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^11233 A7 B7 ----—-----〜-- 五、發明説明（！） 先前專利申請説明 本項申請已於1995年6月8日在美國提出’專利申請號碼 爲 08/ 489,017。 發明範圍 本發明與用於平板顯示器之場致發射裝置有關’特別和 形成場致發射装置陣列之基板有關。 發明背景 過去曾提出許多利用場致發射裝置（FEDs)來形成平板顯 示器之設^計。這些設計大多是使用錐形尖端，即一般所指 之Spindt晃端。然而，這些設計通常皆過於複雜，難以製造 ，或者過於不切實際而無法實際可靠地利用這些設計以合 理價格製造出平板顯示器。此外，Spindt尖端一般並不可靠 ，同時極難使其有足夠的一致性來預防許多問題，包括發 射光端和栅極間之短路、柵極電流過強、尖端不斷耗損及 尖端爆炸等問題。 最近在兩項正在申請中的美國專利中已提出平板顯示器 之具體實例.説明。此兩項專利皆由同一人申請。第一項專 利申請之名稱爲「使用一項外圍鑽石物質之邊緣電子發射 器之場致發射顯示器」，此專利於1993年12月7日提出申 請’號碼爲08/168,3〇1號。第二項專利申請之名稱爲「具有 完全主動抑制吸收方法之穩定式充電傳渡裝置」，此專利 於1993年12月20日提出申請，號碼爲〇8/169 232號。在 上述專利申請中所提出與F E D s和整體陣列相關之資訊均列 此做爲參考。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 i I - -- I m m , - ---1 - -11 ml —^ϋ l^i WIJ 、-0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -4- ^297公釐） A7 B7 五、發明説明（2 一般來説’上述之專利申請主要在説明在有一陣列小孔 之電介基板上所形成之邊緣發射器FEDs陣列。要在所要求 的位置形成這些所需大小的小孔是十分困難且昂貴的。此 外’在小孔形成後，通常需要採行數項沉積和掩蔽步驟以 在基板上形成FEDs。而要利用這些步驟來達成隨後每—步 驟所需之儲存不但困難而且十分昂貴。 因此，提供一個基板，以及一項製造與使用均簡單之基 板製造方法是十分必要的。 本發明:之一項目的即是要爲邊緣發射之場致發射裝置陣 列提供一項既新且經改良過的支援基板。 本發明之另一目的在爲邊緣發射場致發射装置陣列提供 —項極易製造和使用之既新且經改良過的支援基板。 本發明之再一項目的是爲邊緣發射場致發射裝置陣列提 供一種製造價格低廉，並能用於一完全自行調整過程中既 新且經改良之支援基板。 本發明之另一项目的是提供一種既新且經改良之邊緣發 射^致裝置陣列’其中較易獲得穩定俾能在整個陣列中提 供統二之電流分配。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之另一目的是爲一邊緣發射場致發射裝置陣列提 供一既新且經改良之支援基板’該陣列中可堆置多個基板 以提供所需之間隔與支援。 發明摘要 上述問題及各項目的在一種用於場致發射裝置陣列之多 個邊緣發射器中已部分解決及全部實現；在這些發射器中 木纸張尺度適财S11家縣（c叫A4規格（21Qx297公董 A7 311233 五、發明説明（3 ) 有一盤形基板’其第一面及其反面上均有相互平行且互有 間隔之凹槽’因此任何第二凹槽皆與任何第一凹槽形成某 種角度相交叉。由於此兩凹槽之合併深度大於盤形基板之 厚度’因此在每個第二凹槽與第一凹槽之交又處形成一個 穿過基板的開口。在開口内之表面上沉積有閘金屬，而在 第一面之非凹槽部分上則沉積有發射物質，俾在每一開口 内形成場致發射裝置之發射器。 上述問題及目的已在爲多個用於場致發射裝置陣列之邊 緣電子發-射器所提出之支援基板製造方法中得到進一步解 決與實現’此方法包括數項步驟：提供—盤形電介質基板， 使其第一和第二平面置於平行相反之兩面且使兩平面間有 一選擇厚度；在第一平面上，以第一深度形成多個相互平 行且互有間隔之第一凹槽，並在第二平面上，以第二深度 形成多個相互平行且互有間隔之第二凹槽；排置第二凹槽 使每一第二凹槽與每一第一凹槽成一角度而相交，由於第 一凹槽與第二凹槽之合併深度大於盤形基板之厚度，因此 在每個第二凹槽輿第—凹槽之交叉處形成一個穿過基板的 開口。， 使用上述支援基板方法之特定範例包括下列進—步之步 规：將一層閘金屬沉積在具有多個第二凹槽的第二面上之開 口内以及在具有多個第—凹槽的第一面上之開口内，同時 在每一非凹槽部分沉積發射物質以結合有多個第—凹糟之 第一面上各開口内之閘金屬而形成一邊緣發射器ώ 掛圖之簡單説1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈 '1Τ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 311233 A7 ___B7 五、發明説明（4 ) '~~~~ -— 麥考附圖： 圖1爲根據本發明之平板顯示器之橫截面圖，圖中有些部 份爲斷開者； 圖2與圖1類似，爲根據本發明經改良過的平板顯示器； 圖3至圖5所示爲根據本發明之支援基板中一個自上而下 之俯瞰圖和兩個分別自線4-4和5-5所見之橫截面圖· 圖6至20爲其他橫截面圖，與圖4或圖5類似，這些圖爲 某些部份之放大圖，顯示利用圖3所示之支援基板來製造場 致發射裝戈陣列_之各項連續步驟； 圖21爲根據本發明而形成場致發射裝置陣列之某一部份 之概圖；及 圖22爲根據本發明之平板顯示器之橫截面圖，圖中有些 部份爲斷開者。 較佳具體實例説明 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 I I I- I - κ - - . I— I I I— —I . __、?T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 現在請參閲圖1 ’此圖描續·—平面影像顯示器組合之 部份橫截面圓，組合3 0根據本發明包括一個平面陣列之邊 緣發射器。一個透明度極高的映幕組合3 1，此组合包括有 一個透明螢幕3 2 ’而一個諸如陰極照明物質層之類的能量 轉換層33和一導電陽極層34則沉積於螢幕32之上。在本特 定實例中’空隙絕緣層4 2沉積在導電陽極層3 4上，空隙絕 緣層4 2上有隙孔4 3，而隙孔4 3則界定一空隙區。 多個置於平面陣列（如簡圖所示）之電子發射器放置於圖 中虛線方塊内之一支援基板44上。基板44上有基板開口 45 。一個用於發射電子之電子發射物質層46置於支援基板44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公廣） A7 ______B7_ 五、發明説明（5 ) 之絕緣部份47上，而一個非導電層48則置於電子發射層46 上。導電閘層49置於支援基板44兩面之基板開口 45内。電 子發射物質層46最好選擇諸如瓒石，躜石類碳，非晶體靖 石類碳，铭氮化物’及任何其他能展現其表面工作功能約 小於1 . 0電子伏之電子發射物質所組成。 在圖1所示之具體實例中，支援基板44是置於空隙絕緣 層42上，以致基板開口 45與隙孔43能完全排正。請注意， 由於支援基板44隔開了導電閘層49某些部份，因此導電閘 層4 9在基_板開q45之相對兩側被分成了兩個相反表面。爲 了要控制不同電子發射器，相反表面之行或襴係作電氣聯 結，現在將詳述此點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 I- - I -I— HI ^^1 in I --- ....... - -I 1^1 身 、ve (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 背面50置於支援基板44之遠端，並界定其與基板44之間 之除空區52。一除空劑物質層53附在背面50上，並位於支 援基板44之對面。間隔器54是置於區域52内，同時觸及支 援基板44上之絕緣層48和除空劑物質層53，如此在區域 5 2開始除空時，影像顯示器组合3 0才不會失效 請瞭解， 除空劑物質層53可以圖案化而使間隔器54置於背面50之上 而非除空劑物質層53。經此説明後，並且因爲除空劑物質 層5 3通常很薄，所以在任一實例中皆認爲背面5 〇是由間隔 器54來支撑，反之亦然。 請再參閲圖1，圖中繪有一些電位源62，64，66和68， 每個電位源皆可與影像顯示器組合3 0之一個或多個元件作 業連結。此處僅爲目前討論之便而絕對無任何對操作之限 制，每個源6 2，6 4，6 6和6 8皆可與一參考電位，譬如（此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 3ϋ233 — 五、發明説明（ 處僅爲舉例）接地電位作業連接，在導電閘層49和參考電位 間作業連接電位源62。在映幕組合31之導電陽極層34與參 考電位間則連接電位源64。在除空劑物質層53和參考電位 間連接電位源66。在電子發射物質層46和參考電位間則連 接電位源6 8。 在影像顯示器組合30運作時，自電子發射物質層46所發 射出的電子會通過基板開口 4 5和間隙孔4 3而投碰在陰極照 明層33上，在其中電子會刺激光子的發射。電位源62與68 —起控制_電子的發射。電位源6 4提供一項能在間隙孔4 3中 建立一必要電場的吸引電源以提供發射電子的積聚。電位 源66爲隨機置於任一間隙孔43内，基板開口 45内或區域 52内之離子成份提供一吸引電位。電位源66會同時藉著在 除空物質層53提供一相對電位（對任一負充電之發射電子而 言），來修正所發射電子之軌道。 電位源62輿68可採一種業界熟知的方式，即讓電子發射 物質層4 6之相聯組件之發射成爲經控制的電子發射，然後 依選擇將兩·電位源加在一陣列圖像元件之所需部份^此種 經控制的電子發射是爲了使映幕組合31上所需之一個或多 個影像成爲可見影像。 根據本發明之平面影像顯示器组合3 〇之另一具體實例其 部份橫截面圖示於圖2。先前於圖丨所説明之功能同樣於此 做爲參考，但圖2之所有數字均加上一分號以顯示係不同之 實例，如圖2中之進一步説明，空隙絕緣層42，是由—疊各 與一表面相關之絕緣層70，-75,所組成，在這些表面上沉積 •9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐 H^I m tn nd ^^^1 In am - 1^1 κ^— US. ' 口 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（ 有諸如（僅爲舉例之用）鈕、鋁 '鈦、鎳或鎢等類元素之導 電層S0’-84,。因此每個導電層8〇，_84,都失在毗連的絕緣 層70·-75’之間。雖然圖2所示包括6個絕緣層和5個夾在絕 緣層間的導電層，但空隙絕緣層42,亦可使用少於或多於該 數目之導電層與（或）絕緣層。此外，部份或所有絕緣^ 7〇，-75’上亦可不沉積導電層。 圖2也繪有一電位源8 5 (用爲一電壓源），可與一導電層（ 在此例中爲導電層84，）和參考電位之間有作業連接。電位 源8 4 ’是壤來在隙孔4 3，内之電場提供所需之改變以影響被 發射電子傳送至導電陽極層34,之速度。若需要的話，其他 在此未tf出之電位源，可同樣地使用在其他導電層8〇,_83, 上0 現在請參閲圖3，圖中所示爲根據本發明之支援基板1〇〇 之骑瞰園，圖中有些部份爲斷開者。支援基板1〇〇和下列過 程及組件形成前述簡圖中基板44和441(圖1和2)之一完整 具體實例》同時，爲了能對支援基板〗〇〇有更佳之瞭解， 圖4和5示出.在圖3中分別自線4_4和4_5所見之橫截面圖。 支援基板100通常是一個由玻璃或任何其他經適當強化 過的介體物質所形成的盤形之介質基板，此板上有兩個隔 開且互相平行的平面1〇1和1〇 2。在平面上有多個相互 平行且互有間隔之凹槽103，其選定深度爲、。同時在平 面102上有多個相互平行且互有間隔之凹槽1〇4，其選定深 度爲d2。凹槽1 〇 4經排放後使得每一凹槽〗〇 4皆與每—凹槽 103以一角度相交，在此例中之角度爲9〇度。之合 -10- '.氏張尺度it用f gjg家襟準（CNS ) Μ規格（2淑29?公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 併總深度應比支援基'板100之厚度大，因此在每一凹槽1〇4 與每一凹槽103之交又點或區域内形成一個開口 105，穿過 支援基板1〇〇 °因此’支援基板界定了一個以行及欄排列 的開口 1 0 5平面陣列。 在此特定實，例中’凹槽103和1〇4是去鋸切支援基板ι〇〇 之面101和102而形成。在録切時爲要儘量減少碎片和其他 缺點’同時爲了要使切邊既光銳又平滑，特別是當支援基 板爲一玻璃盤時，支援基板10〇會先塗上一層金屬或有機 物質。該-塗料在-需採用任何刻蚀方式來改良凹槽1〇3和1〇4 底部之輪廓時（減低圓化等），可被用爲一個能自行調整之 刻姓面罩。當凹槽103和104在支援基板100上形成後，通 常視所採用之塗料物質而定，可以任何方便之方法除去該 塗料6 請參閲圖6和7，均爲支援基板100之橫截面圖，分別與 圖4和5類似。圖中所示爲另一項製造多個邊緣電子發射器 過程中之步驟。一閘金屬層1〇7是由表面102以外之某一來 源（未繪出）而沉積在凹槽1 0 4和1 0 3之兩侧。此種沉積可以 任何熟知的方法，譬如濺散等方式來產生。閘金屬層1 〇 7 在凹槽1 0 4之兩侧形成一連續層（見圖6 )，但是，由於面 1 0 2在沉積時形成一陰影罩，所以在凹槽1 〇 3兩側之閘金屬 層1 0 7中產生有中斷情形（見圖7 )。此處將詳述位於凹槽 103兩侧之中斷閘金屬層1〇7如何形成邊緣電子發射器之萃 取電極。 在沉積閘金屬層1 〇 7後，即磨光面1 〇 1和1 〇 2以除去任何 -. -11- 本紙乐尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 311233 A7 ________B7 五、發明説明（9 ) 可能在其上所留之閘金屬。在層i 〇 7中剩餘的閘金屬則在 凹槽1 0 4之兩側形成一連續導體，並在凹槽1 〇 3在兩側形成 和連續導體相連之個別萃取電極。在此特定實例中，連續 導體（層107)用做平面陣列電子發射器各行之連結^接著則 在層107上沉積一相當厚的犧牲（sacrificiai)金屬或其他物 質層1 0 8以爲閘金屬層} 〇 7提供間隔與防護，這種情形在此 可明顯看出。圖8所示爲一凹槽ι〇3(自圖6而來）邊緣部份 之放大圖，以顯示層1〇 7和108與面101之關係。 圖9爲支援基板1〇〇之正面圖（如同自風3之右侧看起）， 圖中顯示製造多個邊緣電子發射器過程之進一步步驟。一 層薄薄的絕緣層U 2 (通常由某些諸如氧化物類的方便物質 組成）會藉由諸如電漿增強化學蒸氣沉積法（plasma enhanced chemical vapor deposition,此處簡稱爲 PECVD)、 蒸發法、濺散法等類似之合宜方法而在支援基板l 〇 〇之面 101上形成。絕緣層112(可爲lA m之厚度）是用來隔絕並 分開萃取閘層1 〇 7與發射器1 1 3。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 n In n - m IT n n n II _ In n· n T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發射器113是藉由某些如PECVD、蒸發、濺散類之合適 方法而在絕緣層112上形成。發射器113可能爲單一導電物 質層或爲一項正申請美國專利中的多層發射器組合，該專 利於1993年12月7日提出申請，專利名稱爲「使用外圍鑽石 物質之邊緣電子發射器之場致發射顯示器」，申請號碼爲 08/16 8,301號。同時，此發射層可能爲鑽石類碳物質，鋁氮 化物、铯元素或任何其他低作用功能物質（即小於1 . 5伏特 者）。在此特定實例中，發射器1 1 3包括金屬層1 1 4、鑽石 - -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 五、發明説明（1()) 類碳物質層115及另一金屬層116。 若不需加以穩定時，金屬層1 1 4或1 1 6或兩者皆可連結成 發射器引線（欄連結）。在此例中，犧牲層108會在此時被移 去，而發射器113和層112會被剪下以至能與萃取閘層1〇7 之外緣對齊。面朝凹槽103内之層115，其邊緣做爲發射表 面，而整個結構則形成一個平面距陣（行/欄的邊緣發射冷 陰極電子源或場致發射裝置。若支援基板10〇被納入平面 影像顯示器中，一如支援基板44時，則一項「距陣可定址 冷陰極顯#器」即因而產生。 若發射器1 1 3需加以穩定時，則至少層1丨6或層1 1 6和 1 1 4兩者皆可由一阻性物質（例如摻雜（α )矽）所形成。接著 ’一導電層120(由鋁類之方便物質組成）即藉著某種方便方 法（如摹製、蒸發、濺散之類之方法）而在發射器i丨3之層 116上形成。視用來形成層"2、發射器113和層12〇之方 法而定，可能需要在接觸外界之面上，而非在面1〇1上形 成掩蔽層’而此掩蔽層和其他多餘物質稍後會被移除；以 確定最後產生之組合與圖i 〇所示之組合相類似，無論其兩 侧是否有突出部份。 圖1 1和放大圖1 2極清楚的顯示，—光阻層i 2 i或其他掩 蔽物質在導電層120之表面上形成，而最好將導電層12〇加 以刻蝕，以便能至少移除其突出部份。接著，如圖丨3和放 大圖1 4所示將層1丨3和丨丨2加以刻蝕或作其他處理以至少 除去突出部份。第二光阻層125或其他掩蔽層在導電層12〇 之表面形成，而導電層丨2〇最好向後刻蝕（後退）—段相當距 I I - - 1 I - 士良 -»- - -II ..... m - - - : . . X» -3^-5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) __ -13- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3X1233 A7 *------ 五、發明説明（u) 一 ' —- 離’俾爲發射器113形成-個大致位於中間的導線，如圖 15和放大圖16所示。如圖16所示，使導電層12〇後退之原 因是要在最後發射器引線（導電層12〇)和發射器ιΐ3之一發 射表面間提供一適當的侧向穩定電阻。 在導電層120後退至所要之寬度後，層in和犧牲層ι〇8 即以某種方式（如刻蝕方式）除去（視用來形成犧牲層1〇8之 物質類型而定）。如圖17和放大圖18所示，移除犧牲層1〇8 使得層112和113突出在外，或伸入凹槽1〇3中。爲正確操 作邊緣場敦發射-器，最好將層112和113剪到使其能與萃取 閘層107之外緣對齊之點爲止。這可藉著使用許多技巧來 達成。例如，突出部可用溼的或氣體磨擦灰泥磨光而自面 1011方向導過開口 105。也可使用工具插入凹槽1〇3以機 械方式剪除突出部份，或加以掩蔽和刻蚀。 如圖19和放大圖20所示，面13〇在層115之外緣形成， 面向凹槽103並藉間隔層112之寬度而與萃取栅層ι〇7相隔 開。面130爲電子射入凹槽1〇3之邊緣或表面。導電層120 供至面130之欄連接，而部分電阻物質層I〗#與/或116 在導電層1 2 0與表面1 3 0之間做爲侧向穩定電阻器。穩定電 阻器所供應之電阻量主要是視層112和116所用之物質以及 位於層120和面130間之距離” d”而定。 圖2 1所示爲一自行對齊之摹製過程，此過程在使導電層 120產生後退。在此過程中’層1〇7 ' 112、發射器.113和 導電層12〇之形成如圖10或圖13所示而在導電層12〇之面 上，藉著某種便利之方法（如滚動塗膜等類之方法）提供一 一 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 A7 _____ B7 五、發明説明（12 ) 陽極光阻層135。將鏡子140置於與面101和光阻層135平 行且相隅一段距離之位置，而光則自支援基板1〇〇之邊1〇2 引入射在鏡子140上》此光射過開口 1〇5後反射到光阻層 135上，但因掩蔽充份，僅能使光阻層135之邊緣曝光。事 實上，目前已發現，光阻層135之兩緣均可由一幾乎已瞄 準的光源’以正常光度同時曝光〇若已知光源之發射角度 ’則可正確計算出要放置鏡子i 40距光阻層丨3 5之距離而獲 得所要之後退。光阻層135被曝光部份即被移除，而藉著 將層135當做一掩蔽罩來選擇性地刻蝕導電層12〇。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖22所示爲根據本發明之平板顯示器230之一横截面圖 。其中一個透明度極高的映幕組合231包括有一個透明勞 幕’在其上沉積有如前所述之諸如陰極照明物質層和導電 陽極層之類物質之能量轉換層。一空隙絕緣組合242由堆 疊的基板232至236而形成（與上述支援基板ι〇〇類似），其 中之開口以軸狀方式對齊。自基板232至236所對齊的開口 界定了隙孔243。一支援基板275(在此板之面上形成有單 —導電層，如圖2所述）堆疊在基板236上，其開口以軸狀 方式相互對齊。一單一基板276堆疊在基板275上，作爲一 間隔器，而支援基板244(與圖19與20中之基板1〇〇類似） 堆疊在基板2 76上，其開口以軸狀方式與前述所有基板之 開口對齊。支援基板244如前所述（即圖19和20所述）被加 以處理而在其上提供一平面陣列的邊緣發射器。一背板 250則置於相對於支援基板244乏末端，而在基板244和背 板2 5 0之間則有三個基板2 5 4堆疊在一起以形成一間隔器而 一- -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 311233 A7 ---------B7_ 五、發明説明（13) 界定出一除空區域252。除空劑物質層253置於背板250上 並與支援基板244相對。各個基板彼此緊密相接，並以某 種接著劑（如半鎔玻璃之類）與螢幕組合231和背板25〇黏接 在一起。 每個堆疊的基板232至236、基板275和276、支援基板 244、以及三個基板254在内部隙孔被抽空後，彼此相鄰堆 #而互相支撑抵抗外部（如大氣的）壓力。爲了使基板間四 周能加以密封，因此每個基板包括有一矩合接頭285，在 每組凹槽_1 0 3與_1 04之兩端並與每組凹槽1〇3及104平行， 且在該基板之同一侧。接著，矩合接頭即填滿了密封劑， 在此實例中爲半鎔玻璃，以使各基板以毗鄰方式密封—起 〇 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -- - 1 I I—i 1 m. 1— -* - -- -I— I I I 、vs (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，此處即示出用於邊緣場致發射裝置陣列之一種既 新且經改良之支援基板，此基板既簡易且造價低廉，同時 也大爲簡化了邊緣發射場致發射裝置之製造過程。此外， 此既新且經改良之支援基板可利用一完全自行對齊之過程 來製造邊緣發射場致發射裝置陣列，因而簡化製造過程並 更進二步地降低成本。除此之外，此項既新且經改良之支 援基板可將穩定電阻器併入邊緣發射場致發射裝置陣列中 ，以提供整個陣列中一致的電流分配。此一既新且經改良 之支援基板可方便地堆叠在一起’如堆積木般’而爲邊緣 發射場致發射装置陣列提供所需的間隔與支援。 雖然我們在此已示出並説明了本發明之具體實例’但熟 於此項技藝者仍可作更進一步之修正與改良。因此，我們 - : -16- 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） SI12S3 A7 B7五、發明説明（14)希望大家瞭解，本發明並不僅侷限於本文中所示之特定形 式，而下列之申請專利範圍均涵蓋所有不偏離本發明精神 與範疇之修正。 ·1 ί ml am fn ffm --*"* 、V5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 /71. —種用於場致發射裝置陣列之多個邊緣電子發射器中之 支_蓋羞板..，包括： 一個盤形電介質基板’具有彼此平行且相反之第一平 面和第二平面，在此兩平面間有一選擇的厚度； 多個在第一平面上以第一深度所形成之彼此平行且互 有間隔之第一凹槽；以及 多個在第二平面上以第二深度所形成之彼此平行且互 有間隔之第二凹槽’同時擺放第二凹槽而使每個第二凹 槽均以一角-度與每個第一凹槽相交叉，第一凹槽與第二 凹槽合併深度大於盤形基板之厚度，如此在每個第二凹 槽和第一凹槽之交叉處或交又區形成一通過該基板之開 α 。 場致發射裝置陣列之多個邊婕雷子發射器，包括： :盤形基板，具有彼此平行且相反之第一和第二平 此兩平面間有一選擇的厚度； 多個在第一平面上以第一深度所形成之彼此平行且互 有間隔之第一凹槽，每個第一凹槽在其相對兩侧有第— 表'面界定每個第一凹槽，同時在第一平面上有多個非凹 下部分位於相鄰之第一凹槽間； 多個在第二平面上以第二深度所形成之彼此平行且互 有間隔之第二凹槽，每個第二凹槽在其相對兩侧有第_ 表面界定每個第二凹槽，擺放第二凹槽以使每個第一 槽與每個第一凹槽以一角度相交叉，由於第—凹槽與第 二凹槽之合併深度大於盤形基板之厚度，因此在每個第 -18- 本紙張^^·適用中國國家標準（CNS ) Α4%#· ( 210X297公釐） . I I 、-» (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   '申請專利範圍 一凹槽與第一凹槽之交又處或交又區形成一通過基板之 開口； 一層閘金屬，在每個開口内沉積在多個第二凹槽之第 —表面上，並沉積在多個第一凹槽之第一表面上；以及 在每個非凹下部分支援之發射物質，與在每個開口内 多個第一凹槽之第一面上之閘金屬層結合而形成一邊緣 發射器。 .種場致發射裝置陣列，包括： 一，盤形基板，具有彼此平行且相反之第一和第二平 面，在此兩平面間有一選擇的厚度； 多個在第一平面上以第一深度所形成之彼此平行且互 有間隔之第一凹槽，每個第一凹槽在其相對兩侧有第— 表面界定每個第一凹槽，同時在第一平面上每相鄰之第 —凹槽間有多個非凹下部分； 多個在第二平面上以第二深度所形成之彼此平行且互 有間隔之第二凹槽，每個第二凹槽在其相對兩侧有第二 表面界定每個第二凹槽，擺放第二凹槽以使每個第二凹 槽與每個第一凹槽以一角度相交叉，第一凹槽與第二凹 槽之合併深度大於盤形基板之厚度，因此在每個第二凹 槽與第一凹槽之交叉處或交叉區形成一通過基板之開口 9 一層閘金屬在每個開口内沉積在多個第二凹槽之第二 表面上，並沉積多個第一凹槽之第一表面上，該金屬層 至少延著每個第二凹槽之一個第二表面連續延伸，並形 I m I m m m In m I ! .^1 m n n I— T 、v6 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 -19-

   經濟部中央標牟局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ----~----^_ 六、申請專利G ' - 成該陣列各行之導體； 在每個非凹下部分支援之發射物質，與在每個開口内 多個第一凹槽之第一面上之閘金屬層相結合而形成一邊 緣發射器’其中發射物質延著每個非凹下部分連續延伸 ’並形成該陣列各欄之導體；以及 —個光學上透明的面板組合，與盤形基板相隔並與第 一和第二平面相平行，此面板组合包括陰極照明物質和 一導電陽極並經適當放置以接收自發射物質所發射之電 子。 _ 4_ 一種製造用於場致發射裝置陣列之多個逢緣電子發射器 之支援基板的方法，包括下列步驟： 提供一個盤形電介質基板，具有彼此平行且相反之第 一平面和第二平面，在此兩平面間有一選擇的厚度； 在第一平面上以第一深度形成多個彼此平行且互有間 隔之第一凹槽；以及 在第一平面上以第二深度形成多個彼此平行且互有間 隔之第二凹槽，適當放置第二凹槽以使每個第二凹槽以 一角度與母個第一凹槽相交叉，第一凹槽與第二凹槽之 合併深度大於盤形基板之厚度，如此在每個第二凹槽和 第—凹槽之交叉處或交又區形成一通過該基板之開口。 5.—種製造用於場致發射裝置陣列之多個邊緣電子發射器 之方法，包括下列步驟： 提供一個盤形電介質基板，具有彼此平行且相反之第 一平面和第二平面，在此兩平面間有一選擇的厚度； ' -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公嫠） n - - I- I 1-11 - - - - - - ! ^ —i— I— — - -----I I I "、va (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   在第一平面上以第一深度形成多個彼此平行且互有間 隔之第一凹槽，每個第一凹槽在其相對兩側有第一表面 界定每個第一凹槽，同時在第一平面上每相鄰之第一凹 槽間有多個非凹下部分； 在第二平面上以第二深度形成多個彼此平行且互有間 隔之第二凹槽，每個第二凹槽在其相對兩侧有第二表面 界定每個第二凹槽，安置第二凹槽以使每個第二凹槽與 每個第一凹槽以一角度相交又，第一凹槽與第二凹槽之 合併深^度大於盤形基板之厚度，因此在每個第二凹槽與 第一凹槽之交叉處或交叉區形成有一通過基板之開口； 至少在每一開口内每一第二凹槽之一個第二表面上並 至少在每一第一凹槽之一個第一表面上沉積一層閘金屬 ;以及 在每個非凹下部分沉積發射物質俾與每個開口内多個 第一凹槽之第一表面上之閘金屬相結合而形成一邊緣發 射器。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )六4洗格（210X297公釐）