別是形成在另-金屬平面的接二丨用牙孔連接以連接至一個供應電壓位準，並护成2 : f性導通結構亦會利用另-個金屬細條，特別是 ^。“固金屬平面’利用穿孔連接以連接至地點電壓位第- t鏠：金屬細條可以形成在第二絕緣層裡面，並且，是利用具有高機械穩定性的材料製造（相較性分子料的機械穩定性）c第二絕緣層材料的彈是大於20十億卜vgigapascal )，特別 U U Hh m - 卡（glgapascal )，並且，第二絕緣層僅形成單個接觸金屬細條邑緣層裡面亦可能僅細格。、古穴Γ 條或者，根本沒有形成接觸金屬金屬έ曰二的個電性導通、结構的形狀及這些接觸 I屬細你的關連排列。在且古古緣層裡面形成至少一個：屬；；；：穩定性材料的第二絕 = 觸連接至電壓位準）可以在施加機械力時，達到：鍤ί固上金屬層的這個連結區域施加機械力日可，達到故種電子組件的額外穩定性。 ^個FSG (氣石夕玻璃）介電層則可以形成做為第二絕緣 1241635 一個電性電性導通上金屬層層最好能能夠連接信號便無這個電性個上金屬這個電性且，第三層間。形可以獲致通屏幕層個格狀結有效的電，使這個夠至少等的面積。構表面，導通屏幕積輪廓。，這個電 /或，形性導通結五、發明說明（6) 另夕卜，屬層及這個隔離於這個性導通屏幕金屬層最好上金屬層的且，施加至法搞合至這另外，層裡面，並及第一絕緣個氧化層，這個電性導形成做為一要得到夠進行排列構的面積能導通屏幕層電性導通結在這個電性通結構的面特別是容結構，及中，這個電導通屏幕層結構間。這及這個電性夠形成做為至地點電壓法耦合至下導通結構或層。導通屏幕層絕緣層最好成第三絕緣第一絕緣層亦可以形成性屏幕，這電性導通屏量於這個電這個電性導使這個電性層的平面圖最好能夠形成在這個上金個電性導通屏幕層會同時導通結構。另外，這個電一個金屬層，並且，這個位準。如此，施加至這個面的電性導通結構，並這個被動組件的信號亦無最好能夠形成在第三絕緣能夠排列在這個上金屬層層，第三絕緣層最好是一的額外機械強化。另外，做為一個接觸格，或者，個電性導通屏幕層最好能幕層面對這個電性導通結性導通結構面對這個電性通屏幕層最好形成在這個導通屏幕層的面積輪廓，中，能夠覆蓋這個電性導性導通結構最好能夠形成做為一個電成做為一個電感結構。在這個例子構可以完全製造成一個電容，或者，

第10頁 1241635 五、發明說明（7) 完全製造成一個有複數個部分結層的一個第一絕緣一個較佳一絕緣列做為在於：至分結構中，彼個金屬二金屬彼此電電感。然而構，其中，電容結構，層的一個電實施例中，分結構會形兩個金屬平少一個部會在至少此平行排平面。第一金屬平面平面的金性連接。列且彼此電屬細條，並 ’這個某個部並且，感結構這個電成做為面上方性隔離的金屬且，透電性導通結構亦可以具分結構可以排列做為第另一個部分結構可以排〇性導通結構的特徵在一個電容結構，這個部，並且，在各個例子的金屬細條會形成在各細條基本上會對應於第過鉛直方向的穿孔連接另-個較佳實施例的特徵在於··這個電性導通結構的至少一個部分結構會形成做為一個電感結構，以及，這個電性導通結構的至少一個金屬平面會形成一個螺旋金屬軌跡0 這個上金屬層可以利用第二絕緣層的一個接觸孔以接觸連接至下面（特別是，形成在第三絕緣層中）的一個電性導通區域。這個接觸孔最好能夠排列在這個上金屬層的連結區域外面’並且，與這個電性導通區域的排列方式相同，這個接觸孔亦可以相對這個電性導通結構的水平偏移丨驗排列。在一個較佳實施例中，根據本發明的電子組件會排列在一個積體電路的基底表面。根據本發明的電子組件製造方法，在第一絕緣層中，

第11頁 1241635 五、發明説明（8) 一個被動電子組件，以做為支撐第一絕緣層的面會形成一個上金屬電性導通連結焊墊層，的機械力施加會發生在組件期間。用簡單方式及低廉成本此’這種電子纟且件便可絕緣層乃是利用一種材於4，特別是小於3。藉且相對靈敏材料的機械好能夠形成於這個上金若這個電子組件固定或則大機械力將可能會發一個電性導通結構會形成做為至少及，在施加機械力的情況下，形成一個機械穩定結構。第一絕緣層表層，這個上金屬層會形成做為_個特別是，這個電性導通連結焊墊層連結這種電子組件或固定這種電子因此’這種電子組件便可以利獲致/個具有雙重功能的結構。因以節省空間且成本效率地達成。在另一個較佳實施例中，第一料製造’這種材料的介電常數係小此，在施加機械力時，機械不穩定穩定性便可以相當程度地改進。特別是，這個電性導通結構最屬層的某個連結區域下方，因為：連結在這個連結區域下方的區域，生’並且，導致損害及破壞。另外’本發明的其他細節則可以見於申請專利範附屬項。的〔較佳實施例的詳細說明〕在各個圖式中，相同或功能相同的組件均會具有相门的參考符號。一種電子組件EB (如第1圖所示）會具有第一絕緣層，並且，這個較佳實施例的第一絕緣層1乃是利用—種低

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五、發明說明（9) 介電常數材料製造。一個電性導通結構2會整合在第一絕緣層1裡面。這個電性導通結構2乃是形成做為一個電容奸構’並且，利用這些金屬細條Mil至M33加以構成。這: 屬細條Ml 1至M33在Z方向會彼此平行地延伸，並且，在一各’ 個例子中，這些金屬細條Μ11至Μ1 3、這些金屬細條2 1至 Μ23、及這些金屬細條JJ31至Μ33會分別形成在一個金屬平面中。這些金屬細條Μ11、Μ 2 1、Μ 3 1的排列會彼此對廉，並且’利用穿孔連接V彼此電性連接。這種情況亦同^適用於這些金屬細條Μ12、Μ22、Μ32，以及，亦同樣適用於

這些金屬細條Μ31、Μ32、Μ33。這些金屬細條Mil、Μ21、' M31及這些金屬細條乂13、M23、M33會連接至一個供應電壓位準一DC或AC電壓。這些金屬細條M12、M22、M32則會連接至地點電壓位準。這個電容結構會排列在第一絕緣胃層】中’藉以使這些金屬細條Μ1 1、Μ1 2、Μ1 3能夠平坦地終结於第一絕緣層1的下水平表面。同樣地，這些金屬細條 Μ31、Μ32、Μ33亦能夠内喪於第一絕緣層，藉以使這些金屬細條Μ31、Μ32、Μ33的表面能夠與第一絕緣層1在X—2平面的上水平面形成一個平坦表面，並且，具有基本上相同的高度位準。另一個絕緣層4 a則鄰接於第一絕緣層1，並且，利用一種具有高機械穩定性（相較於第一絕緣層i材料的機械穩定性）的材料製造。其餘組件（舉例來說，電晶體）則會形成在一個絕緣層4b中。這個絕緣層4b乃是形成在一個基底表面（圖中未系）。除了這個較佳實施例的形式以外，做為一個電容結構

第13頁 1241635 五、發明說明（10) 的這個電性導通結構2亦可以利用各種方式形成。其他類型的架構可能性可見於Aparicio， R. an(i Hajimir'i， A. · Capacity Limits and Matching Properties of Integrated Capacitors ； IEEE Journal of Solid-State Circuits ^ Vol. 37 ^ No. 3 ^ 2002 ^ pp. 384 —393，其透視圖可見於第5至1〇圖。另外，在一個半導體組件中，這個電容結構2亦可以實現做為一個格狀結構，或者，做為一個金氧半（M〇s )結構。

在這個電性導通結構2表面，一個電性導通屏幕層3會形成做為金屬層，並且，這個金屬層3會排列在第三絕緣曰層4a中。這個電性導通屏幕層3 (形成做為一個金屬板） =排列在第二絕緣層4a裡面，藉以使這個電性導通結構2 完全排列在這個電性導通屏幕層3下方。在這個較佳實施例中，第三絕緣層4a可以是一個氧化層。另外，在第三絕緣層4a表面，一個上金屬層5會形成做為一個連結焊墊、層。—這個連結焊墊層5會利用第三絕緣層4a的一個接觸孔 6，藉以連接至一個電性導通區域7。這個接觸孔6及這個電性導通區域7會排列在這個連結焊墊層5的一個連結區 BB外部。在連接及/或固定這種電子組件Εβ於一個外^ L匕1C時，'了獲致第一絕緣層1的最佳機械二疋’這個電性導通結構2基本上會排列在這個 ^區域BB下方。這個連結區域⑽的製造方法，舉例來 =旺可以包括：去除（蝕刻）這個連結焊墊層5表面的積層1 0及/或這些氧化及氮化層8及9。在這個較佳實施^例

第14頁 1241635 ^^_________ 五、發明說明（11) 中’這個沈積層1 0會形成做為一個感光氨基化合物 (pspi )層。這個電性導通屏幕層3會連接至地點電壓位準，藉以避免這個連結焊墊層5的信號耦合至這個電性導通結構2，以及’藉以避免這個電性導通結構2的信號耦合至這個連結焊塾層5。在這個較佳實施例中（如第1圖所示），若沒有形成這個電性導通屏幕層3，則排列這些金屬細條μ31至M33的金屬層亦可以形成這個電性導通區域7。

第2圖係表不這個電容結構2的透視圖，其中，這些$ 屬細條Mil、Μ21、Μ31，這些金屬細條Μ12、M22、M32，3 這些金屬細條Μ13、Μ23、Μ33，在各個例子中，僅僅利用個穿孔連接V進行接觸連接，若經由γ方向檢視。另外，這些金屬細條Μ1 2、Μ 2 2、Μ 3 2至地點電壓位準的電性連接’以及 ’ 14 些金屬細條ΜΠ、Μ21、Μ31、Μ13、Μ23、Μ3 至供應電壓位準的電性連接乃是利用穿孔連接（圖中未 Γ合^ t屬細條ΚΜ (圖中未示）達成。這些金屬細條ΚΜ 3 在第二絕緣層中（圖中未示），並且，第:

的穩ΐ性會優於第-絕緣層1 (如第1圖所示) 的機械穩定性。第二絕鏠Μ π J 絕緣層4。第二絕緣層材制;以相同於第1圖所示的第三層1材料的機械穩定性。兴、械穩定性會優於第一絕緣成一個氧化層，或者，开列來說，第二絕緣層可以製造電層。然而，這歧接觸/ f做為—個氟矽玻璃（FSG )介 —接觸細條KM亦可能僅有一個會形成在負 1241635

些接觸金屬細條KM亦可能會形成五、發明說明（12) 二絕緣層裡面。另外，這在第一絕緣層1裡面。第3圖係表示根據本發明的一種電子性導通結構2的另-個較佳實施例的平面目（由負γ方個電視）。在這：較佳實施例中，這個電性導通結構2合开心做為一個電感結構。一個具有形式的 ^跡 MB4形式的電感結構亦可以形成在複數個金跡個例子圖及第容結在這例，本發明的-個基本重點乃是：整個金屬執跡伸至ΐ 一！緣層1裡面。在螺旋内側，這個金屬執跡Μ曰以會利用二孔連接V以接觸連接至一個接觸金屬細條ΚΜ，並9 且，這個接觸金屬細條ΚΜ會連接至一個供應電壓位準。這個接觸金屬細條ΚΜ會形成在_個較高金屬層（由第1、2、 4圖的Υ方向檢視）’相較於形成這個金屬執跡ΜΒ4的金屬平面’並且’這個接觸金屬細條〇亦會形成在第二絕緣層裡面。在這個例子中，排列較高的一個金屬平面可以解釋為距離形成本發明電子組件的積體電路基底平面較遠（由相同方向檢視）、且距離形成電容結構及/或電感結構的電性導通結構2金屬平面較近的一個金屬平面。並且，在這個較佳實施例中，第二絕緣層亦可以相同於第1圖所示的第三絕緣層4 a。同樣地，這個螺旋金屬執跡MB4的外部第二側會利用

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五、發明說明（13) -個穿孔連圖中未示）中未示）連接至地點電堡位準。這細《Μ (圖二在第-絕緣層i (如第!圖個：jn 在的u絕緣層（由正以向檢視)）w…邑緣層或可能存這個電性導通結構在平面圖所示）丨是本發明的次要重：的3何面積架構（如第3 個螺旋金屬軌跡，舉來;^因此，第3圖所示的這舉例來說，第2圖所+Λ方；r同樣地’ 架構，特別是這個電性導通結電性導通紝槿的連、、，0域㈣面積，在映射至這個通結構的輪廓面積。 -夠-全包含在這個電性導中HW表7圖所示區域1的透視剖面圖。在第4圖 $笛二 ”、、一個電感結構的一個電性導通結構2會整合 j緣層1，並且’形成在四個金屬平面。在各個例 ^ k些金屬轨跡MM至仙4會分別形成在這些金屬平 2二，在各個例子中，這些金屬執·ΜΒ1至MB4會利用 I权古V彼此電性接觸連接。這些穿孔連接可以形成做柱子，或者，可以形成做為平行這些金屬轨跡ΜΒ1 MB4的加長絞線。由於所謂的階層式互連技術，這些金屬軌跡MB1至MB4 (與基底S的距離逐漸增加，由正γ方向檢視）可以具有較大的剖面（X — Y平面）及較大的間距（由正Y方向檢視）。另外，排列這個接觸金屬細條KM的第二

1241635 五、發明說明（14) 絕緣層（圖中未示）可以直接鄰接於第一絕緣層1。另外’根據第1圖的沈積層3至1 〇則可以依序排列其上。如第 4圖所示，在具有金屬線圈MB 1至MB4形式的電感結構2中，這個金屬執跡MB 4的表面區域及這個金屬執跡MB1的表面區域亦可以與第一絕緣層1的表面形成平坦表面（由平面檢視）。在第一絕緣層1内部，這個金屬執跡MB4的路徑乃是利用虛線表不’並且’舉例來說’等同於這些金屬軌跡MB 1至MB3的路徑。另外，第一絕緣層1會直接鄰接這個絕緣層4b，並且，這個絕緣層4b會形成在這個基底s表面。另外，這個電性導通結構2亦可以同時具有對應第1或 2圖較佳實施例的電容結構的第一部分結構，以及，對應第3或4圖較佳實施例的電感結構的第二部分結構。在這個例子中，一個機械穩定結構及兩個被動組件可以利用這個電性導通結構實現。另外，這些部分結構亦可以排列於彼此側邊，或者，亦可以彼此鉛直排列。另外，這個電性導電結構亦可以利用各種方法實施，並且，亦不必要限定於特定實施例。因此，這個電性導通結構亦可以形成於兩個或不止四個金屬平面。同樣地，在各個例子中’這些絕緣層亦可以利用複數個沈積層加以構成。再者，根據第1及2圖的電容結構亦可以僅僅形成在— 個金屬平面，舉例來說，藉以僅僅產生這些金屬細條 Mll、M12、M13〇、〃利用根據本發明的電子組件以及製造這種電子組件的

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個絕方法，經由單一電低介電常數材料的這種電子組件EB便支攆或穩定結構，緣層，藉以在連結力σ機械力的損害。以獲致最佳利用，域’進而獲致最小本發明的基本性導通結構在介電層）的適可以同時產生特別是針對形這個電子組件因此，這個連否則，這種電尺寸及最佳功當成形一個被成這個至一個結焊墊子組件能利用重點係，這個電性導功能，其一方面可以做為至少一被動電則可以做為這種電子組件Ε Β的機械穩定第〜絕緣層。緣層（ (塑形動組件電性導外罩期層下方將不再的組件通結構子組件結構，特別是利用 )及排列’ 及一個機械通結構的絕間，克服施的區域便可需要這個區技術。可具有雙重，另一方面特別是針對

第19頁 1241635 圖式簡單說明第1圖係表示根據本發明的一種電子組件的剖面圖。第2圖係表示根據本發明的這種電子組件中一個電性導通結構的第一較佳實施例的透視圖。第3圖係表示根據本發明的這種電子組件中一個電性導通結構的第二較佳實施例的平面圖。第4圖係表示根據第3圖的電性導通結構中某個細節的透視圖。元件符號說明 1第一絕緣層 3電性導通屏幕層 5第一金屬層 7電性導通區域 9氮化層 MB1 — MB4金屬執跡 V穿孔連接 AC電壓 I區域 EB電子組件 2電性導通結構 4a，4b絕緣層 6接觸孔 8氧化層 1 0沈積層

Ml 1--M33，KM金屬細條 DC電壓位準 BB連結區域 S基底

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Claims

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Φ* 7 第子纽件，具有： hy5V) ; ^— 於該楚 9 ^ 5)，特別是一電性導通連結焊墊層，形成一電性導^緣層（1)表面；以及加機械力^結構（2) ’整合至該第^絕緣層（丨），在施該電子級^ ’特別是在連結該上金屬層（5)及/或固定及，飛=件（EB)期間，機械穩定該絕緣層（D ，以 2.如々為：被動電子組件。該第一:利範圍第1項所述之電子、组件，其特徵在於：數係+ a'㈢（1)係利用一材料形成，該材料之介電常 3·如申：i’特別是小於3。於：利範圍第1或2項所述之電子組件，其特徵在 5亥上金屬j® < 性導通結A 2係具有一連結區域（BB)，以及，該電下方。（幻基本上係鉛直排列於該連結區域（BB) 4 ·如申請專利範圍第3項所述夕雪辜έ日杜甘& 該電性導通^盖了述之電子、组件，其特徵在於：尺寸係至少ΪΪ二f 4在平行該上金屬I ( 5)之-平面之 ,^ ^ ^等垔於該連結區域（BB)。申請專利範圍第1項所述之電子组件，A ^ + 該電性導通結構（2)係利用穿其特徵在於：條（KM)，特別是接連接(V)及電性接觸細壓位準及地點電壓位；屬'…分別電性連接至供應電 6.如申請專利範圍第】項电亍、、且仵，其特徵在於·· 1241635 _案號92126121_年月曰修正_ 六、申請專利範圍至少一電性導通屏幕層（3)係形成在該上金屬層（5)及該電性導通結構（2)間，以及，電性隔離於該上金屬層 (5)及該電性導通結構（2)。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之電子組件，其特徵在於：該屏幕層（3)係一第二金屬層，以及，連接於地點電壓位準。 8 .如申請專利範圍第6項所述之電子組件，其特徵在於：該屏幕層（3)係形成於一第三絕緣層（4a)，並且，該第三絕緣層（4a)係排列於該第一絕緣層（1)及該上金屬層（5)間。 9 .如申請專利範圍第6項所述之電子組件，其特徵在於：該屏幕層（3)係形成做為一接觸板，或者，形成做為一格狀結構。 1 0 .如申請專利範圍第6項所述之電子組件，其特徵在於：該屏幕層（3)面對該電性導通結構（2)之面積係至少等量於該電性導通結構（2)面對該屏幕層（3)之面積，並且，該屏幕層（3)面對該電性導通結構（2)之面積係進行排列，藉以使該屏幕層（3)之面積，在該等面積彼此映射時，能夠完全覆蓋該電性導通結構（2)之面積。 1 1.如申請專利範圍第1項所述之電子組件，其特徵在於：該電性導通結構（2)係形成做為一電容結構，以及/或者，形成做為一電感結構。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之電子組件，其特徵在於：該電性導通結構（2)之至少一部分區域係形成做為一電

第22頁 1241635 _案號92126121_年 jL 修正_ 六、申請專利範圍容結構’並且，具有至少二金屬平面，其中，彼此平行排列及彼此互相隔離之細條（Μ11、Μ1 2、Μ1 3)係形成於該第一金屬平面，該等細條（Μ11、Μ1 2、Μ1 3)係對應於該第二金屬平面中彼此平行排列及彼此互相隔離之細條 (Μ21、Μ22、Μ23)，並且，該等第一及第二金屬平面中 i彼此鉛直堆疊之該等細條（Mil，Μ21; Μ12，Μ22; Μ13， M23)係利用穿孔連結（V)電性連接。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之電子組件，其特徵在於：該電性導通結構（2)之至少一部分區域係形成做為一電感結構，並具至少一金屬平面，於其中係形成一螺旋金屬軌跡。 1 4 ·如申請專利範圍第8項所述之電子組件，其特徵在於·· 該上金屬層（5)係利用該第三絕緣層（4a)之一接觸區域（6)，電性連接於一電性導通區域（7)，特別是，該電性導通區域（7)係排列於該第一或第三絕緣層（4)。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之電子組件，其特徵在於：、該接觸區域（6)及該第二電性導通區域（7)係相對於該電性導通結構（2)，以及，相對於該上金屬層（5)之該連結區域（BB)地水平偏移排列。 j 6.如申請專利範圍第丨項所述之電子組件，其特徵在於：該電性導通結構（2)係形成乎面，其中，該第一絕緣層 (1)之水平表面及該第一電性導通結構（2)之表面區域

1241635 案號 92126121 年月六、申請專利範圍係形成該第一絕緣層（0之部分水平表面區域。 1 7. —種積體電路，具有一基底，以及’根據申請專利範圍第1至1 6項之任何一項所述之一電子組件（EB)，其中，該電子組件（EB)係形成於該基底表面。 1 8. —種電子組件之製造方法’其包括下列步驟·· 產生一第^一絕緣層（1)，在該第一絕緣層（ο表面產生一上金屬層（5)，特別是一電性導通連結焊墊層；以及在該第一絕緣層（1)裡面形成一電性導通結構（2)，藉以做為一被動電子組件，以及，藉以做為電性隔離於該上金屬層（5)之一機械穩定結構。 1 9·如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其特徵在於：該第一絕緣層（1)係利用一材料形成，該材料之介電常數係小於4，特别是小於3。 2 〇 ·如申請專利範圍第1 8或1 9項所述之方法，其特徵在於：該電性導通結構（2)基本上係形成在該上金屬層（5)之一連結區域下方，以及，該電性導通結構（2)在平行該上金屬層（5)之一平面之尺寸係至少等量於該連結區域 (BB)。 2 1 ·如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其特徵在於·· 該電性導通結構（2)係利用穿孔連接（V)及接觸細條 (KM) ’特別是接觸金屬細條，分別電性接觸連接至供應電壓位準及地點電壓位準。 “

第24頁 1241635 *^92126m 月六、申請專利範圍 2 2.如申請專利範圍第丨8項所述之方法’其特徵在於·· 在該上金屬層（5)及該電性導通結構（2)間形成一電性導通屏幕層（3)，該電性導通屏幕層（3)係電性隔離於該上金屬層（5)及該電性導通結構（2)，特別是產生在該第一絕緣層（丨）表面之一第二絕緣層（4a)。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述之方法’其特徵在於·· 該電性導通屏幕層（3)係形成做為一板，或者，形成做為一格狀結構，以及，連接於地點電壓位準。 24.如申請專利範圍第22項所述之方法，其特徵在於：該電性導通屏幕層（3)之水平面積範圍係至少等量於該電性導通結構（2)之水平面積範圍，以及，該電性導通結構（2)之面積範圍係完全覆蓋於該電性導通屏幕層（3 )之面積範圍。 2 5.如申請專利範圍第1 8項所述之方法，其特徵在於：該電性導通結構（2)係形成做為一電容結構，以及/或者，形成做為一電感結構。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方法，其特徵在於：該電性導通結構（2)之至少一部分區域係形成做為一電容結構，並且，在各個例子中，彼此平行排列及彼此互相隔離之細條（Mil、M12、M13; M21、M22、M2 3)係形成於一第一金屬平面及一第二金屬平面，其中，該第一金屬平面及該第二金屬平面之該等細條（Ml 1、Ml 2、Ml 3 ; M2 1、 M22、M23)基本上係對應排列，並且，利用穿孔連結（v )電性連接，並且，水平相鄰細條（Ml 1、Ml 2、Ml 3 ;

第25頁 1241635 _：_案號92126121_年月曰修正_ 六、申請專利範圍 M21、M22、M2 3)係交替連接至一第一電壓位準及一第二電壓位準。 2 7 ·如申請專利範圍第2 5項所述之方法，其特徵在於：該電性導通結構（2)之至少一部分區域係形成做為一電感結構’並且’該至少一金屬平面中係形成一螺旋金屬執跡。 2 8 · —種積體電路之製造方法，其包括下列步驟：提供一基底，以及，在該基底表面形成根據申請專利範圍第1 8至2 7項之任何一項所述之一電子組件（EB)。

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