317001 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印— 五、發明説明（1 ) 〔發明之領域〕 本發明係關於一種半導體裝置之製造方法，尤其是， 關於一種適合於微細加工的半導體裝置之製造方法。 〔關連技術〕 在近幾年之半導體裝置，爲了提髙該稹體度或提高附 加價值，微細化有長足之進步。隨著此，被要求在微細加 工上要求之重叠精確度，尺寸精確度，或在異物管理等極 髙位準。 第1 0圖係表示以往之微細加工技術的例子。在第 1 0圖，在基板5 1上存有鋁配線5 2，又，由氧化膜所 成之被蝕刻層5 3形成在基板1 1上全面。形成用以加工 由氧化膜所成之被蝕刻厝5 3所用之罩幕靥所用的光阻層 54，塗佈在被蝕刻層53上。 爲了在光阻層5 4形成圖型，經由罩幕5 7實施曝光 ，若上述光阻層5 4爲正光阻時，曝光顯像被曝光部5 5 俾實行圖型形成。 但是，若微細化進步，因被要求尺寸精確度極高位準 ，因此依光阻層5 4底子之反射所產生之尺寸變成不可忽 略。具體而言，代表在第1 0圖之光路5 6之最光現象的 現象。降低依被蝕刻層5 3之鞏光現象所產生的尺寸精確 度，係依存在對於被蝕刻層5 3之曝光光的反射率。在氧 化膜所成之被蝕刻層之下層，有對曝光光具有高反射率之 鋁等餍時，或被蝕刻層本體爲矽化鋁或矽化鎢等金屬系時 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) I 1--111 訂-1111《線—-I 11-*1— 1 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
J1I i I I II - - 1— m I -4 - 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 317001 A7 B7五、發明説明（2 ) ，則其傾向愈顯著地出現。 作爲解決該問題所用之技術之一種，有使用混入降低 光阻本體之透過率之染料的具有模之光阻的技術。 但是，因在光阻放進染料，則會降低光阻性能，因而 逐漸不合適於被要求微細圖型的最前端之半導體裝置製造 過程。又，具有模之光阻並不是暈光現象之根本解決對策 〇 近幾年來開發所謂ARC (Anti Reflection Coat) 之技術。在該ARC,有上塗型式與下塗型式之兩種類。 第1 1 A、1 1 B圖係表示使用對於暈光現象有效果 的下塗型式之ARC的技術。在第11A圖中，在基板 6 1上存有鋁配線6 2，又形成有被蝕刻層6 3 »被蝕刻 層6 3之曝光時，爲了防止該曝光光之反射，塗佈有 ARC材料6 4。又，在ARC材料6 4之表面形成有光 阻層6 5。 使用該AR C技術之曝光方法，係與以往技術同樣地 ，因在光阻層6 5形成圚型，因此經由罩幕6 8來曝光被 曝光部66。作爲ARC材料64，有在顯像時，藉顯像 液之濕蝕刻效果，除去位於被曝光部6 6下部之ARC層 之圖型領域6 7的型式。作爲其他型式，有在顯像時，未 除去ARC層的圖型領域6 7，將上部光阻層6 5作爲罩 幕層，藉乾蝕刻，除去ARC層之圖型領域6 7俾形成模 式的型式。前者係過程較短，惟在濕蝕刻時有側蝕刻進入 之傾向，而在尺寸精確度有困難。後者係在尺寸控制性上 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) A4現格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 - 經濟部中央標準局β；工消費合作社印裝 A7 ------------B7 五、發明説明（） <5 較髙，惟會增加過程。使用任何方法，局部地除去AR c 材料6 4，如第1 1B圖所示地加工。 但是’在表示於第1 1A ’ 1 1 B圖之以往技術具有 如下之問題點。在表示於第1 1 A，1 1 B圖之以往技術 ’因直接將AR C材料6 4塗佈在具有陡峻段差的被蝕刻 層6 3上’因此依場所，ARC材料6 4之厚度會形成不 相同》ARC材料6 4對於曝光光的防止反射效果因係依 存在ARC材料6 4之膜厚，因此依場所，成爲對曝光光 之反射率有不相同。結果，段差部之上部光阻圖型之尺寸 會變化。故使用ARC材料時，有尺寸控制在結果上會降 低’無法得到半導體裝置所要求之尺寸精確度的問題。 〔發明之概要〕 本發明之目的，係在於提供一種蝕刻覆蓋段差部所形 成之被蝕刻層時，以均勻膜厚可塗佈A R C材料，而且在 光阻靥之曝光時不降低生產量下充分地曝光，而可提髙該 光阻圖型之尺寸控制性的半導體裝置之製造方法。 本發明之其他目的：係在於提供一種設置以均勻膜厚 塗佈A R C材料所用之平坦化層，也不會增加平版印刷術 過程，仍可髙精確度地蝕刻被蝕刻層的半導體裝置之製造 方法。 本發明的半導體裝置之製造方法，其特徵爲：具有 覆蓋包括段差部之領域並形成被蝕刻層的過程，及 在上述被蝕刻層上，以1 . 5 Mm以下之膜厚形成藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4说格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 -6 一 317001 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（） 4 第1曝光光所感光之材料所成的第1光阻層，反映上述段 差部而緩和產生在上述被蝕刻層之段差高度7 0 %以上， 將上述第1光阻層之表面予以平坦化的過程，及 在上述第1光阻層上，對第2曝光光以0. 2//m以 下之厚度形成低反射率之非反射層的過程，及 在上述非反射層上，形成藉上述第2曝光光所感光之 材料所成之第2光阻層的過程.，及 藉上述第2曝光光曝光上述第2光阻層，然後顯像， 在上述第2光阻層形成圖型的過程，及 ， 在上述非反射層，形成與上述第2光阻層之上述圖型 實質上相同之圖型的過程，及 將上述第2光阻層及上述非反射層作爲罩幕，藉上述 第1曝光光全面曝光，然後顯像，在上述第1光阻層，形 成與上述第2光阻層之上述圖型實質上相同之圖型的過程 ，及 然後，至少將上述第1光阻層作爲罩幕，局部地蝕刻 被蝕刻層的過程。 依照本發明方法，因在被蝕刻層與非反射層之間，形 成有反映段差部而緩和產生在被蝕刻層之段差髙度7 0% 以上之膜厚的第1光阻層，因此可將非反射層形成大約均 勻之膜厚。因在被平坦化之第1光阻層上形成有非反射層 ，因此而使將其反射層之膜厚作爲2 //m，較理想爲 1. 5//m以下之薄膜，也可形成均勻之膜厚。由此，可 確保非反射層上層之第2光阻層之髙圖型精度。非反射層 本紙張尺度逍用中國困家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T -7 - A7 B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印袋 五、發明説明（c ) 5 及第1光阻層係因將高精確度之第2光阻層作爲罩幕層施 以圖型，因此，結果可提高被蝕刻之蝕刻領域的尺寸精確 度。尤其是，因非反射層爲0. 2以下之薄膜，因此 ，可減少有關於非反射層之圖型領域的尺寸變動或形狀劣 化的側蝕刻之要因。由此，也可提高被蝕刻之蝕刻領域的 尺寸精確度。 依照本發明，又因第1光阻層係1. 5 //m以下之膜 厚，因此將該上層作爲罩幕層而全面曝光第1光阻層時， 不會降低生產量，在該膜厚方向可充分地曝光。 由該觀點可說，第1光阻層之厚度係形成段差部之髙 度未滿兩倍較理想。 上述第2光阻層係使用此上述第1光阻層高析像度之 材料所形成較理想。在第2光阻層較下層（包括第1光阻 層）之圖型精確度，係依存於第2光阻層之圖型精確度所 致。 一方面，上述第1光阻層係使用比上述第2光阻層高 曝光感度之材料所形成較理想。如此，將第1光阻層之上 層作爲罩幕層而藉全面曝光施以曝光時，可提高生產量。 在上述第1光阻層中可混入吸光劑。由此，可更提髙 第2光阻層的曝光精確度。 上述非反射層之圚型形成過程，係將上述第2光阻層 作爲罩幕層，並·可濕蝕刻上述非反射層*因提髙第2光阻 層之圖型精確度，因此，可將非反射層比以往者以髙精確 度形成圖型。 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---;--7----《-裝-- (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂
A -8 - 317001 Α7 Β7 經濟部中央揉準局貞工消费合作社印装 五、發明説明（6 ) 上述非反射層之圖型形成過程，係將上述第2光阻層 作爲罩幕層，並可乾蝕刻上述非反射層較理想。在被反射 層之圖型領域可減少側蝕刻靥，可更提高被反射層之圖型 精確度。 在上述第2光阻層上，又設置形成上塗型式之其他非 反射層的過程也可以。此時，在藉上述第2曝光光曝光上 述第2光阻層時，可防止在上述第2光阻層中上述第2曝 光光形成多重干擾。因此，可更提髙第2光阻層之圖型精 確度。此時，將上述第2光阻層對上述第2曝光光的折射 率作爲η時，而將上述其他之非反射層對上述第2曝光光 的折射率Ν比η小，並將上述第2曝光光之波長作爲λ時 ，上述其他之非反射層之厚度係實質上爲d = λ/4 Ν較 理想。如此，在上述第2:光阻層中，使上述第2曝光光可 有效果地防止多重干擾。尤其是，若將上述其他之非反射 層對上述第2曝光光的折射率Ν接近（η ) 1/2時，則可 更提髙多重干擾之防止效果。 在上述第2光阻層上，又可設置形成不透明膜之過程 。此時，在上述第2光阻層之曝光過程，上述不透明膜中 ，照射有上述第2曝光光之領域變化成透明領域。又，在 該曝光過程，經由上述不透明膜之上述透明領域。藉上述 第2曝光光，形成上述第2光阻層被曝光。因此，抑制曝 光光入射至第2光阻層之圖型形成領域外側，可提高第2 光阻層之圖型形成精確度。 作爲上述第1曝光光，使用準分子雷射光較理想。曝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -9 - A7 B7 五、發明説明（7 ) 光第1光阻層時的非反射層之第1曝光光的繞射，係比短 波長少。由此，可提髙第1光阻層之圖型形成精確度。 作爲上述第2曝光光，.隨著第2光阻層之加工尺寸， 可使用i線或準分子雷射光。 依照本發明方法的半導體裝置之製造方法的其他態樣 ，其特徴爲：具備 覆蓋包括段差部之領域形成被蝕刻層的過程，及 在上述被蝕刻層上形成平坦化層，將該平坦化層之表 面形成大約平坦的過程，及 在上述平坦化層上，對於曝光光形成低反射率之非反 射層的過程，及 在上述非反射層上，將藉上述曝光光被感光之材料所 成的光阻層，形成比上述段差部之髙度較厚的過程，及 藉上述曝光光曝光上述光阻層，然後顯像，局部地除 去上述光阻層形成圖型的過程，及 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，在對應於上述光阻層之上述圖型之領域，直到 局部地除去上述被蝕刻層爲止，全面地施行各向異性蝕刻 的過程。 如此，爲了將非反射層成爲均勻之膜厚，即使追加平 坦化層，也不要該平坦化層成爲形成圖型所成的平版印刷 術過程，因而不會增大過程。平坦化層係在將非反射層之 上層的光阻圖型作爲罩幕而將被蝕刻層施以蝕刻時之同時 被蝕刻。 上述非反射層係可功能作爲平坦化厝之上塗型式。此 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10 - 317001 A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印*. 五、發明説明（。） 〇 時，非反射層係經由上述光阻層透過所入射之上述曝光光 ，可將該透過光關閉在上述平坦化餍中。由此，可提髙位 於非反射層上層的光阻層之形成圖型精確度》 在此，將上述光阻層對於上述曝光光之折射率爲η時 ，則將上述非反射層對於上述曝光光之折射率Ν成爲比η 小之數值較理想。又，上述非反射層對於上述曝光光之折 射率Ν接近（η ) 1/2之數值較理想。又，將上述曝光光 之波長作爲λ時，上述非反射層之膜厚d係實質上爲 d = Λ/2 N較理想》如此，則可提髙在上述平坦化層的 曝光光之關閉效果。 上述平坦化層係因不必藉平版印刷術過程施以圖型形 成，因此，可使用對於上述曝光光不感光之材料，例如未 具有感光功能的光阻等來形成。 〔實施例〕 以下，參照圖式說明本發明之實施例。 〔第1實施例〕 在第1圖中，在基板1 1上形成有鋁（A1 )配線 1 2。該鋁配線1 2係事先使用平版印刷術過程施以圖型 形成，而在存在鋁配線1 1之領域與未存在領域之間，形 成有段差部1 0。該段差部1 0之髙度T係與鋁配線1 2 之膜厚一致，在本實施例爲T=0. 4ym。覆蓋形成有 該段差部1 0之基板1 1之全表面，形成有氧化膜所成的 本紙張尺度逍用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ·(-裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本页) -11- 經濟部中央棣準局貝工消费合作社印裝 A7 _B7_五、發明説明（g ) 被蝕刻層1 3。此時，產生在該被蝕刻層1 3之段差髙度 係成爲（a — b)，該數值係成爲小於段差部10之髙度 T。 在該被蝕刻餍1 3之表面，以段差部1 〇之髙度T之 未滿2倍的0. 7 /ζιη厚度，藉自旋塗佈法塗佈具有作爲 平坦化目的感光功能的第1光阻層1 4。塗佈後，在基板 溫度7 0°C下實施9 0秒鐘之烘乾處理。藉上述第1光阻 層1 4，施行緩和被蝕刻層1 3之段差高度（a — b )之 7 0%以上的平坦化，而在第1光阻層1 4之表面解決形 成有陡峻之段差。在此，換言之，緩和被蝕刻層1 3之段 差髙度（a - b)之70%以上的平坦化，乃反映段差部 1 0而殘留在第1光阻層1 4上的段差之髙度，爲被蝕刻 層1 3之段差髙度（a -b)之3 0%以下。亦即，將從 基板11之表面至第1光阻層14之表面爲止之最大距離 爲Η MAX，而將最小距離爲Η MIN時，則〔（Μ ΜΑΧ — Η MIN )/(a — b) 〕xlOO之數值成爲30%以下。 第1光阻層1 4係爲了實行平坦化，其膜厚愈厚愈佳 ，惟考量以後之全面曝光時，若過厚時，尤其是位在下部 之層的曝光會成爲不完全。因此，將第1光阻層1 4之厚 度作爲1. 5 以下，在本實施例係作爲段差部10之 高度T之未滿兩倍的0. 7#m。 段差部1 0之髙度T係與配線層1 2之膜厚相同，該 配線層1 2之厚度最大也在0 . 8 。由此可知，第1 光阻厝14之厚度爲將段差部1〇之最大值之未滿兩倍的 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 317001 A7 B7 經濟部中央標準局Λ工消费合作社印製 五、發明説明（1Q) 1. 5作爲上限，即使在該值以下也可充分施以平坦 化。如此，若爲該1. 5#m以下厚度的第1光阻層，在 全面曝光時可在厚度方向實行充分之曝光。 在該被平坦化之表面上，藉自旋塗佈法塗佈AR C材 料15成爲0. 2/zm厚。在此，藉下層之第1光阻層 1 4，塗佈形成有ARC材料1 5之表面事先被平坦化， 因此可用0. 2 Mm之薄厚均勻地塗佈ARC材料。若未 存在平坦化層時，對於以須以約0. 5厚塗佈ARC 材料者，如本實施例，ARC材料係也同時達成約0. 2 私m之薄膜化。藉該薄膜化，如下所述，將上層之第2光 阻層1 6作爲罩幕而在除去ARC材料1 5時，可減少有 關於ARC材料1 5之圇型領域1 5 a (參照第2圇）之 尺寸變動或形狀劣化的側蝕刻之要因。 然後，以1.lMm厚度藉自旋塗佈法塗佈在上述 ARC材料1 5上具有感光功能的第2光阻層1 6。塗佈 後，在基板溫度9 0°C，實施9 0秒鐘之烘乾處理。 之後，如第2圚所示，實施第2光阻層1 6之圖型形 成》爲了在第2光阻層16形成圖型，經罩幕20曝光被 曝光部1 6 a，然後實行顯像，除去上述被曝光部1 6 a 〇 此時，因大部分曝光光被ARC材料1 5所吸收，因 此入射於底子之鋁配線1 2的曝光光會減少。故，來自底 子之鋁配線1 2之曝光光的反射係抑制成不.會影響到圖型 形成的程度。又，在第1光阻層1 4混入吸光劑，則也可 • * (券 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
T 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -13 - 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 A7 ______B7五、發明説明（n) 減少來自底子之鋁配線12之曝光光之反射。 又’本實施例時’在第2光阻靥1 6之顯像時同時除 去位於被曝光部1 6 a下部之arc材料1 5的圖型領域 1 5 a。此時，ARC材料1 5之圖型領域1 5 a係對於 鹼性之顯像液表示溶解性者，而在顯像時被濕蝕刻。由此 ，如第3圖所示，同時地圖型形成有第2光阻層1 6與 ARC材料1 5。而且，因ARC材料係薄至〇. 2仁m ’因此，在圚型領域1 5 a，難產生側蝕刻等之形狀變化 ’可加工成髙尺寸精確度。又，從抑制圖型領域1 5 a之 形狀變化的觀點，ARC材料1 5之厚度係較理想是 0. 2ym以下，最理想是〇. 15#m以下，0. 10 Am以上者。若低於下限值，則較難均勻地形成Ar c材 料1 5，又會增加來自底子層之反射。 在此，在以後之過程中，因依存於第2光阻層1 6的 圖型領域1 6 a之尺寸精確度，因此，第2光阻層1 6係 對於使用於該第2光阻層16之曝光爲髙析像度之材料較 理想。爲此，第2蝕刻層1 6係比第1光阻層1 4髙析像 度之材料，例如以曝光光之波長或其以下之尺寸可析像之 材料較理想。 作爲第2光阻層1 6所之曝光光，若考置微細圖型之 析像時，則使用隨著其加工尺寸的最合適之波長的光，例 如’加工尺寸爲0. 35/zm時使用i線，而其以下至 〇. 25爲止之加工，則可使用準分子雷射。 然後，如第3圖所示，不使用罩幕2 0全面曝光地實 本紙張尺度逍用中國國家梂準（CNS } A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝. 訂 -14 - 經濟部中央梂準局I工消费合作社印装 A7 ____B7五、發明説明（12) 行該基板11。此時，在第1光阻層14之圖型領域14 a以外之領域，因存在有對於曝光光之吸收率髙之A R C 材料1 5之層及第2光阻層1 6，因此，第1光阻層1 4 之圖型領域1 4 a以外部分，係幾乎不會曝光。實際上， 多少有曝光光之透過，產生若平之光化學反應，惟在曝光 後之顯像，因僅在第1光阻層1 4之圖型領域1 4 a之部 分接觸到顯像液，因此，其他部分幾乎不會有被顯像之虞 。又，因第1光阻層14之膜厚係薄至0. 7wm，因此 在其厚度方向可完全地曝光第1光阻層1 4。 使用於該第1光阻層1 4之曝光的曝光光，係使用波 長短之光例如準分子雷射光較理想。曝光光之波長愈短， 則在AR C材料1 5之圖型部之光的繞射愈少，而可提高 尺寸精確度。 又，若考量第1光阻層1 4係被全面曝光時，則使用 高曝光感度之材料較理想。爲了此，第1光阻層1 4係使 用比第2光阻層1 6之高感度材料，例如曝光感度作爲 1 0 0m J / mm 2以下之材料較理想。 顯像後，爲了提高耐蝕刻性，將基板1 1在1 1 5°C ，實施120秒鐘之烘乾處理。 然後，如第4圖所示，將被圖型形成之第1光阻層 1 4 ’ ARC材料1 5及第2光阻層1 6作爲罩幕材料， 藉乾蝕刻除去氧化膜所成的被蝕刻層13之被蝕刻領域 13a。此時，因上層之罩幕層的高尺寸精確度，因此， 結果上，也可提高被蝕刻層1 3之尺寸精確度。如此，在 本紙張尺度逍用中國國家梂準（CNS ) Μ规格（210X297公釐) — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Τ 丨裝.
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B 五、發明説明（1Q) 1 ϋ 半導體裝置製造，整體上可達成提髙尺寸精確度’而提高 半導體裝置之性能。 由該實施例所形成之a. 5之線及空間的尺寸控 制性表示於表1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) f -裝· 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 表1係分別表示對於未具有平坦化層之以往技術與本 實施例時的基板11面內之不相同之9點之尺寸的平均值 ，偏差3 σ及最大值與最小值之相差的範圍》 如上所述，使用本實施例時，與以往技術，偏差，範 圍均可大幅度地提高。 〔第2實施例〕 以下，參照第5 Α〜5 C圖說明本發明之第2實施例 〔表1〕 平均值 3 σ 範圍（# m ) (βτη) (μ m ) 以往技術 0.505 0. 045 0.060 本資施例 0.495 ^ 0.035 0. 050 軍位：μ τη *9點測定之結果 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（14) 0 在第5A圖中，在基板101上形成有厚度T= 0 . 4 之鋁配線1 0 2，及氧化膜所成之被蝕刻層 103。使用與第1實施例同樣之方法，分別以〇. 7 ^ m > 0 . 2#m，1. lym之厚度塗佈用以平坦化之 第1光阻層1 04，及ARC材料1 05以及第2光阻層 10 6° 與第1實施例同樣地，爲了在第2光阻層1 0 6形成 圖型，經由罩幕107曝光被曝光部106a，然後實行 顯像，除去上述被曝光部106a，如第5B圖所示，形 成光阻餍圖型。此時，藉由ARC材料105，來自底子 之鋁配線1 0 2的曝光光之反射，係抑制成不會影響到模 式形成的程度。又，本黉施例時，位在被曝光部1 0 6 a 下部的ARC材料105之圖型領域105a，係與上述 之實施例不相同，在顯像時，對於鹸性之顯像液，未表示 溶解性。故在顯像時，ARC材料1 〇 5之圖型領域 1 0 5 a係未被除去而剩下。 爲了除去ARC材料1 〇 5之圖型領域1 0 5 a ，藉 氧氣系統之電漿蝕刻，將光阻層1 〇 6作爲罩幕，實行蝕 刻。由此，如第5 C圖所示形成有圖型。 然後，與上述實施例同樣，不使用罩幕，全面曝光地 實行基板1 0 1。此時’在上述被曝光部1 〇6 a以外之 領域，因存在有對於曝光光之吸收髙之ARC材料1 〇 5 及第2光阻層1 0 6 ，因此，第1光阻層1 〇 4之圖型領 本紙法尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0乂297公# ) ' -17 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 裝. 訂 317001 A7 B7 五、發明説明（） 15 域1 0 4 a以外部分，係幾乎不會曝光。 顯像後，爲了提髙耐蝕刻層性，將基板1 0 1在 1 1 5°c，實施1 20秒鐘之烘乾處理。然後，與第4圖 同樣地，實施被蝕刻層1 0 3之蝕刻。 使用第2實施例時之0. 5之線及空間的尺寸控 制性表示於表2。 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -秦. 、νβ Τ 經濟部中央揉準局貞工消费合作社印裂 如上所述，使用第2實施例時，與以往技術相比較， 偏差，範圍也均大幅地提髙。而且，依照第2實施例，可 得到比表示於表1的第1實施例所產生之尺寸控制性更良 好之結果。在第2實施例中，因藉蝕刻除去ARC材料 1 0 5之圖型領域1 0 5 a ，因此推測可得到更髙之尺寸 控制性。 〔表2〕 平均值 3 〇 範圍（# m ) (μ m ) (β m ) 以往技術 0.505 0.045 0.060 本資施例 0.498 0. 030 0.045 單位：μιη *9點測定之結果 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Μ规格（210 X 297公釐） -18 - 經濟部中央梂率局負工消費合作社印袈 A7 _B7_五、發明説明（1C) 16 〔第3實施例〕 該第3賁施例係如第6圖所示，在第1實施例之第1 圖的第2光阻層1 6之表面，形成ARC材料3 0，曝光 第2光阻層1 6者》 如第6圖所示，ARC材料3 0係功能作爲上塗型式 之ARC。亦即，藉ARC材料30之存在，減低在第2 光阻層1 6中的曝光光之多重干擾，可更提高圖型領域 1 6 a之尺寸精確度。 將第2光阻層16對於曝光光的折射率作爲η時， ARC材料3 0對於曝光光的折射率Ν比η小時，有效果 地減低在第2光阻層1 6中之曝光光的多重干擾。尤其是 將ARC材料3 0對於瞎光光的折射率Ν接近於 (n ) i/2值更理想。又，將第2曝光光之波長作爲λ時 ，將ARC材料3 0之厚度d實質上作爲d = A/ 4N值 最理想。 又，該第3實施例係也可適用第2實施例。 〔4第實施例〕 在該第4實施例中，如第7 A圖所示，在第2光阻層 1 6之表面’形成不透明之C E L (Contrast Enhance L i t h o g r a p h y )膜 4 0 β 然後，如第7 B圖所示，使用罩幕2 0而曝光第2光 阻層16。此時，通過罩幕20而在CEL40入射曝光 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局只工消費合作社印製 A7 _ _B7 _五、發明説明（17) 光時，則僅入射該光之領域4 0 a變化成透明。因此，在 第2光阻層1 6，因經該透明領域4 0 a而入射曝光光， 故在圖型領域1 6 a以外更難入射曝光光，更提髙圖型領 > 域1 6 a之尺寸精確度，又，也可將該第4實施例適用於 第2實施例。 〔第5實施例〕 以下，說明本發明之第5實施例。 在第8A圖，在基板2 0 1上形成有例如厚度T = 0. 4之鋁配線202，及氧化膜所成的被蝕刻層 203。使用與第1實施例同樣之方法，分別以0. 7 ^ m 1 0 . 2 μ m * 1 . lem之厚度塗佈平坦化所用的 第1光阻層204，及ARC材料205，以及第2光阻 靥 2 0 6。 在該第5實施例中，作爲第1光阻層2 0 4使用非感 光性之光阻層材料，惟不一定限定在光阻材料，爲非感光 且可平坦化之材料即可以。又，ARC材料2 0 5係雖可 透過來自上方之曝光光，惟該透過光在鋁配線2 0 2被反 射，而在從下方入射該反射光時，則形成不會將該反射光 透過至上方。 與第1實施例同樣地，爲了在第2光阻層2 0 6形成 圖型，經由罩幕207曝光被曝光部206 a ，然後實行 顯像，除去上述被曝光部206a ，如第8B圖所示，形 成光阻圖型•此時，因ARC材料205 ，來自底子之銘 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ' -20 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝· 訂 JI. A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印裝 五、 發明説明（ 18 ) 1 配 線 2 0 2 之 njBL 曝 光 光 的 反 射 1 係 被 抑 制 成 不 會 影 響 圖 型 形 1 1 成 之 程 度 » 而 被 關 閉 在 第 1 光 阻 層 2 0 4 內 〇 又 9 因 該 第 1 1 1 光 阻 層 2 0 4 係 非 感 光 性 > 即 使光 被 關 閉 也 不 會 被 感 光 1 I 請 1 〇 先 閲 !i 讀 1 可 得 到 上 述 作 用 的 A R C 材 料 2 0 5 係 如 下 述 者 即 可 背 1 9 I 以 0 將 第 1 光 阻 層 1 6 對 於 曝 光 光 的 折 射 率 爲 η 時 > 之 i 1 1 I A R C 材料 2 0 5 對 於 OM 曝 光 光 的 折 射 率 N 小 於 η 則 可 提 項 再 1 髙 對 於 來 自. 底 子 之 光 的 A R C 材 料 2 0 5 的 反 射 效 果 〇 尤 填 寫 本 其 是 將 A R C 材 料 2 0 5 對 於 曝 光 光 的 折 射 率 Ν 接 近 ( 頁 '— 1 1 η ) 1 / 2值較理想 >又 ’將曝光光之波長爲；L時 ，則可將 1 1 A R C 材 料 2 0 5 之 厚 度 d 實 質 上 成 爲 d = λ / 2 N 較 理 1 I 想 6 訂 1 又 在 藉 顯 像 除 去 窠 2 光 阻 靥 2 0 6 之 被 曝 光 部 1 1 I 2 0 6 a 時 位 於 被 曝 光 部 2 0 6 a 下 部 的 A R C 材 料 1 1 | 2 0 5 係 與 第 1 實 施 例 不 相 同 在 顯 像 時 9 對 對 鹸 性 之 1 顯 像 液 未 表 示 溶 解 性 〇 因 此 在 顯 像 時 A R C 材 料 ..Λ 1 2 0 5 係 未 被 除 去 而 剩 下 〇 1 1 該 第 5 實 施 例 與 上 述 實 施 例 不 相 同 之 點 係 在 以 後 之 1 I 過 程 不 使 用 平 坦 印 刷 術 過 程 〇 如 第 9 A 9 C 圖 所 示 使 1 1 α| 用 各 向 異 性 髙 之 蝕 刻 方 法 全 面 蝕 刻 基 板 上 2 0 1 上 之 薄 膜 1 1 之 點 〇 <r| 1 全 面 蝕 刻 基 板 2 0 1 上 之 薄 膜 時 在 與 第 2 光 阻 層 1 ! 2 0 6 之 被 曝 光 部 2 0 6 a 相 對 向 之 領 域 中 從 A R C 材 1 I 料 2 0 5 依 次 向 下 層 進 行 蝕 刻 〇 — 方 面 > 在 與 第 2 光 阻 層 1 1 本紙浪尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -21 - 317001 經濟部中央梂準局男工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（1Q) 1 4/ 2 0 6之被曝光部2 0 6 a非對向之領域中，從第2光阻 層2 0 6依次向下層進行蝕刻。 因此，實施全面蝕刻時，在與第2光阻層2 0 6之被 曝光部206 a相對向之領域中，如第9A圖及第9B圖 所示，該兩側之薄膜一面功能作爲罩幕一面進行蝕刻。在 與被曝光部2 0 6 a相對向之領域中，如第9 B圖所示， 與此以外之領域相比較，較早開始被蝕刻層2 0 3之蝕刻 。而且，若第2光阻餍2 0 6之膜厚比一致於鋁配線 2 0 2之膜厚的段差2 1 0之髙度T更厚，僅對於與第2 光阻層2 0 6之被曝光部2 0 6 a相對向之領域2 0 3 a ，可局部地除去被蝕刻餍2 0 3。亦即，在蝕刻該蝕刻領 域203a ，如第9B圖，第9C圖所示，在與第2光阻 層2 0 6之被曝光部2 〇3 6 a非對向之領域，必定存在第 1光阻層204，作爲罩幕使用。 在與第2光阻層2 0 6之被曝光部2 0 6 a非對向之 領域中，因具有耐蝕刻層性之第2光阻層最初被蝕刻，因 此與AR C材料2 0 5之蝕刻速度相比成爲更慢，成爲可 充分實行上述蝕刻層領域2 0 3 a之局部蝕刻。 該第5實施例之尺寸控制性係依存在全面蝕刻時之各 向異性。因此，各向異性高之蝕刻方法，適用例如反應性 離子蝕刻（RI E)方法，使用依微波所產生的ECR ( Electron Cycloctron Resonance)型之離子源的蝕刻方 法等。 ---:--；----^ ' 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
J " • d— J— . 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )八4規格（210X25»7公釐） -22 - 317001 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 A7 B7五、發明説明（2()) 〔圖式之簡單說明） 第1圖係表示本發明的第1實施例之半導體製造方法 之膜形成過程的概略剖面圖.。 第2圖係表示本發明的第1實施例之第2光阻層之曝 光過程的概略剖面圖。 第3圖係表示本發明的第1實施例之第1光阻層之曝 光過程的概略剖面圖。 第4圖係表示本發明的第1實施例之被蝕刻餍之蝕刻 過程的概略剖面圖。 第5 A圖係表示本發明的第2實施例之第2光阻層之 曝光過程的概略剖面圖》 第5 B圖係表示ARC材料之蝕刻過程的概略剖面圖 〇 ，. 第5 C圖係表示第1光阻層之曝光過程的概略剖面圖 〇 第6圖係表示本發明的第3實施例之第2光阻層之曝 光過程的概略剖面圖。 第7 A圖係表示本發明的第4實施例之膜形成過程的 概略剖面圖。 第7 B圖係表示第2光阻層之曝光過程的概略剖面圖 〇 第8 A圖係表示本發明的第5實施例之第2光阻層之 曝光過程的概略剖面圖。 •第8 B圖係表示其後所實施之第2光阻餍之顯像過程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -23 - A7 B7 五、發明説明（21 ) 的概略剖面圖》 第9 A圖至第9 C圖係分別表示基板上之薄膜的全面 蝕刻過程之進行過程的概略剖面圖。 第1 0圖係表示以往技術之曝光過程的概略剖面圖。 第11A圖係表示其他以往技術之曝光過程的概略剖 面圖。 第11B圖係表示其後所實施之顯示過程的概略剖面 圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 -