TW303487B - - Google Patents

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303487 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（i ) 發明背景 發明領域 本發明係有關於一用於鏡面磨光晶圓之周圍部位的方 法，及用於執行該方法的裝置。 相關技術說明 —般在執行防止晶園的周園部位被削去的去角步驟， 重叠步驟以使晶圖的厚度產生微小變動，及用於移除裂層 及污染部位的蝕刻步驟後，進行晶圃的鏡面磨光步驟。晶 圓的鏡面磨光步驟包含一對晶圓的主磨光的步驟，及對晶 圓的周園部位鏡面磨光的周圔部位。 在相對於晶園周圍之晶圓的晶體定向中的預定位置處 晶圚提供一定向平坦或一刻痕。定向平坦或刻痕部位用於 在自動製造裝置中裝置晶園周園的定位。因此，在晶圖的 周圍部位之鏡面磨光步驟中，必需對定向平坦或刻痕部位 及其他部位（下文稱爲t周圍"）進行鏡面磨光。 在傳統用於對晶圚之周圓部位進行鏡面磨光的方法中 ，使用一由泡沬樹脂製成的磨光棒。在該方法中，由一含 凹槽（一成形去角凹槽）的磨光棒對晶圓的周圔及定向平 坦進行鏡面磨光，該凹槽中有一區域，對應晶圖的周圍及 定向平坦部位。在此一鏡面磨光步驟中，使用一包含氫氧 化納或含極細S i 02粉末等類似物之鏡面溶液。在該方 法.中爲了鏡面磨光刻痕部位，使用一碟形磨光棒。且在此 例中，當然使用一研磨材料。 本紙張尺度遑用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

-4 - A7 ___B7 五、發明説明（2 ) 依此方法，一般進行蝕刻矽單晶晶圓的所謂酸蝕刻， 如該晶圓浸在氟氫酸，氮酸及醋酸的混合物中。但是，此 酸蝕刻之缺點爲在重叠後雖然保持矽晶園的平坦度，且需 要髙成本以處理所使用的蝕刻液，最近大部份應用鹼蝕刻 取代蝕刻。但是，當使用鹸蝕刻時，因爲矽晶園的背面或 周圔相當粗糙，晶圓的平坦度下降，因此必薄對晶圚的背 面及周圍予以更進一步處理。尤其是，在鹼蝕刻之後，對 於矽晶圓周園的處理存在一項問題，即必須使用更多的時 間，以使該表面的粗糙度小於預定值，以得到所需的平坦 度，如此所耗時間爲酸蝕刻之數倍。 發明概述 本發明的著眼點在於解決上述問題。本發明的目的係 提供一鏡面磨光方法，由此方法一含滿意平坦度的晶圃表 面可穩定得到，其處理時間短於磨光棒磨光及鏡面磨光裝 置之時間。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背谛之注意事項再填寫本頁) 武 爲了達成上述目的，本發明中不只使用磨光棒磨光方 法，而且亦使用捲帶弯光方法，此方法現爲本發明所使 用。捲帶磨光方法係使用其上含研磨顆粒之捲帶的方法。 在捲帶磨光方法中，將晶圓的周園部位壓住使抵住從一捲 帶供應捲軸中所提供的捲帶，而進行磨光。使用過的捲帶 繞著捲帶上升捲軸捲繞以對新表面持績供應捲带至將處理 部位。由轉動捲帶所捲繞之鼓對晶圚的周圍部位進行鏡面 磨光，以在捲帶及晶圖間得到充分的相對速度而磨光晶園 本紙張尺度逡用中國國家樣準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（3 ) 的周圍。 依據本發明者對於磨光棒磨光方法及捲帶磨光方法的 研究發現下列問題。即磨光棒磨光方法所需的處理時間爲 捲帶磨光方法之數倍，方可達到粗糙度小於預定值的方法 磨光表面，且所使用磨光棒的型式在所需的處理時間中產 生變動。另一方面，在所得到的完成表面中'，捲帶磨光方 法含某些固有的限制。 然後，爲了鏡面磨光晶圔的周圍部位，本發明者試著 依序使用捲帶磨光及磨光棒磨光方法，即使用其上含研磨 顆粒的捲帶磨光晶圓的周圍部位，然後，使用含研磨材料 的磨光棒磨光周圍部位。結果，發現在處理時間短於磨光 棒磨光之下，經由依序使用捲帶磨光及磨光棒磨光，可穩 定地得到粗糙度小於預定值的晶圖表面。 圖1用於比較捲帶磨光方法及磨光棒磨光方法。在此 圖中，垂直軸表示平坦程度，橫軸表磨光時間。從圓1中 發現，對於所含預定的平坦度而言，捲帶磨光方法所需得 到鏡面磨光方法的磨光時間較短，但該方法對所得到的完 成表面具某些限制。磨光棒磨光方法需要更多的磨光時間 以得到含預定平坦度的鏡面磨光表面，且時間會依所使用 之磨光棒而變動，但是與捲帶磨光方法比較該方法可得到 更平坦的表面。在圖1中，來自捲帶磨光方法的特性曲線 更向者原點的右方，在所使用的捲帶上所保持的研磨顆粒 的尺寸更小。 本發明係基於上述認知而設計· 本紙張尺度適用t國國家梂率（CNS) A4规格（2丨0X297公釐） ----------f a衣------—訂--------( (請先閲讀背面之注¾事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 S03487 g77五、發明説明（4 ) 依據本發明的設計理念，用於鏡面磨光晶圖的周圍部 位的方法包含：一第一磨光步驟，用於一捲帶磨光晶圖的 周圍部位，該捲帶上含研磨顆粒，及一第二磨光步驟，在 第一步驟後使用含研磨材料之磨光棒磨光晶圃之周圍部位 。本發明的方法可使用在不同的半導體晶圓中，如矽晶圓 ，合成半導體晶園等。 依據本發明，因爲在使用磨光棒磨光晶圜的周國部位 前，進行捲帶磨光其磨光速度快於磨光棒磨光者，所以可 縮短得到含預定平坦度之鏡面磨光表面所需的磨光時間。 而且，由使用捲帶磨光將晶圓的周團部位磨光至某一程库 之後，進行磨光棒磨光，與捲带磨光比較，此得到更精細 的磨光，因此可得到髙平坦度的鏡面磨光。 最好，第一磨光步驟包含一第一刻痕或定向平坦磨光 步驟，用於磨光在晶圓的周圍部位形成的刻痕或定向平坦 部位，此係使用一其上含研磨顆粒的捲帶達成，及第一周 圍磨光步驟，除了使用其上含研磨顆粒的捲帶磨光刻痕或 定向平坦部位外，主要用於磨光晶圓的周圍部位，且第二 磨光步驟包含第二刻痕及定向平坦步驟，其使用磨光棒磨 光刻痕或定向平坦部位，及一第二周園磨光步驟，除了使 用磨光棒磨光刻痕或定向平坦部位外，主要用於定向平坦 晶圃的周圍部位。第一刻痕磨光周圍部位的執行方法爲： 將含硏磨顆粒之捲帶的一部位壓抵住，該磨光可由捲帶支 撐組件而相對於刻痕部位移動。第一周圔磨光步驟的執行 方法爲壓著其上含研磨顆粒之捲帶的一部位，使其抵住晶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中困國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 7 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（5 ) 圓的周圍部位，該捲帶繞著一轉動鼓的周圍捲繞，且可相 對於晶園之周團部位移運。 最好，在第一及第二刻痕磨光步驟中的至少一步驟期 間，晶圓在預定的小角度內繞其中心轉動。結果，不只底 部而且刻痕部位的整個表面可均匀磨光。 大致上繞著軸轉動，該軸通過捲帶的接'觸點及晶圓的 周圍部位，且在第一磨光步驟期間，在預定角度內，相對 於晶圓，平行於晶圓的主表面。依據此方法，可對晶圓的 上及下表面上整個周圓去角部位磨光。 最好該第一刻痕磨光步驟的執行方法爲：當供應研磨 材料時，壓著一碟型磨光棒，使得抵著晶圓的刻痕部位。 第二定向平坦磨光步驟的執行方法爲：壓著一圖柱形轉動 磨光棒使抵著定向平坦部位，該磨光棒含一形成去角凹槽 ，此凹槽可接收晶園的定向平坦部位。最好該第二周圔磨 光步驟的執行方法爲：在圖柱磨光棒的內周團表面，壓著 周圔轉動磨光棒使抵著晶圖的周圍部位，該磨光棒具有一 成形之切角凹槽，該凹槽接收晶圓的周圍部位。 最好該晶圓爲矽單晶晶圓在第一磨光步驟之前，對含 去角周圍的晶圖進行鹼性蝕刻。結果不只在較短的處理時 間中得到一具高平坦度的鏡面磨光表面，而且在重叠之後 可保持矽晶園的平坦度，以對於使用蝕刻液的處理浪费之 下減低成本。 依據本發明的設計理念，用於鏡面磨光晶園之周圍部 位的裝置包含：一第一磨光區，用於一捲帶磨光晶圖的周 本紙張尺度遑用中國困家梯準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） {請先閲讀背面之注.意事項再填寫本頁) "

-1T 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 圍部位，該捲帶上含研磨顆粒，及一第二磨光®，在第一 步驟後使用含研磨材料之磨光棒磨光晶圖之周園部位。 依搛含此結構的鏡面磨光裝置，不只進行捲帶磨光及 磨光棒磨光，如果需要的話，可只進行捲帶磨光及磨光棒 磨光中之一磨光。當進行捲帶磨光及磨光棒磨光兩者時， 在處理時間短於磨光棒磨光之時間下，可穩定得到粗糙度 小於預定值的晶圓表面。 圖形簡述 由下文中的詳細說明及附圖，可更進一步了解本發明 ，但說明僅作爲本發明之例證用，而非用於定義本發明的 限制，且其中： 圖1示本發明中捲帶磨光及磨光棒磨光之兩種磨光方 法下，平坦度與磨光時間之間的關係。 圖2爲本發明之一實施例的鏡面磨光裝置之平面圚； 圖3爲含刻痕部位之晶圓的平面圖； 圓4爲含一定向平坦之晶圓的平面圖； 圖5爲在實施例中捲帶磨光區之載入器之側視圖； 圖6爲依據本發明之實施例磨光裝置中晶園傳送裝置 之部位的透視圖； 圖7爲實施例中捲帶磨光區刻痕磨光部的透視圖； 圖8爲捲帶磨光區中一定向平坦磨光部或一周圍磨光 部之透視圖： 圚9爲實施例中磨光棒磨光區之定向平坦磨光部的側 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS > A4规格（210X297公釐） ----------^，衣—----- 訂^------( (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印製 A7 ____B7 五、發明説明（7 ) 視圖； 圖1 0爲實施例中磨光棒磨光區周園磨光部的透視圖 f 圚1 1爲實施例中磨光棒磨光區一下載器的側視圖。 發明之較佳實施例 圖2示本發明實施例中用於鏡面磨光晶圃之周圍部的 裝置。用於鏡面磨光的裝置1包含第一磨光區，即一捲帶 磨光區2，其可對晶圓的周園部進行捲帶磨光，及第二磨 光區，即一磨光棒磨光區3，其對周圍部進行磨光棒磨光 〇 在此實施例中，在鏡面磨光矽晶園的例子中，在鏡面 磨光步驟之前，對矽晶園進行一去角歩驟，以防止晶圖的 周圍部被切去，一重叠步驟可使晶園厚度的變動較小，及 —鹸性蝕刻，以移除裂縫層或污染部。因此，在重叠之後 矽晶圖磨平易於保持，且與酸性蝕刻比較，使用蝕刻液體 廢物成本相當低。 捲帶磨光區2包含一卡匣連接部A，一包含多個叠稹 晶圓W的卡匣4與A相連接，一用於定位晶圓W的第一晶 園定位部B，如圖3或圖4所示，其可逐一取出卡匣4， 一第一刻痕磨光部卡匣，如圖3所示用於磨光晶圓W的刻 痕磨光N，一第一定向平坦磨光部D，如圖4所示用於磨 光晶園W的定向平坦部Ο，及一第一周圈磨光部E，用於 磨光晶圔W的周園部。在捲帶磨光區2中，於卡匣連接部 本紙張尺度遑用中國困家標率（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -----------{衣-----ίΐτ------( (請先閱讀背面之注*事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 302487_五、發明説明（8 ) A提供一載入器1 〇，且在捲帶磨光區的中心提供—第一 晶圓俥送裝置1 1。在刻痕磨光部C，定向平坦磨光部D 及周圍磨光部E提供對應的第一刻痕磨光裝置1 2，第一 定向平坦磨光裝置1 3，及第一周圍磨光裝置1 4。 載入器10包含一舉升裝置（圖中無），用於將卡匣 4上舉或下降，卡匣4可夾住多個在堆叠態的晶圖W ’及 帶傅送器1 0 a可舉起一晶圖，使其逐一離開卡匣4。載 入器1 0的結構可使得在底部的晶園W可由帶傅送器1 0 輪流從卡匣4中取出。 第一晶圚傅送裝置1 1包含一轉動體1 1 a ，其爲馬 達（圖中無）所驅動以繞垂直中心軸轉動，及如圖2 ’ 6 所示者置於轉動體1 1 a上的四個臂1 1 b。各臂1 1 b 可空氣柱（圖中無）向外延伸，且應用一預定力量在預定 時計時而位在轉動體1 1 a內部。在各臂1 1 b的頂端下 部位提供一吸收碟1 1 c，可由其下表面經真空吸入而持 住一晶園，如Λ 6所示者。各吸收碟1 1 c與一真空泵（ 圖中無）相連通，其間係經一空氣管路，且1 1 c位在臂 1 lb及轉動體1 1 a內。可由馬達1 1 d在中心軸的反 向處轉動吸收碟1 1 c。刻痕磨光裝置1 2包含一轉動鼓 30a ，及一捲帶支撐組件30b，如圖7所示。在轉動 鼓3 0 a的內側，提供一捲帶供應捲軸，可供應一磨光用 之捲帶T，且提供一上升捲軸（圖中無），以舉起T。捲 帶t包含一捲帶底組件及極細緻的研磨顆粒，如S i 〇2粉 末等類似物，且黏著物加以黏附（雖然_中沒有顯示）β Λ張尺度適用中國國家揉準（CNS >Α4规格（2丨0 X 297公釐） HM il. I —^ ^ -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -11 - A7 B7 經濟部_央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（9 ) 亦可使用一含極微小之研磨顆粒覆層覆在捲帶底組件上的 捲帶T。由捲帶供應捲軸所提供的捲帶T再導入轉動鼓 3 0 a之外側，因此以螺旋形式繞轉動鼓周圍捲繞。捲繞 之捲帶T置於捲帶支撐組件3 0 b上’捲帶支撐組件位在 轉動鼓3 0 a外側》然後，捲帶T的頂端導入轉動3 0 a 之內側且繞上升捲軸9轉動鼓3 0 a可由馬達3 0 c反覆 轉動，且上升捲軸（圖中無）可由馬達3 0裝置鼴動而轉 動。在刻痕磨光裝置1 2中，置於捲帶支撐組件3 0 b上 的捲帶T部位壓抵著晶圓W的刻痕部位N，此後由馬達 3 0 d繞上升捲軸捲繞，而由馬達3 0 c使轉動3 0 a反 復轉動。結果，由捲帶T將晶圓w的刻痕部位N磨光*在此 磨光期間，最好在一預定小角度內反復在中心軸上的吸收 碟1 1 c ，因此不只磨光底部，且亦磨光刻痕部位N的側 表面。最好，轉動鼓3 0 a及捲帶支撐組件3 0 b可在與 刻痕部位N靠近及逮離的方向上相對移動。而且，轉動鼓 3 0 a及捲帶支撐組件3 0 b可繞著水平軸旋轉，該軸通 過捲帶T的接觸部位及刻痕部位N，且垂直轉動鼓之上移 動方向。晶圆W可不只繞轉動鼓3 0 a及捲帶支撐組件 3 0 b旋轉，而且亦繞軸轉動。結果，不只磨光底面且亦 磨光在刻痕部位N的上及下切角面。例如，由本案發明人 所有的美國專利申請案案號0 8/5 6 7,1 1 6 2中提出 此轉動鼓及晶圓之轉動機構之蝕刻的細節，其可用於本發 明。 定向平坦磨光裝置13及周園磨光裝置14的定向平 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，衣. 訂 本紙张尺度遴用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） 12 經濟部t夹棣準局員工消費合作杜印裝 B7_ 五、發明説明（l〇 ) 坦之結構均與刻痕磨光裝置12之結構頓似。如圖8所示 ，其結構均含一轉動鼓40a。在榑動鼓40a內側，提 供一捲帶供應捲軸，可供應含極細研磨顆粒的捲帶T，如 S i 02粉末，且提供一上升捲軸，用於舉起捲帶T (圖 -------f _衣！ (請先閲讀嘴面之注•意事項再填寫本頁)

,1T 。來自捲帶供應捲軸 之外側，且以螺旋形式繞轉 捲帶T的頂端導入轉動鼓4 可由馬達4 0 c反復轉動轉 無）可由馬達4 0 d加以驅 及周困磨光裝置1 4中，捲 壓抵著定向平坦及晶圓W的 捲軸捲繞，而由馬達40c 由捲帶T將定向平坦部位0 轉動鼓4 0 a可繞轉軸反復 點，該捲帶T含定向平坦部 轉動鼓4 0 a的移動方向（ 磨光定向平坦部位〇及晶画 上及下切角面。 在晶圓定位部B中，由 W的對心。在完成捲帶磨光 晶圖W由組件（圖中無）傳 再加以定位。 磨光棒磨光區3 (即第 位部G，用於定位晶圚W · 的捲帶T再導入轉動鼓4 0 a 動鼓4 0 a周團'捲繞。然後， 0 a內側且繞上升捲軸捲繞。 動鼓40a·上升捲軸（圓中 動。在定向平坦磨光裝置1 3 帶T繞轉動鼓4 0 a捲繞，且 周圍，且由馬達4 0 d繞上升 反復轉動轉動鼓4 0 a，因此 及晶園W的周園磨光。最好， 轉動，該軸通過捲帶T的接觭 位0或晶圖W之周困，且垂直 相對於晶圖W)。結果，不只 W之周圍的側面，且亦磨光其 定位裝置（圓中無）進行晶圓 步驟後，回至晶圓定位部B的 送至晶_界的傳送部f，而不 二磨光區）包含一第一晶圖定 如圓3或圖4所示者，該晶圃 本紙浪尺度適用中明困家標準（CNS ) A4规格（2丨0><297公釐） 13 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（U ) w從傳送部F爲組件（圖中無）所傅送，—第二刻痕磨光 部Η，如圖3所示用於磨光晶圃W的刻痕磨光N —第二定 向平坦磨光部I ，用於磨光圇4中所示之晶圓W的定向平 坦部位0，一周圔磨光部J ，用於磨光晶圚W的周圍磨光 ，及一第二卡匣蝕刻部Κ，其蝕刻放置晶圓W的卡匣4。 在磨光棒磨光區3中，於磨光棒磨光區3的中心提供一第 二晶圚傳送裝置2 1。在第二刻痕磨光部Η，第二定向平 坦磨光部I ，及第二周圍磨光部J對應地提供第二刻痕磨 光裝置2 2，第二定向平坦磨光裝置2 3 ，及第二周圍磨 光裝置2 4。第二卡匣蝕刻部Κ提供一未載入器2 5 β 第二晶園傳送裝置21的結構與第一晶圖傳送裝置 1 1相似。第二晶圓傳送裝置2 1包含一轉動體2 1 a， 其爲馬達（圈中無）所驅動而繞垂直中心軸轉動，且置於 轉動體21a上的四臂21b，如圚2所示者，各臂 2 1 b由空氣柱（圚中無）向外突伸，該柱由預定力在預 定時計中，定位在轉動體2 1 a內側。在各臂2 1 b之頂 端的下部提供一吸收碟2 1 c。吸收碟2 1 c與真空泵（ 圖中無）相連通，其間係經空氣管路（圖中無），其位在 臂2 1 b及轉動體2 1 a內側。可由一馬達（圖中無）而 無吸收碟21c在中心軸上反向轉動。 第二刻痕磨光裝置2 2包含一碟形磨光棒2 2 a，其 由泡沫樹脂或類似物件製成，含一轉動軸，其由在平面上 呈U形的臂2 2 b所支撐，如圖2 b所示者。在此刻痕磨 光裝置22中，由一馬達（圖中無）鼴動磨光棒2 2 a 。轉 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（2丨OX25»7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中夬橾準局員工消费合作社印裝 A7 __B7五、發明説明（12) 動磨光棒2 2 a的周圍對心於晶圓W的刻痕處，且壓抵著 刻痕部位N *而供應一研磨材料至接觸面，該材料包含一 氫氧化納（Na 0H)或含極細S i 02粉末等之類似物 的水溶液*結果，晶圓W的刻痕部位N爲轉動磨光棒 2 2 a所磨光。在此磨光期間，含晶圓W的吸收碟繞中心 軸在小角度內轉動，因此不只底部，且刻痕部位N的側面 可磨光。 第二定向平坦磨光裝置2 3包含一由泡沬樹脂或類似 物製成的柱形磨光棒2 3 a ，如圓9所示者，在磨光棒 2 3 a的周围表面，形成一所謂的去角磨光棒凹槽，以接 收晶圚W的定向平坦部位0。可由馬達2 3 c驅動磨光棒 2 3 a而在中心軸上轉動，且可由一舉升裝置（圖中無） 上下傳送。可壓住磨光棒2 3 a之磨光棒凹槽2 3 b的內 表面而抵著晶_界的定向平坦部位0，並對磨光棒的接觸 面供應氫氧化納（N a 0H)或含非常微細S i 02粉末 等的類似物之水溶液，而磨光晶園W的定向平坦部位0。 第二周園磨光裝置2 4包含一由水沬樹脂製成的圖柱 磨光棒24a ，如園10中所示者》在磨光棒24a的內 周圍面上，形成所謂的去角磨光棒凹槽的磨光棒凹槽 2 4 b ，以主要接收晶圆W的周圍部位，而非周園定向平 坦部位◦。.可由馬達2 4 c驅動在中心軸上的磨光棒. 2 4 a而轉動，且可由舉升裝置（圈中無）上下傳送。可 壓著部位而非晶圔W的定向平坦部位0使抵著磨光棒 2 4 a的磨光棒凹槽2 4 b ·且對磨光棒凹槽2 4 b供應 本紙張尺度遠用中國國家操準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

15 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 A7 B7 五 '發明説明（13 ) 氫氧化納（N a 0H)或含非常微細S i 02粉末等的類 似物之水溶液而磨光晶圚W的周·部位。 下載器2 5包含與升裝置（圖中無）用於將卡匣4上 下端。該卡匣以堆叠狀態夾住多個晶豳W，及一帶傳送器 2 5 a ，可逐一將晶圓W置入卡匣4中。下載器2 5的結 構可使得晶圖W可由帶傳送器2 5 a逐一載'入卡匣4中， 且逐步舉升。 在第二晶圃定位部位G中，由一定位裝置4晶圓W的 對心工作。 如上所述，在本發明的鏡面晶園周園的方法中，先使 用含硏磨顆粒之捲帶磨光晶圖的周困；然後，使用含研磨 材料的磨光棒磨光該晶圓之周圍部位。 因此，如圖1 1所示，在使用磨光棒磨光晶圜的周圔 部位前進行捲帶磨光其磨光速度於於磨光棒磨光的速度， 所以得到預定平坦度之鏡面磨光表面的磨光時間可縮短。 而且，在由圓柱磨光晶圈的周圍部位至某一程度後，進行 磨光棒磨光（與捲帶磨光比較，其可得到較微細之磨光） ，因此可得髙平坦度的鏡面磨光表面。 依據含此一結構的鏡面磨光裝置，可不只進行捲帶磨 光及磨光棒磨光，且如需要的話，可只進行捲帶磨光及磨 光棒磨光之一。當捲帶磨光及磨光棒磨光均進行時，可穩 定得到粗糙度小於預定值的晶圚表面，而處理時間小於磨 光棒磨光。 雖然已應用含某一限制之特定較佳形式說明本發明， 氏張尺度通用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） ' ： (請先閲讀龙面之注$項再填寫本頁) -Λ -

*1T -16 - A7 __B7_ 五、發明説明（14 ) 但須知本發明並不限於上述較佳實施例，可對本發明進行 不同的改變及修改而不偏離本發明的精神及觀點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀潰面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 17 -

Claims (1)

1. 7 8 4 ο 3 ABCD

   煩誚委I明--T8年 月 日所槎之 修JE-·本有無變更實質内容是否准予修iL>。 六、申請專利範圍 第85 1 05672號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國86年1 月修正 1 · 一種鏡面磨光晶圚之周圍部位之方法’包含： —第一磨光步驟，用於一捲帶磨光晶圖的周圍部位， 該捲帶上含硏磨顆粒，及 —第二磨光步驟，在第一步驟後使用含研磨材料之磨 光棒磨光晶圖之周圍部位。 2. 如申請專利範園第1項之鏡面磨光晶園之周圍部。 -〇 位之方法，其中第一磨光步驟包含一第一刻痕磨光步驟， 此步驟係使用一其上含研磨顆粒的捲帶磨光一在晶圚的周 圍部位形成的刻痕部位，及一第一周圍磨光步驟，除了使 用含研磨顆粒的刻痕部位外，此步驟主要係磨光晶圓的周 圍部位；且第二磨光步驟包含一第二刻痕磨光步驟，可使 用一磨光棒磨光刻痕部位，及包含一第二周圍磨光步驟， 主要在於除使用一磨光棒磨光刻痕部位外，亦磨光晶圚的 周圍部位》 3. 如申請專利範圍第2項之鏡面磨光晶圖之周圍部 位之方法，其中第一刻痕磨光步驟的執行方法爲：由一捲 帶支撐組件壓著其上含研磨顆粒之捲帶的一部位，此部位 可相對刻痕部位。 4. 如申請專利範圍第2項之鏡面磨光晶圓之周圍部 位之方法，其中該晶圓在第一及第二刻痕磨光步驟中至少 —步驟期間在一預定的小角度內繞其中心轉動。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS)A4規格（210X29·?公釐）-1 - ^--------裝-----^丨訂·-----4竦 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、+請專利範圍 5. 如申請專利範圍第2項之鏡面磨光晶圓之周圔部 位之方法，其中第一周圔磨光步驟的執行方法爲：壓著其 上含研磨顆粒之捲帶的一部位，該部位繞著一轉動鼓的周 圍，且可抵著晶圚的周圍部位相對於晶圖的周圍部位移動 6. 如申請專利範圍第1項之鏡面磨光晶圚之周圍部 位之方法，其中大致上繞著軸轉動，該軸通過捲帶的接觸 點及晶園的周園部位，且在第一磨光步驟期間，在預定角 度內，相對於晶圔，平行於晶園的主表面。 - 7. 如申請專利範圍第2項之鏡面磨光晶圖之周園部 位之方法，其中該第一刻痕磨光步驟的執行方法爲：當供 應研磨材料時|壓著一碟型磨光棒，使得抵著晶圓的刻痕 部位》 8. 如申請專利範圍第1項之鏡面磨光晶圓之周圍部 位之方法，其中第一磨光步驟包含第一定向平坦磨光步驟 經濟部中央梯窣局男工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’可使用含研磨顆粒的捲帶磨光在晶圚之周圍部位上形成 的定向平坦部位，及包含第一周圍磨光步驟，除了使用含 研磨顆粒的捲帶磨光定向平坦部位外，尙磨光晶圓的周圍 部位；且第二磨光步驟包含第二定向平坦磨光步驟，用於 使用一磨光棒磨光定向平坦部位，及包含第二周圍磨光步 驟’除了使用一磨光棒磨光定向平坦部位外，.磨光晶圓的 周圍部位。 9. 如申請專利範圍第8項之鏡面磨光晶圓之周圍部 位之方法，其中定向平坦磨光步驟的執行方法爲：壓著一 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（ 210X297公釐）_ 2 _ 六、申請專利範圍 画柱形轉動磨光棒使抵著定向平坦部位，該磨光棒含一形 成去角凹槽，此凹槽可接收晶圓的定向平坦部位。 10.如申請專利範圍第8項之鏡面磨光晶圖之周圍 部位之方法，其中該第二周圍磨光步驟的執行方法爲：在 圆柱磨光棒的內周圍表面，壓著周圍轉動磨光棒使抵著晶 園的周圔部位，該磨光棒具有一成形之切角凹槽，該凹槽 接收晶圖的周圔部位。 1 1 .如申請專利範圍第1項之鏡面磨光晶園之周圍 部位之方法，其中該晶園爲矽單晶晶圓，且在第一磨光歩-驟之前，對含一去角周圔的晶圚執行鹼性蝕刻。 1 2 . —種用於鏡面磨光晶圜之周園部位之裝置，包 含： —第一磨光區，用於一捲帶磨光晶園的周圍部位，該 捲帶上含研磨顆粒， 及一第二磨光區，在第一步驟後使用含研磨材料之磨 光棒磨光晶圓之周圍部位》 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (请先閱讀背面之注意"項存填寫本頁) 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之鏡面磨光晶圓之周 圍部位之裝置，其中第一磨光區包含一第一刻痕磨光部， 此部係使用一其上含研磨顆粒的捲帶磨光一在晶圚的周圍 部位形成的刻痕部位，及一第一周圍磨光部，除了使用含 研磨顆粒的刻痕部位外，此部主要係磨光晶圓的周圍部位 :且第二磨光部包含一第二刻痕磨光部，可使用一磨光棒 磨光刻痕部位，及包含一第二周圍磨光部，主要在於除使 用一磨光棒磨光刻痕部位外，亦磨光晶圓的周園部位。 本紙悵尺度逋用中國國家標準（CNS)A4規格（2I0X297公釐> _ 3 - Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範固 14.如申請專利範圍第12項之鏡面磨光晶圓之周 圍部位之裝置，其中該第一磨光區包含第—晶園定位部， 用於逐一定位晶豳，此晶圖從一含多個晶圓的容器中取出 « 1 5 _如申請專利範園第1 3項之銳面磨光晶圓之周 圔部位之裝置，其中該第一刻痕磨光部包含—轉動鼓，— 磨顆粒的捲帶繞著該轉動鼓，以使其在捲帶的周圍方 向中移動*及一捲帶支撐組件，用於夾持其上之捲帶的一 部份’且壓住捲帶之夾持部位抵著晶園的刻痕部位。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項之銳面磨光晶圓之周 Η部位之裝置’其中當該晶圓爲第一及第二刻痕磨光部位 中至少一部位磨光時，在一預定小角度內繞中心轉動。 17.如申請專利範園第13項之鏡面磨光晶圓之周 堀部位之裝置•其中該第一周園磨光部包含一轉動鼓，包 含研磨顆粒之捲帶繞著轉動周圈，以在周園方向中向捲帶 移動》 經濟部t央梯準局身工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 8 .如申請專利範圍第1 2項之鏡面磨光晶固之周 圍部位之裝置，其中該第一磨光區更包含一機構，使得該 捲帶可在一預定角度內大致上繞著一軸轉動，該軸通過捲 帶的接觸點及晶圓的周園部位，且與晶圓的主表面平行。 1 9 ·如申請專利範圍第1 2項之鏡面磨光晶圓之周 團部位之裝置，其中該第二刻痕磨光部包含一機構，當供 應一研磨材料時，用於壓著一碟形磨光棒使其抵著晶圖的 刻痕部位· 本紙張尺度通用中國國家梯準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 0 .如申請專利範園第1 2項之鏡面磨光晶圓之周 圔部位之裝置，其中該第一磨光區包含第一定向平坦磨光 部用於使用一其中有硏磨顆粒之捲帶磨光在晶圓的周圍部 位形成的定向平坦部位，及一第一周園磨光部，除由捲繞 一其上含研磨顆粒的捲帶磨光定向平坦部位外，主要用於 磨光晶圓的周園部位；且第二磨光部包含一第二定向平坦 磨光部，其使用一磨光棒部定向平坦部位，及一第二周圍 磨光部，除了使用磨光棒磨光定向平坦部位外，主要在於 磨光晶圖的周圍部位。 2 1.如申請專利範園第2 0項之鏡面磨光晶圓之周 圍部位之裝置，其中第二周圍磨光部包含一機構位在壓著 —圓柱形轉動磨光棒使抵著定向平坦部位，該磨光棒含一 形成去角凹槽，此凹槽可接收晶圓的定向平坦部位。 2 2 .如申請專利範圍第1 2項之鏡面磨光晶圖之周 園部位之裝置，其中該第二周園磨光部包含一機構位在圓 柱磨光棒的內周園表面，壓著周園轉動磨光棒使抵著晶圓 的周圍部位，該磨光棒具有一成形之切角凹槽，該凹槽接 收晶圓的周園部位。 23.如申請専利範圍第12項之鏡面磨光晶圓之周 圍部位之裝置，其中該第一磨光區包含第一刻痕磨光部， 其使用一其上含研磨顆粒的捲帶部一在晶圓的周圍部位上 形成的刻痕部位，一第一定向平坦磨光部，其使用一其上 含研磨顆粒的捲帶，部在晶圃的周園部位上形成的定向平 坦部位，及一第一周圍磨光部，除了使用一其上含研磨顆 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I-----1------ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A8 B8 C8 D8 S0S437 六、+請專利範圍 粒的捲帶磨光定向平坦部位外，主要用於磨光晶圖的周圍 部位；且第二磨光部包含一第二刻痕磨光部，其使用一磨 光棒部刻痕部位，一第二定向平坦磨光部，其使用一磨光 棒磨光定向平坦部位，及一第二周圔磨光部，除了使用一 磨光棒部定向平坦部位外，主要用於磨光晶圓的周圔部。 --------^ .裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂------ 經濟部中央棣準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X29?公羡）-6 -