TW203139B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TW203139B TW203139B TW081102248A TW81102248A TW203139B TW 203139 B TW203139 B TW 203139B TW 081102248 A TW081102248 A TW 081102248A TW 81102248 A TW81102248 A TW 81102248A TW 203139 B TW203139 B TW 203139B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mixture
- varistor
- manganese
- sintered
- patent application
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 15
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 22
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 2
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 ethyl methyl Chemical group 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- HVYWMOMLDIMFJA-UHFFFAOYSA-N 3-cholesterol Natural products C1C=C2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(C)CCCC(C)C)C1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 1
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(iii) oxide Chemical compound O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
Λ 6 Η 6 031Β1:_ 五、發明説明(1 ) (請先閲讀背而之注意事項再填寫*-' 本發明係關於氣化鋅(Ζ η ◦)變胆鼸材料及産裂該 材料的方法。 氣化鋅與少置的氣化铋(B i 2〇3)及其他添加劑的 混合物經燒結後具有高的非線性電流/電壓特性,此廣為 人知。此種材料(通常被稱為變阻體材料)已廣泛地用於 穩定電壓或吸收電子電路的短暫突波,其像利用電壓及電 流的非線性關偽。變阻體的電流及電壓關係可用下列實驗 方程式表7F : I = ( V / C ) α 線_ 其中,V代表施加至變阻體上的電壓,I代表流過變阻體 的電流,C示常數且α示非線性係數。非線性係數α係依 據下列方程式算得: a = l〇g ( I 2 / I i) / log (Vs/^Vi) 經濟部屮央楳準局A工消$::合作杜印製 式中,V:及乂2各別代表在已知電流I;及I2下的電 壓〇 · 通常,I /及I 2分別在1 m A及1 0 m A下測得且 V,稱為變阻體電壓。非線性傜數係依組份及變阻體的生 産方法而改變。一般而言,數好的變阻體材料應具有盡可 能大的非線性係數。 雖然,據報導已有一些理論說明氣化鋅變阻體的非線 81. 2. 20,000 本紙5t尺度边用中8 8家標準(0阳)肀4規格(2丨0><297公;«:) 0313^ 五、發明説明(2 ) (請先閲讀背而之注意事項再填窩; 性電流一電壓特性的機轉,然卻沒有明確的理論成立。然 而,應認知變阻體的電氣性質係源自晶粒界面(erain boundary)。氧化鋅變阻體通常含有氣化鋅晶粒,而高度 阻抗界面層係位在圍繞著晶粒之處且被界限於晶粒。使用 添加劑以形成此界面層。普遍使用許多種添加劑,且添加 劑之型式及數量係隨著所欲求之性質而變。 _ 迄今,已製得的氣化鋅變阻體材料如下所示。數種添 加劑(諸如鉍,鈷,錳,銻,鉻等金屬的氣化物)與氧化 鋅粉末混合且乾燥。經乾燥之混合物被模塑成欲求的形狀 ,接著被燒結。在燒結階段,混合物反應從而生成變阻體 材料。將電極及導體接合至變阻體材料而製得變阻體元件 0 經濟部屮央榀準局貝工消费合作社印製 習知的氣化鋅變阻體材料具有約2 0 OV/mm的變阻 體電壓。如此,若欲求高的變阻體電壓(諸如在使用避電 器之情況下),此種變阻體必須具有大的厚度,例如,就 變阻體電壓為200V/mn的變阻體材料而言,為了獲得 700KV的變阻體電壓需要約3. 5πι的厚度。此種大 的變阻體材料使得電絶緣很困難,生産成本增加且所選用 的裝設地點受到限制,因此,極需要一種具有高的變阻體 電壓的變阻體材料。 經過毎一氣化鋅變阻體的晶粒界面的電壓降是約‘2 _ 4伏且此值與組份或生産製法參數無關,此為習知的知識 ,因此,若在燒結階段晶粒的生長能被抑制,則每單位厚 度具有高的變阻體電壓的變阻體材料可獲得。_ 本紙張尺度边用中a Η家楳準(CNS)T4規格(210X297公龙) 一81. 2. 20,000 省.—<· 附 m 81l〇日ίΡ請案民國8斤9月»^ A6 又况明#修正貝__Β6 五、發明説明(3 ) 然而,通常氧化鋅變阻體材料含有氣化鉍,氣化缌或 氣化鋇,其在燒結階段在界面層上形成液相,以促進晶粒 的生長。為了抑制在此種氣化鋅變阻體中晶粒之生長,提 出下列方法以達成,一方法是在高達1 1 001C之低溫下 進行燒結,因為在此溫度下不能有效地進行燒結,然而, 必須採用一特殊之手段,結果是生産方法變得很後雜且難 以進行品管,另一方法是使用諸如氧化銻或二氧化矽之抑 制劑,因為必須使用相當大的數量的此種抑制劑,以獲得 理想的結果,然而産生關於産物之異質化及突波電胆減小 的問題。 含有氧化鋅及Ζ η Μη 2〇4的變阻體材料在美國專利 第5 0 7 6 9 7 9號中提出,先前技藝中並未有特殊實例 能掲露出每1 ram之厚度具有8 0 0伏以上之變阻體電壓之 變阻體,此外,若氣化錳之含量落於3 - 7莫耳百分率( 以氧化鋅及氧化錳之總量為基準)之範圍外,則不能製得 理想的高非線性係數。 經濟部中央標準局8工消費合作社印製 本發明僳為了解決上述傳統技術之問題以提供一種具 有高電阻體電歷的新穎變阻體材料。 依據本發明之一觀點,本發明提供一種變阻體電壓至 少800V/mm,非線性偽數至少30,特性電阻至少 1 X 1 0s ohm ♦ cm且組成實質由85 — 97莫耳百 分率氧化鋅及3-15莫耳百分率氣化錳所構成的變阻體 材料。 另一觀點而言,本發明提供一種生産變阻體材料的方 本纸張尺度適用中國國取標準(CNS)甲4規格(210 X 297公g ) 81·9·25,000 Λ 6 Η 6 ^03139 五、發明説明(4 ) 法;此方法包括: (沐先閲讀背而之注意事項再填寫*.. 提供一種含有85 — 97其耳百分率氣化鋅粉末(其 平均粒徑不大於1 x/m)及3 — 1 5莫耳百分率錳化合物 的混合物, 將該混合物在混合器中混合,同時實質上防止該混合 物被含有一種元素(屬於週期表第lb族)的雜質所污染 ,以獲得混合物; 在含氣大氣下在6 0 0至9 0 Ot:之溫度下將該混合 物燒結,以製得經燒結之産物; 將該經燒結之産物粉末化,同時大致上防止該經燒結 産物被含有一種金屬(屬於週期表第lb族)的雜質所污 染,以製得含有一種元素(屬於週期表第lb族)的雜質 化合物之含置不超過以重量計20 p pm的粉末化産物; 將該粉末化産物模製,以製得成形體;以及 在含氣大氣下在1 100至1 3001C之溫度下將該 成形體燒結,以製得自具有不超過5徹米之平均晶粒直徑 的晶粒形成的經燒結體。 經濟部屮央桴準局κχ工消伢合作社印製 本案說明書中,經燒結體之術語〜平均粒徑"係欲想 提及依照 Jeffries 的測面儀法(Jeffries,Z·· Metallurgical and Chemical Engineering, 18,185 (1918)測 得之平均晶粒的直徑。平均晶粒之直徑(d)像依據下列 方程式算得:d = 2/ /^ΓΤΓ ,式中,η代表每平方微米 中晶粒之數目。 本發明詳細描述如下: 本紙张尺度逍用中a S家橒準(CNS) Τ4規格(210X297公龙) 81. 2. 20,000 Λ 6 Η 6
0313B 五、發明説明(5 ) (請先閲讀背而之注意事項#填容 X) 本發明之變阻體材料所具有之組成為8 5 — 9 7莫耳 百分率的氣化鋅及3 — 1 5莫耳百分率的氣化鏟(Nln〇 ),以85—92莫耳百分率氣化鋅及8—15莫耳百分 率氣化錳為較佳。若氣化錳之含量從3莫耳百分率向上增 加,則非線性係數增大,若氣化鐘之含量大於8莫耳百分 率,則此增量是顯著的。氧化錳之含置若超出15某耳百 分率則為不利的,因為變阻體之電阻係數是低於 1X103 ohm.cm,電阻像數低於lxi〇s ohm* cm是不利的,因為漏電流會增加且變阻體的熱 偏離有效期(thermorunaway life)變短了。 構成變阻體材料的晶粒的平均粒徑應不超過5微米, 以1至5微米為較佳,此很重要,否則,不能獲得800 V/nnD的高變阻體電壓。 經濟部屮央標準局Εζ工消t合作社印製 本發明之變阻體材料可用下列方法製得,首先,製備 一種由氣化鋅粉末及錳化合物所組成的均勻混合物,氧化 鋅粉末應具有不大於1/im的平均粒徑,以不大於〇. 5 // m為較佳。提議使用高純度的氣化鋅粉末,此種氧化鋅 粉末可自市場上購得。 只要其能在娟結時轉化成氣化錳,可使用任何錳化合 物以用於本發明。適當錳化合物之例子包括氣化錳,硝酸 錳,醋酸錳及碩酸錳。 可藉乾式混合法或溼式混合法將氣化錳粉末及錳化合 物混合。若採用乾式混合法,錳化合物應切割成細微狀至 平均粒徑不超過1 Wm,以不超過0. 為較佳。為 本紙張尺度遑用中B 家標毕(CNS) T4規格(210X297公*) 81. 2. 20,000 ,031 如 Λ 6 II 6 五、發明説明(6 ) (請先閲讀背而之注意事項#蜞筠4 了獲得均勻的混合物,較好的方式是將錳化合物溶入適當 的溶劑,接著,將所製得的溶液與氣化鋅粉末混合,至於 此種溶劑,係使用水或不會與氣化鋅相互作用且用蒸發法 輕易排除的有機溶劑。適當溶劑的例子為甲醇,乙醇及甲 基•乙基甲_。 訂 氣化鋅粉末與錳化合物混合時應大致上防止被其他金 屬成份(特別是週期表第Mb族者,例如,硼,鋁,鎵, 絪及鉈)所污染,此點很重要。使用氧化鋁球形磨是生産 變阻體材料的一般實務,本發明者已發現,包含在氣化鋅 變阻體中的金屬化合物雜質(諸如氣化鋁及氣化硼)會相 當不良地影堪其待徽,諸如,變阻體電壓的降低,非線性 係數及電阻係數。因此,在氧化鋅粉末與錳化合物混合時 ,建議使用由合成樹脂所形成的球形磨,或所使用的球形 磨的内表面以合成樹脂作為襯裡。 經濟部t央櫺準局CX工消"合作社印51 然後,所製得溼的混合物藉除去溶劑加以乾燥,接著 ,在含氧大氣下在6 ◦◦至9 0 Ot:之溫度下煅燒,烺燒 溫度低於6 0 0C不足以使得氣化鋅粉末與錳化合物反應 ,若烺燒溫度超過9 ◦ 0 t:,則易於發生晶粒生長及氧化 鋅粉末黏結。- 然後,經烺燒的質塊粉碎成平均粒徑(例如)7 /im 以下的粒子(以1 /u rri以下為較佳)。基於上述相同之理 由,應進行粉碎且同時大致上防止與含有金屬元素的表面 接觸,特別是含有週期表第Mb族的金屬元素的表面。在 進行混合及粉碎化時藉使用合成樹脂球形磨或使用以合成 本紙51尺度遑用中B a家楳準(CNS)TM規怙(210x297公;¢) ~ 81. 2. 20,000 -8 - ^03139 Λ 6 Π 6 五、發明説明(7 ) 樹脂為襯裡的球形磨,能控制第JI b族元素之雜質濃度至 低於按重置計20ppm。 ’ 所製得的物料隨後模塑成理想的形狀,且成形體在含 氧大氣壓中在1 100 — 1300¾ (以1100 — 1 2501C為較佳)之溫度下燒結約0. 5至3小時,以 獲得由平均晶粒直徑不超過5 的晶粒所形成的變阻體 材料。若燒結溫度低於1 1 OOt:則不足以在可接受的時 間内進行燒結。另一方面,若在1 3001C以上之溫度下 燒結,則燒結體易於發生變形,若燒結溫度降低,燒結鑌 的平均晶粒直徑變小而同時每單位厚度的變阻體電壓增大 下列實例進一步說明本發明 ih- 先 閲 讀 背.¾ 之 注 意 事 項 填 % 經濟部中央標準局ts:工消费合作社印製 實例1 用以氣化鋅及氧化錳之總量計8莫耳%的氧化錳之數 量下的硝酸錳(Μη (Ν〇3) 2· 6H2〇)與氧化鋅粉 末(由 Seido Kagaku Kogyo K.K.所製造,純度 99. 85%,平均粒徑◦. 5wni)在甲基•乙基甲_ 内混合。混合係·在球形磨(内壁為聚氨基甲酸酯層)内進 行2 4小時,混合物在1 2 0 t:下乾燥1 5小時,接著, 在坩堝内在700t:下煅燒1小時,使用上述球形磨,以 濕式法將經煅燒混合物研磨,接著,乾燥之。發現在粉碎 化産物内氣化鋁及氣化鋁之含量是分別低於按重量計5 P pm及1 p pm。然後,使用模子將經粉碎化的産物在 本紙張尺度边用中國國家榀準(CNS)T4規格(210x297公设) 81. 2. 20,000 Λ 6 Π 6 ^03139 五、發明説明(8 ) SOOkg/cra2之壓力下成形為直徑1 0咖厚度1咖的盤 狀物,模子之内表面以酚樹脂。盤狀物在1 1 〇0*C下在 空氣中燒結1小時。測量所製得的經燒結盤狀物(樣品1 )的密度及平均晶粒直徑。此外,將盤狀物擦亮且用铟一 汞合金在每一相反表面上塗覆以形成電極,以供测量其變 阻器電腰,非線性係數及電阻係數。依據Archimedes’s方 法測置密度,且按單一相的純氣化鋅之理論密度為基準的 百分率表示之。經燒結盤狀物之平均晶粒直徑係使用掃描 式電子顯撤鏡拍照經燒結盤狀物的切斷表面的照片再用 Jeffries測面儀法計算出,該經燒結盤狀物被磨光成鏡子 一拋光的表面,且在1100¾下熱腐蝕1分鐘。 使用各種數量的氣化錳重覆上述程序,而燒結溫度顯 示於表1及表2,以製出樣品2 — 43。此些樣品之特徽 摘要於表1及表2。 (請先閲請背而之注意事項^塥寫»*-.) 經濟部中央楳準局EX工消费合作杜印驭 81. 2. 20,000 本紙张尺度边用中國國家準(CNS)肀4規怙(210x297公龙) -10 rt u ^0313 五、發明説明(9 ) 表1 經濟部中央標準局EX工消"合作社印製 樣品 编號 麟溫度 (V) 氣傾钱 (莫耳%) 變阻體電麼 (V/bub) 麥睇性 m 電阻偽數 (ohn * c屋) 密度 (96) 平均晶粒直徑 (wm) 1 1100 8 2600 110 2X10iO 97.2 1.2 2 1100 10 3100 120 1Χ10/ο 97.0 1.1 3 1150 8 2380 108 lX10iO 97.4 1.9 4 1150 10 2880 110 2X10iO 97.0 1.8 5 1150 12 2900 98 2X10iO 96.9 1.8 6 1150 15 2820 94 IX 10s 96.8 1.7 7 1150 20 1580 17 3X107 95.6 1.2 8 1200 8 2550 61 2X10'0 96.1 2.2 9 1200 10 2820 100 ixio/0 97.1 2.1 10 1200 12 2900 90 2X10a 96.5 2.0 11 1200 15 3010 79 3X10e 95.8 1.7 12 1200 20 2020 67 5X107 95.3 1.2 13 1250 8 2220 105 IX 10s 97.0 2.7 14 1250 10 2410 95 2X103 97.7 2.2 15 1250 12 2460 95 2X109 96.6 2.3 16 1250 15 2520 90 1X109 95.7 2.1 17 1250 20 2610 100 2X10* 95.7 1.3 18 1300 8 340 5 4X10« 98.2 5.0 19 1300 10 1630 41 1X10® 97.5 3.5 20 1300 12 2390 84 IX10® 96.7 3.2 21 1300 15 2000 37 2X10* 95.8 3.0 (請先閲讀背而之注意事項再填窍.:) 本紙Λ尺度逍用中国國家樣準(CNS)T4規格(210X297公*) 81. 2. 20,000 -11 A 6 Η 6 五、發明説明(10) 表2 經濟部屮央標準局只工消费合作社印製 樣品 编號 麟溫度 CC) 氣雌钱 (莫耳%) 變阻體願 (V/ bud) 雜性 係數 電阻像數 (oha * ca) 密度 (%) 平均晶粒直徑 (wm) 22 1100 0.5 80 3 2 X106 98.0 2.8 23 1100 1 180 7 4 ΧΙΟ7 96.1 2.9 24 1100 2 980 31 2X10* 96.6 2.7 25 1100 3 1990 60 7Χ10/ο 97.3 2.2 26 1100 4 1990 88 4Χ10ίΟ 96.2 1.9 27 1100 5 2450 93 6Χ10/ο 96.4 1.9 28 1100 6 2130 79 lX10iO 96.0 1.3 29 1150 2 610 21 6 ΧΙΟ7 97.7 3.5 30 1150 3 1600 40 3X10iO 97.2 3.4 · 31 1150 4 1620 48 2Χ10/0 96.9 2.4 32 1150 5 2170 46 3X10i0 97.7 2.1 33 1150 6 1630 60 4 ΧΙΟ9 96.6 1.9 34 1200 1 63 4 3 Χ106 96.6 4.7 35 1200 2 480 16 3 Χ107 98.0 4.6 36 1200 3 1500 28 6 Χ103 98.6 4.4 37 1200 4 1430 54 6 ΧΙΟ9 96.9 3.7 38 1200 5 1930 42 1X10'° 98.0 2.5 39 1300 6 1560 56 IX ΙΟ9 98.0 2.4 40 1250 5 1120 24 2 X10s 98.1 4.8 41 1250 6 1200 30 1X10® 97.8 3.9 42 1250 7 1400 43 2X10* 97.4 3.6 43 1300 5 160 7 5 ΧΙΟ6 98.0 15.4 請 閲 ifi 背 1¾ 之 注 意 事 項 寫 本紙ft尺度逍用中B S家«準(CNS)肀4規格(210X297公*) 81. 2. 20,000 -12 - ^031 沾 附件5 :第 80212248號專利申請案 參考資料 民國81年9月呈 %
PERIODIC TADLH OF THE ELEMENTS 〇 i、2:ί 8ΛΙ- v=lsll- iwswjw WXH 0Ξ05ω^ • Es—uydnl snofAajj ——uo-e5u Maz- 丨 uofcuA^<u.
Yl X 2 i 9 z i a- 2 a o o o «8 x V r. e o *» 〇» —Z rn rs 〇 OO ?.·? e〇 ^ 〇c*p ·— ^ r>« 〇 ββ 2« S« O — •tf 44 — βί 2t o «〇 C K A eoos 7 s g» , 2*7 办 Ux — n 明 r· ·· ♦ ♦ ♦ 1 5- 匚σ s* ♦ ♦ 7 晕5 Si ?:« Si s< si ' •差 QO 〇 ~ r-4 J?7 g'f v〇 ^ τ?7 If7 s? Sr 7Ϊ 3<£ 垂 « ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ 1 1 \ r- ♦ ♦ 7 Λ c: *? —a. r-1 rs Τ 了 7 νΟ ·— Ό 以 Ρϊ< ?-ρ ??7 5t <>% M ♦ ♦ ss m — SOU 1; -•Vi Γ-* J * ♦ t 厂ϊ "寶 Kf Si? ♦ M o'? <n OQ — rs s- r*"\ —j >〇 *? Λ -± Ρΐο S- * S? St sp 5=? 2 r4 β C ^ = Z m 5 f νΊ a β U 一 S g =2 i § ® γ5 2°? * <~4 —〇β 00 *〇 —«» 1 U - T ** 办〇〇 ♦ s« r' M 3 βό W < o-r ♦ ♦卜一 〇 uj l I 〇 ***7 t^· Si Sz S-f ···, H i兰 VT « 9 A < X o >~ 〇 e « Ξ •n to — < +*^ r< nr* W Si 7 II -Λ r< — f-^ i-x 卜,上2: 7 ill 5 1 -5 I U ·> Si r~ -Jy O _ ?« §r ϊ?ο z £ | < 00 I I 巧 ri CO On < ee _f ♦ ? T T 0 «e r-« c以 >» -o r- * ♦ ♦ n ,« r> …£ = Pi Θ 卜·》 T r« « « ♦ ♦ ♦ Ά0 二· 。孓令 si ★ * ΓΗ «Ο A ^3: ^ g c 5^; Ξ 3 Ci7 + 7 Τ Τ ^ ?)> 7: I- * ^S2 v. g- gr S3 S^: < Λ 2: f S3 > aa 7?t si 了 T „ Γίχ S? 了 ^ 3|· Ϊ 0 = r> •λ <-< Γ·β 3*4· * «, «〇 r·* 宝+ ♦ Ό .K c;J * S-* 〇 ‘ s.u 5 = tt on ^ 〇Q e\ rn ♦ b ® ei Su ?>? s°? 以s" n2 S3 5? V ^ si 3= ♦ 1 » 9> ♦ St ~ s 1ΐ ". r·— t *? KS 3 = * 的 o — »iei SC3 3 今 S= 岑S! ;:另巧 |S »*· ♦ ♦ ΞΙ ii ^ i? r· *η ♦ ♦ Ξ·^ Si Ξς C!, ♦ «~4 3ώ ^ =,! si * * ^ ^ee ?ϊ« ί〇 X -^· S:t2 S" 7 7 1«? 二5 名占s弓 芑 Ϊ3 S" 7Ί P? £:垚 55 7 ? 33 5*9 r*jn ?了 Τί Ά r-« Ταό e a? s4 5? r* ^ ♦ f 7TTf «β^ ς·«Ρ sJ ?? 7 T ♦ T ί a- 3ί Ξ? Ot 1 SA β >* ^ SS Si3 ♦ ♦ «Λ o Si ?? °-± 一 ί 了. «β 3<f> ϋ s I :s 3 • • •»l 21 sdnoJS-lsJvqenuJEEJOJ 5-1^----)--^^/^5--^==-4/7^5/3/0^0 eojj JuaE-'--M-JoadolsI-qcu-SOE'-o 11^111===^111-----9^3-119--ulsjwqulnz < - G31S9
附件2A :第81102248號專利申請案中文補充資料 民國81年9月呈
樣品 號 Μη〇 耐受突波 V7TC (8/20 mS) 最大限制 電壓 (8/20 mS) 最大可容許 電fE (AC) 30 3 % >1000A 2900 V 1100 V 31 4% >1000A 2900 V 1100 V 38 5 96 >1000A 3500 V 1300 V 3 8 % >1000A 4300 V 1600 V 14 10% >1000 A 4300 V 1600 V 15 12% >1000A 4300 V 1600 V 16 15% >1000 A 4600 V 1600 V ▼ 4 (21βχ297公釐) 20
Claims (1)
- .031^ iLl fin A7 B7 C7 D7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 附件1 A : 第81102248號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國81年11月修正 rT.H〇〇 至 3…v/ mi的變阻體電壓,至少30的非線性僳數,至少IX 1〇9 ohm·cm的電阻傺數,其組份為由基本上85 -97莫耳百分率氣化鋅及3-15莫耳百分率氧化錳所 組成,且其為自平均粒徑不超過5微米之粒子所形成之燒 結體。 2. 如申請專利範圔第1項的變阻體材料,其中其組 份為由基本上85—92莫耳百分率氣化鋅及8—15莫 耳百分率氣化錳所組成。 3. 如申請專利範圍第1項的變阻體材料,其中所含 有週期表第Ib族元素的雜質化合物的含量不超過按重量 計 2 0 p p m 〇 4. 一種生産變阻體材料的方法,此方法包括: A. 提供一種含有85 - 97莫耳百分率氧化鋅粉末(其 平均粒徑不大於1wm)及3-15奠耳百分率錳化合物 的混合物, B. 將該混合物在混合器中混合,同時防止該混合物被含 有一種元素(羼於週期表第lb族)的雜質所污染,以獲 得混合物, C. 在含氧大氣下在600至900¾之溫度下將該混合 (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) 裝. 訂 .線‘ 表紙張尺度適用中國國家櫺準(CNS)甲4規格(2】〇 X 297公釐) 81.9.10,000 _ 1 一 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍 物燒結,以製得經燒結之産物, D. 將該經燒結之産物粉末化,同時防止該經燒結産物被 含有一種金屬(羼於週期表第lb族)的雜質所污染,以 製得含有一種元素(羼於週期表第lb族)的雜質化合物 之含量不超過按重量計2 0 p pm, E. 將該粉末化産物模製,以製得成形體,以及 F. 在含氣大氣下在1 100至1 300*0之溫度下將該 成形體燒結,以製得自不超過5撤米之平均晶粒直徑的晶 粒形成的經燒結體。 5. 如申請專利範圍第4項的方法,其中該錳化合物 是硝酸錳,且該混合物是氣化鋅粉末與溶於甲基♦乙基甲 酮中硝酸錳之溶液之混料。 6. 如申請專利範圔第4項的方法,其中該混合步驟 是用混合裝置進行,該混合裝置中與該混合物接觸的表面 是以合成樹脂為襯裡,且其中,該粉碎化步驟是用粉碎化 裝置進行,該粉碎化裝置中與該經燒結産物接觭的表面是 以合成樹脂為襯裡U (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 緣· 經濟部t央櫺準局R工消費合作社印製 81.9.10,000 本紙張又廣適用中國國家標準(CNS)甲4規格(2〗0 X 297公赘)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3278649A JPH0685363B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | 高電圧用バリスタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW203139B true TW203139B (zh) | 1993-04-01 |
Family
ID=17600224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW081102248A TW203139B (zh) | 1991-09-30 | 1992-03-24 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5382385A (zh) |
| EP (1) | EP0535773A1 (zh) |
| JP (1) | JPH0685363B2 (zh) |
| TW (1) | TW203139B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1946336A1 (en) * | 2005-10-19 | 2008-07-23 | Littelfuse Ireland Development Company Limited | A varistor and production method |
| WO2008035319A1 (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Littelfuse Ireland Development Company Limited | Manufacture of varistors comprising a passivation layer |
| JP5594462B2 (ja) * | 2010-04-05 | 2014-09-24 | Tdk株式会社 | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電子部品 |
| TWI425532B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-02-01 | Leader Well Technology Co Ltd | 一種使氧化鋅變阻器同時提高電位梯度及非線性係數的製法 |
| JP6810590B2 (ja) * | 2016-12-07 | 2021-01-06 | Koa株式会社 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
| JP7169776B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-11-11 | Koa株式会社 | 酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2345753C3 (de) * | 1972-09-11 | 1978-03-09 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) | Metalloxid-Varistor |
| US3953371A (en) * | 1973-11-12 | 1976-04-27 | General Electric Company | Controlled grain size metal oxide varistor and process for making |
| US3928242A (en) * | 1973-11-19 | 1975-12-23 | Gen Electric | Metal oxide varistor with discrete bodies of metallic material therein and method for the manufacture thereof |
| US4285839A (en) * | 1978-02-03 | 1981-08-25 | General Electric Company | Varistors with upturn at high current level |
| US4296002A (en) * | 1979-06-25 | 1981-10-20 | Mcgraw-Edison Company | Metal oxide varistor manufacture |
| US4397775A (en) * | 1981-06-01 | 1983-08-09 | General Electric Company | Varistors with controllable voltage versus time response |
| EP0147607B1 (de) * | 1983-12-22 | 1988-05-04 | BBC Brown Boveri AG | Zinkoxid-Varistor |
| DE3566753D1 (de) * | 1984-03-29 | 1989-01-12 | Toshiba Kk | Zinc oxide voltage - non-linear resistor |
| US5039452A (en) * | 1986-10-16 | 1991-08-13 | Raychem Corporation | Metal oxide varistors, precursor powder compositions and methods for preparing same |
| FR2607417B1 (fr) * | 1986-12-02 | 1989-12-01 | Europ Composants Electron | Procede de fabrication par coprecipitation de poudres dopees a base d'oxyde de zinc |
| JPH0834136B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1996-03-29 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体 |
| JPH068210B2 (ja) * | 1988-02-18 | 1994-02-02 | ソマール株式会社 | バリスタ材料及びその製法 |
| JPH068211B2 (ja) * | 1988-06-15 | 1994-02-02 | ソマール株式会社 | バリスタ材料の製法 |
| JPH0812814B2 (ja) * | 1989-07-20 | 1996-02-07 | ソマール株式会社 | バリスタ材料及びその製造方法 |
| FR2651773B1 (fr) * | 1989-09-08 | 1991-10-25 | Europ Composants Electron | Composition a base d'oxyde de zinc pour varistances de basse et moyenne tension. |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3278649A patent/JPH0685363B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-24 TW TW081102248A patent/TW203139B/zh active
- 1992-03-24 US US07/856,571 patent/US5382385A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-25 EP EP92302622A patent/EP0535773A1/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0535773A1 (en) | 1993-04-07 |
| JPH0590012A (ja) | 1993-04-09 |
| US5382385A (en) | 1995-01-17 |
| JPH0685363B2 (ja) | 1994-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW448135B (en) | Wear resistant aluminous ceramics and its production | |
| EP2077256B1 (en) | Semiconductor ceramic composition and method for producing the same | |
| WO2008018402A1 (en) | Zinc oxide sinter, process for producing the same, and sputtering target | |
| JPS6346032B2 (zh) | ||
| US7122490B2 (en) | Aluminum nitride materials and members for use in the production of semiconductors | |
| TW200526538A (en) | Dielectric ceramic composition and method of production and electronic device of the same | |
| CN104496502B (zh) | 一种含铝铬渣的铝尖晶石碳砖及其制备方法 | |
| TW203139B (zh) | ||
| EP1201622B1 (en) | A material with a low volume resistivity, aluminium nitride sintered body and article for manufacturing semiconductors | |
| CN102245536A (zh) | 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻 | |
| TW393652B (en) | Method of producing positive temperature coefficient semiconductor ceramic | |
| US6607836B2 (en) | Material of low volume resistivity, an aluminum nitride sintered body and a member used for the production of semiconductors | |
| JP2004018296A (ja) | アルミナ質焼結体及びその製造方法 | |
| JP7451277B2 (ja) | サーミスタ焼結体および温度センサ素子 | |
| CN111925207A (zh) | 一种Mg3B2O6-Ba3(VO4)2复合陶瓷材料及制备方法 | |
| EP2253602A1 (en) | Process for producing semiconductor porcelain composition and heater employing semiconductor porcelain composition | |
| JP3771756B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JP4246482B2 (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物及び誘電体共振器 | |
| TW388034B (en) | Barium titanate-based semiconductor ceramic | |
| JP6686699B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP3830298B2 (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| CN110691755A (zh) | 氮化铝系粉末及其制造方法 | |
| JP2006182643A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| TWI262534B (en) | Aluminum nitride materials and members for use in the production of semiconductors | |
| JP2020057719A (ja) | サーミスタ材料及びその製造方法 |