TW303479B - - Google Patents

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30S479 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（1) 發明背景 1 .發明領域 在本說明書中揭示之本發明係關於一種積體薄膜半導 體裝置之製造方法。在此說明書中所揭示之本發明亦關於 —種活性矩陣型液晶顯示器之製造方法。 2 .發明背景 活性矩陣型液晶顯示器是習知的。它們之構造爲一薄 膜電晶體提供在每個圖素電極上，而圖素電極提供在一玻 璃基底上以數+萬之數目。提供在每個圆索電極上之薄膜 電晶體具有控制電荷流進和流出圖素電極之功能。 另一個已知之構造爲用以驅動提供在圖素電極上之薄 膜電晶體之薄膜電晶體電路（亦稱爲'^驅動壜路〃）乃整 合在相同的玻璃基底上。此即稱爲、週邊稹體活性矩陣型 〇 在此種活性矩陣型液晶顯示器之製造中，會碰到的現 象爲整合在玻璃基底上之一種薄膜電晶體會發生故障。 發明人主動的研究此一問題並發現下列之情事· 當製造例如活性矩陣型液晶顯示器之積體半導體裝置 時，絕緣膜和接線之形成使用電漿C V D法或濺鍍法和電 漿蝕刻* ' 圖3概略的顯示在電漿產生時，介於離子之能量（相 對值）和數量（相對值）間之關係》通常，會有相當高的 能量離子在電漿中而對基底造成損壤，如圖3之斜線所示 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -訂 求 本紙掁尺度遍用中國國家橾隼（CNS ) A4現格（21ύΧ2*>7公缝〉 一 4 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 305479 37五、發明説明（2) 〇 此時，所呈現之事實爲使用電漿CVD或濺鍍而形成 之絕緣膜並不好，且具有之耐壓如數十伏特或更低。再者 ，由於基底由玻璃或石英製成（其爲實質完全的絕緣）， 因此會有基底極容易充電之問題* 圖4 ( B )爲薄膜電晶體之一製造步驟，其使用圖4 (A)之符號表示。圖4 (B)顯示中間層絕緣膜31之 形成之狀態。 在此例中，假設中間層絕緣膜3 1以電漿CVD或濺 鍍形成。無庸赘言的是具有如圖3所示高能量之離子在膜 之形成時會碰撞樣本。 通常，源（S)電極和閘（G)電極並不互相連接》 因此，在使用電漿之步驟時，會發生，雖然僅是局部的， 介於源（S)電極和閘（G)電極間之電位差異瞬間到達 數十伏至數百伏之值之範圍。 源和閘電極之間具有一活性層3 2和一閘絕緣膜3 0 。使用CVD或濺鍍形成之閘絕緣膜3 0之耐電壓爲數十 伏或更小。因此，在上述之狀況中，閘絕緣膜3 0會受到 電性的破壤》 如此會引起薄膜電晶體故障。此問題可藉由源和閘電 極電短路而解決，亦即，在形成中間層絕緣膜3 1時，它‘ 們具有相同的電位。但是，在裝置最後操作之狀態中《源 和閘電極不能直接的電短路〃 在考慮上述之狀況，在圖4 ( B )所示之處理中，源 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4現格（2丨0,<2‘)7公t ) -5 - A7 _B7____五、發明说明（3) 和閘電極必需電短路直到最終階段’而後’它們必需斷開 經濟部中央標準局員工消费合作杜印裝 發明概要 本發明之目的乃在提供一種技術，其可解決在製造步 驟時，如圖4 (B)所示，對半導體裝置之破壞之問題。 特別的，本發明之目的乃在提供一種技術，其可免於半導 體裝置在製造時受到施加電漿之脈衝型高電位之破壞（例 如高電位局部和瞬間的施加）。 如圖2 (A)至2 (E)中之製造步驟之特殊例所示 ，在此說明書中所掲示之本發明在一觀點上之特徵在於包 括之步驟爲 形成一第一接線1 0 0延伸至一薄膜電晶體之一閘電 極 1 0 1 : 形成一第一絕緣膜2 0 6在第一接線上； 在絕緣膜上形成一第二接線1 0 2連接至薄膜電晶體 之一源極區域211: 在第二接線上形成一第二絕緣膜2 0 7 ;和 在第二絕緣膜上形成一導電圖樣2 1 4，和其中： 第一和/或第二接線具有一放電圖樣（見圖6 (A) 和6(B)或見圖7):和 ' 第一和/或第二接線和導電圖樣之形成同時的切刻（ 見圖2 ( E ))。 在上述之構造中，每個絕緣膜可具有多層構造。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（2I0X297公釐）_ _ ----------(：裝------訂------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作枉印取 A7 B7 五、發明説明（4) 如圖2 (A)至2 (E)之製造步驟之特殊例所示， 依照本發明之另一觀點，本發明提供一種活性矩陣電路之 製造方法（見圖1)，其特徵在於包含之步驟爲： 形成第一多數接線101; 形成第一絕緣膜2 0 6在第一多數接線上； 在第一絕緣膜上以晶格形式形成第二多數接線1 〇 2 正交於第一多數接線； 形成一第二絕緣膜2 0 7在第二多數接線上；和 形成一導電圖樣2 1 4在第二絕緣膜上，和其中 第一和/或第二接線具有一放電圖樣（見圖6 (A) 和6 ( B )或圖7 ):和 第一和/或第二接線和導電圖樣之形成同時切割（見 圖 2 ( E ))。 本發明之另一觀點之特撤在於，其包括之步驟爲： 形成構成活性矩陣電路之接線； 在接線上形成一絕緣膜；和 形成一導電圖樣在絕緣膜上，且其中： 該接線包括一放電圈樣；和 當導電圖樣形成時，包括放電圖樣之接線受到切割。 例如，當如圖6 (A) ，6 (B)和圖7所示之放電 圖樣形成在短路接線中，如圖1之1 0 〇和1 1 4所示，、 且在圖素電極214之定圖樣時（見圖2 (A)至2 (E ))和以矩陣型式提供之接線1 0 1和1 〇 2斷開時，則 可使用此種構造。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4现格（210x297公釐）_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 A7 B7 303479 五、發明説明（5) 本發明之另一觀點之特徵在於，其包括之步驟爲： 形成構成活性矩陣電路之接線； 形成一絕緣膜在接線上；和 形成一導電圖樣在絕緣膜上，和其中： 接線包括一放電圖樣；和 當導電圖樣形成時，放電圖樣和構成活性矩陣電路之 接線分離β 在圖2 (Α)至2(Ε)所示之處理中，用以互相連 接接線之接線1 0 0和1 1 4在圖素電極2 1 4定圖樣時 受到切割，如此允許接線在圖素電極定圖樣之前短路。 如此可抑制在使用電漿處理之製造下，施加局部高壓 至半導體裝置之一絕緣膜之現象。再者，在圖素電極之定 圖樣時，藉由使用一步驟以切割此一短路部份’即可使用 不會增加製造步驟之構造。 此外，藉由提供如圓6和7所示之放電圖樣在用以互 相連接接線之接線1 〇 〇和1 1 4上時’可降低或消除在 製造步驟之中間’經由接線1 〇 〇和1 1 4而傳播之脈衝 電位。 圖式簡單說明 圖1概略的顯示一種活性矩陣型液晶顯示裝置之構遙 圖2(A)至2 (E)爲活性矩陣型電路之製造步驟 〇 圖3爲在電漿中離子能量之分佈。 本紙張尺度通用中國國家標率（CNS)A4洗格（210x297公釐）_ 8 一 ---!---r---γ装—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --5 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 經濟部中央標準局員工消費合作社印取 A7 B7 五、發明説明（6) 圖4 (A)和4 (B)爲習知薄膜電晶體之製造步驟 〇 圖5 (A)和5 (B)爲活性矩陣型電路之例。 圖6 (A)和6(B)爲依照本發明之一賁施例之放 電圖樣之例。 圖7爲依照本發明之一接線圇樣。 圖8(A)至8(D)爲使用本發明之電光學裝置之 應用例。 較佳實施例之詳細說明 以下說明本發明之第一實施例。 在圖1所示之活性矩陣型液晶顯示器之構造中，本實 施例之特徵在於當圖素電極（圖1未顯示）定圖樣時， 1 0 3，1 04和1 0 5所示之區域以蝕刻移除。 本實施例將參考斷開一源極接線和一閘極接線而說明 ，該源極接線和閘極接線已提供在活性矩陣區域中，且在 最後階段互相連接。 圖素電極形成在最後步驟，且在圖素電極形成之後無 任何使用電漿之製造步驟。因此，形成圖素電極之步驟可 視爲使用電漿之最後步驟》 辛本實施例中，在圖素電極形成之前，一閘極接線 、 1 0 1和一源極接線1 〇 2以一由1 0 9表示之短路接線 保持連接（此接線和閘極接線101之形成同時形成）。 亦即，源極和閘極接線電短路直到使用電漿之最後步 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Λ4规格（210Χ297公釐) 7~ -I - - 1*,- - I 1L·--· —^1 - 1 - - ( -- I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

J 經濟部中央標準局員工消費合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明（7) 驟。亦即，薄膜電晶體106之閘極電極110和源極電 極211連接且在相同電位上。 如此可避免，即使當局部高電壓無可避免的施加時’ 數十伏或更大之電壓施加於薄膜電晶體1 0 6之閘極電極 1 1 0和源極電極2 1 1之間（其用以由圖1中之源極接 線102延伸）。因此可防止在薄膜電晶體之製造時’由 於使用電漿而感應之高電位脈衝對薄膜電晶體之破壤。 在用於圖素電極之I TO沉積後，在定圖樣圖素電極 以完成電路時，這些接線在由1 0 3所指示之區域中斷開 。圖1顯示以1 0 4和1 0 5所指示之其它區域，其中此 種切割同時執行。 圖1所示之構造使閘極線101和112和源極線 1 0 2和1 0 8在製造過程時位在相同的電位。再者’其 可解決在使用電漿或電放電之膜形成步驟或蝕刻步驟時’ 產生不必要之電位差異之問題。 圚2(A)至2(E)爲圖1所示之構造之製造步驟 之截面圖。圖2(A)至2(E)爲在圖1之構造中’薄 膜電晶體1 0 6之截面製造流程圖；沿A_A —線截取， 由閘極線1 0 1延伸之短路線1 0 〇之截面之製造流程圖 :和在相同圓式中由B-B >線截取，由源極線1 〇 2延 伸之短路線1 1 4之截面之製造流程圖。（實際所得之齋 面構造和圖2 (A)至2 (E)有所不同）。 以下說明如圖2(A)至2 (E)所示之製造步驟。 如圖2 (A)所示，一氧化矽膜（未顯示）首先形成當成 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（2丨OX W7公釐）_ 1〇 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明说明（8) 一基底塗層膜在一玻璃基底2 0 1上。如圖1所示之構造 提供在玻璃基底201上。 其次，使用電漿CVD或低壓熱CVD形成5 0 0A 厚之非晶矽膜。非晶矽膜之厚度約爲2 0 0 — 2 0 0 0A 。而後，在膜上執行一雷射光束照射和/或熱處理。結果 ，可提供一種結晶矽膜（未顯示於圖中）。 結晶矽膜（未顯示）定圓樣以形成由圖2 (A)之 2 0 2所指示之薄膜電晶體之活性層。其次，當成閘絕緣 膜之氧化矽膜2 0 3使用電漿CVD或濺鍍而形成約 1 0 0 0 A之厚度。 使用濺鍍形成厚約5000A之包括0.2%重置百 分比之钪之鋁膜（未顯示）。在鋁膜中含有非常少i的钪 之理由是爲了抑制小丘或鬚之產生。小丘或鬚爲甫形或棘 形突起，其乃因鋁之異常成長之結果。 其次，鋁膜定圖樣以形成一閘極接線1 0 1和由閘極 接線101延伸之一閘電極1 10。再者，由閘極接線 1 0 1延伸之短路接線1 0 0同時形成。 雖然圖2中未顯示，在圖1中以1 0 9表示之短路接 線亦同時在此步驟中形成。閘極接線1 0 1 ，由閘極接線 延伸之閘極電極1 1 0，和由閘極接線1 0 1延伸之短路 接線100視爲''第一層接線、 再者，如以下參考另一實施例之詳細說明，短路接線 具有一圖樣用以降低或消除已放電或感應之高電位脈衝。 其次，在電解液中以閘電極1 1 0，閘極接線1 〇 1 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X 297公釐）_ u (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局員工消費合作让印裝 A7 B7五、發明説明（9) ，和由閘極接線延伸之短路接線1 〇 〇和1 〇 9當成陽極 而執行陽極化•在此步驟中’可形成如圖2 (A)所示之 陽極氧化膜204和205。 陽極氧化膜可形成5 0 0A之厚度。陽極氧化膜可有 效的抑制小丘之產生以避免發生介於接線間之短路。因此 ，可獲得如圖2 (A)所示之狀態·此氧化步驟使用包括 以氨水中和之3%酒石酸之乙二醇溶液當成電解液*再者 ，在電解液中使電流流經分別當成陽極和陰極之鋁圖樣和 鉑而執行電解。 而後，雜質離子植入如圖2(A)所示之狀態中。在 此步驟中，源極區域2 1 1和汲極區域2 1 2以自我對齊 方式形成（圖2 (B))。 其次，氧化矽膜或氮化矽膜使用電漿CVD形成 5 0 0 OA厚之第一中間層絕緣膜2 0 6。含有氧化矽膜 和氮化矽膜或氮氧化矽膜之叠層膜可使用當成此中間層絕 緣膜。氮氧化矽膜使用Τ Ε Ο S氣體和N20氣體之混合 氣體當成氣體源以電漿C VD形成。 其次*使用乾蝕刻形成接觸孔。由於可使用各向異性 蝕刻之乾蝕刻方法之改進，近年來之趨勢爲更精細之圖樣 〇 即使使用乾蝕刻，在製造時之薄膜電晶體可免於由電' 漿所感應之高電位脈衝所破壤。此乃因爲接線和電極互相 連接以使具有相同之電位，其可使大的電位差異免於施加 至閘絕緣膜2 0 3 » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X297公慶）_ _ ^^^1 >11— HI —y— I -I I ( 1^1 1— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 〇C〇479 A7 B7五、發明说明（10) 其次，含有鈦膜，鋁膜，和其它鈦膜之三層膜形成當 成第二層接線。使用濺鍍形成三層膜。在此例中，亦可抑 制介於接線和電極間之大電位差異之產生。 而後，如上述形成之三層膜定圖樣以形成源極接線 1 0 2 (其延伸以接觸源極區域2 1 1 )，一汲極電極 1 1 3，和由源極接線102延伸之短路接線（圖2 (B ))0 這些電極和接線視爲 ''第二層接線^ 。提供有電極和 接線之位置間之關係如圖1所示。 由圖2 (A)至2 (E)可知，由閘極接線101延 伸之閘極電極110(見圖1)和由閘極接線101延伸 之接線1 0 0所形成之第一層接線（由圇1之實線所指示 )在水平方向上由中間層絕緣膜2 0 6而和以源極接線 1 0 2和由源極接線延伸之接線1 1 4所形成之第二層接 線（由圖1之虛線所示）分離。但是，這些接線經由如圖 1所示之短路接線1 0 9而互相連接（短路）。 在獲得如圖2 ( B )所示之狀態後，形成氧化矽膜或 氮化矽膜當成第二層絕緣膜207(圖2(C))。 當形成第二層絕緣膜2 0 7時，所有的電極和接線短 路。因此，可抑制在電漿之影響下，不必要電位差異之產 生。再者，亦可抑制由於高電壓之局部應用而產生之缺點〜 Q 再者，形成用以連接汲極電極1 1 3和稍後形成之圖 素電極2 14 (見圖2 (Ε))之接觸孔208。 本紙張尺度逋州中國國家標準（0^)厶4現格（2丨()><297公縻）_13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 ____ B7 ___ 五、發明説明（u) 再者，同時形成一開口209以暴露由閘極接線 1 0 1延伸之短路接線1 00，該閘極接線1 〇 1爲在區 域105上之第一層接線（見圖2(E))。 再者，同時形成開口 2 1 0以暴露由源極接線1 〇 2 延伸之短路接線1 1 4，該源極接線1 0 2爲在區域 104上之第二層接線（見圖2(E))。 開口亦使用乾蝕刻形成。在此步驟中，由於接線和電 極互相連接在相同竃位上，其亦可抑制在介於接線和電極 間由電漿感應之髙電位之影響。 由圖2(C)可知，延伸至第一層接線100和第二 層接線1 1 4之開口 2 0 9和2 1 0在此步驟中同時形成 〇 其次，使用濺鍍以形成一 I TO膜2 1 3，用以形成 一圖素電極。在圖索電極形成時，由於接線和電極在相同 的電位上，亦可抑制在電漿之影響下，介於接線和電極間 不必要電位差異之產生。 特別的，重要的是絕緣膜和圖素電極形成在一狀態中 ，其中由圖1之實線所示之第一層接線之閘極接線1 0 1 和由虛線所示之第二層接線1 0 2互相短路。在此狀態中 之膜形成（和乾蝕刻亦可抑制介於第一層接線和第二層接 線間之高電壓應用。 、 結果，可防止例如高電壓施加於上述閘極接線1 1 〇 和活性層2 0 2間之狀況。亦即，可抑制高電壓施加至閘 絕緣膜2 0 3。 i紙張尺度適用中國國家標準·（（:NS ) A4况格（2H>x2()7公釐）_ _ ： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央櫺準扃員工消費合作社印^ A7 B7 五、發明説明（12) 其次，ITO膜213定圖樣。此圖樣亦由乾蝕刻執 行。接線1 00和1 1 4以乾蝕刻移去圓2 (E)中所示 之區域105和104。 因此，接線100和114在區域105和104上 切割（斷開）。 圖2 (E)爲接線在區域1 04和1 0 5斷開之狀態 。再者，在區域1 0 3中，接線1 0 9之斷開亦同時在相 同的步驟上執行。 因此，可完成活性矩陣型液晶顯示裝置之圖素區域之 電路構造-。 在本實施例中，在使用電漿之步驟時，不需要作用成 天線之接線和電極電短路在相同的電位。因此，即使當以 電槳感應局部之高電位時，亦可使薄膜電晶體在製造時免 於受到髙電壓之破壤。 以下說明本發明之第二實施例。 本實施例係關於一種活性矩陣型液晶顯示器之圖素區 域之構造，其具有如圖5 (B)所示之等效電路。圖5 ( A)爲具有如圈5 (B)所示之等效電路之構造· 在圖5 (A)和5 (B)中，502爲一閘極接線和 5 0 1爲一源極接線》閘極和源極接線以矩陣之型式存在 ，且以5 1 2，5 1 3和5 1 4所指示之圇素電極提供在' 由兩接線所包圍之區域中》 在圖5 (A)中所示之構造，閘極接線5 0 2和電容 接線5 0 3橫跨一半導體層（活性層），該半導體層以、

In —^^1 ΙΓΙ mi I - * n^— 1^1 士及. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 木紙倀尺度逋用中國國家標隼（（：阳），\4現格（21(^297公釐）._15 A7 ______B7 五、發明説明（13) Μ"型式存在以提供如圖5 (B)所示之電路構造。 由圚5 (Β)可知’如果閘極接線502和電容接線 5 0 3直接連接時，電路無法操作。再者，閘極接線 5 0 2和電容接線5 0 3以定圖樣相同導電膜而形成。 在此種構造中，當絕緣膜覆蓋接線時，高電壓可能施 加至閘接線502和電容接線503之間。由圖5 (Β) 可知，如果髙電壓施加於閘極接線5 0 2和電容接線 5 0 3之間時，會破壤形成在它們之間之一電晶體和一 Μ Ο S電容。 考慮上述之情形，本實施例之構造之特徵在於閘極接 線5 0 2和電容接線5 0 3連妾在以5 0 0表示之區域上 ，直到形成一圖素電極513 (此圓素電極形成在最後階 段），且當圓素電極513定圖樣時，區域500受到切 割。 此種構造可使高電壓免於施加至閘極接線5 0 2和電 容接線5 0 3，而不會增加製造步驟。 以下說明本發明之第三實施例。 經濟部中央標準局員工消资合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施例係關於如圖1所示之短路接線1 0 9 * 114和100之圖樣之形狀。 由電漿感應之脈衡型高電位由局部異常放電所產生。 因此，感應脈衝型高電位之位置並非特定局部區域。 、 « 在具有大區域之活性矩陣區域之例中，以電漿感應之 高電位脈衝可在接線上傳播一段長的距離。在此例中，即 使接線和電極在相同的電位上，亦有如上所述之高電位脈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4坭格·（ 210χ297公釐) ~ ~ A7 B7 SGG479 五、發明説明（14) 衝傳播之影響。 本實施例係關於在此例中有效之構造。在本實施例中 ，如圄6 (A)和6 (B)所示之圖樣形成在部份的短路 接線109 ，114和/或100中。 圖6 (A)爲用以降低或減少高電位脈衝波型之接線 圓樣，其經由一線6 0 1而俥播在由6 0 2所示之區域上 •此種接線圖樣之目的乃在使在區域6 0 2上之脈衝之碰 撞，藉以在該區域中放電能量。 提供如圖6 (A)所示之圖樣在短路接線以1〇〇和 1 1 4表示之中間或端部是有效的。亦即，其可有效的避 免高電位脈衝在線上來去數次。 圖6 (B)爲包括用以放電之圚樣605之線604 ，其由具有接地電位之實切割線6 0 3所園繞。 提供此種圖樣在由100和114所示之短路接線之 端上亦是有效的•再者，提供在介於活性矩陣區域和週邊 驅動電路區域間之連接中亦是有效的。 在依照此實施例之圖樣中，藉由提供圈樣，接線之阻 抗局部的改變（增加或減少），因此，會阻礙高頻脈衝經 由接線之傅播。 在圖7中，兩相鄰線7 0 1和7 0 3以一接線圖樣 702連接。此種構造具有之功能爲經由線701和 、 7 0 3傳播之高電位脈衝在圖樣區域7 0 2上互相碰接並 於此放電。 提供如圖7所示之圖樣在以1 0 0和1 1 4所指示之 本紙張尺度適消中國國家梯隼（CNSM4規格（210X297公釐）_ 1了 _ —I ^n- I - . 一·- _ _ —i— 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（15) 短路接線之端上和在活性矩陣區域之外之區域亦是有效的 。藉由提供如圖7所示之圖樣，可防止高電位脈衝在活性 矩陣電路中之所有方向上傳播β 本發明可防止在製造時由於電漿所感應之脈衝型高電 位而對半導體裝置之破壞。特別的，上述亦無需加入任何 特別之製造步驟。 依照本發明之活性矩陣裝置可使用於例如液晶顯示器 或一電發光顯示器之電光學裝置。電光學裝罝可使用在下 述之電子裝置中* 圓8(Α)爲稱爲數位鋼照相機或電子照相機之裝置 。此裝置具有以C C D照相機電子的儲存所拍攝影像之功 能。CCD照相機安排在一相機部份2002。再者，此 裝置亦具有顯示安排在本體2 0 0 1中之顯示裝置 2 0 0 3之影像之功能。再者，此裝置亦具有各種通訊設 施，和使用當成資訊端之資訊記憶機構。此裝置之操作以 操作鈕2004進行。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖8 (Β)爲攜帶式個人電腦。此裝置在蓋2102 上具有顯示裝置2 1 0 4，其可打開或關閉，且其可由鍵 盤2 1 0 3輸入各種資訊和進行各種操作。 圖8(C)爲使用平板顯示器之車輛導航系統之例》 此種車輛導航系統具有由天線部份2304和顯示裝置、 2 3 0 2所組成之本體。以操作鈕2 3 0 3執行需用於導 航之各種資訊之轉換。再者，可由遙控裝置（其通常未顯 示）執行各種操作。 本紙張尺度適用中國國家標率（€呢>/\4現格（2丨0\ 297公釐）_18_ A7 B7 五、發明説明（16) 圖8 (D)爲投影型液晶顯示裝置之例。在圖中，由 光源2 4 0 2照射之光由液晶顯示裝置光學的調制成影像 。此影像由鏡2 4 0 4和2 4 0 5反射而投射在螢幕 2 4 0 6 上。 雖然本發明已參，考較佳實施例而說明，但是必需了解 的是本發明之範疇並不限於所述實施例之特殊構造· —：---_----裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經济部中央標準局貝工消費合作社印裝 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNSM4洗格（210X297公釐）_ 19

Claims (1)

1. ABCD 經濟部中央標準局員工消#合作社印策 六、申請專利範園 1 .—種半導體裝置的製造方法，包含之步驟爲： 在一基底上形成包括一閘電極之第一接線以用於一薄 膜電晶體： 形成一中間層絕緣器在該第一接線上： 形成一第二接線在該中間層絕緣器上，該第二接線連 接至該薄膜電晶體之源和汲極區域之一； 形成一第二中間層絕緣器在該第二接線上： 形成一導《膜在該第二中間屠絕緣器上；和而後 以蝕刻定圖樣該導電膜： 其中至少在該第二中間層絕緣器和該導電膜形成時， 該第一和第二接線互相短路：和 其中第一和第二接線之至少之一具有一放電匾樣· 2 .如申請專利範園第1項之方法，其中該第二中間 層絕緣器之形成使用電漿執行》 3·如申請專利範圈第1項之方法，其中該導電層之 形成使用電漿執行· 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一和第 二接線藉由該定圚樣步驟而互相電分離。 5 .—種活性矩陣裝置之製造方法，包含之步驟爲： 提供第一多數接線延伸在行方向； 形成第一中間層絕緣器在該第一多數接線上； 、 提供第二多數接線延伸在列方向正交於該行方向； 形成第二中間層絕緣器在該第二多數接線上； 形成一導電膜在該第二中間層絕緣器上；和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（210Χ297公麾）-20 - ----·----{ ------,βτ------ (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 47d Λ 8 Β8 C8 D8 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 以蝕刻定圖樣該導電膜； 其中該第一和第二多數接線之至少之一具有放電圖樣 ，和 其中在該第二中間層絕緣器形成時，第一多數接線經 由一短路接線而互相短路，且該短路接線藉由定圖樣步驟 而斷開。 6 .如申請專利範圍第5項之方法，其中該第一多數 接線電連接該第二多數接線，並藉由該導電膜之定圖樣步 驟而由此分離。 7 種活性矩陣裝置之製造方法，包含之步驟爲： 在一基底上提供多數之接線以用於一活性矩陣電路； 在多數之接線上形成一絕緣膜： 在該絕緣膜上形成一導霄膜；和 定圖樣該導電膜， 其中該接線具有一引線含有一放電圇樣，和 其中該引線藉由該定圖樣步驟而斷開。 8 .如申請專利範圍第7項之方法，其中至少在該絕 緣膜和導電膜之形成時，多數之接線互相電連接，而藉由 該定圓樣步驟而互相電斷開。 9 .—種活性矩陣裝置之製造方法’包含之步驟爲： 在一基底上提供多數之接線以用於一活性矩陣電路k 在多數之接線上形成一絕緣膜； 在該絕緣膜上形成一導電膜；和 定圖樣該導電膜， 本紙張尺度適用_國國家標皁（匚阳>六4規格（2丨0;<297公釐）-21- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中該接線具有一放電圖樣，和 其中該放電圖樣藉由該定圖樣步驟而和多數之接線分 離。 1 0 .如申請專利範圍第9項之方法，其中至少在該 絕緣膜和該導電膜之形成時，該多數之接線互相電連接， 而藉由該定圖樣步驟而互相電斷開。 1 1 ·—種電光學裝置之製造方法，包含之步驟爲： 在一基底上準備包括閘電極之第一多數行線以用於薄 膜電晶體，該行線經由第一短路接線而互相電短路； 在該第一多數行線上形成一中間層絕緣器； 準備第二多數列線連接至該薄膜電晶體之源極並延伸 正交於該行線，該列線經由一第二短路接線而互相電短路 ;和而後 設置該基底至一電漿中以進行一電漿處理。 1 2 .如申請專利範困第1 1項之方法，其中該電漿 處理至少爲濺鍍，電漿CVD，和電漿蝕刻之一· 1 3 _ —種電光學裝置之製造方法，包含之步驟爲： 在一基底上準備包括閘電極之第一多數行線以用於薄 膜電晶體； 在第一多數行線上形成一中間層絕緣器： 準備第二多數列線連接至該薄膜電晶體之一源極，且、 延伸正交於該行線，和而後 設置該基底至一電漿以進行一電漿處理， 其中該第一多數行線和第二多數列線電連接至相同的 本紙悵尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公釐）-22 - --------^ ύ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 電位以避免由該電漿處理所引起對薄膜電晶體之損壤。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該電漿 處理至少爲濺鍍，電漿C VD，和電漿蝕刻之一。 1 5 . —種電光學裝置之製造方法，包含之步驟爲： 在一基底上準備包括閘電極之第—多數行線以用於薄 膜電晶體： 在第一多數行線上形成一中間層絕緣器； 準備第二多數列線連接至該薄膜《晶體之源極並延伸 正交於該行線；和而後 設置該基底至一電漿以進行電漿處理’ 其中第一和第二接線之至少之一具有一引線，而該引 線含有阻抗局部改變之部份％ 1 6 .如申請專利範圃秦項之方法’其中該電漿 ..Λ 〆 1、，, 處理至少爲濺鍍，電漿CVD，和私漿蝕刻之—。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· •訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4规格（2l〇X297公釐）-23 -