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TW295776B - - Google Patents

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TW295776B
TW295776B TW084104898A TW84104898A TW295776B TW 295776 B TW295776 B TW 295776B TW 084104898 A TW084104898 A TW 084104898A TW 84104898 A TW84104898 A TW 84104898A TW 295776 B TW295776 B TW 295776B
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cooling
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vapor
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TW084104898A
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Materials Research Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(1 ) 本發明係有關於一種陰極噴鍍靶,更詳而言之,尤指一 種冷卻安裝在陰極噴鍍總成上之噴鍍靶,其在噴鍍靶作業 過程中之冷卻方法與裝置。 發jg之使 在噴鍍沉積過程中,需要被喷鍍,同時其上具有一層薄 沉積層之基層係被放置在噴鍍靶附近,該噴鍍靶為塗覆材 料源。在容室内之壓力被降到幾乎是真空的狀態,然後對 噴鍍靶施予負電壓。於是,噴鍍靶便會釋放電漿,該電漿 可μ利用磁力線來限制或強化,於是產生大量的正離子, 對靶體進行轟擊,進而將靶體表面之原子分離。靶體原料 上之原子於是會移動到基層的表面,於是便形成了一層靶 體材料塗層。 在這項過程中,轟擊之離子,除了將靶體表面之原子帶 離外,也會將能量帶到靶體上,進而造成靶體發熱。一般 來說,施加至電漿上的電源,將近有90%Κ上轉換成加熱 靶體上之熱源。一般在靶區使用之能量密度在每平方呎 30,000瓦,於是需要有強力之冷卻源來冷卻靶體,Μ防止 靶體發生熔化或斷裂,同時也保護靶體支撐之陰極及鄰近 之结構體,使其免於過熱。 最常使用之冷卻靶體之技術係將冷卻水導至噴鍍靶之背 面,或用冷卻水強力地衝擊噴鍍靶固定之背板。冷卻水係 使用進水管導入陰極缌成。冷卻水流向及流經一塊冷卻區 域,繞著一具靠近噴鍍靶(或背板)後面之磁性结構,同時 由排水管排出。於是靶體上之高熱 > 便由冷卻水之熱傳導 (請先閱讀背面之注意事項再瑣寫本頁 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B? 五、發明説明(2 ) 而帶離。在某些結構中,噴鍍陰極结構是水冷式,同時在 使用時,噴鍍靶是緊緊地固定在靶體支撐陰極结構上。因 為噴鍍靶幾乎是每天2 4小時的連續生產作業,同時包括三 (3)至十二(12)支同時理轉之陰極,用來冷卻的水,表示 整個系統運轉所需之大量成本。需要多少數量之冷卻水, 是由需要散去多少熱量,水的比熱,及冷卻水之容許之上 昇溫度來決定。 Μ下則為計算所需冷卻水數量之公式: 電漿能量=30,000瓦 傳導至靶體之熱量(90% )= 27 , 000瓦 8丁1)/小時=27,000瓦7 3.4181'1]/小時/瓦=92,070 81'1] /小時 所容許之冷卻水上昇溫度為華氏30度(進入口 70度,排 水口 100度),冷卻水之比熱為1.0 BTU /磅/ Τ,要將 92 , 070 ΒΤϋ/小時熱量散去之冷卻水需要: 92,070 ΒΤΙΙ/小時 .Ί.0% ΒΤΠ/小時/Τ 井高華氏30度 : 1.0 BTU/磅/Τ = 3,096磅之冷卻水/小時 在8.34磅/加侖下•冷卻水流量為: . 0 9 β磅/小時 8.34磅/加倫 =368加侖/小時 而使用冷卻水之效率則可用下列公式表示: -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OX297公釐) ^ 、va (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(3 ) Q?.Q70 ΒΤΠ / 小時 368 加侖 =250 . 2 BTU/ 加侖 在以上所描述之傳統噴鍍陰極中’冷卻水之吸熱受到了 水的比熱,1.0 BTU /磅/卞,之限制,該比熱值在水為液 態時,是—項常數。但是,當水沸嫌時,同時由液態轉換 成氣態,則汽化之潛熱97〇 BTU/榜,則在相同之數量下’ 冷卻水之吸熱能力便明顯地大增。 在這些條件下,相且之計算公式如下: 需要抽離之熱量=92,070 液態:(212。 -70。比熱)=142 BTU /膀 在212。時汽化為蒸氣 iHJL BTU/碎 全部 1112 BTU/磅 92.070 BTI"小眭 1112 ΒΤϋ /磅 =82.8磅 / 小時 8 2 . 8腌/小_ 8.34磅/加侖 =9.9加侖/小時 設備利用效率 =92.070 BTU/小時 9.9加侖/小時 =9,300 BTU/加侖 利用瑄種方式所節省之冷卻水數盪,在與Μ上所討論之 陰極结[成比較下(由368加侖,降低至9·9加侖),使得 (請先閱讀背面之注意事項再楨寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 295776 A7 B7 五、發明説明(4 ) 水由液態汽化成蒸氣之潛熱,在水之比熱外•也可Μ用來 冷卻。為了使這項理論可以實際地付諸實施在冷卻噴雜靶 上,冷卻水汽化成蒸氣之過程,必需在控制條件下進行。 單純地減少冷卻水之使用量,同時允許冷卻水產生蒸氣, 會在靶體之冷卻面上產生一道絕熱層,這道絕熱層會阻止 熱流,並且造成靶體發生過熱。 圖1掲茈出習知嗔鍍陰極结!成之正常冷卻方式。噴鍍頭 或背板115具有一道冷卻面116得與冷卻液117接觸,該 冷卻液117之流動方向如118所示,由進入口流往排水口 。來自於冷卻面116之熱量•便流入流體之邊界面119 · 然後擴散進人冷卻液117内。 圖2則揭露單純減少圖1系統之冷卻水使用量,而造成 之漸減之效果。來自於冷卻面116之熱源將邊界層119之 冷卻液煮沸,進而產生一道絕熱之蒸氣層121 ,於是便阻 止了冷卻水接觸冷卻面116 ,造成了噴鍍頭115之過熱。 這種現象會在整個靶體表面上發生或是僅限於某一區域, 於是產生了區域性的熱灶。 本發明之目的在於提供一種方法,以降低用於冷卻噴鍍 靶之冷卻水數量。 本發明之另一目的在於提供一種使用少量冷卻水,即可 達到冷卻哦鍍靶之裝置。 本發明之目的在於提供一種冷卻噴鍍頭之方法與裝置, 其可Μ利用到冷卻水由液態轉換成汽態所需之潛熱,進而 增加在一定數量下之冷卻水之冷卻能力,於是防止噴鍍靶 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '11 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標率局員工消費合作杜印製 A7 ___ B7 五、發明説明(5 ) 之過熱。 發复 本發明利用同時提供冷卻噴鍍靶之方法與裝置,來達成 前述之目的。該方法之步驟包括提供一噴鍍靶及一冷卻面 *該冷卻面與該噴鍍靶形可操作之熱傳導接觸;將一冷卻 液體導入該冷卻面,進而將噴鍍靶之熱量Μ傳導方式排除 ;允許至少部份之冷卻液體改變相態成為蒸氣;及防止該 冷卻面形成連續絕熱之蒸氣層之步驟,Μ確實維持該冷卻 面與該噴鍍靶間之熱傳導繼續進行,Κ避免噴鍍靶發生過 熱現象。 該冷卻面為該噴鍍靶之背面或該噴鍍靶所固定之背板之 背面,於是該背面得與該噴鍍靶接觸,構成熱傳導,或為 該噴鍍靶所固定之陰極結構之表面,於是該表面得與該噴 鍍靶接觸,構成熱傳導。 防止該冷卻面形成連績絕熱之蒸氣層之步驟係Μ下列方 式執行,即至少Κ下列三種方法攪動該冷卻液體,使其與 該冷卻®接觸。第一種方法包括在距該冷卻面上方一段距 離處,設置孔板·該孔板上具有多數個孔洞;及使該冷卻 液體流過該孔板,以使冷卻液Μ高速噴離孔洞,進而強力 地接觸該冷卻面,該噴射水流可Κ穿透冷卻面上所形成之 蒸氣絕熱層。第二種方法包括在該冷卻面上方設置一道由 矩陣排列之嗔嘴;及供應該等唄嘴水流,進而使水流以高 速咱離噴嘴,而射向冷卻面*進而強力地接觸該冷卻面, 該噴射水流可Μ穿透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱曆。第三 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再楨寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(6 ) 種方法包括在冷卻面上方一段位置處•提供多數個撓曲面 ;及使冷卻液體流過該撓曲面,使得冷卻液體在該撓曲面 之位置處•產生局部性之流動,該等冷卻液體強力地衝射 該冷卻面,同時穿透在該冷卻面上形成之蒸氣層。 對於第三種方法,即攪動冷卻水流,使其與冷卻面接觸 ,移動該撓曲面,使其相對地朝向該冷卻面移動,以增加 冷卻液體之局部性之流動•且該流體強力地衝射該冷卻面 〇 本發明可同時利用提供一種冷卻噴鍍靶之裝置來達成。 該裝置包括一冷卻面,該冷卻面與該噴鍍靶形成可操作之 熱傳導接觸,當將一道冷卻液體導入該冷卻面,可將噴鍍 靶之熱量Μ傳導方式排除;及允許至少部份之冷卻液體改 變相態成為蒸氣之裝置,防止該冷卻面形成連續絕熱之蒸 氣層,Μ確實維持該冷卻面與該噴鍍靶間之熱傳導繼續進 行,Μ避免噴鍍靶發生過熱現象。 該冷卻面為該噴鍍靶之背面或該噴鍍靶所固定之背板之 背面,於是該背面得與該噴鍍靶接觸,構成熱傳導,或為 該噴鍍靶所固定之陰極结構之表面 > 於是該表面得與該噴 鍍靶接觸,構成熱傳導。 其中允許至少部份之冷卻液體改變成相態成為蒸氣之裝 置,防止該冷卻面形成連鑛絕熱之蒸氣層,該冷卻液體受 到熱列攪動,使其與冷卻面接觸,且其採取之型式為在距 該冷卻面上方一段距離處,設置孔板,該孔板上具有多數 涸孔洞以產生高速噴洒之水流,在該冷卻面上方設置一道 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0Χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •丨 ,广' 、^ 295776 A7 B7 五、發明説明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由矩陣排列之噴嘴Μ提供噴洒水流,或在冷卻面上方一段 位置處,提供多數個撓曲面;使冷卻液體流過該撓曲面, 使得冷卻液體在該撓曲面之位置處,產生局部性之流動。 該裝置同時可包括移動該撓曲面之装置,使其相對地朝向 該冷卻面移動* Μ增加冷卻液«I之區域流體之攪動。 本發明所提供冷卻噴鍍靶之方法與裝置,其優點在於其 所使用冷卻噴鍍靶之冷卻水需求量,在與傅铳之冷卻技術 比較下,明顯地降低了許多。 這些及其他之目的與優點,在配合所附圖示與詳细說明 下,將變得更為明白,其中: 圖1為習知冷卻噴鍍靶或背板之技術; 圖2刖為在簡單地降低圖1所示冷卻系統之冷卻水流, 試圖利用冷卻水由液態轉換成汽態時,所造成之邋減效果 » 圖3則為噴鍍塗覆處理室之剖視圖,其中包括了本發明 之作業原理; 圖4則為本發明其一實施例之剖視圖; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 圖5則為與圖4所示相似之視圖,但為本發明之另一實 施例; 圖6削為與圖4 、圖5所示相似之視圖,但為本發明之 另一實施例;及 圖7則為圖3所示實施例之剖視圖,其配置有一唄鍍塗 覆處理室。 -10- 本紙張尺度適用中國國家森準(CNS丨A4規格(2!0'乂297公| ) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 ____ _ .. _____ 五、發明説明(8) 與本發明有闢之噴鍍機器•則在Μ下之美國專利及專利 申請案中有揭露•該等專利也同時成為本申請案之引證案 美國專利第4,909,695號及4,915,564號”處理及處理 晶原材料之方法與裝置”。 美國專利第4,957,605號”噴鍍梯型晶原之方法與装置 ;及 美國專利第5,130, 00 5號”配備旋轉磁件结構之磁控管 噴鍍之方法與裝置”。 圖3以剖視方式揭茈一噴鍍装置之噴鍍處理室10·其包 括本發明之操作原理。該處理室10為美國專利第 4.090,695號所揭露噴鍍裝置之一部份。處理室為一真空 處理室,係由主要處理室11之隔間部份所構成。主要處理 室11利用一道送氣壁14而與大氣或機器裝置之環境12所隔 開。處理室10可與主要處理室11經由送氣壁14上之開口 15(圖中所示為封閉狀態)相通。 如美國專利第4,909,695號所詳细揭露者,將開口 15密 封* Μ將處理室10與主要處理室11隔開•可Κ利用處理室 之背平面部份16之選擇性移動來達成,該背板部份可抵住 碟形旋轉晶原運送元件17之一部份,將運送元件17來在運 送元件17與背板部份16與送氣壁14間,Κ達到密封之闞係 (如圖所示)*進而將背板空間19密封在處理室19内•並且 將處理室10與主處理室11隔開。 -11*" 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ 經濟部中央標隼局員工消費合作社印策 A7 B7 〜――--------------- 五、發明説明(9) 在背板部份16之相對面’在運送元件17之前平面側',該 處理室10則使用一具陰極總成模姐20’而將處理室10與大 氣或機器裝置環境12隔絕開來’該棋姐20係Μ真空密封方 式抵住處理室壁面33’該處理室壁面33係圍繞住該開口 15。該模姐20,或處理室前板部份’配合該背板部份16及 該運送元件17,以構成隔絕之處理室’該處理室則與主處 理室11及大氣或機器裝置之外在環境12隔絕開來。 在處理室10内,為一基層或工作件’其為一矽晶片或磲 ,其上具有一平面22,可在處理室10内所進行之噴鍍塗覆 作業中,將塗覆層沉積在該平面上。晶原21是由晶原固定 器上之一姐夾子或其他之固定裝置23所固定,該固定裝置 係彌性地由該運送元件17所攜行。運送元件17可在主要處 理室内旋轉,進而將固定器25,連同工作件晶原21與孔洞 15對齊,於是,處理室10可Μ在固定器25上之晶原21附近 形成,其形成之方式將將背板部份16做横向移動,Μ將元 件17抵住送氣壁14。運送元件部份17為一横向移動之環體 ,係由圖中未示之可旋轉索引盤所撕行,但這一部份在美 國專利第4,909,675號及第4,915,564號專利中有詳细揭 露0 晶原21係支撐在一道與主要處理室10之中央袖線27垂直 之平面上,該軸線也同時與送氣壁14之孔洞15同軸心。將 固定在固定器25上之晶原21園繞起來者為一遮蔽器34’該 遮蔽器34可Μ保護固定器25不致累積過多之塗料層’這些 塗料係未沉積在晶原21之平面22上。其中處理室1〇為一元 -12- 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(2丨〇 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再楨寫本頁) -訂_ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____B7 五、發明説明(1〇) 件之咱鍍裝置,其包括有晶原運送元件17,晶原固定器 25,及背板部份16,則在先前做為引證資料之美國專利第 4.909,695號與第4,915,464號中有詳细揭露。 陰極缌成模姐20係安装在一固定處理室缌成部份31。固 定總成部份31為一密閉元件,剛性地Μ密閉方式固定在圍 繞住開口 15之送氣壁14上。其包括一處理室10之一圓柱形 金臑側壁33,其係連接至送氣壁14接地,一晶原固定器遮 蔽器34則圈繞在該開口 14,及一處理室門架構缌成35。 陰極缌成50係安裝在一絞鍵門總成37上,該總成Μ旋轉 方式,但不是密封方式將陰極總成50支撐在固定總成31上 。陰極缌成50襯有噴鍍靶40,靶體為一圓形靶體,其具有 一連續平滑之凹面41及一背面39。缌成50支撐住靶體40, 其軸線係與處理室10之軸線對齊·同時其噴鍍面41係面對 著要接受塗覆之晶原21之表面22。 靶體40係支撐在靶體巢,固定器或背板42上,其具有一 前平面43與平面39相符,同時與軸線27同一袖心。靶體 40之背面39係焊接或Μ其他方式黏合在背板42之前平面 43上,二者形成緊密之熱交換接觸。該靶體背平面39係一 冷卻面,當靶體40安裝在背板42上時·與背板42之平面 43相貼合,同時構成冷卻接觸。在背板42後,相對於前冷 卻面43,則為冷卻液循環之空間44,該冷卻液通常為清水 ,進而利用冷卻熱傳導背板42之後冷卻面43a ,而將靶體 在噴鍍作業進行中產生之熱帶離。冷卻面43a *在未與靶 體40直接接觸時,則仍然是與靶體40構成熱傳導接觸。冷 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\=6 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ _B7 _ 五、發明説明(η ) 卻液體則由陰極缌成50之進水口 45及排水口 46而在空間 44内循環,如Μ上所描述者。空間44係利用骹體结構48而 密封在背板42之後方•其中之背板42係剛性地支撐在該處 ’其係使用螺栓49來固定。 靶體40之平面形狀最好是形成一種可Μ將噴鍍材料塊置 於車床上切削之形狀。背板42係使用導熱及導電材料所製 成,最好使用硬回火之OFHC飼或鋁合金110 。陰極總成 5〇包括一袖桿51*其一端具有螺紋52*利用該燦紋52而剛 性地固定在背板42背面中心之螺孔53内。總成50包括一可 旋轉之磁性攜行缌成55*其包括一非磁性不網或其他材料 之圓碟56,其具有一中央孔洞,圓碟56係剛性地固定在一 袖套缌成58上,其係利用軸承總成59而旋轉地安裝在該處 ,同時穿過該殻體48,而至背板42,進而繞著袖線27上之 軸捍51旋轉。陰極缌成進一步包括一磁件结構60,剛性地 固定在該圓碟56上,並與画碟一起旋轉。磁性60係繞著轴 線27,同時置於背板42之下方或背後•在前面43之相對處 ,同時距離近到足Μ在靶體噴鍍面41之上方,產生一密閉 磁力場,該靶體40係安装在該背板42之平面43上。 軸桿51具有一冷卻液進水口導管62,該進水管係貫穿該 袖桿51,同時與冷卻室44內部之進水管45連接,該冷卻室 44係介於背板42與殻體48間。殻體4δ係安装在靠近冷卻液 排水口 63之緣部,該排水管63則與冷卻空間44之冷卻水排 水口 46相通。 安裝在殻體48背面的是一托架64,該托架係安裝在一磁 -14- 本紙張尺度適用中國國家榡隼(CNS ) Α4规格(210 X 297公釐) -·、-0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作.杜印製 A7 ___B7 五、發明説明(12) 件旋轉驅動馬達65上。馬達65具有一输出軸66,其端部安 裝有一鈍齒驅動輪67,進而驅動一條鈍齒驅動皮帶68。皮 帶68繞過鈍齒驅動輪67,而固定至驅動軸桿70上,該袖桿 70係旋轉地安裝在殻體48上,該抽桿同時延伸貫穿該處, 其具有一自由端71,其上安裝有一驅動齒輪72。驅動齒輪 72係固設在空間44内,並在其内與一耦合齒輪74耦合,該 齒輪74係固定在旋轉磁件缌成55之碟片56上。於是,冑胃 達65通雷後,驅動位在背板4 2後方之磁件總成55及磁件 60旋轉,Μ切割位在靶體40噴鍍平面上方之磁場。 現請參見圖4 ,本發明之一實施例,其配置有圖3所述 之噴鍍靶裝置。如圖4所示,冷卻液117係由冷卻液進水 口進入,例如由圖3所示之入口 62,同時朝著118所示之 方向流動,並流經孔板125 ,該孔板125係設置在冷卻面 116之上方。冷卻面116可Μ設置在噴鍍靶之後面,或是 固定噴鍍靶之背板上(例如,圖3所示背板42之背面 43a),或是固定噴鍍靶之噴鍍陰極平面。如先前所描述者 ,在稍後的兩個範例中,在冷卻面116未直接與靶體接觸 ,如與靶體後面接觸一樣,冷卻面116仍然能與靶體形成 熱傳導接觸。 請參見圖7所示,相同的元件仍K相同之數字來表示, 孔板125可利用固定套筒80而安裝在冷卻室44内。另一種 方式為,孔板125可K為旋轉磁件60之一部份。一巨安裝 在冷卻室44內,孔板125係固定在冷卻面116與旋轉磁件 60間,進而在孔板125及磁件60間形成一冷卻液體流動空 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 295776 A7 B7 五、發明説明(13) 間。冷卻液於是流過空間44a ·經過孔洞126而與冷卻面 116接觸。另一種實施方式為孔板125可Μ安裝在陰極结 構上,該結構並不包括旋轉磁件。孔板125上之孔洞126 可Μ產生高速之噴射流127 ,而強力地衝射在冷卻面116 上,進而防止在冷卻面上形成蒸氣絕熱層,同時將蒸氣層 打散成细小的氣泡,並朝著冷卻液蒸氣排水口 46流動。對 於圖7所示陰極缌成之尺寸,其所能接受之靶體之直徑, 可達到10英寸,孔板125之直徑最好約在9 1/2英寸’同 時孔洞126之直徑則為0.3英寸。孔板125最好包括150 個孔洞126 ,或者是每平方英寸2涸孔洞。孔板125之尺 寸最好約0.6英寸厚,同時距離冷卻面116之距離最好為 〇.1英寸。噴射流127之速度最好為每分鐘365英寸’全 部之流量為每小時10加侖,進水口之壓力值約為30 psi° 冷卻液體在進水口及排水口之溫度分別為華氏70及212度 。受到高度攫動之冷卻液體在與冷卻面116形成接觸後’ 便可K在冷卻面116上形成蒸氣絕熱層,以確保噴鑛祀連 鑛地將熱量傳導至冷卻面11 6 ,以避免噴鑛祀過熱。 本發明之另一實施例則揭酋在圖5中。在本實施例中’ 冷卻液體進水管131供應一片矩陣式排列之噴嘴132 ’該 等噴嘴矩陣係安裝在陰極结構之冷卻室内’進而提供背板 130之冷卻面116 —道攪動之噴射流136 ’其中該背板係 導熱地及機械式地固定在該噴鍍祀133上。當安裝在陰極 结構上時,噴嘴群132係設置在該冷卻面116及陰極旋轉 磁件間;另一種實施方式為噴嘴矩陣132可以設置在不含 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X 297公楚) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(14 ) 旋轉磁件之陰極結構内。當配置在一旋轉磁件極極結構内 ,_嘴群132即可設置在旋轉磁件结構内。冷卻面116可 以為靶體之後面或是靶體固定之陰極之平面。過量之冷卻 液可以液體排水口 134處排離*而由蒸發之冷卻液體所產 生之蒸氣,刖由蒸氣排放口 135排雔。在圖4所示之實施 例中,噴射流136可K防止冷卻面連續形成一道蒸氣絕熱 層,Μ確保噴鍍靶連續地將熱量傳導至冷卻面,Μ避免噴 鍍靶過熱。 圖6刖掲露出本發明另一實施例。在冷卻流體118之撓 曲部份設置有多數道平面140 ,進而產生局部性之流體 141 ,Μ穿透在冷卻面116上形成之蒸氣絕熱層,進而將 蒸氣絕熱層擊散成细小的蒸汽氣泡128 。结構係安裝在陰 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極结構之冷卻室内,同時包含平面140可Μ相對於冷卻面 116固定;另一種實施方式為平面140可以相對於冷卻面 116移動,進而增強局部性流體141之攪動•其係利用已 知之往復結構,將结構142朝向冷卻面116移動,如對稱 式地顧示在144處。當安裝在陰極结構上時,结構142係 固定在冷卻面116及陰極旋轉磁件間。另一種實腌方式為 平面140可Κ置入旋轉磁件缌成之磁性結構内,進而提供 平面140旋轉性移動,使其相對於冷卻面116移動。如圖 4及圖5所示,區部性之流體141可Μ防止在冷卻面上連 鑛形成蒸氣絕熱層,Μ確保噴鍍靶連續地將熱量傳導至冷 卻面,Μ避免噴鍍靶過熱。 熟知此項技藝之人士可Μ很容易地瞭解到本發明可以做 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 五、發明説明(15 A7 B7 之包本。 良都-内 改改是圍 一修於範 生化。之 產變中構 Μ 些圍结 可這範效 都而與等 們然神其 它,精及 .®!之圍 改鍍義範 修噴定利 及 一所專 化卻圍請 變冷範申 之 Μ 利下 同藉專 Κ 不,請在 種置申制 各装下限 多與Μ僅 許法在明 出方栝發 (請先閱讀背面之注意事項再墒寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 6 .7 7 5 2 ABCD 六、申請專利範圍 1. 一種冷卻噴鍍靶之方法•其步驟包括有: 提供一噴鍍靶及一冷卻面,該冷卻面與該嗔鍍靶形成 可操作之熱傅導接觸; 將一冷卻液體導入該冷卻面,進而將噴鍍靶之熱量K 傳導方式排除; 允許至少部份之冷卻液體改變相態成為蒸氣;及 防止該冷卻面形成連鑛絕熱之蒸氣層,Μ確實維持該 冷卻面與該噴鍍靶間之熱傳導繼續進行,避免噴鍍靶發 生過熱琨象。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該噴鍍靶包括一 背面,同時該冷卻面為該噴鍍靶之背面。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該噴鍍靶係固定 在背板上,該背板包括一背面,同時該冷卻面為背板之 背面。 4. 根據申諳專利範圍第1項之方法,其中該噴鍍靶係固定 在噴鍍陰極結構上,該结構包括一平面,同時該冷卻面 為該陰極结構面。 5. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中進一步包括一自 該冷卻面抽離過量液體與蒸氣之步驟。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 6. 根據申請專利範圍第1項之方法·其中該冷卻液體主要 為水。 7. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該防止該冷卻面 形成連續絕熱之蒸氣層之步驟係Μ下列方式執行: 播動該冷卻液體,使其與該冷卻面接觸。 -19-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 六、申請專利範圍 8. 根據申請專利範圍第7項之方法,其中該攪動該冷卻液 體,使其與該冷卻面接觸之步驟係以下列方式執行: 在距該冷卻面上方一段距離處,設置孔板,該孔板上 具有多數個孔洞;及 使該冷卻液體流過該孔板,以使冷卻液Μ高速噴離孔 洞,進而強力地接觸該冷卻面,該噴射水流可穿透冷卻 面上所形成之蒸氣絕熱層。 9. 根據申請專利範圍第7項之方法,其中該攪動該冷卻液 體,使其與該冷卻面接觸之步驟係Μ下列方式執行: 在該冷卻面上方設置一道由矩陣排列之噴嘴;及 供應該等噴嘴水流,進而使水流Μ高速噴離噴嘴,而 射向冷卻面,進而強力地接觸該冷卻面,該噴射水流可 以穿透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 10. 根據申請專利範圍第7項之方法,其中播動冷卻液體, 使其與冷卻面接觸之動作,係Μ下列方式達成: 在冷卻面上方一段位置處*提供多數個撓曲面;及 使冷卻液體流過該撓曲面,使得冷卻液體在該撓曲面 之位置處,產生局部性之流動,該等冷卻液體強力地冲 擊該冷卻面,同時穿透在該冷卻面上形成之蒸氣層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11. 根據申請專利範圍第10項之方法,其中增強該冷卻液之 撓動,使其與冷卻面接觸之動作係Κ下列方式達成: 移動該撓曲面,使其相對地朝向該冷卻面移動,以增 加冷卻液體之局部性之流動|且該流體強力地沖擊該冷 卻面。 -20 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 六、申請專利範圍 12. —種用來冷卻噴鍍靶之裝置,其包括: 一冷卻面·該冷卻面與該噴鍍靶可操作之熱傳専接觸 *當將一道冷卻液體導人該冷卻面,可將噴鍵靶之熱量 以傳導方式排除;及 允許至少部份之冷卻液體改變相態成為蒸氣之装置, 防止該冷卻面形成連續絕熱之蒸氣層,Μ確實維持該冷 卻面與該噴鍍靶間之熱傳導繼續進行| Μ避免嗔鍍靶發 生過熱現象。 13. 根據申請專利範圍第12項之裝置,其中該噴鍍靶包括一 背面,同時該冷卻面為該噴鍍靶之背面。 14. 根據申請專利範圍第12項之裝置,其中該嗔鍍靶係固定 在背板上,該背板包括一背面,同時該冷卻面為背板之 背面。 15. 根據申請專利範圍第12項之裝置,其中該噴鍍靶係固定 在_鍍陰極結構上,該结構包括一平面,同時該冷卻面 為該陰極结構面。 16. 根據申請專利範圍第12項之裝置,其中進一步包括一自 該冷卻面抽離過量液體與蒸氣之步驟。 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17. 根據申請專利範圍第12項之裝置,其中該冷卻液體主要 為水。 18. 根據申請專利範圍第12項之裝置·其中允許至少部份之 冷卻液體改變相態成為蒸氣之裝置,防止該冷卻面形成 連續絕熱之蒸氣層,該冷卻液體受到激烈攫動,使其與 冷卻面接觸。 -2 1 -本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 295776 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :V1 9 .根據申請專利範圍第12項之裝置,其中至少允許冷卻液. 體部份改變相態轉換成蒸氣,同時防止在該冷卻面上連 壤形成蒸氣絕熱層之裝置,係包括: 在距該冷卻面上方一段距離處,設置孔板,該孔板上 具有多數個孔洞;及 使該冷卻液體流過該孔板,Μ使冷卻(液Μ髙速噴離孔 洞,進而強力地接觸冲擊該冷卻面,該噴射水流可穿透 冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 20. 根據申請專利範圍第12項之装置,其中至少允許冷卻液 體部份改變相態轉換成蒸氣 > 同時防止在該冷卻面上連 鑛形成蒸氣絕熱層之裝置,係包括: 在該冷卻面上方設置一道由矩陣排列之噴嘴;及 供應該等噴嘴水流,進而使水流Μ高速噴離噴嘴,而 射向冷卻面,進而強力地接觸該冷卻面,該噴射水流可 穿透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 21. 根據申請專利範圍第12項之裝置,其中至少允許冷卻液 體部份改變相態轉換成蒸氣,同時防止在該冷卻面上連 _形成蒸氣絕熱層之裝置,係包括: 在冷卻面上方一段位置處,提供多數個橈曲面; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 使冷卻液體流過該撓曲面,使得冷卻液體在該撓曲面 之位置處,產生局部性之流動,該等冷卻液體強力地沖 擊該冷卻面,同時穿透在該冷卻面上形成之蒸氣層。 22. 根據申請專利範圍第21項之装置,其中進一步包括: 移動該撓曲面,使其相對地朝向該冷卻面移動,Μ增 -22-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 加冷卻液體之局部性之流動,且該流體強力地沖擊該冷_ 卻面。 23. —種用來冷卻噴鍍靶之裝置,其包括: 一冷卻面,可與該噴鍍靶形可操作之熱傳導接觸,當 將一道冷卻液體導人該冷卻面,可將噴鍍靶之熱量Μ傳 導方式排除;及 在距該冷卻面上方一段距離處,設置孔板,該孔板上 具有多数個孔洞; 使該冷卻液體流過該孔板,Μ使冷卻液以高速噴離孔 洞,進而強力地接觸衝射該冷卻面,該噴射水流可Μ穿 透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 24. —種用來冷卻噴鍍靶之裝置,其包括: 一冷卻面,可與該噴鍍靶形可操作之熱傳導接觸,當 將一道冷卻液體導入該冷卻面,可將噴鍍靶之熱量以傳 導方式排除;及 在該冷卻面上方設置一道由矩陣排列之噴嘴;及 、供應該等噴嘴水流,進而使水流Μ高速噴離噴嘴,而 射向冷卻面,進而強力地接觸該冷卻面•該噴射水流可 以穿透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 25. —種用來冷卻噴鍍靶之裝置,其包括: 一冷卻面,可與該噴鍍靶形可操作之熱傳導接觸•當 將一道冷卻液體導入該冷卻面,可將噴鍍靶之熱量Μ傳 導方式排除;及 在冷卻面上方一段位置處,提供多數個撓曲面; -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    '1Τ 六、申請專利範圍 使冷卻液體流過該撓曲面,使得冷卻液體在該撓曲面 之位置處,產生局部性之流動,該等冷卻液體強力地冲 擊該冷卻面,同時穿透在該冷卻面上形成之蒸氣層。 26. —種噴鍍靶裝置,其包括: 陰極總成,固定在一處理室; 一噴鍍靶,固定在該陰極缌成上; 一電獎產生器,構成該陰極總成之一部份,藉由該噴 靶上產生電漿,以便將該電漿沉積在靠近在該噴鍍靶附 近之基層上; 一冷卻面,該冷卻面與該噴鍍靶形可搡作之熱傳導接 觸,當將一道冷卻液體導入該冷卻面,可將噴鍍靶之熱 量Μ傳導方式排除;及 允許至少部份之冷卻液體改變相態成為蒸氣之裝置, 防止該冷卻面形成連鑛絕熱之蒸氣層,Μ確實維持該冷 卻面與該噴鍍靶間之熱傳導繼續進行,Κ避免噴鍍靶發 生過熱現象。 27. 根據申請專利範圍第26項之裝置,其中至少允許冷卻液 體部份改變相態轉換成蒸氣,同時防止在該冷卻面上連 鑛形成蒸氣絕熱層之裝置,係包括: 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在距該冷卻面上方一段距離處,設置孔板,該孔板上 具有多數個孔洞; 使該冷卻液體流過該孔板,以使冷卻液Μ高速噴離孔 、 洞,進而強力地接觸冲擊該冷卻面,該噴射水流可Μ穿 透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 -24-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ^95776 j88 C8 D8 六、申請專利範圍 28. 根據申請專利範圍第26項之裝置,其中至少允許冷卻液_ 體部份改變相態轉換成蒸氣,同時防止在該冷卻面上連 續形成蒸氣絕熱層之裝置,係包括: 在該冷卻面上方設置一道由矩陣排列之噴嘴;及 供應該等噴嘴水流,進而使水流K高'速噴離唄嘴,而 射向冷卻面,進而強力地接觸該冷卻面,該噴射水流可 穿透冷卻面上所形成之蒸氣絕熱層。 29. 根據申請專利範圍第26項之裝置,其中至少允許冷卻液 體部份改變相態轉換成蒸氣,同時防止在該冷卻面上連 鑛形成蒸氣絕熱層之裝置,係包括: 在冷卻面上方一段位置處,提供多數個撓曲面; 使冷卻液體流過該撓曲面,使得冷卻液體在該撓曲面 之位置處,產生局部性之流動|該等冷卻液體強力地沖 擊該冷卻面,同時穿透在該冷卻面上形成之蒸氣層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-u 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
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